CN112885245A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- CN112885245A CN112885245A CN202110023279.5A CN202110023279A CN112885245A CN 112885245 A CN112885245 A CN 112885245A CN 202110023279 A CN202110023279 A CN 202110023279A CN 112885245 A CN112885245 A CN 112885245A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 53
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 18
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示装置,其包括基板、导电结构、像素单元、信号线、传输线以及修补结构。基板具有第一表面、相对于第一表面的第二表面及贯穿第一表面及第二表面的通孔。导电结构位于通孔内。像素单元位于第一表面上。像素单元包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫、第四连接垫、驱动元件及发光元件。发光元件电性连接于第一连接垫及第二连接垫。信号线位于第一表面上。驱动元件藉由信号线电性连接于第一连接垫及第三连接垫。传输线位于第二表面上。传输线至少藉由导电结构电性连接于第二连接垫或第四连接垫。修补结构位于传输线及导电结构之间。
Description
技术领域
本发明是有关于一种显示装置及其制造方法,且特别是有关于一种具有修补结构的显示装置及其制造方法。
背景技术
在显示装置的制造过程中,常会有不可避免缺陷产生(如:非正常的亮点)。因此,如何针对上述的缺陷进行修复,以提升显示装置的品质,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种显示装置及其制造方法,可以使显示装置具有较佳的显示效果。
本发明的显示装置包括基板、第一导电结构、第一像素单元、第一信号线、传输线以及第一修补结构。基板具有第一表面、相对于第一表面的第二表面及贯穿第一表面及第二表面的第一通孔。第一导电结构位于第一通孔内。第一像素单元位于基板的第一表面上。像素单元包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫、第四连接垫、第一驱动元件及第一发光元件。第一发光元件电性连接于第一连接垫及第二连接垫。第一信号线位于基板的第一表面上。第一驱动元件藉由第一信号线电性连接于第一连接垫及第三连接垫。传输线位于基板的第二表面上。传输线至少藉由第一导电结构电性连接于第二连接垫或第四连接垫。第一修补结构位于传输线及第一导电结构之间。
本发明的显示装置的制造方法包括以下步骤。提供显示结构。显示结构包括基板、第一导电结构、第一像素单元、第一信号线、传输线以及第一修补结构。基板具有第一表面、相对于第一表面的第二表面及贯穿第一表面及第二表面的第一通孔。第一导电结构位于第一通孔内。第一像素单元位于基板的第一表面上。像素单元包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫、第四连接垫、第一驱动元件及第一发光元件。第一发光元件电性连接于第一连接垫及第二连接垫。第一信号线位于基板的第一表面上。第一驱动元件藉由第一信号线电性连接于第一连接垫及第三连接垫。传输线位于基板的第二表面上。传输线至少藉由第一导电结构电性连接于第二连接垫及第四连接垫。第一修补结构位于传输线及第一导电结构之间。对显示结构的第一发光元件进行测试。于对第一发光元件进行测试之后,令传输线不电性连接于第二连接垫。配置第二发光元件于第一表面上,且电性连接于第三连接垫及第四连接垫。
基于上述,在显示装置的制造过程中,在对第一发光元件进行测试之后,若认为其不具有预期的发光状态,则可以藉由配置第二发光元件以及令传输线不电性连接于第二连接垫的方式,而使修复后的显示装置具有良好的显示。如此一来,可以使显示装置可以具有较佳的显示效果。
附图说明
图1A是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分立体示意图。
图1B是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分上视示意图。
图1C是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分立体示意图。
图1D是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分立体示意图。
图1E是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分上视示意图。
图2A至图2C是依照本发明的一实施例的一种导电结构的部分形成方法的上视示意图。
图3A至图3C是依照本发明的一实施例的一种导电结构的部分形成方法的剖视示意图。
