TWI802067B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI802067B
TWI802067B TW110140611A TW110140611A TWI802067B TW I802067 B TWI802067 B TW I802067B TW 110140611 A TW110140611 A TW 110140611A TW 110140611 A TW110140611 A TW 110140611A TW I802067 B TWI802067 B TW I802067B
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劉仲展
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Abstract

一種顯示裝置,包括基板、驅動電路結構、第一絕緣層、防護圖案及發光元件。驅動電路結構設置於基板上。第一絕緣層設置於驅動電路結構上。防護圖案設置於第一絕緣層上。第一絕緣層位於防護圖案與驅動電路結構之間。防護圖案具有第一部。防護圖案的第一部電性隔離於驅動電路結構的畫素驅動電路。發光元件設置於防護圖案上且電性連接至驅動電路結構。防護圖案位於發光元件與驅動電路結構之間。

Description

顯示裝置
本發明是有關於一種光電裝置,且特別是有關於一種顯示裝置。
發光二極體顯示裝置包括主動元件基板及被轉置於主動元件基板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性,發光二極體顯示裝置具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外,相較於有機發光二極體顯示裝置,發光二極體顯示面板還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此,發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。
一般而言,在完成發光二極體顯示裝置後,需進行一檢測步驟,以測試發光二極體顯示裝置的多個發光二極體元件能否正常工作。若發現有發光二極體元件異常而無法點亮,則可使用雷射移除異常的發光二極體元件,以進行修補動作。然而,在使用雷射移除異常的發光二極體元件的過程中,雷射易損傷發光二極體元件下方的主動元件基板,造成發光二極體顯示裝置的修補良率不佳。
本發明提供一種顯示裝置,易修補。
本發明的顯示裝置,包括基板、驅動電路結構、第一絕緣層、至少一防護圖案及至少一發光元件。驅動電路結構設置於基板上。第一絕緣層設置於驅動電路結構上。至少一防護圖案設置於第一絕緣層上。第一絕緣層位於至少一防護圖案與驅動電路結構之間。至少一防護圖案具有至少一第一部。至少一防護圖案的至少一第一部電性隔離於驅動電路結構的畫素驅動電路。至少一發光元件設置於至少一防護圖案上,且電性連接至驅動電路結構。至少一防護圖案位於至少一發光元件與驅動電路結構之間。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1D示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。其中,圖1A示出修補前的顯示裝置10,且圖1D示出修補後的顯示裝置10’。
請參照圖1A,顯示裝置10包括基板110。舉例而言,在本實施例中,基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如:導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
顯示裝置10還包括驅動電路結構S,設置於基板110上。在本實施例中,驅動電路結構S包括半導體層130、第二絕緣層140、第一導電層150、第二導電層170、第三絕緣層180及第三導電層190,其中第二絕緣層140位於第一導電層150與半導體層130之間,第二導電層170設置於第二絕緣層140上,第三絕緣層180設置於第二導電層170上,第三導電層190設置於第三絕緣層180上,且第三絕緣層180位於第三導電層190與第二導電層170之間。
驅動電路結構S也可稱畫素驅動電路陣列。在本實施例中,驅動電路結構S包括多個畫素驅動電路Spx,其中每一畫素驅動電路Spx包括一薄膜電晶體T及一儲存電容Cst。在本實施例中,半導體層130包括多個通道區132,第一導電層150包括多個閘極152及多個導電圖案154,第二導電層170可包括多個源極172與多個汲極174,第三導電層190可包括多個導電圖案192及多個導電圖案194。在本實施例中,每一畫素驅動電路Spx的薄膜電晶體T可包括半導體層130的一通道區132、第一導電層150的一閘極152、位於通道區132與閘極152之間的部分第二絕緣層140以及第二導電層170的一源極172與一汲極174,且每一畫素驅動電路Spx的儲存電容Cst可包括第一導電層150的一導電圖案154、第三導電層190的一導電圖案194以及位於第一導電層150的導電圖案154與第三導電層190的導電圖案194之間的部分第三絕緣層180。
在本實施例中,半導體層130可選擇性地設置於第一導電層150與基板110之間,且第一導電層150可選擇性地設置於第二導電層170與半導體層130之間,但本發明不以此為限。在本實施例中,驅動電路結構S還可選擇性地包括緩衝層120及層間介電層160,其中緩衝層120設置於半導體層130與基板110之間,且層間介電層160設置於第二導電層170與第一導電層150之間,但本發明不以此為限。
在本實施例中,基於導電性的考量,第一導電層150、第二導電層170及/或第三導電層190可使用金屬材料。然而,本發明不限於此,根據其他實施例,第一導電層150、第二導電層170及/或第三導電層190也可以使用其他導電材料,例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導電材料的堆疊層等。
在本實施例中,緩衝層120、第二絕緣層140、層間介電層160及/或第三絕緣層180可為單一膜層或多個膜層的疊構,本發明並不加以限制。在本實施例中,緩衝層120、第二絕緣層140、層間介電層160及/或第三絕緣層180的材質可包括無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述的組合。
顯示裝置10還包括第一絕緣層200,設置於驅動電路結構S上。具體而言,在本實施例中,第一絕緣層200是設置於驅動電路結構S的第三導電層190及第三絕緣層180上。在本實施例中,第一絕緣層200的材質可包括無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述的組合。
顯示裝置10還包括多個防護圖案210,設置於第一絕緣層200上。第一絕緣層200位於多個防護圖案210與驅動電路結構S之間。詳細而言,在本實施例中,第一絕緣層200位於多個防護圖案210與驅動電路結構S的第三導電層190之間。
每一防護圖案210具有第一部210a,且每一防護圖案210的第一部210a電性隔離於驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx。多個防護圖案210分別對應驅動電路結構S的多個畫素驅動電路Spx設置。具體而言,在本實施例中,每一防護圖案210可重疊於對應的一個畫素驅動電路Spx的至少一部分。舉例而言,在本實施例中,每一防護圖案210可重疊於對應之一畫素驅動電路Spx的儲存電容Cst的一個電極(例如:導電圖案194),但本發明不以此為限。
在本實施例中,防護圖案210的材質選用以對雷射L具有低吸收率為佳。舉例而言,在本實施例中,防護圖案210的材質可包括金屬,例如:鋁、銀等,但本發明不以此為限。
在本實施例中,顯示裝置10還可選擇性包括第四絕緣層230,至少設置於第一絕緣層200上。在本實施例中,第四絕緣層230的材質可包括無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述的組合。
在本實施例中,顯示裝置10還可選擇性包括多個黏著圖案240。多個黏著圖案240分別設置於防護圖案210上,且分用以將多個發光元件LED固定於基板110上。在本實施例中,第一絕緣層200位於多個防護圖案210與驅動電路結構S的第三導電層190之間,且多個防護圖案210位於多個黏著圖案240與第一絕緣層200之間。
顯示裝置10還包括多個發光元件LED,其中多個防護圖案210位於多個發光元件LED與驅動電路結構S之間。更進一步地說,在本實施例中,多個防護圖案210是位於多個發光元件LED與驅動電路結構S的第三導電層190之間。在本實施例中,黏著圖案240位於發光元件LED與防護圖案210之間,且防護圖案210位於黏著圖案240與第一絕緣層200之間,但本發明不以此為限。
在本實施例中,發光元件LED的一邊緣LEDe與防護圖案210的一邊緣210e在平行於基板110上的一方向x上相隔一距離K,且距離K大於或等於2μm。在本實施例中,發光元件LED於基板110上垂直投影可位於防護圖案210於基板110上垂直投影以內,但本發明不以此為限。
發光元件LED包括第一型半導體層310、第二型半導體層320、設置於第一型半導體層310與第二型半導體層320之間的主動層330、電性連接至第一型半導體層310的第一電極340及電性連接至第二型半導體層320的第二電極350。發光元件LED的晶粒D包括第一型半導體層310、第二型半導體層320及主動層330。在本實施例中,發光元件LED還可包括絕緣層360,覆蓋晶粒D的側壁Dw。在本實施例中,發光元件LED例如是微型發光二極體(μLED),但本發明不以此為限。
多個發光元件LED電性連接至驅動電路結構S。具體而言,在本實施例中,每一發光元件LED可電性連接至對應的一畫素驅動電路Spx。更進一步地說,每一發光元件LED的第一電極340可電性連接至對應之一畫素驅動電路Spx的薄膜電晶體T的汲極174,而每一發光元件LED的第二電極350可電性連接一共用線(未繪示)。
在本實施例中,發光元件LED的第一電極340及第二電極350是設置在主動層330之遠離基板110的一側。也就是說,在本實施例中,發光元件LED例如是水平式(lateral)發光二極體,但本發明不以此為限。
在本實施例中,顯示裝置10還可選擇性地包括連接層250,電性連接多個發光元件LED與驅動電路結構S。具體而言,連接層250包括多個區域252,每一區域252包括彼此分離的第一連接圖案252a及第二連接圖案252b,其中每一區域252的第一連接圖案252a電性連接對應的一發光元件LED的第一電極340與對應的一畫素驅動電路Spx的薄膜電晶體T,且每一區域252的第二連接圖案252b電性連接對應的發光元件LED的第二電極350與一共用線(未繪示)。
在本實施例中,顯示裝置10還可選擇性地包括透明導電圖案220,設置於第四絕緣層230與第一絕緣層200之間,而發光元件LED的第一電極340可選擇性地透過連接層250的第一連接圖案252a及透明導電圖案220電性連接至薄膜電晶體T,但本發明不此為限。
在本實施例中,連接層250例如是透明導電層,其包括金屬氧化物,例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層,但本發明不以此為限。
請參照圖1A,值得注意的是,發光元件LED設置於防護圖案210上,且防護圖案210位於發光元件LED與驅動電路結構S之間。當發現發光元件LED異常時,可使用雷射L移除異常的發光元件LED,以進行修補;此時,防護圖案210可阻擋雷射L傳遞至驅動電路結構S,防止驅動電路結構S在移除異常的發光元件LED的過程中受損,以下配合圖1A至圖1D舉例說明之。
請參照圖1A,於一檢測過程中,發現顯示裝置10的一發光元件LED(例如:右側的發光元件LED)正常,而另一發光元件LED(例如:左側的發光元件LED)異常。請參照圖1A及圖1B,此時,可使用雷射L移除異常的發光元件LED。在移除異常的發光元件LED的過程中,不但異常的發光元件LED會被移除,設置於異常之發光元件LED上的部分第一連接圖案252a及部分第二連接圖案252b和重疊於異常之發光元件LED的黏著圖案240也會一併被清除,而露出防護圖案210的表面210s(標示於圖1B)。
請參照圖1C,接著,在被露出的防護圖案210的表面210s上形成黏著圖案240’。請參照圖1D,接著,將修補用的發光二極體LED’設置於黏著圖案240’上,以使發光二極體LED’透過黏著圖案240’固定於基板110上。黏著圖案240’設置於防護圖案210上。第一絕緣層200位於防護圖案210與驅動電路結構S的第三導電層190之間,防護圖案210位於黏著圖案240’與第一絕緣層200之間,且黏著圖案240’位於修補用的發光元件LED’與防護圖案210之間。
