CN104700774B - 具有修复结构的有机发光显示装置 - Google Patents

具有修复结构的有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104700774B
CN104700774B CN201410749384.7A CN201410749384A CN104700774B CN 104700774 B CN104700774 B CN 104700774B CN 201410749384 A CN201410749384 A CN 201410749384A CN 104700774 B CN104700774 B CN 104700774B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
organic light
light emitting
emitting diode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410749384.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104700774A (zh
Inventor
沈锺植
吴彰浩
朴俊民
姜海润
李时圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN104700774A publication Critical patent/CN104700774A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104700774B publication Critical patent/CN104700774B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/10—Dealing with defective pixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机发光显示装置，其包括显示面板，在该显示面板中将有机发光二极管和驱动电路设置在第一像素和第二像素的每个像素区中，该第一像素和第二像素是多个像素当中的某些像素，与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘的浮置图案被形成在显示面板中，或者形成将第一像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的有机发光二极管的第一电极电连接的连接图案。

Description

具有修复结构的有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年12月9日提交的韩国专利申请No.10-2013-0152657的优先权和权益，在此出于通用目的通过参考将其整体并入本文，就如在此全部列出一样。
技术领域
本发明涉及一种具有修复结构的有机发光显示装置。
背景技术
使用自身发光的有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置目前已经变成一种流行形式的显示装置，其具有极大优势，包括快速响应、高发光效率、高级别亮度和大视角。
在有机发光显示装置中，将包括有机发光二极管的像素设置成矩阵形式，根据数据等级控制由扫描信号选择的像素的亮度。
有机发光显示装置的每个像素都具有有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动电路。
由具有这种结构的多个像素限定的显示面板需要具有各步骤的制造工艺。此时，由各步骤导致的杂质产生在像素上，这引起诸如亮点或暗点的缺陷。
这些像素缺陷会极大破坏图像质量，在严重的情况下，会废弃该显示面板。
因此，迫切需要一种有效修复像素缺陷的方法。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机发光显示装置，其基本避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能够修复像素缺陷，和提供一种机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了像素缺陷。
本发明的另一目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能修复引起像素缺陷的电路缺陷，和提供一种有机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了电路缺陷。
本发明的再一目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能修复引起像素缺陷的发光缺陷，和提供一种有机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了发光缺陷。
本发明的又一目的是提供一种能够补偿由于修复电路缺陷或发光缺陷导致的亮度降低的有机发光显示装置。
在下文的说明书中将列出本发明的其他特征和优势，且根据该说明书一部分特征和优势是显而易见的，或者可通过实践本发明获知。通过所撰写的说明书及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构，可以认识并获得本发明的目的和其它优势。
为了实现这些和其它优势和根据本发明的目的，如所体现和广泛描述的，一种有机发光显示装置包括，显示面板，在该显示面板中设置了由其上形成的数据线和栅极线限定的多个像素；将数据电压提供至数据线的数据驱动单元；和将扫描信号提供至栅极线的栅极驱动单元；其中有机发光二极管和驱动电路被设置在多个像素中的每一个中，在多个像素当中的第一像素和第二像素中，形成与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘的浮置图案，或者形成用于电连接第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极的连接图案。
在另一方面中，一种有机发光显示装置包括：显示面板，在该显示面板中设置了由形成于其上的数据线和栅极线限定的多个像素；将数据电压提供至数据线的数据驱动单元；和将扫描信号提供至栅极线的栅极驱动单元；其中有机发光二极管和驱动电路被设置在多个像素的发光区和非发光区中，在显示面板中存在至少一个像素，在所述至少一个像素中切割有机发光二极管的第一电极从而具有比发出相同颜色光的其他像素更小尺寸的发光区。
将理解，上文的一般描述和下文的具体描述都是示范性和说明性的，且意在提供如所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
本文包括附图以提供本发明的进一步理解，附图结合到说明书中并构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例且与文字描述一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1示范性示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的系统；
图2示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的基本像素结构；
图3和4示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素等效电路图的实例；
图5示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素缺陷的两种类型；
图6是根据实例性实施例解释用于有机发光显示装置的每种像素缺陷的修复方法的原理图；
图7示出了在根据第一实例性实施例的有机发光显示装置中的修复结构和使用该修复结构的电路缺陷修复工艺，其中使用修复线路通过该修复结构修复电路缺陷；
图8示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素结构的三种类型；
图9是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图10是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
图11示出了根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的浮置图案的形成实例；
图12是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的平面图；
图13是示出根据第二实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的截面图；
图14是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图15是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的平面图；
图16是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的另一平面图；
图17是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图18是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
图19是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的局部具体平面图；
图20是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的局部具体截面图；
图21是示出根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺的平面图；
图22是根据第四实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的示意性截面图；
图23是根据第四实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的截面图；
图24是根据第五实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图25是根据第五实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的平面图；
图26是根据第六实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图27是根据第七实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图28和29是根据第八实例性实施例执行了发光缺陷的修复工艺之后的有机发光显示装置的平面图；
图30示出根据第八实例性实施例的有机发光显示装置的发光缺陷修复工艺的切割线的实例；
图31示出了根据第八实例性实施例的有机发光显示装置中的发光缺陷修复工艺之后发光区减小；
图32是根据第九实例性实施例的有机发光显示装置的交叉缺陷(cross defect)修复的原理图；和
图33是根据第十实例性实施例的有机发光显示装置的亮度补偿的电路图。
具体实施方式
以下，将参考附图描述本发明的几个实施例。以下，对于附图元件的参考数字，相同元件采用之前附图的相同参考数字。而且，在本发明的下文描述中，当本文中结合的非常公知的功能和结构的具体描述使得本发明的主题不清楚时，将省略该具体描述。
此外，当描述本发明的部件时，本文中可使用术语，诸如第一，第二，A，B，(a)，(b)等。这些术语中的每一个都不用于限制相应部件的本质、次序或序列，而是仅使用其区分该相应部件和其它部件。应当注意，如果本说明书中描述一个部件被“连接到”、“耦合到”或者“结合到”另一部件，尽管第一部件可直接连接、耦合或者结合到第二部件，但是第三部件可“连接”、“耦合”和“结合”在第一和第二部件之间。
图1示范性示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的系统。
参考图1，根据实例性实施例的有机发光显示装置100包括：显示面板110，该显示面板100具有设置在形成于一个方向上的多条数据线DL至DLm和形成于另一方向上以与多条数据线DL1至DLm交叉的多条栅极线GL1至GLn的每个交叉点处的多个像素P；经由多条数据线DL1至DLm提供数据电压的数据驱动单元120；经由多条栅极线GL1至GLn提供扫描信号的栅极驱动单元130；和控制数据驱动单元120和栅极驱动单元130的驱动时序的时序控制器140。
设置在显示面板110中的多个像素P中的每一个都提供有有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管的驱动电路DRC。
设置在每个像素上的驱动电路可基本包括用于提供电流至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、用于将数据电压提供至驱动晶体管DT的栅极节点的晶体管，诸如开关晶体管、用于对于每一帧保持数据电压的存储电容，且可进一步包括用于将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的源极节点(或者漏极节点)的感应晶体管。该像素结构将参考图2和3具体描述。
数据驱动单元120可包括多个数据驱动集成电路(也可称作源极驱动集成电路)，多个数据驱动集成电路可按照卷带自动键合(TAB)或者是玻璃上芯片(COG)的形式耦合到显示面板110的键合焊垫，可直接形成在显示面板110上以成为面板内栅极(GIP)类型，或者可以集成到显示面板110中。
根据驱动类型，可如图1中所示将栅极驱动单元130定位在显示面板110一侧上，或者可将两个栅极驱动单元定位在显示面板110两侧上。
此外，栅极驱动单元130可包括多个栅极驱动集成电路，这些栅极驱动集成电路可按照卷带自动键合(TAB)或者芯片上玻璃(COG)的形式耦合到显示面板110的键合焊垫，可直接形成在显示面板110上以成为面板内栅极(GIP)类型，或者可集成到显示面板中。
时序控制器140控制数据驱动单元120和栅极驱动单元130的驱动时序，且输出各控制信号以进行控制。
下文，将更具体地描述像素中的像素结构。
图2示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的基本像素结构。
参考图2，被限定在根据实例性实施例的有机发光显示装置100的显示面板110中的多个像素P中的每一个的像素区PA都可由发光区EA和电路区CA构成，在发光区EA有机发光二极管OLED发光，在电路区CA设置了用于驱动有机发光二极管OLED的驱动电路DRC。
将包括有机发光二极管OLED的发光单元设置在发光区EA中。
电路区CA不是设置了包括用于驱动有机发光二极管OLED的驱动电路DRC的电路单元的发光区。
同时，尽管发光区EA和电路区CA在图2中分别示出，但是这仅是为了便于解释，且根据另一实例性实施例发光区EA和电路区CA可彼此重叠。例如，在上部发光类型的情况下，可将电路单元设置在发光单元下方，使得发光区EA和电路区CA彼此重叠。
如上所述，被设置在每个电路区CA中的驱动电路DRC基本上包括用于将电流提供至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、用于将数据电压提供至驱动晶体管DT的栅极节点的晶体管，诸如开关晶体管(下文称作第二晶体管T2)、用于对于每一帧都保持数据电压的存储电容Cstg，且可进一步包括用于将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的源极节点(或漏极节点)的感应晶体管(下文称作第一晶体管T1)。
图3和4中示出了具有3T1C结构的像素的两种类型，3T1C结构具有三个晶体管DT、T1和T2以及一个电容Cstg。
图3和4示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素的等效电路图的实例。
