KR20150033153A - 유기 발광 표시 장치 및 그 수리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 표시 영역 및 비표시 영역을 구비한 기판, 기판 위에 제1 방향으로 연장되는 복수개의 스캔선, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수개의 데이터선, 표시 영역에 배치되어 스캔선 및 데이터선에 각각 연결되는 복수개의 제1 스위칭 소자, 복수개의 제1 스위칭 소자에 각각 연결되는 유기 발광층, 서로 인접한 스캔선 사이에 위치하여 제1 방향으로 연장된 제1 더미선, 비표시 영역에 배치되어 제1 더미선의 일측 단부에 인접하여 형성되는 제2 스위칭 소자 및 제2 방향으로 연장되며 제2 스위칭 소자에 인접하는 제2 더미선을 포함한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 수리 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF REPAIRING THE SAME}

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 수리 방법에 관한 것이다.

현재 알려져 있는 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라스마 표시 장치(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED), 전계 효과 표시 장치(field effect display, FED), 전기 영동 표시 장치(eletrophoretic display device)등이 있다.

이 중 유기 발광 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 그리고 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.

이때, 유기 발광 표시 장치에서는 각 화소들에 구비된 소자들의 특성 편차나 화소 회로 내에서의 단선 또는 단락 등에 기인하여, 정상적인 구동전류보다 큰 과전류가 일부 화소에 흐르면서 명점으로 발현되는 화소불량이 발생될 수 있다. 또한, 이물유입 등에 의해서도 얼룩이 발생하는 등의 다양한 화소불량이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 유기 발광 표시 장치 내에 더미선을 이용하여 화소 불량을 수리하게 된다.

본 발명의 일 실시예는, 화소 불량이 발생한 화소를 간단히 수리할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 수리 방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법은, 표시 영역 및 비표시 영역을 구비한 기판, 상기 기판 위에 제1 방향으로 연장되는 복수개의 스캔선, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수개의 데이터선, 상기 표시 영역에 배치되어 상기 스캔선 및 데이터선에 각각 연결되는 복수개의 제1 스위칭 소자, 상기 복수개의 제1 스위칭 소자에 각각 연결되는 유기 발광층, 서로 인접한 상기 스캔선 사이에 위치하여 상기 제1 방향으로 연장된 제1 더미선, 상기 비표시 영역에 배치되어 상기 제1 더미선의 일측 단부에 인접하여 형성되는 제2 스위칭 소자 및 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제2 스위칭 소자에 인접하는 제2 더미선을 포함한다.

이때, 상기 비표시 영역에 배치되어 상기 제1 더미선의 타측 단부에 인접하여 형성되는 제3 스위칭 소자를 더 포함한다.

이때, 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제3 스위칭 소자에 인접하는 제3 더미선을 더 포함한다.

한편, 상기 제1 스위칭 소자는, 제1 소스 전극, 제1 게이트 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및 제2 소스 전극, 제2 게이트 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 스위칭 소자는, 제3 소스 전극, 제3 게이트 전극 및 제3 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및 제4 소스 전극, 제4 게이트 전극 및 제4 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함한다.

이때, 상기 제1 더미선은 상기 제1 스위칭 소자의 상기 제2 드레인 전극과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 제2 드레인 전극과 상기 유기 발광층을 연결하는 애노드 전극과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 제2 스위칭 소자의 제4 드레인 전극과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 데이터선과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 제2 더미선과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 제3 더미선과 중첩한다.

한편, 상기 제1 더미선은 상기 제1 내지 제4 게이트 전극과 동일한 층으로 형성된다.

이때, 상기 제2 더미선은 상기 제3 소스 전극과 연결된다.

이때, 상기 제2 더미선은 상기 제3 소스 전극과 동일한 층으로 형성된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법은, 화소 불량이 발생한 화소의 제1 스위칭 소자와 유기 발광층을 절연하는 단계, 상기 화소에 인접한 하나의 상기 제1 더미선과 상기 유기 발광층을 단락하는 단계, 상기 제1 방향으로 상기 제1 스위칭 소자와 나란하게 배치된 제2 스위칭 소자와 상기 하나의 제1 더미선을 단락하는 단계, 상기 하나의 제1 더미선에 인접한 다른 하나의 제1 더미선과 상기 화소에 연결된 상기 데이터선을 단락하는 단계 및 상기 다른 하나의 제1 더미선과 제2 더미선을 단락하는 단계를 포함한다.

이때, 상기 제1 스위칭 소자는, 제1 소스 전극, 제1 게이트 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및 제2 소스 전극, 제2 게이트 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 스위칭 소자는, 제3 소스 전극, 제3 게이트 전극 및 제3 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및 제4 소스 전극, 제4 게이트 전극 및 제4 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함한다.

이때, 상기 제1 스위칭 소자와 상기 유기 발광층을 절연하는 단계는, 상기 제1 스위칭 소자의 상기 제2 드레인 전극을 절단한다.

한편, 상기 제1 스위칭 소자와 상기 유기 발광층을 절연하는 단계는, 상기 제1 드레인 전극과 상기 유기 발광층 사이에 위치하는 애노드 전극을 절단한다.

한편, 상기 하나의 제1 더미선과 유기 발광층을 단락하는 단계는, 상기 하나의 제1 더미선과 상기 제2 드레인 전극을 연결한다.

한편, 상기 하나의 제1 더미선과 유기 발광층을 단락하는 단계는, 상기 하나의 제1 더미선과 애노드 전극을 연결한다.

한편, 상기 제2 스위칭 소자와 상기 하나의 제1 더미선을 단락하는 단계는, 상기 제2 스위칭 소자의 상기 제4 드레인 전극과 상기 제1 더미선을 연결한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 내지 제3 더미선과 더미 소자를 이용하여, 화소 불량이 발생한 화소의 유기발광층과 더미 소자를 연결함으로써 상기 화소를 간단히 복구할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법은, 서로 중첩된 여러 층을 단락 또는 절연하는 단계를 거쳐 화소 불량이 발생한 화소를 용이하게 복구할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 배치도이다.
도 2는 화소 불량이 발생한 도 1의 유기 발광 표시 장치가 수리된 상태를 나타낸 개략적인 배치도이다.
도 3는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 일부 회로도이다.
도 4는 도 3의 유기 발광 표시 장치가 수리된 상태를 나타낸 일부 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법을 나타낸 흐름도이다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 화소 불량이 발생한 화소를 수리하기 위해 표시 영역 및 비표시 영역에 형성되는 제1 내지 제3 더미선을 이용하여 상기 화소와 더미 소자를 연결한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판, 복수개의 스캔선(121), 복수개의 데이터선(171), 제1 스위칭 소자(CR1 내지 CR3), 유기 발광층(LD1 내지 LD3), 제1 더미선(100), 제2 스위칭 소자(CRD1 내지 CRD3) 및 제2 더미선(171')을 포함한다.

이때, 기판은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 기판은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.

기판은 표시 영역(Ⅱ) 및 비표시 영역(Ⅰ, Ⅲ)으로 구분된다. 표시 영역(Ⅱ)에는 영상을 표시하는 화소(pixel)이 위치하며, 비표시 영역(Ⅰ, Ⅲ)은 표시 영역에서 영상을 표시하기 위한 구동부 등이 위치한다.

도 1 내지 도 4에 따르면, 표시 영역(Ⅱ)에는 복수개의 제1 스위칭 소자(CR1, CR3, CR3), 유기 발광층(LD1, LD2, LD3), 데이터선(171) 및 제1 더미선(100)이 위치한다. 비표시 영역(Ⅰ, Ⅲ)에는 제2 및 제3 더미선(171', 171")이 위치한다. 이때, 제1 내지 제3 더미선(100, 171', 171")은 불량이 발생한 화소의 유기 발광층과 제2 스위칭 소자를 연결하는데 이용된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

한편, 복수개의 스캔선(121)은 표시 및 비표시 영역에 걸쳐 제1 방향으로 연장될 수 있다. 이때, 스캔선(121)은 제1 및 제2 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3, CRD1, CRD2, CRD3)의 게이트 전극(270a, 270a', 280a)과 연결되어 스캔 신호를 전달한다. 그리고, 스캔선(121)의 일측 단부에 형성된 연결부는 게이트 구동부와 연결될 수 있다.

