CN106062858A - 使用半导体发光器件的显示设备 - Google Patents
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Abstract
讨论一种显示设备，该显示设备可以包括布线基板，该布线基板具有被形成在不同表面上的第一电极和第二电极；导电粘合层，该导电粘合层被构造成覆盖布线基板；和子像素部分，该子像素部分被连接到导电粘合层以具有发射不同颜色的光的多个发光部分，其中子像素部分具有与多个发光部分相对应的多个第一导电电极，并且第二导电电极作为用于多个发光部分的公共电极，并且电极孔被形成在布线基板上以将第二电极电连接到第二导电电极。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及使用半导体发光器件的显示设备。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已经开发出具有诸如低配置文件、柔性等优异特性的显示设备。相反地，当前商用的主要显示器以液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)为代表。
然而，在LCD的实例中存在诸如中等响应时间、难以实现柔性的问题，在AMOLED的实例中存在诸如短寿命、中等良率以及低柔性的缺陷。
另一方面，发光二极管(LED)是用于将电流转换成光的公知的发光器件，并且已经被用作在包括信息通信设备的电子设备中显示图像的光源，因为与基于GaP:N的绿色LED一起，使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年实现了商业上可用。因此，可以使用半导体发光器件实现柔性显示器，从而提出用于解决这些问题的方案。
此外，除此之外，能够设想使用半导体发光器件在柔性显示器中进一步简化制造工艺的结构。
发明内容
技术问题
本发明的实施例提供其中半导体发光器件以细小的间距被排列的显示设备。
本发明的实施例提供具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件。
技术方案
为了完成本发明的实施例的前述任务，根据本发明的实施例的显示设备可以包括布线基板，该布线基板具有被形成在不同的表面上的第一电极和第二电极；导电粘合层，该导电粘合层被构造成覆盖布线基板；和子像素部分，该子像素部分被连接到导电粘合层以具有发射不同颜色的光的多个发光部分，其中子像素部分具有与多个发光部分相对应的多个第一导电电极，并且其中第二导电电极作为用于多个发光部分的公共电极，并且电极孔被形成在布线基板上以将第二电极电连接到第二导电电极。
根据与本发明的实施例相关联的示例，具有多个第一导电电极和第二导电电极的半导体发光器件可以被布置在子像素部分上，并且半导体发光器件可以具有分别在其上形成多个第一导电电极的多个第一导电半导体层，和在其上形成第二导电电极的第二导电半导体层。
第二导电半导体层可以是单个半导体层，并且多个第一导电半导体层可以与单个半导体层重叠。有源层可以分别被形成在第二导电半导体层和多个第一导电半导体层之间，以沿着平行于单个半导体层的方向顺序地形成多个发光部分。
根据与本发明的实施例相关联的另一示例，第二导电电极可以是单个导电电极。
第二半导体层可以包括n型半导体层和n型接触层，并且n型接触层的厚度、n型接触层的宽度、以及n型接触层和多个第一导电电极之间的距离中的至少一个可以被不同地形成在多个发光部分上。
多个发光部分可以被形成以分别发射红光、绿光以及蓝光。
根据与本发明的实施例相关联的另一示例，第一电极和第二电极可以分别具有第一电极线和第二电极线，并且第一电极线和第二电极线可以在彼此相交的方向中被形成，并且第一电极线和第二电极线中的至少部分可以被电连接到子像素部分。
子像素部分可以被电连接到第一电极线的多个电极线，并且被电连接到第二电极线的单个电极线。
根据与本发明的实施例相关联的另一示例，沿着虚拟线可以对准多个第一导电电极，并且第二导电电极可以被布置成从虚拟线偏移。
子像素部分可以是彼此相邻的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一个，并且可以沿着垂直于线的方向顺序地排列第一子像素部分的第二导电电极和第二子像素部分的第二导电电极。电极孔可以从第一子像素部分被延伸到第二子像素部分以覆盖第一子像素部分的第二导电电极和第二子像素部分的第二导电电极。
根据与本发明的实施例相关联的另一示例，子像素部分可以是彼此相邻的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一个，并且第一子像素部分和第二子像素部分可以被形成以共享单个第二导电电极。
第一子像素部分和第二子像素部分可以在单个第二导电电极周围以水平对称或者垂直和水平对称被形成。电极孔可以被形成以对应于单个第二导电电极。
此外，根据本发明的实施例，公开一种显示设备，包括：布线基板，该布线基板具有第一电极和第二电极；导电粘合层，该导电粘合层被构造以覆盖布线基板；和半导体发光器件，该半导体发光器件被连接到导电粘合层，并且被构造成分别从彼此分离的多个发光部分发射光，其中半导体发光器件包括分别与多个发光部分相对应的多个第一导电半导体层；第二导电半导体层，该第二导电半导体层与多个第一导电半导体层重叠；多个第一导电电极，所述多个第一导电电极被电连接到第一电极，并且分别被形成在多个第一导电半导体层上；以及第二导电电极，该第二导电电极被电连接到第二电极并且被沉积在第二导电半导体层上。
另外，根据本发明的实施例，公开一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括多个第一导电半导体层；第二导电半导体层，该第二导电半导体层与多个第一导电半导体层重叠；多个有源层，所述多个有源层分别被形成在第二导电半导体层和多个第一导电半导体层之间；多个第一导电电极，所述多个第一导电电极分别被形成在多个第一导电半导体层上；以及单个第二导电电极，该单个第二导电电极被沉积在第二导电半导体层上。
有益效果
根据具有前述的构造的本发明的实施例，可以在细小的间距处布置半导体发光器件，并且导电粘合层具有柔韧性，从而实现可卷曲的显示设备。
此外，根据本发明的实施例，能够通过具有新结构的倒装芯片型半导体发光器件实现每个像素要求一个或者更少通孔的显示设备。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入到本申请中且构成本说明书的一部分，附图图示本发明的实施例并且与描述一起用以说明本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示设备的概念视图；
图2是图1中的部分“A”的部分放大视图，并且图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图；
图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图；
图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光器件实现颜色的各种形式的概念视图；
图6是示出根据本发明的使用半导体发光器件制造显示设备的方法的横截面图；
图7是示出根据本发明的另一实施例的使用半导体发光器件的显示设备的透视图；
图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图；
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图；
图10A和图10B是图示应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图和部分分解视图；
图11A是沿着图10中的线E-E截取的横截面图；
图11B是沿着图11中的线F-F截取的横截面图；
图11C是沿着图11中的线G-G截取的横截面图；
图12是图示在图11A中的半导体发光器件的概念视图；
图13A至图13C是图示实现与具有新结构的半导体发光器件相关联的颜色的各种形式的概念视图；
图14A和图14B是应用不同类型的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图；
图15A至图15C是图示根据本发明的另一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图；
图16A至图16E是图示根据本发明的又一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图；以及
图17A至图17C是图示根据本发明的又一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本文中公开的实施例，并且用相同的参考标号指定相同或类似的元件，而不管附图中的标号如何，并且将省略对其的冗余描述。用于下面描述中公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”只是意在便于描述说明书，后缀本身并没有提供任何特殊的含义或功能。此外，在描述本文公开的实施例中，当对本发明所属公知技术的具体描述被判定为使本发明的主旨模糊不清时，将省略其详细描述。另外，应该注意，图示附图仅是为了易于解释本发明的概念，并且因此，它们不应该被理解为通过附图来限制本文中公开的技术概念。
此外，应该理解的是，当诸如层、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者还可以在其间插入中间元件。
本文中公开的显示设备可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、板型PC(slate PC)、平板PC(tablet PC)、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域的技术人员应该容易理解，本文中公开的构造可以应用于任何可显示的设备，即便该设备是随后将被开发出的新产品类型。
图1是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示设备的概念视图。
根据附图，可以使用柔性显示器来显示在显示设备100的控制器中处理的信息。
柔性显示器可以包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷起的显示器。例如，在现有技术中，柔性显示器可以是制造在薄柔性基板上的显示器，该薄柔性基板可以像纸张一样被卷曲、弯曲、折叠或卷起，同时保持平板显示器的显示特性。
柔性显示器的显示区变成柔性显示器不卷曲的构造(例如，具有无限曲率半径的构造，下文中，被称为“第一构造”)中的平面。其显示区变成由第一构造中的外力卷曲柔性显示器的构造(例如，具有有限曲率半径的构造，下文中，被称为“第二构造”)中的弯曲表面。如图中所示，第二构造下显示的信息可以是弯曲表面上显示的可视信息。可以通过独立控制以矩阵形式设置的子像素的发光来实现可视信息。子像素代表用于实现一种颜色的最小单元。
可以通过半导体发光器件来实现柔性显示器的子像素。根据本发明的实施例，发光二极管(LED)被图示为一种类型半导体发光器件。发光二极管可以形成为小尺寸，以通过此甚至在第二构造中执行子像素的作用。
下文中，将参照附图来更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的部分放大视图，并且图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图，以及图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光芯片实现颜色的各种形式的概念视图。
根据在图2、3A和3B中的附图，通过示例使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示设备100被图示为使用半导体发光器件的显示设备100。然而，下面的图示也可以应用于其它的实施例中的有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备100可以包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极40和多个半导体发光器件150。
基板110可以是柔性基板。基板110可以含有玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示设备。另外，当是柔性材料时，可以使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。此外，基板110可以是透明材料和非透明材料中的任意一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以布置在基板110上。
根据附图，绝缘层160可以设置在放置有第一电极120的基板110上，辅助电极170可以放置在绝缘层160上。在这种情形下，绝缘层160被沉积在基板110上的构造可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可以被合并在具有诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘柔性材料的基板110中，以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170被布置在绝缘层160上，并被设置成对应于第一电极120的位置。例如，辅助电极170具有点形状，并且可以通过穿过绝缘层160的电极孔171被电连接到第一电极120。可以通过将导电材料填充在通孔中来形成电极孔171。
参照附图，导电粘合层130可以被形成在绝缘层160的一个表面上，但本发明的实施例可不必限于此。例如，还可能能够具有在绝缘层160和导电粘合层130之间形成执行特定功能的层，或者导电粘合层130被布置在不具有绝缘层160的基板110上的结构。导电粘合层130可以在导电粘合层130被布置在基板110上的结构中执行绝缘层的作用。
导电粘合层130可以是具有粘附性和导电性的层，为此，导电材料和粘合剂材料可以在导电粘合层130上被混合。此外，导电粘合层130可以具有柔性，从而允许显示设备中的柔性功能。
对于这样的示例，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可以允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但可以被构造为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可以被称为z轴导电层(然而，下文中被称为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，通过各向异性导电介质，仅各向异性导电膜的特定部分可以具有导电性。下文中，向各向异性导电膜施加热和压力，但其他方法也可以用于各向异性导电膜，以部分地具有导电性。这些方法可以包括向其只施加热和压力中的任一个、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本实施例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，通过导电球，仅其特定部分可以具有导电性。各向异性导电膜可以处于其中具有导电材料的核包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态，并且在这种情形下，在热和压力被施加到的部分上的绝缘层破裂时，通过核，各向异性导电膜可以具有导电性。在本实例中，核可以被转变以实现具有对象在膜的厚度方向上接触的两个表面的层。
至于更具体的示例，向各向异性导电膜整体施加热和压力，z轴方向上的电连接通过与使用各向异性导电膜粘附的配合对象的高度差而部分地形成。
对于另一示例，各向异性导电膜可以处于包含其中导电材料被涂覆在绝缘核上的多个颗粒的状态。在这种情形下，热和压力被施加到的部分可以被转换(压缩以及粘合)成导电材料，以在膜的厚度方向上具有导电性。对于又一个示例，它可以被形成为在其中导电材料在z方向上经过绝缘基体构件的膜的厚度方向上具有导电性。在此实例中，导电材料可以具有尖锐端部。
根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，被构造有导电球被插入绝缘基体构件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基体构件由粘合剂材料形成，导电球被密集地设置在绝缘基体构件的底部部分，并且当向其施加热和压力时，基体构件连同导电球一起被改变，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本发明的实施例可不必限于此，并且可以允许各向异性导电膜全部都具有导电球与绝缘基体构件随机混合的形式或者被构造有其中导电球被设置在任一个层上的多个层(双ACF)的形式等。
作为连接膏体和导电球的形式的各向异性导电膏可以是其中导电球与绝缘粘合剂基体材料相混合的膏体。此外，含有导电颗粒的溶液可以是含有导电颗粒或纳米粒子的形式的溶液。
再参照该附图，第二电极140位于绝缘层160处，与辅助电极170分开。换言之，导电粘合层130被设置在设有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在辅助电极170和第二电极140被设置的状态下形成导电粘合层130时，并且接着在施加热和压力的情况下以倒装芯片形式将半导体发光器件150连接到导电粘合层130时，半导体发光器件150被电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件可以是倒装芯片型半导体发光器件。
例如，半导体发光器件可以包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、被设置成在n型半导体层153上的水平方向上与p型电极156分开的n型电极152。在这种情形下，p型电极156可以通过导电粘合层130被电连接到焊接部179，n型电极152可以被电连接到第二电极140。
再参照图2、3A和3B，辅助电极170可以在一个方向上以伸长方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，包围辅助电极的半导体发光器件的左和右p型电极可以被电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合层130中，并且通过这样，仅半导体发光器件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分和半导体发光器件150的n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，并且因为半导体发光器件没有被下推，所以剩余部分没有导电性。
此外，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且磷光体层180被形成在发光阵列上。
发光器件可以包括具有不同自发光值的多个半导体发光器件。半导体发光器件150中的每个构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且，例如，半导体发光器件被布置成多行，并且半导体发光器件的每行可以电连接到多个第一电极中的任一个。
此外，半导体发光器件可以按倒装芯片形式连接，并且因此，可以在透明电介质基板上生长半导体发光器件。此外，例如，半导体发光器件可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此能够构造甚至小尺寸的单个子像素。
根据附图，隔墙190可以形成在半导体发光器件150之间。在本实例中，隔墙190可以执行相互划分单独的子像素的任务，并且可以与导电粘合层130一起形成为一体化的主体。例如，当半导体发光器件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，在与没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度的同时，隔墙190可以具有反射特性。
对于另一示例，反射性隔墙可以分别设置有隔墙190。在这种情形下，根据显示设备的目的，隔墙190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的隔墙时，其可以具有强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增大对比度。
磷光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面处。例如，在本发明的一个实施例中，半导体发光器件150是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层180执行将蓝色(B)光转换成子像素颜色的作用。磷光体层180可以是构成单个像素的红色磷光体层181或绿色磷光体层182。磷光体层180可以是其它颜色的磷光体层。
换言之，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色磷光体181可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色磷光体182可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件上。另外，只有蓝色半导体发光器件可以唯一地用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，可以沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的磷光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。即，可以顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本发明的实施例可不必限于此，半导体发光器件150可以与替代磷光体的量子点(QD)相结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
此外，可以在每个磷光体层之间设置黑色矩阵191，以增强对比度。换言之，黑色矩阵191可以增强亮度的对比度。
然而，本发明的实施例可不必限于此，用于实现蓝色、红色和绿色的另一种结构也可以被应用于此。
参照图5A，可以用高功率发光器件实现半导体发光器件150中的每个，高功率发光器件发射各种光，包括大多数使用氮化镓(GaN)并且其中添加铟(In)和/或铝(Al)的蓝色。
在这种情形下，半导体发光器件150可以分别是用于实现每个子像素的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。例如，交替设置红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5B，对于每个元件，半导体发光器件可以具有设置有黄色磷光体层的白色发光器件(W)。在这种情形下，红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183可以被设置在白色发光器件(W)上，以实现子像素。此外，可以使用白色发光器件(W)上重复有红色、绿色和蓝色的滤色器来实现子像素。
参照图5C，还能够具有其中红色磷光体层181、绿色磷光体层182和蓝色磷光体层183可以被设置在紫外光发光器件(UV)上的结构。以这样的方式，半导体发光器件可以被使用在直到紫外光(UV)以及可见光的整个区域内，并且可以延伸到紫外光(UV)能够用作激发源的半导体发光器件的形式。
再考虑本示例，半导体发光器件150被设置在导电粘合层130上，以构造显示设备中的子像素。半导体发光器件150可以具有优异的亮度特性，并因此能够构造甚至具有其小尺寸的单个子像素。半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
此外，即使当具有边长长度为10m的正方形形状的半导体发光器件150被用于子像素时，也将呈现用于实现显示器件的足够亮度。因此，例如，在其中子像素的一个边的尺寸是600m并且其剩余的一个边是300m的矩形像素的情况下，半导体发光器件之间的相对距离变得充分大。因此，在这种情形下，能够实现具有HD图像质量的柔性显示设备。
将由新型制造方法来制造使用上述半导体发光器件的显示设备。下文中，将参照图6来描述该制造方法。
图6是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件制造显示设备的方法的横截面图。
参照该附图，首先，在设有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上，形成导电粘合层130。在第一基板110上沉积绝缘层160以形成一个基板(或布线基板)，并且在布线基板处设置第一电极120、辅助电极170和第二电极140。在这种情形下，第一电极120和第二电极140可以被设置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和绝缘层160可以分别包含用于实现柔性显示设备的玻璃或聚酰亚胺(PI)。
例如，可以由各向异性导电膜来实现导电粘合层130，例如，并且因此，可以在设有绝缘层160的基板上涂覆各向异性导电膜。
接下来，设有与辅助电极170和第二电极140的位置相对应并且构成单个像素的多个半导体发光器件150的第二基板112被设置，使得半导体发光器件150面对辅助电极170和第二电极140。
在这种情形下，作为用于生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
半导体发光器件在以晶片为单元被形成时可以具有能够实现显示设备的间隙和尺寸，并因此被有效用于显示设备。
接下来，将布线基板热压缩到第二基板112。例如，可以通过应用ACF压头，将布线基板和第二基板112彼此热压缩。使用热压缩，将布线基板和第二基板112彼此粘结。仅半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的一部分可以由于因热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特性而具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件150彼此电连接。此时，半导体发光器件150可以被插入到各向异性导电膜中，从而形成半导体发光器件150之间的隔墙。
接下来，去除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。
最终，去除第二基板112，以将半导体发光器件150暴露于外部。可以在连接到半导体发光器件150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等以形成透明绝缘层。
此外，可以进一步包括在半导体发光器件150的一个表面上形成磷光体层的过程。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的红色或绿色的磷光体可以在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
可以按各种形式来修改使用上述半导体发光器件的显示设备的制造方法或结构。对于这样的示例，上述显示设备可以被应用于垂直型半导体发光器件。下文中，将参照图5和图6描述垂直结构。
此外，根据下面的修改示例或实施例，为与以上示例相同或类似的构造指定相同或类似的附图标记，并且将用之前的描述取代对其的描述。
图7是示出根据本发明的另一实施例的使用半导体发光器件的显示设备的透视图。图8是沿着图7中的线D-D截取的横截面图，并且图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图。
根据附图，显示设备可以是使用无源矩阵(PM)型的垂直型半导体发光器件的显示设备，但是在其它的实施例中，有源矩阵(AP)型垂直发光器件可以被使用。
显示设备可以包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和多个半导体发光器件250。
作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括用于实现柔性显示设备的聚酰亚胺(PI)。另外，如果它是绝缘柔性材料的话，则可以使用任一种材料。
第一电极220可以位于基板210上，并且形成有电极，该电极具有在一个方向上伸长的条。第一电极220可以被形成以执行数据电极的作用。
导电粘合层230被形成在设有第一电极220的基板210上。类似于倒装芯片型发光器件应用于其的显示设备，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，本实施例示出由各向异性导电膜实现导电粘合层230的实例。
当在第一电极220位于基板210上的状态下定位各向异性导电膜并且接着施加热和压力以将半导体发光器件250连接到各向异性导电膜时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光器件250可以优选地设置在第一电极220上。
因为在如上所述施加热和压力时，各向异性导电膜部分地具有厚度方向上的导电性，所以产生电连接。因此，各向异性导电膜被分割成在厚度方向上具有导电性的部分和没有导电性的部分。
此外，各向异性导电膜含有粘合剂成分，并且因此，导电粘合层230实现半导体发光器件250和第一电极220之间的机械连接以及电连接。
以这样的方式，半导体发光器件250放置在导电粘合层230上，从而在显示设备中构成单独的子像素。半导体发光器件250可以具有优异的亮度特性，并且因此能够构造甚至具有其小尺寸的单个子像素。单个半导体发光器件250的尺寸在其一侧的长度可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。在矩形形状的元件的情况下，其尺寸可以小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且与垂直型半导体发光器件250电连接的多个第二电极240可以位于垂直型半导体发光器件之间。
参照图9，垂直型半导体发光器件可以包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253、形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情形下，位于其底部的p型电极256可以通过导电粘合层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可以电连接到随后将描述的第二电极240。这些电极可以设置在垂直型半导体发光器件250中的向上/向下方向上，从而提供能够减小芯片尺寸的显著优势。
再参照图8，磷光体层280可以形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，并且可以在其上设置用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的磷光体层280。在这种情形下，磷光体层280可以是构成单个像素的红色磷光体281和绿色磷光体282。
换言之，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色磷光体281可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色磷光体282可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件251上。此外，仅蓝色半导体发光器件251可以唯一地使用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。
然而，本发明的实施例可不必限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构还可以如上所述被应用于应用倒装芯片型发光器件的显示设备中。
再次考虑本实施例，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可以被设置成多行，并且第二电极240可以位于半导体发光器件250的行之间。
由于构成单个像素的半导体发光器件250之间的距离充分大，因此第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。
第二电极240可以形成有具有在一个方向上伸长的条的电极，并且被设置在与第一电极垂直的方向上。
此外，第二电极240可以通过从第二电极240突出的连接电极被电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成有用于欧姆接触的欧姆电极，通过印刷或沉积使第二电极覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可以电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据附图，第二电极240可以位于导电粘合层230上。根据情形，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层可以被形成在形成有半导体发光器件250的基板210上。当形成透明绝缘层并接着在其上放置第二电极240时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可以被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分开。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明电极将第二电极240设置在半导体发光器件250上，则ITO材料的问题是与n型半导体的粘附性差。因此，第二电极240可以被设置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优势。因此，具有优良粘附性的n型半导体层和导电材料可以被用作水平电极，而不受选择透明材料的限制，从而增强光提取效率。
根据该附图，隔墙290可以被形成在半导体发光器件250之间。即，隔墙290可以设置在垂直型半导体发光器件250之间，以将构成单个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情形下，隔墙290可以执行将单个子像素相互划分开的作用，并且与导电粘合层230一起形成为一体化的主体。例如，当半导体发光器件250被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，在与没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度的同时，隔墙290可以具有反射特性。
对于另一示例，反射性隔墙可以分别设置有隔墙290。在这种情形下，根据显示设备的目的，隔墙290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于半导体发光器件250之间的导电粘合层230上，则隔墙290可以位于半导体发光器件250和第二电极240之间。因此，可以使用半导体发光器件250构造甚至具有小尺寸的单个子像素，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对充分大，以将第二电极240放置在半导体发光器件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示设备的效果。
此外，根据附图，黑色矩阵291可以被设置在每个磷光体层之间，以增强对比度。即，黑色矩阵191能够增强亮度的对比度。
如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合层230上，从而在显示设备上构成单个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此构造甚至具有小尺寸的单个子像素。结果，能够借助于半导体发光器件来实现其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素实现一个像素的全彩色显示器。
当倒装型被应用于如上所述的根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示设备时，使用经过绝缘层160的电极孔171(参见图3A)，半导体发光器件被电连接到相同平面上的第一电极和第二电极。由于诸如布线连接结构，应为至少一对半导体发光器件提供一个电极孔，从而造成在显示设备中细小的间距难于实现的问题。根据本发明的实施例，提出能够解决此问题的新型半导体发光器件和布线连接结构。在下文中，将会更加详细地描述应用新型半导体发光器件和布线连接结构的显示设备。
图10A和图10B是图示应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图和部分分解视图，并且图11A是沿着图10中的线E-2截取的横截面图，并且图11B是沿着图11中的线F-F截取的横截面图，，并且图11C是沿着图11C中的线G-G截取的横截面图，并且图12是图示在图11A中的半导体发光器件的概念视图。
根据在图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C中的附图，使用无源矩阵(PM)型半导体型发光器件的显示设备100被图示为使用半导体发光器件的显示设备1000。然而，下面的图示也可以被应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。
显示设备1000可以包括基板1010、第一电极1020、导电粘合层1030、第二电极1040、以及多个半导体发光器件1050。在这样的情况下，第一电极1020和第二电极1040可以分别包括多个电极线。
作为布线基板的基板1010可以包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示设备。另外，如果其是绝缘和柔性材料，则任意一个可以被使用。
根据附图，绝缘层1060可以被布置在基板1010上，并且辅助电极1070可以被设置在绝缘层1060上。在这样的情况下，其中绝缘层1060被沉积在基板1010上的构造可以是单布线基板。更加具体地，绝缘层1060可以被合并进具有诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等等的绝缘和柔性材料的基板1010以形成单个布线基板。
根据附图，第一电极1020可以位于绝缘层1060上，并且被形成有具有在一个方向中延长的条的电极。第一电极1020可以被形成以执行数据电极的作用。在这样的情况下，第二电极1040位于基板1010上，并且被布置在与作为延长的条状的电极的第一电极的长度方向相交的方向中。第二电极1040可以被形成以执行栅电极(扫描电极)的作用。然而，本发明的实施例可不必限于此，并且第一电极1020可以是扫描电极，并且第二电极1040可以是数据电极。
作为用于将第二电极1040电连接到半导体发光器件1050的电极的辅助电极1070被设置在绝缘层1060上，并且被布置以对应于第二电极1040的位置。例如，辅助电极1070具有点形状，并且可以借助于穿过绝缘层1060的电极孔1071被电连接到第二电极1040。通过在通孔中填充导电材料可以形成电极孔1071。
参考该附图，导电粘合层1030可以被形成在绝缘层1060的一个表面上，但是本发明的实施例可不必限于此。例如，还可能能够具有执行特定的功能的层被形成在绝缘层1060和导电粘合层1030之间，或者导电粘合层1030被布置在不具有绝缘层1060的基板1010上的结构。导电粘合层1030可以在导电粘合层1030被布置在基板1010上的结构中执行绝缘层的作用。
与应用前述的倒装芯片型发光器件的显示设备相似，导电粘合层1030可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、包含导电颗粒的溶液等等。然而，本实施例图示通过各向异性导电膜实现导电粘合层1030的实例。
当各向异性导电膜位于基板1010上，并且然后热和压力被施加以连接半导体发光器件1050时，半导体发光器件1050被电连接到第一电极1020和辅助电极1070。这时，半导体发光器件1050可以被优选地布置在面向第一电极1020和辅助电极1070的位置处。
产生电连接，因为当如上所述的热和压力被施加时在厚度方向中各向异性导电膜部分具有导电性。因此，在其厚度方向中各向异性导电膜被分割成具有导电性的部分和不具有导电性的部分。
此外，各向异性导电膜包含粘合成分，并且因此导电粘合层1030实现在半导体发光器件1050和第一电极1020之间的机械连接以及电连接。
根据前述的结构，半导体发光器件1050被连接到导电粘合层1030，并且被电连接到形成在不同的表面上的第一电极1020和第二电极1040。
为了在前述的结构中实现细小的间距，根据本发明的实施例，半导体发光器件1050形成具有发射不同的光(例如，不同颜色的光)的多个发光部分1050a、1050b、1050c的子像素部分。换言之，一个半导体发光器件1050形成子像素部分。
如上所述，形成子像素部分的新型半导体发光器件1050被电连接到第一电极1020和第二电极1040以实现具有细小的间距的显示设备。更加具体地，具有多个第一电极1156a、1156b、1156c和单个第二导电电极1152的半导体发光器件被布置在子像素部分处。在下文中，将会更加详细地描述前述的结构。
如在附图中所图示，半导体发光器件1050被电连接到设置在第一电极1020中的多个电极线和被连接到第二电极1040的单个辅助电极。在这样的情况下，设置在第二电极1040中的单个电极线可以被连接到单个辅助电极，并且由于此，半导体发光器件1050可以被电连接到设置在第二电极1040中的单个电极线。
更加具体地，第一电极1020具有多个第一电极线，并且第二电极1040具有多个第二电极线，并且第一电极线和第二电极线被形成在彼此相交的方向中。
第一电极线和第二电极线的至少部分被电连接到子像素部分。例如，子像素部分被电连接到第一电极线的多个电极线，并且被电连接到第二电极线的单个电极线。
此外，一个半导体发光器件1050形成子像素部分，并且子像素部分具有与多个发光部分1050a、1050b、1050c相对应的第一导电电极1156a、1156b、1156c和是公共电极的第二导电电极1152。此外，电极孔1071被形成在布线基板上以将第二电极1040电连接到在其上形成第一电极1020的表面上的第二导电电极1152。电极孔1071可以是通过在其中填充导电材料形成的通孔。
根据本发明的实施例的半导体发光器件1050被形成以从多个发光部分1050a、1050b、1050c发射光，并且为此，被连接到单个辅助电极1070和第一电极1020的多个电极线。因此，对于每个子像素部分仅要求一个通孔，从而具有实现细小间距显示器的优点。在下文中，将会更加详细地描述新半导体发光器件的结构。
参考图12，例如，半导体发光器件1050可以包括多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c和多个第一导电电极1156a、1156b、1156c。多个第一导电电极1155a、1155b、1155c可以分别被形成在多个第一导电半导体层上。此外，第一导电电极1156a、1156b、1156c以有规则的间隔被布置以相互分离。对于这样的示例，多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c可以分别是p型半导体层，并且多个第一导电电极1156a、1156b、1156c分别可以是p型电极。
根据附图，第二导电半导体层1153与多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c重叠。例如，第二导电半导体层1153是单个半导体层，并且多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c与单个半导体层重叠。
多个有源层1154a、1154b、1154c分别被形成在第二导电半导体层1153和多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c之间，并且第二导电电极1152被沉积在第二导电半导体层1153上。在这样的情况下，第二导电电极1152可以是单导电电极。
在本实例中，有源层1154a、1154b、1154c可以分别被形成在第二导电半导体层1153和多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c之间，以沿着平行于单个半导体层的方向顺序地形成多个发光部分1050a、1050b、1050c。
在这样的情况下，第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可以分别是n型电极和n型半导体层。然而，本发明的实施例可不必限于此，并且也可以具有其中第一导电类型是n型并且第二导电类型是p型的图示。
与图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C一起再次参考图12，多个发光部分1050a、1050b、1050c可以包括红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c以形成子像素部分。红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c被形成以分别发射红、绿、以及蓝光。
红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b以及蓝色输出部分1050c可以全部被形成在第二导电半导体层1153的一个表面上。相反地，多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c可以被布置以分别对应于红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c。因此，多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c都被布置以覆盖单个第二导电半导体层1153。
显示设备可以进一步包括磷光体层1080，该磷光体层1080被形成在半导体发光器件1050的一个表面上以允许半导体发光器件1050发射红、绿以及蓝光。例如，半导体发光器件1050是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件，并且磷光体层1080执行将蓝(B)光转换成子像素颜色的功能。磷光体层1080可以是组成单独的像素的红色磷光体1081或者绿色磷光体1082。换言之，能够将蓝光转换成红(R)光的红色磷光体1081可以被沉积在用于实现红色子像素的红色输出部分1050a上，并且能够将蓝光转换成绿(G)光的绿色磷光体1082可以被沉积在用于实现绿色子像素的位置处的绿色输出部分1050b上。此外，在用于实现蓝色子像素的部分上仅蓝色输出部分1050c可以被单独地使用。在这样的情况下，红(R)、绿(G)以及蓝(G)子像素可以形成一个像素。更加具体地，沿着第一电极1020的每条线可以沉积一种颜色磷光体。因此，沿着第一电极1020可以顺序地沉积红(R)、绿(G)以及蓝(B)色，从而实现子像素。
另一方面，显示设备可以进一步包括被布置在每个磷光体之间的黑色矩阵1091，以增强磷光体层1080的对比度。黑色矩阵1091可以以在磷光体点之间形成间隙的方式被形成，并且黑色材料填充到间隙中。通过此，黑色矩阵1091可以增强在光和阴影之间的对比度同时吸收外部光反射。在其上沉积磷光体层1080的方向中，沿着第一电极，1020黑色矩阵1091位于每个磷光体之间。
另一方面，参考图10A和图10B，子像素部分可以是彼此相邻的第一子像素部分2051和第二子像素部分2052中的任意一个。换言之，具有形成一个子像素的新结构的多个半导体发光器件被提供并且以矩阵的形式被排列。
更加具体地，半导体发光器件的结构被形成以允许在一个半导体发光器件内的与子像素相对应的三个截面中的发光区域(p等离子体部分)与第二导电半导体层隔离。
在这样的情况下，沿着与线垂直的方向，第一子像素部分2051的第二导电电极和第二子像素部分2052的第二导电电极被顺序地排列。换言之，三个第一导电电极的排列方向被形成以垂直于第二导电电极的排列方向。通过此，第一电极1020的三个第一电极线和第二电极1040的一个第二电极线相互垂直，并且通过被提供有一个通孔的结构，信号被提供给子像素。
根据在图2和图3中的使用倒装芯片型半导体发光器件的显示设备，在半导体发光器件中的p焊盘(第一导电电极)和n焊盘(第二导电电极)存在于布线基板的一个侧表面上。因此，在布线设计阶段期间p电极导线(第一电极)的连接结构应被设置有通孔。更加具体地，n焊盘被连接到水平的n导线电极并且被连接到扫描线。p焊盘被连接到p导线端子(辅助电极)并且为此在布线基板上为每个像素(为每个半导体发光器件)提供一个通孔。其通过通孔被连接到垂直地排列在与布线基板相对的表面上的p导线电极并且被连接到数据线。对于另一示例，如在图3中所图示，两个LED芯片被连接到具有通孔结构的一个p电极端子，并且因此，两个LED p焊盘被形成以共享一个p导线电极。
当为每个像素提供一个通孔时，p导线端子的宽度应被实现以比大约40-50μm的水平更窄。此外，随着通孔的数目增加，需要大量的工艺时间和成本。根据如上所述的具有新结构的半导体发光器件，通孔的数目减少，从而解决前述的问题。此外，能够实现细小间距的柔性显示设备。
在上面，已经描述了显示设备包括发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件的显示设备的实例，但是本发明的实施例可不必限于此，并且用于实现红、绿以及蓝色的另一结构也可以是可应用的。
图13A至图13C是图示用于实现与具有新结构的半导体发光器件相关联的颜色的各种形式的概念视图。
参考图13A，红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c可以被实现为高功率发光器件，其发射除了蓝色之外的各种颜色的光，其中氮化镓(GaN)被主要地使用，并且铟(In)和/或铝(Al)被另外使用。
在这样的情况下，红色输出部分1050a、蓝色输出部分1050b以及蓝色输出部分1050c可以分别具有红色、绿色以及蓝色半导体发光器件的结构。例如，通过红、绿以及蓝色半导体发光器件(R，G，B)共享第二半导体层和第二导电电极，并且通过此，红、绿以及蓝色子像素在一个半导体发光器件中形成一个像素。
以这样的方式，当红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b以及蓝色输出部分1050c独立地实现R、G以及B，附加的磷光体层可以不被设置在其中。以这样的方式，具有不具有磷光体层的发射红、绿以及蓝光的红色输出部分1050a、蓝色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c的半导体发光器件可以是分别参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的具有新结构的半导体发光器件。通过前面的描述将会替代上面的结构的描述。
另一方面，即使在这样的情况下，对于对比度增强和外部反射，显示设备可以进一步包括黑色矩阵，该黑色矩阵被布置在构造有红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c的多个列之间。黑色矩阵可以被布置以在水平方向中被相互分离。
对于另一示例，参考图13B，半导体发光器件可以包括白色输出部分(W)，该白色输出部分(W)被提供有黄色磷光体层。在这样的情况下，白色输出部分(W)具有发射白光的结构，并且磷光体层可以被形成在白色输出部分(W)的上表面上。此外，为了实现子像素，红色磷光体层1081、绿色磷光体层1082以及蓝色磷光体层1083可以被设置在白色输出部分(W)上。
此外，使用其中红色、绿色以及蓝色在白色输出部分(W)上被重复的滤色片可以执行子像素。甚至在这样的结构中，与前述的描述相似，各个白色输出部分(W)可以包括多个第一导电电极和第一导电半导体层，并且可以被形成在单个第二导电半导体层上。以这样的方式，具有白色输出部分(W)的半导体发光器件可以实现分别参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的新结构的半导体发光器件。前述结构的描述将会由前面的描述被替代。
另一方面，即使在这样的情况下，显示单元可以进一步包括黑色矩阵1091，该黑色矩阵1091被布置在构造有用于对比度和外部反射增强的磷光体的多个列。黑色矩阵1091可以被布置在红色磷光体层1081、绿色磷光体层1082以及蓝色磷光体层1083之间。
对于又一示例，参考图13C，其可以具有其中红色磷光体层1081、绿色磷光体层1082以及蓝色磷光体层1083被设置在发射紫外线的紫外线输出部分(UV)上的结构。以这样的方式，半导体发光器件可以被用于包括可视光以及紫外线(UV)的整个区域，并且可以被延伸到紫外线(UV)能够被用作上磷光体的激励源的半导体发光器件的形式。
以这样的方式，具有紫外线输出部分(UV)的半导体发光器件可以实现参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C分别描述的具有新结构的半导体发光器件。前述的结构的描述将会由前面描述取代。
另一方面，即使在这样的情况下，显示设备可以进一步包括黑色矩阵1091，该黑色矩阵1091被布置在构造有用于对比度增强和外部反射的磷光体的多个列之间。黑色矩阵1091可以被布置在红色磷光体层1081、绿色磷光体层1082以及蓝色磷光体层1083之间。
在平面上前述的半导体发光器件可以被修改成其它形式。图14A和图14B是图示应用不同类型的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。在下文中，除非另有说明，根据本发明的实施例的结构，参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的内容将会适用于应用新型半导体发光器件的显示设备。
根据附图，多个第一导电电极1156a、1156b、1156c被布置以规则的间隔被相互分离，并且分离的空间被形成在它们之间。为此，在第二导电半导体层1153上创建与分离的空间相对应的凹槽。
此外，沿着线排列多个第一导电电极1156a、1156b、1156c。在这样的情况下，线表示虚线，并且第二导电电极1152被布置以脱离该线(或者偏移该线)。通过此，在连接发光区域的虚拟线上第二导电电极1152可以是偏移的(或不对准的)。
图15A至图15C是图示根据本发明的另一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。在下文中，除非另有说明，根据本发明的实施例的结构，参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的内容将会适用于应用新类型半导体发光器件的显示设备。
参考图15A，半导体发光器件被形成以在红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b以及蓝色输出部分1050c上具有不同的发光区域。更加具体地，在输出部分1050a、1050b、1050c中的每一个上的第一导电半导体层被形成以具有相互不同的区域，并且因此在各个输出部分1050a、1050b、1050c上的有源层被形成以具有相互不同的区域。例如，红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c可以被形成使得它们的区域增加以便于靠近电极孔1071。
由于这样的结构，当具有相同的分辨率(水平方向)时发光区域可以被充分地增加，并且第一导电电极的位置被设计以被偏置于发光区域的任意一侧，从而具有增加显示设备的发光效率的效果。
此外，在这样的情况下，电极孔1071和第二导电电极1152可以被形成在任意一对红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c之间。然而，本发明的实施例可不必限于此，并且电极孔1071和第二导电电极1152可以被偏置在任意一个发光区域处并且因此位于半导体发光器件的边缘处。
此外，即使在这样的情况下，多个第一导电电极1156a、1156b、1156c在半导体发光器件中被相互分离，但是第二导电电极1152被共享。多个第一导电电极可以被形成以具有相同的区域。然而，本发明的实施例可不必限于此，并且多个第一导电电极可以被形成以具有与第一导电半导体层相似的不同区域。
参考图15B和图15C，半导体发光器件可以被形成使得分离的空间不存在于红色输出部分1050a、绿色输出部分1050b、以及蓝色输出部分1050c之间。当输出部分1050a、1050b、1050c具有相同的发光区域(参见图15B)或者具有不同的区域(参见图15C)时，各个输出部分1050a、1050b、1050c被连接到邻接输出部分以在输出部分1050a、1050b、1050c之间不具有分离的空间。换言之，尽管半导体发光器件的发光区域被相互分离，但是通过第一导电电极共享一个导电电极同时不与第二导电半导体层分离。换言之，仅实际的发光部分(p-台面)被蚀刻并且被分离，并且通过此，蚀刻宽度能够被管理以使其小于当被蚀刻到第二导电半导体层时。因此，根据本发明的实施例的结构，能够进一步增加发光区域，从而增强发光效率。
在图15A-图15B中示出的实施例中，在子像素部分中，第二导电电极1152可以被布置在多个发光部分1050a、1050b、1050c或者多个第一电极1120之间的中间位置处，或者可以被布置到多个发光部分1050a、1050b、1050c或者多个第一电极1120、或者两者(参见图15B)的一侧。在相同的子像素部分内的多个发光部分1050a、1050b、1050c可以被对准或者偏移，并且在不同子像素部分内的多个发光部分1050a、1050b、1050c可以被对准、偏移或者两者。
图16A至图16C是图示根据本发明的又一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。在下文中，除非另有说明，根据本发明的实施例的结构，参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的内容将会适用于应用新型半导体发光器件的显示设备。
首先，参考图16A，通过单个半导体发光器件形成的子像素部分以矩阵形式被排列。在这样的情况下，半导体发光器件的排列可以以第一子像素部分2051和第二子像素部分2052被用作一对，并且沿着彼此垂直的方向重复所述一对的方式被布置。
对于这样的示例，对于一对子像素部分，两个半导体发光器件的第二导电电极被布置以彼此相邻。例如，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052以垂直和水平对称被布置。通过此，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的每个发光区域的排列在邻接子像素部分处彼此相对，并且沿着第一电极被形成的方向以列的形式排列第二导电电极。因此，第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的电极孔2071a、2071b被以列的形式排列。在这样的情况下，在水平方向中对于每两个子像素部分可以要求有一个通孔，从而增加分辨力。
根据本发明的实施例，针对每个子像素部分形成一个电极孔，但是另一示例也可以是可用的。更加具体地，如在图16B中所图示，其也是可用的结构，其中针对每对子像素部分形成一个电极孔。例如，可以将电极孔2071从第一子像素部分2051连接到第二子像素部分2052以覆盖第一子像素部分2051的第二导电电极和第二子像素部分2052的第二导电电极中的每一个。在这样的情况下，电极孔可以在一个方向中被形成为延长的形状以覆盖第一子像素部分2051和第二子像素部分2052的第二导电电极。
换言之，两个半导体发光器件被布置以与第二导电电极中的每一个相邻，并且被电连接到一个电极孔(或者辅助电极)的第二电极被连接到两个第二导电电极。
对于另一示例，参考图16C和图16D，其也是可用的结构，其中一对子像素部分被相互连接。例如，两个半导体发光器件被连接到一个第二导电电极。在这样的情况下，可以针对每对子像素部分形成一个电极孔(或者辅助电极)。
第一子像素部分和第二子像素部分被形成以共享单个第二导电电极，并且电极孔被形成以对应于单个第二导电电极。
更加具体地，图16C图示其中两个半导体发光器件被制造成一个单元，并且然后一个通孔导线端子(电极孔和第二导电电极的组合)被连接到一个第二导电电极的结构，并且图16D图示其中第一导电电极被平行地排列在水平方向中，并且通孔导线端子被连接在两个子像素部分之间的结构。
以这样的方式，当两个子像素部分被构造有一个半导体发光器件，并且第二导电电极通过一个电极孔被连接到第二电极线时，能够另外确保用于每两个像素的一个导线宽度。
此外，第一子像素部分和第二子像素部分在单个第二导电电极周围以水平对称或者垂直和水平对称被形成。在垂直和水平对称的情况下在邻接子像素部分中的发光区域可以被布置在彼此相对的方向中，并且在水平对称的情况下被布置成彼此平行。
对于另一示例，参考图16E，半导体发光器件可以包括四个子像素部分，并且可以针对四个子像素部分提供一个第二导电电极。在这样的情况下，在半导体发光器件内是发光区域的第一导电电极可以以彼此平行排列。
在这样的情况下，两个子像素被布置在一个第二导电电极的左侧和右侧处，并且因此，一个半导体发光器件可以包括十二个发光区域和一个第一导电电极以负责总共十二个子像素。在其左侧和右侧处导线电极被形成有一个通孔导线电极和十二个条状导线电极(第一电极线)。以这样的方式，当通孔被连接到第二导电电极时，可能能够连接用于四个或者更多个子像素部分的一个通孔导线端子。
在图16A-图16E中示出的实施例中，在相同的子像素部分内的多个发光部分1050a、1050b、1050c可以被对准或者偏移，并且在不同的子像素部分内的多个发光部分1050a、1050b、1050c可以被对准、偏移或者两者。此外，不同子像素部分的第二导电电极1152和第二导电电极层1153可以被对准、偏移或者两者。
鉴于图12-图16E，子像素部分包括经由多个第一导电半导体层1155a、1155b、1155c分别被连接到多个第一导电电极1156a、1156b、1156c的多个发光部分1050a、1050b、1050c。经由第二导电半导体层1153多个发光部分1050a、1050b、1050c也被共同地连接到第二导电电极1152。反之，多个第一导电电极1156a、1156b、1156c被连接到多个第一电极1120，并且第二导电电极1152被连接到第二电极1040。在本发明的实施例中，穿过第二导电半导体层1153的多个第一电极1120，和第二导电电极1152分别在垂直于多个第一电极1120和第二导电半导体层1153的延伸方向的方向中延伸。
根据前述的实施例，距离分别从第二导电电极到是子像素的多个第一导电电极变化。由于此，在导线电阻之间出现差异。为了补偿导线电阻之间的差异，根据实施例，被应用于数据线(第一电极线)的每个子像素的数据电压变化。换言之，较大的导线电阻被应用于位于离第二导电电极更远的子像素，并且因此相关子像素的数据电压被控制的较高。
对于另一解决方案，半导体发光器件的结构的变化也是可用的。图17A至图17C是图示根据本发明的又一实施例的应用具有新结构的半导体发光器件的显示设备的部分放大视图。在下文中，除非另有明文规定，根据本发明的实施例的结构，参考图10A、图10B、图11A、图11B以及图11C描述的内容将会适用于应用新型半导体发光器件的显示设备。
参考附图，第一导电半导体层2155可以包括p型半导体层2155a，和p型接触层2155b(p接触层)，并且第二导电半导体层2153可以包括p型半导体层2153a，和n型接触层2153b(n接触层)。在这样的情况下，接触层可以是用于将电极连接到半导体层的欧姆接触层。在这样的情况下，n型接触层2153b的厚度、n型接触层2153b的宽度、n型接触层2153b和多个第一导电电极1156a、1156b、1156c之间的距离中的至少一个可以以不同的方式被形成在多个发光部分上。
参考图17A，n型接触层2153b的宽度或者沉积厚度可以被增加。当以正方形的形状制造子像素部分时，n型接触层2153b的宽度可以增加对于一个半导体发光器件所要求的n型接触层2153b。
n型接触层的沉积厚度可以增加与p台面中的p型接触层的高度一样厚。在这样的情况下，第一导电电极和第二导电电极可以被沉积有相同的厚度。
参考图17B和图17C，为了减少导线电阻之间的差异，以较小的导线电阻被应用于位于远离第二导电电极1152的第一导电电极1156c并且较大的导线电阻被应用于更靠近第二导电电极1152的第一导电电极1156c的方式执行沉积。例如，如在图17B中所图示，n型接触层2153b可以在分别面向多个第一导电电极1156a、1156b、1156c的部分处被形成以具有相互不同的宽度。
对于另一示例，根据其中一个半导体发光器件负责如在图15E中所图示的四个或者多个像素的结构，位于远离第二导电电极的像素的n型接触层(第一导电电极)可以被沉积以比更靠近第二导电电极的像素的更厚。通过此，可能能够克服导线电阻之间的差。
如在上面的结构中所示的，可以以各种形式修改应用根据本发明的实施例的新型半导体发光器件的显示设备。
根据上述实施例的构造和方法将不会以被限制的方式适用于使用半导体发光器件的前述的显示设备，并且每个实施例的全部或者部分可以被选择性地组合并且被配置以对其进行各种修改。
Claims (20)
1.一种显示设备，包括：
布线基板，所述布线基板具有被形成在不同表面上的第一电极和第二电极；
导电粘合层，所述导电粘合层被构造成覆盖所述布线基板；和
子像素部分，所述子像素部分被连接到所述导电粘合层以具有发射不同颜色的光的多个发光部分，
其中所述子像素部分具有与所述多个发光部分相对应的多个第一导电电极，并且第二导电电极作为用于所述多个发光部分的公共电极，并且
其中电极孔被形成在所述布线基板上以将所述第二电极电连接到所述第二导电电极。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中具有所述多个第一导电电极和所述第二导电电极的半导体发光器件被布置在所述子像素部分上，并且
所述半导体发光器件具有分别在其上形成所述多个第一导电电极的多个第一导电半导体层，和在其上形成所述第二导电电极的第二导电半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第二导电半导体层是单个半导体层，并且所述多个第一导电半导体层与所述单个半导体层重叠。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中有源层分别被形成在所述第二导电半导体层和所述多个第一导电半导体层之间，以沿着平行于所述单个半导体层的方向顺序地形成所述多个发光部分。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二导电电极是单个导电电极。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二半导体层包括n型半导体层和n型接触层，并且所述n型接触层的厚度、所述n型接触层的宽度、以及所述n型接触层和所述多个第一导电电极之间的距离中的至少一个被不同地形成在所述多个发光部分上。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述多个发光部分被形成以分别发射红、绿以及蓝光。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一电极和所述第二电极分别具有第一电极线和第二电极线，并且所述第一电极线和所述第二电极线在彼此相交的方向中被形成，并且所述第一电极线和所述第二电极线中的至少部分被电连接到所述子像素部分。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述子像素部分被电连接到所述第一电极线的多个电极线，并且被电连接到所述第二电极线的单个电极线。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中沿着虚拟线对准所述多个第一导电电极，并且所述第二导电电极被布置成从所述虚拟线偏移。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中所述子像素部分是彼此相邻的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一个，并且
沿着垂直于所述虚拟线的方向顺序地排列所述第一子像素部分的第二导电电极和所述第二子像素部分的第二导电电极。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中所述电极孔从所述第一子像素部分被延伸到所述第二子像素部分以覆盖所述第一子像素部分的所述第二导电电极和所述第二子像素部分的所述第二导电电极。
13.根据权利要求10所述的显示设备，其中所述子像素部分是彼此相邻的第一子像素部分和第二子像素部分中的任意一个，并且
所述第一子像素部分和所述第二子像素部分被形成以共享单个第二导电电极。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中所述第一子像素部分和所述第二子像素部分在所述单个第二导电电极周围以水平对称或者垂直和水平对称被形成。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中所述电极孔被形成以对应于所述单个第二导电电极。
16.一种显示设备，包括：
布线基板，所述布线基板具有第一电极和第二电极；
导电粘合层，所述导电粘合层被构造以覆盖所述布线基板；和
半导体发光器件，所述半导体发光器件被连接到所述导电粘合层，并且被构造成分别从彼此分离的多个发光部分发射光，
其中所述半导体发光器件包括：
分别与所述多个发光部分相对应的多个第一导电半导体层；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层与所述多个第一导电半导体层重叠；
多个第一导电电极，所述多个第一导电电极被电连接到所述第一电极，并且分别被形成在所述多个第一导电半导体层上；以及
第二导电电极，所述第二导电电极被电连接到所述第二电极并且被沉积在所述第二导电半导体层上。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中所述半导体发光器件形成发射红光、绿光以及蓝光的子像素部分，并且所述子像素部分具有所述多个第一导电电极和所述第二导电电极。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中与所述第二导电电极相对应的电极孔被形成在所述布线基板上以在形成所述第一电极的表面上将所述第二电极电连接所述第二导电电极。
19.一种半导体发光器件，包括：
多个第一导电半导体层；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层与所述多个第一导电半导体层重叠；
多个有源层，所述多个有源层分别被形成在所述第二导电半导体层和所述多个第一导电半导体层之间；
多个第一导电电极，所述多个第一导电电极分别被形成在所述多个第一导电半导体层上；以及
单个第二导电电极，所述单个第二导电电极被沉积在所述第二导电半导体层上。
20.根据权利要求19所述的半导体发光器件，其中沿着虚拟线对准所述多个第一导电电极，并且所述第二导电电极被布置成从所述虚拟线偏移。
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