图4A至图4C是依照本发明的另一实施例的一种导电结构的部分形成方法的上视示意图。
图5A至图5C是依照本发明的另一实施例的一种导电结构的部分形成方法的剖视示意图。
图6是依照本发明的第二实施例的一种显示装置的部分上视示意图。
其中,附图标记:
100、200:显示装置
101:基板结构
102:显示结构
110:基板
111:第一表面
112:第二表面
115:通孔
115a:第一通孔
115b:第二通孔
215c:第三通孔
120:第一图案化导电层
121:第一信号线
222:第二信号线
129:开口
131:第一驱动元件
232:第二驱动元件
141:第一连接垫
142:第二连接垫
143:第三连接垫
144:第四连接垫
245:第五连接垫
246:第六连接垫
150:第二图案化导电层
151、151’:第一修补结构
252:第一连接线路
253’:第二修补结构
156:传输线
158、358、458:导电结构
158a:第一导电结构
158b:第二导电结构
258c:第三导电结构
171:第一发光元件
172:第二发光元件
273:第三发光元件
388:保护层
387:绝缘层
PU1:第一像素单元
PU2:第二像素单元
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
L1:第一距离
L2:第二距离
L3:第三距离
L4:第四距离
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。如本领域技术人员将认识到的,可以以各种不同的方式修改所描述的实施例,而不脱离本发明的精神或范围。
在附图中,为了清楚起见,放大了各元件等的厚度或尺寸。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电连接。
应当理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而不是限制性的。如本文所使用的,除非内容清楚地指示,否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式,包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的,术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件,但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外,诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此,示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此,示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“基本上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“基本上”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此,可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此,本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆的。因此,图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状,并且不是旨在限制权利要求的范围。
图1A至图1E是依照本发明的第一实施例的一种显示装置的部分制造方法的部分上视示意图立体或部分上视示意图。举例而言,图1B中的显示结构可以是对应于图1A中的显示结构的部分上视示意图。并且,为求清楚表示,于图1A至图1E中可能省略绘示了部分的膜层或构件。
请参照图1A及图1B,提供基板结构101。基板结构101可以包括基板110、至少一导电结构158、第一连接垫141、第二连接垫142、第三连接垫143、第四连接垫144、第一信号线121、第一驱动元件131、传输线156以及第一修补结构151’。基板110具有第一表面111、第二表面112及至少一通孔115。第二表面112相对于第一表面111。前述的通孔115贯穿第一表面111及第二表面112。导电结构158位于对应的通孔115内。第一连接垫141、第二连接垫142、第三连接垫143、第四连接垫144、第一信号线121及第一驱动元件131位于基板110的第一表面111上。第一驱动元件131藉由第一信号线121电性连接于第一连接垫141及第三连接垫143。传输线156位于基板110的第二表面112上。传输线156至少藉由导电结构158电性连接于第二连接垫142或第四连接垫144。第一修补结构151’位于传输线156及至少其中一导电结构158之间。
举例而言,导电结构158可以包括第一导电结构158a及第二导电结构158b,通孔115可以包括第一通孔115a及第二通孔115b。第一导电结构158a位于第一通孔115a内。第二导电结构158b位于第二通孔115b内。传输线156可以藉由第二导电结构158b电性连接于第四连接垫144。
