CN110211987A - 发光二极管面板 - Google Patents

发光二极管面板 Download PDF

Info

Publication number
CN110211987A
CN110211987A CN201910511799.3A CN201910511799A CN110211987A CN 110211987 A CN110211987 A CN 110211987A CN 201910511799 A CN201910511799 A CN 201910511799A CN 110211987 A CN110211987 A CN 110211987A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting component
emitting
line
diode panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910511799.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110211987B (zh
Inventor
刘仲展
刘品妙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AU Optronics Corp filed Critical AU Optronics Corp
Publication of CN110211987A publication Critical patent/CN110211987A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110211987B publication Critical patent/CN110211987B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1401—Structure
    • H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24105—Connecting bonding areas at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光二极管面板，包括第一连接导线、第一驱动连接线、第二驱动连接线、第一发光元件、第二发光元件以及备用电极。第一驱动连接线所传递的驱动信号独立于第二驱动连接线所传递的驱动信号。第一发光元件连接于第一连接导线与第一驱动连接线之间。第二发光元件连接于第一连接导线与第二驱动连接线之间。备用电极位于第一驱动连接线与第二驱动连接线之间。备用电极包括第一部与两个第二部。第一部位于两个第二部之间。第一部于第一方向延伸，且两个第二部各自于第二方向延伸。由第一部沿第一方向延伸出去的虚拟延伸线横越两个第二部。

Description

发光二极管面板
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管面板，且特别是有关于一种制程良率高的发光二极管面板。
背景技术
近年来，有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板因具有省电、轻薄、高效率、高对比及反应时间快等优点，在移动装置甚至是大尺寸电视的市场上逐渐占有一席之地。然而，相较于目前主流的液晶显示面板，有机发光二极管面板具有发光材料寿命较短、长时间操作(long-life operation)下的信赖性(reliability)较差及生产成本较高等缺点。因此，相较于有机发光二极管面板，具有色彩易调校、发光寿命长、无影像烙印等优势的微型发光二极管(mirco-LEDs)面板逐渐受到青睐，有望成为下一世代的显示技术。
为了降低生产成本，巨量转移(mass transfer)技术的开发俨然成为微型发光二极管显示技术发展的关键。然而，目前的转移技术因晶粒转移成功率不易提升，连带影响微型发光二极管面板的生产良率。因此，在精进转移技术的同时，如何提高微型发光二极管面板的生产良率也是各科技厂所亟欲解决的问题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管面板，制程良率高。
本发明的发光二极管面板，包括第一连接导线、第一驱动连接线、第二驱动连接线、第一发光元件、第二发光元件以及备用电极。第一驱动连接线与第二驱动连接线都位于第一连接导线的同一侧。第一驱动连接线所传递的驱动信号独立于第二驱动连接线所传递的驱动信号。第一发光元件连接于第一连接导线与第一驱动连接线之间。第二发光元件连接于第一连接导线与第二驱动连接线之间。备用电极位于第一驱动连接线与第二驱动连接线之间。备用电极包括第一部与两个第二部。第一部位于两个第二部之间。第一部于第一方向延伸，且两个第二部各自于第二方向延伸。由第一部沿第一方向延伸出去的虚拟延伸线横越两个第二部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一方向平行于第一连接导线的延伸方向。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的备用电极的两个第二部既不重叠第一驱动连接线也不重叠第二驱动连接线。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一部连续延伸于两个第二部之间，且第一部的相对两端分别连接两个第二部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的备用电极更包括凸块部。凸块部由两个第二部的其中一个的末端沿第一方向远离第一部延伸出去并与第一驱动连接线与第二驱动连接线中较邻近的一者间隔一间距。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括驱动凸块部。驱动凸块部重叠于第一驱动连接线与第二驱动连接线的一者且沿第一方向朝备用电极凸伸并与备用电极间隔一间距。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括导通构件。导通构件将备用电极的两个第二部中的一者电性连接第一驱动连接线与第二驱动连接线中较邻近的一者。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第一次发光元件。第一次发光元件的一端电性连接第一连接导线，而第一次发光元件的另一端电性连接第一部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括备用连接线。备用连接线将第一次发光元件电性连接至第一部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第二方向平行于第一连接导线的延伸方向。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括驱动凸块部。驱动凸块部重叠于第一驱动连接线与第二驱动连接线的一者且沿第二方向朝备用电极凸伸并与备用电极间隔一间距。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第一次发光元件。第一次发光元件的一端电性连接第一连接导线，而第一次发光元件的另一端覆盖且电性连接驱动凸块部与对应的第二部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一部划分成第一子部与第二子部。第一子部与第二子部由断开开口彼此间隔开来，且第一子部位于断开开口与两个第二部的其中一个之间，而第二子部位于断开开口与两个第二部的另一个之间。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第一次发光元件与第二次发光元件。第一次发光元件与第二次发光元件分别电性连接第一子部与第二子部。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一次发光元件通过备用电极电性连接第一驱动连接线。第二次发光元件通过备用电极电性连接第二驱动连接线，且断开开口让第一次发光元件与第二次发光元件彼此电性独立。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第二连接导线、第三发光元件以及第四发光元件。第三发光元件连接于第二连接导线与第一驱动连接线之间。第四发光元件连接于第二连接导线与第二驱动连接线之间。第一发光元件与第三发光元件于第一连接导线与第二连接导线之间排成一行，且第二发光元件与第四发光元件于第一连接导线与第二连接导线之间排成另一行。第一次发光元件与第二次发光元件分别电性连接第一连接导线与第二连接导线。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一次发光元件与第二次发光元件都电性连接第一连接导线。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的备用电极更包括凸块部。凸块部由两个第二部的其中一个的末端朝第一驱动连接线与第二驱动连接线中较邻近的一者延伸并与第一驱动连接线与第二驱动连接线中较邻近的一者重叠。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第一次发光元件。第一次发光元件的一端电性连接第一连接导线而第一次发光元件的另一端重叠断开开口并电性连接第一子部与第二子部。第一部与两个第二部中的一者由另一断开开口隔开来。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的备用电极与第一连接导线由相同导电层构成。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一发光元件与第二发光元件各自包括第一电极、第二电极、第一半导体层、第二半导体层与发光层。发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，且第一电极与第二电极位于第二半导体层的同一侧。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一发光元件与第二发光元件的发光色彩不同。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板更包括第二连接导线、第三发光元件以及第四发光元件。第三发光元件连接于第二连接导线与第一驱动连接线之间。第四发光元件连接于第二连接导线与第二驱动连接线之间。第一发光元件与第三发光元件于第一连接导线与第二连接导线之间沿行方向排成一行，且第二发光元件与第四发光元件于第一连接导线与第二连接导线之间沿行方向排成另一行。第一发光元件与第三发光元件的发光色彩相同，而第二发光元件与第四发光元件的发光色彩相同。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件与第四发光元件各自的定向方向为第三方向，且第三方向与行方向呈非直角。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极管面板的行方向与第一连接导线的延伸方向相交。
