TW201401250A - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光二極體(OLED)顯示器包含：像素單元；閘極驅動器，用以供應閘極訊號至閘極線；發光測試電路，係耦接至第一輸入線(用以傳輸發光測試訊號)、及第二輸入線(用以傳輸測試控制訊號)，發光測試電路係用於根據測試控制訊號而供應發光測試訊號至資料線；第一電源供應線，係用以供應閘極高位準電壓至閘極驅動器且位於閘極驅動器及發光測試電路之外圍；以及第二電源供應線，係用以供應閘極低位準電壓至閘極驅動器且位於閘極驅動器及發光測試電路之外圍。第二輸入線係透過電阻而耦接至第一電源供應線或第二電源供應線。

Description

有機發光二極體顯示器
本發明之實施例係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器。
有機發光二極體顯示器具有不同於液晶顯示器(LCD)之自發光特性，其不需獨立光源且具有相對較小厚度及重量。更進一步，有機發光二極體顯示器表現高品質特性，例如低能量消耗、高亮度以及快速反應時間。
有機發光二極體(OLED)顯示器可包含含有複數個像素之像素單元、用以供應閘極訊號至像素單元之閘極驅動器、用以供應資料訊號至像素單元之資料驅動器、以及於執行發光測試以確認像素發光時使用之發光測試電路。此處，發光測試電路可包含複數個薄膜電晶體以藉由從外界供應的對應之測試控制訊號而供應發光測試訊號至資料線。
包含於發光測試電路之薄膜電晶體及供應測試控制訊號及發光測試訊號至薄膜電晶體之線路可暴露於自外界流進的靜電放電(ESD)，致使於製造有機發光二極體(OLED)顯示器之製程中或於製造有機發光二極體(OLED)顯示器完成後，其容易由於靜電放電而受損害。
如果於發光測試電路之薄膜電晶體及供應測試控制訊號及發光測試訊號至薄膜電晶體之線路由於靜電放電而受損害，則發光測試可無法有效執行，且可能產生有機發光二極體(OLED)顯示器之驅動缺陷。
揭露於背景章節之上述資訊係僅用來加強所述技術之背景理解，可能因此包含未構成該技術領域具有通常知識者已知的先前技術之資訊。
本發明之態樣提供一種抑制由靜電放電造成的缺陷之有機發光二極體(OLED)顯示器。
根據本發明實施例之一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：像素單元，係包含複數個像素於閘極線與資料線交錯之區域以及面板之中心區域；閘極驅動器，係配置以供應閘極訊號至閘極線，閘極驅動器係於面板之一側；發光測試電路，係耦接至配置以傳輸發光測試訊號之第一輸入線、及配置以傳輸測試控制訊號之第二輸入線，發光測試電路係於面板之其他側，且根據測試控制訊號配置以供應發光測試訊號至資料線；第一電源供應線，係配置以供應閘極高位準電壓至閘極驅動器且位於閘極驅動器及發光測試電路之外圍；以及第二電源供應線，係配置以供應閘極低位準電壓至閘極驅動器且位於閘極驅動器及發光測試電路之外圍；其中第二輸入線係透過電阻而耦接至第一電源供應線或第二電源供應線。
發光測試電路可包含複數個電晶體，其各包含：通道層；源極電極，係耦接至通道層且耦接至第一輸入線；汲極電極，係耦接至通道層，且耦接至該資料線之其一；以及閘極電極，係耦接至第二輸入線。
通道層可包含p型半導體材料，以及第二輸入線可透過電阻而耦接至第一電源線。
通道層可包含n型半導體材料，以及第二輸入線可透過電阻而耦接至第二電源線。
電阻可與通道層位於相同層。
有機發光二極體(OLED)顯示器更可包含發光控制驅動器，其係面對閘極驅動器並具像素單元插設於發光控制驅動器及閘極驅動器之間、位於面板上並配置以供應發光控制訊號至平行於閘極線之發光控制線。
第一電源供應線可配置以供應閘極高位準電壓至發光控制驅動器，且可位於發光控制驅動器、閘極驅動器及發光測試電路之外圍，以及第二電源供應線係配置以供應閘極低位準電壓至發光控制驅動器，且可位於發光控制驅動器、閘極驅動器及發光測試電路之外圍。
閘極訊號及發光控制訊號之高位準電壓可配置根據閘極高位準電壓而產生，且閘極訊號及發光控制訊號之低位準電壓可配置根據閘極低位準電壓而產生。
可更包含資料驅動器，其係面對發光測試電路，並具像素單元插設於資料驅動器及發光測試電路之間、位於面板上並配置以供應資料訊號至資料線。
閘極驅動器及發光控制驅動器可於面板之右側或左側，以及發光測試電路及資料驅動器係於面板之上側或下側。
根據本發明之實施例，提供一種抑制由靜電放電造成的缺陷之有機發光二極體(OLED)顯示器。
10 閘極驅動器
20 發光控制驅動器
30 資料驅動器
40 像素單元
50 像素
52 像素電路單元
90 發光控制電路
100 面板
1000、1002 有機發光二極體顯示器
P 墊片
PA 墊片部
IL1 第一輸入線
IL2 第二輸入線
ELVDD 第一電源
ELVSS 第二電源
VGH 閘極高位準電壓
VGL 閘極低位準電壓
VGHL第一電源供應線
VGLL 第二電源供應線
R 電阻
G 閘極電極
S 源極電極
D 汲極電極
C、C’ 通道層
TD 發光測試訊號
TG 測試控制訊號
TR 電晶體
N1 第一節點
Cst 儲存電容
Vinit 初始化電源
Vdata 資料訊號
Ei 當下發光控制線
EMIi 當下發光控制訊號
SSi 當下閘極訊號
SSi-1 前閘極訊號
Si 當下閘極線
Si-1 前閘極線
T1 第一電晶體
T2 第二電晶體
T3 第三電晶體
T4 第四電晶體
T5 第五電晶體
T6 第六電晶體
D1、D2…、Dm、Dj 資料線
S1、S2…、Sn 閘極線
E1、E2…、En 發光控制線
t1 第一時期
t2 第二時期
t3 第三時期
A、B 部分
OLED 有機發光二極體
第1圖係有機發光二極體(OLED)顯示器之範例的方塊圖。
第2圖係示於第1圖像素之範例的電路圖。
第3圖係示於第2圖之像素之驅動方法的波形圖。
第4圖係示於第1圖之提供於閘極驅動器之位移暫存器之範例的電路圖。
第5圖係示於第1圖之提供於發光控制驅動器之位移暫存器之範例的電路圖。
第6圖係根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之俯視圖。
第7圖係第6圖之A部分之圖。
第8圖係根據本發明另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之俯視圖。
第9圖係第8圖之B部分之圖。
下文中，本發明將參考本發明之例示性實施例於其中的附圖而更完整描述。技術領域中具通常知識者將理解在不脫離本發明精神與範疇下，所述實施例可以各種方式修改。
為清楚描述實施例，可省略不需用於理解敘述的部份，且於說明書中相似參考數碼表示相似元件。
於實施例中，具有相同結構之元件係以相同參考符號表示，且可只參考一實施例說明。於其他實施例中，主要描述不同於先前描述於實施例之其他元件的元件。
圖示中，構件之大小與厚度只用於方便解釋，所以本發明不需受限於此處所示的繪示。
此外，說明書中，除非明確聲明與其相反，否則詞彙「包含(comprise)」及其變化像是「包含(comprises)」或「包含(comprising)」將理解為表示涵括所述元件但不排除任何其他元件。同樣地，當元件如層、膜、區域或基板係表示為”在(on)”另一元件上，可直接於另一元件上，或可插設有一或多個中介元件。此外，當元件係表示為”耦接(couple)”(例如電性耦接或連接)至另一元件時，可直接耦接至另一元件，或間接耦接至另一元件，其有一或多個其他元件插設於其中。
像素係代表用以顯示影像之最小單元，且有機發光二極體(OLED)顯示器係透過複數個像素顯示影像。
根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器現在將參考第1圖至第7圖而說明。
第1圖係有機發光二極體(OLED)顯示器之範例的方塊圖。
如第1圖所示，有機發光二極體(OLED)顯示器包含閘極驅動器10、發光控制驅動器20、資料驅動器30以及像素單元40。
閘極驅動器10產生對應至驅動電源之閘極訊號及從外部來源供應之控制訊號，且依序供應閘極訊號至閘極線S1至Sn。像素50係由閘極訊號選擇，從而資料訊號係依序供應。
發光控制驅動器20依序供應發光控制訊號至設置平行於閘極線S1至Sn之發光控制線E1至En。發光控制訊號對應至驅動電源及控制訊號。因此，像素50之發光係由發光控制訊號所控制。
閘極驅動器10及發光控制驅動器20可分別以晶片形式安裝於面板上。或者是，可伴隨包含於像素單元40之驅動元件形成於面板上。
於第1圖中，閘極驅動器10及發光控制驅動器20係設置以彼此面對並具有像素單元40插設於其間，然而本發明不受限於此。例如，閘極驅動器10及發光控制驅動器20可形成像素單元40之相同側，或形成於像素單元40之兩側。
同樣地，發光控制驅動器20可根據像素單元40之像素50的結構而省略。
資料驅動器30產生對應至自外界來源供應之資料訊號及控制訊號的資料訊號並供應資料訊號至資料線D1至Dm。供應至資料線D1至Dm的資料訊號係供應至由閘極訊號選擇之像素50 (即，當閘極訊號供應至像素50時)。故而，像素50儲存或充以對應至資料訊號的電壓。
像素單元40包含複數個像素50，其位於閘極線S1至Sn、發光控制線E1至En以及資料線D1至Dm之交錯區域。
像素單元40可自外界來源接收高電位像素電源之第一電源ELVDD以及低電位像素電源之第二電源ELVSS。第一電源ELVDD及第二電源ELVSS係傳送至各像素50。同樣地，像素單元40可根據像素50的結構而供應初始化電源Vinit或參考電壓Vref。
所以，像素50發出具對應至驅動電流之亮度的光，驅動電流從第一電源ELVDD流至第二電源ELVSS，驅動電流對應至資料訊號，從而顯示影像。
第2圖係示於第1圖像素之一範例的電路圖。為了方便，第2圖表示位於第i行(i為自然數)及第j列(j為自然數)之像素，且像素係配置以執行初始化及臨界電壓補償。然而，本發明不受限於此，且本發明可包含各種結構的像素。
如第2圖所示，像素50包含含有複數個電晶體T1至T6之像素電路單元52、儲存電容Cst、以及用以從像素電路單元52接收驅動電流之有機發光二極體(OLED)。
像素電路單元52於前閘極訊號SSi-1供應至前閘極線Si-1時，初始化儲存於儲存電容Cst之電壓，且於當下閘極訊號SSi由當下閘極線Si供應時，充以對應至資料訊號Vdata及第一電晶體T1之臨界電壓的電壓充電。然後，對應至資料訊號Vdata之驅動電流係供應至有機發光二極體(OLED)而不管第一電晶體T1之臨界電壓。
於此情況中，雖然未示於第1圖，各像素50可耦接至前閘極線Si-1以及當下閘極線Si，且像素50之第一行可耦接前一行之閘極線至第一閘極線S1(例如虛擬閘極線)以初始化像素50之第一行。同樣地，於像素單元40中，可更包含用以供應初始化電壓Vinit至各像素50之初始化電壓線。
於第2圖中，像素電路單元52係耦接至當下閘極線Si、前閘極線Si-1、發光控制線Ei、資料線Dj、第一電源ELVDD、初始化電源Vinit以及有機發光二極體(OLED)，且包含第一至第六電晶體T1至T6以及儲存電容Cst。
第一電晶體T1可耦接於第一電源ELVDD及有機發光二極體(OLED)以根據施加至第一電晶體T1之閘極電極之電壓而控制驅動電流。
詳細地講，第一電晶體T1之第一電極(例如，源極電極)可透過第六電晶體T6耦接至第一電源ELVDD，且第一電晶體T1之第二電極(例如，汲極電極)可透過第五電晶體T5耦接至有機發光二極體(OLED)。同樣地，第一電晶體T1之閘極電極可耦接至第一節點N1。此處，第一電晶體根據第一節點N1的電壓，亦即，儲存電容Cst充電之電壓，而控制供應至有機發光二極體(OLED)之驅動電流。
第二電晶體T2可耦接於資料線Dj與儲存電容Cst之間，且可於當下閘極訊號SSi從當下閘極線Si時開啟致使資料訊號傳送至像素50內。
於第2圖中，第二電晶體T2之第一電極係耦接至資料線Dj，且第二電晶體T2之第二電極係透過第一電晶體T1及第三電晶體T3耦接至儲存電容Cst。同樣地，第二電晶體T2之閘極電極係耦接至當下閘極線Si。此處，於當下閘極訊號SSi-1從當下閘極線Si供應時，第二電晶體T2係開啟，致使從資料線Dj供應之資料訊號Vdata係透過第一電晶體T1及第二電晶體T3傳送至儲存電容Cst。
第三電晶體T3可耦接至第一電晶體T1之閘極電極及第一電晶體T1之第二電極(例如汲極電極)。因此，第三電晶體T3可根據施加於第三電晶體T3之閘極電極的電壓而二極體連接至第一電晶體T1。
於第2圖中，第三電晶體T3之第一電極係耦接至第一電晶體T1之第二電極且第三電晶體T3之第二電極係耦接至第一電晶體T1之閘極電極。同樣地，第三電晶體T3之閘極電極係耦接至當下閘極線Si。此處，於當下閘極訊號SSi從當下閘極線Si供應時，第三電晶體T3係開啟以二極體連接至第一電晶體T1。
第四電晶體T4可耦接於儲存電容Cst及初始化電源Vinit間，且可藉由前閘極訊號SSi-1而開啟以傳送初始化電源Vinit之電壓至儲存電容Cst。
此處，初始化電源Vinit係不形成從第一電源ELVDD至第二電源ELVSS之電流通路之部分的電源，而係於當下閘極訊號SSi由當下閘極線Si供應之前的時期(例如，前閘極訊號SSi-1供應至前閘極線Si-1的時期)用以供應固定電壓至像素電路單元52之電源。此初始化電源Vinit可設定為低於資料訊號Vdata之電壓，例如，資料訊號Vdata之最低電壓。
如果第四電晶體T4係開啟，第一節點N1之電壓係藉由低於資料訊號Vdata之電壓而初始化，且資料訊號Vdata係供應至第一節點N1，而第一電晶體T1係於後續資料訊號Vdata之寫入期間以導通方向二極體連接。
於第2圖中，第四電晶體T4之第一電極係耦接至第一節點N1，且第四電晶體T4之第二電極係耦接至初始化電源Vinit。同樣地，第四電晶體T4之閘極電極係耦接至前閘極線Si-1。此處，於前閘極訊號SSi-1從前閘極線Si-1供應時，第四電晶體T4係開啟，致使初始化電源Vinit與第一節點N1耦合。因此，當初始化電源Vinit之電壓係施加於第一節點N1時，第一節點N1之電壓係初始化。
第五電晶體T5耦接於第一電晶體T1及有機發光二極體(OLED)之間。第五電晶體T5可藉由從發光控制線Ei供應之發光控制訊號EMIi而被控制。
於第2圖中，第五電晶體T5之第一電極係耦接至第一電晶體T1之第二電極，且第五電晶體T5之第二電極係耦接至有機發光二極體(OLED)之陽極。同樣地，第五電晶體T5之閘極電極係耦接至發光控制線Ei。此處，當由發光控制線Ei供應之發光控制訊號EMIi之電壓位準係高位準時，第五電晶體T5係關閉，致使像素電路單元52及有機發光二極體(OLED)係彼此絕緣，且如果發光控制訊號EMIi之電壓位準轉變為低位準，則第五電晶體T5係開啟，致使從第一電晶體T1供應之驅動電流傳送至有機發光二極體(OLED)。
第六電晶體T6可耦接於第一電源ELVDD及第一電晶體T1之間，且其關閉可藉由從發光控制線Ei供應之發光控制訊號EMIi而被控制。
於第2圖中，第六電晶體T6之第一電極係耦接至第一電源ELVDD，且第六電晶體T6之第二電極係耦接至第一電晶體T1之第一電極。同樣地，第六電晶體T6之閘極電極係耦接至發光控制線Ei。此處，當由發光控制線Ei供應之發光控制訊號EMIi之電壓位準係高位準時，第六電晶體T6係關閉，致使第一電晶體T1及第一電源ELVDD彼此絕緣，且如果發光控制訊號EMIi之電壓位準轉變為低位準時，則第六電晶體T6係開啟，致使從第一電晶體T1與第一電源ELVDD耦合。
儲存電容Cst可耦接於第一電晶體T1之閘極電極及第一電源ELVDD之間。此儲存電容Cst可於前閘極訊號SSi-1供應之時期藉由初始化電源Vinit而初始化，且於當下閘極訊號SSi供應之時期充以對應於資料訊號Vdata及第一電晶體T1之臨界電壓之電壓。儲存電容Cst可於像素50發光時期維持充電電壓。
於第2圖中，有機發光二極體(OLED)係耦接於像素電路單元52及第二電源ELVSS之間。此處，有機發光二極體發出具對應於驅動電流之亮度的光，驅動電流從第一電源ELVDD透過像素電路單元52流進第二電源ELVSS。有機發光二極體(OLED)可包含用以發出紅光、綠光或藍光之有機發光層，從而發出對應其之光。
第3圖係示於第2圖之像素之驅動方法的波形圖。
如第3圖所示，像素50可依序從前閘極線Si-1接收(例如依序於低位準接收)前閘極訊號SSi-1及當下閘極訊號SSi。當下發光控制線Ei之當下發光控制訊號EMIi可以高位準供應致使其重疊低位準之前閘極訊號SSi-1及低位準之當下閘極訊號SSi之序列。
亦即，當下發光控制訊號EMIi於前閘極訊號SSi-1及當下閘極訊號SSi供應時期維持用於關閉第五電晶體T5及第六電晶體T6之高位準電壓，且於前閘極訊號SSi-1供應完成後，轉變為用於開啟第五電晶體T5及第六電晶體T6之低位準電壓。
因此，像素50從外部電源接收第一電源ELVDD、第二電源ELVSS及初始化電源Vinit，且從資料線Dj接收資料訊號Vdata。
經由圖示，像素50之範例作動現在將詳細描述。首先，第四電晶體T4於第一時期t1開啟，於其中低位準之前閘極訊號SSi-1係供應至前閘極線Si-1。因此，初始化電源Vinit之電壓係傳輸至第一節點N1致使第一節點N1之電壓初始化，從而亦初始化儲存電容Cst所儲存之電壓。亦即，第一時期t1係用以初始化第一節點N1之電壓的時期。
接著，於低位準之當下閘極訊號SSi供應至當下閘極線Si之第二時期t2，第二電晶體T2及第三電晶體T3係開啟。如果第二電晶體T2及第三電晶體T3係開啟，則從資料線Dj供應之資料訊號Vdata係透過第二電晶體T2、第一電晶體T1以及第三電晶體T3而傳送至第一節點N1。因此，第一電晶體T1係藉由第三電晶體T3二極體連接致使第一節點N1接收由第一電晶體T1之臨界電壓及資料訊號Vdata反射之電壓。
亦即，儲存電容Cst係充以對應於資料訊號Vdata及第一電晶體T1之臨界電壓之電壓。
接著，於第三時期t3，供應至當下發光控制線Ei之當下發光控制訊號EMIi之電壓位準係轉變為低位準，且第五電晶體T5及第六電晶體T6係開啟。
因此，對應至儲存電容Cst儲存之電壓的驅動電流係藉由第一電晶體T1供應至有機發光二極體(OLED)。
因為第一電晶體T1之臨界電壓係補償，故對應於資料訊號Vdata之驅動電流供應至有機發光二極體(OLED)而無關第一電晶體T1之臨界電壓。因此，有機發光二極體(OLED)以對應於料訊號Vdata之均勻亮度發光而無關第一電晶體T1之臨界電壓。
驅動像素50之前閘極訊號SSi-1及當下閘極訊號SSi可藉由於第1圖所示之閘極驅動器10而產生，且當下發光控制訊號EMIi可藉由發光控制驅動器20而產生。
第4圖係示於第1圖之提供於閘極驅動器之位移暫存器之範例的電路圖。第5圖係示於第1圖之提供於發光控制驅動器之位移暫存器之範例的電路圖。特別是，第4圖及第5圖係表示分別包含於閘極驅動器及發光控制驅動器之位移暫存器的複數個級次(stages)第i級的組成。
第4圖表示揭露於韓國專利申請號No. 0759686之位移暫存器的分級電路以及分級之輸出訊號，亦即，閘極訊號之高位準電壓係由於位移暫存器之第一電源VDD，且閘極訊號之低位準電壓係由於位移暫存器之第二電源VSS。
此處，位移暫存器之第一電源VDD及第二電源VSS意指包含於位移暫存器之閘極驅動器之驅動電壓，然而第一電源VDD及第二電源VSS只表示不同術語且對應至實際上分別供應至閘極驅動器之閘極高電位電壓VGH及閘極低電位電壓VGL。
同樣地，第5圖表示揭露於韓國專利公開申請號No. 2008-0033630之位移暫存器的分級STi電路以及分級STi之輸出訊號，亦即，發光控制訊號EMIi之高位準電壓係由於發光控制驅動器之第一電源VDD，且發光控制訊號EMIi之低位準電壓係由於發光控制驅動器之第二電源VSS。
此處，發光控制驅動器可包含於閘極驅動器或可獨立於閘極驅動器提供，且閘極驅動器及發光控制驅動器可由第一電源VDD及第二電源VSS同樣地驅動，亦即，閘極高電位電壓VGH及閘極低電位電壓VGL，而驅動。
因此，為了藉由閘極驅動器及發光控制驅動器驅動像素，閘極高位準電壓VGH與閘極低位準電壓VGL可透過閘極驅動器及發光控制驅動器而穩定供應。
第6圖係根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之俯視圖。於第6圖之裝置中，可選定示於第1圖至第5圖之裝置之一或多個特徵。
如第6圖所示，根據實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器1000可包含像素單元40(此處示於面板100之中心區域)、用以供應閘極訊號至閘極線Sn之閘極驅動器10(此處示於面板100之一側)、用以供應發光控制訊號至平行於閘極線Sn之發光控制線En的發光控制驅動器20(此處示於面對閘極驅動器10並具有像素單元40插設於其間且於面板100上)、發光測試電路90(此處示於面板100之其他側)以及用以供應資料訊號至資料線Dm之資料驅動器30(此處示於面對發光測試電路90並具有像素單元40插設於其間且於面板100上)。
於第6圖中，閘極驅動器10係設置於像素單元40之左側，亦即，面板100之左側，且發光控制驅動器20係設置於像素單元40之右側，亦即，面板100之右側，然而不受限於此，且閘極驅動器10可設置於像素單元40之右側，亦即，面板100之右側，發光控制驅動器20可設置於像素單元40之左側，亦即，面板100之左側。亦即，閘極驅動器10及發光控制驅動器20可設置於面板100之右側或左側並具像素單元40。同樣地，於此實施例中，閘極驅動器10及發光控制驅動器20係分開且相對於像素單元40彼此面對設置，然而，閘極驅動器10及發光控制驅動器20可整合於一驅動器中且可形成於像素單元40之兩側或一側。此外，發光控制驅動器20可根據像素結構而省略。
同樣地，於第6圖中，發光測試電路90係位於像素單元40之上側，亦即，面板100之上側，且資料驅動器30係位於像素單元40之下側，亦即，面板100之下側，然而不受限於此，且發光測試電路90可位於像素單元40之下側，亦即，面板100之下側，資料驅動器30可位於像素單元40之上側，亦即，面板100之上側。同樣地，於此實施例中，發光測試電路90及資料驅動器30係分隔且相對於像素單元40彼此面對設置；然而，發光測試電路90及資料驅動器30可整合於一驅動器且可形成於像素單元40之兩側或一側。
墊片部PA可位於面板100之邊緣，其中閘極驅動器10、發光控制驅動器20、資料驅動器30以及發光測試電路90不在其上，例如下邊緣且可包含複數個墊片P以供應於面板100內之驅動電源及控制訊號。根據本發明實施例，透過墊片P供應驅動電源及控制訊號至像素單元40、閘極驅動器10、發光控制驅動器20、發光測試電路90以及資料驅動器30。
同樣地，用以從墊片部PA接收閘極高位準電壓並供應閘極高位準電壓至閘極驅動器10及發光控制驅動器20之(或複數條)第一電源供應線VGHL可包含於面板100上(例如形成於或設置於其上/中)。第一電源供應線VGHL可設計為包圍(例如沿其外圍、圍繞、環繞或至少部分地圍繞)像素單元40、閘極驅動器10、發光測試電路90以及發光控制驅動器20之形狀，且可耦接至墊片部PA之複數個墊片P。用以從墊片部PA接收閘極低位準電壓並供應閘極低位準電壓至閘極驅動器10及發光控制驅動器20之(或複數條)第二電源供應線VGLL可包含於面板100上。第二電源供應線VGLL可設計為包圍(例如圍繞其外圍)像素單元40、閘極驅動器10、發光測試電路90以及發光控制驅動器20之形狀，且可耦接至墊片部PA之複數個墊片P。
於實施例中，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可分別分隔以繞過閘極驅動器10及發光控制驅動器20，然而，於根據另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可透過閘極驅動器10及發光控制驅動器20而設計為包圍(例如圍繞其外圍等)發光測試電路90之形狀。
同樣地，為了降低(或最小化)於面板100之電壓降，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可以具低電阻率的材料形成。例如，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可以形成於面板100之電晶體(例如包含於像素單元40、閘極驅動器10及發光控制驅動器20之電晶體)的源極電極與汲極電極的相同材料形成於相同層，或以電晶體的閘極電極之相同材料形成於相同層。同樣地，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可以於一區域中的電晶體之源極電極與汲極電極的相同材料形成於相同層，或以其他區域中的電晶體之閘極電極之相同材料形成於相同層，從而可使用電晶體的源極電極與汲極電極材料或閘極電極材料。亦即，第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可藉由選用用於形成面板100之材料中具有低電阻率材料而自由設計。
第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL可透過面對墊片區PA之面板100之上區域而耦接至閘極驅動器10及發光控制驅動器20。發光測試電路90可位於面板100之上區域。
因此，從閘極驅動器10產生之閘極訊號及從發光控制驅動器20產生之發光控制訊號之高位準電壓可由於從第一電源供應線VGHL供應之閘極高位準電壓VGH而產生相同位準，且閘極訊號及發光控制訊號之低位準電壓可由於從第二電源供應線VGLL供應之低位準電壓VGL而產生相同位準。
因此，閘極驅動器10及發光控制驅動器20可透過第一電源供應線VGHL及第二電源供應線VGLL耦接，致使可供應具有相同位準之閘極高電位電壓VGH及具有相同位準之閘極低電位電壓VGL至閘極驅動器10及發光控制驅動器20，從而穩定驅動有機發光二極體(OLED)顯示器1000。
根據本發明之實施例，發光測試電路90係耦接至第一輸入線IL1及第二輸入線IL2、於發光測試期間從第一輸入線IL1(耦接至墊片部PA)接收發光測試訊號、以及從第二輸入線IL2(耦接至墊片部PA)接收測試控制訊號以根據測試控制訊號而供應發光測試訊號至資料線Dm。
發光測試完成後，於實際驅動時期(例如，於顯示影像時)由於從墊片部PA供應之偏置訊號，發光測試電路90可維持關閉狀態。
本發明不受限於包含資料驅動器30之此例，且資料驅動器30可不被包含(例如，包含於測試控制訊號之作動)。
根據本發明實施例，發光測試訊號可藉由使用發光測試電路90供應至資料線Dm而取代資料驅動器30，從而於形成資料驅動器30前(例如於製造時)執行發光測試。因此，於安裝資料驅動器30前，可偵測受損的面板，可預防不需要的材料消耗。
第7圖係第6圖之A部分之圖。
如第7圖所示，發光測試電路90包含複數個電晶體TR，其各包含通道層C、耦接至通道層C且耦接至第一輸入線IL1(其傳送發光測試訊號TD)之源極電極S、耦接至通道層C且耦接至資料線Dm(各電晶體可耦接至單一資料線)之汲極電極D、以及耦接至第二輸入線IL2(其傳送測試控制訊號TG)之閘極電極G。
通道層C可包含以電洞作為載子之p型半導體。
電晶體TR之源極電極S係一般地耦接至第一輸入線IL1以接收發光測試訊號TD，且各汲極電極D係耦接至單獨的一條資料線Dm。
電晶體TR之閘極電極G係一般地耦接至第二輸入線IL2以接收測試控制訊號TG。
電晶體TR可藉由測試控制訊號TG一起或同時開啟，其係供應以於發光測試時期開啟電晶體TR，致使發光測試訊號TD係供應至資料線Dm。同樣地，於發光測試完成後，藉由於實際驅動時期從墊片部PA透過第二輸入線IL2供應之偏置訊號，發光測試電路90可維持關閉狀態。
此處，傳送測試控制訊號TG之第二輸入線IL2可耦接至透過電阻R傳送閘極高位準電壓VGH之第一電源供應線VGHL。
電阻R可於面板100上用通道層C之相同材料形成在相同層。例如，電阻R可為形成(例如同時或一起形成)通道層C之半導體材料，且可於通道層C形成時形成。
電阻R可包含半導體材料，例如多晶矽半導體或氧化物半導體，且可隨著電晶體TR之通道層C整體形成。
在前述實施例中，電阻R之電阻值係配置於實際驅動時期以不影響(或實質上不影響)發光測試，但其配置為於保護電晶體TR免於靜電釋放(例如強力靜電衝擊)的範圍。電阻R之電阻值可根據面板100之設計條件而改變且可透過模擬計算出。為了控制電阻R之電阻值，半導體材料，例如多晶矽半導體或氧化物半導體，可摻雜雜質。根據本發明實施例，如果電阻R係與電晶體TR之通道層C整體地形成，則只有用於電阻R之半導體材料可摻雜雜質。或者是，於其他實施例中，電晶體TR之通道層C與電阻R可摻雜相同雜質，或摻雜於用於電阻R之半導體材料的雜質之濃度可控制為不同於摻雜於用於電晶體TR之通道層C之半導體材料的雜質之濃度。
如前所述，第二輸入線IL2可透過電阻R耦合至第一電源供應線VGHL致使第二輸入線IL2藉由靜電釋放之浮動係抑制且由於於發光測試完成後(雖然第二輸入線IL2可藉由靜電釋放而部分浮動)，於實際驅動時期從第一電源供應線VGHL供應之閘極低位準電壓VGL，電晶體TR之閘極電極G可維持關閉狀態。
當第二輸入線係於沿著(例如，設置沿至少部份)面板外部放置，且係耦接發光測試電路之電晶體的閘極電極及墊片部，第二輸入線可具有對於靜電釋放之較弱(例如易受影響)結構，於發光測試完成後，靜電釋放會於實際驅動時期不預期地施加至有機發光二極體(OLED)顯示器。因此如果第二輸入線係部分地藉由靜電釋放而浮動，故發光測試電路之電晶體可不維持在關閉狀態，致使驅動缺陷可能產生於有機發光二極體(OLED)顯示器。然而，於根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器1000中，第二輸入線IL2(用以傳輸測試控制訊號TG)係透過電阻R耦接至第一電源供應線VGHL (用以傳輸閘極高位準電壓VGH)致使第二輸入線IL2藉由靜電釋放之浮動係被抑制，電晶體TR之閘極電極G由於從第一電源供應線VGHL供應之閘極高位準VGH而維持關閉狀態，從而預防驅動缺陷(雖然第二輸入線IL2可能會藉由靜電釋放部份浮動)。亦即，提供一種預防由靜電釋放造成的驅動缺陷之有機發光二極體(OLED)顯示器1000。
接著，參考第8圖及第9圖，將描述根據另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器。
下文中，將描述不同於上述實施例的主要元件特徵，未描述之元件可參考上述描述而界定。於此實施例中，與第一實施例相同之參考符號將用於相同元件。
第8圖係根據本發明另一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之俯視圖。第9圖係第8圖之B部分之圖。
如第8圖及第9圖所示，根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器1002之發光測試電路90包含複數個電晶體TR，其各包含通道層C’、耦接至通道層C’且耦接至第一輸入線IL1(其傳送發光測試訊號TD)之源極電極S、耦接至通道層C’且耦接至資料線Dm之汲極電極D、以及耦接至第二輸入線IL2(其傳送測試控制訊號TG)之閘極電極G。
根據本發明實施例，通道層C’包含以電子作為載子之n型半導體。
電晶體TR之源極電極S可一般地耦接至第一輸入線IL1(其傳送發光測試訊號TD)，且汲極電極D可耦接至各資料線Dm(例如各汲極電極D係耦接至不同資料線Dm)。
電晶體TR之閘極電極G可一般地耦接至第二輸入線IL2 (其接收測試控制訊號TG)。
電晶體TR可藉由測試控制訊號TG一起或同時開啟，其係供應以於發光測試時期開啟電晶體TR，致使發光測試訊號TD係供應至資料線Dm。同樣地，於發光測試完成後，藉由於實際驅動時期從墊片部PA透過第二輸入線IL2供應之偏置訊號，發光測試電路90可維持關閉狀態。
於第9圖中，第二輸入線IL2 (其接收測試控制訊號TG)係透過電阻R而耦接至第二電源供應線VGLL(其接收閘極低位準電壓VGL)。
電阻R可於面板100上用通道層C’之相同材料形成在相同層。亦即，電阻R可為形成(例如同時或一起形成)通道層C’之半導體材料。
電阻R可包含半導體材料，例如多晶矽半導體或氧化物半導體，且可隨著電晶體TR之通道層C’形成(例如整體形成)。
如前所述，第二輸入線IL2可透過電阻R耦合至第二電源供應線VGLL，致使第二輸入線IL2因靜電釋放之浮動係抑制，且由於於發光測試完成後(雖然第二輸入線IL2可藉由靜電釋放而部分浮動)，於實際驅動時期從第二電源供應線VGLL供應之閘極低位準電壓VGL，電晶體TR之閘極電極G可維持關閉狀態。
當第二輸入線IL2可於沿(例如，圍繞、環繞或包圍至少部份)面板外部而設置，且係耦接於發光測試電路之電晶體的閘極電極及墊片部之間，從而第二輸入線可具有對於靜電釋放之較弱(例如易受影響)結構，於發光測試完成後，靜電釋放會於實際驅動時期不預期地施加至有機發光二極體(OLED)顯示器。因此，當第二輸入線係因靜電釋放而部分地浮動時，發光測試電路之電晶體可不維持在關閉狀態致使驅動缺陷可產生於有機發光二極體(OLED)顯示器。然而，於根據本發明實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器1002中，第二輸入線IL2(用以傳輸測試控制訊號TG)係透過電阻R耦接至第二電源供應線VGLL(用以傳輸閘極低位準電壓VGL)致使第二輸入線IL2因靜電釋放之浮動係被抑制，電晶體TR之閘極電極G由於從第二電源供應線VGLL供應之閘極低位準VGL而維持關閉狀態從而預防驅動缺陷(雖然第二輸入線IL2會藉由靜電釋放部份浮動)。亦即，提供一種預防由靜電釋放造成的驅動缺陷之有機發光二極體(OLED)顯示器1002。