于图1A及图1B的结构中,第一修补结构151’位于传输线156及第一导电结构158a之间,且第一修补结构151’中的导体为连续的结构。也就是说,于图1A及图1B的结构中,传输线156可以藉由第一导电结构158a电性连接于第二连接垫142。
在一实施例中,第一驱动元件131可以是薄膜晶体管(thin film transistor;TFT),但本发明不限于此。举例而言,第一驱动元件131可以为包括源极、漏极及栅极的薄膜晶体管。第一驱动元件131的漏极可以藉由第一信号线121电性连接于第一连接垫141及第三连接垫143。前述的薄膜晶体管可以是顶栅极薄膜晶体管(top gate TFT)、底栅极薄膜晶体管(bottom gate TFT)或双栅极薄膜晶体管(dual gate TFT)。
在一实施例中,第一驱动元件131可以是驱动晶片(driving chiplet),但本发明不限于此。
在一实施例中,一种导电结构358(导电结构158可以包括的其中一种)的形成方法可以如下。
请参照图2A至图2C及图3A至图3C,其中图2A至图2C是依照本发明的一实施例的一种导电结构的部分形成方法的上视示意图,且图3A至图3C是依照本发明的一实施例的一种导电结构的部分形成方法的剖视示意图。举例而言,图3A可以是对应于图2A中I-I’剖线上的剖视示意图,图3B可以是对应于图2B中II-II’剖线上的剖视示意图,且/或图3C可以是对应于图2C中III-III’剖线上的剖视示意图。
请参照图2A及图3A,在一实施例中,可以在基板110的第一表面111上形成第一图案化导电层120。第一图案化导电层120中的部分图案化线路可以构成部分的第一信号线121。
在一实施例中,第一图案化导电层120可以具有开口129。
在一实施例中,第一图案化导电层120可以藉由溅镀的方式形成。
在一实施例中,第一图案化导电层120与基板110之间可以具有绝缘层387。在一实施例中,绝缘层387可以被称为缓冲层,但本发明不限于此。
在一实施例中,基板110的第一表面111上可以具有保护层388。保护层388可以包括藉由镀覆、涂布、黏贴或其他适宜的方式所形成的绝缘层或绝缘膜。如此一来,在后续的移除步骤中(如:藉由激光烧灼的方式以移除部分的膜层或构件时),可能可以降低导电飞屑或导电粒子直接沾附于第一图案化导电层120(或;第一信号线121)上的可能。
请参照图2A至图2B及图3A至图3B,于基板110上形成至少一通孔115。举例而言,可以藉由激光烧灼的方式,从基板110的第一表面111上,形成自第一表面111向第二表面112贯通基板110的通孔115。通孔115可以对应于第一图案化导电层120的开口129。另外,藉由上述的方式,可以于保护层388上形成对应于通孔115的开口,且/或于绝缘层387上形成对应于通孔115的开口。
请参照图2B至图2C及图3B至图3C,于基板110上形成至少一通孔115之后,可以在基板110的第二表面112上形成第二图案化导电层150。第二图案化导电层150中的部分图案化线路可以构成部分的第一修补结构151’及/或部分的传输线156。另外,用于形成第二图案化导电层150的部分导电材料可以更填入通孔115(如:第一通孔115a或第二通孔115b)内,而可以形成导电结构158(如:第一导电结构158a或第二导电结构158b)。
在一实施例中,可以在基板110的第二表面112上形成种子层(seed layer),然后再藉由电镀的方式于前述的种子层上镀覆电镀层。并且,可以在对前述的种子层进行图案化步骤之后,且在对前述的种子层进行图案化步骤之后,使图案化的种子层及图案化的电镀层构成第二图案化导电层150。
在一实施例中,于形成第二图案化导电层150之前,可以移除部分的保护层388。
在一实施例中,填入通孔115内的导电材料可以更进一步地覆盖于基板110的第一表面111上,而可以覆盖部分的第一图案化导电层。
在另一实施例中,一种导电结构458(导电结构158可以包括的其中一种)的形成方法可以如下。
请参照图4A至图4C及图5A至图5C,其中图4A至图4C是依照本发明的另一实施例的一种导电结构的部分形成方法的上视示意图,且图5A至图5C是依照本发明的另一实施例的一种导电结构的部分形成方法的剖视示意图。举例而言,图5A可以是对应于图4A中IV-IV’剖线上的剖视示意图,图5B可以是对应于图4B中V-V’剖线上的剖视示意图,且/或图5C可以是对应于图4C中VI-VI’剖线上的剖视示意图。另外,本实施例的导电结构458的形成方法与前述实施例的导电结构358的形成方法相似,其类似的构件以相同的标号表示,且具有类似的功能、材质、形成方式或配置方式,并省略描述。
请参照图4A及图5A,在一实施例中,可以在基板110的第一表面111上形成第一图案化导电层120。第一图案化导电层120中的部分图案化线路可以构成部分的第一信号线121。
请参照图4A至图4B及图5A至图5B,于基板110上形成至少一通孔115。举例而言,可以藉由激光烧灼的方式,从基板110的第二表面112上,形成自第二表面112向第一表面111贯通基板110的通孔115。通孔115可以暴露出部分的第一图案化导电层120。另外,藉由上述的方式,可以于绝缘层387上形成对应于通孔115的开口。
