TWI723855B - 發光二極體顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體顯示裝置，包括背板、第一發光二極體元件及第二發光二極體元件。背板具有第一接墊組及第二接墊組。第一接墊組的多個接墊具有分別重疊於第一發光二極體元件之多個電極的多個第一連接區。第一擬直線通過多個第一連接區的多個幾何中心。第二擬直線通過第一發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心。第一擬直線與第二擬直線具有第一夾角θ1。第二接墊組的多個接墊具有分別重疊於第二發光二極體元件之多個電極的多個第二連接區。第三擬直線通過多個第二連接區的多個幾何中心。第四擬直線通過第二發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心。第三擬直線與第四擬直線具有第二夾角θ2。第一夾角θ1與第二夾角θ2不同。此外，上述發光二極體顯示裝置的製造方法也被提出。

Description

發光二極體顯示裝置及其製造方法
本發明是有關於一種發光二極體顯示裝置及其製造方法。
微型發光二極體（μLED）顯示器具有省電、可靠度佳與可進行無邊框設計等優點，因此被視為極具潛力的顯示技術。巨量轉置（mass transfer）是微型發光二極體顯示器的製程技術中最具挑戰性的一項。如何在短時間內進行快速、準確與高良率的微型發光二極體晶片轉置為製造商所共同面臨的課題。
巨量轉置技術最大的問題在於轉置良率（transfer yield）的提升。以目前的技術而言，轉置良率尚不高。因此，在完成首次的轉置動作後，還需進行修補動作。一般而言，在微型發光二極體顯示器的背板上，除了設有供首次轉置之微型發光二極體擺放的接墊外，基於修補的需求，還設有額外的修補接墊，以供與修補用之微型發光二極體電性連接。然而，額外設置的修補接墊需佔用微型發光二極體的佈局面積，不利於微型發光二極體器的解析度提升。
本發明提供一種發光二極體顯示裝置，性能佳。
本發明提供一種發光二極體顯示裝置的製造方法，能製造出性能佳的發光二極體顯示裝置。
本發明的一種發光二極體顯示裝置，包括背板、第一發光二極體元件及第二發光二極體元件。背板具有第一接墊組及第二接墊組。第一發光二極體元件的多個電極分別電性連接至第一接墊組的多個接墊。第一接墊組的多個接墊分別具有多個第一連接區。多個第一連接區分別重疊於第一發光二極體元件的多個電極。第一擬直線通過多個第一連接區的多個幾何中心。第二擬直線通過第一發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心。第一擬直線與第二擬直線具有第一夾角θ1。第二發光二極體元件的多個電極分別電性連接至第二接墊組的多個接墊。第二接墊組的多個接墊分別具有多個第二連接區。多個第二連接區分別重疊於第二發光二極體元件的多個電極。第三擬直線通過多個第二連接區的多個幾何中心。第四擬直線通過第二發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心。第三擬直線與第四擬直線具有第二夾角θ2。第一夾角θ1與第二夾角θ2不同。
一種發光二極體顯示裝置的製造方法，包括下列步驟: 令多個第一發光二極體元件分別轉置於背板的多個第一接墊組上，其中每一第一接墊組的多個接墊分別具有多個第一連接區，多個第一連接區分別重疊於一第一發光二極體元件的多個電極，一第一擬直線通過多個第一連接區的多個幾何中心，一第二擬直線通過第一發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心，且第一擬直線與第二擬直線具有第一夾角θ1；移除一第一接墊組上的一第一發光二極體元件，並移除第一接墊組之一部分，以形成一第二接墊組；在移除第一接墊組上的第一發光二極體元件之後，令一第二發光二極體元件轉置於第二接墊組上，其中第二接墊組的多個接墊分別具有多個第二連接區，多個第二連接區分別重疊於第二發光二極體元件的多個電極，一第三擬直線通過多個第二連接區的多個幾何中心，一第四擬直線通過第二發光二極體元件的多個電極的多個幾何中心，第三擬直線與第四擬直線具有第二夾角θ2，且第一夾角θ1與第二夾角θ2不同。
在本發明的一實施例中，|θ1-θ2|≤30°或|θ1-θ2|≥57°。
在本發明的一實施例中，上述的第一夾角θ1大於第二夾角θ2，且第二接墊組的多個接墊在一方向上的間距大於第一接墊組的多個接墊在所述方向上的間距。
在本發明的一實施例中，上述的第一夾角θ1大於第二夾角θ2，第二發光二極體元件的多個電極在第四擬直線上的距離大於第一發光二極體元件的多個電極在第二擬直線上的距離。
在本發明的一實施例中，上述的第一接墊組的接墊具有第一部及第二部，第一部的延伸方向與第二部的延伸方向交錯，且第一發光二極體元件的一電極設置於第二部上。
在本發明的一實施例中，上述的第二部的延伸方向與第二擬直線夾有一銳角。
在本發明的一實施例中，上述的第一部的延伸方向與第二擬直線夾有一銳角。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明一實施例之發光二極體顯示裝置的製造方法的流程示意圖。
圖2A至圖2D為本發明一實施例之發光二極體顯示裝置10的製造方法的透視示意圖。
以下配合圖1及圖2A至圖2D舉例說明本發明一實施例之發光二極體顯示裝置10的製造方法及其構造。
請參照圖1及圖2A，在本實施例中，首先，可先進行步驟S10：檢測基板W上的多個第一發光二極體元件LED1。舉例而言，在本實施例中，基板W可以是第一發光二極體元件LED1的磊晶晶圓，但本發明不以此為限。
於步驟S10，若發現基板W上的任一第一發光二極體元件LED1失效，則進行步驟S11：自基板W上移除失效的第一發光二極體元件LED1。
於步驟S10，若判斷基板W上的多個第一發光二極體元件LED1正常，則進行步驟S20：利用提取元件（未繪示）自基板W上提取多個第一發光二極體元件LED1。舉例而言，在本實施例中，可以選擇性地利用一彈性轉置頭提取多個第一發光二極體元件LED1。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，也可使用靜電轉置頭、真空吸引轉置頭或其它設備提取多個第一發光二極體元件LED1。
在本實施例中，完成步驟S10後，接著，可進行步驟S30：檢測提取元件上的多個第一發光二極體元件LED1。
於步驟S30，若發現提取元件上的任一第一發光二極體元件LED1失效，則進行步驟S31：自提取元件上移除失效的第一發光二極體元件LED1。
於步驟S30，若判斷提取元件上的多個第一發光二極體元件LED1正常，則進行步驟S40：令多個第一發光二極體元件LED1與背板100的多個第一接墊組110呈特定角度γ，以將多個第一發光二極體元件LED1轉置於背板100的多個第一接墊組110上。
請參照圖2A，舉例而言，在本實施例中，可使基板W上多個第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2的排列方向d1與第一接墊組110之多個接墊110a、110b的排列方向d2夾有特定角度γ；之後，在維持所述特定角度γ的情況下，利用一提取元件將多個第一發光二極體元件LED1分別轉置於背板100的多個第一接墊組110上，以使多個第一發光二極體元件LED1分別與多個第一接墊組110電性連接。
在多個第一發光二極體元件LED1分別轉置於背板100的多個第一接墊組110後，第一接墊組110的多個接墊110a、110b分別具有多個第一連接區110a-1、110b-1，多個第一連接區110a-1、110b-1分別重疊於第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2，一第一擬直線L1通過多個第一連接區110a-1、110b-1的多個幾何中心A，一第二擬直線L2通過第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2的多個幾何中心B，第一擬直線L1與第二擬直線L2具有一第一夾角θ1，且θ1>0 o。也就是說，第一擬直線L1與第二擬直線L2不相平行。
請參照圖1及圖2A，完成步驟S40後（即轉置完多個第一發光二極體元件LED1後），接著，進行步驟S50：檢測背板100上的多個第一發光二極體元件LED1。
於步驟S50，若背板100上的多個第一發光二極體元件LED1正常，則完成發光二極體顯示裝置10。於步驟S50，若發現背板100上的任一第一發光二極體元件LED1失效，則進行修補動作（即依序進行步驟S51、S52）。
請參照圖1、圖2B及圖2C，具體而言，先進行步驟S51：自背板100的第一接墊組110上移除失效的第一發光二極體元件LED1，並移除第一接墊組110的一部分以形成第二接墊組112。舉例而言，在本實施例中，可利用雷射LS移除失效的第一發光二極體元件LED1。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，也可使用其它方式（例如：機械方式）移除之。
請參照圖2B及圖2C，在移除失效的第一發光二極體元件LED1的過程中，原本與失效之第一發光二極體元件LED1電性連接之第一接墊組110的一部分（即多個接墊110a、110b的多個部分）也會隨著失效的第一發光二極體元件LED1一併被移除，而保留在背板100上的第一接墊組110之一部分（即多個接墊110a、110b的多個殘留部分）則形成第二接墊組112的多個接墊112a、112b。
如圖2C所示，第二接墊組112的多個接墊112a、112b在一方向（例如：排列方向d2）上的間距p’大於第一接墊組110的多個接墊110a、110b在所述方向（例如：排列方向d2）上的間距p。
請參照圖1及圖2D，完成步驟S51後，接著，進行步驟S52：令第二發光二極體元件LED2與背板100的第二接墊組112在同一方向上排列，以將第二發光二極體元件LED2轉置於背板100的第二接墊組112上。舉例而言，在本實施例中，可使基板W上之第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2的排列方向d2與第二接墊組112之多個接墊112a、112b的排列方向d2一致；然後，在維持第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2的排列方向d2與第二接墊組112之多個接墊112a、112b的排列方向d2一致的情況下，利用一提取元件將第二發光二極體元件LED2轉置於背板100的第二接墊組112上，以使第二發光二極體元件LED2與第二接墊組112電性連接。於此，便完成修補動作，並形成發光二極體顯示裝置10。
值得一提的是，透過上述發光二極體顯示裝置10的製造方法，當失效之第一發光二極體元件LED1被移除且第一接墊組110的一部分隨之被移除時，第一接墊組110的另一部分仍會被保留在背板100上且具有足夠面積。因此，在原本設置失效之第一發光二極體元件LED1的地方，仍可設置修補用的第二發光二極體元件LED2。如此一來，發光二極體顯示裝置10的背板100便不需於它處設置額外的修補接墊，有助於縮小發光二極體顯示裝置10的畫素尺寸、提升解析度。
請參照圖2D，發光二極體顯示裝置10包括背板100、第一發光二極體元件LED1及第二發光二極體元件LED2。
背板100具有第一接墊組110及第二接墊組112。第一接墊組110包括多個接墊110a、110b。第二接墊組112包括多個接墊112a、112b。
在本實施例中，背板100具有多個子畫素驅動電路（未繪示），其中每一子畫素驅動電路包括一資料線、一掃描線、一電源線、一共通線、一第一電晶體、一第二電晶體及一電容，第一電晶體的第一端電性連接至資料線，第一電晶體的控制端電性連接至掃描線，第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體的控制端，第二電晶體的第一端電性連接至電源線，電容電性連接於第一電晶體的第二端及第二電晶體的第一端。
背板100的多個子畫素驅動電路包括一第一子畫素驅動電路及一第二子畫素驅動電路；第一接墊組110的一接墊110a電性連接至第一子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端，且第一接墊組110的另一接墊110b電性連接至第一子畫素驅動電路的共通線；第二接墊組112的一接墊112a電性連接至第二子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端，且第二接墊組112的另一接墊112b電性連接至第二子畫素驅動電路的共通線。
舉例而言，在本實施例中，第一子畫素驅動電路之第一電晶體的控制端與第二子畫素驅動電路之第一電晶體的控制端可選擇性地電性連接至同一條掃描線，而第一接墊組110及第二接墊組112可以是發光二極體顯示裝置10之同一畫素的多個接墊組，但本發明不以此為限。
第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2分別電性連接至第一接墊組110的多個接墊110a、110b。第一接墊組110的多個接墊110a、110b分別具有多個第一連接區110a-1、110b-1。多個第一連接區110a-1、110b-1分別重疊於第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2。第一擬直線L1通過多個第一連接區110a-1、110b-1的多個幾何中心A。第二擬直線L2通過第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2的多個幾何中心B。第一擬直線L1與第二擬直線L2具有第一夾角θ1。
第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2分別電性連接至第二接墊組112的多個接墊112a、112b。第二接墊組112的多個接墊112a、112b分別具有多個第二連接區112a-1、112b-1。多個第二連接區112a-1、112b-1分別重疊於第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2。第三擬直線L3通過多個第二連接區112a-1、112b-1的多個幾何中心C。第四擬直線L4通過第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2的多個幾何中心D。第三擬直線L3與第四擬直線L4具有第二夾角θ2。在本實施例中，θ2實質上為0 o，而未標示θ2。
值得注意的是，第一擬直線L1與第二擬直線L2的第一夾角θ1和第三擬直線L3與第四擬直線L4的第二夾角θ2不同。舉例而言，在本實施例中，第一夾角θ1大於第二夾角θ2，|θ1-θ2|≤30°或|θ1-θ2|≥57°。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。
圖3A至圖3D為本發明另一實施例之發光二極體顯示裝置10A的製造方法的透視示意圖。
圖3A至圖3D之發光二極體顯示裝置10A及其製造方法與圖2A至圖2D之發光二極體顯示裝置10及其製造方法類似，兩者主要的差異在於：發光二極體顯示裝置10A的接墊110a的形狀與發光二極體顯示裝置10的接墊110a的形狀不同。
具體而言，在圖3A至圖3D的實施例中，第一接墊組110的一接墊110a除了具有第一部114外還具有第二部116，其中第一部114的一延伸方向x與第二部116的一延伸方向y交錯。舉例而言，在本實施例中，第一部114的延伸方向x與第二部116的延伸方向y實質上可垂直，第一部114與第二部116可連接成一T字型的導電圖案，但本發明不以此為限。
請參照圖3A，在本實施例中，將第一發光二極體元件LED1轉置於背板100上時，第一發光二極體元件LED1的電極E1會設置於接墊110a的第二部116上。接墊110a的第二部116的延伸方向y與第二擬直線L2夾有一銳角α。接墊110a的第一部114的延伸方向x與第二擬直線L2夾有一銳角β。
請參照圖3B、圖3C及圖3D，移除失效的第一發光二極體元件LED1時，接墊110a的第二部116的一大部分會隨著失效的第一發光二極體元件LED1被移除，但接墊110a之第一部114的大部分面積會被保留。亦即，由殘留在背板100上之第一接墊組110的部分接墊110a所形成之第二接墊組112的接墊112a的面積較大，而有助於修補用之第二發光二極體元件LED2與第二接墊組112電性連接。
圖4A至圖4D為本發明又一實施例之發光二極體顯示裝置10B的製造方法的透視示意圖。
圖4A至圖4D之發光二極體顯示裝置10B及其製造方法與圖2A至圖2D之發光二極體顯示裝置10及其製造方法類似，兩者主要的差異在於：在圖4A至圖4D的實施例中，修補用之第二發光二極體元件LED2的尺寸大於原本設置於背板100上之第一發光二極體元件LED1的尺寸。
請參照圖4D，第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2分別電性連接至第一接墊組110的多個接墊110a、110b。第一接墊組110的多個接墊110a、110b分別具有多個第一連接區110a-1、110b-1。多個第一連接區110a-1、110b-1分別重疊於第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2。第一擬直線L1通過多個第一連接區110a-1、110b-1的多個幾何中心A。第二擬直線L2通過第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E2的多個幾何中心B。第一擬直線L1與第二擬直線L2具有第一夾角θ1。
第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2分別電性連接至第二接墊組112的多個接墊112a、112b。第二接墊組112的多個接墊112a、112b分別具有多個第二連接區112a-1、112b-1。多個第二連接區112a-1、112b-1分別重疊於第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2。第三擬直線L3通過多個第二連接區112a-1、112b-1的多個幾何中心C。第四擬直線L4通過第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2的多個幾何中心D。第三擬直線L3與第四擬直線L4具有第二夾角θ2。在本實施例中，θ2實質上為0 o，而未標示θ2。第一夾角θ1與第二夾角θ2不同。在本實施例中，第一夾角θ1大於第二夾角θ2。
與圖2A至圖2D之實施例不同的是，修補用之第二發光二極體元件LED2的尺寸大於原本設置於背板100上之第一發光二極體元件LED1的尺寸，而第二發光二極體元件LED2的多個電極E1、E2在第四擬直線L4上的距離s’大於第一發光二極體元件LED1的多個電極E1、E1在第二擬直線L2上的距離s。距離s’是指第二發光二極體元件LED2之多個電極E1、E2的多個幾何中心D的距離。距離s是指第一發光二極體元件LED1之多個電極E1、E2的多個幾何中心B的距離。
第二接墊組112之多個接墊112a、112b的間距p’較第一接墊組110之多個接墊110a、110b的間距p’大，利用其多個電極E1、E2之距離s’較大的之第二發光二極體元件LED2進行修補，有助於提升第二發光二極體元件LED2與第二接墊組112的接合良率。
10、10A、10B:發光二極體顯示裝置 100:背板 110:第一接墊組 110a、110b、112a、112b:接墊 110a-1、110b-1:第一連接區 112:第二接墊組 112a-1、112b-1:第二連接區 114:第一部 116:第二部 A、B、C、D:幾何中心 d1、d2:排列方向 E1、E2:電極 LED1:第一發光二極體元件 LED2:第二發光二極體元件 L1:第一擬直線 L2:第二擬直線 L3:第三擬直線 L4:第四擬直線 LS:雷射 S10、S11、S20、S30、S31、S40、S50、S51、S52:步驟 s、s’:距離 p、p’:間距 W:基板 x、y:延伸方向 θ1:第一夾角 θ2:第二夾角 α、β:銳角 γ:角度
圖1為本發明一實施例之發光二極體顯示裝置的製造方法的流程示意圖。 圖2A至圖2D為本發明一實施例之發光二極體顯示裝置10的製造方法的透視示意圖。 圖3A至圖3D為本發明另一實施例之發光二極體顯示裝置10A的製造方法的透視示意圖。 圖4A至圖4D為本發明又一實施例之發光二極體顯示裝置10B的製造方法的透視示意圖。
10:發光二極體顯示裝置
100:背板
110:第一接墊組
110a、110b、112a、112b:接墊
110a-1、110b-1:第一連接區
112:第二接墊組
112a-1、112b-1:第二連接區
A、B、C、D:幾何中心
d2:排列方向
E1、E2:電極
LED1:第一發光二極體元件
LED2:第二發光二極體元件
L1:第一擬直線
L2:第二擬直線
L3:第三擬直線
L4:第四擬直線
p、p’:間距
W:基板
θ1:第一夾角

Claims (14)

  1. 一種發光二極體顯示裝置，包括：一背板，具有一第一接墊組及一第二接墊組；一第一發光二極體元件，其中該第一發光二極體元件的多個電極分別電性連接至該第一接墊組的多個接墊，該第一接墊組的該些接墊分別具有多個第一連接區，該些第一連接區分別重疊於該第一發光二極體元件的該些電極，一第一擬直線通過該些第一連接區的多個幾何中心，一第二擬直線通過該第一發光二極體元件的該些電極的多個幾何中心，且該第一擬直線與該第二擬直線具有一第一夾角θ1；以及一第二發光二極體元件，其中該第二發光二極體元件的多個電極分別電性連接至該第二接墊組的多個接墊，該第二接墊組的該些接墊分別具有多個第二連接區，該些第二連接區分別重疊於該第二發光二極體元件的該些電極，一第三擬直線通過該些第二連接區的多個幾何中心，一第四擬直線通過該第二發光二極體元件的該些電極的多個幾何中心，該第三擬直線與該第四擬直線具有一第二夾角θ2，且該第一夾角θ1與該第二夾角θ2不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示裝置，其中|θ1-θ2|
    Figure 109114115-A0305-02-0020-1
    30°或|θ1-θ2|
    Figure 109114115-A0305-02-0020-2
    57°。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示裝置，其中該第一夾角θ1大於該第二夾角θ2，且該第二接墊組的該 些接墊在一方向上的一間距大於該第一接墊組的該些接墊在該方向上的一間距。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示裝置，其中該第一夾角θ1大於該第二夾角θ2，該第二發光二極體元件的該些電極在該第四擬直線上的一距離大於該第一發光二極體元件的該些電極在該第二擬直線上的一距離。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示裝置，其中該第一接墊組的一該接墊具有一第一部及一第二部，該第一部的一延伸方向與該第二部的一延伸方向交錯，且該第一發光二極體元件的一該電極設置於該第二部上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體顯示裝置，其中該第二部的該延伸方向與該第二擬直線夾有一銳角。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體顯示裝置，其中該第一部的該延伸方向與該第二擬直線夾有一銳角。
  8. 一種發光二極體顯示裝置的製造方法，包括：令多個第一發光二極體元件分別轉置於一背板的多個第一接墊組上，其中每一該第一接墊組的多個接墊分別具有多個第一連接區，該些第一連接區分別重疊於一該第一發光二極體元件的多個電極，一第一擬直線通過該些第一連接區的多個幾何中心，一第二擬直線通過該第一發光二極體元件的該些電極的多個幾何中心，且該第一擬直線與該第二擬直線具有一第一夾角θ1； 檢測該背板上的該些第一發光二極體元件，以確認一該第一接墊組上的一該第一發光二極體元件失效；移除該第一接墊組上的該第一發光二極體元件，並移除該第一接墊組的一部分，以形成一第二接墊組；以及在移除該第一接墊組上的該第一發光二極體元件之後，令一第二發光二極體元件轉置於該第二接墊組上，其中該第二接墊組的多個接墊分別具有多個第二連接區，該些第二連接區分別重疊於該第二發光二極體元件的多個電極，一第三擬直線通過該些第二連接區的多個幾何中心，一第四擬直線通過該第二發光二極體元件之該些電極的多個幾何中心，該第三擬直線與該第四擬直線具有一第二夾角θ2，且該第一夾角θ1與該第二夾角θ2不同。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中|θ1-θ2|
    Figure 109114115-A0305-02-0022-3
    30°或|θ1-θ2|
    Figure 109114115-A0305-02-0022-4
    57°。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中該第一夾角θ1大於該第二夾角θ2，且該第二接墊組的該些接墊在一方向上的一間距大於該第一接墊組的該些接墊在該方向上的一間距。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中該第一夾角θ1大於該第二夾角θ2，該第二發光二極體元件的該些電極在該第四擬直線上的一間距大於該第一發光二極體元件的該些電極在該第二擬直線上的一間距。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中該第一接墊組的一該接墊具有一第一部及一第二部，該第一部的一延伸方向與該第二部的一延伸方向相交錯，且該第一發光二極體元件的一該電極設置於該第二部上。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中該第二部的該延伸方向與該第二擬直線夾有一銳角。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的發光二極體顯示裝置的製造方法，其中該第一部的該延伸方向與該第二擬直線夾有一銳角。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013976A (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Delta Electronics Inc Light emitting diode chip
TW201434179A (zh) * 2013-02-26 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 發光裝置及其發光二極體的固晶方法
TW201445784A (zh) * 2013-05-27 2014-12-01 Reva Holdings Ltd 覆晶式發光二極體元件及其封裝結構
TW201541675A (zh) * 2014-04-23 2015-11-01 Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd 晶片級封裝之發光二極體結構
US20160260781A1 (en) * 2014-09-29 2016-09-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light-Emitting Diode Display Unit, Driving Method Thereof and Display Device
US20160322433A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20190157368A1 (en) * 2013-04-26 2019-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
TWI668856B (zh) * 2018-12-12 2019-08-11 友達光電股份有限公司 發光二極體面板
TW202002323A (zh) * 2018-06-06 2020-01-01 友達光電股份有限公司 微型發光二極體顯示器、微型發光二極體元件及其製作方法
US20200111851A1 (en) * 2018-10-08 2020-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Visible light sensor embedded organic light emitting diode display panels and display devices including the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100480793C (zh) * 2006-06-22 2009-04-22 中华映管股份有限公司 主动元件阵列基板及其修补方法
TWI657597B (zh) * 2015-03-18 2019-04-21 新世紀光電股份有限公司 側照式發光二極體結構及其製造方法
CN109801936B (zh) * 2017-11-17 2021-01-26 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 显示面板及其修复方法
TWI647742B (zh) * 2018-04-19 2019-01-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
TWI662341B (zh) * 2018-05-31 2019-06-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
TWI682531B (zh) * 2019-06-04 2020-01-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201013976A (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Delta Electronics Inc Light emitting diode chip
TW201434179A (zh) * 2013-02-26 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 發光裝置及其發光二極體的固晶方法
US20190157368A1 (en) * 2013-04-26 2019-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
TW201445784A (zh) * 2013-05-27 2014-12-01 Reva Holdings Ltd 覆晶式發光二極體元件及其封裝結構
TW201541675A (zh) * 2014-04-23 2015-11-01 Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd 晶片級封裝之發光二極體結構
US20160260781A1 (en) * 2014-09-29 2016-09-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic Light-Emitting Diode Display Unit, Driving Method Thereof and Display Device
US20160322433A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
TW202002323A (zh) * 2018-06-06 2020-01-01 友達光電股份有限公司 微型發光二極體顯示器、微型發光二極體元件及其製作方法
US20200111851A1 (en) * 2018-10-08 2020-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Visible light sensor embedded organic light emitting diode display panels and display devices including the same
TWI668856B (zh) * 2018-12-12 2019-08-11 友達光電股份有限公司 發光二極體面板

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