CN110289280A - 发光元件基板及其修复方法 - Google Patents

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Abstract

一种发光元件基板及其修复方法。发光元件基板包括基板、第一导线、第二导线、信号线、绝缘层、第一至第三发光元件以及第一次导线。第一及第二导线以及信号线位于基板上。绝缘层位于第一及第二导线上。第一至第三发光元件位于基板上。第一发光元件对应第一导线设置。第二发光元件对应第二导线设置。第一至第三发光元件对应信号线设置。第一次导线位于绝缘层上。第一次导线重叠于第一及第二导线。第三发光元件对应第一次导线设置。

Description

发光元件基板及其修复方法
技术领域
本发明涉及一种发光元件基板，且特别涉及一种次导线重叠于导线的发光元件基板及其修复方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode；LED)为一种发光元件，其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管搬运到具有像素电路的驱动基板上的技术称为巨量转移(MassTransfer)。现有技术在转移发光二极管时，容易产生发光二极管转置错误的问题，导致显示装置中部分的像素不能正常运行，严重地影响显示装置的显示品质。此外，若发光二极管本身具有缺陷而无法正常运行，即使体转置成功，显示装置的显示品质也会被影响。为了改善前述问题，往往会于像素中预留空间以放置额外的发光二极管。一般而言，像素中每颗发光二极管会搭配一个额外的预留空间，使像素即使在小部分发光二极管故障的情况下仍能运行。然而，用来放置额外的发光二极管的预留空间会使得像素的尺寸难以缩小，限制了显示装置的分辨率。
发明内容
本发明提供一种发光元件基板，可以改善修复用的预留空间对分辨率造成的影响。
本发明提供一种发光元件基板的修复方法，可以改善修复用的预留空间对分辨率造成的影响。
本发明的至少一实施例提供一种发光元件基板，包括基板、第一导线、第二导线、信号线、绝缘层、第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及第一次导线。第一导线、第二导线以及信号线位于基板上。绝缘层位于第一导线以及第二导线上。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件位于基板上。第一发光元件对应第一导线设置。第二发光元件对应第二导线设置。第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件对应信号线设置。第一次导线位于绝缘层上。第一次导线于垂直基板的方向上重叠于第一导线以及第二导线。第三发光元件对应第一次导线设置。
本发明的至少一实施例提供一种发光元件基板，包括基板、第一导线、第二导线、信号线、绝缘层、第三发光元件以及第一次导线。基板具有第一发光元件放置区、第二发光元件放置区以及第三发光元件放置区。第一导线、第二导线以及信号线，位于基板上。绝缘层位于第一导线以及第二导线上。第三发光元件位于第三发光元件放置区上。第一发光元件放置区对应第一导线设置。第二发光元件放置区对应第二导线设置。第一发光元件放置区、第二发光元件放置区以及第三发光元件对应该信号线设置。第一次导线位于绝缘层上。第一次导线于垂直基板的方向上重叠于第一导线以及第二导线。第三发光元件对应第一次导线设置。
本发明的至少一实施例提供一种发光元件基板的修复方法，包括提供发光元件基板以及电性连接第一次导线与第一导线。发光元件基板包括基板、第一导线、第二导线、信号线、绝缘层、第三发光元件以及第一次导线。基板具有第一发光元件放置区、第二发光元件放置区以及第三发光元件放置区。第一导线、第二导线以及信号线位于基板上。绝缘层位于第一导线以及第二导线上。第三发光元件位于第三发光元件放置区上。第一发光元件放置区对应第一导线设置。第二发光元件放置区对应第二导线设置。第一发光元件放置区、第二发光元件放置区以及第三发光元件对应信号线设置。第一次导线位于绝缘层上。第一次导线于垂直基板的方向上重叠于第一导线以及第二导线。第三发光元件对应第一次导线设置。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
图1A～图1D是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的制造方法的俯视示意图。
图1E～图1F是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的修复方法的俯视示意图。
图2A是图1F线AA’的剖面示意图。
图2B是图1F线BB’的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。
图6A～图6B是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的修复方法的俯视示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的俯视示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。
图9是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。
图10是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的俯视示意图。
图11是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。
附图标记说明：
10、10a～10j：发光元件基板
100：基板
102A～102D：发光元件放置区
112A～112C：导线
120：信号线
130：粘着层
130a、I：绝缘层
142A～142E、242、342：发光元件
152A、152B：次导线
154A～154C、156A、164D、164E、166B、166C：连接结构
156B：转接结构
162A～162F、344A、344B：导电结构
244A、244B：焊料
C、H1～H3、O1～O3：开口
CH1、CH2：接触窗
D1、D2、x、y：方向
DL1～DL3：数据线
E1、E2：电极
EL：发光层
L：割痕
M：插入式模块
P：像素
SB：基板
SL：扫描线
SM1、SM2：半导体层
T1～T3：开关元件
TR：穿透区
具体实施方式
图1A～图1D是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的制造方法的俯视示意图。图1E～图1F是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的修复方法的俯视示意图。图2A是图1F线AA’的剖面示意图。图2B是图1F线BB’的剖面示意图。
请参考图1A，形成第一导线112A、第二导线112B、第三导线112C以及信号线120于基板100上。在一些实施例中，第一导线112A、第二导线112B、第三导线112C分别对应三个不同的子像素驱动电路，且第一导线112A、第二导线112B、第三导线112C电性连接至开关元件、芯片及/或其他驱动电路，但本发明不以此为限。
基板100具有第一发光元件放置区102A、第二发光元件放置区102B、第三发光元件放置区102C以及第四发光元件放置区102D。第一发光元件放置区102A对应第一导线112A的位置，第二发光元件放置区102B对应第二导线112B的位置，第三发光元件放置区102C对应第三导线112C的位置，且第一发光元件放置区102A、第二发光元件放置区102B、第三发光元件放置区102C以及第四发光元件放置区102D皆对应信号线120的位置。
请参考图1B，形成粘着层130于第一导线112A、第二导线112B、第三导线112C以及信号线120上。
请参考图1C，将第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C转置于基板100的第一发光元件放置区102A、第二发光元件放置区102B以及第三发光元件放置区102C上。第一发光元件142A对应第一导线112A设置，第二发光元件142B对应第二导线112B设置，第三发光元件142C对应第三导线112C设置，且第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C对应信号线120设置。
在本实施例中，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C分别包括红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管，但本发明不以此为限。转置于基板100上的发光元件还可以包括其他颜色的发光二极管。
于粘着层130中形成开口H1～H3，以分别暴露出粘着层130下方的第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C。于粘着层130中形成开口O1、O2，以暴露出粘着层130下方的信号线120。选择性的于粘着层130中形成开口C，开口C对应第四发光元件放置区102D的位置。固化粘着层130，以形成绝缘层130a。绝缘层130a位于第一导线112A、第二导线112B、第三导线112C以及信号线120上。
在本实施例中，是先于粘着层130中形成开口后再固化粘着层130，但本发明不以此为限。在其他实施例中，先固化粘着层130后再于固化后的粘着层130(绝缘层130a)中形成开口。
在本实施例中，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C分别包括第一半导体层SM1、第二半导体层SM2、第一电极E1、第二电极E2、绝缘层I以及发光层EL(绘于图2A)。第一半导体层SM1、发光层EL与第二半导体层SM2互相堆叠。发光层EL位于第一半导体层SM1与第二半导体层SM2之间。第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第一半导体层SM1与第二半导体层SM2。绝缘层I覆盖第一半导体层SM1的部分表面以及第二半导体层SM2的部分表面。第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C例如包括不同的半导体材料或发光层材料，借此可以发出不同颜色的光线。
请参考图1D，于绝缘层130a上形成第一次导线152A、第一连接结构154A、第二连接结构154B、第三连接结构154C、第四连接结构156A以及转接结构156B。第一次导线152A、第一连接结构154A、第二连接结构154B、第三连接结构154C、第四连接结构156A以及转接结构156B位于绝缘层130a上。
第一次导线152A于垂直基板100的方向上重叠于第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C。第四发光元件放置区102D对应第一次导线152A以及转接结构156B的位置。在本实施例中，第一导线112A的至少一部分、第二导线112B以及第三导线112C的至少一部分沿着第一方向D1延伸，且第一次导线152A的至少一部分沿着第二方向D2延伸。第一方向D1交错于第二方向D2。在本实施例中，第一次导线152A所在的结构层不同于第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C所在的结构层，借此能提升空间利用率。
第一连接结构154A电性连接第一发光元件142A至第一导线112A。第二连接结构154B电性连接第二发光元件142B至第二导线112B。第三连接结构154C电性连接第三发光元件142C至第三导线112C。在本实施例中，第一连接结构154A、第二连接结构154B以及第三连接结构154C分别填入绝缘层130a的开口H1～H3。
第四连接结构156A电性连接第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C至信号线120。转接结构156B电性连接信号线120。在本实施例中，第四连接结构156A以及转接结构156B分别填入绝缘层130a的开口O1、O2。
至此，发光元件基板10大致完成。在图1A～图1D的说明中，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C未转置失败，且第一连接结构154A、第二连接结构154B、第三连接结构154C以及第四连接结构156A有正确的形成于预定的位置。然而实际上，在制作发光元件基板10的过程中，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C有可能没有顺利的转置于第一发光元件放置区102A、第二发光元件放置区102B以及第三发光元件放置区102C上。第一连接结构154A、第二连接结构154B、第三连接结构154C以及第四连接结构156A可能没有正确的形成于预定的位置。此外，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C可能本身就有故障，例如短路。以上情况都会导致发光元件基板10中的第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C没办法正常运行。因此，需要对发光元件基板10进行检测，以确认第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C是否能正常运行。
请参考图1E，对发光元件基板10进行检测，检测发现发光元件基板10的第一发光元件142A断路。因此，于发光元件基板10中补充一个第四发光元件142D。在本实施例中，第一发光元件142A与第四发光元件142D为颜色相同的发光二极管。第四发光元件142D对应信号线120设置。第四发光元件142D对应第一次导线152A设置。在本实施例中，先于绝缘层130a(绘于图2B)的开口C中形成粘着层，接着将第四发光元件142D置于粘着层上，再固化粘着层以形成绝缘层132a。在其他实施例中，绝缘层130a不具有开口C，且绝缘层132a位于绝缘层130a上。在一些实施例中，形成粘着层的方法包括喷墨打印(ink-jet printing，IJP)、黄光工艺或其他合适的方法。
在本实施例中，第四发光元件142D包括第一半导体层SM1、发光层EL、第二半导体层SM2、第一电极E1、第二电极E2以及绝缘层I(绘于图2B)。第一半导体层SM1、发光层EL与第二半导体层SM2互相堆叠。发光层EL位于第一半导体层SM1与第二半导体层SM2之间。第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第一半导体层SM1与第二半导体层SM2。绝缘层I覆盖第一半导体层SM1的部分表面以及第二半导体层SM2的部分表面。
于第一导线112A与第一次导线152A之间的绝缘层130a中形成第一接触窗CH1，以暴露出绝缘层130a下方的第一导线112A。在本实施例中，第一接触窗CH1贯穿第一次导线152A以及绝缘层130a。在一些实施例中，形成第一接触窗CH1的方法包括激光、微影蚀刻或其他合适的工艺。
请参考图1F、图2A以及图2B，形成第一导电结构162A于第一接触窗CH1中，以电性连接第一导线112A与第一次导线152A。
形成第五连接结构164D以及第六连接结构166B于第四发光元件142D上。第五连接结构164D电性连接第一次导线152A与第四发光元件142D。第六连接结构166B电性连接转接结构156B与第四发光元件142D，以使信号线120电性连接第四发光元件142D。
在本实施例中，第一导线112A的信号可以传递至第四发光元件142D，因此，第四发光元件142D被用来取代断路的第一发光元件142A。在修复后的发光元件基板10a中，第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D可以发光，第一发光元件142A不能发光。
在本实施例中，于第一导线112A上形成第一导电结构162A的同时，会分别于第二导线112B以及第三导线112C上形成第二导电结构162B以及第三导电结构162C。由于绝缘层130a以及第一次导线152A不具有对应第二导线112B以及第三导线112C的接触窗，因此，第二导电结构162B以及第三导电结构162C不会接触第二导线112B以及第三导线112C。
在其他实施例中，第二发光元件142B断路，且第一接触窗CH1位于第二导线112B上，第二导电结构162B填入第一接触窗CH，并使第一次导线152A电性连接至第二导线112B。借此，可以用与第二发光元件142B具有相同颜色的第四发光元件142D取代断路的第二发光元件142B。
在其他实施例中，第三发光元件142C断路，且第一接触窗CH1位于第三导线112C上，第三导电结构162C填入第一接触窗CH，并使第一次导线152A电性连接至第三导线112C。借此，可以用与第三发光元件142C具有相同颜色的第四发光元件142D可以取代断路的第三发光元件142C。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图3是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的发光元件基板10b与图2B的发光元件基板10a的主要差异在于：发光元件基板10b的第一导线112A上并未形成第一导电结构162A。
在本实施例中，以激光熔接第一导线112A与第一次导线152A，使第一导线112A与第一次导线152A通过绝缘层130a中的第一接触窗CH1电性连接。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图4是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图4的发光元件基板10c与图2B的发光元件基板10a的主要差异在于：发光元件基板10a中的发光元件(包括第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D)是以正装的方式设置，发光元件基板10c中的发光元件242则是以覆晶的方式设置。
在本实施例中，发光元件242包括第一半导体层SM1、第二半导体层SM2、发光层EL、第一电极E1、第二电极E2以及绝缘层I。第一半导体层SM1、发光层EL与第二半导体层SM2互相堆叠。发光层EL位于第一半导体层SM1与第二半导体层SM2之间。第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第一半导体层SM1与第二半导体层SM2。绝缘层I覆盖第一半导体层SM1的部分表面以及第二半导体层SM2的部分表面。
发光元件242的第一电极E1通过焊料244A而电性连接至导线112，第二电极E2通过焊料244B而电性连接至信号线120。
本实施例中，设置发光元件242的方式亦可用于前述实施例中的第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D。
图5是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图2A的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的发光元件基板10d与图2B的发光元件基板10a的主要差异在于：发光元件基板10a中的发光元件(包括第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D)是水平式发光二极管，发光元件基板10d中的发光元件342则是垂直式发光二极管。
在本实施例中，发光元件342包括第一半导体层SM1、第二半导体层SM2、发光层EL、第一电极E1、第二电极E2以及绝缘层I。第一半导体层SM1、发光层EL与第二半导体层SM2互相堆叠。发光层EL位于第一半导体层SM1与第二半导体层SM2之间。第一电极E1与第二电极E2分别电性连接至第一半导体层SM1与第二半导体层SM2。绝缘层I覆盖第一半导体层SM1的部分表面以及第二半导体层SM2的部分表面。
发光元件342的第一电极E1通过导电结构344A而电性连接至导线112，第二电极E2通过导电结构344B而电性连接至信号线120。
本实施例中所用的发光元件342也适用于前述实施例中的第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D。
图6A～图6B是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的修复方法的俯视示意图。在此必须说明的是，图6A～图6B的实施例沿用图1E～图1F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图6A，对发光元件基板10进行检测，以确认第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C是否能正常运行。在本实施例中，检测后发现第一发光元件142A短路。执行切割工艺，使第一发光元件142A断路。在本实施例中，沿着割痕L切断第一导线112A，以使第一导线112A断路，使第一导线112A的信号不会流经第一发光元件142A。在其他实施例中，割痕L将第四连接结构156A与第一发光元件142A分离，以使第四连接结构156A的信号不会流经第一发光元件142A。
于发光元件基板10中补充一个第四发光元件142D。在本实施例中，第一发光元件142A与第四发光元件142D为颜色相同的发光二极管。
请参考图6B，形成第五连接结构164D以及第六连接结构166B于第四发光元件142D上。第五连接结构164D电性连接第一次导线152A与第四发光元件142D。第六连接结构166B电性连接转接结构156B与第四发光元件142D，以使信号线120电性连接第四发光元件142D。
在本实施例中，第一导线112A的信号可以传递至第四发光元件142D，因此，第四发光元件142D被用来取代短路的第一发光元件142A。在修复后的发光元件基板10e中，第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D可以发光，第一发光元件142A不能发光。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图7是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的俯视示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图1F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图7，在发光元件基板10f中，第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C位于基板SB上。本实施例是将包含第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及基板SB的插入式模块M转置于基板100上。
在本实施例中，在形成第一次导线152A之后才将插入式模块M转置于基板100上，但本发明不以此为限。也可以先将插入式模块M转置于基板100上，接着才形成第一次导线152A。
在本实施例中，插入式模块M的第二发光元件142B与第三发光元件142C分别电性连接至第二导线112B以及第三导线112C，且第二发光元件142B与第三发光元件142C电性连接至信号线120。第一发光元件142A发生故障(例如断路或短路)而没办法正常运行，因此通过第四发光元件142D取代第一发光元件142A。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图8是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图1F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图8，发光元件基板10g包括像素P。像素P中包括第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C、第四发光元件142D、第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3。
在本实施例中，第一发光元件142A故障(例如断路)，第四发光元件142D、第二发光元件142B以及第三发光元件142C分别通过第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C电性连接至第一开关元件T1的漏极、第二开关元件T2的漏极以及第三开关元件T3的漏极。第四发光元件142D、第二发光元件142B以及第三发光元件142C电性连接至信号线120。
第一开关元件T1的源极、第二开关元件T2的源极以及第三开关元件T3的源极分别电性连接至第一数据线DL1、第二数据线DL2以及第三数据线DL3。第一开关元件T1的栅极、第二开关元件T2的栅极以及第三开关元件T3的栅极电性连接至扫描线SL。
在本实施例中，发光元件基板10g应用于穿透式显示器，将电极走线集中排列可扩大集中像素P中穿透区TR的面积以降低金属边缘造成的散射现象，提高穿透影像显示品质。在本实施例中，可将第四发光元件142D放在不同于电路走线(例如第一数据线DL1、第二数据线DL2以及第三数据线DL3)的层别上，以进一步提高显示器的穿透率。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图9是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。在此必须说明的是，图9的实施例沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图9，发光元件基板10h的第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C以及第四发光元件142D是以错位的方式排列。