雖然本發明已參考示例性實施例而具體地顯示和描述，但本技術領域中具有通常知識者將理解，在任何未脫離本發明下述申請專利範圍定義之精神與範疇及其等效的情況下，可在其中進行形式和細節上的各種改變。
10 閘極驅動器
20 發光控制驅動器
30 資料驅動器
40 像素單元
50 像素
D1、D2…、Dm 資料線
S1、S2…、Sn 閘極線
E1、E2…、En 發光控制線
ELVDD 第一電源
ELVSS 第二電源

Claims (10)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：
    一像素單元，係包含複數個像素於一閘極線與一資料線交錯之區域以及一面板之中心區域；
    一閘極驅動器，係配置以供應一閘極訊號至該閘極線，該閘極驅動器係於該面板之一側；
    一發光測試電路，係耦接至配置以傳輸一發光測試訊號之一第一輸入線、及配置以傳輸一測試控制訊號之一第二輸入線，該發光測試電路係於該面板之其他側，且根據該測試控制訊號配置以供應該發光測試訊號至該資料線；
    一第一電源供應線，係配置以供應一閘極高位準電壓至該閘極驅動器且位於該閘極驅動器及該發光測試電路之外圍；以及
    一第二電源供應線，係配置以供應一閘極低位準電壓至該閘極驅動器且位於該閘極驅動器及該發光測試電路之外圍；
    其中該第二輸入線係透過一電阻而耦接至該第一電源供應線或該第二電源供應線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該發光測試電路包含複數個電晶體，其各包含：
    一通道層；
    一源極電極，係耦接至該通道層且耦接至該第一輸入線；
    一汲極電極，係耦接至該通道層，且耦接至該資料線之其一；以及
    一閘極電極，係耦接至該第二輸入線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該通道層包含一p型半導體材料，以及
    該第二輸入線係透過該電阻而耦接至該第一電源供應線。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該通道層包含一n型半導體材料，以及
    該第二輸入線係透過該電阻而耦接至該第二電源供應線。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該電阻係與該通道層位於相同層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，更包含：
    一發光控制驅動器，係面對該閘極驅動器並具該像素單元插設於該發光控制驅動器及該閘極驅動器之間、位於該面板上並配置以供應一發光控制訊號至平行於該閘極線之一發光控制線。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該第一電源供應線係配置以供應該閘極高位準電壓至該發光控制驅動器，且位於該發光控制驅動器、該閘極驅動器及該發光測試電路之外圍，以及
    該第二電源供應線係配置以供應該閘極低位準電壓至該發光控制驅動器，且位於該發光控制驅動器、該閘極驅動器及該發光測試電路之外圍。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該閘極訊號及該發光控制訊號之一高位準電壓係配置根據該閘極高位準電壓而產生，且該閘極訊號及該發光控制訊號之一低位準電壓係配置根據該閘極低位準電壓而產生。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，更包含：
    一資料驅動器，係面對該發光測試電路，並具該像素單元插設於該資料驅動器及該發光測試電路之間、位於該面板上並配置以供應一資料訊號至該資料線。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體(OLED)顯示器，其中：
    該閘極驅動器及該發光控制驅動器係於該面板之右側或左側，以及
    該發光測試電路及該資料驅動器係於該面板之上側或下側。
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