CN116246547A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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吴天一
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Abstract

本发明提供一种显示面板和显示装置。显示面板包括阵列基板和像素阵列；像素阵列包括多个子像素，一个子像素包括至少一个发光二极管，发光二极管包括第一电极和第二电极；阵列基板包括第一电源结构、第二电源结构和多个像素电路，第一电源结构通过像素电路与发光二极管的第一电极电连接；第一电源结构包括第一公共电极，第一公共电极位于像素电路靠近像素阵列的一侧；阵列基板还包括第一辅助电极，第一辅助电极与第一公共电极同层且相互绝缘；像素电路包括至少一个晶体管，晶体管包括第一极、第二极和控制极，晶体管的第一极经第一辅助电极与发光二极管的第一电极电连接。本发明能够降低功耗损失，并且改善显示不均。

Description

显示面板和显示装置
本申请为基于申请日为2020年12月2日，申请号为202011400056.8，
发明名称为“显示面板和显示装置”的专利申请提出的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
在目前发光二极管作为发光像素的显示面板中，需要设置正极电源线和负极电源线来为发光二极管供电。而在显示时，电源线上存在明显的压降，不仅导致显示面板功耗过大，而且会导致显示不均。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，降低显示面板功耗，同时改善电源线上的压降导致的显示不均问题。
第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括阵列基板和像素阵列；
所述像素阵列包括多个子像素，一个所述子像素包括至少一个发光二极管，所述发光二极管包括第一电极和第二电极；
所述阵列基板包括第一电源结构、第二电源结构和多个像素电路，所述第一电源结构用于提供第一电源电压，所述第二电源结构用于提供第二电源电压，所述第一电源结构通过所述像素电路与所述发光二极管的第一电极电连接；
所述第一电源结构包括第一公共电极，所述第一公共电极位于所述像素电路靠近所述像素阵列的一侧；
所述阵列基板还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与所述第一公共电极同层且相互绝缘；
所述像素电路包括至少一个晶体管，所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述晶体管的第一极经所述第一辅助电极与所述发光二极管的第一电极电连接。
第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：设置第一辅助电极与第一公共电极同层且相互绝缘，第一辅助电极作为连接像素电路与发光二极管的第一电极的电性通道，便于实现像素电路与发光二极管的第一电极之间的电连接，同时减少对第一公共电极面积和形状的设置的影响，利于形成具有较低电阻的电源结构，降低电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的像素电路的一种结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图6为图3实施例提供的显示面板的一种局部俯视示意图；
图7为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图；
图8为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图；
图9为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图；
图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图16为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图17为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图18A为图17实施例提供的显示面板的一种局部俯视示意图；
图18B为图17实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图；
图19为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图；
图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图23为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；
图24为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一电源结构的俯视示意图；
图25为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，通过对驱动发光二极管的电源结构做改变，设置至少一种电源结构包括公共电极，并且设置公共电极具有一定的面积，以降低在驱动发光二极管发光时电源结构上传输信号的压降，降低电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视示意图，图2为本发明实施例提供的显示面板的像素电路的一种结构示意图。
如图1所示，显示面板包括显示区AA，显示区AA包括像素阵列，像素阵列包括多个子像素sp。一个子像素sp包括至少一个发光二极管，发光二极管包括第一电极和第二电极。
本发明实施例提供的显示面板还包括阵列基板，阵列基板包括第一电源结构、第二电源结构和多个像素电路。第一电源结构用于提供第一电源电压，第二电源结构用于提供第二电源电压，第一电源结构通过像素电路与发光二极管的第一电极电连接，第二电源结构与发光二极管的第二电极电连接。第一电源结构、第二电源结构与像素电路相互配合，用于实现驱动发光二极管发光。图2仅示意出了一种可选的像素电路的结构，不作为对本发明的限定。如图2示意出了7T1C的像素电路，像素电路包括一个驱动晶体管Tm和6个开关晶体管(T1至T6)、以及一个像素电容C。还示意出了正极电源电压端PVDD、负极电源电压端PVEE、数据电压端Vdata、第一扫描电压端S1、第二扫描电压端S2、复位电源端Vref、以及发光控制端Emit。其中，发光二极管E的一个电极通过像素电路与正极电源电压端PVDD连接，发光二极管E的另一个电极与负极电源电压端PVEE连接。正极电源电压端PVDD提供正极电源电压信号，负极电源电压端PVEE提供负极电源电压信号。
本发明实施例中第一电源结构和第二电源结构中，一者提供正极电源电压端，另一者提供负极电源电压端。也即第一电源结构和第二电源结构中，一者提供正极电源电压信号，另一者提供负极电源电压信号。本发明设计第一电源结构和第二电源结构中的至少一者包括至少一个公共电极。显示面板还包括显示区，显示区的面积为S0，公共电极的位于显示区的部分在显示面板所在平面的投影的面积为S1，其中，S1≥0.5S0。公共电极的设置能够降低电源结构上的电阻，从而降低电源结构上传输信号的压降，能够降低电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
其中，公共电极可以为条状或者块状，在公共电极上也可以设置开口。在一些实施方式中，公共电极还包括至少两个交叠的子公共电极。在计算面积S1时，计算的是公共电极位于显示区的部分在显示面板所在平面正投影的总面积，其中，在计算时需要去除掉开口部分的面积。对于包括相互交叠的子公共电极的公共电极来说，在垂直于显示面板所在平面方向上，相互交叠的子公共电极的交叠部分的面积不重复计算。
在一种实施例中，S1＝0.6S0。进一步的，S1＝0.7S0。优选的，S1＝0.9S0。S1越大，则公共电极的整体的电阻越小，从而越有利于降低电源结构上的功耗损失，也越有利于改善显示不均问题。
在一些实施方式中，第一电源结构提供第一电源电压，第二电源结构提供第二电源电压，第一电源电压高于第二电源电压。可选的，第一电源电压的电压值范围为0～8V(包括端点值)，第二电源电压的电压值范围为0～-8V(包括端点值)。
在一些实施方式中，仅有一种电源结构包括公共电极。在一些实施方式中，第一电源结构和第二电源结构中均包括公共电极。公共电极的形状可以为整面结构，也可以为条状或者块状。在显示面板中，发光二极管的第一电极和第二电极可以均朝向像素电路设置；也可以是发光二极管的第一电极和第二电极均背离像素电路设置；也可以是发光二极管的第一电极和第二电极一个朝向像素电路，另一个背离像素电路。对于发光二极管的第一电极和第二电极与像素电路的相对位置不同，第一电源结构和第二电源结构的设置位置也有所不同。下面将以具体的实施例对本发明进行详细的举例说明。
在一种实施例中，发光二极管的第一电极和第二电极均朝向像素电路设置。图3为本发明实施例提供的一种显示面板的截面示意图。如图3中示出了阵列基板100和像素阵列200，发光二极管E还包括层叠设置的第一半导体层51、量子阱层52和第二半导体层53，量子阱层52位于第一半导体层51与第二半导体层53之间，第一电极11与第一半导体层51连接，第二电极12与第二半导体层53连接，第一半导体层51位于第二半导体层53靠近像素电路30的一侧；其中，第一电极11位于第一半导体层51靠近像素电路30的一侧，第二电极12位于第二半导体层53靠近像素电路30的一侧。图中还示意出了第一电源结构21和第二电源结构22，第一电源结构21通过像素电路30与发光二极管E的第一电极11电连接，第二电源结构22与发光二极管E的第二电极12电连接。
在另一种实施例中，发光二极管的第一电极和第二电极一个朝向像素电路，另一个背离像素电路。图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图4所示，第一半导体层51位于第二半导体层53靠近像素电路30的一侧，第一电极11位于第一半导体层51靠近像素电路30的一侧，第二电极12位于第二半导体层53远离像素电路30的一侧。图4中还示意出了第一电源结构21和第二电源结构22，第一电源结构21通过像素电路30与发光二极管E的第一电极11电连接，第二电源结构22与发光二极管E的第二电极12电连接。图中示意第二电极通过连接导电结构73与第二电源结构22电连接。
在另一种实施例中，发光二极管的第一电极和第二电极均背离像素电路设置。图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图5所示，第一半导体层51位于第二半导体层53远离像素电路30的一侧，第一电极11位于第一半导体层51远离像素电路30的一侧，第二电极12位于第二半导体层53远离像素电路30的一侧。第一电源结构21通过像素电路30与发光二极管E的第一电极11电连接，第二电源结构22与发光二极管E的第二电极12电连接。
在一种实施例中，公共电极在显示区内整面设置。具体的，如图5所示的，第二电源结构22包括公共电极COM，公共电极COM在显示区内整面设置。也即公共电极COM与显示区内所有的发光二极管E的第二电极12电连接。图中仅示意出了像素电路30的一个晶体管，晶体管包括第一极d、第二极s和控制极g和有源层w。可选的，第二极s为源极，第一极d为漏极，控制极g为栅极。图中示意第一电源结构21与晶体管的第二极s和第一极d位于同一层。该实施方式中，将第二电源结构包括整面设置的公共电极，能够降低第二电源结构的电阻，从而降低第二电源结构上传输信号的压降，能够降低第二电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
具体的，继续参考图5所示的，阵列基板还包括基板101，基板101位于像素电路30的远离发光二极管E的一侧，公共电极COM位于基板101与像素电路30之间。其中，像素电路通过第一连接导电结构71与第一电极11电连接。第二电极12通过第二连接导电结构72与公共电极COM电连接。该种实施方式，能够实现将第二电源结构中的公共电极整面设置。
在一种实施例中，公共电极为条状电极，显示面板中像素阵列包括多个在第一方向延伸的子像素行和多个在第二方向延伸的子像素列，第一方向和第二方向交叉；典型的，第一方向和第二方向相互垂直。公共电极包括多条条状电极，在显示区内，多条条状电极沿第一方向延伸且沿第二方向排列。
在另一种实施例中，公共电极为条状电极，且在显示区内，多条条状电极沿第二方向延伸，沿第一方向排列。
可选的，一个条状电极对应一个子像素行，或者一个条状电极对应一个子像素列。
在另一种实施例中，一个条状电极对应两个或者三个子像素行，或者一个条状电极对应两个或者三个子像素列。进一步的，当条状电极位于像素电路和像素阵列之间时，条状电极设置有开口，在开口内设置辅助电极，辅助电极用于实现电源结构与发光二极管的电极的电连接，且辅助电极用于实现发光二极管的电极与像素电路的电连接。
在另一种实施例中，公共电极为块状电极，一个块状电极对应多个子像素行，或者一个块状电极对应多个子像素列。当块状电极位于像素电路和像素阵列之间时，块状电极设置有开口，在开口内设置辅助电极，辅助电极用于实现电源结构与发光二极管的电极的电连接，且辅助电极用于实现发光二极管的电极与像素电路的电连接。
在另一种实施例中，公共电极对应显示区内所有的子像素，且公共电极设置有多个开口。同样的，开口内设置辅助电极，辅助电极用于实现电源结构与发光二极管的电极的电连接，且辅助电极用于实现发光二极管的电极与像素电路的电连接。
本发明实施例中，第一电源结构或者第二电源结构中的公共电极均可以采用条状电极或者块状电极的设计，从而保证公共电极具有较大的面积，降低了电源结构的电阻。对于具体的公共电极结构的应用将结合下述具体实施例进行说明。
具体的，继续参考图3所示的，第一电源结构21包括至少一个公共电极，第一电源结构21包括的公共电极为第一公共电极1COM，第一公共电极1COM位于像素电路30靠近像素阵列200的一侧；阵列基板100还包括第一辅助电极41，第一辅助电极41与第一公共电极1COM同层且相互绝缘；像素电路30包括至少一个晶体管T，晶体管T包括第一极d、第二极s、控制极g和有源层w，晶体管T的第一极d经第一辅助电极41与发光二极管E的第一电极11电连接。具体的，阵列基板包括栅极金属层、源漏金属层和半导体层，其中，控制极g位于栅极金属层，第一极d和第二极s位于源漏金属层，有源层w位于半导体层。图中晶体管仅以顶栅结构进行示意。
继续参考图3所示的，阵列基板100还包括第二辅助电极42，第二辅助电极42与第一公共电极1COM同层且相互绝缘；第二电源结构22经第二辅助电极42与发光二极管E的第二电极12电连接。第二电源结构22与晶体管T的第一极d和第二极s位于同一层。可选的，第二电源结构22包括多条第二电源线，一条第二电源线连接多个发光二极管的第二电极。图3中第二电源结构22所在的膜层位置仅作示意性表示，不作为对本发明的限定。
图3实施例中示意第一电源结构21位于像素电路30和发光二极管E之间，第一电源结构21包括第一公共电极，其中，第一公共电极的位于显示区的部分在显示面板所在平面的投影的总面积为S1，S1≥0.5S0。该实施方式中第一电源结构包括公共电极，能够降低第一电源结构的电阻，从而降低第一电源结构上传输信号的压降，能够降低第一电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
进一步的，继续参考图3示意的，第二电源结构22位于第一公共电极1COM远离发光二极管E的一侧，其中，第二电源结构22包括多条第二电源线，第二电源线与晶体管T的第一极d同层。在显示面板中数据线与第一极位于同一层，具体的，第二电源线的延伸方向与显示面板中数据线的延伸方向相同，以保证第二电源线与数据线之间相互绝缘。该实施方式中，设计第一电源结构包括公共电极，实现降低功耗损失同时改善显示不均。而第二电源结构采用第二电源线的设计，第二电源线与晶体管中第一极同层，第二电源线与晶体管中第一极在同一工艺制程中制作，第二电源结构的制作不增加显示面板的膜层厚度。
在一种实施例中，图3实施例中第一公共电极为条状电极。图6为图3实施例提供的显示面板的一种局部俯视示意图。图6仅示意出了子像素以及第一电源结构所在膜层的结构。如图6所示，像素阵列包括多个在第一方向x延伸的子像素行spH和多个在第二方向y延伸的子像素列spL，第一方向x和第二方向y交叉；典型的，第一方向x和第二方向y相互垂直。其中，一个子像素行spH包括多个子像素sp，公共电极COM包括多条条状电极COM-1，在显示区内，多条条状电极COM-1沿第二方向y延伸且沿第一方向x排列。
在另一种实施例中，在显示区内，多条条状电极COM-1沿第一方向x延伸且沿第二方向y排列，在此不再赘述。
图6实施例中，示意一个条状电极对应一个子像素列。在另一种实施例中，一个条状电极对应两个或者多个子像素列。图7为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图。图7仅示意出了子像素以及第一电源结构所在膜层的结构。如图7所示，在显示区内，条状电极COM-1沿第二方向y延伸且沿第一方向x排列。其中，一个条状电极COM-1对应两个子像素列spL。条状电极COM-1具有第一开口K1，第一开口K1在条状电极COM-1的厚度方向上贯穿条状电极COM-1，第一辅助电极41和第二辅助电极42均位于第一开口K1内。该实施方式能够进一步增加第一公共电极的面积，从而进一步降低第一电源结构的电阻，能够进一步降低第一电源结构上传输信号的压降，降低第一电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
在另一种实施例中，图3实施例中第一公共电极为块状电极。图8为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图。图8仅示意出了子像素以及第一电源结构所在膜层的结构。如图8所示，第一公共电极为块状电极COM-2，块状电极COM-2对应多个子像素行spH和多个子像素列spL。块状电极COM-2具有第一开口K1，第一开口K1在块状电极COM-2的厚度方向上贯穿块状电极COM-2，第一辅助电极41和第二辅助电极42均位于第一开口K1内。该实施方式能够进一步增加第一公共电极的面积，从而较大程度降低第一电源结构的电阻，进而较大程度降低第一电源结构上传输信号的压降，降低第一电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
图8实施例中，以一个第一开口对应一个子像素进行示意。在本发明实施例中，一个第一开口对应n个子像素，n大于或者等于2；一个第一开口内设置有n个第一辅助电极。具体的，图9为图3实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图。如图9所示，第一公共电极为块状电极COM-2，块状电极COM-2对应多个子像素行spH和多个子像素列spL。块状电极COM-2具有第一开口K1，第一开口K1对应三个子像素sp，一个第一开口K1内设置有3个第一辅助电极41。
当一个第一开口K1对应一个子像素sp时，在第一开口K1内设置第一辅助电极41，在第一方向x上，也就是图8中左右方向上，第一辅助电极41的边缘与第一开口K1的边缘之间具有2个间隙，则对于连续排列的三个第一辅助电极41来说，对应设置有6个间隙。当一个第一开口K1对应三个子像素sp时，在图9中左右方向上，第一辅助电极41的边缘与第一开口K1的边缘之间具有间隙，相邻的两个第一辅助电极41之间具有间隙，对于连续排列的三个第一辅助电极41来说，对应设置有4个间隙。如果间隙在第一方向x上的宽度固定的话，则图9实施方式能够有利于减小开口占用的空间，从而增大第一公共电极的面积。也就是说，在一个第一开口对应两个或者多个子像素的实施方式中，能够将第一开口内的辅助电极相互绝缘且相对集中设置，从而能够减小第一开口占据的空间。
上述图6至图9实施例中示意了以第一电源结构中的公共电极为例，对公共电极的形状、以及公共电极与子像素的对应关系进行了说明。在下述第二电源结构包括公共电极的实施例中，也可以应用上述图6至图9中示意的公共电极的设置方式。
进一步的，继续参考上述图8所示的，第一开口K1的边缘距辅助电极(图8中示意距第一辅助电极41)的边缘的距离为D1，其中，0.1μm≤D1≤5μm。图中示意在第一方向上的距离D1。图8实施例中，第一开口内设置有第一辅助电极和第二辅助电极。在下述具体实施方式中，还包括第一开口内仅设置有第一辅助电极的实施例。通过设置第一开口的边缘距离辅助电极的边缘的距离满足一定范围，能够保证公共电极与辅助电极之间相互绝缘，同时避免将第一开口设置的过大而影响公共电极的面积。
在相关技术的显示面板中，电源结构中的电源线与数据线位于同一膜层，设置电源线与数据线的延伸方向相同，电源线与扫描线相互交叉限定出子像素所在区域，则电源线的线宽较窄。而本申请中，如图3和图4中示意的第一电源结构，可以看出第一电源结构21与晶体管的第一极d和第二极s位于不同膜层，也就是第一电源结构21与源极和漏极位于不同膜层，则第一电源结构在制作时不需要考虑避让数据线或者源漏极。第一电源结构可以包括宽度较大的条状电极或者包括块状电极，以增大第一电源结构中公共电极的面积。其中，在某些实施例中，第一电源结构中的第一公共电极具有多个第一开口，在第一开口内需要设置像素电路与发光二极管的电极连接的辅助电极。在本发明实施例中，第一开口的面积要明显小于相关技术中电源线与扫描线相互交叉限定出的子像素区域。
在一种实施例中，图10为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，图10中仅示意出了第一公共电极的结构，如图10所示，第一公共电极1COM具有至少两个第一开口K1，至少两个第一开口K1沿第三方向z排列，第一公共电极1COM的位于相邻两个第一开口K1之间的部分在第三方向z上的长度为d1，第一开口K1在第三方向z上的长度为d2，R＝d1：d2，R≥3/7。图10中以一个第一开口K1对应一个子像素(未示出)进行示意，一个子像素在第三方向z的宽度为D，则第一开口K1在第三方向z上的长度d2≤70％D。其中，第三方向z与子像素行的延伸方向相同，或者第三方向z与子像素列的延伸方向相同。本发明实施例中，第一公共电极的位于相邻的两个第一开口之间的部分在第三方向上的长度和第一开口在第三方向上的长度的比值，要明显大于相关技术中电源线的线宽和相邻电源线之间子像素区域的宽度的比值。从而实现第一电源结构在显示区的部分在显示面板所在平面的投影面积不小于显示区面积的50％，与相关技术相比，能够明显降低第一电源结构的电阻，从而降低功耗，同时改善显示不均。
图10中仅以一个第一开口对应一个子像素进行示意，而对于一个第一开口对应两个或者三个子像素的实施方式中，同样满足第一公共电极的位于相邻两个第一开口之间的部分在第三方向上的长度与第一开口在第三方向上的长度的比值大于3/7。
在另一种实施例，图11为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图11所示，第一电源结构21还包括第一电源线211，第一电源线211与第一公共电极1COM电连接；第一电源线211与晶体管T的第一极s同层。通过设置第一电源线与第一公共电极并联连接，能够进一步降低第一电源结构的电阻，从而进一步降低第一电源结构上的压降。具体的，在垂直于显示面板所在平面的方向上，第一公共电极1COM和与其连接的第一电源线211交叠，且第一电源线211与显示面板中的数据线的延伸方向相同。图11中仅示意表示第二电源结构22与晶体管T的控制极g位于同一层，不作为对本发明的限定。
在另一种实施例中，第一公共电极包括至少两层层叠设置的第一子公共电极。图12为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图12所示，第一公共电极1COM包括相互电连接的两层层叠设置的第一子公共电极1-com，相邻两层第一子公共电极1-com之间包括绝缘层103。该实施方式中，能够进一步降低第一电源结构的电阻，从而进一步降低第一电源结构上的压降。图12中仅示意表示第二电源结构22与晶体管T的控制极g位于同一层，不作为对本发明的限定。
另一种实施例，图13为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图13所示，第一电源结构包括第一公共电极，第一公共电极1COM位于像素电路30靠近像素阵列200的一侧；阵列基板100还包括第一辅助电极41和第二辅助电极42，第一辅助电极41和第二辅助电极42均与第一公共电极1COM位于同一层。像素电路30通过第一辅助电极41与发光二极管E的第一电极11连接，第二电源结构22通过第二辅助电极42与发光二极管E的第二电极12连接。其中，第一辅助电极41复用为第一绑定电极，发光二极管E的第一电极11与第一辅助电极41绑定连接；第二辅助电极42复用为第二绑定电极，发光二极管E的第二电极12与第二辅助电极42绑定连接。
具体的，第一公共电极的制作材料包括金、铝、铜、锡、银、铟中的两种或多种。在显示面板制作时，分别制作阵列基板和发光二极管阵列，其中阵列基板包括第一公共电极、第一辅助电极和第二辅助电极，第一公共电极、第一辅助电极和第二辅助电极同层同材料制作，且第一公共电极、第一辅助电极和第二辅助电极位于阵列基板的最外侧。然后将发光二极管阵列转移到阵列基板之上，并将发光二极管的第一电极与第一辅助电极对位，将发光二极管的第二电极与第二辅助电极对位。然后通过热压工艺使得辅助电极熔融然后固化形成共晶层，最终实现第一辅助电极与第一电极绑定连接，第二辅助电极与第二电极绑定连接。
在一些实施方式中，阵列基板还包括电极连接层，电极连接层位于第一电源结构和发光二极管之间，电极连接层包括第一连接电极和第二连接电极，其中，第一辅助电极经第一连接电极与发光二极管的第一电极电连接，第二辅助电极经第二连接电极与发光二极管的第二电极电连接。在显示面板制作时，阵列基板和发光二极管分别制作，将发光二极管阵列转移到阵列基板之上，然后与阵列基板绑定连接。其中，绑定连接所采用的绑定层的厚度通常较厚。
具体的，在一种实施例中，电极连接层包括金属连接层和绑定层，绑定层沉积在金属连接层之上。金属连接层用于通过绝缘层的过孔与辅助电极连接，绑定层用于实现发光二极管与阵列基板之间的绑定连接。其中，绑定层的制作材料包括金、铝、铜、锡、银、铟中的两种或多种。图14为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图14所示，电极连接层60包括金属连接层61和绑定层62，在第一公共电极1COM之上设置有第一绝缘层104，在第一绝缘层104之上设置有金属连接层61，金属连接层61包括第一连接部61-1和第二连接部61-2，第一连接部61-1通过第一绝缘层104的过孔(图中未标示)与第一辅助电极41电连接，第二连接部61-2通过第一绝缘层104的过孔(图中未标示)与第二辅助电极42电连接。绑定层62包括第一绑定电极62-1和第二绑定电极62-2，第一绑定电极62-1沉积在第一连接部61-1之上，第二绑定电极62-2沉积在第二连接部61-2之上，发光二极管E的第一电极11与第一绑定电极62-1绑定连接，发光二极管E的第二电极12与第二绑定电极62-2绑定连接。该实施方式中，通过金属连接层中的连接部通过第一绝缘层的过孔与相应的辅助电极连接，然后在连接部之上沉积用于绑定的绑定电极，以适应绑定电极的沉积工艺，保证绑定电极与相应的辅助电极连接可靠性。
在另一种实施例中，电极连接层仅包括金属连接层，在阵列基板制作时，在第一公共电极、第一辅助电极和第二辅助电极制作完成之后，制作第一绝缘层，然后对第一绝缘层进行图案化处理形成开孔；然后在第一绝缘层之上制作电极连接层，电极连接层包括第一连接电极和第二连接电极，其中，第一连接电极通过过孔与第一辅助电极连接，第二连接电极通过过孔与第二辅助电极连接。然后再在电极连接层之上沉积绑定层，绑定层包括第一绑定电极和第二绑定电极，第一绑定电极沉积在第一连接电极之上，第二绑定电极沉积在第二连接电极之上。绑定电极用于实现发光二极管与阵列基板的绑定连接。该实施例中显示面板的结构可参考图14中的示意进行理解。
在另一种实施例中，电极连接层复用为绑定层。图15为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图。如图15所示，电极连接层60包括第一连接电极60-1和第二连接电极60-2，第一连接电极60-1与发光二极管E的第一电极11绑定连接，第二连接电极60-2与发光二极管E的第二电极12绑定连接。在阵列基板100制作中，在第一公共电极1COM、第一辅助电极41和第二辅助电极42制作完成之后，制作第一绝缘层104；然后对第一绝缘层104进行刻蚀形成分别暴露第一辅助电极41和第二辅助电极42的凹槽(图中未标示，其中，凹槽面积要大于常规绝缘层过孔面积，凹槽面积足够大以保证能够在其内部沉积厚度较厚的电极连接层)；然后在凹槽内沉积电极连接层60，在暴露第一辅助电极41的凹槽内沉积的电极连接层形成第一连接电极60-1，在暴露第二辅助电极42的凹槽内沉积的电极连接层形成第二连接电极60-2。将发光二极管阵列转移到阵列基板之上并进行对位，其中，发光二极管的第一电极与第一连接电极相对应，发光二极管的第二电极与第二连接电极相对应；然后采用热压工艺使得连接电极熔融再固化形成共晶层，实现第一电极与第一连接电极绑定连接，第二电极与第二连接电极绑定连接。该实施方式减少了金属连接层的设置，节省了材料同时简化的工艺制程。
上述图14和图15实施例说明了发光二极管与阵列基板绑定连接的两种实现方式。图14实施例示意的实施方式是：制作连接金属层和绑定层，绑定层用于实现绑定发光二极管，将厚度较厚的绑定层沉积在连接金属层之上，连接金属层通过绝缘层的过孔与下方的电路元件连接，以保证绑定层与下方电路元件连接可靠性。图15实施例示意的实施方式是：将电路元件之上的绝缘层制作暴露电路元件的凹槽，在凹槽内沉积电极连接层，以实现电极连接层与下方的电路元件的电连接，同时将电极连接层复用为绑定层。本发明下述实施例中均可以应用上述两种方式实现发光二极管与阵列基板绑定连接。
在一种实施例中，第一电源结构包括第一公共电极，第二电源结构包括第二公共电极。图16为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图。如图16所示，第一电源结构21包括第一公共电极1COM，第一公共电极1COM位于像素电路30靠近像素阵列200的一侧；第二电源结构22包括第二公共电极2COM，第二公共电极2COM位于第一公共电极1COM与像素电路30之间。阵列基板100还包括第一辅助电极41和第二辅助电极42，第一辅助电极41与第一公共电极1COM同层且相互绝缘，第二辅助电极42与第一公共电极1COM同层且相互绝缘；像素电路30中晶体管的第一极(图中未标示)经第一辅助电极41与发光二极管E的第一电极11电连接，第二公共电极2COM经第二辅助电极42与发光二极管E的第二电极12电连接。该实施方式中，第一电源结构和第二电源结构均包括公共电极，能够同时降低第一电源结构和第二电源结构的电阻，则同时降低第一电源结构和第二电源结构上的压降，较大程度的降低功耗损失，同时较大程度改善显示不均。
继续参考图16所示的，阵列基板100还包括第三辅助电极43，第三辅助电极43与第二公共电极2COM同层；第一公共电极1COM经第三辅助电极43与像素电路30电连接。具体的，像素电路30包括多个晶体管(图中仅示意出一个)，第一公共电极1COM经第三辅助电极43与像素电路30中一个晶体管(图中未示出该晶体管的具体结构)的源极或者漏极电连接，进而实现第一公共电极1COM通过像素电路30连接到发光二极管E的第一电极11。该实施方式中，在第一公共电极1COM和像素电路30之间设置有第二公共电极2COM，通过第三辅助电极43的设计，不需要在第一公共电极1COM所在膜层和像素电路中晶体管的源漏极所在膜层之间的绝缘层上制作较深且尺寸较大的打孔，同时能够保证第一公共电极1COM与像素电路中晶体管的源极(或漏极)连接的可靠性。而且，第三辅助电极43能够与第二公共电极2COM在同一工艺制程中制作，不需要增加额外的工艺制程。
另外，如图16所示的，阵列基板还包括第五辅助电极45，第五辅助电极45与第二公共电极2COM同层，其中，第一辅助电极41通过第五辅助电极45与像素电路30电连接。第五辅助电极45与第二公共电极2COM在同一工艺制程中制作。
上述图11至图16实施例均以第二电源结构位于第一电源结构的远离发光二极管的一侧进行示意。在另一些实施方式中，第二电源结构位于第一电源结构和发光二极管之间，也即，第二电源结构位于第一公共电极与发光二极管之间。也即，第二电源结构位于第一公共电极的远离像素电路的一侧，则第二电源结构与像素电路中的电路元件均不位于同层，能够增加第二电源结构设计的自由度，可以设置第二电源结构包括公共电极，以降低第二电源结构上的电阻，从而降低第二电源结构的压降，进一步降低显示面板的功耗损失，同时进一步改善显示不均。
具体的，在一种实施例中，图17为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图。如图17所示，第一电源结构21包括第一公共电极1COM，第一辅助电极41与第一公共电极1COM位于同层，第一电源结构21通过像素电路30与发光二极管E的第一电极11电连接。第二电源结构22包括第二公共电极2COM，第二公共电极2COM位于第一公共电极1COM与发光二极管E之间。第二电源结构22与发光二极管E的第二电极12电连接。该实施方式中，进一步设置第二电源结构包括公共电极，能够降低第二电源结构上的电阻，从而降低第二电源结构的压降，进一步降低显示面板的功耗损失，同时进一步改善显示不均。该实施方式中，第二公共电极可以为条状电极，或者第二公共电极为块状电极，对于第二公共电极的设置可以参考上述图6至图9实施例中说明进行相应的理解。
继续参考图17所示的，阵列基板100还包括第四辅助电极44，第四辅助电极44与第二公共电极2COM同层；第一辅助电极41经第四辅助电极44与发光二极管E的第一电极11电连接。其中，第四辅助电极44与第二公共电极2COM在同一工艺制程中制作。
在一种实施例中，图18A为图17实施例提供的显示面板的一种局部俯视示意图。图18A仅示意出了子像素以及第二电源结构所在膜层的结构。如图18A示出了在第一方向x延伸的子像素行spH，沿第二方向y延伸的子像素列spL。第二公共电极2COM具有第二开口K2，第二开口K2在第二公共电极2COM的厚度方向上贯穿第二公共电极2COM，第四辅助电极44位于第二开口K2内。图18A以一个子像素sp对应一个第二开口K2进行示意，则一个第二开口K2内可以仅设置一个第四辅助电极44，第四辅助电极44用于实现像素电路与发光二极管的第一电极之间的电连接，在保证第四辅助电极44与第二公共电极2COM相互绝缘的情况下，可以将第二开口K2的面积设置的足够小，以尽量增大第二公共电极在显示区的面积。
在另一种实施例中，一个第二开口对应两个子像素，则相应的在一个第二开口内设置两个第四辅助电极。在另一种实施例中，一个第二开口对应三个子像素，则相应的在一个第二开口内设置三个第四辅助电极。在此不再附图示意。
具体的，图18B为图17实施例提供的显示面板的另一种局部俯视示意图。如图18B所示，仅示意出了第一电源结构的俯视示意图，第一电源结构包括第一公共电极1COM，第一公共电极1COM具有第一开口K1，其中，第一辅助电极41位于第一开口K1内，第一辅助电极41用于实现像素电路30与发光二极管E的第一电极11之间的电连接。该实施方式中，第一电源结构位于像素电路30和发光二极管E之间，在第一公共电极1COM上仅设置第一开口K1，能够在第一公共电极1COM和第一辅助电极41相互绝缘的情况下，将，第一开口K1的面积设置的足够小，从而能够增大第一公共电极1COM位于显示区的面积。
具体的，继续参考图17所示的，阵列基板100还包括绑定层70，第二电源结构22位于绑定层70，第二电源结构22与发光二极管E的第二电极12绑定连接。相应的，第四辅助电极44与发光二极管E的第一电极11绑定连接。绑定层70的制作材料、以及绑定工艺均可以参考上述相关实施例中的说明，在此不再赘述。将第二电源结构设置在绑定层，能够实现设置第二电源结构包括公共电极，以降低第二电源结构上的电阻，而且不增加显示面板的膜层厚度。
在另一种实施例中，图19为本发明实施例提供的另一种显示面板截面示意图。如图19所示，阵列基板100还包括电极连接层60和第二绝缘层105，第二绝缘层105位于第二电源结构22和电极连接层60之间，电极连接层60位于第二电源结构22远离第一公共电极1COM的一侧；电极连接层60包括第一连接电极60-1和第二连接电极60-2，第一辅助电极41经第一连接电极60-1与发光二极管E的第一电极11电连接，第二电源结构22经第二连接电极60-2与发光二极管E的第二电极12电连接。可选的，电极连接层可以包括金属连接层和绑定层，也即与图14实施例中示意的电极连接层的结构相同。可选的，电极连接层为绑定层，也即与图15实施例中示意的电极连接层的结构相同。
在另一种实施例中，图20为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图20所示，第二电源结构22包括相互电连接的第二上电源电极22-1和第二下电源电极22-2，第二上电源电极22-1位于第一公共电极1COM和发光二极管E之间，第二下电源电极22-2包括多条第二电源线，第二电源线与晶体管T的第一极d同层。具体的，显示面板中的数据线与第一极d位于同一层，设置第二电源线与数据线的延伸方向相同，以保证第二电源线与数据线相互绝缘、以及第二电源线与第一极和第二极之间相互绝缘。该实施方式中，第二上电源电极和第二下电源电极相互连接能够进一步降低第二电源结构的电阻，而且第二下电源电极中第二电源线与晶体管的第一极同层，不需要在显示面板中额外增加膜层结构。
在一些可选的实施方式中，一个子像素包括至少两个发光二极管，一个子像素包括的发光二极管均连接至同一个第一辅助电极。也即一个子像素包括的发光二极管均连接至同一个像素电路，能够降低发光二极管与阵列基板的绑定不良对子像素显示的影响，在一个子像素中，部分发光二极管绑定不良，剩余的绑定良好的发光二极管仍然能够使得子像素显示。
上述图3、图11至图16均示意第一电源结构位于第二电源结构的靠近像素阵列的一侧，则当第一电源结构包括公共电极时，在公共电极的同层设置第一辅助电极和第二辅助电极，其中，第一电源结构连接像素电路，像素电路通过第一辅助电极连接发光二极管的第一电极，第二电源结构通过第二辅助电极连接发光二极管的第二电极。具体的，图21为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。如图21所示，仅简化示意出了第一电源结构21以及子像素中的发光二极管E，以一个子像素sp包括两个发光二极管E为例，图中以第一电源结构21包括具有第一开口K1的第一公共电极1COM进行示意，第一开口K1内设置有第一辅助电极41和第二辅助电极42，两个发光二极管E的第一电极(未示出)连接同一个第一辅助电极41，且两个发光二极管E的第二电极(未示出)连接同一个第一辅助电极41。对应第一公共电极为条状电极、以及一个第一开口对应两个或者三个子像素的实施例均可参照进行理解，在此不再赘述。
在上述图19和图20实施例中，第二电源结构位于第一电源结构的靠近像素阵列的一侧，当第二电源结构包括公共电极时，在公共电极的通常需要设置第一辅助电极，以保证第二电源结构下方的像素电路能够通过第一辅助电极与发光二极管的第一电极电连接。具体的，图22为本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。如图22所示，仅简化示意出了第二电源结构22以及子像素中的发光二极管E，以一个子像素sp包括两个发光二极管E为例，图中以第二电源结构22包括具有第二开口K2的第二公共电极2COM进行示意，第二开口K2内设置有第一辅助电极41，两个发光二极管E的第一电极(未示出)连接同一个第一辅助电极41，且两个发光二极管E的第二电极(未示出)均与第二公共电极2COM电连接。对应第二公共电极为条状电极、以及一个第二开口对应两个或者三个子像素的实施例均可参照进行理解，在此不再赘述。
进一步的，在一些实施方式中，图23为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面示意图，如图23所示，显示面板还包括遮光层80，遮光层80位于第一电源结构21和第二电源结构22靠近发光二极管E的一侧；在垂直于阵列基板100所在平面的方向上，遮光层80与第一电源结构21交叠，或者，遮光层80与第二电源结构22交叠；遮光层80包括第三开口K3，在垂直于阵列基板100所在平面的方向上，第三开口K3与发光二极E管交叠。图23以第一电源结构21位于第二电源结构22的远离像素电路30的一侧进行示意。在第一电源结构21包括第一公共电极和/或第二电源结构22包括第二公共电极的实施方式中，大面积的公共电极会对环境感光造成反射，进而影响显示面板的效果，本发明实施例中通过设置遮光层能够对大面积公共电极进行遮挡，避免环境光在公共电极上进行反光，从而确保显示面板的显示效果。
进一步的，本发明实施例中公共电极包括第四开口，与公共电极直接接触的绝缘层填充第四开口。公共电极通常采用金属材料制作，与公共电极上下相邻的绝缘层通常采用无机材料制作，通过在公共电极上设置第四开口，能够改善大面积的公共电极与其上下相邻的绝缘层之间的粘结力，避免大面积制作的公共电极出现膜层剥离。图24为本发明实施例提供的另一种显示面板中第一电源结构的俯视示意图，如图24所示，第一电源结构21包括第一个公共电极1COM，第一公共电极1COM包括第一开口K1和第四开口K4。其中，在一些实施方式中，第一开口K1内设置第一辅助电极；在一些实施方式中，第一开口K2内设置第一辅助电极和第二辅助电极。其中，第四开口K4用于实现第一公共电极1COM与上下绝缘层之间的粘结可靠性。其中，第四开口K4的面积小于第一开口K1的面积。为了实现公共电极在不同位置处均与上下绝缘层之间的粘结可靠性，在与一个子像素对应的位置处的公共电极上可以设置多个第四开口，则第四开口的设置密度大于第一开口的设置密度。图24仅以包括第一开口的第一公共电极进行示意，在第一公共电极为条状电极的实施例中，也可以在条状电极上设置第四开口，在此不再附图示意。另外，对于第二电源结构包括公共电极的实施例中公共电极包括第四开口的设置方式，也可以参考进行理解，在此不再赘述。
在本发明实施例中，在垂直于阵列基板所在平面的方向上，第二公共电极与第一公共电极相互交叠，在显示区，第二公共电极与第一公共电极相互交叠的部分的面积为S2，第二公共电极位于所述显示区的部分在显示面板所在平面正投影的面积为S3，其中，S2≥50％S3。该实施方式中，第一公共电极在位于显示区的部分在显示面板正投影的面积不小于显示区面积50％，且第二公共电极在位于显示区的部分在显示面板正投影的面积不小于显示区面积50％，同时第一公共电极和第二公共电极相互交叠的面积较大。与相关技术相比，能够较大程度的降低第一电源结构和第二电源结构的电阻，从而降低电源结构上传输信号的压降，能够降低电源结构上的功耗损失，同时改善显示不均问题。
本发明实施例还提供一种显示装置，图25为本发明实施例提供的显示装置示意图，如图25所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的显示面板00。对于显示面板的结构在上述实施例中已经说明，在此不再赘述。本发明实施例中显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书、电视机、智能穿戴产品等任何具有显示功能的设备。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (33)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板和像素阵列；
所述像素阵列包括多个子像素，一个所述子像素包括至少一个发光二极管，所述发光二极管包括第一电极和第二电极；
所述阵列基板包括第一电源结构、第二电源结构和多个像素电路，所述第一电源结构用于提供第一电源电压，所述第二电源结构用于提供第二电源电压，所述第一电源结构通过所述像素电路与所述发光二极管的第一电极电连接；
所述第一电源结构包括第一公共电极，所述第一公共电极位于所述像素电路靠近所述像素阵列的一侧；
所述阵列基板还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极与所述第一公共电极同层且相互绝缘；
所述像素电路包括至少一个晶体管，所述晶体管包括第一极、第二极和控制极，所述晶体管的第一极经所述第一辅助电极与所述发光二极管的第一电极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一公共电极具有第一开口，所述第一开口在所述第一公共电极的厚度方向上贯穿所述第一公共电极，所述第一辅助电极位于所述第一开口内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
一个所述第一开口对应n个所述子像素，n大于或者等于2；一个所述第一开口内设置有n个所述第一辅助电极。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
一个所述第一开口对应3个所述子像素。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一开口的边缘距所述第一辅助电极的边缘的距离为D1，其中，0.1μm≤D1≤5μm。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
一个所述第一公共电极包括至少两个所述第一开口，所述至少两个所述第一开口沿第三方向排列，所述第一公共电极的位于相邻两个所述第一开口之间的部分在所述第三方向上的长度与所述第一开口在所述第三方向上的长度的比值R，R≥3/7。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构与所述发光二极管的第二电极电连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构位于所述第一公共电极与所述发光二极管之间。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极；
所述阵列基板还包括第四辅助电极，所述第四辅助电极与所述第二公共电极同层；
所述第一辅助电极经所述第四辅助电极与所述发光二极管的第一电极电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述第二公共电极具有第二开口，所述第二开口在所述第二公共电极的厚度方向上贯穿所述第二公共电极，所述第四辅助电极位于所述第二开口。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述第二公共电极具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口交叠。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第二公共电极与所述第一公共电极相互交叠。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，
在所述显示区，所述第二公共电极与所述第一公共电极相互交叠的部分的面积为S2，所述第二公共电极位于所述显示区的部分在所述显示面板所在平面正投影的面积为S3，其中，S2≥50％S3。
14.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括电极连接层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二电源结构和所述电极连接层之间，所述电极连接层位于所述第二电源结构远离所述第一公共电极的一侧；
所述电极连接层包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一辅助电极经所述第一连接电极与所述发光二极管的第一电极电连接，所述第二电源结构经所述第二连接电极与所述发光二极管的第二电极电连接。
15.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括绑定层，所述第二电源结构位于所述绑定层，所述第二电源结构与所述发光二极管的第二电极绑定连接。
16.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
还包括第二辅助电极，所述第二辅助电极与所述第一公共电极同层且相互绝缘；
所述第二电源结构经所述第二辅助电极与所述发光二极管的第二电极电连接。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第一辅助电极复用为第一绑定电极，所述发光二极管的第一电极与所述第一辅助电极绑定连接；
所述第二辅助电极复用为第二绑定电极，所述发光二极管的第二电极与所述第二辅助电极绑定连接。
18.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括电极连接层和第一绝缘层，所述电极连接层位于所述第一公共电极与所述发光二极管之间，所述第一绝缘层位于所述第一公共电极与所述电极连接层之间；
所述电极连接层包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一辅助电极经所述第一连接电极与所述发光二极管的第一电极电连接，所述第二辅助电极经所述第二连接电极与所述发光二极管的第二电极电连接。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，
所述第一连接电极与所述发光二极管的第一电极绑定连接，所述第二连接电极与所述发光二极管的第二电极绑定连接。
20.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极，所述第二公共电极位于所述第一公共电极与所述像素电路之间。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第三辅助电极，所述第三辅助电极与所述第二公共电极同层；
所述第一公共电极经所述第三辅助电极与所述像素电路电连接。
22.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构位于所述第一公共电极远离所述发光二极管的一侧，包括多条第二电源线，所述第二电源线与所述晶体管的第一极同层。
23.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括相互电连接的第二上电源电极和第二下电源电极，所述第二上电源电极位于所述第一公共电极和所述发光二极管之间，所述第二下电源电极包括多条第二电源线，所述第二电源线与所述晶体管的第一极同层。
24.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极；
所述像素阵列包括多个在第一方向延伸的子像素行和多个在第二方向延伸的子像素列，所述第一方向和所述第二方向交叉；
所述第一公共电极和所述第二公共电极中的至少一者包括多条条状电极，在所述显示区内，多条所述条状电极沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列，或者，多条所述条状电极沿所述第二方向延伸，沿所述第一方向排列。
25.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电源结构还包括第一电源线，所述第一电源线与所述第一公共电极电连接；
所述第一电源线与所述晶体管的第一极同层。
26.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一公共电极包括相互电连接的至少两层层叠设置的第一子公共电极，相邻两层所述第一子公共电极之间包括绝缘层。
27.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极；
所述显示面板还包括显示区，所述显示区的面积为S0，所述第一公共电极和所述第二公共电极中的至少一者位于所述显示区的部分在所述显示面板所在平面的投影的面积为S1，其中，S1≥0.5S0。
28.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第二电源结构包括第二公共电极，所述第二公共电极在所述显示区内整面设置；
所述阵列基板还包括基板，所述基板位于所述像素电路的远离所述发光二极管的一侧，所述第二公共电极位于所述基板与所述像素电路之间。
29.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
一个所述子像素包括至少两个发光二极管，一个所述子像素包括的所述发光二极管均连接至同一个所述第一辅助电极。
30.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电源电压高于所述第二电源电压。
31.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光二极管还包括层叠设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层，所述量子阱层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述第二半导体层连接；
其中，
所述第一半导体层位于所述第二半导体层靠近所述像素电路的一侧，所述第一电极位于所述第一半导体层靠近所述像素电路的一侧，所述第二电极位于所述第二半导体层靠近所述像素电路的一侧；或者，
所述第一半导体层位于所述第二半导体层靠近所述像素电路的一侧，所述第一电极位于所述第一半导体层靠近所述像素电路的一侧，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述像素电路的一侧；或者，
所述第一半导体层位于所述第二半导体层远离所述像素电路的一侧，所述第一电极位于所述第一半导体层远离所述像素电路的一侧，所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述像素电路的一侧。
32.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
还包括遮光层，位于所述第一电源结构和所述第二电源结构靠近所述发光二极管的一侧；
在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述遮光层与所述第一电源结构交叠，或者，所述遮光层与所述第二电源结构交叠；
所述遮光层包括第三开口，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，所述第三开口与所述发光二极管交叠。
33.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-32任一项所述的显示面板。
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