第一发光元件142A、第二发光元件142B与第三发光元件142C中的两者在方向x上重叠，前述两者与第一发光元件142A、第二发光元件142B与第三发光元件142C中的剩下另一者在方向y上重叠。第四发光元件142D与第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C中的至少一者于方向x或方向y上重叠。
基于上述，发光元件基板10h具有较佳的混色的技术效果。
图10是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的俯视示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图1F的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图10，发光元件基板10i还包括第五发光元件142E、第二次导线152B、转接结构156C、第四导电结构162D、第五导电结构162E、第六导电结构162F、第七连接结构164E以及第八连接结构166C。
第五发光元件142E位于基板100上。第二次导线152B位于绝缘层130a上。第二次导线152B于垂直基板的方向上重叠于第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C。第五发光元件142E对应第二次导线152B设置。
第四导电结构162D、第五导电结构162E以及第六导电结构162F位于第二次导线152B上。第四导电结构162D、第五导电结构162E以及第六导电结构162F分别于垂直基板的方向上重叠于第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C。
在本实施例中，第一发光元件142A与第二发光元件142B故障(例如断路)。第一导线112A与第一次导线152A之间的绝缘层130a具有第一接触窗CH1。第一导电结构162A位于第一接触窗CH1中，以电性连接第一导线112A与第一次导线152A。第二导线112B与第二次导线152B之间的绝缘层130a具有第二接触窗CH2。第五导电结构162E位于第二接触窗CH2中，以电性连接第二导线112B与第二次导线152B。
第七连接结构164E以及第八连接结构166C位于第五发光元件142E上。第七连接结构164E电性连接第二次导线152B与第五发光元件142E。第八连接结构166C电性连接转接结构156C与第五发光元件142E，且转接结构156C通过绝缘层130a的开口O3而电性连接至信号线120。第一次导线152A以及第二次导线152B分别电性连接第四发光元件142D以及第五发光元件142E，且信号线120电性连接第四发光元件142D以及第五发光元件142E。
在本实施例中，第四发光元件142D与第五发光元件142E分别在第一发光元件142A、第二发光元件142B以及第三发光元件142C的对向两侧。第一发光元件142A与第四发光元件142D为相同颜色的发光二极管，第一发光元件142A较第二发光元件142B以及第三发光元件142C更接近第四发光元件142D，第二发光元件142B与第五发光元件142E为相同颜色的发光二极管，且第二发光元件142B较第一发光元件142A更接近第五发光元件142E。
基于上述，在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
图11是依照本发明的一实施例的一种发光元件基板的局部电路示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图11，发光元件基板10j包括像素P。像素P中包括第一发光元件142A、第二发光元件142B、第三发光元件142C、第四发光元件142D、第五发光元件142E、第一开关元件T1、第二开关元件T2以及第三开关元件T3。
在本实施例中，第一发光元件142A与第二发光元件142B故障(例如断路)，第四发光元件142D、第五发光元件142E以及第三发光元件142C分别通过第一导线112A、第二导线112B以及第三导线112C电性连接至第一开关元件T1的漏极、第二开关元件T2的漏极以及第三开关元件T3的漏极。第四发光元件142D、第五发光元件142E以及第三发光元件142C电性连接至信号线120。
第一开关元件T1的源极、第二开关元件T2的源极以及第三开关元件T3的源极分别电性连接至第一数据线DL1、第二数据线DL2以及第三数据线DL3。第一开关元件T1的栅极、第二开关元件T2的栅极以及第三开关元件T3的栅极电性连接至扫描线SL。
在本实施例中，发光元件基板10j应用于穿透式显示器，将电极走线集中排列可扩大集中像素P中穿透区TR的面积以降低金属边缘造成的散射现象，提高穿透影像显示品质。在本实施例中，可将第四发光元件142D以及第五发光元件142E放在不同于电路走线(例如第一数据线DL1、第二数据线DL2以及第三数据线DL3)的层别上，以进一步提高显示器的穿透率。
综上所述，本发明在对发光元件基板进行检测后，针对故障的发光元件进行修复，可减少修复发光元件基板所需的预留空间，使单一像素的尺寸能够缩小，提升发光元件基板的分辨率。此外，由于修复发光元件基板所需的发光元件较少，能降低发光元件基板的制造成本。在一些实施例中，发光元件基板用于透明显示器，由于修补用的电路较少，因此可以提升透明显示器的穿透率。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (17)

1.一种发光元件基板，包括：
一基板；
一第一导线、一第二导线以及一信号线，位于该基板上；
一绝缘层，位于该第一导线以及该第二导线上；
一第一发光元件、一第二发光元件以及一第三发光元件，位于该基板上，其中该第一发光元件对应该第一导线设置，该第二发光元件对应该第二导线设置，且该第一发光元件、该第二发光元件以及该第三发光元件对应该信号线设置；以及
一第一次导线，位于该绝缘层上，且于垂直该基板的方向上重叠于该第一导线以及该第二导线，其中该第三发光元件对应该第一次导线设置。
2.如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一导线的至少一部分以及该第二导线的至少一部分沿着一第一方向延伸，且该第一次导线的至少一部分沿着一第二方向延伸，该第一方向交错于该第二方向。
3.如权利要求1所述的发光元件基板，还包括：
一第四发光元件位于该基板上；以及
一第二次导线，位于该绝缘层上，且于垂直该基板的方向上重叠于该第一导线以及该第二导线，其中该第四发光元件对应该第二次导线设置。
4.如权利要求3所述的发光元件基板，其中该第三发光元件与该第四发光元件分别在该第一发光元件以及该第二发光元件的对向两侧。
5.如权利要求4所述的发光元件基板，其中该第一发光元件与该第三发光元件为相同颜色的发光二极管，该第一发光元件较该第二发光元件更接近该第三发光元件，该第二发光元件与该第四发光元件为相同颜色的发光二极管，且该第二发光元件较该第一发光元件更接近该第四发光元件。
6.如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一发光元件与该第三发光元件为相同颜色的发光二极管，且该第一发光元件较该第二发光元件更接近该第三发光元件。
7.如权利要求3所述的发光元件基板，其中
该第一导线与该第一次导线之间的该绝缘层具有一第一接触窗，且该第一导线与该第一次导线电性连接。
8.如权利要求7所述的发光元件基板，其中
该第二导线以及该第一次导线分别电性连接该第二发光元件以及该第三发光元件，且该信号线电性连接该第二发光元件以及该第三发光元件。
9.如权利要求7所述的发光元件基板，其中
该第二导线与该第二次导线之间的该绝缘层具有一第二接触窗，且该第二导线与该第二次导线电性连接。
10.如权利要求9所述的发光元件基板，其中
该第一次导线以及该第二次导线分别电性连接该第三发光元件以及该第四发光元件，且该信号线电性连接该第三发光元件以及该第四发光元件。
11.如权利要求1所述的发光元件基板，其中该绝缘层为固化的粘着层。
12.如权利要求1所述的发光元件基板，其中该第一发光元件断路，该信号线与该第二发光元件以及该第三发光元件电性连接，且该第二导线以及该第一次导线分别电性连接该第二发光元件以及该第三发光元件。
13.一种发光元件基板，包括：
一基板，具有一第一发光元件放置区、一第二发光元件放置区以及一第三发光元件放置区；
一第一导线、一第二导线以及一信号线，位于该基板上；
一绝缘层，位于该第一导线以及该第二导线上；
一第三发光元件，位于该第三发光元件放置区上，其中该第一发光元件放置区对应该第一导线设置，且该第二发光元件放置区对应该第二导线设置，且该第一发光元件放置区、该第二发光元件放置区以及该第三发光元件对应该信号线设置；以及
一第一次导线，位于该绝缘层上，且于垂直该基板的方向上重叠于该第一导线以及该第二导线，其中该第三发光元件对应该第一次导线设置。
14.一种发光元件基板的修复方法，包括：
提供一发光元件基板，该发光元件基板包括：
一基板，具有一第一发光元件放置区、一第二发光元件放置区以及一第三发光元件放置区；
一第一导线、一第二导线以及一信号线，位于该基板上；
一绝缘层，位于该第一导线以及该第二导线上；
一第三发光元件，位于该第三发光元件放置区上，其中该第一发光元件放置区对应该第一导线设置，且该第二发光元件放置区对应该第二导线设置，且该第一发光元件放置区、该第二发光元件放置区以及该第三发光元件对应该信号线设置；以及
一第一次导线，位于该绝缘层上，且于垂直该基板的方向上重叠于该第一导线以及该第二导线，其中该第三发光元件对应该第一次导线设置；以及
电性连接该第一次导线与该第一导线。
15.如权利要求14所述的修复方法，其中该发光元件基板还包括：
一第一发光元件以及一第二发光元件，分别位于该第一发光元件放置区以及该第二发光元件放置区上，其中该第一发光元件短路，且所述的修复方法还包括：
一切割工艺，使该第一导线断路。
16.如权利要求14所述的修复方法，其中电性连接该第一次导线与该第一导线的方法包括：
以激光熔接该第一导线与该第一次导线，使该第一导线与该第一次导线通过该绝缘层中的一第一接触窗电性连接。
17.如权利要求14所述的修复方法，其中电性连接该第一次导线与该第一导线的方法包括：
于该第一导线与该第一次导线之间的该绝缘层中形成一第一接触窗；以及
形成一导电结构于该第一接触窗中，以电性连接该第一导线与该第一次导线。
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