请参照图4B至图4C及图5B至图5C,于基板110上形成至少一通孔115之后,可以在基板110的第二表面112上形成第二图案化导电层150。第二图案化导电层150中的部分图案化线路可以构成部分的第一修补结构151’及/或部分的传输线156。另外,用于形成第二图案化导电层150的导电材料可以更填入通孔115(如:第一通孔115a或第二通孔115b)内,而可以形成导电结构158(如:第一导电结构158a或第二导电结构158b)。
请参照图1C,配置第一发光元件171于基板110的第一表面111上,且使第一发光元件171的两极(如:阳极及阴极)可以分别电性连接于第一连接垫141及第二连接垫142。
在本实施例中,第一发光元件171可以为半导体晶粒,且并未限定配置于基板110上的第一发光元件171需为已知良好晶粒(Known Good Die;KGD)。
在本实施例中,基板结构101及配置于其上的第一发光元件171可以被称为显示结构102。第一连接垫141、第二连接垫142、第三连接垫143、第四连接垫144、第一驱动元件131及第一发光元件171可以构成显示结构102的第一像素单元PU1。
在本实施例中,可以对显示结构102的第一发光元件171进行测试,以确认第一像素单元PU1的第一发光元件171是否可以具有预期的发光状态。举例而言,可以对显示结构102的第一发光元件171进行常用的亮点测试(bright point defect test)。
请参照图1C至图1D及图1E,于对如图1C所绘示地第一发光元件171进行测试之后,若认为其不具有预期的发光状态,则可以如图1D所绘示地令传输线156不电性连接于第二连接垫142。举例而言,于对如图1C所绘示地第一发光元件171进行亮点测试之后,若认为其为非正常的亮点(bright point defect),则可以如图1D所绘示地令传输线156不电性连接于第二连接垫142。
在本实施例中,可以藉由移除如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体,以使图1D或图1E所绘示地第一修补结构151为断路。也就是说,图1D及图1E所绘示地第一修补结构151中的导体为不连续的结构,而使其为断路。
在本实施例中,可以藉由激光烧灼(laser burning)的方式移除如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体。
在本实施例中,由于第一修补结构(可包括第一修补结构151’或第一修补结构151)位于基板110的第二表面112上,因此若藉由激光烧灼(laser burning)的方式以移除如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时,可能可以降低位于基板110的第一表面111上的膜层或元件(如:第一连接垫141、第二连接垫142、第三连接垫143、第四连接垫144、第一驱动元件131、第一发光元件171或第一信号线121,但不限)损伤或损坏的可能。
在本实施例中,于垂直于第一表面111或第二表面112的方向上,第一修补结构151不重叠于第一连接垫141、第二连接垫142、第一驱动元件131及第一发光元件171。举例而言,类似于图1B所示,第一修补结构151于第一表面111/第二表面112上的投影可以完全不重叠于第一连接垫141、第二连接垫142、第一驱动元件131及第一发光元件171于第一表面111/第二表面112上的投影。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时,可能可以降低第一连接垫141、第二连接垫142、第一驱动元件131及第一发光元件171损伤或损坏的可能。
在本实施例中,第一修补结构151自第一导电结构158a向第一方向D1延伸,第一信号线121自第一连接垫141向第二方向D2延伸,且第一方向D1不同于第二方向D2。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时,可能可以降低第一信号线121损伤或损坏的可能。
在本实施例中,于垂直于第一表面111或第二表面112的方向上,第一修补结构151可以不重叠于第一信号线121。举例而言,类似于图1B所示,第一修补结构151于第一表面111/第二表面112上的投影可以完全不重叠于第一信号线121于第一表面111/第二表面112上的投影。
请参照图1C至图1D及图1E,于对如图1C所绘示地第一发光元件171进行测试之后,若认为其不具有预期的发光状态,则可以如图1D或图1E所绘示地配置第二发光元件172于基板110的第一表面111上,且使第二发光元件172的两极(如:阳极及阴极)可以分别电性连接于第三连接垫143及第四连接垫144。
在本实施例中,可以在形成断路的第一修补结构151之后,才将第二发光元件172配置于基板110的第一表面111上。在一实施例中,可以在将第二发光元件172配置于基板110的第一表面111上之后,才形成断路的第一修补结构151。
