CN113497073B - 一种便于修复的led显示器及其修复方法 - Google Patents

一种便于修复的led显示器及其修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113497073B
CN113497073B CN202010192516.6A CN202010192516A CN113497073B CN 113497073 B CN113497073 B CN 113497073B CN 202010192516 A CN202010192516 A CN 202010192516A CN 113497073 B CN113497073 B CN 113497073B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
led chip
groove
contact
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010192516.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113497073A (zh
Inventor
江仁杰
钟光韦
伍凯义
杨然翔
沈佳辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd filed Critical Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
Priority to CN202010192516.6A priority Critical patent/CN113497073B/zh
Priority to PCT/CN2020/114617 priority patent/WO2021184700A1/zh
Priority to TW109131605A priority patent/TWI747493B/zh
Priority to US17/382,971 priority patent/US20210351325A1/en
Publication of CN113497073A publication Critical patent/CN113497073A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113497073B publication Critical patent/CN113497073B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种便于修复的LED显示器及其修复方法，其包括：平坦化层和电路层，平坦化层的上表面设有第一、第二预备电极，该第一、第二预备电极分别与电路层中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通；平坦化层中设有凹槽，凹槽内安装有二极管芯片，凹槽底部设有第一、第二接触电极，二极管芯片底部的两电极分别与第一、第二接触电极相连接，第一、第二接触电极通过布线分别与第一、第二预备电极相连接；二极管芯片顶部高度不超过凹槽槽口的高度。在本发明的LED显示器在需要对二极管芯片进行替换时，不需要再将二极管芯片从显示背板上拾出即可在原位置上键合新的二极管芯片；其极大地提高了生产效率。

Description

一种便于修复的LED显示器及其修复方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种便于修复的LED显示器以及一种对LED显示器的修复方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化技术,其具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,其具有极大的应用前景。
由微型发光二极管制作成显示屏是显示设备未来的主流发展方向；在现有的工艺中，其将二极管芯片转移至显示背板后均需要对显示背板上的每片二极管芯片进行检测，当发现存在出现损坏或接触不良的二极管芯片，则需要对其进行替换；而在现有的修复替换过程中，其需要将损坏的二极管芯片从显示背板上拾取下来，然后将好的二极管芯片重新键合在对应的位置上；其工序较为繁琐，不利于对产品的快速生产。
发明内容
为克服上述缺陷，本发明的目的即在于提供一种便于对二极管芯片进行快速替换的LED显示器以及其修复替换方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
本发明是一种便于修复的LED显示器，包括：
显示背板，所述显示背板包括，依次叠加设置的基板、电路层和平坦化层；所述平坦化层的背离所述电路层的一侧表面沿第一方向设有第一预备电极和第二预备电极，所述第一预备电极和第二预备电极分别通过所述平坦化层中的通孔与所述电路层中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通；所述第一预备电极和第二预备电极备用于与第二LED芯片的电极焊接；
所述平坦化层上设有凹槽，所述凹槽设置于所述第一预备电极和所述第二预备电极之间；所述凹槽底部沿第二方向设有第一接触电极和第二接触电极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
所述凹槽内安装有第一LED芯片；所述第一LED芯片的两电极分别与第一、第二接触电极相焊接；所述第一LED芯片为倒装型LED芯片；
所述第一、第二接触电极通过设置于所述凹槽底部和侧壁上的布线分别与第一、第二预备电极相连接；所述二极管芯片顶部高度不超过所述凹槽槽口的高度。
在本发明中，所述凹槽在第一方向上的宽度小于所述第一LED芯片两电极之间的间距。
在本发明中，所述第一LED芯片的两电极之间的间距大于所述第一LED芯片的宽度。
在本发明中，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片为相同尺寸、形状、型号的LED芯片。
在本发明中，所述平坦化层的底端设有薄膜晶体管接触点和电源线接地端接触点，所述薄膜晶体管接触点通过导电材料与所述第一预备电极相连接，所述电源线接地端接触点通过导电材料与所述第二预备电极相连接；所述薄膜晶体管接触点和电源线接地端接触点分别与所述电路层的薄膜晶体管和电源线接地端相连通。
本发明是一种对如上所述的便于修复的LED显示器的修复方法，其包括：
当检测到显示背板上的第一LED芯片发生损坏后，将所述第一LED芯片确定为待更换的LED芯片，并利用激光对所述待更换的LED芯片所在凹槽内的布线进行加热，使所述布线被熔断；
在所述凹槽上方放置上新替换的所述第二LED芯片，并使新替换的所述第二LED芯片的两电极分别与显示背板上的第一预备电极和第二预备电极相接；
对新替换的所述第二LED芯片的两电极分别与所述第一、第二预备电极相键合。
在本发明中，待更换的所述第一LED芯片与新替换的所述第二LED芯片的尺寸、形状、型号相一致。
在本发明的LED显示器中，由于二极管芯片设置于平坦化层的凹槽中，且平坦化层的表面上设有预备电极，故在生产过程中检测到需要对二极管芯片进行替换时，通过激光切断预备电极与接触电极之间的布线，并直接在预备电极上键合上新的二极管芯片即可完成替换，其不需要再将二极管芯片从显示背板上拾出即可在原位置上键合新替换的二极管芯片；其极大地提高了生产效率，有利于对产品的快速生产。
附图说明
为了易于说明，本发明由下述的较佳实施例及附图作详细描述。
图1为本发明的便于修复的LED显示器的俯视结构示意图；
图2为本发明的便于修复的LED显示器在X方向的剖视结构示意图；
图3为本发明的便于修复的LED显示器在X方向的分解结构示意图；
图4为本发明的便于修复的LED显示器在Y方向的剖视结构示意图；
图5为本发明的便于修复的LED显示器在Y方向的分解结构示意图；
图6为本发明中二极管芯片的整体结构示意图；
图7为本发明的LED显示器的修复方法的工作流程示意图；
图8为本发明的LED显示器的修复方法中步骤S101的工作原理示意图；
图9为本发明的LED显示器的修复方法中步骤S102的工作原理示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。可以是机械连接，也可以是电连接。可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面以一个实施例对本发明的一种便于修复的LED显示器进行具体描述，请参阅图1至图6，其包括：
显示背板100，所述显示背板100中从下至上设置的基板101、电路层102和平坦化层103，其中，基板101可以包括透明玻璃材料，如：二氧化硅(SiO2)。基板101也可以包括透明塑料材料，如：聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或丙酸纤维素酯(CAP)等有机材料；电路层102包括有用于驱动LED芯片的驱动电路，比如：薄膜晶体管TFT、栅极线、信号线等；平坦化层103覆盖于电路层102上方，可以消除电路层102上的阶跃差，使之平坦化。平坦化层103可以包括有机材料，如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，具有酚基基团的聚合物衍生物，丙烯基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物，或其任何组合。
所述平坦化层103背离所述电路层102的一侧表面沿第一方向设有第一预备电极104和第二预备电极105，所述第一预备电极104和第二预备电极105备用于与第二LED芯片200a的电极焊接；所述第一预备电极104和第二预备电极105分别通过所述平坦化层103中的通孔与所述电路层102中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通；所述平坦化层103中设有凹槽109，该第一预备电极104和第二预备电极105分别设置于所述凹槽109槽口两侧的长边上，且所述凹槽109槽口在第一方向上的的宽度小于第一LED芯片200底部两电极之间的间距；而第一接触电极110、第二接触电极111则设置于凹槽109底部靠近短边的位置上；所述凹槽109内安装有第一LED芯片200，所述第一LED芯片为倒装型LED芯片，所述凹槽109底部沿第二方向设有第一接触电极110和第二接触电极111，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一LED芯片200底部的两电极分别与第一接触电极110、第二接触电极111相连接，所述第一接触电极110、第二接触电极111通过设置于所述凹槽底部和侧壁上的布线112分别与第一预备电极104、第二预备电极105相连接；其中，该布线112的数量为两根，其分别为第一布线和第二布线，且第一接触电极110通过第一布线与第一预备电极104相连接，第二接触电极111通过第二布线与第二预备电极105相连接；所有布线112均涂布于所述凹槽109的侧壁上，所述凹槽109的宽度B大于所述第一LED芯片200的宽度W，所述凹槽109的长度C大于所述第一LED芯片200的长度Z；故凹槽109的面积要大于第一LED芯片200的面积，其能有效地凹槽109侧面上的布线112与第一LED芯片200的其他位置碰触导致的短路；所述第一LED芯片200顶部高度H不超过所述凹槽109槽口的高度A；其防止因安装于凹槽109内的第一LED芯片200突出于槽口，而阻碍到新替换的第一LED芯片200与第一预备电极104、第二预备电极105的连接。
其中，所述平坦化层103的底端设有薄膜晶体管接触点106和电源线接地端接触点107，第一预备电极104、第二预备电极105与薄膜晶体管接触点106和电源线接地端接触点107之间设有通孔108，所述通孔108内填充有导电材料，所述薄膜晶体管接触点106通过导电材料与所述第一电极104相连接，所述电源线接地端接触点107通过导电材料与所述第二电极105相连接；所述薄膜晶体管接触点106和电源线接地端接触点107分别与电路层102中的薄膜晶体管和电源线接地端相连接；所述导电材料、薄膜晶体管接触点106、电源线接地端接触点107的材料可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)或铜(Cu)等。
其中，所述第一LED芯片200包括：相互分离的第一电极201和第二电极202；所述第二电极202的上端与第二半导体层203相接，所述第一电极201的上端依次通过第一半导体层204和发光层205与所述第二半导体层203相连接，且该第一LED芯片200底部的两电极之间的间距L大于所述第一LED芯片200的宽度W。故凹槽109内的第一LED芯片200与新替换的第二LED芯片200a可以采用相同尺寸、形状、型号的二极管芯片，更加便于修补工作的进行。
在本实施例中，当凹槽109内的第一LED芯片200处于正常状态下，其凹槽109两侧的第一预备电极104、第二预备电极105不与任何二极管芯片相键合，第一预备电极104、第二预备电极105所接收到到电信号通过布线112分别传导至第一接触电极110、第二接触电极111上，第一接触电极110与第二接触电极111将电信号传输至凹槽109内的第一LED芯片200中；即此时，第一预备电极104和第二预备电极105均处于闲置状态；当安装于凹槽109内的第一LED芯片200发生故障时，则需要对此位置上的第一LED芯片200进行替换；此时只需要分别切断第一接触电极110和第二接触电极111连接的布线112，故此时凹槽109内的第一LED芯片200将不能接收到电信号，然后直接在第一预备电极104和第二预备电极105上键合上新替换的二极管芯片，这样可以省略掉将凹槽109内第一LED芯片200拾出的步骤，其可以有效地节省工作流程。
下面以一个的实施例对本发明的一种LED显示器的修复方法进行具体描述，请参阅图7至图9，其包括：
S101.通过激光加热熔断布线
当检测到显示背板100上的第一LED芯片200发生损坏后，将该第一LED芯片200确定为待更换的第一LED芯片200，并利用激光对所述待更换的第一LED芯片200所在凹槽内的布线112进行加热，使所述布线112被熔断；从而使得第一预备电极104与第一布线不再连接，第二预备电极105与第二布线不再连接；进而使凹槽内的待更换的第一LED芯片200断开与电路层之间的电连接。
S102.在预备电极上放上新替换的二极管芯片
在所述凹槽上方放置上新替换的第二LED芯片200a，并使所述第二LED芯片200a底部的两电极分别与显示背板100上的第一预备电极104和第二预备电极105相接；其中，所述第二LED芯片200a与待更换的第一LED芯片200的尺寸、形状、型号相一致，且由于第一LED芯片200和第二LED芯片200a两电极之间的间距L均大于凹槽宽度B，因此新替换的第二LED芯片200a可以横置于第一预备电极104和第二预备电极105上；其第二LED芯片200a的长边与待更换的第一LED芯片200的长边相互垂直。
S103.对新替换的二极管芯片和预备电极进行键合
对所述第二LED芯片200a底部的两电极分别与所述第一预备电极104、第二预备电极105相键合；形成修复后显示背板，在该修复后的显示背板中，新替换的二极管芯片通过第一预备电极104、第二预备电极105与电路层102相连接。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种LED显示器，其特征在于，包括：
显示背板，所述显示背板包括，依次叠加设置的基板、电路层和平坦化层；所述平坦化层的背离所述电路层的一侧表面沿第一方向设有第一预备电极和第二预备电极，所述第一预备电极和第二预备电极分别通过所述平坦化层中的通孔与所述电路层中的薄膜晶体管和电源线接地端相连通；所述第一预备电极和第二预备电极备用于与第二LED芯片的电极焊接；
所述平坦化层上设有凹槽，所述凹槽设置于所述第一预备电极和所述第二预备电极之间；所述凹槽底部沿第二方向设有第一接触电极和第二接触电极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
所述凹槽内安装有第一LED芯片；所述第一LED芯片的两电极分别与第一、第二接触电极相焊接；所述第一LED芯片为倒装型LED芯片；
所述第一、第二接触电极通过设置于所述凹槽底部和侧壁上的布线分别与第一、第二预备电极相连接；所述第一LED芯片的顶部不超过所述凹槽槽口。
2.根据权利要求1所述的LED显示器，其特征在于，所述第一LED芯片的两电极之间的间距大于所述第一LED芯片的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的LED显示器，其特征在于，所述平坦化层的底端设有薄膜晶体管接触点和电源线接地端接触点，所述薄膜晶体管接触点通过导电材料与所述第一预备电极相连接，所述电源线接地端接触点通过导电材料与所述第二预备电极相连接；所述薄膜晶体管接触点和电源线接地端接触点分别与所述电路层的薄膜晶体管和电源线接地端相连通。
4.根据权利要求3所述的LED显示器，其特征在于，所述第一LED芯片和所述第二LED芯片为相同尺寸、形状、型号的LED芯片。
5.根据权利要求3所述的LED显示器，其特征在于，所述凹槽在第一方向上的宽度小于所述第一LED芯片两电极之间的间距。
6.一种对如权利要求1所述的LED显示器的修复方法，其特征在于，包括：
当检测到显示背板上的第一LED芯片发生损坏后，将所述第一LED芯片确定为待更换的LED芯片，并利用激光对所述待更换的LED芯片所在凹槽内的布线进行加热，使所述布线被熔断；
在所述凹槽上方放置上新替换的所述第二LED芯片，并使新替换的所述第二LED芯片的两电极分别与显示背板上的第一预备电极和第二预备电极相接；
对新替换的所述第二LED芯片的两电极分别与所述第一、第二预备电极相键合。
7.根据权利要求6所述的修复方法，其特征在于，待更换的所述第一LED芯片与新替换的所述第二LED芯片的尺寸、形状、型号相一致。
CN202010192516.6A 2020-03-18 2020-03-18 一种便于修复的led显示器及其修复方法 Active CN113497073B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010192516.6A CN113497073B (zh) 2020-03-18 2020-03-18 一种便于修复的led显示器及其修复方法
PCT/CN2020/114617 WO2021184700A1 (zh) 2020-03-18 2020-09-10 一种便于修复的led显示器及其修复方法
TW109131605A TWI747493B (zh) 2020-03-18 2020-09-15 一種便於修復的led顯示器及其修復方法
US17/382,971 US20210351325A1 (en) 2020-03-18 2021-07-22 Led display, method for repairing the same, and led chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010192516.6A CN113497073B (zh) 2020-03-18 2020-03-18 一种便于修复的led显示器及其修复方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113497073A CN113497073A (zh) 2021-10-12
CN113497073B true CN113497073B (zh) 2022-10-21

Family

ID=77770236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010192516.6A Active CN113497073B (zh) 2020-03-18 2020-03-18 一种便于修复的led显示器及其修复方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210351325A1 (zh)
CN (1) CN113497073B (zh)
TW (1) TWI747493B (zh)
WO (1) WO2021184700A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI802067B (zh) * 2021-11-01 2023-05-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR20230081425A (ko) * 2021-11-30 2023-06-07 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN117832111A (zh) * 2024-03-01 2024-04-05 上海聚跃检测技术有限公司 一种芯片失效分析测试修复方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106486492A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
JP2018078279A (ja) * 2016-09-15 2018-05-17 イーラックス・インコーポレイテッドｅＬｕｘ Ｉｎｃ． 表面実装型発光素子を有するディスプレイ
CN108321169A (zh) * 2017-12-04 2018-07-24 友达光电股份有限公司 像素结构
CN110323324A (zh) * 2019-06-14 2019-10-11 青岛海信电器股份有限公司 一种led板和显示装置
CN110416231A (zh) * 2019-01-07 2019-11-05 友达光电股份有限公司 像素结构及其修补方法
CN211265476U (zh) * 2020-03-18 2020-08-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种便于修复的led显示器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3747807B2 (ja) * 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
CN104393137B (zh) * 2014-09-30 2017-08-25 厦门市三安光电科技有限公司 一种倒装发光器件及其制作方法
TWI557702B (zh) * 2015-06-01 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其修補方法
CN113991003A (zh) * 2015-12-01 2022-01-28 夏普株式会社 图像形成元件及其制造方法