이때, 스캔선(121)은 게이트 전극(270a, 270a', 280a)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 또한, 스캔선(121)은 게이트 전극(270a, 270a', 280a)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.

복수개의 데이터선(171)은 표시 영역(Ⅱ)에서 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장될 수 있다. 복수개의 데이터선(171) 각각은 스캔선(121)과 교차하여 연장된다.

이때, 데이터선(171)은 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)와 연결된다. 보다 자세히, 데이터선(171)은 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)의 제1 소스전극(220a, 220ab, 220c)에 연결되어 데이터 신호를 전달한다. 그리고, 데이터선(171)의 일측 단부에 형성된 연결부는 데이터 구동부와 연결될 수 있다.

이때, 데이터선(171)은 제1 소스전극(220a, 220ab, 220c)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 또한, 데이터선(171)은 제1 소스전극(220a, 220ab, 220c)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 구동 전압선(172', 172")이 제2 방향으로 연장된다. 구동 전압선(172')은 비표시 영역(Ⅰ)에 위치하고, 구동 전압선(172")은 표시 영역(Ⅱ)에 위치한다. 이때, 구동 전압선(172')은 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2)의 제4 소스 전극(261a 및 261b)에 연결된다. 구동 전압선(172")은 제1 스위칭 소자(CR1, CR2)의 제2 소스 전극(221a, 221b)에 연결된다.

한편, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)는 각각 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함한다. 여기에서, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)에는 공지의 스토리지 커패시터(Cst)가 포함될 수 있으나, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

이때, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)는 후술하는 유기 발광층(LD1, LD2, LD3)을 구동한다. 또한, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)의 스위칭 박막 트랜지스터는, 제1 소스 전극(220a, 220b, 220c), 제1 게이트 전극(280a, 280b, 280c) 및 제1 드레인 전극을 포함한다. 여기에서, 전술한 바와 같이 제1 소스 전극(220a, 220b, 220c)은 데이터선(171)과 연결된다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터의 제1 게이트 전극(280a, 280b, 280c)은 스캔선(121)과 연결된다.

그리고, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)의 구동 박막 트랜지스터는, 제2 소스 전극, 제2 게이트 전극 및 제2 드레인 전극을 포함한다.

제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)의 구동 박막 트랜지스터는 유기 발광층(LD1, LD2, LD3)과 연결될 수 있다. 이때, 도 1 및 도 2에서, 유기 발광층(LD1, LD2, LD3)과 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)를 연결하는 도면부호 240a 내지 240c는 애노드 전극 또는 구동 박막 트랜지스터의 제2 드레인 전극일 수 있다. 도면부호 240a 내지 240c는 후술하는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에서 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)와 유기 발광층(LD1, LD2, LD3) 사이의 절단 영역이다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

그리고, 도 1 내지 도 4에서, 제1 더미선(100)과 중첩되는 도면부호 210a 내지 210c는 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극일 수 있다. 이에 의해, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에서, 제1 더미선(100)을 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극과 연결시킬 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

한편, 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)와 연결되는 유기 발광층(LD1, LD2, LD3)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 또한, 유기 발광층(D1, LD2, LD3)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 애노드 전극 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.

이때, 유기 발광층(D1, LD2, LD3)은 발광층의 재질 종류에 따라 적색, 녹색, 청색 등의 색상으로 구분된다.

한편, 복수개의 제1 더미선(100)은 제1 방향으로 연장될 수 있다. 복수개의제1 더미선(100)은 기판 상의 표시 영역(Ⅱ) 및 비표시 영역(Ⅰ, Ⅲ)에 걸쳐 연장 형성될 수 있다. 이때, 복수개의 제1 더미선(100)은 화소 불량이 발생된 화소와 더미 소자인 제2 또는 제3 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3, CRD1', CRD2', CRD3')와 연결하는데 사용될 수 있다.

제1 더미선(100) 각각은 인접한 스캔선(121) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 더미선(100a)은 스캔선(121a)와 스캔선(121b) 사이에 위치한다. 또는, 제1 더미선(100b)은 스캔선(121b)와 스캔선(121c) 사이에 위치한다.

그리고, 복수개의 제1 더미선(100) 각각은 데이터선(171)과 중첩된다. 이때, 서로 중첩하는 제1 더미선(100)과 데이터선(171)은 불량 화소의 수리과정에서 서로 연결될 수 있다.

또한, 복수개의 제1 더미선(100)은 전술한 바와 같이 도면부호 210a 내지 210c와 중첩될 수 있다. 여기에서, 도면부호 210a 내지 210c는 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극일 수 있다. 또한, 서로 중첩하는 제1 더미선(100)과 도면부호 210a 내지 210c은 불량 화소의 수리과정에서 서로 연결될 수 있다.

그리고, 복수개의 제1 더미선(100)은 후술하는 제2 스위칭 소자(CRD1, CDR2, CRD3)의 제4 드레인 전극(230a, 230b, 230c)과 중첩된다. 마찬가지로, 서로 중첩하는 제1 더미선(100)과 제4 드레인 전극(230a, 230b, 230c)은 불량 화소의 수리과정에서 서로 연결될 수 있다.

또한, 복수개의 제1 더미선(100)은 후술하는 제2 더미선(171') 및 제3 더미선(171")과 비표시 영역(Ⅰ)에서 중첩된다. 제2 더미선(171') 또는 제3 더미선(171")은 제1 더미선(100)과 불량 화소의 수리과정에서 서로 연결될 수 있다.

한편, 복수개의 제1 더미선(100)은 제1 및 제2 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3, CRD1, CRD2, CRD3)의 게이트 전극과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 이때, 제1 더미선(100)은 게이트 전극과 동일한 재질로 형성될 수 있다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)가 비표시 영역(Ⅰ)에 위치한다. 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)는 더미 소자로서, 화소 불량이 발생된 화소의 제1 스위칭 소자(CR1, CR2, CR3)를 대신하여 유기 발광층(LD1, LD2, LD3)과 연결될 수 있다.

이때, 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)는 각각 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함한다. 여기에서, 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)에는 공지의 스토리지 커패시터(Cst??Da, Cst??Db)가 포함될 수 있으나, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)의 스위칭 박막 트랜지스터는, 제3 소스 전극(260a, 260b, 260c), 제3 게이트 전극(270a, 270b, 270c) 및 제3 드레인 전극을 포함한다. 여기에서, 제3 소스 전극(260a, 260b, 260c)은 후술하는 제2 더미선(171')과 연결된다. 그리고, 제3 게이트 전극(270a, 270b, 270c)은 스캔선(121)과 연결된다.

한편, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)의 구동 박막 트랜지스터는, 제4 소스 전극(261a, 261b), 제4 게이트 전극 및 제4 드레인 전극(230a, 230b)을 포함한다. 여기에서, 전술한 바와 같이 제4 드레인 전극(230a, 230b)은 제1 더미선(100)과 중첩된다. 그리고, 제4 소스 전극(261a, 261b)은 구동 전압선(172')에 연결된다.

제2 더미선(171')은 비표시 영역(Ⅰ)에서 제2 방향으로 연장되어 형성된다. 이때, 제2 더미선(171')은 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)에 인접하여 위치한다. 제2 더미선(171')은 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)의 제3 소스 전극(260a, 260b, 260c)과 비표시 영역(Ⅰ)에서 연결된다.

이때, 제2 더미선(171')은 제3 소스 전극(260a, 260b, 260c)과 동일한 층으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 더미선(171')은 제3 소스 전극(260a, 260b, 260c)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.

한편, 도 1 및 도 2을 참조하면, 비표시 영역(Ⅲ)에는 제3 더미선(171") 및 제3 스위칭 소자(CRD1', CRD2', CRD3')이 위치될 수 있다. 이때, 제3 더미선(171") 및 제3 스위칭 소자(CRD1', CRD2', CRD3')은 각각 비표시 영역(Ⅰ)의 제2 더미선(171') 및 제2 스위칭 소자(CRD1, CRD2, CRD3)와 대응된다. 즉, 제3 더미선(171") 및 제3 스위칭 소자(CRD1', CRD2', CRD3')은 각각 제2 더미선(171') 및 제2 스위칭 소자(CRD1, CDRD2, CRD3)와 동일한 기능을 수행하는 바, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 1 내지 도4, 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에 대해 설명하기로 한다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에 설명함에 있어, 표시 영역(Ⅰ)의 제1 스위칭 소자(CR1) 및 유기 발광층(LD1)을 포함하는 화소에서 불량이 발생한 것으로 가정한다.

우선, 화소 불량이 발생한 화소에서, 제1 스위칭 소자(CR1)와 유기 발광층(LD1)을 서로 절연시킨다(S100).

도 2 및 도 4에서, 제1 스위칭 소자(CR1)와 유기 발광층(LD1)을 연결하는 도면부호 240a를 절단한다. 이때, 절단되는 도면부호 240a는 전술한 바와 같이 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극일 수 있다. 즉, 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극을 절단함으로써, 유기 발광층(LD1)으로 공급되는 전류를 차단할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에서, 특정 전극을 절단하거나, 복수의 전극 또는 층을 연결하는 경우 레이저 장치를 이용할 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 일반적인 표시 장치의 제조 또는 수리 공정에서 절단 또는 연결하는 데 사용될 수 있는 공지의 다양한 방법이 적용될 수 있다.

다음으로, 복수의 제1 더미선(100) 중 불량 화소에 인접한 제1 더미선(100a)과 유기 발광층(LD1)을 단락시킨다(S200).

도 2 및 도 4를 참조하면, 제1 더미선(100a)과 유기 발광층(LD1)을 단락시키기 위해, 제1 더미선(100a)와 도면부호 210a와 연결시킨다. 즉, 제1 더미선(100a)과 도면부호 210a가 중첩된 제1 위치(A)에서, 제1 더미선(100a)과 도면부호 210a가 연결될 수 있다.

여기에서, 전술한 바와 같이 도면부호 210a는 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극일 수 있다. 따라서, 제1 더미선(100a)은 애노드 전극 또는 제2 드레인 전극과 연결될 수 있다.

다음으로, 제1 더미선(100a)과 더미 소자인 제2 스위칭 소자(CRD1)을 단락시킨다(S300). 이때, 제2 스위칭 소자(CRD1)는 제1 방향으로 화소 불량이 발생한 제1 스위칭 소자(CR1)과 나란하게 배치된 제2 스위칭 소자이다.

제1 더미선(100a)과 제2 스위칭 소자(CRD1)를 단락시키는 단계에서는, 제1 더미선(100a)과 제2 스위칭 소자(CRD1)의 제4 드레인 전극(230a)을 서로 연결한다. 전술한 바와 같이, 제2 스위칭 소자(CRD1)의 제4 드레인 전극(230a)는 제2 위치(B)에서 제1 더미선(100a)과 중첩된다.

즉, 제2 위치(B)에서, 제1 더미선(100a)과 제4 드레인 전극(230a)을 서로 연결한다.

다음으로, 제1 더미선(100a)에 인접한 제1 더미선(100b)과 데이터선(171)을 단락시킨다(S400). 이때, 데이터선(171)은 제1 더미선(100b)과 중첩된 제3 위치(C)에서 제1 더미선(100b)와 교차한다.

즉, 제3 위치(C)에서, 데이터선(171)과 제1 더미선(100a)을 연결한다.

다음으로, 제1 더미선(100b)과 제2 더미선(171')을 단락시킨다(S500). 여기에서, 제2 더미선(171')은 제2 스위칭 소자(CRD1)에 인접하여 형성된다. 그리고, 제2 더미선(171')은 비표시 영역(Ⅰ)에서 제2 방향으로 연장되어 형성된다.

이때, 제1 더미선(100b)과 제2 더미선(171')은 비표시 영역(Ⅰ)에 위치하는 제4 위치(D)에서 교차한다. 따라서, 제4 위치(D)에서, 제1 더미선(100b)과 제2 더미선(171')을 서로 연결한다.

전술한 바와 같이, 제1 더미선(100a, 100b), 제2 더미선(171') 및 데이터선(171)을 서로 단락시키는 과정을 수행함으로써, 불량이 발생한 화소를 수리할 수 있다.

다시 간략히 설명하면, 불량이 발생한 유기 발광층(LD1)에 연결된 제1 스위칭 소자(CR1)를 유기 발광층(LD1)으로부터 분리하고, 대신 제2 스위칭 소자(CRD1)을 유기 발광층(LD1)에 연결한다. 즉, 제2 스위칭 소자(CRD1)에서 유기 발광층(LD1)으로 전류가 흐르게 된다. 그리고, 제1 스위칭 소자(CR1)에 연결된 데이터 신호는 데이터선(171), 제1 더미선(100b) 및 제2 더미선(171')을 거쳐 제2 스위칭 소자(CRD1)으로 전달된다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 수리 방법에서, 단락시키는 단계(S200 내지 S500)은 순서가 서로 변경되어도 무방하다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.

하기에서는 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소(pixel)의 단면과 회로도에 대해 간단히 설명하기로 한다. 다만, 본 발명은 도 5 및 도 6에 도시된 구조의 화소에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 다양한 구조의 화소에 적용될 수 있음은 물론이다.

도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있는 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 화소(PX)는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B) 중 어느 하나일 수 있다.

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 주사 신호선(scanning signal line)(121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 구동 전압선(driving voltage line)(172) 등을 포함한다. 주사 신호선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.

이때, 한 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1) 및 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2)를 포함하는 박막 트랜지스터, 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다. 도면에 표시되지 않았으나, 하나의 화소(PX)는 유기 발광 소자에 제공되는 전류를 보상하기 위해 부가적으로 박막 트랜지스터 및 축전기를 더 포함할 수 있다.

스위칭 트랜지스터(T1)는 제어 단자(control terminal)(N1), 입력 단자(input terminal)(N2) 및 출력 단자(output terminal)(N3)를 가지는데, 제어 단자(N1)는 주사 신호선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자(N2)는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자(N3)는 구동 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 주사 신호선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(T2)에 전달한다.

그리고, 구동 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자(N3), 입력 단자(N4) 및 출력 단자(N5)를 가지는데, 제어 단자(N3)는 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자(N4)는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자(N5)는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제어 단자(N3)와 출력 단자(N5) 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(Id)를 흘린다.

이때, 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자(N3)와 입력 단자(N4) 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자(N3)에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn??off)된 뒤에도 이를 유지한다.

한편, 유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자(N5)에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.

유기 발광 소자(LD)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나 또는 하나 이상의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 유기 발광 장치는 이들 색의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.

스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 n??채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 중 적어도 하나는 p??채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(T1, T2), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.

하기에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도 6에 도시된 단면도를 참조하여 설명하기로 한다.

도 6을 참조하면, 기판(123)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 그러나, 본 발명의 일 실시예는 이에 한정되지 않고, 기판(123)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.

그리고, 기판(123) 위에는 기판 버퍼층(126)이 형성된다. 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다.

이때, 기판 버퍼층(126)은 상기 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 버퍼층(126)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiO2)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 기판 버퍼층(126)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(123)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.

기판 버퍼층(126) 위에는 구동 반도체층(137)이 형성된다. 구동 반도체층(137)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 구동 반도체층(137)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆으로 도핑되어 형성된 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.

구동 반도체층(137) 위에는 질화 슈소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성된 게이트 절연막(127)이 형성된다. 게이트 절연막(127) 위에는 구동 게이트 전극(133)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 그리고, 구동 게이트 전극(133)은 구동 반도체층(137)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)와 중첩되도록 형성된다.

한편, 게이트 절연막(127) 상에는 구동 게이트 전극(133)을 덮는 층간 절연막(128)이 형성된다. 게이트 절연막(127)과 층간 절연막(128)에는 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 관통공이 형성된다. 층간 절연막(128)은, 게이트 절연막(127)과 마찬가지로, 질화 슈소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어질 수 있다.

그리고, 층간 절연막(128) 위에는 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 또한, 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)은 각각 층간 절연막(128) 및 게이트 절연막(127)에 형성된 관통공을 통해 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.

이와 같이, 구동 반도체층(137), 구동 게이트 전극(133), 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하여 구동 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(130)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.

그리고, 층간 절연막(128) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(124)이 형성된다. 평판화막(124)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(124)은 드레인 전극(132)의 일부를 노출시키는 전극 컨택홀(122a)을 갖는다.

평탄화막(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.

여기에서, 본 발명에 따른 일 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(124)과 층간 절연막(128) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.

이때, 평탄화막(124) 위에는 유기 발광 소자의 제 1 전극, 즉 화소 전극(160)이 형성된다. 즉, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 화소 전극(160)을 포함한다. 이때, 복수의 화소 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 화소 전극(160)은 평탄화막(124)의 전극 컨택홀(122a)을 통해 드레인 전극(132)과 연결된다.

또한, 평탄화막(124) 위에는 화소 전극(160)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(125)이 형성된다. 즉, 화소 정의막(125)은 각 화소마다 형성된 복수개의 개구부를 갖는다. 이때, 화소 정의막(125)에 의해 형성된 개구부마다 유기 발광층(170)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(125)에 의해 각각의 유기 발광층이 형성되는 화소 영역이 정의될 수 있다.

이때, 화소 전극(160)은 화소 정의막(125)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 그러나, 화소 전극(160)은 반드시 화소 정의막(125)의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 화소 전극(160)의 일부가 화소 정의막(125)과 중첩되도록 화소 정의막(125) 아래에 배치될 수 있다.

화소 정의막(125)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.

한편, 화소 전극(160) 위에는 유기 발광층(170)이 형성된다.

그리고, 유기 발광층(170) 상에는 제 2 전극, 즉 공통 전극(180)이 형성될 수 있다. 이와 같이, 화소 전극(160), 유기 발광층(170) 및 공통 전극(180)을 포함하는 유기 발광 소자(LD)가 형성된다.

이때, 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.

한편, 공통 전극(180) 위에는 공통 전극(180)을 덮어 보호하는 덮개막(190)이 유기막으로 형성될 수 있다.

그리고, 덮개막(190) 위에는 박막 봉지층(141)이 형성되어 있다. 박막 봉지층(141)은 기판(123)에 형성되어 있는 유기 발광 소자(LD)와 구동 회로부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.

박막 봉지층(141)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 봉지 유기막(141a, 141c)과 봉지 무기막(173, 121d)을 포함한다. 도 6에서는 일례로 2개의 봉지 유기막(141a, 141c)과 2개의 봉지 무기막(141b, 141d)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(141)을 구성하는 경우를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그 수리 방법은, 유기 발광 표시 장치 내의 한 화소에서 불량이 발생하는 경우 제1 내지 제3 더미선을 이용하여 비표시 영역에 위치하는 더미소자와 유기 발광층을 연결하여 화소를 복구할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명은 한정된 실시예와 도면을 통하여 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재된 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다.

100: 제1 더미선 121: 스캔선
171: 데이터선 171': 제2 더미선
171": 제3 더미선 220: 제1 소스전극
230: 제4 드레인전극 270: 제3 게이트 전극
280: 제1 게이트 전극 CR: 제1 스위칭 소자
LD: 유기 발광층 CRD: 제2 스위칭 소자

Claims (20)

1. 표시 영역 및 비표시 영역을 구비한 기판;
   상기 기판 위에 제1 방향으로 연장되는 복수개의 스캔선;
   상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수개의 데이터선;
   상기 표시 영역에 배치되어 상기 스캔선 및 데이터선에 각각 연결되는 복수개의 제1 스위칭 소자;
   상기 복수개의 제1 스위칭 소자에 각각 연결되는 유기 발광층;
   서로 인접한 상기 스캔선 사이에 위치하여 상기 제1 방향으로 연장된 제1 더미선;
   상기 비표시 영역에 배치되어 상기 제1 더미선의 일측 단부에 인접하여 형성되는 제2 스위칭 소자 및
   상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제2 스위칭 소자에 인접하는 제2 더미선을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 비표시 영역에 배치되어 상기 제1 더미선의 타측 단부에 인접하여 형성되는 제3 스위칭 소자를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제3 스위칭 소자에 인접하는 제3 더미선을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제1 더미선은 상기 제3 더미선과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1 스위칭 소자는,
   제1 소스 전극, 제1 게이트 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및
   제2 소스 전극, 제2 게이트 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하며,
   상기 제2 스위칭 소자는,
   제3 소스 전극, 제3 게이트 전극 및 제3 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및
   제4 소스 전극, 제4 게이트 전극 및 제4 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 더미선은 상기 제1 스위칭 소자의 상기 제2 드레인 전극과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
7. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 더미선은 상기 제2 드레인 전극과 상기 유기 발광층을 연결하는 애노드 전극과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
8. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 더미선은 상기 제2 스위칭 소자의 제4 드레인 전극과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
9. 제 5 항에 있어서,
   상기 제1 더미선은 상기 제1 내지 제4 게이트 전극과 동일한 층으로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2 더미선은 상기 제3 소스 전극과 연결되는 유기 발광 표시 장치.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 더미선은 상기 제3 소스 전극과 동일한 층으로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 더미선은 상기 데이터선과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 더미선은 상기 제2 더미선과 중첩하는 유기 발광 표시 장치.
14. 제 1 항에 따른 유기 발광 표시 장치를 수리하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법으로서,
    화소 불량이 발생한 화소의 제1 스위칭 소자와 유기 발광층을 절연하는 단계;
    상기 화소에 인접한 하나의 상기 제1 더미선과 상기 유기 발광층을 단락하는 단계;
    상기 제1 방향으로 상기 제1 스위칭 소자와 나란하게 배치된 제2 스위칭 소자와 상기 하나의 제1 더미선을 단락하는 단계;
    상기 하나의 제1 더미선에 인접한 다른 하나의 제1 더미선과 상기 화소에 연결된 상기 데이터선을 단락하는 단계 및
    상기 다른 하나의 제1 더미선과 제2 더미선을 단락하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자는,
    제1 소스 전극, 제1 게이트 전극 및 제1 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및
    제2 소스 전극, 제2 게이트 전극 및 제2 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제2 스위칭 소자는,
    제3 소스 전극, 제3 게이트 전극 및 제3 드레인 전극을 포함하는 스위칭 박막 트랜지스터 및
    제4 소스 전극, 제4 게이트 전극 및 제4 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자와 상기 유기 발광층을 절연하는 단계는,
    상기 제1 스위칭 소자의 상기 제2 드레인 전극을 절단하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
17. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자와 상기 유기 발광층을 절연하는 단계는,
    상기 제1 드레인 전극과 상기 유기 발광층 사이에 위치하는 애노드 전극을 절단하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
18. 제 15 항에 있어서,
    상기 하나의 제1 더미선과 유기 발광층을 단락하는 단계는,
    상기 하나의 제1 더미선과 상기 제2 드레인 전극을 연결하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
19. 제 15 항에 있어서,
    상기 하나의 제1 더미선과 유기 발광층을 단락하는 단계는,
    상기 하나의 제1 더미선과 애노드 전극을 연결하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.
20. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 스위칭 소자와 상기 하나의 제1 더미선을 단락하는 단계는,
    상기 제2 스위칭 소자의 상기 제4 드레인 전극과 상기 제1 더미선을 연결하는 유기 발광 표시 장치의 수리 방법.

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