CN108877644A - 阵列基板及修复阵列基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种阵列基板及修复阵列基板的方法。该阵列基板包括：基板；位于基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，发光器件串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，子像素包括第一子像素和与第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与第一子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线以及第二子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。

Description

阵列基板及修复阵列基板的方法
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及修复阵列基板的方法。
背景技术
LED显示技术具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、高反应速度等优点，因而日益流行。
发明内容
本发明的实施例提供了一种阵列基板及修复阵列基板的方法，能够定位并修复阵列基板中不发光的像素点。
根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的一个发光器件。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件。
在本发明的实施例中，所述阵列基板还包括：至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的两个发光器件。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括OLED、QLED或微LED发光器件。
在本发明的实施例中，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。
根据本发明的第二方面，提供了一种用于修复在本发明的第一方面中描述的阵列基板的方法。
在本发明的实施例中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。在所述第一子像素的所述发光器件失效的情况下，所述修复方法包括：使所述第一子像素的所述连接线和所述第二子像素的所述连接线与所述第一修复线在相交位置处短接；以及切断所述第一修复线的在所述相交位置之间的部分与其余部分之间的连接。
在本发明的实施例中，所述阵列基板包括：基板；位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件；至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。在所述至少两个发光器件中存在失效的发光器件和正常工作的发光器件的情况下，所述方法包括：通过所述第一、所述第二和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素。
在本发明的实施例中，在修复的子像素的正常工作期间，增加所述修复的子像素的驱动晶体管的驱动电流。
在本发明的实施例中，所述方法还包括：在通过所述第一、所述第二和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素之前，通过下列方式确定所述失效的发光器件：使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接；以及向所述第二修复线提供检测电压以确定所述失效的发光器件。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接。在所述第一发光器件失效的情况下，所述方法包括：在所述第一修复线与所述第一发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的第二连接线的第二相交位置处，使所述第一修复线与所述第二连接线短接；在所述第三修复线与所述第一修复线的第三相交位置处使所述第三修复线与所述第一修复线短接，在所述第三修复线与所述第二修复线的第四相交位置处使所述第三修复线与所述第二修复线短接；在所述第三相交位置远离所述第二相交位置的一侧切断所述第一修复线；以及切断所述第二修复线的在所述第一相交位置和所述第四相交位置之间的部分与所述第二修复线的其余部分之间的连接。
在本发明的实施例中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接。在所述第二发光器件失效的情况下，所述方法包括：切断所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分与所述第二修复线的其他部分之间的连接。在本发明的实施例中，在所述第二发光器件失效的情况下，在所述第二发光器件所位于的所述子像素的正常工作期间，向所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分施加等于发光器件的导通压降的电压。
在本发明的实施例中，所述短接包括通过所述激光进行熔接。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：
图1示出了根据本发明的实施例的阵列基板的平面示意图；
图2示出了根据本发明的实施例的阵列基板的平面示意图；
图3示出了修复根据本发明的实施例的阵列基板的方法的示意图；
图4示出了根据本发明的实施例的阵列基板的一种子像素排列示意图；
图5示出了根据本发明的实施例的阵列基板的另一种子像素排列示意图；
图6示出了修复根据本发明的实施例的阵列基板的方法的示意图；
图7示出了修复根据本发明的实施例的阵列基板的方法的示意图；以及
图8示出了修复根据本发明的实施例的阵列基板的方法的示意图。
贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。
具体实施方式
首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明(翻译与下面不一样，需注意)。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
此外，还需要说明的是，当介绍本申请的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素；除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素；术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。
本发明中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本发明精神的情况下，可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如，所述步骤可以以不同的顺序进行，或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。
现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。
目前，为了提高显示面板的良率，在制备阵列基板期间，需要检测阵列基板中每个像素是否发生异常，例如，像素不发光。如果存在异常的像素，需要对该异常的像素进行修复。
在本发明的实施例中，提供了一种阵列基板，能够用于修复出现异常的像素。需要说明的是，这里的“异常”可以指像素中的发光器件出现功能性不良。例如，“异常”可以指发光器件失效不发光或起亮电压、电流太高而无法在显示面板提供的范围内正常操作，也可以指在例如将诸如LED的发光器件转印至基板的情况下，由于绑定不良导致的阴极或阳极搭接不良所引起的不发光的现象。
根据本发明的实施例的阵列基板包括基板和位于基板上的多个子像素。每个子像素包括驱动晶体管和发光器件。驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接。发光器件串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间。子像素可以包括第一子像素和与第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素。该阵列基板还可以包括第一修复线，该第一修复线与第一子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线以及第二子像素的发光器件和驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。
一方面，在本发明的实施例中，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的一个发光器件，例如，如图1所示。
图1示出了根据本发明的实施例的阵列基板的平面示意图。如图1所示，阵列基板10中的子像素包括第一子像素100和与第一子像素100邻近的可发出相同颜色的光的第二子像素200。根据本发明的实施例，子像素例如可以包括红、绿或蓝色子像素。应理解，图1示出的两个子像素100和200仅仅为示例性的，以便本领域的技术人员更容易地理解本发明，其不应被理解为是对本发明的限定。作为示例，第一子像素100、和第二子像素200可以都发出红光、绿光或蓝光等。在图1中，第一子像素100和第二子像素200仅包括一个发光器件。
如图1所示，第一子像素100包括驱动晶体管T1和发光器件D11，第二子像素200包括驱动晶体管T2和发光器件D21。在第一子像素100中，驱动晶体管T1的控制端与数据信号端Data耦接，驱动晶体管T1的第一端与第一电压端VDD耦接，发光器件D11的第一端与驱动晶体管T1的第二端耦接，发光器件D11的第二端与第二电压端VSS耦接。在第二子像素200中，驱动晶体管T2的控制端与数据信号端Data耦接，驱动晶体管T2的第一端与第一电压端VDD耦接，发光器件D21的第一端与驱动晶体管T2的第二端耦接，发光器件D21的第二端与第二电压端VSS耦接。
需要说明的是，如图1所示，数据信号端Data与驱动晶体管T1的控制端之间以及数据信号端Data与驱动晶体管T2的控制端之间还可以分别连接有开关晶体管M1和开关晶体管M2，以实现逐行扫描的功能。然而，为了清楚地说明本发明的实施例，本文描述了驱动晶体管T1和驱动晶体管T2的控制端与数据信号端Data耦接，而省略了对开关晶体管M1和开关晶体管M2的描述。
进一步地，如图1所示，阵列基板10还包括第一修复线R1。在本发明的实施例中，该第一修复线R1为悬置的，即，该第一修复线R1不传输信号。该第一修复线R1与第一子像素100的发光器件D11和驱动晶体管T1的第二端之间的连接线以及第二子像素200的发光器件D21和驱动晶体管T2的第二端之间的连接线绝缘相交。这里，作为示例，“绝缘相交”可以指第一修复线R1位于上述连接线的上方或下方并且两者之间可能存在绝缘层。应理解，在本发明的上下文中，修复线(比如第一修复线、第二修复线及第三修复线)与连接线绝缘相交表示没有使用修复线进行修复时的状态，在使用修复线进行修复之后，修复线可根据实际需要与连接线在相交位置处短接以实现修复功能。
需要说明的是，本发明的附图仅示出晶体管为P型晶体管，其不应被视为是对本发明的限定。可以理解，根据本发明的实施例的晶体管也可以为N型晶体管。
另一方面，在本发明的实施例中，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的至少两个发光器件。
在这种情况下，阵列基板还包括：至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和上述至少一个第二修复线绝缘相交。
作为示例，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的两个发光器件。
图2示出了根据本发明的实施例的阵列基板的平面示意图。如图2所示，第一子像素100或第二子像素200均包括两个发光器件。以第一子像素100为例，第一子像素100包括第一发光器件D11和第二发光器件D12。在第一子像素100中，驱动晶体管T1的控制端与数据信号端Data耦接，驱动晶体管T1的第一端与第一电压端VDD耦接，第一发光器件D11的第一端与驱动晶体管T1的第二端耦接，第一发光器件D11的第二端与第二发光器件D12的第一端耦接，第二发光器件D12的第二端与第二电压端VSS耦接。应理解，第二子像素200内的连接关系与第一子像素100类似，在此不再赘述。此外，应理解，第一和第二发光器件发出相同颜色的光。
进一步地，阵列基板10还包括第二修复线R2和第三修复线R3。具体地，第二修复线R2与第一发光器件D11和第二发光器件D12之间的连接线绝缘相交。第三修复线R3与第一修复线R1和第二修复线R2绝缘相交。例如，根据本发明的实施例，第三修复线R3可以与第一修复线R1和第二修复线R2绝缘垂直相交。这里，“绝缘相交”如上所述，在此不再赘述。
在本发明的示例性实施例中，发光器件可以包括OLED、QLED或微LED发光器件。
在本发明的示例性实施例中，第一电压端的电压高于第二电压端的电压。作为示例，第一电压端可以为电源电压端，第二电压端可以为接地端。
此外，应注意，在阵列基板中不存在异常像素的情况下，第一、第二和第三修复线均连接至地。
目前，为了提高显示面板的良率，在制备阵列基板期间，需要检测阵列基板中每个像素是否发生异常，例如，像素不发光。如果存在异常的像素，需要对该异常的像素进行修复。为此，在本发明的实施例中，还提供了一种用于修复如上所述的阵列基板的方法，能够修复阵列基板中的发生异常的像素。
一方面，如上所述，在本发明的实施例中，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的一个发光器件，例如，如图1所示。关于图1的描述如上所述，在此不再赘述。
在该实施例中，修复方法可以使在像素的正常工作期间使用相邻的发相同颜色的光的子像素来补偿失效的子像素的亮度，也就是，使用发相同颜色的光的发光器件来补偿失效的发光器件的亮度。
在图1中的第一子像素100的发光器件D11失效(例如，不发光)的情况下，修复方法如图3所示。具体地，该修复方法包括：使第一子像素100的发光器件D11和驱动晶体管T1的第二端之间的连接线L1以及第二子像素200的发光器件D21和驱动晶体管T2的第二端之间的连接线L2与第一修复线R1在相交位置N1和N2处短接；以及切断第一修复线R1的在相交位置N1与N2之间的部分与第一修复线R1的其余部分之间的连接，也就是，切断第一修复线R1的在相交位置N1与N2之间的部分与第一修复线R1的在N1位置远离N2位置的部分和第一修复线R1的在N2位置远离N1位置的部分之间的连接。需要说明的是，上述短接包括通过激光进行熔接。
在上述修复之后，在第一子像素100正常工作期间，原先通过驱动晶体管T1流向发光器件D11的电流I将依次通过相交位置N1、第一修复线R1和相交位置N2流向发光器件D21，从而能够增加发光器件D21的发光亮度，由此可以通过相邻的发相同颜色的光的第二子像素200来补偿失效的第一子像素100，即，补偿亮度。
同样地，在第二子像素200的发光器件D21失效的情况下，修复方法与第一子像素100的发光器件D11失效的情况类似，在此不再赘述。
作为示例，如图4所示，当第四列第二行的子像素R的发光器件失效时，可以在通过上述修复之后，使原先流向该子像素R的电流流向与该子像素R相邻的发相同颜色的光的子像素，例如，流向第四列第一行的子像素R或第四列第三行的子像素R。
作为另一示例，如图5所示，当第四列第二行的子像素B的发光器件失效时，可以在通过上述修复之后，使原先流向该子像素B的电流流向与该子像素B相邻的发相同颜色的光的子像素，例如，流向第三列第一行的子像素B或第三列第三行的子像素B。需要注意，电流具体流向哪一个子像素，可以根据需要适宜地确定，例如，通过考虑人眼的敏感度。
另一方面，如上所述，在本发明的实施例中，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的至少两个发光器件。此外，如上所述，阵列基板还包括：至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及第三修复线，其与所述第一修复线和上述至少一个第二修复线绝缘相交。
在本发明的实施例中，在一个子像素的至少两个发光器件中存在失效的发光器件和正常工作的发光器件的情况下，修复方法包括：通过第一、第二和第三修复线旁路失效的发光器件以修复该子像素。也就是，在像素正常工作期间，可以使用在同一个像素内的正常工作的发光器件来补偿失效的发光器件的亮度。
在本发明的实施例中，修复方法还包括：在通过第一、第二和第三修复线旁路失效的发光器件以修复该子像素之前，使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接；以及向第二修复线提供检测电压以确定失效的发光器件的位置。也就是，确定至少两个发光器件中具体是哪一个发光器件失效。
作为示例，发光器件可以包括串联连接在驱动晶体管的第二端与第二电压端之间的两个发光器件，例如，如图2所示。关于图2的描述如上所述，在此不再赘述。
在本发明的实施例中，如图6所示，以第一子像素100为例，第一子像素100包括第一发光器件D11和第二发光器件D12，其中，使第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在第二修复线R2与第一发光器件D11和第二发光器件D12之间的第一连接线l1的第一相交位置n1处使第二修复线R2与第一连接线l1短接。然后，向第二修复线R2提供检测电压Vd以确定第一发光器件D11和第二发光器件D12中的哪一者失效。关于第二子像素200中存在失效的发光器件的情况如上所述，在此不再赘述。
具体地，在确定第一发光器件D11是否失效时，检测方法可以包括：向第二修复线R2提供检测电压Vd，其中，Vd<VSS，如果第一发光器件D11不发光，则第一发光器件D11失效。在确定第二发光器件D12是否失效时，检测方法可以包括：向第二修复线R2提供检测电压Vd其中，VSS<Vd<VDD，如果第一发光器件D11发光但第二发光器件D12不发光，则第二发光器件D12失效。
接下来，详细描述具体的修复方法，以第一子像素100为例。
在第一发光器件D11失效的情况下，修复方法如图7所示。具体地，该修复方法包括：在第一修复线R1与第一发光器件D11和驱动晶体管T1的第二端之间的第二连接线l2的第二相交位置n2处，使第一修复线R1与第二连接线l2短接；在第三修复线R3与第一修复线R1的第三相交位置n3处使第三修复线R3与第一修复线R1短接，在第三修复线R3与第二修复线R2的第四相交位置n4处使第三修复线R3与第二修复线R2短接；在第三相交位置n3远离第二相交位置n2的一侧切断第一修复线R1；以及切断第二修复线R2的在第一相交位置n1和第四相交位置n4之间的部分与第二修复线R2的其余部分之间的连接，也就是，切断第二修复线R2的在第一相交位置n1与第四相交位置n4之间的部分与第二修复线R2的在n1位置远离n4位置的部分和第二修复线R2的在n4位置远离n1位置的部分之间的连接。。
在上述修复之后，在第一子像素100正常工作期间，原先通过驱动晶体管T1流向第一发光器件D11和第二发光器件D12的电流I将依次通过相交位置n2、第一修复线R1、相交位置n3、第三修复线R3、第四相交位置n4、第二修复线R2以及第一相交位置n1流向第二发光器件D12。并且，由于第一和第二发光器件D11、D12之间为串联连接关系，因此，在修复的第一子像素100的正常工作期间，增加修复的第一子像素100的驱动晶体管T1的驱动电流I，从而能够增加第二发光器件D12的发光亮度，由此可以通过第二发光器件D12来补偿失效的第一发光器件D11，即，补偿亮度。
在第二发光器件D12失效的情况下，修复方法如图8所示。具体地，该修复方法包括：切断第二修复线R2的对应于第二发光器件D12所位于的第一子像素100的部分与第二修复线R2的其他部分之间的连接。
此外，在第二发光器件D12失效的情况下，在第二发光器件D12所位于的第一子像素100的正常工作期间，向第二修复线R2的对应于第二发光器件D12所位于的第一子像素100的部分施加等于发光器件的导通压降的电压V，由此能够使第一发光器件D11正常发光。另外，在修复的第一子像素100的正常工作期间，增加修复的第一子像素100的驱动晶体管T1的驱动电流I，从而能够增加第一发光器件D11的发光亮度，由此可以通过第一发光器件D11来补偿失效的第二发光器件D12，即，补偿亮度。
在本发明的示例性实施例中，上述短接可以包括通过激光进行熔接。
在本发明的示例性实施例中，上述切断可以通过激光进行。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括：
基板；
位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，
所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及
第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的一个发光器件。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括：
至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及
第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的两个发光器件。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述发光器件包括OLED、QLED或微LED发光器件。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端的电压。
8.一种用于修复根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板的方法。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阵列基板包括：
基板；
位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，
所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；以及
第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交，
在所述第一子像素的所述发光器件失效的情况下，所述修复方法包括：将所述第一子像素的所述连接线和所述第二子像素的所述连接线与所述第一修复线在相交位置处短接；以及
切断所述第一修复线的在所述相交位置之间的部分与其余部分之间的连接。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述阵列基板包括：
基板；
位于所述基板上的多个子像素，每个子像素包括驱动晶体管和发光器件，所述驱动晶体管的控制端与数据信号端耦接，所述驱动晶体管的第一端与第一电压端耦接，所述发光器件串联连接在所述驱动晶体管的第二端与第二电压端之间，
所述子像素包括第一子像素和与所述第一子像素邻近的发出相同颜色的光的第二子像素；
第一修复线，其与所述第一子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线以及所述第二子像素的所述发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的连接线绝缘相交，
其中，所述发光器件包括串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的至少两个发光器件；
至少一个第二修复线，每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线绝缘相交；以及
第三修复线，其与所述第一修复线和所述至少一个第二修复线绝缘相交，
在所述至少两个发光器件中存在失效的发光器件和正常工作的发光器件的情况下，所述方法包括：通过所述第一修复线、所述第二修复线和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在修复的子像素的正常工作期间，增加所述修复的子像素的驱动晶体管的驱动电流。
12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在通过所述第一、所述第二和所述第三修复线旁路所述失效的发光器件以修复所述子像素之前，通过下列方式确定所述失效的发光器件：
使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接；以及
向所述第二修复线提供检测电压以确定所述失效的发光器件。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端，
使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接，
在所述第一发光器件失效的情况下，所述方法包括：
在所述第一修复线与所述第一发光器件和所述驱动晶体管的第二端之间的第二连接线的第二相交位置处，使所述第一修复线与所述第二连接线短接；
在所述第三修复线与所述第一修复线的第三相交位置处使所述第三修复线与所述第一修复线短接，在所述第三修复线与所述第二修复线的第四相交位置处使所述第三修复线与所述第二修复线短接；
在所述第三相交位置远离所述第二相交位置的一侧切断所述第一修复线；以及
切断所述第二修复线的在所述第一相交位置和所述第四相交位置之间的部分与所述第二修复线的其余部分之间的连接。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述发光器件包括依次串联连接在所述驱动晶体管的第二端与所述第二电压端之间的第一发光器件和第二发光器件，所述第一电压端的电压高于所述第二电压端，
使每个第二修复线与每两个相邻的发光器件之间的连接线短接包括：在所述第二修复线与所述第一发光器件和所述第二发光器件之间的第一连接线的第一相交位置处使所述第二修复线与所述第一连接线短接，
在所述第二发光器件失效的情况下，所述方法包括：
切断所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分与所述第二修复线的其他部分之间的连接，
其中，在所述第二发光器件失效的情况下，在所述第二发光器件所位于的所述子像素的正常工作期间，向所述第二修复线的对应于所述第二发光器件所位于的所述子像素的部分施加等于发光器件的导通压降的电压。
15.根据权利要求9、12-14中任一项所述的方法，其中，所述短接包括通过所述激光进行熔接。
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