CN112151568A - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种电子装置，其包括基板、共享电极以及多个像素。共享电极设置于基板上。像素设置于基板上，且像素的其中至少一个包括薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及辅助电极。第一电极电连接到薄膜晶体管。辅助电极电连接到共享电极并与第一电极电性绝缘，第一电极与辅助电极之间具有最短距离，且第一电极与辅助电极之间的最短距离小于第一电极与共享电极之间的最短距离。本发明能够提升电子装置的静电防护。

Description

电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子装置，特别是涉及一种在像素中设置辅助电极的电子装置。
背景技术
随着科技的进步，具有显示功能的电子装置已发展为具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，因此可广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本电脑、桌面计算机、移动电话、智能型手机等现代化信息设备。在现有的电子装置中，需要许多用于控制像素显示的薄膜晶体管，然而在电子装置的制作过程中或制作完成之后，存在许多静电，例如累积在制作机台或载具上的静电或存在欲设置在薄膜晶体管上的元件的静电，以致于薄膜晶体管容易因静电放电而产生电性上的偏移(例如临界电压偏移)或损坏，造成电子装置的显示不良。
发明内容
本发明的一实施例提供一种电子装置，其包括基板、共享电极以及多个像素。共享电极设置于基板上。像素设置于基板上，且像素的其中至少一个包括薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及辅助电极。第一电极电连接到薄膜晶体管。辅助电极电连接到共享电极并与第一电极电性绝缘，第一电极与辅助电极之间具有最短距离，且第一电极与辅助电极之间的最短距离小于第一电极与共享电极之间的最短距离。
附图说明
图1A所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图；
图1B所示为沿着图1A的剖线A-A’的剖视示意图；
图2所示为本发明第一实施例的一变化实施例的电子装置的俯视示意图；
图3A所示为本发明第二实施例的电子装置的俯视示意图；
图3B所示为沿着图3A的剖线B-B’的剖视示意图；
图4所示为本发明第二实施例的一变化实施例的电子装置的俯视示意图；
图5所示为本发明第二实施例的另一变化实施例的电子装置的剖视示意图；以及
图6所示为本发明其他变化实施例的辅助电极的俯视示意图。
附图标记说明：1、2、3、4、5-电子装置；12-基板；12S-上表面；14、514-共享电极；14A、14B-条状部；14C-第一开口；16-像素；18-薄膜晶体管；181-通道层；182-闸极；183-源极/汲极；18D-驱动元件；18S-切换元件；20-第一电极；22、422-第二电极；24、224、324、624、724、824、924、1024、1124-辅助电极；24A、324A、624A、724A、924A、1024A、1124A-第二开口；26-发光元件；26A-发光体；26B-导电垫；28-半导体层；30、34-绝缘层；38-平坦层；381、382、383-穿孔；40-保护层；40A-开口；42、42A、42B、350-导线；44-接垫；46-导电材料；48-缓冲层；D1-第一方向；D2-第二方向；M、32、36-导电层；MD1、MD2、MD3-最短距离；TD-俯视方向。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为…”之意。
以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。必需了解的是，为特别描述或图标之元件可以此技术人士所熟知之各种形式存在。此外，当元件或膜层被称为在另一元件或另一膜层上，或是被称为与另一元件或另一膜层连接时，应被了解为所述的元件或膜层是直接位于另一元件或另一膜层上，或是直接与另一元件或膜层连接，也可以是两者之间存在有其他的元件或膜层(非直接)。但相反地，当元件或膜层被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，则应被了解两者之间不存在有插入的元件或膜层。
说明书与请求项中所使用的序数例如“第一”、“第二”等之用词，以修饰请求项之元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
需说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
本发明的电子装置可例如包括显示设备、发光装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shapedisplay)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot,QD，可例如为QLED、QDLED)或其他适合之材料或上述材料的任意排列组合，但不以此为限。显示设备可例如包括拼接显示设备，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统等外围系统以支持显示设备或拼接装置。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示设备做为电子装置以说明本发明内容，但本发明不以此为限。
图1A所示为本发明第一实施例的电子装置的俯视示意图，图1B所示为沿着图1A的剖线A-A’的剖视示意图。为清楚显示本发明的技术特征，图1A主要显示共享电极以及像素中的第一电极与第二电极的相对关系，且图1A右侧部分显示左侧区域R中的放大示意图，但本发明不以此为限。如图1A与图1B所示，电子装置1包括基板12、共享电极14以及多个像素16，共享电极14与像素16可设置于基板12的上表面12S上。基板12可例如包括可挠基板或不可挠基板。基板材料可例如包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、蓝宝石(sapphire)、亚克力(acrylic)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚芳酯(PAR)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。
如图1A所示，从电子装置1的俯视方向TD观看，共享电极14可包括沿着第一方向D1延伸的条状部14A以及沿着第二方向D2延伸的条状部14B，且条状部14A可与条状部14B交错连接，使得共享电极14为网格状。共享电极14可具有多个第一开口14C，且从俯视方向TD观看，多个像素16可设置于多个第一开口14C中。举例来说，至少一个像素16可设置于一个开口14C中。以在图1A所示的实施例为例，一个像素16可设置于一个第一开口14C中，但不限于此。在一些实施例中，可有至少两个像素16设置于一个第一开口14C中。在一些实施例中，像素16可例如为产生单一颜色的子像素或产生多种颜色的像素，但不限于此。本发明的俯视方向TD可例如为图1B所示的垂直于基板12的上表面12S的法线方向。第一方向D1与第二方向D2可垂直于俯视方向TD，且第一方向D1与第二方向D2可例如彼此垂直，但不限于此。共享电极14可用以引导或排除静电。举例来说，共享电极14可在电子装置1制作完成后电连接到接地电压或共享电压，但不限于此。接地电压与共享电压可相同或不相同。
请继续参考图1A与图1B。至少一个像素16可包括薄膜晶体管18、第一电极20、第二电极22以及辅助电极24。其中，第一电极20电连接到薄膜晶体管18，且辅助电极24电连接到共享电极14并与第一电极20电性绝缘。值得说明的是，第一电极20与辅助电极24之间具有最短距离MD1，小于第一电极20与共享电极14之间的最短距离MD2，使得流进第一电极20中的大量静电可通过辅助电极24释放到具有较大面积的共享电极14，以降低薄膜晶体管18受到静电放电的破坏。本发明可提升电子装置1的静电防护的效果。
在图1A与图1B的实施例中，辅助电极24可与第一电极20以及第二电极22形成在同一膜层(例如导电层M)中。在本发明中，“形成在同一膜层中”可意指包括相同材料、由同一制程所形成、由同一膜层形成或夹设在两相同膜层之间。举例来说，辅助电极24、第一电极20与第二电极22可包括相同的导电材料、由同一制程所形成、由同一导电层M形成或夹设在两相同膜层(例如图1B所示的平坦层38与绝缘层40)之间。此外，从电子装置1的俯视方向TD观看，辅助电极24可围绕第一电极20，而设置于第一电极20与共享电极14之间，因此第一电极20与辅助电极24之间的最短距离MD1可位于垂直俯视方向TD的水平方向，但不以此为限。换言之，从电子装置1的俯视方向TD观看，辅助电极24可包括至少一第二开口24A，且第一电极20设置于第二开口24A中。在图1A的实施例中，最短距离MD1可位于第一方向D1上，但不限于此。在一些实施例中，最短距离MD1也可位于第二方向D2或不同于第一方向D1与第二方向D2的其他水平方向上。在一些实施例中，从电子装置1的俯视方向TD观看，辅助电极24可围绕第一电极20与第二电极22，而设置于第二电极22与共享电极14之间，也就是第一电极20与第二电极22可设置于第二开口24A中，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极24可围绕第一电极20，而不围绕第二电极22。在一些实施例中，辅助电极24可不围绕第一电极20且设置于第一电极20的至少一侧。在一些实施例中，第一电极20与辅助电极24之间的最短距离MD1还可小于第一电极20与第二电极22之间的最短距离MD3，以降低静电流入第二电极22的情况，在一些实施例中，第一电极20与辅助电极24之间的最短距离MD1、第一电极20与共享电极14之间的最短距离MD2与第一电极20与第二电极22之间的最短距离MD3可以由俯视方向测量两电极间最短距离，或是由剖面方向测量两电极间最短距离，但不以此为限，举例而言，当由剖面方向测量最短距离时，两电极形成在不同膜层时可沿第二方向D2测量，或沿第一方向D1测量。
在图1A的实施例中，第二电极22可电连接到辅助电极24，但不以此为限。举例来说，第二电极22可直接与辅助电极24连接，但不限于此。在一些实施例中，第二电极22可通过与导电层M不同的导电层所形成的导线(例如图3A所示的导线350)电连接到辅助电极24。在图1A的实施例中，共享电极14也可与第一电极20形成在同一导电层M中，且从电子装置1的俯视方向TD观看，第一电极20、第二电极22与辅助电极24设置于第一开口14C中，并与共享电极14分隔开。在此情况下，像素16还可包括导线42，形成在与导电层M不同的导电层中，且导线42可电连接第二电极22与共享电极14，以辅助电极24可通过第二电极22与导线42电连接到共享电极14。在一些实施例中，辅助电极24可直接与共享电极14连接，或者当第二电极22电连接到辅助电极24时，第二电极22可直接与共享电极14连接，而不需导线42。在一些实施例中，辅助电极24可与第二电极22电性绝缘，而彼此分开，在此情况下，提供至辅助电极24与共享电极14的电压(例如共享电压)可与提供至第二电极22的电压(例如接地电压)不同，但不限于此。在一些实施例中，共享电极14、辅助电极24、第一电极20以及第二电极22可分别包括导电材料，其例如包括铝、氮化钼、铜、钛、其他适合的材料或上述的组合，但不以此为限。
详细而言，在图1A与图1B的实施例中，电子装置1以自发光显示设备为例描述，一个像素16可包括至少两个薄膜晶体管18以及至少一个发光元件26，但不限于此。像素16中的薄膜晶体管18的数量以及发光元件26的数量不以图1B所示为限，可视需求调整。需说明的是，单一像素16的范围可定义为像素16所包含的元件的分布范围，以图1B为例，像素16的范围可从最外侧的薄膜晶体管18的外侧边到导线42的外侧边，但不以此为限。薄膜晶体管18的其中一个可为切换元件18S，而另一个可为驱动元件18D，发光元件26可通过第一电极20电连接到驱动元件18D。在一些实施例中，切换元件18S与驱动元件18D的位置或与第一电极20的电性连接关系可因电路设计不同而改变。
在一些实施例中，发光元件26可包括发光体26A以及两导电垫26B，发光体26可用以产生光线，导电垫26B设置于发光体26A的下表面用以将发光体26A电连接至第一电极20与第二电极22。导电垫26B可分别设置于第一电极20与第二电极22上，且导电垫26B分别电连接第一电极20与第二电极22。举例来说，发光元件26可包括发光二极管封装、发光二极管芯片或其他合适的发光元件。发光二极管封装或发光二极管芯片可例如包括有机发光二极管、次毫米发光二极管、微发光二极管、量子点发光二极管、纳米线发光二极管或棒状发光二极管(Quantum Rod LED)，但不以此为限。发光二极管封装可例如包括一个以上的发光二极管芯片。第一电极20与第二电极22可例如分别电连接发光元件26的阳极与阴极，但不限于此。在一些实施例中，第一电极20与第二电极22可分别电连接发光元件26的阴极与阳极。在一些实施例中，电子装置1可例如包括有机发光二极管显示设备或非自发光显示设备，但不限于此。非自发光显示设备可例如包括液晶显示设备，但不限于此。
在一些实施例中，如图1B所示，当薄膜晶体管18为顶闸型(top-gate type)时，电子装置1可包括半导体层28、绝缘层30、导电层32、绝缘层34、导电层36以及平坦层38，但不以此为限。在此情况下，半导体层28可设置于基板12上，并包括薄膜晶体管18的通道层181；绝缘层30可设置于半导体层28与基板12上，并作为薄膜晶体管18的闸极绝缘层；导电层32可设置于绝缘层30上，并包括薄膜晶体管18的闸极182；绝缘层34可设置于导电层32与绝缘层30上；导电层36设置于绝缘层34上并包括薄膜晶体管18的源极/汲极183，且源极/汲极183可分别通过绝缘层34和绝缘层30的穿孔电连接通道层181；以及平坦层38设置于导电层36与绝缘层34上。平坦层38可具有穿孔381，使第一电极20可通过穿孔381与对应的薄膜晶体管18的其中一源极/汲极183电连接。在图1B的实施例中，共享电极14、辅助电极24、第一电极20与第二电极22设置于平坦层38上，但不以此为限。在一实施例中，如图1B所示，电子装置1还可包括保护层40，设置于共享电极14、辅助电极24、第一电极20、第二电极22与平坦层38上，用以保护共享电极14、辅助电极24、第一电极20以及第二电极22。保护层40可具有两开口40A，分别曝露出第一电极20以及第二电极22，使第一电极20与第二电极22可分别通过开口40A与发光元件26的导电垫26B电连接。
在一些实施例中，导电层32与导电层36可分别包括导电材料，其例如包括铝、氮化钼、铜、钛、其他适合的材料或上述的组合，但不以此为限。绝缘层30、绝缘层34以及保护层40可例如分别包括氧化硅、氮化硅、上述的组合或其他合适的材料，但不以此为限。平坦层38可例如包括亚克力系(acrylic-based)有机材料、硅基(silicon-based)有机材料、其他合适的有机材料或上述的组合，但不限于此。
本发明的薄膜晶体管18的类型不限如图1B所示的顶闸型，在一些实施例中，薄膜晶体管18可例如为底闸型(bottom-gate type)晶体管，或视需求改为双闸(dual-gatetype)极晶体管或其他适合的晶体管。或者，薄膜晶体管18也可例如包括非晶硅(amorphoussilicon)晶体管、低温多晶硅(low-temperature poly-silicon,LTPS)晶体管、氧化物半导体(metal-oxide semiconductor,IGZO)晶体管，且不限于此。随着薄膜晶体管18的类型的不同，电子装置1中的绝缘层的数量可不相同。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管18可包含不同材料的半导体层28，但不限于此。
在图1A与图1B的实施例中，平坦层38除了穿孔381之外还可包括穿孔382与穿孔383，且导线42可设置于平坦层38与绝缘层34之间，使得第二电极22可通过穿孔382与导线42电连接，且共享电极14可通过穿孔383与导线42电连接，因此达到辅助电极24与共享电极14之间的电性连接。举例来说，导线42可形成导电层36、导电层32或不同于导电层M的其他导电层中，但不限于此。本发明辅助电极24电连接到共享电极14的方式不以此为限。在一些实施例中，当共享电极14与第二电极22形成在同一导电层M中时，辅助电极24可形成在导电层36中或位于导电层36上任一导电层中。在一些实施例中，当辅助电极24与第二电极22形成在同一导电层M中时，共享电极14可形成在不同于导电层M的导电层中。举例来说，共享电极14可形成在导电层36中，但不限于此。
需说明的是，由于薄膜晶体管18的通道层181在尚未运作时具有一定的阻抗，通过将辅助电极24设置于邻近第一电极20，可使第一电极20中的大量静电可从辅助电极24释放到共享电极14，以降低对薄膜晶体管18的结构(例如通道层181)的破坏，从而提升电子装置1的静电防护。
在一些实施例中，如图1B所示，像素16还可选择性包括至少两接垫44，设置于绝缘层40上，且接垫44分别通过开口40A电连接第一电极20与第二电极22。发光元件26的导电垫26B可通过接垫44接合在第一电极20与第二电极22上，但不以此为限。在一些实施例中，像素16还可选择性包括导电材料46，用以黏接并电连接导电垫26B与对应的接垫44。举例来说，导电材料46可包括锡球(solder ball)，但不限于此。在一些实施例中，导电垫26B也可通过共晶接合(eutectic bonding)方式直接与接垫44接合或通过其他合适的接合方式与接垫44接合，只要可与接垫44电性连接即可。
在一些实施例中，如图1B所示，电子装置1还可选择性包括缓冲层48，设置于薄膜晶体管18与基板12之间。缓冲层48可例如用于阻挡水气或氧气进入电子装置1。缓冲层48可为单层或多层，缓冲层48的材料可例如包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、树脂、其他适合的材料、或上述的组合，但不限于此。
电子装置并不以上述实施例为限，且可具有不同的实施例或变化实施例。为简化说明，下文中不同的实施例或不同的变化实施例将使用与第一实施例相同标号标注相同元件。为容易比较第一实施例与不同的实施例或不同的变化实施例之间的差异，下文将突显不同的实施例或不同的变化实施例的差异，且不再对重复部分作赘述。
图2所示为本发明第一实施例的一变化实施例的电子装置的俯视示意图。为清楚显示本发明的技术特征，图2主要显示对应图1A区域R的变化实施例的俯视示意图，但不以此为限。在图2的变化实施例中，电子装置2的辅助电极224可不围绕第一电极20。在一些实施例中，辅助电极224与第二电极22可分别通过不同的导线42A与导线42B电连接共享电极14。在一些实施例中，导线42A与导线42B可已分别位于不同膜层，在一些实施例中，导线42B可不电连接共享电极14，且第二电极22可通过导线42B电连接至接地端，使得第二电极22与共享电极14可分别电连接到不同的接地电压与共享电压。
图3A所示为本发明第二实施例的电子装置的俯视示意图，图3B所示为沿着图3A的剖线B-B’的剖视示意图。为清楚显示本发明的技术特征，图3A主要显示对应图1A区域R的变化实施例的俯视示意图，但不以此为限。在图3A与图3B所示的实施例中，电子装置3与上述实施例的差异在于辅助电极324形成在与导电层M不同的导电层中，且在电子装置3的俯视方向TD上，辅助电极324与第一电极20部分重叠。换言之，辅助电极324的第二开口324A的大小可小于第一电极20的面积。举例来说，辅助电极324可形成在和导电层36同一膜层中，但不限于此。在一些实施例中，辅助电极324可设置在平坦层38与绝缘层34之间，且形成在与导电层36不同的导电层中。因此，在电子装置3中，最短距离MD1可例如位于俯视方向TD上或者位于不平行于水平方向的方向上，但不以此为限。在一些实施例中，当与第一电极20电连接的源极/汲极183与辅助电极324之间的最短距离在图案化制程机台极限的范围内可小于辅助电极324与第一电极20之间的最短距离时，最短距离MD1可由制程机台极限决定。
如图3A所示，在一实施例中，像素16还可包括另一导线350，电连接导线42。举例来说，导线42在电子装置3的俯视方向TD上可具有与第二电极22重叠的部分，且导线350可延伸至与导线42(与第二电极22重叠部分)连接，但不以此为限。在一些实施例中，导线350可延伸至与共享电极14重叠，以电连接辅助电极324与共享电极14。在一些实施例中，在电子装置3的俯视方向TD上，辅助电极324可不具有第二开口324A，也就是辅助电极324至少与第一电极20的一部分侧边不重叠，例如：辅助电极324可以是U字形，辅助电极324会有一部分侧边与第一电极20不重叠。
需说明的是，在图3A与图3B所示的电子装置3中，由于在电子装置3的俯视方向TD上，电连接到具有较大面积的共享电极14的辅助电极324可与第一电极20重叠，以增加辅助电极324与第一电极20之间的耦合电容，因此当大量静电放电流入第一电极20时，所述耦合电容可有助于静电释放到共享电极14中，而提升电子装置1的静电防护。
图4所示为本发明第二实施例的一变化实施例的电子装置的俯视示意图。为清楚显示本发明的技术特征，图4主要显示对应图1A区域R的变化实施例的俯视示意图，但不以此为限。在图4的变化实施例中，第二电极422可直接与共享电极14连接，因此电子装置4可不需图3A所示的导线42。
图5所示为本发明第二实施例的另一变化实施例的电子装置的剖视示意图。本变化实施例的电子装置5与图3B所示的实施例的差异在于共享电极514可形成在不同于导电层M的导电层中。举例来说，共享电极514可形成在导电层36中，但不限于此。当辅助电极324形成在导电层36中时，辅助电极324可直接通过导线350(如图3A所示)与共享电极514连接，但不限于此。需说明的是，在电子装置1的制作过程中，共享电极514尚未电连接接地电压或共享电压，由于辅助电极324与共享电极514可在制作薄膜晶体管18时形成，因此具有较大面积的共享电极514可有助于将制作过程中累积的静电从第一电极20释放于其中，以降低静电的破坏。
在一些实施例中，除了共享电极514之外，电子装置5还可包括图1B所示形成在导电层M中的共享电极14。在一些实施例中，当共享电极514形成在导电层36中时，辅助电极也可采用与图1B所示的辅助电极24的设计，在此情况下，辅助电极24可例如通过第二电极22与导线42电连接共享电极514，但不限于此。
图6所示为本发明其他变化实施例的辅助电极的俯视示意图。为清楚显示本发明的技术特征，图6显示不同变化实施例的辅助电极的俯视示意图，但不以此为限。如图6的例(i)所示，辅助电极624可为环形，而具有一个第二开口624A。举例来说，辅助电极624的外侧边轮廓可例如为矩形或其他合适的几何形状，但不限于此。如图6的例(ii)所示，辅助电极724可为网格状，而具有多个第二开口724A。第二开口724A的形状可例如为矩形或其他合适的几何形状，但不限于此。如图6的例(iii)所示，辅助电极824可为块状，而不具有开口。在此情况下，辅助电极824需设置于第一电极的一侧。如图6的(iv)所示，辅助电极924可具有多个第二开口924A，且第二开口924A可例如为菱形或其他合适的形状。如图6的例(v)所示，当辅助电极1024的外侧边轮廓为矩形或其他合适的几何形状时，辅助电极1024的第二开口1024A可为不规则形状。如图6的例(vi)所示，辅助电极1124的外侧边轮廓可为不规则形状。在此情况下，第二开口1124A可例如为几何形状或不规则形状。在一些实施例中，上述辅助电极624、辅助电极724、辅助电极824、辅助电极924、辅助电极1024与辅助电极1124的其中任一者可适用于上述任一实施例或变化实施例。从俯视方向看，在一些实施例中，图6的例(i)、图6的例(v)、图6的例(vi)可以替代图1A的辅助电极24且第一电极20与第二电极22可设置在其第二开口624A、1024A、1124A中，其中，图6的例(i)与图1A的辅助电极的差异为图6的例(i)的辅助电极624可不与第二电极(22)电性连接，在另一些实施例中，第一电极20可设置在第二开口624A、1024A、1124A中。更仔细的说，与接垫44或导电材料46连接的第一电极20或第二电极22可选择性是否电性连接辅助电极624、1024、1124，当发光元件组装到基板12上，发光元件的接垫44或导电材料46会与第一电极20或第二电极22连接，其过程可能会产生的静电，其静电可以通过第二开口被释放。在一些实施例中，辅助电极的形状或第二开口配置可因避开发光元件和薄膜晶体管以外的周围电子元件而设计，举例来说，图6的例(v)和图6的例(vi)辅助电极的设计，由于辅助电极靠近发光元件和薄膜晶体管以外的周围电子元件，也可释放周围电子元件在制程中所产生静电。从俯视方向看，在一些实施例中，图6的例(i)、图6的例(v)、图6的例(vi)可以替代图3A的辅助电极324且与第一电极20部分重叠，换句话说，从俯视方向看，至少部分辅助电极与第一电极20重叠，即可视为部分重叠。在另一些实施例中，图6的例(ii)、图6的例(iii)、图6的例(iv)的辅助电极724、824、924可以是图3A辅助电极324的一部分，举例来说，图6的例(ii)的辅助电极724与图6的例(iv)的辅助电极924可以是图3A辅助电极324的其中一个部分，其开口的形状设计可以任意变换。在另一些实施例中，图6的例(ii)的第二开口724A与图6的例(iv)的第二开口924A可以是通孔，导线可视设计需求穿过通孔通过不同膜层。需注意的是，第一电极邻近上述辅助电极开口，使辅助电极与第一电极的最短距离小于辅助电极与第二电极的最短距离。
综上所述，在本发明的电子装置中，通过将辅助电极设置于邻近第一电极，使第一电极与辅助电极之间的最短距离小于第一电极与共享电极之间的最短距离，流进第一电极中的大量静电可通过辅助电极释放到具有较大面积的共享电极，以降低薄膜晶体管受到静电放电的破坏，从而提升电子装置的静电防护。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一基板；
一共享电极，设置于所述基板上；以及
多个像素，设置于所述基板上，所述多个像素的其中至少一个包括：
一薄膜晶体管；
一第一电极，电连接到所述薄膜晶体管；
一第二电极；以及
一辅助电极；
其中所述辅助电极电连接到所述共享电极并与所述第一电极电性绝缘，所述第一电极与所述辅助电极之间具有最短距离，且所述第一电极与所述辅助电极之间的最短距离小于所述第一电极与所述共享电极之间的最短距离。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电极与所述辅助电极之间的最短距离小于所述第一电极与所述第二电极之间的最短距离。
3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述共享电极为网格状，所述共享电极包括多个第一开口，且所述多个像素设置于所述多个第一开口中。
4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二电极电连接到所述辅助电极。
5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二电极电连接到所述共享电极。
6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的俯视方向上，所述辅助电极围绕所述第一电极。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述辅助电极与所述第一电极形成在同一膜层中。
8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述电子装置的俯视方向上，所述辅助电极与所述第一电极部分重叠。
9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述辅助电极为环形。
10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述辅助电极包括至少一第二开口。
11.如权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述至少一第二开口为菱形。
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