請參照圖1A至圖1D,在本實施例中,由於驅動電路結構S受到防護圖案210的保護,因此,可使用具備足夠強度的雷射L清除異常的發光元件LED、設置於異常之發光元件LED上的部分第一連接圖案252a及部分第二連接圖案252b和防護圖案210上的黏著圖案240,以露出防護圖案210的表面210s。防護圖案210的表面210s相對平坦,而有助於黏著圖案240’良好地形成在防護圖案210上,進而使修補用的發光二極體LED’良好地固定在基板110上。
請參照圖1D,接著,在修補用的發光二極體LED’上形成第一導線W1及第二導線W2,其中第一導線W1電性連接修補用的發光二極體LED’的第一電極340及殘留於基板110上的部分的第一連接圖案252a,且第二導線W2電性連接修補用的發光二極體LED’的第二電極350及殘留於基板110上的部分第二連接圖案252b。於此,便完成修補後的顯示裝置10’。
在修補後的顯示裝置10’中,多個發光元件LED包括正常的發光元件LED及修補用的發光元件LED’,其中正常的發光元件LED可稱第一發光元件LED1,修補用的發光元件LED’可稱第二發光元件LED2。在修補後的顯示裝置10’中,多個黏著圖案240、240’包括在修補前便已形成的黏著圖案240及在修補過程中才形成的黏著圖案240’ 其中黏著圖案240可稱第一黏著圖案240-1,且黏著圖案240’可稱第二黏著圖案240-2。多個防護圖案210包括第一防護圖案210-1及第二防護圖案210-2,第一發光元件LED1、第一黏著圖案240-1及第一防護圖案210-1互相重疊,且第二發光元件LED2、第二黏著圖案240-2及第二防護圖案210-2互相重疊。
在修補後的顯示裝置10’中,設置於第一發光元件LED1上的連接層250的一區域252的第一連接圖案252a及第二連接圖案252b可視為第一連接元件A1,而第一發光元件LED1、第一黏著圖案240-1及第一防護圖案210-1設置於第一連接元件A1與第一絕緣層200之間。
在修補後的顯示裝置10’中,設置於第二發光元件LED2旁之殘留的連接層250的另一區域252的部分第一連接圖案252a及部分第二連接圖案252b設置於第一絕緣層200上,且殘留的部分第一連接圖案252a及部分第二連接圖案252b可視為第二連接元件A2;第一導線W1及第二導線W2可視為第三連接元件A3,第三連接元件A3與第二連接元件A2具有交接處I,第二發光元件LED2、第二黏著圖案240-2及第二防護圖案210-2設置於第三連接元件A3與第一絕緣層200之間。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重述。
圖2A至圖2D示出本發明另一實施例之顯示裝置的修補過程。其中,圖2A示出修補前的顯示裝置10A,且圖2D示出修補後的顯示裝置10A’。
圖2A至圖2D之顯示裝置10A的修補過程與圖1A至圖1D之顯示裝置10的修補過程類似,兩者主要的差異在於:發光元件LED設置於基板110上的方式不同。
請參照圖2A,具體而言,在本實施例中,發光元件LED的第一電極340及第二電極350是設置在主動層330之靠近基板110的一側。也就是說,在本實施例中,發光元件LED例如是覆晶結合(flip chip bonding)式的發光二極體。
請參照圖2A,在本實施例中,防護圖案210包括彼此分離的第一部210a及第二部210b,分別重疊於發光元件LED的第二電極350及第一電極340。在本實施例中,發光元件LED的第一電極340於基板110上的垂直投影可在防護圖案210的第二部210b於基板110上的垂直投影以內,發光元件LED的第二電極350於基板110上的垂直投影可在防護圖案210的第一部210a於基板110上的垂直投影以內。 在本實施例中,防護圖案210的第一部210a電性隔離於驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx,而防護圖案210的第二部210b可選擇性地電性連接至驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx,但本發明不以此為限。
在本實施例中,顯示裝置10A還包括連接層260,設置於第四絕緣層230上。連接層260及第四絕緣層230設置於發光元件LED與防護圖案210之間。連接層260包括分別重疊於多個發光元件LED的多個區域262,每一區域262包括彼此分離的第一連接圖案262a及第二連接圖案262b。每一區域262的第一連接圖案262a電性連接對應的一發光元件LED的第一電極340與對應的一畫素驅動電路Spx的薄膜電晶體T。每一區域262的第二連接圖案262b電性連接對應的發光元件LED的第二電極350及一共用線(未繪示)。在本實施例中,每一區域262的第一連接圖案262a可選擇性地電性連接至防護圖案210的第二部210b,但本發明不以此為限。
在本實施例中,連接層260例如是透明導電層,其包括金屬氧化物,例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層,但本發明不以此為限。
在本實施例中,顯示裝置10A還包括多個導電物400,電性連接至多個發光元件LED及驅動電路結構S,其中多個導電物400位於多個發光元件LED與多個防護圖案210之間。在本實施例中,每一導電物400可包括設置於連接層260上的第一材料410、設置於發光元件LED上的第二材料420以及設置於第一材料410與第二材料420之間的第三材料430,第一材料410、第二材料420及第三材料430用以在一共晶接合工序中使發光元件LED與連接層260電性連接。舉例而言,在本實施例中,第一材料410例如是鈦(Ti),第二材料420例如是金(Au),第三材料430例如是銦(In),但本發明不以此為限。
請參照圖2A,於一檢測過程中,發現顯示裝置10A的一發光元件LED(例如:右側的發光元件LED)正常,而另一發光元件LED(例如:左側的發光元件LED)異常。請參照圖2A及圖2B,此時,可使用雷射L移除異常的發光元件LED。在移除異常的發光元件LED的過程中,不但異常的發光元件LED會被移除,設置於異常之發光元件LED下方的導電物400、連接層260之一區域262的第一連接圖案262a及第二連接圖案262b及第一連接圖案262a與第二連接圖案262b下方的部分第四絕緣層230也會一併被清除,而露出防護圖案210的表面210s(標示於圖2B)。
請參照圖2C,接著,在被露出的防護圖案210的表面210s上形成導電物400’。請參照圖2D,然後,將修補用的發光二極體LED’設置於導電物400’上,以使發光二極體LED’透過導電物400’電性連接至驅動電路結構S。於此,便完成修補後的顯示裝置10A’。在修補後的顯示裝置10A’中,導電物400’電性連接修補用的發光二極體LED’與驅動電路結構S,且導電物400’位於修補用的發光二極體LED’與防護圖案210之間。
在修補後的顯示裝置10A’中,多個發光元件LED包括正常的發光元件LED及修補用的發光元件LED’,其中正常的發光元件LED可稱第一發光元件LED1,修補用的發光元件LED’可稱第二發光元件LED2。在修補後的顯示裝置10A’中,多個導電物400、400’包括在修補前便已形成的導電物400及在修補過程中才形成的導電物400’ 其中導電物400可稱第一導電物400-1,且導電物400’可稱第二導電物400-2。
多個防護圖案210包括第一防護圖案210-1及第二防護圖案210-2。第一發光元件LED1、第一導電物400-1及第一防護圖案210-1互相重疊。第一防護圖案210-1位於第四絕緣層230與第一絕緣層200之間。第二發光元件LED2、第二導電物400-2及第二防護圖案210-2互相重疊。第二防護圖案210-2位於第二導電物400-2與第一絕緣層200之間。在本實施例中,第一導電物400-1的成份與第二導電物400-2的成份不同。舉例而言,第一導電物400-1的成份包括鈦、銦及金,而第二導電物400-2的成份包括銀,但本發明不以此為限。
在修補後的顯示裝置10A’中,設置於第一發光元件LED1下方的連接層260之一區域262的第一連接圖案262a及第二連接圖案262b可視為第四連接元件A4,第四連接元件A4電性連接至第一導電物400-1及驅動電路結構S,且至少部分的第四連接元件A4及部分的第四絕緣層230位於第一導電物400-1與第一防護圖案210-1之間。
在修補後的顯示裝置10A’中,第二導電物400-2直接接觸於第二防護圖案210-2,而第二導電物400-2與第二防護圖案210-2之間可不存在連接層260。在本實施例中,第一防護圖案210-1及第二防護圖案210-2的第一部210a電性隔離於驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx,且第一防護圖案210-1及第二防護圖案210-2的多個第二部210b可選擇性地分別電性連接至驅動電路結構S的多個畫素驅動電路Spx,但本發明不以此為限。
圖3A至圖3D示出本發明又一實施例之顯示裝置的修補過程。其中,圖3A示出修補前的顯示裝置10B,且圖3D示出修補後的顯示裝置10B’。
圖3A至圖3D所示之顯示裝置的修補過程與圖2A至圖2D所示之顯示裝置的修補過程類似,於此便不再重述。圖3A及圖3D之修補前後的顯示裝置10B、10B’與圖2A及圖2D之補前後的顯示裝置10A、10A’類似,兩者主要的差異如下。
請參照圖3A及圖3D,在修補前的顯示裝置10B及修補後的顯示裝置10B’中,對應於正常之發光元件LED(即第一發光元件LED1)的防護圖案210(即第一防護圖案210-1)的第一部210a及第二部210b皆電性隔離於驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx。請參照圖3D,在修補後的顯示裝置10B’中,對應於修補用的發光元件LED’(即第二發光元件LED2)的防護圖案210(即第二防護圖案210-2)的第二部210b透過導電物400’及殘留的第一連接圖案262a電性連接至驅動電路結構S的畫素驅動電路Spx。
10、10’、10A、10A’、10B、10B’:顯示裝置 110:基板 120:緩衝層 130:半導體層 132:通道區 140:第二絕緣層 150:第一導電層 152:閘極 154:導電圖案 160:層間介電層 170:第二導電層 172:源極 174:汲極 180:第三絕緣層 190:第三導電層 192、194:導電圖案 200:第一絕緣層 210:防護圖案 210-1:第一防護圖案 210-2:第二防護圖案 210a:第一部 210b:第二部 210e:邊緣 210s:表面 220:透明導電圖案 230:第四絕緣層 240、240’:黏著圖案 240-1:第一黏著圖案 240-2:第二黏著圖案 250、260:連接層 252、262:區域 252a、262a:第一連接圖案 252b、262b:第二連接圖案 310:第一型半導體層 320:第二型半導體層 330:主動層 340:第一電極 350:第二電極 360:絕緣層 400、400’:導電物 400-1:第一導電物 400-2:第二導電物 410:第一材料 420:第二材料 430:第三材料 A1:第一連接元件 A2:第二連接元件 A3:第三連接元件 A4:第四連接元件 Cst:儲存電容 D:晶粒 Dw:側壁 I:交接處 K:距離 L:雷射 LED、LED’:發光元件 LED1:第一發光元件 LED2:第二發光元件 LEDe:邊緣 S:驅動電路結構 Spx:畫素驅動電路 T:薄膜電晶體 W1:第一導線 W2:第二導線 x:方向
圖1A至圖1D示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。 圖2A至圖2D示出本發明另一實施例之顯示裝置的修補過程。 圖3A至圖3D示出本發明又一實施例之顯示裝置的修補過程。
10:顯示裝置
110:基板
120:緩衝層
130:半導體層
132:通道區
140:第二絕緣層
150:第一導電層
152:閘極
154:導電圖案
160:層間介電層
170:第二導電層
172:源極
174:汲極
180:第三絕緣層
190:第三導電層
192、194:導電圖案
200:第一絕緣層
210:防護圖案
210a:第一部
210e:邊緣
220:透明導電圖案
230:第四絕緣層
240:黏著圖案
250:連接層
252:區域
252a:第一連接圖案
252b:第二連接圖案
310:第一型半導體層
320:第二型半導體層
330:主動層
340:第一電極
350:第二電極
360:絕緣層
Cst:儲存電容
D:晶粒
Dw:側壁
K:距離
L:雷射
LED:發光元件
LEDe:邊緣
S:驅動電路結構
Spx:畫素驅動電路
T:薄膜電晶體
x:方向

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置,包括:一基板;一驅動電路結構,設置於該基板上;一第一絕緣層,設置於該驅動電路結構上;至少一防護圖案,設置於該第一絕緣層上且能阻擋一雷射傳遞至該驅動電路結構,其中該第一絕緣層位於該至少一防護圖案與該驅動電路結構之間,該至少一防護圖案具有至少一第一部,且該至少一防護圖案的該至少一第一部電性隔離於該驅動電路結構的一畫素驅動電路;以及至少一發光元件,設置於該至少一防護圖案上,且電性連接至該驅動電路結構,其中該至少一防護圖案位於該至少一發光元件與該驅動電路結構之間。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置,其中該驅動電路結構包括:一半導體層;一第二絕緣層;一第一導電層,其中該第二絕緣層位於該第一導電層與該半導體層之間;一第二導電層,設置於該第二絕緣層上;一第三絕緣層,設置於該第二導電層上;以及 一第三導電層,設置於該第三絕緣層上,其中該第三絕緣層位於該第三導電層與該第二導電層之間;該至少一防護圖案設置於該至少一發光元件與該驅動電路結構的該第三導電層之間。
  3. 如請求項2所述的顯示裝置,更包括:至少一黏著圖案,設置於該至少一防護圖案上,其中該第一絕緣層位於該至少一防護圖案與該驅動電路結構的該第三導電層之間,該至少一防護圖案位於該至少一黏著圖案與該第一絕緣層之間,且該至少一黏著圖案位於該至少一發光元件與該至少一防護圖案之間。
  4. 如請求項3所述的顯示裝置,其中該至少一發光元件包括一第一發光元件,該至少一黏著圖案包括一第一黏著圖案,該至少一防護圖案包括一第一防護圖案,該第一發光元件、該第一黏著圖案及該第一防護圖案互相重疊,且該顯示裝置更包括:一第一連接元件,電性連接至該第一發光元件及該驅動電路結構,其中該第一發光元件、該第一黏著圖案及該第一防護圖案設置於該第一連接元件與該第一絕緣層之間。
  5. 如請求項4所述的顯示裝置,其中該至少一發光元件更包括一第二發光元件,該至少一黏著圖案更包括一第二黏著圖案,該至少一防護圖案更包括一第二防護圖案,該第二發光元件、該第二黏著圖案及該第二防護圖案互相重疊,且該顯示裝置更包括: 一第二連接元件,設置於該第一絕緣層上,與該第一連接元件形成於同一膜層,且電性連接至該驅動電路結構;以及一第三連接元件,電性連接至該第二發光元件及該第二連接元件,其中該第三連接元件與該第二連接元件具有一交接處,且該第二發光元件、該第二黏著圖案及該第二防護圖案設置於該第三連接元件與該第一絕緣層之間。
  6. 如請求項2所述的顯示裝置,更包括:至少一導電物,電性連接至該至少一發光元件及該驅動電路結構,其中該至少一導電物位於該至少一發光元件與該至少一防護圖案之間。
  7. 如請求項6所述的顯示裝置,其中該至少一發光元件包括一第一發光元件,該至少一導電物包括一第一導電物,該至少一防護圖案包括一第一防護圖案,該第一發光元件、該第一導電物及該第一防護圖案互相重疊,且該顯示裝置更包括:一第四絕緣層,其中該第一防護圖案位於該第四絕緣層與該第一絕緣層之間;以及一第四連接元件,電性連接至該第一導電物及該驅動電路結構,其中至少部分的該第四連接元件及部分的該第四絕緣層設置於該第一導電物與該第一防護圖案之間。
  8. 如請求項7所述的顯示裝置,其中該至少一防護圖案的該至少一第一部包括該第一防護圖案的一第一部,該第一防護圖案更包括一第二部,該第一防護圖案的該第一部及該第二部彼 此分離且分別重疊於該第一發光元件的一第二電極及一第一電極,該第一防護圖案的該第二部電性連接至該驅動電路結構的該畫素驅動電路。
  9. 如請求項7所述的顯示裝置,其中該至少一防護圖案的該至少一第一部包括該第一防護圖案的一第一部,該第一防護圖案更包括一第二部,該第一防護圖案的該第一部及該第二部彼此分離且分別重疊於該第一發光元件的一第二電極及一第一電極,該第一防護圖案的該第一部及該第二部電性隔離於該驅動電路結構的該畫素驅動電路。
  10. 如請求項7所述的顯示裝置,其中該至少一發光元件包括一第二發光元件,該至少一導電物包括一第二導電物,該至少一防護圖案包括一第二防護圖案,該第二發光元件、該第二導電物及該第二防護圖案互相重疊,且該第二導電物直接接觸於該第二防護圖案。
  11. 如請求項1所述的顯示裝置,其中該至少一發光元件的一邊緣與該至少一防護圖案的一邊緣在平行於該基板上的一方向上相隔一距離,且該距離大於或等於2μm。
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