基于上述，在本发明的实施例的发光二极管面板中，通过设置在第一驱动连接线与第二驱动连接线之间的备用电极具有延伸方向彼此相交的第一部及第二部，可缩减修补的作业时间及材料成本，有助于提升发光二极管面板的修补良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图2为图1的发光二极管面板的剖面示意图。
图3为本发明的第一实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图4为图3的发光二极管面板的剖面示意图。
图5为本发明的第一实施例的经另一种方式修补的发光二极管面板的上视示意图。
图6为本发明的第二实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图7为本发明的第二实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图8为本发明的第三实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图9为图8的发光二极管面板的剖面示意图。
图10为本发明的第三实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图11为图10的发光二极管面板的剖面示意图。
图12为本发明的第四实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图13为本发明的第四实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图14为本发明的第五实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图15为本发明的第五实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图16为本发明的第六实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图17为本发明的第六实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图18为本发明的第六实施例的经另一种方式修补的发光二极管面板的上视示意图。
图19为本发明的第七实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图20为本发明的第七实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图21为本发明的第八实施例的未经修补的发光二极管面板的上视示意图。
图22为本发明的第八实施例的经修补的发光二极管面板的上视示意图。
其中，附图标记：
10～12、10R-1、10R-2、11R、12R-1、12R-2、20～24、20R～24R：发光二极管面板
100：基板
111：第一连接导线
112：第二连接导线
113：第一驱动连接线
114：第二驱动连接线
120、121、122：连接垫
123：驱动凸块部
124：连接凸块部
130：接合图案
131：第一电极
132：第二电极
133：第一半导体层
134：发光层
135：第二半导体层
136：绝缘层
140、140’、140A～140F、140B’、140F’：备用电极
141、141’、141-1、141-2、141-2’、141-3、141-3’：第一部
141c、141d：断开开口
141a：第一子部
141b：第二子部
142：第二部
143：凸块部
151：导通构件
155：第一备用连接线
156：第二备用连接线
D1、D2：方向
LED1：第一发光元件
LED2：第二发光元件
LED3：第三发光元件
LED4：第四发光元件
LEDr1：第一次发光元件
LEDr2：第二次发光元件
RD：行方向
S1、S2、S3：间距
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’：剖线
具体实施方式
本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或例如±30％、±20％、±15％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依量测性质、切割性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
现将详细地参考本发明的示范性实施方式，示范性实施方式的实例说明于所附图式中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明的第一实施例的未经修补的发光二极管面板10的上视示意图。图2为图1的发光二极管面板10的剖面示意图。特别是，图2对应图1的剖线A-A’。请参照图1，发光二极管面板10包括有基板100、多个发光元件及对应的导电线路，但为了清楚描述个别构件，图1以四个发光元件为例进行说明。发光二极管面板10包括第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4。第一发光元件LED1及第三发光元件LED3可选择性地沿行方向RD排成一行，而第二发光元件LED2及第四发光元件LED4可选择性地沿行方向RD排成另一行。
在本实施例中，基板100可包括可用来提供驱动信号给第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4的驱动电路层，其由数据线、扫描线、周边走线、驱动元件(例如薄膜晶体管、电容器)等构件组成，但本发明并不以此为限。在部分的实施例中，基板100可不包括有驱动电路层，而发光二极管面板10可通过电路板或是类似的连接构件连接至设置于外部的驱动电路。此外，在本实施例中，基板100例如是透明玻璃基板或是透明软性基板，其材质例如是玻璃、石英或有机聚合物等。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，基板100也可以是不透光的材质，例如导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其他适合的材料。
发光二极管面板10更包括第一连接导线111及第二连接导线112。第一连接导线111及第二连接导线112分别在方向D1上延伸。第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4都位在第一连接导线111与第二连接导线112之间。本实施例中，行方向RD可相交于第一连接导线111(或者是第二连接导线112)的延伸方向(即方向D1)。举例而言，行方向RD实质上可垂直于第一连接导线111(或者是第二连接导线112)的延伸方向，但本发明并不以此为限。
发光二极管面板10更包括第一驱动连接线113及第二驱动连接线114。在本实施例中，第一驱动连接线113连接于第一发光元件LED1与第三发光元件LED3之间，而第二驱动连接线114连接于第二发光元件LED2与第四发光元件LED4之间。如此一来，第一发光元件LED1与第三发光元件LED3都连接第一驱动连接线113且可通过第一驱动连接线113连接至对应的驱动电路。同样的，第二发光元件LED2与第四发光元件LED4都连接第二驱动连接线114且可通过第二驱动连接线114连接至对应的驱动电路。
发光二极管面板10更包括备用电极140，且备用电极140设置在第一驱动连接线113及第二驱动连接线114之间。详细而言，备用电极140包括第一部141及两个第二部142，第一部141设置于两个第二部142之间，且第一部141在延伸方向(即方向D1)上的虚拟延伸线横越两个第二部142。举例而言，备用电极140的第一部141可连续延伸于两个第二部142之间，且第一部141的相对两端分别连接两个第二部142。在本实施例中，备用电极140的两个第二部142的延伸方向实质上可选择性地垂直于第一部141的延伸方向，但本发明并不以此为限。在本实施例中，备用电极140的材料可包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
第一驱动连接线113及第二驱动连接线114设置在备用电极140的相对两侧，且位于第一连接导线111的同一侧。在本实施例中，备用电极140的两个第二部142于基板100上的垂直投影位于第一驱动连接线113及第二驱动连接线114于基板100上的垂直投影以外。换句话说，备用电极140的两个第二部142既不重叠第一驱动连接线113，也不重叠第二驱动连接线114。
发光二极管面板10还可选择性地包括多个接合图案130，阵列排列于基板100上。具体而言，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4可分别连接对应的接合图案130，以固定在基板100上，但本发明并不以此为限。在本实施例中，接合图案130的材质可包括环氧树脂(epoxy)、硅氧树脂(Silicone)、导电胶材、或其他适合的材料。
请同时参照图1及图2，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4可各自包括第一电极131、第二电极132、第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135。在本实施例中，第二半导体层135、发光层134及第一半导体层133可依序堆叠于基板100上，且第一电极131及第二电极132位于第二半导体层135的同一侧，也就是说，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4例如是水平式(lateral type)发光二极管晶片，但本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4也可以是覆晶式(flip-chip type)发光二极管晶片。
另一方面，在本实施例中，第一发光元件LED1及第三发光元件LED3的发光色彩例如是红色，第二发光元件LED2及第四发光元件LED4的发光色彩例如是绿色。也就是说，第一发光元件LED1(或第三发光元件LED3)及第二发光元件LED2(或第四发光元件LED4)的发光色彩可选择性地不同，但本发明并不以此为限。第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4还可选择性地包括绝缘层136，且第一电极131与第二电极132贯穿绝缘层136以分别电性连接第一半导体层133及第二半导体层135，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一电极131、第二电极132、第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135分别可由任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的用于发光元件的任一第一电极、任一第二电极、任一第一半导体图案、任一发光层及任一第二半导体图案来实现，且第一电极131、第二电极132、第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135分别可藉由任何所属技术领域中具有通常知识者所周知的任一方法来形成，故于此不加以赘述。
在本实施例中，以基板100包括有驱动电路层为例进行说明，但不以此为限。为了使第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4电性连接设置于基板100上的驱动电路层，发光二极管面板10还可选择性地包括多个连接垫120，其分别与基板100上的驱动电路层电性连接。在本实施例中，基于导电性的考量，连接垫120的材料一般是使用金属材料。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，连接垫120也可使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
多个连接垫120可包括多个第一连接垫121及多个第二连接垫122，第一连接垫121及第二连接垫122阵列排列于基板100上。详细而言，在方向D1上，多个第一连接垫121可排成一行、多个第二连接垫122可排成一行，且在方向D2上，第一连接垫121与第二连接垫122则交替排列于同一列，但本发明并不以此为限。第一连接导线111横越排列在同一行的第一连接垫121，且与这些第一连接垫121电性连接，而第二连接导线112横越排列在另一行的第一连接垫121，且与这些第一连接垫121电性连接。另外，第一驱动连接线113及第二驱动连接线114例如分别重叠于对应的第二连接垫122，以与对应的第二连接垫122电性连接。
备用电极140设置在对应的两个第二连接垫122之间。备用电极140及多个连接垫120的材质可选择性地相同；也就是说，备用电极140及多个连接垫120可属于同一导电层，但本发明并不以此为限。
第一发光元件LED1及第二发光元件LED2分别设置在对应的第一连接垫121与对应的第二连接垫122之间。第三发光元件LED3及第四发光元件LED4也分别设置在对应的第一连接垫121与对应的第二连接垫122之间。第一发光元件LED1及第三发光元件LED3系以镜像的方式分别配置在对应的一第二连接垫122的相对两侧，而第二发光元件LED2及第四发光元件LED4系以镜像的方式分别配置在对应的另一第二连接垫122的相对两侧。
在本实施例中，第一连接导线111电性连接于第一发光元件LED1的第二电极132与邻设于第一发光元件LED1的第一连接垫121之间，使第一发光元件LED1的第二电极132与设置于基板100的驱动电路层电性导通。特别是，第一连接导线111也可电性连接于第二发光元件LED2的第二电极132与邻设于第二发光元件LED2的第一连接垫121之间，使第二发光元件LED2的第二电极132与设置于基板100的驱动电路层电性导通。换句话说，第一连接导线111可使第一发光元件LED1的第二电极132与第二发光元件LED2的第二电极132电性导通而具有相同的电位，但本发明并不以此为限。
承接上述，第二连接导线112电性连接于第三发光元件LED3的第二电极132与邻设于第三发光元件LED3的第一连接垫121之间，使第三发光元件LED3的第二电极132与设置于基板100的驱动电路层电性导通。特别是，第二连接导线112也可电性连接于第四发光元件LED4的第二电极132与邻设于第四发光元件LED4的第一连接垫121之间，使第四发光元件LED4的第二电极132与设置于基板100的驱动电路层电性导通。换句话说，第二连接导线112可使第三发光元件LED3的第二电极132与第四发光元件LED4的第二电极132电性导通而具有相同的电位，但本发明并不以此为限。
举例而言，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4的四个第二电极132可选择性地具有相同的一参考电位，例如接地(ground)或固定电位，但本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4的四个第二电极132也可选择性地具有相同的一高电位。在本实施例中，第一连接导线111及第二连接导线112的材质可包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。
在本实施例中，第一驱动连接线113连接第一发光元件LED1的第一电极131及位于第一发光元件LED1与第三发光元件LED3之间的第二连接垫122，使第一发光元件LED1的第一电极131与设置于基板100的驱动电路层电性导通。特别是，第一驱动连接线113还可选择性地连接第三发光元件LED3的第一电极131及位于第一发光元件LED1与第三发光元件LED3之间的第二连接垫122，使第三发光元件LED3的第一电极131与设置于基板100的驱动电路层电性导通。换句话说，第一驱动连接线113可使第一发光元件LED1的第一电极131与第三发光元件LED3的第一电极131电性导通而具有相同的电位，但本发明并不以此为限。
承接上述，相似地，第二驱动连接线114连接第二发光元件LED2的第一电极131及位于第二发光元件LED2与第四发光元件LED4之间的第二连接垫122，使第二发光元件LED2的第一电极131与设置于基板100的驱动电路层电性导通。特别是，第二驱动连接线114还可选择性地连接第四发光元件LED4的第一电极131及位于第二发光元件LED2与第四发光元件LED4之间的第二连接垫122，使第四发光元件LED4的第一电极131与设置于基板100的驱动电路层电性导通。换句话说，第二驱动连接线114可使第二发光元件LED2的第一电极131与第四发光元件LED4的第一电极131电性导通而具有相同的电位，但本发明并不以此为限。
发光二极管面板10进行发光时，第一发光元件LED1及第三发光元件LED3的两个第一电极131可选择性地被输入第一驱动电位，第二发光元件LED2及第四发光元件LED4的两个第一电极131可选择性地被输入第二驱动电位。第一驱动电位可以不同于第二驱动电位，使第一发光元件LED1与第二发光元件LED2呈现不同亮度。如此，发光二极管面板10可用以显示画面，而作为显示面板之用。也就是说，第一驱动连接线113所传递的驱动信号独立于第二驱动连接线114所传递的驱动信号，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一驱动连接线113及第二驱动连接线114的材质可包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。举例而言，第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113及第二驱动连接线114可选择性地属于同一膜层。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113及第二驱动连接线114也可分别属于不同膜层。
需说明的是，本发明并不限定连接于同一第一驱动连接线113(或者是第二驱动连接线114)的发光元件数量，在一些实施例中，连接于同一第一驱动连接线113(或者是第二驱动连接线114)的发光元件数量也可以是一个或三个以上。由图1可知，第一发光元件LED1及第三发光元件LED3可以被输入相同的驱动信号而呈现相同的亮度，因此基板100上设置有驱动电路层时，驱动电路层可包括连接于第一驱动连接线113的主动元件，以藉由主动元件的控制将对应的驱动信号传递给第一发光元件LED1及第三发光元件LED3。在其他实施例中，发光二极管面板10可以包括多个微型集成电路(micro integrated circuit，microIC)。举例而言，多个不同发光颜色的发光元件及对应的多条驱动连接线可选择性地与微型集成电路电性连接，且多个备用电极可分别设置在每两相邻的发光元件之间，以利用微型集成电路控制各别发光元件。
图3为本发明的第一实施例的经修补的发光二极管面板10R-1的上视示意图。图4为图3的发光二极管面板10R-1的剖面示意图。特别是，图4对应图3的剖线B-B’。请参照图3及图4，发光二极管面板10R-1的组成构件有至少部分相同于图1的发光二极管面板10，因此这些相同的构件可参照前述说明，而不另赘述。在本实施例中，发光二极管面板10R-1例如是发光二极管面板10经修补后得到的，但不以此为限。在实际的结构设计中，图1所呈现的构件布局与图3所呈现的构件布局可以同时存在同一个发光二极管面板(或是显示面板中)，但不以此为限。举例而言，修补流程包括将第一次发光元件LEDr1转置(转移放置)在基板100上以及在基板100上形成导通构件151、第一备用连接线155及第二备用连接线156。需说明的是，本实施例的第一次发光元件LEDr1与第一发光元件LED1的结构组成及型式可选择性地相同，也就是说，第一次发光元件LEDr1也同样地具有第一电极131、第二电极132、第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135，但本发明并不以此为限。此外，本发明并不限定导通构件151、第一备用连接线155及第二备用连接线156的配置数量，端视发光二极管面板的修补设计而定。
详细而言，发光二极管面板10R-1可选择性地包含一个导通构件151、一个第一备用连接线155及一个第二备用连接线156，其中第一备用连接线155连接于第一次发光元件LEDr1的第一电极131与备用电极140的第一部141之间，第二备用连接线156连接于第一次发光元件LEDr1的第二电极132与第一连接导线111之间。举例而言，在本实施例中，第一次发光元件LEDr1与第一发光元件LED1(或第三发光元件LED3)的发光色彩可选择性地相同，且导通构件151可选择性地连接于第一驱动连接线113与备用电极140的两个第二部142中较邻近第一驱动连接线113的一者之间。在发光二极管面板10R-1中，第一次发光元件LEDr1、第一发光元件LED1及第三发光元件LED3具有相同的发光色彩。因此，第一次发光元件LEDr1可用以替代第一发光元件LED1及第三发光元件LED3中无法致能的一者或两者。换句话说，在发光二极管面板10的生产过程中，若检测出部分的发光元件无法致能时，可采用前述的修补方式将可致能的发光元件转置到基板100上，以替代无法致能的发光元件，如此，可有效提升发光二极管面板10的良率。另外，第一次发光元件LEDr1、第一发光元件LED1及第三发光元件LED3也可选择地同时发光，以增强对应的色彩所呈现的亮度。
在一些实施例中，第一次发光元件LEDr1可选择性地与第二发光元件LED2(或第四发光元件LED4)的发光色彩相同，且导通构件151可选择性地连接于第二驱动连接线114与备用电极140的两个第二部142中较邻近第二驱动连接线114的一者之间。也就是说，第一次发光元件LEDr1也可用以替代第二发光元件LED2及第四发光元件LED4中无法致能的一者或两者。
在本实施例中，导通构件151、第一备用连接线155及第二备用连接线156的材质可包括金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其他合适的材料、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层。举例而言，导通构件151、第一备用连接线155及第二备用连接线156可选择性地属于同一膜层，但本发明并不以此为限。另一方面，本发明并不限制导通构件151的实施态样，在一些实施例中，导通构件151也可通过熔接(welding)的方式形成，而熔接的方法可包括激光熔接(laser welding)；在另一些实施例中，导通构件151、第一备用连接线155或第二备用连接线156也可通过点胶(例如金胶、银胶)的方式形成。在本实施例中，第一次发光元件LEDr1可选择性地通过一接合图案130固定至基板100。
图5为本发明的第一实施例的经另一种方式修补的发光二极管面板10R-2的上视示意图。请参照图5，相较于图3的经修补的发光二极管面板10R-1，本实施例的经修补的发光二极管面板10R-2更包括第二次发光元件LEDr2及对应设置的一组第一备用连接线155与第二备用连接线156。第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2设置于第一发光元件LED1与第二发光元件LED2之间，且分别通过对应的第二备用连接线156与第一连接导线111电性连接。
另外，本实施例的修补流程还可选择性地包括切割(cutting)步骤，使备用电极140’的第一部141’具有断开开口141c。详细而言，第一部141’可划分成第一子部141a与第二子部141b，第一子部141a与第二子部141b由断开开口141c彼此间隔开来，且第一子部141a位于断开开口141c与两个第二部142的其中一个之间，第二子部141b位于断开开口141c与两个第二部142的另一个之间。第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2分别位于断开开口141c的相对两侧，且分别通过对应的第一备用连接线155与备用电极140’的第一子部141a及第二子部141b电性连接。在本实施例中，切割步骤的方法可包括激光切割(laser cutting)。
举例而言，第一次发光元件LEDr1及第一发光元件LED1的发光颜色可选择性地相同，第二次发光元件LEDr2及第二发光元件LED2的发光颜色可选择性地相同，且第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2的发光颜色可选择性地不同，但本发明并不以此为限。此外，本实施例的发光二极管面板10R-2的导通构件151的数量例如是两个，其中一个导通构件151连接于第一驱动连接线113与备用电极140’的两个第二部142中较邻近第一驱动连接线113的一者之间，另一个导通构件151连接于第二驱动连接线114与备用电极140’的两个第二部142中较邻近第二驱动连接线114的一者之间。如此，备用电极140’的配置方式可满足相邻的两行发光元件无法致能时的修补需求，有助于提升发光二极管面板10的修补良率。
图6为本发明的第二实施例的未经修补的发光二极管面板11的上视示意图。图7为本发明的第二实施例的经修补的发光二极管面板11R的上视示意图。
请参照图6，相较于图1的发光二极管面板10，发光二极管面板11的备用电极140A还可选择性地包括四个凸块部143，四个凸块部143分别由两个第二部142的相对两末端沿方向D1远离第一部141延伸出去，且每一凸块部143于基板100上的垂直投影与第一驱动连接线113及第二驱动连接线114中较邻近的一者于基板100上的垂直投影间隔一间距S1。此外，重叠于第一驱动连接线113或第二驱动连接线114的第二连接垫122的数量例如是两个，每一第二连接垫122沿方向D1朝备用电极140A凸伸，且每一第二连接垫122于基板100上的垂直投影与备用电极140A于基板100上的垂直投影间隔一间距S2。
举例而言，每一第二连接垫122于基板100上的垂直投影与备用电极140A的四个凸块部143中较邻近的一者于基板100上的垂直投影之间的间距S2可选择性地小于每一凸块部143于基板100上的垂直投影与第一驱动连接线113及第二驱动连接线114中较邻近的一者于基板100上的垂直投影之间的间距S1。如此一来，可缩小导通构件(例如银胶)的布局范围，有助于缩减修补的作业时间及材料成本，并提升发光二极管面板11的修补良率。
另外，由图7可知，相较于图3的经修补的发光二极管面板10R，本实施例的经修补的发光二极管面板11R的导通构件151的数量例如是两个，以将凸块部143电性连接至对应的第二连接垫122。
图8为本发明的第三实施例的未经修补的发光二极管面板20的上视示意图。图9为图8的发光二极管面板20的剖面示意图。特别是，图9对应图8的剖线C-C’。
请参照图8，发光二极管面板20包括第一连接导线111、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114、备用电极140、第一发光元件LED1以及第二发光元件LED2，且发光二极管面板20还可选择性地包括第二连接导线112、第三发光元件LED3以及第四发光元件LED4。由于第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114、备用电极140、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3以及第四发光元件LED4的相对配置关系及材料组成与图1的发光二极管面板10相似，因此，有关本实施例的上述构件的相对配置关系及材料组成请参照第一实施例的相关说明，于此便不再重述。
请同时参照图8与图9，在本实施例中，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4例如是覆晶式(flip-chip type)发光二极管晶片，也就是说，第一发光元件LED1(或者是第二发光元件LED2、第三发光元件LED3、第四发光元件LED4)的第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135可依序出现于基板100上，且第一电极131及第二电极132位于第二半导体层135与基板100之间，但本发明并不以此为限。
另外，发光二极管面板20更包括驱动凸块部123。驱动凸块部123的一端连接第一驱动连接线113与第二驱动连接线114的一者，驱动凸块部123的另一端沿方向D1朝备用电极140凸伸，且驱动凸块部123于基板100上的垂直投影与备用电极140于基板100上的垂直投影间隔一间距S3，因此驱动凸块部123与备用电极140并不直接连接。此外，发光二极管面板20还可选择性地包括连接凸块部124，连接凸块部124的一端连接第一连接导线111与第二连接导线112的一者，连接凸块部124的另一端沿方向D2朝备用电极140凸伸。
在本实施例中，第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114、备用电极140、驱动凸块部123及连接凸块部124可选择性地属于同一导电层，且第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114以及备用电极140彼此间隔开来，驱动凸块部123、连接凸块部124及备用电极140彼此间隔开来。在本实施例中，所谓的驱动凸块部123是指由驱动连接线凸伸出来的部分，而连接凸块部124是指由连接导线凸伸出来的部分。驱动凸块部123可与对应的驱动连接线构成一体的结构，且连接凸块部124可与对应的连接导线构成一体的结构，但本发明并不以此为限。
图10为本发明的第三实施例的经修补的发光二极管面板20R的上视示意图。图11为图10的发光二极管面板20R的剖面示意图。特别是，图11对应图10的剖线D-D’。请参照图10及图11，经修补的发光二极管面板20R更包括第一次发光元件LEDr1，且第一次发光元件LEDr1的发光颜色与第一发光元件LED1及第二发光元件LED2的其中一者的发光颜色可选择性地相同。另外，第一次发光元件LEDr1与第一发光元件LED1(或者是第二发光元件LED2)的结构组成及型式可选择性地相同。也就是说，本实施例的第一次发光元件LEDr1也是覆晶式(flip-chip type)发光二极管晶片，且具有第一电极131、第二电极132、第一半导体层133、发光层134及第二半导体层135，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一次发光元件LEDr1的第一电极131于基板100上的垂直投影重叠于备用电极140的第一部141于基板100上的垂直投影，且第一电极131电性连接备用电极140的第一部141。举例而言，第一次发光元件LEDr1的第二电极132于基板100上的垂直投影可选择性地重叠于连接第一连接导线111的连接凸块部124于基板100上的垂直投影，且第二电极132与连接第一连接导线111的连接凸块部124电性连接。
经修补的发光二极管面板20R还可选择性地包括导通构件151，电性连接于第一驱动连接线113及第二驱动连接线114的其中一者与备用电极140之间。举例而言，导通构件151于基板100上的垂直投影分别重叠于连接第一驱动连接线113的驱动凸块部123于基板100上的垂直投影及备用电极140的两个第二部中较邻近第一驱动连接线113的一者于基板100上的垂直投影。在本实施例中，导通构件151的数量例如是两个，但本发明不限于此，根据其他实施例，导通构件151的数量也可以是一个。
需说明的是，在一些实施例中，第一次发光元件LEDr1也可选择性地连接于备用电极140的第一部141与第二连接导线112之间，且第一次发光元件LEDr1的发光颜色与第三发光元件LED3及第四发光元件LED4的其中一者的发光颜色可选择性地相同。换言之，第一次发光元件LEDr1也可用于替代第三发光元件LED3及第四发光元件LED4中无法致能的一者或两者，有助于提升发光二极管面板20R的良率。
图12为本发明的第四实施例的未经修补的发光二极管面板21的上视示意图。图13为本发明的第四实施例的经修补的发光二极管面板21R的上视示意图。
请参照图12，本实施例的未经修补的发光二极管面板21与图8的未经修补的发光二极管面板20的差异在于：备用电极140B的第一部141在方向D2上延伸，两个第二部142各自在方向D1(即第一连接导线111的延伸方向)延伸，且发光二极管面板21并不包含图8所示的连接凸块部124。
由图13可知，经修补后的发光二极管面板21R还可选择性地包含第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2，第一次发光元件LEDr1连接于第一连接导线111与备用电极140之间，第二次发光元件LEDr2连接于第二连接导线112与备用电极140B’之间。由于本实施例的第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2与图10所示的第一次发光元件LEDr1相似，因此，有关本实施例的第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2的结构组成及型式请参照第三实施例的相关说明，于此便不再重述。
举例而言，第一次发光元件LEDr1与第一发光元件LED1的发光颜色可选择性地相同，第二次发光元件LEDr2与第二发光元件LED2的发光颜色可选择性地相同，且第一次发光元件LEDr1与第二次发光元件LEDr2的发光颜色可选择性地不同，但本发明并不以此为限。在本实施例中，第一次发光元件LEDr1的第一电极131覆盖且电性连接备用电极140B’的两个第二部142的其中一者，第二次发光元件LEDr2的第一电极131覆盖且电性连接备用电极140B’的两个第二部142中的另一者。第一次发光元件LEDr1的第二电极132覆盖且电性连接第一连接导线111，第二次发光元件LEDr2的第二电极132覆盖且电性连接第二连接导线112。发光二极管面板21R还可选择性地包括两个导通构件151，其中一个导通构件151连接于第一驱动连接线113与备用电极140B’之间，另一个导通构件151连接于第二驱动连接线114与备用电极140B’之间。
发光二极管面板21的修补流程还可选择性地包括切割(cutting)步骤，使备用电极140B’的第一部141’具有断开开口141c。也就是说，第一部141’可划分成第一子部141a与第二子部141b，第一子部141a与第二子部141b由断开开口141c彼此间隔开来，且第一子部141a位于断开开口141c与两个第二部142的其中一个之间，第二子部141b位于断开开口141c与两个第二部142的另一个之间。在本实施例中，切割步骤的方法可包括激光切割(laser cutting)。值得一提的是，本实施例的备用电极140B’的配置方式可在相邻的两个发光元件都无法致能时分别修补两个发光元件，有助于提升发光二极管面板21R的修补良率。
图14为本发明的第五实施例的未经修补的发光二极管面板22的上视示意图。图15为本发明的第五实施例的经修补的发光二极管面板22R的上视示意图。请参照图14，本实施例的未经修补的发光二极管面板22与图12的未经修补的发光二极管面板21的差异在于：未经修补的发光二极管面板22的备用电极140C的第一部141-1具有断开开口141c。也就是说，第一部141-1可划分成第一子部141a与第二子部141b，第一子部141a与第二子部141b由断开开口141c彼此间隔开来，且第一子部141a位于断开开口141c与两个第二部142的其中一个之间，第二子部141b位于断开开口141c与两个第二部142的另一个之间。
请参照图15，本实施例的经修补的发光二极管面板22R与图13的经修补的发光二极管面板21R的差异在于：修补的发光二极管面板22R的第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2在方向D2上彼此错开，且发光二极管面板22R的修补流程无需包括导通构件151的形成步骤及备用电极140C的第一部141-1的切割步骤。
在本实施例中，第一次发光元件LEDr1的第一电极131覆盖且电性连接与第一驱动连接线113连接的驱动凸块部123及对应的第二部142，第二次发光元件LEDr2的第一电极131覆盖且电性连接与第二驱动连接线114连接的驱动凸块部123及对应的第二部142。另外，备用电极140C的第一部141-1原本即存在断开开口141c使第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2彼此电性独立，而无需额外的切割程序。如此，有助于缩减修补的作业时间及材料成本，并提升发光二极管面板22R的修补良率。
图16为本发明的第六实施例的未经修补的发光二极管面板12的上视示意图。图17为本发明的第六实施例的经修补的发光二极管面板12R-1的上视示意图。图18为本发明的第六实施例的经另一种修补方式的发光二极管面板12R-2的上视示意图。请参照图16，本实施例的未经修补的发光二极管面板12与图1的未经修补的发光二极管面板10的差异在于：未经修补的发光二极管面板12的备用电极140D的第一部141-2具有断开开口141c，且备用电极140D的两个第二部142分别重叠于第一驱动连接线113及第二驱动连接线114。此外，未经修补的发光二极管面板12并不包含图1中的第二连接垫122。
详细而言，备用电极140D的第一部141-2可划分成第一子部141a与第二子部141b，第一子部141a与第二子部141b由断开开口141c彼此间隔开来，且第一子部141a位于断开开口141c与两个第二部142的其中一个之间，第二子部141b位于断开开口141c与两个第二部142的另一个之间。备用电极140D的两个第二部142的其中一者位于第一发光元件LED1及第三发光元件LED3之两相邻的第一电极131之间，两个第二部142中的另一者位于第二发光元件LED2及第四发光元件LED4之两相邻的第一电极131之间。
请参照图17，本实施例的经修补的发光二极管面板12R-1与图5的经修补的发光二极管面板10R-2的差异在于：经修补的发光二极管面板12R-1的修补流程无需包括如图5所示的导通构件151的形成步骤及备用电极140的第一部141’的切割步骤。在本实施例中，第一驱动连接线113覆盖且电性连接备用电极140D的两个第二部142中较邻近第一发光元件LED1的一者，第二驱动连接线114覆盖且电性连接备用电极140D的两个第二部142中较邻近第二发光元件LED2的另一者。另外，备用电极140D的第一部141-2的断开开口141c使第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2彼此电性独立，而无需额外的切割程序。如此，有助于缩减修补的作业时间及材料成本，并提升发光二极管面板12R-1的修补良率。
请参照图18，本实施例的经修补的发光二极管面板12R-2与图17的经修补的发光二极管面板12R-1的差异在于：经修补的发光二极管面板12R-2仅包含第一次发光元件LEDr1，且发光二极管面板12R-2的修补流程还可选择性地包括切割(cutting)步骤，使备用电极140E的第一部141-2’具有另一个断开开口141d。
举例而言，第一次发光元件LEDr1及第一发光元件LED1的发光颜色可选择性地相同，电性连接于第一次发光元件LEDr1的第一电极131与备用电极140E之间的第一备用连接线155可选择性地覆盖第一部141-2’的断开开口141c，且第一部141-2’的断开开口141d位于第一备用连接线155与第二驱动连接线114之间，但本发明并不以此为限。在一些实施例中，第一次发光元件LEDr1及第二发光元件LED2的发光颜色可选择性地相同，且第一部141-2’的断开开口141d位于第一备用连接线155与第一驱动连接线113之间。如此，可增加修补用的发光元件的可布局空间，有助于提升发光二极管面板12R-2的修补良率。
图19为本发明的第七实施例的未经修补的发光二极管面板23的上视示意图。图20为本发明的第七实施例的经修补的发光二极管面板23R的上视示意图。请参照图19，发光二极管面板23包括第一连接导线111、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114、备用电极140F、第一发光元件LED1以及第二发光元件LED2，且发光二极管面板23还可选择性地包括第二连接导线112、第三发光元件LED3以及第四发光元件LED4。由于发光二极管面板23的第一连接导线111、第二连接导线112、第一驱动连接线113、第二驱动连接线114、备用电极140F、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3以及第四发光元件LED4与图8的发光二极管面板20相似，因此，有关本实施例的上述构件的相对配置关系及材料组成请参照第三实施例的相关说明，于此便不再重述。
在本实施例中，发光二极管面板23的备用电极140F还可选择性地包括四个凸块部143，四个凸块部143分别由两个第二部142的相对两末端沿方向D1朝第一驱动连接线113与第二驱动连接线114中较邻近的一者延伸，并与第一驱动连接线113与第二驱动连接线114中较邻近的一者连接。另外，发光二极管面板23的备用电极140F的第一部141-3具有断开开口141c。具体而言，备用电极140F的第一部141-3可划分成第一子部141a与第二子部141b，第一子部141a与第二子部141b由断开开口141c彼此间隔开来，且第一子部141a位于断开开口141c与两个第二部142的其中一个之间，第二子部141b位于断开开口141c与两个第二部142的另一个之间。
由图20可知，经修补的发光二极管面板23R更包括第一次发光元件LEDr1，连接于第一连接导线111与备用电极140F’之间。由于本实施例的第一次发光元件LEDr1与图11所示的第一次发光元件LEDr1相似，因此，有关本实施例的第一次发光元件LEDr1的结构组成及型式请参照第三实施例的相关说明，于此便不再重述。举例而言，第一次发光元件LEDr1与第一发光元件LED1的发光颜色可选择性地相同，但本发明并不以此为限。
在本实施例中，第一次发光元件LEDr1的第一电极131可选择性地覆盖第一部141-3’的断开开口141c，且第一次发光元件LEDr1的第一电极131电性连接于第一子部141a与第二子部141b之间。特别是，发光二极管面板23R的修补流程还可选择性地包括切割(cutting)步骤，使备用电极140F’的第一部141-3’具有另一个断开开口141d，且第一部141-3’与连接第二驱动连接线114的第二部142由断开开口141d间隔开来。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，第一次发光元件LEDr1与第二发光元件LED2的发光颜色可选择性地相同，且第一部141-3’与连接第一驱动连接线113的第二部142由断开开口141d间隔开来。如此，可增加修补用的发光元件的可布局空间，有助于提升发光二极管面板23R的修补良率。
图21为本发明的第八实施例的未经修补的发光二极管面板24的上视示意图。图22为本发明的第八实施例的经修补的发光二极管面板24R的上视示意图。
请参照图21，本实施例的未经修补的发光二极管面板24与图19的未经修补的发光二极管面板23的差异在于：发光二极管面板24的第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4各自的定向方向不平行于第一发光元件LED1及第三发光元件LED3的排列方向(即行方向RD)。具体而言，第一发光元件LED1、第二发光元件LED2、第三发光元件LED3及第四发光元件LED4的四个第一电极131于基板100上的垂直投影分别重叠于备用电极140F的四个凸块部143于基板100上的垂直投影。
由图22可知，本实施例的经修补的发光二极管面板24R与图20的经修补的发光二极管面板23R的差异在于：经修补的发光二极管面板24R还可选择性地包括第二次发光元件LEDr2，且第一次发光元件LEDr1、第二次发光元件LEDr2及第一发光元件LED各自的定向方向可选择性地相同。另外，发光二极管面板24R的修补流程无需包括备用电极140F的第一部141-3的切割(cutting)步骤。
第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2的发光颜色可选择性地不同，且第一次发光元件LEDr1及第一发光元件LED1的发光颜色可选择性地相同，第二次发光元件LEDr2及第二发光元件LED2的发光颜色可选择性地相同，但本发明并不以此为限。在本实施例中，第一次方发光元件LEDr1的第一电极131覆盖与第一子部141a连接的第二部142，且第一次方发光元件LEDr1的第一电极131与第一子部141a电性连接，第二次发光元件LEDr2的第一电极131覆盖与第二子部141b连接的第二部142，且第二次发光元件LEDr2的第一电极131与第二子部141b电性连接。特别是，备用电极140F的第一部141-3的断开开口141c让第一次发光元件LEDr1及第二次发光元件LEDr2彼此电性独立。如此，可满足相邻的两行发光元件中各有一个发光元件无法致能时的修补需求，并增加修补用的发光元件的可布局空间，有助于提升发光二极管面板24R的修补良率。
综上所述，在本发明的实施例的发光二极管面板中，通过设置在第一驱动连接线与第二驱动连接线之间的备用电极具有延伸方向彼此相交的第一部及第二部，可缩减修补的作业时间及材料成本，有助于提升发光二极管面板的修补良率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (25)

1.一种发光二极管面板，其特征在于，包括：
第一连接导线；
第一驱动连接线；
第二驱动连接线，该第一驱动连接线与该第二驱动连接线都位于该第一连接导线的同一侧，其中该第一驱动连接线所传递的驱动信号独立于该第二驱动连接线所传递的驱动信号；
第一发光元件，连接于该第一连接导线与该第一驱动连接线之间；
第二发光元件，连接于该第一连接导线与该第二驱动连接线之间；以及
备用电极，位于该第一驱动连接线与该第二驱动连接线之间，且该备用电极包括：
第一部与两个第二部，该第一部位于该两个第二部之间，该第一部于第一方向延伸，该两个第二部各自于第二方向延伸，由该第一部沿该第一方向延伸出去的虚拟延伸线横越该两个第二部。
2.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一方向平行于该第一连接导线的延伸方向。
3.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该备用电极的该两个第二部既不重叠该第一驱动连接线也不重叠该第二驱动连接线。
4.如权利要求3所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一部连续延伸于该两个第二部之间，且该第一部的相对两端分别连接该两个第二部。
5.如权利要求4所述的发光二极管面板，其特征在于，该备用电极更包括凸块部，该凸块部由该两个第二部的其中一个的末端沿该第一方向远离该第一部延伸出去并与该第一驱动连接线与该第二驱动连接线中较邻近的一者间隔一间距。
6.如权利要求4所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括驱动凸块部，该驱动凸块部重叠于该第一驱动连接线与该第二驱动连接线的一者且沿该第一方向朝该备用电极凸伸并与该备用电极间隔一间距。
7.如权利要求4所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括导通构件，该导通构件将该备用电极的该两个第二部中的一者电性连接该第一驱动连接线与该第二驱动连接线中较邻近的一者。
8.如权利要求7所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括第一次发光元件，该第一次发光元件的一端电性连接该第一连接导线而该第一次发光元件的另一端电性连接该第一部。
9.如权利要求8所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括备用连接线，该备用连接线将该第一次发光元件电性连接至该第一部。
10.如权利要求3所述的发光二极管面板，其特征在于，该第二方向平行于该第一连接导线的延伸方向。
11.如权利要求10所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括驱动凸块部，该驱动凸块部重叠于该第一驱动连接线与该第二驱动连接线的一者且沿该第二方向朝该备用电极凸伸并与该备用电极间隔一间距。
12.如权利要求11所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括第一次发光元件，该第一次发光元件的一端电性连接该第一连接导线而该第一次发光元件的另一端覆盖且电性连接该驱动凸块部与对应的第二部。
13.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一部划分成第一子部与第二子部，该第一子部与该第二子部由断开开口彼此间隔开来，且该第一子部位于该断开开口与该两个第二部的其中一个之间，而该第二子部位于该断开开口与该两个第二部的另一个之间。
14.如权利要求13所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括第一次发光元件与第二次发光元件，该第一次发光元件与该第二次发光元件分别电性连接该第一子部与该第二子部。
15.如权利要求14所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一次发光元件通过该备用电极电性连接该第一驱动连接线，该第二次发光元件通过该备用电极电性连接该第二驱动连接线，且该断开开口让该第一次发光元件与该第二次发光元件彼此电性独立。
16.如权利要求15所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括：
第二连接导线；
第三发光元件，连接于该第二连接导线与该第一驱动连接线之间；以及
第四发光元件，连接于该第二连接导线与该第二驱动连接线之间，该第一发光元件与该第三发光元件于该第一连接导线与该第二连接导线之间排成一行，且该第二发光元件与该第四发光元件于该第一连接导线与该第二连接导线之间排成另一行，
其中，该第一次发光元件与该第二次发光元件分别电性连接该第一连接导线与该第二连接导线。
17.如权利要求15所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一次发光元件与该第二次发光元件都电性连接该第一连接导线。
18.如权利要求13所述的发光二极管面板，其特征在于，该备用电极更包括凸块部，该凸块部由该两个第二部的其中一个的末端朝该第一驱动连接线与该第二驱动连接线中较邻近的一者延伸并与该第一驱动连接线与该第二驱动连接线中较邻近的该者重叠。
19.如权利要求18所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括第一次发光元件，该第一次发光元件的一端电性连接该第一连接导线而该第一次发光元件的另一端重叠该断开开口并电性连接该第一子部与该第二子部，其中该第一部与该两个第二部中的一者由另一断开开口隔开来。
20.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该备用电极与该第一连接导线由相同导电层构成。
21.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一发光元件与该第二发光元件各自包括第一电极、第二电极、第一半导体层、第二半导体层与发光层，该发光层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间，且该第一电极与该第二电极位于该第二半导体层的同一侧。
22.如权利要求1所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一发光元件与该第二发光元件的发光色彩不同。
23.如权利要求22所述的发光二极管面板，其特征在于，更包括：
第二连接导线；
第三发光元件，连接于该第二连接导线与该第一驱动连接线之间；以及
第四发光元件，连接于该第二连接导线与该第二驱动连接线之间，该第一发光元件与该第三发光元件于该第一连接导线与该第二连接导线之间沿行方向排成一行，且该第二发光元件与该第四发光元件于该第一连接导线与该第二连接导线之间沿该行方向排成另一行，
其中，该第一发光元件与该第三发光元件的发光色彩相同，而该第二发光元件与该第四发光元件的发光色彩相同。
24.如权利要求23所述的发光二极管面板，其特征在于，该第一发光元件、该第二发光元件、该第三发光元件与该第四发光元件各自的定向方向为第三方向，且该第三方向与该行方向呈非直角。
25.如权利要求23所述的发光二极管面板，其特征在于，该行方向与该第一连接导线的延伸方向相交。
CN201910511799.3A 2018-12-12 2019-06-13 发光二极管面板 Active CN110211987B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107144885 2018-12-12
TW107144885A TWI668856B (zh) 2018-12-12 2018-12-12 發光二極體面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110211987A true CN110211987A (zh) 2019-09-06
CN110211987B CN110211987B (zh) 2021-08-06

Family

ID=67792689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910511799.3A Active CN110211987B (zh) 2018-12-12 2019-06-13 发光二极管面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10867971B2 (zh)
CN (1) CN110211987B (zh)
TW (1) TWI668856B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111798764A (zh) * 2020-06-12 2020-10-20 福州大学 一种μLED像素单元结构及显示器件
CN112102737A (zh) * 2020-01-30 2020-12-18 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
CN112786641A (zh) * 2021-01-29 2021-05-11 錼创显示科技股份有限公司 可选择性修补的微型发光二极管显示器及其修补方法
CN112885245A (zh) * 2020-01-14 2021-06-01 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN113498554A (zh) * 2020-01-21 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 发光板、线路板以及显示装置
US12094999B2 (en) 2021-01-29 2024-09-17 PlayNitride Display Co., Ltd. Selectable-repairing micro light emitting diode display and repairing method thereof
US12125871B2 (en) 2023-11-13 2024-10-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting plate, wiring plate and display device

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10825743B2 (en) * 2018-07-06 2020-11-03 Innolux Corporation Electronic device and method for repairing electronic device
KR20200037628A (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI706537B (zh) * 2019-05-28 2020-10-01 友達光電股份有限公司 自發光元件及發光裝置的製造方法
US11500433B2 (en) * 2020-01-14 2022-11-15 Au Optronics Corporation Flexible electronic device
TW202032226A (zh) * 2020-01-14 2020-09-01 友達光電股份有限公司 軟性電路結構
CN113497073B (zh) * 2020-03-18 2022-10-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种便于修复的led显示器及其修复方法
TWI723855B (zh) * 2020-04-28 2021-04-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示裝置及其製造方法
TWI729846B (zh) * 2020-06-10 2021-06-01 友達光電股份有限公司 發光裝置
TWI765611B (zh) * 2021-03-22 2022-05-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
US11798880B2 (en) * 2021-09-27 2023-10-24 Innolux Corporation Electronic device and method of fabricating an electronic device
TWI802171B (zh) * 2021-12-23 2023-05-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100065992A (ko) * 2008-12-09 2010-06-17 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 레이아웃
CN104183621A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及修复有机发光显示装置的方法
CN104700774A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 乐金显示有限公司 具有修复结构的有机发光显示装置
US20170186740A1 (en) * 2015-12-23 2017-06-29 X-Celeprint Limited Matrix-addressed device repair
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
US20180006011A1 (en) * 2015-01-12 2018-01-04 Dolby Laboratories Licensing Corporation Pixel Tile Structures and Layouts

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002082627A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Sony Corp 表示装置
KR100720142B1 (ko) * 2005-11-25 2007-05-18 삼성전자주식회사 표시 장치와 표시장치의 제조방법
JP2007292879A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN101582252B (zh) 2009-06-22 2011-08-10 友达光电股份有限公司 驱动电路结构及其修补方法
KR101975533B1 (ko) * 2012-06-29 2019-05-08 삼성디스플레이 주식회사 구동회로, 그를 구비하는 평판표시장치 및 구동회로의 리페어 방법
KR102067420B1 (ko) * 2013-08-30 2020-01-17 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
US9818343B2 (en) * 2015-04-30 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for repairing the same
TWI557702B (zh) 2015-06-01 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其修補方法
CN106684098B (zh) 2017-01-06 2019-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其修复方法
TWI648883B (zh) * 2018-02-14 2019-01-21 友達光電股份有限公司 微型發光裝置
CN108417682B (zh) * 2018-03-22 2020-03-20 厦门市三安光电科技有限公司 一种微型发光元件及其制作方法
CN110112199B (zh) * 2018-08-10 2021-04-16 友达光电股份有限公司 影像感测显示装置以及影像处理方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100065992A (ko) * 2008-12-09 2010-06-17 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 레이아웃
CN104183621A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及修复有机发光显示装置的方法
CN104700774A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 乐金显示有限公司 具有修复结构的有机发光显示装置
CN107155373A (zh) * 2014-06-18 2017-09-12 艾克斯瑟乐普林特有限公司 微组装led显示器
US20180006011A1 (en) * 2015-01-12 2018-01-04 Dolby Laboratories Licensing Corporation Pixel Tile Structures and Layouts
US20170186740A1 (en) * 2015-12-23 2017-06-29 X-Celeprint Limited Matrix-addressed device repair

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885245A (zh) * 2020-01-14 2021-06-01 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN112885245B (zh) * 2020-01-14 2022-10-25 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN113498554A (zh) * 2020-01-21 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 发光板、线路板以及显示装置
US11869921B2 (en) 2020-01-21 2024-01-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting plate, wiring plate and display device
CN112102737A (zh) * 2020-01-30 2020-12-18 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN112102737B (zh) * 2020-01-30 2022-08-09 友达光电股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN111798764A (zh) * 2020-06-12 2020-10-20 福州大学 一种μLED像素单元结构及显示器件
CN111798764B (zh) * 2020-06-12 2022-07-05 福州大学 一种μLED像素单元结构及显示器件
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
CN112786641A (zh) * 2021-01-29 2021-05-11 錼创显示科技股份有限公司 可选择性修补的微型发光二极管显示器及其修补方法
US12094999B2 (en) 2021-01-29 2024-09-17 PlayNitride Display Co., Ltd. Selectable-repairing micro light emitting diode display and repairing method thereof
US12125871B2 (en) 2023-11-13 2024-10-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting plate, wiring plate and display device

Also Published As

Publication number Publication date
TW202023051A (zh) 2020-06-16
US10867971B2 (en) 2020-12-15
CN110211987B (zh) 2021-08-06
TWI668856B (zh) 2019-08-11
US20200194406A1 (en) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110211987A (zh) 发光二极管面板
US11594456B2 (en) Display module with improved electrical test and manufacturing method of the display module
CN109273436B (zh) 显示装置
CN109786421A (zh) 一种显示装置、显示背板及制作方法
CN207852672U (zh) 一种四连体rgb-led封装模组及其显示屏
CN105051804B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN106133814B (zh) 安装基板和电子装置
CN106062858B (zh) 使用半导体发光器件的显示设备
CN106409864B (zh) 使用半导体发光二极管的显示设备
CN110024484A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
CN109215516A (zh) 显示装置及其制造方法
CN110050511A (zh) 使用半导体发光二极管的显示装置
US20190088168A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting diode
CN109741684B (zh) 一种电路基板、显示面板及制作方法
CN106663721A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN109671764B (zh) 显示装置及其形成方法
WO2021227713A1 (zh) 阵列基板、其检测方法及拼接显示面板
CN110491922A (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110476253A (zh) 使用半导体发光器件的显示装置
CN108877520A (zh) 一种显示装置及其制作方法
CN103280505A (zh) 发光二极管阵列的制作方法及发光二极管显示装置的制法
WO2020187177A1 (zh) 一种mini LED显示屏及制作方法
KR102665584B1 (ko) 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
KR20180135335A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN110504293A (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant