CN110689818A - 电子装置及电子装置的修复方法 - Google Patents

Abstract

一种电子装置，包括一基板及一电子单元，电子单元设置于基板上。电子单元包括一发光二极管、一导电结构、一第一驱动电路及一第二驱动电路。导电结构设置于发光二极管与基板之间。第一驱动电路具有一第一输出线路，且第二驱动电路具有一第二输出线路，其中第一驱动电路通过导电结构与发光二极管电性连接，且第二驱动电路与发光二极管电性绝缘，其中导电结构于基板的法线方向上分别与第一输出线路及第二输出线路至少部分重叠。

Description

电子装置及电子装置的修复方法

技术领域

本申请是关于电子装置，且特别是关于电子装置的修复结构以及修复方法。

背景技术

发光二极管(LED)通过驱动电路控制开关，借以调控发光二极管的亮度。由于驱动电路可能会发生损坏(例如断线)或短路，故可能于检测中被判定不符合规格设计，故如何修复电路已为现今探讨的重要项目。本申请提供一种电子装置的结构及电子装置的修复方法，可减少修复流程的复杂性，或减少修复的时间。

发明内容

根据一些实施例，本申请提供一种电子装置，包括一基板及一电子单元，电子单元设置于基板上。电子单元包括一发光二极管、一导电结构、一第一驱动电路及一第二驱动电路。导电结构设置于发光二极管与基板之间。第一驱动电路具有一第一输出线路，且第二驱动电路具有一第二输出线路，其中第一驱动电路通过导电结构与发光二极管电性连接，且第二驱动电路与发光二极管电性绝缘，其中导电结构于基板的法线方向上分别与第一输出线路及第二输出线路至少部分重叠。

根据一些实施例，本申请提供一种电子装置的修复方法包括：提供一电子装置，电子装置包括一基板及设置于基板上的一电子单元，且电子单元包括一发光二极管、设置于发光二极管与基板之间的一导电结构、一第一驱动电路及一第二驱动电路。第一驱动电路通过导电结构与发光二极管电性连接，第二驱动电路与发光二极管电性绝缘；断开第一驱动电路与发光二极管之间的通路；以及执行一修复步骤将导电结构电性连接至第二驱动电路，其中导电结构于基板的法线方向上与第二驱动电路的一输出线路至少部分重叠。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1显示根据本申请一些实施例中，电子装置的结构示意图；

图2A显示根据本申请一些实施例中，电子单元的电路示意图；

图2B显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图2A的区域R中沿着线段X-X’的剖面结构示意图；

图2C显示根据本申请一些实施例中，电子单元的电路示意图；

图3A显示根据本申请一些实施例中，电子单元的电路示意图；

图3B显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图3A的区域R中沿着线段X-X’的剖面结构示意图；

图4显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图1中沿着线段X-X’的剖面结构示意图；

图5显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图2A中沿着线段A-A’的剖面结构示意图；

图6显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图3A中沿着线段A-A’的剖面结构示意图；

图7显示根据本申请一些实施例中，电子单元为图2A中沿着线段B-B’的剖面结构示意图；

图8显示根据本申请一些实施例中，电子装置的修复方法的流程图。

图中元件标号说明：

10：电子装置

30：电子装置的修复方法

10U：电子单元

102：基板

104：发光二极管

106：导电结构

106r：凹陷部

108：第一驱动电路

108a：第一输出线路

108c：线路

108x：第一驱动单元

110：第二驱动电路

110a：第二输出线路

110x：第二驱动单元

112：连接元件

112a：第一导电层

112b：第二导电层

201-1、201-2：导电垫

202、206、208、210、212：介电层

202p、202p’、204p：孔洞

204：保护层

204r：凹陷部

214：平坦层

302：有源层

302c：通道区

302’：半导体部分

304、306、308、310：导电层

304G：栅极电极

308D：漏极电极

308S：源极电极

Cst：电容

DL：数据线

R：区域

S：修复步骤

S31～S39：步骤

SL：扫描线

TFT_dri：驱动晶体管

TFT_SW：开关晶体管

A-A’、B-B’、X-X’：线段

具体实施方式

以下针对本申请的电子装置的结构及电子装置的修复方法作详细说明。以下提供不同的实施例，用以实施本申请的不同样态。以下所述的元件及排列方式仅为简单清楚描述一些实施例，非本申请的限定。不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号标示类似及/或对应的元件，以清楚描述本申请。然而，这些类似及/或对应的标号的使用仅为了简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。当叙述“第一材料层”设置于“第二材料层”上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

在此使用“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种元件、组件、区域、层、部分，这些元件、组件、区域、层、部分，这些用语仅用来区别不同的元件、组件、区域、层、部分，不应被这些用语限定。

本申请的附图并未按照比例绘制，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本申请的特征。

在此，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％内、10％内、5％内、3％内、2％内、1％内或0.5％内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大致”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大致”的含义。

在本申请一些实施例中，关于连接的用语，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。

根据本申请的一些实施例，电子装置包含预设(preset)驱动电路及备用(spare)驱动电路，以及与预设驱动电路的输出线路及备用驱动电路的输出线路部分重叠的导电结构。在预设驱动电路正常发挥效能时，发光二极管可通过导电结构与预设驱动电路电性连接，并与备用驱动电路电性绝缘。在预设驱动电路损坏或不符合规格时，发光二极管可通过导电结构与备用驱动电路电性连接，并与预设驱动电路电性绝缘。根据一些实施例，可通过修复步骤建立新的电流导通路径使导电结构与备用驱动电路电性连接。

图1显示根据本申请一些实施例中，电子装置10的结构示意图。在一些实施例中，可根据需求添加额外的元件，或以下所述的元件可根据需求被取代或删除。电子装置10可包括显示装置、发光装置、检测装置、拼接装置或其它合适的装置，但不限于此。

如图1，电子装置10包含基板102以及设置于基板102上的多个电子单元10U。详细而言，电子装置10可包含设置于基板102上的多条数据线DL及多条扫描线SL，扫描线SL例如沿X方向延伸，数据线DL例如沿Y方向延伸，X方向与Y方向不同。在一些实施例中，X方向大致上垂直于Y方向，但不限于此。在一些实施例中，数据线DL与扫描线SL之间相交而夹出一角度，此角度大致介于45度至90度之间，但不限于此。在一些实施例中，多条扫描线SL与多条数据线DL彼此交错定义出多个电子单元10U，但不限于此。

图1仅绘示多个电子单元10U作为示例性说明，本申请并未限定电子单元10U的数量，电子装置10可根据实际需求设置有任意合适数量的电子单元10U。

在一些实施例中，基板102例如为阵列基板(array substrate)。在一些实施例中，基板102的材料可包含玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、玻璃纤维、其它合适的基板材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板102可包括金属-玻璃纤维复合板材、金属-陶瓷复合板材或印刷电路板。

在一些实施例中，电子单元10U可包含发光二极管104、导电结构106、第一驱动电路108及第二驱动电路110。在一些实施例中，发光二极管104可包括发光二极管(LED)、微型发光二极管(micro LED、mini LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点有机发光二极管(QLED)、量子点(QD)或其它合适的发光二极管，但不限于此。在一些实施例中，发光二极管104的型态包括垂直芯片型(vertical chip type)或覆晶型(flip chip type)，但不限于此。

在一些实施例中，一个电子单元10U可包含第一驱动电路108及第二驱动电路110，第一驱动电路108及第二驱动电路110例如可分别作为发光二极管104的预设驱动电路及备用驱动电路。详细而言，当第一驱动电路108(预设驱动电路)损坏或不符合规格时，可将第一驱动电路108与发光二极管104之间的通路切断，此时第一驱动电路108与发光二极管104电性绝缘，且建立第二驱动电路110(备用驱动电路)与发光二极管104的通路，即将第二驱动电路110与发光二极管104电性连接。

在一些实施例中，如图2A～2C所示，第一驱动电路108及第二驱动电路110可各自具有至少一驱动晶体管TFT_dri，且电子单元10U可包含与数据线DL及扫描线SL连接的开关晶体管TFT_SW。在一些实施例中，开关晶体管TFT_SW分别与第一驱动电路108及第二驱动电路110电性连接。

在一些实施例中，于Z方向(即基板102的法线方向)上，导电结构106的面积与电子单元10U的面积的比值介于0.005至0.5之间。在一些实施例中，电子单元10U的面积(参考图1)可大致定义为相邻的两条扫描线SL与相邻的两条数据线DL交错所围出的面积。详细而言，电子单元10U的面积可例如由相邻的两条扫描线SL的同一侧边之间，以及相邻的两条数据线DL的相同一侧边之间所围出的面积，但不限于此。导电结构106的面积可定义为于Z方向上看，导电结构106的面积。

图2A根据本申请一些实施例中，电子单元10U的电路示意图。如同前述，电子单元10U包含第一驱动电路108及第二驱动电路110。如图2A所示，电子单元10U可包括至少一个开关晶体管TFT_SW、至少两个驱动晶体管TFT_dri及一个电容Cst。在一些实施例中，驱动晶体管TFT_dri例如为三端元件(包含栅极、漏极及源极)，但不限于此。需注意的是，图2A的第一驱动电路108及第二驱动电路110电路结构或是所框的区域仅为示意，于实际状况中，可根据需求设置其它的晶体管(例如重置晶体管)、其它电容或其它元件，但不限于此。需注意的是，2A图的驱动晶体管TFT_dri的连接方式仅为示意，其可能根据需求调整。

另外，图2A绘示电子单元10U的部分结构元件，例如发光二极管104、导电结构106、第一驱动电路108的第一输出线路108a及第二驱动电路110的第二输出线路110a，以清楚说明电子单元10U中的电路与结构元件的设置关系。虽然图2A的实施例中，一个开关晶体管TFT_SW可同时与第一驱动电路108及第二驱动电路110电性连接，但不限于此。在一些实施例中，电子单元10U可具有两个开关晶体管TFT_SW，此两个开关晶体管TFT_SW可分别与第一驱动电路108及第二驱动电路110电性连接。

如图2A所示，第一驱动电路108(例如为预设驱动电路)具有第一输出线路108a，而第二驱动电路110(例如为备用驱动电路)具有第二输出线路110a。在一些实施例中，如图2A所示，第一输出线路108a与发光二极管104可通过导电结构106电性连接，图中的箭头(粗实线)方向可表示为电流的传送方向，即表示第一输出线路108a与发光二极管104电性连接，而此时第二驱动电路110则与发光二极管104电性绝缘。

图2B显示根据本申请一些实施例中，电子单元10U对应于图2A中的区域R且沿着线段X-X’的剖面结构示意。如图2B所示，第一驱动电路108与第二驱动电路110设置于基板102上，第一驱动电路108包含第一输出线路108a与第一驱动单元108x(详细结构可参照图7)，而第二驱动电路110包含第二输出线路110a与第二驱动单元110x(详细结构可参照第5及6图)。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构106分别与第一输出线路108a及第二输出线路110a至少部分重叠。在一些实施例中，导电结构106设置于发光二极管104与基板102之间。

第一输出线路108a及第二输出线路110a的材料可包含铜(Cu)、铝(Al)、钨(W)、钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一输出线路108a及第二输出线路110a可包括单层导电层或复合导电层。在一些实施例中，第一输出线路108a及第二输出线路110a的材料可包括钼/铝/钼的复合导电层，但不限于此。

此外，电子单元10U包含一介电层202设置于导电结构106与第一输出线路108a及第二输出线路110a之间。举例而言，于Z方向上，介电层202设置于导电结构106与第一输出线路108a及第二输出线路110a之间。在一些实施例中，如图2B，介电层202例如具有一孔洞202p，且于Z方向上，孔洞202p重叠于部分的第一输出线路108a。在一些实施例中，202p例如暴露出部分的第一输出线路108a。在一些实施例中，导电结构106可通过孔洞202p与第一输出线路108a电性连接。在一些实施例中，部分导电结构106设置(或填入)于孔洞202p中，且与第一输出线路108a接触而电性连接。

在此实施例中，于Z方向上，对应或重叠第二输出线路110a的介电层202未有孔洞，故导电结构106未与第二输出线路110a接触，即导电结构106与第二输出线路110a电性绝缘。在一些实施例中，电子单元10U包含至少一介电层设置于导电结构106与第一输出线路108a及第二输出线路110a之间。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构106可设置于第一驱动电路108及第二驱动电路110上。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构106可设置于第一输出线路108a及第二输出线路110a上。

在一些实施例中，导电结构106的材料可包括低阻抗的导电材料，但不限于此。导电结构106的材料例如包含铜、钼、镍、金、银、锡、铝、锌、其它合适的导电材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，导电结构106的材料可包括单层导电层、多层导电层或复合导电层。在一些实施例中，导电结构106的材料可包括钼/铜的复合导电层，但不限于此。在一些实施例中，介电层202可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的介电材料或前述的组合，但不限于此。

在一些实施例中，保护层204设置于导电结构106上，连接元件112例如设置于发光二极管104与导电结构106之间。在一些实施例中，连接元件112可例如为单层、多层或复合的导电材料。在一些实施例中，连接元件112可具有第一导电层112a及第二导电层112b。

在一些实施例中，第一导电层112a(或第二导电层112b)的材料例如为具有低阻抗的导电材料、或具有防腐蚀特性的导电材料，但不限于此。在一些实施例中，第一导电层112a(或二导电层112b)的材料可包括锡、镍、金、铜、银、铟、锌、锑、上述材料的合金或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一导电层112a的材料例如包括镍-金合金。在一些实施例中，第二导电层112b的材料例如包括焊接材料(solder material)，例如锡，但不限于此。

在一些实施例中，保护层204可具有孔洞204p，连接元件112可通过孔洞204p与导电结构106电性连接。在一些实施例中，保护层204的材料可包含无机材料或有机材料，例如包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmetacrylate，PMMA)、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。

图2B电子单元为图2A的区域R中沿着线段X-X’的剖面结构示意图，其未绘示发光二极管104的整体结构，仅绘示发光二极管104一端(例如阴极或阳极)、连接元件112、导电结构106三者的连接关系。在一些实施例中，发光二极管104可包含p型半导体层(未绘示)、n型半导体层(未绘示)、设置于p型半导体层、n型半导体层之间的发光层(未绘示)或其它合适的层别。另外，第一驱动电路108及第二驱动电路110也仅有粗略绘示其与导电结构106的相对关系，详细第一驱动电路108及第二驱动电路110的层叠结构可参考图5至图7。

图2C显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U的电路示意图。图2C的实施例与图2A相似，其中的一者差异为，图2C的实施例的驱动晶体管TFT_dri为四端元件(包括两个栅极、一源极及一漏极)。

图3A显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U的电路示意图。图3A所示的电路示意图与图2A的差异在于，图3A的第一驱动电路108可能因损坏或是不符合规格，因此切断第一驱动电路108与发光二极管104之间的路径(如图中符号X表示为路径切断)，使第一驱动电路108与发光二极管104电性绝缘，而改建立第二驱动电路110与发光二极管104的路径，即将第二驱动电路110与发光二极管104电性连接。在此实施例中，发光二极管104例如通过导电结构106与第二驱动电路110的第二输出线路110a电性连接，使第二驱动电路110与发光二极管104之间可电流导通(电流方向如图中箭头(粗实线)所示)。

图3B显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U例如为对应于图3A中的区域R且沿线段X-X’的剖面结构示意。图3B所示的实施例与图2B大致相似，其差异在于图3B中，于Z方向上，对应或重叠于第二输出线路110a上的介电层202可具有孔洞202p’，孔洞202p’例如暴露出部分的第二输出线路110a，此时导电结构106可通过孔洞202p’与第二输出线路110a接触，即导电结构106可通过孔洞202p’与第二输出线路110a电性连接而形成通路。在此实施例中，第一驱动电路108与发光二极管104之间的通路被切断，即第一驱动电路108与发光二极管104之间为电性绝缘。

在一些实施例中，可通过实行一修复步骤S，使导电结构106电性连接至第二输出线路110a。在一些实施例中，修复步骤S中包括使介电层202形成孔洞202p’，而导电结构106可例如设置(或填入)于孔洞202p’中，使导电结构106与第二输出线路110a(备用驱动电路)电性连接。在一些实施例中，修复步骤S例如提供一能量冲击，使介电层202形成上述的孔洞202p’，而导电结构106例如呈现熔融状态，此时导电结构106可例如设置(或填入)于孔洞202p’中，即导电结构106通过孔洞202p’与第二输出线路110a接触而电性连接，但不限于此。在一些实施例中，修复步骤S后，导电结构106及保护层204例如分别产生凹陷部106r及凹陷部204r，但不限于此。

在一些实施例中，修复步骤S包含激光熔融制程(laser melting process)，而激光种类或激光功率可根据介电层202或导电结构106的材料、或其它因素而调整。

参照图4显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U沿着图1(图2A或图2C)中的线段X-X’的剖面结构示意图。图4所示的实施例与图2B相似，其差异在于，于图4中，导电结构106于Z方向上，例如设置于第一输出线路108a(及/或第二输出线路110a)与基板102之间，且于Z方向上，导电结构106例如分别与部分第一输出线路108a及部分第二输出线路110a重叠。在此实施例中，于Z方向上，例如具有至少一介电层(未绘示)设置于第一输出线路108a(及第二输出线路110a)与导电结构106之间，位于第一输出线路108a及第二输出线路110a与导电结构106之间的介电层的详细数量，可视情况做调整。在此实施例中，导电结构106可例如与第一驱动电路108(及/或第二驱动电路110)中的其中一导电层为相同层，详细第一驱动电路108(及/或第二驱动电路110)的结构可参考图5至图7。在一些实施例中，导电结构106可与驱动晶体管TFT_dri的栅极电极304G为相同层。在一些实施例中，导电结构106可与驱动晶体管TFT_dri的漏极电极308D或源极电极308S为相同层。在一些实施例中，导电结构106例如为第一驱动电路108及第二驱动电路110中的其它导电层，但不限于此。需注意的是，当导电结构106例如是由第一驱动电路108及第二驱动电路110中的任一导电层所形成，此时导电结构106需与相同导电层的其它结构之间彼此无直接连接。

另外，图4的实施例中，第一驱动电路108会与第一输出线路108a电性连接，而第二驱动电路110会与第二输出线路110a电性连接，而由于导电结构106于Z方向上，设置于第一输出线路108a(及/或第二输出线路110a)与基板102之间，此时导电结构106为位于第一输出线路108a(及/或第二输出线路110a)下层的导电层，故于连接元件112及第一输出线路108a之间可例如设有一导电垫201-1，导电垫201-1例如电性连接于连接元件112及第一输出线路108a。在一些实施例中，于Z方向上，导电垫201-1例如部分重叠于第一输出线路108a及/或连接元件112。在一些实施例中，于Z方向上，导电垫201-1例如无重叠或部分重叠于第二输出线路110a。在一些实施例中，导电垫201-1的材料可例如与上述的图2A至图2B的实施例中的导电结构106的材料相同或不同，在此不再重复叙述。在一些实施例中，导电垫201-1的材料与导电垫201-2(如图1)的材料可例如相同或不同。在此，导电垫201-1例如作为第一输出线路108a与连接元件112之间的连接桥梁，可提高第一输出线路108a与连接元件112之间的附着效果，但不限于此。

相似地，导电结构106例如与第一输出线路108a及第二输出线路110a的其中一者电性连接，而与第一输出线路108a及第二输出线路110a的其中另一者电性绝缘。其中图4是举例为导电结构106与第一输出线路108a电性连接，而导电结构106与第二输出线路110a电性绝缘的状况。而在一些实施例中，可例如以相似于图2B修复成如图3B的方式，将导电结构106与第一驱动电路108之间的通路断开，而通过修复方式将导电结构106与第二输出线路110a电性连接。需注意的是，于Z方向上，当导电结构106与第一输出线路108a(及/或第二输出线路110a)之间的介电层越多，则导电结构106需要通过越多的介电层的孔洞与第一输出线路108a(或第二输出线路110a)电性连接。

图5显示根据本申请一些实施例中，电子单元10U为图2A中沿着线段A-A’的剖面结构示意图，线段A-A’例如从第二驱动电路110延伸至部分发光二极管104。如图5所示，第二驱动电路110的驱动晶体管TFT_dri及电容Cst设置于基板102上。具体而言，有源层302、栅极介电层206、电极层304、介电层208、导电层306、介电层210、导电层308、介电层212、导电层310、平坦层214例如依序设置于基板102上，但不限于此。电极层304例如一部分作为驱动晶体管TFT_dri的栅极电极304G，一部分为用以夹设出电容Cst的导电层，且另一部分例如用以作为扫描线(图5未标示)。导电层306例如为用以夹设出电容的其中另一导电层。导电层308例如一部分作为驱动晶体管TFT_dri的漏极电极308D或源极电极308S，另一部分例如用以作为数据线(图5未标示)。导电层310例如为用以作为连接垫。详细而言，部分电极层304、部分介电层208及部分导电层306例如可夹出一个电容Cst，但不限于此。上述的层叠结构可视需求做适当调整，且上述的任意层可视需求被取代或删除。在一些实施例中，可视需求增加其它层别于上述结构中。在一些实施例中，基板102与有源层302之间可更包含缓冲层、阻障层或其它合适的结构，但不限于此。

在一些实施例中，有源层302可例如包含具有适当掺杂(doping)的半导体部分302’及形成于两半导体部分302’之间的通道区302c。在一些实施例中，半导体部分302’例如对应源极电极308S及漏极电极308D设置，即于Z方向上，半导体部分302’例如部分重叠于源极电极308S及漏极电极308D，但不限于此。在一些实施例中，半导体部分302’例如电性连接于源极电极308S及漏极电极308D。在一些实施例中，有源层302可包含半导体材料，例如非晶硅、多晶硅、金属氧化物或前述的组合，但不限于此。需注意的是，虽然图5(或第2A至3A)所绘示的发光二极管104连接至漏极电极，但本申请不限于此。在其它实施例，发光二极管104可例如连接至源极电极。

在一些实施例中，驱动晶体管TFT_dri的源极电极308S例如会与电容Cst电性连接。在一些实施例中，导电层310可例如作为第二输出线路110a与漏极电极308D电性连接的连接垫，但不限于此。在一些实施例中，第二驱动电路110(或第一驱动电路108)可不具有导电层310，第二输出线路110a(或第一输出电路108a)可与导电层308接触。

在一些实施例中，导电层306、导电层308及导电层310的材料可包括金属导电材料、透明导电材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，导电层306、导电层308及导电层310可包括单层导电材料、复合导电材料。在一些实施例中，导电层306、导电层308可例如为钼-铝-钼复合层(Mo/Al/Mo)。透明导电材料可包含铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、其它适合的材料或前述的组合，但不限于此。

在一些实施例中，介电层210及介电层212可作为层间介电层(inter-layerdielectric，ILD)。介电层210及平坦层214的材料可包含无机材料或有机材料，所述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。

图5所示的剖面结构示意图可对应图2A所示的电子单元10U，即第一驱动电路108与发光二极管104电性连接的情形。如图5所示，介电层202例如具有孔洞202p，孔洞202p暴露出部分第一输出线路108a，导电结构106可通过孔洞202p与第一输出线路108a电性连接。换言之，部分导电结构106例如设置(填入)于孔洞202p中与第一驱动电路108电性连接或接触，故第一驱动电路108通过导电结构106与发光二极管104电性连接，在此实施例中，第二驱动电路110的第二输出电路110a则因与导电结构106间隔有介电层202，而与导电结构106电性绝缘，故使第二驱动电路110与发光二极管104电性绝缘。

应理解的是，本申请并不限定薄膜晶体管的结构与类型，本申请的薄膜晶体管可视需求选择上栅极薄膜晶体管(Top gate thin film transistor)、下栅极薄膜晶体管(Bottom gate thin film transistor)、双栅极薄膜晶体管(Dual gate thin filmtransistor或double gate thin film transistor)，但不限于此。此外，本案的晶体管可视需求选择非晶硅(a-Si:H)晶体管、低温多晶硅晶体管(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)、氧化铟镓锌晶体管(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或其它合适的晶体管，但不限于此。

图6显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U于图3A中沿着线段A-A’的剖面结构示意图，亦即，断开第一驱动电路108与发光二极管104之间的通路，使第一驱动电路108与发光二极管104电性绝缘，而另将第二驱动电路110与发光二极管104电性连接的情况。如图6所示，介电层202具有暴露部分第二输出线路110a的孔洞202p’，且导电结构106通过孔洞202p’与第二输出线路110a电性连接，详细而言，导电结构106例如设置(填入)于孔洞202p’中，并与第二输出线路110a电性连接或接触，但不限于此。

图7显示根据本申请另一些实施例中，电子单元10U于图2B中沿着线段B-B’的剖面结构示意图，即第一驱动电路108与发光二极管104电性连接的情形。在一些实施例中，导电结构106可通过介电层202的孔洞202p与第一驱动电路108电性连接。在一些实施例中，导电结构106例如通过连接元件112与发光二极管104电性连接，即第一输出线路108a可通过导电结构106及连接元件112与发光二极管104的一端(阴极端或阳极端)电性连接，但不限于此。在一些实施例中，发光二极管104的一端(阴极端或阳极端)例如对应(或重叠)于导电结构106设置，而发光二极管104的另一端(阴极端或阳极端的另外一者)例如对应(或重叠)于导电垫201-2或线路108c，而线路108c例如连接到一电位，例如为负电位或是接地电位，可参考图2A的Vss。

需注意的是，上述附图中的源极电极与漏极电极与其它元件的连接关系仅为举例，在其它实施例中，源极电极与漏极电极可根据需求对调。

在一些实施例中，于Z方向上，导电结构106的面积可例如大于连接元件112的面积。导电结构106的面积可定义为导电结构106投影至基板102的投影面积，而连接元件112的面积可定义为连接元件112投影至基板102的投影面积。在一些实施例中，于Z方向上，导电结构106的宽度可例如大于或等于第一输出电路108a(或第二输出电路110a)。其中上述元件的宽度定义为垂直于所述元件的延伸方向上的最大宽度。

上述元件的面积可通过以光学显微镜(optical microscopy，OM)或通过其它合适的量测方法来量测。上述元件的宽度可通过光学显微镜来拍摄出画面，并量测该元件于画面中的最大宽度来定义，或者上述元件的宽度可通过其它合适的量测方法来量测。

图8显示根据本申请一些实施例中，电子装置的修复方法30的流程图。在一些实施例中，可于电子装置的修复方法30进行前、进行中及/或进行后提供额外的操作步骤。在不同的实施例中，所述的一些阶段(或步骤)可以视情况被删除或取代，或者视状况互换步骤的顺序。

电子装置的修复方法30包含提供电子装置10(步骤S31)。电子装置10可例如参考图2B(或图2C)的实施例所示的结构，即第一驱动电路108(预设驱动电路)通过导电结构106与发光二极管104电性连接，且第二驱动电路110(备用驱动电路)与发光二极管104电性绝缘。

再者，电子装置的修复方法30亦包含断开第一驱动电路108与发光二极管104之间的通路(步骤S33)。在一些实施例中，可通过断开第一驱动电路108的输出电路(第一输出电路108a)、或是断开第一输出电路108a与驱动晶体管TFT_dri之间的路径，使第一驱动电路与发光二极管104电性绝缘，但不限于上述方式。在一些实施例中，可通过激光或其它合适的方法来断开第一输出电路108a与驱动晶体管TFT_dri之间的路径。

再者，电子装置的修复方法30亦包含执行一修复步骤S将导电结构106电性连接至第二驱动电路(步骤S35)。在一些实施例中，修复步骤S可包含激光熔融制程，可例如包括移除位于导电结构106与第二输出线路110a之间的部分介电层(参考图6中的介电层202)，使导电结构106与第二输出线路110a电性连接。详细而言，如图6所示，被移除的部分介电层202可形成孔洞202p’，此时部分的导电结构106可呈现熔融状态而设置(或填入)于介电层202的孔洞202p’中，使导电结构106与第二输出线路110a接触或电性连接，使第二驱动电路110(备用驱动电路)与发光二极管104之间产生电流路径(即导通)。

在一些实施例中，电子装置的修复方法30可包含测试第二驱动电路110与发光二极管104之间的电流是否流通(步骤S37)，以及测试发光二极管104是否可正常发光(步骤S39)。上述”正常发光”例如为发光二极管104的发光亮度符合规格设计，但不限于此。

在一些实施例中，可通过电流量测仪器测试驱动电路(第一驱动电路108或第二驱动电路110)与发光二极管104之间的电流。电流量测仪器包括三用电表、多功能数字电源电表或其它合适的量测仪器。除了测试电流是否流通外，可根据实际需要，使用他它合适方法来测试发光二极管104是否可正常发光。

综上所述，本申请提供的电子装置包含预设驱动电路及备用驱动电路及导电结构，且将导电结构与预设驱动电路及备用驱动电路分别的输出线路部分重叠，可减少修复电路的繁杂步骤、或减少修复所需的时间。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

一基板；以及

一电子单元，设置于所述基板上，包括：

一发光二极管；

一导电结构，设置于所述发光二极管与所述基板之间；

一第一驱动电路，具有一第一输出线路；以及

一第二驱动电路，具有一第二输出线路；

其中所述第一驱动电路通过所述导电结构与所述发光二极管电性连接，且所述第二驱动电路与所述发光二极管电性绝缘，其中所述导电结构于所述基板的法线方向上分别与所述第一输出线路及所述第二输出线路至少部分重叠。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电子单元更包括一介电层，于所述基板的法线方向上，所述介电层设置于所述导电结构与所述第一输出线路之间，且所述介电层设置于所述导电结构与所述第二输出线路之间。

3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述介电层具有一孔洞，所述导电结构通过所述孔洞与所述第二输出线路电性连接。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导电结构设置于所述第一输出线路及所述第二输出线路上。

5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述导电结构设置于所述第一输出线路与所述基板之间，且所述导电结构设置于所述第二输出线路与所述基板之间。

6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一驱动电路及所述第二驱动电路各自具有一驱动晶体管，所述驱动晶体管包括一栅极电极、一漏极电极及一源极电极，其中所述导电结构与所述栅极电极属于同一层。

7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一驱动电路及所述第二驱动电路各自具有一驱动晶体管，所述驱动晶体管包括一栅极电极、一漏极电极及一源极电极，其中所述导电结构与所述漏极电极或所述源极电极属于同一层。

8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于所述基板的法线方向上，所述导电结构的面积与所述电子单元的面积的比值介于0.005至0.5之间。

9.一种电子装置的修复方法，其特征在于，包括：

提供一电子装置，所述电子装置包括一基板以及设置于所述基板上的一电子单元，且所述电子单元包括一发光二极管、设置于所述发光二极管与所述基板之间的一导电结构、一第一驱动电路及一第二驱动电路，所述第一驱动电路通过所述导电结构与所述发光二极管电性连接，所述第二驱动电路与所述发光二极管电性绝缘；

断开所述第一驱动电路与所述发光二极管之间的通路；以及

执行一修复步骤将所述导电结构电性连接至所述第二驱动电路，其中所述导电结构于所述基板的法线方向上与所述第二驱动电路的一输出线路至少部分重叠。

10.如权利要求9所述的电子装置的修复方法，其特征在于，执行所述修复的步骤包括一激光熔融制程。

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