TW201519436A - 有機發光顯示設備、其修復方法及其驅動方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示設備包含：複數發射畫素、複數虛設畫素、以及複數修復線。該等發射畫素在一主動區域中沿一行方向及一列方向對齊排列。該等虛設畫素係位於一虛設區域中。該等修復線連接至該至少一個子發射畫素至少其中之一或該等虛設畫素至少其中之一。每一發射畫素包含至少一個子發射畫素。沿一行方向或一列方向對齊排列之至少二個子發射畫素被交替地連接至二修復線。

Description

有機發光顯示設備、其修復方法及其驅動方法 【優先權聲明】
2013年11月8日提出申請且名稱為「有機發光顯示設備、其修復方法及其驅動方法(Organic Light Emitting Display Apparatus,Method of Repairing the Same,and Method of Driving the Same)」之韓國專利申請案第10-2013-0135841號以引用方式全文併入本文中。
本文所述之一或多個實施例係關於一種顯示裝置以及一種驅動並修復一顯示裝置之方法。
若某一畫素有缺陷，則該畫素可能會不管掃描訊號及資料訊號而一直發光。一直發光之畫素可被視為於螢幕上形成一亮點。亮點具有高之可見性，因此易於被一使用者辨認到。已作出各種嘗試來糾正此問題。一種嘗試乃涉及控制缺陷畫素以形成一有限數量之光，進而形成一暗點。然而，隨著畫素電路(pixel circuit)變得愈益複雜，難以採取此種措施來校正缺陷畫素。
根據一個實施例，一種有機發光顯示設備包含：複數發射畫素(emission pixel)，在一主動區域(active region)中沿一行方向及一列方向對齊排列，各該發射畫素包含至少一個子發射畫素；複數虛設畫素(dummy pixel)，位於一虛設區域中；以及複數修復線，連接至該至少一個子發射畫素至少其中之一或該等虛設畫素至少其中之一，其中沿一行方向或一列方向對齊排列之至少二個子發射畫素被交替地連接至二修復線。
可在每一行中具有該等虛設畫素至少其中之一，可為每一行提供該等修復線至少其中之一，且該有機發光顯示設備可包含至少一條虛設掃描線，該至少一條虛設掃描線位於該虛設區域中並連接至該等虛設畫素之該至少其中之一。
該等修復線可包含：一第一修復線，對應於一第一行；以及一第二修復線，對應於與該第一行相鄰之一第二行，其中在該第一行中對齊排列之至少二個子發射畫素被交替地連接至該第一修復線及該第二修復線。
該等虛設畫素之一數目可相較該至少一個子發射畫素之一行數目大至少一個，且可為各該虛設畫素提供該等修復線至少其中之一。
該至少一個子發射畫素可連接至一掃描線及一資料線，且該等虛設畫素可連接至一虛設掃描線及該資料線。該虛設掃描線可位於該虛設區域中並連接至每一行中之該虛設畫素，且相對於被提供至該主動區域中該等發射畫素之一掃描訊號，該虛設掃描線可以一預定時間差提供一虛設掃描訊號至該虛設畫素。
該資料線可提供一資料訊號至該虛設畫素，該資料訊號係與 提供至經由該修復線連接至該虛設畫素之該子發射畫素之一資料訊號相同，且該資料線可在該虛設掃描訊號被提供至該虛設畫素之一時刻提供該相同資料訊號。
該等虛設畫素中位於一最外部之至少一個最外虛設畫素可連接至一虛設資料線並可自該虛設資料線接收一資料訊號。在一虛設掃描訊號被提供至該至少一個最外虛設畫素之一時刻，連接至該至少一個最外虛設畫素之該虛設資料線可提供一資料訊號至該至少一個最外虛設畫素，該資料訊號係與為連接至該虛設畫素之該子發射畫素提供之一資料訊號相同。
該至少一個子發射畫素可包含一發射畫素電路，該發射畫素電路連接至一發射裝置，該等虛設畫素可包含一虛設畫素電路，且該等修復線可連接該至少一個子發射畫素之該發射裝置與該等虛設畫素之該虛設畫素電路，在該至少一個子發射畫素中該發射畫素電路與該發射裝置係彼此分離。該虛設畫素電路可相同於該發射畫素電路。
該發射畫素電路可包含：一第一電晶體，用以因應於一掃描訊號而傳送一資料訊號；一電容器，用以儲存對應於所傳送之該資料訊號之一電壓；以及一第二電晶體，用以傳送一驅動電流至該發射裝置，該驅動電流對應於儲存於該電容器中之該電壓。
該發射裝置可包含位於一陽極與一陰極之間的一發射層，且連接該發射畫素電路與連接至該修復線之該子發射畫素之該發射裝置之陽極的一導線可被斷開。
各該虛設畫素包含至少一個子虛設畫素，且該等修復線可連 接該至少一個子發射畫素其中之一與該至少一個子虛設畫素其中之一。各該虛設畫素可包含與該等子發射畫素相同數目之子虛設畫素。
該虛設區域可設置於該主動區域之一上側或一底側至少其中之一中。該等發射畫素可同時發光。至少一個絕緣層可位於一第一導電單元與該修復線之間，並且可位於一第二導電單元與該修復線之間。
該第一導電單元可接觸連接至該修復線之該子發射畫素之一發射裝置之一陽極。該第二導電單元可接觸連接至該修復線之該虛設畫素之一虛設畫素電路。該第一導電單元可電性連接至該修復線，且該第二導電單元可電性連接至該修復線。
根據另一實施例，一種用於修復一有機發光顯示設備之方法包含：斷開一第一行中一發射裝置與一第一缺陷畫素及一第二缺陷畫素之一發射畫素電路的連接；連接對應於該第一行之一第一修復線與該第一缺陷畫素之該發射裝置；連接對應於與該第一行相鄰之一第二行之一第二修復線至該第二缺陷畫素之該發射裝置；以及連接複數個虛設畫素其中之一的一虛設畫素電路至該修復線，其中將提供至與該修復線連接之該缺陷畫素之一相同資料訊號提供至該虛設畫素，且其中將對應於該資料訊號之一驅動電流經由該修復線提供至該缺陷畫素之該發射裝置。
至少一個子發射畫素可包含一導電單元，該導電單元連接至該至少一個子發射畫素並交疊該修復線，其中至少一個絕緣層夾置於該導電單元與該修復線之間，且該至少一個子發射畫素中至少二子發射畫素之導電單元可沿一行方向或一列方向對齊排列並交替地交疊二修復線。
該至少一個子發射畫素中之該導電單元可連接至該子發射 畫素之該發射裝置之一陽極，且該方法可包含：該第一缺陷畫素之連接包含電性連接該第一缺陷畫素之一導電單元與該第一修復線，且該第二缺陷畫素之連接包含電性連接該第二缺陷畫素之一導電單元與該第二修復線。
各該虛設畫素可包含與該修復線交疊之一導電單元，其中至少一個絕緣層夾置於該導電單元與該修復線之間，且該方法可包含：該等虛設畫素之連接包含電性連接各該虛設畫素之該導電單元與該修復線。
該方法可包含：連接該等導電單元與該等修復線包含藉由破壞夾置於該等導電單元與該等修復線間之該等絕緣層之一部分而電性連接該等導電單元與該等修復線。
根據另一實施例，一種顯示裝置包含：一第一修復線；一第二修復線；一第一虛設畫素電路；一第二虛設畫素電路；一系列第一發射畫素；以及一系列第二發射畫素，其中該第一虛設畫素電路連接至一第一資料線，該第一資料線連接至該等第一發射畫素其中之一第一者，該第二虛設畫素電路連接至一第二資料線，該第二資料線連接至該等第二發射畫素其中之一第一者，且該第一修復線係用以將該第一虛設畫素電路連接至該等第一發射畫素其中之該第一者，且該第二修復線係用以將該第二虛設畫素電路連接至該等第一發射畫素其中之一第二者。
該系列第一發射畫素可排列於一第一行中，且該系列第二發射畫素可排列於一第二行中。該顯示裝置可包含一選擇線，以將該第二虛設畫素電路連接至該等第一發射畫素之該第二者。
11‧‧‧第一連接構件
12‧‧‧第二連接構件
21‧‧‧主動層
22‧‧‧第一閘電極
23‧‧‧第二閘電極
24‧‧‧閘電極
25‧‧‧源電極
26‧‧‧源電極
31‧‧‧畫素電極
41‧‧‧第一連接構件
51‧‧‧主動層
52‧‧‧第一閘電極
53‧‧‧第二閘電極
54‧‧‧閘電極
55‧‧‧汲電極
56‧‧‧汲電極
61‧‧‧第二連接構件
62‧‧‧第一層
63‧‧‧第二層
100‧‧‧顯示設備
110‧‧‧顯示面板
111‧‧‧基板
120‧‧‧掃描驅動單元
130‧‧‧資料驅動單元
140‧‧‧控制單元
140a‧‧‧第一連接單元
140b‧‧‧第二連接單元
140c‧‧‧第三連接單元
140d‧‧‧第四連接單元
AA‧‧‧主動區域
BDLj‧‧‧資料線
BDPj‧‧‧子虛設畫素
BPij‧‧‧子發射畫素
C‧‧‧發射畫素電路
Cij‧‧‧畫素電路
Ci+1,j‧‧‧畫素電路
Cst‧‧‧電容器
D1j~Dnj‧‧‧資料訊號
D1,j+1~Dn,j+1‧‧‧資料訊號
DA‧‧‧虛設區域
DC‧‧‧虛設畫素電路
DCj‧‧‧虛設畫素電路
DCj+1‧‧‧虛設畫素電路
DCst‧‧‧虛設電容器
DDL‧‧‧虛設資料線
DL‧‧‧資料線
DL1~DLm‧‧‧第一資料線至第m資料線
DP‧‧‧虛設畫素
DPj‧‧‧虛設畫素
DPj+1‧‧‧虛設畫素
DPm+1‧‧‧虛設畫素
DSL‧‧‧虛設掃描線
DT1‧‧‧第一虛設電晶體
DT2‧‧‧第二虛設電晶體
E‧‧‧發射裝置
ELVDD‧‧‧第一電源電壓
ELVSS‧‧‧第二電源電壓
GCij‧‧‧畫素電路
GD1j~GDnj‧‧‧資料訊號
GDCj‧‧‧虛設畫素電路
GDCj+1‧‧‧虛設畫素電路
GDLj‧‧‧資料線
GDPj‧‧‧子虛設畫素
GDPj+1‧‧‧子虛設畫素
GI‧‧‧閘極絕緣層
GPij‧‧‧子發射畫素
ILD‧‧‧層間絕緣層
N1‧‧‧第一節點
OLED‧‧‧有機發光裝置
P‧‧‧發射畫素
PDL‧‧‧畫素界定層
Pij‧‧‧發射畫素
Pi+1,j‧‧‧發射畫素
RCij‧‧‧畫素電路
RD1j~RDnj‧‧‧資料訊號
RDCj‧‧‧虛設畫素電路
RDCj+1‧‧‧虛設畫素電路
RDLj‧‧‧資料線
RDPj‧‧‧虛設畫素
RL‧‧‧修復線
RL1~RLm‧‧‧修復線
RLm+1‧‧‧修復線
RPij‧‧‧子發射畫素
SL‧‧‧掃描線
SL1~SLn+1‧‧‧第一掃描線至第n+1掃描線
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
藉由參照圖式來詳細闡述實例性實施例，本發明之特徵對熟 習此項技術者而言將變得顯而易見，其中：第1圖例示一顯示設備之一實施例；第2圖例示第1圖所示一顯示面板之一實施例；第3圖例示第1圖所示一顯示面板之另一實施例；第4圖及第5圖例示用於驅動顯示設備之操作；第6圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之一實施例；第7圖例示用於第6圖所示方法之掃描訊號及資料訊號；第8圖及第9圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之另一實施例；第10圖例示用於第8圖及第9圖所示方法之掃描訊號及資料訊號；第11圖及第12圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之再一實施例；第13圖例示用於第11圖及第12圖所示方法之掃描訊號及資料訊號；第14圖例示一發射畫素之一實施例；第15圖例示一種用於利用一虛設畫素修復一發射畫素之方法之一實施例；第16圖例示用於修復發射畫素之一實施例；以及第17圖例示包含一虛設畫素之連接的一實施例。
以下，將參照圖式來更充分地闡述各實例性實施例；然而，該等實例性實施例可實施為不同形式，而不應被視為僅限於本文中所述之 實施例。更確切而言，提供該等實施例係為了使本發明之揭露內容透徹及完整，並向熟習此項技術者充分傳達實例性實施方案。
在圖式中，為清晰例示起見，可誇大層及區域之尺寸。亦應理解，當闡述一層或元件位於另一層或基板「上」時，該層或元件可直接位於該另一層或基板上，抑或亦可存在中間層。此外，應理解，當闡述一層位於另一層「之下」時，該層可直接位於該另一層之下，且亦可存在一或多個中間層。此外，亦應理解，當闡述一層位於二層「之間」時，該層可係為該二層之間僅有之層，抑或亦可存在一或多個中間層。通篇中相同之參考編號指示相同之元件。
第1圖例示包含一顯示面板110、一掃描驅動單元120、一資料驅動單元130、及一控制單元140之一顯示設備100之一實施例。掃描驅動單元120、資料驅動單元130、及控制單元140可形成於不同之半導體晶片(semiconductor chip)上，或可整合於一個半導體晶片上。此外，掃描驅動單元120可形成於與顯示面板110相同之基板上，但並非必須如此。
一虛設區域DA可在顯示面板110上形成於一主動區域AA周圍。虛設區域DA可形成於主動區域AA之一上側或一底側至少其中之一中。複數發射畫素P設置於主動區域AA中。至少一個虛設畫素DP設置於虛設區域DA中。發射畫素P連接至掃描線SL及資料線DL。該至少一個虛設畫素DP連接至一虛設掃描線DSL及資料線DL。發射畫素P係沿行方向及列方向對齊排列。
發射畫素P可包含至少一個子發射畫素。顯示面板110可包含至少一條修復線RL，修復線RL例如可平行於每一行中之資料線DL。修復線RL可連接發射畫素P與虛設畫素DP。修復線RL可連接子發射畫素與虛設畫 素DP。
掃描驅動單元120可產生掃描訊號，並經由複數掃描線SL提供該等掃描訊號至發射畫素P及虛設畫素DP。舉例而言，掃描驅動單元120可產生掃描訊號，並經由掃描線SL依序提供該等掃描訊號至發射畫素P及虛設畫素DP。掃描線SL包含一虛設掃描線DSL。虛設掃描線DSL包含於虛設區域DA中並連接至虛設畫素DP。虛設掃描線DSL提供該等掃描訊號至虛設畫素DP。
資料驅動單元130可經由複數資料線DL提供資料訊號至發射畫素P及虛設畫素DP。舉例而言，資料驅動單元130可經由資料線DL依序提供資料訊號至發射畫素P及虛設畫素DP。資料驅動單元130可將自控制單元140輸入並具有一灰度(gray scale)值之影像資料DATA轉換成一電壓資料訊號或電流資料訊號。
控制單元140產生一掃描控制訊號SCS及一資料控制訊號DCS，並分別將掃描控制訊號SCS及資料控制訊號DCS傳送至掃描驅動單元120及資料驅動單元130。藉此，掃描驅動單元120依序提供掃描訊號至掃描線SL，且資料驅動單元130提供資料訊號至畫素P。一虛設掃描訊號被提供至虛設掃描線DSL之時刻可不同於掃描訊號被提供至一發射畫素P之掃描線SL之時刻。舉例而言，相對於被提供至發射畫素P之掃描訊號，虛設掃描訊號可以一預定時間差而被提供至虛設掃描線DSL。
資料驅動單元130可例如藉由使資料訊號與虛設掃描訊號同步而將資料訊號提供至虛設畫素DP。藉此，虛設畫素DP可自資料驅動單元130接收與提供至一修復發射畫素P之資料訊號相同之資料訊號。
在第1圖中，資料線DL設置於相對於畫素P之一右邊部分中，且修復線RL設置於相對於畫素P之一左邊部分中。在其他實施例中，資料線DL與修復線RL可互換位置，或可設置於其他位置處。在一個實施例中，修復線RL可根據畫素之一設計而平行於掃描線SL，但並非必須如此。此外，一或多條修復線RL可形成於畫素P之每一行中。
顯示面板110亦可包含：複數發射控制線，用以提供發射控制訊號；一初始化電壓線，用以提供一初始化電壓；以及一驅動電壓線，用以提供一電源電壓(power voltage)。一第一電源電壓ELVDD、一第二電源電壓ELVSS、一發射控制訊號EM、及一初始化電壓Vint可在控制單元140之一控制下而被提供至畫素P。
可藉由各種發射方法來控制顯示設備。各實例包含：一種其中複數發射畫素同時發光之同時發射方法，以及一種其中複數發射畫素依序發光之依序發射方法。以下實施例係針對同時發射方法而進行例示性地闡述。然而，其他實施例可係為：例如根據虛設區域DA之一佈線設計及由控制單元140所執行之控制而利用一種依序發射方法來驅動。
第2圖例示包含有主動區域AA及虛設區域DA之顯示面板110之一實施例，主動區域AA用於藉由發射來顯示一影像，而虛設區域DA係位於主動區域AA之周圍。在第2圖中，虛設區域DA形成於主動區域AA之一底側處。在其他實施例中，虛設區域DA可處於一不同位置處。可為每一行提供虛設區域DA中之至少一個虛設畫素DP。
掃描線SL1至SLn及資料線DL1至DLm設置於主動區域AA中。發射畫素P在掃描線SL1至SLn與資料線DL1至DLm彼此交叉之一部分中對齊排列成一近似矩陣形狀。發射畫素P可包含至少一個子發射畫素。第2 圖例示其中發射畫素P包含一個子發射畫素(亦即，發射畫素P係為子發射畫素)之情形。在其他實施例中，發射畫素可不具有一子發射畫素，或可具有與第2圖所示子發射畫素不同之一子發射畫素。
發射畫素P包含一發射畫素電路C及一發射裝置E。發射裝置E接收來自發射畫素電路C之一驅動電流並發光。發射畫素電路C可包含至少一個薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)及至少一個電容器。發射裝置E可係為例如包含位於一陽極與一陰極間之一發射層之一有機發光裝置(organic light-emitting device；OLED)。
發射畫素P可發出彩色光。舉例而言，發射畫素P可發出紅色、藍色、綠色、或白色其中之一。在其他實施例中，發射畫素P可發出一不同顏色(例如，黃色)。
修復線RL1至RLm係被形成為平行於資料線DL1至DLm並與資料線DL1至DLm彼此間隔開。該等修復線可相對於各自行進行排列。發射畫素P之發射裝置E可與同一行中之修復線RL絕緣。因此，當經歷一修復操作時，發射裝置E可電性連接至修復線RL。舉例而言，發射裝置E可電性連接至一第一連接構件11，且第一連接構件11可部分地交疊修復線RL。一絕緣層可夾置於第一連接構件11與修復線RL之間。
第一連接構件11可包含由一導電材料形成之至少一個層。在修復期間，當照射一雷射至第一連接構件11與修復線RL之交疊區域上時，該絕緣層可被破壞。因此，第一連接構件11與修復線RL可電性連接，進而發生短路。因此，發射裝置E可能會與修復線RL電性連接。
虛設區域DA可形成於主動區域AA之一上側或一底側至少 其中之一中。此外，至少一個虛設畫素DP可形成於每一畫素行中。第2圖例示其中虛設區域DA形成於主動區域AA之底側中且一個虛設畫素DP形成於每一畫素行中之情形。
至少一條虛設掃描線DSL及複數資料線DL1至DLm設置於虛設區域DA中。此外，連接至虛設掃描線DSL及資料線DL1至DLm之虛設畫素DP包含於虛設區域DA中。虛設掃描線DSL連接至虛設畫素DP。主動區域AA之修復線RL1至RLm及資料線DL1至DLm排列於每一行中。同一行中之虛設畫素DP與一發射畫素P可共享同一行中之一資料線DL與修復線RL。
虛設畫素DP包含一虛設畫素電路DC。根據本文中之各種實施例，虛設畫素DP可更包含發射裝置。當虛設畫素DP包含發射裝置時，該發射裝置可實際上不發光，而是相反地可用作一電路裝置。舉例而言，發射裝置可用作一電容器。以下，各實施例係針對其中虛設畫素DP僅包含虛設畫素電路DC之情形來闡述。在其他實施例中，虛設畫素DP之結構可係為不同的。
虛設畫素電路DC可包含至少一個薄膜電晶體及至少一個電容器。虛設畫素電路DC可相同於或不同於發射畫素電路C。舉例而言，虛設畫素DPj(對應於一第j(j=1、...、m，m=自然數)行)之虛設畫素電路DC可相同於第j行中之發射畫素P之畫素電路C。作為另一選擇，虛設畫素電路DC可省略及/或添加發射畫素電路C之電晶體及/或電容器。在此種情形中，電晶體與電容器之大小及特性可不同，但並非必須如此。
虛設畫素電路DC可與同一行中之修復線RL絕緣。在修復期間，虛設畫素電路DC可電性連接至修復線RL。舉例而言，虛設畫素電路DC可電性連接至一第二連接構件12。第二連接構件12可被形成為部分地交疊 修復線RL，且第二連接構件12與修復線RL之間夾置有一絕緣層。例如類似於第一連接構件11，第二連接構件12可包含由一導電材料形成之至少一個層。在修復期間，當照射一雷射至第二連接構件12與修復線RL之交疊區域上時，絕緣層會被破壞。因此，第二連接構件12與修復線RL可電性連接，進而發生短路。因此，虛設畫素電路DC可能會電性連接至修復線RL。
參照第2圖，沿一行方向連續地對齊排列之複數發射畫素P可交替地連接至二不同之修復線RL。舉例而言，沿第j(j=1、...、m，m係為一自然數)行對齊排列之發射畫素P可交替地依序連接至對應於第j行之一第一修復線RLj及對應於一第j+1行之一第二修復線RLj+1。因此，即使發射畫素P係沿同一行對齊排列，相鄰發射畫素P亦可連接至不同修復線RL。舉例而言，在第j行中之發射畫素P中，連接至一第i(i=1、...、n，n=自然數)掃描線SLi之發射畫素Pij可連接至第一修復線RLj。連接至一第i+1掃描線SLi+1之發射畫素Pi+1,j可連接至第二修復線RLj+1。
第2圖例示其中修復線RL係沿行方向而形成之情形。在其他實施例中，修復線RL可沿一列方向形成。在此種情形中，沿列方向連續地對齊排列之發射畫素P可交替地連接至每一列中所包含之二不同修復線。
在一個實施例中，位於一行中之發射畫素P可連接至二修復線。當發射畫素P形成於第一行至第m行中且修復線之數目係為m時，位於任一行中之發射畫素P皆可全部連接至一條修復線RL，如第2圖所例示。
此外，參照第2圖，第m行中之發射畫素P可全部連接至一第m修復線RLm。在其他實施例中，第一行中之發射畫素P可全部連接至第一修復線RL1。
第3圖例示第1圖所例示之顯示面板之另一實施例。在此實施例中，包含至少一個虛設畫素DP之一虛設行可包含於初始行(第一行)及最末一行(第m行)至少其中之一之一外部中。
參照第3圖，虛設行m+1及與虛設行m+1對應之虛設畫素DPm+1包含於第m行之一外部中。因此，所包含之虛設畫素DP之數目可相較於子發射畫素行之數目(m)至少大一個(例如，所包含之虛設畫素DP之數目可係為m+1)。在一個實施例中，除每一行中之虛設畫素DP之外，另外一個虛設畫素DPm+1可更包含於最外行(第一行或第m行)之一向外方向中。至少一條修復線RL設置於每一虛設畫素DP中。修復線RLm+1設置於虛設畫素DPm+1中。
參照第3圖，虛設畫素DPm+1可更包含於虛設區域DA中。與虛設畫素DPm+1對應之修復線RLm+1可更包含於主動區域AA中或主動區域AA之外。因此，發射畫素P形成於第一行至第m行中。所包含之修復線RL之數目可係為m+1。用於將資料訊號提供至虛設畫素DPm+1之一虛設資料線DLm+1可更包含於主動區域AA中或主動區域AA之外。虛設資料線DLm+1不連接至發射畫素P，並接收來自資料驅動單元130之資料訊號。
當虛設畫素DPm+1用於修復一預定子發射畫素時，在掃描訊號被提供至虛設畫素DPm+1之一時刻，虛設資料線DLm+1可將一資料訊號提供至虛設畫素DPm+1，該資料訊號係與提供至與虛設畫素DPm+1連接之子發射畫素之一資料訊號相同。根據第3圖所例示之實施例，每一行中之發射畫素P可交替地連接至二不同修復線RL。
第4圖及第5圖例示用於驅動顯示設備100之操作之實施例。參照第4圖，在一個訊框期間利用一掃描週期1及一發射週期2來驅動顯示設 備100。在掃描週期1中，將掃描訊號依序提供至一第一掃描線至一最末掃描線。在每一發射畫素P之一電容器中充以與一資料訊號對應之一電壓。在發射週期2中，所有發射畫素P之發射裝置E皆接收與所充電壓對應之一電流，並同時發出具有與該電流對應之一亮度之光。
若在各發射畫素P中出現一缺陷畫素，並因此使用位於同一行中之一虛設畫素DP，則在一掃描週期1中將掃描訊號及資料訊號依序提供至各掃描線，包括連接至虛設畫素DP之一掃描線DSL。在此種情形中，將被提供至該缺陷畫素之相同資料訊號提供至虛設畫素DP。在發射週期2中，包含缺陷畫素之所有發射畫素P之發射裝置E皆接收與所充電壓對應之一電流，並同時發出具有與所接收電流對應之一亮度之光。缺陷畫素之發射裝置E接收來自虛設畫素DP之一電流，並發出具有與所接收電流對應之一亮度之光。
掃描週期1發生於發射週期2之前。在掃描週期1中，在每一發射畫素P及虛設畫素DP中充以與一第N訊框之一資料訊號對應之一電壓。接著，在發射週期2中，所有發射畫素P之有機發光裝置皆基於與第N訊框之資料訊號對應之一電流而發出光。
當針對複數訊框重複掃描及發射時，掃描週期1與發射週期2之至少一部分可交疊，例如，一第N-1訊框之發射週期2之至少一部分可交疊一第N訊框之掃描週期1。
參照第5圖，在一個訊框期間利用一掃描及發射週期3來驅動根據實施例之顯示設備100。在掃描及發射週期3中，將掃描訊號依序提供至一第一掃描線至一最末掃描線。此外，在每一發射畫素P之一電容器中充以與一第N訊框之一資料訊號對應之一電壓。同時，在掃描及發射週期3中， 所有發射畫素P之發射裝置E皆接收一電流，該電流對應於與一第N-1訊框之一資料訊號對應地所充之一電壓。該等發射裝置E同時發出具有與所接收電流對應之一亮度之光。在掃描及發射週期3中，一發射週期可相同於一掃描週期，或可與該掃描週期同時開始並且可先於該掃描週期而結束。
若在各發射畫素P中出現一缺陷畫素，並因此使用位於同一行中之一虛設畫素DP，則在掃描及發射週期3中，將掃描訊號依序提供至各掃描線，包括連接至虛設畫素DP之一掃描線DSL。此外，將一第N訊框之各資料訊號依序提供至資料線DL。在此種情形中，將提供至該缺陷畫素之相同資料訊號提供至虛設畫素DP。同時，在掃描及發射週期3中，包含該缺陷畫素之所有發射畫素P之發射裝置E皆接收一電流，該電流對應於與一第N-1訊框之一資料訊號對應地所充之一電壓。該等發射裝置E同時發出具有對應於所接收電流之一亮度之光。該缺陷畫素之發射裝置E接收來自虛設畫素DP之一電流，並發出具有對應於該電流之一亮度之光。
儘管在第4圖及第5圖所示之一訊框中執行僅一掃描週期及一發射週期，然而亦可在一個訊框中執行一初始化週期、用於補償一臨限電壓(threshold voltage)之補償週期、及/或發射關閉(emission off)週期。
此外，第4圖及第5圖例示其中發射畫素P之發射裝置E同時發光之一同時發射方法之一實例。在其他實施例中，可執行其中發射畫素P之發射裝置E依序發光之一依序發射方法。可例如藉由控制被提供至發射畫素P之訊號之一定時來執行該依序發射方法。
第6圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之一實施例。如第2圖所示顯示面板110一樣，第6圖對應於其中一虛設畫素DP連接至複數掃描線SL1至SLn+1中一最末掃描線SLn+1之情形。僅出於例示目的，一第j行 顯示於第6圖中，且亦顯示發射裝置E作為一有機發光裝置。
參照第6圖，若連接至一第i掃描線及一第j資料線之一發射畫素Pij之一畫素電路Cij有缺陷，則斷開連接至畫素電路Cij之一有機發光裝置與畫素電路Cij的連接。此可藉由使畫素電路Cij與有機發光裝置電性分離來達成。舉例而言，可在切斷單元(cutting unit)130中切斷有機發光裝置之一陽極與缺陷發射畫素Pij之畫素電路Cij。可例如藉由一雷射束來執行藉由切斷進行之分離。
接著，一第一連接單元140a將缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置連接至一修復線RLj。一第二連接單元140b將虛設畫素DPj之一虛設畫素電路DCj連接至修復線RLj。舉例而言，可將缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置之一陽極連接至修復線RLj。可將虛設畫素DPj之虛設畫素電路DCj中之一薄膜電晶體之一個電極連接至修復線RLj。藉此，斷開缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置與缺陷發射畫素Pij之畫素電路Cij的連接，並將缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置經由修復線RLj電性連接至虛設畫素DPj之虛設畫素電路DCj。
第7圖例示由一顯示面板之一掃描驅動單元及資料驅動單元提供之掃描訊號及資料訊號之非限制性實例波形，該顯示面板具有藉由第6圖所示方法而修復之一畫素。參照第7圖，在一掃描週期中，掃描訊號S1至Sn+1依序提供至一第一掃描線SL1至一最末掃描線SLn+1。資料訊號D1j至Dnj係與掃描訊號S1至Sn+1同步地依序提供至一資料線DLj。在此種情形中，與提供至一缺陷發射畫素Pij之資料訊號Dij相同之資料訊號Dij係與掃描訊號Sn+1同步地又被提供至一虛設畫素DPj。
因此，缺陷發射畫素Pij之一有機發光裝置可經由虛設畫素 DPj之一虛設畫素電路DCj及一修復線RLj而接收與資料訊號Dij對應之一電流。因此，在一發射週期中，包含缺陷發射畫素Pij之所有發射畫素可在一正常條件下同時發光，進而可抑制產生一亮點或一暗點。
第7圖所示之波形係為在一同時發射方法之實施例中所驅動之掃描訊號及資料訊號之實例。當以根據另一實施例之一依序發射方法來驅動該等掃描訊號及該等資料訊號時，驅動方法可不同於第7圖所示之方法。
舉例而言，當以依序發射方法來驅動有機發光顯示設備時，一虛設掃描線SLn+1可提供一掃描訊號Si至虛設畫素DPj，掃描訊號Si相同於提供至缺陷發射畫素Pij之一掃描訊號Si。此外，對應於由虛設掃描線SLn+1提供之掃描訊號Si之一導通位準訊號(signal of level on)，用於提供資料訊號至虛設畫素DPj之一資料線DLj可提供資料訊號Dij。
作為另一選擇，虛設掃描線SLn+1可提供一額外之掃描訊號Sn+1至虛設畫素DPj。此外，對應於由虛設掃描線SLn+1提供之掃描訊號Sn+1之一導通位準訊號，用於提供資料訊號Dij至虛設畫素DPj之資料線DLj可提供資料訊號Dij至虛設畫素DPj。
經由虛設掃描線SLn+1提供至虛設畫素DPj之掃描訊號可在不同實施例中有所變化。儘管第7圖例示其中掃描訊號之導通位準訊號係為一低訊號之情形，然而，基於例如畫素電路之一設計，在其他實施例中掃描訊號可係為一高訊號。
第8圖及第9圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之另一實施例。僅出於例示目的，第8圖及第9圖例示一第j行及一第j+1行，且例示 一有機發光裝置作為一發射裝置E。
參照第8圖，當連接至一第i掃描線及一第j資料線之一發射畫素Pij之一畫素電路Cij有缺陷，且連接至一第i+1掃描線及第j資料線之一發射畫素Pi+1,j之一畫素電路Ci+1,j有缺陷時，斷開有機發光裝置與畫素電路Cij的連接，且斷開有機發光裝置與畫素電路Ci+1,j的連接。亦即，使畫素電路Cij與有機發光裝置彼此電性分離，且使有機發光裝置與畫素電路Ci+1,j彼此電性分離。舉例而言，藉由切斷單元130來切斷有機發光裝置之一陽極與一第一缺陷發射畫素Pij之畫素電路Cij，且可藉由切斷單元130來切斷有機發光裝置之一陽極與一第二缺陷發射畫素Pi+1,j之畫素電路Ci+1,j。例如可藉由一雷射束來執行該切斷。
參照第9圖，將第一缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置連接至一第一連接單元140a中之一修復線RLj。將一虛設畫素DPj之一虛設畫素電路DCj連接至一第二連接單元140b之修復線RLj。舉例而言，可將第一缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置之陽極連接至修復線RLj，且可將虛設畫素DPj之虛設畫素電路DCj中之一薄膜電晶體之一電極連接至修復線RLj。藉此，斷開第一缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置與第一缺陷發射畫素Pij之畫素電路Cij的連接，並將第一缺陷發射畫素Pij之有機發光裝置經由修復線RLj電性連接至虛設畫素DPj之虛設畫素電路DCj。
此外，參照第9圖，將第二缺陷發射畫素Pi+1,j之有機發光裝置連接至一第三連接單元140c中之一修復線RLj+1。將一虛設畫素DPj+1之一虛設畫素電路DCj+1連接至一第四連接單元140d中之修復線RLj+1。舉例而言，可將第二缺陷發射畫素Pi+1,j之有機發光裝置之陽極連接至修復線RLj+1。可將虛設畫素DPj+1之虛設畫素電路DCj+1中之一薄膜電晶體之一 電極連接至修復線RLj+1。藉此，斷開第二缺陷發射畫素Pi+1,j之有機發光裝置與第二缺陷發射畫素Pi+1,j之畫素電路Ci+1,j的連接，並將第二缺陷發射畫素Pi+1,j之有機發光裝置經由修復線RLj+1電性連接至虛設畫素DPj+1之虛設畫素電路DCj+1。
根據第8圖及第9圖所示之實施例，當在一行中形成一個虛設畫素DP，且在該一行中出現二缺陷發射畫素Pij時，可藉由利用另一行中之虛設畫素DP來修復該二缺陷發射畫素Pij二者。可能例如由於異物或製造期間出現之各種問題而出現缺陷發射畫素Pij。相鄰發射畫素可能會由於各種因素(例如，影響該等相鄰發射畫素之微粒)而存在缺陷。可根據本文中所述之實施例來修復該等相鄰缺陷畫素。
第10圖例示由顯示面板之一掃描驅動單元及一資料驅動單元提供之掃描訊號及資料訊號之波形之非限制性實例，該顯示面板具有藉由第8圖及第9圖所示之方法而修復之畫素。
參照第10圖，在一掃描週期中，掃描訊號S1至Sn+1依序提供至一第一掃描線SL1至一最末掃描線SLn+1。參照第10圖，一第j行中之二相鄰缺陷畫素Pij及Pi+1j係利用第j行中之一虛設畫素DPj及一第j+1行中之一虛設畫素DPj+1來修復。
資料訊號D1j至Dnj係與掃描訊號S1至Sn+1同步地依序提供至一資料線DLj。提供至第j行中之一第一缺陷發射畫素Pij之相同資料訊號Dij被提供至第j行中之虛設畫素DPj。因此，第j行中之第一缺陷發射畫素Pij之一有機發光裝置可經由第j行中之虛設畫素DPj之一虛設畫素電路DCj及一修復線RLj來接收對應於資料訊號Dij之一電流。
資料訊號D1,j+1至Dn,j+1係與掃描訊號S1至Sn+1同步地依序提供至一資料線DLj+1。提供至第j行中之一第二缺陷發射畫素Pi+1,j之相同資料訊號Di+1,j係被提供至第j+1行中之缺陷畫素DPj+1。藉此，第j行中之第二缺陷發射畫素Pi+1,j之一有機發光裝置可經由第j+1行中之缺陷畫素DPj+1之一虛設畫素電路DCj+1及一修復線RLj+1來接收對應於資料訊號Di+1,j之一電流。
因此，在一發射週期中，包含第一缺陷發射畫素Pij及第二缺陷發射畫素Pi+1,j之所有發射畫素P可在一正常條件下同時發光。因此，可抑制產生一亮點或一暗點。
如相對於第7圖所述，第10圖所示之波形可根據用於驅動有機發光顯示設備之依序發射方法而改變。舉例而言，可根據依序發射方法由控制單元140來控制提供至虛設畫素DPj及DPj+1之掃描訊號及資料訊號之時刻。
第11圖及第12圖例示一種用於修復一缺陷畫素之方法之又一實施例。僅出於例示目的，第11圖及第12圖例示一第j行及一第j+1行，且例示一有機發光裝置作為一發射裝置E。
根據本實施例，發射畫素P包含複數子發射畫素。舉例而言，連接至一第i掃描線SLi及一第j資料線DLj之一發射畫素Pij包含複數子發射畫素RPij、GPij、及BPij。每一子發射畫素可發出一種顏色。舉例而言，每一子發射畫素可發出紅色、藍色、綠色、或白色其中之一。在其他實施例中，該等子發射畫素可發出一或多種其他顏色。
連接至發射畫素Pij中之子發射畫素RPij、GPij、及BPij之一 掃描線SLi提供相同掃描訊號Si至各子發射畫素RPij、GPij、及BPij。發射畫素Pij中之子發射畫素RPij、GPij、及BPij接收來自各資料線之資料訊號。舉例而言，子發射畫素RPij、子發射畫素GPij、及子發射畫素BPij分別接收來自資料線RDLj、資料線GDLj、及資料線BDLj之資料訊號。資料線RDLj、GDLj、及BDLj可提供不同之資料訊號。
一虛設畫素DPj可包含複數子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj。可將子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj分別連接至資料線RDLj、GDLj、及BDLj。連接至各該子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj之一掃描線SLn+1可提供相同掃描訊號Sn+1至各該子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj。
在其他實施例中，可將不同虛設掃描線連接至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj，且不同虛設掃描線可提供不同掃描訊號至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj。
第11圖及第12圖例示其中同一掃描線SLn+1連接至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj之情形。根據本發明，可將掃描線SLn+1連接至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj，並可使其提供相同掃描訊號Sn+1至各該子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj。在其他實施例中，不同掃描線SLn+1、SLn+2、或SLn+3可連接至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj，並可提供不同掃描訊號Sn+1、Sn+2、或Sn+3至子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj。可由第1圖所示掃描驅動單元120來控制提供至該等子虛設畫素RDPj、GDPj、及BDPj之掃描訊號。
參照第11圖，當連接至一第i掃描線及一第j資料線之二相鄰子發射畫素RPij及GPij之畫素電路RCij及GCij有缺陷時，斷開畫素電路RCij與有機發光裝置的連接，且斷開畫素電路GCij與有機發光裝置的連接。
亦即，斷開畫素電路RCij與有機發光裝置的電性連接，且斷開畫素電路GCij與有機發光裝置的電性連接。舉例而言，可藉由切斷單元130來切斷有機發光裝置之一陽極與第一缺陷發射畫素RPij之畫素電路RCij。可藉由切斷單元130來切斷有機發光裝置之一陽極與第二缺陷發射畫素GPij之畫素電路GCij。可例如藉由一雷射束來執行該切斷。
參照第12圖，將第一缺陷發射畫素RPij之有機發光裝置連接至一第一連接單元140a中之一修復線RLj。將子虛設畫素RDPj之一虛設畫素電路RDCj連接至一第二連接單元140b中之修復線RLj。舉例而言，可將第一缺陷發射畫素RPij之有機發光裝置之陽極連接至修復線RLj。可將子虛設畫素RDPj之虛設畫素電路RDCj中之一薄膜電晶體之一電極連接至修復線RLj。藉此，斷開第一缺陷發射畫素RPij之有機發光裝置與第一缺陷發射畫素RPij之畫素電路RCij的連接，並使第一缺陷發射畫素RPij之有機發光裝置經由修復線RLj電性連接至子虛設畫素RDPj之虛設畫素電路RDCj。
參照第12圖，將第二缺陷發射畫素GPij之有機發光裝置連接至一第三連接單元140c中之一修復線RLj+1。將一子虛設畫素GDPj+1之一虛設畫素電路GDCj+1連接至一第四連接單元140d中之修復線RLj+1。舉例而言，可將第二缺陷發射畫素GPij之有機發光裝置之一陽極連接至修復線RLj+1。可將子虛設畫素GDPj+1之虛設畫素電路GDCj+1中之一薄膜電晶體之一電極連接至修復線RLj+1。藉此，斷開第二缺陷發射畫素GPij之有機發光裝置與第二缺陷發射畫素GPij之畫素電路GCij的連接，並使第二缺陷發射畫素GPij之有機發光裝置經由修復線RLj+1電性連接至虛設畫素GDPj+1之虛設畫素電路GDCj+1。
根據第11圖及第12圖所示之實施例，當在一行中出現二缺陷 發射畫素RPij及GPij時，即使於該一行中包含僅一條修復線RLj，亦可藉由利用另一行中之修復線RLj+1來修復該二缺陷發射畫素RPij及GPij二者。
此外，根據第11圖及第12圖所示之實施例，可利用連接至掃描線SLn+1之子虛設畫素RDPj及GDPj+1進行修復。此外，可利用與其中出現缺陷之子發射畫素RPij及GPij對應之子虛設畫素RDPj及GDPj+1進行修復。可將發射畫素Pij中之每一子發射畫素RPij、GPij、及BPij設計成具有電路中一不同類型之電晶體、一不同之設計、及/或一不同裝置值及大小。因此，當修復該等子發射畫素時，可利用用於該等子發射畫素之子虛設畫素而使一高品質之修復成為可能。
可藉由各種方法來選擇欲用於修復之子虛設畫素。舉例而言，可利用一虛設畫素RDPj+1之一虛設畫素電路RDCj+1來修復第二缺陷發射畫素GPij。在此種情形中，可根據子虛設畫素之選擇而以不同方式控制提供至該等子虛設畫素之掃描訊號。
第13圖例示自一顯示面板之一掃描驅動單元提供之掃描訊號及資料訊號之波形之實例，在該顯示面板中藉由第11圖及第12圖所示之方法來修復畫素。參照第13圖，一第j行中之相鄰缺陷畫素RPij及GPij係利用第j行中之一虛設畫素RDPj及一第j+1行中之一虛設畫素GDPj+1來修復。提供至缺陷畫素RPij及GPij之資料訊號被提供作為虛設畫素RDPij及GDPij之資料訊號。
此外，參照第13圖，在一掃描週期中，掃描訊號S1至Sn+1係依序提供至一第一掃描線SL1至一最末掃描線SLn+1。在第13圖所示波形中，例示其中子虛設畫素RDPj及GDPj接收來自掃描線SLn+1之掃描訊號S1至Sn+1之情形。在其他實施例中，可並非如此。
資料訊號RD1j至RDnj係與掃描訊號S1至Sn同步地依序提供至一資料線RDLj。此外，被提供至第j行中之一第一缺陷發射畫素RPij之相同資料訊號RDij係與掃描訊號Sn+1同步地提供至第j行中之虛設畫素RDPj。藉此，第j行中之第一缺陷發射畫素RPij之一有機發光裝置可經由第j行之一修復線RLj自虛設畫素RDPj之一畫素電路RDCj接收與資料訊號RDij對應之一電流。更具體而言，在掃描訊號Sn+1變成一導通位準之一時刻，第一缺陷發射畫素RPij之有機發光裝置可經由修復線RLj接收與資料訊號RDij對應之該電流。
資料訊號GD1j至GDnj係與掃描訊號S1至Sn同步地依序提供至一資料線GDLj。此外，提供至一第j+1行中之一第二缺陷發射畫素GPij之相同資料訊號GDij係與掃描訊號Sn+1同步地提供至第j+1行中之虛設畫素GDPj+1。藉此，第j行中之第二缺陷發射畫素GPij之一有機發光裝置可經由第j+1行之一修復線RLj+1而自一虛設畫素GDPj+1之一畫素電路接收與GDCj+1之資料訊號GDij對應之一電流。更具體而言，在掃描訊號Sn+1變成一導通位準之一時刻，第二缺陷發射畫素GPij之有機發光裝置可經由修復線RLj+1接收與資料訊號GDij對應之該電流。
因此，包含同一行中相鄰之第一缺陷發射畫素RPij與第二缺陷發射畫素GPij在內之所有發射畫素P可在一發射週期中同時地正常發光。因此，可抑制亮點或暗點。
相對於第7圖所述，第13圖所示之波形可根據用於驅動有機發光顯示設備之依序發射方法而改變。舉例而言，可根據依序發射方法藉由控制單元140來控制掃描訊號及資料訊號被提供至虛設畫素RDPj及GDPj+1之時刻。
第14圖例示一發射畫素P之一實施例，該發射畫素P包含一用於提供一電流至一發射裝置E之發射畫素電路C。發射裝置E可係為在一第一電極與一第二電極間包含一發射層之一有機發光裝置。該第一電極及該第二電極可分別係為一陽極及一陰極。發射畫素電路C可包含二電晶體T1及T2以及一個電容器C。
第一電晶體T1具有：一閘電極，連接至一掃描線；一第一電極，連接至一資料線；以及一第二電極，連接至一第一節點N1。
第二電晶體T2具有：一閘電極，連接至第一節點N1；一第一電極，用以接收一第一電源電壓ELVDD；以及一第二電極，連接至發射裝置E之一畫素電極。
電容器Cst具有：一第一電極，連接至第一節點N1；以及一第二電極，用以接收第一電源電壓ELVDD。
當自一掃描線SL提供一掃描訊號S時，第一電晶體T1將來自一資料線DL之一資料訊號D傳送至電容器Cst之第一電極。藉此，在電容器Cst中充以與資料訊號D對應之一電壓。與電容器Cst中所充之電壓對應之一驅動電流經由第二電晶體T2而傳送至發射裝置E，以使發射裝置E發光。
第14圖例示一2Tr-1Cap結構，其中在一個畫素中設置有二電晶體及一個電容器。在其他實施例中，至少二薄膜電晶體及至少一個電容器可設置於一個畫素中。此外，或作為另一選擇，可包含額外之導線或可省略先前之導線，進而可形成各種結構。
第15圖例示一種利用一虛設畫素來修復一發射畫素之方法之又一實施例。參照第15圖，發射畫素P包含發射畫素電路C，以用於提供 一電流至發射裝置E。在一個實施例中，第15圖所示之發射畫素P可相同於第14圖所示之發射畫素P。
虛設畫素DP可與發射畫素P排列於同一行或同一列中。虛設畫素DP可包含僅一虛設畫素電路DC。在其他實施例中，虛設畫素DP可包含發射裝置E。虛設畫素電路DC可相同於或不同於發射畫素電路C。
虛設畫素電路DC可包含：一第一虛設電晶體DT1，連接至一虛設掃描線DSL及一虛設資料線DDL；一第二虛設電晶體DT2，連接於第一電源電壓ELVDD與第一虛設電晶體DT1之間；以及一虛設電容器DCst，連接於第一電源電壓ELVDD與第一虛設電晶體DT1之間。第15圖例示可包含之許多可能虛設畫素電路DC之一個實例。舉例而言，虛設畫素電路DC可具有各種結構，該等結構包含一種其中包含有至少一個薄膜電晶體及至少一個電容器之結構或一不包含電容器之結構。
虛設掃描線DSL可係與用於發射畫素電路C之一掃描線sL相同或不同之掃描線。虛設資料線DDL可係為與用於發射畫素電路C之一資料線DL相同或不同之資料線。
當發射畫素電路C有缺陷時，使發射畫素電路C與發射裝置E分離。接著，將發射裝置E經由一修復線RL連接至同一行或同一列中之虛設畫素電路DC。因此，發射畫素P之發射裝置E可接收來自虛設畫素電路DC之一驅動電流，並正常發光。可藉由利用一雷射或另一技術進行一切斷操作或焊接操作來執行各裝置間之分離及連接。
本發明之實施例並非限於以上所述之一特定畫素結構，而是可應用至各種畫素，進而藉由修復由於畫素電路之一缺陷而存在缺陷的一 畫素之亮點或暗點而使得可無亮度損失地發光。
第16圖例示用於闡述根據另一實施例之一有機發光顯示設備中一發射畫素之修復之剖視圖。第17圖為用於闡述根據另一實施例之一有機發光顯示設備中一虛設畫素之一連接之剖視圖。僅出於例示目的，第16圖及第17圖例示在發射畫素及修復畫素之畫素電路中僅一個薄膜電晶體連接至一修復線RL。第16圖及第17圖所示之實施例對應於其中在顯示面板之一視覺測試之後執行修復之情形。
參照第16圖及第17圖，發射畫素P之薄膜電晶體之一主動層21及虛設畫素DP之薄膜電晶體之一主動層51形成於一基板111之一上部上。為防止在基板111之一上表面上出現雜質離子之擴散及水之滲透或來自異物之污染，並且為使該平面平坦化，可包含一附加層(例如，一障蔽層(barrier layer)、一阻擋層(blocking layer)、及/或一緩衝層)。
主動層21及51可包含一半導體，並可藉由摻雜而包含離子雜質。此外，主動層21及51可由一氧化物半導體形成。主動層21及51包含一源極區域、一汲極區域、及一通道區域。一閘極絕緣層GI形成於基板111之形成有主動層21及51之一上部上。
發射畫素P之一閘電極24及虛設畫素DP之一閘電極54形成於閘極絕緣層GI之一上部上。閘電極24及54被形成為對應於主動層21及51之通道區域。閘電極24及54係藉由依序堆疊一第一導電層及一第二導電層於閘極絕緣層GI上並蝕刻該第一導電層及該第二導電層來形成。閘電極54可包含：一第一閘電極22及52，被形成為第一導電層之一部分；以及一第二閘電極23及53，被形成為第二導電層之一部分。
此外，發射畫素P之一畫素電極31及一第一連接構件41、以及虛設畫素DP之一第二連接構件61形成於閘極絕緣層GI之上部上。畫素電極31被形成為第一導電層之一部分，其係藉由移除第二導電層之一部分而被暴露出。第一連接構件41可係為自畫素電極31延伸之一擴展單元並可係為第一導電層及第二導電層之部分。
第二連接構件61可包含：一第一層62，被形成為第一導電層之一部分；以及一第二層63，被形成為第二導電層之一部分。一層間絕緣層ILD形成於基板111之形成有閘電極24及54以及第一連接構件41及第二連接構件61之上部上。
一源電極25及26以及一汲電極55及56形成於層間絕緣層ILD上，源電極25及26以及汲電極55及56經由一接觸孔而接觸主動層21及51之源極區域及汲極區域。此外，修復線RL形成於層間絕緣層ILD上，俾使修復線RL至少部分地交疊第一連接構件41及第二連接構件61。一畫素界定層PDL形成於基板111之形成有源電極25及26、汲電極55及56、以及修復線RL之上部上。
在視覺測試之後將發射畫素P偵測為一缺陷畫素時，使發射畫素P之薄膜電晶體與畫素電極31電性分離。可藉由利用切斷單元130切斷源電極25或汲電極26其中之一與畫素電極31的連接而執行該電性分離。藉此，使缺陷發射畫素之畫素電路與畫素電極31電性分離。可照射一雷射束以執行切斷單元130之切斷。
可藉由破壞修復線RL與第一連接構件41間之絕緣層(其可係為層間絕緣層ILD)而使發射畫素P中之第一連接單元140a短路。藉此，破壞修復線線RL與第一連接構件41間之絕緣層，俾使修復線RL與第一連接 構件41電性連接。此外，使虛設畫素DP之第二連接單元140b短路。
藉此，破壞修復線RL與第二連接構件61間之絕緣層，俾使修復線RL與第二連接構件61電性連接。為使第一連接單元140a與第二連接單元140b短路，可例如藉由照射一雷射束來執行雷射焊接。當在第16圖及第17圖中藉由照射雷射束來執行切斷或短路時，可自基板111之上部或底部照射雷射束。
在視覺測試之前，可依序形成包含一發射層之一有機層及一反電極於畫素電極31上。當該有機層發出紅色、綠色或藍色之光時，可將該發射層圖案化為一紅發射層、一綠發射層或一藍發射層。當該有機層發出一白色時，該發射層可具有其中紅發射層、綠發射層、及藍發射層堆疊於彼此上之一多層結構。作為另一選擇，該發射層可具有包含一紅發射材料、一綠發射材料、及一藍發射材料之一單層結構。在此種情形中，發射層可發出白光。
反電極可藉由被沈積於基板111之一整個表面上而形成為一共用電極。根據本實施例，畫素電極31用作一陽極，且反電極用作一陰極。然而，畫素電極31與反電極之極性可互換。
根據前述實施例其中之一或多者，可利用一修復線來輕易地修復一畫素電路之一缺陷，進而提高顯示設備之製造良率。此外，根據前述實施例其中之一或多者，利用一虛設畫素DP來修復一發射畫素P之一缺陷，俾使缺陷發射畫素P可在一正常時刻發光。
此外，根據前述實施例其中之一或多者，即使在每一行中形成僅一條修復線，亦可修復一行中彼此相鄰之複數缺陷畫素。所形成之修 復線越多，則導線在顯示面板110中所佔之面積越大。因此，開口率(aperture ratio)或穩定性可能會有問題。然而，根據前述實施例其中之一或多者，因利用最低數目之修復線來修復缺陷畫素，故可獲得開口率及穩定性、同時有效地修復該等缺陷畫素。
此外，由於異物或一製造製程中之各種問題，可能會出現一缺陷發射畫素。舉例而言，因一微粒會影響許多相鄰發射畫素，故易於使該等相鄰發射畫素皆係為有缺陷的。根據前述實施例其中之一或多者，可修復同一行或同一列中之相鄰缺陷發射畫素。
如上所述，根據以上實施例其中之一或多者，顯示設備可利用一虛設畫素來修復缺陷畫素，進而正常地驅動畫素而不會產生一亮點或暗點。此外，即使當同一行中彼此相鄰之複數畫素皆有缺陷時，顯示設備亦會利用複數虛設畫素來修復該等缺陷畫素，進而使該等畫素得以正常驅動。
本文中已揭露各實例性實施例，儘管使用具體用語，然而該等用語僅用於通常意義及闡述性意義，而並非用於限制目的。在某些情形中，除非另外指明，否則如在本申請案提出申請之前熟習此項技術者所理解，結合一特定實施例所闡述之特徵、特性、及/或元件可單獨使用或與結合其他實施例所闡述之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者應理解，在不背離由下文申請專利範圍所述之本發明之精神及範圍之條件下，可作出各種形式及細節上之變化。
100‧‧‧顯示設備
110‧‧‧顯示面板
120‧‧‧掃描驅動單元
130‧‧‧資料驅動單元
140‧‧‧控制單元
AA‧‧‧主動區域
DA‧‧‧虛設區域
DL‧‧‧資料線
DP‧‧‧虛設畫素
DSL‧‧‧虛設掃描線
P‧‧‧發射畫素
RL‧‧‧修復線
SL‧‧‧掃描線

Claims (25)

  1. 一種有機發光顯示設備，包含：複數發射畫素(emission pixel)，在一主動區域(active region)中沿一行方向及一列方向對齊排列，各該發射畫素包含至少一個子發射畫素；複數虛設畫素(dummy pixel)，位於一虛設區域中；以及複數修復線，連接至該至少一個子發射畫素至少其中之一或該等虛設畫素至少其中之一，其中沿一行方向或一列方向對齊排列之至少二個子發射畫素被交替地連接至二修復線。
  2. 如請求項1所述之顯示設備，其中：在每一行中具有該等虛設畫素至少其中之一，為每一行提供該等修復線至少其中之一，以及該有機發光顯示設備包含至少一條虛設掃描線，該至少一條虛設掃描線位於該虛設區域中並連接至該等虛設畫素之該至少其中之一。
  3. 如請求項2所述之顯示設備，其中該等修復線包含：一第一修復線，對應於一第一行，以及一第二修復線，對應於與該第一行相鄰之一第二行，其中在該第一行中對齊排列之至少二個子發射畫素被交替地連接至該第一修復線及該第二修復線。
  4. 如請求項2所述之顯示設備，其中：該等虛設畫素之一數目相較該至少一個子發射畫素之一行數目大 至少一個，以及為各該虛設畫素提供該等修復線至少其中之一。
  5. 如請求項1所述之顯示設備，其中該至少一個子發射畫素連接至一掃描線及一資料線，且其中該等虛設畫素連接至一虛設掃描線及該資料線。
  6. 如請求項5所述之顯示設備，其中：該虛設掃描線位於該虛設區域中並連接至每一行中之該虛設畫素，以及相對於被提供至該主動區域中該等發射畫素之一掃描訊號，該虛設掃描線以一預定時間差提供一虛設掃描訊號至該虛設畫素。
  7. 如請求項6所述之顯示設備，其中：該資料線提供一資料訊號至該虛設畫素，該資料訊號係與提供至經由該修復線連接至該虛設畫素之該子發射畫素之一資料訊號相同，該資料線係在該虛設掃描訊號被提供至該虛設畫素之一時刻提供該相同資料訊號。
  8. 如請求項5所述之顯示設備，其中該等虛設畫素中位於一最外部之至少一個最外虛設畫素連接至一虛設資料線並自該虛設資料線接收一資料訊號。
  9. 如請求項8所述之顯示設備，其中在一虛設掃描訊號被提供至該至少一個最外虛設畫素之一時刻，連接至該至少一個最外虛設畫素之該虛設資料線提供一資料訊號至該至少一個最外虛設畫素，該資料訊號係與為連 接至該虛設畫素之該子發射畫素提供之一資料訊號相同。
  10. 如請求項1所述之顯示設備，其中：該至少一個子發射畫素包含一發射畫素電路，該發射畫素電路連接至一發射裝置，該等虛設畫素包含一虛設畫素電路，以及該等修復線將該至少一個子發射畫素之該發射裝置連接至該等虛設畫素之該虛設畫素電路，該發射畫素電路係與該發射裝置分離。
  11. 如請求項10所述之顯示設備，其中該發射畫素電路包含：一第一電晶體，用以因應於一掃描訊號而傳送一資料訊號；一電容器，用以儲存對應於所傳送之該資料訊號之一電壓；以及一第二電晶體，用以傳送一驅動電流至該發射裝置，該驅動電流對應於儲存於該電容器中之該電壓。
  12. 如請求項10所述之顯示設備，其中該虛設畫素電路相同於該發射畫素電路。
  13. 如請求項10所述之顯示設備，其中：該發射裝置包含位於一陽極與一陰極之間的一發射層，以及連接該發射畫素電路與連接至該修復線之該子發射畫素之該發射裝置之陽極的一導線被斷開。
  14. 如請求項1所述之顯示設備，其中：各該虛設畫素包含至少一個子虛設畫素，以及 該等修復線連接該至少一個子發射畫素其中之一與該至少一個子虛設畫素其中之一。
  15. 如請求項14所述之顯示設備，其中各該虛設畫素包含與該等子發射畫素相同數目之子虛設畫素。
  16. 如請求項1所述之顯示設備，其中該虛設區域設置於該主動區域之一上側或一底側至少其中之一中。
  17. 如請求項1所述之顯示設備，其中該等發射畫素同時發光。
  18. 如請求項1所述之顯示設備，更包含：至少一個絕緣層，位於一第一導電單元與該修復線之間，以及位於一第二導電單元與該修復線之間，其中：該第一導電單元接觸連接至該修復線之該子發射畫素之一發射裝置之一陽極，該第二導電單元接觸連接至該修復線之該虛設畫素之一虛設畫素電路，該第一導電單元電性連接至該修復線，以及該第二導電單元電性連接至該修復線。
  19. 一種用於修復一有機發光顯示設備之方法，該方法包含：斷開一第一行中一發射裝置與一第一缺陷畫素及一第二缺陷畫素之一發射畫素電路的連接；連接對應於該第一行之一第一修復線與該第一缺陷畫素之該發射 裝置；連接對應於與該第一行相鄰之一第二行之一第二修復線至該第二缺陷畫素之該發射裝置；以及連接複數個虛設畫素其中之一的一虛設畫素電路至該修復線，其中將提供至與該修復線連接之該缺陷畫素之一相同資料訊號提供至該虛設畫素，且其中將對應於該資料訊號之一驅動電流經由該修復線提供至該缺陷畫素之該發射裝置。
  20. 如請求項19所述之方法，其中：至少一個子發射畫素包含一導電單元，該導電單元連接至該至少一個子發射畫素並交疊該修復線，其中至少一個絕緣層夾置於該導電單元與該修復線之間，以及該至少一個子發射畫素中沿一行方向或一列方向對齊排列之至少二子發射畫素之導電單元交替地交疊二修復線。
  21. 如請求項20所述之方法，其中：該至少一個子發射畫素中之該導電單元連接至該子發射畫素之該發射裝置之一陽極，該方法更包含：該第一缺陷畫素之連接包含：電性連接該第一缺陷畫素之一導電單元與該第一修復線，以及該第二缺陷畫素之連接包含：電性連接該第二缺陷畫素之一導電單元與該第二修復線。
  22. 如請求項19所述之方法，其中： 各該虛設畫素包含與該修復線交疊之一導電單元，其中至少一個絕緣層夾置於該導電單元與該修復線之間，該方法更包含：該等虛設畫素之連接包含：電性連接各該虛設畫素之該導電單元與該修復線。
  23. 如請求項21所述之方法，其中連接該等導電單元與該等修復線包含：藉由破壞夾置於該等導電單元與該等修復線間之該等絕緣層之一部分而電性連接該等導電單元與該等修復線。
  24. 一種顯示裝置，包含：一第一修復線；一第二修復線；一第一虛設畫素電路；一第二虛設畫素電路；一系列第一發射畫素；以及一系列第二發射畫素，其中：該第一虛設畫素電路連接至一第一資料線，該第一資料線連接至該等第一發射畫素其中之一第一者，該第二虛設畫素電路連接至一第二資料線，該第二資料線連接至該等第二發射畫素其中之一第一者，以及該第一修復線係用以將該第一虛設畫素電路連接至該等第一發射畫素其中之該第一者，且該第二修復線係用以將該第二虛設畫素電路連接至該等第一發射畫素其中之一第二者。
  25. 如請求項24所述之顯示裝置，其中：該系列第一發射畫素排列於一第一行中，以及該系列第二發射畫素排列於一第二行中。
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