KR100666639B1 - 더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 평판표시장치는 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판을 포함한다. 상기 화소 어레이 영역 상에 화소전극들 및 화소구동회로들을 각각 구비하는 화소들이 위치한다. 상기 더미 영역 상에 더미 셀들이 위치한다. 상기 각 더미 셀은 상기 화소전극에 전기적 신호를 인가하기 위한 더미구동회로를 구비한다.
평판표시장치, 화소구동회로, 화소불량, 더미 셀

Description

더미 셀을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법{flat panel display device having dummy cell and fabricating method of the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 어레이를 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 어레이를 나타낸 레이아웃도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 절단선 Ｉ-Ｉ'를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
S1, S2, Sa, Sn : 스캔 라인 D1, D2, D3, Db, Dm : 데이터 라인
Dd : 더미 데이터 라인 DL1, DL2, DLa, DLn : 더미 라인
Vdd : 공통전원 라인 M1 : 스위칭 트랜지스터
M2 : 구동 트랜지스터 EL : 발광소자
141_Pab, 141_Pam : 화소전극 160 : 유기기능막
170 : 대향전극
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 리페어 가능한 평판표시장치에 관한 것이다.
평판표시장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 최근 음극선관 표시장치(cathode-ray tube display)를 대체하는 표시장치로서 대두되고 있다. 이러한 평판표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display; OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 및 전계방출표시장치(Field Emission Display; FED)가 있다.
이러한 평판표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 N×M 개의 화소들을 구동하는 방식에 따라 수동 매트릭스(passive matrix)방식과 능동 매트릭스(active matrix)방식으로 나뉘어진다. 상기 능동 매트릭스 방식의 평판표시장치는 상기 수동 매트릭스 방식에 비해 전력소모가 적어 대면적 구현에 적합하며 고해상도를 갖는 장점이 있다.
상기 능동 매트릭스 평판표시장치, 자세하게는 능동 매트릭스 액정표시장치또는 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치의 각 화소는 액정캐패시터 또는 발광다이오드; 및 상기 액정캐패시터 또는 발광다이오드에 접속하는 화소구동회로를 구비한다. 상기 화소구동회로는 박막트랜지스터 및 캐패시터를 구비한다. 이러한 액정표시장치 또는 유기전계발광표시장치에 있어서, 상기 화소구동회로 즉, 상기 박막 트랜지스터 또는 상기 캐패시터에 결함이 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 결함을 가진 화소구동회로에 연결된 발광다이오드 또는 액정캐패시터는 암점 또는 명점불량을 야기할 수 있다.
이러한 화소구동회로의 결함으로 인한 화소불량은 그 원인지점(origin)을 정확히 찾아내기 힘들며, 설사 원인지점을 찾았다 하더라도 화소구동회로는 기판에 인접한 깊숙한 곳에 위치하여 상기 원인지점에 레이저를 조사하여 리페어하는 것은 거의 불가능하다. 따라서, 화소구동회로의 결함으로 인한 화소불량은 리페어하는 것이 힘든 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화소구동회로에 결함이 발생함으로써 화소불량이 발생한 경우, 이러한 불량화소를 리페어할 수 있는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 실시예는 평판표시장치를 제공한다. 상기 평판표시장치는 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판을 포함한다. 상기 화소 어레이 영역 상에 화소전극들 및 화소구동회로들을 각각 구비하는 화소들이 위치한다. 상기 더미 영역 상에 더미 셀들이 위치한다. 상기 각 더미 셀은 상기 화소전극에 전기적 신호를 인가하기 위한 더미구동회로를 구비한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 실시예는 평판표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판을 제공하는 것을 포함한다. 상기 화소 어레이 영역 상에 화소구동회로를, 상기 더미 영역 상에 더미구동회로를, 상기 더미 영역 상에서 상기 더미구동회로와 전기적으로 연결되고 상기 화소 어레이 영역으로 연장된 더미 라인을 형성한다. 상기 화소 어레이 영역 상에 상기 화소구동회로에 접속하고, 상기 더미 라인에 중첩하는 화소전극을 형성한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 어레이를 나타낸 회로도이다. 도 2는 도 1의 A부분에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 화소 어레이를 나타낸 레이아웃도이다.
도 1 및 도 2을 참조하면, 기판은 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비한다. 상기 화소 어레이 영역 상에 화소들(P11, P12,… Pnm)이 배열되고, 상기 더미 영역 상에 더미 셀들(DC1, DC2,…DCa,… DCn)이 배열된다.
상기 화소 어레이 영역 및 상기 더미 영역 상에 스캔 라인들(S1, S2,…Sa,…Sn)이 일방향으로 배치된다. 상기 화소 어레이 영역 상에 데이터 라인들(D1, D2, D3, …Db,…Dm)이 상기 스캔 라인들(S1, S2,…Sa,…Sn)에 교차하도록 배치된다. 그 결과, 상기 화소들(P11, P12,… Pnm)은 상기 스캔 라인들(S1, S2,…Sa,…Sn)과 상기 데이터 라인들(D1, D2, D3, …Db,…Dm)의 교차에 의해 정의된다. 또한, 상기 더미 영역 상에 더미 데이터 라인(Dd)이 상기 스캔 라인들(S1, S2,…Sa,…Sn)에 교차하도록 배치된다. 그 결과, 상기 더미 셀들(DC1, DC2,…DCa,…DCn)은 상기 스캔 라인들(S1, S2,…Sa,…Sn)과 상기 더미 데이터 라인(Dd)의 교차에 의해 정의된다.
상기 각 화소(P11, P12,… Pnm)는 화소전극 및 상기 화소전극에 전기적으로 연결된 화소구동회로를 구비한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 화소전극 상에 적어도 유기발광층을 구비하는 유기기능막 및 대향전극이 차례로 위치하여 발광소자(EL)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 화소구동회로는 스위칭 트랜지스터(M1), 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(M2)를 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 스위칭 트랜지스터(M1)는 게이트가 상기 스캔 라인(S1, S2,…Sa,…Sn)에 연결되고, 소오스가 상기 데이터 라인(D1, D2, D3, …Db,…Dm)에 연결되어, 상기 스캔 라인에 인가된 스캔 신호 에 의해 상기 데이터 라인에 인가된 데이터 신호를 스위칭한다. 상기 캐패시터(Cst)는 상기 스위칭 트랜지스터(M1)의 드레인 및 공통전원라인(Vdd) 사이에 연결되어, 상기 데이터 신호를 일정기간 유지한다. 상기 구동 트랜지스터(M2)는 게이트가 상기 캐패시터(Cst)에 연결되고, 소오스가 상기 공통전원라인(Vdd)에 연결되고, 드레인이 상기 발광소자(EL)에 연결되어, 상기 데이터 신호의 크기에 비례하는 전류를 상기 발광소자 자세하게는 상기 발광소자의 화소전극에 공급한다. 상기 발광소자(EL)는 공급된 전류에 대응하여 발광한다.
한편, 상기 더미 셀(DC1, DC2,…DCa,…DCn)은 상기 화소전극에 전기적 신호를 인가하기 위한 더미구동회로를 구비한다. 상기 더미구동회로는 스캔 라인(S1, S2,…Sa,…Sn), 상기 더미 데이터 라인(Dd) 및 상기 공통전원라인(Vdd)에 접속한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 더미구동회로는 상기 화소구동회로와 같이 스위칭 트랜지스터(M1), 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(M2)를 구비할 수 있다. 자세하게는 상기 스위칭 트랜지스터(M1)는 게이트가 상기 스캔 라인(S1, S2,…Sa,…Sn)에 연결되고, 소오스가 상기 더미 데이터 라인(Dd)에 연결되어, 상기 스캔 라인에 인가된 스캔 신호에 의해 상기 더미 데이터 라인(Dd)에 인가된 데이터 신호를 스위칭한다. 상기 캐패시터(Cst)는 상기 스위칭 트랜지스터(M1)의 드레인 및 공통전원라인(Vdd) 사이에 연결되어, 상기 데이터 신호를 일정기간 유지한다. 상기 구동 트랜지스터(M2) 는 게이트가 상기 캐패시터(Cst)에 연결되고, 소오스가 상기 공통전원라인(Vdd)에 연결된다.
상기 더미 영역 상에 상기 더미구동회로, 자세하게는 상기 구동 트랜지스터(M2)의 드레인과 전기적으로 연결된 더미 라인(DL1, DL2,…DLa,…DLn)이 배치된다. 상기 더미 라인(DL1, DL2,…DLa,…DLn)은 상기 화소 어레이 영역으로 연장되어 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)들 하부에 배치된다. 즉, 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)은 상기 더미 라인(DL1, DL2,…DLa,…DLn)에 중첩한다.
이러한 유기전계발광표시장치의 제조과정 중 상기 화소들 중 일부의 화소에 위치한 화소구동회로에 불량이 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 불량이 발생한 화소구동회로에 연결된 발광소자(EL)는 온 상태에서도 발광하지 않거나, 오프 상태에서도 발광하여 암점 또는 명점불량을 야기한다.
이 때, 불량이 발생한 화소의 화소구동회로와 발광소자(EL) 사이의 배선을 단선한다. 예를 들어, Pab 화소의 화소구동회로에 결합이 발생하여 상기 Pab 화소에 불량이 발생한 경우, 상기 Pab 화소의 화소구동회로 자세하게는, Pab 화소의 구동 트랜지스터(M2)와 발광소자(EL) 사이의 배선을 단선한다. 그러나, 경우에 따라서는, 예를 들어 상기 화소구동회로에 발생한 결함으로 인해 상기 발광소자(EL)에 아무런 전기적 신호도 가해지지 않는 경우, 상기 화소구동회로와 상기 발광소자(EL) 사이의 배선을 단선하지 않을 수도 있다. 이어서, 상기 Pab 화소의 화소전극(141_Pab)과 상기 화소전극(141_Pab) 하부에 배치된 더미 라인(DLa) 사이를 전기적으로 연결한다(Sr). 상기 Pab 화소의 화소전극(141_Pab)과 상기 화소전극(141_Pab) 하부에 배치된 더미 라인(DLa) 사이를 전기적으로 연결하는 것은 레이저 리페어법을 사용하여 수행할 수 있다. 그 결과, Pab 화소의 화소전극(141_Pab)은 상기 더미 셀(DCa)에 위치하는 더미구동회로에 전기적으로 연결된다. 이 후, 상기 Pab 화소를 구동하는 것은 상기 Sa 스캔 라인을 선택하고, 더미 데이터 라인(Dd)에 데이터 전압을 인가함으로써 수행할 수 있다. 따라서, 상기 Pab 화소는 명점 또는 암점 불량을 야기하지 않을 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 설명한다.
도 3 및 도 4는 도 2의 절단선 Ｉ-Ｉ'를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판(100)을 제공한다. 상기 화소 어레이 영역은 화소영역들(Pab, Pam)을 구비하고, 상기 더미 영역은 더미 셀 영역(DCa)을 구비한다.
상기 화소 어레이 영역 및 상기 더미 영역 상에 버퍼층(105)을 형성한다. 상기 기판(100)은 투명한 기판 또는 불투명한 기판일 수 있다. 나아가, 상기 기판 (100)은 유리, 플라스틱, 석영, 실리콘 또는 금속 기판일 수 있다. 상기 버퍼층(105)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.
상기 버퍼층(105) 상의 일부영역 즉, 상기 화소영역들(Pab, Pam) 및 상기 더미 셀 영역(DCa) 상에 반도체층(110)들을 각각 형성한다. 상기 반도체층(110)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 바람직하게는 상기 반도체층(110)은 높은 전하이동도를 갖는 다결정 실리콘막이다. 상기 반도체층(110) 상에 게이트 절연막(115)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(115)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다.
상기 게이트 절연막(115) 상에 상기 반도체층(110)과 중첩하는 게이트 전극(120) 및 더미 라인(DLa)을 형성한다. 상기 더미 라인(DLa)은 상기 더미 영역의 반도체층(110)에 인접하여 위치하여 상기 화소 어레이 영역 상으로 연장된다. 이어서, 상기 게이트 전극(120)을 마스크로 하여 상기 반도체층(110)에 도전성 불순물을 주입하여 소오스 영역(미도시) 및 드레인 영역(미도시)을 형성한다. 이 때, 상기 소오스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역(미도시)이 정의된다.
상기 게이트 전극(120) 및 상기 더미 라인(DLa) 상에 제 1 층간절연막(125)을 형성한다. 상기 제 1 층간절연막(125) 내에 상기 소오스/드레인 영역들을 각각 노출시키는 소오스/드레인 콘택홀들(125a, 125b) 및 상기 더미 셀 영역에 위치한 더미 라인(DLa)의 단부를 노출시키는 더미 콘택홀(125c)을 형성한다. 상기 콘택홀들이 형성된 기판 상에 도전막을 적층한 후, 이를 패터닝하여 상기 반도체층(110)의 소오스/드레인 영역들에 각각 접속하는 소오스 전극(131)과 드레인 전극(133); 및 상기 더미 라인(DLa)에 접속하는 더미 콘택전극(134)을 형성한다. 이 때, 상기 더미 셀 영역의 드레인 전극(133)은 상기 더미 콘택전극(134)과 연결되도록 형성된다. 이와 동시에, 공통전원라인(Vdd) 및 데이터 라인들(Db, Dm, Dd)을 형성한다.
상기 반도체층(110), 상기 게이트 전극(120) 및 상기 소오스/드레인 전극들(131, 133)은 구동 트랜지스터(M2)를 형성한다. 한편, 상기 반도체층(110)을 형성할 때 스위칭 트랜지스터(M1)의 반도체층을 형성하고, 상기 게이트 전극(120) 및 상기 더미 라인(DLa)을 형성할 때 스캔라인(Sa), 스위칭 트랜지스터(M1)의 게이트 전극 및 캐패시터(Cst)의 하부전극을 형성한다. 즉, 상기 더미 라인(DLa)과 상기 스캔 라인(Sa)은 동일층에 형성된다. 또한, 상기 소오스/드레인 전극들(131, 133), 상기 더미 콘택전극(134), 상기 공통전원라인(Vdd) 및 상기 데이터 라인(Db, Dm, Dd)을 형성할 때, 상기 스위칭 트랜지스터(M1)의 소오스/드레인 전극들 및 상기 캐패시터(Cst)의 상부전극을 형성한다. 상기 하부전극, 상기 상부전극 및 이들 사이에 개재된 절연막은 상기 캐패시터(Cst)를 형성한다. 이로써, 상기 화소 어레이 영역 상에 상기 스위칭 트랜지스터(M1), 상기 캐패시터(Cst) 및 상기 구동 트랜지스터(M2)를 구비하는 화소구동회로가 형성되고, 상기 더미 영역 상에 상기 스위칭 트랜지스터(M1), 상기 캐패시터(Cst) 및 상기 구동 트랜지스터(M2)를 구비하는 더미구동회로가 형성된다. 또한, 상기 더미 라인(DLa)은 상기 더미구동회로에 전기적으로 연결된다.
상기 소오스/드레인 전극(131, 133), 상기 더미 콘택전극(134), 상기 공통전원라인(Vdd) 및 상기 데이터 라인(Db, Dm, Dd) 상에 제 2 층간절연막(135)을 형성한다. 상기 제 2 층간절연막(135)은 패시베이션막, 평탄화막 또는 상기 패시베이션막 상에 상기 평탄화막이 적층된 이중층일 수 있다. 상기 패시베이션막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 다중층으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 패시베이션막은 기체 및 수분을 효과적으로 차단하여 하부의 트랜지스터를 보호할 수 있고, 수소를 풍부하게 함유하여 상기 다결정 실리콘막의 결정립 경계(grain boundary)에 존재하는 불완전 결합을 패시베이션할 수 있는 실리콘 질화막인 것이 바람직하다. 상기 평탄화막은 하부 단차를 완화할 수 있는 유기막으로 BCB(benzocyclobutene)막, 폴리이미드막 또는 폴리아크릴막일 수 있다.
상기 제 2 층간절연막(135) 내에 상기 드레인 전극(133)을 노출시키는 비아홀(135a)을 형성한다. 상기 비아홀(135a)이 형성된 기판 상에 화소도전막을 적층하고, 상기 화소도전막을 패터닝하여 화소전극들(141_Pab, 141_Pam)을 형성한다. 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)은 상기 비아홀(135a)을 통해 상기 드레인 전극(133) 즉, 상기 구동 트랜지스터(M2)에 접속하며, 상기 더미 라인(DLa)에 중첩한다.
이어서, 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)을 구비하는 기판 상에 화소정의막(150)을 형성하고, 상기 화소정의막(150) 내에 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)의 일부영역을 노출시키는 개구부(150a)를 형성한다. 그 결과, 상기 화소정의막(150)은 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)의 에지부 및 리페어부(141_R)를 덮는다. 상기 리페어부(141_R)는 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam)이 상기 더미 라인(DLa)과 중첩하는 영역의 일부를 의미한다. 상기 화소정의막(150)은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트 또는 이미드계 포토레지스트를 사용하여 형성할 수 있다.
상기 개구부(150a) 내에 노출된 상기 화소전극(141_Pab, 141_Pam) 상에 적어도 유기발광층을 구비하는 유기기능막(160)을 형성한다. 상기 유기기능막(160)은 상기 유기발광층의 상부 및/또는 하부에 전하수송층 및/또는 전하주입층을 더 구비하도록 형성할 수 있다. 이어서, 상기 유기기능막(160) 상에 대향전극(170)을 형성한다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 대향전극(170)이 형성된 기판을 테스트기에 투입하여 화소들의 동작불량을 테스트한다. 이 때, 일부의 화소에 위치한 발광소자는 온 상태에서도 발광하지 않거나, 오프 상태에서도 발광하여 암점 또는 명점불량화소가 된다. 이러한 화소불량은 상기 일부의 화소에 위치한 화소구동회로에 발생한 결함에 기인할 수 있다.
이 때, 불량이 발생한 화소의 화소구동회로와 발광소자 사이의 배선을 단선한다. 예를 들어, Pab 화소의 화소구동회로에 결합이 발생하여 상기 Pab 화소에 불량이 발생한 경우, 상기 Pab 화소의 화소구동회로 자세하게는 Pab 화소의 구동 트랜지스터(M2)와 유기전계발광소자(EL) 사이의 배선을 단선한다(미도시). 그러나, 경우에 따라서는, 예를 들어 상기 화소구동회로에 발생한 결함으로 인해 상기 유기전계발광소자에 아무런 전기적 신호도 가해지지 않을 화소구동회로와 발광소자 사이의 배선을 단선하지 않을 수도 있다. 이어서, 상기 Pab 화소의 화소전극(141_Pab)과 상기 화소전극(141_Pab) 하부에 배치된 더미 라인(DLa) 사이를 전기적으로 연결한다(Sr). 상기 Pab 화소의 화소전극(141_Pab)과 상기 화소전극(141_Pab) 하부에 배치된 더미 라인(DLa) 사이를 전기적으로 연결하는 것은 상기 리페어부(141_R)에 적절한 파장 및 강도를 갖는 레이저를 조사하는 레이저 리페어법을 사용하여 수행할 수 있다.(상기 화소전극과 상기 더미 라인이 연결되기 위해서는 유기기능막(160), 대향전극(170), 화소정의막(150), 층간절연막들(135, 125)이 끊어지는 반면, 화소전극은 끊어지지 않고 끊어진 층간절연막들 사이로 내려 앉습니다. 그 이유에 대해 보충설명 부탁드립니다.) 그 결과, Pab 화소의 화소전극(141_Pab)은 상기 더미 셀(DCa)에 위치하는 더미구동회로에 전기적으로 연결된다. 이 후, 상기 Pab 화소를 구동하는 것은 상기 Sa 스캔 라인을 선택하고, 더미 데이터 라인(Dd)에 데이터 전압을 인가함으로써 수 행할 수 있다. 따라서, 상기 Pab 화소는 명점 또는 암점 불량을 야기하지 않을 수 있다.
상술한 실시예들에서는 유기전계발광표시장치들을 예로 들었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 액정표시장치에도 적용될 수 있음을 당업자라면 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 유기전계발광표시장치에 있어서 화소구동회로에 결함이 발생한 화소라 하더라도 화소불량을 야기하지 않을 수 있다. 결과적으로 화소불량을 현저하게 감소시켜 수율향상을 이룰 수 있다.

Claims (11)

  1. 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판;
    상기 화소 어레이 영역 상에 위치하고, 화소전극들 및 화소구동회로들을 각각 구비하는 화소들; 및
    상기 더미 영역 상에 위치하는 더미 셀들을 포함하고, 상기 각 더미 셀은 상기 화소전극에 전기적 신호를 인가하기 위한 더미구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    스캔 라인; 및 상기 스캔 라인에 교차하는 데이터 라인과 더미 데이터 라인을 더 구비하고, 상기 화소는 상기 스캔 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의해 정의되며, 상기 더미 셀은 상기 스캔 라인과 상기 더미 데이터 라인의 교차에 의해 정의된 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극 하부에 배치되고, 상기 더미구동회로와 전기적으로 연결된 더미 라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소전극들 중 일부는 상기 더미 라인에 접속하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 화소전극과 상기 더미 라인이 접속하는 것은 레이저 리페어법에 의해 수행된 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    스캔 라인; 및 상기 스캔 라인에 교차하는 데이터 라인과 더미 데이터 라인을 더 구비하고, 상기 화소는 상기 스캔 라인과 상기 데이터 라인의 교차에 의해 정의되고, 상기 더미 셀은 상기 스캔 라인과 상기 더미 데이터 라인의 교차에 의해 정의되며,
    상기 화소전극 하부에 배치되고, 상기 더미구동회로와 전기적으로 연결되며, 상기 스캔 라인과 동일층에 위치하는 더미 라인을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극 상에 적어도 유기발광층을 구비하는 유기기능막 및 대향전극이 차례로 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  8. 화소 어레이 영역 및 상기 화소 어레이 영역에 인접하여 위치하는 더미 영역을 구비하는 기판을 제공하고,
    상기 화소 어레이 영역 상에 화소구동회로를, 상기 더미 영역 상에 더미구동회로를, 상기 더미 영역 상에서 상기 더미구동회로와 전기적으로 연결되고 상기 화소 어레이 영역으로 연장된 더미 라인을 형성하고,
    상기 화소 어레이 영역 상에 상기 화소구동회로에 접속하고, 상기 더미 라인에 중첩하는 화소전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 화소구동회로 및 상기 더미구동회로를 형성하는 것은
    상기 화소 어레이 영역 및 상기 더미 영역 상에 스캔 라인 및 상기 더미 라인을 형성하고,
    상기 화소 어레이 영역 상에 상기 스캔 라인을 교차하는 데이터 라인 및 상기 더미 영역 상에 상기 스캔 라인을 교차하는 더미 데이터 라인을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    레이저 리페어법을 사용하여 상기 화소전극을 상기 더미 라인에 접속시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 화소전극 상에 적어도 유기발광층을 구비하는 유기기능막을 형성하고,
    상기 유기기능막 상에 대향전극을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
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