CN113284428A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本揭露的实施例提供一种显示装置，包括子像素区、间隔件、发光元件以及驱动电路。间隔件将子像素区隔离出第一区以及第二区。发光元件位于第一区及第二区的至少一者中。驱动电路电性连接至第一区及第二区以驱动发光元件。

Description

显示装置

技术领域

本揭露的实施例涉及一种显示装置。

背景技术

发光单元(例如发光二极管(light emitting diode，LED))的转移是用于制造具显示功能的电子装置的方法中的关键步骤。目前已经提出了数种在不同基板之间转移LED的方法。但是，由于LED转移技术的信息有限，因此LED巨量转移(mass transfer)、选择性转移(selective transfer)或修补转移(repair transfer)的知识仍有不足，而面临不同的问题。因此，电子装置的研发须持续更新与调整。

发明内容

本揭露是针对一种显示装置，其可减少成本或具有良好的显示质量，但本揭露不限于此。

根据本揭露的实施例，显示装置包括子像素区、间隔件、发光元件以及驱动电路。间隔件将子像素区隔离出第一区以及第二区。发光元件位于第一区及第二区的至少一者中。驱动电路电性连接至第一区及第二区以驱动发光元件。

基于上述，由于本揭露实施例的显示装置具有间隔件以隔离出第一区及第二区，因此在转移发光元件时，可以将发光元件设置于被间隔件围绕的第一区或第二区中以达成精准定位。此外，由于相邻的发光元件可被间隔件隔离开，因此可减少影响相邻的发光元件彼此的设置，另外，由于相邻的发光元件可被间隔件隔离开，因此可以减少相邻的发光元件于发光时产生混光的问题，或可以提升图像出光的质量。基于上述，显示装置能具有良好的显示质量。此外，本揭露实施例的显示装置可选择性的对子像素区进行修补，以减少所需转移的发光元件的数量。因此，显示装置可降低成本的需求。本揭露的实施例可具备上述部分或全部的优点，但也可以具备其他优点，并不限于此。

附图说明

图1A至图1C为本揭露一实施例的显示装置的制作工艺流程的上视示意图；

图2A至图2B为本揭露一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图；

图2C至图2D为本揭露一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图；

图3A至图3B为本揭露另一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图；

图4A至图4B为本揭露另一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图；

图4C至图4D为本揭露另一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图；

图5A至图5C为本揭露再一实施例的显示装置的制作工艺流程的上视示意图；

图6A至图6B为本揭露再一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图；

图6C至图6D为本揭露再一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。

在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜、或电子显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。

本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定元件、部件、区域、层和/或部分。

在本揭露中，以下所述的各种实施例可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、拼接装置、透明显示装置、或上述的组合，但不以此为限。电子装置可为可卷曲、可拉伸、可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料，或前述的组合。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、毫米/次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支持显示装置、天线装置或拼接装置。

图1A至图1C为本揭露一实施例的显示装置的制作工艺流程的上视示意图。图2A至图2B为本揭露一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图。图2C至图2D为本揭露一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A至图1C、图2A至图2B及图2C至图2D省略示出了若干元件。请先参考图1A、图1B及图1C，显示装置10包括基板100、多个子像素区120、多个发光元件220以及驱动电路180。在本实施中，多个发光元件220可分别设置于子像素区120中，且驱动电路180可电性连接至多个发光元件220与驱动这些发光元件220。发光元件220可在驱动后进行发光，藉此多个发光元件220的光可以组合以产生图像。如此一来，显示装置10可具有良好的显示质量。以下将简单说明显示装置10的制作工艺。

请参考图1A，在显示装置10的制作工艺流程中，首先提供基板100。依据不同的需求，基板100可以为硬质基板或可挠性基板，基板100的材料例如包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石或塑胶等，但本揭露并不以此为限。在另一实施例中，基板100的材料可包括合适的不透明材料。在一些实施例中，当基板100为可挠基板时可包括合适的可挠材料，例如聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的材料或前述材料的组合，但并不以此为限。在一实施例中，基板100可为单层或多层结构，但不限于此。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。

在一些实施例中，多层绝缘层和/或介电层(图未示)可以层叠于基板100上。绝缘层和/或介电层可以为单层或多层结构，且可例如包含有机材料(例如氮化硅等)、无机材料或前述的组合，但不以此为限。

在本实施例中，驱动电路180可设置于基板100上。驱动电路180可包括主动元件、被动元件或导线，或其他合适的元件，但不以此为限。如此一来，基板100又可称为驱动基板(driving substrate)。在本实施例中，驱动电路180可以电性连接至子像素区120以驱动后续设置于子像素区120中的发光元件220，将于后续说明书中再做说明。须注意的是，附图中的驱动电路180仅为例示性示出，实际的驱动电路180并不限于只位于基板100的周边区域。举例来说，驱动电路可包含多个晶体管(图未示)，晶体管可设置于子像素区120中以驱动发光元件220，但不限于此。

如图1A所示，多个子像素区120可以定义于基板100上。在本实施例中，子像素区120可定义为发光元件220后续设置于基板100上的区域，但不限于此。这些子像素区120可以大致沿着X轴方向排列成多个横行(rows)，且大致沿着Y轴方向排列成多个直列(columns)。也就是说，多个子像素区120可以使后续设置的发光元件220定义为实质上排成阵列的图案，但本实施例不以此为限。在本实施例中，X轴实质上垂直于Y轴或Z轴，且Y轴实质上垂直于X轴或Z轴。

在本实施例中，每一个子像素区120的间距P(pitch)可定义为：在X轴上，一个子像素区120’的一侧边122’至与子像素区120’相邻的另一个子像素区120”的对应另一侧边122”之间的距离，例如为最短距离。子像素区120的间距P可大于等于1微米，且小于等于1200微米(1μm≦P≦1200μm)，例如10微米、100微米、500微米、或1000微米，但本实施例不以此为限。

接着，提供多个发光元件220。发光元件220可设置或形成于芯片200(例如：蓝宝石的生长基板)或载板300上，但不限于此。如图1A及图2A所示，多个发光元件220可形成于芯片200上。所述发光元件220于芯片200上的位置可大致对应子像素区120的位置。在一些实施例中，所述发光元件220于芯片200上的位置也可不对应子像素区120的位置。举例来说，每个发光元件220可例如为发光二极管(LED)、有机发光二极管、或微型发光二极管(microLED)，但不以此为限。此外，发光元件220还可例如是有机发光元件或无机发光元件。微型发光元件220的结构可为P-N二极管、P-I-N二极管、或其它合适的结构，但不限于此。发光元件220可为有机材料(例如：有机高分子发光材料、有机小分子发光材料、有机配合物发光材料、或其它合适的材料、或前述材料的组合)、无机材料(例如：钙钛矿材料、稀土离子发光材料、稀土荧光材料、半导体发光材料、或其它合适的材料、或前述材料的组合)、或其它合适的材料、或前述材料的组合。

在本实施例中，可通过载板300将多个发光元件220转移到基板100上。请参考图1B、图2A及图2B，载板300上可设置黏着层320。载板300可靠近芯片200，使黏着层320接触发光元件220，以选择性地将多个发光元件220吸附或结合至载板300的黏着层320上。

接着，进行选择性转移工艺(selective transfer process)，包括将载板300移动至基板100的上方，再将所选择性结合的多个发光元件220对应地设置于基板100上的子像素区120。在本实施例中，基板100上设置有黏着层140，以将多个发光元件220吸附或结合至黏着层140上。在一些实施例中，可通过其他金属接合的方式将多个发光元件220接合至基板100。如此一来，完成将多个发光元件220从芯片200转置到基板100的选择性转移工艺步骤。上述的选择性转移工艺又可称为巨量选择性转移工艺(mass selective transferprocess)，且载板300又可称为巨量转移载板(mass transfer carrier)，但不限于此。

在另一些实施例中，也可以不通过载板300进行选择性转移工艺，而是直接将芯片200上的多个发光元件220转移到基板100上，但不以此为限。

在本实施例中，将发光元件220自载板300转移到基板100上的方法包括以黏着层140的黏着力将发光元件220结合或固定至基板100上，但不以此为限。在一些实施例中，载板300也可以通过静电力(electrostatic force)或磁力(magnetic force)的方式将发光元件220结合到载板300上。接着，再将发光元件220放置到基板100上。在本实施例中，上述转移工艺所使用的方法又可称为取放技术(pick and place)，但本揭露不限于使用上述的方法进行转移工艺，例如可以使用金属接合的方式。

请参考图1B，子像素区120可定义出第一区121以及第二区122。第一区121及第二区122可定义为子像素区120在X轴上分隔出的两个相邻区域。在一些实施例中，于俯视上(或称Z轴上)第一区121与第二区122的加总面积会小于或等于子像素区120的面积。第一区121的面积与第二区122的面积可以大致相同或不同，本实施例不以此为限。也就是说，第一区121的面积可以大于、等于或小于第二区122的面积。

在进行上述转移工艺后，发光元件220可以转移至第一区121中。也就是说，第一区121可容置至少一个发光元件220。在上述的设置下，第一区121又可称为子画素预定区，而第二区122可做为备用区(redundant region)，但不限于此。如图1B所示，发光元件220可以对应子像素区120的第一区121，并以阵列方式设置于基板100上。

在一些实施中，第一区121或第二区122中可分别设置有多个接垫(图未示)。发光元件220的电极可接合至上述的接垫。驱动电路180可通过导线182电性连接至第一区121及第二区122，导线182可电性连接至上述的接垫，但不限于此。在上述的设置下，驱动电路180可通过上述的多个接垫电性连接至发光元件220，以驱动发光元件220。藉此，发光元件220可以发光，且具有多个发光元件220的显示面板10可以显示出图像图案。

如图1B所示，每一个第一区121容置的发光元件220的数量可以为一个，但不以此为限。在一些实施例中，第一区121容置的发光元件220的数量可以大于或等于1，例如为两个、三个或四个或更多个，以使用者的需求而定。

接着，在完成转移工艺的步骤后，进行瑕疵检测(defect inspection)的步骤，以在第一区121中检查出NG(no good)的发光元件240。在本实施例中，NG的定义为不符合检验规格。举例来说，NG的发光元件240可能发光超出预设的平均亮度(即过亮)、发光低于预设的平均亮度(即过暗)或不发光(即不亮)，因此被认定为不符合检验规格，但不限于此。或者是，NG的发光元件240可能受有破损而导致外观有缺陷，因而被认定为不符合检验规格。此外，NG的发光元件240的尺寸大于预设的平均尺寸或小于预设的平均尺寸也可被认定为不符合检验规格，但本实施例不以上述举例为限。在一些实施例中，在第一区121中未设置有发光元件也可被认定为不符合检验规格，但不限于此。

瑕疵检查的方法包括将电源提供到基板100以使发光元件220发光，并且通过检测设备(未示出)观察并定位出NG的发光元件240。举例来说，检测设备可包括光学单元以及数据处理单元。光学单元例如为电荷耦合器件(charge-coupled device，CCD)的相机，但不以此为限。数据处理单元例如为计算机(computer)，但不以此为限。在进行瑕疵检测的步骤时，光学元件可感测发光元件220所发出的光以产生感测信号，接着光学元件再将感测信号传送至数据处理单元进行分析。藉此，上述被定义为NG的发光元件240可被检测出来并进行定位。在一些实施例中，光学单元还可以观察发光元件220的外观的方式来确认发光元件220是否有缺陷或其尺寸是否大于或小于预设的平均尺寸，以判定发光元件220是否为NG的发光元件240。在另一些实施例中，光学单元可以观察第一区121中是否设置有发光元件。若在第一区121中没有设置发光元件，则检测设备可判断有瑕疵，但不以此为限。

在一些实施例中，瑕疵检查的方法还包括将电源提供到基板100以使发光元件220发光，再通过检测设备(未示出)来测试发光元件220是否有电性异常的情形。若发光元件220被判定为电性异常，则可被视为NG的发光元件240。藉此，NG的发光元件240可被检测出来并进行定位。

在另一些实施例中，瑕疵检查的方法还包括将电源提供到基板100以使发光元件220发光，使用者可再通过检测设备(未示出)或目视来观察发光元件220的发光与否来判定发光元件220是否符合检验规格(亦即是否为NG的发光元件240)。须注意的是，上述的瑕疵检查的方法仅为举例说明，并非用以限制本揭露的实施例。实际上，其他合适用于检测发光元件是否符合检验规格的方法也适用于本实施例的显示装置10。

请参考图1B、图1C及图2C。接着，于瑕疵检查的步骤后，对显示装置10进行选择性修补转移工艺(selective repair transfer process)，包括使载板300靠近芯片200，使黏着层320接触发光元件220’，以选择性地将发光元件220’转移(例如吸附或结合)至载板300的黏着层320上。图1C示出了将发光元件220’转移到载板300后的芯片200，且被选择性转移的发光元件220’以虚线表示于图1C中。

请参考图2D。接着，可将载板300移动至基板100的上方，再将所选择性结合的发光元件220’对应地设置于基板100上的子像素区120的第二区122。发光元件220’可电性连接第二区122中的接垫。如此一来，完成将发光元件220’自芯片200转置到基板100的选择性修补转移工艺步骤。上述的选择性修补转移工艺又可称为巨量选择性修补转移工艺(massselective repair transfer process)，但不限于此。

在另一些实施例中，也可以不通过载板300进行选择性修补转移工艺，而是直接将芯片200上的发光元件220’转移到基板100上，但不以此为限。

在本实施例中，将发光元件220’自载板300转移到基板100上的方法包括以黏着层140的黏着力将发光元件220’结合或固定至基板100上，但不以此为限。在一些实施例中，载板300也可以通过静电力、磁力、或金属接合的方式将发光元件220’结合到载板300上。接着，再将发光元件220’放置到基板100上。在本实施例中，选择性转移工艺步骤及选择性修补转移工艺步骤中所使用的转移工艺方法可相同或不同，但本揭露不限于使用上述的方法进行转移工艺。

在进行上述修补转移工艺后，发光元件220’可以转移至第二区122中。也就是说，发光元件220’可以邻近第一区121中的NG的发光元件240设置于第二区122。在本实施例中，第二区122在进行修补转移工艺时可做为备用区，以容置至少一个发光元件220’。如图1C所示，发光元件220’可以对应子像素区120的第二区122并以阵列方式设置于基板100上，但不限于此。

如图1C所示，每一个第二区122容置的发光元件220’的数量可以为一个，但不以此为限。在一些实施例中，第二区122容置的发光元件220’的数量可以大于或等于0，例如为零个、一个、两个、三个或四个或更多个，以使用者的需求而定。举例来说，当一个子像素区120的第一区121中的发光元件220为符合检验规格的发光元件220时，可不在同一个子像素区120的第二区122中设置发光元件220’，因此第二区122容置的发光元件220’的数量可为0。

在一些实施例中，在修补转移工艺步骤后，可对驱动电路180的导线182进行切断的工艺，以把电性连接至第一区121的导线182切断，但不以此为限。在上述的设置下，驱动电路180不电性连接至发光元件220中为NG的发光元件240。如此一来，显示装置10可具有良好的电性质量。

在本实施例中，第一区121与第二区122可以并联的方式与导线182连接并电性连接至一个驱动电路180，但不以此为限。在其他实施例中，第一区121与第二区122可分别连接至不同的驱动电路180。

在一些实施例中，在修补转移工艺步骤后，可再次进行瑕疵检测的步骤以在第二区122中检查出NG的发光元件240。NG的定义可包括上述不符合检验规格的举例，故于此不再赘述。当在第二区122中检查出NG的发光元件240时，可再次进行修补转移工艺步骤以将发光元件220’转移至第二区122中并与驱动电路180电性连接。如此一来，可完成具有良好显示质量的显示装置10。

值得一提的是，本揭露一实施例的显示装置10的子像素区120能容置的发光元件220的总数量上限为n，而第一区121中容置的发光元件220的数量为m，且第二区122容置的发光元件220的数量为y。子像素区120能容置的发光元件220的总数量上限n大于或等于第一区121的发光元件220的数量m与第二区122的发光元件220’的数量y的和(例如n≥m+y)。举例来说，当第一区121中容置有一个NG的发光元件240时(即m＝1)，可在第二区122中至少设置一个符合检验规格的发光元件220’(即y＝1)。因此，子像素区120能容置的发光元件220的总数量可为大于或等于2(即n≥2)。以另一个例子来说，当第一区121中容置有一个NG的发光元件240时(即m＝1)，可在第二区122中设置二个符合检验规格的发光元件200(即y＝2)。因此，子像素区120能容置的发光元件220的总数量可为大于或等于3(即n≥3)。上述举例仅为举例说明，并非用以限制本揭露的实施例。

在上述的设置下，本实施例的显示装置10可进行巨量选择性转移工艺以在第一区121中设置发光元件220。接着，进行瑕疵检测工艺来检查出NG的发光元件240。然后进行巨量选择性修补转移工艺以在第二区122中设置发光元件220’。如此一来，可选择性的对具有NG的发光元件240的子像素区120进行修补，以减少所需转移的发光元件220、220’的数量。因此，显示装置10可降低成本的需求。此外，显示装置10的制作工艺可以简单化。另外，显示装置10可具有良好的显示质量。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3A至图3B为本揭露另一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图3A及图3B省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10A大致相似于图2C及图2D的显示装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10之处主要在于，在进行选择性修补转移工艺的步骤中，可直接将芯片200上的发光元件220’选择性地转移至基板100上。举例来说，将芯片200移动至基板100的上方，接着进行激光剥离工艺(laser lift-off process)。激光剥离工艺包括以能量束LB照射芯片200上的发光元件220’对应的位置。能量束LB可以为激光束(laser beam)，但不以此为限。在一些实施例中，能量束LB的波长范围可以是200纳米(nm)至1064纳米(200nm≤波长≤1064nm)的范围之间，但不以此为限。在另一些实施例中，激光束LB的波长可以是266nm、308nm、355nm、532nm或1064nm，但不以此为限。

举例来说，在上述的设置下，在芯片200(例如为发光元件220的生长基板)或设置于芯片200上的膜层受到能量束LB照射时，于照射处可产生化学反应，使得氮气(nitrogengas)可在发光元件220与芯片200的介面产生，但不限于此。因此，发光元件220可以从芯片200上分离出来。

在另一些实施例中，也可以先将芯片200上的发光元件220’转移至载板300的黏着层320上，再以载板300进行修补转移工艺。举例来说，将载板300移动至基板100的上方，以进行激光剥离工艺。举例来说，在载板300受到能量束LB照射时，受到照射的黏着层320可产生化学反应，使得黏着层320的黏着力降低或使得黏着层320被蒸发(或被烧蚀(ablation))。因此，发光元件220’可以从载板300上分离出来。分离出来的发光元件220’可结合并固定至基板100的黏着层140。

在另一些实施例中，载板300受到激光的能量束LB照射时，载板300上的发光元件200’可受到激光的光冲击力，而脱离黏着层320。藉此，发光元件220’可以从载板300上分离出来。

在本实施例中，能量束LB可沿着Z轴照射在芯片200远离基板100的一面，以减少能量束LB对基板100的黏着层140的影响，但不以此为限。

在上述的设置下，发光元件220’可邻近第一区121中的NG的发光元件240设置于第二区122。由于本实施例的显示装置10A可选择性地修补具有NG的发光元件240的子像素区120，因此显示装置10A可降低成本的需求。此外，显示装置10A的制作工艺可以简单化。另外，显示装置10A可具有良好的显示质量。

图4A至图4B为本揭露另一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图。图4C至图4D为本揭露另一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图4A至图4D省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10B大致相似于图2A至图2D的显示装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10之处主要在于，进行选择性转移工艺的步骤中，可直接将芯片200上的发光元件220选择性地转移至基板100上。举例来说，于图4A及图4B中，将芯片200移动至基板100的上方，接着进行激光剥离工艺。在上述的激光剥离工艺的步骤中，芯片200(例如为发光元件220的生长基板)受到能量束LB照射，使发光元件220可以从芯片200上分离出来。分离出来的发光元件220可结合并固定至基板100的黏着层140，且发光元件220可对应第一区121设置。在本实施例中，激光剥离工艺的步骤中所使用的能量束LB的波长范围可与前述实施例所示得波长范围相同或不同，故于此不再赘述，且本实施例不加以限制。

接着，进行瑕疵检测的步骤后，可检测出并定位位于第一区121中的NG的发光元件240。然后，进行选择性修补转移工艺的步骤。在本实施例中，可直接将芯片200上的发光元件220’选择性地转移至基板100上。举例来说，于图4C及图4D中，将芯片200移动至基板100的上方，接着进行激光剥离工艺。在上述的激光剥离工艺的步骤中，芯片200(例如为发光元件220’的生长基板)受到能量束LB照射，使发光元件220’可以从芯片200上分离出来。分离出来的发光元件220’可结合并固定至基板100的黏着层140，且发光元件220’对应邻近NG的发光元件240的第二区122设置。

在另一些实施例中，也可以先将芯片200上的发光元件220’转移至载板300的黏着层320上，再以载板300进行修补转移工艺。举例来说，将载板300移动至基板100的上方，以进行激光剥离工艺。在载板300受到能量束LB照射时，可使黏着层320的黏着力降低或使得黏着层320被蒸发(或被烧蚀)。因此，发光元件220’可以从载板300上分离出来。分离出来的发光元件220’可结合并固定至基板100的黏着层140，且对应邻近NG的发光元件240的第二区122设置。

在上述的设置下，发光元件220’可邻近第一区121中的NG的发光元件240设置于第二区122。由于本实施例的显示装置10B可选择性地修补具有NG的发光元件240的子像素区120，因此显示装置10B可降低成本的需求。此外，显示装置10B的制作工艺可以简单化。另外，显示装置10B可具有良好的显示质量。

图5A至图5C为本揭露再一实施例的显示装置的制作工艺流程的上视示意图。图6A至图6B为本揭露再一实施例的显示装置进行巨量转移的剖视示意图。图6C至图6D为本揭露再一实施例的显示装置进行修补转移的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图5A至图5C、图6A至图6B及图6C至图6D省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10C大致相似于图1A至图1C及图2A至图2D的显示装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10之处主要在于，显示装置10C还包括间隔件160。举例来说，间隔件160设置于基板100的黏着层140上。间隔件160的材料包括可图案化的有机材料或光刻胶(photoresist)材料。举例来说，有机材料包括丙烯酸系树脂(acrylic resin)、硅树脂(silicone)或光敏树脂(photo resin)。间隔件160可通过图案化工艺分隔子像素区120的第一区121及第二区122，但不限于此。图案化工艺包括旋涂工艺(spin coating process)、狭缝涂布工艺(slit coating process)、印刷工艺(printing process)或光刻工艺(photolithography process)，但不以此为限。

请参考图5A及图6A，在本实施例中，间隔件160在图案化工艺后可具有多个开口对应重叠子像素区120的第一区121以及第二区122。从另一角度来说，间隔件160可以环绕子像素区120的第一区121及第二区122，以隔离出第一区121以及第二区122，但不限于此。详细来说，间隔件160可包括主体部162以及挡墙部164。主体部162及挡墙部164可环绕出重叠第一区121以及第二区122的开口，且挡墙部164可位于第一区121与第二区122之间。也就是说，图案化后的间隔件160可通过间隔件160的挡墙部164在子像素区120中隔离出第一区121与第二区122。在本实施例中，第一区121与第二区122可定义为由主体部162及挡墙部164所环绕的开口所投影的区域，但不限于此。

在本实施例中，间隔件160例如是连续的。举例来说，间隔件160的主体部162与挡墙部164可以连接成一体的结构，且以开口重叠第一区121与第二区122，但本实施例不以此为限。在一些实施例中，间隔件160也可以为不连续的。举例来说，间隔件160可以包括多个彼此分离的挡墙部164位于第一区121与第二区122之间以分隔出第一区121与第二区122。如此一来，第一区121与第二区122的定义可以是在子像素区120中，在挡墙部164相对两侧的两个邻接区域。

请参考图5A、图5B、图6A及图6B，本实施例在进行选择性转移工艺的步骤中，可直接将芯片200上的发光元件220选择性地转移至基板100上。举例来说，于图6A及图6B中，将芯片200移动至基板100的上方，接着进行激光剥离工艺。在上述的激光剥离工艺的步骤中，芯片200(例如为发光元件220的生长基板)受到能量束LB照射，使发光元件220可以从芯片200上分离出来。分离出来的发光元件220可结合并固定至基板100的黏着层140，且发光元件220对应第一区121设置。举例来说，发光元件220可设置于间隔件160所环绕出的开口中，而在第一区121中被主体部162以及挡墙部164所围绕。

接着，进行瑕疵检测的步骤后，可检测出并定位位于第一区121中的NG的发光元件240。然后，进行选择性修补转移工艺的步骤。在本实施例中，可直接将芯片200上的发光元件220’选择性地转移至基板100上。举例来说，于图6C及图6D中，将芯片200移动至基板100的上方，接着进行激光剥离工艺。在上述的激光剥离工艺的步骤中，芯片200(例如为发光元件220’的生长基板)可受到能量束LB照射，使发光元件220’可以从芯片200上分离出来。分离出来的发光元件220’可结合并固定至基板100的黏着层140，且发光元件220’对应邻近NG的发光元件240的第二区122设置。举例来说，发光元件220’可设置于间隔件160所环绕出的开口中，而在第二区122中被主体部162以及挡墙部164所围绕。

在其他实施例中，于进行选择性转移工艺的步骤或选择性修补转移工艺的步骤时，也可以通过载板300将多个发光元件220或发光元件220’转移到基板100上。载板300可以通过黏着层320的黏着力、静电力或磁力的方式将发光元件220结合到载板300上，再将发光元件220’放置到基板100上，但不以此为限。

在另一些实施例中，选择性转移工艺的步骤或选择性修补转移工艺的步骤也可以分别任意地搭配通过黏着力、静电力或磁力的方式以及激光剥离工艺的方式来转移发光元件220，本揭露不以此为限。

在本实施例中，以图5C及图6D所示显示装置10C举例说明，子像素区120会在第一区121及第二区122的两者中分别容置发光元件220。举例来说，第一区121具有NG的发光元件240，而第二区122具有经由选择性修补转移的发光元件220’，但不以此为限。在一些实施例中，容置于第一区121的发光元件220及容置于第二区122的发光元件220中的一者为NG的发光元件240。在另一些实施例中，容置于第一区121的发光元件220及容置于第二区122的发光元件220中的至少一者也可以是符合检验规格的发光元件220、220’。

本实施例是以在第一区121中设置一个被检测出发现为NG的发光元件240，而在相邻的第二区122中设置一个符合检验规格的发光元件220、220’，但不以此为限。在前述的说明中可知，第一区121可容置的发光元件220的数量可以大于或等于1。第二区122容置的发光元件220’的数量可以大于或等于0。换句话说，当第一区121容置的发光元件220符合检验规格时，第二区122中可设置也可不设置发光元件220’。在一些实施例中，依使用者的需求，第一区121也可容置两个或两个以上的发光元件220，且第二区122也容置两个或两个以上的发光元件220’，但不以此为限。

在本实施例中，在修补转移工艺步骤后，可对驱动电路180的导线182进行切断的工艺，以把电性连接至第一区121的导线182切断，但不以此为限。在上述的设置下，驱动电路180不电性连接至NG的发光元件240。如此一来，显示装置10C具有良好的电性质量。在本实施例中，容置于第一区121的发光元件220与容置于第二区122的发光元件220’可以并联的方式电性连接至一个驱动电路180，但不以此为限。在其他实施例中，容置于第一区121的发光元件220与容置于第二区122的发光元件220’可以分别电性连接至不同的驱动电路180(例如两个不同的驱动电路180)。

值得注意的是，本实施例的显示装置10C由于具有间隔件160，且间隔件可将子像素区120隔离出第一区121及第二区122，因此在转移发光元件220时，可以将发光元件200设置于被间隔件160围绕的第一区121或第二区122中以达成精准定位。此外，由于相邻的发光元件220可被间隔件160隔离开，因此相邻的发光元件220不会影响彼此的设置，另外，由于相邻的发光元件220可被间隔件160隔离开，因此可以减少相邻的发光元件220于发光时产生混光的问题，或可以提升图像出光的质量。藉此，显示装置10C具有良好的显示质量。

综上所述，由于本揭露实施例的显示装置可将子像素区隔离出第一区以及第二区，且可进行巨量选择性转移工艺以在第一区中设置发光元件。接着，进行瑕疵检测工艺来检查出NG的发光元件。然后进行巨量选择性修补转移工艺以在第二区中设置发光元件。如此一来，可选择性的对具有NG的发光元件的子像素区进行修补，以减少所需转移的发光元件的数量。因此，显示装置可降低成本的需求。此外，显示装置的制作工艺可以简单或具有良好的显示质量。另外，由于本揭露实施例的显示装置具有间隔件以隔离出第一区及第二区，因此在转移发光元件时，可以将发光元件设置于被间隔件围绕的第一区或第二区中以达成精准定位。此外，由于相邻的发光元件可被间隔件隔离开，因此相邻的发光元件不会影响彼此的设置，另外，由于相邻的发光元件可被间隔件隔离开，因此可以减少相邻的发光元件于发光时产生混光的问题，或可以提升图像出光的质量。基于上述，显示装置能具有良好的显示质量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

子像素区；

间隔件，所述间隔件将所述子像素区隔离出第一区以及第二区；

发光元件位于所述第一区及所述第二区的至少一者中；以及

驱动电路，电性连接至所述第一区及所述第二区以驱动所述发光元件。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件为发光二极管。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述第一区及所述第二区的两者中分别容置所述发光元件。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，容置于所述第一区的所述发光元件及容置于所述第二区的所述发光元件中的一者为NG。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路未电性连接至所述发光元件中为NG的一者。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件环绕所述第一区及所述第二区。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件为不连续的。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述间隔件包括挡墙部，所述挡墙部位于所述第一区与所述第二区之间。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述子像素区所能容置的所述发光元件的总数量大于或等于所述第一区容置的所述发光元件的数量与所述第二区容置的所述发光元件的数量的和。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一区容置的所述发光元件的数量为大于或等于1，且所述第二区容置的所述发光元件的数量为大于或等于0。

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