CN103489394B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

一种显示器，其包括栅极驱动器、照明测试电路、第一电源线和第二电源线，其中栅极驱动器用于向栅极线提供栅极信号，照明测试电路耦接至第一输入线（用于传送照明测试信号）和第二输入线（用于传送测试控制信号），照明测试电路用于根据测试控制信号将照明测试信号提供到数据线，第一电源线用于向栅极驱动器提供栅极高电平电压并且位于栅极驱动器与照明测试电路的周边，第二电源线用于向栅极驱动器提供栅极低电平电压并且位于栅极驱动器和照明测试电路的周边。第二输入线通过电阻器耦接至第一电源线或者第二电源线。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管（OLED）显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器具有自发射特性，与液晶显示器（LCD）的不同之处在于，其不需要单独的光源并且具有相对较薄的厚度和较轻的重量。此外，有机发光二极管显示器展示出高质量特性，诸如功耗低、亮度高和响应时间短。
有机发光二极管（OLED）显示器可包括包含多个像素的像素单元、用于向像素单元提供栅极信号的栅极驱动器、用于向像素单元提供数据信号的数据驱动器和照明测试电路，照明测试电路在进行照明测试以确认像素的照明时使用。这里，照明测试电路可包括多个薄膜晶体管，以通过从外部提供的相应的测试控制信号对数据线提供照明测试信号。
包含在照明测试电路中的薄膜晶体管和向薄膜晶体管提供测试控制信号和照明测试信号的线路会暴露于从外部流入的静电放电（ESD），因而它们在制造有机发光二极管（OLED）显示器的过程中或者在制造有机发光二极管（OLED）显示器完成后会容易受到ESD的损害。
如果照明测试电路的薄膜晶体管以及向薄膜晶体管提供测试控制信号和照明测试信号的线路被ESD损坏，则不能有效地执行照明测试，并且会产生有机发光二极管（OLED）显示器的驱动缺陷。
以上在背景技术部分公开的信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因而可包含本国本领域技术人员公知的、不形成现有技术的信息。
发明内容
本发明的各方面提供抑制因ESD导致的缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器。
根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器，包括：像素单元，包括多个像素，所述多个像素位于栅极线和数据线的交叉区域并且位于面板的中央区域；栅极驱动器，被配置为向所述栅极线提供栅极信号，所述栅极驱动器位于所述面板的一侧；照明测试电路，耦接至第一输入线和第二输入线，所述第一输入线被配置为传送照明测试信号，所述第二输入线被配置为传送测试控制信号，所述照明测试电路位于所述面板的另一侧，并且被配置为根据所述测试控制信号将所述照明测试信号提供到所述数据线；第一电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极高电平电压，所述第一电源线位于所述栅极驱动器与所述照明测试电路的周边；以及第二电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极低电平电压，所述第二电源线位于所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边；其中，所述第二输入线通过电阻器耦接至所述第一电源线或者所述第二电源线。
所述照明测试电路可包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括：沟道层；源电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述第一输入线；漏电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述数据线中的一个数据线；以及栅电极，耦接至所述第二输入线。
所述沟道层可包括p型半导体材料，以及所述第二输入线可通过所述电阻器耦接至所述第一电源线。
所述沟道层可包括n型半导体材料，以及所述第二输入线可通过所述电阻器耦接至所述第二电源线。
所述电阻器与所述沟道层可处于同一层。
有机发光二极管显示器还可包括：发光控制驱动器，所述发光控制驱动器在所述面板上面对所述栅极驱动器，并且所述像素单元插置于所述发光控制驱动器与所述栅极驱动器之间，所述发光控制驱动器被配置为向与所述栅极线平行的发光控制线提供发光控制信号。
所述第一电源线可被配置为将所述栅极高电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第一电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边，以及所述第二电源线可被配置为将所述栅极低电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第二电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边。
