CN1804977A

CN1804977A - 显示装置及其驱动方法

Info

Publication number: CN1804977A
Application number: CNA2006100010776A
Authority: CN
Inventors: 高俊哲
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-01-14
Filing date: 2006-01-16
Publication date: 2006-07-19
Also published as: TW200630917A; KR20060083101A

Abstract

提供一种显示装置及其驱动方法。所述显示装置包括：发光元件；驱动晶体管，具有连接到第一节点的控制端、连接到第二节点的输出端和输入端，并将驱动电流施加到发光元件以发光；基准晶体管，具有连接到第一节点的控制端、连接到第三节点的输出端、和输入端；电容器，连接在第一和第二节点之间；以及电阻元件，连接在第二和第三节点之间。

Description

显示装置及其驱动方法

本申请要求分别于2005年1月14日和2005年4月21日提交的第2005-0003679号和2005-0033125号韩国专利申请的优先权，这些申请的内容通过引用完全包含于此。

技术领域

本发明涉及一种显示装置及其驱动方法，更具体地讲，涉及一种有机发光二极管显示装置及其驱动方法。

背景技术

最近，随着对纤薄且重量轻类型的个人电脑和电视机的需求，阴极射线管(CRT)已被平板显示装置代替。

作为平板显示装置，有液晶显示(LCD)设备、场致发射显示(FED)设备、有机发光二极管显示(OLED)设备、等离子体显示面板(PDP)设备等。

通常，在主动型平板显示装置中，多个像素排列成矩阵，根据特定的亮度信息控制像素的光的强度，从而显示图像。有机发光二极管显示装置是电激发磷光体有机材料以显示图像的显示装置。由于自发光设备功耗低、视角宽且响应速度快，所以有机发光二极管显示装置可容易地显示高质量的运动图像。

有机发光二极管显示装置包括有机发光二极管(OLED)和驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(TFT)。根据有源层的类型，薄膜晶体管分为多晶硅薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管。由于几个优点，通常使用采用多晶硅薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。然而，该薄膜晶体管的制造过程复杂，因而，制造成本增加。另外，通过使用该有机发光二极管显示装置，难以获得宽屏幕。

通过使用采用非晶硅薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，可容易获得宽屏幕。另外，采用非晶硅薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置的制造过程的数量相对小于采用多晶硅薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置的制造过程的数量。然而，随着非晶硅薄膜晶体管连续向有机发光二极管提供电流，非晶硅薄膜晶体管的阈值电压可劣化。即使施加相同的数据电压，非均匀电流也会留过有机发光二极管，从而有机发光二极管显示装置的图像质量劣化。

随着电流流过有机发光二极管一段长时间，非晶硅薄膜晶体管的阈值电压转变。在n型薄膜晶体管的情况下，有机发光二极管位于薄膜晶体管的源极侧。因此，如果有机发光二极管的阈值电压劣化，则薄膜晶体管的源极的电压变化。结果，即使相同的电压施加到薄膜晶体管的栅极，薄膜晶体管的栅极和源极的电压也彼此不同，从而非均匀电流流过有机发光二极管。由于这个原因，有机发光二极管显示装置的图像质量也劣化。

另一方面，随着用于通过薄膜晶体管将电流提供给有机发光二极管的驱动电压变得越来越大，从有机发光二极管显示装置释放的热量增加。由于所述热量，导致有机发光二极管显示装置的装置可容易劣化。

发明内容

本发明提供一种具有非晶硅薄膜晶体管的显示装置及其驱动方法，所述显示装置能补偿非晶硅薄膜晶体管和有机发光二极管的阈值电压的劣化并以相对低的驱动电压显示图像。

示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：发光元件；驱动晶体管，具有连接到第一节点的控制端、连接到第二节点的输出端和输入端，并将驱动电流提供给所述发光元件以发射光；基准晶体管，具有连接到所述第一节点的控制端、连接到第三节点的输出端和输入端；电容器，连接在所述第一节点和所述第二节点之间；和电阻元件，连接在所述第二节点和所述第三节点之间。

另一示例性实施例提供一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：驱动晶体管，具有连接到所述第一节点的控制端、连接到第二节点的输出端和输入端；基准晶体管，具有连接到第一节点的控制端、连接到第三节点的输出端和输入端；发光元件，连接到所述第一节点；电容器，连接在所述第一节点和所述第二节点之间；和电阻元件，连接在所述第二节点和所述第三节点之间。所述驱动方法包括步骤：将基准电压施加到所述驱动晶体管的输入端；将预充电电压施加到所述第一节点；将数据电压施加到所述第三节点；通过所述基准晶体管对所述第一节点的充电电压放电；通过所述电阻元件对所述第三节点的充电电压放电；和将驱动电压施加到所述驱动晶体管的输入端。

另一示例性实施例提供一种显示装置，该显示装置包括：发光元件；第一晶体管，具有第一端、第二端和连接到所述发光元件的第三端；第二晶体管，具有连接到所述第一晶体管的第一端的第一端、可连接到所述第一端的第二端和可连接到数据电压的第三端；和电容器，连接在所述第一晶体管的第一端和第三端之间。

另一示例性实施例提供一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：发光元件；第一晶体管，具有连接到第一节点的第一端、连接到第二节点和所述发光元件的第二端和第三端；第二晶体管，具有连接到所述第一节点的第一端、第二端和第三端；和电容器，连接在所述第一节点和所述第二节点之间。所述驱动方法包括：将用于抑制所述发光元件的发射的第一电压施加到所述第一晶体管的第三端；将高于所述第一电压的第二电压与所述第一节点连接；在第二电压连接到所述第一节点之后，将所述第一节点与所述第二电压断开；在所述第一节点与所述第二电压断开之后，将低于所述第二电压的数据电压与所述第二晶体管的第二端连接；在所述第一节点与所述第二电压断开之后，连接所述第二晶体管的第一端和第三端；在所述第二晶体管的第二端和第一端分别连接到其第三端和数据电压之后，将所述第二晶体管的第三端与其第一端断开；在所述第二晶体管的第二端和第一端分别与其第三端和数据电压连接之后，将所述第二晶体管的第二端与所述数据电压断开；在所述第二晶体管的第一端和第二端分别与其第三端和所述数据电压断开之后，将所述第二晶体管的第二端与所述第二节点连接；和将第三电压施加到所述第一晶体管的第三端，从而使得所述发光元件发射光。

另一示例性实施例提供一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：发光元件；第一晶体管，具有第一端、第二端和连接到所述发光元件的第三端；第二晶体管，具有连接到所述第一晶光管的第一端的第一端、第二端和第三端；和电容器，在所述第一晶体管的第一端和第三端之间。所述驱动方法包括步骤：将第一电压施加到所述第一晶体管的第二端，从而抑制所述发光元件的发射；在所述第一晶体管的第一端对高于所述第一电压的第二电压充电；通过所述第二晶体管将所述第一晶体管的第一端放电到低于所述第二电压的数据电压，从而减小所述第一晶体管的第一端的电压；将所述第二晶体管的第三端与所述第一晶体管的第三端连接；和将第三电压施加到所述第一晶体管的第二端，从而使得所述发光元件发射光。

另一示例性实施例提供一种显示装置，包括：像素的多个像素行，其中，所述像素的每个包括：发光元件；第一晶体管，具有第一端、第二端和连接到所述发光元件的第三端；第二晶体管，具有连接到所述第一晶体管的第一端的第一端、可连接到所述第一晶体管的第一端的第二端和可选择地连接到所述第一晶体管的第三端和数据电压的第三端；和电容器，连接在所述第一晶体管的第一端和第二端之间，其中，至少两行像素行的像素同时发射光。

另一示例性实施例提供一种显示装置，包括：发光元件；驱动晶体管，具有连接到驱动电压和低于驱动电压的基准电压之一的输入端、控制端和连接到所述发光元件的输出端；和电容器，连接到所述驱动晶体管的控制端和输出端以对不同于所述驱动电压的预充电电压充电，在这之后，根据数据电压存储控制电压。

另一示例性实施例提供一种显示装置，包括：预充电电压线，发送预充电电压，且可连接到第一节点；发光信号线，发送包括驱动电压和低于驱动电压的基准电压的发光信号；发光元件，连接到第二节点；驱动晶体管，具有连接到所述第一节点的控制端、连接到所述发光元件的输出端和输入端；基准晶体管，具有连接到所述第一节点的控制端、输入端和连接到第三节点的输出端；和电容器，连接在所述第一节点和所述第二节点之间。

另一示例性实施例提供一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括：驱动晶体管，具有输入端、控制端和输出端；电容器，连接在所述驱动晶体管的控制端和输出端；和发光元件，连接到所述驱动晶体管的输出端。所述驱动方法包括步骤：将基准电压施加到所述驱动晶体管的输入端；将高于所述基准电压的预充电电压施加到所述驱动晶体管的控制端，从而对所述电容器充电；施加低于所述预充电电压的数据电压以对在所述充电步骤中电容器的充电电压放电，从而根据所述数据电压通过控制电压对所述电容器充电；和将高于所述基准电压的驱动电压施加到所述驱动晶体管的输入端。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征和优点将变得更清楚，其中：

图1是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的示例性实施例的方框图；

图2是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的像素的示例性实施例的等效电路图；

图3是显示图2中所示的有机发光二极管显示装置的像素的驱动晶体管和有机发光二极管的截面的示例性实施例的截面图；

图4是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的有机发光二极管的示例性实施例的示意图；

图5是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的驱动信号的示例性

实施例的时序图；

图6是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的像素的另一示例性

实施例的等效电路图；

图7是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的有机发光二极管的另一示例性实施例的示意图；

图8是显示图7中所示的有机发光二极管显示装置的驱动信号的示例性

实施例的时序图；

图9是显示根据本发明另一实施例的有机发光二极管显示钻高质的有机发光二极管的另一示例性实施例的示意图；和

图10是显示图9中所示的有机发光二极管显示装置的驱动信号的示例性

实施例的时序图。

具体实施方式

以下，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例，以使本发明可被本领域的技术人员容易地实施。

以下将参考附图更全面地描述本发明，在附图中显示了本发明的示例性实施例。然而，可以以许多不同的形式实施本发明，而不应该理解为局限于这里所阐述的示例性实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开彻底和完整，并将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰，可放大尺寸以及层和区域的相对尺寸。

应该理解，当元件或层被称作在另一元件或层“上方”或“连接到”另一元件或层时，所述元件或层可直接位于该另一元件或层上方或者直接位于中间元件或层上方，或者“连接到”所述另一元件或层或者“连接到”中间元件或层。相反，当元件被称作在另一元件或层的“直接上方”或“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的标号始终表示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何组合和所有组合。

应该理解，虽然这里可使用术语第一、第二、第三等来描述各元件、组件、区域、层和/或部分，但是不应该由这些术语来限制这些元件、组件、区域、层和/或部分。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因而，在不脱离本发明的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。

这里为了描述容易可使用诸如“下面”、“上方”、“上面”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应该理解，除了附图中描述的方位之外，所述空间相对术语意图包括使用或操作的装置的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“上方”的元件将位于其它元件或特征“下方”。因而，示例性术语“上方”可包括上方和下方两个方位。所述装置可以以另外的方式定位(旋转90度或以其它方位)，相应地解释这里所使用的空间相对描述词。

这里所使用的术语仅用于描述特定实施例，并不是为了限制本发明。如这里所使用的，单数形式“a”、“an”和“the”也意图包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。还应该理解，该说明书中使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所表述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。

这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的截面图来描述本发明的实施例。同样，应该预料到例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的改变。因而，本发明的实施例不应该解释为局限于这里所示出的区域的特定形状，而是应该解释为包括例如制造所引起的形状的差异。

除非另外定义，这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员之一所通常理解的意义一样的意义。还应该理解，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应该被解释为具有与在相关技术的上下文中它们的意义一致的意义，除非这里如此明确地定义，将不以理想的或过度形式的意义解释那些术语。

以下，将参考附图详细地描述本发明。

首先，将参考图1到图5描述根据本发明的有机发光二极管显示装置的示例性实施例。

图1是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的示例性实施例的方框图，图2是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的像素的示例性实施例的等效电路图。

如图1所示，根据本发明实施例的有机发光二极管显示装置包括显示面板300、连接到显示面板300的扫描驱动器400、数据驱动器500和发光驱动器700以及控制这些驱动器的信号控制器600。

如在所述等效电路图中所看到的，显示面板300包括多条信号线G₀到G_n、D₁到D_m和S₁到S_n、多条电压线(未显示)以及连接到这些线并顺序排列成矩阵的多个像素PX。

所述信号线包括发送扫描信号Vg₀到Vg_n的多条扫描信号线G₀到G_n、发送数据信号Vdata的数据线D₁到D_m和发送发光信号Vs₁到Vs_n的多条发光信号线S₁到S_n。扫描信号线G₀到G_n和发光信号线S₁到S_n基本沿行方向延伸，且彼此基本平行，数据线D₁到D_m基本沿列方向延伸，且彼此基本平行。

所述电压线包括发送预充电电压Vpre的预充电电压线(未显示)。

如图2所示，作为连接到扫描信号线G_i和数据线D_j的像素的示例的像素PX的示例性实施例包括有机发光二极管LD、驱动晶体管Qd、基准晶体管Qr、电容器Cst、电阻器R和三个开关晶体管Qs1、Qs2和Qs3。

驱动晶体管Qd具有控制端、输入端和输出端。控制端连接到节点Na，基准晶体管Qr、开关晶体管Qs2和Qs3以及电容器Cst连接到节点Na；输入端连接到发光信号V_si；输出端连接到节点Nc，有机发光二极管LD连接到节点Nc。

基准晶体管Qr也具有控制端、输入端和输出端。控制端连接到节点Na；输入端连接到开关晶体管Qs2；输出端连接到节点Nb，开关晶体管Qs1和电阻器R连接到节点Nb。

电容器Cst连接在节点Na和节点Nc之间。

电阻器R连接在节点Nb和节点Nc之间。可使用半导体或导体构造电阻器R。在示例性实施例中，可将非晶硅或多晶硅用作半导体，或者可使用掺杂n+型杂质的非晶硅或多晶硅。

有机发光二极管LD的阳极(未显示)和阴极(未显示)连接到节点Nc和公共电压Vss。有机发光二极管LD根据由驱动晶体管Qd提供的电流I_LD的量发射不同强度的光，从而可显示图像。电流I_LD的量主要取决于驱动晶体管Qd的控制端和输出端之间的电压Vgs的幅值。

开关晶体管Qs1连接到扫描线G_i、数据电压Vdata和节点Nb，并响应于扫描信号Vg_i操作。

开关晶体管Qs2连接到扫描信号线G_i、基准晶体管Qr的输入端和节点Na，并响应于扫描信号Vg_i操作。

开关晶体管Qs3连接到前级扫描线G_i-1、预充电电压Vpre和节点Na，并响应于前级扫描信号Vg_i-1操作。

在示例性实施例中，晶体管Qd、Qr和Qs1到Qs3可以是由非晶硅或多晶硅形成的n沟道场效应晶体管(FET)。在另外的实施例中，晶体管Qd、Qr和Qs1到Qs3可以是p沟道场效应晶体管，在这种情况下，由于p沟道和n沟道场效应晶体管彼此互补，所以p沟道场效应晶体管的操作、电压和电流与n沟道场效应晶体管的操作、电压和电流相反。

现在，将参考图3和图4详细描述图2中所示的有机发光二极管显示装置的驱动晶体管Qd和有机发光二极管LD的结构。

图3是显示图2中所示的有机发光二极管显示装置的像素的驱动晶体管和有机发光二极管的截面的示例性实施例的截面图。图4是显示根据本发明的有机发光二极管显示装置的有机发光二极管的示例性实施例的示意图。

控制电极124形成在绝缘基底110上。控制电极124可以由诸如铝(Al)和铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)和银合金的银基金属、诸如铜(Cu)和铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)和钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)形成。在示例性实施例中，控制电极124可具有包括具有不同物理属性的两个导电层(未显示)的多层结构。为了减小信号延迟或压降，所述两个导电层之一可以由具有低电阻率的金属例如铝基金属、银基金属、铜基金属形成。另一导电层可以由具有与其它材料特别是ITO(铟锡氧化物)和IZO(铟锌氧化物)的良好的物理接触、化学接触和电接触的材料形成，所述材料例如钼基金属、铬、钛和钽。另外的实施例包括下面铬层和上面铝(合金)层的组合以及下面铝(合金)层和上面钼(合金)层的组合的构造。然而，控制电极124可以由适合这里所描述的目的的各种金属和导电材料形成。再次参考图3，控制电极124相对于基底110的表面倾斜。斜角可以在大约30°到大约80°的范围中。

可包括但并不局限于氮化硅SiN_x等的绝缘层140形成在控制电极124上。

可包括但并局限于氢化非晶硅(缩写为a-Si)的半导体154形成在绝缘膜140上。可包括但并不局限于硅化物或掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅等的一对欧姆接触元件163和165形成在半导体154上方。如图3所示，半导体154的侧面和欧姆接触元件163和165可相对于基底110的表面倾斜，斜角可以在大约30°到大约80°的范围中。

输入电极173和输出电极175形成在欧姆接触元件163和165以及绝缘膜140上。输入电极173和输出电极175可以由铬、钼基金属或诸如钽和钛的难熔金属形成，并且可具有使用由难熔金属形成的下层(未显示)和置于下层上的由低阻抗材料形成的上层(未显示)构造的多层结构。另外的实施例包括多层结构的构造，所述多层结构包括下面铬或钼(合金)层和上面铝层的两层结构以及下面钼(合金)层、中间铝(合金)层和上面钼(合金)层的三层结构。与控制电极124等类似，输入电极173和输出电极175的侧面也可倾斜成大约30°到大约80°的倾斜角。

输入电极173和输出电极175诸如通过沟道彼此分离，且置于控制电极124的各侧。控制电极124、输入电极173和输出电极175与半导体154一起构成驱动晶体管Qd，其沟道形成在输入电极173和输出电极175之间的半导体154上。

参考图3，欧姆接触元件163和165插入底层半导体154和置于上面的输入电极173和输出电极175之间，具有减小接触阻抗的功能。半导体154具有在输入电极173和输出电极175之间未覆盖的暴露部分。

保护膜(钝化层)180形成在输入电极173、输出电极175、半导体154的暴露部分和绝缘膜140上。保护膜180可以由诸如氮化硅和硅氧化物的无机材料、有机材料或低介电常数绝缘材料形成。保护膜180的示例性实施例包括具有等于或小于大约0.4的介电常数的低介电绝缘材料、用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和/或a-Si:O:F。在另外的实施例中，保护膜180可以由具有感光性的有机材料形成，保护膜180的表面可被做成平面。另外，为了使用优良性能的有机膜并保护半导体154的暴露部分，保护膜180可具有下面无机膜和上面有机膜的两层结构。再次参考图3，在保护膜180中，形成有暴露输出电极175的接触孔185。

像素电极190形成在保护膜180上。像素电极190通过接触孔185物理电连接到输出电极175，并且可以由诸如ITO和IZO的透光导电材料或诸如铝或银合金的具有优良反射系数的金属形成。

隔墙360形成在保护膜180上。隔墙360，如同堤坝一样，包围像素电极190以限定开口，并且可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。

参考图3，有机发光元件370形成在像素电极190上，通过隔墙360包围有机发光元件370。

如图4所示，有机发光元件370具有包括发光层(EML)和用于改善发光层的发光效率的辅助层的多层结构。辅助层包括，但并不限于平衡电子和空穴的电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)以及提高电子和孔穴的注入的电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。另外的实施例包括辅助层可被省略的结构。

由诸如金属的具有低电阻率的导电材料制成的辅助电极382形成于隔墙360上。

施加公共电压的公共电极270形成于隔墙360、有机发光元件370和辅助电极382上。公共电极270可由诸如钙(Ca)、钡(Ba)和铝(Al)的反光金属或诸如ITO和IZO的透明导电材料制成。

辅助电极382接触公共电极270以补偿公共电极270的导电率，以便防止公共电极270的电压失真。

在示例性实施例中，不透明像素电极190和不透明公共电极270在顶发射型有机发光二极管显示装置中使用，在所述显示装置中，图像在显示面板300的向上的方向上显示。在另一实施例中，透明像素电极190和透明公共电极270在底发射型有机发光二极管显示装置中使用，在所述显示装置中，图像在显示面板300的向下的方向上显示。

像素电极190、有机发光元件370和公共电极270组成图2中显示的有机发光二极管LD。这里，像素电极190和公共电极270分别成为阳极和阴极。或者，像素电极190和公共电极270分别成为阴极和阳极。有机发光二极管LD根据有机发光元件370的材料发射原色中的一种光。原色的示例包括，但并不限于红色、绿色和黄色。在另外的实施例中，想要的颜色可通过原色的空间组合来获得。

返回图1，扫描驱动器400连接到显示面板300的扫描信号线G₀到G_n以将扫描信号Vg_i施加到扫描信号线G₀到G_n，所述扫描信号Vg_i由导通和截止开关晶体管Qs1到Qs3的高电压V_on和低电压V_off的组合构成。

数据驱动器500连接到显示面板300的数据线D₁到D_m以将表示图像信号的数据电压V_data施加到数据线D₁到D_m。

发光驱动器700连接到发光信号线S₁到S_n以将发光信号Vs_i施加到发光信号线S₁到S_n，所述发光信号Vs_i由驱动电压V_dd和基准电压V_ref的组合构成。

扫描驱动器400、数据驱动器500和/或发光驱动器700可以以多个驱动IC芯片的形式直接安装在显示面板300上。或者，扫描驱动器400、数据驱动器500和/或发光驱动器700可以以载带封装的形式附加在显示面板300的柔性印刷电路(FPC)膜上。在另外的实施例中，扫描驱动器400、数据驱动器500或发光驱动器700可与信号线G₀到G_n、数据线D₁到D_m和S₁到S_n以及晶体管Qd、Qr和Qs1到Qs3等一起直接安装在显示面板300上。

信号控制器600控制扫描驱动器400、数据驱动器500和发光驱动器700的操作。

现在，将参考图5详细地描述有机发光二极管显示装置的操作。

实施例的时序图。

信号控制器600从外部图形控制器(未显示)接收输入图像信号R、G和B以及用于控制其显示的输入控制信号。输入控制信号可包括，但并不限于接收的垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据使能信号DE。信号控制器600根据液晶显示面板组件300的操作条件基于输入控制信号和输入图像信号R、G和B来处理图像信号R、G和B，以产生扫描控制信号CONT 1、数据控制信号CONT 2和发光控制信号CONT 3。信号控制器600将产生的扫描控制信号CONT 1发送到扫描驱动器400，将产生的数据控制信号CONT 2和处理的图像信号DAT发送到数据驱动器500，将产生的发光控制信号CONT 3发送到发光驱动器700。

扫描控制信号CONT 1可包括，但并不限于用于指示高电压Von的扫描开始的垂直同步开始信号STV、至少一个用于控制高电压Von的输出的时钟信号等。扫描控制信号CONT 1还可包括用于定义高电压Von的持续时间的输出使能信号OE。

数据控制信号CONT 2可包括，但并不限于用于指示一个像素行的数据发送的水平同步开始信号STH、用于命令将关联的数据电压施加到数据线D₁到D_m的负载信号LOAD、数据时钟信号HCLK等。

现在，下面的描述针对特定的像素行，例如第i行。

首先，发光驱动器700根据来自信号控制器600的发光控制信号CONT 3来产生发光信号Vs_i作为基准电压Vref。当数据线D₁到D_m发送与前一级像素行，即第i-1像素行相应的数据电压时，扫描驱动器400根据扫描控制信号CONT 1将与前一级扫描信号线，即第i-1扫描信号线G_i-1相应的扫描信号Vg_i-1转换为高电压Von。因此，连接到前一级扫描信号线G_i-1的第i像素行的开关晶体管Qs3导通。这时，因为由第i扫描信号线G_i发送的扫描信号Vg_i是低电压Voff，所以第i像素行的两个不同的开关晶体管Qs1和Qs2处于截止状态。在下文中，时间间隔指的是预充电周期。

接下来，节点Na被施加以预充电电压Vpre，并且电压Vpre由电容器Cst维持。预充电电压Vpre设置为远高于数据电压Vdata和基准电压Vref的值。另一方面，基准电压Vref相对于公共电压Vss被设置为等于或低于有机发光二极管LD的阈值电压Vtho的值。因此，即使在预充电周期期间基准电压Vref通过导通驱动晶体管Qd而被施加到节点Nc，因为有机发光二极管LD没有流过电流，所以有机发光二极管LD不能发光。节点Na和节点Nc之间的电压差被存储在电容器Cst内。

接下来，数据驱动器500接收与第i像素行的像素PX相应的图像数据DAT，将图像数据DAT转换为模拟数据电压Vdata，并且根据来自控制器600的数据控制信号CONT 2将模拟数据电压Vdata施加到数据线D₁到D_m。

在数据电压Vdata被施加到第i像素行之前，扫描驱动器400将前一级扫描信号Vg_i-1转换为低电压Voff以截止开关晶体管Qs3，并且当数据电压Vdata被施加到第i像素行时或数据电压Vdata被施加到第i像素行之后，扫描驱动器400将扫描信号Vg_i转换为高电压Von以导通开关晶体管Qs1和Qs2，从而数据输入周期开始。

在数据输入周期期间，发光信号Vs_i维持在基准电压Vref，并且开关晶体管Qs1将数据电压Vdata施加到节点Nb。

这时，因为电阻器R的电阻值被设置为足够大的值，所以在节点Nb和Nc之间的电流非常小。例如，如果电阻器R的电阻值、数据电压Vdata和基准电压Vref分别为10⁹Ω、13V和3V，则10nA的电流流过电阻器R。因为流过电阻器R的电流非常小，所以节点Nb维持在数据电压Vdata，节点Nc维持在基准电压Vref。

因为预充电电压Vpre大于数据电压Vdata，所以当数据输入周期开始时基准晶体管Qr导通。因此，在电容器Cst中充电的电荷通过开关晶体管Qs2、基准晶体管Qr和开关晶体管Qs1放电。放电一直持续到基准晶体管Qr的控制端和输出端之间的电压差变为基准晶体管Qr的阈值电压。这里，节电Na的电压VA收敛为如下的电压。随着预充电电压Vpre变得越大，电压VA愈来愈稳定地收敛为所述电压。

[等式1]

VA＝Vthr+Vdata

这里，如果在一个像素上的基准晶体管Qr和驱动晶体管Qd被布置为彼此接近并且具有不同的结构，则基准晶体管Qr的阈值电压Vthr等于驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd。因此，驱动晶体管Qd的控制端和输出端之间的电压Vgs如下来获得。电压Vgs被存储在电容器Cst中。

[等式2]

Vgs＝Vthd+Vdata-Vref

随后，扫描驱动器400根据扫描控制信号CONT1将扫描信号Vg_i转换为低电压Voff以截止开关晶体管Qs1和Qs2。结果，节点Na处于浮置状态，节点Nb与数据电压Vdata断开。因此，寄生电容器中充电的电荷通过电阻器R向节点Nc放电，从而节点Nb的电压等于节点Nc的电压。节点Nb的电压接近节点Nc的电压所花费的时间间隔基于时间常数T来确定，时间常数T是在节点Nb形成的寄生电容值与电阻器R的电阻值的乘积。时间常数T等于节点Nb的电压接近到节点Nc的电压的约63.2％所花费的时间间隔。如果节点Nb的寄生电容值和电阻器R的电阻值分别是0.01pF和10⁹Ω，则时间常数T为10μs。在这种情况下，当约30μs的时间间隔过去后，节电Nb的电压接近到节点Nc的电压的96％。

在扫描信号Vg_i被转换为低电压Voff之后，当预定的时间间隔过去时，发光驱动器700根据来自控制器600的发光控制信号CONT 3将发光信号Vs_i转换为驱动电压Vdd，从而发光周期开始。驱动电压Vdd设置为适当高的值，以便驱动晶体管Qd可在饱和区中运行。因此，驱动晶体管Qd通过输出端将输出电流I_LD提供给有机发光二极管，所述输出电流I_LD基于驱动晶体管Qd的控制端和输出端之间的电压差Vgs来控制。有机发光二极管LD根据输出电流I_LD发射不同强度的光，从而可以显示关联的图像。

当流过电流时，节点Nc的电压增大。然而，因为驱动晶体管Qd的控制端处于浮置状态，电容器Cst中充电的电压被维持。在发光周期期间由驱动晶体管Qd流过有机发光二极管LD的驱动电流I_LD不管驱动晶体管的阈值电压Vthd和有机发光二极管LD的阈值电压Vtho来如下确定。

[等式3]

I_LD＝1/2×K×(Vgs-Vthd)²

＝1/2×K×(Vthd+Vdata-Vref-Vthd)²

＝1/2×K×(Vdata-Vref)²

这里，K是根据薄膜晶体管的特性的常数，即，K＝μ·Ci·W/L。这里，μ表示场效应迁移率；Ci表示绝缘层的电容值；W表示驱动晶体管Qd的沟道宽度；L表示驱动晶体管Qd的沟道长度。

在运行期间，驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd和基准晶体管Qr的阈值电压Vthr可由于施加到其的压力而改变。具体地，在两个晶体管Qd和Qr包括非晶硅的情况下，所述现象受到极大地控制。如果由于不同的压力施加到两个晶体管Qd和Qr而引起阈值电压Vthd和Vthr彼此不同，则以上描述是没有层次的，所以必须考虑这种情况。

施加到驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr的主要压力是晶体管Qd和Qr的控制端和输出端之间的电压差Vgs。因为驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr的控制端彼此连接，所以其电压始终彼此相等。另外，驱动晶体管Qd的输出端的电压是节点Nc的电压，基准晶体管Qr的输出端的电压是节点Nb的电压。在数据输入周期期间，节点Nb和节点Nc的电压仅在输入数据电压Vdata的时间间隔中彼此不等，但是其电压在其他的时间间隔中彼此相等。如果扫描信号线G₁到G_n的数量是1000，则数据输入周期仅占用帧的约0.1％。因此，因为节点Nb和Nc的电压彼此不等的时间间隔只占用总时间间隔的0.1％，所以节点Nb和Nc的电压实质上彼此相等。因此，基准晶体管Qr的控制端和输出端之间的电压差实质上也等于驱动晶体管Qd的控制端和输出端之间的电压差，从而基准晶体管Qr的阈值电压Vthr的变化范围实质上等于驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd的变化范围。

结果，基准晶体管Qr的阈值电压Vthr实质上等于驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd。

另一方面，驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr的W/L值可以被设计为彼此不等，从而两个晶体管Qd和Qr的阈值电压Vthd和Vthr可以彼此不等。在这种情况下，等式2和等式3改变为以下的等式4和等式5。

[等式4]

Vgs＝Vthr+Vdata-Vref

[等式5]

I_LD＝1/2×K×(Vgs-Vthd)²

＝1/2×K×(Vthr+Vdata-Vref-Vthd)²

＝1/2×K×{Vdata-Vref+(Vthr-Vthd)}²

如果显示面板300被设计为使得驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr之间的阈值电压差Vthr-Vthd在所有像素上相同，即将关于阈值电压差Vthr-Vthd设计为常数，则所有的像素显示关于给定的数据电压的相同的亮度，从而可无任何缺陷地显示图像。另外，如上所述因为驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr的阈值电压Vthd和Vthr的变化值不管W/L而彼此相等，所以即使阈值电压Vthd和Vthr改变，驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr之间的阈值电压差Vthr-Vthd仍为常数。

因为晶体管Qd和Qr的特性在显示面板300上相同，所以可补偿阈值电压的变化。结果，为了简化生产工艺并提高孔径比，基准晶体管Qr的大小可以设计为小于驱动晶体管Qd的大小。

有利的是，在驱动晶体管Qd和基准晶体管Qr的阈值彼此相等的情况下，即使晶体管Qd和Qr的特性在像素中不同，也可补偿驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd的变化。

发光周期进行直到对于在下一帧中第i像素行的像素PX的预充电周期再次开始，并且上述周期的运行对于下一像素行的像素PX重复进行。以这种方式，对所有的扫描信号线G₀到G_n和发光信号线S₁到S_n顺序地执行周期控制，从而关联的图像显示在像素PX上。这里，扫描信号线G₀和扫描信号Vg₀用于在第一像素行的像素PX上显示图像。

所述周期的长度可根据需要来调整。

在以上讨论的示例性实施例中，驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd和有机发光二极管LD的阈值电压Vtho的变化可被补偿。有利的是可减少或有效地防止图像质量的恶化。

在另外的实施例中，为了补偿阈值电压Vthd和Vtho的变化，驱动电压Vdd可用作预充电电压。在这种情况下，为了稳定的补偿，驱动电压Vdd必须足够高。然而，如上所述，如果驱动电压Vdd过高，则有机发光二极管显示装置释放的热量增大，从而有机发光二极管显示装置中的装置容易损坏。如示例性实施例所述，因为与驱动电压Vdd不同的单独的预充电电压Vpre被使用，所以预充电电压Vpre被允许设置为足够高的值，从而驱动电压Vdd可被设置为相当小的值。因此，可减少有机发光二极管显示装置释放的热量并且可限制或有效地防止由热量引起的有机发光二极管显示装置的损坏。

现在，将参考图6详细地描述根据本发明的有机发光二极管显示装置的示例性实施例。

图6是示出根据本发明的有机发光二极管显示装置的像素的另一示例性

实施例的等效电路图。

如图6所示，在根据本发明的有机发光二极管显示装置的示例性实施例中，每个像素PX包括有机发光二极管LD、驱动晶体管Qd、基准晶体管Qr、电容器Cst、晶体管Qt和三个开关晶体管Qs1、Qs2和Qs3。

在图6所示的像素PX中，图2所示的像素PX的电阻器R被晶体管Qt所代替。除了晶体管Qt，所述两个像素实质上是相同的，因此，关于相同组件分量的描述将被省略。

所述晶体管Qt被连接到节点Nb和节点Nc之间，并且其控制端(栅极)被连接到节点Nc。或者，所述晶体管Qt的控制端可被连接到节点Nb。

在数据输入周期，节点Nb的电压是数据电压Vdata，而节点Nc的电压是基准电压Vref。

在数据电压Vdata大于基准电压Vref的情况下，节点Nb成为晶体管Qt的漏极，而节点Nc成为其源极。由于栅极和源极相互连接，从节点Nb流到节点Nc的电流很小。

或者，在基准电压Vref大于数据电压Vdata的情况下，节点Nb成为晶体管Qt的源极，而节点Nc成为其漏极。在这种情况下，如果基准电压Vref、数据电压Vdata、晶体管Qt的W/L被设计以使得基准电压Vref和数据电压Vdata之间的差小于晶体管Qt的阈值电压，则从节点Nc流到Nb的电流很小。结果，即使在数据输入周期节点Nb和Nc之间的电压差出现，它们之间流动的电流会非常小。

另外，在开关晶体管Qs1和Qs2关闭之后，如果通过考虑到节点Nb的电压放电速度来适当设计晶体管Qt的W/L，则晶体管Qt可执行与图2的电阻器R相同的操作。

因此，图6所示的像素电路还可以补偿驱动晶体管Qd的阈值电压Vthd与有机发光二极管LD的阈值电压Vtho的变化，由此根据数据电压和基准电压Vdata和Vref的驱动电流I_LD可流到有机发光二极管LD中。

现在，将参考图7到图10详细描述根据本发明的另一实施例的有机发光二极管显示装置。

图7是示出根据本发明的有机发光二极管显示装置的有机发光二极管的另一示例性实施例的示意性示图，图8是示出图7所示的有机发光二极管显示装置的驱动信号的示例的示例性实施例的时序图。图9是示出根据本发明的有机发光二极管显示装置的有机发光二极管的另一示例性实施例的示意性示图，图10是示出图9所示的有机发光二极管显示装置的驱动信号的示例的示例性实施例的时序图。

图7和图9所示的显示面板310和320的每个被分成至少一个块。在每个块中的发光信号线S₁到S_n相互被电分离，而不同块的发光信号线S₁到S_n相互被电分离。

由于图7和图9所示的显示面板310和320中块的数量分别是3和1，所以所有的发光信号线S₁到S_n被相互连接。另一方面，图7所示的显示面板310可假设被分成“n”块。

显示面板310和320的其他分量与图1所示的显示面板300的分量相同，实质上显示面板310和320的像素结构与图2或图6所示的像素结构相同。

如图7和图8所示，第一到第三块BL1到BL3的发光信号线S₁到S_k、S_{k+ 1}到S_2k、S_2k+1到S_3k从发光驱动器710分别接收发光信号Vs1、Vs2和Vs3。块BL1到BL3的每个在根据发光信号Vs1、Vs2和Vs3来划分的周期操作。划分的周期包括发光信号Vs1、Vs2和Vs3是基准电压Vref的数据输入周期和发光信号Vs1、Vs2和Vs3是驱动电压Vdd的发光周期。

在数据输入周期，像素行以预充电电压Vpre被连续地充电以接收数据电压Vdata。当完成数据电压Vdata到在块中的像素行的输入时，发光周期开始，而所有像素行的有机发光二极管LD同时发光。

当第0扫描信号Vg₀成为高电压Von时，或者在这之前时，发光信号Vs1等于基准电压Vref。当先前块BL1和BL2最后扫描信号Vg_k和Vg_2k成为高电压Von时，或者在这之前时，发光信号Vs2和Vs3等于基准电压Vref。

因此，每个块的数据输入周期占用大约帧时间间隔Tf的1/3，而其发光周期占用剩余时间间隔，即2/3Tf。

由于像素PX的详细的操作与参考图2和图6的详细描述的操作相同，所以其详细的描述将被省略。

参考图9和图10，将来自发光驱动器720的发光信号Vs施加到发光信号线S₁和S_n。

当发光信号Vs成为基准电压Vref时，像素行以预充电电压Vpre被连续地充电以输入数据电压Vdata。当完成到对所有像素行的数据电压Vdata的输入时，所有像素行的有机发光二极管LD同时发光。

在图7到图10所示的有机发光二极管显示装置中，由于发射可停止相对的时间间隔，所以可能获得脉冲式驱动效果。另外，可根据显示面板的特性来确定发光周期的占空比。

根据本发明，提供3个开关晶体管、驱动晶体管、基准晶体管、有机发光二极管、电阻器和电容器以将根据基准晶体管的阈值电压和数据电压的电压存储在电容器中，由此即使驱动晶体管和有机发光二极管的阈值电压改变也可能防止图像质量的降低。

尽管已描述了本发明的示例性实施例和修改的示例，但本发明不限于所述实施例和示例，在不脱离本发明的所附权利要求、详细的描述和附图的范围的情况下可在各种形式上进行改变。因此，这种修改属于本发明的范围是正常的。

Claims

1、一种显示装置，包括：

发光元件；

驱动晶体管，其具有连接到第一节点的控制端、连接到第二节点的输出端、和输入端，所述驱动晶体管将驱动电流提供给发光元件来发光；

基准晶体管，其具有连接到第一节点的控制端、连接到第三节点的输出端、和输入端；

电容器，其连接在第一节点和第二节点之间；和

电阻元件，其连接在第二节点和第三节点之间。

2、如权利要求1所述的显示装置，还包括：开关晶体管，其根据扫描信号将数据电压发送到第三节点。

3、如权利要求1所述的显示装置，还包括：开关晶体管，其根据扫描信号连接基准晶体管的控制端和输入端。

4、如权利要求1所述的显示装置，还包括：开关晶体管，其根据前一级扫描信号将预充电电压发送到第一节点。

5、如权利要求1所述的显示装置，还包括：

第一开关晶体管，其根据扫描信号将数据电压发送到第三节点；

第二开关晶体管，其根据扫描信号连接基准晶体管的控制端和输入端；和

第三开关晶体管，其根据前一级扫描信号将预充电电压发送到第一节点。

6、如权利要求5所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的输入端被施加以发光信号，所述发光信号包括基准电压和大于该基准电压的驱动电压。

7、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述预充电电压具有大于所述基准电压和所述驱动电压的值。

8、如权利要求7所述的显示装置，其中，当发光信号是所述基准电压时，所述数据电压被发送到第三节点。

9、如权利要求8所述的显示装置，其中，驱动电压被施加到发光元件，所述发光信号是驱动电压。

10、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述电阻元件包括半导体和导体。

11、如权利要求10所述的显示装置，其中，所述电阻元件包括非晶硅或多晶硅。

12、如权利要求10所述的显示装置，其中，所述电阻元件包括非晶硅或掺杂有n+型杂质的多晶硅。

13、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述电阻元件使用连接到二极管的晶体管来构造。

14、如权利要求6所述的显示装置，还包括：

扫描驱动器，其产生前一级扫描信号和扫描信号；

数据驱动器，其产生数据电压；和

发光驱动器，其产生发光信号。

15、如权利要求14所述的显示装置，还包括：信号控制器，其控制扫描驱动器、数据驱动器和发光驱动器。

16、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述扫描信号包括第一电压和小于该第一电压的第二电压，并且当所述扫描信号是第一电压时，所述数据电压和基准晶体管的阈值电压之和被存储在第一节点中。

17、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述扫描信号包括第一电压和小于该第一电压的第二电压，并且当所述扫描信号是第二电压时，第二节点的电压实质上等于第三节点的电压。

18、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述基准晶体管的结构实质上与所述驱动晶体管的结构相同。

19、如权利要求6所述的显示装置，其中，所述基准晶体管的沟道宽度小于所述驱动晶体管的沟道宽度。

20、如权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管和所述基准晶体管包括非晶硅。

21、如权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管和所述基准晶体管是n沟道薄膜晶体管。

22、如权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件包括有机发光层。

23、一种驱动显示装置的方法，所述显示装置包括：具有连接到第一节点的控制端、连接到第二节点的输出端、和输入端的驱动晶体管；具有连接到第一节点的控制端、连接到第三节点的输出端、和输入端的基准晶体管；连接到第一节点的发光元件；连接在第一节点和第二节点之间的电容器；和连接在第二节点和第三节点之间的电阻元件，所述方法包括：

将基准电压施加到所述驱动晶体管的输入端；

将预充电电压提供给第一节点；

将数据电压提供给第三节点；

通过所述基准晶体管对第一节点中充电的电压放电；

通过所述电阻元件对在第三节点中充电的电压放电；和

将驱动电压施加到所述驱动晶体管的输入端。

24、如权利要求23所述的方法，其中，对在第一节点中的电压放电的步骤包括连接基准晶体管的输入端和控制端。

25、如权利要求23所述的方法，其中，对在第二节点中的电压放电的步骤包括使所述基准晶体管的输入端浮置。

26、一种显示装置，包括：

发光元件；

第一晶体管，具有连接到发光元件的第一端、第二端和第三端；

第二晶体管，具有连接到第一晶体管的第一端的第一端、可连接到第一晶体管的第一端的第二端和可连接到数据电压的第三端；以及

电容器，连接在第二晶体管的第一端和第一晶体管的第三端之间。

27、如权利要求26所述的显示装置，其中，第二晶体管的第三端被可选择地连接到第一晶体管的第三端和数据电压。

28、如权利要求26所述的显示装置，还包括连接在第一晶体管的第三端和第二晶体管的第三端之间的电阻元件。

29、如权利要求26所述的显示装置，其中，在将大于数据电压的预定电压施加到第一晶体管的第一端之后，第二晶体管允许其第二端和第三端分别连接到其第一端和数据电压，由此形成第一晶体管的第一端的电压的放电路径。

30、如权利要求29所述的显示装置，其中，在第一晶体管端的第一端的放电之后，第二晶体管允许分别从其第一端和数据电压断开其第二端和第三端，并且其第三端连接到第一晶体管的第三端，由此第二晶体管的第三端的电压与第一晶体管的第三端的电压相等。

31、如权利要求30所述的显示装置，其中，当第二晶体管的第三端连接到第一晶体管的第三端时，发光元件发光；当第二晶体管的第三端连接到数据电压时，发光元件不发光。

32、一种驱动显示装置的方法，所述装置包括：发光元件；第一晶体管，具有连接到第一节点的第一端、连接到第二节点和发光元件的第二端、和第三端；第二晶体管，具有连接到第一节点的第一端、第二端、和第三端；和电容器，连接在第一节点和第二节点之间，所述方法包括：

将抑制发光元件的发射的第一电压施加到第一晶体管的第三端；

将大于第一电压的第二电压连接到第一节点；

在将第二电压连接到第一节点之后，从第二电压断开第一节点；

在从第二电压断开第一节点之后，将小于第二电压的数据电压连接到第二晶体管的第二端；

在从第二电压断开第一节点之后，连接第二晶体管的第一端和第三端；

在将第二晶体管的第二端和第一端分别连接到数据电压和其第三端之后，从其第一端断开第二晶体管的第三端；

在将第二晶体管的第二端和第一端分别连接到数据电压和其第三端之后，从数据电压断开第二晶体管的第二端；

在从其第三端和数据电压分别断开第二晶体管的第一端和第二端之后，将第二晶体管的第二端连接到第二节点；和

将第三电压施加到第一晶体管的第三端，由此允许发光元件发光。

33、一种驱动显示装置的方法，所述装置包括：发光元件；第一晶体管，具有第一端、第二端和连接到发光元件的第三端；第二晶体管，具有连接到第一晶体管的第一端的第一端、第二端和第三端；以及电容器，在第一晶体管的第一端和第三端之间，所述方法包括：

将第一电压施加到第一晶体管的第二端，由此抑制发光元件的发射；

在第一晶体管的第一端对大于第一电压的第二电压充电；

通过第二晶体管将第一晶体管的第一端放电到小于第二电压的数据电压，由此减小第一晶体管的第一端的电压；

将第二晶体管的第三端连接到第一晶体管的第三端；以及

将第三电压施加到第一晶体管的第二端，由此允许发光元件发光。

34、一种包括多个像素的像素行的显示装置，其中，每个像素包括：

发光元件；

第一晶体管，具有第一端，第二端，和连接到发光元件的第三端；

第二晶体管，具有连接到第一晶体管的第一端的第一端、可连接到第一晶体管的第一端的第二端、以及可选择地连接到第一晶体管的第一端和数据电压的第三端；和

电容器，连接在第一晶体管的第一端和第二端之间，

其中，至少2像素行的像素同时发光。

35、如权利要求34所述的显示装置，其中，每个像素还包括连接在第一晶体管的第三端和第二晶体管的第三端之间的电阻元件。

36、如权利要求35所述的显示装置，其中，在将大于数据电压的预定电压施加到第一晶体管的第一端之后，第二晶体管允许其第二端和第三端分别连接到其第一端和数据电压，由此形成第一晶体管的第一端的电压的放电路径。

37、如权利要求36所述的显示装置，其中，在第一晶体管端的第一端的放电之后，第二晶体管允许分别从其第一端和数据电压断开其第二端和第三端，并且允许其第三端连接到第一晶体管的第三端，由此第二晶体管的第三端的电压与第一晶体管的第三端的电压相等。

38、如权利要求37所述的显示装置，其中，当第二晶体管的第三端连接到第三端时，发光元件发光；当第二晶体管的第三端连接到数据电压时，发光元件不发光。

39、一种显示装置包括：

发光元件；

驱动晶体管，具有连接到驱动电压和小于驱动电压的基准电压中的一个的输入端、控制端和连接到发光元件的输入端；以及

电容器，连接到驱动晶体管的控制端和输出端用于充电与驱动电压不同的预定电压，之后，根据数据电压存储控制电压。

40、如权利要求39所述的显示装置，还包括基准晶体管，具有连接到驱动晶体管的控制端的控制端和选择性地连接到其控制端的输入端，由此可选择性地连接到数据电压。

41、如权利要求40所述的显示装置，还包括开关晶体管，连接在驱动晶体管的控制端和预充电电压之间。

42、如权利要求40所述的显示装置，还包括开关晶体管，连接在基准晶体管的控制端和输入端之间。

43、如权利要求40所述的显示装置，还包括开关晶体管，连接在基准晶体管的输出端和数据电压之间。

44、如权利要求40所述的显示装置，其中，预充电电压大于基准电压和数据电压。

45、如权利要求44所述的显示装置，其中，当基准电压被施加到驱动晶体管的输入端时，预充电电压被施加到驱动晶体管的控制端。

46、如权利要求44所述的显示装置，其中，通过基准晶体管将通过预充电电压在电容器中充电的电压放电到数据电压。

47、如权利要求44所述的显示装置，其中，当驱动电流被施加到驱动晶体管的输入端时，驱动晶体管根据控制电压向发光元件输出驱动电流。

48、一种显示装置包括：

预充电电压线，发送预充电电压并可连接到第一节点；

发光信号线，发送包括驱动电压和小于驱动电压的基准电压的发光信号；

发光元件，连接到第二节点；

驱动晶体管，具有连接到第一节点的控制端、连接到发光元件的输出端、以及输入端；

基准晶体管，具有连接到第一节点的控制端、输入端和连接到第三节点的输出端；以及

电容器，连接在第一节点和第二节点之间。

49、如权利要求48所述的显示装置，还包括连接在第二节点和第三节点之间的电阻元件。

50、如权利要求49所述的显示装置，还包括：

第一开关晶体管，连接在基准晶体管的输出端和数据电压之间；

第二开关晶体管，连接在基准晶体管的输入端和控制端之间；和

第三开关晶体管，连接在预充电电压线和第一节点之间。

51、一种驱动显示装置的方法，所述装置包括：驱动晶体管，具有输入端、控制端和输出端；电容器，连接在驱动晶体管的控制端和输出端之间；和发光元件，连接到驱动晶体管的输出端，所述方法包括：

将基准电压施加到驱动晶体管的输入端；

将大于基准电压的预充电电压施加到驱动晶体管的控制端，由此对电容器充电；

施加低于所述预充电电压的数据电压以对在所述充电步骤中电容器的充电电压放电，由此根据数据电压通过控制电压对电容器充电；和

将大于基准电压的驱动电压施加到驱动晶体管的输入端。