CN112102737A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示面板及其制造方法，其中该显示面板包括阵列基板、第一子像素、第二子像素以及第一发光二极管。阵列基板包括第一连接垫以及第二连接垫。第一子像素包括电连接于第一连接垫的第一驱动单元。第二子像素包括电连接于第二连接垫的第二驱动单元。第一发光二极管完全重叠且物理性绝缘于第二连接垫。第一发光二极管不完全重叠且电连接于第一连接垫。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种面板及其制造方法，且特别是涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode；LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。因此，发光二极管常作为兼具省电及环保功能的主要照明光源。
然而，若显示面板的发光二极管损坏、失效或效能低落，常会造成显示品质的降低。因此，如何提升显示面板的显示品质，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制造方法，可以使显示面板具有较佳的显示品质。
本发明的显示面板包括阵列基板、第一子像素、第二子像素以及第一发光二极管。阵列基板包括第一连接垫以及第二连接垫。第一子像素包括电连接于第一连接垫的第一驱动单元。第二子像素包括电连接于第二连接垫的第二驱动单元。第一发光二极管完全重叠且物理性绝缘于第二连接垫，且第一发光二极管不完全重叠且电连接于第一连接垫。
本发明提供一种显示面板的制造方法，其包括以下步骤。提供阵列基板，其包括第一连接垫以及第二连接垫。配置第一发光二极管于该阵列基板上，且使第一发光二极管完全重叠第一连接垫且不完全重叠于第二连接垫。电连接第一发光二极管与第二连接垫。
基于上述，通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板具有较佳的显示品质。
附图说明
图1A及图1B是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图；
图1C是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分剖视示意图；
图1D是本发明的第一实施例的另一种显示面板的部分制造方法的部分剖视示意图；
图1E是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分电路示意图；
图1F至图1I是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图1J是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图；
图1K是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图1L是本发明的第一实施例的一种显示面板的部分剖视示意图；
图2是本发明的第二实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图3是本发明的第三实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图4A是本发明的第四实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图；
图4B至图4D是本发明的第四实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图5A至图5C是本发明的第五实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图5D是本发明的第五实施例的一种显示面板的部分剖视示意图；
图6是本发明的第六实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图7是本发明的第七实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图8是本发明的第八实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图9是本发明的第九实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图10是本发明的第十实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图11是本发明的第十一实施例的一种显示面板的部分上视示意图；
图12A是一物件完全重叠另一物件的立体示意图；
图12B是一物件部分重叠另一物件的立体示意图；
图12C是一物件完全不重叠另一物件的立体示意图。
符号说明
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100:显示面板
110、410、510:阵列基板
111R:第一子像素接垫
111G:第二子像素接垫
111B:第三子像素接垫
112R:第一连接垫
112G:第二连接垫
112B:第三连接垫
113、113R、113G、113B、113P、513P:共用连接垫
121、123、123P、124R、124G、124B、152G、125B、523P:连接线路D1、D1’、D6:第一方向
L1:第一距离
P1:第一像素间距
D2、D2’、D7:第二方向
L2:第二距离
P2:第二像素间距
D3、D3’、D8:第三方向
L3:第三距离
P3:第三像素间距
D4:第一尺寸方向
D5:第二尺寸方向
PU、PU1、PU2、PU3、PU4、PU5、PU6:像素区
SP1:第一子像素
130R:第一驱动单元
140R、141R、541R:第一发光二极管
SP2:第二子像素
130G:第二驱动单元
140G、141G、142G、541G:第二发光二极管
SP3:第三子像素
130B:第三驱动单元
140B、141B、142B、541B:第三发光二极管
131:开关元件
132:驱动元件
133:电容
143a、543a:第一电极
143b、543b:第一型半导体层
143c、543c:第一导线连接面
143d、543d:发光区
143e、543e:第二型半导体层
143f、543f:第二导线连接面
143g、543g:第二电极
143h、143k、543h:绝缘层
143m:导电层
118a:基板
118b、118e、118g:导电层
118c、118f、118h:绝缘层
118d、118k:开口
117a:第一信号线
117b、117c、117d:第二信号线
117e:第一电源线
117f:第二电源线
R1、R2、R3、R4:区域
X0、Y0:物件
X1、Y1、Y2、Y3、Y4:垂直投影
具体实施方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的精神或范围。
在附图中，为了清楚起见，放大了各元件等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在“另一元件上”、或“连接到另一元件”、“重叠于另一元件”时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。
在附图中，相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。
这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
本文使用的“基本上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
在电路连接示意图的绘示上尽可能地采用IEEE、IEC、GB/T、JIS及/或CNS的标准。当然，电路图符号的标准有数个，依地区而异，有些微差异，但本发明所属领域的普通技术人员应可理解其含义。
本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。
图1A及图1B是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图。图1C是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分剖视示意图。图1D是依照本发明的第一实施例的另一种显示面板的部分制造方法的部分剖视示意图。图1E是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分电路示意图。图1F至图1I是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分上视示意图。图1J是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图。图1K是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分上视示意图。图1L是依照本发明的第一实施例的一种显示面板的部分剖视示意图。
请参照图1A，提供阵列基板110。阵列基板110包括第一连接垫112R以及第二连接垫112G。
举例而言，阵列基板110可以具有像素区PU。在图1A中，仅示例性地绘示了六个像素区PU，但本发明对于像素区PU的数量并不加以限制。举例而言，像素区PU例如包括像素区PU1、像素区PU2、像素区PU3、像素区PU4、像素区PU5及像素区PU6。这些像素区PU内的构件配置方式或电路布局方式可能相同或相似。因此，为求清楚表示，并未在所有像素区PU内标示每个构件的标号。
在本实施例中，在阵列基板110的其中一个像素区PU中可以包括第一连接垫112R、第二连接垫112G、第三连接垫112B、第一子像素接垫111R、第二子像素接垫111G、第三子像素接垫111B以及至少一共用连接垫113。
在一实施例中，共用连接垫113可以包括共用连接垫113R、共用连接垫113G、共用连接垫113B以及共用连接垫113P。共用连接垫113R可以对应于第一子像素接垫111R配置，共用连接垫113G可以对应于第二子像素接垫111G配置，共用连接垫113B可以对应于第三子像素接垫111B配置，且共用连接垫113P可以对应于第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B配置。也就是说，于阵列基板110的其中一像素区PU中，共用连接垫113的数量可以为四个。举例而言，共用连接垫113可以包括共用连接垫113R、共用连接垫113G、共用连接垫113B及共用连接垫113P，但本发明不限于此。
以图1B为例，第一连接垫112R可以电连接于第一子像素接垫111R。第二连接垫112G可以电连接于第二子像素接垫111G。第三连接垫112B可以电连接于第三子像素接垫111B。
以第一连接垫112R以及第一子像素接垫111R为例，第一连接垫112R与第一子像素接垫111R可以通过对应的连接线路121R而电连接。
以图1C为例，第一连接垫112R、第一子像素接垫111R以及连接线路121可以是相同的导电层。举例而言，构成第一连接垫112R、第一子像素接垫111R以及连接线路121的导电层118b可以位于基板118a上，且前述的导电层118b可以位于绝缘层118c及基板118a之间。绝缘层118c可以具有多个开口118d，以暴露出第一连接垫112R及第一子像素接垫111R。
以图1D为例，第一连接垫112R以及第一子像素接垫111R相同的导电层，而连接线路121与第一连接垫112R以及第一子像素SP1可以是不同的导电层。举例而言，构成连接线路121的导电层118e可以位于基板118a上，且前述的导电层118e可以位于绝缘层118f及基板118a之间。构成第一连接垫112R以及第一子像素接垫111R的导电层118g可以位于绝缘层118f上，且前述的导电层118g的一部分可以贯穿绝缘层118f，以连接导电层118e。绝缘层118h可以覆盖于导电层118g上且具有多个开口118k，以暴露出第一连接垫112R及第一子像素接垫111R。
第二连接垫112G与第二子像素接垫111G可以通过对应的连接线路121G而电连接，且第二连接垫112G、第二子像素接垫111G及连接线路121G的结构或配置方式可以相同或相似于第一连接垫112R、第一子像素接垫111R及连接线路121R，故于此不加以赘述。
第三连接垫112B与第三子像素接垫111B可以通过对应的连接线路121B而电连接，且第三连接垫112B、第三子像素接垫111B及连接线路121B的结构或配置方式可以相同或相似于第一连接垫112R、第一子像素接垫111R及连接线路121R，故于此不加以赘述。
在俯视状态下(如：图1A或图1B所绘示的状态)，第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B的排列方式可以不呈一直线。举例而言，第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B可以呈三角状(delta-type)的排列方式。又举例而言，第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B彼此相连所呈现的轮廓可以是一锐角三角形(acute triangle)。
请继续参照图1A，可以配置一发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)于阵列基板110上，且使前述的发光二极管连接(可包括直接地或间接地物理性连接或电连接)于对应的子像素接垫(如：对应的第一子像素接垫111R、第二子像素接垫111G或第三子像素接垫111B)与及对应的共用连接垫113。
举例而言，请参照图1A及图1E，可以配置一第一发光二极管140R于阵列基板110上。然后，使连接线路122R连接第一子像素接垫111R及第一发光二极管140R的一端，且使连接线路123连接共用连接垫113R及第一发光二极管140R的另一端。如此一来，可以使第一发光二极管140R与对应的第一子像素接垫111R与共用连接垫113R连接。
举例而言，请参照图1A及图1E，可以配置一第二发光二极管140G于阵列基板110上。然后，使连接线路122G连接第二子像素接垫111G及第二发光二极管140G的一端，且使连接线路123连接共用连接垫113G及第二发光二极管140G的另一端。如此一来，可以使第二发光二极管140G与对应的第二子像素接垫111G与共用连接垫113G连接。
举例而言，请参照图1A及图1E，可以配置一第三发光二极管140B于阵列基板110上。然后，使连接线路122B连接第三子像素接垫111B及第三发光二极管140B的一端，且使连接线路123连接共用连接垫113B及第三发光二极管140B的另一端。如此一来，可以使第三发光二极管140B与对应的第三子像素接垫111B与共用连接垫113B连接。
值得注意的是，在本发明中并未限定第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的配置顺序。
在本实施例中，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B的可发光颜色可以彼此不同。举例而言，第一发光二极管140R可能可以被驱动而发出红色光，第二发光二极管140G可能可以被驱动而发出绿色光，且/或第三发光二极管140B可能可以被驱动而发出蓝色光，但本发明不限于此。
请参照图1E，在本实施例中，阵列基板110可以还包括驱动单元(如：第一驱动单元130R、第二驱动单元130G或第三驱动单元130B)及电连接于前述的驱动单元的第一信号线117a以及第二信号线117b、117c或117d。发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)可以通过而对应的子像素接垫(如：对应的第一子像素接垫111R、第二子像素接垫111G或第三子像素接垫111B)而电连接至对应的驱动单元。
举例来说，各个像素区PU(如：像素区PU1、像素区PU2、像素区PU3、像素区PU4、像素区PU5及像素区PU6)可以更包括第一子像素SP1、第二子像素SP2及第三子像素SP3。第一子像素SP1至少包括第一驱动单元130R。第二子像素SP2至少包括第二驱动单元130G。第三子像素SP3至少包括第三驱动单元130B。阵列基板110可以还包括第一信号线117a、第二信号线117b、117c、117d、第一电源线117e以及第二电源线117f。第一驱动单元130R、第二驱动单元130G及第三驱动单元130B可以电连接于第一信号线117a。第一驱动单元130R、第二驱动单元130G及第三驱动单元130B可以电连接于第一电源线117e。第一驱动单元130R可以电连接于一第二信号线117b，第二驱动单元130G可以电连接于另一第二信号线117c，且第三驱动单元130B可以电连接于又一第二信号线117d。
在一实施例中，第一信号线(如：第一信号线117a)可以被称为扫描线(scanline)，且第二信号线(如：第二信号线117b、117c、117d)可以被称为数据线(data line)。在一实施例中，不同的像素区之间(如：像素区PU1、像素区PU2、像素区PU3、像素区PU4、像素区PU5及像素区PU6的其中两者之间)可以通过连接于不同的第一信号线及/或第二信号线而被区分。举例而言，像素区PU1与像素区PU2可以连接于不同的第二信号线。再举例而言，像素区PU1与像素区PU6可以连接于不同的第一信号线。又举例而言，像素区PU1与像素区PU5可以连接于不同的第一信号线及不同的第二信号线。
在本实施例中，子像素(如：第一子像素SP1、第二子像素SP2或第三子像素SP3)的驱动单元(如：第一驱动单元130R、第二驱动单元130G或第三驱动单元130B)可以包括开关元件131、驱动元件132与电容133，而可以被简称为二个主动元件与一个电容(可表示为2T1C)。在其他实施例中，子像素也可还包含其他的主动元件，且驱动单元中所包含的开关元件131、驱动元件132以及其他的主动元件与电容的个数可依设计变更，而可例如被简称为三个主动(有源)元件和一个或两个电容(可表示为3T1C/2C)、四个主动元件和一个或两个电容(可表示为4T1C/2C)、五个主动元件和一个或两个电容(可表示为5T1C/2C)、六个主动元件和一个或两个电容(可表示为6T1C/2C)、或是其他适合的电路配置。
在一实施例中，开关元件131、驱动元件132其中至少一者可采用薄膜晶体管(TFT)，例如底栅型晶体管、顶栅型晶体管、立体型晶体管、或其它适宜的晶体管。底栅型的晶体管的栅极或位于半导体层(未绘示)的下方，顶栅型晶体管的栅极或位于半导体层(未绘示)的上方，而立体型晶体管之半导体层通道(未绘示)延伸非位于一平面。
在驱动单元(如：第一驱动单元130R、第二驱动单元130G或第三驱动单元130B)的操作上，通过对应的第一信号线(如：第一信号线117a)与对应的第二信号线(如：第二信号线117b、117c、117d)所传递的信号，可以致能(enable)对应的驱动单元，以允许第一电源线(如：第一电源线117e)所提供的驱动电位至对应的发光二极管。
以第一子像素SP1及对应的第一发光二极管140R为例，开关元件131的栅极电连接至对应的第一信号线117a，开关元件131的源极电连接至对应的第二信号线117b，开关元件131的漏极电连接至驱动元件132的栅极，驱动元件132的源极电连接至第一电源线117e。通过第一信号线117a与第二信号线117b所传递的信号，可以使开关元件131控制驱动元件132的开启(导通)与关闭(断路)。当驱动元件132为开启(导通)的情形下，驱动元件132可以允许其源极传递第一电源线117e所提供的驱动电位至其漏极，以允许第一发光二极管140R可能可以被驱动而发光。
其他子像素(如：第二子像素SP2或第三子像素SP3)及对应于其的发光二极管(如：第二发光二极管140G或第三发光二极管140B)的配置或驱动方式可以相同或相似于第一子像素SP1及对应于其的第一发光二极管140R，故于此不加以赘述。
在本实施例中，并未限定第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B为已知合格芯片(known good die；KGD)。也就是说，在一可能的实施例中，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的其中之一可能会有损坏、失效或效能低落的状况。换句话说，若发光二极管具有无法预期的损坏、失效或效能低落的状况，纵使通过上述的配置方式驱动发光二极管，仍可能不会具有预期的发光或发光亮度。因此，在配置对应的发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)之后，可以对前述配置后的发光二极管进行测试步骤或检测步骤。
测试步骤可以相同或相似于一般常用的测试步骤，检测步骤可以相同或相似于一般常用的检测步骤，故于此不详细地说明。简单地举例来说，可以通过驱动单元驱动对应的发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)，以确认前述被驱动的发光二极管是否具有预期的发光或发光亮度。又简单地举例来说，可以通过外观检测(如：光学显微镜(Optical microscope；OM)检测)，以确认被检测的发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)外观是否正常。
在经由前述的测试步骤或检测步骤之后，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补。前述的修补方式，可以包括：配置一发光二极管(如：第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的至少其中之一)于阵列基板110上，且使前述的发光二极管完全重叠一连接垫(如：第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一)且不完全重叠于另一连接垫(如：第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一)。并且，电连接前述的发光二极管与前述的另一连接垫。
前述的修补方式详述并举例如下。
<以修补像素区PU1为例>
举例来说，请参照图1A、图1F、图1G及图1L，其中图1F可以是至少对图1A中的结构的部分像素区PU1进行修补的部分上视示意图，图1G可以是图1F中区域R1的放大上视示意图，且图1L可以是图1G中A-A’剖线上的剖视示意图。另外，在图1G及图1L中，部分的构件可能不会位于A-A’剖线的剖面上。但为容易地表示或说明，仍可能绘示出部分的构件于剖面上的投影。举例来说，第一连接垫112R并不位于图1G中的A-A’剖线上，但为容易地表示或说明，仍将第一连接垫112R投影于剖面上的位置绘示于图1L中。
在本实施例中，在对配置于像素区PU1中的第二发光二极管140G进行测试步骤或检测步骤之后，若第二发光二极管140G被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第二发光二极管141G。第二发光二极管141G的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第二发光二极管140G的颜色或亮度。第二发光二极管141G完全重叠第三连接垫112B及第一连接垫112R，且第二发光二极管140G不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第二连接垫112G。然后，可以使第二连接垫112G及第二发光二极管141G的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第二发光二极管141G的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第二发光二极管140G的驱动方式，可以允许第二发光二极管141G可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第二发光二极管141G可以是水平式(lateral)发光二极管。举例而言，第二发光二极管141G可以包括第一电极143a、第一型半导体层143b、发光区143d、第二型半导体层143e、第二电极143g以及绝缘层143h。发光区143d位于第一型半导体层143b以及第二型半导体层143e之间。第一型半导体层143d具有第一导线连接面143c。第二型半导体层143e具有第二导线连接面143f。第一型半导体层143b的第一导线连接面143c与第二型半导体层143e的第二导线连接面143f基本上面向相同的方向。第一电极143a位于第一型半导体层143b的第一导线连接面143c上且电连接至第一型半导体层143b。第二电极143g位于第二型半导体层143e的第二导线连接面143f上且电连接至第二型半导体层143e。绝缘层143h覆盖第一电极143a、第一型半导体层143b、发光区143d、第二型半导体层143e以及第二电极143g，且绝缘层143h可以暴露出部分的第一电极143a及部分的第二电极143g。
在本实施例中，第一型半导体层143b为N型(N-type)半导体层，且第二型半导体层143e为P型(P-type)半导体层，但本发明不限于此。N型(N-type)半导体层的材料例如是具有IVA族元素(如：硅)掺杂的N型氮化镓(n-GaN)，P型半导体层的材料例如是具有IIA族元素(如：镁)掺杂的P型氮化镓(p-GaN)，但本发明不限于此。发光区143d例如具有多层量子阱(Multiple Quantum Well；MQW)结构。多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层(quantum well)和多个量子阻障层(quantum barrier)。进一步来说，发光区143d的材料例如是包括交替堆叠的多层氮化铟镓以及多层氮化镓(InGaN/GaN)，通过设计发光区中铟或镓的比例，可使发光区发出不同的发光波长范围。第一型半导体层143b、发光区143d及第二型半导体层143e例如可以有机金属气相沉积法(Metal-organic ChemicalVapor Deposition；MOCVD)形成。值得注意的是，关于上述的第一型半导体层143b、发光区143d或第二型半导体层143e的材质或形成方式仅为举例，本发明并不以此为限。举例来说，发光区143d也可以为第一型半导体层143b及第二型半导体层143e所构成的发光界面(light emitting interface)。换句话说，通过调整发光区143d的材料、组成、结构或参杂浓度，可以使第二发光二极管140G具有对应的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124G可以覆盖第二发光二极管141G，以通过连接线路124G连接第二连接垫112G及第二发光二极管140G的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路123P可以覆盖第二发光二极管141G，以通过连接线路123P连接共用连接垫113P及第二发光二极管141G的另一端，但本发明不限于此。举例而言，第二发光二极管141G可以通过连接线路123P及连接线路123电连接至共用连接垫113P。
在本实施例中，第二发光二极管141G与阵列基板110之间可以具有绝缘层143k。绝缘层143k可以是沉积(deposit)于第一型半导体层143b上的无机绝缘层；或是，绝缘层143k可以是涂布或粘贴于第一型半导体层143b上的有机绝缘层，但本发明不限于此。第二发光二极管140G可以通过绝缘层143k以物理分离或电性绝缘于第三连接垫112B及第一连接垫112R。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管141G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在像素区PU1的范围内，在通过第二发光二极管141G以修补、替换或取代第二发光二极管140G后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板100具有较佳的显示品质。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管，且/或位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管141G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管。
<以修补像素区PU2为例>
举例来说，请参照图1A、图1F及图1H，其中图1F可以是至少对图1A中的结构的部分像素区PU2进行修补的部分上视示意图，图1H可以是图1F中区域R2的放大上视示意图，
在本实施例中，在对配置于像素区PU2中的第一发光二极管140R进行测试步骤或检测步骤之后，若第一发光二极管140R被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第一发光二极管141R。第一发光二极管141R的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第一发光二极管140R的颜色或亮度。第一发光二极管141R完全重叠第二连接垫112G及第三连接垫112B，且第一发光二极管140R不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第一连接垫112R。然后，可以使第一连接垫112R及第一发光二极管140R的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第一发光二极管141R的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第一发光二极管140R的驱动方式，可以允许第一发光二极管141R可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第一发光二极管141R可以是类似于第二发光二极管141G的水平式发光二极管。差别在于：第一发光二极管141R的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度不同于第二发光二极管141G的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度。如此一来，可以使第一发光二极管141R可以具有不同于第二发光二极管141G的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124R可以覆盖第一发光二极管141R，以通过连接线路124R连接第一连接垫112R及第一发光二极管141R的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路123P可以覆盖第一发光二极管141R，以通过连接线路123P连接共用连接垫113P及第一发光二极管141R的另一端，但本发明不限于此。举例而言，第一发光二极管141R可以通过连接线路123P及连接线路123电连接至共用连接垫113P。
在本实施例中，第一发光二极管141R与阵列基板110之间可以具有绝缘层(未绘示，如：类似于第二发光二极管141G与阵列基板110之间的绝缘层143k)。第一发光二极管141R可以通过前述的绝缘层以物理分离或电性绝缘于第二连接垫112G及第三连接垫112B。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU2内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于位于像素区PU2内的第一发光二极管141R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在像素区PU2的范围内，在通过第一发光二极管141R以修补、替换或取代第一发光二极管140R后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板100具有较佳的显示品质。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU2内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管，且/或位于像素区PU2内的第一发光二极管141R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管。
<以修补像素区PU3为例>
举例来说，请参照图1A、图1F及图1I，其中图1F可以是至少对图1A中的结构的部分像素区PU3进行修补的部分上视示意图，图1I可以是图1F中区域R3的放大上视示意图。
在本实施例中，在对配置于像素区PU3中的第三发光二极管140B进行测试步骤或检测步骤之后，若第三发光二极管140B被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第三发光二极管141B。第三发光二极管141B的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第三发光二极管140B的颜色或亮度。第三发光二极管141B完全重叠第一连接垫112R及第二连接垫112G，且第三发光二极管141B不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第三连接垫112B。然后，可以使第三连接垫112B及第三发光二极管141B的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第三发光二极管141B的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第三发光二极管140B的驱动方式，可以允许第三发光二极管141B可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第三发光二极管141B可以是类似于第一发光二极管141R或第二发光二极管141G的水平式发光二极管。差别在于：第三发光二极管141B的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度不同于第一发光二极管141R或第二发光二极管141G的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度。如此一来，可以使第三发光二极管141B可以具有不同于第一发光二极管141R或第二发光二极管141G的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124B可以覆盖第三发光二极管141B，以通过连接线路124B连接第三连接垫112B及第三发光二极管141B的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路123P可以覆盖第三发光二极管141B，以通过连接线路123P连接共用连接垫113P及第三发光二极管141B的另一端，但本发明不限于此。举例而言，第三发光二极管141B可以通过连接线路123P及连接线路123电连接至共用连接垫113P。
在本实施例中，第三发光二极管141B与阵列基板110之间可以具有绝缘层(未绘示，如：类似于第二发光二极管141G与阵列基板110之间的绝缘层143k)。第三发光二极管141B可以通过前述的绝缘层以物理分离或电性绝缘于第一连接垫112R及第二连接垫112G。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU3内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于位于像素区PU3内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管141B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在像素区PU3的范围内，在通过第三发光二极管141B以修补、替换或取代第三发光二极管140B后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板100具有较佳的显示品质。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管，且/或位于像素区PU1内的第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管141B彼此相连所呈现的轮廓内不具有其他的发光二极管。
<以修补像素区PU4为例>
举例来说，请参照图1A、图1F、图1J及图1K，其中图1F可以是至少对图1A中的结构的部分像素区PU4进行修补的部分上视示意图，图1J可以是对应于图1F中区域R4的显示面板的部分制造方法的部分上视示意图，图1K可以是图1F中区域R4的放大上视示意图。
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第二发光二极管140G及第三发光二极管140B进行测试步骤或检测步骤之后，若第二发光二极管140G及第三发光二极管140B被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第二发光二极管142G及另一第三发光二极管142B。第二发光二极管142G的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第二发光二极管140G的颜色或亮度。第三发光二极管142B的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第三发光二极管140B的颜色或亮度。第二发光二极管142G完全重叠第一连接垫112R，且第二发光二极管142G不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第二连接垫112G，且第二发光二极管142G完全不重叠于第三连接垫112B。第三发光二极管142B不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第三连接垫112B，且第三发光二极管142B完全不重叠于第二连接垫112G。然后，可以使第二连接垫112G及第二发光二极管142G的一端电连接，可以使第三连接垫112B及第三发光二极管142B的一端电连接，且可以使共用连接垫113P、第二发光二极管142G的另一端及第三发光二极管142B的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第二发光二极管140G的驱动方式，可以允许第二发光二极管142G可能可以被驱动而发光；且，通过相同或相似于对第三发光二极管140B的驱动方式，可以允许第三发光二极管142B可能可以被驱动而发光。
请参照图1J至图1K。举例而言，如图1J所示，可以先在第二发光二极管142G及第三发光二极管142B上形成导电层143m。然后，可以通过激光切割技术(laser cuttingtechnology)移除部分的导电层143m(标示于图1J)，以形成如图1K所示的连接线路125G及连接线路125B。连接线路125G及连接线路125B可以彼此物理分离或电性绝缘。连接线路125G可以覆盖第二发光二极管142G，以通过连接线路125G连接第二连接垫112G及第二发光二极管142G的一端。连接线路125B可以覆盖第三发光二极管142B，以通过连接线路125B连接第三连接垫112B及第三发光二极管142B的一端。
在本实施例中，连接线路123P可以覆盖第二发光二极管142G及第三发光二极管142B，以通过连接线路123P连接共用连接垫113P、第二发光二极管142G的另一端及第三发光二极管142B的另一端，但本发明不限于此。举例而言，第二发光二极管142G及第三发光二极管142B可以通过连接线路123P及连接线路123电连接至共用连接垫113P。
在本实施例中，第二发光二极管142G与阵列基板110之间可以具有绝缘层(未绘示，如：类似于第二发光二极管141G与阵列基板110之间的绝缘层143k)。第二发光二极管142G可以通过前述的绝缘层以物理分离或电性绝缘于第一连接垫112R。
在本实施例中，在同一像素区PU内，第一连接垫112R与第二连接垫112G之间的连线具有第一距离L1(标示于图1B)，第二连接垫112G与第三连接垫112B之间的连线具有第二距离L2(标示于图1B)，第三连接垫112B与第一连接垫112R之间的连线具有第三距离L3(标示于图1B)，第一发光二极管140R与第二发光二极管140G之间的连线具有第一像素间距P1(可以被视为第一子像素SP1与第二子像素SP2之间的距离；标示于图1A)，第二发光二极管140G与第三发光二极管140B之间的连线具有第二像素间距P2(可以被视为第二子像素SP2与第三子像素SP3之间的距离；标示于图1A)，第三发光二极管140B与第一发光二极管140R之间的连线具有第三像素间距P3(可以被视为第三子像素SP3与第一子像素SP1之间的距离；标示于图1A)，且第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3小于第一像素间距P1、第二像素间距P2及第三像素间距P3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以使第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的至少其中之一较容易被配置。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以使第二发光二极管142G及第三发光二极管142B较容易被配置。
在本实施例中，第一连接垫112R与第二连接垫112G之间的连线具有第一方向D1，第二连接垫112G与第三连接垫112B之间的连线具有第二方向D2，第三连接垫112B与第一连接垫112R之间的连线具有第三方向D3，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B的最小尺寸处具有第一尺寸方向D4，且第一方向D1、第二方向D2及第三方向D3的其中之一基本上平行于第一尺寸方向D4。举例而言，在俯视状态下(如：图1F所绘示的状态)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B的外观轮廓基本上可以相同或相似于矩形(rectangle)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的宽度处具有第一尺寸方向D4，且第三方向D3基本上平行于第一尺寸方向D4。在一实施例中，第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的最小尺寸处具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行于第一尺寸方向D4。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以使第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的至少其中之一的配置方向(replaced orientation)相同或相似于第三发光二极管140B的配置方向，而可以使连接线路123P的布线设计(layout design)上较为简单。
在本实施例中，在一方向(如：第二尺寸方向D5)上，第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的最大尺寸大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的其中之一时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
通过上述的布线设计(layout design)、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板100具有较佳的显示品质。
图2是依照本发明的第二实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图2省略绘示部分的膜层或构件。第二实施例的显示面板200与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第二实施例的显示面板200的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，第一连接垫112R与第二连接垫112G之间的连线具有第一方向D1’，第二连接垫112G与第三连接垫112B之间的连线具有第二方向D2’，第三连接垫112B与第一连接垫112R之间的连线具有第三方向D3’，且第一方向D1’、第二方向D2’及第三方向D3’的其中之一基本上平行于第一尺寸方向D4。举例而言，在俯视状态下(如：类似于图1F所绘示的状态)，第二方向D2’基本上平行于第一尺寸方向D4。在一实施例中，第一发光二极管141R、第二发光二极管141G及第三发光二极管141B的最小尺寸处具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行于第一尺寸方向D4。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以使第一发光二极管141R、第二发光二极管141G或第三发光二极管141B的至少其中之一的配置方向(replaced orientation)相同或相似于第三发光二极管140B的配置方向，而可以使连接线路123P的布线设计(layout design)上较为简单。
通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板200具有较佳的显示品质。
图3是依照本发明的第三实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图3省略绘示部分的膜层或构件。第三实施例的显示面板300与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第三实施例的显示面板300的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：类似于图3所绘示的状态)，部分的连接线路121可以位于第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B的其中两者之间。以图3为例，用于连接第二连接垫112G的连接线路121G可以位于第一连接垫112R及第三连接垫112B之间。
通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板300具有较佳的显示品质。
图4A是依照本发明的第四实施例的一种显示面板的部分制造方法的部分上视示意图。图4B至图4D是依照本发明的第四实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图4A至图4D省略绘示部分的膜层或构件。第四实施例的显示面板400与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第四实施例的显示面板400的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
请参照图4A，在本实施例中，在阵列基板410的其中一个像素区PU中可以包括第一连接垫112R、第二连接垫112G、第三连接垫112B、第一子像素接垫111R、第二子像素接垫111G、第三子像素接垫111B以及至少一共用连接垫113。第一连接垫112R与第二连接垫112G之间的连线具有第一方向D6，第二连接垫112G与第三连接垫112B之间的连线具有第二方向D7，第三连接垫112B与第一连接垫112R之间的连线具有第三方向D8，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的最小尺寸处具有第一尺寸方向D4，且第一方向D6、第二方向D7及第三方向D8的其中之一基本上垂直于第一尺寸方向D4。举例而言，在俯视状态下(如：图4A所绘示的状态)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B的外观轮廓基本上可以相同或相似于长方型，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的宽度处具有第一尺寸方向D4，且第三方向D8基本上垂直于第一尺寸方向D4。在一实施例中，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的最小尺寸处具有第二尺寸方向D5，且第二尺寸方向D5基本上平行于第一尺寸方向D4。
在本实施例中，在经由前述的测试步骤或检测步骤之后，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而修补方式可以相同或相似于前述的修补方式，故不详述。并且，对于本实施例的修补方式简述并举例如下。
<以修补第一发光二极管140R为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第一发光二极管140R进行测试步骤或检测步骤之后，若第一发光二极管140R被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第一发光二极管141R。第一发光二极管141R的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第一发光二极管140R的颜色或亮度。第一发光二极管141R完全重叠第二连接垫112G及第三连接垫112B，且第一发光二极管141R不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第一连接垫112R。然后，可以使第一连接垫112R及第一发光二极管141R的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第一发光二极管141R的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第一发光二极管140R的驱动方式，可以允许第一发光二极管141R可能可以被驱动而发光。
<以修补第二发光二极管140G为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第二发光二极管140G进行测试步骤或检测步骤之后，若第二发光二极管140G被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第二发光二极管141G。第二发光二极管141G的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第二发光二极管140G的颜色或亮度。第二发光二极管141G完全重叠第三连接垫112B及第一连接垫112R，且第二发光二极管141G不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第二连接垫112G。然后，可以使第二连接垫112G及第二发光二极管140G的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第二发光二极管141G的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第二发光二极管140G的驱动方式，可以允许第二发光二极管141G可能可以被驱动而发光。
<以修补第三发光二极管140B为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第三发光二极管140B进行测试步骤或检测步骤之后，若第三发光二极管140B被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第三发光二极管141B。第三发光二极管141B的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第三发光二极管140B的颜色或亮度。第三发光二极管141B完全重叠第一连接垫112R及第二连接垫112G，且第三发光二极管141B不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第三连接垫112B。然后，可以使第三连接垫112B及第三发光二极管141B的一端电连接，且可以使共用连接垫113P及第三发光二极管141B的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第三发光二极管140B的驱动方式，可以允许第三发光二极管141B可能可以被驱动而发光。
通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板400具有较佳的显示品质。
图5A至图5C是依照本发明的第五实施例的一种显示面板的部分上视示意图。图5D是依照本发明的第五实施例的一种显示面板的部分剖视示意图。举例来说，图5D可以是图5A中B-B’剖线上的剖视示意图。为求清晰，图5A至图5D省略绘示部分的膜层或构件。第五实施例的显示面板500与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第五实施例的显示面板500的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在阵列基板510的其中一像素区PU中可以包括第一连接垫112R、第二连接垫112G、第三连接垫112B、第一子像素接垫111R、第二子像素接垫111G、第三子像素接垫111B以及至少一共用连接垫113。共用连接垫113可以包括共用连接垫513P。共用连接垫513P可以对应于第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B配置。在俯视状态下(如：图5A所绘示的状态)，共用连接垫113可以位于第一连接垫112R、第二连接垫112G及第三连接垫112B彼此相连所呈现的轮廓内。
在本实施例中，在经由前述的测试步骤或检测步骤之后，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而修补方式可以相同或相似于前述的修补方式，故不详述。并且，对于本实施例的修补方式简述并举例如下。
<以修补第一发光二极管140R为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第一发光二极管140R进行测试步骤或检测步骤之后，若第一发光二极管140R被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第一发光二极管541R。第一发光二极管541R的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第一发光二极管140R的颜色或亮度。第一发光二极管541R完全重叠第二连接垫112G、第三连接垫112B及共用连接垫513P，且第一发光二极管541R不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第一连接垫112R。然后，可以使第一连接垫112R及第一发光二极管541R的一端电连接，且可以使共用连接垫513P及第一发光二极管541R的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第一发光二极管140R的驱动方式，可以允许第一发光二极管541R可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第一发光二极管541R可以是垂直式(vertical)发光二极管。举例而言，第一发光二极管541R可以包括第一电极543a、第一型半导体层543b、发光区543d、第二型半导体层543e、第二电极543g以及绝缘层543h。发光区543d位于第一型半导体层543b以及第二型半导体层543e之间。第一型半导体层543b具有第一导线连接面543c。第二型半导体层543e具有第二导线连接面543f。第一型半导体层543b的第一导线连接面543c与第二型半导体层543e的第二导线连接面543f基本上面向相反的方向。第一电极543a位于第一型半导体层543b的第一导线连接面543c上且电连接至第一型半导体层543b。第二电极543g位于第二型半导体层543e的第二导线连接面543f上且电连接至第二型半导体层543e。绝缘层543h覆盖第一电极543a、第一型半导体层543b、发光区543d、第二型半导体层543e以及第二电极543g，且绝缘层543h可以暴露出部分的第一电极543a及部分的第二电极543g。通过调整发光区543d的材料、组成、结构或参杂浓度，可以使第一发光二极管541R具有对应的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124R可以覆盖第一发光二极管541R，以通过连接线路124R连接第一连接垫112R及第一发光二极管541R的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路523P可以位于第一发光二极管541R与共用连接垫513P之间，以通过连接线路523P连接共用连接垫513P及第一发光二极管541R的另一端。在一实施例中，连接线路523P的材质可以包括焊料。
在本实施例中，在俯视状态下(如：类似于图1F所绘示的状态)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于第一发光二极管541R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在一像素区PU的范围内，在通过第一发光二极管541R以修补、替换或取代第一发光二极管140R后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板具有较佳的显示品质。
<以修补第二发光二极管140G为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第二发光二极管140G进行测试步骤或检测步骤之后，若第二发光二极管140G被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第二发光二极管541G。第二发光二极管541G的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第二发光二极管140G的颜色或亮度。第二发光二极管541G完全重叠第三连接垫112B、第一连接垫112R及共用连接垫513P，且第二发光二极管541G不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第二连接垫112G。然后，可以使第二连接垫112G及第二发光二极管541G的一端电连接，且可以使共用连接垫513P及第二发光二极管541G的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第二发光二极管140G的驱动方式，可以允许第二发光二极管541G可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第二发光二极管541G可以是类似于第一发光二极管541R的垂直式发光二极管。差别在于：第二发光二极管541G的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度不同于第一发光二极管541R的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度。如此一来，可以使第二发光二极管541G可以具有不同于第一发光二极管541R的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124G可以覆盖第二发光二极管541G，以通过连接线路124R连接第二连接垫112G及第二发光二极管541G的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路(如：类似于连接线路523P的连接线路)可以位于第二发光二极管541G与共用连接垫513P之间，以通过前述的连接线路连接共用连接垫513P及第二发光二极管541G的另一端。
在本实施例中，在俯视状态下(如：类似于图1F所绘示的状态)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于第一发光二极管140R、第二发光二极管541G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在一像素区PU的范围内，在通过第二发光二极管541G以修补、替换或取代第二发光二极管140G后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板具有较佳的显示品质。
<以修补第三发光二极管140B为例>
在本实施例中，在对配置于阵列基板110上的第三发光二极管140B进行测试步骤或检测步骤之后，若第三发光二极管140B被认为不具有预期的发光，则可以于阵列基板110上配置另一第三发光二极管541B。第三发光二极管541B的可发光颜色或亮度基本上可以相同或相似于原预期的第三发光二极管140B的颜色或亮度。第三发光二极管541B完全重叠第一连接垫112R、第二连接垫112G及共用连接垫513P，且第三发光二极管541B不完全重叠(如：部分重叠或完全不重叠)于第三连接垫112B。然后，可以使第三连接垫112B及第三发光二极管541B的一端电连接，且可以使共用连接垫513P及第三发光二极管541B的另一端电连接。如此一来，通过相同或相似于对第三发光二极管140B的驱动方式，可以允许第三发光二极管541B可能可以被驱动而发光。
在本实施例中，第三发光二极管541B可以是类似于第一发光二极管541R或第二发光二极管541G的垂直式发光二极管。差别在于：第三发光二极管541B的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度不同于第一发光二极管541R或第二发光二极管541G的发光区的材料、组成、结构或参杂浓度。如此一来，可以使第三发光二极管541B可以具有不同于第一发光二极管541R或第二发光二极管541G的可发光颜色。
在本实施例中，连接线路124B可以覆盖第三发光二极管541B，以通过连接线路124B连接第三连接垫112B及第三发光二极管541B的一端，但本发明不限于此。
在本实施例中，连接线路(如：类似于连接线路523P的连接线路)可以位于第三发光二极管541B与共用连接垫513P之间，以通过前述的连接线路连接共用连接垫513P及第三发光二极管541B的另一端。
在本实施例中，在俯视状态下(如：类似于图1F所绘示的状态)，第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管140B彼此相连所呈现的轮廓可以相似于第一发光二极管140R、第二发光二极管140G及第三发光二极管541B彼此相连所呈现的轮廓。也就是说，在一像素区PU的范围内，在通过第三发光二极管541B以修补、替换或取代第三发光二极管140B后，在视觉上的差异可以不会太明显，而可以使显示面板500具有较佳的显示品质。
通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板500具有较佳的显示品质。
图6是依照本发明的第六实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图6省略绘示部分的膜层或构件。第六实施例的显示面板600与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第六实施例的显示面板600的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图6所绘示的状态)，发光二极管640的外观轮廓基本上可以相同或相似于六角形(hexagonal)。并且，在一方向640a上，发光二极管640的一尺寸640b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向640a上，发光二极管640的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管640时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管640的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管640可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
图7是依照本发明的第七实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图7省略绘示部分的膜层或构件。第七实施例的显示面板700与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第七实施例的显示面板700的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图7所绘示的状态)，发光二极管740的外观轮廓基本上可以相同或相似于圆形(circle)、椭圆型(Oval)或其他具有弧状(arc)的形状。并且，在一方向740a上，发光二极管740的一尺寸740b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向740a上，发光二极管740的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管740时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管740的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管740可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
图8是依照本发明的第八实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图8省略绘示部分的膜层或构件。第八实施例的显示面板800与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第八实施例的显示面板800的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图8所绘示的状态)，发光二极管840的外观轮廓基本上可以相同或相似于菱形(diamond)。并且，在一方向840a上，发光二极管840的一尺寸840b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向840a上，发光二极管840的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管840时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管840的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管840可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
图9是依照本发明的第九实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图9省略绘示部分的膜层或构件。第九实施例的显示面板900与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第九实施例的显示面板900的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图9所绘示的状态)，发光二极管940的外观轮廓基本上可以相同或相似于十字形(Cross)。并且，在一方向940a上，发光二极管940的一尺寸940b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向940a上，发光二极管940的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管940时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管940的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管940可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
图10是依照本发明的第十实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图10省略绘示部分的膜层或构件。第十实施例的显示面板1000与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第十实施例的显示面板1000的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图10所绘示的状态)，发光二极管1040的外观轮廓基本上可以相同或相似于箭形(Arrow)。并且，在一方向1040a上，发光二极管1040的一尺寸1040b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向1040a上，发光二极管1040的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管1040时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管1040的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管1040可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
图11是依照本发明的第十一实施例的一种显示面板的部分上视示意图。为求清晰，图11省略绘示部分的膜层或构件。第十一实施例的显示面板1100与第一实施例的显示面板100类似。因此，在第十一实施例的显示面板1100的说明或附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的构件，故针对第一实施例中说明过的构件于此不再赘述。
在本实施例中，在俯视状态下(如：图11所绘示的状态)，发光二极管1140的外观轮廓基本上可以相同或相似于梯形(Trapezoid)。并且，在一方向1140a上，发光二极管1140的一尺寸1140b大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。也就是说，在方向1140a上，发光二极管1140的最大尺寸可以大于第一距离L1、第二距离L2及第三距离L3。在一实施例中，通过上述的配置方式，可以在配置发光二极管1140时，较容易完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中之一，且不完全重叠于第一连接垫112R、第二连接垫112G或第三连接垫112B的其中另一。
发光二极管1140的配置方式可以相同或相似于前述的第一发光二极管141R或541R、第二发光二极管141G或541G或第三发光二极管141B或541B。举例而言，发光二极管1140可以完全重叠于第一连接垫112R及第三连接垫112B，且不完全重叠于第二连接垫112G。
前述实施例中，如未特别限定或说明，发光二极管(如：第一发光二极管140R、第二发光二极管140G或第三发光二极管140B的至少其中之一)的尺寸例如小于100微米，较佳地，小于50微米，但大于0微米。微型发光元件可例如是有机发光元件或无机发光元件，较佳地，可为无机发光元件，但不限于此。微型发光元件的结构可为P-N二极管、P-I-N二极管、或其它适宜的结构。微型发光元件的类型可以是垂直式微型发光元件、水平式微型发光元件或者是倒装式微型发光元件。微型发光元件可为有机材料(例如：有机高分子发光材料、有机小分子发光材料、有机配合物发光材料、或其它适宜的材料、或前述材料的组合)、无机材料(例如：钙钛矿材料、稀土离子发光材料、稀土荧光材料、半导体发光材料、或其它适宜的材料、或前述材料的组合)、或其它适宜的材料、或前述材料的组合。
前述实施例中，导电层可为单层或多层结构。而若为多层结构的导电层，则前述的多层结构之间可以不具有绝缘材质。
前述实施例中，绝缘层可为单层或多层结构。而若为多层结构的绝缘层，则前述的多层结构之间可以不具有导电材质。
前述实施例中，术语「第一」、「第二」和「第三」等可以用于描述不同的元素，但这些元素不应被这些术语限制。这些术语仅用于将元素彼此区分。
以图1E、图1F及1G为例，显示面板100包括阵列基板110。阵列基板110具有第二连接垫112G(可被称为：第一连接垫)、第三连接垫112B(可被称为：第二连接垫)及第一连接垫112R(可被称为：第三连接垫)。第二连接垫112G(可被称为：第一连接垫)电连接于第二驱动单元130G(可被称为：第一驱动单元)。第三连接垫112B(可被称为：第二连接垫)电连接于第三驱动单元130B(可被称为：第二驱动单元)。第一连接垫112R(可被称为：第三连接垫)电连接于第一驱动单元130R(可被称为：第三驱动单元)。第二发光二极管141G(可被称为：第一发光二极管)完全重叠且物理性绝缘(physically isolated from)于第三连接垫112B或第一连接垫112R(至少其中之一可被称为：第二连接垫)。第二发光二极管141G(可被称为：第一发光二极管)不完全重叠且电连接于第二连接垫112G(可被称为：第一连接垫)。
以图1E、图1F及1H为例，显示面板100包括阵列基板110。阵列基板110具有第一连接垫112R(可被称为：第一连接垫)、第二连接垫112G(可被称为：第二连接垫)及第三连接垫112B(可被称为：第三连接垫)。第一连接垫112R(可被称为：第一连接垫)电连接于第一驱动单元130R(可被称为：第一驱动单元)。第二连接垫112G(可被称为：第二连接垫)电连接于第二驱动单元130G(可被称为：第二驱动单元)。第三连接垫112B(可被称为：第三连接垫)电连接于第三驱动单元130B(可被称为：第三驱动单元)。第一发光二极管141R(可被称为：第一发光二极管)完全重叠且物理性绝缘于第二连接垫112G或第三连接垫112B(至少其中之一可被称为：第二连接垫)。第一发光二极管141R(可被称为：第一发光二极管)不完全重叠且电连接于第一连接垫112R(可被称为：第一连接垫)。
以图1E、图1F及1I为例，显示面板100包括阵列基板110。阵列基板110具有第三连接垫112B(可被称为：第一连接垫)、第一连接垫112R(可被称为：第二连接垫)及第二连接垫112G(可被称为：第三连接垫)。第三连接垫112B(可被称为：第一连接垫)电连接于第三驱动单元130B(可被称为：第一驱动单元)。第一连接垫112R(可被称为：第二连接垫)电连接于第一驱动单元130R(可被称为：第二驱动单元)。第二连接垫112G(可被称为：第三连接垫)电连接于第二驱动单元130G(可被称为：第三驱动单元)。第三发光二极管141B(可被称为：第一发光二极管)完全重叠且物理性绝缘于第一连接垫112R或第二连接垫112G(至少其中之一可被称为：第二连接垫)。第三发光二极管141B(可被称为：第一发光二极管)不完全重叠且电连接于第三连接垫112B(可被称为：第一连接垫)。
前述实施例中，「完全重叠」(completely overlap)的定义范围如下：若物件X0完全重叠物件Y0，表示物件Y0的垂直投影Y1完全位于物件X0的垂直投影X1内或重合。
以图1G为例，第一发光二极管140R完全重叠第二连接垫112G，表示第二连接垫112G于基板118a的表面上的垂直投影完全位于第一发光二极管140R于基板118a的表面上的垂直投影内或重合。以图1G为例，第一发光二极管140R完全重叠第三连接垫112B，表示第三连接垫112B于基板118a的表面上的垂直投影完全位于第一发光二极管140R于基板118a的表面上的垂直投影内或重合。
前述实施例中，「部分重叠」(partially overlap)的定义范围如下：若物件X0部分重叠物件Y0，表示物件Y0的部分垂直投影Y2完全位于物件X0的垂直投影X1内或重合，且物件Y0的部分垂直投影Y3完全位于物件X0的垂直投影X1外。
前述实施例中，「完全不重叠」(completely non-overlap)的定义范围如下：若物件X0完全不重叠物件Y0，表示物件Y0的垂直投影Y4完全位于物件X0的垂直投影X1外。
以图1G为例，第一发光二极管140R完全不重叠第一连接垫112R，表示第一连接垫112R于基板118a的表面上的垂直投影完全位于第一发光二极管140R于基板118a的表面上的垂直投影外。
前述实施例中，「不完全重叠」(not completely overlap)的定义范围即为不包含「完全重叠」的定义范围的组合。也就是说，「不完全重叠」的定义范围与「完全重叠」的定义范围互斥。举例来说，「不完全重叠」的定义范围包括「部分重叠」的定义范围及「完全不重叠」的定义范围。
综上所述，通过上述的布线设计、配置方式或修补方式，可以依据损坏、失效或效能低落的发光二极管进行修补，而可以使显示面板具有较佳的显示品质。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括第一连接垫以及第二连接垫；
第一子像素，包括电连接于该第一连接垫的第一驱动单元；
第二子像素，包括电连接于该第二连接垫的第二驱动单元；以及
第一发光二极管，完全重叠且物理性绝缘于该第二连接垫，且不完全重叠且电连接于该第一连接垫。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中该阵列基板还包括第三连接垫，且该显示面板还包括：
第三子像素，包括电连接于该第三连接垫的第三驱动单元，其中该第一发光二极管完全重叠且物理性绝缘于该第三连接垫。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中该第一连接垫、该第二连接垫及该第三连接垫两两之间的距离小于该第一子像素、该第二子像素及该第三子像素两两之间的距离。
4.如权利要求2所述的显示面板，其中在一方向上，该第一发光二极管的最大尺寸大于该第一连接垫、该第二连接垫及该第三连接垫两两之间的距离。
5.如权利要求2所述的显示面板，其中该第一连接垫、该第二连接垫及该第三连接垫于该阵列基板的垂直投影方向上的几何图形中心连接为一三角形。
6.如权利要求1所述的显示面板，还包括：
连接线路，覆盖该第一发光二极管且电连接于该第一发光二极管及该第一连接垫。
7.如权利要求1所述的显示面板，其中该阵列基板还包括第三连接垫，且该显示面板还包括：
第三子像素，包括电连接于该第三连接垫的第三驱动单元，其中该第一发光二极管完全不重叠且物理性绝缘于该第三连接垫；以及
第三发光二极管，完全不重叠且物理性绝缘于该第一连接垫，且不完全重叠且电连接于该第三连接垫。
8.如权利要求1所述的显示面板，其中：
该阵列基板还包括共用连接垫；
该第一发光二极管包括垂直式(Vertical type)发光二极管；且
该垂直式发光二极管重叠且电连接于该共用连接垫。
9.如权利要求1所述的显示面板，其中该阵列基板还包括第四连接垫以及第五连接垫，且该显示面板还包括：
第四子像素，包括电连接于该第四连接垫的第四驱动单元；
第五子像素，包括电连接于该第五连接垫的第五驱动单元；以及
第二发光二极管，完全重叠且物理性绝缘于该第五连接垫，且不完全重叠且电连接于该第四连接垫，其中该第一发光二极管的发光颜色不同于该第二发光二极管的发光颜色。
10.一种显示面板的制造方法，包括：
提供阵列基板，包括第一连接垫以及第二连接垫；
配置第一发光二极管于该阵列基板上，且使该第一发光二极管完全重叠该第一连接垫且不完全重叠于该第二连接垫；以及
电连接该第一发光二极管与该第二连接垫。
11.如权利要求10所述的显示面板的制造方法，还包括：
在配置该第一发光二极管于该阵列基板上之前，对该阵列基板进行测试步骤或检测步骤。
12.如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其中该阵列基板还包括第三连接垫，且于配置该第一发光二极管于该阵列基板上的步骤中该第一发光二极管完全不重叠于该第三连接垫，该制造方法还包括：
配置第二发光二极管于该阵列基板上，且使该第二发光二极管不完全重叠于该第三连接垫；以及
电连接该第二发光二极管与该第三连接垫。
13.如权利要求12所述的显示面板的制造方法，其中电连接该第一发光二极管与该第二连接垫的步骤及电连接该第二发光二极管与该第三连接垫的步骤包括：
形成电连接于该第二发光二极管、该第二连接垫、该第三发光二极管及该第三连接垫的一导电层；以及
分离该导电层，以形成彼此物理分离或电性绝缘的第一连接线路及第二连接线路，其中该第一发光二极管通过该第一连接线路与该第二连接垫电连接，且该第二发光二极管通过该第二连接线路与该第三连接垫电连接。
14.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其中分离该导电层的方法包括通过激光切割。
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