参考图3，在像素区PA中的电路区CA可包括用于将电流提供至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和用于提供参考电压Vref的参考电压线RVL之间的第一晶体管T1、连接在驱动晶体管DT的第二节点N2和数据线DL之间的第二晶体管T2、和连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和第二节点N2之间的存储电容Cstg以起到对于每一帧保持电压的作用。
通过经由第一栅极线(GL’)提供的第一扫描信号(下文称作感应信号SENSE)控制第一晶体管T1，从而将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的第一节点N1。当相应像素在感应模式下操作以进行像素补偿时，第一晶体管T1可用于感应驱动晶体管DT的第一节点N1的电压。为此，第一晶体管T1可称作感应晶体管。
通过经由第二栅极线(GL)提供的第二扫描信号(以下称作扫描信号SCAN)控制第二晶体管T2，从而将数据电压Vdata施加至驱动晶体管DT的第二节点N2。驱动晶体管DT可通过施加到驱动晶体管DT的第二节点N2的数据电压导通或关断，从而控制供应至有机发光二极管OLED的电流。由于这个原因，第二晶体管T2可称作开关晶体管。
也就是，在图3的像素结构中，提供两条栅极线GL和GL’，经由不同的栅极线GL和GL’通过不同信号(感应信号和扫描信号)分别控制第一晶体管T1和第二晶体管T2。为此，图3的像素结构称作“基于两个扫描的像素结构(two-scan based pixel structure)”。
如上所述，当每个像素都具有基于两个扫描的像素结构时，可将图1中的驱动单元130实现成为分成用于输出扫描信号的栅极驱动单元和用于输出感应信号的栅极驱动单元，可将n条栅极线GL1至GLn形成为分成用于提供扫描信号的栅极线GL1至GLn和用于提供感应信号的栅极线GL1’至GLn’。
同时，参考图4，在像素区PA中的电路区CA与图3中的像素结构相似，其包括用于提供电流至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和用于提供参考电压Vref的参考电压线RVL之间的第一晶体管T1、连接在驱动晶体管DT的第二节点N2和数据线DL之间的第二晶体管T2、和连接在驱动晶体管DT的第一节点N1和第二节点N2之间的存储电容Cstg。
但是，图4的像素结构与图3的“基于两个扫描的像素结构”不同，第一晶体管T1和第二晶体管T2受到经由一条栅极线GL提供的一个公共扫描信号SCAN的控制。
在图4的像素结构中，仅需要一条栅极线GL，并且经由一条公共栅极线GL通过相同栅极信号(扫描信号)控制第一晶体管T1和第二晶体管T2。由于这个原因，图4的像素结构称作“基于一个扫描的像素结构”。
实例性实施例中描述的驱动晶体管DT可以是N型晶体管或P型晶体管。此外，尽管示出第一晶体管T1和第二晶体管T2为N型晶体管，但是可将其实现为P型晶体管。
如上所述，由于在像素区PA中的电路区CA被提供有多个晶体管DT、T1和T2以及电容Cstg，因此制造工艺复杂，且该复杂性导致电路区CA中的缺陷。
同时，像素区PA中的发光区EA也会具有缺陷。
电路区CA和发光区EA中的这些缺陷可以是导致故障像素呈现亮点或暗点的主要原因。
本发明限定了像素缺陷的两种类型，且为每种像素缺陷提供修复工艺和通过该修复工艺修复缺陷的结构。
可在装运产品之前在制造面板期间进行本说明书中描述的修复，或者由于消费者购买产品之后的售后服务请求进行该修复。
首先，参考图5描述像素缺陷的两种类型。
图5示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素缺陷的两种类型。
参考图5，根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素缺陷被分成在各晶体管DT、T1和T2、电容器以及线路中具有问题的电路缺陷，和在设置于发光区EA中的有机发光二极管OLED中具有问题的发光缺陷。而且，电路缺陷和发光缺陷可同时发生在一个像素中。
参考图5的图(a)，设置在电路区CA中的晶体管DT、T1和T2、电容器以及线路中至少一个的短路、断开连接或者开路导致电路缺陷。在这种情况下，认为相应像素是缺陷的且呈现为亮点或暗点。
如果设置在电路区CA中的各晶体管DT、T1和T2、电容器以及线路中的至少一个在制造工艺期间由于引入的杂质导致短路，则过多的电流流入有机发光二极管OLED，使得相应像素变成亮点。而且，如果设置在电路区CA中的各晶体管DT、T1和T2、电容器以及线路中的至少一个在制造工艺中由于杂质或故障断开连接或者开路，没有电流或者比期望值更小量的电流施加到有机发光二极管OLED，使得相应像素变成暗点或者灰白暗点并且被分类成像素缺陷。
参考图5的图(b)，由于制造工艺期间引入的杂质或者有机发光二极管OLED的两个电极(阳极和阴极)中至少一个的故障，导致设置在发光区EA中的有机发光二极管OLED的两个电极(阳极和阴极)的短路，从而产生作为另一类型像素缺陷的发光缺陷。而且，发光缺陷会导致其他不期望的诱因。
其中有机发光二极管OLED不正常发光的任何状态都被认为是发光缺陷。
在发生像素缺陷的情况下，过多电流、没有电流或者小量电流流入有机发光二极管OLED，引起相应像素变成亮点、暗点或者灰白暗点。
对于之前列出的每种类型的像素缺陷(电路缺陷和发光缺陷)都需要修复工艺。
因此，在本说明书中，将公开具有电路缺陷的像素的修复工艺及修复结构的各实例性实施例，和具有发光缺陷的像素的修复工艺及修复结构的各实施例。
在装运产品之前在制造面板期间或者在需要修复产品的消费者购买产品之后，进行本说明书中描述的像素缺陷(电路缺陷和发光缺陷)的修复。
首先，将参考图6简单描述具有电路缺陷的像素的修复和具有发光缺陷的像素的修复。
图6是解释根据实例性实施例的有机发光显示装置100的每个像素缺陷的修复方法的原理图。
图6(a)是示出具有电路缺陷的像素的修复方法的示意图，图6(b)是示出具有发光缺陷的像素的修复工艺的原理图。
参考图6的图(a)，有机发光二极管OLED1和OLED2以及驱动电路DRC1和DRC2分别设置在第一像素P1和第二像素P2中，第一像素P1和第二像素P2是设置在显示面板110中的多个像素当中的某些像素。
此处，在图6的图(a)中，示出的与第一像素P1的有机发光二极管OLED1连接的单个晶体管不仅表示第一像素P1的驱动晶体管DT，还表示第一像素P1的驱动电路DRC1。
此外，第一像素P1和第二像素P2在一些情况下可以是相同颜色或不同颜色的像素。
参考图6的图(a)，当在第二像素P2的驱动电路DRC2中产生电路缺陷时，用于电路缺陷的修复可包括“断开连接工艺(例如切割工艺)”和“连接工艺(例如焊接工艺)”，通过该断开连接工艺产生电路缺陷的第二像素P2的驱动电路DRC2和有机发光二极管OLED2断开电连接，通过该连接工艺第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2电连接以自另一像素P1的驱动电路DRC1将电流提供至第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
因此，自第一像素P1的驱动电路DRC1输出的电流被分开以并行地提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2(I1＝Ioled1+Ioled2)。也就是，第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2彼此共享第一像素P1的驱动电路DRC1。
参考图6的图(b)，当在某些像素P的有机发光二极管OLED中产生发光缺陷时，用于发光缺陷的修复可包括“切割工艺”，通过该切割工艺自发光缺陷的有机发光二极管OLED的第一电极(例如，阳极或阴极)切割掉由于制造工艺期间引入的杂质导致的缺陷部分。
根据发光缺陷的修复，相应像素P的像素区的发光区EA会减少，因此相应像素的亮度变差。但是，可通过改变施加到相应像素的数据电压经由内部或外部补偿来补偿亮度降低。
如上所述，例如在修复像素缺陷(电路缺陷和发光缺陷)中，可使用切割工艺和焊接工艺。
因此，应当谨慎选择将要执行切割工艺的点和将要执行焊接工艺的点，以允许针对像素缺陷进行容易且准确的修复工艺(切割工艺和焊接工艺)同时不会损伤相邻电路。
与用于电路缺陷的修复工艺相关地，切割具有电路缺陷的相应像素的驱动电路与有机发光二极管彼此断开电连接的点，且与用于发光缺陷的修复工艺相关地，切割可自相应像素的有机发光二极管的第一电极去除发光缺陷区域或部分的点。以下，将执行切割工艺的点称作切割点CP。
通过焊接工艺执行焊接的点是将具有电路缺陷的相应像素的有机发光二极管的第一电极和另一像素的有机发光二极管的第一电极彼此并联连接的点，以使具有电路缺陷的相应像素的有机发光二极管可与另一像素的有机发光二极管共享自另一像素的驱动电路输出的电流。以下，将执行焊接工艺的点称作焊接点WP。
切割点CP和焊接点WP在位置和数量方面可关于像素的结构和配置而变化。
例如，切割点CP在电路方面可以是具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极(例如阳极)和驱动电路之间的电连接点，且在结构方面可以是具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极上的点，或者是具有电路缺陷的像素的驱动电路中的驱动晶体管的源极或漏极上的点，从而不会导通驱动晶体管。
切割点CP可以是具有像素缺陷的像素的驱动电路不提供电流至有机发光二极管的任一点以及上述各点。
例如，焊接点WP可以是修复线路RL上的某个断开连接点(例如，形成电容器的位置)，在该断开连接点处该修复线路RL的一端与具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极连接，另一端与另一正常像素的有机发光二极管的第一电极连接，或者该焊接点WP可以是一区域，在该区域处具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极和另一正常像素的有机发光二极管的第一电极彼此相邻。
在上述修复线路的任意断开连接的点处形成电容器。此外，当具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极和另一正常像素的有机发光二极管的第一电极彼此相邻时，具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极和另一正常像素的有机发光二极管的第一电极彼此相邻的区域例如可以是具有电路缺陷的像素的发光区EA和另一正常像素的发光区EA之间的边界区。或者，当具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极不与另一正常像素的有机发光二极管的第一电极相邻而是与其驱动电路相邻时，具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极和另一正常像素的有机发光二极管的第一电极彼此相邻的区域可以被定位在具有电路缺陷的像素或者另一正常像素的电路区CA中。
上述焊接点WP可以是具有电路缺陷的像素的有机发光二极管的第一电极与另一正常像素的有机发光二极管的第一电极连接的任一点以及上述各点。
特定图案可形成在显示面板110的每一焊接点WP处。
形成在显示面板110的每个焊接点WP处的特定图案被称作浮置图案。
浮置图案保持两个像素的有机发光二极管的第一电极断开电连接。
为此，浮置图案与两个像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘。
同时，浮置图案可通过激光焊接进行焊接从而形成其中两个像素的有机发光二极管的第一电极电连接的“连接图案”。
当在其中一个被称作第一像素和另一个被称作第二像素的两个像素之间形成连接图案时，第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接，或者第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路断开电连接。
例如，当形成连接图案，且第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接时，已经切割了第一像素的有机发光二极管的第一电极和第一像素的驱动电路之间的电连接，或者已经切割了第一像素的有机发光二极管的第一电极，或者已经切割了第一像素的驱动电路中驱动晶体管的源极或漏极。
在上述切割点CP当中，在切割第一像素的有机发光二极管的第一电极的情况下，通过修复结构改变第一像素的有机发光二极管的第一电极的切割点。例如，可切割第一像素的有机发光二极管的第一电极的延伸至设置了第一像素的驱动电路的电路区CA的部分。
同时，当形成连接图案，且第二像素的有机发光二极管的第二电极与第二像素的驱动电路断开电连接时，已经切割了第二像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的驱动电路之间的连接点，或者已经切割了第二像素的有机发光二极管的第一电极，或者已经切割了第二像素的驱动电路中的驱动晶体管的源极或漏极。
在上述切割点CP当中，在切割第二像素的有机发光二极管的第一电极的情况下，通过修复结构改变第二像素的有机发光二极管的第一电极的切割点。例如，可切割第二像素的有机发光二极管的第一电极的延伸到设置了第二像素的驱动电路的电路区CA的部分。
如上文列出的，当将形成为与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘，以将第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极断开连接的浮置图案焊接，从而形成电连接第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极的连接图案时，第一像素的有机发光二极管的第一电极可与第一像素的驱动电路断开电连接，或者第二像素的有机发光二极管的第一电极可与第二像素的驱动电路断开电连接。
如果第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接，则第二像素的驱动电路可通过连接图案并行地驱动第一像素的有机发光二极管和第二像素的有机发光二极管。
如果第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路断开电连接，则第一像素的驱动电路可通过连接图案并行地驱动第一像素的有机发光二极管和第二像素的有机发光二极管。
对于显示面板110的整体区域而言，对于浮置图案，如果具有显示面板110的每个像素都是没有电路缺陷的正常像素，则在显示面板110上可以只形成用于保持两个像素的每个有机发光二极管的第一电极断开电连接状态的浮置图案，而不需形成用于将两个像素的有机发光二极管的第一电极彼此电连接的连接图案。也就是，当每个像素都是没有电路缺陷的正常像素时，两个像素的有机发光二极管的第一电极从不电连接。
如果在具有显示面板110的每个像素当中的至少一个像素中发生电路缺陷，且之后已经进行了根据本实施例的修复，则焊接显示面板110中存在的每个浮置图案当中的至少一个浮置图案以形成连接图案。也就是，如果所有像素当中的至少一个像素具有电路缺陷，则两个像素的有机发光二极管的至少一个第一电极可彼此电连接。
以下，将参考附图根据像素缺陷类型具体描述执行修复工艺的修复结构和使用该修复结构的修复工艺。
首先，与电路缺陷相关地，将描述可基于修复线路修复电路缺陷的修复结构以及使用该修复结构的电路缺陷修复工艺的实例性实施例(第一实例性实施例)。
随后，将描述可修复电路缺陷而无需修复线路的修复结构以及使用该修复结构的电路缺陷修复工艺的实例性实施例(第二实例性实施例至第七实例性实施例)。
接下来，将描述可修复发光缺陷的修复结构以及使用该修复结构的发光缺陷修复工艺的实例性实施例(第八实例性实施例)。
而且，将描述可修复彼此相邻的具有电路缺陷的像素和具有发光缺陷的像素的修复结构以及使用该修复结构的修复工艺的实例性实施例(第九实例性实施例)。
