CN111863797B - 一种显示基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管；微发光二极管包括：第一电极、位于第一电极背离衬底基板一侧且覆盖第一电极的发光结构、以及第二电极；其中，发光结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电极位于各发光结构的间隙处，且与第二半导体层接触连接。通过将第一电极设置在发光结构与衬底基板之间，并将第二电极设置在各发光结构的间隙处，使得发光结构背离衬底基板的一侧(即出光面)无电极遮挡，并且使得第二电极可将发光结构的侧面出射的部分光线反射回微发光二极管中，最终从微发光二极管的出光面提取出来，从而提高了出光效率。

Description

一种显示基板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
微发光二极管(Micro LED)的像素单元在100微米(P0.1)以下，并被高密度地集成在一个芯片上。由于像素单元低至微米量级，Micro LED显示产品具有多项性能指标优势，其具有更高的发光亮度、分辨率与色彩饱和度，以及更快的显示响应速度，例如，其功率消耗量仅为LCD的10％、OLED的50％，亮度可达OLED的10倍，分辨率可达OLED的5倍。Micro LED应用商机无限，除了可取代LCD、OLED作为面板显示器，其省电特质，适合AR/VR头盔及智慧表等穿戴式装置荧幕外，也适合做户外显示看板、HUD等所用，另外，车尾灯、无线光通讯Li-Fi、投影机等同样是可期的运用领域。Micro LED主要通过将传统LED晶体薄膜用微缩制程技术进行微缩化、阵列化、薄膜化，然后通过转移技术将晶体薄膜批量转移到电路板上。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示基板、其制作方法及显示装置，用以提高微发光二极管的出光效率。
因此，本发明实施例提供的一种显示基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管；
所述微发光二极管包括：第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构、以及第二电极；其中，
所述发光结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
所述第二电极位于各所述发光结构的间隙处，且与所述第二半导体层接触连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于第二电极面向所述衬底基板一侧的绝缘层；
所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极的正投影相互交叠，且所述绝缘层至少包围所述第一电极、所述第一半导体层和所述有源层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述绝缘层包括：环绕各所述发光结构的凹槽；
所述凹槽的底部与所述衬底基板之间的距离小于或等于所述第一电极面向所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的距离；
所述第二电极填充于所述凹槽。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述绝缘层包括：与所述发光结构接触的第一绝缘层，以及位于所述第一绝缘层远离所述发光结构一侧的第二绝缘层；其中，
所述第一绝缘层至少包围所述第一半导体层和所述有源层；
所述第二绝缘层包围所述第一电极、以及部分所述第一绝缘层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第一绝缘层还包围：靠近所述有源层的部分所述第二半导体层。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述第二电极背离所述衬底基板的表面具有微结构。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述多个微发光二极管所在层背离所述衬底基板一侧的透明电极。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于各所述第一电极所在层面向所述衬底基板一侧且与各所述第一电极一一对应的多个像素电路，连接于所述第一电极与对应所述像素电路之间的连接电极，以及与各列所述像素电路一一对应电连接的多条数据线；
所述多条数据线自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区；
所述第二电极自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述多个微发光二极管包括：红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种上述显示基板的制作方法，包括：
制备多个微发光二极管；其中，所述微发光二极管包括：第一电极、以及位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
提供一衬底基板，并将所述多个微发光二极管转移至所述衬底基板上；其中，各所述微发光二极管之间相互绝缘；
在各所述发光结构之间的间隙处形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层接触连接。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述第二电极自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区，在形成第二电极之后，还包括：
在所述第二电极所在层上形成位于所述衬底基板的显示区内的透明电极。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的上述显示基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，位于衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管；微发光二极管包括：第一电极、位于第一电极背离衬底基板一侧且覆盖第一电极的发光结构、以及第二电极；其中，发光结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电极位于各发光结构的间隙处，且与第二半导体层接触连接。通过将第一电极设置在发光结构与衬底基板之间，并将第二电极设置在各发光结构的间隙处，使得发光结构背离衬底基板的一侧(即出光面)无电极遮挡，从而提高了出光效率。并且，由于位于各发光结构的间隙处的第二电极与第二半导体层接触连接，使得第二电极可将发光结构的侧面出射的部分光线反射回微发光二极管中，最终从微发光二极管的出光面提取出来，进一步提升了出光效率。
附图说明
图1至图3分别为本发明实施例提供的显示基板的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图6至图15分别为本发明实施例提供的显示基板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前Micro LED分为三种结构，分别为正装结构，倒装结构和垂直结构。其中，正装结构和倒装结构均需要通过ICP工艺刻蚀到n型半导体层(例如n-GaN)，形成电流横向传输。其在台面边缘处出现电流密集现象，难以实现均匀的电流分布，导致芯片效率降低和局部过热。而垂直结构的两个电极分别在发光结构的上下两侧，电流几乎全部垂直流过发光结构，没有横向流动的电流，电流分布均匀，产生的热量减少，芯片可靠性高。但是位于发光结构上方的电极会遮挡一部分出射光，导致光效的提升并不明显。
针对相关技术中存在的上述问题，本发明实施例提供了一种显示基板，如图1至图3所示，包括：衬底基板01，位于衬底基板01之上相互绝缘的多个微发光二极管02；
微发光二极管02包括：第一电极201、位于第一电极201背离衬底基板01一侧且覆盖第一电极的发光结构202、以及第二电极203；其中，
发光结构202包括：依次层叠设置的第一半导体层2021、有源层2022和第二半导体层2023；
第二电极203位于各发光结构202的间隙处，且与第二半导体层2023接触连接。
在本发明实施例提供的上述显示基板中，通过将第一电极201设置在发光结构202与衬底基板01之间，并将第二电极203设置在各发光结构202的间隙处，使得发光结构背离衬底基板的一侧(即出光面)无电极遮挡，从而提高了出光效率。并且，由于位于各发光结构202的间隙处的第二电极203与第二半导体层2023接触连接，使得第二电极203可将发光结构202的侧面出射的部分光线反射回微发光二极管02中，最终从微发光二极管02的出光面提取出来，进一步提升了出光效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1和图2所示，还包括：位于第二电极203面向衬底基板01一侧的绝缘层03；
绝缘层03在衬底基板01上的正投影与第二电极203的正投影相互交叠，且绝缘层03至少包围第一电极201、第一半导体层2021和有源层2022。
由于第二电极203和绝缘层03为在各发光结构的间隙处层叠设置的网状结构，因此通过设置绝缘层03至少包围第一电极201、第一半导体层2021和有源层2022，使得第二电极203与第二半导体层2023的部分侧面或全部侧面接触，从而防止了各微发光二极管02之间的短路。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1和图2所示，绝缘层03包括：环绕各发光结构202的凹槽；
凹槽的底部与衬底基板01之间的距离小于或等于第一电极201面向衬底基板01一侧的表面与衬底基板01之间的距离；
第二电极203填充于凹槽。
凹槽的设置，使得微发光二极管02的侧面出光可完全被第二电极203反射回微发光二极管02，最终从微发光二极管02的出光面提取出来，进一步提升了出光效率。并且，避免了相邻不同颜色微发光二极管02之间的光线串扰问题，使得显示器的显色更纯。另外，由于该凹槽深度太大会导致发光结构202侧壁上的第二电极203过薄，进而可能影响微发光二极管02的可靠性，因此，为保证微发光二极管02的性能，凹槽的底部应尽量接近第一电极201面向衬底基板01一侧的表面所在平面，较佳地，凹槽的底部应与第一电极201面向衬底基板01一侧的表面共平面。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，绝缘层03可以但不限于以下两种实现方式：
其一，如图1所示，在各发光结构202的间隙处填充绝缘层03后，在绝缘层03的中间区域开设凹槽。
其二，如图2所示，绝缘层03包括：与发光结构202接触的第一绝缘层301，以及位于第一绝缘层301远离发光结构202一侧的第二绝缘层302；其中，
第一绝缘层301至少包围第一半导体层2021和有源层2022；
第二绝缘层302包括凹槽，且第二绝缘层302包围第一电极201、以及部分第一绝缘层301；
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，为实现第二电极203与第二半导体层2023的接触连接，同时有效避免各微发光二极管02之间发生短路，如图2所示，第一绝缘层301还可以包围：靠近有源层202的部分第二半导体层2023。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，第二电极203背离衬底基板01的表面具有微结构。具体地，可在第二电极203背离衬底基板01的表面进行湿法刻蚀制作六棱锥、椭球等形状的微结构，以提高光提取效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1和图2所示，还可以包括：位于多个微发光二极管02所在层背离衬底基板01一侧且与第二电极203电连接的透明电极04，以减小第二电极203与第二半导体层2023的接触电阻。
相关技术中，第一电极201和第二电极203分别位于发光结构202的上下两侧的两个衬底基板01上，因此，需要对衬底基板01上的第一电极201进行引出后，通过一驱动芯片对引出的第一电极201提供驱动信号，并对另一衬底基板01上的第二电极203进行引出后，通过另一驱动芯片对引出的第二电极203提供驱动信号。这种引出方案较复杂，且需要两颗驱动芯片进行驱动，成本较高。
为便于引出第一电极201和第二电极203，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1、图2和图4所示，还可以包括：位于各第一电极201所在层面向衬底基板01一侧且与各第一电极201一一对应的多个像素电路05，连接于第一电极201与对应像素电路05之间的连接电极06，以及与各列像素电路05一一对应电连接的多条数据线07；具体地，连接电极06与源极07’电连接；
多条数据线07自衬底基板01的显示(AA)区延伸至衬底基板01的扇出(Fanout)区；
第二电极203自衬底基板01的显示(AA)区延伸至衬底基板01的扇出(Fanout)区。
由以上描述可知，本发明提供的显示基板中，可将第一电极201和第二电极203分别引出至同一衬底基板01的扇出(Fanout)区，方案比较简单。并且，由于第一电极201和第二电极203可别分别引出至同一衬底基板01的扇出(Fanout)区，因此，可采用一个集成芯片来为第一电极201和第二电极203加载驱动信号，降低了成本。
具体地，图4所示像素电路包括：选通晶体管T1、驱动晶体管T2和存储电容C。具体工作时，栅线Gate上的信号控制选通晶体管T1打开，数据线Data(即数据线07)上的信号对存储电容C进行充电，完成Data信号向像素的写入。之后，选通晶体管T1关闭，存储电容C保持Data电位，驱动晶体管T2打开，Data电位为微发光二极管02提供稳定电流，微发光二极管02进入发光阶段。所有微发光二极管02采用共阴极，所以只需为每个微发光二极管02提供不同的阳极电压即可实现不同颜色的发光。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1和图2所示，多个微发光二极管02包括：红色微发光二极管R、绿色微发光二极管G和蓝色微发光二极管B。
相关技术中，在单一外延基板上只能实现单色显示，还无法实现红色微发光二极管R、绿色微发光二极管G和蓝色微发光二极管B的集成，如果使用色转换层应用于单色微发光二极管来产生全彩显示，色转换层的转换效率问题会导致显示器的发光效率不高。而本发明提供的显示基板中继承了红色微发光二极管R、绿色微发光二极管G和蓝色微发光二极管B，从而无需色转换层即可实现全彩显示，因此发光效率较高。
相应地，以下将对本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法进行详细说明。由于该制作方法解决问题的原理与本发明实施例提供的上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该制作方法的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例还提供的一种上述显示基板的制作方法，如图5所示，包括：
S501、制备多个微发光二极管；其中，微发光二极管包括：第一电极、以及位于第一电极背离衬底基板一侧且覆盖第一电极的发光结构，发光结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层。
具体地，步骤S501可通过以下方式进行实现：
提供一蓝宝石衬底08；
在蓝宝石衬底08上依次形成缓冲层09和外延层，外延层包括：依次层叠设置的第二半导体层2023、有源层2022和第一半导体层2021，如图6所示；
将外延层切割为多个发光结构202，如图7所示；具体可使用激光划槽的方法进行芯片隔离，保证在尽可能窄的情况下划深至蓝宝石衬底08所在层；
在各发光结构202之间的间隙处形成第一绝缘层301，如图8所示；在垂直于衬底基板的方向上，第一绝缘层高于发光结构，以通过第一绝缘层来保护划槽侧壁，防止后续工艺中的金属附着在侧壁而发生短路；具体地，第一绝缘层的材料可以为SiO2、SiN等绝缘材料。
在多个发光结构所在层上使用电子束蒸发的方法沉积覆盖多个发光结构202、第一绝缘层301的第一电极201，如图9所示；随后，使用金属键合或电镀的方法进行连接电极06的制作，如图10所示，具体地，该连接电极06用于实现后续与驱动背板的电互连，并且连接电极06的材料可以为铜等金属，厚度在100μm左右；
使用激光剥离方法剥离掉蓝宝石衬底08和电性能较差、结构缺陷较多的缓冲层09，如图11所示；优选地，在去除缓冲层09后，还可以对第一电极201的表面进行湿法刻蚀制作表面微结构，以增大光提取效率；
切割第一绝缘层、以及各发光结构间隙对应的第一电极和连接电极，形成侧面具有第一绝缘层的多个微发光二极管02，如图12所示。需要说明的是，在绝缘层为一体化设计的情况下，此处多个微发光二极管的侧壁上不具有第一绝缘层。
具体地，第一电极的材料可以为Ni/Ag/Pt/Au、Ni/Ag/Au、Ni/Ag/Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Ag/Ti/Au等含有Al或Ag这种反射特性的金属。通过上述步骤S201的具体实现方式可分别实现红色微发光二极管R、绿色微发光二极管G和蓝色微发光二极管B的制作。并且在微发光二极管为红色微发光二极管R时，缓冲层的材料为GaP、第一半导体层的材料为p-GaP、有源层的材料为AlInGaP、第二半导体层的材料为n-GaP；在微发光二极管为绿色微发光二极管G和蓝色微发光二极管B时，缓冲层的材料为GaN、第一半导体层的材料为p-GaN、有源层的材料为AlInGaN、第二半导体层的材料为n-GaN。
S502、提供一衬底基板，并将多个微发光二极管转移至衬底基板上；其中，各微发光二极管之间相互绝缘。
具体地，步骤S502可通过以下方式进行实现：
提供一具有多个像素电路05，以及与每列像素电路电连接的多条数据线07的衬底基板01；其中，多条数据线07自衬底基板01的显示(AA)区延伸至衬底基板01的扇出(Fanout)区；
通过静电吸附转移工艺或微转移打印工艺将第一电极201通过连接电极06键合至对应的像素电路05，如图13所示；
在微发光二极管02的间隙处填充第二绝缘层302，第二绝缘层302包围第一电极201、以及部分第一绝缘层301；需要说明的是，在绝缘层为一体化设计时，该步骤对应的绝缘层包围第一电极201、第一半导体层2021、有源层2022，此时绝缘层可以包括部分第二半导体层2023也可以不包括第二半导体层2023，在此不做限定；
去除包围第二半导体层2023的第一绝缘层301，使得第一绝缘层301的上表面不低于第二半导体层2023的下表面；并在第二绝缘层302中形成环绕各发光结构202的凹槽，凹槽与衬底基板01之间的第二绝缘层302包围第一电极201，或包围靠近衬底基板01的部分第一电极201，以使得凹槽底部不超过第一电极201的下表面，如图14所示。需要说明的是，在绝缘层为一体化设计时，该步骤仅需在绝缘层中形成凹槽，且凹槽底部不超过第一电极的下表面；
S503、在各微发光二极管之间的间隙处形成第二电极，该第二电极与第二半导体层接触连接。
具体地，步骤S503可通过以下方式进行实现：
选用Al/Ag/Au、Al/Ti/Au等金属反射材料，在各微发光二极管02之间的间隙处形成与第二半导体层2023接触连接且呈网状的第二电极203，并最终从显示屏的显示(AA)区引出到扇出(Fanout)区(如图15所示)，形成共电极的Micro LED垂直结构，从而实现在驱动背板上完成垂直结构micro LED正负电极的引出，解决了垂直结构出光面电极引出困难的问题。
具体地，第二电极203的厚度可以为2μm-3μm，由于第二电极所在层的厚度较薄，所以第二电极203与第二半导体层2023的侧壁接触面积较小，从而导致其接触电阻较大，为了减小第二电极203的接触电阻，可以在第二电极203制作完成后在第二半导体层2023以及第二电极203上制作一层透明电极04(如图1所示)，以变相增加第二电极203与第二半导体层2023的接触面积，降低了接触电阻，从而降低了驱动电压以及驱动功耗；而且由于透明电极04整面覆盖第二半导体层2023，提升了第二半导体层2023的电流扩展能力，可有效提高发光效率。可选地，该透明电极04可选用ITO、IZO或石墨稀等。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板，该显示基板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。另外，由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。
在本发明实施例提供的上述显示基板、其制作方法及显示装置中，包括：衬底基板，位于衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管；微发光二极管包括：第一电极、位于第一电极背离衬底基板一侧且覆盖第一电极的发光结构、以及第二电极；其中，发光结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二电极位于各发光结构的间隙处，且与第二半导体层接触连接。通过将第一电极设置在发光结构与衬底基板之间，并将第二电极设置在各发光结构的间隙处，使得发光结构背离衬底基板的一侧(即出光面)无电极遮挡，从而提高了出光效率。并且，由于位于各发光结构的间隙处的第二电极与第二半导体层接触连接，使得第二电极可将发光结构的侧面出射的部分光线反射回微发光二极管中，最终从微发光二极管的出光面提取出来，进一步提升了出光效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上相互绝缘的多个微发光二极管；
所述微发光二极管包括：第一电极、位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构、以及第二电极；其中，
所述发光结构包括：依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
所述第二电极位于各所述发光结构的间隙处，且与所述第二半导体层接触连接；
还包括：位于第二电极面向所述衬底基板一侧的绝缘层；
所述绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极的正投影相互交叠，且所述绝缘层至少包围所述第一电极、所述第一半导体层和所述有源层；
所述绝缘层包括：环绕各所述发光结构的凹槽；
所述凹槽的底部与所述衬底基板之间的距离小于或等于所述第一电极面向所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间的距离；
所述第二电极填充于所述凹槽。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括：与所述发光结构接触的第一绝缘层，以及位于所述第一绝缘层远离所述发光结构一侧的第二绝缘层；其中，
所述第一绝缘层至少包围所述第一半导体层和所述有源层；
所述第二绝缘层包围所述第一电极、以及部分所述第一绝缘层。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一绝缘层还包围：靠近所述有源层的部分所述第二半导体层。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极背离所述衬底基板的表面具有微结构。
5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述多个微发光二极管所在层背离所述衬底基板一侧的透明电极。
6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于各所述第一电极所在层面向所述衬底基板一侧且与各所述第一电极一一对应的多个像素电路，连接于所述第一电极与对应所述像素电路之间的连接电极，以及与各列所述像素电路一一对应电连接的多条数据线；
所述多条数据线自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区；
所述第二电极自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示基板，其特征在于，所述多个微发光二极管包括：红色微发光二极管、绿色微发光二极管和蓝色微发光二极管。
8.一种如权利要求1-7任一项所述显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
制备多个微发光二极管；其中，所述微发光二极管包括：第一电极、以及位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧且覆盖所述第一电极的发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
提供一衬底基板，并将所述多个微发光二极管转移至所述衬底基板上；其中，各所述微发光二极管之间相互绝缘；
在各所述发光结构之间的间隙处形成第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层接触连接。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极自所述衬底基板的显示区延伸至所述衬底基板的扇出区，在形成第二电极之后，还包括：
在所述第二电极所在层上形成位于所述衬底基板的显示区内的透明电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的显示基板。
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