JP2005085737A - 自発光型表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 画素領域の各発光面積を拡張することなく、発光領域で挟まれた領域を狭くすることにより、表示品位の向上を図ることのできる自発光型表示装置、およびそれを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】 画素領域Aの各々に、共通のTFT124、および共通の画素電極111を介して同一の電源線133に接続する第1および第2の有機EL素子B1、B2が形成されており、これらの有機EL素子B1、B2によって、第1および第2のサブ画素A1、A2が形成されている。また、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、共通の画素電極111上で所定の間隔をあけて形成されており、その分、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、隣接する画素領域Aのサブ画素に近接している。
【選択図】 図5
【解決手段】 画素領域Aの各々に、共通のTFT124、および共通の画素電極111を介して同一の電源線133に接続する第1および第2の有機EL素子B1、B2が形成されており、これらの有機EL素子B1、B2によって、第1および第2のサブ画素A1、A2が形成されている。また、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、共通の画素電極111上で所定の間隔をあけて形成されており、その分、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、隣接する画素領域Aのサブ画素に近接している。
【選択図】 図5
Description
本発明は、自発光型素子によって多数の画素が構成された自発光型表示装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、画素の構造技術に関するものである。
TV、PC用モニター、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器に搭載可能な各種の表示装置のうち、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という。)などの自発光型素子によって多数の画素が構成された自発光型表示装置では、図10に示すように、赤(R)、緑(G)、青(B)に対応する画素領域Aの各々に、給電線(図示せず)に接続する画素スイッチング素子(図示せず)と、この画素スイッチング素子を介して給電線に接続された1つの画素電極111と、この画素電極111および画素スイッチング素子を介して給電線に接続する1つの自発光型素子Bとを備えており、この自発光型素子Bによって、画素C(発光領域)が形成されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−24604号公報
このような自発光型表示装置においては、画素Cの発光面積に比例して1画素当りの電流が増大する。例えば、画素Cのサイズが縦方向および横方向において2倍になると、1画素当たりに流れる電流は4倍となる。一般的にTVなどの用途においては縦ならびに横の画素数は放送フォーマットによって規定されるから、1画素当たりの電流量は表示対角サイズの二乗に伴って増大していく事になる。従って、大型のディスプレイを作るには絵素あたりのスイッチング素子の電流駆動能力、配線の耐電流特性を向上させる必要がある。
しかしながら、配線の太さや画素スイッチング用素子として用いた薄膜トランジスタ(以下、TFTという。)のチャネル幅は、横方向あるいは縦方向のうちの一方向にしか増やせないため、配線や画素スイッチング用のTFTの駆動電流能力(電流容量)は、対角サイズに比例した分しか増大させることができない。また、画素スイッチング用のTFTのサイズは、発熱を抑えるという観点から、一定のサイズ以上に拡大できないという制約もある。このため、1つの画素領域A内の発光面積は、同じ発光効率の発光素子を用いる限り、配線や画素スイッチング用のTFTの駆動電流能力によって一定以下に制限されることになる。
ここに、自発光型素子Bについてはその構成部分をインクジェット法により形成することが提案されている。
ここに開示の技術では、撥水性のバンクを形成しておき、その内側に形成された開口内にインクジェット法により液状材料を塗布した際、バンクの表面張力によって、バンクの所望の位置に液状材料を塗布し、薄膜(塗膜)を形成する。このため、開口部が大きいと、その中央部分では、バンクの表面張力の影響が及ばないので、開口内では、中央部分と、バンク付近の縁部分との間に薄膜の厚さに違いが発生する。それ故、このような自発光型素子では、それ自身のプロセス上の制約から、1つの画素内での発光面積を増大させることができない。
また、インクジェット法により液状材料を描画する場合、塗布工程、乾燥工程、塗布工程、乾燥工程を繰り返すため、画素のサイズが大きすぎると、生産性が低下し、かつ、膜厚の均一な薄膜を形成するのも困難である。
一方、蒸着マスク法で自発光型素子Bを構成する薄膜を形成する場合、マスクされた部分の縁部分と、開口中央部分では蒸着膜の厚さが相違するという問題があり、このような問題は、画素面積が広いほど顕著である。従って、1つの画素内での発光面積を増大させることができない。
さらに、発光面積があまりに大面積すぎると、自発光型素子Bで発生した熱の逃げ場所がなく、温度が過度に上昇して信頼性が低下するという点でも、1つの画素領域Aでの発光面積を増大させることができない。
従って、発光面積を小さくすればよいが、画素領域Aのピッチに比較して発光面積を狭くすると、発光領域で挟まれた領域間の幅寸法Wが広くなる。このような発光領域で挟まれた領域は、非発光部分であるため、黒線の幅が広くなると、目視でもはっきり視認されてしまい、表示品位が低下する。
また、別の解決手段として全体の駆動電圧を下げて面積当たりの発光強度を落とせば過大な電流は防止できるが、低電圧・低電流での階調制御は技術的に困難であり、特に低階調側の表示品位を損なう場合がある。
別の問題点として、一つの画素Cの面積が増大していくと、肉眼で画素一つ一つがはっきりと視認できるという問題点を有する。このため、大型ディスプレイを間近で見ると、RGBの各画素が分離して見えてしまって表示品位が低下する。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素領域の各発光面積を拡張することなく、発光領域で挟まれた領域を狭くすることにより、表示品位の向上を図ることのできる自発光型表示装置、およびそれを用いた表示装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、マトリクス状に配置された多数の画素領域の各々は1又は複数の互いに独立したアイランド状の自発光型素子であるサブ画素よりなり、少なくとも1以上の前記画素領域は複数の前記サブ画素を含み、同一の前記画素領域内に含まれる前記1又は複数のサブ画素は互いに同じ画素電極上に配置されていることを特徴とする。このように構成すると画素電極に流れる電流量を一定以下にしつつ、非表示部の幅を狭く出来るため表示品位を向上させられる。
また本発明において、前記画素領域の各々は1又は複数の互いに独立したアイランド状の自発光型素子であるサブ画素よりなり、少なくとも1以上の前記画素領域は複数の前記サブ画素を含み、同一の前記画素領域内に含まれる前記複数のサブ画素は互いに独立したアイランド状の複数の画素電極上に配置されていることを特徴とする。
このように構成すると、複数のサブ画素が冗長性を有することになるので、同一の画素領域内に形成された複数のサブ画素のうちのいずれかに不具合が発生しても、他のサブ画素が正常であれば、これらの画素領域の一部では正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
このように構成すると、複数のサブ画素が冗長性を有することになるので、同一の画素領域内に形成された複数のサブ画素のうちのいずれかに不具合が発生しても、他のサブ画素が正常であれば、これらの画素領域の一部では正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
本発明において、同一の前記画素領域内に形成された前記複数のサブ画素は、同一の波長帯の光を出射することが好ましい。
本発明において、同一の画素領域内に形成された前記複数のサブ画素の各々に最も近接しているサブ画素は、別の画素領域内のサブ画素であることが好ましい。このように構成すると、同一色に対応するサブ画素が接近したまま一列に並ぶことがないので、表示品位を向上することができる。
この場合、前記サブ画素のうち、最も近接し合ってるサブ画素同士は、互いに異なる波長帯の光を出射することが好ましい。
本発明において、前記多数の画素領域には、前記複数のサブ画素同士の間隔および相対位置のうちの少なくとも一方が相違する複数タイプの画素領域が含まれていることが好ましい。このように構成すると、品位の高い自然画を表示することができる。
本発明において、前記同一の波長帯の光を出射する画素領域同士は、1つの画素領域内に形成されたサブ画素の面積の合計が等しいことが好ましい。
本発明において、前記自発光型素子は、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子であり、前記画素電極には能動素子、例えば、TFTが接続される。このようなTFTは、能動層がアモルファスシリコン膜からなるTFTを用いることができる。この場合、TFTの性能が比較的低く、一つの画素に流せる電流量のボトルネックとなるために本発明の効果は一層顕著となる。
本発明において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素のうち、少なくとも一部がインクジェット法により塗布形成された薄膜から構成されていることが好ましい。インクジェット法では広い面積の発光アイランドを均一に形成する事が難しいために本発明の効果が顕著である。
本発明を適用した自発光型表示装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
本発明では、画素領域の各々では、画素電極に自発光型素子が複数、接続され、複数の自発光型素子によって、1つの画素領域内に複数のサブ画素が構成されている。このため、1つの画素領域内におけるサブ画素の面積を拡張してなくても、隣接する画素領域のサブ画素同士の間隔を狭めることができる。従って、TFTや配線のサイズに見合った消費電流量におさえつつ発光領域で挟まれた非発光領域の間隔を狭めることができるので、黒線が目立たないので、表示品位を向上することができる。また、複数のサブ画素が冗長性を有することになるので、同一の画素領域内に形成された複数の自発光型素子のいずれかに不具合が発生しても、他の自発光型素子で正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に説明する各実施の形態に係るディスプレイモジュールは、基本的な構成が図8を参照して説明したものと共通しているので、対応する部分は同一の符号を付して説明する。
以下、図面を参照して、本発明に係る有機EL装置(自発光型表示装置)、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
[実施の形態1]
(有機EL装置の全体構成)
図1は、本発明に係る自発光型表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機EL装置の模式図である。図2は、有機EL装置の電気的構成を示す説明図である。図3は、本形態の有機EL装置における画素領域の構成を示す平面図である。図4は、画素領域1つ分の断面構造を拡大して示す断面図である。
(有機EL装置の全体構成)
図1は、本発明に係る自発光型表示装置の一実施形態であるアクティブマトリクス型の有機EL装置の模式図である。図2は、有機EL装置の電気的構成を示す説明図である。図3は、本形態の有機EL装置における画素領域の構成を示す平面図である。図4は、画素領域1つ分の断面構造を拡大して示す断面図である。
図1において、本形態の有機EL装置1は、基板2の上に回路素子として薄膜トランジスタを含む回路素子部14、画素電極(陽極)111、有機EL層(発光層)を含む有機機能層(機能層)110を備えた有機EL素子(自発光型素子)、対向電極(陰極)12、および封止部3等を順次、積層した画素領域Aをマトリクス状に複数配置したものである。
基板2として、本実施形態ではガラス基板が用いられている。基板2は、ガラス基板の他にもシリコン基板、石英基板、セラミックス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。この基板2の表面(図1における下面)は、外光の反射を抑制する減反射処理が施してあることが好ましい。基板2の表面に減反射処理を施すことによって外光の反射を抑制できるので本有機EL装置1のコントラストを向上させることが可能となる。
基板2内には、複数の画素領域Aがマトリクス状に配列形成されており、カラー表示を行う場合、例えば、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する画素領域Aが所定の配列で配置されている。
各画素領域Aには画素電極111が配置され、その近傍には信号線132、電源線133、走査線131、及び図示しない他の画素電極用の走査線等が配置されている。画素領域Aの平面形状は、図示するような矩形の他に円形、長円形など任意の形状が適用される。
封止部3は、水や酸素の浸入を防ぐことによって陰極12あるいは有機機能層110の酸化を防止するものであり、基板2に塗布される封止樹脂、及び基板2に貼り合わされる封止基板3b(封止缶)等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。封止樹脂は、基板2の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ等によって塗布される。封止基板3bは、ガラスや金属等からなり、基板2と封止基板3bとは封止樹脂を介して貼り合わされる。
図2において、基板2上には複数の走査線131と、走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、信号線に並列に延びる複数の電源線133とが配線されている。また、走査線131及び信号線132の各交点毎に上記画素領域Aが形成されている。信号線132には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを含むデータ側駆動回路103が接続されている。また、走査線131にはシフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路104が接続されている。
画素領域Aには、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ123と、このスイッチング用のTFT123を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量135と、保持容量135によって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用のTFT124と、この駆動用のTFT124を介して電源線133に電気的に接続したときに電源線133から駆動電流が流れ込む画素電極(陽極)111と、画素電極(陽極)111と陰極12との間に挟み込まれる有機機能層110を備えた有機EL素子とが設けられている。
画素領域Aでは、走査線131が駆動されてTFT123がオン状態になると、そのときの信号線132の電位が保持容量135に保持され、この保持容量135の状態に応じて駆動用のTFT124の導通状態が制御される。また、駆動用のTFT124がオン状態になったとき、そのチャネルを介して電源線133から画素電極111に電流が流れ、さらに、有機EL素子では、有機機能層110を通じて陰極12に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層110が発光する。
図3に示すように、本実施形態の有機EL装置1において、画素領域Aでは、画素電極111の周縁部を取り囲んで平面視略矩形枠状の主隔壁112cが形成されており、この主隔壁112cに囲まれた領域の短辺方向中央部を上下に横断する分割壁112dにより、画素領域Aが2つの領域に区画されている。
図4に示すように、有機EL装置1は、基板2上にTFTなどの回路等が形成された回路素子部14と、画素電極111及び有機機能層110が形成された発光素子部11と、陰極12とが順次積層されて構成されている。この有機EL装置1では、有機機能層110から基板2側に発した光が回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)に出射されると共に、有機機能層110からの基板2の反対側に発した光が陰極12によって反射されて回路素子部14及び基板2を透過して基板2の下側(観測者側)の放出されるようになっている。
回路素子部14には、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上にアモルファスシリコン膜からなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141として多結晶シリコン膜が用いられる場合もある。半導体膜141にはソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みによって形成され、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。さらに、回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆う透明なゲート絶縁膜142が形成され、ゲート絶縁膜142上にはAl、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線)が形成され、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと、第2層間絶縁膜144bが形成されている。ゲート電極143は半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に設けられている。また、第1、第2層間絶縁膜144a、144bを貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a、141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145、146が形成されている。
そして、第2層間絶縁膜144b上には、ITO等からなる透明な画素電極111が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール145がこの画素電極111に接続されている。このようにして、回路素子部14には各画素電極111に接続された駆動用のスイッチング用のTFT123が形成されている。なお、図示を省略するが、回路素子部14には、上述した保持容量135及び駆動用のTFT124も形成されている。
発光素子部11は、各画素領域A毎に主隔壁112cと分割壁112dとに領域分割され、これら領域毎に画素電極111上には、第1の有機EL素子B1および第2の有機EL素子B2が互いに独立したアイランド状に形成されている。従って、画素電極111上に積層された有機機能層110は、主隔壁112cと分割壁112dとによって分離され、第1の有機EL素子B1および第2の有機EL素子B2を構成している。
本形態において、2つの有機EL素子B1、B2はいずれも、画素電極111の上層側に、陰極12及び有機機能層110等を含んで構成される。ここで、画素電極111は、ITOにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターニングされて形成されている。この画素電極111の厚さは、50〜200nmの範囲が好ましく、特に150nm程度が良い。
主隔壁112cは、基板2側に位置する無機物バンク層112aと基板2から離れて位置する有機物バンク層112bとが積層されて構成されている。無機物バンク層112aは、例えば、SiO2、TiO2等の無機材料からなる。また、有機物バンク層112bは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。また、分割壁112dは、画素電極111上にその主要部が形成されており、上記有機物バンク層112bと同層に同一材料で形成されている。また、本実施形態の場合、分割壁112dと有機物バンク112b(主隔壁)とが、基板2に対してほぼ同一の高さに形成されている。
2つの有機EL素子B1、B2のいずれにおいても、有機機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層(有機EL層)110bと、発光層110b及びバンク部112上かつ全面に亘って形成された電子注入/輸送層110cとから構成されている。正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入/輸送層110a、を画素電極111と発光層110aの間に設け、電子注入/輸送層110cを陰極12と発光層110bの間に設けることによって発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層110bでは、正孔注入/輸送層110aから注入された正孔と、電子注入/輸送層110cから注入される電子が発光層110bで再結合し、発光が得られる。
図4では、発光層110bとして、赤色(R)に発光する赤色発光層110b1を図示しているが、本実施形態の有機EL装置1は、緑色(G)に発光する緑色発光層と、青色(B)に発光する青色発光層とを合わせ、発光する波長帯域が互いに異なる3種類の発光層を備えている。これらの発光層は、所定の配列(例えばストライプ状)で配置されている。
陰極12は、発光素子部11の全面に形成されており、電子注入/輸送層110cに電子を注入する役割を果たす。この陰極12は、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば2〜50nmの範囲が好ましい。また、アルミニウム層12bは、発光層110bから発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましい。
このように構成した有機EL装置1において、有機EL素子B1、B2を構成する有機機能層110を形成するには、主隔壁112cおよび分割壁112dで区画された領域毎にインクジェット法(液体吐出法)により、液状材料を吐出、塗布する。その結果、主隔壁112cおよび分割壁112dからなるバンクの表面張力によって、液状材料が均一な厚さで形成される。
(サブ画素の構成)
図5(A)、(B)は、本発明の実施の形態1に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図、およびその等価回路を示す説明図である。
図5(A)、(B)は、本発明の実施の形態1に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図、およびその等価回路を示す説明図である。
このように構成した有機EL装置1においては、図5(A)、(B)に示すように、画素領域Aの各々に、共通のTFT124、および共通の画素電極111を介して同一の電源線133に接続する第1および第2の有機EL素子B1、B2が形成され、これらの有機EL素子B1、B2によって、第1および第2のサブ画素A1、A2が形成されている。
ここで、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応するいずれの画素領域Aにおいても、1つの画素領域A内に形成されたサブ画素A1、A2の面積の合計は各色ごとに等しい。すなわち、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応する画素領域Aにおいて、各画素領域A内に形成されたサブ画素A1、A2の面積の合計は各色ごとに等しい。各色の面積の合計はそれぞれに対応する発光材料の発光効率などから定めれば良い。なお、図5(A)に示す例では、第1のサブ画素A1と第2のサブ画素A2の面積が互いに等しいが、第1のサブ画素A1と第2のサブ画素A2の面積の和が等しければ、第1のサブ画素A1と第2のサブ画素A2の面積が相違していてもよい。
また、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、共通の画素電極111上で所定の間隔をあけて形成されており、その分、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2は、隣接する画素領域Aのサブ画素に近接している。従って、本形態によれば、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2と、隣接する画素領域Aのサブ画素との間隔Wが狭いので、画像を表示したとき、黒線が目立たない。それ故、表示品位を向上することができる。
また、1つの画素領域A内に形成された第1および第2のサブ画素A1、A2の面積の和は、図10に示した従来の有機EL装置の画素領域に形成されていた1つの発光領域の面積と同等である。従って、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2と、隣接する画素領域のサブ画素との間隔を狭めて画像の品位を向上させた場合でも、電源線133およびTFT124を流れる電流は、従来構造と比較して増大することがない。それ故、給電線133やTFT124に過大な負荷がかからない。また、一つの発光素子面積(サブ画素面積)を小さく出来るため、発光素子の自己発熱を逃がし易くなり、発熱対策を施し易い。
しかも、各画素領域Aでは、2つのサブ画素A1、A2で表示を行うので、冗長性を有する。すなわち、同一の画素領域A内に形成された2つの有機EL素子B1、B2のいずれかに不具合が発生しても、この画素領域Aでは、他方の有機EL素子で正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
さらに、有機EL素子B1、B2を構成する薄膜をインクジェット法により形成する際には、主隔壁112cおよび分離壁112dで囲まれた各領域(開口部)に親水性の液状材料を吐出していくが、その際、主隔壁112cおよび分離壁112dの有する撥水性により、液状材料が均等な厚さに塗布される。従って、本形態のように、1つの画素領域Aを分離壁112dで分離しておけば、その分、液状材料の塗布領域の1つ当りの面積が狭いので、主隔壁112cおよび分離壁112d付近と、その中央部分との間で薄膜の厚さがの差が許容範囲内になる。
なお、インクジェット法により薄膜を塗布形成する場合に限らず、蒸着マスク法で有機EL素子B1、B2を構成する薄膜を形成する場合も、マスクされた部分の縁部分と、開口中央部分では蒸着膜の厚さが相違するという問題があるので、本形態のように、画素領域Aを2分割しておけば、1つの領域における面積を縮小できる。それ故、マスクされた部分の縁部分と、開口中央部分で発生しがちな蒸着膜の厚さが相違するという問題を解消できる。
[実施の形態1の変形例]
図6は、本発明の実施の形態1の変形例に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。
図6は、本発明の実施の形態1の変形例に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。
上記実施の形態1では、有機EL素子B1、B2を構成する薄膜をインクジェット法、あるいはマスク蒸着法により形成する際の膜厚の均一性と、給電線133およびTFT124の負荷の観点から、1つの画素領域A内に形成された第1および第2のサブ画素A1、A2の面積の和を、従来の有機EL装置の画素領域に形成されていた1つの発光領域の面積と同等としたが、給電線133およびTFT124の電流容量に余裕がある場合には、図6に示すように、第1および第2のサブ画素A1、A2の各々の面積を、図10に示す従来の有機EL装置の画素領域に形成されていた発光領域と同等にしてもよい。このように構成すると、薄膜をインクジェット法、あるいはマスク蒸着法により形成する際の膜厚の均一性を維持しながら、発光面積を拡張することができる。
その他の構成は実施の形態1と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[実施の形態2]
図7は、本発明の実施の形態2に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。本形態、および後述する実施の形態3,4の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態2に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。本形態、および後述する実施の形態3,4の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
実施の形態1では、画素領域Aおよび画素電極111はいずれも矩形形状を有していたが、本形態では、図7に示すように、いずれの画素領域A、およびそこに形成されている画素電極111も、互いに離間する2つの略矩形部分111X、111Yと、これらの略矩形部分111X、111Yを結ぶ連結部分111Zとから構成されている。
また、本形態では、各画素領域Aの略矩形部分111X、111Yの各々に、共通のTFT124、および共通の画素電極111を介して同一の電源線133に接続する第1および第2の有機EL素子100がそれぞれ形成されており、これらの有機EL素子B1、B2によって、第1および第2のサブ画素A1、A2が形成されている。
ここで、いずれの画素領域Aにおいても、2つのサブ画素A1、A2の間隔および相対位置は一致している。但し、いずれの画素領域Aにおいても、画素領域Aおよび画素電極111では、略矩形部分111X、111Yを結ぶ連結部分111Zが長く延びて、隣接する画素領域Aの間にまで延びている。このため、例えば、赤(R)の画素領域Aにおいて、第2のサブ画素A2は、隣接する緑(G)の画素領域Aに形成されている第1のサブ画素A1の間に位置している。従って、いずれの画素領域Aにおいても、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2に最も近接しているサブ画素は、別の色に対応する画素領域A内のサブ画素である。
このように構成した有機EL装置において、いずれの画素領域Aにおいても、第1のサブ画素A1および第2のサブ画素A2に最も近接しているサブ画素は、別の画素領域A内のサブ画素であり、隣接するサブ画素同士は、対応する色が相違している。このため、同一色に対応するサブ画素が接近したまま一列に並ぶことがないので、自然画などを表示する際、品位の高い画像を表示することができる。
[実施の形態3]
図8は、本発明の実施の形態3に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。
図8は、本発明の実施の形態3に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素の平面的なレイアウトを示す説明図である。
実施の形態1ならびに形態2では、いずれの画素領域Aにおいても、2つのサブ画素A1、A2の間隔および相対位置は一致していたが、本形態では、以下に説明するように、サブ画素同士の間隔および相対位置のうちの少なくとも一方が相違する複数タイプの画素領域が含まれている。
すなわち、本形態では、図8に示すように、いずれの画素領域A、およびそこに形成されている画素電極111も、互いに離間する2つの略矩形部分111X、111Yと、これらの略矩形部分111X、111Yを結ぶ連結部分111Zとから構成されているが、矩形部分111X、111Yの大きさ、および連結部分111Zの長さは、対応する色が相違する画素領域Aで相違している。また、同一の色に対応する画素領域Aにおいても、矩形部分111X、111Yの大きさ、および連結部分111Zの長さが相違している。従って、本形態では、多数の画素領域Aの中には、サブ画素A1、A2同士の間隔および相対位置が相違する複数タイプの画素領域が含まれている。本形態では、このようなパターンの異なる複数の画素領域Aを1つのユニットと、それを基板上で繰り返し配置することにより、画素領域Aがマトリクス状に配置されている。
なお、図8に示す例では、第1のサブ画素A1と第2のサブ画素A2の面積が相違しているが、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応するいずれの画素領域Aにおいても、1つの画素領域A内に形成されたサブ画素A1、A2の面積の合計は各色毎に等しい。すなわち、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応する画素領域Aにおいて、各画素領域A内に形成されたサブ画素A1、A2の面積の合計は各色毎に等しい。
このように構成した有機EL装置1でも、同一色に対応するサブ画素A1、A2、が接近したまま一列に並ぶことがないので、自然画などを表示する際、品位の高い画像を表示することができる。
なお、本形態では、多数の画素領域Aの中には、サブ画素A1、A2同士の間隔および相対位置が相違する複数タイプの画素領域を示したが、サブ画素A1、A2同士の間隔および相対位置のいずれか一方が相違する複数タイプの画素領域を構成してもよい。また、本形態では、画素電極111の形状も相違させたが、同一形状の画素電極111の上で、サブ画素A1、A2同士の間隔および相対位置のいずれか一方を相違させてもよい。
また、本形態ではサブ画素A1、A2同士の間隔および相対位置が同一色画素領域でも違う構成をとったが、同一色画素領域では同じ間隔および相対位置の構成としても良い。
[実施の形態4]
図9(A)、(B)は、本発明の実施の形態4に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素A1、A2の平面的なレイアウトを示す説明図、およびその等価回路を示す説明図である。
図9(A)、(B)は、本発明の実施の形態4に係る有機EL装置の画素領域に形成したサブ画素A1、A2の平面的なレイアウトを示す説明図、およびその等価回路を示す説明図である。
上記の実施の形態1、2、3のいずれにおいても、共通の画素電極111に対して、2つのサブ画素A1、A2(有機EL素子B1、B2)が接続していたが、図9(A)、(B)に示すように、本形態では、1つの画素領域A内に2つの画素電極111A、111Bが形成されており、第1のサブ画素A1(有機EL素子B1)は、第1の画素電極111Aに接続し、第2のサブ画素A2(有機EL素子B2)は、第2の画素電極111Bに接続している。このようにして、互いに独立したアイランド状の自発光型素子によって複数のサブ画素が形成されている。
また、1つの画素領域Aには、薄膜トランジスタ123A、123B、保持容量135A、135Bと、TFT124A、124Bが形成されているが、いずれの画素電極111A、111B、およびサブ画素A1、B2(有機EL素子B1、B2)も、共通の走査線131のもと、共通の電源線133から駆動電流が流れ込む。
このように構成した有機EL装置1においても、画素領域Aの各々に第1および第2のサブ画素A1、A2を分離して形成したため、隣接する画素領域Aのサブ画素と間隔が狭いので、画像を表示したとき、黒線が目立たないなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。
また、本形態ではそれぞれのサブ画素を別のTFTで駆動しているため、TFTのチャネル幅が電流のボトルネックとなっている場合にはTFTあたりの負荷を半分にできるため、発光効率の劣る発光材料を用いる場合には効果的である。
また、本形態では、2つのサブ画素A1、A2は、各々独立した2つの画素電極111A、111B、およびTFT124A、124Bを介して共通の電源線133に接続しており、冗長性を有している。従って、同一の画素領域A内に形成されたTFT124A、124Bのうちの一方に不具合が発生しても、他のTFT124Bが正常であれば、TFT124Bに接続するサブ画素A2では正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
[その他の実施の形態]
なお、上記形態では、1つの画素領域に2つのサブ画素を形成した例を説明したが、1つの画素領域に形成するサブ画素の数については、3つ以上であってもよい。また、サブ画素の平面形状については矩形のものを示して説明したが、その形状については、その他の多角形あるいは円形であってもよい。
なお、上記形態では、1つの画素領域に2つのサブ画素を形成した例を説明したが、1つの画素領域に形成するサブ画素の数については、3つ以上であってもよい。また、サブ画素の平面形状については矩形のものを示して説明したが、その形状については、その他の多角形あるいは円形であってもよい。
さらに、上記形態では薄膜トランジスターを用いた有機ELディスプレイを例にとったが、自発光型素子を用いたディスプレイであれば画素面積と画素当たり電流の関係は原理的に同じであるので、例えば無機LEDディスプレイやFED(Field Emission Display)、PDP(Plasma Display Panel)などにおいても本発明の内容は有効であるし、有機ELディスプレイでも薄膜トランジスターを用いないパッシブ型のディスプレイでも同じように有効である。
[電子機器への適用]
本発明を適用した有機EL装置については、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器において、表示部を構成するのに搭載される。
本発明を適用した有機EL装置については、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどの電子機器において、表示部を構成するのに搭載される。
本発明において、画素領域の各々では、画素電極に自発光型素子が複数、接続され、複数の自発光型素子によって、1つの画素領域内に複数のサブ画素が構成されている。このため、1つの画素領域内におけるサブ画素の面積を拡張してなくても、隣接する画素領域のサブ画素同士の間隔を狭めることができる。従って、発光領域で挟まれた非発光領域の間隔を狭めることができるので、黒線が目立たないので、表示品位を向上することができる。また、複数のサブ画素が冗長性を有することになるので、同一の画素領域内に形成された複数の自発光型素子のいずれかに不具合が発生しても、他の自発光型素子で正常な表示が行われるので、全体からみれば必要最小限の品位での画像の表示を行うことができる。
1 有機EL装置(自発光型表示装置)、111、111A、111B 画素電極、111X、111Y 略矩形部分、111Z 連結部分、131 走査線、132 信号線、133 電源線(給電線)、A 画素領域、B1、B2 有機EL素子、A1、A2 サブ画素
Claims (12)
- マトリクス状に配置された多数の画素領域を有する自発光型表示装置において、
前記画素領域は各々1又は複数の互いに独立したアイランド状の自発光型素子であるサブ画素よりなり、
少なくとも1以上の前記画素領域は複数の前記サブ画素を含み、
同一の前記画素領域内に含まれる前記1又は複数のサブ画素は互いに同じ画素電極上に配置されていることを特徴とする自発光型表示装置。 - マトリクス状に配置された多数の画素領域を有する自発光型表示装置において、
前記画素領域は各々1又は複数の互いに独立したアイランド状の自発光型素子であるサブ画素よりなり、
少なくとも1以上の前記画素領域は複数の前記サブ画素を含み、
同一の前記画素領域内に含まれる前記複数のサブ画素は互いに独立したアイランド状の複数の画素電極上に配置されてなり、
同一の前記画素領域内に含まれる前記複数のサブ画素が配置された前記複数の画素電極は互いに概略同一の駆動電流を供給される事を特徴とした自発光型表示装置。 - 請求項1または2において、同一の前記画素領域内に形成された前記複数のサブ画素は、概略同一の波長帯の光を出射することを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし3のいずれかにおいて、同一の画素領域内に形成された前記複数のサブ画素の各々に最も近接しているサブ画素は、別の画素領域内のサブ画素であることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項4において、前記サブ画素のうち、最も近接し合っているサブ画素同士は、互いに異なる波長帯の光を出射することを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記多数の画素領域には、前記複数のサブ画素同士の間隔および相対位置のうちの少なくとも一方が相違する複数タイプの画素領域が含まれていることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし6のいずれかにおいて、前記同一の波長帯の光を出射する画素領域同士は、1つの画素領域内に形成されたサブ画素の面積の合計が概略等しいことを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし7のいずれかにおいて、前記自発光型素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし8のいずれかにおいて、前記複数の画素電極はそれぞれ複数の薄膜トランジスタに接続されてなることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項9において、前記薄膜トランジスタは、能動層がアモルファスシリコン膜からなることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項8ないし10のいずれかにおいて、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素のうち、少なくとも一部がインクジェット法により塗布形成された薄膜から構成されていることを特徴とする自発光型表示装置。
- 請求項1ないし11のいずれかに規定する自発光型表示装置を有することを特徴とする電子機器。
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