而且，将描述已经针对电路缺陷进行修复的像素中的亮度降低的补偿的实例性实施例(第十实例性实施例)。
以下，为了便于解释，将针对第一像素P1和第二像素P2描述具有被设计成能进行修复工艺的具有修复结构的有机发光显示装置100、使用该修复结构进行的修复工艺以及具有通过该修复工艺改变的结构的有机发光显示装置100，所述第一像素P1和第二像素P2是自显示面板110中设置的多个像素当中选择的某些像素。
而且，两个像素P1和P2可以是没有像素缺陷的正常像素。或者，当在显示面板110中的多个像素当中的至少一个像素中发生像素缺陷时，为了便于解释，多个像素中具有像素缺陷的至少一个像素被称作第二像素P2。
而且，第一像素P1和第二像素P2表示显示面板110中设置的多个像素，所述第一像素P1和第二像素P2是选自设置在显示面板110中的多个像素当中的某些像素。
也就是，如果第一像素P1和第二像素P2是正常像素，则认为设置在显示面板110中的每个像素都是正常像素。相反地，如果在第一像素P1和第二像素P2的第二像素P2中发生像素缺陷，则认为设置在显示面板110中的所有像素当中的至少一个像素具有像素缺陷。此外，如果修复第一像素P1和第二像素P2当中具有像素缺陷的第二像素P2，则认为修复了显示面板110中设置的所有像素中的至少一个像素的像素缺陷。
图7示出了根据第一实例性实施例使用修复线路RL修复电路缺陷的修复结构以及在有机发光显示装置100中通过使用该修复结构进行的电路缺陷修复工艺。
图7的图(a)示出了根据第一实例性实施例基于有机发光显示装置100中的修复线路RL修复电路缺陷的修复结构，其中第一像素P1和第二像素P2是没有像素缺陷的正常像素，所述第一像素P1和第二像素P2是设置在显示面板110中的多个像素当中的某些像素。可在制造显示面板时经由像素缺陷测试获得处于确定第一像素P1和第二像素P2是正常像素的状态的显示面板110，或者可将该显示面板110装运而不会有像素缺陷。
参考图7的图(a)，根据第一实例性实施例的有机发光显示装置100包括设置了多个像素的显示面板110，在设置于显示面板110中的多个像素当中的第一像素P1和第二像素P2的每个像素区PA中设置有机发光二极管OLED和驱动电路DRC。
也就是，在第一像素P1的像素区PA中，将有机发光二极管OLED1设置在像素区PA中的发光区EA中，将用于驱动有机发光二极管OLED1的驱动电路DRC1设置在像素区PA中的电路区CA中。而且，在第二像素P2的像素区PA中，将有机发光二极管OLED2设置在像素区PA中的发光区EA中，将用于驱动有机发光二极管OLED2的驱动电路DRC2设置在像素区PA中的电路区CA中。
参考图7的图(a)，第一像素P1和第二像素P2分别具有一个焊接点WP和一个切割点CP。也就是，第一像素P1具有焊接点WP1和切割点CP1，第二像素P2具有焊接点WP2和切割点CP2。
参考图7的图(a)，至少一个浮置图案形成在第一像素P1和第二像素P2的每个焊接点WP1或WP2上。
该浮置图案是起到将第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极(例如阳极或阴极)和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极断开电连接的作用的结构。
该浮置图案例如是修复线路RL2，该修复线路RL2的一端与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极(或者驱动电路DRC1的输出点)连接，另一端与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极(或者驱动电路DRC2的输出点)连接，其中该修复线路RL2中间的某个点是断开连接的。
此外，浮置图案可以不表示上述修复线路RL2，而是表示修复线路RL2上断开连接的点的一部分。
而且，浮置图案可在修复线路RL2上断开连接的点处形成电容CAP。
在图7的图(a)中，修复线路RL2的一端与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极连接，另一端与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极连接，其中电容CAP形成在修复线路RL2中间的某个点WP1处，从而使得修复线路RL2断开连接。当第二像素P2的驱动电路DRC2中发生电路缺陷时，修复线路RL2用于修复第二像素P2的电路缺陷。
与此相似，修复线路RL3的一端与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极连接，另一端与第三像素P3而非第二像素P2的有机发光二极管OLED3的第一电极连接，其中电容CAP形成在修复线路RL3中间的某个点WP2处，从而断开修复线路RL3的连接。当在第三像素P3的驱动电路DRC3中发生电路缺陷时，修复线路RL3用于修复第三像素P3的电路缺陷。
与此相似，当在第一像素P1的驱动电路DRC1中发生电路缺陷时，修复线路RL1用于修复第一像素P1的电路缺陷。
考虑到具有电路缺陷的像素的驱动电路和有机发光二极管彼此断开电连接，在每个像素的驱动电路和有机发光二极管之间的电连接点可以是切割点CP。
也就是，为了使第一像素P1的驱动电路DRC1和有机发光二极管OLED1断开电连接，在第一像素P1的驱动电路DRC1和有机发光二极管OLED1之间的电连接点可以是切割点CP1。为了使第二像素P2的驱动电路DRC2和有机发光二极管OLED2断开电连接，第二像素P2的驱动电路DRC2和有机发光二极管OLED2之间的电连接点可以是切割点CP2。
参考图7的图(a)，由于第一像素P1和第二像素P2两者都是没有缺陷的正常像素，因此不进行针对焊接点的焊接工艺。因此，第一像素P1的驱动电路DRC1仅将电流供应至第一像素P1的有机发光二极管OLED1，由此驱动有机发光二极管OLED1(I1＝Ioled1)。此外，第二像素P2的驱动电路DRC2仅将电流提供至第二像素P2的有机发光二极管OLED2，由此驱动有机发光二极管OLED2(I2＝Ioled2)。
同时，参考图7的图(b)，如果在第一像素P1和第二像素P2当中的第二像素P2的驱动电路DRC2中发生电路缺陷，则具有电路缺陷的第二像素P2的驱动电路DRC2和有机发光二极管OLED2通过切割点CP2处的“切割工艺”断开电连接，该切割点CP2是具有电路缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2和驱动电路DRC2之间的电连接点。
此外，在修复线路RL2上的焊接点WP1处执行用于第二像素P2的电路缺陷的修复工艺的“焊接工艺”，从而将第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极电连接。
此处，与一般信号线路相似，通过焊接连接电容CAP的两端从而形成“连接图案”，该电容CAP是在修复线路RL2上的焊接点WP1处形成的“浮置图案”。此处，连接图案是金属图案以将第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极电连接，连接图案可以是浮置图案的转变(transformation)。
根据这些切割工艺和焊接工艺，当修复第二像素P2的电路缺陷时，有机发光显示装置100达到下述状态，在该状态中，第二像素P2的有机发光二极管OLED2和驱动电路DRC2断开电连接，第一像素P1的驱动电路DRC1、第一像素P1的有机发光二极管OLED1以及第二像素P2的有机发光二极管OLED2将被电连接，并且形成依据第二像素P2的电路缺陷的修复工艺结果的连接图案。
在修复工艺之后的这种状态可以是完成了显示面板110的制造的状态，或者是仍然留有一些用以制造显示面板110的工艺的状态，诸如有机发光二极管OLED1和OLED2的第二电极或者有机发光显示装置100的一些部件。
如上所述，在修复第二像素P2的电路缺陷之后，第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2可共享第一像素P1的驱动电路DRC1，第一像素P1的驱动电路DRC1可并行地驱动第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
据此，在执行了第二像素P2的电路缺陷的修复工艺(焊接工艺和切割工艺)之后，将自第一像素P1的驱动电路DRC1输出的电流I1分开以提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2(I1＝Ioled1+Ioled2)。
如图7中所示，提供分离的修复线路，并且限定用于有效焊接和切割典型像素结构的焊接点WP和切割点CP，因此可以修复之前不可修复的像素缺陷，并且故障像素像正常像素一样运作。
在如上列出的用于电路缺陷的修复工艺中，修复结构需要分离的修复线路，该修复线路形成在显示面板110中以具有形成诸如电容的浮置图案的焊接点WP，因此一定程度上限制了面板的设计和制造工艺。
例如，可在边框区域(bezel area)中或者在显示面板110的像素线路之间形成分离的修复线路，这使得像素结构的设计困难或者对孔径比不利。这会降低显示面板110的制造效率。
因此，在本说明书中，将公开能进行修复而无需修复线路的修复结构以及使用该修复结构的修复方法的各实施例。
能进行修复而无需修复线路的修复结构以及使用该修复结构的修复方法可根据具有电路缺陷的像素(第二像素P2)和具有与第二像素P2共享电流的驱动电路的像素(第一像素P1)的配置(位置关系)改变。因此，以下，将根据涉及修复电路缺陷的的两个像素P1和P2之间的配置类型描述修复结构和使用该修复结构的修复方法的实例性实施例。
首先，将参考图8描述涉及修复电路缺陷的两个像素P1和P2的配置。
图8示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素配置的三种类型。
如图8的图(a)、(b)和(c)中所示，根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素配置包括彼此相邻的具有有机发光二极管的发光区EA的类型、彼此相邻的具有驱动电路的电路区CA和具有有机发光二极管的发光区EA的类型、和彼此相邻的具有驱动电路的电路区CA的类型。
也就是，由于第一像素P1的像素区PA1与第二像素P2的像素区PA2相邻的，如图8的图(a)中所示，第一像素P1的有机发光二极管OLED1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻，或者如图8的图(b)中所示，第一像素P1的驱动电路DRC1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻，或者如图8的图(c)中所示，第一像素P1的驱动电路DRC1与第二像素P2的驱动电路DRC2相邻。
同时，可以将图8的图(b)中的像素配置类型应用到显示面板110的每个像素配置。但是，在图8的图(a)和(c)中的像素配置类型可不应用到显示面板110的每个像素配置。例如，在根据图8的图(a)配置像素之后，其后设置的第二像素P2和后续的第三像素P3将进行图8的图(c)的配置。而且，在根据图8的图(c)设置像素之后，其后设置的第二像素P2和后续的第三像素P3将进行图8的图(a)的配置。
之后，作为无需修复线路的修复结构和使用该修复结构的修复方法的实施例，将参考图9至16描述其中第一像素P1的发光区EA1与第二像素P2的发光区EA2相邻的第二实例性实施例和第三实例性实施例。接下来，将参考图17至23描述其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的发光区EA2相邻的第四实例性实施例。而且，将参考图24和25描述其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的电路区CA2相邻的第五实例性实施例。
图9和10是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图和原理截面图。
参考图9和10，在根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100的显示面板110中，根据图8的图(a)的配置(其中像素的发光区彼此相邻的配置)设置第一像素P1和第二像素P2，该第一像素P1和第二像素P2是选自多个像素当中的某些像素。
也就是，如图9中所示，可将第一像素P1的有机发光二极管OLED1设置成与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻。
参考图9和10，在焊接点WP处形成将要在修复中焊接的浮置图案900。
同时，参考图10，在根据第二实例性实施例的像素配置中，将要在修复期间焊接的浮置图案900可形成为与第一像素P的有机发光二极管OLED1的第一电极1010和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020中的至少一个绝缘。
在图10的实例中，浮置图案900与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020以及第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010绝缘。
与此相似，由于将浮置图案900形成为与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020中的至少一个绝缘，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020达到断开电连接的状态。
此外，如图9和10中所示，将浮置图案900形成为在第一像素P1的像素区PA1和第二像素P2的像素区PA2之间的边界处与第一像素P1的像素区PA1和第二像素P2的像素区PA2重叠。
也就是，在根据第二实例性实施例的像素配置的情况下，用于电路缺陷的修复工艺的焊接点WP可与第一像素P1的像素区PA1中的发光区EA1和第二像素P2的像素区PA2中的发光区EA2重叠。
在第一像素P1的有机发光二极管OLED1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻的第二实例性实施例的情况下，如上所述，将焊接点WP定位在两个像素区(两个发光区)之间的边界处，将小的浮置图案900形成在焊接点WP。因此，由于不需要在边框区中或像素线路之间形成分离的修复线路RL以在焊接点WP形成浮置图案，因此面板设计和制造工艺可被简化且很容易。
同时，参考图9和10，第一像素P1和第二像素P2包括切割点CP1和CP2，当在第一像素P1和第二像素P2自身的驱动电路中发生电路缺陷时，切割点CP1和CP2用于断开在第一像素P1和第二像素P2自身的有机发光二极管和驱动电路之间的电路连接。
在电路方面，参考图9，在第一像素P1的电路缺陷的修复工艺中，可将切割点CP1定位在将电流自驱动电路DRC1提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1的路径上的任意点处。而且，在第二像素P2的电路缺陷的修复工艺中，可将切割点CP2定位在将电流自驱动电路DRC2提供至第二像素P2的有机发光二极管OLED2的路径上的任意点处。
在结构方面，参考第二像素P2，应当将切割点CP2定位在可以精确且容易执行切割工艺的点处，在该切割点CP2，执行用于断开第二像素P2的有机发光二极管OLED2和驱动电路DRC2的连接的切割工艺。
考虑到这一点，例如可将执行用于断开第二像素P2的有机发光二极管OLED2与驱动电路DRC2的连接的切割工艺的切割点CP2定位在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020的延伸到电路区CA2的延伸部分。
除了上述点之外，可将切割点CP2定位在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020与设置在电路区CA2中的晶体管(在图3和4的像素结构情况下的驱动晶体管DT2)连接的任意点处。
