CN111798764A - 一种μLED像素单元结构及显示器件 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 10
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
Description
技术领域
本发明涉及集成半导体发光与显示领域，特别是一种μLED像素单元结构及显示器件。
背景技术
LED显示具有自发光、高亮度和发光效率、低功耗、高稳定性等优点，被广泛应用于各种场合。随着LED芯片尺寸和像素间距减小，LED显示有望实现柔性、高透明、可交互、可模块化拼接的显示，被认为是具备全功能和全应用领域的革命性显示技术。μLED显示是一种由微米级LED发光像素组成阵列的新型显示技术，国内外主要LED芯片、显示面板和显示应用厂商都已积极地投入超高密度μLED显示的开发。然而，当LED芯片尺寸小到一定程度，对芯片的操作将变得越来越困难。传统的μLED显示每个发光像素包含一个μLED芯片，通过巨量转移和精确对位将每个芯片的阴极和阳极分别与驱动背板像素电极进行有序连接和键合，对巨量转移、电极与电极的对位、键合等技术环节要求极高，器件良品率低，且像素缺陷监测和修复难度极大，严重阻碍μLED显示的商用化。因此，迫切需要开发新型μLED的像素排列结构及互连方法，提高μLED良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种μLED像素单元结构及显示器件，降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种μLED像素单元结构，包含n个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少m个μLED发光体，所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
进一步地，所述μLED发光体为μLED芯片电极与驱动背板电极互连并施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述m、n为正整数且m≤n。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
进一步地，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
进一步地，当检测到所述μLED像素单元为不良像素单元时，通过原位非Au-In互连方式进行修复，即将不良像素单元中μLED芯片的电极的备用区域采用非Au-In互连方式与驱动背板对应电极的备用区域连接。
进一步地，未对所述μLED像素单元进行检测前，将所述μLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板对应电极的互连区域和备用区域同时连接，以提高μLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。
进一步地，所述μLED芯片表面在除电极外的其他区域设置介质层。
进一步地，所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
本发明还提供了一种μLED显示器件，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，所述mi、ni为正整数且mi≤ni，i表示第i个μLED像素单元，i = 1, 2, …, k；所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板上对应电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：提供了一种μLED像素单元结构及基于该像素单元结构的μLED显示器件，每个像素单元结构包含多个发光μLED芯片，μLED芯片电极和驱动背板电极设置互连区域和备用区域，采用喷墨打印等非Au-In互连和原位修复方式对电极进行互连以及对不良像素进行修复，避免了需要精准对位的巨量转移和键合，不必去除键合和连接不可靠的μLED芯片，降低了μLED显示器件制作工艺的复杂程度，从而有效地降低了μLED器件的制作周期和制作成本，大大提高了μLED显示器件的良品率，具有很强的实用性和广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例的一种μLED像素单元结构示意图。
图2为本发明实施例一的一种μLED像素单元结构示意图。
图3为本发明实施例一的一种μLED像素单元结构的制备过程示意图。
图4为本发明实施例二的一种μLED像素单元结构示意图。
图5为本发明实施例二的一种μLED像素单元结构的制备过程示意图。
图6为本发明实施例三的一种μLED像素单元结构示意图。
图7为本发明实施例三的一种μLED像素单元结构的制备过程示意图。
图中，1为驱动背板，2为设置于驱动背板上的阳极，3为设置于驱动背板上的阴极，4为n-GaN，5为发光层，6为p-GaN，7为电流扩展层，8为μLED芯片的电极互连区域，9为μLED芯片的电极互连区域，10为介质层，11为μLED芯片电极与驱动背板电极的连接线，12为μLED芯片衬底，13为设置于μLED芯片衬底上的缓冲层，14为μLED芯片电极互连区域与备用区域的连接线，15为过渡基板，201为驱动背板上阳极互连区域，202为驱动背板上阳极备用区域，301为驱动背板上阴极互连区域，302为驱动背板上阴极备用区域，801为p接触电极的互连区域，802为n接触电极的互连区域，901为p接触电极的备用区域，902为n接触电极的备用区域。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本发明作进一步详细说明。在图中，为了清楚，放大了层与区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。在此，参考图是本发明的理想化实施例示意图，本发明的实施例不应该被认为仅限于图中所示的区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。在本实施例中均以矩形或圆表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。本实施例中障壁起伏图案的大小与起伏周期有一定范围，在实际生产中可以根据实际需要设计起伏图案大小及其起伏周期，实施例中起伏周期的数值只是示意值，但这不应该被认为限制本发明的范围。
本发明提供了一种μLED像素单元结构，如图1所示，包含n个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少m个μLED发光体，所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极（即p型电极和n型电极）分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
所述μLED发光体为μLED芯片电极与驱动背板电极互连并施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述m、n为正整数且m≤n，即所述μLED像素单元包含的LED芯片数量n和LED发光体数量m可以相同也可以不同。所述μLED芯片尺寸为1微米~1000微米。
当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
当检测到所述μLED像素单元为不良像素单元时，通过原位非Au-In互连方式进行修复，即将不良像素单元中μLED芯片的电极的备用区域采用非Au-In互连方式与驱动背板对应电极的备用区域连接。
未对所述μLED像素单元进行检测前，将所述μLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板对应电极的互连区域和备用区域同时连接，以提高μLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。
所述μLED芯片表面在除电极外的其他区域设置介质层。
所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
本发明还提供了一种μLED显示器件，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，所述mi、ni为正整数且mi≤ni，i表示第i个μLED像素单元，i = 1, 2, …, k；所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板上对应电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
以下结合具体实施例和附图对本发明做进一步说明。
实施例一（垂直型μLED）
请参照图1，并结合图2和图3，本发明公开了一种μLED像素结构及电极互连方法，每个发光像素单元包含6个μLED芯片（4-9），芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层10；所述μLED芯片的p接触电极设置互连区域801和备用区域901；所述驱动背板阳极2设置互连区域201和备用区域202；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的上下两侧；所述μLED芯片n电极与驱动背板像素阴极3的互连方式为Au-In键合，p电极与驱动背板像素阳极2的互连方式为非Au-In互连；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。
具体的，在本实施例中，衬底12为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层13采用的材料为AlN，所述的发光层5为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；7为氧化铟锡（ITO）；8和9为Ti/Al/Ni/Au，10为SiO2，11为导电油墨。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底12放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底12上生长缓冲层13、n-GaN层4、多量子阱发光层5和p-GaN层6，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 7、p接触电极的互连区域801和备用区域901，并在除电极以外的其他区域沉积SiO2介质层10；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将μLED芯片转移到驱动背板的阴极区域内，将n电极与驱动背板的阴极采用Au-In方式键合，无需精准对位，但使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S05：采用喷墨打印方式横向打印导电油墨11，使得μLED芯片p电极的互连区域和驱动背板阳极的互连区域相连，实现电极之间的互连；
S06：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S07：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S08：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片p电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有6个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S09：重复S06-S08步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
需要说明的是，在本实施例中，所述μLED芯片的n电极也可以设置互连区域和备用区域，互连区域设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域设置于μLED芯片的上侧面，且两者以导电材料连接，从而在需要修复n电极的连接时，可以通过非Au-In连接方式进行修复。
实施例二（正装型μLED）
请参照图4和图5，本发明公开了一种μLED像素结构及电极互连方法，每个发光像素单元包含6个μLED芯片（4-9），芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层10；所述μLED芯片p接触电极设置互连区域801和备用区域901，n接触电极设置互连区域802和备用区域902；所述驱动背板阳极2设置互连区域201和备用区域202，阴极3设置互连区域301和备用区域302；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的同一侧；所述μLED发光体的电极与驱动背板像素电极的互连方式为非Au-In键合；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。
具体的，在本实施例中，衬底12为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层13采用的材料为AlN，所述的发光层5为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；7为氧化铟锡（ITO）；8和9为Ti/Al/Ni/Au，10为SiO2，11为导电油墨。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底12上生长缓冲层13、n-GaN层4、多量子阱发光层5和p-GaN层6，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至露出n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 7、p接触电极的互连区域801和备用区域901，在露出的n-GaN层上生长n接触电极的互连区域802和备用区域902，并在除p、n接触电极以外的其他区域沉积SiO2介质层10；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将μLED芯片转移到驱动背板上并采用胶水或其他方式固定住，并使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S05：采用喷墨打印方式横向打印导电油墨11，使得μLED芯片p、n电极的互连区域分别和驱动背板阳、阴极的互连区域相连，实现电极之间的互连；
S06：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S07：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S08：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片的p、n电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有6个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S09：重复S06-S08步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
实施例三（倒装型μLED）
请参照图6和图7，本发明公开了一种μLED像素结构及电极互连方法，每个发光像素单元包含6个μLED芯片（4-9），芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层10；所述μLED芯片p接触电极设置互连区域801和备用区域901，n接触电极设置互连区域802和备用区域902；所述驱动背板阳极2设置互连区域201和备用区域202，阴极3设置互连区域301和备用区域302；所述μLED芯片电极的设置方式为p型和n型电极分别设置于μLED芯片的同一侧；所述μLED发光体的电极互连区域与驱动背板像素电极的互连区域的互连方式为Au-In键合；所述μLED发光体的电极备选区域与驱动背板像素电极的备选区域的互连方式为非Au-In键合；所述μLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。
具体的，在本实施例中，衬底12为蓝宝石衬底，且为a面，缓冲层13采用的材料为AlN，所述的发光层5为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；7为氧化铟锡（ITO）；8和9为Ti/Al/Ni/Au，10为SiO2，11为导电油墨，14为铜丝。
具体的，在本实施例中，一种μLED像素结构及电极互连方法，按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底12上生长缓冲层13、n-GaN层4、多量子阱发光层5和p-GaN层6，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至露出n-GaN，并形成阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 7、p接触电极的互连区域801和电极引出线14，在露出的n-GaN层上生长n接触电极的互连区域802和电极引出线14，并在除p、n接触电极以外的其他区域沉积SiO2介质层10；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将μLED芯片转移到过渡基板15上，且n-GaN面朝上；
S05：在μLED芯片的n-GaN表面依次沉积SiO2介质层10、p接触电极的备用区域901和n接触电极的备用区域902，并将p接触电极的互连区域801、n接触电极的互连区域802分别和p接触电极的备用区域901、n接触电极的备用区域902以铜丝14相连；
S06：将μLED芯片转移到驱动背板上并采用Au-In键合的方式将μLED芯片的p接触电极的互连区域801、n接触电极的互连区域802分别与驱动背板的阳极互连区域201、阳极互连区域202键合，并使得背板上每个像素单元包含6个μLED芯片；
S07：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对μLED芯片进行驱动发光；
S08：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良μLED像素；
S09：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的μLED芯片的p、n接触电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨11，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有6个μLED芯片，因此只要每个单元内有一个μLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S10：重复S07-S09步骤，直至μLED显示阵列的良率达到预期良率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，应当指出，对于本技术领域的普通人员，在不改变其本质原理的情况下，可对上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是简单改进和润饰、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (10)
1.一种μLED像素单元结构，其特征在于，包含n个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少m个μLED发光体，所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
2.根据权利要求1所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，所述μLED发光体为μLED芯片电极与驱动背板电极互连并施加驱动信号后可以正常发光的μLED芯片，所述m、n为正整数且m≤n。
3.根据权利要求1所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧时，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域和备用区域分别设置于μLED芯片的下侧面和上侧面，并以导电材料连接，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片下侧面电极的互连区域采用Au-In键合方式与驱动背板第一电极的互连区域互连，所述μLED芯片上侧面电极的互连区域采用非Au-In互连方式与驱动背板第二电极的互连区域连接。
4.根据权利要求1所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的上侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域和备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用非Au-In互连方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
5.根据权利要求1所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，当所述μLED芯片的两个电极均设置于μLED芯片的下侧面时，所述μLED芯片的两个电极的互连区域均设置于μLED芯片的下侧面，而备用区域均设置于μLED芯片的上侧面，并以导电材料连接对应的互连区域和备用区域，所述驱动背板的两个电极也均对应设置互连区域和备用区域，所述μLED芯片的两个电极的互连区域采用Au-In键合方式分别与驱动背板对应电极的互连区域连接。
6.根据权利要求3、4或5所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，当检测到所述μLED像素单元为不良像素单元时，通过原位非Au-In互连方式进行修复，即将不良像素单元中μLED芯片的电极的备用区域采用非Au-In互连方式与驱动背板对应电极的备用区域连接。
7.根据权利要求3、4或5所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，未对所述μLED像素单元进行检测前，将所述μLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板对应电极的互连区域和备用区域同时连接，以提高μLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。
8.根据权利要求3、4或5所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，所述μLED芯片表面在除电极外的其他区域设置介质层。
9.根据权利要求1所述的一种μLED像素单元结构，其特征在于，所述非Au-In互连方式包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接和引线焊接。
10.一种μLED显示器件，其特征在于，所述μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，所述n个μLED芯片无需精准取向和定位，以形成至少mi个μLED发光体，所述mi、ni为正整数且mi≤ni，i表示第i个μLED像素单元，i= 1, 2, …, k；所述μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，所述μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，所述μLED芯片电极与驱动背板上对应电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010535535.4A CN111798764B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010535535.4A CN111798764B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111798764A true CN111798764A (zh) | 2020-10-20 |
| CN111798764B CN111798764B (zh) | 2022-07-05 |
Family
ID=72803355
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202010535535.4A Active CN111798764B (zh) | 2020-06-12 | 2020-06-12 | 一种μLED像素单元结构及显示器件 |
Country Status (1)
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| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |