KR101985921B1 - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치는 게이트선들 및 데이터선들의 교차 영역에 위치하는 복수의 화소를 포함하며, 패널의 중앙 영역에 위치하는 화소부, 상기 게이트선들로 게이트 신호를 공급하며, 상기 패널의 일측에 위치하는 게이트 구동부, 점등 검사 신호가 입력되는 제1 입력 라인 및 검사 제어 신호가 입력되는 제2 입력 라인에 접속되며, 상기 검사 제어 신호에 따라 상기 데이터선들로 상기 점등 검사 신호를 공급하며, 상기 패널의 타측에 위치하는 점등 검사 회로, 상기 게이트 구동부로 게이트 하이 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제1 전원 공급 라인, 및 상기 게이트 구동부로 게이트 로우 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제2 전원 공급 라인을 포함하며, 상기 점등 검사 회로의 상기 제2 입력 라인은 상기 제1 전원 공급 라인 또는 상기 제2 전원 공급 라인과 저항 소자를 통해 연결된다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 점등 검사 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 다수의 화소들을 포함하는 화소부, 화소부로 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부, 및 화소부로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하며, 화소들의 정상 점등 여부를 확인하기 위한 점등 검사를 수행할 때 이용되는 점등 검사 회로를 포함한다. 여기서, 점등 검사 회로는 외부로부터 공급되는 검사 제어 신호에 대응하여 점등 검사 신호를 데이터선들로 공급하기 위한 다수의 박막 트랜지스터들을 포함한다.
한편, 점등 검사 회로에 포함된 박막 트랜지스터들 및 박막 트랜지스터로 검사 제어 신호 및 점등 검사 신호를 공급하는 라인들은 외부로부터 유입되는 정전기(ESD)에 노출되기 쉬워, 유기 발광 표시 장치를 제조하는 공정 도중이나, 유기 발광 표시 장치의 제조가 완료된 이후에도 정전기에 의해 손상되기 쉬운 문제점이 있었다.
점등검사회로의 박막 트랜지스터들 및 박막 트랜지스터로 검사 제어 신호 및 점등 검사 신호를 공급하는 라인들이 정전기에 의해 손상되게 되면 점등 검사를 효과적으로 수행할 수 없는 동시에, 유기 발광 표시 장치의 구동 불량이 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명의 일 실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 정전기에 의한 불량이 억제된 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면은 게이트선들 및 데이터선들의 교차 영역에 위치하는 복수의 화소를 포함하며, 패널의 중앙 영역에 위치하는 화소부, 상기 게이트선들로 게이트 신호를 공급하며, 상기 패널의 일측에 위치하는 게이트 구동부, 점등 검사 신호가 입력되는 제1 입력 라인 및 검사 제어 신호가 입력되는 제2 입력 라인에 접속되며, 상기 검사 제어 신호에 따라 상기 데이터선들로 상기 점등 검사 신호를 공급하며, 상기 패널의 타측에 위치하는 점등 검사 회로, 상기 게이트 구동부로 게이트 하이 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제1 전원 공급 라인, 및 상기 게이트 구동부로 게이트 로우 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제2 전원 공급 라인을 포함하며, 상기 점등 검사 회로의 상기 제2 입력 라인은 상기 제1 전원 공급 라인 또는 상기 제2 전원 공급 라인과 저항 소자를 통해 연결되는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
상기 점등 검사 회로는, 채널층, 상기 채널층에 연결되어 상기 제1 입력라인에 접속되는 소스 전극, 상기 채널층에 연결되어 상기 데이터선들에 접속되는 드레인 전극, 및 상기 제2 입력 라인에 접속되는 게이트 전극을 포함하는 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
상기 채널층은 p타입 반도체를 포함하며, 상기 제2 입력 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 저항 소자를 통해 연결될 수 있다.
상기 채널층은 n타입 반도체를 포함하며, 상기 제2 입력 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 저항 소자를 통해 연결될 수 있다.
상기 저항 소자는 상기 채널층과 동일한 층에 위치할 수 있다.
상기 화소부를 사이에 두고 상기 게이트 구동부와 대향되도록 상기 패널에 위치하며, 상기 게이트선들과 나란하게 배치되는 발광 제어선들로 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부로 상기 게이트 하이 레벨 전압을 공급하고, 상기 제1 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸며, 상기 제2 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부로 상기 게이트 로우 레벨 전압을 공급하고, 상기 제2 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러쌀 수 있다.
상기 게이트 신호 및 상기 발광 제어 신호의 하이 레벨 전압은 상기 게이트 하이 레벨 전압에 기인하여 생성되고, 상기 게이트 신호 및 상기 발광 제어 신호의 로우 레벨 전압은 상기 게이트 로우 레벨 전압에 기인하여 생성될 수 있다.
상기 화소부를 사이에 두고 상기 점등 검사 회로와 대향되도록 상기 패널에 위치하며, 상기 데이터선들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 게이트 구동부 및 상기 발광 제어 구동부는 상기 화소부를 사이에 두고 각각 상기 패널의 좌측 또는 우측에 위치하며, 상기 점등 검사 회로 및 상기 데이터 구동부는 상기 화소부를 사이에 두고 각각 상기 패널의 상측 또는 하측에 위치할 수 있다.
상술한 본 발명의 과제 해결 수단의 일부 실시예 중 하나에 의하면, 정전기에 의한 불량이 억제된 유기 발광 표시 장치가 제공된다.
도 1은 유기 발광 표시 장치의 일례를 나타내는 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다.
도 4는 도 1에 도시된 게이트 구동부에 구비된 쉬프트 레지스터의 일례를 도시한 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 제어 구동부에 구비된 쉬프트 레지스터의 일례를 도시한 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 A부분을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 B부분을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.
도 1은 유기 발광 표시 장치의 일례를 나타내는 블럭도이다.
도 1을 도시된 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 게이트 구동부(10), 발광 제어 구동부(20), 데이터 구동부(30) 및 화소부(40)를 포함한다.
게이트 구동부(10)는 외부로부터 공급되는 구동 전원 및 제어 신호들에 대응하여 게이트 신호를 생성하고, 이를 게이트선들(S1 내지 Sn)로 순차적으로 공급한다. 그러면, 화소들(50)은 게이트 신호에 의해 선택되어 순차적으로 데이터 신호를 공급받는다.
발광 제어 구동부(20)는 외부로부터 공급되는 구동 전원 및 제어 신호들에 대응하여 게이트선들(S1 내지 Sn)과 나란하게 배치되는 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어 신호를 순차적으로 공급한다. 그러면, 화소들(50)은 발광 제어 신호에 의해 발광이 제어된다.
이와 같은 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)는 칩의 형태로 패널 상에 별도로 실장될 수도 있으나, 화소부(40)에 포함되는 구동 소자들과 함께 패널 상에 내장되도록 형성될 수 있다.
한편, 도 1에서는 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)가 화소부(40)를 사이에 두고 서로 대향되도록 위치하는 것을 도시하였으나, 이는 단지 일례를 도시한 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 이들은 화소부(40)의 동일한 측면에 함께 형성되거나 혹은 화소부(40)의 양측 모두에 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)가 각각 형성될 수도 있다.
또한, 화소부(40)에 구비되는 화소들(50)의 구조에 따라서는 발광 제어 구동부(20)가 생략될 수도 있다.
데이터 구동부(30)는 외부로부터 공급되는 데이터 및 제어 신호들에 대응하여 데이터 신호를 생성하고, 이를 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급한다. 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급된 데이터 신호는 게이트 신호가 공급될 때마다 게이트 신호에 의해 선택된 화소들(50)로 공급된다. 그러면, 화소들(50)은 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다.
화소부(40)는 게이트선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치된 다수의 화소들(50)을 포함한다.
이와 같은 화소부(40)는 외부로부터 고전위 화소 전원인 제1 전원(ELVDD)과 저전위 화소 전원인 제2 전원(ELVSS)을 공급받고, 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)은 각각의 화소들(50)로 전달된다. 또한, 화소부(40)는 화소들(50)의 구조에 따라서는 초기화 전원(Vinit)이나 참조 전압(Vref) 등을 추가로 공급받을 수도 있다.
그러면, 화소들(50)은 데이터 신호에 대응하여 제1 전원(ELVDD)으로부터 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 구동전류에 상응하는 휘도로 발광하여 영상을 표시한다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 일례를 나타내는 회로도이다. 편의상, 도 2에서 i(i는 자연수)번째 행 및 j(j는 자연수)번째 열에 위치하며, 초기화 및 문턱전압 보상이 수행되는 화소를 도시한다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 현재 개발된 다양한 구조의 화소에 적용될 수 있다.
도 2를 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 화소(50)는, 복수의 트랜지스터(T1 내지 T6)와 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함하는 화소 회로부(52)와, 화소 회로부(52)로부터 구동전류를 공급받는 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.
화소 회로부(52)는 이전 게이트선(Si-1)으로부터 이전 게이트 신호(SSi-1)가 공급될 때 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 전압을 초기화하고, 현재 게이트선(Si)으로부터 현재 게이트 신호(SSi)가 공급될 때 데이터 신호(Vdata)와 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응되는 전압을 충전한 이후, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압과 무관하게 데이터 신호(Vdata)에 대응하는 구동 전류를 유기 발광 소자(OLED)로 공급한다.
이 경우, 도 1에는 도시되지 않았지만, 각각의 화소들(50)은 현재 게이트선(Si) 뿐만 아니라 이전 게이트선(Si-1)에 연결될 수 있으며, 제1 게이트선(S1)의 이전 행에는 제1행 화소들(50)을 초기화하기 위한 게이트선이 더 배열될 수 있다. 그리고, 화소부(50) 내에는 각각의 화소들(50)로 초기화 전원(Vinit)을 공급하기 위한 초기화 전원선이 더 설계될 수 있다.
화소 회로부(52)는 현재 게이트선(Si), 이전 게이트선(Si-1), 발광 제어선(Ei), 데이터선(Dj), 제1 전원(ELVDD), 초기화 전원(Vinit) 및 유기 발광 소자(OLED)에 연결되며, 제1 내지 제6 트랜지스터(T1 내지 T6)와, 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함한다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 전원(ELVDD)과 유기 발광 소자(OLED) 사이에 접속되어 자신의 게이트 전극에 인가되는 전압에 대응하여 구동전류를 조절한다.
구체적으로, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극(예컨대, 소스 전극)은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극(예컨대, 드레인 전극)은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)에 접속된다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압, 즉, 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응하여 유기 발광 소자(OLED)로 공급되는 구동전류를 조절한다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터선(Dj)과 스토리지 캐패시터(Cst) 사이에 접속되며, 현재 게이트선(Si)으로부터 현재 게이트 신호(SSi)가 공급될 때 턴온되어 데이터신호를 화소(50) 내부로 전달한다.
구체적으로, 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터선(Dj)에 접속되고, 제2 전극은 제1 및 제3 트랜지스터(T1, T3)를 경유하여 스토리지 캐패시터(Cst)에 접속된다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 현재 게이트선(Si)에 접속된다. 이와 같은 제2 트랜지스터(T2)는 현재 게이트선(Si)으로부터 현재 게이트 신호(SSi)가 공급될 때 턴온되어 데이터선(Dj)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)를 제1 및 제3 트랜지스터(T1, T3)를 경유하여 스토리지 캐패시터(Cst)로 전달한다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제2 전극(드레인 전극) 사이에 접속되며, 자신의 게이트 전극에 인가되는 전압에 대응하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결한다.
구체적으로, 제3 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 접속되고, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 접속된다. 그리고, 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 현재 게이트선(Si)에 접속된다. 이와 같은 제3 트랜지스터(T3)는 현재 게이트선(Si)으로부터 현재 게이트 신호(SSi)가 공급될 때 턴온되어 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결한다.
제4 트랜지스터(T4)는 스토리지 캐패시터(Cst)와 초기화 전원(Vinit) 사이에 접속되며, 이전 게이트 신호(SSi-1)에 의해 턴온되어 스토리지 캐패시터(Cst)로 초기화 전원(Vinit)의 전압을 전달한다.
여기서, 초기화 전원(Vinit)은 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVDD)과 달리 전류패스를 형성하지 않는 전원으로, 현재 게이트선(Si)으로 현재 게이트 신호(SSi)가 공급되기 이전의 기간(예컨대, 이전 게이트선(Si-1)으로 이전 게이트 신호(SSi-1)가 공급되는 기간)에 화소 회로부(52)로 정전압을 공급하는 전원이다. 이와 같은 초기화 전원(Vinit)은 데이터신호(Vdata)의 전압보다 낮은 전압, 즉, 데이터신호(Vdata)의 최저전압보다 낮은 전압을 갖도록 설정된다.
즉, 제4 트랜지스터(T4)가 턴온되면 제1 노드(N1)의 전압이 데이터신호(Vdata)의 전압보다 낮은 전압으로 초기화되어, 후속되는 데이터신호(Vdata)의 기입기간 동안 제1 트랜지스터(T1)가 순방향으로 다이오드 연결되면서 데이터신호(Vdata)가 제1 노드(N1)로 원활히 공급되게 된다.
구체적으로, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 제2 전극은 초기화 전원(Vinit)에 접속된다. 그리고, 제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극은 이전 게이트선(Si-1)에 접속된다. 이와 같은 제4 트랜지스터(T4)는 이전 게이트선(Si-1)으로부터 이전 게이트 신호(SSi-1)가 공급될 때 턴온되어 초기화 전원(Vinit)과제1 노드(N1)를 접속시킨다. 그러면, 초기화 전원(Vinit)의 전압이 제1 노드(N1)로 인가되면서, 제1 노드(N1)의 전압이 초기화된다.
제5 트랜지스터(T5)는 제1 트랜지스터(T1)와 유기 발광 소자(OLED) 사이에 접속되며, 발광 제어선(Ei)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EMIi)에 의해 온오프가 제어된다.
구체적으로, 제5 트랜지스터(T5)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 접속되고, 제2 전극은 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 그리고, 제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어선(Ei)에 접속된다. 이와 같은 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어선(Ei)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EMIi)의전압 레벨이 하이 레벨일 때 턴오프되어 화소 회로부(52)와 유기 발광 소자(OLED)를 절연시키고, 발광 제어 신호(EMIi)의 전압 레벨이 로우 레벨로 천이되면 턴온되어 제1 트랜지스터(T1)로부터 공급되는 구동전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 전달한다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 전원(ELVDD)과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 접속되며, 발광 제어선(Ei)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EMIi)에 의해 온오프가 제어된다.
구체적으로, 제6 트랜지스터(T6)의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 접속된다. 그리고, 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어선(Ei)에 접속된다. 이와 같은 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(Ei)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EMIi)의 전압 레벨이 하이 레벨일 때 턴오프되어 제1 트랜지스터(T1)와 제1 전원(ELVDD)을 절연시키고, 발광 제어 신호(EMIi)의 전압 레벨이 로우 레벨로 천이되면 턴온되어 제1 트랜지스터(T1)와 제1 전원(ELVDD)을 연결한다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 전원(ELVDD) 사이에 접속된다. 이와 같은 스토리지 캐패시터(Cst)는 이전 게이트 신호(SSi-1)가 공급되는 기간 동안 초기화 전원(Vinit)에 의해 초기화되고, 현재 게이트 신호(SSi)가 공급되는 기간 동안 데이터신호(Vdata)와 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전한 이후, 화소(50)가 발광하는 기간 동안 충전된 전압을 유지한다.
유기 발광 소자(OLED)는 화소 회로부(52)와 제2 전원(ELVSS) 사이에 접속되어, 제1 전원(ELVDD)으로부터 화소 회로부(52) 및 자신을 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 구동 전류에 대응하는 휘도로 발광한다. 이와 같은 유기 발광 소자(OLED)는 적색, 녹색 또는 청색의 빛을 발광하는 유기 발광층을 포함하여 이에 대응하는 색의 빛을 생성한다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다.
도 3을 도시된 바와 같이, 화소(50)는 이전 게이트선(Si-1) 및 현재 게이트선(Si)으로부터 로우 레벨의 이전 게이트 신호(SSi-1) 및 현재 게이트 신호(SSi)를 순차적으로 공급받고, 발광 제어선(Ei)으로부터 이전 게이트 신호(SSi-1) 및 현재 게이트 신호(SSi)와 중첩되는 하이 레벨의 발광 제어 신호(EMIi)를 공급받는다.
여기서, 발광 제어 신호(EMIi)는 이전 게이트 신호(SSi-1)와 현재 게이트 신호(SSi)가 공급되는 기간 동안 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴오프되는 하이 레벨의 전압을 유지하며, 현재 게이트 신호(SSi)의 공급이 완료된 이후에 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)가 턴온되는 로우 레벨의 전압으로 천이된다.
한편, 화소(50)는 외부로부터 제1 전원(ELVDD), 제2 전원(ELVSS) 및 초기화 전원(Vinit)을 공급받으며, 데이터선(Dj)으로부터 데이터신호(Vdata)를 공급받는다.
이와 같은 화소(50)의 동작을 구체적으로 설명하면, 우선 이전 게이트선(Si-1)으로 로우 레벨의 이전 게이트 신호(SSi-1)가 공급되는 제1 기간(t1) 동안 제4 트랜지스터(T4)가 턴온된다. 그러면, 초기화 전원(Vinit)의 전압이 제1 노드(N1)로 전달되어 제1 노드(N1)의 전압이 초기화되고, 이에 따라 스토리지 캐패시터(Cst)에 저장된 전압도 초기화된다. 즉, 제1 기간(t1)은 제1 노드(N1)의 전압을 초기화하는 기간으로 설정된다.
이후, 현재 게이트선(Si)으로 로우 레벨의 현재 게이트 신호(SSi)가 공급되는 제2 기간(t2) 동안 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온된다. 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터(T3)가 턴온되면, 데이터선(Dj)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)가 제2 트랜지스터(T2), 제1 트랜지스터(T1) 및 제3 트랜지스터(T3)를 경유하여 제1 노드(N1)로 전달된다. 이때, 제1 트랜지스터(T1)는 제3 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되므로, 제1 노드(N1)에는 데이터신호(Vdata)와 더불어 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 반영된 전압이 전달된다.
이때, 스토리지 캐패시터(Cst)에는 데이터신호(Vdata)와 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압에 대응하는 전압이 충전된다.
이후, 발광 제어선(Ei)으로 공급되는 발광 제어 신호(EMIi)의 전압 레벨이 로우 레벨로 천이되는 제3 기간(t3) 동안 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T5, T6)가 턴온된다.
그러면, 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 대응되는 구동전류가 제1 트랜지스터(T1)에 의해 유기 발광 소자(OLED)로 공급된다.
이때, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압이 상쇄되면서 유기 발광 소자(OLED)에는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압과 무관하게 데이터신호(Vdata)에 대응하는 구동전류가 공급된다. 따라서, 유기 발광 소자(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압과 무관하게 데이터 신호(Vdata)에 대응하는 균일한 휘도로 발광한다.
여기서, 화소(50)를 구동하는 이전 게이트 신호(SSi-1) 및 현재 게이트 신호(SSi)는 도 1에 도시된 게이트 구동부(10)에 의해 생성되고, 발광 제어 신호(EMIi)는 발광 제어 구동부(20)에 의해 생성된다.
도 4는 도 1에 도시된 게이트 구동부에 구비된 쉬프트 레지스터의 일례를 도시한 회로도이다. 그리고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 제어 구동부에 구비된 쉬프트 레지스터의 일례를 도시한 회로도이다. 특히, 도 4 및 도 5는 각각 게이트 구동부 및 발광 제어 구동부의 쉬프트 레지스터에 구비된 다수의 스테이지들 중 제i번째 스테이지의 구성을 도시한 회로도이다.
도 4는 한국등록특허 제0759686호에 개시된 쉬프트 레지스터의 스테이지 회로를 도시한 것으로, 상기 스테이지의 출력신호, 즉, 게이트 신호의 하이 레벨 전압은 쉬프트 레지스터의 제1 전원(VDD)에 기인하고, 게이트 신호의 로우 레벨 전압은 쉬프트 레지스터의 제2 전원(VSS)에 기인한다.
여기서, 쉬프트 레지스터의 제1 전원(VDD) 및 제2 전원(VSS)은 상기 쉬프트 레지스터를 포함한 게이트 구동부의 구동전원을 의미하는 것으로, 이는 명칭이 상이하게 기재되었을 뿐 실제로는 각각 게이트 구동부로 공급되는 게이트 하이 레벨 전압(VGH) 및 게이트 로우 레벨 전압(VGL)에 대응된다.
또한, 도 5는 한국 공개 특허 제2008-0033630호에 개시된 쉬프트 레지스터의 스테이지(STi) 회로를 도시한 것으로, 상기 스테이지(STi)의 출력신호, 즉, 발광 제어 신호(EMIi)의 하이 레벨 전압은 발광 제어 구동부의 제1 전원(VDD)에 기인하고, 발광 제어 신호(EMIi)의 로우 레벨 전압은 발광 제어 구동부의 제2 전원(VSS)에 기인한다.
여기서, 발광 제어 구동부는 게이트 구동부 내에 내장되거나 혹은 게이트 구동부와 별도로 생성될 수 있는 것으로, 게이트 구동부와 발광 제어 구동부는 동일한 제1 전원(VDD) 및 제2 전원(VSS), 즉, 동일한 게이트 하이 레벨 전압(VGH) 및 게이트 로우 레벨 전압(VGL)에 의해 구동될 수 있다.
따라서, 게이트 구동부 및 발광 제어 구동부가 정상적으로 화소들을 구동하기 위해서는 이들로 게이트 하이 레벨 전압(VGH) 및 게이트 로우 레벨 전압(VGL)이 안정적으로 공급되어야만 한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 패널(100)의 중앙 영역에 위치하는 화소부(40), 패널(100)의 일측에 위치하며 게이트선들(Sn)로 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부(10), 화소부(40)를 사이에 두고 게이트 구동부(10)와 대향되도록 패널(100)에 위치하며 게이트선들(Sn)과 나란하게 위치하는 발광 제어선들(En)로 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부(20), 패널(100)의 타측에 위치하는 점등 검사 회로(90), 화소부(40)를 사이에 두고 점등 검사 회로(90)와 대향되도록 패널(100)에 위치하며 데이터선들(Dm)로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부(30)를 포함한다.
도 6에서, 게이트 구동부(10)는 화소부(40)의 좌측, 즉 패널(100)의 좌측에 위치되고, 발광 제어 구동부(20)는 화소부(40)의 우측, 즉 패널(100)의 우측에 위치되는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 게이트 구동부(10)는 화소부(40)의 우측, 즉 패널(100)의 우측에 위치되고, 발광 제어 구동부(20)는 화소부(40)의 좌측, 즉 패널(100)의 좌측에 위치될 수 있다. 즉, 게이트 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20)는 화소부(40)를 사이에 두고 각각 패널(100)의 좌측 또는 우측에 위치될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에서는 게이트 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20)를 분리하고 이들이 화소부(40)를 기준으로 서로 대향되도록 위치된 것으로 도시하였지만, 이들은 하나의 게이트 구동부로 통합되어 화소부(40)의 일측 또는 양측 모두에 형성될 수도 있고, 화소 구조에 따라서는 발광 제어 구동부(20)가 생략될 수도 있다.
또한, 도 6에서, 점등 검사 회로(90)는 화소부(40)의 상측, 즉 패널(100)의 상측에 위치되고, 데이터 구동부(30)는 화소부(40)의 하측, 즉 패널(100)의 하측에 위치되는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않고, 점등 검사 회로(90)는 화소부(40)의 하측, 즉 패널(100)의 하측에 위치되고, 데이터 구동부(30)는 화소부(40)의 상측, 즉 패널(100)의 상측에 위치될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에서는 점등 검사 회로(90)와 데이터 구동부(30)를 분리하고 이들이 화소부(40)를 기준으로 서로 대향되도록 위치된 것으로 도시하였지만, 이들은 하나의 데이터 구동부로 통합되어 화소부(40)의 일측 또는 양측 모두에 형성될 수 있다.
한편, 패드부(PA)는 게이트 구동부(10), 발광 제어 구동부(20), 데이터 구동부(30), 및 점등 검사 회로(90)가 위치되지 않은 패널(100)의 다른 측 가장자리, 예컨대 하측 가장자리에 위치되며, 패널(100) 내부로 구동전원 및 제어 신호를 공급하기 위한 다수의 패드들(P)을 구비한다. 이와 같은 패드들(P)을 통해 화소부(40), 게이트 구동부(10), 발광 제어 구동부(20), 점등 검사 회로(90) 및 데이터 구동부(30)로 구동 전원 및 제어 신호가 공급된다.
그리고, 패널(100) 상에는, 패드부(PA)로부터 게이트 하이 레벨 전압을 공급받아 게이트 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20) 각각으로 게이트 하이 레벨 전압을 공급하며, 화소부(40), 게이트 구동부(10), 점등 검사 회로(90), 발광 제어 구동부(20)를 둘러싸는 형상으로 설계되어 다시 패드부(PA)로 연결되는 제1 전원 공급 라인(VGHL)과, 패드부(PA)로부터 게이트 로우 레벨 전압을 공급받아 게이트 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20) 각각으로 게이트 로우 레벨 전압을 공급하며, 화소부(40), 게이트 구동부(10), 점등 검사 회로(90), 발광 제어 구동부(20)를 둘러싸는 형상으로 설계되어 다시 패드부(PA)로 연결되는 제2 전원 공급 라인(VGLL)이 형성된다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에서 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL) 각각이 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)를 우회하도록 분기되어 있으나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL) 각각이 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)를 경유하여 점등 검사 회로(90)를 둘러싸는 형상으로 설계될 수 있다.
또한, 패널(100) 내에서의 전압강하를 최소화하기 위하여 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL)은 저저항 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL)은 패널(100) 상에 형성되는 트랜지스터들(예컨대, 화소부(40), 게이트 구동부(20) 및 발광 제어 구동부(30)에 구비된 트랜지스터들)의 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 동일한 레이어에 형성되거나 상기 트랜지스터들의 게이트 전극과 동일한 물질로 동일한 레이어에 형성될 수 있다. 또한, 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL)은 일부 영역에서는 상기 트랜지스터들의 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 형성되고 다른 영역에서는 상기 트랜지스터들의 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되는 등 상기 트랜지스터들의 소스 및 드레인 전극 물질이나 게이트 전극 물질 모두를 이용하여 형성될 수도 있다. 즉, 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL)은 패널(100)을 형성하는 데에 이용되는 물질 중 저저항 물질을 선택하여 자유롭게 설계될 수 있다.
즉, 제1 전원 공급 라인(VGHL)과 제2 전원 공급 라인(VGLL)은 패드부(PA)와 대향되는 패널(100)의 상측 영역을 통해 게이트 구동부(10)와 발광 제어 구동부(20)를 연결한다. 이 패널(100)의 상측 영역에는 점등 검사 회로(90)가 위치하고 있다.
따라서, 게이트 구동부(10)에서 생성되는 게이트 신호와 발광 제어 구동부(20)에서 생성되는 발광제어 신호의 하이 레벨 전압은 제1 전원 공급 라인(VGHL)으로부터 공급되는 동일한 게이트 하이 레벨 전압(VGH)에 기인하여 동일한 레벨로 생성되고, 상기 게이트 신호와 발광제어 신호의 로우 레벨 전압은 제2 전원 공급 라인(VGLL)으로부터 공급되는 동일한 게이트 로우 레벨 전압(VGL)에 기인하여 동일한 레벨로 생성된다.
이로 인해, 제1 전원 공급 라인(VGHL) 및 제2 전원 공급 라인(VGLL) 각각을 통해 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)가 모두 연결되기 때문에, 게이트 구동부(10) 및 발광 제어 구동부(20)로 동일한 레벨의 게이트 하이 레벨 전압(VGH) 및 동일한 레벨의 게이트 로우 레벨 전압(VGL)을 공급할 수 있어 유기 발광 표시 장치(1000)가 안정적으로 구동된다.
점등 검사 회로(90)는 제1 입력 라인(IL1) 및 제2 입력 라인(IL2)과 접속되어 있으며, 점등 검사 기간 동안 패드부(PA)에 연결된 제1 입력 라인(IL1)으로부터 점등 검사 신호를 공급받고, 패드부(PA)에 연결된 제2 입력 라인(IL2)으로부터 검사 제어 신호를 공급받아, 검사 제어 신호에 따라 데이터선들(Dm)로 점등 검사 신호를 공급한다.
이와 같은 점등 검사 회로(90)는 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동기간 동안에는 패드부(PA)로부터 공급되는 바이어스 신호에 의하여 오프 상태를 유지한다.
한편, 본 발명이 데이터 구동부(30)가 구비되는 경우에 한정되는 것은 아니며, 데이터 구동부(30)가 구비되지 않을 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 데이터 구동부(30)를 대신하여 점등 검사 회로(90)를 이용해 점등 검사 신호를 데이터선들(Dm)로 공급함으로써, 데이터 구동부(30)를 형성하기 이전에 점등검사를 수행할 수 있다. 이에 의해, 데이터 구동부(30)를 구동 IC로 패널(100)에 실장할 경우, 데이터 구동부(30) 실장하기 이전에 미리 불량패널을 검출하여 불필요한 재료 소모를 방지할 수 있다.
도 7은 도 6의 A 부분을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 점등 검사 회로(90)는 채널층(C), 채널층(C)에 연결되어 점등 검사 신호(TD)가 입력되는 제1 입력 라인(IL1)과 접속되는 소스 전극(S), 채널층(C)에 연결되어 데이터선들(Dm)에 접속되는 드레인 전극(D), 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)과 접속되는 게이트 전극(G)을 포함하는 복수의 트랜지스터들(TR)을 포함한다.
채널층(C)은 정공이 캐리어로서 기능하는 p타입 반도체를 포함한다.
트랜지스터들(TR)의 소스 전극(S)은 점등 검사 신호(TD)가 입력되는 제1 입력 라인(IL1)에 공통으로 접속되고, 드레인 전극(D)은 각각의 데이터선들(Dm)과 접속된다.
트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)은 검사 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)에 공통으로 접속된다.
이와 같은 트랜지스터들(TR)은 점등 검사 기간 동안 트랜지스터들(TR)을 턴온시키도록 공급되는 검사 제어 신호(TG)에 의해 동시에 턴온되어 점등 검사 신호(TD)를 데이터선들(Dm)로 공급한다. 또한, 점등 검사 회로(90)는 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동기간 동안에는 패드부(PA)로부터 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공급되는 바이어스 신호에 의하여 오프 상태를 유지한다.
여기서, 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)은 게이트 하이 레벨 전압(VGH)이 공급되는 제1 전원 공급 라인(VGHL)과 저항 소자(R)를 통해 연결되어 있다.
저항 소자(R)는 패널(100) 상에서 채널층(C)과 동일한 물질 및 동일한 층에 형성된다. 즉, 저항 소자(R)는 채널층(C)과 동시에 형성되는 반도체 물질이다.
이와 같은 저항 소자(R)는 다결정실리콘(poly silicon) 반도체 또는 산화물 반도체 등의 반도체 물질을 포함하며, 트랜지스터들(TR)의 채널층(C)과 일체로 형성될 수 있다.
저항 소자(R)의 저항값은 점등 검사나 실제 구동에는 영향을 미치지 않도록 하되, 강한 정전기로부터 트랜지스터들(TR)을 보호할 수 있는 정도의 범위 내에서 설정되는 것이 바람직하다. 저항 소자(R)의 저항값은 패널(100)의 설계조건에 따라 변경될 수 있는 것으로, 시뮬레이션 등을 통해 최적의 저항값을 산출하여 적용할 수 있다. 이때, 저항 소자(R)의 저항값을 용이하게 조절하기 위하여 다결정실리콘(poly silicon) 반도체 또는 산화물 반도체 등의 반도체 물질에 종래에 널리 공지된 불순물을 도핑하는 방법이 이용될 수 있다. 예컨대, 트랜지스터들(TR)의 채널층(C)과 일체로 저항 소자(R)를 형성하며, 저항 소자(R)의 반도체에만 불순물을 도핑하거나, 혹은 트랜지스터들(TR)의 채널층(C) 및 저항 소자(R)에 동일한 불순물을 도핑하거나, 또는 저항 소자(R)의 반도체에 도핑되는 불순물의 농도를 트랜지스터들(TR)의 채널층(C)에 도핑되는 불순물의 농도와 상이하게 조절할 수 있다.
이와 같이, 저항 소자(R)를 통해 제2 입력 라인(IL2)이 제1 전원 공급 라인(VGHL)과 연결됨으로써, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅(floating, 斷線)되는 것이 억제되는 동시에, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기에 의해 어느 일 부분이 플로팅되더라도 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동 기간 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)은 제1 전원 공급 라인(VGHL)으로부터 공급되는 게이트 하이 레벨 전압(VGH)에 의해 오프 상태를 유지한다.
구체적으로, 제2 입력 라인(IL2)은 패널(100)의 외곽을 둘러싸고 있는 동시에 점등 검사 회로(90)의 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)과 패드부(PA) 사이만을 연결하고 있음으로써, 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동기간 동안에는 유기 발광 표시 장치(1000)에 의도치 않게 인가되는 정전기에 취약한 구조를 가지고 있다. 이로 인해, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기에 의해 어느 일 부분이 플로팅될 경우, 점등 검사 회로(90)의 트랜지스터들(TR)이 오프 상태를 유지하지 못해 유기 발광 표시 장치에 구동 불량이 발생될 우려가 있었다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1000)는 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)이 게이트 하이 레벨 전압(VGH)이 공급되는 제1 전원 공급 라인(VGHL)과 저항 소자(R)를 통해 연결되어 있음으로써, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅되는 것이 억제되는 동시에, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅되더라도 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)이 제1 전원 공급 라인(VGHL)으로부터 공급되는 게이트 하이 레벨 전압(VGH)에 의해 오프 상태를 유지하여 구동 불량이 발생되는 것이 방지된다. 즉, 정전기에 의한 구동 불량이 방지된 유기 발광 표시 장치(1000)가 제공된다.
이하, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다.
이하, 제1 실시예와 구별되는 특징적인 부분만 발췌하여 설명하며, 설명이 생략된 부분은 제1 실시예에 따른다. 그리고, 본 발명의 제2 실시예에서는 설명의 편의를 위하여 동일한 구성요소에 대하여는 본 발명의 제1 실시예와 동일한 참조번호를 사용하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 평면도이다. 도 9는 도 8의 B부분을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)의 점등 검사 회로(90)는 채널층(C), 채널층(C)에 연결되어 점등 검사 신호(TD)가 입력되는 제1 입력 라인(IL1)과 접속되는 소스 전극(S), 채널층(C)에 연결되어 데이터선들(Dm)에 접속되는 드레인 전극(D), 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)과 접속되는 게이트 전극(G)을 포함하는 복수의 트랜지스터들(TR)을 포함한다.
채널층(C)은 전자가 캐리어로서 기능하는 n타입 반도체를 포함한다.
트랜지스터들(TR)의 소스 전극(S)은 점등 검사 신호(TD)가 입력되는 제1 입력 라인(IL1)에 공통으로 접속되고, 드레인 전극(D)은 각각의 데이터선들(Dm)과 접속된다.
트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)은 검사 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)에 공통으로 접속된다.
이와 같은 트랜지스터들(TR)은 점등 검사 기간 동안 트랜지스터들(TR)을 턴온시키도록 공급되는 검사 제어 신호(TG)에 의해 동시에 턴온되어 점등 검사 신호(TD)를 데이터선들(Dm)로 공급한다. 또한, 점등 검사 회로(90)는 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동기간 동안에는 패드부(PA)로부터 제2 입력 라인(IL2)을 통해 공급되는 바이어스 신호에 의하여 오프 상태를 유지한다.
여기서, 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)은 게이트 로우 레벨 전압(VGL)이 공급되는 제2 전원 공급 라인(VGLL)과 저항 소자(R)를 통해 연결되어 있다.
저항 소자(R)는 패널(100) 상에서 채널층(C)과 동일한 물질 및 동일한 층에 형성된다. 즉, 저항 소자(R)는 채널층(C)과 동시에 형성되는 반도체 물질이다.
이와 같은 저항 소자(R)는 다결정실리콘(poly silicon) 반도체 또는 산화물 반도체 등의 반도체 물질을 포함하며, 트랜지스터들(TR)의 채널층(C)과 일체로 형성될 수 있다.
이와 같이, 저항 소자(R)를 통해 제2 입력 라인(IL2)이 제2 전원 공급 라인(VGLL)과 연결됨으로써, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅(floating, 斷線)되는 것이 억제되는 동시에, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기에 의해 어느 일 부분이 플로팅되더라도 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동 기간 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)은 제2 전원 공급 라인(VGLL)으로부터 공급되는 게이트 로우 레벨 전압(VGL)에 의해 오프 상태를 유지한다.
구체적으로, 제2 입력 라인(IL2)은 패널(100)의 외곽을 둘러싸고 있는 동시에 점등 검사 회로(90)의 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)과 패드부(PA) 사이만을 연결하고 있음으로써, 점등 검사가 완료된 이후의 실제 구동기간 동안에는 유기 발광 표시 장치(1002)에 의도치 않게 인가되는 정전기에 취약한 구조를 가지고 있다. 이로 인해, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기에 의해 어느 일 부분이 플로팅될 경우, 점등 검사 회로(90)의 트랜지스터들(TR)이 오프 상태를 유지하지 못해 유기 발광 표시 장치에 구동 불량이 발생될 우려가 있었다. 그러나, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1002)는 점등 제어 신호(TG)가 입력되는 제2 입력 라인(IL2)이 게이트 로우 레벨 전압(VGL)이 공급되는 제2 전원 공급 라인(VGLL)과 저항 소자(R)를 통해 연결되어 있음으로써, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅되는 것이 억제되는 동시에, 제2 입력 라인(IL2)이 정전기(ESD)에 의해 어느 일 부분이 플로팅되더라도 트랜지스터들(TR)의 게이트 전극(G)이 제2 전원 공급 라인(VGLL)으로부터 공급되는 게이트 로우 레벨 전압(VGL)에 의해 오프 상태를 유지하여 구동 불량이 발생되는 것이 방지된다. 즉, 정전기에 의한 구동 불량이 방지된 유기 발광 표시 장치(1002)가 제공된다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
화소부(40), 게이트 구동부(10), 점등 검사 회로(90), 제1 전원 공급 라인(VGHL), 제2 전원 공급 라인(VGLL), 저항 소자(R)

Claims (10)

  1. 게이트선들 및 데이터선들의 교차 영역에 위치하는 복수의 화소를 포함하며, 패널의 중앙 영역에 위치하는 화소부;
    상기 게이트선들로 게이트 신호를 공급하며, 상기 패널의 일측에 위치하는 게이트 구동부;
    점등 검사 신호가 입력되는 제1 입력 라인 및 검사 제어 신호가 입력되는 제2 입력 라인에 접속되며, 상기 검사 제어 신호에 따라 상기 데이터선들로 상기 점등 검사 신호를 공급하며, 상기 패널의 타측에 위치하는 점등 검사 회로;
    상기 게이트 구동부로 게이트 하이 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제1 전원 공급 라인; 및
    상기 게이트 구동부로 게이트 로우 레벨 전압을 공급하며, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 제2 전원 공급 라인
    을 포함하며,
    상기 점등 검사 회로의 상기 제2 입력 라인은 상기 제1 전원 공급 라인 또는 상기 제2 전원 공급 라인과 저항 소자를 통해 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 점등 검사 회로는,
    채널층, 상기 채널층에 연결되어 상기 제1 입력라인에 접속되는 소스 전극, 상기 채널층에 연결되어 상기 데이터선들에 접속되는 드레인 전극, 및 상기 제2 입력 라인에 접속되는 게이트 전극을 포함하는 복수의 트랜지스터들을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 채널층은 p타입 반도체를 포함하며,
    상기 제2 입력 라인은 상기 제1 전원 공급 라인과 상기 저항 소자를 통해 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 채널층은 n타입 반도체를 포함하며,
    상기 제2 입력 라인은 상기 제2 전원 공급 라인과 상기 저항 소자를 통해 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 저항 소자는 상기 채널층과 동일한 층에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 화소부를 사이에 두고 상기 게이트 구동부와 대향되도록 상기 패널에 위치하며, 상기 게이트선들과 나란하게 배치되는 발광 제어선들로 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어 구동부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 제1 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부로 상기 게이트 하이 레벨 전압을 공급하고, 상기 제1 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸며,
    상기 제2 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부로 상기 게이트 로우 레벨 전압을 공급하고, 상기 제2 전원 공급 라인은 상기 발광 제어 구동부, 상기 게이트 구동부 및 상기 점등 검사 회로를 둘러싸는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 게이트 신호 및 상기 발광 제어 신호의 하이 레벨 전압은 상기 게이트 하이 레벨 전압에 기인하여 생성되고, 상기 게이트 신호 및 상기 발광 제어 신호의 로우 레벨 전압은 상기 게이트 로우 레벨 전압에 기인하여 생성되는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제6항에서,
    상기 화소부를 사이에 두고 상기 점등 검사 회로와 대향되도록 상기 패널에 위치하며, 상기 데이터선들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 게이트 구동부 및 상기 발광 제어 구동부는 상기 화소부를 사이에 두고 각각 상기 패널의 좌측 또는 우측에 위치하며,
    상기 점등 검사 회로 및 상기 데이터 구동부는 상기 화소부를 사이에 두고 각각 상기 패널의 상측 또는 하측에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
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