相似地，例如可将执行用于断开第一像素P1的有机发光二极管OLED1和驱动电路DRC1的连接的切割工艺的切割点CP1定位在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010的延伸到电路区CA1的延伸部分。
除了上述点之外，可将切割点CP1定位在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010与设置在电路区CA1中的晶体管(图3和4中的像素结构情况下的驱动晶体管DT1)连接的任意点处。
同时，将参考图11进行描述，图11在原理上简单地示出了形成为与第一像素P1的像素区PA1和第二像素P2的像素区PA2之间的边界重叠的浮置图案900的叠置。
图11示出了根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100的浮置图案900的形成实例。
参考图11的图(a)，浮置图案900可形成在栅极层上。
在这种情况下，在将栅极1111和1112形成在基板1100上的同时，浮置图案900可与设置在第一像素P1的电路区CA1中的晶体管DT1的栅极1111和设置在第二像素P2的电路区CA2中的晶体管DT2的栅极1112一起形成。此时，浮置图案900可与栅极1111和1112材料相同。
参考图11的图(b)，浮置图案900可以在源极-漏极层上。
这种情况下，在基板1100上形成设置在第一像素P1的电路区CA1中的晶体管DT1的栅极1111和设置在第二像素P2的电路区CA2中的晶体管DT2的栅极1112，和在所述栅极上形成栅极绝缘层1120之后，可在形成源极-漏极1131和1132的同时，与设置在第一像素P1的电路区CA1中的晶体管DT1的源极-漏极1131和设置在第二像素P2的电路区CA2中的晶体管DT2的源极-漏极1132一起形成浮置图案900。此时，浮置图案900可与源极-漏极1131和1132材料相同。
参考图11的图(c)，可通过栅极层和源极-漏极层形成浮置图案900。
这种情况下，可在将栅极1111和1112形成在基板1100上的同时，与设置在第一像素P1的电路区CA1中的晶体管DT1的栅极1111和设置在第二像素P2的电路区CA2中的晶体管DT的栅极1112一起形成浮置图案900的一部分。接下来，在将栅极绝缘层1120形成在栅极上之后，在形成源极-漏极1131和1132的同时，与设置在第一像素P1的电路区CA1中的晶体管DT1的源极-漏极1131和设置在第二像素P2的电路区CA2中的晶体管DT2的源极-漏极1132一起形成其余的浮置图案900。此时，浮置图案900由栅极材料层和源极-漏极材料层构成。
图12是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100的修复工艺之后的平面图，图13是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的示意性截面图。
参考图12和13，在第二像素P2的驱动电路DRC2中发生电路缺陷，为了修复第二像素P2的电路缺陷，通过切割工艺断开第二像素P2的有机发光二极管OLED2与驱动电路DRC2之间的连接。
参考图13，待切割的切割点CP2可定位在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020的延伸到电路区CA2的延伸部分处。
参考图13，通过切割工艺在切割点CA2处切割掉第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020的延伸到电路区CA2的延伸部分，因此断开了第二像素P2的有机发光二极管OLED2与驱动电路DRC2和驱动电路DRC2中的晶体管DT2的电连接。
参考图13，为了在电路中电连接与第二像素P2的驱动电路DRC2断开连接的第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020和第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010，针对形成在焊接点WP处的浮置图案900执行焊接工艺。据此，焊接该浮置图案900从而形成连接图案1200。
连接图案1200可电连接第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010，从而自第一像素P1的驱动电路DRC1提供电流。
在装运产品之前制造面板的同时，可执行参考图12和13描述的修复工艺(切割工艺+焊接工艺)。这种情况下，可在形成设置在具有显示面板110的每个像素中的有机发光二极管OLED的第一电极(例如阳极或阴极)之后，和在形成有机发光二极管OLED的第二电极(例如阴极或阳极)之前，执行像素缺陷的测试。
尽管可在装运产品之前的制造面板期间或者在出售之后的保修服务中执行修复工艺(切割工艺+焊接工艺)，但是可以在其中形成设置在具有显示面板110的每个像素中的有机发光二极管OLED的第一电极(例如阳极或阴极)和第二电极(例如阴极或阳极)的状态下执行修复工艺。
以下，将参考图14至16描述像素配置与第二实例性实施例相似但是与第二实例性实施例不同之处在于在多个点处形成浮置图案900的修复结构和使用该修复结构的修复工艺的第三实例性实施例。
图14是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
参考图14，根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100与根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100的像素配置的相似之处在于，第一像素P1的有机发光二极管OLED1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻，根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100与仅具有一个焊接点WP的根据第二实例性实施例的有机发光二极管显示装置100的不同之处在于，两个焊接点WP1和WP2被定位在第一像素P1的有机发光二极管OLED1和与有机发光二极管OLED1相邻的第二像素P2的有机发光二极管OLED2的边界处。
也就是，与根据第二实例性实施例的有机发光显示装置100相比，根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100具有相同的像素配置，但是焊接点数量不同。因此，浮置图案的数量也与第二实例性实施例的不同。
与形成浮置图案相关地，在根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100中，待焊接用于修复工艺的两个浮置图案1410和1420形成为与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1010和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1020中的至少一个绝缘，且与第一像素P1的像素区PA1和第二像素P2的像素区PA2之间的边界重叠。
尽管在图14中，示出了将两个浮置图案1410和1420分别形成在不同的点WP1和WP2，但是这仅是为了便于解释，进一步地，可在三个或更多个点处形成三个或更多个浮置图案。
图15是在根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100的修复工艺之后的平面图。
参考图15，在图14中根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100的第一像素P1和第二像素P2当中的第二像素P2中发生电路缺陷，需要对第二像素P2的电路缺陷进行修复。
参考图15，为了断开第二像素P2的驱动电路DRC2和有机发光二极管OLED2之间的电连接，切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极和第二像素P2的驱动电路DRC2的点(切割点CP2)。
而且，参考图15，为了允许第二像素P2的有机发光二极管OLED2由第一像素P1的驱动电路DRC1驱动，可通过焊接在两个焊接点WP1和WP2处形成为与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极中的至少一个绝缘的两个浮置图案1410和1420中的至少一个来形成连接图案1500。
通过形成连接图案1500，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极电连接。
据此，在修复工艺之后，如图15中所示，根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100具有连接图案1500，以电连接第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极。
同时，根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100可针对发光缺陷以及电路缺陷执行修复工艺。
例如，当在第二像素P2的驱动电路DRC2中发生电路缺陷，同时在第二像素P2的有机发光二极管OLED2中发生发光缺陷时，在根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100中，在电路缺陷的修复工艺中，焊接形成在两个或多个点WP1和WP2中至少一个点处的浮置图案1410和1420以形成连接图案1500，从而电连接第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极，对于发光缺陷的修复工艺，切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极以去除第二像素P2的有机发光二极管OLED2的在电路中产生了发光缺陷的点。据此，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极的一部分(即切割之后留下的第一电极)彼此电连接。
在去除发光缺陷点的切割工艺中，可根据发光缺陷点在横向方向上或者在纵向方向上切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极。
当电路缺陷和发光缺陷同时发生时，下文可参考图16描述被修复的有机发光显示装置100。
图16是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100的修复工艺之后的另一平面图。
图16的图(a)示出了发光缺陷的修复工艺中的纵向切割工艺，图16的图(b)示出了发光缺陷的修复工艺中的横向切割工艺。
参考图16的图(a)和(b)，在执行了电路缺陷的修复工艺之后，在根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100中，为了断开具有电路缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2与驱动电路DRC2的电连接，切割了具有电路缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极与第二像素P2的驱动电路DRC2连接的切割点CP2，并焊接了在形成于两个或多个点WP1和WP2处的两个或多个浮置图案1410和1420当中的至少一个点(图16的图(a)和(b)中的WP2)处形成的浮置图案1420以形成连接图案1500。
在如上所述具有已经修复了电路缺陷的有机发光显示装置100中，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极电连接，因此第一像素P1的驱动电路DRC1可将电流并行地提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
同时，参考图16的图(a)和(b)，假设具有发光缺陷的像素称作第二像素P2，则在执行了发光缺陷的修复工艺之后的根据第三实例性实施例的有机发光显示装置100中，切割了第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极以将该第一电极分成连接到连接图案1500的一部分1600和没有连接到连接图案1500的另一部分1610。
参考图16的图(a)和(b)，可横向或纵向或者在某些情况下对角地切割具有发光缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极。
参考图16的图(a)和(b)，可线性地或者某些情况下曲线地切割具有发光缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极。
考虑到在第二像素P2的有机发光二极管OLED2中发生发光缺陷的点，和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极的在切割之后与发光有关的部分1600的面积，确定切割的方向、点和形式以便不会减少第二像素P2的发光区EA2。
至此，与第一像素P1的发光区EA1和第二像素P2的发光区EA2相邻的类型(图8的图(a))相关地描述了根据第二和第三实例性实施例的有机发光显示装置100。
以下，参考图17至23，与第一像素P1的电路区CA1和第二像素P2的发光区EA2相邻的类型(图8的图(b))相关地描述根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100。
图17是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
参考图17，根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100具有其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的发光区EA2相邻的配置。
也就是，根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100具有其中第一像素P1的驱动电路DRC1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2相邻的配置。
同时，参考图17，在根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100中，第一像素P1和第二像素P2的有机发光二极管OLED1和OLED2的第一电极1710和1720分别形成为用于修复工艺的特定形式。
也就是，在根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100中，第一和第二像素P1和P2的有机发光二极管OLED1和OLED2的每个第一电极1710或1720都由属于其自身像素的发光区的部分、延伸到其自身像素中电路区的内部延伸部分IEP和延伸到其自身像素外部的另一像素的电路区的外部延伸部分EEP构成。
根据参考图17的更具体描述，在第二像素P2中的有机发光二极管OLED2的第一电极1720由属于第二像素P2的发光区EA2的部分、延伸到第二像素P2内部的电路区CA2的延伸部分IEP2和延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2构成。
相似地，在第一像素P1中的有机发光二极管OLED1的第一电极1710由属于第一像素P1的发光区EA1的部分、延伸到第一像素P1内部的电路区CA1的延伸部分IEP1和延伸到第0像素P0的电路区CA0的延伸部分EEP1构成。
与具有上述结构的第一电极1710和1720相关地定位用于修复工艺(焊接工艺和切割工艺)的两个点(焊接点和切割点)。
首先，参考图17，与切割点CP相关地，为了修复在第一像素P1中产生的电路缺陷，切割点CP1存在于切割第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分IEP1的点处。
相似地，为了修复在第二像素P2中产生的电路缺陷，切割点CP2存在于切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到第二像素P2的电路区CA2的延伸部分IEP2的点处。
接下来，参考图17，与焊接点WP相关地，为了修复在第二像素P2中产生的电路缺陷，在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720相邻的点处定位焊接点WP1。
参考图17，由于第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720在第一像素P1的电路区CA1中彼此相邻，在第二像素P2中发生电路缺陷时将被焊接的焊接点WP1被定位在第一像素P1的电路区CA1中。
因此，与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710和IEP1以及第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和EEP2中的至少一个绝缘的浮置图案1711形成在焊接点WP1处，在该焊接点WP1处第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710和IEP1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和IEP2相邻。
相似地，在第二像素P2的电路区CA2中，与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和IEP2以及第三像素P3的有机发光二极管OLED3的第一电极EEP3中的至少一个绝缘的浮置图案1721形成在焊接点WP2处，在该焊接点WP2处第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和IEP2与第三像素P3的有机发光二极管OLED3的第一电极EEP3相邻。
图18是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100的示意性截面图。
图18是图17中平面图的示意性截面图，图18中仅示出了第一像素P1和第二像素P2的驱动电路DRC1和DRC2中包括的晶体管(图3和4中的DT、DT1和DT2)和电容(图3和4中的Cstg)当中与有机发光二极管OLED连接的驱动晶体管DT。
图18是叠置结构的原理和简化图，以在截面图中示出通过图17的平面图在上文中列出的有机发光二极管OLED和驱动电路DRC的连接点、焊接点WP以及切割点CP。
参考图18，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710形成为延伸到第一像素P1的电路区CA1。
此外，用于将电流提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1的驱动晶体管DT1形成在基板1800上的第一像素P1的电路区CA1中。
第一像素P1的驱动晶体管DT1包括栅极1811和源极/漏极1821，源极/漏极1821当中的源极或漏极与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到电路区CA1的延伸部分IEP1连接。
在第一像素P1的电路缺陷修复工艺中的切割点CP1被定位在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到电路区CA1的延伸部分IEP1和第一像素P1的驱动晶体管DT1之间的连接点处，或者在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到电路区CA1的延伸部分IEP1处。
参考图18，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720形成为延伸到第一像素P1的电路区CA1。
此外，用于将电流提供至第二像素P2的有机发光二极管OLED2的驱动晶体管DT2形成在基板1800上的第二像素P2的电路区CA2中。
第二像素P2的驱动晶体管DT2包括栅极1812和源极/漏极1822，源极/漏极1822当中的源极或者漏极与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到电路区CA2的延伸部分IEP2连接。
在第二像素P2中的电路缺陷修复工艺中的切割点CP2被定位在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到电路区CA2的延伸部分IEP2和第二像素P2的驱动晶体管DT2之间的连接点处，或者在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到电路区CA2的延伸部分IEP2处。
同时，参考图18，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到电路区CA1的延伸部分IEP1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2相邻。
参考图18，与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710和IEP1以及第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和EEP2中的至少一个(图18的情况中的EEP2)绝缘的浮置图案1711，形成在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到电路区CA1的延伸部分IEP1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2相邻的点处。此处，形成浮置图案1711的点可以是焊接点WP1。
相似地，与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和IEP2和第三像素P3的有机发光二极管OLED3的第一电极EEP3中的至少一个(图18的情况中的EEP3)绝缘的浮置图案1721，形成在第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到电路区CA2的延伸部分IEP2与第三像素P3的有机发光二极管OLED3的第一电极(未示出)的延伸到第二像素P2的电路区CA2的延伸部分EEP3相邻的点处。此处，形成浮置图案1721的点可以是焊接点WP2。
如上所述，在形成了第一像素P1的驱动电路DRC1的电路区CA1中，形成第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2。此外，在电路区CA1中形成与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2中的至少一个绝缘的浮置图案1711。
将参考图19的平面图和图20的截面图具体描述形成了第一像素P1的驱动电路DRC1的相对复杂的电路区CA1。
图19是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100的局部具体平面图。
图19是具体示出形成了第一像素P1的驱动电路DRC1的电路区CA1的平面图，且对应于图4中所示的基于一个扫描的像素结构(等效电路图)。
参考图19，在形成了第一像素P1的驱动电路DRC1的电路区CA1中，形成驱动晶体管DT、第一晶体管T1和第二晶体管T2的三个晶体管以及一个存储电容Cstg。
而且，通过自栅极线1900提供的扫描信号控制第二晶体管T2，第二晶体管T2自数据线1910接收数据电压。
通过自栅极线1900提供的扫描信号控制第一晶体管T1，第一晶体管T1自连接到参考电压线的图案1920接收参考电压Vref。
第二晶体管T2与极板(plate)1950连接，极板1950通过接触孔与驱动晶体管DT的栅极1960连接。
通过施加至栅极1960的电压控制驱动晶体管DT，驱动晶体管DT通过漏极节点自驱动电压线1930接收驱动电压EVDD从而经由源极节点输出电流。
假设图19被设计成具有氧化物晶体管结构，形成有源层1640以形成驱动晶体管DT的源极节点和第一晶体管T1的源极节点，且有源层1640与和第二晶体管T2连接的极板1950一起构成存储电容Cstg。
同时，参考图19，在第一像素P1的电路区CA1中形成光屏蔽1970以保护诸如晶体管的电路。
同时，参考图19，在电路区CA1中形成第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1。此外，在第一像素P1的电路区CA1中形成第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2。
参考图19，浮置图案1711形成在第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2相邻的点处。
将参考沿着图19的线A-A’和B-B’取得的图20的图(a)和(b)具体描述形成浮置图案1711的点。
参考图20的图(a)，图20的图(a)是沿着线A-A’取得的截面图，在基板2000上，在点A周围形成第一缓冲层2010、对应于光屏蔽1970的金属层2020和第二缓冲层2030，并在第一缓冲层2010、金属层2020和第二缓冲层2030上形成有源层1940。
参考图20的图(a)，在有源层1940上形成第二绝缘层2050，在第二绝缘层2050上形成浮置图案1711。此时，浮置图案1711经由第二接触孔CH2与有源层1940连接。
此处，有源层1940构成存储电容Cstg的一个电极且起到驱动晶体管DT的源极节点N1的作用。因此，浮置图案1711与第一像素P1的驱动电路DRC1中的驱动晶体管DT的源极节点N1以及存储电容Cstg的一个电极连接。
第一绝缘层2060形成在浮置图案1711上。
第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2分别形成在第一绝缘层2060上。
此时，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1通过第一接触孔CH1与浮置图案1711连接，该第一接触孔CH1与形成为穿过第一绝缘层2060的第一绝缘层接触孔对应。
因此，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710与浮置图案1711电连接。
但是，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2由于第一绝缘层2060没有与浮置图案1711连接。
也就是，浮置图案1711通过第一接触孔CH1与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸部分IEP1连接，同时浮置图案1711通过第一绝缘层2060断开连接，从而与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720绝缘。
由于浮置图案1711由源极-漏极材料制成，因此浮置图案1711可与每个晶体管的源极或漏极以及信号线1910和1930一起形成。
而且，由于浮置图案1711与有源层1940连接，浮置图案1711形成在将存储电容Cstg定位在第一像素P1的驱动电路DRC1中的点处。
关于这一点，参考图20的图(b)，图20的图(b)是沿着图19的线B-B’取得的截面图，在第一层2060中形成保护层2070(也称作上涂覆层)，在去除了保护层2070的区域(OC去除区)中形成第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸部分EEP2。
因此，参考图20的图(b)，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720和浮置图案1711在去除了保护层2070的区域(OC去除区)中绝缘。
参考图20的图(b)，在去除了保护层2070的区域(OC去除区)中，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720与浮置图案1711绝缘的点可以是焊接点WP1。
参考图20的图(b)，将浮置图案1711形成在定位了第一像素P1的驱动电路DRC1中的存储电容Cstg的(形成了有源层1940)区域中的保护层去除区(OC去除区)中。
在具有参考图18至20描述的结构的有机发光二极管显示装置100中，参考图21至23描述用于第二像素P2的电路缺陷的修复工艺。
图21至23是示出根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100的修复工艺的平面图和截面图。
参考图21至23，当在第二像素P2中发生电路缺陷时，切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到电路区CA2的延伸部分IEP2，从而断开第二像素P2的有机发光二极管OLED2与驱动晶体管DT2的电连接。
参考图21至23，焊接浮置图案1711以通过第一像素P1的驱动电路DRC1驱动第二像素P2的有机发光二极管OLED2。据此，焊接浮置图案1711以形成连接图案2100。此处，连接图案2100可由浮置图案1711和通过焊接工艺最新制成或者自浮置图案1711或者第一电极1720的一部分转变成的焊接颗粒2200构成。
参考图21至23，连接图案2100将第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极1720的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2，与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极1710的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分IEP1、以及第一像素P1的驱动电路DRC1中的驱动晶体管DT1连接。
至此，描述了具有其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的发光区EA2相邻的像素配置(图8的图(b))的根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100。
以下，将参考图24和25描述具有其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的电路区CA2相邻的像素配置的根据第五实例性实施例的有机发光显示装置100。
图24是根据第五实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
参考图24，根据第五实例性实施例的有机发光显示装置100具有其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的电路区CA2相邻的像素配置。
如图24中所示，在根据第五实例性实施例的有机发光显示装置100中，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极2410延伸到第一像素P1的电路区CA1。此外，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420经由第二像素P2的电路区CA2延伸到第一像素P1的电路区CA1。
也就是，在根据第五实例性实施例的有机发光显示装置100中，第一像素P1的驱动电路DRC1与第二像素P2的驱动电路DRC2相邻，因此第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420经由设置有第二像素P2的驱动电路DRC2的电路区CA2延伸到第一像素P1的像素区PA1中的电路区CA1。
这种情况下，可形成与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极2410的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分IEP1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420的经由第二像素P2的电路区CA2延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2中的至少一个绝缘的浮置图案2411。
在图24的情况下，浮置图案2411通过接触孔与第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极2410的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分IEP1连接，并通过绝缘层与第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420的经由第二像素P2的电路区CA2延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2绝缘。这与图20的浮置结构相似。
根据上文描述，尽管在第一像素P1的电路区CA1中形成浮置图案2411，但是可在第二像素P2的电路区CA2中形成浮置图案2411。为此，第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极2410可经由第一像素P1的电路区CA1延伸到第二像素P2的电路区CA2。
将参考图25描述第二像素P2中的电路缺陷的修复工艺。
图25是根据第五实例性实施例在有机发光显示装置100的修复工艺之后的平面图。
参考图25，在执行了作为第二像素P2电路缺陷的修复工艺的焊接工艺之后，焊接了浮置图案2411以形成连接图案2500。
该连接图案2500连接了第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极2410的延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分IEP1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420的经由第二像素P2的电路区CA2延伸到第一像素P1的电路区CA1的延伸部分EEP2。据此，第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420也与第一像素P1的驱动电路DRC1中的驱动晶体管DT1连接。
参考图24和25，在第二像素P2的电路缺陷的修复工艺中，处理第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420的延伸到第二像素P2的电路区CA2的延伸部分EEP2和第二像素P2的驱动晶体管DT2之间的连接以切割该连接，因此断开了第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420与第二像素P2的驱动电路DRC2的电连接。
参考图25，切割第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极2420的延伸到第二像素P2的电路区CA2的延伸部分EEP2与第二像素P2的驱动晶体管DT2之间的连接的切割点CP2，可以是第二像素P2的驱动晶体管DT2的源极或者漏极。
至此，描述了具有其中第一像素P1的电路区CA1与第二像素P2的电路区CA2相邻的像素配置(图8的图(c))的根据第四实例性实施例的有机发光显示装置100。
同时，可通过使用如图8中所示的三种像素配置中的每一种将每个像素设置在显示面板110中。
当每个像素都通过重复图8的图(a)的像素配置被设置在显示面板110中时，其一定也包括图8的图(c)的像素配置。也就是，当像素P1的发光区EA1与像素P2的发光区EA2彼此相邻，且像素P3的发光区EA3和像素P4的发光区EA4彼此相邻时，像素P2和像素P3构成了图8的图(c)的其中电路区CA2和CA3彼此相邻的像素配置。相似地，当每个像素都通过重复图8的图(c)的像素配置被设置在显示面板110中时，其一定也采用了图8的图(a)的像素配置。也就是，当像素P1的电路区CA1和像素P2的电路区CA2彼此相邻，且像素P3的电路区CA3和像素P4的电路区CA4彼此相邻时，像素P2和像素P3构成图8的图(a)的其中发光区EA2和EA3彼此相邻的像素配置。
此外，可通过其中发光区相邻的图8的图(a)和其中电路区相邻的图8的图(c)的像素配置的组合将像素设置在显示面板110中。将参考图26和27简单描述这些情况作为第六实例性实施例和第七实例性实施例。
图26是根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
图26示出了根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100的像素配置，其中发光区EA1和EA2在第一像素P1和第二像素P2之间彼此相邻，电路区CA3和CA4在第三像素P3和第四像素P4之间彼此相邻。
据此，在第一像素P1或第二像素P2的电路缺陷的修复工艺中，在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，可将修复结构(其与第二实例性实施例的修复结构相同)形成在第一像素P1的发光区EA1和第二像素P2的发光区EA2之间的边界处的区域WP1和WP2周围。
在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，作为第一像素P1或第二像素P2的电路缺陷的修复结构，图9至11中所示的浮置图案900可形成在焊接点WP1和WP2处。
或者，在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，根据第一像素P1或第二像素P2的电路缺陷的修复工艺，焊接形成在焊接点WP1和WP2处的浮置图案900从而形成如图12和13中所示的连接图案1200。
为了修复第三像素P3或第三像素P4的电路缺陷，在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，可在第三像素P3的电路区CA3和第四像素P4的电路区CA4中的一个电路区中形成修复结构(其与第五实例性实施例的修复结构相同)。
在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，作为第三像素P3或第四像素P4的电路缺陷的修复结构，可在第三像素P3的电路区CA3或第四像素P4的电路区CA4中形成图24中所示的浮置图案2411。
或者，在根据第六实例性实施例的有机发光显示装置100中，根据第三像素P3或第四像素P4的电路缺陷的修复工艺，焊接形成在焊接点WP3和WP4处的浮置图案2411，从而形成图25中所示的连接图案2500。
图27是根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100的平面图。
参考图27，根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100具有如下像素配置，其中发光区EA1和EA2在第一像素P1和第二像素P2之间彼此相邻，之后电路区CA2和发光区EA3在第二像素P2和第三像素P3之间彼此相邻，电路区CA3和CA4在第三像素P3和第四像素P4之间彼此相邻。
据此，在第一像素P1或第二像素P2的电路缺陷的修复工艺中，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，可将修复结构(其与第二实施例的修复结构相同)形成在第一像素P1的发光区EA1和第二像素P2的发光区EA2之间边界处的区域WP1和WP2周围。
在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，作为第一像素P1或第二像素P2的电路缺陷的修复结构，在焊接点WP1和WP2处形成图9至11中所示的浮置图案900。
或者，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，根据第一像素P1和第二像素P2的电路缺陷的修复工艺，焊接形成在焊接点WP1和WP2处的浮置图案900从而形成图12和13中所示的连接图案1200。
同时，在第二像素P2和第三像素P3的电路缺陷的修复工艺中，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，可在第二像素P2的电路区CA2中形成修复结构(其与第四实例性实施例的修复结构相同)。
在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，作为第二像素P2或第三像素P3的电路缺陷的修复结构，可在焊接点WP2和WP3处形成图17至20中所示的浮置图案1711。
或者，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，根据第二像素P2或第三像素P3的电路缺陷的修复工艺，焊接形成在焊接点WP2和WP3处的浮置图案1711从而形成如图21至23中所示的连接图案2100。
同时，对于第三像素P3或第四像素P4的电路缺陷的修复，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，修复结构(其与第五实例性实施例的修复结构相同)可形成在第三像素P3的电路区CA3和第四像素P4的电路区CA4中的一个电路区中。
在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，作为第三像素P3或第四像素P4的电路缺陷的修复结构，可在第三像素P3的电路区CA3或第四像素P4的电路区CA4中形成图24中所示的浮置图案2411。
或者，在根据第七实例性实施例的有机发光显示装置100中，根据第三像素P3或第四像素P4的电路缺陷的修复工艺，焊接形成在焊接点WP3和WP4处的浮置图案2411从而形成如图25中所示的连接图案2500。
至此，描述了具有能够修复作为一种像素缺陷的电路缺陷的各种修复结构的有机发光显示装置100、对应各种修复结构的修复方法、以及据此修复方法修复的有机发光显示装置100。
以下，参考图28和29对第八实例性实施例进行描述，将描述具有能够修复作为一种像素缺陷的发光缺陷的修复结构的有机发光显示装置100、对应该修复结构的修复方法、以及据此修复方法修复的有机发光显示装置100。
图28和29是根据第八实例性实施例的有机发光显示装置100的发光缺陷的修复工艺之后的平面图。
参考图28和29，根据第八实例性实施例的有机发光显示装置100的每个像素区PA都由设置了有机发光二极管OLED的发光区和设置了驱动电路DRC的电路区构成。
同时，例如可由于处理中的杂质导致的有机发光二极管OLED的两个电极(阳极和阴极)的短路产生发光区中的发光缺陷，或者由于有机发光二极管OLED的两个电极(阳极和阴极)中至少一个电极的故障产生发光区中的发光缺陷。除此之外，可由于任何不希望的原因导致产生发光缺陷。
认为其中有机发光二极管OLED不正常发光的状态是发光缺陷。
当发生发光缺陷时，如图28的图(b)和图29的图(b)中所示，可切割掉在有机发光二极管OLED的第一电极中的发光缺陷的发生点。
此时，执行切割工艺以将有机发光二极管OLED和驱动电路DRC之间的连接点2800和发光缺陷的发生点分别分成不同区域2810和2820。
根据切割工艺，有机发光二极管OLED和驱动电路DRC之间的连接点2800所归属的区域2810可以是切割工艺之后用于发光的发光区，而作为切割工艺之前的发光区EA的发光缺陷发生区域2820可在切割工艺之后与电路断开连接，从而不再是发光区。
尽管图28和29中所示的切割线是纵向线性或者横向线性，但是如图30中所示，该切割线可以是对角线的线性或是曲线，只要进行切割工艺以将有机发光二极管OLED和驱动电路DRC之间的连接点2800以及发光缺陷的发生点分别分成不同区域2810和2820即可。
图31示出了根据第八实例性实施例的有机发光显示装置100中的发光缺陷的修复工艺之后的发光区减小。
图31的图(a)从原理上示出了像素没有发光缺陷的显示面板110。图31的图(b)从原理上示出了修复了一个像素的发光缺陷的显示面板110。
参考图31的图(a)，被限定在显示面板110中的每个像素P1至P8被分成发光区EA1至EA8和不发光区CA1至CA8。为了便于解释，假设像素的每个发光区EA1至EA8具有相同尺寸。
参考图31的图(b)，在第三像素P3的发光区EA3中发生发光缺陷，并且切割掉发生发光缺陷的区域2820以进行修复。因此，第三像素P3中实际发光的剩余发光区EA3’被减少了与切割区域2820一样的面积。
因此，当对发光缺陷进行修复工艺时，至少有一个像素的有机发光二极管OLED的第一电极(例如阳极或阴极)被切割，从而该像素具有不同尺寸的发光区。特别是，在显示面板110中，至少有一个像素的有机发光二极管OLED的第一电极被切割，从而该像素的发光区小于发出相同颜色光的其他像素的发光区。
同时，电路缺陷的修复工艺涉及的工艺允许正常像素的驱动电路驱动具有电路缺陷的故障像素的有机发光二极管。
如果至少有一个像素被修复了电路缺陷，则显示面板110可具有并行驱动设置在不同像素中的两个或多个有机发光二极管的至少一个驱动电路。
同时，当在没有电路缺陷的有机发光二极管中发生发光缺陷时，也就是，当具有电路缺陷的像素和具有发光缺陷的像素彼此相邻时，没有电路缺陷的像素中的驱动电路会仅驱动具有电路缺陷的像素的有机发光二极管。将参考图32描述这种情况的一个实例作为第九实例性实施例。
图32是根据第九实例性实施例的有机发光显示装置100的交叉缺陷(crossdefect)修复的原理图。
图32的图(a)示出了每个像素都是正常的情况，其中第一像素P1的驱动电路DRC1驱动第一像素P1的有机发光二极管OLED1，第二像素P2的驱动电路DRC2驱动第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
如图32的图(b)所示，可能会出现在第一像素P1的有机发光二极管OLED1中发生发光缺陷和在第二像素P2的驱动电路DRC2中发生电路缺陷的情况。与此相似，如果在不同像素中分别发生不同的像素缺陷，则这种像素缺陷称作交叉像素缺陷。
在交叉像素缺陷的情况下，切割具有发光缺陷的第一像素P1的有机发光二极管OLED1和驱动电路DRC1之间的连接点CP1，切割具有电路缺陷的第二像素P2的有机发光二极管OLED2和驱动电路DRC2之间的连接点CP2。
此外，焊接预先形成在焊接点WP1处的电容，从而电连接第一像素P1的驱动电路DRC1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
据此，第一像素P1的驱动电路DRC1仅驱动第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
如果不修复交叉像素缺陷，则第一像素P1和第二像素P2会是亮点或暗点，从而严重降低图像质量，或者在制造工艺期间导致显示面板110被废弃。但是，通过修复交叉像素缺陷，至少一个像素的发光区可以发光，因此防止了最差情况。
如果存在修复了交叉像素缺陷的一对像素，则根据第九实例性实施例的有机发光显示装置100可具有至少一个接收设置在其他像素的驱动电路DRC1的电流的有机发光二极管OLED2。
同时，当如上所述地执行电路缺陷的修复工艺时，与修复之前相比亮度降低。
也就是，一旦进行了电路缺陷的修复工艺，由于自驱动电路DRC输出的电流被分开以流入两个有机发光二极管，因此每个有机发光二极管的电流减少一半，因此在与修复工艺相关的两个像素中亮度降低。
因此，在本说明书中，将公开一种根据第十实例性实施例的用于补偿已经修复了电路缺陷的像素的亮度降低的有机发光显示装置100。将参考图33描述根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100。
以下，与补偿亮度相关地，假设已经修复了第二像素P2的电路缺陷。因此，也假设第一像素P1的驱动电路DRC1并行地驱动第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
以下，与补偿亮度相关地，假设像素结构是如图4中所示的基于一个扫描的像素结构。而且，下文描述的亮度补偿可应用于图3中的基于两个扫描的像素结构。
图33是根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100的亮度补偿的电路图。
参考图33，在根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100中，已经修复了第二像素P2的电路缺陷。
参考图33，在根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100中，第一像素P1的驱动电路DRC1将电流并行地提供至第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2。
因此，第一像素P1的有机发光二极管OLED1和第二像素P2的有机发光二极管OLED2中的每一个接收到的电流量小于发出理想亮度的光需要的电流量。
这导致第一像素P1和第二像素P2的亮度降低。
因此，如图33中所示，当修复了第二像素P2的电路缺陷时，也就是，当形成用于电连接第一像素P1的有机发光二极管OLED1的第一电极和第二像素P2的有机发光二极管OLED2的第一电极的连接图案时，根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100可包括补偿单元3300以补偿第一像素P1和第二像素P2中每一个的亮度。此处，通过焊接形成在焊接点WP处的焊接图案形成所述连接图案。
补偿单元3300确定数据补偿量，通过该数据补偿，第一像素P1的驱动电路DRC1输出的电流值大于与预定亮度对应的电流值。
因此，补偿单元3300将根据所确定的数据补偿量产生的补偿数据Data’或者所确定的数据补偿量传送至数据驱动单元120中的数据驱动器集成电路3310。
数据驱动器集成电路3310经由相应数据线将与所接收的补偿数据Data’或者数据补偿量对应的补偿数据电压Vdata’提供至第一像素P1的驱动电路DRC1。
同时，在根据第十实例性实施例的有机发光显示装置100中，已经被修复的像素上的信息可预先存储在存储器(未示出)中，并且在补偿亮度时可使用该信息。
补偿单元3300可包括在时序控制器140中或者数据驱动单元120中，或者可将补偿单元3300单独提供到时序控制器140和数据驱动单元120外部。
如上所述，根据本发明，本发明的效果在于，提供了具有修复结构的有机发光显示装置100以及修复了像素缺陷的有机发光显示装置100，可通过所述修复结构修复所述像素缺陷。
此外，本发明的效果在于，提供了具有修复结构的有机发光显示装置100以及修复了电路缺陷的有机发光显示装置100，可通过所述修复结构修复像素缺陷原因当中的所述电路缺陷。
而且，本发明的效果在于，提供了具有修复结构的有机发光显示装置100以及修复了发光缺陷的有机发光显示装置100，可通过所述修复结构修复像素缺陷原因当中的所述发光缺陷。
而且，本发明的效果在于，提供了能够补偿由于修复电路缺陷导致的亮度损失的有机发光显示装置100。
在本发明的有机发光显示装置中进行各种修改和变形而不超出本发明的精神和范围对本领域技术人员是显而易见的。由此，本发明意在覆盖本发明的修改和变化，只要其落在所附权利要求及其等价物的范围内即可。

Claims (21)

1.一种有机发光显示装置，包括：
显示面板，在显示面板中设置了由形成于其上的数据线和栅极线限定的多个像素；
数据驱动单元，其将数据电压提供至数据线；和
栅极驱动单元，其将扫描信号提供至栅极线；
其中在多个像素中的每一个中设置有有机发光二极管和驱动电路，并且在多个像素当中的第一像素和第二像素中，形成与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘的浮置图案，或者形成用于电连接第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极的连接图案，
其中，当形成所述连接图案时，第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接，或者第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路断开电连接，
其中，当第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接时，切割第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路之间的连接点，或者切割第一像素的有机发光二极管的第一电极，
其中，当第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路断开电连接时，切割第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路之间的连接点，或者切割第二像素的有机发光二极管的第一电极。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述浮置图案形成在第一像素的发光区和第二像素的发光区之间的边界处，或者形成在第一像素或第二像素的电路区中。
3.如权利要求1所述的装置，其中通过激光焊接工艺焊接所述浮置图案来形成所述连接图案。
4.如权利要求1所述的装置，其中，当切割第一像素的有机发光二极管的第一电极时，切割第一像素的有机发光二极管的第一电极的延伸到第一像素的驱动电路的延伸部分，和
当切割第二像素的有机发光二极管的第一电极时，切割第二像素的有机发光二极管的第一电极的延伸到第二像素的驱动电路的延伸部分。
5.如权利要求1所述的装置，其中，当第一像素的有机发光二极管的第一电极与第一像素的驱动电路断开电连接时，第二像素的驱动电路通过连接图案并行地驱动第一像素的有机发光二极管和第二像素的有机发光二极管，和
当第二像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的驱动电路断开电连接时，第一像素的驱动电路通过连接图案并行地驱动第一像素的有机发光二极管和第二像素的有机发光二极管。
6.如权利要求1所述的装置，其中第一像素和第二像素的像素区彼此相邻，且第一像素的发光区和第二像素的发光区彼此相邻，或者第一像素的电路区和第二像素的发光区彼此相邻，或者第一像素的电路区和第二像素的电路区彼此相邻。
7.如权利要求6所述的装置，其中，当第一像素的发光区和第二像素的发光区彼此相邻时，所述浮置图案与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘，且所述浮置图案形成为与第一像素和第二像素的像素区重叠。
8.如权利要求7所述的装置，其中所述浮置图案形成在栅极层或源极-漏极层中，或者通过所述栅极层和源极-漏极层形成所述浮置图案。
9.如权利要求7所述的装置，其中所述浮置图案形成在与第一像素和第二像素的像素区重叠的两个或多个点中的每一个点，或者
所述连接图案形成在与第一像素和第二像素的像素区重叠的两个或多个点中的一个点，所述浮置图案形成在其余点。
10.如权利要求9所述的装置，其中，当所述连接图案形成在与第一像素和第二像素的像素区重叠的两个或多个点中的一个点时，切割第一像素或第二像素的有机发光二极管的第一电极以将第一电极分成与连接图案连接的部分和不与连接图案连接的部分。
11.如权利要求10所述的装置，其中在纵向方向上、横向方向上或者对角线方向上线性地、或者曲线地切割第一像素或第二像素的有机发光二极管的第一电极。
12.如权利要求6所述的装置，其中，当第一像素的电路区与第二像素的发光区彼此相邻时，第二像素的有机发光二极管的第一电极延伸到第一像素的像素区，和
所述浮置图案形成在第一像素的有机发光二极管的第一电极与第二像素的有机发光二极管的第一电极在第一像素的像素区中彼此相邻的点。
13.如权利要求12所述的装置，其中所述浮置图案通过第一接触孔与第一像素的有机发光二极管的第一电极连接，且通过第一绝缘层与延伸到第一像素的像素区的第二像素的有机发光二极管的第一电极绝缘。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述第一接触孔是第一绝缘层孔。
15.如权利要求12所述的装置，其中所述浮置图案由源极-漏极材料制成。
16.如权利要求12所述的装置，其中所述浮置图案形成在其中存储电容形成在第一像素的驱动电路中的点处的保护层去除区域中。
17.如权利要求12所述的装置，其中，当形成所述连接图案时，切割第一像素或第二像素的有机发光二极管的第一电极延伸到第一像素或第二像素的电路区的延伸部分。
18.如权利要求6所述的装置，其中，当第一像素的电路区与第二像素的电路区彼此相邻时，第二像素的有机发光二极管的第一电极被形成为经由第二像素的电路区延伸到第一像素的电路区，所述浮置图案形成在第一像素的电路区中，或者
第一像素的有机发光二极管的第一电极被形成为经由第一像素的电路区延伸到第二像素的电路区，所述浮置图案形成在第二像素的电路区中。
19.如权利要求1所述的装置，其中，当形成所述连接图案时，补偿第一像素和第二像素的每个亮度，和
还包括补偿单元，其确定数据电压补偿量，以允许第一像素或第二像素的驱动电路输出电流值大于与预定亮度对应的电流值的电流。
20.如权利要求1所述的装置，其中所述浮置图案形成在修复线路上的断开连接点处，所述修复电路的一端与第一像素的有机发光二极管的第一电极连接，另一端与第二像素的有机发光二极管的第一电极连接。
21.如权利要求1所述的装置，其中第一像素和第二像素是具有相同颜色的像素。
CN201410749384.7A 2013-12-09 2014-12-09 具有修复结构的有机发光显示装置 Active CN104700774B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130152657A KR102123979B1 (ko) 2013-12-09 2013-12-09 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
KR10-2013-0152657 2013-12-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104700774A CN104700774A (zh) 2015-06-10
CN104700774B true CN104700774B (zh) 2017-07-11

Family

ID=53271779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410749384.7A Active CN104700774B (zh) 2013-12-09 2014-12-09 具有修复结构的有机发光显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9460656B2 (zh)
KR (1) KR102123979B1 (zh)
CN (1) CN104700774B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110289280A (zh) * 2018-11-26 2019-09-27 友达光电股份有限公司 发光元件基板及其修复方法

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115739B2 (en) 2014-05-07 2018-10-30 Sony Corporation Display unit and electronic apparatus
KR102313063B1 (ko) * 2014-07-29 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102281755B1 (ko) * 2014-09-16 2021-07-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102292097B1 (ko) * 2014-10-01 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102369296B1 (ko) * 2015-06-15 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
KR102571667B1 (ko) * 2015-06-30 2023-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102515627B1 (ko) * 2015-07-07 2023-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
US20170039961A1 (en) * 2015-08-03 2017-02-09 Pixtronix, Inc Systems and methods for facilitating repair of inoperable mems display elements
KR102362575B1 (ko) * 2015-08-07 2022-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN105097884B (zh) * 2015-08-25 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置
KR102443405B1 (ko) * 2015-08-31 2022-09-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102431961B1 (ko) * 2015-12-02 2022-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 구동방법
KR102468369B1 (ko) * 2015-12-31 2022-11-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 리페어 방법
KR102498276B1 (ko) * 2016-05-31 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 화소 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107665863B (zh) * 2016-07-29 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 像素结构及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
KR102549884B1 (ko) * 2016-09-01 2023-07-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 리페어 방법
KR102582287B1 (ko) * 2016-09-29 2023-09-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 이용한 유기발광 표시장치
KR102668224B1 (ko) * 2016-11-30 2024-05-24 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN106941135B (zh) * 2017-04-11 2018-10-19 武汉华星光电技术有限公司 一种有机发光显示面板的修补方法及有机发光显示面板
KR102338943B1 (ko) * 2017-07-17 2021-12-13 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치
CN107565054B (zh) * 2017-08-25 2020-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
CN107507926B (zh) * 2017-08-30 2020-04-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素结构及其修复方法
CN207134356U (zh) * 2017-09-04 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN109801936B (zh) * 2017-11-17 2021-01-26 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 显示面板及其修复方法
KR102660491B1 (ko) * 2017-12-15 2024-04-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
WO2019150224A1 (ja) * 2018-02-01 2019-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
CN108242480B (zh) * 2018-03-19 2023-09-26 通威太阳能（合肥）有限公司 一种太阳能电池组件边框修复工装
KR20190126963A (ko) 2018-05-02 2019-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108447441B (zh) 2018-05-10 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示基板、显示装置
KR20190138492A (ko) * 2018-06-05 2019-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 포함한 유기발광 표시장치
CN108877644A (zh) * 2018-07-20 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及修复阵列基板的方法
TWI668508B (zh) * 2018-08-13 2019-08-11 友達光電股份有限公司 畫素單元
TWI668856B (zh) * 2018-12-12 2019-08-11 友達光電股份有限公司 發光二極體面板
KR20200072928A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 부분 투명 표시장치
KR20200079379A (ko) * 2018-12-24 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 리페어 방법
KR20200080896A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102622421B1 (ko) 2018-12-31 2024-01-05 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 디스플레이 장치
CN110211508A (zh) * 2019-05-31 2019-09-06 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN110137236B (zh) * 2019-06-03 2022-01-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110568678B (zh) * 2019-09-26 2021-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板
KR20210076471A (ko) * 2019-12-16 2021-06-24 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터를 포함하는 표시장치
KR102658433B1 (ko) * 2019-12-30 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 픽셀 회로와 이를 이용한 전계 발광 표시장치
TWI726627B (zh) * 2020-02-21 2021-05-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN111834422A (zh) * 2020-06-17 2020-10-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示面板的缺陷修补方法
US12027117B2 (en) * 2020-09-25 2024-07-02 Apple Inc. Pixel screening and repair
KR20230078022A (ko) * 2021-11-26 2023-06-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1804977A (zh) * 2005-01-14 2006-07-19 三星电子株式会社 显示装置及其驱动方法
CN101017262A (zh) * 2006-02-06 2007-08-15 Lg.菲利浦Lcd株式会社 平板显示装置、制造方法、图像质量控制方法及其装置
CN101046930A (zh) * 2006-03-29 2007-10-03 Lg.菲利浦Lcd株式会社 图像质量控制方法及使用该方法的平板显示器
CN101097674A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 平板显示器以及控制其图像质量的方法
TW201131768A (en) * 2009-10-09 2011-09-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102983283A (zh) * 2012-11-30 2013-03-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可修补的amoled器件、显示屏及其修补方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6773953B1 (en) * 1998-12-23 2004-08-10 Intel Corporation Camera sensor identifier via etched flaw
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
KR101032948B1 (ko) * 2004-04-19 2011-05-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR20060118208A (ko) * 2005-05-16 2006-11-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
TWI349915B (en) * 2006-11-17 2011-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure and repair method thereof
KR101411660B1 (ko) * 2006-12-28 2014-06-27 엘지디스플레이 주식회사 정전기 방지 소자 및 이를 갖는 유기전계발광소자
TWI354172B (en) * 2007-03-21 2011-12-11 Au Optronics Corp Pixel array substrate
KR20080091976A (ko) * 2007-04-10 2008-10-15 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 리페어 방법
US7990060B2 (en) * 2007-05-31 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101326129B1 (ko) * 2007-07-24 2013-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI331247B (en) * 2007-12-13 2010-10-01 Au Optronics Corp Pixel sturctur and repairing method thereof
KR101544847B1 (ko) * 2008-07-03 2015-08-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN101847648B (zh) * 2009-03-23 2012-11-21 北京京东方光电科技有限公司 有源矩阵有机发光二极管像素结构及其制造方法
US8259095B2 (en) * 2009-08-20 2012-09-04 Global Oled Technology Llc Optically testing chiplets in display device
KR20110043166A (ko) * 2009-10-21 2011-04-27 삼성전자주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101182233B1 (ko) * 2010-06-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5630203B2 (ja) * 2010-10-21 2014-11-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器。
KR101302622B1 (ko) * 2012-02-22 2013-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치의 리페어 방법
KR101910113B1 (ko) * 2012-03-16 2018-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101976066B1 (ko) * 2012-06-08 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 쇼트 불량 리페어 방법, 상기 리페어 방법에 의해 제조된 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
KR102061791B1 (ko) * 2012-11-13 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20150053314A (ko) * 2013-11-07 2015-05-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
KR102049793B1 (ko) * 2013-11-15 2020-01-08 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1804977A (zh) * 2005-01-14 2006-07-19 三星电子株式会社 显示装置及其驱动方法
CN101017262A (zh) * 2006-02-06 2007-08-15 Lg.菲利浦Lcd株式会社 平板显示装置、制造方法、图像质量控制方法及其装置
CN101046930A (zh) * 2006-03-29 2007-10-03 Lg.菲利浦Lcd株式会社 图像质量控制方法及使用该方法的平板显示器
CN101097674A (zh) * 2006-06-29 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 平板显示器以及控制其图像质量的方法
TW201131768A (en) * 2009-10-09 2011-09-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102983283A (zh) * 2012-11-30 2013-03-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 可修补的amoled器件、显示屏及其修补方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110289280A (zh) * 2018-11-26 2019-09-27 友达光电股份有限公司 发光元件基板及其修复方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102123979B1 (ko) 2020-06-17
US20150161943A1 (en) 2015-06-11
US9460656B2 (en) 2016-10-04
CN104700774A (zh) 2015-06-10
KR20150066971A (ko) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104700774B (zh) 具有修复结构的有机发光显示装置
KR102616204B1 (ko) 투명표시장치 및 투명표시패널
JP6619151B2 (ja) 有機発光表示装置及びそのリペア方法
KR102096056B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN104637442B (zh) 有机发光显示设备、其修复方法及其驱动方法
CN109887986B (zh) 有机发光显示设备及修复有机发光显示设备的方法
KR102047002B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 수리 방법
US20160372535A1 (en) Display device
CN104576686A (zh) 有机发光显示设备
KR20200079379A (ko) 표시 장치 및 그의 리페어 방법
TW201525959A (zh) 有機發光顯示器的修復方法
CN106157883A (zh) 有机发光二极管显示器
KR102578705B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 리페어 방법
WO2019186929A1 (ja) 表示装置およびその欠陥画素修復方法
KR102274024B1 (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR20170081038A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 리페어 방법
KR102571667B1 (ko) 유기발광표시장치
KR102294591B1 (ko) 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치
CN106328678B (zh) 有机发光显示装置
CN103293796A (zh) 平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法
KR20160011730A (ko) 투명표시장치 및 투명표시패널
KR102060001B1 (ko) 표시장치 및 이를 리페어하는 방법
KR20160129952A (ko) 유기발광표시장치
KR102371296B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR20170017641A (ko) 유기발광표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant