CN110476253A - 使用半导体发光器件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括基板；子像素部分，设置在基板上；以及布线电极，电连接到子像素部分。此外，子像素部分包括第一发光部分和第二发光部分，被配置为输出相同颜色的光并且利用其间的凹槽间隔开，并且布线电极包括：基部电极，被配置为将相同的电信号传输到第一发光部分和第二发光部分；第一子电极，从基部电极延伸并电连接到第一发光部分；以及第二子电极，从基部电极延伸并电连接到第二发光部分。

Description

使用半导体发光器件的显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置，更具体地，涉及使用半导体发光装置的显示装置。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已经开发出具有诸如低轮廓、柔性等优异特性的显示装置。目前商业化的主流显示器由液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)代表。
然而，在LCD的情况下，存在诸如响应时间慢、柔性难以实现的问题，并且在AMOLED情况下，存在诸如寿命短、产量低以及灵活性低的缺点。此外，因为使用GaAsP化合物半导体的红色LED与GaP：N基绿色LED一起于1962年在市场上销售，因此发光二极管(LED)是众所周知的用于将电流转换为光的发光器件，并且已被用作在包括信息通信装置的电子装置中显示图像的光源。因此，半导体发光器件可用于实现柔性显示器，从而提出解决问题的方案。
当实现使用半导体发光器件的显示装置时，一些半导体发光器件存在缺陷，并且已经积极地进行了用没有任何缺陷的半导体发光器件替换有缺陷的半导体发光器件的方法的开发。更具体地，当在其上设置有半导体发光器件的基板上的一些半导体发光器件中发生缺陷时，存在两种解决该问题的方法。
一种方法是替换修复方法，在该方法中移除有缺陷的半导体发光器件，然后将新的半导体发光器件附接到其上。另一种方法是冗余修复方法，在该方法中具有冗余单元的两个或更多个单元设置在单位单元中，并且切断对应于有缺陷的半导体发光器件的NG单元(即，有缺陷的半导体发光器件)的电连接，并且仅驱动单位单元中包括的剩余单元。
在替换修复方法中，技术难度高，因此需要额外的设备投资和单独的芯片设计，导致成本增加。此外，冗余修复方法是选择性地转移大于芯片数量两倍的芯片的数量和具有至多两倍小的尺寸的芯片的方法，并且选择性转移的工艺具有高级别的难度。
发明内容
【技术问题】
本公开的目的是提供一种用于实现柔性显示装置的新颖制造工艺。
本公开的另一个目的是提供一种能够使用冗余修复方法容易地移除和替换有缺陷的半导体发光器件的结构。
【技术方案】
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如本文实施和广泛描述的，本发明一个方面提供了一种显示装置，包括基板；子像素部分，设置在基板上；以及布线电极，电连接到子像素部分。此外，子像素部分包括第一发光部分和第二发光部分，被配置为输出相同颜色的光并且利用其间的凹槽间隔开。另外，布线电极包括：基部电极，被配置为将相同的电信号传输到第一发光部分和第二发光部分；第一子电极，从基部电极延伸并电连接到第一发光部分；以及第二子电极，从基部电极延伸并电连接到第二发光部分。本发明还提供了制造显示装置的相应方法。
从下文给出的详细描述，本发明的进一步适用范围将变得显而易见。然而，虽然详细描述和具体示例表明了本发明的优选实施例，但详细描述和具体示例仅通过说明的方式给出，因为对于本领域技术人员而言，本发明的精神和范围内的各种变化和修改将从该详细描述中变得显而易见。
【有益效果】
根据具有前述配置的本公开，共用至少一个半导体层的多个半导体发光器件可以包括在一个单位单元(子像素部分)中。换句话说，单位单元可以设置有多个半导体发光器件，这些半导体发光器件共用除了多个物理上分离的半导体发光器件之外的一个半导体层，从而降低了将它们转移到基板的过程的复杂性。
而且，可以在单位单元中提供空的空间，并且可以在空的空间中设置新的半导体发光器件，该空的空间设置在包括有缺陷的半导体发光器件的单位单元中。因此，即使当单位单元中包括有缺陷的半导体发光器件时，根据本公开的显示装置可以额外地布置可以代替半导体发光器件的半导体发光器件，从而便于更换有缺陷的半导体发光器件。
另外，可以设置包括在单位单元中的多个半导体发光器件和分别分支到空的空间的子电极，以移除有缺陷的半导体发光器件或者即使当新的半导体发光器件设置在空的空间中时也不进行额外的布线，从而更方便地移除和更换半导体发光器件。
附图说明
图1是示出使用本公开的半导体发光器件的显示装置的实施例的概念图；
图2是图1中A部分的局部放大图；
图3A和图3B是沿图2中的B-B线和C-C线截取的剖视图；
图4是示出图3中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图；
图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件相关的实现颜色的各种形式的概念图；
图6是示出制造使用本公开的半导体发光器件的显示装置的方法的剖视图；
图7是示出使用本公开的半导体发光器件的显示装置的另一实施例的透视图；
图8是沿图7中的C-C线截取的剖视图；
图9是示出图8中的垂直半导体发光器件的概念图；
图10、图11和图12是示出图1中的部分A的放大视图，示出了应用根据本公开的具有新颖结构的半导体发光器件的本公开的另一实施例；
图13、图14和图15是示出根据本公开的半导体发光器件的概念图；
图16和图17是示出根据本公开另一示例的半导体发光器件的概念图；以及
图18和图19是示出图1中的部分A的放大视图，示出了应用根据本公开另一实施例的具有新颖结构的半导体发光器件的本公开的另一实施例。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本文公开的实施例，并且相同或相似的元件用相同的附图标记表示，而不管附图中的附图标记，并且将省略它们的多余描述。用于以下描述中公开的组成元件的后缀“模块”或“单元”仅旨在用于说明书的简单描述，并且后缀本身不给出任何特殊含义或功能。而且，应该注意，附图仅用于说明以容易地解释本发明的概念，因此，它们不应被解释为通过附图限制本文公开的技术概念。
当诸如层、区域或基板等元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以在它们之间插入中间元件。本文公开的显示装置可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、平板电脑、超极本、数字电视、台式电脑等。然而，本领域技术人员将容易理解，本文公开的配置可适用于任何可显示的装置，即使它是以后将开发的新产品类型。
图1是示出使用根据本公开的实施例的半导体发光器件的显示装置的概念图。根据附图，可以使用柔性显示器显示在显示设备100的控制器中处理的信息。
柔性显示器包括柔性、可弯曲、可扭转、可折叠和可卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在薄且柔性的基板上制造的显示器，其可以像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷起，同时保持相关技术中的平板显示器的显示特性。
柔性显示器的显示区域变为柔性显示器不翘曲的构造中的平面(例如，具有无限曲率半径的构造，在下文中，称为“第一构造”)。其显示区域在如下构造中变为弯曲表面：柔性显示器在第一构造中被外力翘曲(例如，具有有限曲率半径的构造，在下文中，称为“第二构造”)。如图所示，在第二构造中显示的信息可以是在弯曲表面上显示的视觉信息。视觉信息可以通过单独控制以矩阵形式设置的子像素的光发射来实现。子像素表示用于实现一种颜色的最小单位。
柔性显示器的子像素可以由半导体发光器件实现。根据本公开，发光二极管(LED)被示出为一种半导体发光器件。由此，即使在第二构造中，发光二极管也可以形成为小尺寸以执行子像素的作用。
在下文中，将参考附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。特别地，图2是图1中“A”部分的局部放大图，图3A和图3B是沿图2中的线B-B和线C-C截取的剖视图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念图，图5A至图5C是示出与倒装芯片型半导体发光器件相关的实现颜色的各种形式的概念图。
图2、图3A和图3B示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件作为使用半导体发光器件的显示装置100的显示装置100。然而，以下说明也适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示装置100包括基板110、第一电极120、导电粘合剂层130、第二电极140和多个半导体发光器件150。基板110可以是柔性基板。基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果它是柔性材料，则可以使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等任何一种。此外，基板110可以是透明和非透明材料中的一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以放置在基板110上。根据附图，绝缘层160设置在放置有第一电极120的基板110上，辅助电极170放置在绝缘层160上。绝缘层160沉积在基板110上的配置可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可以用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘和柔性材料结合到基板110中，以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170放置在绝缘层160上，并且设置为对应于第一电极120的位置。例如，辅助电极170具有点状，并且可以通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。电极孔171可以通过在通孔中填充导电材料来形成。
此外，导电粘合剂层130可以形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开不限于此。例如，还可以具有这样的结构：导电粘合剂层130设置在基板110上而没有绝缘层160。导电粘合剂层130在导电粘合剂层130设置在基板110上的结构中起到绝缘层的作用。
导电粘合剂层130可以是具有粘合性和导电性的层，并且导电材料和粘合剂材料可以混合在导电粘合剂层130上。此外，导电粘合剂层130可以具有柔性，从而允许显示装置中的柔性功能。
例如，导电粘合剂层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏体、含有导电颗粒的溶液等。导电粘合剂层130允许在z方向上穿过其厚度的电互连，而可以被配置为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合剂层130可以被称为z轴导电层(然而，下文中称为“导电粘合剂层”)。
各向异性导电膜包括与绝缘基部构件(base member)混合的各向异性导电介质，因此当对该各向异性导电膜施加热和压力时，仅其特定部分通过各向异性导电介质具有导电性。在下文中，对各向异性导电膜施加热和压力，但是也可以使用其他方法使各向异性导电膜部分地具有导电性。该方法还包括仅施加热和压力中的任一种、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。在本实施例中，各向异性导电膜包括与绝缘基部构件混合的各向异性导电介质，因此当对该各向异性导电膜施加热和压力时，仅其特定部分通过导电球具有导电性。各向异性导电膜可以包括具有导电材料的芯，该导电材料包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒，并且在这种情况下，各向异性导电膜可以通过芯具有导电性的同时在施加热和压力的部分上断开绝缘层。这里，可以转变芯以实现具有两个表面的层，物体在膜的厚度方向上接触上述表面。
在更具体的示例中，热和压力作为整体施加到各向异性导电膜，并且z轴方向上的电连接部分地由与通过使用各向异性导电膜粘附的配合物体的高度差形成。在另一个示例中，各向异性导电膜可以包括多个颗粒，其中导电材料涂覆在绝缘芯上。在这种情况下，被施加热和压力的部分可以转换(压制和粘附)为导电材料，以在膜的厚度方向上具有导电性。在又一个示例中，膜可以形成为在膜的厚度方向上具有导电性，在该膜中，导电材料在z方向上穿过绝缘基部构件。在这种情况下，导电材料可以具有尖端部分。
此外，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，其被配置有导电球插入绝缘基部构件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基部构件由粘合材料形成，并且导电球集中地设置在绝缘基部构件的底部，并且当对导电球施加热和压力时，基部构件与导电球一起被修改。从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开不限于此，并且各向异性导电膜可以具有导电球随机地与绝缘基部构件混合的形式，或者被配置有多个层的形式等，在多个层中，导电球设置在任何一层(双ACF)。
作为与膏体和导电球耦合的形式的各向异性导电膏体可以是其中导电球与绝缘和粘合剂基板材料混合的膏体。此外，含有导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
此外，第二电极140位于绝缘层160处以与辅助电极170分离。换句话说，导电粘合剂层130设置在辅助电极170和第二电极140所在的绝缘层160上。
当在布置了辅助电极170和第二电极140的状态下形成导电粘合剂层130，然后半导体发光器件150通过施加热和压力以倒装芯片形式连接到其上时，半导体光发光器件150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件150可以是倒装芯片型半导体发光器件。例如，半导体发光器件150可以包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153和n型电极152，该n型电极152设置成在n型半导体层153上在水平方向上与p型电极156分离。在这种情况下，p型电极156可以通过导电粘合层130电连接到焊接部分179，并且n型电极152可以电连接到第二电极140。
再次参照图2、图3A和图3B，辅助电极170可以在一个方向上以细长的方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，辅助电极周围的半导体发光器件的左右p型电极可以电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合剂层130中，并且通过此，仅半导体发光器件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分以及半导体发光器件150的n型电极152和第二电极140之间的部分类具有导电性，并且由于没有半导体发光器件的下推，所以剩余部分不具有导电性。此外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且磷光体层180形成在发光阵列上。
发光器件可以包括具有不同自亮度值的多个半导体发光器件。每个半导体发光器件150构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且半导体发光器件布置成多行，例如，半导体发光器件的每一行可以电连接到多个第一电极中的任何一个。
此外，半导体发光器件可以以倒装芯片形式连接，因此半导体发光器件生长在透明电介质基板上。另外，半导体发光器件可以是例如氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此即使其具有小尺寸，也可以构造各个子像素。
此外，可以在半导体发光器件150之间形成分隔壁190。在这种情况下，分隔壁190将各个子像素彼此分开，并且与导电粘合剂层130形成为一体。例如，当半导体发光器件150插入各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基部构件可以形成分隔壁。
当各向异性导电膜的基部构件是黑色时，分隔壁190具有反射特性，同时在没有额外的黑色绝缘体的情况下增加对比度。在另一个示例中，反射分隔壁可以与分隔壁190分开设置。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，壁增强了反射率，并且在同时具有反射特性的同时增加了对比度。
磷光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面。例如，半导体发光器件150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层180执行将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的作用。磷光体层180可以是构成各个像素的红色磷光体层181或绿色磷光体层182。
换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体181可以在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件151上，能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体182可以在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件151上。此外，仅蓝色半导体发光器件151可以单独用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情况下，红色(R)，绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，可以沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的磷光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换句话说，可以顺序地设置红色(R)、绿色(B)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本公开不限于此，并且半导体发光器件150可以与量子点(QD)而不是磷光体组合以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。此外，黑矩阵191可以设置在每个磷光体层之间以增强对比度。换句话说，黑矩阵191可以增强亮度的对比度。然而，本公开不限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一种结构也可以适用于此。
参考图5A，每个半导体发光器件150可以用高功率发光器件实现，该高功率发光器件发射包括蓝色的各种光，且其中主要使用氮化镓(GaN)，并且铟(In)和/或铝(Al)添加到其中。在这种情况下，半导体发光器件150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光器件，以实现每个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R，G，B)交替设置，红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参考图5B，半导体发光器件可以具有白色发光器件(W)，其为每个元件设置黄色磷光体层。在这种情况下，可以在白色发光器件(W)上设置红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183以实现子像素。此外，在白色发光器件(W)上重复红、绿和蓝的滤色器可以用于实现子像素。
图5C示出了设置在紫外发光器件(UV)上的红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183。因此，半导体发光器件可以在直到紫外线(UV)以及可见光的整个区域上使用，并且可以扩展到紫外线(UV)可以用作激发源的半导体发光器件的形式。
再次考虑本示例，半导体发光器件150放置在导电粘合剂层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此即使其具有小尺寸，也可以配置各个子像素。各个半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度上可以小于80μm，并且形成有矩形或方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
此外，即使当具有10μm边长的方形半导体发光器件150用于子像素时，它也将表现出足够的亮度以实现显示装置。因此，例如，在子像素的一侧尺寸为600μm并且其剩余一侧为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光器件之间的相对距离变得足够大。因此，可以实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用前述半导体发光器件的显示装置通过新型制造方法制造。在下文中，将参考图6描述制造方法。特别地，图6是示出制造使用根据本公开实施例的半导体发光器件的显示装置的方法的剖视图。
如图所示，首先，导电粘合剂层130形成在辅助电极170和第二电极140所在的绝缘层160上。绝缘层160沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140设置在布线基板上。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以设置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
导电粘合剂层130可以通过例如各向异性导电膜实现，并且各向异性导电膜可以涂覆在绝缘层160所在的基板上。接下来，布置有多个半导体发光器件150的第二基板112，以使得半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140的方式被布置，其中多个半导体发光器件150对应于辅助电极170和第二电极140的位置并且构成各个像素。
在这种情况下，作为生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。当半导体发光器件以晶片为单位形成时，半导体发光器件可以具有能够实现显示装置的间隙和尺寸，因此半导体发光器件有效地用于显示装置。
接下来，将布线基板热压缩到第二基板112。例如，通过应用ACF压头(presshead)，可以将布线基板和第二基板112彼此热压缩。使用热压缩将布线基板和第二基板112彼此接合。由于通过热压缩具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的一部分可具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件150电连接到彼此。另外，半导体发光器件150可以插入各向异性导电膜中，从而在半导体发光器件150之间形成分隔壁。
接下来，移除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法移除第二基板112。最后，移除第二基板112以将半导体发光器件150暴露到外部。可以在耦合到半导体发光器件150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等，以形成透明绝缘层。
还可以包括在半导体发光器件150的一个表面上形成磷光体层的工艺。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，用于将蓝色(B)光转换成子像素的颜色的红色或绿色磷光体可以形成在蓝色半导体发光器件的一个表面上的层。
使用前述半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可以以各种形式进行修改。例如，前述显示装置可适用于垂直半导体发光装置。在下文中，将参考图5和图6描述垂直结构。
另外，根据以下修改的示例或实施例，相同或相似的附图标记被指定为与前述示例相同或相似的配置，并且其描述将由之前的描述代替。
图7是示出根据本公开另一实施例的使用半导体发光器件的显示装置的透视图。另外，8是沿图7中的C-C线截取的剖视图，图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。此外，显示装置可以使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件。
显示装置包括基板210、第一电极220、导电粘合剂层230、第二电极240和多个半导体发光器件250。作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。此外，如果是绝缘和柔性材料，则可以使用任何一种。
第一电极220位于基板210上，并形成有沿一个方向伸长的条形电极。第一电极220也可以形成为执行数据电极的作用。导电粘合剂层230形成在第一电极220所在的基板210上。与应用倒装芯片型发光器件的显示装置类似，导电粘合剂层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏体、包含导电颗粒的溶液等。然而，本实施例示出了导电粘合剂层230由各向异性导电膜实现。
当各向异性导电膜处于第一电极220位于基板210上的状态，然后施加热和压力以将半导体发光器件250连接到其上时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。另外，优选地，半导体发光器件250可以设置在第一电极220上。
如上所述，当施加热和压力时，各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，从而产生电连接。因此，各向异性导电膜在其厚度方向上被分隔成具有导电性的部分和不具有导电性的部分。此外，各向异性导电膜包含粘合剂组分，因此导电粘合剂层230实现半导体发光器件250和第一电极220之间的机械耦合以及电耦合。
因此，半导体发光器件250放置在导电粘合剂层230上，从而在显示装置中配置单独的子像素。半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此即使其具有小尺寸，也可以配置各个子像素。单个半导体发光器件250的尺寸在其一侧的长度上可以小于80μm，并且形成有矩形或方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。半导体发光器件250可以是垂直结构。
多个第二电极240可以位于垂直半导体发光器件之间，并且沿与第一电极220的长度方向交叉的方向设置并且电连接到垂直半导体发光器件250。
参考图9，垂直半导体发光器件包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253和形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256通过导电粘合剂层230电连接到第一电极220，位于其顶部的n型电极252电连接到第二电极240，这将稍后描述。电极可以在垂直半导体发光器件250中沿向上/向下方向设置，从而提供能够减小芯片尺寸的巨大优点。
再次参照图8，磷光体层280形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，并且将蓝色(B)光转换为子像素的颜色的磷光体层280可以设置在其上。在这种情况下，磷光体层280可以是构成各个像素的红色磷光体281和绿色磷光体282。
换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体281可以在实现红色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件251上，能够将蓝光转换成绿色(G)光的绿色磷光体282可以在实现绿色子像素的位置处沉积在蓝色半导体发光器件251上。此外，仅蓝色半导体发光器件251可以单独用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。
然而，本公开不限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可以如上所述在应用倒装芯片型发光器件的显示装置中应用于此。另外，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可以设置成多行，并且第二电极240可以位于半导体发光器件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，所以第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。第二电极240可以以沿一个方向伸长的条形电极来形成，并且设置在与第一电极垂直的方向上。
此外，第二电极240通过从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成有用于欧姆接触的欧姆电极，第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240可以电连接到半导体发光器件250的n型电极。
此外，第二电极240位于导电粘合剂层230上。此外，可以在形成有半导体发光器件250的基板210上形成包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层。当透明绝缘层形成然后将第二电极240放置在其上时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可以形成为与导电粘合剂层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)等透明电极将第二电极240定位在半导体发光器件250上，ITO材料会存在与n型半导体的粘附性差的问题。因此，第二电极240可以放置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此，n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可以用作水平电极，而不必限制到选择透明材料，从而提高光提取效率。
此外，可以在半导体发光器件250之间形成分隔壁290。换句话说，分隔壁290可以设置在垂直半导体发光器件250之间，以隔开构成各个像素的半导体发光器件250。在这种情况下，分隔壁290可以执行将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合剂层230形成为一体。例如，当半导体发光器件250插入各向异性导电膜时，各向异性导电膜的基部构件可以形成分隔壁。
另外，当各向异性导电膜的基部构件是黑色时，分隔壁290具有反射特性，同时在没有额外的黑色绝缘体的情况下增加对比度。在另一个示例中，反射分隔壁可以与分隔壁290分开设置。在这种情况下，根据显示装置的目的，分隔壁290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于半导体发光器件250之间的导电粘合剂层230上，则分隔壁290可以位于半导体发光器件250和第二电极240之间。因此，即使使用半导体发光器件250的小尺寸，也可以配置各个子像素，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对足够大以将第二电极240放置在半导体发光器件250之间，从而实现具有HD图像质量的柔性显示装置的效果。
此外，黑矩阵291可以设置在每个磷光体层之间以增强对比度。换句话说，黑矩阵191可以增强亮度的对比度。如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合剂层230上，从而构成显示器件上的各个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此即使在其尺寸小的情况下也可以配置各个子像素。由此，可以实现全色显示，其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素通过半导体发光器件实现一个像素。
此外，在具有半导体发光器件的显示装置中，在至少一些半导体发光器件中可能存在缺陷。这种有缺陷的半导体发光器件可以称为NG单元，本公开提供了一种半导体发光器件结构和具有该半导体发光器件结构的显示装置，该半导体发光器件结构具有用于更容易地替换对应于NG单元的半导体发光器件的新颖结构。
特别地，根据本公开，在一个子像素部分中布置额外的空间，在该额外的空间中可以另外设置多个发光部分和半导体发光器件。此外，提供了一种冗余修复方法，在该方法中，对应于有缺陷的发光部分的NG单元被断开以仅驱动包括在子像素部分中的剩余的发光部分。
这里，发光部分可以表示一个半导体发光器件。根据本公开，一个半导体发光器件可以与另一个半导体发光器件共用导电半导体层的一部分，这将在下面更详细地描述。
在下文中，将参考附图详细描述应用冗余修复方法的显示装置。特别地，图10-图12是示出图1中的部分A的放大视图，示出了应用根据本公开的具有新颖结构的半导体发光器件的本公开的另一实施例。图13-图15是示出根据本公开的半导体发光器件的概念图。
图10-图12示出了使用有源矩阵(AM)型半导体发光器件的显示装置1000。然而，下面描述的示例也可以应用于无源矩阵(PM)型半导体发光器件。
显示装置1000包括在基板1010上的多个半导体发光器件1050和子像素部分1060。基板1010是薄膜晶体管阵列基板，并且可以由玻璃或塑料材料制成。基板1010包括用于向子像素部分1060供电的第一电极部分1020和第二电极部分1040。
此外，基板1010包括用于控制到子像素部分1060的功率和数据信号传输的驱动部分1070，并且驱动部分1070通过第一电极部分1020和第二电极部分1040电连接到子像素部分1060。驱动部分1070可以是驱动薄膜晶体管，并且可以是各种类型的开关装置。在根据本说明书的附图中，示意性地示出了驱动部分1070，并且一个驱动部分1070可以向一个子像素部分1060提供驱动功率，以在子像素部分1060的单元中执行控制。
多条栅极线(GL)、多条数据线(DL)、多条驱动电源线(PL)和多条公共电源线(CL)可以设置在基板1010上，用于驱动部分1070和子像素部分1060之间的电连接，并且用于向其提供驱动功率，省略其详细描述。
此外，第一电极部分1020可以被配置为执行公共电极和公共电源线的作用，第二电极部分1040可以被配置为执行数据电极和数据线(DL)的作用。它们还可以被配置为执行相反的作用。
另外，子像素部分1060是实际发射光的最小单位区域，形成为发出相同颜色的光，并且形成为具有第一发光部分1050a和第二发光部分1050b，该第一发光部分1050a和第二发光部分1050b利用其间的凹槽间隔开。彼此相邻的至少三个子像素部分可以构成用于彩色显示的一个单位像素(或单位图片元素)。例如，一个单位像素可以包括彼此相邻的红色子像素部分、绿色子像素部分和蓝色子像素部分，并且还可以包括用于亮度增强的白色像素。
此外，磷光体层1080可以位于子像素部分1060的外表面上。例如，包括在子像素部分1060中的发光部分，即半导体发光器件，是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层1080执行将蓝色(B)光转换为像素的颜色的功能。磷光体层1080可以是构成单个像素的红色磷光体1081或绿色磷光体1082。
换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体1081可以在形成红色单位像素的位置处沉积在第一子像素部分上，能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体1082可以在形成绿色单位像素的位置处沉积在第二子像素部分上。另外，仅蓝色半导体发光器件可以单独用在构成蓝色单位像素的部分中。红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素部分可以形成一个像素。
更具体地，如图10所示，可以沿列方向沉积一种颜色的磷光体。在这种情况下，相同颜色的磷光体层涂覆在一个子像素部分1060上，因此，相同材料的磷光体可以沉积在设置在子像素部分中的发光部分上，即第一发光部分和第二发光部分上，以将从第一发光部分和第二发光部分输出的光转换成相同的颜色。
此外，如图所示，磷光体层也可以形成为沉积在修复部位1050c中。然而，本公开不限于此，代替磷光体，半导体发光器件1050和量子点(QD)可以组合以形成红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)单位像素。
另外，黑矩阵1091可以设置在每个磷光体层之间，以增强对比度。换句话说，黑矩阵1091可以增强明暗对比度。然而，本公开不限于此，并且还可以应用用于实现蓝色、红色和绿色的其他结构。
在下文中，将更详细地描述根据本公开的子像素部分1060。如上所述，子像素部分1060包括空的空间(或修复部位)1050c，其中可以设置1050a、1050b和额外的发光部分(或半导体发光器件)。
图11-图13示出了子像素部分1060，包括两个发光部分1050a、1050b，但是本公开不限于此，并且可以在子像素部分1060中设置更多数量的发光部分。该发光部分也可以称为半导体发光器件。
根据本公开的子像素部分被配置为具有未掺杂的半导体层1059，并且第一发光部分1050a和第二发光部分1050b分别形成为在未掺杂的半导体层1059上沉积，其间具有凹槽。换句话说，第一发光部分1050a和第二发光部分1050b可以在未掺杂的半导体层1059上彼此间隔开。
此外，第二电极部分1040或布线电极可以包括基部电极1040-1，用于将相同的电信号传输到第一发光部分1050a和第二发光部分1050b；第一子电极1040a，从基部电极1040延伸且电连接到第一发光部分1050a；第二子电极1040b，从基部电极1040-1延伸并电连接到第二发光部分1050b。
此外，布线电极(或第二电极部分1040)还可以包括从基部电极1040-1朝向修复部位1050c延伸的第三子电极1040c。设置在布线电极上的子电极可以与多个发光部分和设置在子像素部分中的多个修复部位成比例地设置。
相同的数据信号可以分别传输到第一子电极至第三子电极1040a、1040b、1040c，并且设置在子像素部分1060中的发光部分可以基于相同的数据信号发光。此外，第一子电极1040a和第二子电极1040b从基部电极1040-1延伸并电连接到各个发光部分，并且特别地，电连接到设置在特定导电半导体层上的电极，该特定导电半导体层设置在每个发光部分中。
设置在子像素部分中的发光部分可以具有各种结构，并且如图13所示，沉积在未掺杂的半导体层1059上的第一发光部分1050a和第二发光部分1050b可以分别包括第一导电半导体层和第二导电半导体层1053a、1053b、1055a、1055b，以及形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层1053a、1053b、1055a、1055b之间的有源层1054a、1054b。此外，第一导电电极1052a、1052b形成在第一导电半导体层1053a、1053b的一个表面上，第二导电电极1056a、1056b形成在第二导电半导体层1055a、1055b的一个表面上。
未掺杂的半导体层1059可以形成在第一导电半导体层1053a、1053b的一个表面上，并且有源层1054a、1054b可以蚀刻在其另一个表面上。此外，第一导电电极1052a、1052b可以形成在其上形成有未掺杂的半导体层1059的第一导电半导体层1053a、1053b的至少一部分上。换句话说，未掺杂的半导体层1059可以形成为不整体覆盖第一导电半导体层1053a、1053b，而是形成为仅覆盖其一部分。
而且，第一导电电极1052a、1052b和第一导电半导体层1053a、1053b可以分别是n型电极和n型半导体层，第二导电电极1056a、1056b和第二导电半导体层1055a、1055b可以分别是p型电极和p型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电电极和第一导电半导体层可以是p型电极，第二导电电极和第二导电半导体层可以是n型电极。
另外，如图所示，第一发光部分1050a和第二发光部分1050b的第一导电电极1052a、1052b可以设置在两侧，未掺杂的半导体层1059位于中心。
如图14所示，包括在第一发光部分1050a中的第一导电电极1053a电连接到第一子电极1040a，包括在第二发光部分1050b中的第一导电电极1053b可以电连接到第二子电极1040B。此外，图14示出了发光部分(或半导体发光器件)未额外地设置在修复部位1050c中的视图。然而，当在修复部位1050c中额外地设置发光部分时，额外地设置的发光部分和第三子电极1040c可以彼此电连接。
此外，如上所述，包括在相同子像素部分1060中的多个发光部分1050a、1050b被配置为基于通过从基部电极1040d分支的多个子电极1040a、1040b传输的信号发光。如图14所示，包括在第一发光部分1050a中的第一导电电极1052a可以电连接到第一子电极1040a，包括在第二发光部分1050b中的第二导电电极1052b可以电连接到第二子电极1040b。
如图15中所示，为了移除对应于NG单元的发光部分，将激光照射到未掺杂的半导体层1059，以允许第一发光部分1050a和第二发光部分1050b物理地分离。此外，还可以使用激光烧蚀(laser ablation)，并且由此，可以在用激光照射的未掺杂半导体层1059的横截面1059a上形成裂缝，如图15(a)、(b)和(c)所示。
当存在对应于NG单元的发光部分时，可以使用激光烧蚀来破裂未掺杂的半导体层1059，如图15的(b)所示。然后，可以移除对应于NG单元的发光部分(例如，包括沉积在第二发光部分1050b上的未掺杂的半导体层的第二发光部分1050b)，如图15的(c)所示。
然后，如图15的(c)所示，可以将新的半导体发光器件插入修复部位1050c中。因此，子像素部分1060可以设置有至少两个没有缺陷的发光部分，以发射与其他子像素部分1060相同亮度的光。
此外，在以上描述中，已经描述了移除有缺陷的发光部分的示例，但是根据本公开，还可以将新的半导体发光器件插入到修复部位中，同时保持有缺陷的发光部分而不移除它。
根据具有前述配置的本公开，共用至少一个半导体层的多个半导体发光器件可以包括在一个单位单元(子像素部分)中。换句话说，单位单元可以设置有多个半导体发光器件，这些半导体发光器件共用除了多个物理上分离的半导体发光器件之外的一个半导体层，从而降低了将它们转移到基板的工艺的复杂性。
另外，可以在单位单元中设置空的空间，并且可以在空的空间中设置新的半导体发光器件，该空的空间设置在包括有缺陷的半导体发光器件的单位单元中。因此，即使当单位单元中包括有缺陷的半导体发光器件时，根据本公开的显示装置可以额外地布置可以代替半导体发光器件的半导体发光器件，从而便于更换有缺陷的半导体发光器件。
另外，可以设置包括在单位单元中的多个半导体发光器件和分别分支到空的空间的子电极，以移除有缺陷的半导体发光器件或者即使当新的半导体发光器件设置在空的空间中时也不进行额外的布线，从而更方便地移除和更换半导体发光器件。
此外，可以将设置在子像素部分中的发光部分(即，半导体发光器件)修改为各种结构，并且将参考附图详细描述其示例。特别地，图16和图17是示出根据本公开的另一示例的半导体发光器件的概念图。
例如，如图16中所示，第一发光部分2050a和第二发光部分2050b可以沉积在未掺杂的半导体层2059上，并且可以包括彼此间隔开的第一导电半导体层2053a、2053b，蚀刻在第一导电半导体层2053a、2053b上的有源层2054a、2054b，和沉积在有源层上的第二导电半导体层2055a、2055b。
第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层2053a、2053b、2054a，2054b、2055a、2055b利用在未掺杂的半导体层2059上的其间的凹槽彼此间隔开。未掺杂的半导体层2059可以形成在第一导电半导体层2053a、2053b的一侧上。另外，第一导电电极2052a、2052b可以分别形成在第一导电半导体层2053a、2053b的另一侧上。
此外，第二导电电极2056a、2056b形成在第二导电半导体层2055a、2055b的一个表面上。此外，未掺杂的半导体层2059可以形成在第一导电半导体层2053a、2053b的一个表面上，有源层2054a、2054b可以蚀刻在其另一个表面上。
另外，第一导电电极2052a、2052b可以分别形成在与形成有未掺杂的半导体层2059的第一导电半导体层2053a，2053b的一侧相对的另一侧上。换句话说，未掺杂的半导体层2059可以不形成为完全覆盖第一导电半导体层2053a、2053b，而是可以形成为仅覆盖其一部分。
如上所述，未掺杂的半导体层2059和第一导电电极2052a、2052b可以形成在第一导电半导体层2053a、2053b的一个表面上，有源层2054a、2054b可以沉积在其另一个表面上。
而且，第一导电电极2052a、2052b和第一导电半导体层2053a、2053b可以分别是n型电极和n型半导体层，第二导电电极2056a、2056b和第二导电半导体层2055a、2055b可以分别是p型电极和p型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电电极和第一导电半导体层可以是p型电极，第二导电电极和第二导电半导体层可以是n型电极。此外，第一导电电极2052a、2052b可以电连接到设置在第二电极部分1040中的子电极(参见图10)。
在另一个示例中，如图17所示，第一发光部分3050a和第二发光部分3050b可以沉积在未掺杂的半导体层3059上，并且可以包括彼此间隔开的第一导电半导体层3053a、3053b，沉积在第一导电半导体层3053a、3053b上的有源层3054a、3054b，和沉积在有源层上的第二导电半导体层3055a、3055b。
第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层3053a、3053b、3054a、3054b、3055a、3055b利用在未掺杂的半导体层3059上的其间的凹槽彼此间隔开。此外，未掺杂的半导体层3059可以形成在第一导电半导体层3053a和3053b的一个表面上，有源层3054a、3054b和和第一导电电极3052a、3052b可以形成在其另一个表面上。
另外，第二导电电极3056a、3056b形成在第二导电半导体层3055a、3055b的一个表面上。此外，第一发光部分3050a的第一导电电极3052a和第二导电电极3056a可以在水平方向上间隔开，类似地，第二发光部分3050b的第一导电电极3052b和第二导电电极3066b也可以在水平方向上间隔开。
此外，第一导电电极3052a、3052b和第一导电半导体层3053a、3053b可以分别是n型电极和n型半导体层，第二导电电极3056a、3056b和第二导电半导体层3055a、3055b可以分别是p型电极和p型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电电极和第一导电半导体层可以是p型电极，第二导电电极和第二导电半导体层可以是n型电极。而且，如上所述，第一导电电极3052a、3052b可以电连接到设置在第二电极部分1040中的子电极(参见图10)。
另外，根据上述实施例，已经描述了共用未掺杂的半导体层的发光部分。根据本公开的显示装置可以包括共用单个导电半导体层的多个发光部分，并且在下文中，将参考附图详细描述本公开。图18和图19是示出图1中的部分A的放大视图，示出了应用根据本公开另一实施例的具有新颖结构的半导体发光器件的本公开的另一实施例。
参照图18和图19，示出了使用有源矩阵(AM)型半导体发光器件作为使用半导体发光器件的显示装置1000的显示装置4000。然而，下面描述的示例也可以应用于无源矩阵(PM)半导体发光器件。
显示装置4000包括基板4010、子像素部分4060和形成子像素部分4060的多个半导体发光器件4050。基板4010是薄膜晶体管阵列基板，并且可以由玻璃或塑料材料制成。基板4010包括用于向子像素部分4060供电的第一电极部分4020和第二电极部分4040。
此外，基板4010包括用于控制到子像素部分4060的功率和到数据信号传输的驱动部分4070，并且驱动部分4070形成为通过第一电极部分4020和第二电极部分4040电连接到子像素部分4060。驱动部分4070可以是驱动薄膜晶体管，并且另外，可以是各种类型的开关装置。在根据本说明书的附图中，示意性地示出了驱动部分4070，并且一个驱动部分4070可以向一个子像素部分4060提供驱动功率，以在子像素部分4060的单元中执行控制。
多条栅极线(GL)、多条数据线(DL)、多条驱动电源线(PL)和多条公共电源线(CL)可以设置在基板4010上，用于驱动部分4070和子像素部分4060之间的电连接，并且用于向其提供驱动功率，省略其详细描述。
第一电极部分4020可以被配置为执行公共电极和公共电源线的作用，第二电极部分4040可以被配置为执行数据电极和数据线(DL)的作用。此外，电极部分4020和4040还可以被配置为执行相反的作用。
根据本公开的子像素部分4060是实际发射光的最小单位区域，发射相同颜色的光，并且包括第一发光部分1050a和第二发光部分1050b，该第一发光部分1050a和第二发光部分1050b利用其间的凹槽间隔开。
彼此相邻的至少三个子像素部分可以构成用于彩色显示的一个单位像素(或单位图片元素)。例如，一个单位像素可以包括彼此相邻的红色子像素部分、绿色子像素部分和蓝色子像素部分，并且还可以包括用于亮度增强的白色像素。
此外，磷光体层4080可以位于子像素部分4060的外表面上。例如，包括在子像素部分4060中的发光部分，即半导体发光器件，是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层4080执行将蓝色(B)光转换为像素的颜色的功能。磷光体层4080可以是构成单个像素的红色磷光体4081或绿色磷光体4082。
换句话说，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体4081可以在形成红色单位像素的位置处沉积在第一子像素部分上，能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体4082可以在形成绿色单位像素的位置处沉积在第二子像素部分上。另外，仅蓝色半导体发光器件可以单独用在构成蓝色单位像素的部分中。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素部分可以形成一个像素。
更具体地，如图18所示，可以沿列方向沉积一种颜色的磷光体。在这种情况下，相同颜色的磷光体层涂覆在一个子像素部分4060上，因此，相同材料的荧光粉可以沉积在设置在子像素部分中的发光部分上，即第一发光部分和第二发光部分上，以将从第一发光部分和第二发光部分输出的光转换成相同的颜色。
此外，磷光体层也可以形成为沉积在修复部位4050c中。然而，本公开不限于此，代替磷光体，半导体发光器件4050和量子点(QD)可以组合以形成红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。此外，黑矩阵4091可以设置在每个磷光体层之间以增强对比度。换句话说，黑矩阵4091可以增强亮度的对比度。然而，本公开不限于此，并且还可以应用用于实现蓝色、红色和绿色的其他结构。
在下文中，将更详细地描述根据本公开的子像素部分4060。如上所述，子像素部分4060包括空的空间(或修复部位)4050c，其中可以设置第一发光部分4050a和第二发光部分4050b和额外的发光部分(或半导体发光器件)。
在图中，示出了子像素部分4060包括两个发光部分4050a、4050b，但是本公开不限于此，并且可以在子像素部分4060中设置更多数量的发光部分。发光部分也可以称为半导体发光器件。
根据本公开包括在子像素部分中的第一发光部分4050a和第二发光部分4050b可以包括第一导电半导体层和第二导电半导体层4053、4055a、4055b，形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层4053a、4055b之间的有源层4054a、4054b，形成在第一导电半导体层4053的一个表面上的第一导电电极4052a、4052b，以及形成在第二导电半导体层4055a、4055b的一侧上的第二导电电极4056a、4056b，并且第一发光部分4050a和第二发光部分4050b的第一导电半导体层4053形成单个半导体层。
因此，第一发光部分4050a的第二导光半导体层4055a、有源层4054a和第二导电电极4056a，以及第二发光部分4050b的第二导电半导体层4055b、有源层4054b和第二导电电极4056b形成在单个第一导电半导体层4053上，以利用其间的凹槽彼此间隔开。
有源层4054a、4054b形成在单个第一导电半导体层4053的一个表面上，并且第一发光部分4050a和第二发光部分4050b的第一导电电极4052a、4052b可以分别设置在单个第一导电半导体层4053的另一个表面上。第一导电电极4052a、4052b分别形成在第一导电半导体层4053的另一个表面的两侧。
此外，第二电极部分4040或布线电极可以包括基部电极4040-1，用于将相同的电信号传输到第一发光部分4050a和第二发光部分4050b；第一子电极4040a，从基部电极4040延伸并且电连接到第一发光部分4050a；以及第二子电极4040b，从基部电极4040-1延伸并电连接到第二发光部分4050b。
此外，布线电极(或第二电极部分4040)还可以包括从基部电极4040-1朝向修复部位4050c延伸的第三子电极4040c。设置在布线电极上的子电极可以与多个发光部分和设置在子像素部分中的多个修复部位成比例地设置。
相同的数据信号可以分别传输到第一子电极至第三子电极4040a、4040b、4040c，并且设置在子像素部分4060中的发光部分可以基于相同的数据信号发光。此外，第一子电极4040a和第二子电极4040b从基部电极1040-1延伸并电连接到各个发光部分，并且特别地，电连接到设置在特定导电半导体层上的电极，该特定导电半导体层设置在每个发光部分中
此外，图18和图19示出了其中发光部分(或半导体发光器件)未额外地设置在修复部位4050c中的视图。然而，当在修复部位4050c中额外地设置发光部分时，额外地设置的发光部分和第三子电极4040c可以彼此电连接。
如上所述，包括在相同子像素部分4060中的多个发光部分4050a、4050b被配置为基于通过从基部电极4040-1分支的多个子电极4040a、4040b传输的信号发光。包括在第一发光部分4050a中的第一导电电极4052a可以电连接到第一子电极4040a，包括在第二发光部分4050b中的第二导电电极4052b可以电连接到第二子电极4040b。
根据本公开的显示装置，为了移除对应于NG单元的发光部分，将激光照射到单个第一半导体层4053以允许第一发光部分4050a和第二发光部分4050b物理分开。
另外，还可以使用激光烧蚀，并且由此，尽管未在图中示出，可以在用激光照射的第一半导体层4053的横截面4059a上形成裂缝。在根据本公开的显示装置中，当存在对应于NG单元的发光部分时，可以使用激光烧蚀来破裂单个第一半导体层4053，然后可以移除对应于NG单元的发光部分。
然后，可以将新的半导体发光器件插入修复部位4050c中。由此，子像素部分4060可以设置有至少两个没有缺陷的发光部分，以发射与其他子像素部分4060相同亮度的光。此外，在上面的描述中，已经描述了移除有缺陷的发光部分的示例，但是根据本公开，还可以将新的半导体发光器件插入到修复部位中，同时保持有缺陷的发光部分而不移除它。
根据具有前述配置的本公开，共用至少一个半导体层的多个半导体发光器件可以包括在一个单位单元(子像素部分)中。换句话说，单位单元可以设置有多个半导体发光器件，这些半导体发光器件共用除了多个物理上分离的半导体发光器件之外的一个半导体层，从而降低了将它们转移到基板的工艺的复杂性。
而且，可以在单位单元中提供空的空间，并且可以在空的空间中设置新的半导体发光器件，该空的空间设置在包括有缺陷的半导体发光器件的单位单元中。因此，即使当单位单元中包括有缺陷的半导体发光器件时，根据本公开的显示装置可以额外地布置可以代替半导体发光器件的半导体发光器件，从而便于更换有缺陷的半导体发光器件。
另外，可以设置包括在单位单元中的多个半导体发光器件和分别分支到空的空间的子电极，以移除有缺陷的半导体发光器件或者即使当新的半导体发光器件设置在空的空间中时也不进行额外的布线，从而更方便地移除和更换半导体发光器件。
本发明包括对本文讨论的每个示例和实施例的各种修改。根据本发明，上面在一个实施例或示例中描述的一个或多个特征可以同等地应用于上述另一个实施例或示例。上述一个或多个实施例或示例的特征可以组合到上述每个实施例或示例中。本发明的一个或多个实施例或示例的任何完全或部分组合也是本发明的一部分。
由于本发明可以在不脱离其精神或本质特征的情况下以多种形式实施，所以还应该理解，除非另有说明，否则上述实施例不受前述说明的任何细节的限制，而是应当在其所附权利要求限定的精神和范围内进行广泛的解释，因此，所有落入权利要求的范围和界限内的变化和修改，或这些界限的等同物都应被所附权利要求所包含。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板；
子像素部分，设置在基板上；以及
布线电极，电连接到子像素部分，
其中，子像素部分包括：
第一发光部分和第二发光部分，被配置为输出相同颜色的光并且利用二者之间的凹槽而被间隔开，并且
其中，布线电极包括：
基部电极，被配置为将相同的电信号传输到第一发光部分和第二发光部分，
第一子电极，从基部电极延伸并电连接到第一发光部分，以及
第二子电极，从基部电极延伸并电连接到第二发光部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，子像素部分还包括未掺杂的半导体层，并且
其中，第一发光部分和第二发光部分利用二者之间的凹槽而被分别蚀刻在未掺杂的半导体层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在未掺杂的半导体层上蚀刻的第一发光部分和第二发光部分分别包括：
第一导电半导体层和第二导电半导体层；
有源层，形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；
第一导电电极，形成在第一导电半导体层的一个表面上；以及
第二导电电极，形成在第二导电半导体层的一个表面上，
其中，包括在第一发光部分中的第一导电电极电连接到第一子电极，并且
其中，包括在第二发光部分中的第一导电电极电连接到第二子电极。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，未掺杂的半导体层的至少一部分被配置为在第一发光部分和第二发光部分之间破裂，从而断开有缺陷的发光部分，以仅驱动包括在子像素部分中的剩余的发光部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分通过裂缝物理地分开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，子像素部分还包括至少一个修复部位，半导体发光器件能够被设置在所述至少一个修复部位中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，布线电极还包括从基部电极延伸以面向修复部位的第三子电极。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分基于通过基部电极传输到第一子电极和第二子电极的相同数据信号发光。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
磷光体层，覆盖子像素部分的至少一部分，并且被配置转换从设置在子像素部分中的第一发光部分和第二发光部分输出的光的颜色，
其中，相同材料的磷光体被蚀刻在在第一发光部分和第二发光部分上，以将从第一发光部分和第二发光部分输出的光转换成相同的颜色。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述磷光体层还覆盖设置在子像素部分中的修复部位。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分分别包括：
第一导电半导体层和第二导电半导体层；
有源层，形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；
第一导电电极，形成在第一导电半导体层的一个表面上；以及
第二导电电极，形成在第二导电半导体层的一个表面上，并且
其中，第一发光部分和第二发光部分的第一导电半导体层形成单个第一半导体层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在单个第一导电半导体层上第一发光部分的第二导电半导体层、有源层和第二导电电极与第二发光部分的第二导电半导体层、有源层和第二导电电极利用第一发光部分与第二发光部分之间的凹槽而被间隔开。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分的有源层分别设置在单个第一导电半导体层的一个表面上，并且
其中，第一发光部分和第二发光部分的第一导电电极分别设置在单个第一导电半导体层的另一个表面上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分的第一导电电极分别设置在单个第一导电半导体层的另一个表面的两侧。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，单个第一导电半导体层的至少一部分被配置为破裂，从而断开有缺陷的发光部分，以仅驱动包括在子像素部分中的剩余发光部分。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，第一发光部分和第二发光部分的电连接通过裂缝隔开。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成子像素部分；以及
形成与子像素部分电连接的布线电极，
其中，形成子像素部分包括：
形成第一发光部分和第二发光部分，第一发光部分和第二发光部分输出相同颜色的光并且利用二者之间的凹槽而被间隔开，并且
其中，形成布线电极包括：
形成基部电极以将相同的电信号传输到第一发光部分和第二发光部分；
形成从基部电极延伸并电连接到第一发光部分的第一子电极；以及
形成从基部电极延伸并电连接到第二发光部分的第二子电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，子像素部分还包括未掺杂的半导体层，并且
其中，第一发光部分和第二发光部分利用二者之间的凹槽而被分别蚀刻在未掺杂的半导体层上。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，在未掺杂的半导体层上蚀刻的第一发光部分和第二发光部分分别包括：
第一导电半导体层和第二导电半导体层；
有源层，形成在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；
第一导电电极，形成在第一导电半导体层的一个表面上；以及
第二导电电极，形成在第二导电半导体层的一个表面上，
其中，包括在第一发光部分中的第一导电电极电连接到第一子电极，并且
其中，包括在第二发光部分中的第一导电电极电连接到第二子电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，未掺杂的半导体层的至少一部分在第一发光部分和第二发光部分之间破裂，从而断开有缺陷的发光部分，以仅驱动包括在子像素部分中的剩余的发光部分。
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