US10217678B2 (en) * 2016-06-14 2019-02-26 Innolux Corporation Display device and method of manufacturing the display device
KR102236769B1 (ko) * 2017-07-18 2021-04-06 삼성전자주식회사 엘이디 모듈 제조장치 및 엘이디 모듈 제조방법
CN109801936B (zh) * 2017-11-17 2021-01-26 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 显示面板及其修复方法
CN208014703U (zh) * 2018-03-29 2018-10-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器
TWI668856B (zh) * 2018-12-12 2019-08-11 友達光電股份有限公司 發光二極體面板
CN110571234B (zh) * 2019-09-29 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种背板、显示面板以及异常发光二极管的修复方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106486492A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 三星显示有限公司 显示设备及其制造方法
JP2018078279A (ja) * 2016-09-15 2018-05-17 イーラックス・インコーポレイテッドｅＬｕｘ Ｉｎｃ． 表面実装型発光素子を有するディスプレイ
CN108321169A (zh) * 2017-12-04 2018-07-24 友达光电股份有限公司 像素结构
CN110416231A (zh) * 2019-01-07 2019-11-05 友达光电股份有限公司 像素结构及其修补方法
CN110323324A (zh) * 2019-06-14 2019-10-11 青岛海信电器股份有限公司 一种led板和显示装置
CN211265476U (zh) * 2020-03-18 2020-08-14 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种便于修复的led显示器

Also Published As

Publication number Publication date
TW202137542A (zh) 2021-10-01
WO2021184700A1 (zh) 2021-09-23
US20210351325A1 (en) 2021-11-11
CN113497073A (zh) 2021-10-12
TWI747493B (zh) 2021-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113497073B (zh) 一种便于修复的led显示器及其修复方法
CN211265476U (zh) 一种便于修复的led显示器
CN109888085B (zh) 显示面板及其制备方法
CN211265477U (zh) 一种便于修复的led显示器
CN109309101B (zh) 显示面板及显示装置
CN104134679A (zh) 有机发光二极管显示装置及其制造方法
CN113497072B (zh) 一种便于修复的led显示器及其修复方法
CN112928105B (zh) 一种具有台阶电极的rgb器件及制备方法
CN211479575U (zh) 一种便于修复的led显示器
CN211265475U (zh) 一种led显示器发光单元
CN111584602A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111243495A (zh) 显示面板及显示装置
WO2021184257A1 (zh) 一种便于修复的led显示器及其修复方法
US20210384176A1 (en) Micro light-emitting diode display device and method for fabricating same
US20230232542A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
US11996507B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same
CN111584538A (zh) 微型发光二极管显示装置及其制造方法
CN110120449B (zh) 一种透明柔性显示系统及其制备方法
CN113409699A (zh) 一种便于修复的led显示器及其修复方法
US20240113086A1 (en) Display unit, display device and manufacturing method thereof
CN113628577B (zh) 一种显示基板、显示面板和显示装置
CN220672585U (zh) 一种led显示器件
CN113451165B (zh) 一种显示背板的检测方法及其检测结构
TWI817287B (zh) 顯示裝置
US20230420431A1 (en) Light-emitting substrate, manufacturing method thereof, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant