JP2021051150A - 表示装置の補修方法及び表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】不良が起きた場合にも、適切に使用可能とする。【解決手段】補修方法は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、無機発光体が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の無機発光体に接続される対向電極とを備える表示装置の補修方法である。補修方法は、不良となっている無機発光体である不良無機発光体を検出する検出ステップと、対向電極の、不良無機発光体に接続される部分と不良無機発光体に隣り合う前記無機発光体に接続される部分との間の部分を含む対象部分に対し、光を照射して、不良無機発光体を除去せずに残しつつ、対象部分を除去する除去ステップと、を含む。【選択図】図11

Description

本発明は、表示装置の補修方法及び表示装置に関する。
近年、表示素子として微小サイズの発光ダイオード(マイクロLED(micro LED))を用いた表示装置が注目されている(例えば、特許文献1参照)。複数の発光ダイオードは、アレイ基板(特許文献1ではドライババックプレーン)に接続され、アレイ基板は、発光ダイオードを駆動するための画素回路(特許文献1では電子制御回路)を備える。
特表2017−529557号公報
しかし、発光ダイオードを用いた表示装置は、発光ダイオードのサイズが小さいなどの理由により、発光ダイオードの基板への搭載など、製造が難しく、発光ダイオードの不良を招き易い。不良が起きた表示装置を破棄するなどして使用しない場合、歩留りが低下する。そのため、発光ダイオードを用いた表示装置において、不良が起きた場合にも、適切に使用可能とすることが求められている。
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、不良が起きた場合にも、適切に使用可能な表示装置の補修方法及び表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様による表示装置の補修方法は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、前記無機発光体が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の前記無機発光体に接続される対向電極とを備える表示装置の補修方法であって、不良となっている前記無機発光体である不良無機発光体を検出する検出ステップと、前記対向電極の、前記不良無機発光体に接続される部分と前記不良無機発光体に隣り合う前記無機発光体に接続される部分との間の部分を含む対象部分に対し、光を照射して、前記不良無機発光体を除去せずに残しつつ、前記対象部分を除去する除去ステップと、を含む。
本発明の一態様による表示装置は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、前記無機発光体が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の前記無機発光体に接続される対向電極と、を備え、前記対向電極は、前記光の進行方向側から見た場合に、前記無機発光体が設けられる部分と、その無機発光体に隣り合う前記無機発光体が設けられる部分において、開口が形成されている。
図1は、本実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。 図2は、複数の画素を示す平面図である。 図3は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。 図4は、図1のIV−IV’断面図である。 図5は、本実施形態に係る無機発光体の構成例を示す断面図である。 図6は、表示装置の補修の例を示す模式図である。 図7は、表示装置の補修の例を示す模式図である。 図8は、表示装置の補修の例を示す模式図である。 図9は、表示装置の補修の他の例を示す模式図である。 図10は、表示装置の補修の他の例を示す模式図である。 図11は、本実施形態に係る表示装置の補修方法を説明するフローチャートである。 図12は、表示装置の補修の具体例を説明する図である。 図13は、表示装置の補修の具体例を説明する図である。 図14は、表示装置の補修の具体例を説明する図である。 図15は、表示装置の補修の具体例を説明する図である。
以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
(表示装置の構成)
図1は、本実施形態に係る表示装置の構成例を示す平面図である。図1に示すように、表示装置1は、アレイ基板2と、画素Pixと、駆動回路12と、駆動IC(Integrated Circuit)210と、カソード配線60と、を含む。アレイ基板2は、各画素Pixを駆動するための駆動回路基板であり、バックプレーン又はアクティブマトリクス基板とも呼ばれる。アレイ基板2は、基板10、複数のトランジスタ、複数の容量及び各種配線等を有する。
図1に示すように、表示装置1は、表示領域AAと、周辺領域GAとを有する。表示領域AAは、複数の画素Pixが配置される領域であり、画像を表示する領域である。周辺領域GAは、複数の画素Pixと重ならない領域であり、表示領域AAの外側に配置される。
複数の画素Pixは、基板10の表示領域AAにおいて、第1方向Dx及び第2方向Dyに配列される。なお、第1方向Dx及び第2方向Dyは、アレイ基板2の基板10の第1面10a(図4参照)に対して平行な方向である。第1方向Dxは、第2方向Dyと直交する。ただし、第1方向Dxは、第2方向Dyと直交しないで交差してもよい。第3方向Dzは、第1方向Dx及び第2方向Dyと直交する方向である。第3方向Dzは、例えば、基板10の法線方向に対応する。以下、平面視とは、第3方向Dzから見た場合の位置関係を示す。
駆動回路12は、基板10の周辺領域GAに設けられる。駆動回路12は、駆動IC210からの各種制御信号に基づいて複数のゲート線(例えば、発光制御走査線BG、リセット制御走査線RG、初期化制御走査線IG及び書込制御走査線SG(図3参照))を駆動する回路である。駆動回路12は、複数のゲート線を順次又は同時に選択し、選択されたゲート線にゲート駆動信号を供給する。これにより、駆動回路12は、ゲート線に接続された複数の画素Pixを選択する。
駆動IC210は、表示装置1の表示を制御する回路である。駆動IC210は、基板10の周辺領域GAにCOG(Chip On Glass)として実装されてもよい。これに限定されず、駆動IC210は、基板10の周辺領域GAに接続された配線基板の上にCOF(Chip On Film)として実装されてもよい。なお、基板10に接続される配線基板は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。
カソード配線60は、基板10の周辺領域GAに設けられる。カソード配線60は、表示領域AAの複数の画素Pix及び周辺領域GAの駆動回路12を囲んで設けられる。複数の無機発光体100(図4参照)のカソード(カソード電極114(図4参照))は、共通のカソード配線60に接続され、固定電位(例えば、グランド電位)が供給される。より具体的には、無機発光体100のカソード電極114は、アレイ基板2上の対向カソード電極90eを介して、カソード配線60に接続される。なお、カソード配線14は、一部にスリットを有し、基板10上において、2つの異なる配線で形成されてもよい。
図2は、複数の画素を示す平面図である。図2に示すように、1つの画素Pixは、複数の画素49を含む。例えば、画素Pixは、第1画素49Rと、第2画素49Gと、第3画素49Bとを有する。第1画素49Rは、第1色としての原色の赤色を表示する。第2画素49Gは、第2色としての原色の緑色を表示する。第3画素49Bは、第3色としての原色の青色を表示する。図2に示すように、1つの画素Pixにおいて、第1画素49Rと第3画素49Bは第1方向Dxで並ぶ。また、第2画素49Gと第3画素49Bは第2方向Dyで並ぶ。なお、第1色、第2色、第3色は、それぞれ赤色、緑色、青色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。以下において、第1画素49Rと、第2画素49Gと、第3画素49Bとをそれぞれ区別する必要がない場合、画素49という。なお、1つの画素Pixに含まれる画素49は3つに限らず、4以上の画素49が対応づけられていてもよい。例えば、第4色として白色が対応付けられた第4画素49Wが含まれてもよい。また、複数の画素49の配置は、図2に示す構成に限定されない。例えば、第1画素49Rは第2画素49Gと第1方向Dxに隣り合っていてもよい。また、第1画素49R、第2画素49G、及び、第3画素49Bが、この順で第1方向Dxに繰り返し配列されてもよい。
画素49は、それぞれ無機発光体100を有する。表示装置1は、第1画素49R、第2画素49G及び第3画素49Bにおいて、無機発光体100ごとに異なる光を出射することで画像を表示する。無機発光体100は、平面視で、数μm以上、300μm以下程度の大きさを有する無機発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)チップであり、一般的には、一つのチップサイズが100μm以上をミニLED(miniLED)、100μm未満〜数μmのサイズをマイクロLED(micro LED)と呼ばれる。本発明ではいずれのサイズのLEDも用いることができ、表示装置の画面サイズ(一画素の大きさ)に応じて使い分ければよい。各画素にマイクロLED(micro LED)を備える表示装置は、マイクロLED表示装置とも呼ばれる。なお、マイクロLEDのマイクロは、無機発光体100の大きさを限定するものではない。
図3は、表示装置の画素回路の構成例を示す回路図である。図3に示す画素回路PICAは、第1画素49R、第2画素49G及び第3画素49Bのそれぞれに設けられる。画素回路PICAは、基板10に設けられ、駆動信号(電流)を無機発光体100に供給する回路である。なお、図3において、画素回路PICAについての説明は、第1画素49R、第2画素49G及び第3画素49Bのそれぞれが有する画素回路PICAに適用できる。
図3に示すように、画素回路PICAは、無機発光体100と、5つのトランジスタと、2つの容量と、を含む。具体的には、画素回路PICAは、発光制御トランジスタBCT、初期化トランジスタIST、書込トランジスタSST、リセットトランジスタRST及び駆動トランジスタDRTを含む。一部のトランジスタは、隣接する複数の画素49で共有されていてもよい。例えば、発光制御トランジスタBCTは、共通配線を介して、3つの画素49で共有されていてもよい。また、リセットトランジスタRSTは、周辺領域GAに設けられ、例えば画素49の各行に1つ設けられていてもよい。この場合、リセットトランジスタRSTは、共通配線を介して複数の駆動トランジスタDRTのドレインに接続される。ただし、リセットトランジスタRSTは、駆動トランジスタDRTのソースに接続されていてもよい。
画素回路PICAが有する複数のトランジスタは、それぞれn型TFT(Thin Film Transistor)で構成される。ただし、これに限定されず、各トランジスタは、それぞれp型TFTで構成されてもよい。p型TFTを用いる場合は、適宜電源電位や保持容量Cs1及び容量Cs2の接続を適合させてもよい。
発光制御走査線BGは、発光制御トランジスタBCTのゲートに接続される。初期化制御走査線IGは、初期化トランジスタISTのゲートに接続される。書込制御走査線SGは、書込トランジスタSSTのゲートに接続される。リセット制御走査線RGは、リセットトランジスタRSTのゲートに接続される。
発光制御走査線BG、初期化制御走査線IG、書込制御走査線SG及びリセット制御走査線RGは、それぞれ、駆動回路12(図1参照)に接続される。駆動回路12は、発光制御走査線BG、初期化制御走査線IG、書込制御走査線SG及びリセット制御走査線RGに、それぞれ、発光制御信号Vbg、初期化制御信号Vig、書込制御信号Vsg及びリセット制御信号Vrgを供給する。
駆動IC210(図1参照)は、第1画素49R、第2画素49G及び第3画素49Bのそれぞれの画素回路PICAに、時分割で映像信号Vsigを供給する。第1画素49R、第2画素49G及び第3画素49Bの各列と、駆動IC210との間には、マルチプレクサ等のスイッチ回路が設けられる。映像信号Vsigは、映像信号線L2を介して書込トランジスタSSTに供給される。また、駆動IC210は、リセット信号線L3を介して、リセット電源電位VrstをリセットトランジスタRSTに供給する。駆動IC210は、初期化信号線L4を介して、初期化電位Viniを初期化トランジスタISTに供給する。
発光制御トランジスタBCT、初期化トランジスタIST、書込トランジスタSST、及びリセットトランジスタRSTは、2ノード間の導通と非導通とを選択するスイッチング素子として機能する。駆動トランジスタDRTは、ゲートとドレインとの間の電圧に応じて、無機発光体100に流れる電流を制御する電流制御素子として機能する。
無機発光体100のカソード(カソード電極114)は、カソード電源線L10に接続される。また、無機発光体100のアノード(アノード電極112)は、駆動トランジスタDRT及び発光制御トランジスタBCTを介してアノード電源線L1(第1電源線)に接続される。アノード電源線L1には、アノード電源電位PVDD(第1電位)が供給される。カソード電源線L10には、カソード電源電位PVSS(第2電位)が供給される。アノード電源電位PVDDは、カソード電源電位PVSSよりも高い電位である。カソード電源線L10は、カソード配線60を含む。
また、画素回路PICAは、容量Cs1及び容量Cs2を含む。容量Cs1は、駆動トランジスタDRTのゲートとソースとの間に形成される保持容量である。容量Cs2は、駆動トランジスタDRTのソース及び無機発光体100のアノードと、カソード電源線L10との間に形成される付加容量である。
なお、画素回路PICAは、発光制御トランジスタBCTと駆動トランジスタDRTとの間に、トランジスタCCTを設けてもよい。この場合、トランジスタCCTのソースが発光制御トランジスタBCTのドレインに接続され、トランジスタCCTのドレインが駆動トランジスタDRTのソースに接続される。そして、トランジスタCCTのゲートには、トランジスタCCTのゲートに電位を供給する配線CGが接続される。配線CGを介してトランジスタCCTのゲートに電位が供給されることで、発光制御トランジスタBCTのドレインと駆動トランジスタDRTのソースとを導通状態にし、配線CGを介してトランジスタCCTのゲートに電位が供給されない場合に、発光制御トランジスタBCTのドレインと駆動トランジスタDRTのソースとを非導通状態にする。
表示装置1は、1行目の画素49から最終行の画素49まで駆動を行い1フレーム分の画像を1フレーム期間に表示する。
リセット期間では、駆動回路12から供給される各制御信号により、発光制御走査線BGの電位がL(ロウ)レベルとなり、リセット制御走査線RGの電位がH(ハイ)レベルとなる。これにより、発光制御トランジスタBCTがオフ(非導通状態)となり、リセットトランジスタRSTがオン(導通状態)となる。
これにより、画素49内に残留していた電荷が、リセットトランジスタRSTを通じて外部に流れ、駆動トランジスタDRTのソースがリセット電源電位Vrstに固定される。リセット電源電位Vrstは、カソード電源電位PVSSに対して所定の電位差を有して設定される。この場合、リセット電源電位Vrstとカソード電源電位PVSSとの電位差は、無機発光体100が発光を開始する電位差よりも小さい。
次に、駆動回路12から供給される各制御信号により、初期化制御走査線IGの電位がHレベルとなる。初期化トランジスタISTは、オンとなる。初期化トランジスタISTを介して駆動トランジスタDRTのゲートが初期化電位Viniに固定される。
次に、駆動回路12から供給される各制御信号により、初期化制御走査線IGの電位がHレベルとなる。初期化トランジスタISTは、オンとなる。初期化トランジスタISTを介して駆動トランジスタDRTのゲートが初期化電位Viniに固定される。
また、駆動回路12は、発光制御トランジスタBCTをオンとし、リセットトランジスタRSTをオフとする。駆動トランジスタDRTは、ソース電位が(Vini−Vth)になるとオフになる。これにより、画素49ごとに駆動トランジスタDRTのしきい値電圧Vthを取得することができ、画素49ごとのしきい値電圧Vthのばらつきがオフセットされる。
次に、映像信号書込動作期間では、駆動回路12から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタBCTがオフになり、初期化トランジスタISTがオフになり、書込トランジスタSSTがオンになる。1行に属する画素49において、映像信号Vsigが駆動トランジスタDRTのゲートに入力される。映像信号線L2は、第2方向Dyに延在し、同列に属する複数行の画素49に接続される。このため、映像信号書込動作期間は、1行ごとに実施される。
次に、発光動作期間では、駆動回路12から供給される各制御信号により、発光制御トランジスタBCTがオンになり、書込トランジスタSSTがオフになる。アノード電源線L1から、発光制御トランジスタBCTを介して駆動トランジスタDRTにアノード電源電位PVDDが供給される。駆動トランジスタDRTは、ゲートソース間の電圧に応じた電流を、無機発光体100に供給する。無機発光体100は、この電流に応じた輝度で発光する。
なお、駆動回路12は、1行ごとに画素49を駆動してもよいし、2行の画素49を同時に駆動してもよいし、3行分以上の画素49を同時に駆動してもよい。
なお、上述した図3に示す画素回路PICAの構成はあくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば1つの画素49での配線の数及びトランジスタの数は異なっていてもよい。また、画素回路PICAはカレントミラー回路等の構成を採用することもできる。
図4は、図1のIV−IV’断面図である。図4に示すように、表示装置1のアレイ基板2は、基板10と、複数のトランジスタと、を備える。基板10は、第1面10aと、第1面10aの反対側の第2面10bとを有する。基板10は、絶縁基板であり、例えば、ガラス基板、石英基板、又は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、若しくは、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂製のフレキシブル基板である。
なお、本明細書において、基板10の表面に垂直な方向において、基板10から無機発光体100に向かう方向を「上側」又は単に「上」とする。また、無機発光体100から基板10に向かう方向を「下側」又は単に「下」とする。また、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
アンダーコート層20は、基板10の第1面10a上に設けられる。なお、基板10の第1面10a上には、遮光層が設けられてもよい。この場合、アンダーコート層20が、遮光層を覆う。遮光層は、光を遮断するものであれば任意の材料であってよいが、例えば、モリブデンタングステン合金膜であってよい。
複数のトランジスタは、アンダーコート層20上に設けられる。例えば、基板10の表示領域AAには、複数のトランジスタとして、画素49に含まれる駆動トランジスタDRT及び書込トランジスタSSTがそれぞれ設けられている。基板10の周辺領域GAには、複数のトランジスタとして、駆動回路12に含まれるトランジスタTrCが設けられている。なお、複数のトランジスタのうち、駆動トランジスタDRT、書込トランジスタSST、及び、トランジスタTrCを示しているが、画素回路PICAに含まれる発光制御トランジスタBCT、初期化トランジスタIST及びリセットトランジスタRSTも、駆動トランジスタDRTと同様の積層構造を有する。なお、以下の説明において、複数のトランジスタを区別して説明する必要が無い場合は、単にトランジスタTrと表す。
トランジスタTrは、例えば両面ゲート構造のTFTである。トランジスタTrは、それぞれ、第1ゲート電極21と、第2ゲート電極31と、半導体層25と、ソース電極41sと、ドレイン電極41dと、を有する。第1ゲート電極21は、アンダーコート層20上に設けられる。絶縁膜24は、アンダーコート層20上に設けられて第1ゲート電極21を覆う。半導体層25は、絶縁膜24上に設けられる。半導体層25は、例えば、ポリシリコンが用いられる。ただし、半導体層25は、これに限定されず、微結晶酸化物半導体、アモルファス酸化物半導体、低温ポリシリコン等であってもよい。絶縁膜29は、半導体層25上に設けられる。第2ゲート電極31は、絶縁膜29上に設けられる。
アンダーコート層20、絶縁膜24、29、45は、無機絶縁膜であり、例えば、酸化シリコン(SiO)や窒化シリコン(SiN)などからなる。第3方向Dzにおいて、第1ゲート電極21と第2ゲート電極31は、絶縁膜24、半導体層25及び絶縁膜29を介して、対向している。絶縁膜24、29において、第1ゲート電極21と第2ゲート電極31とに挟まれた部分がゲート絶縁膜として機能する。また、半導体層25において、第1ゲート電極21と第2ゲート電極31とに挟まれた部分がトランジスタTrのチャネル領域27となる。半導体層25において、ソース電極41sと接続する部分がトランジスタTrのソース領域であり、ドレイン電極41dと接続する部分がトランジスタTrのドレイン領域である。チャネル領域27とソース領域との間及びチャネル領域27とドレイン領域との間には、それぞれ低濃度不純物領域が設けられる。なお、トランジスタTrとして、n型TFTのみ示しているが、p型TFTを同時に形成しても良い。
ゲート線31aは、駆動トランジスタDRTの第2ゲート電極31に接続される。基板10とゲート線31aとの間に絶縁膜29が設けられ、ゲート線31aと基板10との間に容量CSが形成される。第1ゲート電極21、第2ゲート電極31及びゲート線31aは、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)又はこれらの合金膜で構成されている。
本実施形態において、トランジスタTrは両面ゲート構造に限定されるものではない。トランジスタTrは、ゲート電極が第1ゲート電極21のみで構成されるボトムゲート型であってもよい。また、トランジスタTrは、ゲート電極が第2ゲート電極31のみで構成されるトップゲート型であってもよい。また、アンダーコート層20は無くてもよい。
表示装置1は、基板10の第1面10a上に設けられて複数のトランジスタTrを覆う絶縁膜35を有する。ソース電極41sは、絶縁膜35上に設けられ、絶縁膜35に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタTrの各ソースに接続される。ドレイン電極41dは、絶縁膜35上に設けられ、絶縁膜35に設けられた貫通孔を介して複数のトランジスタTrの各ドレインに接続される。周辺領域GAにおいてカソード配線60は、絶縁膜35上に設けられる。絶縁膜42は、ソース電極41s、ドレイン電極41d及びカソード配線60を覆う。絶縁膜35は無機絶縁膜、絶縁膜42は、有機絶縁膜である。ソース電極41s及びドレイン電極41dは、チタンとアルミニウムとの積層構造であるTiAlTi又はTiAlの積層膜で構成されている。また、絶縁膜42は、感光性アクリル等の有機材料が用いられる。
ソース電極41sの一部は、ゲート線31aと重なる領域に形成される。絶縁膜35を介して対向するゲート線31aとソース電極41sとで、容量Cs1が形成される。また、ゲート線31aは、半導体層25の一部と重なる領域に形成される。容量Cs1は、絶縁膜24を介して対向する半導体層25とゲート線31aとで形成される容量も含む。
表示装置1は、ソース接続配線43sと、ドレイン接続配線43dと、絶縁膜45と、対向アノード電極50eと、絶縁膜70と、平坦化膜80と、対向カソード電極90eと、カバー部92と、を有する。ソース接続配線43sは、絶縁膜42上に設けられ、絶縁膜42に設けられた貫通孔を介してソース電極41sに接続される。ドレイン接続配線43dは、絶縁膜42上に設けられ、絶縁膜42に設けられた貫通孔を介してドレイン電極41dに接続される。絶縁膜45は、絶縁膜42上に設けられてソース接続配線43sとドレイン接続配線43dとを覆う。対向アノード電極50eは、絶縁膜45上に設けられ、絶縁膜45に設けられた貫通孔を介して駆動トランジスタDRTのドレイン接続配線43dに接続される。無機発光体100は、対向アノード電極50eの上に設けられる、対向アノード電極50eは、無機発光体100のアノード電極112と接続されている。絶縁膜45を介して対向する対向アノード電極50eとソース接続配線43sとの間に、容量Cs2が形成される。ソース接続配線43sおよびドレイン接続配線43dは、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)等の透明性導電体で形成される。
絶縁膜70は、絶縁膜45上に設けられて対向アノード電極50eの側面を覆う。絶縁膜70は、対向アノード電極50eと重なる位置に、無機発光体100を実装するための開口を有する。絶縁膜70の開口の面積は、平面視において、無機発光体100の対向アノード電極50eとの接地面より大きい。また、対向アノード電極50eは、平面視において、無機発光体100の対向アノード電極50eとの接地面より大きい。平坦化膜80は、絶縁膜70上に設けられて無機発光体100の側面を覆う。対向カソード電極90eは、平坦化膜80上に設けられる。絶縁膜70は、無機絶縁膜であり、例えば、シリコン窒化膜(SiN)からなる。平坦化膜80は、有機絶縁膜あるいは無機有機ハイブリッド絶縁膜(Si−O主鎖に、たとえば有機基(メチル基あるいはフェニル基)が結合した材料)である。無機発光体100の上面(カソード電極114;図5参照)は、平坦化膜80から露出している。
対向カソード電極90eは、無機発光体100のカソード電極114に接続される。対向カソード電極90eは、表示領域AAの外側に設けられたコンタクトホールH1を介して、アレイ基板2側に設けられたカソード配線60と接続される。具体的には、コンタクトホールH1は、平坦化膜80及び絶縁膜42に設けられ、コンタクトホールH1の底面にカソード配線14が設けられる。カソード配線60は、絶縁膜35の上に設けられる。つまり、カソード配線60は、ソース電極41s、ドレイン電極41dと同層に設けられ、同じ材料で形成される。対向カソード電極90eは、表示領域AAから周辺領域GAまで連続して設けられ、コンタクトホールH1の底部でカソード配線60と接続される。カバー部92は、対向カソード電極90e上に設けられる。カバー部92は、例えばガラスなど、光を透過する部材で構成されるカバーである。ただし、カバー部92は必須の構成ではない。
なお、本実施形態では、対向アノード電極50eと無機発光体100のアノード電極112とが直接接続されているが、対向アノード電極50eとアノード電極112とは、接続層を介して接続されていてもよい。この場合、例えば、対向アノード電極50eを覆う絶縁膜が、絶縁膜66上に設けられ、この絶縁膜上に設けられた接続層が、絶縁膜66に設けられた貫通孔を介して対向アノード電極50eに接続される。そして、この接続層の上に、アノード電極が設けられる。この接続層は、導電性の部材である。
次に、無機発光体100の構成について説明する。図5は、本実施形態に係る無機発光体の構成例を示す断面図である。図5に示すように、無機発光体100は、無機発光素子102と、アノード電極112と、カソード電極114とを有している。
無機発光素子102は、発光を行う発光層である。無機発光素子102は、n型クラッド層104と、p型クラッド層106と、p型クラッド層106とn型クラッド層104との間に設けられる発光層108と、を有する。本実施形態において、無機発光素子102は、上側に向かって、p型クラッド層106、発光層108、n型クラッド層104の順で積層されて構成される。無機発光素子102としては、窒化ガリウム(GaN)、アルミニウムインジウムガリウムリン(AlInGaP)あるいはアルミニウムガリウムヒ素(AlGaAs)あるいはガリウムヒ素リン(GaAsP)等の化合物半導体が用いられる。さらに言えば、本実施形態において、p型クラッド層106及びn型クラッド層104は、窒化ガリウム(GaN)などが用いられる。また、発光層108としては、窒化インジウムガリウム(InGaN)などが用いられる。発光層108は、InGaN、GaNが積層された多量子井戸構造(MQW)でもよい。
無機発光体100は、上側に向かって、アノード電極112、p型クラッド層106、発光層108、n型クラッド層104、カソード電極114の順で積層されている。無機発光体100の下には、対向アノード電極50eが設けられ、無機発光体100の上には、対向カソード電極90eが設けられる。
対向アノード電極50eは、導電性の部材、ここでは金属材料を含む。本実施形態では、対向アノード電極50eは、チタン(Ti)とアルミニウム(Al)とを含み、例えば、チタンの層とアルミニウムの層とが第3方向Dzに沿って積層されている。対向アノード電極50eは、画素電極として、無機発光体100(画素49)毎に設けられている。
アノード電極110は、対向アノード電極50eの上に設けられる。アノード電極110は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばインジウムスズ酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)である。アノード電極110は、対向アノード電極50eに電気的に接続されている。アノード電極110の上には、p型クラッド層106が設けられている。アノード電極110は、p型クラッド層106と接続されている。
カソード電極114は、n型クラッド層104の上に設けられる。カソード電極114は、透光性を有する導電性の部材であり、例えばITOである。カソード電極114は、対向カソード電極90eに接続されている。
対向電極としての対向カソード電極90eは、透光性を有する導電性の部材であり、例えばITOである。対向カソード電極90eは、複数の(ここでは全ての)無機発光体100(画素49)に共通して設けられる共通電極であり、複数の(ここでは全ての)無機発光体100のカソード電極114に接続されている。
(表示装置の補修)
以上のように構成される表示装置1は、複数の無機発光体100の発光によって画像を表示する。無機発光体100を備える表示装置1は、例えば無機発光体100のサイズが小さいことによる搭載の困難性などが原因で、製造が難しく、不良を招く場合がある。不良とされた表示装置1を使用せず破棄処分にしたりすると、歩留りが低下してしまう。それに対し、本実施形態においては、不良とされた表示装置1を補修することで、不良となった表示装置1を使用可能な状態として、歩留りの低下を抑える。ここでの不良とは、表示装置1に搭載された少なくとも一部の無機発光体100が適切に発光しないことを指す。無機発光体100が適切に発光しない状態としては、滅点状態又は輝点状態が挙げられる。滅点状態とは、無機発光体100を発光させるための電流を流した場合にも、その無機発光体100が発光しない状態を指す。本実施形態では、無機発光体100を発光させるための電流を流した場合とは、発光動作期間に、アノード電源線L1から駆動トランジスタDRTを介して、無機発光体100に表示階調に応じた電流が供給された場合を指す。この場合、通常であれば、駆動トランジスタDRTから、ドレイン接続配線43d及び対向アノード電極50eを介して、無機発光体100のアノード電極112に、表示階調に応じた電流が供給され、無機発光体100はこの電流により発光する。しかし、滅点状態においては、アノード電源線L1から駆動トランジスタDRTを介して、無機発光体100に電流が供給される状態とした場合においても、すなわち無機発光体100を発光させるための電流を流した場合にも、無機発光体100が発光しない。一方、輝点状態とは、無機発光体100を発光させるための電流を流していない場合にも、その無機発光体100が発光する状態を指す。すなわち、無機発光体100を発光させるための電流を流していない場合、すなわちその無機発光体100に接続される駆動トランジスタDRTが本来オフになっていなければならない場合においても、その無機発光体100が発光する状態が、輝点状態である。
滅点状態に考えられる不良モードとしては、アノード電源線L1から無機発光体100までの間での断線、トランジスタの導通特性不良、対向カソード電極90eの形成不良による実装不良、又は無機発光体100自体の特性不良等が考えられる。この中で、対向カソード電極90eの形成不良による実装不良については、後述する補修を通じて正常な状態を回復することが可能である。
輝点状態に考えられる不良モードとしては、アノード電源線L1から無機発光体100までの間での、異物等による電源ショート、トランジスタのスイッチング特性不良が考えられる。つまり、輝点状態の場合は、基板側の問題となるため、補修によって正常な状態を回復することはできないが、後述する補修を通じて、滅点化することが可能である。滅点は不良であるが、デバイスの品質として見たとき、輝点不良よりも許容度があるため、輝点不良の滅点化は有効である。
本実施形態に係る表示装置1の補修方法においては、最初に、表示装置1に搭載された無機発光体100のうちから、不良となっている無機発光体100である不良無機発光体100Aを検出する。不良無機発光体100Aとは、輝点状態、又は滅点状態となっている無機発光体100である。本実施形態では、例えば、アレイ基板2上に、対向アノード電極50e、無機発光体100、及び対向カソード電極90eを積層して、表示装置1を製造する。言い換えれば、表示装置1の、対向カソード電極90eより下側の各部と、対向カソード電極90eとを、形成する。そして、その表示装置1に対して点灯検査を行って、不良無機発光体100Aを検出する。点灯検査では、例えば、全ての無機発光体100に対し、無機発光体100を発光させるための電流を流して、発光しない無機発光体100を、滅点状態の不良無機発光体100Aとして検出する。また、無機発光体100のうち、その無機発光体100を発光させるための電流を流していないのに発光している無機発光体100を、輝点状態の不良無機発光体100Aとして検出する。
図6及び図7は、表示装置の補修の例を示す模式図である。本実施形態に係る表示装置1の補修方法においては、不良無機発光体100Aを検出したら、検出した不良無機発光体100Aの位置に基づき、対向カソード電極90eの、これから除去する部分である対象部分ARを、決定する。すなわち、本補修方法においては、不良無機発光体100Aの位置に基づき、対向カソード電極90eの除去する部分を決める。図6は、上側から対向カソード電極90eを見た場合の模式図であり、図7は、無機発光体100の近傍の断面の模式図である。図6に示すように、本補修方法においては、対向カソード電極90eの全域のうち、不良無機発光体100Aに接続されている部分AR1と、部分AR1の外周を囲う部分AR2とを、対象部分ARとして決定する。
部分AR1は、対向カソード電極90eの、不良無機発光体100Aのカソード電極114に接続されている部分であり、言い換えれば、平面視において、不良無機発光体100Aのカソード電極114に重なる部分である。部分AR2は、対向カソード電極90eの、部分AR1の外周の全区間を、言い換えれば部分AR1の全周を、囲う部分であり、無機発光体100に接続される部分は含まない。さらに言えば、平面視における不良無機発光体100Aの中心点を中心点Axとして、平面視において中心点に近づく方向を放射方向内側とし、平面視において中心点に近づく方向を放射方向外側とする。この場合、部分AR2は、平面視において、部分AR1よりも放射方向外側であって、部分AR3よりも、放射方向内側に位置するといえる。部分AR3は、対向カソード電極90eの、不良無機発光体100Aに隣り合う無機発光体100Aに接続される部分を指す。さらに詳しくは、部分AR2の外縁(外周)の全区間を外縁AR2aとすると、本実施形態においては、対象部分ARは、外縁AR2aの放射方向内側の全域であるといえる。外縁AR2aは、平面視において、部分AR1より放射方向外側であって、部分AR3よりも放射方向内側に位置する。なお、不良無機発光体100Aが複数選定された場合は、不良無機発光体100A毎に、対象部分ARを決定する。
対象部分ARの位置を決定したら、本実施形態においては、図7に示すように、光照射装置LUによって、対向カソード電極90eの対象部分ARに対して、光LIを照射する。対向カソード電極90eの対象部分ARは、光LIが当たることによって、除去されて、空間AR0が形成される。空間AR0は、対向カソード電極90eの対象部分ARが除去されて形成された空間である。図6及び図7は、対象部分ARが除去されて空間AR0が形成されている状態を示している。なお、本補修方法においては、対向カソード電極90eの対象部分ARに加え、無機発光体100にも光LIを当ててもよい。光LIは、対向カソード電極90eに当たった場合に対向カソード電極90eを分解して除去するが、無機発光体100に当たった場合にも無機発光体100を分解しない。すなわち、無機発光体100に光LIを当てても、無機発光体100は、光LIによりダメージを受けず、例えば炭化しない。光LIは、例えば紫外領域の波長の光であり、216nm以上316nm以下の波長の光であることが好ましく、240nm以上282nm以下であることがより好ましい。光LIは、本実施形態では、例えばレーザ光である。本実施形態では、1つの対象部分ARに対して、ワンショットでパルス状の光LIを照射して、対象部分ARを除去するが、例えば光LIを走査することで、対向カソード電極90e上での光LIの軌跡を動かして、対象部分ARを除去してもよい。
本補修方法では、このようにして、対向カソード電極90eの対象部分ARを除去する。本補修方法では、不良無機発光体100Aについては、表示装置1から除去しないまま残す。すなわち、補修後の表示装置1は、対象部分ARにおいて対向カソード電極90eが設けられておらず(除去されており)、かつ、不良無機発光体100Aが残っている。言い換えれば、補修後の表示装置1は、対向カソード電極90eと、対向カソード電極90eに設けられる開口(空間AR0)と、不良無機発光体100Aとを含むといえる。この開口(空間AR0)は、上述で対象部分ARの位置として説明した位置に、形成されているといえる。開口(空間AR0)は、例えば、平面視において、無機発光体100(不良無機発光体100A)が設けられる部分AR1と、その無機発光体100(不良無機発光体100A)に隣り合う無機発光体100が設けられる部分AR3との間に、形成されている。
対象部分ARは、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続された部分を含むため、対象部分ARが除去されることで、不良無機発光体100Aは、対向カソード電極90eと非接続となる。そのため、例えば不良無機発光体100Aが輝点状態であった場合には、不良無機発光体100Aから、対向カソード電極90eを経てカソード配線60に電流が流れなくなるため、不良無機発光体100Aが点灯しなくなり、輝点状態が解消される。なお、この場合は滅点状態となるが、滅点状態は、不要な際に点灯する輝点状態に比べて、不良が目立たないため、このように補修することにより、表示装置1を使用可能な状態にすることができる。
図8は、表示装置の補修の例を示す模式図である。本補修方法においては、例えば図8に示すように、対向カソード電極90eの対象部分ARが除去されて形成された空間AR0に、導電部材94を設けてもよい。導電部材94は、透光性を有する(無機発光体100からの光を透過する)導電性の部材である。導電部材94は、対向カソード電極90eと別材料であることが好ましく、例えば、透光性及び導電性を有するポリマーが用いられる。本補修方法においては、空間AR0に導電部材94を充填することで、導電部材94が不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとに接触して、導電部材94を介して、不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとを電気的に接続する。従って、例えば対向カソード電極90eと不良無機発光体100Aとの接続不良により滅点となっていた場合に、導電部材94によって、不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとを接続することができるため、滅点を解消して、表示装置1を使用可能な状態にすることができる。なお、導電部材94を設けても不良が解消されない可能性もあるため、本補修方法においては、導電部材94を設けてよいか、すなわち不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとが再接続可能であるかを判定することが好ましい。そして、導電部材94を設けてよいと判定した場合に、導電部材94を設け、導電部材94を設けてよくないと判定した場合には、導電部材94を設けない。導電部材94を設けてよいと判定する判定基準は任意に決めてよいが、代表的には、対向カソード電極90eの形成不良に起因するものであれば、導電部材94を設けてよいと判断してよい。例えば後述の図13に示すように対向カソード電極90eと対向アノード電極50eとが短絡している場合に、短絡している対向カソード電極90eを除去し、露出した対向アノード電極50eを被覆してから導電部材94を設けてよいと判定してよい。このように導電部材94を設けた場合、補修後の表示装置1は、対向カソード電極90eと、対向カソード電極90eに設けられる開口(空間AR0)と、その開口に設けられる導電部材94と、不良無機発光体100Aとを含むといえる。この開口(空間AR0)は、上述で対象部分ARの位置として説明した位置に、形成されているといえる。
なお、上述の説明では、対向カソード電極90eの対象部分ARは、不良無機発光体100Aに接続される部分AR1と、部分AR1の放射方向外側の部分AR2と、を含む。ただし、対象部分ARは、部分AR1と部分AR2とを含むことに限られない。対象部分ARは、部分AR1と部分AR3との、間の部分を含めばよい。図9から図10は、表示装置の補修の他の例を示す模式図である。例えば図9に示すように、対象部分ARは、部分AR1を含まず部分AR2を含んでいてもよい。図9に示す部分AR2は、対向カソード電極90eの全域のうち、部分AR1の全周を囲い、平面視において、部分AR1よりも放射方向外側であって部分AR3よりも放射方向内側の部分となる。部分AR2の内縁(内周)を内縁AR2bとすると、内縁AR2bは、部分AR1の外周よりも放射方向外側であってもよい。言い換えれば、図9に示す部分AR2は、部分AR1に接続されておらず、部分AR2と部分AR1との間には、対向カソード電極90eがあるといえる。ただし、例えば、内縁AR2bは、部分AR1の外周と同じ位置、又は部分AR1の外周より放射方向内側にあってよい。
また、この場合、図10に示すように、対向カソード電極90eの対象部分AR(部分AR2)に対して光LIを照射することで、対象部分AR(部分AR2)を除去して、空間AR0を形成する。対象部分ARが部分AR2のみを含む場合、すなわち対象部分ARが枠状である場合、光LIを走査することで、対向カソード電極90eでの光LIの軌跡を動かして、枠状の対象部分ARを除去することが好ましい。
このように、対象部分ARとして部分AR2を除去することにより、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続される部分AR1と、対向カソード電極90eの対象部分AR(空間AR0)より放射方向外側の部分とは、非接続となる。そのため、不良無機発光体100Aは、対向カソード電極90eの対象部分AR(空間AR0)よりも放射方向外側の部分と、非接続となる。そのため、例えば不良無機発光体100Aが輝点状態であった場合には、不良無機発光体100Aから、対象部分ARより外側の対向カソード電極90eに電流が流れなくなるため、不良無機発光体100Aが点灯しなくなり、輝点状態が解消される。この場合においては、空間AR0に導電部材94を形成せず、部分AR1と対向カソード電極90eの対象部分AR(空間AR0)より放射方向外側の部分とを、電気的に非接続のままとしてよい。
以上説明した表示装置1の補修方法を、フローチャートに基づき説明する。図11は、本実施形態に係る表示装置の補修方法を説明するフローチャートである。図11に示すように、本補修方法は、表示装置1の対向カソード電極90eが形成されたら(ステップS10)、すなわち、表示装置1の、対向カソード電極90eより下側の各部と、対向カソード電極90eとが形成されたら、点灯検査を実行して(ステップS12)、不良無機発光体100Aがあるかを検出する(ステップS14;検出ステップ)。不良無機発光体100Aが検出された場合(ステップS14;Yes)、本補修方法においては、不良無機発光体100Aの位置に基づき、対向カソード電極90eの対象部分ARを決定する(ステップS16)。例えば本実施形態においては、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続される部分AR1と、部分AR1の放射方向外側の部分AR2とを、対象部分ARとして決定する。対象部分ARを決定したら、対象部分ARに光LIを照射して、対向カソード電極90eの対象部分ARを除去して(ステップS18)、空間AR0を形成する。これにより、不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとが非接続となる。なお、不良無機発光体100Aが複数ある場合は、不良無機発光体100A毎に対象部分ARを決定して、それぞれの対象部分ARを除去する。対象部分ARを除去したら、再接続可能か、すなわち空間AR0に導電部材94を設けてよいかを、判定する(ステップS20)。再接続が可能な場合(ステップS20;Yes)、対向カソード電極90eを除去した部分、すなわち空間AR0に、導電部材94を充填する(ステップS22)。これにより、不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとが、導電部材94を介して、接続される。不良無機発光体100Aが複数ある場合は、ステップS20についても、それぞれの不良無機発光体100Aに対応する対象部分AR毎に、再接続可能かを判断して、導電部材94を充填する。
ステップS22で導電部材94を充填した場合、再接続が不可能な場合(ステップS20;No)、及び、不良無機発光体100が検出されなかった場合(ステップS14;No)には、本処理を終了する。なお、この場合、対向カソード電極90eの上にカバー部92を形成して、表示装置1を完成させてもよい。
(補修の具体例)
次に、表示装置1の補修の具体例について説明する。なお、以降で説明する捕集の例は、一例であるため、補修方法は、以降の例に限られない。
図12から図15は、表示装置の補修の具体例を説明する図である。表示装置1を製造する際には、無機発光体100をアレイ基板2に積層した後、絶縁膜70や平坦化膜80を積層する。しかし、図12のステップS30に示すように、例えば無機発光体100の近傍で絶縁膜70や平坦化膜80が適切に積層されない場合には、無機発光体100の下の対向アノード電極50eが、絶縁膜70や平坦化膜80に覆われず、露出する場合がある。この場合に、さらに対向カソード電極90eを形成すると、対向カソード電極90eが、露出した対向アノード電極50e上に形成され、対向カソード電極90eと対向アノード電極50eとが接続されてしまう場合がある。この場合、対向アノード電極50eに流れた電流が、無機発光体100に流れず、短絡して、対向カソード電極90eに流れてしまう。この場合、無機発光体100に電流が供給されないため、滅点状態となる。対向カソード電極90eに短絡する対向アノード電極50eに接続されている無機発光体100が、不良無機発光体100Aになるといえる。
このように、対向カソード電極90eと対向アノード電極50eとが直接接触している場合、ステップS32に示すように、対向カソード電極90eの対向アノード電極50eに接続されている部分を対象部分ARに含めて、対象部分ARに光LIを照射して、対象部分ARを除去する。対向カソード電極90eの対象部分ARを除去することで、対向アノード電極50eが対象カソード電極90eと非接続になり、短絡が解消される。なお、対向カソード電極90eの対象部分ARに加え、平坦化膜80や絶縁膜70にも光LIを照射して、無機発光体100Aの周りの平坦化膜80や絶縁膜70を除去してもよい。
次に、光LIによって除去した部分、すなわち空間AR0を、絶縁性の部材である絶縁部材96で充填する。さらに言えば、この場合は、無機発光体100の周囲の平坦化膜80や絶縁膜70が積層されていなかった箇所や、光LIが照射されて除去された平坦化膜80や絶縁膜70が存在していた箇所も、絶縁部材96で充填する。なお、図12の場合、無機発光体100Aの滅点状態は解消されないが、対向アノード電極50eと対向カソード電極90eとの短絡を解消するため、短絡による悪影響を抑えて、表示装置1を使用可能な状態にすることができる。
また、図13に示すように、空間AR0に導電部材94を充填することで、対向アノード電極50eと対向カソード電極90eとの短絡を解消しつつ、無機発光体100と対向カソード電極90eとを接続させてもよい。この場合は、滅点も解消できる。具体的には、この場合は、図13のステップS34に示すように、不良無機発光体100Aのカソード電極114を露出したまま残るように、絶縁部材96を充填する。言い換えれば、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続されていた部分ARがあった空間には、絶縁部材96を充填しない。
そして、ステップS36に示すように、絶縁部材96に覆われず露出しているカソード電極114の上の空間、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続されていた部分ARがあった空間と、その周囲の空間とに、導電性部材96を設ける。これにより、残っている対向カソード電極90eと、不良無機発光体100Aのカソード電極114とが、導電性部材96で接続される。以上の工程を実行することで、対向アノード電極50eと対向カソード電極90eとの短絡を解消しつつ、無機発光体100と対向カソード電極90eとを接続させることで、滅点状態も解消できる。
図14のステップS40は、不良の別の具体例を示している。図14のステップS40に示すように、例えば無機発光体100を積層する際に、例えば無機発光体100に余計な荷重がかかると、無機発光体100の下の対向アノード電極50eが、無機発光体100に押し下げられる場合がある。この場合、対向アノード電極50eの下の絶縁膜45が破壊されて、対向アノード電極50eと、絶縁膜45の下の電極に接触して、その電極と対向アノード電極50eとが短絡する場合がある。なお、図14の例では、対向アノード電極50eとソース接続配線43sとが接触して短絡しているが、対向アノード電極50eに接触する電極は、ソース接続配線43sに限られず、例えば、対向アノード電極50eと容量Cs2を形成する電極であればよい。このように対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極とが短絡している状態で、その電極に高電位(例えばアノード電源電位PVDD)が印加されている場合は、その対向アノード電極50eに接続される無機発光体100(不良無機発光体100A)は、輝点状態となる。また、その電極に低電位(例えばカソード電源電位PVSS)が印加されている場合は、その対向アノード電極50eに接続される無機発光体100(不良無機発光体100A)は、滅点状態となる。
このように対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極とが直接接触している場合、ステップS42に示すように、対向カソード電極90eの不良無機発光体100Aに接続されている部分AR1と、部分AR1の周囲の部分AR2とを、光LIの照射により、対象部分ARとして除去する。なお、ステップS42では、不良無機発光体100Aの周囲の平坦化膜80や絶縁膜70も除去しているが、平坦化膜80や絶縁膜70の除去は必須ではない。
次に、ステップS44に示すように、光LIの照射により除去された部分(空間AR0)を、絶縁部材96で充填する。このように処理することにより、不良無機発光体100Aと対向カソード電極90eとを非接続にできるので、例えば輝点状態を解消できる。なお、対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極とは短絡したままとなるため、発光動作期間において貫通電流が流れるが、値は小さいため放置しても問題無いといえる。
図15は、対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極とが直接接触している場合の、他の補修例を示している。対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極とが直接接触している場合、図15のステップS46に示すように、不良無機発光体100Aに接続される対向アノード電極50eの少なくとも一部に光LIを照射して、除去する。より詳しくは、不良無機発光体100Aに接続される対向アノード電極50eの、ドレイン接続配線43dとの接続箇所に光LIを照射して、対向アノード電極50eのドレイン接続配線43dとの接続箇所を除去する。この場合、対向アノード電極50eの上側の平坦化膜80、絶縁膜70、及び対向カソード電極90eの、対向アノード電極50eの上側に対向する部分にも、光LIが照射されるため、これらも除去される。この場合、平面視において、対向カソード電極90eの、対向アノード電極50eのドレイン接続配線43dとの接続箇所に重畳する部分が、対象部分ARであるといえる。この場合の対象部分AR(対向アノード電極50eのドレイン接続配線43dとの接続箇所に重畳する部分)は、不良無機発光体100Aに接続されている部分AR1を囲っていないが、部分AR1と、隣りの無機発光体100Aに接続される部分AR3との、間の部分であるといえる。また、この場合においても、部分AR1や、部分AR1の周囲の部分AR2も、対象部分ARに含めてよい。言い換えれば、対向カソード電極90eの、不良無機発光体100Aに接続する部分やその周囲の部分も、除去してよい。
対向アノード電極50eのドレイン接続配線43dとの接続箇所を除去したら、ステップS48に示すように、光LIの照射により除去された部分に、絶縁部材96を充填する。このように対向アノード電極50eのドレイン接続配線43dとの接続箇所を除去することで、駆動トランジスタDRTと対向アノード電極50eとが非接続となり、対向アノード電極50eに電流が供給されずに、輝点状態が解消されると共に、上述の貫通電流が抑えられる。
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置1の補修方法においては、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体100と、無機発光体100が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の無機発光体100に接続される対向電極(対向カソード電極90e)とを備える表示装置1を補修する。本補修方法は、不良無機発光体100Aを検出する検出ステップと、対向電極(対向カソード電極90e)の対象部分ARに対し光LIを照射して、不良無機発光体100Aを除去せずに残しつつ、対象部分ARを除去する除去ステップと、を含む。対象部分ARは、対向電極(対向カソード電極90e)の、不良無機発光体100Aに接続される部分AR1と、不良無機発光体100Aに隣り合う無機発光体100に接続される部分AR3との、間の部分を含む。
本実施形態に係る補修方法においては、対向カソード電極90eの、部分AR1とAR3との間の部分を除去するため、表示装置1の不良を改善して、不良が起きた場合にも、表示装置1を適切に使用可能にすることができる。また、不良無機発光体100Aを除去せず残すことで、不良無機発光体100Aを除去するプロセスが不要となり、容易に補修することが可能となる。また、例えば導電部材94を設けることで、不良無機発光体100Aを取り替えることなく不良を解消して、適切に点灯させることもできる。
また、対象部分ARは、対向電極(対向カソード電極90e)の部分AR1の外周を囲う部分AR2を含む。本実施形態に係る補修方法においては、除去ステップにおいて対象部分ARを除去することで、不良無機発光体100Aを、対向電極(対向カソード電極90e)の対象部分ARよりも外側の部分と、非接続にする。本実施形態に係る補修方法においては、不良無機発光体100Aを、外側の対向カソード電極90eと非接続とすることで、不良無機発光体100Aから外側の対向カソード電極90eに電流が流れることが抑えられて、例えば輝点状態を適切に解消できる。
また、対象部分ARは、対向電極(対向カソード電極90e)の不良無機発光体100Aに接続されている部分AR1を含み、除去ステップにおいて対象部分ARを除去することで、不良無機発光体100Aと対向電極(対向カソード電極90e)とを、非接続とする。本実施形態に係る補修方法においては、不良無機発光体100Aから対向カソード電極90eに電流が流れることが抑えられて、例えば輝点状態を適切に解消できる。
また、除去ステップにおいて、さらに、無機発光体100の対向電極(対向カソード電極90e)と反対側に接続されている電極の少なくとも一部に光を照射して、除去する。これにより、例えば、対向アノード電極50eと絶縁膜45の下の電極との短絡を抑えることができる。
また、本実施形態に係る補修方法は、除去ステップで対向電極(対向カソード電極90e)が除去されて形成された空間AR0に、導電性部材94を設けて、不良無機発光体100Aと対向電極(対向カソード電極90e)とを、導電性部材94を介して電気的に接続する再接続ステップをさらに含む。この場合、例えば滅点状態を適切に解消できる。
また、本実施形態に係る補修方法は、検出ステップにおいて、無機発光体100を発光させるための電流を流した場合にも発光しない無機発光体100と、無機発光体100を発光させるための電流を流していない場合にも発光する無機発光体100との、少なくともいずれかの無機発光体100を、不良無機発光体100Aとして検出する。すなわち、滅点状態と輝点状態とを検出して、その状態の不良無機発光体100Aを補修するため、輝点状態や滅点状態であった場合でも、表示装置1を適切に使用可能にすることができる。
また、本実施形態に係る補修後の表示装置1は、マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体100と、無機発光体100が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の無機発光体100に接続される対向電極(対向カソード電極90e)と、を備える。対向電極(対向カソード電極90e)は、無機発光体100からの光の進行方向側から見た場合に、すなわち平面視において、無機発光体100が設けられる部分と、その無機発光体100に隣り合う無機発光体100が設けられる部分において、開口(空間AR0)が形成されている。このような表示装置1は、例えば不良があった場合においても、適切に補修されているため、適切に使用可能である。
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
1 表示装置
50e 対向アノード電極
90e 対向カソード電極(対向電極)
100 無機発光体
100A 不良無機発光体
AR 対象部分
AR1、AR2、AR3 部分
LI 光

Claims (7)

  1. マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、前記無機発光体が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の前記無機発光体に接続される対向電極とを備える表示装置の補修方法であって、
    不良となっている前記無機発光体である不良無機発光体を検出する検出ステップと、
    前記対向電極の、前記不良無機発光体に接続される部分と前記不良無機発光体に隣り合う前記無機発光体に接続される部分との間の部分を含む対象部分に対し、光を照射して、前記不良無機発光体を除去せずに残しつつ、前記対象部分を除去する除去ステップと、を含む、
    表示装置の補修方法。
  2. 前記対象部分は、前記対向電極の前記不良無機発光体に接続されている部分の外周を囲う部分を含み、前記除去ステップにおいて前記対象部分を除去することで、前記不良無機発光体を、前記対向電極の前記対象部分よりも外側の部分と、非接続にする、請求項1に記載の表示装置の補修方法。
  3. 前記対象部分は、前記対向電極の前記不良無機発光体に接続されている部分を含み、前記除去ステップにおいて前記対象部分を除去することで、前記不良無機発光体と前記対向電極とを、非接続とする、請求項1又は請求項2に記載の表示装置の補修方法。
  4. 前記除去ステップにおいて、さらに、前記無機発光体の前記対向電極と反対側に接続されている電極の少なくとも一部に光を照射して、除去する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表示装置の補修方法。
  5. 前記除去ステップで前記対向電極が除去されて形成された空間に、導電性部材を設けて、前記不良無機発光体と前記対向電極とを、前記導電性部材を介して電気的に接続する再接続ステップをさらに含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置の補修方法。
  6. 前記検出ステップにおいて、前記無機発光体を発光させるための電流を流した場合にも発光しない前記無機発光体と、前記無機発光体を発光させるための電流を流していない場合にも発光する前記無機発光体との、少なくともいずれかの前記無機発光体を、前記不良無機発光体として検出する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示装置の補修方法。
  7. マトリクス状に並ぶ複数の無機発光体と、
    前記無機発光体が発光する光の進行方向側に設けられて、複数の前記無機発光体に接続される対向電極と、を備え、
    前記対向電極は、前記光の進行方向側から見た場合に、前記無機発光体が設けられる部分と、その無機発光体に隣り合う前記無機発光体が設けられる部分において、開口が形成されている、表示装置。
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