JP4990538B2 - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置及びその駆動方法に関する。

一般に、アクティブマトリックス型フラットパネルディスプレイ（能動型平板表示装置）では、複数の画素が行列状に配列され、与えられた輝度情報によって各画素の光強度を制御することにより映像を表示する。このうち、有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて映像を表示する表示装置であって、自発光型であり、消費電力が小さく、視野角が広くて画素の応答速度が速いため、高画質の動映像を表示することが容易である。

有機発光表示装置は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）と、これを駆動する薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）とを備える。この薄膜トランジスタは活性層（ａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒ）の種類によって、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタや、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタなどに区分される。

非晶質シリコンは、低い温度で薄膜を形成することが可能であり、主に低い融点を有するガラスを基板として使用する表示装置のスイッチング素子の半導体層に多く使用されている。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタは、低い電子移動度などによって表示素子の大面積化に難しさがある。また、非晶質シリコン薄膜トランジスタは、有機発光素子に持続的に電流を供給することによって、しきい電圧Ｖｔｈが遷移されて劣化し得る。これは有機発光表示装置の寿命を短縮させる大きな要因になる。

一方で、高い電子移動度を有し、高周波数における特性が良く、漏洩電流が低い多結晶シリコン薄膜トランジスタの利用が期待されている。特に低温多結晶シリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）バックプレーン（ｂａｃｋｐｌａｎｅ）を利用すれば、寿命問題の相当部分が解決される。しかし、レーザー結晶化によるレーザーショットの跡は有機発光素子に電流を供給する駆動トランジスタのしきい電圧に偏差をもたらし、そのため画面均一度が低下する。

従って、しきい電圧の偏差を補償して均一な画面を実現するために、現在まで多くの画素回路が提案された。しかし、大部分の画素回路は、薄膜トランジスタ、キャパシタ及び配線を多数有するため、有機発光表示装置の高精細化が困難である。

そこで、本発明が目的とする技術的課題は、しきい電圧の偏差を補償しながらも高精細化を達成できる有機発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。

このような技術的課題を達成するための本発明の一実施形態においては、複数のデータ線と、前記データ線に接続され、トランスミッションゲート信号によってプリチャージ電圧及びデータ電圧を前記データ線に供給する複数のトランスミッションゲートと、前記データ線に接続された複数の画素とを有し、前記各画素は、発光素子と、キャパシタと、前記キャパシタの一端に接続された制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを電気的に接続するとともに、前記キャパシタの他端を前記データ線に接続する第１スイッチング部と、前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタの前記他端に供給するとともに、前記駆動トランジスタを前記発光素子に接続する第２スイッチング部とを有し、前記第１スイッチング部を動作させて前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順に前記データ線に供給し、その後、前記第２スイッチング部を動作させて前記基準電圧を前記キャパシタに供給することを特徴とする表示装置を提供する。

さらに、前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記データ線に接続する第１スイッチングトランジスタと、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを接続する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。

さらに、前記第２スイッチング部は、前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記基準電圧に接続する第３スイッチングトランジスタと、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子とを接続する第４スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。

さらに、前記走査信号には、前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオンさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオフさせる低電圧と、前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオフさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオンさせる高電圧とが供給されることを特徴とする。

さらに、前記駆動トランジスタの前記入力端子は駆動電圧に接続されており、前記キャパシタに保持される充電電圧は前記駆動電圧から前記駆動トランジスタのしきい電圧の絶対値及び前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする。

さらに、前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であることを特徴とする。

さらに、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする。

さらに、前記第１乃至第４スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする。

さらに、前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタはｐ型薄膜トランジスタであり、前記第３及び第４スイッチングトランジスタはｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とする。

さらに、前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする。

さらに、複数のデータ駆動線と、前記データ駆動線に接続され、前記データ駆動線に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を供給するデータ駆動部とをさらに有し、前記複数のデータ駆動線の各々は前記複数のトランスミッションゲートにそれぞれ接続されていることを特徴とする。

さらに、前記データ駆動部は前記データ駆動線の各々に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順次供給することを特徴とする。

さらに、前記トランスミッションゲートに前記トランスミッションゲート信号を伝達する第１乃至第３トランスミッションゲート信号線と、前記第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に前記トランスミッションゲート信号を供給するトランスミッションゲート駆動部とをさらに有し、前記トランスミッションゲートは、第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に各々接続されている第１乃至第３トランスミッションゲート集合を含み、前記トランスミッションゲート駆動部は、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を同時に導通させた後、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を順次に導通させることを特徴とする。

さらに、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が同時に導通した後、前記第１スイッチング部が導通することを特徴とする。

さらに、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が順次に導通した後、前記第２スイッチング部が導通することを特徴とする。

本発明の他の実施形態においては、プリチャージ電圧及びデータ電圧を供給するトランスミッションゲートと、キャパシタと、発光素子と、駆動電圧に接続されている入力端子、前記キャパシタの一端に接続されている制御端子、及び出力端子を有する駆動トランジスタと、走査信号に応答して動作し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの他端との間に接続されている第１スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子との間に接続されている第２スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、基準電圧とキャパシタの他端との間に接続されている第３スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子との間に接続されている第４スイッチング素子と、を有し、それぞれが時間区間であり、順次定義される第１乃至第３区間のうち、前記第１区間で前記プリチャージ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、前記第２区間で前記データ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、前記第３区間で前記基準電圧が前記キャパシタの前記他端に印加されることを特徴とする表示装置が提供される。

さらに、前記第１及び第２区間で前記トランスミッションゲートと前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされ、前記第３区間で前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。

さらに、前記第１区間で前記トランスミッションゲートがターンオンされた後、前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。

さらに、前記トランスミッションゲートがターンオフされた後、前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。

本発明の他の実施形態においては、トランスミッションゲートと、キャパシタと、発光素子と、前記キャパシタに接続されている制御端子、駆動電圧に接続されている第１端子及び第２端子を有する駆動トランジスタとを備えた表示装置の駆動方法であって、前記トランスミッションゲートにプリチャージ電圧及びデータ電圧を順次に印加し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子とを接続し、前記キャパシタに基準電圧を供給し、前記駆動トランジスタの前記第２端子と前記発光素子とを接続することを特徴とする表示装置の駆動方法が提供される。

さらに、前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であり、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする。

さらに、前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧を印加した後、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続することを特徴とする。

さらに、前記基準電圧の供給は前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとの接続を切り離し、前記発光素子の接続は前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子の接続を切り離すことを特徴とする。

本発明の他の実施形態においては、電流を流すことにより発光する発光素子と、この発光素子にドレイン端子が、駆動電圧にソース端子が接続され、制御端子を有する駆動トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタに前記駆動トランジスタのしきい値電圧及び輝度信号に依存した電圧をいったん蓄積し、その後所定の電圧を前記キャパシタに印加することにより、前記制御端子に前記駆動トランジスタのしきい値電圧に依存した信号を供給する回路とを有することを特徴とする表示装置が提供される。

本発明によれば、４つのスイッチングトランジスタ、一つの駆動トランジスタ、有機発光素子及びキャパシタを備えて、このキャパシタにデータ電圧と駆動トランジスタのしきい電圧に依存する電圧を保存することにより、駆動トランジスタのしきい電圧に偏差があってもこれを補償して均一な映像を表示することができる。

また、３ＴＧ駆動方式を適用することにより、データ線の数よりデータ駆動線の数が少なくなり、データ駆動部との接触のためのパッド部の面積が減少するので、表示装置を高精細化することができる。

添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。

図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」ある場合、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分と接続されているとする時、これは他の部分と「直接」接続されている場合だけでなく、他の部分を「介して」接続されている場合も含む。

次に、本発明の実施形態による表示装置及びその駆動方法について、添付した図面を参照して詳細に説明する。

まず、図１乃至図６を参照して、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について説明する。

図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。図３は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図であり、図４は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。

図１に示したように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、表示板３００、これに接続された走査駆動部４００、データ駆動部５００、及びＴＧ駆動部（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ）７００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を有する。

表示板３００は、等価回路的には、複数の信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ、Ｓ_１−Ｓ_ｋ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢ、信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍに接続されていて、ほぼ行列状に配列された複数の画素、及び信号線 Ｄ_１−Ｄ_ｍ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続されているトランスミッションゲート部３１０を有する。

信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ、Ｓ_１−Ｓ_ｋ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢは、走査信号を伝達する複数の走査信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎ、データ信号を伝達する複数のデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍとデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋ、及びトランスミッションゲート信号を伝達するトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを有する。走査信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎ及びトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢは、ほぼ行方向に延在し、互いにほぼ平行に配置されている。データ線Ｄ_１−Ｄ_ｍ及びデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋは、ほぼ列方向に延在し、互いにほぼ平行に配置されている。データ線Ｄ_１−Ｄ_ｍは、トランスミッションゲート部３１０を通じてデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに接続されており、３つの線毎に一つに縛られてデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに接続される。ここで、ｍ＝３×ｋである。

トランスミッションゲート部３１０は、複数組のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢ集合を含む。トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢの制御端子は各々トランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続されており、出力端子はデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍに接続されており、各トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢの入力端子は互いに接続されてデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに接続されている。トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢは、ＴＧ駆動部７００からのトランスミッションゲート信号によって順次に導通して、データ駆動部５００からのデータ電圧をデータ線Ｄ_１−Ｄ_ｍ に伝達する。

図２に示したように、各画素は、有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＱ_Ｄ、キャパシタＣ_ＳＴ及び４つのスイッチングトランジスタＱ_Ｓ１−Ｑ_Ｓ４を有する。

駆動トランジスタＱ_Ｄは、ゲート端子ｎｇ、ドレイン端子ｎｄ及びソース端子ｎｓを有し、各々はキャパシタＣ_ＳＴ、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ４及び駆動電圧Ｖ_ＤＤに接続されている。キャパシタＣ_ＳＴは、駆動トランジスタＱ_ＤとスイッチングトランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ３の間に接続されており、有機発光素子ＯＬＥＤのアノードとカソードは、各々スイッチングトランジスタＱ_Ｓ４と共通電圧Ｖ_ＳＳに接続されている。

有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動トランジスタＱ_Ｄが供給する電流Ｉ_ＬＤの大きさによって強さを異にして発光することにより映像を表示し、この電流Ｉ_ＬＤの大きさは、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖ_ｇｓの大きさに依存する。

スイッチングトランジスタＱ_Ｓ１−Ｑ_Ｓ４は走査信号に応答して動作する。

スイッチングトランジスタＱ_Ｓ１は、データ電圧Ｖ_ｄａｔａとキャパシタＣ_ＳＴの間に接続されており、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ２は、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇとドレイン端子ｎｄの間に接続されている。スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３は、基準電圧Ｖ_ｒｅｆとキャパシタＣ_ＳＴの間に接続されており、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ４は、駆動トランジスタＱ_Ｄのドレイン端子ｎｄと有機発光素子ＯＬＥＤの間に接続されている。

スイッチング及び駆動トランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ２、Ｑ_Ｄは多結晶シリコンからなるｐ型薄膜トランジスタからなり、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４は多結晶シリコンからなるｎ型薄膜トランジスタからなる。しかし、これらは非晶質シリコンからなる薄膜トランジスタにて形成することもができ、チャネル型を変えてもよい。

以下、このような有機発光表示装置のスイッチングトランジスタＱ_Ｓ４と有機発光素子ＯＬＥＤの構造について説明する。

図３に示したように、透明な絶縁基板１１０上に酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる遮断膜１１１が形成されている。遮断膜１１１は多層構造を有することができる。

遮断膜１１１上には多結晶シリコンなどからなる半導体１５１が形成されている。

半導体１５１は、導電性不純物を含有する不純物領域（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ ｒｅｇｉｏｎ）と、導電性不純物をほとんど含有しない真性領域（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｒｅｇｉｏｎ）を含み、不純物領域は、不純物濃度が高い高濃度領域（ｈｅａｖｉｌｙ ｄｏｐｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）と、不純物濃度が低い低濃度領域（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）を含む。

真性領域はチャネル領域１５４を含む。高濃度不純物領域はチャネル領域１５４を中心に互いに分離されているソース領域１５３及びドレイン領域１５５を含む。低濃度不純物領域１５２は、ソース及びドレイン領域１５３、１５５とチャネル領域１５４の間に位置し、その幅が他の領域より狭い。

ここで、導電性不純物としては、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）などのｐ型不純物と、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）などのｎ型不純物がある。低濃度不純物領域１５２は、薄膜トランジスタの漏洩電流やパンチスルー（ｐｕｎｃｈ ｔｈｒｏｕｇｈ）現象が発生することを防止する。低濃度不純物領域１５２は、不純物が入っていないオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）領域で代替することができ、ｐ型の場合省略することができる。

半導体１５１上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる数十ｎｍ厚さのゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、半導体１５１のチャネル領域１５４と重畳するゲート電極１２４が形成されている。ゲート電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、ゲート電極１２４は物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多層膜構造を有してもよい。

ゲート電極１２４の側面は、上部の薄膜がスムースに接続されるように、基板１１０の表面に対して傾斜している。

ゲート電極１２４及びゲート絶縁膜１４０上には、有機物質、プラズマ化学気相成長（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）によって形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０を構成する物質は、平坦化特性または感光性を有してもよい。

層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０には、ソース及びドレイン領域１５３、１５５を各々露出するコンタクトホール（接触孔）１６３、１６５が形成されている。

層間絶縁膜１６０上には、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されている。

ソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離されていて、ゲート電極１２４を基準に両側に位置する。ソース電極１７３はコンタクトホール１６３を通じてソース領域１５３と接続されており、ドレイン電極１７５はコンタクトホール１６５を通じてドレイン領域１５５と接続されている。

ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体１５１と共にスイッチングトランジスタＱ_Ｓ４を構成する。

ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、チタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金からなることが好ましい。しかし、これらもまたゲート電極１２４のように抵抗が低い導電膜と接触特性が良い導電膜を含む多層膜構造を有してもよい。

ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の側面も基板１１０面に対して傾斜したほうが望ましい。

ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及び層間絶縁膜１６０上には、層間絶縁膜１６０と同一物質からなる層間絶縁膜１８０が形成されている。層間絶縁膜１８０には、ドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成されている。

層間絶縁膜１８０上には、コンタクトホール１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）など透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金等の反射性に優れた物質で形成してもよい。

層間絶縁膜１８０上部には、有機絶縁物質または無機絶縁物質からなって、有機発光セルを分離させるための隔壁３６０が形成されている。隔壁３６０は画素電極１９０周縁を囲んで有機発光層７０が満たされる領域を限定している。

隔壁３６０で囲まれた画素電極１９０上の領域には有機発光層７０が形成されている。

有機発光層７０は、図４に示したように、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）以外に、電子と正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒ ｔｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）を含む多層構造からなり、また、別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）を含むことができる。

隔壁３６０及び有機発光層７０上にはバッファー層３８０が形成されている。バッファー層３８０は必要に応じて省略することができる。

バッファー層３８０上には共通電圧Ｖ_ＳＳが印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなっている。もし、画素電極１９０が透明な場合には、共通電極２７０はカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む金属から構成されてもよい。

不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に映像を表示する前面発光（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に映像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用する。

画素電極１９０、有機発光層７０及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光素子ＯＬＥＤをなし、画素電極１９０はアノード、共通電極２７０はカソード、または、画素電極１９０はカソード、共通電極２７０はアノードとなる。有機発光素子ＯＬＥＤは発光層ＥＭＬを形成する有機物質によって三原色、例えば、赤色、緑色、青色のうちの一つを固有に表示して、これら三原色の空間的合計によって所望の色相を表示する。ここで、赤色、緑色、青色を各々表示する有機発光素子ＯＬＥＤを含む画素をＲ、Ｇ、Ｂ画素と言い、これらは各々データ線Ｄ_１、Ｄ_４、．．．、Ｄ_ｍ−２、データ線Ｄ２、Ｄ５、．．．、Ｄ_ｍ−１及びデータ線Ｄ３、Ｄ６、．．．、Ｄ_ｍに接続されている。

一方、共通電極２７０の伝導性を補完するために、抵抗が低い金属からなる補助電極（図示せず）を共通電極２７０とバッファー層３８０の間、または共通電極２７０上に形成してもよい。

再び図１を参照すれば、走査駆動部４００は、表示板３００の走査信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎに接続され、高電圧Ｖ_ｈと低電圧Ｖ_ｌの組み合わせからなる走査信号Ｖ_ｇ１−Ｖ_ｇｎを走査信号線Ｇ_１−Ｇ_ｎに各々印加し、複数の集積回路から構成してもよい。高電圧Ｖ_ｈは、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ２をターンオフさせるが、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４をターンオンさせ、低電圧Ｖ_ｌは、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ２をターンオンさせるが、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４をターンオフさせる。

ＴＧ駆動部７００は、表示板３００のトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続され、トランスミッションゲート部３１０のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを各々導通または遮断するトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢをトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々印加する。トランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢは、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させる高電圧Ｖ_ｈと、遮断する低電圧Ｖ_ｌの組み合わせからなる。

データ駆動部５００は、表示板３００のデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに接続され、映像信号を示すデータ電圧Ｖ_ｄａｔａをトランスミッションゲート部３１０に印加し、複数の集積回路からなることができる。このとき、データ線Ｄ_１−Ｄ_ｍの数よりデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋの数が少ないので、データ駆動部５００との接触のためのパッド部（図示せず）の面積が減少して表示板３００を高精細化することができる。

信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００及びＴＧ駆動部７００などの動作を制御する。

走査駆動部４００またはデータ駆動部５００は、複数の駆動集積回路チップの形態で表示板３００上に搭載され、フレキシブルプリント基板（可撓性印刷回路膜（図示せず））上に搭載されて、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板３００に結合されてもよい。これらとは異なって、走査駆動部４００またはデータ駆動部５００は表示板３００に集積してもよい。ＴＧ駆動部７００は表示板３００に集積されることが好ましい。一方、データ駆動部５００と信号制御部６００などは、一つの（ワンチップ（ｏｎｅ−ｃｈｉｐ））ＩＣ内に集積されて実現されてもよい。このとき、走査駆動部４００及びＴＧ駆動部７００は、このようなＩＣ内に集積されてもよい。

次に、このような有機発光表示装置の表示動作について、図５乃至図６Ｂを図１と共に参照して詳細に説明する。

図５は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例であり、図６Ａ及び図６Ｂは各々充電区間と発光区間における一つの画素に対する等価回路図である。

信号制御部６００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号Ｖ_ｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈ_ｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどの供給を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを表示板３００の動作条件に合うように適切に処理し、走査制御信号ＣＯＮＴ１、データ制御信号ＣＯＮＴ２及びトランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３などを生成した後、走査制御信号ＣＯＮＴ１を走査駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴはデータ駆動部５００に送出し、トランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３はＴＧ駆動部７００に送出する。

走査制御信号ＣＯＮＴ１は、走査信号Ｖ_ｇ１−Ｖ_ｇｎの走査開始を指示する垂直同期開始信号ＳＴＶと、高電圧Ｖ_ｈ及び低電圧Ｖ_ｌの出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。

データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、データ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに該当データ電圧の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ及びデータクロック信号ＨＣＬＫなどを含む。

トランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３は、垂直同期開始信号ＳＴＶと、高電圧Ｖ_ｈ及び低電圧Ｖ_ｌの出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。

まず、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって一つの行、例えば、ｉ番目行の画素に対する映像データＤＡＴを順次に受信してシフトさせ、プリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘ及び各映像データＤＡＴに対応するＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧Ｖ_ｄａｔａを各データ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに順次に印加する。

プリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘが印加されることによって、充電区間ＴＣまたは１水平周期（または“１Ｈ”）［水平同期信号Ｈ_ｓｙｎｃ、データイネーブル信号ＤＥの一周期］区間が始まる。充電区間ＴＣは順次に続いた第１乃至第４充電区間Ｔ１−Ｔ４に分け、データ駆動部５００は第１充電区間Ｔ１でプリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘを印加し、第２乃至第４充電区間Ｔ２−Ｔ４で各々該当Ｒ、Ｇ、Ｂデータ電圧Ｖ_ｄａｔａを印加する。ここで、プリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘは、データ電圧Ｖ_ｄａｔａの最大値またはその以上の値となる。

ＴＧ駆動部７００は、第１充電区間Ｔ１が始まってから所定時間Δｔ１が経過すれば、信号制御部６００からのトランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３によってトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々印加されるトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢの電圧値を全て高電圧Ｖ_ｈにし、トランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々接続されたトランスミッションゲート部３１０のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させる。そのため全データ線Ｄ_１−Ｄ_ｍにはプリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘが印加される。

走査駆動部４００は、第１充電区間Ｔ１でトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢが高電圧Ｖ_ｈになった後、所定時間Δｔ２が経過すれば、信号制御部６００からの走査制御信号ＣＯＮＴ１によって走査信号線Ｇ_ｉに印加される走査信号Ｖ_ｇｉの電圧値を低電圧Ｖ_ｌに作って、走査信号線Ｇ_ｉに接続されたスイッチングトランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ２をターンオンさせ、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４をターンオフさせる。走査駆動部４００は、充電区間ＴＣで走査信号Ｖ_ｇｉの電圧値を低電圧Ｖ_ｌに維持する。

このような状態の画素の等価回路が図６Ａに示されている。図６Ａに示したように、プリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘがキャパシタに印加される。また、駆動トランジスタＱ_Ｄはダイオード接続され、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖ_ｇｓが駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈと同一になる。従って、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子電圧Ｖ_ｎｇとキャパシタＣ_ＳＴに充電される充電電圧Ｖ_Ｃは、次の通りである。

Ｖ_ｎｇ＝Ｖ_ＤＤ−｜Ｖ_ｔｈ｜ ・・・・（数式１）

Ｖ_Ｃ＝Ｖ_ＤＤ−｜Ｖ_ｔｈ｜−Ｖ_ｍａｘ ・・・・（数式２）

ＴＧ駆動部７００がトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢの電圧値を全て低電圧Ｖ_ｌにし、所定時間Δｔ３が経過した後、データ駆動部５００がＲデータ電圧Ｖ_ｄａｔａを各データ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに印加することによって、第２充電区間Ｔ２が開始する。再び所定時間Δｔ１が経過すれば、ＴＧ駆動部７００はトランスミッションゲート信号ＶＲの電圧値を高電圧Ｖ_ｈにし、データ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに印加されているＲデータ電圧Ｖ_ｄａｔａが該当データ線Ｄ_１、Ｄ_４、．．．、Ｄ_ｍ−２に印加されるようにする。走査信号Ｖ_ｇｉはこの区間Ｔ２でも低電圧Ｖ_ｌを維持し続けるので、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ１、Ｑ_Ｓ２はオンの状態を維持し、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４はオフの状態を維持する。

このような状態のＲ画素は、図６Ａに示した画素と同一の等価回路を有する。Ｒデータ電圧Ｖ_ｄａｔａがキャパシタＣ_ＳＴに印加されると、Ｒデータ電圧Ｖ_ｄａｔａがプリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘより小さいので、ゲート端子電圧Ｖ_ｎｇは［数式１］における電圧値より小さい値に変化する。しかし、そのため駆動トランジスタＱ_Ｄがターンオンされて、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間には駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈがかかるようになり、結局、ゲート端子電圧Ｖ_ｎｇは［数式１］における電圧値を再び有するようになる。この時、キャパシタＣ_ＳＴは、次のような電圧Ｖ_Ｃで再充電される。これから、キャパシタＣ_ＳＴがデータ電圧Ｖ_ｄａｔａと駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈに依存する電圧を保存することが分かる。

Ｖ_Ｃ＝Ｖ_ＤＤ−｜Ｖ_ｔｈ｜−Ｖ_ｄａｔａ・・・・（数式３）

ＴＧ駆動部７００は、トランスミッションゲート信号ＶＲの電圧値を低電圧Ｖ_ｌにしてトランスミッションゲートＴＧＲを遮断する。そうすると、キャパシタＣ_ＳＴはフローティング状態になり、この充電電圧Ｖ_Ｃは次のフレームの充電区間ＴＣが開始するまで維持される。

データ駆動部５００及びＴＧ駆動部７００は、第２充電区間Ｔ２と同様に第３及び第４充電区間Ｔ３、Ｔ４で一つの行のＧ、Ｂ画素に対して同一の動作を行う。そうすると、Ｇ、Ｂ画素のゲート端子電圧Ｖ_ｎｇと充電電圧Ｖ_Ｃも［数式１］と［数式３］に該当する電圧値となる。

このように、充電区間ＴＧで一つの画素行の全データ電圧Ｖ_ｄａｔａが該当画素に充電されれば、走査駆動部４００は走査信号Ｖ_ｇｉの電圧値を高電圧Ｖ_ｈにして、走査信号線Ｇｉに接続されたスイッチングトランジスタＱＳ１、Ｑ_Ｓ２をターンオフさせ、スイッチングトランジスタＱ_Ｓ３、Ｑ_Ｓ４をターンオンさせる。

これによって、発光区間ＴＥが開始し、このような状態の画素の等価回路を図６Ｂに示す。

図６Ｂに示したように、発光区間ＴＥでは基準電圧Ｖ_ｒｅｆがキャパシタＣ_ＳＴに印加され、有機発光素子ＯＬＥＤが駆動トランジスタＱ_Ｄに接続される。

フローティング状態にあったキャパシタＣ_ＳＴに基準電圧Ｖ_ｒｅｆが印加され、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇには電流の流れが実質的にないので、ゲート端子電圧Ｖ_ｎｇは次のように変化し、発光区間ＴＥでこの電圧が維持される。

Ｖ_ｎｇ ＝Ｖ_Ｃ＋Ｖ_ｒｅｆ
＝Ｖ_ＤＤ−｜Ｖ_ｔｈ｜−Ｖ_ｄａｔａ＋Ｖ_ｒｅｆ・・・・（数式４）

駆動トランジスタＱ_Ｄは、駆動トランジスタＱ_Ｄのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖ_ｇｓによって制御される出力電流Ｉ_ＬＤをドレイン端子ｎｄを通じて有機発光素子ＯＬＥＤに供給する。これにより、有機発光素子ＯＬＥＤは出力電流Ｉ_ＬＤの大きさによって強さを異にして発光することで、該当映像を表示する。出力電流Ｉ_ＬＤは次の通りである。

Ｉ_ＬＤ ＝０．５×ｋ×（｜Ｖ_ｇｓ｜−｜Ｖ_ｔｈ｜）^２
＝０．５×ｋ×（Ｖ_ＤＤ−Ｖ_ｎｇ−｜Ｖ_ｔｈ｜）^２
＝０．５×ｋ×［Ｖ_ＤＤ−（Ｖ_ＤＤ−｜Ｖ_ｔｈ｜−Ｖ_ｄａｔａ＋Ｖ_ｒｅｆ）−｜Ｖ_ｔｈ｜］^２
＝０．５×ｋ×（Ｖ_ｄａｔａ−Ｖ_ｒｅｆ）^２ ・・・・（数式５）

ここで、ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であり、ｋ＝μ・Ｃ_ＳｉＮｘ・Ｗ／Ｌであり、μは電界効果移動度、Ｃ_ＳｉＮｘは絶縁層の容量、Ｗは薄膜トランジスタのチャネル幅、Ｌは薄膜トランジスタのチャネル長を示す。

［数式５］によれば、発光区間ＴＥでの出力電流Ｉ_ＬＤはデータ電圧Ｖ_ｄａｔａと基準電圧Ｖ_ｒｅｆによってのみ決定される。従って、出力電流Ｉ_ＬＤは駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈに影響を受けないので、各駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈに偏差があっても均一な映像を表示することができる。ここで、基準電圧Ｖ_ｒｅｆはデータ電圧Ｖ_ｄａｔａの最小値Ｖ_ｍｉｎ以下に設定する。

発光区間ＴＥは、次のフレームでｉ番目行の画素に対する充電区間ＴＣが再び開始するまで持続され、（ｉ＋１）番目行の画素に対しても前述した充電区間ＴＣ及び発光区間ＴＥでの動作を同一に繰り返す。この時、（ｉ＋１）番目行の充電区間ＴＣは、ｉ番目行の充電区間ＴＣが終了しながら開始する。このような方式によって、全画素行に対して順次に区間Ｔ１−Ｔ４、ＴＥの制御を行い、全画素に該当映像を表示する。

各区間Ｔ１−Ｔ４、ＴＥの長さ及び所定時間Δｔ１−Δｔ３は必要に応じて調整することができる。しかし、データ駆動部５００からデータ駆動線Ｓ_１−Ｓ_ｋに印加されたプリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘ及びデータ電圧Ｖ_ｄａｔａが安定化された後、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させ、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを遮断した後、データ電圧Ｖ_ｄａｔａを変動させることが好ましい。

次に、本発明の一実施形態による有機発光表示装置における駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈの偏差によるシミュレーション結果について、図７を参照して説明する。

図７は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号及び駆動トランジスタのしきい電圧によるゲート端子電圧と出力電流を示す波形図である。

図７に示した波形図は、駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈが−１．５Ｖ、−２．０Ｖ、−２．５Ｖ及び−３．０Ｖである場合のゲート端子電圧Ｖ_ｎｇと出力電流Ｉ_ＬＤを示す。シミュレーションはＳＰＩＣＥ（ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｒｏｇｒａｍ ｗｉｔｈ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｅｍｐｈａｓｉｓ）を利用して行った。シミュレーション条件として、高電圧Ｖ_ｈは８Ｖ、低電圧Ｖ_ｌは−５Ｖ、プリチャージ電圧Ｖ_ｍａｘは４Ｖ、データ電圧Ｖ_ｄａｔａは１．５Ｖとした。このような実験条件下で、各場合にゲート端子ｎｇにはほぼ０．５Ｖずつ異なる電圧が印加され、そのため有機発光素子ＯＬＥＤに流れる出力電流Ｉ_ＬＤは実質的に一定であることが確認できる。

このようなシミュレーション結果は、本発明の実施形態による有機発光表示装置によれば、駆動トランジスタＱ_Ｄのしきい電圧Ｖ_ｔｈに偏差があってもこれを補償することができるということを示している。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による有機発光表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例である。 充電区間における一つの画素に対する等価回路図である。 発光区間における一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号及び駆動トランジスタのしきい電圧によるゲート電圧と出力電流を示す波形図である。

符号の説明

７０ 有機発光層
１１０ 絶縁基板、
１１１ 遮断膜
１２４ ゲート電極
１４０ 絶縁膜
１５１、１５２−１５５ 半導体
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極、
１８０ 保護膜
１６３、１６５、１８５ コンタクトホール
１９０ 画素電極
２３０ カラーフィルタ、
２７０ 共通電極
３００ 表示板、
３１０ トランスミッションゲート部
４００ ゲート駆動部
５００ データ駆動部、
６００ 信号制御部
７００ ＴＧ駆動部、
１６０、１８０ 層間絶縁膜
３６０ 隔壁
３８０ バッファー層

Claims (18)

1. 複数のデータ線と、
   前記データ線に接続され、トランスミッションゲート信号によってプリチャージ電圧及びデータ電圧を前記データ線に供給する複数のトランスミッションゲートと、
   前記データ線に接続された複数の画素とを有し、
   前記各画素は、
   発光素子と、
   第１の端子と第２の端子を有するキャパシタと、
   前記キャパシタの前記第２の端子に接続された制御端子、駆動電圧が印加される入力端子、及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、
   走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを電気的に接続する第２スイッチングトランジスタと、前記キャパシタの前記第１の端子を前記データ線に接続する第１スイッチングトランジスタとからなる第１スイッチング部と、
   前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタの前記第1の端子に供給する第３スイッチングトランジスタと、前記駆動トランジスタの前記出力端子を前記発光素子に接続する第４スイッチングトランジスタとからなる第２スイッチング部とを有し、
   前記第１スイッチング部がターンオンし、前記第２スイッチング部がターンオフすることにより，前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順に前記キャパシタの前記第１の端子に印加し、前記第２スイッチング部がターンオンし、前記第１スイッチング部がターンオフすることにより，前記基準電圧を前記キャパシタの第２の端子に供給し，前記発光素子に前記駆動電流を供給する
   ことを特徴とする表示装置。
2. 前記走査信号には、
   前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオンさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオフさせる低電圧と、
   前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオフさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオンさせる高電圧とが供給されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記駆動トランジスタの前記入力端子は駆動電圧に接続されており、前記キャパシタに保持される充電電圧は前記駆動電圧から前記駆動トランジスタのしきい電圧の絶対値及び前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１乃至第４スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタはｐ型薄膜トランジスタであり、前記第３及び第４スイッチングトランジスタはｎ型薄膜トランジスタである
   ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
9. 複数のデータ駆動線と、
   前記データ駆動線に接続され、前記データ駆動線に前記プリチャージ電圧及び前記データ
   電圧を供給するデータ駆動部とをさらに有し、
   前記複数のデータ駆動線の各々は前記複数のトランスミッションゲートにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
10. 前記データ駆動部は前記データ駆動線の各々に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧
    を順次供給することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記トランスミッションゲートに前記トランスミッションゲート信号を伝達する第１乃至第３トランスミッションゲート信号線と、
    前記第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に前記トランスミッションゲート信号を供給するトランスミッションゲート駆動部とをさらに有し、
    前記トランスミッションゲートは、第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に各々接続されている第１乃至第３トランスミッションゲート集合を含み、前記トランスミッションゲート駆動部は、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を同時に導通させて、前記プリチャージ電圧を前記複数のデータ線に同時に印加した後、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を順次に導通させて、前記データ電圧を前記データ線に順次に印加することを特徴と
    する請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が同時に導通するとき、前記第１スイッチング部が導通することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が順次に導通した後、前記第２スイッチング部が導通することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
14. プリチャージ電圧及びデータ電圧を供給するトランスミッションゲートと、
    第１の端子と第２の端子を有するキャパシタと、
    発光素子と、
    駆動電圧が印加される入力端子、前記キャパシタの前記第２の端子に接続されている制御端子、及び出力端子を有する駆動トランジスタと、
    走査信号に応答して動作し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの前記第１の端子との間に接続されている第１スイッチング素子と、
    前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子との間に接続されている第２スイッチング素子と、
    前記走査信号に応答して動作し、基準電圧とキャパシタの前記第１の端子との間に接続されている第３スイッチング素子と、
    前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子との間に接続されている第４スイッチング素子と、
    を有し、
    それぞれが時間区間であり、順次定義される第１乃至第３区間のうち、
    前記第１及び第２区間で前記トランスミッションゲートと前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされ、第３及び第４スイッチング素子がターンオフされ、前記第３区間で前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされ、前記第１及び第２スイッチング素子がターンオフすることにより、
    前記第１区間で前記プリチャージ電圧が前記キャパシタの前記第１の端子に印加され、
    前記第２区間で前記データ電圧が前記キャパシタの前記第１の端子に印加され、
    前記第３区間で前記基準電圧が前記キャパシタの前記第１の端子に印加される
    ことを特徴とする表示装置。
15. トランスミッションゲートと、第１の端子と第２の端子とを有するキャパシタと、発光素子と、前記キャパシタの前記第２の端子に接続されている制御端子、駆動電圧が印加される入力端子、及び出力端子を有する駆動トランジスタとを備えた表示装置の駆動方法であって、
    前記トランスミッションゲートにプリチャージ電圧及びデータ電圧を順次に印加し、
    前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順次に印加するとき、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの前記第１の端子とを接続し、
    前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順次に印加するとき、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを接続し、
    前記トランスミッションゲートに前記データ電圧を順次に印加した後、前記キャパシタの前記第１の端子に基準電圧を供給し、
    前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子とを接続する
    ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
16. 前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であり、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の駆動方
    法。
17. 前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧を印加した後、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の駆動方法。
18. 前記基準電圧の供給は前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの前記第１の端子との接続を切り離し、前記発光素子の接続は前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子の接続を
    切り離すことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の駆動方法。
    

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