TWI634655B - 有機發光顯示設備及其修復方法 - Google Patents

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TWI634655B
TWI634655B TW103117590A TW103117590A TWI634655B TW I634655 B TWI634655 B TW I634655B TW 103117590 A TW103117590 A TW 103117590A TW 103117590 A TW103117590 A TW 103117590A TW I634655 B TWI634655 B TW I634655B
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曺永振
黃榮仁
金東奎
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種有機發光顯示設備及其修復方法。有機發光顯示設備包含：包含複數個子發射裝置的發射裝置；配置以施加驅動電流到發射裝置的發射像素電路；配置以施加驅動電流到發射裝置的虛擬像素電路；以及耦合發射裝置與虛擬像素電路的修復線，其中發射裝置係配置以從發射像素電路或虛擬像素電路接收驅動電流。

Description

有機發光顯示設備及其修復方法 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年5月22日與2013年6月14日分別向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2013-0057959號與韓國專利申請號第10-2013-0068638號之優先權及效益，其全部揭露係於此併入作為參考。
本發明之實施例涉及一種有機發光顯示設備和其修復方法。
在有機發光顯示設備中，當像素有缺陷時，無論施加到像素的掃描訊號及數據訊號為何，像素可能在任何時序(time)發光、或可能顯示黑色(例如，可能不發光)。無論掃描訊號及數據訊號為何而在任何時序發光的像素係視為亮點(或熱點)。與此相反，無論掃描訊號及數據訊號為何皆不發光的像素(例如，顯示為黑色)係視為暗點(或黑點)。
隨著像素中的電路變得日益複雜，電路缺陷所導致的亮點或暗點可能無法輕易地解決或避免。
本發明之實施例提供一種在面板上之各像素行中形成多餘圖案且藉由使用多餘圖案正常地驅動缺陷像素的顯示設備。
根據本發明之一實施例，提供一種有機發光顯示設備，其包含：包含複數個子發射裝置的發射裝置；配置以施加驅動電流到發射裝置的發射像素電路；配置以施加驅動電流到發射裝置的虛擬像素電路；以及耦合發射裝置與虛擬像素電路的修復線，其中發射裝置係配置以從發射像素電路或虛擬像素電路接收驅動電流。
複數個子發射裝置的每一個可包含：分離的複數個下電極中的下電極；共同地面對分離的複數個下電極的上電極；以及位在下電極與上電極之間的發射層，其中分離的複數個下電極係透過電極連接線而相互電性耦合。
電極連接線可包含金屬、非晶矽、結晶矽、及氧化物半導體中的至少一種。
電極連接線可與發射像素電路之主動層位於相同層上且為相同材料。
電極連接線可與分離的複數個下電極一體成形。
電極連接線可包含：耦合到分離的複數個下電極的複數個第一連接單元；耦合到發射像素電路的第二連接單元；及位在第一連接單元及第二連接單元之間的複數個切割節點，其中切割節點係切割以將分離的複數個下電極彼此電性隔離。
電極連接線可透過第一接觸孔耦合到在各第一連接單元 中分離的複數個下電極，並可透過第二接觸孔耦合到在第二連接單元中的發射像素電路。
有機發光顯示設備可進一步包含至少一電路線，至少一電路線具有耦合到發射像素電路的一端與耦合到第二連接單元的另一端，其中至少一電路線可配置以切割，以電性隔離發射像素電路與發射裝置。
有機發光顯示設備可進一步包含第一修復連接線，第一修復連接線具有耦合到修復線的一端以及重疊與第一連接單元之一耦合之第一短接線的另一端；以及絕緣層，絕緣層位在第一修復連接線與第一短接線之間，其中第一修復連接線係配置成利用雷射光束耦合到第一短接線。
各第一修復連接線以及第一短接線可與形成在發射像素電路之不同層上之各別導電層位在相同層且為相同材料。
虛擬像素電路可在各行之第一列及最後一列中的至少一列上、或在各列之第一行和最後一行的至少一行上。
發射像素電路可在顯示區域中，而虛擬像素電路在非顯示區域中。
發射像素電路和虛擬像素電路可具有相同的組成結構及功能。
虛擬像素電路可透過第二修復連接線耦合到發射裝置，此第二修復連接線具有耦合到修復線的一端以及重疊與虛擬像素電路耦合之第二短接線的另一端，其中絕緣層可位在第二修復連接線與第二短接線之間。
修復線可透過電源連接線耦合到電源電壓線，並且可配置以藉由切割電源連接線而與電源電壓線電性隔離。
修復線可位在各行或各列中。
發射像素電路可包含：配置以響應於掃描訊號來傳輸數據訊號的第一電晶體；配置以充入對應於數據訊號之電壓的電容器；以及配置以傳輸對應於充入電容器之電壓之驅動電流至發射裝置的第二電晶體。
發射像素電路可包含：配置以響應於掃描訊號而接收來自數據線之數據訊號的第一電晶體；配置以傳輸對應於數據訊號之驅動電流至發射裝置的第二電晶體；配置以二極體連接第二電晶體的第三電晶體；配置以充入對應於數據訊號之電壓的第一電容器；以及連接到第一電容器的一個電極和第二電晶體的閘極電極的第二電容器。
發射像素電路可進一步包含：連接於第一電晶體與第一電容器之一個電極之間的第四電晶體；連接於數據線與第一電容器之一個電極之間的第五電晶體；以及第三電容器，第三電容器具有連接於位在第一電晶體與第四電晶體之間之節點的一個電極、以及連接到第五電晶體之閘極電極之另一個電極。
發射像素電路可包含：配置以響應於掃描訊號來接收來自數據線之數據訊號的第一電晶體；配置以傳輸對應於數據訊號之驅動電流至發射裝置的第二電晶體；配置以二極體連接第二電晶體的第三電晶體；連接於第一電晶體與第二電晶體之間的第四電晶體；連接於第二電晶體與發射裝置之間的第五電晶體；連接於第二電晶體之閘極電極與初始化電源之間的第六電晶體；連接 於第二電晶體之閘極電極與第一電源之間的第一電容器；以及具有連接於位在第一電晶體與第四電晶體之間之節點的一個電極及連接於第二電源之另一個電極的第二電容器。
虛擬像素電路可配置以在預定時序施加驅動電流至發射裝置。
虛擬像素電路可配置以施加由發射像素電路所施加之相同數據訊號至發射裝置。
複數個子發射裝置可包含：第一子發射裝置，第一子發射裝置包含第一下電極、面向第一下電極的上電極、及位在第一下電極與上電極之間的第一發射層；以及第二子發射裝置，第二子發射裝置包含第二下電極、面向第二下電極的上電極、以及位在第二下電極與上電極之間的第二發射層，其中第一下電極和第二下電極透過電極連接線而彼此耦合。
電極連接線可包含：耦合至第一下電極的第一連接單元；耦合至第二下電極的第二連接單元；耦合至發射像素電路的第三連接單元；位在第一連接單元與第三連接單元之間，且配置以切割以自發射像素電路電性隔離第一子發射裝置的第一切割節點；以及位在第二連接單元與第三連接單元之間，且配置以切割以自發射像素電路電性隔離第二子發射裝置的第二切割節點。
有機發光顯示設備可進一步包含第一修復連接線，第一修復連接線具有耦合到修復線的一端、以及重疊與第一連接單元耦合之第一短接線的另一端；第一絕緣層，第一絕緣層位在第一修復連接線與第一短接線之間，其中第一修復連接線係配置以利用雷射光束耦合到第一短接線；第二修復連接線，第二修復連接 線具有耦合到修復線的一端、及重疊與虛擬像素電路耦合之第二短接線的另一端；以及第二絕緣層，第二絕緣層位在第二修復連接線和第二短接線之間，其中第二修復連接線係配置以利用雷射光束耦合到第二短接線。
根據本發明的另一實施例，提供一種在有機發光顯示設備中修復缺陷像素的方法，有機發光顯示設備包含複數個發射像素，複數個發射像素包含含有複數個子發射裝置之發射裝置，子發射裝置係配置以接收來自發射像素電路與虛擬像素電路中之一個的對應驅動電流，方法包含：透過修復線連接缺陷像素與虛擬像素電路；以及在缺陷像素與虛擬像素電路連接後，如果缺陷像素仍無法正常發光，則分離複數個子發射裝置。
分離複數個子發射裝置可包含：在將下電極彼此耦合的電極連接線中於發射像素電路之連接單元與複數個子發射裝置之每一個下電極的連接單元之間作切割。
方法可進一步包含在缺陷像素與虛擬像素電路耦合後，若缺陷像素正常發光，則將發射像素電路與發射裝置彼此分離。
發射像素電路與發射裝置之分離可包含：切割耦合在發射像素電路與發射裝置之下電極之間的至少一個線路。
缺陷像素與虛擬像素電路的耦合可包含：短接耦合至發射裝置的第一短接線以及耦合至虛擬像素電路的第二短接線，其係藉由下列步驟：照射雷射光束到第一修復連接線，第一修復連接線具有耦接至修復線的一端及與第一短接線重疊的另一端，其中第一絕緣層位在第一修復連接線與第一短接線之間；以及照射雷射光束到第二修復連接線，第二修復連接線具有耦接至修復線 的一端及與第二短接線重疊的另一端，具第二絕緣層位在第二修復連接線與第二短接線之間。
方法可進一步包含在缺陷像素之複數個子發射裝置中將缺陷子發射裝置與其他子發射裝置分離。
在缺陷像素之複數個子發射裝置中將缺陷子發射裝置與其他子發射裝置分離可包含：在電極連接線中於缺陷子發射裝置之下電極的連接單元與發射像素電路的連接單元之間作切割，其中電極連接線將複數個子發射裝置的下電極彼此耦合。
根據本發明的另一實施例，提供一種有機發光顯示設備，其包含：一發射像素，係在一顯示區域中，該發射像素包含一發射裝置及一發射像素電路，該發射裝置包含複數個子發射裝置，該發射像素電路連接到該發射裝置；一虛擬像素電路，係在該顯示區域周圍的一非顯示區域中；以及一修復線，係在該顯示區域和該非顯示區域中延伸，其中，該修復線與該發射像素的該發射裝置和該發射像素電路以及該虛擬像素電路分離。
根據本發明的另一實施例，提供一種有機發光顯示設備，其包含：一發射像素，係在一顯示區域中，該發射像素包含一發射裝置及一發射像素電路，該發射裝置包含複數個子發射裝置；一虛擬像素，係在一非顯示區域中，該虛擬像素包含一虛擬像素電路；以及一修復線，係在該顯示區域和該非顯示區域中延伸，其中，該修復線耦合到該發射像素的該複數個子發射裝置的至少一子發射裝置和該虛擬像素的該虛擬像素電路。
10、10a、10b、10c、10d‧‧‧顯示面板
11‧‧‧電極連接線
12‧‧‧電路連接線
13、16‧‧‧修復連接線
14、17‧‧‧短接線
15、19‧‧‧電路線
18‧‧‧電源連接線
ELVDDL‧‧‧電源電壓線
20‧‧‧掃描驅動單元
30‧‧‧數據驅動單元
40‧‧‧控制單元
100‧‧‧顯示設備
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103-106‧‧‧絕緣層
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區域
212b‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
215‧‧‧閘極電極
217a‧‧‧源極電極
217b‧‧‧汲極電極
312、314、317‧‧‧電極
417、418‧‧‧墊電極
AA‧‧‧顯示區域
AD、AD1、AD2‧‧‧陽極
AD1'、AD2'‧‧‧突起單元
C、C1-C3、CAP‧‧‧電容器
CD‧‧‧陰極
CM1、CM2、114、115a、117‧‧‧接觸金屬
CN1、CN2、CN1_B、CN2_B、CN1_G、CN2_G、CN1_R、CN2_R‧‧‧切割節點
CU1、CU2‧‧‧連接單元
D、D1-Dn、Di、Dj、Dp‧‧‧數據訊號
DATA‧‧‧輸入影像數據
DCS‧‧‧數據控制訊號
DL、DL1-DLm、DLj_1-DLj_3、DL_R、DL_G、DL_B‧‧‧數據線
DP、DP1、DP2‧‧‧虛擬像素
EP、EP1、EP2、EP3、EP4、EP5、EPi、EPp‧‧‧發射像素
ELVDD、ELVSS、Vhold‧‧‧電源電壓
GC、GE、GI、GW、SUS_ENB‧‧‧控制訊號
GEL、GIL、GWL‧‧‧訊號線
N1、N2、N3、N4‧‧‧節點
NA‧‧‧非顯示區域
OL‧‧‧有機層
OLED1-OLEDn‧‧‧有機發光二極體
OLED_B1、OLED_B2‧‧‧藍色子發射裝置
OLED_G1、OLED_G2‧‧‧綠色子發射裝置
OLED_R1、OLED_R2‧‧‧紅色子發射裝置
P‧‧‧像素
PAD‧‧‧墊單元
PC、PCi、PC_B、PC_G、PC_R、2A-2E‧‧‧像素電路
PCn+1‧‧‧虛擬像素電路
E‧‧‧發射裝置
RL、RL1-RLm、RLj‧‧‧修復線
S、S0-Sn+1、Si、Sp‧‧‧掃描訊號
S21-S26‧‧‧操作
SCS‧‧‧掃描控制訊號
SDP1-SDP3、SDP_R、SDP_G、SDP_B‧‧‧虛擬子像素
SE1、SE2、SE3‧‧‧子發射裝置
SEP_R、SEP_G、SEP_B‧‧‧發射子像素
SL、SL0-SLn+1、SLi、SLp‧‧‧掃描線
SN1、SN2、SN1_B、SN2_B、SN1_G、SN2_G、SN1_R、SN2_R‧‧‧短接節點
TA1-TA4、TB1-TB5、TC1-TC9、TD1、TD2、TR‧‧‧電晶體
Vint‧‧‧初始化電壓
VL‧‧‧初始化電壓線
Vsus‧‧‧輔助電壓
X‧‧‧區域
本發明之上述及其他態樣及特徵將藉由參閱附圖詳細描述其例示性實施例而變得更顯而易見，其中：第1圖是根據本發明實施例之顯示設備的方框圖；第2圖到第4圖是第1圖所示之顯示面板的實施例的示意圖；第5圖是根據本發明實施例之用於描述藉由使用第2圖之顯示面板的複數個修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖；第6圖和第7圖示出提供到藉由使用第5圖所示之方法來修復之顯示面板之掃描訊號和數據訊號的波形圖；第8圖是根據本發明另一實施例之用於描述藉由使用第3圖之顯示面板的複數個修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖；第9圖和第10圖示出提供到藉由使用第8圖所示之方法來修復之顯示面板之掃描訊號和數據訊號的波形圖；第11圖是根據本發明另一實施例之用於描述藉由使用第4圖之顯示面板的複數個修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖；第12圖和第13圖示出提供到藉由使用第11圖所示之方法來修復之顯示面板之掃描訊號和數據訊號的波形圖；第14圖是根據本發明實施例之發射像素的示意圖；第15圖是第14圖之發射像素之發射裝置的平面圖；第16圖是沿第15圖之線A-A'截取的剖面圖； 第17圖是根據本發明實施例之虛擬像素的示意圖；第18圖是第17圖之虛擬像素之部分的平面圖；第19圖是沿第18圖之線B-B'截取的剖面圖；第20圖是根據本發明實施例之用於說明修復缺陷像素之方法的流程圖；第21圖至第26圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之可見缺陷的情況下修復缺陷像素之方法的示意圖；第27圖至第29B圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之不可見缺陷的情況下修復缺陷像素之方法的示意圖；第30A圖至第32圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之不可見缺陷的情況下修復缺陷像素之方法的示意圖；第33圖至第36圖是根據本發明實施例之發射像素的電路圖；第37圖是根據本發明另一實施例之顯示面板的示意圖；第38圖是根據本發明另一實施例之發射像素的電路圖；第39圖是包含第38圖之像素電路之發射像素的平面圖；第40圖是包含第38圖之像素電路之虛擬像素的平面圖；第41圖是根據本發明另一實施例之發射像素之發射裝 置的平面圖；第42圖是沿第41圖之線C-C'所截取的剖面圖；以及第43圖是根據本發明實施例之包含發射像素之有機發光顯示設備的剖面圖。
下文中，本發明之實施例將藉由參照附圖敘述本發明之實施例來說明一些細節。在圖式中，相同的參考符號表示相同的元件。在本發明下文描述中，於本文併入之習知功能和配置之詳細描述在可能使本發明的主題不清楚時將予於省略
在圖式中，為了清楚起見而誇大層與區域的厚度。但將理解的是，當層被稱為「在...上(on)」另一層或基板上時，其可直接在另一層或基板上，或亦可存在中間層。
將進一步理解的是，當詞語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」使用在本說明書時，明確說明所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除存在或附加一或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。此外，詞語「上(on)」是指在目標物的上方或下方，而非始終意味著在重力方向的上方。
將理解的是，儘管下文中可用術語第一(first)、第二(second)等來描述各種元件，但元件不應被這些術語所限制。術語僅用以區別一元件與另一元件。例如，在不脫離本發明範疇下，第一元件可稱為第二元件，且同樣地，第二元件可稱為第一元件。
當在本文所使用時，術語「及/或(and/or)」係包含一或多個相關所列舉項目的任何及所有組合。當表述諸如「至少一個(at least one of,)」前綴於元件清單時，係修飾整個清單之元件，而非修飾清單的個別元件。
第1圖是根據本發明實施例之顯示設備100的方框圖。
參照第1圖，顯示設備100包含顯示面板10、掃描驅動單元20、數據驅動單元30、以及控制單元40，顯示面板10包含複數個像素。掃描驅動單元20、數據驅動單元30、以及控制單元40可分別地形成在不同的半導體晶片上，或可集成在單一的半導體晶片上。此外，掃描驅動單元20可隨顯示面板10形成在同一基板上。
在水平方向上延伸的複數個掃描線SL和在垂直方向上延伸並與掃描線SL垂直地相交的複數個數據線DL係形成在顯示面板10上。此外，幾乎平行或實質上平行於數據線DL延伸並與數據線DL分隔而與掃描線SL垂直地相交之複數個修復線RL係形成在顯示面板10上。以矩陣般形狀排列的複數個像素P形成在掃描線SL、數據線DL、以及修復線RL相互交叉處。
儘管第1圖中數據線DL形成在像素P的右側且修復線RL形成在像素P的左側，但本發明不限於此。例如，數據線DL和修復線RL的位置可根據顯示面板10的設計和功能而交換。一或多個修復線RL可形成在各像素行中。一或多個修復線RL可根據像素的設計來形成或佈置，以平行於掃描線SL，使得一或多個修復線RL可形成或佈置在各像素列中。儘管在第1圖中未示出，諸如用以提供發射控制訊號的複數個發射控制線、用以提供初始 化電壓的初始化電壓線、以及用以提供電源電壓的驅動電壓線之額外的訊號線或電壓線可額外地形成或佈置在顯示面板10上。
掃描驅動單元20可產生並依序地經由掃描線SL向顯示面板10提供掃描訊號。
數據驅動單元30可依序地經由數據線DL向顯示面板10提供數據訊號。數據驅動單元30轉換由控制單元40輸入且具有灰度(例如，灰階)的輸入影像數據DATA成電壓數據訊號或電流數據訊號。
控制單元40產生掃描控制訊號SCS及數據控制訊號DCS，並分別向掃描驅動單元20及數據驅動單元30傳輸掃描控制訊號SCS和數據控制訊號DCS。因此，掃描驅動單元20依序地將掃描訊號提供或激活至掃描線SL，且數據驅動單元30將數據訊號提供至像素P。諸如第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS、發射控制訊號、及初始化電壓Vint之額外電壓或控制訊號在控制單元40的控制下可提供至像素P。控制單元40可以控制掃描驅動單元20提供掃描訊號到虛擬像素之時序，且當掃描訊號提供至虛擬像素時，控制單元40可控制數據驅動單元30來提供如同提供或要被提供至缺陷像素之數據訊號的數據訊號至虛擬像素。
第2圖到第4圖是第1圖所示之顯示面板10的實施例的示意圖。
參考第2圖至第4圖，以矩陣般形狀排列的複數個像素P形成在顯示面板10a、10b、或10c上之複數個掃描線SL、複數個數據線DL、以及複數個維修線RL彼此相交處。像素P包含形 成在顯示區域AA上的發射像素EP、以及形成在非顯示區域NA上的虛擬像素DP。非顯示區域NA可形成在顯示區域AA的頂部和底部區域或左側和右側區域中的至少一個。因此，一或多個虛擬像素DP於各像素行中可形成在像素行的頂部和底部區域中的至少一個，或者一或多個虛擬像素DP於各像素列中可形成在像素列的左側和右側區域中的至少一個。相對於第2圖到第4圖來說明在顯示區域AA之頂部和底部區域上的非顯示區域NA於像素行中形成虛擬像素DP的例子。這可應用於虛擬像素DP於像素列中形成在顯示區域AA之左側和右側區域上之非顯示區域NA的情況。
參考第2圖，顯示面板10a包含顯示區域AA和形成在顯示區域AA下的非顯示區域NA。在第一條至第(n+1)條掃描線SL1至SLn+1中，第一條至第n條掃描線SL1至SLn形成在顯示區域AA上，且第(n+1)條掃描線SLn+1係形成在非顯示區域NA中。第一條至第m條數據線DL1至DLm以及第一條至第m條修復線RL1至RLm分別地形成在顯示區域AA的像素行中，並延伸到非顯示區域NA。耦合到第一條至第n條掃描線SL1至SLn及第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個發射像素EP係形成在顯示區域AA中，而耦合到第(n+1)條掃描線SLn+1和第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個虛擬像素DP係形成在非顯示區域NA中。
參考第3圖，顯示面板10b包含顯示區域AA以及在顯示區域AA上的非顯示區域NA。在第零條至第n條掃描線SL0至SLn中，第一條至第n條掃描線SL1至SLn係形成在顯示區域AA中，且第零條掃描線SL0形成在非顯示區域NA中。第一條 至第m條數據線DL1至DLm及第一條至第m條修復線RL1至RLm分別地形成在顯示區域AA中的像素行中，並延伸到非顯示區域NA。耦合到第一條至第n條掃描線SL1至SLn及第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個發射像素EP形成在顯示區域AA中，而耦合到第零條掃描線SL0和第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個虛擬像素DP係形成在非顯示區域NA中。
參考第4圖，顯示面板10c包含顯示區域AA以及形成在顯示區域AA上下的非顯示區域NA。在第零條至第(n+1)條掃描線SL0至SLn+1中，第一條至第n條掃描線SL1至SLn形成在顯示區域AA上，而第零條及第(n+1)條掃描線SL0及SLn+1係形成在非顯示區域NA上。第一條至第m條數據線DL1至DLm及第一條至第m條修復線RL1至RLm分別地形成在顯示區域AA及非顯示區域NA上的像素行中。耦合到第一條至第n條掃描線SL1至SLn及第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個發射像素EP形成在顯示區域AA中，而耦合到第零條及第(n+1)條掃描線SL0和SLn+1與第一條至第m條數據線DL1至DLm的複數個虛擬像素DP形成在非顯示區域NA中。
第5圖是根據本發明實施例之用於描述藉由使用第2圖之顯示面板10a的修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖。
參考第5圖，形成在顯示區域AA的發射像素EP可包含耦合到第一條至第n條掃描線SL1至SLn及第一條至第m條數據線DL1至DLm的像素電路PC、以及藉由接收來自像素電路PC的驅動電流而發光的發射裝置E。形成在非顯示區域NA的虛擬像素DP可僅包含耦合到第(n+1)條掃描線SLn+1和第一條至第m條數據線DL1至DLm的像素電路PC。
當耦合到第一行之第i條掃描線SLi的發射像素EPi是有缺陷時，具缺陷之發射像素EPi的發射裝置E係與對應的像素電路PC斷開，而斷開的發射裝置E耦合到虛擬像素DP的像素電路PC，虛擬像素DP的像素電路PC藉由修復線RL耦合到第(n+1)條掃描線SLn+1。可以藉由自基板側或基板的相反側照射雷射光束來切割或短接，而執行發射裝置E及相應像素電路PC的斷開、修復線RL和發射裝置E的耦合、及修復線RL和虛擬像素DP的耦合。
第6圖和第7圖示出提供到藉由使用第5圖所示之方法來修復之顯示面板之掃描訊號和數據訊號的波形圖。
參考第6圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第一至第n掃描訊號S1到Sn到第一條至第n條掃描線SL1至SLn，並在掃描訊號Si提供到修復的發射像素EPi的同時，提供第(n+1)掃描訊號Sn+1到第(n+1)掃描線SLn+1。
下文中，「Dj」是指數據訊號。數據驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第一至第(n+1)掃描訊號S1至Sn+1同步提供或者激活至數據線DL1。在這方面，如同提供至有缺陷之發射像素EPi的數據訊號Di之數據訊號Di亦同時地提供至虛擬像素DP。因此，缺陷之發射像素EPi的發射裝置E可經由虛擬像素DP的像素電路PC和修復線RL1來接收對應於數據訊號Di的電流，從而抑制或減少缺陷之發射像素EPi之亮點或暗點的產生。
參考第7圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第一至第(n+1)掃描訊號S1至Sn+1到第一條至第(n+1)條掃描線SL1至 SLn+1。
驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第一至第(n+1)掃描訊號S1至Sn+1同步提供或者激活至數據線DL1。在這方面，如同提供至有缺陷之發射像素EPi的數據訊號Di之數據訊號Di亦再次提供至虛擬像素DP。因此，缺陷之發射像素EPi的發射裝置E可經由虛擬像素DP的像素電路PC和修復線RL1來接收對應於數據訊號Di的電流，從而抑制或減少缺陷之發射像素EPi之亮點或暗點的產生。
在第6圖和第7圖中，儘管第一至第(n+1)掃描訊號S1至Sn+1的寬度可提供為一個水平期間(1H)，但掃描訊號的寬度亦可提供為兩個水平期間(2H)，而相鄰掃描訊號的寬度，例如，第(n-1)掃描訊號Sn-1及第n掃描訊號Sn的寬度可提供以與1H或者更少水平期間重疊。因此，可以解決或減少由於大尺寸顯示區域所造成之訊號線的電阻-電容(RC)延遲的電荷缺乏。
第8圖是根據本發明另一實施例之用於描述藉由使用第3圖之顯示面板10b的修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖。
參考第8圖，形成在顯示區域AA的發射像素EP可包含像素電路PC和藉由由像素電路PC接收驅動電流來發光的發射裝置E。形成在非顯示區域NA的虛擬像素DP可僅包含像素電路PC。
當耦合到第一行的第i條掃描線SLi的發射像素EPi有缺陷時，有缺陷之發射像素EPi的發射裝置E係從像素電路PC斷開，且斷開的發射裝置E耦合到透過修復線RL1耦合到第零條掃描線SL0之虛擬像素DP的像素電路PC。可以藉由由來自基板 側或來自基板的相反側照射雷射光束來切割或短接，而執行發射裝置E與像素電路PC的斷開、修復線RL和發射裝置E的耦合、及修復線RL和虛擬像素DP的耦合。
第9圖和第10圖示出提供到藉由使用第8圖所示之方法來修復之顯示面板10b之掃描訊號和數據訊號的波形圖。
參考第9圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第一至第n掃描訊號S1到Sn到第一條至第n條掃描線SL1至SLn，並在掃描訊號Si提供到修復之發射像素EPi的同時，提供第零掃描訊號S0到第零條掃描線SL0。
數據驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第零至第n掃描訊號S0至Sn同步地提供或激活到數據線DL1。在這方面，如同提供至有缺陷的發射像素EPi之數據訊號Di的數據訊號Di同時提供至虛擬像素DP。因此，有缺陷的發射像素EPi的發射裝置E可經由虛擬像素DP的像素電路PC和修復線RL1接收對應於數據訊號Di的電流，從而抑制或減少有缺陷的發射像素EPi之亮點或暗點的產生。
參照第10圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第零至第n掃描訊號S0至Sn到第零條至第n條掃描線SL0至SLn。
數據驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第零至第n掃描訊號S0至Sn同步地提供或激活到數據線DL1。在這方面，如同要被提供至有缺陷的發射像素EPi之數據訊號Di的數據訊號Di首先提供至虛擬像素DP。因此，有缺陷的發射像素EPi的發射裝置E可經由虛擬像素DP的像素電路PC和修復線RL1接收對應於數據訊號Di的電流，從而抑制或減少 有缺陷的發射像素EPi之亮點或暗點的產生。
在第9圖和第10圖中，儘管第零至第n掃描訊號S0至Sn的寬度可提供為一個水平期間(1H)，但掃描訊號的寬度亦可提供為兩個水平期間(2H)，而相鄰掃描訊號的寬度，例如，第(n-1)掃描訊號Sn-1及第n掃描訊號Sn的寬度可提供以與1H或者更少水平期間重疊。因此，可以解決或減少由於大尺寸顯示區域所造成之訊號線的電阻-電容(RC)延遲的電荷缺乏。
第11圖是根據本發明另一實施例之用於描述藉由使用第4圖之顯示面板10c的修復線來修復缺陷像素之方法的示意圖。
參照第11圖，形成在顯示區域AA的發射像素EP可包含像素電路PC和藉由自像素電路PC接收驅動電流來發光的發射裝置E。形成在非顯示區域NA的虛擬像素DP1和DP2可僅包含像素電路PC。
當耦合到第一行之第i條掃描線SLi的發射像素EPi及耦合到第一行之第p條掃描線SLp的發射像素EPp是有缺陷時，位在有缺陷之發射像素EPi和EPp之間的維修線RL1斷開，具缺陷之發射像素EPi和EPp的發射裝置E係由像素電路PC斷開，而斷開的發射裝置E耦合到第一虛擬像素DP1及第二虛擬像素DP2的像素電路PC，第一虛擬像素DP1及第二虛擬像素DP2的像素電路PC透過修復線RL分別耦合到第零條掃描線SL0及第(n+1)條掃描線SLn+1。可藉由由來自基板側或來自基板的相反側照射雷射光束來切割或短接，而執行發射裝置E與像素電路PC的斷開、修復線RL和發射裝置E的耦合、及修復線RL和虛擬像 素DP1與DP2的耦合。
第12圖和第13圖示出提供到藉由使用第11圖所示之方法來修復之顯示面板10c之掃描訊號和數據訊號的波形圖。
參考第12圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第一至第n掃描訊號S1至Sn到第一條至第n條掃描線SL1至SLn，並在掃描訊號Si與Sp分別地提供到修復之發射像素EPi與EPp的同時，分別地提供第零與第(n+1)掃描訊號S0與Sn+1到第零條與第(n+1)條掃描線SL0與SLn+1。
數據驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第零至第(n+1)掃描訊號S0至Sn+1同步地提供或激活到數據線DL1。在這方面，如同提供至有缺陷的發射像素EPi與EPp之數據訊號Di與Dp的數據訊號Di與Dp係同步地提供至第一虛擬像素DP1與第二虛擬像素DP2。因此，有缺陷的發射像素EPi與EPp的發射裝置E可經由第一虛擬像素DP1與第二虛擬像素DP2的像素電路PC和修復線RL1接收對應於數據訊號Di與Dp的電流，從而抑制或減少有缺陷的發射像素EPi與EPp之亮點或暗點的產生。
參照第13圖，掃描驅動單元20依序地提供或激活第零至第(n+1)掃描訊號S0至Sn+1到第零條至第(n+1)條掃描線SL0至SLn+1。
數據驅動單元30依序地將第一至第n數據訊號D1至Dn與第零至第(n+1)掃描訊號S0至Sn+1同步地提供或激活到數據線DL1。在這方面，如同要被提供至有缺陷的發射像素EPi之數據訊號Di的數據訊號Di首先提供至第一虛擬像素DP1。如同 提供至有缺陷的發射像素EPp之數據訊號Dp的數據訊號Dp再提供至第二虛擬像素DP2。因此，有缺陷的發射像素EPi與EPp的發射裝置E可經由第一虛擬像素DP1與第二虛擬像素DP2的像素電路PC和修復線RL1接收對應於數據訊號Di與Dp的電流，從而抑制或減少有缺陷的發射像素EPi與EPp之亮點或暗點的產生。
在第12圖和第13圖中，儘管第零至第(n+1)掃描訊號S0至Sn+1的寬度可提供為一個水平期間(1H)，但掃描訊號的寬度亦可提供為兩個水平期間(2H)，而相鄰掃描訊號的寬度(例如，第(n-1)掃描訊號Sn-1及第n掃描訊號Sn的寬度)可提供以與1H或者更少水平期間重疊。因此，可以解決由於大尺寸顯示區域所造成之訊號線的電阻-電容(RC)延遲的電荷缺乏。
第14圖是根據本發明實施例之發射像素EP的示意圖。第15圖是第14圖之發射像素EP之發射裝置的平面圖。第16圖是沿第15圖之線A-A'截取的剖面圖。
參照第14圖，耦合到掃描線SL和數據線DL的發射像素EP可包含像素電路PC及藉由由像素電路PC接收驅動電流來發光的發射裝置E。像素電路PC可包含至少一個薄膜電晶體(TFT)和至少一個電容器。發射裝置E可以是有機發光二極體(OLED)，有機發光二極體(OLED)包含陽極、陰極、以及形成或位於陽極和陰極之間的發射層。發射裝置E的陽極可分割或分離(例如，由間隙或空間而物理性地分離)成至少兩個陽極，使得發射裝置E可包含至少兩個子發射裝置SE1和SE2。
參照第15圖和第16圖，第一子發射裝置SE1包含第一 陽極AD1、包含發射層的有機層OL、及陰極(未示出)。第二子發射裝置SE2包含第二陽極AD2、包含發射層的有機層OL、及陰極。有機層OL可以個別地或共同地形成在第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2中。陰極可以共同地形成在第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2中，且可形成在基板101的整個表面上，使得陰極可共同地形成在第一陽極AD1及第二陽極AD2以相互面對。
電極連接線11形成在基板101和緩衝層102上。電極連接線11可由導電材料形成。例如，電極連接線11可由非晶矽、晶體矽、或氧化物半導體所形成。在這種情況下，電極連接線11可與包含於像素電路PC之薄膜電晶體的主動層位於相同層上並以相同材料形成。電極連接線11可由金屬所形成。在這種情況下，電極連接線11可具有包含金屬、半透明金屬、或透明導電氧化物的單層結構、或包含半透明金屬和透明導電氧化物的三層結構，其中透明導電氧化物形成在半透明金屬的頂部和底部且保護半透明金屬。半透明金屬可包含銀(Ag)或銀合金。透明導電氧化物可包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)、及氧化鋁鋅(AZO)所組成的群組中的至少一個。第一絕緣層103形成在電極連接線11上。修復連接線13形成在第一絕緣層103上。
修復連接線13可與包含於像素電路PC之薄膜電晶體的導電電極，例如閘極電極，位於相同層並以相同的材料形成。第二絕緣層104形成在修復連接線13上。在第一連接單元CU1中，形成在第二絕緣層104上的第一接觸金屬CM1和第二接觸金屬CM2透過接觸孔耦合到電極連接線11。耦合到耦合像素電路PC 之電路線15的電路連接線12係透過在第二連接單元CU2中的接觸孔耦合到電極連接線11。電路線15連同包含在像素電路PC之薄膜電晶體中的主動層可由非晶矽、晶體矽、或氧化物半導體所形成，或者可與包含在薄膜電晶體中的源極電極及汲極電極於相同層上以相同的材料形成。電路連接線12耦合到第一連接單元CU1之間的電極連接線11，使得第一切割節點CN1和第二切割節點CN2形成在電極連接線11中。從第一接觸金屬CM1延伸的短接線14與第一短接節點SN1中修復連接線13的一部分重疊，並臨時地耦合到修復連接線13。修復線RL透過接觸孔耦合到修復連接線13。修復線RL、電路連接線12、第一接觸金屬CM1和第二接觸金屬CM2、以及短接線14可與包含在像素電路PC的薄膜電晶體中的導電電極，例如，源極電極及汲極電極，位於相同層並以相同的材料形成。第三絕緣層105形成在修復線RL、第一接觸金屬CM1及第二接觸金屬CM2、以及短接線14上。第一陽極AD1和第二陽極AD2形成在第三絕緣層105上。
從第一陽極AD1延伸的第一突起單元AD1'透過在第一連接單元CU1中的第一接觸金屬CM1耦合到電極連接線11。從第二陽極AD2延伸的第二突起單元AD2'透過在第一連接單元CU1中的第二接觸金屬CM2耦合到電極連接線11。因此，第一陽極AD1和第二陽極AD2藉由電極連接線11而彼此相互電性耦合。覆蓋第一陽極AD1和第二陽極AD2之邊緣的第四絕緣層106形成在第一陽極AD1和第二陽極AD2上。
第17圖是根據本發明實施例之虛擬像素DP的示意圖。第18圖是第17圖之虛擬像素DP之部分的平面圖。第19圖是沿第18圖之線B-B'截取的剖面圖。
參考第17圖，耦合到掃描線SL(諸如，第零條掃描線SL0及/或第(n+1)條掃描線SLn+1)和數據線DL的虛擬像素DP可僅包含像素電路PC。虛擬像素DP的像素電路PC可與發射像素EP的像素電路PC相同(例如，相同設計、結構及/或功能)。
參考第18圖和第19圖，電源連接線18形成在基板101和緩衝層102上。電源連接線18可由非晶矽、晶體矽、或氧化物半導體所形成。電源連接線18也可與包含於像素電路PC之薄膜電晶體中的主動層位於相同層上並以相同的材料形成。第一絕緣層103形成在電源連接線18上。修復連接線16形成在第一絕緣層103上。
修復連接線16可與包含於像素電路PC之薄膜電晶體中的導電電極，例如閘極電極，位在相同層上且以相同材料形成。第二絕緣層104形成在修復連接線16上。在第二絕緣層104上，耦合到像素電路PC之短接線17與在第二短接節點SN2中之修復連接線16的一部分重疊，並臨時地耦合到修復連接線16。修復線RL透過接觸孔耦合到修復連接線16。在顯示面板10之邊界中的修復線RL與電源電壓線ELVDDL係耦合到電源連接線18，使得修復線RL與電源電壓線ELVDDL彼此電性耦合。當修復線RL用於修復發射像素EP時，藉由切斷電源連接線18，使電源電壓線ELVDDL從修復線RL斷開。
修復線RL、短接線17、及電源電壓線ELVDDL可與包含於像素電路PC之薄膜電晶體中的導電電極，例如源極電極和汲極電極，位於相同層上且以相同材料形成。第三絕緣層105與第四絕緣層106依序地形成在修復線RL、短接線17、及電源電壓線ELVDDL上。
第20圖是根據本發明實施例之用於說明修復缺陷像素之方法的流程圖。
參照第20圖，在顯示面板10製造後，顯示區域AA的缺陷像素藉由在顯示面板10上進行面板測試而受檢測(操作S21)。面板測試可包含，例如發光測試、老化測試等。缺陷像素是識別為亮點或暗點的發射像素。由於有缺陷的像素電路或有缺陷的發射裝置，而可能產生亮點或暗點。當發射裝置的陽極和陰極由於存在其間的缺陷而短路時，且當與陽極和陰極並聯形成的電阻值很小時，像素電路PC中產生的驅動電流透過電阻而從陽極流動到陰極，且因此陽極的電壓相較於發射裝置的導通電壓不夠高，從而致使發射裝置不發光的暗點。
明顯識別為顯示面板10之亮點或暗點的像素可透過光檢查設備之光學顯微鏡來作檢測。
在其中複數個子發射裝置中明顯識別為亮點或暗點的子發射裝置的可見缺陷情況下，具有亮點或暗點之缺陷的子發射裝置係與像素電路PC分離或電性隔離(操作S22)。
在其中複數個子發射裝置中未明顯識別為有缺陷的子發射裝置的不可見缺陷情況下，缺陷像素的發射裝置耦合到修復線RL，而虛擬像素DP的像素電路PC耦合到修復線RL，使得有缺陷的像素耦合到虛擬像素DP(操作S23)。以測定缺陷像素是否正常發光(操作S24)。
當缺陷像素藉由缺陷像素和虛擬像素DP耦合而正常地發光時，測定缺陷像素係由有缺陷的像素電路所引起。因此，為了完全地隔絕發射裝置與有缺陷的像素電路，缺陷像素的像素電 路PC可選擇性地與發射裝置分離或電性隔離(操作S25)。可選擇性地執行操作S25。
當缺陷像素藉由缺陷像素和虛擬像素DP的耦合仍無法正常地發光時，測定缺陷像素係由發射裝置之短路缺陷所引起，且子發射裝置彼此相互斷開(操作S26)。
第21圖至第26圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之可見缺陷的情況下修復缺陷像素(操作S22)之方法的示意圖。
第21圖至第26圖的修復方法描述虛擬像素DP耦合到如第2圖的顯示面板10a之第一條至第(n+1)條掃描線SL1至SLn+1中的第(n+1)條掃描線SLn+1的例子。這可應用於第3圖和第4圖的顯示面板10b和10c。
參考第21圖至第23圖，當有缺陷的發射像素EPi的第一子發射裝置SE1係明顯地識別為具有短路缺陷時，第一子發射裝置SE1從第二子發射裝置SE2斷開。在這方面，電極連接線11的第一切割節點CN1藉由照射雷射光束來切割。因此，第一子發射裝置SE1變成暗點，且驅動電流由發射像素電路PCi流至第二子發射裝置SE2，使得第二子發射裝置SE2可發光，而不具任何感知亮度的降低。
參考第24圖至第26圖，當有缺陷之發射像素EPi的第二子發射裝置SE2係明顯地識別為具有短路缺陷時，第二子發射裝置SE2從第一子發射裝置SE1斷開。在這方面，電極連接線11的第二切割節點CN2藉由照射雷射光束來切割。因此，第二子發射裝置SE2變成暗點，且驅動電流由發射像素電路PCi流至 第一子發射裝置SE1，使得第一子發射裝置SE1可發光，而不具任何感知亮度的降低。
在參照第21圖至第26圖所描述的實施例中，發射像素EPi具有短路缺陷，而發射像素電路PCi是正常的，且因此發射像素EPi不必透過修復線RL耦合到虛擬像素DP。
第27圖至第29B圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之不可見缺陷的情況下修復缺陷像素(操作S23和S25)之方法的示意圖。
第27圖至第29B圖的修復方法描述虛擬像素DP耦合到如第2圖的顯示面板10a之第一條至第(n+1)條掃描線SL1至SLn+1中的第(n+1)條掃描線SLn+1的例子。這可應用於第3圖和第4圖的顯示面板10b和10c。
參考第27圖至第29B圖，儘管耦合到第i條掃描線SLi的發射像素EPi被測定為是有缺陷的，當無法確認是否由有缺陷的像素電路或缺陷的發射裝置而導致有缺陷的發射像素EPi時，臨時地耦合之修復連接線13和短接線14係藉由在第一短接節點SN1照射雷射光束而短接，且接著臨時地耦合之修復連接線16和短接線17是藉由在第二短接節點SN2照射雷射光束而短接，因而發射像素EPi和虛擬像素DP彼此電性耦合(操作S23)。電源電壓線ELVDDL和修復線RL藉由在電源連接線18照射雷射光束而彼此斷開。
修復線RL和虛擬像素DP與有缺陷的發射像素EPi的耦合後，當第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2正常地發光時，因為有缺陷的發射像素EPi係確定由有缺陷的發射像素電路 PCi所引起，為了自有缺陷的發射像素EPi完全隔離有缺陷的發射像素電路PCi，藉由在電路線15上照射雷射光束來切斷電路線15，而使電路連接線12和電路線15彼此分離或電性隔離，且因此發射像素電路PCi自發射像素EPi分離或電性隔離(操作S25)。
因此，驅動電流由虛擬像素電路PCn+1流到第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2，使得發射像素EPi可以發光，而不具任何感知亮度的降低。
第30A圖至第32圖是根據本發明實施例之用以說明在第20圖之不可見缺陷的情況下修復缺陷像素(操作S23和S26)之方法的示意圖。
第30A圖至第32圖的修復方法描述虛擬像素DP耦合到如第2圖的顯示面板10a之第一條至第(n+1)條掃描線SL1至SLn+1中的第(n+1)條掃描線SLn+1的例子。這可應用於第3圖和第4圖的顯示面板10b和10c。
參考第28B圖、第29B圖、及第30A圖至第32圖，儘管耦合到第i條掃描線SLi的發射像素EPi被確定為是有缺陷的，當無法確認是否由有缺陷的像素電路或缺陷的發射裝置導致有缺陷的發射像素EPi時，臨時地耦合之修復連接線13和短接線14係藉由在第一短接節點SN1照射雷射光束而短接，而臨時地耦合之修復連接線16和短接線17是藉由在第二短接節點SN2照射雷射光束而短接，因而發射像素EPi和虛擬像素DP彼此電性耦合(操作S23)。電源電壓線ELVDDL和修復線RL藉由在電源連接線18上照射雷射光束而彼此斷開。
修復線RL、虛擬像素DP與發射像素EPi的耦合後，當 第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2仍無法正常地發光時，因為有缺陷的發射像素EPi係確定由有缺陷的發射裝置E所引起，電極連接線11的第一切割節點CN1係藉由照射雷射光束在電極連接線11上來切斷(操作S26)。因此，第一子發射裝置SE1和第二子發射裝置SE2彼此分離或電性隔離，第一子發射裝置SE1接收來自虛擬像素電路PCn+1的驅動電流，而第二子發射裝置SE2接收來自發射像素電路PCi的驅動電流。
若有缺陷的發射像素EPi係確定由第一子發射裝置SE1之短路缺陷所引起，如第30A圖所示，第一子發射裝置SE1變為黑點，且第二子發射裝置SE2可藉由來自發射像素電路PCi的驅動電流來發光，而不具任何感知亮度的降低。
若有缺陷的發射像素EPi確定由第二子發射裝置SE2之短路缺陷所引起，如第30B圖所示，第二子發射裝置SE2變為黑點，且第一子發射裝置SE1可藉由來自虛擬像素電路PCn+1的驅動電流來發光，而不具任何感知亮度的降低。
第33圖是根據本發明實施例之發射像素EP1的電路圖。
參考第33圖，發射像素EP1包含發射裝置E和用於供給電流到發射裝置E的像素電路2A。虛擬像素DP包含不含發射裝置E的像素電路2A。發射裝置E包含陽極、陰極、以及形成或位於陽極與陰極之間的發射層，且可以是具有其中陽極係分割或分離成複數個陽極之結構的有機發光二極體。發射裝置E可包含藉由從陽極分割所造成的複數個陽極來並聯而彼此耦合的第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。因此，像素電路2A 的驅動電流分別地提供給第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。若有缺陷的有機發光二極體係與相應的像素電路分離或電性隔離，由於驅動電流分別向其他有機發光二極體提供，所以有機發光二極體可以發光，而不具任何感知亮度的降低。耦合到發射裝置E的電路連接線12藉由切斷的電路線15而從耦合到像素電路2A的電路線15斷開，因此，像素電路2A和發射裝置E可相互分離或電性隔離。
像素電路2A可包含第一至第四電晶體TA1至TA4、以及第一和第二電容器C1和C2。
第一電晶體TA1的閘極電極從掃描線接收掃描訊號S。第一電晶體TA1的第一電極從數據線接收數據訊號D。第一電晶體TA1的第二電極耦合至第一節點N1。
第二電晶體TA2的閘極電極耦合至第二節點N2。第二電晶體TA2的第一電極從第一電源接收第一電源電壓ELVDD。第二電晶體TA2的第二電極耦合至OLED的陽極。第二電晶體TA2用作驅動電晶體。
第一電容器C1耦合在第一節點N1和第一電源之間。第二電容器C2耦合在第一節點N1和第二節點N2之間。
第三電晶體TA3的閘極電極接收第一控制訊號GC。第三電晶體TA3的第一電極耦合到第二電晶體TA2的閘極電極。第三電晶體TA3的第二電極耦合到有機發光二極體的陽極與第二電晶體TA2的第二電極。
第四電晶體TA4的閘極電極接收第二控制訊號SUS_ENB。第四電晶體TA4的第一電極接收輔助電壓Vsus。第 四電晶體TA4的第二電極耦合到數據線，並接收數據訊號D。
在初始化期間，具有低位準的掃描訊號S係提供到掃描線，而具有低位準的第二控制訊號SUS_ENB係提供到第四電晶體TA4的閘極電極。在這種情況下，數據線處於高阻抗(Hi-Z)狀態。因此，第一電晶體TA1和第四電晶體TA4係導通，且因而具有高位準的輔助電壓Vsus係提供到第一節點N1，第二節點N2的電壓降低，且第二節點N2保持在初始化電壓(例如，預定的初始化電壓)。
在補償期間，具有高位準的輔助電壓Vsus透過數據線提供給第一節點N1。第一控制訊號GC提供為低位準，且因此第三電晶體TA3導通。因此，第二電晶體TA2是二極體連接，且因而流通電流直到相應第二電晶體TA2之閾值電壓的電壓儲存在第二電容器C2中。在這之後，關閉第二電晶體TA2。
在掃描/數據輸入期間，具有低位準的掃描訊號S係提供到掃描線，且因而第一電晶體TA1導通，並透過數據線提供數據訊號D。因此，第一電源電壓ELVDD與第一節點N1的電壓之間的電壓差儲存在第一電容器C1中。
在發射期間，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，並以低位準提供第二電源電壓ELVSS。形成由第一電源電壓ELVDD經由第二電晶體TA2而至有機發光二極體之陰極的電流路徑，且發射像素EP1的發射裝置E發射對應於數據訊號之亮度的光。
第34圖是根據本發明另一實施例之發射像素EP2的電路圖。
參考第34圖，發射像素EP2包含發射裝置E和用於供 給電流到發射裝置E的像素電路2B。虛擬像素DP包含不含發射裝置E的像素電路2B。發射裝置E包含陽極、陰極、以及形成或位於陽極和陰極之間的發射層，且可以是具有其中陽極係分割或物理性地分離成複數個陽極之結構的有機發光二極體，在分離的陽極之間具間隙或空間。發射裝置E可包含透過從陽極分割所造成的複數個陽極來相互並聯而耦合的第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。因此，像素電路2B的驅動電流分別地提供給第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。若分離或電性隔離有缺陷的有機發光二極體，由於驅動電流分別向其他有機發光二極體提供，所以有機發光二極體可以發光，而不具任何感知亮度的降低。耦合到發射裝置E的電路連接線12藉由切斷的電路線15而從耦合到像素電路2B的電路線15斷開，且因此，像素電路2B和發射裝置E可相互分離或電性隔離。
像素電路2B包含第一至第五電晶體TB1至TB5、以及第一至第三電容器C1至C3。
第一電晶體TB1的閘極電極從掃描線接收掃描訊號S。第一電晶體TB1的第一電極耦合到數據線，並從數據線接收數據訊號D。第一電晶體TB1的第二電極耦合至第一節點N1。
第二電晶體TB2的閘極電極接收第一控制訊號GW。第二電晶體TB2的第一電極耦合到第一節點N1。第二電晶體TB2的第二電極耦合至第二節點N2。
第三電晶體TB3的閘極電極耦合到第三節點N3。第三電晶體TB3的第一電極從第一電源接收第一電源電壓ELVDD。第三電晶體TB3的第二電極耦合到有機發光二極體的陽極。第三 電晶體TB3作用為驅動電晶體。
第四電晶體TB4的閘極電極接收第二控制訊號GC。第四電晶體TB4的第一電極耦合到第三節點N3和第三電晶體TB3的閘極電極。第四電晶體TB4的第二電極耦合到有機發光二極體的陽極。
第五電晶體TB5的閘極電極接收第二控制訊號GC。第五電晶體TB5的第一電極耦合到數據線，並由數據線接收數據訊號D。第五電晶體TB5的第二電極耦合到第二節點N2。
第一電容器C1耦合在第一節點N1和第五電晶體TB5之閘極電極之間。第二電容器C2耦合在第二節點N2和提供第一電源電壓ELVDD的第一電源之間。第三電容器C3耦合在第二節點N2與第三節點N3及第三電晶體TB3的閘極電極之間。當第一電晶體TB1導通時，第一電容器C1充以對應於由數據線提供之數據訊號D的電壓。
在初始化期間，以低位準提供第一電源電壓ELVDD和第二控制訊號GC。數據線處於高阻抗(Hi-Z)狀態。因此，第五電晶體TB5和第四電晶體TB4依次地導通，且因而第三電晶體TB3是二極體連接，而初始化有機發光二極體之陽極的電壓及第三節點N3的電壓為第一電源電壓ELVDD的位準。
在補償期間，以低位準提供第二控制訊號GC，而具有高位準之輔助電壓Vsus提供給數據線。因此，第五電晶體TB5導通，從而輔助電壓Vsus提供到第二節點N2。此外，第四電晶體TB4導通，從而第三電晶體TB3是二極體連接，且流通電流直到相應第三電晶體TB3之閾值電壓的電壓儲存在第三電容器C3 中。在這之後，關閉第三電晶體TB3。
在數據傳輸期間，以高位準提供第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS，並以低位準提供第一控制訊號GW。因此，第二電晶體TB2導通，從而在(N-1)幀的掃描期間寫入發射像素EP2儲存於第一電容器C1中的數據訊號D係移動到第二節點N2。因此，第一電源電壓ELVDD與第二節點N2的電壓之間的電壓差係儲存在第二電容器C2中。
在掃描/發射期間，掃描期間及發射期間係同時地(例如同步地)執行。在掃描/發射期間，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，並以低位準提供第二電源電壓ELVSS。另外，低位準的掃描訊號S輸入到掃描線，且因此第一電晶體TB1導通，而數據訊號輸入到耦合掃描線的發射像素EP2。因此，對應於第N幀之數據訊號的電壓儲存在第一電容器C1中。
關閉第二電晶體TB2，以阻斷第一節點N1和第二節點N2。另外，從第一電源電壓ELVDD到有機發光二極體的陰極的電流路徑是經由導通的第三電晶體TB3所形成，而有機發光二極體發射對應於在第(N-1)幀的掃描期間寫入發射像素EP2中儲存在第二電容器C2中之數據訊號之亮度的光。在這方面，在顯示區域AA中的所有發射像素EP2同時地(例如，同步地)發光。亦即，在掃描/發射期間，根據掃描訊號依序地輸入第N幀的數據訊號，與此同時，在顯示區域AA中的所有發射像素EP2對應於第(N-1)幀之數據訊號來同時地(例如，同步地)發光。
第35圖是根據本發明另一實施例之發射像素EP3的電路圖。
參考第35圖，發射像素EP3包含發射裝置E和用於供給電流到發射裝置E的像素電路2C。虛擬像素DP包含不含發射裝置E的像素電路2C。發射裝置E包含陽極、陰極、以及形成或位於陽極和陰極之間的發射層，且可以是具有其中陽極係分割成複數個陽極之結構的有機發光二極體。發射裝置E可包含根據從陽極分割所造成的複數個陽極相互並聯而耦合的第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。因此，像素電路2C的驅動電流分別地提供給第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。若有缺陷的有機發光二極體與對應的像素電路分離或電性隔離，由於驅動電流分別向其他有機發光二極體提供，所以有機發光二極體可以發光，而不具任何感知亮度的降低。耦合到發射裝置E的電路連接線12藉由切斷電路線15而從耦合到像素電路2C的電路線15斷開，且因此，像素電路2C和發射裝置E可相互分離或電性隔離。
像素電路2C包含第一至第八電晶體TC1至TC8、以及第一及第二電容器C1及C2。
第一電晶體TC1的閘極電極從掃描線接收掃描訊號S。第一電晶體TC1的第一電極耦合到數據線，並從數據線接收數據訊號D。第一電晶體TC1的第二電極耦合至第一節點N1。
第二電晶體TC2的閘極電極接收第一控制訊號GW。第二電晶體TC2的第一電極耦合到第一節點N1。第二電晶體TC2的第二電極耦合至第二節點N2。
第三電晶體TC3的閘極電極接收第二控制訊號GI。第三電晶體TC3的第一電極耦合到初始化電源，並從初始化電源接收 初始化電壓Vint。第三電晶體TC3的第二電極耦合到第三節點N3。
第四電晶體TC4的閘極電極接收第一控制訊號GW。第四電晶體TC4的第一電極耦合到第三節點N3。第四電晶體TC4的第二電極耦合到第四節點N4。
第五電晶體TC5的閘極電極接收第二控制訊號GI。第五電晶體TC5的第一電極耦合到第一電源，並接收來自第一電源的第一電源電壓ELVDD。第五電晶體TC5的第二電極耦合到第二節點N2。
第六電晶體TC6的閘極電極耦合到第三節點N3。第六電晶體TC6的第一電極耦合到第二節點N2。第六電晶體TC6的第二電極耦合到第四節點N4。第六電晶體TC6作用為驅動電晶體。
第七電晶體TC7的閘極電極接收第三控制訊號GE。第七電晶體TC7的第一電極耦合到第四節點N4。第七電晶體TC7的第二電極耦合到有機發光二極體的陽極。
第八電晶體TC8的閘極電極接收第三控制訊號GE。第八電晶體TC8的第一電極耦合到第一電源，並接收來自第一電源的第一電源電壓ELVDD。第八電晶體TC8的第二電極耦合到第二節點N2。
第一電容器C1耦合在第一節點N1和用於提供第三電源電壓Vhold的第三電源之間。當第一電晶體TC1導通時，第一電容器C1充以對應於由數據線提供之數據訊號D的電壓。第三電電源可設置為固定電壓(例如，預定電壓，舉例而言，直流(DC) 電源)的電源。例如，第三電源可設置為用於提供第一電源電壓ELVDD的第一電源或用於提供初始化電壓Vint的初始化電源。第二電容器C2耦合在第三節點N3和第一電源之間。
在初始化期間，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，以低位準提供第二電源電壓ELVSS和第二控制訊號GI。因此，第三電晶體TC3和第五電晶體TC5導通，因而第一電源電壓ELVDD提供到第二節點N2，而初始化電壓Vint係提供到第三節點N3。
在補償/數據傳輸期間，以低位準提供第一電源電壓ELVDD、第二電源電壓ELVSS、及第一控制訊號GW。因此，第二電晶體TC2導通，從而將在第(N-1)幀的掃描期間中儲存在第一電容器C1中寫入發射像素EP3的數據訊號D轉移到第二節點N2。此外，第四電晶體TC4導通，因而第六電晶體TC6是二極體連接，且電流流通過二極體連接的第六電晶體TC6，從而補償第六電晶體TC6的閾值電壓，且第一電源電壓ELVDD與第二節點N2的電壓之間的電壓差儲存在第二電容器C2中。
在掃描/發射期間，掃描期間及發射期間係同時地(例如，同步地)執行。在掃描/發射期間，以高位準提供第一電源電壓ELVDD，並以低位準提供第二電源電壓ELVSS和第三控制訊號GE。另外，具有低位準之掃描訊號S輸入到掃描線，因而第一電晶體TC1導通，且第N幀的數據訊號輸入到耦合掃描線的發射像素EP3。因此，對應於第N幀之數據訊號的電壓儲存在第一電容器C1中。
關閉第二電晶體TC2，以阻斷第一節點N1和第二節點N2。另外，第七電晶體TC7和第八電晶體TC8導通，因此由第 一電源電壓ELVDD到有機發光二極體之陰極的電流路徑係經由導通的第六電晶體TC6而形成，且有機發光二極體發射對應於在第(N-1)幀之掃描期間儲存在第二電容器C2中寫入發射像素EP3中之數據訊號之亮度的光。在這方面，在顯示區域AA中的所有發射像素EP3同時地(例如，同步地)發光。也就是說，在掃描/發射期間，根據掃描訊號依序地輸入第N幀的數據訊號，與此同時，在顯示區域AA中的所有發射像素EP3對應於第(N-1)幀之數據訊號來同時地(例如，同步地)發光。發射期間可部分地與掃描期間重疊且可短於掃描期間。
第36圖是根據本發明另一實施例之發射像素EP4的電路圖。
參考第36圖，發射像素EP4包含發射裝置E以及用於供給電流到發射裝置E的像素電路2D。虛擬像素DP包含不含發射裝置E的像素電路2D。發射裝置E包含陽極、陰極、以及形成或位於陽極與陰極之間的發射層，且可以是具有其中陽極係分割成複數個陽極之結構的有機發光二極體。發射裝置E可包含根據從陽極分割所造成的複數個陽極來相互並聯而耦合的第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。因此，像素電路2D的驅動電流分別地提供給第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。若分離或電性隔離有缺陷的有機發光二極體，由於驅動電流分別向其他有機發光二極體提供，故有機發光二極體可以發光，而不具任何感知亮度的損失。耦合到發射裝置E的電路連接線12藉由切斷電路線15而從耦合到像素電路2D的電路線15斷開，因此，像素電路2D和發射裝置E可相互分離或電性隔離。
像素電路2D包含第一及第二電晶體TD1及TD2、以及 電容器C。
第一電晶體TD1的閘極電極耦合到掃描線。第一電晶體TD1的第一電極耦合到數據線。第一電晶體TD1的第二電極耦合至第一節點N1。
第二電晶體TD2的閘極電極耦合到第一節點N1。第二電晶體TD2的第一電極接收來自第一電源的第一電源電壓ELVDD。第二電晶體TD2的第二電極耦合至有機發光二極體的陽極。
電容器C的第一電極耦合於第一節點N1間。電容器C的第二電極接收(例如，耦合到)來自第一電源的第一電源電壓ELVDD。
當由掃描線提供掃描訊號S時，第一電晶體TD1傳輸由數據線提供的數據訊號D至電容器C的第一電極。因此，對應於數據訊號D的電壓充電於電容器C中，且對應於在電容器C中充電之電壓的驅動電流係透過第二電晶體TD2傳輸到發射裝置E，且因此發射裝置E發光。
儘管第36圖的發射像素EP4在一個像素中具有包含兩個電晶體和一個電容器之雙電晶體-單電容器(2Tr-1Cap)的結構，但本發明不限於此。也就是說，發射像素EP4可以具有藉由形成額外的線路或省略現有線路來包含二或多個電晶體及一或多個電容器的各種結構。
第37圖是根據本發明另一實施例之顯示面板10d的示意圖。
參考第37圖，以其中複數個掃描線SL、複數個數據線DL、以及複數個修復線RL彼此相交之矩陣般形狀排列的複數個像素P形成在顯示面板10d上。像素P包含形成在顯示區域AA上的發射像素EP以及形成在非顯示區域NA上的虛擬像素DP。非顯示區域NA可形成在顯示區域AA的頂部和底部區域中的至少一個。因此，一或多個虛擬像素DP於各像素行中可形成在像素行的頂部和底部區域中的至少一個上。第37圖示出虛擬像素DP形成在像素行之底部區域上的例子。
一個發射像素EP包含在行方向上排列的第一至第三子發射像素。第一至第三子發射像素的每一個包含像素電路PC、以及耦合到像素電路PC的發射裝置E。發射裝置E可以是包含陽極、陰極、及在陽極及陰極之間之發射層的有機發光二極體。發射裝置E的陽極可分割成至少兩個陽極，且因此發射裝置E可包含至少兩個子發射裝置。
第一至第三子發射像素之像素電路PC及/或發射裝置E在尺寸上可能不同。第一至第三子發射像素共同耦合到一個掃描線，例如，第i個掃描線SLi，並分別耦合到第一條至第三條數據線DLj_1、DLj_2、及DLj_3。因此，如果掃描訊號提供到第i條掃描線SLi時，數據訊號分別經由第一條至第三條數據線DLj_1、DLj_2、及DLj_3提供到第一至第三子發射像素，因此第一至第三子發射像素的每一個對應於提供的數據訊號來充以電壓，並發射對應於充電之電壓的亮度的光。
虛擬像素DP包含在行方向上對齊的第一至第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3。第一到第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3的每一個僅包含不含發射裝置E的像素電路PC。第一到 第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3之每一個的像素電路PC可具有與第一到第三子發射像素之每一個的像素電路PC相同或基本上相同的設計及功能。第一到第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3共同地耦合到一條掃描線，例如，第(n+1)條掃描線SLn+1，且分別地耦合到第一條至第三條數據線DLj_1、DLj_2、及DLj_3。因此，若掃描訊號提供到第(n+1)條掃描線SLn+1，則數據訊號經由第一條至第三條數據線DLj_1、DLj_2、及DLj_3分別地提供給第一到第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3。
在分別地包含第一至第三子發射裝置SE1、SE2、及SE3之第一到第三子發射像素中，若第二子發射像素的像素電路PC有缺陷，則第二子發射像素的像素電路PC係與第二子發射裝置SE2分離或電性隔離，且第二子發射裝置SE2耦合到修復線RLj。另外，在第一到第三虛擬子像素SDP1、SDP2、及SDP3中，對應於第二子發射像素之第二虛擬子像素SDP2的像素電路PC耦合到修復線RLj。
第37圖示出當包含於一個像素中之複數個子像素具有不同特性時，虛擬像素形成對複數個子像素的例子。然而，即使在這種情況下，同樣的驅動主體亦可藉由形成作為一子像素之虛擬像素，並且修正提供至虛擬像素之數據訊號的伽馬值而應用。
第38圖是根據本發明另一實施例之發射像素EP5的電路圖。
參考第38圖，發射像素EP5包含發射裝置E及用於供給電流到發射裝置E的像素電路2E。虛擬像素DP包含不含發射裝置E的像素電路2E。發射裝置E包含陽極、陰極、以及形成 或位於陽極和陰極之間的發射層，且可以是具有其中陽極係分割成複數個陽極之結構的有機發光二極體。發射裝置E可包含透過從陽極分割所造成的複數個陽極來相互並聯而耦合的第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。因此，像素電路2E的驅動電流分別地提供給第一至第n有機發光二極體OLED1至OLEDn。若有缺陷的有機發光二極體與對應的像素電路分離或電性隔離，由於驅動電流分別向其他有機發光二極體提供，所以有機發光二極體可以發光，而不具任何感知亮度的損失。耦合到發射裝置E的電路連接線12藉由切斷電路線15和19而從耦合到像素電路2E的電路線15和19斷開，且因此，像素電路2E及發射裝置E可相互分離或電性隔離。
第38圖進一步包含第九電晶體TC9並相應地進一步包含耦合至發射裝置E的電路線19的像素電路2E，在結構和操作方面係與第35圖的像素電路2C相同，且因而將於此處省略其詳細描述。
第九電晶體TC9的閘極電極接收第二控制訊號GI。第九電晶體TC9的第一電極耦合至初始化電源線，並從初始化電源線接收初始化電壓Vint。第九電晶體TC9的第二電極耦合到發射裝置E的陽極。第九電晶體TC9藉由第二控制訊號GI而導通，並提供初始化電壓Vint至陽極。
第39圖是包含第38圖之像素電路2E之發射像素EP的平面圖。
第39圖示出包含分別耦合到掃描線SL和複數個數據線DL_R、DL_G、及DL_B的三個發射子像素SEP_R、SEP_G、及 SEP_B的發射像素EP。紅色發射子像素SEP_R包含藉由陽極分開的兩個紅色子發射裝置OLED_R1和OLED_R2及紅色像素電路PC_R。綠色發射子像素SEP_G包含藉由陽極分開的兩個綠色子發射裝置OLED_G1和OLED_G2及綠色像素電路PC_G。藍色發射子像素SEP_B包含藉由陽極分開的兩個藍色子發射裝置OLED_B1和OLED_B2及藍色像素電路PC_B。為了便於說明和理解，第39圖僅表示各子發射裝置的陽極。
參照第39圖，修復線RL在像素行方向上形成或位於三個發射子像素SEP_R、SEP_G、及SEP_B的左側，而提供第一控制訊號GW之第一訊號線GWL、提供第二控制訊號GI之第二訊號線GIL、提供第三控制訊號GE之第三訊號線GEL、電源電壓線ELVDDL、初始化電壓線VL、及數據線DL_R、DL_G、及DL_B在像素行方向上係形成或位於三個發射子像素SEP_R、SEP_G和SEP_B的右側。
各發射子像素SEP_R、SEP_G、及SEP_B包含臨時地耦合到修復線RL的短接節點SN1_R、SN1_G、及SN1_B，而切割節點CN1_R、CN2_R、CN1_G、CN2_G、CN1_B、及CN2_B形成在電極連接線中，電極連接線耦合紅色子發射裝置OLED_R1和OLED_R2、綠色子發射裝置OLED_G1和OLED_G2、以及藍色子發射裝置OLED_B1和OLED_B2。紅色子發射裝置OLED_R1和OLED_R2、綠色子發射裝置OLED_G1和OLED_G2、以及藍色子發射裝置OLED_B1和OLED_B2可藉由切割耦合到紅色像素電路PC_R、綠色像素電路PC_G、及藍色像素電路PC_B的電路線15和19來與紅色像素電路PC_R、綠色像素電路PC_G、及藍色像素電路PC_B分離或電性隔離。
第40圖是包含第38圖之像素電路2E之虛擬像素DP的平面圖。
第40圖示出包含分別耦合到掃描線SL和複數個數據線DL_R、DL_G、及DL_B的三個虛擬子像素SDP_R、SDP_G、及SDP_B的虛擬像素DP。紅色虛擬子像素SDP_R包含紅色像素電路PC_R。綠色虛擬子像素SDP_G包含綠色像素電路PC_G。藍色虛擬子像素SDP_B包含藍色像素電路PC_B。
參照第40圖，修復線RL在像素行方向上形成或位於三個虛擬子像素SDP_R、SDP_G、及SDP_B的左側。提供第一控制訊號GW之第一訊號線GWL、提供第二控制訊號GI之第二訊號線GIL、提供第三控制訊號GE之第三訊號線GEL、電源電壓線ELVDDL、初始化電壓線VL、及數據線DL_R、DL_G、及DL_B於像素行方向上形成或位於三個虛擬子像素SDP_R、SDP_G、及SDP_B的右側。
各虛擬子像素SDP_R、SDP_G、及SDP_B包含臨時地耦合到修復線RL的短接節點SN2_R、SN2_G、及SN2_B。修復線RL耦合到電源電壓線ELVDDL，而當有缺陷的像素在將來藉由使用修復線RL來修復時，可藉由切割電源連接線18的區域X而使電源電壓線ELVDDL和修復線RL彼此分開或電性隔離。
第41圖是根據本發明另一實施例之發射像素EP之發射裝置E的平面圖。第42圖是沿第41圖之線C-C'截取的剖面圖。
參考第41圖，根據本發明實施例之發射裝置E的分割電極，即，第一陽極AD1和第二陽極AD2、電極連接線11、及電路連接線12可一體形成。電極連接線11可包含耦合到第一陽 極AD1和第二陽極AD2的第一連接單元CU1、及耦合到電路連接線12的第二連接單元CU2。第一切割節點CN1和第二切割節點CN2係形成在第一連接單元CU1及第二連接單元CU2之間。因此，在將來可藉由照射雷射光束到第一切割節點CN1及第二切割節點CN2上來切斷第一切割節點CN1和第二切割節點CN2。電極連接線11接觸在第一短接節點SN1中與修復連接線13之一部分重疊的短接線14，並臨時地耦合到修復連接線13。修復線RL透過接觸孔耦合到修復連接線13。因此，在將來可藉由照射雷射光束在第一短接節點SN1上而使短接線14和修復連接線13彼此耦合。
修復線RL與短接線14可與包含在像素電路PC之薄膜電晶體中的導電電極，例如源極電極及汲極電極，位於相同層上並可以相同的材料所形成。第三絕緣層105形成在修復線RL與短接線14上。第一陽極AD1和第二陽極AD2、電極連接線11、及電路連接線12係在第三絕緣層105上一體成形。覆蓋第一陽極AD1和第二陽極AD2之邊緣的第四絕緣層106係形成在第一陽極AD1及第二陽極AD2上。
第43圖是根據本發明實施例之包含發射像素EP之有機發光顯示設備的剖面圖。
參考第43圖，根據本發明實施例之包含發射像素EP並顯示影像的顯示區域AA設置在有機發光顯示設備的基板101上。在顯示區域AA以外的非顯示區域NA中，形成傳輸複數個驅動訊號及控制訊號至顯示區域AA的虛擬像素DP和墊單元PAD。第43圖中僅示出發射像素EP及墊單元PAD。
有機發光顯示設備包含含有複數個子發射裝置之發射裝置E、包含至少一個薄膜電晶體TR及至少一個電容器CAP並施加驅動電流至發射裝置E之像素電路PC、以及墊單元PAD。
發射裝置E包含含有分割之第一陽極AD1及第二陽極AD2的陽極AD、面向陽極AD的陰極CD、以及包含形成或位於陽極AD和陰極CD之間之發光層的有機層OL。
陽極AD可具有包含半透明金屬與形成在半透明金屬的頂部和底部並保護半透明金屬之透明導電氧化物的三層結構。半透明金屬可包含銀(Ag)或銀合金。透明導電氧化物可包含選自由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO及AZO組成的群組中的至少一個。半透明金屬與陰極CD一同形成微腔結構，從而提高有機發光顯示設備的光效率。作為覆蓋分割之第一陽極AD1及第二陽極AD2之像素定義層的第四絕緣層106可形成在所分割之第一陽極AD1及第二陽極AD2的邊緣。所分割之第一陽極AD1及第二陽極AD2中的一個可透過接觸金屬114、115a、及117而耦合到電晶體TR之源極電極217a及汲極電極217b中的一個。
儘管未示出，但可藉由電極連接線11而使所分割的第一陽極AD1及第二陽極AD2彼此耦合(參照第15圖和第41圖)。電極連接線11可與陽極AD在相同層上並以相同的材料所形成，或可與電晶體TR的主動層212在相同層上並以相同的材料所形成，且接觸陽極AD。電極連接線11可與電晶體TR的源極電極217a及汲極電極217b中的一個接觸。耦合到電極連接線11的電晶體TR可與耦合到所分割的第一陽極AD1和第二陽極AD2中的一個之電晶體TR不同。
陰極CD可配置為包含反射材料的反射電極。在這方面，陰極CD可包含選自鋁、鎂、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、及氟化鋰/鋁所組成之群組中的至少一個。陰極CD可配置為反射電極，使得從有機層OL所發射之光係由陰極CD來反射，且透過由半透明金屬所形成的陽極AD來傳輸，而後透過基板101來發射出。
電晶體TR可包含主動層212，主動層212形成在基板101的緩衝層102上；閘極電極215，閘極電極215形成在主動層212上具作為閘極絕緣層的第一絕緣層103形成於其間，並位在對應於主動層212之通道區域212c之位置；源極電極217a及汲極電極217b，源極電極217a及汲極電極217b設置在閘極電極215上具作為層間絕緣層之第二絕緣層104形成或位在其間，且分別耦合到源極區域212a及汲極區域212b。
主動層212可由含有非晶矽或結晶矽的半導體、或氧化物半導體來形成。主動層212可包含通道區域212c、及有離子雜質摻雜並位於通道區域212c之相對側的源極區域212a和汲極區域212b。閘極電極215可以是由包含選自由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、及銅(Cu)組成之群組中的至少一種金屬之單層或複數層所形成。源極電極217a及汲極電極217b可由具有不同電子遷移率的兩種不同金屬之二或多層所形成。例如，兩種不同金屬可選自由鋁、鉑、鈀、銀、鎂、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鎳、鈣、鉬、鈦，鎢、銅、或其合金所組成的群組。
電容器CAP可包含與主動層212形成在相同層上的第一電極312、與閘極電極215形成在相同層上的第二電極314、以 及與源極電極217a和汲極電極217b形成在相同層上的第三電極317。
如同主動層212的源極區域212a和汲極區域212b，電容器CAP的第一電極312可由有雜質離子摻雜的半導體來形成。電容器CAP的第二電極314形成在其中閘極電極215形成或座落的第一絕緣層103上，但材料與閘極電極215不同。第二電極314可包含透明導電氧化物。電容器CAP可藉由透過第二電極314形成具雜質離子摻雜的半導體作為第一電極312而具有金屬-絕緣體-金屬(MIM)的結構。
為外部驅動器之連接端子的第一墊電極417和第二墊電極418可形成在墊單元PAD中。
第一墊電極417可包含具不同電子遷移率的複數個金屬層。例如，第一墊電極417可由選自由鋁、鉑、鈀、銀、鎂、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鎳、鈣、鉬、鈦、鎢、及銅所組成的群組中的至少一種金屬來形成複數層而形成。
第二墊電極418可由含有選自由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、及AZO所組成的群組中的至少一種材料的透明導電氧化物所形成。第二墊電極418可以防止第一墊電極417暴露於濕氣和氧氣中，從而防止墊可靠性的劣化。
在上述實施例中，像素電路形成為p型通道金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體，且低位準訊號是賦能訊號而高位準訊號是關閉訊號。然而，本發明也可應用於形成像素電路作為n型通道金屬氧化物半導體(NMOS)電晶體並反相所提供之訊號。在這種情況下，高位準訊號是賦能訊號而低位準訊號是關閉訊號。
在上述實施例中，發射像素電路和虛擬像素電路可以是相同的(例如，具有相同的組成結構或功能)，或者虛擬像素電路可以不同於(例如，具有不同的組成結構或功能)發射像素電路，其中薄膜電晶體及/或電容器係部分被省略及/或增添。
在上述實施例中，儘管陽極具有兩個分割的結構，如上所述，陽極可具有複數個分割結構，例如，三個分割的陽極、四個分割的陽極等。
根據本發明的實施例，薄膜電晶體的操作點包含在飽和範圍中，且若缺陷像素的陽極具有高電阻，則缺陷像素的電流可藉由預測電阻值來進行校正。
本發明實施例不限於上述像素結構及驅動方法，可藉由使用用於發光之各種方法來應用至各種像素，並可藉由修復由於像素電路或發射裝置的缺陷引起之缺陷像素的亮點或暗點來實現發光，而不具任何感知亮度的降低。
由有缺陷的像素電路或發射裝置致使的暗點或黑點藉由使用本發明之顯示設備的虛擬像素而相對輕易地被修復，從而提高面板的產率及可靠性。
儘管本發明已經透過參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，其將為所屬技術領域中具有通常知識者所了解的是，在不脫離由所附申請專利範圍及其等效物所定義之本發明之精神與範疇下，可對其進行形式及細節上的各種變更。

Claims (35)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：一發射像素，係在一顯示區域中，該發射像素包含一發射裝置及一發射像素電路，該發射裝置包含複數個子發射裝置，該發射像素電路連接到該發射裝置；一虛擬像素電路，係在該顯示區域周圍的一非顯示區域中；以及一修復線，係在該顯示區域和該非顯示區域中延伸，其中，該修復線與該發射像素的該發射裝置和該發射像素電路以及該虛擬像素電路分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該複數個子發射裝置的每一個包含：一下電極，係為分離的複數個該下電極中之一；一上電極，共同地面對分離的該複數個下電極；以及一發射層，位在該下電極與該上電極之間，其中分離的該複數個下電極係透過一電極連接線而相互電性耦合。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線包含金屬、非晶矽、結晶矽、及氧化物半導體中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線係與該發射像素電路之一主動層位於相同層且為相同材料。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線與分離的該複數個下電極係一體成形。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線包含：複數個第一連接單元，耦合到分離的該複數個下電極；一第二連接單元，耦合到該發射像素電路；及複數個切割節點，位於該複數個第一連接單元與該第二連接單元之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線透過一第一接觸孔耦合到在各該第一連接單元中的分離的該複數個下電極，並透過一第二接觸孔耦合到在該第二連接單元中的該發射像素電路。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含：至少一電路線，具有耦合到該發射像素電路的一端與耦合到該第二連接單元的另一端。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含：一第一修復連接線，具有耦合到該修復線的一端以及重疊與該複數個第一連接單元之一耦合之一第一短接線的另一端；以及一絕緣層，位在該第一修復連接線與該第一短接線之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，其中各該第一修復連接線與該第一短接線與形成在該發射像素電路之不同層上之各別導電層位於相同層上且為相同材料。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該虛擬像素電路在各行之第一列及最後一列中的至少一列上、或在各列之第一行及最後一行中的至少一行上。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素電路及該虛擬像素電路具有相同的組成結構或功能。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，進一步包含一第二修復連接線，具有耦合到該修復線的一端以及重疊與該虛擬像素電路耦合之一第二短接線的另一端，以及一絕緣層，係位在該第二修復連接線與該第二短接線之間。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該修復線透過一電源連接線耦合到一電源電壓線。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素電路包含：一第一電晶體，配置以響應於一掃描訊號來傳輸一數據訊號；一電容器，配置以充入對應於該數據訊號的一電壓；以及一第二電晶體，配置以傳輸對應於充入該電容器之該電壓的一驅動電流至該發射裝置。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素電路進一步包含：一第一電晶體，配置以響應於一掃描訊號來接收來自一數據線的一數據訊號；一第二電晶體，配置以傳輸對應於該數據訊號之一驅動電流至該發射裝置；一第三電晶體，配置以二極體連接該第二電晶體；一第一電容器，配置以充入對應於該數據訊號的一電壓；以及一第二電容器，連接到該第一電容器的一電極以及該第二電晶體的一閘極電極。
  17. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素電路進一步包含：一第四電晶體，連接至該第一電晶體與該第一電容器之一電極之間；一第五電晶體，連接至該數據線與該第一電容器之一電極之間；以及一第三電容器，具有連接於位在該第一電晶體與該第四電晶體之間之一節點的一電極、以及連接到該第五電晶體的一閘極電極的另一電極。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素電路進一步包含：一第一電晶體，配置以響應於一掃描訊號來接收來自一數據線的一數據訊號；一第二電晶體，配置以傳輸對應於該數據訊號之一驅動電流至該發射裝置；一第三電晶體，配置以二極體連接該第二電晶體；一第四電晶體，連接於該第一電晶體與該第二電晶體之間；一第五電晶體，連接於該第二電晶體與該發射裝置之間；一第六電晶體，連接於該第二電晶體之一閘極電極與一初始化電源之間；一第一電容器，連接於該第二電晶體之該閘極電極與一第一電源之間；以及一第二電容器，具有連接於位在該第一電晶體與該第四電晶體之間之一節點的一電極、以及連接到一第二電源之另一電極。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該複數個子發射裝置包含：一第一子發射裝置，包含一第一下電極、面向該第一下電極的一上電極、及位在該第一下電極與該上電極之間的一第一發射層；以及一第二子發射裝置，包含一第二下電極、面向該第二下電極的該上電極、及位在該第二下電極與該上電極之間的一第二發射層，其中該第一下電極及該第二下電極透過該電極連接線而彼此耦合。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光顯示設備，其中該電極連接線包含：一第一連接單元，耦合至該第一下電極；一第二連接單元，耦合至該第二下電極；一第三連接單元，耦合至該發射像素電路；一第一切割節點，位在該第一連接單元與該第三連接單元之間；以及一第二切割節點，位在該第二連接單元與該第三連接單元之間。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含：一第一修復連接線，具有耦合到該修復線的一端以及重疊與一第一連接單元耦合之一第一短接線的另一端；一第一絕緣層，位在該第一修復連接線與該第一短接線之間；一第二修復連接線，具有耦合到該修復線的一端及重疊與該虛擬像素電路耦合之一第二短接線的另一端；以及一第二絕緣層，位在該第二修復連接線與該第二短接線之間。
  22. 一種在有機發光顯示設備中修復缺陷像素的方法，該有機發光顯示設備包含複數個發射像素，該複數個發射像素包含包括複數個子發射裝置之一發射裝置，該複數個子發射裝置係配置以接收來自一發射像素電路及一虛擬像素電路中之一個的一對應驅動電流，該方法包含：透過一修復線連接該缺陷像素至該虛擬像素電路；以及在該缺陷像素與該虛擬像素電路連接後，如果該缺陷像素無法正常發光，則分離該複數個子發射裝置。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中分離該複數個子發射裝置包含：在將複數個下電極彼此耦合的一電極連接線中於該發射像素電路之一連接單元與該複數個子發射裝置之每一個之該下電極的一連接單元之間作切割。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其進一步包含：在該缺陷像素與該虛擬像素電路耦合後，如果該缺陷像素正常發光，則將該發射像素電路與該發射裝置彼此分離。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中分離該發射像素電路與該發射裝置包含：切割耦合在該發射像素電路與該發射裝置之該下電極之間的至少一線路。
  26. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該缺陷像素與該虛擬像素電路的耦合包含：短接耦合至該發射裝置的一第一短接線與耦合至該虛擬像素電路的一第二短接線，其係藉由下列步驟：照射一雷射光束到一第一修復連接線，該第一修復連接線具有耦接至該修復線的一端及與該第一短接線重疊的另一端，其中一第一絕緣層位在該第一修復連接線及該第一短接線之間，以及照射該雷射光束到一第二修復連接線，該第二修復連接線具有耦接至該修復線的一端及與該第二短接線重疊的另一端，其中具一第二絕緣層位於該第二修復連接線與該第二短接線之間。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其進一步包含：將該缺陷像素之該複數個子發射裝置中的一缺陷子發射裝置與其他子發射裝置分離。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之方法，其中在該缺陷像素之該複數個子發射裝置中使該缺陷子發射裝置與該其他子發射裝置分離包含：在將該複數個子發射裝置的該複數個下電極彼此耦合之一電極連接線中，於該缺陷子發射裝置之該下電極的一連接單元與該發射像素電路的一連接單元之間作切割。
  29. 一種有機發光顯示設備，其包含：一發射像素，係在一顯示區域中，該發射像素包含一發射裝置及一發射像素電路，該發射裝置包含複數個子發射裝置；一虛擬像素，係在一非顯示區域中，該虛擬像素包含一虛擬像素電路；以及一修復線，係在該顯示區域和該非顯示區域中延伸，其中，該修復線耦合到該發射像素的該複數個子發射裝置的至少一子發射裝置和該虛擬像素的該虛擬像素電路。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之有機發光顯示設備，其中電性耦合到該修復線的該發射像素的該至少一子發射裝置與該發射像素電路分離，而該發射像素的其餘的該複數個子發射裝置電性耦合到該發射像素電路且與該修復線分離。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之有機發光顯示設備，其中該虛擬像素的該虛擬像素電路配置為透過該修復線將一驅動電流提供至該發射像素的該至少一子發射裝置，並且該發射像素的該發射像素電路配置為將該驅動電流提供至該發射像素的該其餘的該複數個子發射裝置。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素的該複數個子發射裝置與該發射像素電路分離。
  33. 如申請專利範圍第29項所述之有機發光顯示設備，其中該虛擬像素的該虛擬像素電路配置以在一預定時序透過該修復線施加一驅動電流至該發射像素的該發射裝置。
  34. 如申請專利範圍第29項所述之有機發光顯示設備，其中施加至該虛擬像素的該虛擬像素電路之數據訊號和施加至該發射像素的該發射像素電路之數據訊號相同。
  35. 如申請專利範圍第29項所述之有機發光顯示設備，其中該發射像素的至少一子發射裝置與該發射像素的該發射像素電路分離。
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