KR20200037628A - 디스플레이 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20200037628A
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장경운
정창규
문영준
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Abstract

개시된 발명의 일 측면은 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 접지를 제공하는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하나의 화소를 구성하는 복수의 무기 발광 소자; 각각의 무기 발광 소자에 데이터 신호를 공급하는 복수의 신호 전극; 및 상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 공통 전극을 포함하되, 각 신호 전극 마다 동일 색영역을 갖는 복수의 무기 발광 소자가 마련된다.

Description

디스플레이 장치 및 그 제조방법{DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
무기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 전기적 정보를 시각적 정보로 변환하여 사용자에게 표시하는 출력 장치이다. 디스플레이 장치는 텔레비전(Television), 모니터(Monitor)뿐만 아니라, 노트북 피씨(Notebook PC), 스마트 폰(Smart Phone), 태블릿 피씨(Tablet PC) 등의 휴대용 기기도 포함할 수 있다.
디스플레이 장치는 액정 디스플레이(LCD, Liquid Crystal Display)와 같은 수광 디스플레이 패널 및 데이터 신호에 대응되는 광을 생성하는 자발광 디스플레이 패널을 포함할 수 있다.
특히, 자발광 디스플레이 패널을 구현하기 위해 무기 발광(Light Emitting Diode; LED)에 대한 연구가 활발이 진행되고 있다. 무기 발광은 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기적 신호를 적외선, 가시광선 등의 빛의 형태로 변환시키는 소자로서, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 각종 자동화 기기 등에 사용될 뿐만 아니라, 소형의 핸드 헬드 전자 디바이스나 대형 표시장치까지 점차 그 사용 영역이 넓어지고 있다.
개시된 발명의 일 측면은 데이터 신호를 공급하는 신호 전극 및 접지를 제공하는 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 하나의 화소를 구성하는 복수의 무기 발광 소자; 각각의 무기 발광 소자에 데이터 신호를 공급하는 복수의 신호 전극; 및 상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 공통 전극을 포함하되, 각 신호 전극 마다 동일 색영역을 갖는 복수의 무기 발광 소자가 마련된다.
상기 복수의 신호 전극은 제 1 내지 제 3 신호 전극을 포함하고, 상기 제 1 신호 전극은 상기 공통 전극의 상부에 마련되고, 상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극은 상기 공통 전극의 하부에 마련될 수 있다.
상기 제 2 신호 전극은 상기 제 3 신호 전극을 기준으로 좌측에 마련되고, 상기 공통 전극은 상기 제 1 신호 전극과 상기 제 3 신호 전극이 사이에 마련될 수 있다.
상기 복수의 신호 전극의 가로 길이는 상호 동일할 수 있다.
상기 공통 전극의 가로 길이는 상기 신호 전극의 가로 길이의 2배 이상일 수 있다.
상기 공통 전극의 세로 폭은 상기 신호 전극의 세로 폭의 2배 이상일 수 있다.
상기 복수의 발광 다이오드 소자, 상기 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함될 수 있다.
상기 하나의 화소 영역은 단일의 공통 전극을 포함할 수 있고,
한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무가 발광 소자, 한쌍의 Green발광 소자 중 적어도 하나로 이루어 질 수 있다.
복수의 스캔 라인 및 복수의 데이터 라인이 일면에 마련된 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자, 상기 복수의 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함될 수 있다.
상기 화소 영역은 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수개의 서브 화소 영역을 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자는 상기 복수의 신호 전극 및 상기 공통 전극에 접착될 수 있다.
상기 화소 영역은 인접하는 세 개의 서브 화소 영역으로 구성되고, 한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무가 발광 소자, 한쌍의 Green발광 소자로 이루어 질 수 있다.
일 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조방법은, 기판에 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계; 및 상기 복수의 신호 전극 및 상기 공통 전극에 각각 하나의 화소를 구성하는 복수의 무기 발광 소자의 애노드 및 캐소드를 연결하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 신호 전극은 각각의 무기 발광 소자에 데이터 신호를 공급하고, 각 신호 전극에는 동일 색영역을 갖는 복수개의 무기 발광 소자가 마련되고, 상기 공통 전극은 상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공할 수 있다.
상기 복수의 신호 전극은 제 1 내지 제 3 신호 전극을 포함하고,
상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 제 1 신호 전극을 상기 공통 전극의 상부에 마련하고, 상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극을 상기 공통 전극의 하부에 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극을 마련하는 단계는, 상기 제 2 신호 전극을 상기 제 3 신호 전극을 기준으로 좌측에 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극을 상기 제 1 신호 전극과 상기 제 3 신호 전극이 사이에 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 복수의 신호 전극의 가로 길이를 상호 동일하게 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극의 가로 길이를 상기 신호 전극의 가로 길이의 2배 이상의 길이로 마련하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극의 세로 폭을 상기 신호 전극의 세로 폭의 2배 이상의 길이로 마련하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 무기 발광 소자, 상기 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함될 수 있다.
일 실시예에 따른 디스플레이 모듈은 한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의Blue무기 발광 소자, 및 한쌍의 Green발광 소자를 포함하는 복수의 무기 발광 소자; 상기 한쌍의 RED 무기발광 소자, 상기 한쌍의 Blue무기 발광 소자, 및 상기 한쌍의 Green발광 소자 각각에 데이터 신호를 공급하는 신호 전극; 및 상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 복수의 공통 전극을 포함하되,
각 공통 전극 마다 복수개의 무기 발광 소자가 마련될 수 있다.
개시된 발명의 일 측면에 따른 디스플레이 장치, 및 그 제조방법에 따르면, 동일한 색상의 무기 발광 소자가 복수개 실장됨으로써, 최소한의 화소 영역 내에 불량 무기 발광 소자가 발생했을 경우 정상 무기 발광 소자가 불량 무기 발광 소자를 대체할 수 있다. 이를 통해, 블랙 매트릭스에 의한 차단 영역의 감소를 최소화 할 수 있고, 그 결과, 디스플레이 장치의 명암비 감소 또한 최소화 할 수 있다.
도 1은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 외관도이다.
도 2는 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역에 마련된 서브 화소 회로의 회로도를 예시한 도면이다.
도 5는 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역의 배치구조를 보여주는 배치 평면도이다.
도 6은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 화소 영역의 평면도이고, 도 7은 다른 실시예에 따른 화소 영역의 평면도이다.
도 8은 도 6에 따른 일 실시예에 따른 서브 화소 영역이 포함하는 무기 발광 소자의 등가 회로도이다.
도 9는 도 7에 따른 다른 실시예에 따른 서브 화소 영역이 포함하는 복수개의 무기 발광 소자의 등가 회로도이다.
도 10은 단일의 무기 발광 소자의 전압에 대한 밝기를 나타낸 곡선 그래프이다.
본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 개시된 발명의 바람직한 일 예에 불과할 뿐이며, 본 출원의 출원시점에 있어서 본
명세서의 실시 예와 도면을 대체할 수 있는 다양한 변형 예들이 있을 수 있다.
본 명세서에서 사용한 용어는 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 개시된 발명을 제한 및/또는 한정하려는 의도가 아니다.
예를 들어, 본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.
또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재함을 표현하고자 하는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합의 추가적인 존재 또는 부가 가능성을 배제하지 않는다.
또한, "제1", "제2" 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위하여 사용되며, 상기 하나의 구성요소들을 한정하지 않는다.
또한, "~부", "~기", "~블록", "~부재", "~모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 용어들은 FPGA (field-programmable gate array)/ ASIC (application specific integrated circuit) 등 적어도 하나의 하드웨어, 메모리에 저장된 적어도 하나의 소프트웨어 또는 프로세서에 의하여 처리되는 적어도 하나의 프로세스를 의미할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 개시된 발명의 일 실시 예를 상세하게 설명한다. 첨부된 도면에서 제시된 동일한 참조번호 또는 부호는 실질적으로 동일한 기능을 수행하는 부품 또는 구성요소를 나타낼 수 있다.
또한, 이하에서 디스플레이 장치는 영상을 표시하여 사용자에게 제공하는 모든 장치를 의미하고, 예를 들어 텔레비전, 모니터, 랩탑 컴퓨터(Laptop Computer) 및 이동 통신 단말기의 표시 장치 등을 포함할 수 있다.
도 1은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 외관도이고, 도 2는 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 장치의 분해 사시도이고, 도 3은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 패널의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역에 마련된 서브 화소 회로의 회로도를 예시한 도면이며, 도 5는 3의 디스플레이 패널의 서브 화소 영역의 배치구조를 보여주는 배치 평면도이다.
디스플레이 장치(100)는 외부로부터 수신한 전기적 신호를 영상으로 표시할 수 있다. 구체적으로, 디스플레이 장치(100)는 미리 정해진 표시 영역 내의 복수의 화소 각각의 색을 제어하여, 사용자가 표시 영역을 하나의 영상으로 인식하게 할 수 있다.
도 1에서는 디스플레이 장치(100)가 하단에 장착된 스탠드(102)에 의해 지지되는 경우를 예시한다. 이와는 달리, 디스플레이 장치(100)가 브라켓 등에 의해 벽에 설치되는 것도 가능하다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110), 지지부재(150), 섀시(160), 하우징(170: 171, 172)을 포함할 수 있다.
하우징(170)은 디스플레이 장치(100)의 외관을 형성하며, 베젤(171)과 커버(172)를 포함할 수 있다. 베젤(171)과 커버(172)는 상호 결합하여, 수용 공간을 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 수용 공간 내에는 디스플레이 패널(110), 지지부재(150) 및 섀시(160)등이 배치될 수 있다.
지지부재(150)는 베젤(171)과 커버(172) 사이에 배치된 디스플레이 패널(110), 및 섀시(160)를 지지할 수 있다. 이를 위해, 지지부재(150)는 베젤(171)에 분리 가능하게 결합될 수 있고, 그 결과 디스플레이 패널(110) 및 섀시(160)를 고정시킬 수 있다.
섀시(160)는 영상 표시 및 사운드 출력에 필요한 각종 부품을 연결하는 패널로, 새시(160)에는 각종 인쇄 회로 기판, 입출력 장치 등이 마련될 수 있다. 이를 위해 섀시(160)는 방열과 강도가 우수한 금속으로 구성될 수 있다.
디스플레이 패널(110)은 사용자가 영상을 시각적으로 인식할 수 있도록, 외부로부터 수신하거나 디스플레이 장치(100) 내부에서 생성된 영상 신호에 대응되는 주파수의 광을 방출하는 패널을 의미할 수 있다.
이를 위해, 디스플레이 패널(110)은 스캔 라인(111b)과 데이터 라인(111a)이 교차함으로써 마련되는 전극 패턴(111)이 형성되는 기판, 및 기판의 전극 패턴(111)에 접착되는 복수의 무기 발광 소자(300)를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 디스플레이 패널(110)의 일면에는 데이터 라인(D1-Dm), 스캔 라인(S1-Sn) 및 복수의 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로가 전극 패턴으로서 마련될 수 있다. 여기서, 서브 화소 영역(SP)이란 데이터 라인(D1-Dm)과 스캔 라인(S1-Sn)의 교차 지점에 인접하여, 서브 화소 회로가 마련되는 영역을 의미할 수 있다. 복수의 서브 화소 영역(SP)은 화소 영역으로 그룹화될 수 있고, 하나의 화소 영역(P)에서 발생되는 복수의 서브 화소 영역(SP)의 각 광을 혼합함으로써 해당 화소가 나타내는 하나의 색을 결정할 수 있다.
데이터 라인(D1-Dm)은 영상 신호를 나타내는 데이터 신호를 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로로 전달하며, 스캔 라인(S1-Sn)은 스캔 신호를 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로로 전달할 수 있다.
행 방향으로 배열되는 복수의 스캔 라인(S1-Sn) 각각은 주사 구동부(130)에 의해 스캔 신호가 순차적으로 인가되고, 열 방향으로 배열되는 복수의 데이터 라인(D1-Dm) 각각은 데이터 구동부(140)에 의해 영상 신호에 대응되는 데이터 전압(VDATA)이 인가될 수 있다.
이 때, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)는 디스플레이 패널(110)에 전기적으로 연결되거나, 디스플레이 패널(110)에 접착되어 전기적으로 연결되는 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 이와는 달리, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)가 디스플레이 패널(110)에 접착되어 전기적으로 연결되는 가요성 인쇄 회로(Flexible Printed Circuit, FPC) 또는 필름(Film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있다. 뿐만 아니라, 주사 구동부(130) 및/또는 데이터 구동부(140)는 디스플레이 패널의 기판 위에 직접 장착될 수도 있다.
도 4는 도 3의 서브 화소 영역(SP) 내의 서브 화소 회로를 나타내는 등가 회로도이다. 구체적으로, 도 4는 첫 번째 스캔 라인(S1) 및 첫 번째 데이터 라인(D1)에 의해 구동되는 서브 화소 회로를 예시한다.
도 4를 참조하면, 서브 화소 회로는 무기 발광 소자(LED), 2개의 트랜지스터(M1, M2) 및 캐패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 복수의 트랜지스터(M1, M2)는 PMOS형 트랜지스터로 마련될 수 있다. 다만, 이와 같은 회로 구성은 서브 화소 회로의 일 실시 예에 불과하므로, 서브 화소 회로가 예시된 도 4의 회로 구성에 한정되는 것은 아니다.
스위칭 트랜지스터(M2)는 게이트 전극이 스캔 라인(Sn)에 연결되고, 소스 전극이 데이터 라인(Dm)에 연결되고, 드레인 전극은 캐패시터(Cst)의 일단 및 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 연결되며, 커패시터(Cst)의 타단은 전원 전압(VDD)에 연결될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)의 소스 전극이 전원 전압(VDD)에 연결되고, 드레인 전극은 무기 발광 소자(LED)의 애노드(Anode; 310 (도 5 참조))에 연결되고, 무기 발광 소자(LED)의 캐소드(Cathode; 390 (도 5 참조))는 기준 전압(VSS)에 연결되어, 구동 트랜지스터(M1)로부터 인가되는 전류에 기초하여 발광할 수 있다. 이 때, 무기 발광 소자(LED)의 캐소드(Cathode; 390)에 연결되는 기준 전압(VSS)은 전원 전압(VDD)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압 등이 사용될 수 있다.
이와 같은 서브 화소 회로의 동작은 다음과 같다. 먼저, 스캔 라인(Sn)에 스캔 신호가 인가되어 스위칭 트랜지스터(M2)가 온(On)되면, 데이터 전압이 캐패시터(Cst)의 일단 및 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 전달될 수 있다. 그 결과, 캐패시터(Cst)에 의해 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)은 일정 기간 유지될 수 있다. 또한, 구동 트랜지스터(M1)는 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(ILED)를 무기 발광 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)에 인가함으로써 무기 발광 소자(LED)를 발광시킬 수 있다.
이 때, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 높은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면, 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 낮아져 적은 량의 전류(ILED)가 무기 발광 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)로 인가되어, 무기 발광 소자(LED)가 적게 발광함으로써 낮은 계조를 표시할 수 있다. 반면, 낮은 데이터 전압(VDATA)이 전달되면 구동 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)이 높아져, 다량의 전류(ILED)가 무기 발광 소자(LED)의 애노드(Anode; 310)로 인가되고, 무기 발광 소자(LED)는 많이 발광함으로써 높은 계조를 표시할 수 있다. 이처럼, 서브 화소 회로 각각에 인가되는 데이터 전압(VDATA)의 레벨은 표시될 영상에 기초하여 결정될 수 있다.
이와 같은 서브 화소 영역(SP) 단면의 일 실시 예는 도 5와 같다. 도 5에서는 두 개의 트랜지스터(200) 중 하나가 무기 발광 소자(300)와 연결된 예를 도시한다.
기판(101)은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(101)은SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(101)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 투명한 플라스틱 재질로 형성되어 가요성을 가질 수 있다. 플라스틱 재질은 절연성 유기물인 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
표시되는 영상이 기판(101)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(101)은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 반면, 표시되는 영상이 기판(101)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(101)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(101)을 형성할 수 있다.
금속으로 기판(101)을 형성할 경우 기판(101)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, Inconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(101) 상에는 버퍼층(111)이 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 기판(101)의 상부에 평탄면을 제공할 수 있고, 이물 또는 습기가 기판(101)을 통하여 침투하는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(111)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(111) 상에 트랜지스터(200) 및 무기 발광 소자(300)가 구비될 수 있다.
트랜지스터(200)는 활성층(210), 게이트 전극(220), 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)을 포함할 수 있다. 활성층(210)은 반도체 물질을 포함할 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 가질 수 있다. 게이트 전극(220)은 채널 영역에 대응하게 활성층(210) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b)은 활성층(210)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 활성층(210)과 게이트 전극(220) 사이에는 게이트 절연막으로서 무기 절연 물질로 형성된 제1 절연층(113)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(220)과 소스 전극(230a) 사이 및 게이트 전극(220)과 드레인 전극(230b) 사이에는 층간 절연막으로서 제2 절연층(115)이 배치될 수 있다. 소스 전극(230a) 및 드레인 전극(230b) 상에는 평탄화막으로서 제3 절연층(117)이 배치된다. 제2 절연층(115) 및 제3 절연층(117)은 유기 절연 물질, 또는 무기 절연 물질로 형성될 수 있으며, 유기 절연 물질과 무기 절연 물질을 교번하여 형성할 수도 있다.
도 5에서는 트랜지스터(200)가 게이트 전극이 활성층의 상부에 배치된 탑 게이트 타입(Top Gate Type)으로 구현되는 경우를 예시하였지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 게이트 전극은 활성층의 하부에 배치될 수도 있다.
제3 절연층(117) 상에는 서브 화소 영역(SP)을 정의하는 뱅크(400)가 배치될 수 있다. 뱅크(400)는 무기 발광 소자(300)가 수용될 오목부(430)를 포함한다. 뱅크(400)의 높이는 무기 발광 소자(300)의 높이 및 시야각에 의해 결정될 수 있다. 오목부(430)의 크기(폭)는 디스플레이 장치(100)의 해상도, 화소 밀도 등에 의해 결정될 수 있다. 일 실시 예에서, 뱅크(400)의 높이보다 무기 발광(300)의 높이가 더 클 수 있다. 도 5에는 오목부(430)가 사각형인 예를 도시하고 있으나, 본 발명의 실시 예들은 이에 한정되지 않고, 오목부(430)는 다각형, 직사각형, 원형, 원뿔형, 타원형, 삼각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
오목부(430)의 측면 및 저면, 오목부(430) 주변의 뱅크(400)의 상면을 따라 신호 전극(510)이 배치될 수 있다. 신호 전극(510)은 제3 절연층(117)에 형성된 비아홀을 통해 트랜지스터(200)의 소스 전극(230a) 또는 드레인 전극(230b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 5에서는 신호 전극(510)이 드레인 전극(230b)과 전기적으로 연결되는 경우를 예시한다.
뱅크(400)는 광 투과율이 낮은 광 차단부로 기능하여 무기 발광 소자(300)의 측면으로 방출되는 광을 차단함으로써, 인접한 무기 발광 소자(300)에서 발생하는 광들의 혼색을 방지할 수 있다. 또한, 뱅크(400)는 외부로부터 입사되는 광을 흡수 및 차단하여 디스플레이 장치(100)의 명실 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 뱅크(400)는 광의 적어도 일부를 흡수하는 물질, 또는 광 반사 물질, 또는 광 산란 물질을 포함할 수 있다.
뱅크(400)는 가시광(예를 들어, 380nm 내지 750nm 파장 범위의 광)에 대해 반투명 또는 불투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 뱅크(400)는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰, 폴리비닐부티랄, 폴리페닐렌에테르, 폴리아미드, 폴리에테르이미드, 노보넨계(norbornene system) 수지, 메타크릴 수지, 환상 폴리올레핀계 등의 열가소성 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 우레탄 수지, 아크릴수지, 비닐 에스테르 수지, 이미드계 수지, 우레탄계 수지, 우레아(urea)수지, 멜라민(melamine) 수지 등의 열경화성 수지, 또는 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카보네이트 등의 유기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와는 달리, 뱅크(400)는 SiOx, SiNx, SiNxOy, AlOx, TiOx, TaOx, ZnOx 등의 무기산화물, 무기질화물 등의 무기 절연 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시 예에서, 뱅크(400)는 블랙 매트릭스(black matrix) 재료와 같은 불투명 재료로 형성될 수 있다. 절연성 블랙 매트릭스 재료로는 유기 수지, 글래스 페이스트(glass paste) 및 흑색 안료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예를 들어, 크롬 산화물), 또는 금속 질화물 입자(예를 들어, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서 뱅크(400)는 고반사율을 갖는 분산된 브래그 반사체(DBR) 또는 금속으로 형성된 미러 반사체일 수 있다.
뱅크(400)의 오목부(430)에 무기 발광 소자(300)가 배치될 수 있다. 무기 발광(300)는 마이크로 LED일 수 있다. 여기서 마이크로는 1 내지 100 ㎛ 의 크기를 가리킬 수 있으나, 개시된 발명의 실시 예들은 이에 제한되지 않고, 그보다 더 크거나 더 작은 크기의 무기 발광 소자에도 적용될 수 있다. 무기 발광 소자(300)는 개별적으로 또는 복수 개가 이송 기구에 의해 웨이퍼 상에서 픽업(pick up)되어 기판(101)에 전사됨으로써 기판(101)의 오목부(430)에 수용될 수 있다. 일 실시 예에서, 무기 발광 소자(300)는 뱅크(400) 및 신호 전극(510)이 형성된 후 기판(101)의 오목부(430)에 수용될 수 있다. 무기 발광 소자(300)는 자외광으로부터 가시광까지의 파장 영역에 속하는 소정 파장의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 무기 발광 소자(300)는 적색, 녹색, 청색, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다.
무기 발광 소자(300)는 p-n 다이오드, 애노드(310) 및 캐소드(390)를 포함할 수 있다. 애노드(310) 및/또는 캐소드(390)는 금속, 전도성 산화물 및 전도성 중합체들을 포함한 다양한 전도성 재료로 형성될 수 있다. 애노드(310)는 신호 전극(510)과 전기적으로 연결되고, 캐소드(390)는 공통 전극(530)과 전기적으로 연결될 수 있다. p-n 다이오드는 애노드(310) 측의 p-도핑부(330), 하나 이상의 양자 우물부(350) 및 캐소드(390) 측의n-도핑부(370)를 포함할 수 있다. 이와는 달리, 캐소드(390) 측의 도핑부가 p-도핑부(330)이고, 애노드(310) 측의 도핑부가 n-도핑부(330)일 수도 있다.
패시베이션층(520)은 오목부(430) 내의 무기 발광 소자(300)를 둘러싸도록 마련될 수 있다. 패시베이션층(520)은 뱅크(400)와 무기 발광 소자(300)를 커버할 수 있다. 패시베이션층(520)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(520)은 아크릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드, 아크릴레이트, 에폭시 및 폴리에스테르 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 디스플레이 장치(100)에 포함된 무기 발광 소자(300) 각각은 고유한 색을 방출할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 장치(100)는 적색 광을 방출하는 무기 발광 소자(300R)를 포함하는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광을 방출하는 무기 발광 소자(300G)를 포함하는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광을 방출하는 무기 발광 소자(300B)를 포함하는 서브 화소 영역(SP)을 포함할 수 있다. 디스플레이 장치(100)는 서로 인접하는 적색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP), 및 청색 광에 대응되는 서브 화소 영역(SP)을 하나의 화소 영역(P)으로 그룹할 수 있다.이 때, 하나의 화소 영역(P)에 속하는 복수의 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B) 각각은 서로 다른 신호 전극(510R, 510G, 510B)과 연결되고, 하나의 공통 전극(530)을 공유하도록 마련될 수 있다.
한편, 하나의 화소 영역은 한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무가 발광 소자, 한쌍의 Green발광 소자 중 적어도 하나로 마련 될 수 있다.
또한, 각 신호 전극 마다 동일 색영역을 갖는 2개 이상의 무기 발광 소자가 마련 될 수 있다.
동일 색영역은 복수개의 발광 소자가 공통적으로 방출하는 색영역을 의미할 수 있다. 구체적으로 동일한 색 영역은 red 영역, blue 영역, green 영역 중 하나를 의미할 수 있다.
만약, 화소 영역(P)에서 정상적인 색의 광을 방출하지 못할 경우, 해당 화소 영역(P) 내의 복수의 무기 발광 소자 중 불량의 무기 발광 소자를 대신할 정상의 무기 발광 소자를 기판 상에 접착할 필요가 있다. 이를 위해, 신호 전극(510) 및 공통 전극(530)이 여분의 영역(이하, 대체 가능 영역 이라 함)을 갖도록 기판 상에 전극 패턴이 마련될 수 있고, 대체 가능 영역에는 불량의 무기 발광 소자를 대신할 대체 무기 발광 소자가 마련될 수 있다.
도 6은 개시된 발명의 일 실시 예에 따른 화소 영역의 평면도이고, 도 7은 다른 실시예에 따른 화소 영역의 평면도이며, 도 8은 도 6에 따른 일 실시예에 따른 서브 화소 영역이 포함하는 무기 발광 소자의 등가 회로도이고, 도 9는 도 7에 따른 다른 실시예에 따른 서브 화소 영역이 포함하는 복수개의 무기 발광 소자의 등가 회로도이다.
도 6 및 도 7에서는 적색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 녹색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP), 청색 광을 방출하는 서브 화소 영역(SP)이 하나의 화소 영역(P)을 이루는 것을 전제로 설명한다.
도 6을 참조하면, 디스플레이 패널(110) 상의 하나의 화소 영역(P) 내에는 적색 무기 발광 소자(300R)의 애노드(310)와 연결되는 제 1 신호 전극(510R), 녹색 무기 발광 소자(300G)의 애노드(310)와 연결되는 제 2 신호 전극(510G), 및 청색 무기 발광 소자(300B)의 애노드(310)와 연결되는 제 3 신호 전극(510B)과, 적색 무기 발광 소자(300R)의 캐소드(390), 녹색 무기 발광 소자(300G)의 캐소드(390), 및 청색 무기 발광 소자(300B)의 캐소드(390) 모두와 연결되는 하나의 공통 전극(530)이 마련될 수 있다.
이 때, 공통 전극(530)은 제 1 신호 전극(510R), 제 2 신호 전극(510G), 및 제 3 신호 전극(510B)과 동일한 방향(도 6에서 가로 방향)으로 배치되되, 제 2 신호 전극(510R)과 제 3 신호 전극(510B) 사이에 배치될 수 있고, 도 6을 기준으로 제 1 신호 전극(510R)은 공통 전극(530)의 상부, 제 2 신호 전극(510G) 및 제 3 신호 전극(510b)은 공통 전극(530)의 하부에 배치될 수 있으며, 이를 통해 화소 영역(P)은 "L" 형상을 이룰 수 있다.
화소 영역(P)이 이와 같이 "L" 형상을 이루게 됨으로써 신호 전극들(510R, 510G, 510B) 또는 공통 전극(530)과 연결되는 회로의 배선 구조가 직렬로 배치된 화소 영역(P)에 비해 단순해 질 수 있다.
공통 전극(530)과 제 1 내지 제 3 신호 전극(510R, 510G, 510B)은 각각 이격되어 배치될 수 있고, 상호 간 전기적으로 영향을 주지 않을 수 있다.
공통 전극(530)의 일 단과 제 2 신호 전극(510G)의 일 단은 나란히 배치될 수 있고, 공통 전극(530)의 타단과 제 1 신호 전극(510R) 및 제 3 신호 전극(510B)의 일단 또한 나란히 배치될 수 있으며, 공통 전극(530)과 제 1 내지 제 3 신호 전극(510R, 510G, 510B)의 길이와 폭은 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 상부에 배치할 수 있으면서 최소 면적을 차지하도록 선택될 수 있다.
예를 들어, 공통 전극(530)의 세로 폭과 가로 길이는 각각 제 1 내지 제 3 신호 전극(510R, 510G, 510B)의 세로 폭과 가로 길이보다 2배 이상 클 수 있다.
한편, 제 1 신호 전극(510R) 내지 제 3 신호 전극(510B)의 배치 위치는 상호 변경될 수 있고, 도 6에서 제 1 신호 전극(510R)이 배치된 영역은 공통 전극(530)의 우측인 것으로 도시되었으나, 제 1 신호 전극(510R)의 배치 영역은 공통 전극(530)의 좌측이 될 수도 있고(이 경우, 제 1 신호 전극(510R)과 제 2 신호 전극(G)은 공통 전극(530)을 사이에 두고 배치됨), 설명의 편의를 위해 도 6에 도시된 바와 같은 배치 위치를 기준으로 설명한다.
제 1 내지 제 3 신호 전극(510R, 510G, 510B)에는 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B)의 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba)이 마련될 수 있다.
도 6에서는 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba)이 각 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B) 별로 한 개씩 더 마련된 것으로 도시되었으나, 복수개 더 마련되는 것도 가능하다.
제 1 내지 제 3 신호 전극(510R, 510G, 510B) 가로 길이는 각각 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba)이 마련될 수 있도록, 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B)의 가로 길이보다 2배 이상 클 수 있다.
구체적으로, 제 1 신호 전극(510R)의 가로 길이는 제 1 대체 가능 영역(300Ra)이 마련되기 위해, 적색 발광 소자(300R)의 가로 길이보다 2배 이상 클 수 있고, 제 2 신호 전극(510G)의 가로 길이는 제 2 대체 가능 영역(300Rb)이 마련되기 위해, 녹색 발광 소자(300G)의 가로 길이보다 2배 이상 클 수 있으며, 제 3 신호 전극(510B)의 가로 길이는 제 2 대체 가능 영역(300Rc)이 마련되기 위해, 청색 발광 소자(300B)의 가로 길이보다 2배 이상 클 수 있다.
공통 전극(530)의 가로 길이의 경우, 적어도 두 개의 무기 발광 소자(300G, 300B)와 각 무기 발광 소자(300G, 300B)의 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba)이 마련될 수 있도록, 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B)의 가로 길이보다 4배 이상 클 수 있다.
이와 같은 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba)이 각 신호 전극(510R, 510G, 510B)과 공통 전극(530)에 마련됨으로써 불량 무기 발광 소자가 발생했을 경우, 불량 무기 발광 소자를 제거할 필요 없이, 수리 과정에서 대체 가능 영역(300Ra, 300Ga, 300Ba) 내 새로운 무기 발광 소자(300R, 300G, 300B)를 실장함으로써 손쉽게 불량 다이오드 소자를 대체할 수 있게 된다.
한편, 도 7을 참조하면, 다른 실시예예 따른 화소 영역(P)의 대체 가능 영역(300Ra)에는 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)를 대체할 수 있는 대체 무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)가 미리 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)를 대체하기 위해 마련되는 것도 가능하다.
설명의 편의를 위해, 기존의 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)를 제 1 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)라 하고, 대체 무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)를 제 2 무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)라 한다.
도 7과 같이 제 1 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)와 제 2 무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)가 각 서브 화소 영역(SP) 별로 마련된 경우, 제 1 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)와 제 2 무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)는 도 8의 우측에 도시된 바와 같이 회로적으로 병렬 연결될 수 있다.
도 9는 다른 실시예에 따른 화소 영역의 사시도이다.
도 9를 참조하면, 병렬 연결된 제 1 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)의 애노드(310R1, 310G1, 310B1) 및 제 2무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)의 애노드(310R2, 310G2, 310B2)는 각각 대응되는 신호 전극(510R, 510G, 510B)에 연결될 수 있고, 병렬 연결된 제 1 무기 발광 소자(300R1, 300G1, 300B1)의 캐소드(390R1, 390G1, 390B1) 및 제 2무기 발광 소자(300R2, 300G2, 300B2)의 캐소드(390R2, 390G2, 390B2)는 공통 전극(530)에 연결될 수 있다.
병렬 연결에 의해 제 1 무기 발광 소자(LED1; 300R1, 300G1, 300B1)와 제 2 무기 발광 소자(LED2; 300R2, 300G2, 300B2)는 각각 도 6과 같이 서브 화소 영역(SP) 내 단일로 마련된 무기 발광 소자(LED; 300R, 300G, 300B)와 동일한 전압 대비 동일한 밝기를 가질 수 있게 된다.
그러나, 제 1 무기 발광 소자(LED1; 300R1, 300G1, 300B1)에 의한 광과 제 2 무기 발광 소자(LED2; 300R2, 300G2, 300B2)에 의한 광의 결합에 의해 제 1 무기 발광 소자(LED1; 300R1, 300G1, 300B1)와 제 2 무기 발광 소자(LED2; 300R2, 300G2, 300B2)의 전체적인 밝기는 단일로 마련된 무기 발광 소자(LED; 300R, 300G, 300B)에 비해 높을 수 있다.
따라서, 전체적인 밝기가 단일로 마련된 무기 발광 소자(LED; 300R, 300G, 300B)와 동일해 지도록 제 1 무기 발광 소자(LED1; 300R1, 300G1, 300B1)와 제 2 무기 발광 소자(LED2; 300R2, 300G2, 300B2)의 전압을 조절할 필요가 있다.
도 10은 단일의 무기 발광 소자의 전압에 대한 밝기를 나타낸 곡선 그래프이다.
도 10을 참조하면, 단일의 무기 발광 소자(LED)의 전압에 따른 밝기 변화량은 전압이 클수록 커지고, 이에 따라 전압에 따른 밝기 그래프는 직선이 아닌 곡선 형태를 갖는다.
단일의 무기 발광 소자(LED)에 V2 전압을 인가했을 때 밝기가 I2인 경우, 제 1 무기 발광 소자(LED1)와 제2 무기 발광 소자(LED2)에 각각 V2 전압의 1/2에 해당하는 V1 전압을 인가해도, 제 1 무기 발광 소자(LED1)와 제 2 무기 발광 소자(LED2)의 밝기는 각각 I1에 불과하고, 제 1 무기 발광 소자(LED1)와 제 2 무기 발광 소자(LED2)의 전체적인 밝기는 I1의2배(=2*I1)에 해당하므로, 그래프의 곡선적 특성에 의해 전체적인 밝기(2*I1)는 단일의 무기 발광 소자(LED)에 V2 전압을 인가한 경우보다 어두워진다.
따라서, 두 개의 무기 발광 소자(LED1, LED2)가 병렬 연결된 경우, 각 무기 발광 소자(LED1, LED2)의 I1 밝기의 2배가 I2 밝기와 동일하도록, 각 무기 발광 소자(LED1, LED2)에 인가되는 V1 전압이 선택될 수 있다.
또한, 두 개의 무기 발광 소자(LED1, LED2)가 병렬 연결되었으나, 어느 한 무기 발광 소자(LED1 또는 LED2)에 하자가 발견된 경우, 사용자는 불량 다이오드 소자(LED1 또는 LED2)를 제거할 필요 없이, 정상 다이오드 소자(LED1 또는LED2)에 인가되는 전압을 V2로 변경 제어함으로써 이전과 동일한 밝기가 유지되도록 할 수 있다.
전술한 다른 실시예는 두 개의 무기 발광 소자(LED1, LED2)가 하나의 서브 화소 영역(SP)을 구성하는 것으로서 기술되었으나, 세 개 이상의 무기 발광 소자가 마련되는 것도 가능하다. n 개의 무기 발광 소자(LED1-LEDn)가 병렬 연결된 경우, 각 무기 발광 소자(LED1-LEDn)의 I1 밝기의 n배가 I2 밝기와 동일하도록, 각 무기 발광 소자(LED1-LEDn)에 인가되는 V1 전압이 선택될 수 있다.
한편, 전술한 실시예는 복수의 신호 전극(510)이 단일의 공통 전극(530)을 둘러싸는 형상을 예로 들어 설명하였으나, 신호 전극(510)과 공통 전극(530)의 위치는 상호 변경될 수 있다. 다른 예를 들어, 복수의 공통 전극(530)이 신호 전극(510)을 둘러싸는 형상으로 마련되는 것도 가능하고, 각 공통 전극(530)에는 무기 발광 소자(LED; 300)의 캐소드(390)가 연결되고, 신호 전극(510)에는 무기 발광 소자(LED; 300)의 애노드(310)가 연결될 수도 있다.
도 1 내지 도 10에 도시된 디스플레이 장치(100)의 구성 요소들의 성능에 대응하여 적어도 하나의 구성요소가 추가되거나 삭제될 수 있다. 또한, 구성 요소들의 상호 위치는 시스템의 성능 또는 구조에 대응하여 변경될 수 있다는 것은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 용이하게 이해될 것이다.
한편 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법에서 기판(101)의 화소 영역(P)에 신호 전극(510)과 공통 전극(530)을 형성할 수 있다.
이어서, 제 1 웨이퍼로부터 무기 발광 소자(300; 제 1 무기 발광 소자)를 픽업할 수 있다.
이와 같은 실장 과정에 의해, 화소 영역 상의 신호 전극(510) 및 공통 전극(530) 각각에 무기 발광 소자(300)의 애노드(310) 및 캐소드(390)가 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 이전에 픽업된 무기 발광 소자(300)를 제 1 무기 발광 소자)라 하는 경우, 제 1 무기 발광 소자를 디스플레이 패널(110)에 실장한 이후, 제 1 무기 발광 소자가 존재했던 웨이퍼(이하, 제 1 웨이퍼)와 다른 웨이퍼(이하, 제 2웨이) 상에서 제 2 무기 발광 소자를 픽업할 수 있다.
이와 같은 실장 과정에 의해, 화소 영역(P) 상의 신호 전극(510) 및 공통 전극(530) 각각에 제 2 무기 발광 소자의 애노드(310) 및 캐소드(390)가 연결될 수 있다(1150).
이상에서와 같이 첨부된 도면을 참조하여 개시된 실시예들을 설명하였다.본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고도, 개시된 실시예들과 다른 형태로 본 발명이 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 개시된 실시예들은 예시적인 것이며, 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
100: 디스플레이 장치
101: 기판
110: 디스플레이 패널
200: 트랜지스터
300: 무기 발광 소자
310: 애노드(Anode)
390: 캐소드(Cathode)
510: 신호 전극
511R: 절연부
530: 공통 전극
P: 화소 영역
SP: 서브 화소 영역

Claims (20)

  1. 하나의 화소를 구성하는 복수의 무기 발광 소자;
    각각의 무기 발광 소자에 데이터 신호를 공급하는 복수의 신호 전극; 및
    상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 공통 전극을 포함하되,
    각 신호 전극 마다 동일 색영역을 갖는 복수의 무기 발광 소자가 마련된 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극은 제 1 내지 제 3 신호 전극을 포함하고,
    상기 제 1 신호 전극은 상기 공통 전극의 상부에 마련되고, 상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극은 상기 공통 전극의 하부에 마련된 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 신호 전극은 상기 제 3 신호 전극을 기준으로 좌측에 마련되고,
    상기 공통 전극은 상기 제 1 신호 전극과 상기 제 3 신호 전극이 사이에 마련된 디스플레이 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극의 가로 길이는 상호 동일한 디스플레이 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 가로 길이는 상기 신호 전극의 가로 길이의 2배 이상인 디스플레이 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 세로 폭은 상기 신호 전극의 세로 폭의 2배 이상인 디스플레이 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 다이오드 소자, 상기 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함되는 디스플레이 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 하나의 화소 영역은 단일의 공통 전극을 포함하고,
    한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무가 발광 소자, 한쌍의 Green발광 소자 중 적어도 하나로 이루어 지는 것이 특징인 디스플레이 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    복수의 스캔 라인 및 복수의 데이터 라인이 일면에 마련된 기판을 더 포함하되,
    상기 복수의 무기 발광 소자, 상기 복수의 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함되고,
    상기 화소 영역은 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 복수개의 서브 화소 영역을 포함하는 디스플레이 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자는 상기 복수의 신호 전극 및 상기 공통 전극에 접착되는 디스플레이 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 화소 영역은 인접하는 세 개의 서브 화소 영역으로 구성되고, 한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무가 발광 소자, 한쌍의 Green발광 소자로 이루어 지는 것이 특징인 디스플레이 장치.
  12. 기판에 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계; 및
    상기 복수의 신호 전극 및 상기 공통 전극에 각각 하나의 화소를 구성하는 복수의 무기 발광 소자의 애노드 및 캐소드를 연결하는 단계를 포함하되,
    상기 복수의 신호 전극은 각각의 무기 발광 소자에 데이터 신호를 공급하고, 각 신호 전극에는 동일 색영역을 갖는 복수개의 무기 발광 소자가 마련되고,
    상기 공통 전극은 상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극은 제 1 내지 제 3 신호 전극을 포함하고,
    상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 제 1 신호 전극을 상기 공통 전극의 상부에 마련하고, 상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극을 상기 공통 전극의 하부에 마련하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 신호 전극 및 상기 제 3 신호 전극을 마련하는 단계는, 상기 제 2 신호 전극을 상기 제 3 신호 전극을 기준으로 좌측에 마련하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극을 상기 제 1 신호 전극과 상기 제 3 신호 전극이 사이에 마련하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 복수의 신호 전극의 가로 길이를 상호 동일하게 마련하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극의 가로 길이를 상기 신호 전극의 가로 길이의 2배 이상의 길이로 마련하는 단계를 더 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 신호 전극 및 공통 전극을 마련하는 단계는, 상기 공통 전극의 세로 폭을 상기 신호 전극의 세로 폭의 2배 이상의 길이로 마련하는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 무기 발광 소자, 상기 신호 전극, 및 상기 공통 전극은 하나의 화소 영역에 포함되는 디스플레이 장치의 제조방법.
  20. 한쌍의 RED 무기발광 소자, 한쌍의 Blue무기 발광 소자, 및 한쌍의Green발광 소자를 포함하는 복수의 무기 발광 소자;
    상기 한쌍의 RED 무기발광 소자, 상기 한쌍의 Blue무기 발광 소자, 및 상기 한쌍의 Green발광 소자 각각에 데이터 신호를 공급하는 신호 전극; 및
    상기 복수의 무기 발광 소자에 접지를 제공하는 복수의 공통 전극을 포함하되, 각 공통 전극 마다 복수개의 무기 발광 소자가 마련된 디스플레이 모듈.
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