在本实施例中,第二发光元件172的可发光颜色基本上相同于第一发光元件171所预期的可发光颜色。在一实施例中,第二发光元件172的结构基本上相同于第一发光元件171的结构。举例而言,第二发光元件172与第一发光元件171可以包括具有相同掺杂元素(doping element)及/或掺杂浓度(doping concentration)的膜层的半导体发光二极管元件。
经过上述的制造方法后即可大致上完成本实施例的显示装置100的制作。
请参照图1D及图1E,显示装置100包括基板110、第一导电结构158a、第一像素单元PU1、第一信号线121、传输线156以及第一修补结构151。第一像素单元PU1位于基板110的第一表面111上。第一像素单元PU1包括第一连接垫141、第二连接垫142、第三连接垫143、第四连接垫144、第一驱动元件131及第一发光元件171。第一修补结构151位于传输线156及第一导电结构158a之间。
在本实施例中,第一修补结构151可以为断路。也就是说,传输线156与第一导电结构158a之间可以电性绝缘。
在本实施例中,第一像素单元PU1可以更包括第二发光元件172。在一实施例中,在显示装置100的制造过程中,在对第一发光元件171进行测试之后,若认为其不具有预期的发光状态(如:亮点),则可以藉由配置第二发光元件172以及令传输线156不电性连接于第二连接垫142(例如:使第一修补结构151为断路)的方式,而使修复后的显示装置100具有良好的显示。如此一来,可以使显示装置100可以具有较佳的显示效果。
在一实施例中,于平行于第一表面111或第二表面112的一水平方向上,第一导电结构158a与传输线156之间具有第一距离L1,第一导电结构158a与第一发光元件171之间具有第二距离L2,且第一距离L1大于第二距离L2。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除类似于如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时,可能可以降低第一导电结构158a或第一发光元件171损伤或损坏的可能。
在一实施例中,第一距离L1可以大于或等于1微米(micrometer;μm),且小于或等于30微米,但本发明不限于此。
在一实施例中,于对如图1C所绘示地第一发光元件171进行测试之后,若认为其具有预期的发光状态,则如图1C所绘示地显示结构102仍可以被称为显示装置。在一实施例中,若如图1C所绘示地第一发光元件171具有预期的发光状态,则第三连接垫143及第四连接垫144上可以不具有发光元件(如:相同或相似于第二发光元件172的发光元件)。也就是说,在一实施例中,显示装置可以具有第一状态(如:被称为显示装置的显示结构102的状态)或第二状态(如:显示装置100的状态),其中第一状态与第二状态的差别在于:于第一状态之下,传输线156电性连接于第二连接垫142,且第三连接垫143及第四连接垫144上不具有发光元件;于第二状态之下,传输线156不电性连接于第二连接垫142,且第三连接垫143及第四连接垫144上具有第二发光元件172。
图6是依照本发明的第二实施例的一种显示装置的部分上视示意图。本实施例的显示装置200与第一实施例的显示装置100相似,其类似的构件以相同的标号表示,且具有类似的功能、材质、形成方式或配置方式,并省略描述。
请参照图6,在一实施例中,显示装置200可以包括基板110、第一导电结构158a、第一像素单元PU1、第一信号线121、传输线156、第一修补结构151、第一连接线路252以及第二导电结构158b。第一连接线路252位于基板110的第二表面112上且电性连接于传输线156。第四连接垫144藉由第二导电结构158b及第一连接线路252电性连接于传输线156。第一修补结构151自第一导电结构158a向第一方向D1延伸,第一连接线路252自第二导电结构158b向第三方向D3延伸,且第一方向D1不同于第三方向D3。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除类似于如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时,可能可以降低第一连接线路252损伤或损坏的可能。
在一实施例中,第一连接线路252的形成方式可以相同或相似于传输线156,但本发明不限于此。
在一实施例中,第二方向D2可以相同或相似于第三方向D3,但本发明不限于此。
请参照图6,在一实施例中,显示装置200可以包括基板110、第一导电结构158a、第一像素单元PU1、第一信号线121、传输线156、第一修补结构151以及第二像素单元PU2。第二像素单元PU2位于基板110的第一表面111上。第二像素单元PU2包括第五连接垫245、第六连接垫246、第二驱动元件232及第三发光元件273。第三发光元件273电性连接于第五连接垫245及第六连接垫246。第二驱动元件232电性连接于第五连接垫245。传输线156电性连接于第六连接垫246。
在一实施例中,第三发光元件273的两极(如:阳极及阴极)可以分别电性连接于第五连接垫245及第六连接垫246。
在一实施例中,第三发光元件273的可发光颜色不同于第一发光元件171所预期的可发光颜色或第二发光元件172所预期的可发光颜色。
在一实施例中,第二驱动元件232可以类似于第一驱动元件131。举例而言,第二驱动元件232可以为包括源极、漏极及栅极的薄膜晶体管,且第二驱动元件232的漏极可以藉由第二信号线222电性连接于第五连接垫245。
在一实施例中,显示装置200可以更包括第一连接线路252、第二修补结构253’以及第三导电结构258c。基板110更具有贯穿第一表面111及第二表面112的第三通孔215c。第三导电结构258c位于第三通孔215c内且电性连接于第五连接垫245与第二修补结构253’。第二修补结构253’位于传输线156及第三导电结构258c之间。部分的第一连接线路252不位于第一修补结构151与第二修补结构253’的连线上。举例而言,第一修补结构151的任意部分与第二修补结构253’的任意部分相连的连线不会与部分的第一连接线路252相交错。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除类似于如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时;且/或,若有需要藉由激光烧灼的方式以移除第二修补结构253’的部分导体时,可能可以降低第一连接线路252损伤或损坏的可能。
在一实施例中,第二导电结构158b与第一导电结构158a之间具有第三距离L3,第三导电结构258c与第一导电结构158a之间具有第四距离L4,且第四距离L4大于第三距离L3。如此一来,若藉由激光烧灼的方式以移除类似于如图1C所绘示地第一修补结构151’的部分导体时;且/或,若有需要藉由激光烧灼的方式以移除第二修补结构253’的部分导体时,更可能可以降低第一连接线路252损伤或损坏的可能。如此一来,可以使显示装置200可以具有较佳的显示效果。
在一实施例中,第三距离L3可以大于或等于10微米,且小于或等于85微米,但本发明不限于此。
前述实施例中,导电层可为单层或多层结构。而若为多层结构的导电层,则前述的多层结构之间可以不具有绝缘材质。
前述实施例中,绝缘层可为单层或多层结构。而若为多层结构的绝缘层,则前述的多层结构之间可以不具有导电材质。
综上所述,本发明在显示装置的制造过程中,在对第一发光元件进行测试之后,若认为其不具有预期的发光状态,则可以藉由配置第二发光元件以及令传输线不电性连接于第二连接垫的方式,而使修复后的显示装置具有良好的显示。如此一来,可以使显示装置可以具有较佳的显示效果。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明做出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (16)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面及贯穿所述第一表面及所述第二表面的第一通孔;
第一导电结构,位于所述第一通孔内;
第一像素单元,位于所述基板的所述第一表面上,且所述像素单元包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫、第四连接垫、第一驱动元件及第一发光元件,其中所述第一发光元件电性连接于所述第一连接垫及所述第二连接垫;
第一信号线,位于所述基板的所述第一表面上,且所述第一驱动元件藉由所述第一信号线电性连接于所述第一连接垫及所述第三连接垫;
传输线,位于所述基板的所述第二表面上,且所述传输线至少藉由所述第一导电结构电性连接于所述第二连接垫或所述第四连接垫;以及
第一修补结构,位于所述传输线及所述第一导电结构之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一修补结构为通路。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一修补结构为断路,且所述第一像素单元更包括:
第二发光元件,电性连接于所述第三连接垫及所述第四连接垫。
4.如权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述第一发光元件的发光颜色与所述第二发光元件的发光颜色基本上相同。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,于垂直于所述第一表面或第二表面的方向上,所述第一修补结构不重叠于所述第一连接垫、所述第二连接垫、所述第一驱动元件及所述第一发光元件。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一修补结构自所述第一导电结构向第一方向延伸,所述第一信号线自所述第一连接垫向第二方向延伸,且所述第一方向不同于所述第二方向。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,于平行于所述第一表面或所述第二表面的水平方向上,所述第一导电结构与所述传输线之间具有第一距离,所述第一导电结构与所述第一发光元件之间具有第二距离,且所述第一距离大于所述第二距离。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述基板更具有贯穿所述第一表面及所述第二表面的第二通孔,且所述显示装置更包括:
第一连接线路,位于所述基板的所述第二表面上且电性连接于所述传输线;以及
第二导电结构,位于所述第二通孔内且电性连接于所述第三连接垫与所述第一连接线路,其中所述第一修补结构自所述第一导电结构向第一方向延伸,所述第一连接线路自所述第二导电结构向第三方向延伸,且所述第一方向不同于所述第三方向。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,更包括:
第二像素单元,位于所述基板的所述第一表面上,且所述第二像素单元包括第五连接垫、第六连接垫、第二驱动元件及第三发光元件,其中所述第三发光元件电性连接于所述第五连接垫及所述第六连接垫,所述第二驱动元件电性连接于所述第五连接垫,且所述传输线电性连接于所述第六连接垫。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一发光元件的发光颜色与所述第三发光元件的发光颜色不同。
11.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述基板更具有贯穿所述第一表面及所述第二表面的第二通孔及第三通孔,且所述显示装置更包括:
第一连接线路,位于所述基板的所述第二表面上且电性连接于所述传输线;
第二导电结构,位于所述第二通孔内且电性连接于所述第四连接垫与所述第一连接线路;
第三导电结构,位于所述第三通孔内且电性连接于所述第五连接垫;以及
第二修补结构,位于所述传输线及所述第三导电结构之间,其中部分的所述第一连接线路不位于所述第一修补结构与所述第二修补结构的连线上。
12.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第二导电结构与所述第一导电结构之间具有第三距离,所述第三导电结构与所述第一导电结构之间具有第四距离,且所述第四距离大于所述第三距离。
13.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供显示结构,其包括:
基板,具有第一表面、相对于所述第一表面的第二表面及贯穿所述第一表面及所述第二表面的第一通孔;
第一导电结构,位于所述第一通孔内;
第一像素单元,位于所述基板的所述第一表面上,且所述像素单元包括第一连接垫、第二连接垫、第三连接垫、第四连接垫、第一驱动元件及第一发光元件,其中所述第一发光元件电性连接于所述第一连接垫及所述第二连接垫;
第一信号线,位于所述基板的所述第一表面上,且所述第一驱动元件藉由所述第一信号线电性连接于所述第一连接垫及所述第三连接垫;
传输线,位于所述基板的所述第二表面上,且至少藉由所述第一导电结构电性连接于所述所述第二连接垫及所述第四连接垫;以及
第一修补结构,位于所述传输线及所述第一导电结构之间;
对所述显示结构的所述第一发光元件进行测试;
于对所述第一发光元件进行测试之后,令所述传输线不电性连接于所述第二连接垫;以及
配置第二发光元件于所述第一表面上,且电性连接于所述第三连接垫及所述第四连接垫。
14.如权利要求13所述的显示装置的制造方法,其特征在于,于令所述传输线不电性连接于所述第二连接垫之前,于所述基板的所述第一表面上形成保护层。
15.如权利要求13所述的显示装置的制造方法,其特征在于,于对所述第一发光元件进行测试之前,所述第一修补结构为通路,令所述传输线不电性连接于所述第二连接垫的步骤包括:
移除部分的所述第一修补结构,以使所述第一修补结构为断路。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法,其特征在于,移除部分的所述第一修补结构的步骤包括藉由激光烧灼。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062960846P | 2020-01-14 | 2020-01-14 | |
US62/960,846 | 2020-01-14 | ||
TW109122232A TWI742744B (zh) | 2020-01-14 | 2020-07-01 | 顯示裝置及其製造方法 |
TW109122232 | 2020-07-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112885245A true CN112885245A (zh) | 2021-06-01 |
CN112885245B CN112885245B (zh) | 2022-10-25 |
Family
ID=76047255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110023279.5A Active CN112885245B (zh) | 2020-01-14 | 2021-01-08 | 显示装置及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11476301B2 (zh) |
CN (1) | CN112885245B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |