CN105161517B - 阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法，该修改方法包括：切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接；根据备选像素单元和异常像素单元的位置在像素界定层上形成第一过孔和第二过孔；在像素界定层上形成导电连接部，导电连接部通过第一过孔与异常像素单元内的第一电极连接，且通过第二过孔与备选像素单元内的第一电极连接。本发明的技术方案通过将备选像素单元中的像素驱动电路与异常像素单元中的OLED电连接，以实现利用备选像素单元中的像素驱动电路对异常像素单元中的OLED进行驱动，从而完成对异常像素单元的修复。

Description

阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix Organic Light EmittingDiode,简称：AMOLED)的应用越来越广泛。AMOLED的像素显示器件为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)。

其中，OLED为电流式驱动发光。具体地，每个OLED对应设置有一个像素驱动电路(至少包括一个驱动晶体管)，该像素驱动电路与OLED的阳极连接，用于根据数据电压以向OLED输出相应的驱动电流，该驱动电流驱动OLED发光。

在衬底基板上制备上述像素驱动电路时，部分像素单元内的像素驱动电路可能会出现瑕疵，例如：材料残留(Remain)现象、连接断线(Open)现象等，从而造成发送给OLED的驱动电流不准确，进而造成AMOLED显示器件上出现点不良现象。

目前，由于AMOLED显示基板上各像素单元内的像素驱动电路结构复杂，因此在液晶显示面板维修过程中针对点不良进行维修时所采用的激光修复技术，无法适用于对AMOLED显示基板上异常像素单元内像素驱动电路的维修。

由上述内容可见，如何来对AMOLED显示器件上的造成点不良的异常像素单元进行维修，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法，可有效的对AMOLED显示器件上的造成点不良的异常像素单元进行维修。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括：若干个像素单元，所述像素单元内形成有像素驱动电路和第一电极，所述像素驱动电路和所述第一电极的上方形成有像素界定层，像素界定层上设置有连通至第一电极的开口；

所述修复方法包括：

切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路；

选取与异常像素单元相邻且发光颜色相同的一个正常像素单元作为备选像素单元，并根据所述备选像素单元和所述异常像素单元的位置在所述像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔连通所述像素界定层的上表面和所述异常像素单元内第一电极的上表面，所述第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面；

在所述像素界定层上形成导电连接部，所述导电连接部通过所述第一过孔与所述异常像素单元内的第一电极连接，且通过所述第二过孔与所述备选像素单元内的第一电极连接。

可选地，所述切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接的步骤具体包括：

采用激光切割技术以切断所述异常像素单元内显示像素驱动电路与第一电极之间的连接。

可选地，所述像素界定层的材料为亚克力材料，所述在所述像素界定层上形成第一过孔和第二过孔的步骤具体包括：

利用激光切割技术以在所述像素界定层上形成连通所述像素界定层的上表面和所述异常像素单元内第一电极的上表面的所述第一过孔，所述第一过孔与所述异常像素单元中对应的开口不连通；

利用激光切割技术以在所述像素界定层上形成连通所述像素界定层的上表面和所述备选像素单元内第一电极的上表面的所述第二过孔，所述第二过孔与所述备选像素单元中对应的开口不连通

可选地，在像素界定层上形成导电连接部的步骤具体包括：

利用化学气相沉积修复仪在所述第一过孔内、所述第二过孔内以及所述像素界定层上对应于所述第一过孔与所述第二过孔之间的空白区域沉积导电材料，以形成所述导电连接部的图形。

可选地，所述导电连接部的材料为钨。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的修复装置，所述阵列基板包括：若干个像素单元，所述像素单元内形成有像素驱动电路和第一电极，所述像素驱动电路和所述第一电极的上方形成像素界定层，所述像素界定层上设置有连通至第一电极的开口；

所述修复装置包括：

电路切断单元，用于切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路；

过孔形成单元，用于在选取与异常像素单元相邻且发光颜色相同的一个正常像素单元作为备选像素单元之后，根据所述备选像素单元和所述异常像素单元的位置在所述像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔连通所述像素界定层的上表面和所述异常像素单元内第一电极的上表面，所述第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面；

连接部形成单元，用于在像素界定层上形成导电连接部，所述导电连接部通过所述第一过孔与所述异常像素单元内的第一电极连接，且通过所述第二过孔与所述备选像素单元内的第一电极连接。

可选地，所述电路切断单元和所述过孔形成单元均为激光切割仪。

可选地，所述连接部形成单元为化学气相沉积修复仪。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上依次形成像素驱动电路、绝缘层和第一电极，所述绝缘层上形成有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述像素驱动电路连接；

在所述第一电极的和所述绝缘层的上方形成像素界定层，所述像素界定层上设置有连通至第一电极的开口；

采用上述的阵列基板的修复方法对阵列基板上的异常像素单元进行修复；

在所述开口内形成电致发光层；

在所述电致发光层上形成第二电极。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上依次形成像素驱动电路、绝缘层和第一电极，所述绝缘层上形成有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述像素驱动电路连接；

在所述第一电极的和所述绝缘层的上方形成像素界定层，所述像素界定层上设置有连通至第一电极的开口；

在所述开口内形成电致发光层；

在所述电致发光层上形成第二电极；

采用上述的阵列基板的修复方法对阵列基板上的异常像素单元进行修复。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供了一种阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法，该修改方法包括：切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路；根据备选像素单元和异常像素单元的位置在像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，第一过孔连通像素界定层的上表面和异常像素单元内第一电极的上表面，第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面；在像素界定层上形成导电连接部，导电连接部通过第一过孔与异常像素单元内的第一电极连接，且通过第二过孔与备选像素单元内的第一电极连接。本发明的技术方案，通过将备选像素单元中的像素驱动电路与异常像素单元中的OLED电连接，从而实现对异常像素单元的修复。与此同时，由于异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接被切断，因此可有效避免异常像素单元内像素驱动电路中的信号对异常像素单元内的OLED造成影响。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的修复方法的流程图；

图2为本发明中对异常像素单元进行修复的原理示意图；

图3为阵列基板上的一种像素排列示意图；

图4为阵列基板上的又一种像素排列示意图；

图5为本发明实施例二提供的阵列基板的修复装置的结构示意图；

图6为本发明实施例三提供的阵列基板的制备方法的流程图；

图7为本发明实施例四提供的一种阵列基板的制备方法流程图；

图8为经过步骤305处理之后阵列基板的截面示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的一种阵列基板的修复方法、修复装置和制备方法进行详细描述。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的修复方法的流程图，图2为本发明中对异常像素单元进行修复的原理示意图，如图1和图2所示，该阵列基板包括：若干个像素单元，像素单元内形成有像素驱动电路1(图2中仅示例性的画出了像素驱动电路中的一个驱动晶体管)和第一电极2，像素驱动电路1和第一电极2的上方形成有像素界定层3，像素界定层3上设置有连通至第一电极2的开口4，该阵列基板的修复方法包括：

步骤101：切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路。

在步骤101中，通过切断异常像素单元内像素驱动电路1与第一电极2之间的连接，以避免异常像素单元内像素驱动电路1向第一电极2输出异常驱动电流。

需要说明的是，本实施例中的第一电极2具体是指OLED的阳极，且该阳极的尺寸大于开口4底部截面的尺寸。

在本实施例中，可采用激光切割技术以切断异常像素单元内显示像素驱动电路1与第一电极2之间的连接。具体地，通过将激光切割仪所射出的激光的焦点调整至异常像素单元内像素驱动电路1与第一电极2的连接处(例如图2中的区域A)，从而可切断异常像素单元内像素驱动电路1与第一电极2的连接。

然而，上述步骤101仅仅是使得异常像素单元无法发光，其不能实现对异常像素单元进行修复的目的。

为解决上述问题，本发明中从阵列基板上选取一个备选像素单元，并利用该备选像素单元来实现对异常像素单元的修复。具体地，在该阵列基板进行画面显示的过程中，该阵列基板上相邻且发光颜色相同的两个像素单元的灰阶值比较接近，即这两个像素单元中OLED所接收到的驱动电流近似相等，因此本发明中选取与异常像素单元相邻且发光颜色相同的一个正常像素单元作为备选像素单元，并利用该备选像素单元中的像素驱动电路1来对异常像素单元中的OLED提供驱动电流，从而可对异常像素单元进行修复。

图3为阵列基板上的一种像素排列示意图，如图3所示，该阵列基板(仅示例性的画出了三行、三列像素单元)上包括三种不同颜色的像素单元，即红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B，且阵列基板上位于同一列的像素单元所对应的颜色相同，其中假定当检测出位于第二行第二列的红色像素单元R为异常像素单元时，此时可选取位于第一行第二列或者第三行第二列的红色像素单元R作为备选像素单元。

图4为阵列基板上的又一种像素排列示意图，如图4所示，该阵列基板(仅示例性的画出了三行、三列像素单元)上包括三种不同颜色的像素单元，即红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B，且阵列基板上相同颜色的像素单元错位排列，其中假定当检测出位于第二行第二列的红色像素单元R为异常像素单元时，此时可选取位于第一行第一列或者第三行第三列的红色像素单元R作为备选像素单元。

需要说明的是，上述图3和图4所示的像素排列情况仅起到示例性的作用，这并不会对本申请的技术方案产生限制，本发明的方案还可以适用于采用其他像素排列方式的阵列基板。

为使得备选像素单元中像素驱动电路1所产生的驱动电流能输出至异常像素单元的OLED，则需要使得备选像素单元中像素驱动电路1与异常像素单元的第一电极2电连接。具体过程参见下述步骤102和步骤103。

步骤102：根据备选像素单元和异常像素单元的位置在像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，第一过孔连通像素界定层的上表面和异常像素单元内第一电极的上表面，第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面。

可选地，像素界定层3的材料为亚克力材料，可利用激光切割技术以在像素界定层3上形成连通像素界定层3的上表面和异常像素单元内第一电极2的上表面的第一过孔5，第一过孔5与异常像素单元中对应的开口4不连通；利用激光切割技术以在像素界定层3上形成连通像素界定层3的上表面和备选像素单元内第一电极2的上表面的第二过孔6，第二过孔6与备选像素单元中对应的开口4不连通。

需要说明的是，由于要确保第一过孔5与异常像素单元中对应的开口4不连通，以及确保第二过孔6与备选像素单元中对应的开口4不连通，因此对于第一过孔5和第二过孔6的形成位置的精确度要求较高，而本发明中采用激光切割技术可以精准的控制第一过孔5和第二过孔6的形成位置，因此采用激光切割技术以在像素界定层3上形成第一过孔5和第二过孔6的技术手段为本发明中的一种优选方案。当然，本发明中像素界定层3可以采用其他材料，同时也可以采用其他技术手段来形成上述第一过孔5和第二过孔6，此处不再一一列举。

步骤103：在像素界定层上形成导电连接部，导电连接部通过第一过孔与异常像素单元内的第一电极连接，且通过第二过孔与备选像素单元内的第一电极连接。

在步骤103中，可选地，利用化学气相沉积修复仪在第一过孔5内、第二过孔6内以及像素界定层3上对应于第一过孔5与第二过孔6之间的空白区域沉积导电材料，以形成导电连接部7的图形。具体地，首先，将化学气相沉积修复仪的喷头先对准第一过孔5位置，并使得导电材料沉积在第一过孔5内；然后，将化学气相沉积修复仪的喷头由第一过孔5缓慢移动至第二过孔6，并将导电材料沉积像素界定层3上对应于第一过孔5与第二过孔6之间的空白区域；最后，将导电材料沉积在第二过孔6内。此时备选像素单元中的像素驱动电路1可通过该导电连接部7与异常像素单元内的第一电极2电连接。

需要说明的是，由于第一过孔5与异常像素单元中对应的开口4不连通，第二过孔6与备选像素单元中对应的开口4不连通，因此该导电连接部7的形成不会对异常像素单元和备选像素单元的开口4内的结构(例如：电致发光层)造成影响。

可选地，导电连接部7的材料为钨。

需要说明的是，化学气相沉积修复仪为本领域的常用仪器，其工作原理此处不再进行赘述。

通过上述步骤102和步骤103可使得备选像素单元中的像素驱动电路1与异常像素单元中的OLED电连接，从而实现对异常像素单元的修复。此外，由于在步骤101中将异常像素单元内像素驱动电路1与第一电极2之间的连接切断，从而可有效避免异常像素单元内像素驱动电路1中的信号对异常像素单元内的OLED造成影响。

需要补充说明的是，在本实施例中，也可先执行步骤102和步骤103，然后再执行步骤101，对于此种情况本实施例不进行详细说明。

实施例二

本发明实施例二提供了一种阵列基板的修复装置，其中该阵列基板包括：若干个像素单元，像素单元内形成有像素驱动电路和第一电极，像素驱动电路和第一电极的上方形成像素界定层，像素界定层上设置有连通至第一电极的开口，该修复装置用于执行上述实施例一提供的修复方法。

图5为本发明实施例二提供的阵列基板的修复装置的结构示意图，如图5所示，该修复装置包括：电路切断单元11、过孔形成单元12和连接部形成单元13，其中，电路切断单元11用于切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路；过孔形成单元12用于在选取与异常像素单元相邻且发光颜色相同的一个正常像素单元作为备选像素单元之后，根据备选像素单元和异常像素单元的位置在像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，第一过孔连通像素界定层的上表面和异常像素单元内第一电极的上表面，第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面；连接部形成单元13用于在像素界定层上形成导电连接部，导电连接部通过第一过孔与异常像素单元内的第一电极连接，且通过第二过孔与备选像素单元内的第一电极连接。

可选地，本实施例中的电路切断单元11和过孔形成单元12均为激光切割仪。在利用激光切割仪进行切割或打孔的过程中，通过控制射出的激光的焦点，可保证处理过程的精准度。更重要的是，由于电路切断单元和过孔形成单元为同一个设备(激光切割仪)，因此可有效的该修复装置的结构复杂度和设备成本。

可选地，连接部形成单元13为化学气相沉积修复仪。由于阵列基板上需要修复的异常像素单元的数量较少，若采用掩模工艺来形成导电连接部，则会导致材料的大量浪费。而通过化学气相沉积修复仪可直接“绘制”出形成导电连接部的图形，可有效的避免材料的浪费。

实施例三

图6为本发明实施例三提供的阵列基板的制备方法的流程图，如图6所示，该制备方法包括：

步骤201：在衬底基板上依次形成像素驱动电路、绝缘层和第一电极，绝缘层上形成有过孔，第一电极通过过孔与像素驱动电路连接。

步骤202：在第一电极的和绝缘层的上方形成像素界定层，像素界定层上设置有连通至第一电极的开口。

参见图2，在经过上述步骤201和步骤202之后，在该阵列基板上，绝缘层8覆盖整个像素驱动电路1，第一电极2通过过孔(未标号)与像素驱动电路1连接，第一电极2部分被像素界定层3覆盖，部分对应像素界定层3上的开口4。

在执行完步骤202后，操作人员可通过观察各像素单元中的像素驱动电路1是否存在瑕疵，从而可获取到阵列基板上的异常像素单元。

步骤203：选取相应的备选像素单元，并对异常像素单元进行修复。

在步骤203中，采用上述实施例一中提供的修复方法来对异常像素单元进行修复，具体过程可参见上述实施例一中的描述，此处不再进行赘述。

继续参见图2，在经过步骤203处理后，异常像素单元内的像素驱动电路1与第一电极2之间的连接处被切断；同时，像素界定层3上形成有连通像素界定层3的上表面和异常像素单元内第一电极2的上表面的第一过孔5，以及形成有连通像素界定层3的上表面和备选像素单元内第一电极2的上表面的第二过孔6，像素界定层3上还设置有通过第一过孔5与异常像素单元内的第一电极2连接且通过第二过孔6与备选像素单元内的第一电极2连接的导电连接部7。通过该导电连接部7将备选像素单元的像素驱动电路1与异常像素单元内的第一电极2电连接，从而实现对异常像素单元的修复。

步骤204：在开口内形成电致发光层。

步骤205：在电致发光层上形成第二电极。

需要说明的是，该第二电极为OLED的阴极。第一电极2、有机发光层(图2中未示出)和第二电极(图2中未示出)构成OLED。

实施例四

图7为本发明实施例四提供的一种阵列基板的制备方法流程图，如图7所示，该制备方法包括：

步骤301：在衬底基板上依次形成像素驱动电路、绝缘层和第一电极，绝缘层上形成有过孔，第一电极通过过孔与像素驱动电路连接。

步骤302：在第一电极的和绝缘层的上方形成像素界定层，像素界定层上设置有连通至第一电极的开口。

步骤303：在开口内形成电致发光层。

步骤304：在电致发光层上形成第二电极。

在执行完步骤304后，操作人员可通过观察各像素单元中的像素驱动电路是否存在瑕疵，或者利用点灯测试，来获取到阵列基板上的异常像素单元。

步骤305：选取相应的备选像素单元，并对异常像素单元进行修复。

图8为经过步骤305处理之后阵列基板的截面示意图，如图8所示，在步骤305中，采用上述实施例一中提供的修复方法来对异常像素单元进行修复，此时，异常像素单元内的像素驱动电路1(图8中仅示例性的画出了像素驱动电路中的驱动晶体管)与第一电极2之间的连接处被切断(例如图8中的区域A)；同时，像素界定层3上形成有连通像素界定层3的上表面和异常像素单元内第一电极2的上表面的第一过孔5，以及形成有连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极2的上表面的第二过孔6，像素界定层3上还设置有通过第一过孔5与异常像素单元内的第一电极2连接且通过第二过孔6与备选像素单元内的第一电极2连接的导电连接部7。通过该导电连接部7将备选像素单元的像素驱动电路与异常像素单元内的第一电极2电连接，从而实现对异常像素单元的修复。

需要说明的是，本实施例四的技术方案与上述实施例三的技术方案的区别在于，实施例四的修复步骤是在形成第二电极10的步骤之后进行，而实施例三的修复步骤是在形成电致发光层9的步骤之前进行。因此，在获取阵列基板上的异常像素单元时，实施例四中不仅可以利用直接观察像素驱动电路1的方式来获取异常像素单元，而且还可以利用点灯测试来获取到异常像素单元，因此在实施例四中获取到异常像素单元会相对容易一些。然后，在对异常像素单元进行修复时，特别是采用激光切割仪来切断异常像素单元中的像素驱动电路1与第一电极2的连接，以及形成第一过孔5和第二过孔6时，在实施例四中，激光切割仪产生的激光极其容易照射到电致发光层9上，从而会对电致发光层9的性能造成影响。而在上述实施例三中，由于在对异常像素单元进行修复时，电致发光层9还没有形成，因此不用担心激光对电致发光层9的影响，使得可操作空间更大。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次形成像素驱动电路、绝缘层和第一电极，所述绝缘层上形成有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述像素驱动电路连接；

在所述第一电极的和所述绝缘层的上方形成像素界定层，所述像素界定层上设置有连通至第一电极的开口；

在所述开口内形成电致发光层；

在所述电致发光层上形成第二电极；

通过点灯测试来获取到所述阵列基板上的异常像素单元；

采用如下修复方法对阵列基板上的异常像素单元进行修复，包括：

切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接，以使得像素驱动电路与第一电极之间断路；

选取与异常像素单元相邻且发光颜色相同的一个正常像素单元作为备选像素单元，并根据所述备选像素单元和所述异常像素单元的位置在所述像素界定层上形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔连通所述像素界定层的上表面和所述异常像素单元内第一电极的上表面，所述第二过孔连通像素界定层的上表面和备选像素单元内第一电极的上表面；

在所述像素界定层上形成导电连接部，所述导电连接部通过所述第一过孔与所述异常像素单元内的第一电极连接，且通过所述第二过孔与所述备选像素单元内的第一电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述切断异常像素单元内像素驱动电路与第一电极之间的连接的步骤具体包括：

采用激光切割技术以切断所述异常像素单元内显示像素驱动电路与第一电极之间的连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素界定层的材料为亚克力材料，所述在所述像素界定层上形成第一过孔和第二过孔的步骤具体包括：

利用激光切割技术以在所述像素界定层上形成连通所述像素界定层的上表面和所述异常像素单元内第一电极的上表面的所述第一过孔，所述第一过孔与所述异常像素单元中对应的开口不连通；

利用激光切割技术以在所述像素界定层上形成连通所述像素界定层的上表面和所述备选像素单元内第一电极的上表面的所述第二过孔，所述第二过孔与所述备选像素单元中对应的开口不连通。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在像素界定层上形成导电连接部的步骤具体包括：

利用化学气相沉积修复仪在所述第一过孔内、所述第二过孔内以及所述像素界定层上对应于所述第一过孔与所述第二过孔之间的空白区域沉积导电材料，以形成所述导电连接部的图形。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述导电连接部的材料为钨。