所述栅极信号和所述发光控制信号的高电平电压可被配置为根据所述栅极高电平电压而产生，所述栅极信号和所述发光控制信号的低电平电压可被配置为根据所述栅极低电平电压而产生。
有机发光二极管显示器还可包括：数据驱动器，所述数据驱动器在所述面板上面对所述照明测试电路，其中所述像素单元插置于所述数据驱动器与所述照明测试电路之间，所述数据驱动器被配置为向所述数据线提供数据信号。
所述栅极驱动器和所述发光控制驱动器可位于所述面板的右侧或者左侧，以及所述照明测试电路和所述数据驱动器可位于所述面板的上侧或者下侧。
根据本发明的实施方式，提供了抑制因ESD导致的缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器。
附图说明
图1是有机发光二极管（OLED）显示器的实施例的框图；
图2是图1所示的像素的实施例的电路图；
图3是图2所示的像素的驱动方法的波形图；
图4是设置在图1所示的栅极驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图；
图5是设置在图1所示的发光控制驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图；
图6是根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图；
图7是图6的部分A的视图；
图8是根据本发明的另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图；以及
图9是图8的部分B的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式，以使本领域技术人员能够容易地实现本发明。如本领域技术人员应领会的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，均不偏离本发明的精神或范围。
为了清楚地描述实施方式，可省略不必理解描述的部件，并且在整个说明书中相同的参考标号指示相同的元件。
在整个实施方式中具有相同结构的元件由相同的参考标号指示并且可仅针对一个实施方式进行描述。在其他实施方式中，主要描述与之前描述的实施方式不同的元件。
在附图中，部件的尺寸和厚度仅示出为便于解释，因而本发明不必限制为本文所描述并示出的图示。
此外，除非明确地相反描述，词语“包括（comprise）”和变型诸如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”将被解释为暗指所指的元件的包含物，但不排除一个或多个其他的元件。而且，当元件被称为“耦接”（例如，电耦接或连接）至另一元件时，其可直接耦接至其他元件或没有直接地耦接至其他元件，其中在二者之间插置一个或多个中间元件。
像素代表用于显示图像的最小单位，有机发光二极管（OLED）显示器通过多个像素显现图像。
现在将参照图1至图7描述根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器。
图1是有机发光二极管（OLED）显示器的一个实施例的框图。
如图1所示，有机发光二极管（OLED）显示器包括栅极驱动器10、发光控制驱动器20、数据驱动器30和像素单元40。
栅极驱动器10生成与从外部源提供的驱动电源和控制信号对应的栅极信号，并将栅极信号顺序提供到栅极线S1至Sn。通过栅极信号选择像素50，从而顺序提供数据信号。
发光控制驱动器20向与栅极线S1至Sn平行设置的发光控制线E1至En顺序提供发光控制信号。发光控制信号对应于驱动电源和控制信号。因此，像素50的发光受到发光控制信号的控制。
栅极驱动器10和发光控制驱动器20可单独地安装在面板上作为芯片型（chiptype）。可替换地，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可与包含在像素单元40中的驱动元件一起形成在面板上。
在图1中，栅极驱动器10和发光控制驱动器20被设置为彼此面对，像素单元40插置于二者之间，然而，本发明不限于此。例如，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可形成在像素单元40的同一侧，或者可分别形成在像素单元40的两侧。
而且，可根据像素单元40的像素50的结构省略发光控制驱动器20。
数据驱动器30生成与外部源提供的数据和控制信号对应的数据信号，并将数据信号提供到数据线D1至Dm。提供到数据线D1至Dm的数据信号被提供到由栅极信号选择的像素50（即，当栅极信号被提供到像素50时）。因此，像素50对与数据信号对应的电压进行存储或充电。
像素单元40包括多个像素50，多个像素50位于栅极线S1至Sn、发光控制线E1至En和数据线D1至Dm的交叉区域处。
像素单元40可从外部源接收高电位像素功率的第一电源ELVDD和低电位像素功率的第二电源ELVSS。第一电源ELVDD和第二电源ELVSS被传送至每个像素50。而且，可根据像素50的结构为像素单元40提供初始化电源Vinit或者参考电压Vref。
因此，像素50发出的光具有与从第一电源ELVDD流至第二电源ELVSS的驱动电流对应的亮度（该驱动电流与数据信号对应），从而显示图像。
图2是图1所示的像素50的一个实施例的电路图。为了方便起见，图2示出了位于第i（i为自然数）行第j（j为自然数）列的像素，并且该像素被配置为进行初始化和阈值电压补偿。然而，本发明不限于此，本发明可包括不同结构的像素。
如图2所示，像素50包括包含多个晶体管T1至T6的像素电路单元52、存储电容器Cst和有机发光二极管（OLED），有机发光二极管（OLED）用于接收来自像素电路单元52的驱动电流。
当前一栅极信号SSi-1被提供到前一栅极线Si-1时，像素电路单元52使存储在存储电容器Cst中的电压初始化，并且当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，像素电路单元52对与数据信号Vdata对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压进行充电。这样，无论第一晶体管T1的阈值电压如何，与数据信号Vdata对应的驱动电流均被提供到有机发光二极管（OLED）。
在这种情况下，虽然图1没有示出，但是每个像素50可耦接至前一栅极线Si-1和当前的栅极线Si，并且可将第一行的像素50耦接至第一栅极线S1的前一行的栅极线（例如，虚拟栅极线），以使第一行的像素50初始化。此外，在像素单元50中，还可包括向每个像素50提供初始化电源Vinit的初始化电源线。
在图2中，像素电路单元52耦接至当前栅极线Si、前一栅极线Si-1、发光控制线Ei、数据线Dj、第一电源ELVDD、初始化电源Vinit和有机发光二极管（OLED），并且像素电路单元52包括第一至第六晶体管T1至T6和存储电容器Cst。
第一晶体管T1可耦接在第一电源ELVDD与有机发光二极管（OLED）之间，以根据施加到第一晶体管T1的栅电极的电压来控制驱动电流。
具体地，第一晶体管T1的第一电极（例如，源电极）可通过第六晶体管T6耦接至第一电源ELVDD，T1的第二电极（例如，漏电极）可通过第五晶体管T5耦接至有机发光二极管（OLED）。而且，第一晶体管T1的栅电极可耦接至第一节点N1。这里，第一晶体管T1根据第一节点N1的电压（即，存储电容器Cst所充电的电压）控制提供到有机发光二极管（OLED）的驱动电流。
第二晶体管T2可耦接在数据线Dj与存储电容器Cst之间，并且当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，第二晶体管T2可导通，使得数据信号在像素50内被传送。
在图2中，第二晶体管T2的第一电极耦接至数据线Dj，第二晶体管T2的第二电极通过第一晶体管T1和第三晶体管T3耦接至存储电容器Cst。此外，第二晶体管T2的栅电极耦接至当前栅极线Si。这里，当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，第二晶体管T2导通，使得数据线Dj提供的数据信号Vdata通过第一和第三晶体管T1和T3被传送至存储电容器Cst。
第三晶体管T3可耦接至第一晶体管T1的栅电极和第一晶体管T1的第二电极（例如，漏电极）。这样，根据提供到第三晶体管T3的栅电极的电压，第三晶体管T3可与第一晶体管T1二极管连接（diode-connect）。
在图2中，第三晶体管T3的第一电极耦接至第一晶体管T1的第二电极，第三晶体管T3的第二电极耦接至第一晶体管T1的栅电极。此外，第三晶体管T3的栅电极耦接至当前栅极线Si。这里，当从当前栅极线Si提供当前栅极信号SSi时，第三晶体管T3导通，以与第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4可耦接在存储电容器Cst与初始化电源Vinit之间，并且可通过前一栅极信号SSi-1导通，以将初始化电源Vinit的电压传送至存储电容器Cst。
这里，初始化电源Vinit是不形成从第一电源ELVDD到第二电源ELVDD的电流路径的一部分的电源，并且是用于在当前栅极信号SSi被提供到当前栅极线Si之前的时间段（例如，前一栅极信号SSi-1被提供到前一栅极线Si-1的时间段）向像素电路单元52提供恒定电压的电源。该初始化电源Vinit可以被设定为电压低于数据信号Vdata的电压，例如，数据信号Vdata的最低电压。
如果第四晶体管T4导通，则第一节点N1的电压通过比数据信号Vdata的电压低的电压初始化，并且数据信号Vdata被提供到第一节点N1，并且在随后的数据信号Vdata的写入时间段中，第一晶体管T1以向前方向二极管连接。
在图2中，第四晶体管T4的第一电极耦接至第一节点N1，第四晶体管T4的第二电极耦接至初始化电源Vinit。此外，第四晶体管T4的栅电极耦接至前一栅极线Si-1。这里，当从前一栅极线Si-1提供前一栅极信号SSi-1时，第四晶体管T4导通，以使初始化电源Vinit和第一节点N1耦接。因此，当初始化电源Vinit的电压被施加到第一节点N1时，第一节点N1的电压被初始化。
第五晶体管T5可耦接在第一晶体管T1与有机发光二极管（OLED）之间。第五晶体管T5的关断可通过从发光控制线Ei提供的发光控制信号EMIi来控制。
在图2中，第五晶体管T5的第一电极耦接至第一晶体管T1的第二电极，第五晶体管的第二电极耦接至有机发光二极管（OLED）的阳极。此外，第五晶体管T5的栅电极耦接至发光控制线Ei。这里，当发光控制线Ei所提供的发光控制信号EMIi的电压水平为高电平时，第五晶体管T5关断，使得像素电路单元52和有机发光二极管（OLED）彼此绝缘，并且如果发光控制信号EMIi的电压水平转变为低电平时，第五晶体管导通，使得第一晶体管T1所提供的驱动电流被传送至有机发光二极管（OLED）。
第六晶体管T6可耦接在第一电源ELVDD与第一晶体管T1之间，并且其关断可通过发光控制线Ei所提供的发光控制信号EMIi来控制。
在图2中，第六晶体管T6的第一电极耦接至第一电源ELVDD，第六晶体管T6的第二电极耦接至第一晶体管T1的第一电极。此外，第六晶体管T6的栅电极耦接至发光控制线Ei。这里，当发光控制线Ei所提供的发光控制信号EMIi的电压水平为高电平时，第六晶体管T6关断，使得第一晶体管T1与第一电源ELVDD绝缘，并且如果发光控制信号EMIi的电压水平转变为低电平时，第六晶体管T6导通，使得第一晶体管T1与第一电源ELVDD耦接。
存储电容器Cst可耦接在第一晶体管T1的栅电极与第一电源ELVDD之间。在提供前一栅极信号SSi-1的时间段中，该存储电容器Cst可通过初始化电源Vinit初始化，在提供当前栅极信号SSi的时间段中，可用与数据信号Vdata对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压对存储电容器Cst进行充电。存储电容器Cst可在像素50发光的时间段中保持所充电的电压。
在图2中，有机发光二极管（OLED）耦接在像素电路单元52与第二电源ELVSS之间。这里，有机发光二极管发出的光具有与通过像素电路单元52流进第二电源ELVSS的驱动电流和来自第一电源ELVDD的驱动电流对应的亮度。有机发光二极管（OLED）可包括用于发出红色、绿色或蓝色光的有机发射层，从而生成与此对应的光。
图3是图2所示的像素的驱动方法的波形图。
如图3所示，像素50可从前一栅极线Si-1顺序接收（例如，以低电平顺序接收）前一栅极信号SSi-1和当前栅极信号SSi。当前发光控制线Ei的当前发光控制信号EMIi可以以高电平提供，以使其与低电平的前一栅极信号SSi-1和接下来的低电平的当前栅极信号SSi的序列重叠。
即，在提供前一栅极信号SSi-1和当前栅极信号SSi的时间段中，发光控制信号EMIi保持用于关断第五晶体管T5和第六晶体管T6的高电平电压，在提供当前栅极信号SSi完成后，该电压转变成用于导通第五晶体管T5和第六晶体管T6的低电平电压。
因此，像素50接收来自外部源的第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和初始化电源Vinit，以及来自数据线Dj的数据信号Vdata。
现在将通过示例的方式详细描述像素50的示例性操作。首先，在低电平的前一栅极信号SSi-1被提供到前一栅极线Si-1的第一时间段t1中，第四晶体管T4导通。因此，初始化电源Vinit的电压被传送至第一节点N1，以使第一节点N1的电压被初始化，由此存储在存储电容器Cst中的电压也被初始化。即，第一时间段t1为用于使第一节点N1的电压初始化的时间段。
接下来，在低电平的当前栅极信号SSi被提供到当前栅极线Si的第二时间段t2中，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。如果第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，则从数据线Dj提供的数据信号Vdata从第二晶体管T2、第一晶体管T1和第三晶体管T3被传送至第一节点N1。因此，第一晶体管T1由第三晶体管T3二极管连接，以使第一节点N1接收第一晶体管T1的阈值电压所反映的电压以及数据信号Vdata。
即，用与数据信号Vdata对应的电压和第一晶体管T1的阈值电压对存储电容器Cst进行充电。
接下来，在第三时间段t3中，被提供至发光控制线Ei的发光控制信号EMIi的电压水平转变为低电平，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。
因此，与在存储电容器Cst中充电的电压对应的驱动电流通过第一晶体管T1提供到有机发光二极管（OLED）。
由于第一晶体管T1的阈值电压被补偿，所以无论第一晶体管T1的阈值电压如何，有机发光二极管（OLED）均被提供有与数据信号Vdata对应的驱动电流。因此，无论第一晶体管T1的阈值电压如何，有机发光二极管（OLED）发出的光均具有与数据信号Vdata对应的均匀亮度。
可通过图1所示的栅极驱动器10生成驱动像素50的前一栅极信号SSi-1和当前栅极信号SSi，可通过发光控制驱动器20生成发光控制信号EMIi。
图4是可设置在图1所示的栅极驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图。图5是可设置在图1所示的发光控制驱动器中的移位寄存器的实施例的电路图。具体地，图4和图5是示出分别包含在栅极驱动器和发光控制驱动器的移位寄存器中的多个级之中的第i级的构造的电路图。
图4示出了第0759686号韩国专利中公开的移位寄存器的级电路，该级的输出信号（即，栅极信号的高电平电压）是由于移位寄存器的第一电源VDD导致的，而栅极信号的低电平电压是由于移位寄存器的第二电源VSS导致的。
这里，移位寄存器的第一电源VDD和第二电源VSS是指包括移位寄存器的栅极驱动器的驱动电源，但是它们由不同的术语指示并且分别对应于实际上提供到栅极驱动器的栅极高电平电压VGH和栅极低电平电压VGL。
此外，图5示出了在公开号为2008-0033630的韩国专利公开文本中所公开的移位寄存器的STi级电路，STi级的输出信号（即，发光控制信号EMIi的高电平电压）是由于发光控制驱动器的第一电源VDD导致的，而发光控制信号EMIi的低电平电压是由于发光控制驱动器的第二电源VSS导致的。
这里，发光控制驱动器可包括栅极驱动器，或者可以与栅极驱动器分开地设置，栅极驱动器和发光控制驱动器可以通过第一电源VDD和第二电源VSS（即，栅极高电平电压VGH和栅极低电平电压VGL）等同地驱动。
因此，为了通过栅极驱动器和发光控制驱动器驱动像素，可通过栅极驱动器和发光控制驱动器稳定地提供栅极高电平电压VGH和栅极低电平电压VGL。
图6是根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图。在图6的装置中，可选择图1-图5所示的装置的一个或多个特征。
如图6所示，根据本实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器1000可包括像素单元40（这里被示出在面板100的中心区域）、用于向栅极线Sn提供栅极信号的栅极驱动器10（这里被示出在面板100的一侧）、用于向与栅极线Sn平行设置的发光控制线En提供发光控制信号的发光控制驱动器20（这里被示出为面对栅极驱动器10，其中像素单元40插置在二者之间并且在面板100上）、照明测试电路90（这里被示出在面板100的另一侧）、以及用于向数据线Dm提供数据信号的数据驱动器30（这里被示出为面对照明测试电路90，其中像素单元40插置在二者之间并且在面板100上）。
在图6中，栅极驱动器10设置在像素单元40的左侧，即，面板100的左侧，发光控制驱动器20设置在像素单元40的右侧，即，面板100的右侧，然而不限于此，栅极驱动器10可设置在像素单元40的右侧，即，面板100的右侧，发光控制驱动器20可设置在像素单元40的左侧，即，面板100的左侧。即，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可设置在具有像素单元40的面板100的右侧或左侧。此外，在该实施方式中，栅极驱动器10和发光控制驱动器20相对于像素单元40隔开并且定位成彼此面对，然而，它们可以集成到一个驱动器中并且可以形成在像素单元40的一侧或两侧。而且，可根据像素实施方式的结构省略发光控制驱动器20。
此外，在图6中，照明测试电路90设置在像素单元40的上侧，即，面板100的上侧，数据驱动器30设置在像素单元40的下侧，即，面板100的下侧；然而，不限于此，照明测试电路90可设置在像素单元40的下侧，即，面板100的下侧，数据驱动器30可设置在像素单元40的上侧，即，面板100的上侧。此外，在该实施方式中，照明测试电路90和数据驱动器30相对于像素单元40隔开并且定位成彼此面对；然而，它们可以集成到一个驱动器中并且可以形成在像素单元40的一侧或两侧。
焊盘部分PA可设置在面板100上没有设置栅极驱动器10、发光控制驱动器20、数据驱动器30和照明测试电路90的边缘处，例如，下部边缘处，焊盘部分PA可包括多个焊盘P，以在面板100内提供驱动功率和控制信号。根据本发明的实施方式，像素单元40、栅极驱动器10、发光控制驱动器20、照明测试电路90和数据驱动器30通过焊盘P而提供有驱动功率和控制信号。
此外，在面板100上（例如，形成在或设置在面板100上/形成在或设置在面板100中）可包含第一电源线VGHL，第一电源线VGHL用于接收来自焊盘部分PA的栅极高电平电压并用于将栅极高电平电压提供到栅极驱动器10和发光控制驱动器20。第一电源线VGHL可设计成具有围绕像素单元40、栅极驱动器10、照明测试电路90和发光控制驱动器20（例如，沿它们周边、环绕它们、包围它们或者部分地包围它们中的至少一部分）的形状，并且第一电源线VGHL可耦接至焊盘部分PA的多个焊盘P。在面板100上可包含第二电源线VGLL，第二电源线VGLL用于接收来自焊盘部分PA的栅极低电平电压并用于将栅极低电平电压提供到栅极驱动器10和发光控制驱动器20。第二电源线VGLL可设计成具有围绕像素单元40、栅极驱动器10、照明测试电路90和发光控制驱动器20（例如，绕它们的周边等）的形状，并且第二电源线VGLL可耦接至焊盘部分PA的多个焊盘P。
在一个实施方式中，第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可被分别划分为绕开栅极驱动器10和发光控制驱动器20，然而，在根据其他实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器中，第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可被设计成具有通过栅极驱动器10和发光控制驱动器20围绕照明测试电路90（例如，绕其周边等）的形状。
此外，为了减少（或最小化）面板100中的电压降，第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可由具有低电阻率的材料形成。例如，第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可由与形成在面板100上的晶体管（例如，包含在像素单元40、栅极驱动器10和发光控制驱动器20中的晶体管）的源电极和漏电极相同的层和相同的材料形成，或者由与这些晶体管的栅电极相同的层和相同材料形成。而且，第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可由与一个区域中的晶体管的源电极和漏电极相同的材料形成，并且可由与另一个区域中的晶体管的栅电极相同的材料形成，从而可使用晶体管的源电极和漏电极的材料或者栅电极的材料。即，可通过选择用于形成面板100的材料中具有低电阻率的材料而自由地设计第一电源线VGHL和第二电源线VGLL。
第一电源线VGHL和第二电源线VGLL可通过面板100上面对焊盘部分PA的上部区域而耦接至栅极驱动器10和发光控制驱动器20。照明测试电路90可设置在面板100的上部区域。
因此，栅极驱动器10产生的栅极信号的高电平电压和发光控制驱动器20产生的发光控制信号的高电平电压可因第一电源线VGHL提供的相同的栅极高电平电压VGH而具有相同的水平，栅极信号的低电平电压和发光控制信号的低电平电压可因第二电源线VGLL提供的相同的栅极低电平电压VGL而具有相同的水平。
因此，栅极驱动器10和发光控制驱动器20可通过第一电源线VGHL和第二电源线VGLL耦接，使得栅极驱动器10和发光控制驱动器20可被提供有具有相同水平的栅极高电平电压VGH和具有相同水平的栅极低电平电压VGL，从而稳定地驱动有机发光二极管（OLED）显示器1000。
根据本发明的实施方式，照明测试电路90耦接至第一输入线IL1和第二输入线IL2，照明测试电路90在照明测试时间段中从第一输入线IL1（耦接至焊盘部分PA）接收照明测试信号，并从第二输入线IL2（耦接至焊盘部分PA）接收测试控制信号，以根据测试控制信号将照明测试信号提供至数据线Dm。
在照明测试完成后的实际驱动时间段中（例如，当显示图像时），照明测试电路90可因焊盘部分PA所提供的偏压信号而保持断开状态。
本发明不限于包括数据驱动器30的情况，可以不包含数据驱动器30（例如，不包含在测试控制信号的操作中）。
根据本发明的实施方式，替代数据驱动器30，可通过使用照明测试电路90向数据线Dm提供照明测试信号，从而在形成数据驱动器30之前（例如，在制造过程中）进行照明测试。因此，在安装数据驱动器30之前可检测到有缺陷的面板，并且可防止不必要的材料消耗。
图7是图6的部分A的视图。
如图7所示，照明测试电路90可包括多个晶体管TR，多个晶体管TR包括沟道层C、耦接至沟道层C并耦接至第一输入线IL1（其传送照明测试信号TD）的源电极S、耦接至沟道层C并耦接至数据线Dm（每个晶体管可耦接至单独的数据线）的漏电极D、以及耦接至第二输入线IL2（其传送照明控制信号TG）的栅电极G。
沟道层C可包括空穴作为载流子的p型半导体。
晶体管TR的源电极S共同地耦接至第一输入线IL1，以接收照明测试信号TD，每个漏电极D耦接至数据线Dm中单独的一个数据线。
晶体管TR的栅电极G共同地耦接至第二输入线IL2，以接收测试控制信号TG。
晶体管TR可通过在照明测试时间段中被提供用于导通晶体管TR的测试控制信号TG而并发地或同时地导通，使得照明测试信号TD可提供到数据线Dm。此外，在照明测试完成后的实际驱动时间段中，照明测试电路90可根据从焊盘部分PA通过第二输入线IL2所提供的偏压信号而保持断开状态。
这里，传送照明控制信号TG的第二输入线IL2可耦接至第一电源线VGHL，第一电源线VGHL通过电阻器R传送栅极高电平电压VGH。
电阻器R可以由与面板100上的沟道层C相同的材料形成并与沟道层C形成在同一层内。例如，电阻器R可以为形成（例如，并发地或同时地形成）沟道层C的半导体材料，并且可以在形成通道C时形成电阻器R。
电阻器R可包括诸如多晶硅半导体或氧化物半导体的半导体材料，并且可与晶体管TR的沟道层C一同整体形成。
在所描述的实施方式中，电阻器R的电阻被配置为在实际驱动过程中不影响（或者基本不影响）照明测试，但是配置在保护晶体管TR免受ESD（例如，强静电电击）影响的范围内。电阻器R的电阻可根据面板100的设计条件而改变，并且可通过模拟来计算。为了控制电阻器R的电阻，诸如多晶硅半导体或氧化物半导体的半导体材料可掺杂有杂质。根据本发明的实施方式，如果电阻器R与晶体管TR的沟道层C一体形成，则只有用于电阻器R的半导体材料可掺杂有杂质。可替换地，在其他实施方式中，晶体管TR的沟道层C和电阻器R可掺杂有相同的杂质，或者可将掺杂至用于电阻器R的半导体材料中的杂质浓度控制为与掺杂至晶体管TR的沟道层C中的杂质的浓度不同。
如上所述，第二输入线IL2可通过电阻器R耦接至第一电源线VGHL，以使第二输入线IL2因ESD导致的浮置得到抑制，并且在照明测试完成后的实际驱动时间段中，晶体管TR的栅电极G因第一电源线VGHL所提供的栅极高电平电压VGH而保持关断状态（虽然第二输入线IL2会因ESD而部分浮置）。
当第二输入线沿面板的外部定位（例如，沿面板外部的至少一部分设置），并且耦接在照明测试电路的晶体管的栅电极与焊盘部分之间时，其可具有对于ESD较弱（例如，易受ESD影响）的结构，ESD会在照明测试完成后的实际驱动时间段中不期望地施加到有机发光二极管（OLED）显示器。因此，如果第二输入线因ESD而部分浮置，则照明测试电路的晶体管不会保持关断状态，因此在有机发光二极管（OLED）显示器中会产生驱动缺陷。然而，在根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器1000中，第二输入线IL2（用于传送照明控制信号TG）通过电阻器R耦接至第一电源线VGHL（用于传送栅极高电平电压VGH），从而抑制第二输入线IL2因ESD而导致的浮置，并且晶体管TR的栅电极G因第一电源线VGHL提供的栅极高电平电压VGH而保持关断状态，从而防止驱动缺陷（虽然第二输入线IL2会因ESD而部分浮置）。即，提供了防止因ESD导致的驱动缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器1000。
接下来，参见图8和图9，将描述根据另一实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器。
在下文中，将描述与上述实施方式不同的元件的主要特征，没有描述的元件参照以上描述。在该实施方式中，与第一实施方式相同的参考标号将用于相同的元件。
图8是根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的俯视图。图9是图8的部分B的视图。
如图8和图9所示，根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器1002的照明测试电路90包括多个晶体管TR，每个晶体管TR包括沟道层C’、耦接至沟道层C’并耦接至第一输入线IL1（其传送照明测试信号TD）的源电极S、耦接至沟道层C’并耦接至数据线Dm的漏电极D、以及耦接至第二输入线IL2（其传送照明控制信号TG）的栅电极G。
根据本发明的实施方式，沟道层C’包括电子用作载流子的n型半导体。
晶体管TR的源电极S可共同地耦接至第一输入线IL1（其传送照明测试信号TD），漏电极D可耦接至每个数据线Dm（例如，每个漏电极耦接至不同的数据线Dm）。
晶体管TR的栅电极G可共同耦接至第二输入线IL2（其接收测试控制信号TG）。
晶体管TR可由测试控制信号TG并发地或同时地导通（该测试控制信号TG在照明测试时间段中被提供用于导通晶体管TR），使得照明测试信号TD提供到数据线Dm。此外，在照明测试完成后的实际驱动时间段中，照明测试电路90可通过偏压信号而保持断开状态，该偏压信号是从焊盘部分PA通过第二输入线IL2所提供的。
在图9中，第二输入线IL2（其接收照明控制信号TG）通过电阻器R耦接至第二电源线VGLL（其接收栅极低电平电压VGL）。
电阻器R可以由与面板100上的沟道层C’相同的材料形成在沟道层C’的同一层内。即，电阻器R可以为形成（例如，并发地或同时地形成）沟道层C’的半导体材料。
电阻器R可包括诸如多晶硅半导体或氧化物半导体的半导体材料，并且可与晶体管TR的沟道层C’一同形成（例如，形成为整体）。
如上所述，第二输入线IL2可通过电阻器R耦接至第二电源线VGLL，以使第二输入线IL2因ESD而导致的浮置受到抑制，并且在照明测试完成后的实际驱动时间段中，晶体管TR的栅电极G会因第二电源线VGLL提供的栅极低电平电压VGL而保持关断状态（虽然第二输入线IL2会因ESD而部分浮置）。
第二输入线IL2可沿面板的外部定位（例如，环绕、包围或围绕面板外部的至少一部分），并且可耦接在照明测试电路的晶体管的栅电极与焊盘部分之间，因而具有对于ESD较弱（例如，易受ESD影响）的结构，ESD会在照明测试完成后的实际驱动时间段中不期望地施加到有机发光二极管（OLED）显示器。因此，当第二输入线因ESD而部分浮置时，照明测试电路的晶体管不会保持关断状态，因此在有机发光二极管（OLED）显示器中会产生驱动缺陷。然而，在根据本发明的实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器1002中，第二输入线IL2（传送照明控制信号TG）通过电阻器R耦接至第二电源线VGLL（传送栅极低电平电压VGL），以使第二输入线IL2因ESD而导致的浮置受到抑制，并且晶体管TR的栅电极G因第二电源线VGLL所提供的栅极低电平电压VGL而保持关断状态，从而防止了驱动缺陷（虽然第二输入线IL2会因ESD而部分浮置）。即，提供了防止因ESD导致的驱动缺陷的有机发光二极管（OLED）显示器1002。
虽然已针对目前被认为是实际的示例性实施方式描述了本公开，但是应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反地，本发明旨在覆盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同设置。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
像素单元，包括多个像素，所述多个像素位于栅极线和数据线的交叉区域并且位于面板的中央区域；
栅极驱动器，被配置为向所述栅极线提供栅极信号，所述栅极驱动器位于所述面板的一侧；
照明测试电路，耦接至第一输入线和第二输入线，所述第一输入线被配置为传送照明测试信号，所述第二输入线被配置为传送测试控制信号，所述照明测试电路位于所述面板的另一侧，并且被配置为根据所述测试控制信号将所述照明测试信号提供到所述数据线；
第一电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极高电平电压，所述第一电源线位于所述栅极驱动器与所述照明测试电路的周边；以及
第二电源线，被配置为向所述栅极驱动器提供栅极低电平电压，所述第二电源线位于所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边；
其中，所述第二输入线通过电阻器耦接至所述第一电源线或者所述第二电源线。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述照明测试电路包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每个包括：
沟道层；
源电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述第一输入线；
漏电极，耦接至所述沟道层并且耦接至所述数据线中的一个数据线；以及
栅电极，耦接至所述第二输入线。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述沟道层包括p型半导体材料，以及
所述第二输入线通过所述电阻器耦接至所述第一电源线。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述沟道层包括n型半导体材料，以及
所述第二输入线通过所述电阻器耦接至所述第二电源线。
5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述电阻器与所述沟道层处于同一层。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括：
发光控制驱动器，所述发光控制驱动器在所述面板上面对所述栅极驱动器，并且所述像素单元插置于所述发光控制驱动器与所述栅极驱动器之间，所述发光控制驱动器被配置为向与所述栅极线平行的发光控制线提供发光控制信号。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述第一电源线被配置为将所述栅极高电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第一电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边，以及
所述第二电源线被配置为将所述栅极低电平电压提供到所述发光控制驱动器，所述第二电源线位于所述发光控制驱动器、所述栅极驱动器和所述照明测试电路的周边。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述栅极信号和所述发光控制信号的高电平电压被配置为根据所述栅极高电平电压而产生，所述栅极信号和所述发光控制信号的低电平电压被配置为根据所述栅极低电平电压而产生。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，还包括：
数据驱动器，所述数据驱动器在所述面板上面对所述照明测试电路，其中所述像素单元插置于所述数据驱动器与所述照明测试电路之间，所述数据驱动器被配置为向所述数据线提供数据信号。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述栅极驱动器和所述发光控制驱动器位于所述面板的右侧或者左侧，以及
所述照明测试电路和所述数据驱动器位于所述面板的上侧或者下侧。
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