JP4259556B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、有機EL(ElectroLuminescent)材料からなる発光素子など各種の電気光学素
子の挙動を制御する技術に関する。
この種の電気光学素子は電流の供給によって階調(典型的には輝度)が変化する。この
電流(以下「駆動電流」という)をトランジスタ(以下「駆動トランジスタ」という)に
よって制御する構成が従来から提案されている。しかしながら、この構成においては、駆
動トランジスタの特性(特に閾値電圧)の個体差に起因して各電気光学素子の階調にバラ
ツキが発生するという問題がある。この階調のバラツキを抑制するために、例えば特許文
献1ないし特許文献3には、駆動トランジスタの閾値電圧の相違を補償する構成が開示さ
れている。
図16は、特許文献1に開示された画素回路P0の構成を示す回路図である。同図に示
されるように、駆動トランジスタTdrのゲートとドレインとの間にはトランジスタTr1が
介挿される。また、駆動トランジスタTdrのゲートには容量素子C0の一方の電極L2が接
続される。保持容量C1は、駆動トランジスタTdrのゲートとソースとの間に介挿された
容量である。一方、トランジスタTr2は、有機発光ダイオード素子(以下「OLED素子
」という)110に指定された輝度に応じた電位(以下「データ電位」という)VDが供
給されるデータ線14と容量素子C0の他方の電極L1との間に介挿されて両者の導通およ
び非導通を切り替えるスイッチング素子である。
以上の構成において、第1に、信号S2によってトランジスタTr1をオン状態に遷移さ
せる。こうして駆動トランジスタTdrがダイオード接続されると、駆動トランジスタTdr
のゲートの電位は「VEL−Vth」に収束する(Vthは駆動トランジスタTdrの閾値電圧)
。第2に、トランジスタTr1をオフ状態としたうえで、信号S1によってトランジスタTr
2をオン状態として容量素子C0の電極L1とデータ線14とを導通させる。この動作によ
って、駆動トランジスタTdrのゲートの電位は、電極L1における電位の変化分を容量素
子C0と保持容量C1との容量比に応じて分割したレベル(すなわちデータ電位VDに応じ
たレベル)だけ変化する。第3に、トランジスタTr2をオフ状態としたうえで、信号S3
によってトランジスタTelをオン状態とする。この結果、閾値電圧Vthに依存しない駆動
電流Ielが駆動トランジスタTdrおよびトランジスタTelを経由してOLED素子110
に供給される。特許文献2や特許文献3に開示された構成においても、駆動トランジスタ
Tdrの閾値電圧Vthを補償するための基本的な原理は同様である。
米国特許第6,229,506号公報(FIG.2) 特開2004−133240号公報(図2および図3) 特開2004−246204号公報(図5および図6)
しかしながら、特許文献1ないし特許文献3の何れに開示された構成においても、OL
ED素子110が実際に発光する期間(以下「発光期間」という)では、トランジスタT
r2がオフ状態に遷移することによって容量素子C0の電極L1は電気的なフローティング状
態となる。したがって、発光期間においては容量素子C0の電圧が変動し易い。例えば、
トランジスタTr2のスイッチングに起因したノイズによって電極L1の電位が変動する場
合がある。このように発光期間において容量素子C0の電圧が変動すると、駆動トランジ
スタTdrのゲートの電位やこの電位に応じた駆動電流Ielが変動するから、OLED素子
110の輝度のバラツキ(クロストークなどの表示ムラ)が発生する。
一方、容量素子C0や保持容量C1の容量値を増大させれば、電極L1の電位の変動が駆
動トランジスタTdrのゲートの電位に与える影響を低減することも一応は可能である。し
かしながら、この場合には、容量の増大によって画素回路P0の規模が肥大化するという
問題があるから、画素の精細化が高度に要求される現状では現実的な方策となり得ない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、駆動トランジスタのゲートの
電位の変動を抑制すると共に、配線構造を簡易にするという課題の解決を目的としている
この課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給される電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、前記書き込み期間とは異なる初期化期間において前記第1電極に電気的に接続されるとともに、定電位が供給されている給電線と、少なくとも前記初期化期間において、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通させる第1スイッチング素子と、前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、を具備し、前記初期化期間に、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、ことを特徴する。
また、この課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の給電線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給され、前記給電線には定電位が供給される電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通および非導通を切り替える第1スイッチング素子と、第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、前記給電線と前記第1電極との間の導通および非導通を切り替える第3スイッチング素子であって、前記第2スイッチング素子がオン状態にあるときにオフ状態となり前記第2スイッチング素子がオフ状態にあるときにオン状態となる第3スイッチング素子と、前記第1電極と前記第2電極との間に介挿されて両者の導通および非導通を切り替える第4スイッチング素子とを具備し、前記第2スイッチング素子がオフ状態であって、前記第3及び第4スイッチング素子がオン状態である期間において、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、ことを特徴する。
また、この課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給される電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、前記書き込み期間とは異なる初期化期間において前記第1電極に電気的に接続されるとともに、定電位が供給されている給電線と、少なくとも前記初期化期間において、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通させる第1スイッチング素子と、前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、を具備し、前記初期化期間に、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、前記書き込み期間の後であって、電源電圧を供給する電源線から前記駆動トランジスタを介して前記電気光学素子に前記駆動電流を供給する期間において、前記給電線は前記第1電極に電気的に接続され、前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、ことを特徴する。
また、この課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給されるものであって、前記複数の単位回路の各々は、ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、前記書き込み期間とは異なる初期化期間において前記第2電極に電気的に接続されるとともに、定電位が供給されている給電線と、少なくとも前記初期化期間において、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通させる第1スイッチング素子と、前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、具備し、前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置されることを特徴とする。
この構成においては、第1スイッチング素子を介して駆動トランジスタをダイオード接
続することによって、駆動トランジスタの閾値電圧に依存しない駆動電流が生成される。
また、第2スイッチング素子がオン状態(導通状態)になることによって駆動トランジス
タのゲートがデータ電位に応じた電位に設定される。
本発明の具体的な態様において、第2電極と給電線とは、初期化期間において第4スイ
ッチング素子(図2のトランジスタTr4)を介して電気的に接続される。さらに、この発
明によれば、給電線が走査線に交差するように配置される。例えば、走査線を行方向に配
置した場合、給電線は列方向に配置することができる。
本発明における「電気光学素子」とは、これに供給された電流(駆動電流)に応じた階
調となる電気光学素子(いわゆる電流駆動型の素子)である。この電気光学素子の典型例
は、駆動電流に応じた輝度に発光する発光素子(例えばOLED素子)であるが、本発明
が適用される範囲はこれに限定されない。また、給電線の電位は恒常的に略一定である必
要はない。すなわち、少なくとも第3スイッチング素子がオン状態となる期間において略
一定の電位を維持すれば足り、その他の期間においては略一定であってもよいし変動して
いてもよい。なお、給電線の電位について「略一定」とは、厳格な意味で一定の電位に維
持される場合のほか、本発明の趣旨に照らして実質的に一定と把握できる電位に維持され
る場合も含む。すなわち、第3スイッチング素子がオン状態となる期間において給電線の
電位が第1の電位から第2の電位までの範囲で変動するとしても、給電線の電位が第1の
電位であるときの電気光学素子の階調と第2の電位であるときの電気光学素子の階調との
相違が単位回路の実用に際して問題とならない程度であれば(例えば電気光学装置を表示
装置として採用した場合に、給電線の電位に応じた電気光学素子の階調の相違が利用者に
知覚され得ない程度であれば)、第1の電位から第2の電位までの範囲に属する電位は「
略一定」であると言える。
本発明の具体的な態様において、前記給電線と前記第1電極との間の導通および非導通
を切り替えるとともに、少なくとも前記初期化期間において、前記給電線と前記第1電極
とを導通させる第3スイッチング素子をさらに有することが好ましい。このようにするこ
とにより、第1スイッチング素子を介してトランジスタをダイオード接続し、トランジス
タのゲート電位をトランジスタの閾値電圧に応じた電圧に設定するに先立ち、第1電極の
電位を給電線に供給された電位に設定することができる。
本発明の具体的な態様において、前記第3スイッチング素子は、前記第2スイッチング
素子がオフ状態にあるとき、オン状態となることが好ましい。この構成においては、走査
信号に基づき、第2スイッチング素子により駆動トランジスタのゲートがデータ電位に応
じた電位に設定される。この書き込み期間とは異なる期間、例えば、データ電位に応じた
電流を駆動トランジスタが電気光学素子に供給する期間において、第3スイッチング素子
により給電線に第1電極が電気的に接続される。
また、本発明に係る電気光学装置は、複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の給電
線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え
、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位
を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給され、前記給電線には定電位が
供給されるものであって、前記複数の単位回路の各々は、ゲートの電位に応じた駆動電流
を生成する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調
となる電気光学素子と、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通および非導通
を切り替える第1スイッチング素子と、第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続
された第2電極とを有する容量素子と、前記データ線と前記第1電極との間の導通および
非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、前記給電線と前記
第1電極との間の導通および非導通を切り替える第3スイッチング素子であって、前記第
2スイッチング素子がオン状態にあるときにオフ状態となり前記第2スイッチング素子が
オフ状態にあるときにオン状態となる第3スイッチング素子と、前記第1電極と前記第2
電極との間に介挿されて両者の導通および非導通を切り替える第4スイッチング素子とを
具備し、前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される。
この構成においては、第1スイッチング素子を介して駆動トランジスタをダイオード接
続することによって、駆動トランジスタの閾値電圧に依存しない駆動電流が生成される。
また、第2スイッチング素子がオン状態(導通状態)になることによって駆動トランジス
タのゲートがデータ電位に応じた電位に設定される一方、第2スイッチング素子がオフ状
態(非導通状態)になると第3スイッチング素子がオン状態となって容量素子の第1電極
が定電位に維持される。したがって、単位回路に設置される容量の増大を回避しながら駆
動トランジスタのゲートの電位の変動を防止することができる。
さらに、この発明によれば、給電線が走査線に交差するように配置される。例えば、走
査線を行方向に配置した場合、給電線は列方向に配置することができる。第1スイッチン
グ素子と第4スイッチング素子とを同時に導通状態とすると、駆動トランジスタの閾値補
償を実行することができるが、このときダイオード接続された駆動トランジスタの電流は
給電線に流れ込む。仮に、走査線と同じ行方向に給電線を配置したとすると、1行に配置
される複数の単位回路から同時に電流が給電線に流れ込むことになる。このため、大電流
を流せるように給電線の線幅を広くする必要がある。これに対して、走査線と交差する方
向に給電線を配置すると、そこに流れ込む電流は単位回路1個分となるので給電線の線幅
を狭くすることができる。この結果、配線構造を簡易にして高集積化を実現できる。
本発明の具体的な態様において、前記複数の単位回路の各々の前記駆動トランジスタに電源電圧を供給する複数の電源線を備え、前記給電線の少なくとも一部は、絶縁層を介して前記電源線とは異なる配線層に設けられており、前記給電線は、前記電源線と交差するように設けられており、前記絶縁層を介して前記給電線と前記電源線が交差する部分において、容量を形成することが好ましい。
本発明の具体的な態様において、前記複数の単位回路の各々の前記駆動トランジスタに電源電圧を供給する複数の電源線を備え、前記電源線と前記給電線とは交差し、交差部分において保持容量を形成することが好ましい。この場合には、保持容量によって、給電線 の電位をより一層安定化することができる。
本発明の具体的な態様において、前記複数の単位回路の各々において、前記第2スイッ
チング素子と前記第3スイッチング素子とは逆導電型のトランジスタであり、前記第2ス
イッチング素子のゲートと前記第3スイッチング素子のゲートとには共通の前記走査信号
が供給されることが好ましい。この態様によれば、第2スイッチング素子を制御するため
の配線と第3スイッチング素子を制御するための配線とを共用することができるから、配
線構造を簡易にすることができる。
本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、
電気光学装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途
は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体
に潜像を形成する構成の画像形成装置(印刷装置)においては、像担持体を露光する手段
(いわゆる露光ヘッド)として本発明の電気光学装置を採用することができる。
<A:電気光学装置の構成>
図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この電
気光学装置Dは、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であ
り、複数の画素回路Pが面状に配列された画素アレイ部10と、各画素回路P(単位回路
)を駆動する走査線駆動回路22およびデータ線駆動回路24と、電気光学装置Dで利用
される各電圧を生成する電圧生成回路27とを有する。なお、図1においては走査線駆動
回路22とデータ線駆動回路24と電圧生成回路27とが別個の回路として図示されてい
るが、これらの回路の一部または全部が単一の回路とされた構成も採用される。また、図
1に図示されたひとつの走査線駆動回路22(あるいはデータ線駆動回路24や電圧生成
回路27)が複数のICチップに区分された態様で電気光学装置Dに実装されてもよい。
図1に示されるように、画素アレイ部10には、X方向に延在するm本の制御線12と
、X方向と直交するY方向に延在するn本のデータ線14と、各データ線14に対をなし
てY方向に延在するn本の給電線17とが形成される(mおよびnは自然数)。各画素回
路Pは、データ線14および給電線17の対と制御線12との交差に対応する位置に配置
される。したがって、これらの画素回路Pは、縦m行×横n列のマトリクス状に配列する
。さらに、X方向にはm本の電源線19が形成される。
走査線駆動回路22は、複数の画素回路Pを水平走査期間ごとに行単位で選択するため
の回路である。一方、データ線駆動回路24は、各水平走査期間で走査線駆動回路22が
選択した1行分(n個)の画素回路Pの各々に対応するデータ電位VD[1]ないしVD[n]を
生成して各データ線14に出力する。第i行(iは1≦i≦mを満たす整数)が選択され
る水平走査期間において第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)のデータ線14に出力
されるデータ電位VD[j]は、第i行の第j列目に位置する画素回路Pに対して指定された
階調に対応する電位となる。
電圧生成回路27は、電源の高位側の電位(以下「電源電位」という)VELおよび低位
側の電位(以下「接地電位」という)Gndを生成する。電源電位VELは電源線19を介し
て各画素回路Pに供給される。また、この電圧生成回路27は、n個の電位VST[j]を生
成する。電位VST[j]は、各々対応する給電線17に出力されて各画素回路Pに給電され
る。
次に、図2を参照して、各画素回路Pの構成を説明する。同図においては、第i行の第
j列目に位置するひとつの画素回路Pのみが図示されているが、その他の画素回路Pも同
様の構成である。
同図に示されるように、画素回路Pは、電源電位VELが供給される電源線と接地電位G
ndが供給される接地線との間に介挿された電気光学素子11を含む。電気光学素子11は
、これに供給される駆動電流Ielに応じた輝度に発光する電流駆動型の発光素子であり、
典型的には、有機EL材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させたOLED素子
である。
図2に示されるように、図1において便宜的に1本の配線として図示された制御線12
は、実際には4本の配線(走査線121・第1制御線123・第2制御線125・発光制
御線127)を含む。各配線には走査線駆動回路22から所定の信号が供給される。例え
ば、第i行目の走査線121には、同行の画素回路Pを選択するための走査信号GWRT[i]
が供給される。また、第1制御線123にはリセット信号GPRE[i]が供給され、第2制御
線125には初期化信号GINT[i]が供給される。さらに、発光制御線127には、電気光
学素子11が実際に発光する期間(後述する発光期間PEL)を規定する発光制御信号GEL
[i]が供給される。なお、各信号の具体的な波形やこれに応じた画素回路Pの動作につい
ては後述する。
図2に示されるように、電源線から電気光学素子11の陽極に至る経路にはpチャネル
型の駆動トランジスタTdrとnチャネル型の発光制御トランジスタTelとが介挿される。
駆動トランジスタTdrは、ゲートの電位VGに応じた駆動電流Ielを生成するための手段
であり、そのソースが電源線に接続されるとともにドレインが発光制御トランジスタTel
のドレインに接続される。発光制御トランジスタTelは、駆動電流Ielが実際に電気光学
素子11に供給される期間を規定するための手段であり、そのソースが電気光学素子11
の陽極に接続されるとともにゲートが発光制御線127に接続される。したがって、発光
制御信号GEL[i]がローレベルを維持する期間においては発光制御トランジスタTelがオ
フ状態となって電気光学素子11に対する駆動電流Ielの供給が遮断される一方、発光制
御信号GEL[i]がハイレベルに遷移すると発光制御トランジスタTelがオン状態となって
電気光学素子11に駆動電流Ielが供給される。なお、発光制御トランジスタTelは駆動
トランジスタTdrと電源線との間に介挿されてもよい。
駆動トランジスタTdrのゲートとドレインとの間にはnチャネル型のトランジスタTr1
が介挿される。このトランジスタTr1のゲートは第2制御線125に接続される。したが
って、初期化信号GINT[i]がハイレベルに遷移するとトランジスタTr1がオン状態となっ
て駆動トランジスタTdrがダイオード接続され、初期化信号GINT[i]がローレベルに遷移
するとトランジスタTr1がオフ状態となって駆動トランジスタTdrのダイオード接続は解
除される。
図2に示される容量素子C0は、第1電極L1と第2電極L2との間の電圧を保持する容
量である。第2電極L2は駆動トランジスタTdrのゲートに接続される。容量素子C0の第
1電極L1とデータ線14との間にはnチャネル型のトランジスタTr2が介挿され、第1
電極L1と給電線17との間にはpチャネル型(すなわちトランジスタTr2とは逆導電型
)のトランジスタTr3が介挿される。トランジスタTr2は第1電極L1とデータ線14と
の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子であり、トランジスタTr3は第1電極
L1と給電線17との導通および非導通を切り替えるスイッチング素子である。トランジ
スタTr2のゲートとトランジスタTr3のゲートとは走査線121に対して共通に接続され
る。したがって、トランジスタTr2とトランジスタTr3とは相補的に動作する。すなわち
、走査信号GWRT[i]がハイレベルであればトランジスタTr2がオン状態となってトランジ
スタTr3がオフ状態となり、走査信号GWRT[i]がローレベルであればトランジスタTr2が
オフ状態となってトランジスタTr3がオン状態となる。
図2に示されるnチャネル型のトランジスタTr4は、容量素子C0の第1電極L1と第2
電極L2との間に介挿されて両者の導通および非導通を切り替えるスイッチング素子であ
る。さらに詳述すると、トランジスタTr4は、一端がトランジスタTr3を介して第1電極
L1に接続されるとともに、他端がトランジスタTr1を介して第2電極L2に接続される。
このトランジスタTr4のゲートは第1制御線123に接続される。したがって、トランジ
スタTr1とトランジスタTr3とがオン状態を維持する期間において、リセット信号GPRE[
i]がハイレベルに遷移するとトランジスタTr4がオン状態となって第1電極L1と第2電
極L2とが短絡する。
<B:電気光学装置の構造>
図3は、電気光学装置の1画素分の構造を概念的に示す平面図である。
この図3では、半導体層,ゲート配線層およびソース配線層のみを図示しているが、こ
れらの層は例えばガラス等の基板上に形成されており、各層間には絶縁層等の層が介在し
ているが、図示の便宜上省略している。また、配線層の上には、絶縁層が形成されており
、この絶縁層の上には端子T0を介してソース配線層に接続される電気光学素子11が形
成されている。さらに、この電気光学素子11上に接地電極が形成されているが、これら
は図示を省略している。ゲート配線層と半導体層の間には絶縁層が設けられており、半導
体層に設けられた電極(L1)と、ゲート配線層に設けられた電極(L2)の間で容量素
子C0が形成される。
電圧VST[j]が供給される給電線17は、上述の制御線12を構成する4本の配線(走
査線121・第1制御線123・第2制御線125・発光制御線127)と交差するよう
に垂直に配置されている。この給電線17は、ゲート配線層の配線17aと、このゲート
配線層の配線17aとコンタクトホールで接続されたソース配線層の配線17bから構成
されている。さらに、電源線19と給電線17を構成する配線17aが交差し交差部分に
おいて、保持容量Caが形成される。この保持容量Caは、給電線17に付随する容量で
あって電位VST[j]を安定化する機能がある。
<C:電気光学装置の動作>
次に、図4を参照して、走査線駆動回路22が生成する各信号の具体的な波形を説明す
る。図4に示されるように、走査信号GWRT[1]ないしGWRT[m]は、水平走査期間(1H)
ごとに順番にハイレベルとなる。すなわち、走査信号GWRT[i]は、垂直走査期間(1V)
のうち第i番目の水平走査期間においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間に
おいてローレベルを維持する。走査信号GWRT[i]のハイレベルへの移行は第i行の各画素
回路Pの選択を意味する。以下では走査信号GWRT[1]ないしGWRT[m]の各々がハイレベル
となる期間(すなわち水平走査期間)を「書込期間PWRT」と表記する。なお、図4にお
いては走査信号GWRT[i]の立ち下がりとその次行の走査信号GWRT[i+1]の立ち上がりとを
同時とした場合が例示されているが、走査信号GWRT[i]の立ち下がりから所定の時間が経
過したタイミングで走査信号GWRT[i+1]が立ち上がる構成(つまり、各行の書込期間PWR
Tに間隔が設けられた構成)としてもよい。
初期化信号GINT[i]は、走査信号GWRT[i]がハイレベルとなる書込期間PWRTの直前の
期間(以下「初期化期間」という)PINTにおいてハイレベルとなり、その他の期間にお
いてローレベルを維持する信号である。図4に示されるように、初期化期間PINTはリセ
ット期間Paとその直後の補償期間Pbとに区分される。リセット期間Paは、その開始の
時点で容量素子C0に残存している電荷を放電(リセット)するための期間であり、補償
期間Pbは、駆動トランジスタTdrのゲートの電位VGをその閾値電圧Vthに応じた電位に
設定するための期間である。リセット信号GPRE[i]は、初期化信号GINT[i]がハイレベル
となる初期化期間PINTのリセット期間Paにおいてハイレベルとなり、その他の期間にお
いてローレベルを維持する信号である。
発光制御信号GEL[i]は、走査信号GWRT[i]がハイレベルとなる書込期間PWRTの経過後
から、初期化信号GINT[i]がハイレベルとなる初期化期間PINTの開始前までの期間(以
下「発光期間」という)PELにてハイレベルとなり、それ以外の期間(すなわち初期化期
間PINTと書込期間PWRTとを含む期間)にてローレベルとなる信号である。
次に、図5ないし図8を参照しながら画素回路Pの具体的な動作を説明する。以下では
、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、リセット期間Paと補償期間Pbと書込
期間PWRTと発光期間PELとに区分して説明する。
(a)リセット期間Pa(初期化期間PINT)
リセット期間Paにおいては、図4に示されるように、初期化信号GINT[i]およびリセ
ット信号GPRE[i]がハイレベルを維持するとともに走査信号GWRT[i]および発光制御信号
GEL[i]がローレベルを維持する。したがって、図5に示されるように、トランジスタTr
1とTr3とTr4とはオン状態に遷移し、トランジスタTr2と発光制御トランジスタTelと
はオフ状態を維持する。この状態においては、容量素子C0の第1電極L1と第2電極L2
とがトランジスタTr3とTr4とTr1とを介して導通するから、リセット期間Paの開始の
直前の時点で容量素子C0に蓄積されていた電荷は完全に除去される。この容量素子C0の
電荷のリセットによって、リセット期間Paの開始の時点における容量素子C0の状態(容
量素子C0に残存している電荷)に拘わらず、その後の補償期間Pbや書込期間PWRTでは
駆動トランジスタTdrのゲートの電位VDを高い精度で所期値に設定することが可能とな
る。また、このリセット期間Paにおいて駆動トランジスタTdrのゲートはトランジスタ
Tr1およびTr4を介して給電線17に導通するから、このゲートの電位VGは電圧生成回
路27が生成した電位VST[j]に略等しくなる。なお、通常の動作時においては、各電位
VST[j]は同一であるため、以下、単に電位VSTとして説明する。本実施形態における電
位VSTは、電源電位VELと駆動トランジスタTdrの閾値電圧Vthの差分値(VEL−Vth)
以下のレベルである。本実施形態における駆動トランジスタTdrはpチャネル型であるか
ら、ゲートに対する電位VSTの供給によって駆動トランジスタTdrはオン状態となる。つ
まり、電位VSTは、駆動トランジスタTdrのゲートに供給されたときに駆動トランジスタ
Tdrをオン状態とする電位であるということもできる。
リセット期間Paにおいては、i行目の画素回路P全てに対してリセットを行う。この
とき給電線17に電流が流れ込む。仮に、走査線121や第1制御線123等の制御線1
2に対して平行な向きに給電線17’を設けた場合には、例えば、図10に示すように、
1行分の画素回路Pの全てからのリセット電流が給電線17’に流れることになる。この
ため、焼損防止あるいは電圧効果の防止の観点から、給電線17’の配線幅を十分太くす
る必要があり、高集積化の観点から改善の余地があった。
これに対し、本実施形態では、図3に示すように、給電線17を制御線12(走査線1
21・第1制御線123・第2制御線125・発光制御線127)に垂直な向きに設けて
いるので、リセット時には1つの画素回路Pからのリセット電流のみが給電線17に流れ
ることになる。このため、給電線17の配線幅を必要以上に太くする必要がなく、高集積
化を実現することができる。
(b)補償期間Pb(初期化期間PINT)
補償期間Pbにおいては、図4に示されるように、リセット信号GPRE[i]がローレベル
に遷移する一方、その他の信号はリセット期間Paと同じレベルを維持する。この状態に
おいては、図6に示されるように、図5の状況からトランジスタTr4がオフ状態に変化す
る。したがって、トランジスタTr3を介して給電線17に接続された第1電極L1の電位
が電位VSTに維持されたまま、第2電極L2の電位(すなわち駆動トランジスタTdrのゲ
ートの電位VG)が、リセット期間Paで設定された電位VSTから電源電位VELと閾値電圧
Vthの差分値(VEL−Vth)まで引き上げられる。
(c)書込期間PWRT
書込期間PWRTにおいては、図4に示されるように、走査信号GWRT[i]がハイレベルに
遷移し、初期化信号GINT[i]とリセット信号GPRE[i]と発光制御信号GEL[i]とはローレ
ベルを維持する。したがって、図7に示されるように、トランジスタTr1・Tr3およびT
r4と発光制御トランジスタTelとはオフ状態を維持する一方、トランジスタTr2がオン状
態に遷移してデータ線14と第1電極L1とが導通する。したがって、第1電極L1の電位
は、補償期間Pbで供給されていた電位VSTから電気光学素子11の階調に応じたデータ
電位VD[j]に変化する。
図7に示されるように、書込期間PWRTにおいて、トランジスタTr1はオフ状態にあり
、また、駆動トランジスタTdrのゲートのインピーダンスは充分に高い。したがって、第
1電極L1が補償期間Pbにおける電位VSTからデータ電位VD[j]まで変化量ΔV(=VST
−VD[j])だけ変動すると、第2電極L2の電位(駆動トランジスタTdrのゲートの電位
VG)は容量カップリングによってその直前の電位(VEL−Vth)から変動する。このと
きの第2電極L2の電位の変動量は、容量素子C0とその他の寄生容量(例えば駆動トラン
ジスタTdrのゲート容量やその他の配線に寄生する容量)との容量比に応じて定まる。よ
り具体的には、容量素子C0の容量値を「C」とし寄生容量の容量値を「Cs」とすると、
第2電極L2の電位の変化分は「ΔV・C/(C+Cs)」と表現される。したがって、書
込期間PWRTにおいて駆動トランジスタTdrのゲートの電位VGは以下の式(1)で表現され
るレベルに安定する。
VG=VEL−Vth−k・ΔV ……(1)
ただし、k=C/(C+Cs)
(d)発光期間PEL
発光期間PELにおいては、図4に示されるように、初期化信号GINT[i]とリセット信号
GPRE[i]とがローレベルを維持するから、トランジスタTr1およびTr4はオフ状態を維持
する。また、走査信号GWRT[i]は発光期間PELにおいてローレベルを維持するから、図8
に示されるように、トランジスタTr2がオフ状態に遷移するとともにトランジスタTr3が
オン状態に遷移する。したがって、容量素子C0の第1電極L1は、オフ状態となったトラ
ンジスタTr2によってデータ線14から電気的に絶縁されると同時に、オン状態となった
トランジスタTr3を介して給電線17に接続される。この結果、発光期間PELにおいて第
1電極L1の電位は電位VSTに固定され、これによって駆動トランジスタTdrのゲートの
電位VG(第2電極L2の電位)は略一定に維持される。つまり、本実施形態における容量
素子C0は、第1電極L1がデータ線14に接続される書込期間PWRTにおいては駆動トラ
ンジスタTdrのゲートを所期の電位(式(1)によって表現される電位)に設定するカップ
リング容量として機能するとともに、第1電極L1が給電線17に接続される発光期間PE
Lにおいては駆動トランジスタTdrのゲートを定電位に維持する保持容量として機能する
また、発光期間PELにおいては発光制御信号GEL[i]がハイレベルを維持するから、図
8に示されるように、発光制御トランジスタTelがオン状態となって駆動電流Ielの経路
が形成される。したがって、駆動トランジスタTdrのゲートの電位VGに応じた駆動電流
Ielが電源線から駆動トランジスタTdrおよび発光制御トランジスタTelを経由して電気
光学素子11に供給される。この駆動電流Ielの供給によって電気光学素子11はデータ
電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
いま、駆動トランジスタTdrが飽和領域で動作する場合を想定すると、駆動電流Ielは
以下の式(2)によって表現される。ただし、「β」は駆動トランジスタTdrの利得係数で
あり、「Vgs」は駆動トランジスタTdrのゲート−ソース間の電圧である。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)2
=(β/2)(VG−VEL−Vth)2 ……(2)
式(1)の代入によって式(2)は以下のように変形される。
Iel=(β/2){(VEL−Vth−k・ΔV)−VEL−Vth}2
=(β/2)(k・ΔV)2
つまり、電気光学素子11に供給される駆動電流Ielは、データ電位VD[j]と電位VST
との差分値ΔV(=VST−VD[j])のみによって決定され、駆動トランジスタTdrの閾値
電圧Vthには依存しない。したがって、画素回路Pごとの閾値電圧Vthのバラツキに起因
した輝度のムラは抑制される。
図16に示した画素回路P0においては、発光期間PELで容量素子C0の電極L1がフロ
ーティング状態となるためにその電位が変動し易い。これに対し、本実施形態においては
、容量素子C0の第1電極L1が発光期間PELにおいて電位VSTに維持されるから、駆動ト
ランジスタTdrのゲートの電位VGは発光期間PELの全体にわたって略一定に維持される
。したがって、駆動電流Ielの変動を防止して電気光学素子11を高い精度で所期の輝度
に発光させることができる。換言すると、容量素子C0に充分な容量値を確保しなくても
駆動トランジスタTdrのゲートの電位VGを略一定に維持することができるから、電位VG
を維持するために充分な容量値の容量素子C0が必要となる図16の構成と比較して、容
量素子C0の容量値を低減することができる。また、図16の構成においては電位VGを確
保するために容量素子C0とは別個の保持容量C1が必要となるのに対し、本実施形態にお
いては少ない容量でもゲートの電位VGを維持することができるから、図2に示されるよ
うに図16の保持容量C1を省略することが可能である。以上のように画素回路Pに要求
される容量が低減されるから、本実施形態には画素回路Pの規模が縮小されるという利点
がある。
<D:特性検査動作>
上述のように構成された電気光学装置では、所定の走査信号GWRT[i]をハイレベルとし
てi行目の電気光学素子11を選択し、上述の図5に示すリセット期間Paから図7に示
す書込期間PWRTまでの動作を実行し、検査用のデータ電位VD[j]を書き込んだ後、例え
ば図9に示すように、所定の期間(測定期間PT)、初期化信号GINT[i] をローレベルと
してトランジスタTr1をオフ状態とし、リセット信号GPRE[i]をハイレベルとしてTr4を
オン状態とし、さらに、走査信号GWRT[i]をハイレベルとして、トランジスタTr2をオン
状態、トランジスタTr3をオフ状態にすることによって、個々の駆動トランジスタTdrの
検査を行うこともできる。
このような状態とすることにより、駆動トランジスタTdrのゲートの電位に応じた電流
が給電線17に出力される。この特性検査においては、各データ線14の電位は各々独立
に制御されている。これによって、駆動トランジスタTdrのゲート・ソース間電圧Vgsを
設定することできる。そして、駆動トランジスタTdrからの電流を測定すれば、駆動トラ
ンジスタTdrの特性を検査することができる。
仮に、給電線17を図10に示すように走査線121と同じ方向に配置したとすると、
1行分の画素回路Pからの電流が給電線17’に流れ込むので、個々の駆動トランジスタ
Tdrの特性を検査することができない。これに対して、本実施形態では、走査線121と
交差する方向に給電線17を配置したので、個々の駆動トランジスタTdrの電流に応じて
、個々の駆動トランジスタTdrの良否の判断を容易に行うことができる。
<E:変形例>
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば
以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
(1)変形例1
以上の実施形態においては、トランジスタTr2とトランジスタTr3とが逆導電型のトラ
ンジスタとされた構成を例示したが、トランジスタTr2とトランジスタTr3とを相補的に
動作させるための構成はこれに限定されない。例えば、図11に示されるように、トラン
ジスタTr2とトランジスタTr3とを同じ導電型(ここではnチャネル型)のトランジスタ
としてもよい。この構成においては、トランジスタTr2のゲートが第1走査線121aに
接続されるとともにトランジスタTr3のゲートが第2走査線121bに接続される。そし
て、第1走査線121aには図4に例示した走査信号GWRT[i]と同波形の第1走査信号G
WRTa[i]が供給され、第2走査線121bには第1走査信号GWRTa[i]の論理レベルを反転
した第2走査信号GWRTb[i]が供給される。この構成においても図5ないし図8に示した
動作が実行される。もっとも、図2のようにトランジスタTr2とトランジスタTr3とが逆
導電型とされた構成においては、各々を共通の走査線121によって制御することができ
るから、図11の態様と比較して構成が簡素化されるという利点がある。
(2)変形例2
図2に示されるトランジスタTr4や発光制御トランジスタTelは適宜に省略される。図
12は、図2に図示されたトランジスタTr4と発光制御トランジスタTelとを省略した画
素回路Pの構成を示す回路図である。この構成のもと、初期化期間PINTにおいては、走
査信号GWRT[i]がローレベルとなり初期化信号GINT[i]がハイレベルとなる。したがって
、トランジスタTr3がオン状態に遷移することによって第1電極L1が電位VSTに維持さ
れたまま、トランジスタTr1を介してダイオード接続された駆動トランジスタTdrのゲー
トは閾値電圧Vthに応じた電位VG(=VEL−Vth)に収束する。
続く書込期間PWRTにおいては、ローレベルの初期化信号GINT[i]によってトランジス
タTr1がオフ状態とされる。さらに、走査信号GWRT[i]がハイレベルに遷移することによ
ってトランジスタTr2がオン状態となるから、第1実施形態と同様の原理によって駆動ト
ランジスタTdrのゲートはデータ電位VD[i]に応じた電位VG(式(1))に設定される。
さらに、発光期間PELにおいては、走査信号GWRT[i]および初期化信号GINT[i]の双方
がローレベルを維持する。このローレベルの走査信号GWRT[i]によってトランジスタTr3
がオン状態となるから、第1電極L1の電位は電位VSTに固定される。したがって、駆動
トランジスタTdrのゲートの電位VGの変動は防止される。以上のように、図12の構成
においても第1電極L1のフローティング状態は回避されるから、第1実施形態と同様に
、画素回路Pの規模の肥大化を抑制しながら駆動トランジスタTdrのゲートの電位の変動
を抑制することができる。
(3)変形例3
画素回路Pを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。例えば、図2にお
ける駆動トランジスタTdrはnチャネル型であってもよい。この場合においても、給電線
17に供給される電位VSTは、駆動トランジスタTdrのゲートに供給されたときにこの駆
動トランジスタTdrをオン状態とする電位に設定される。なお、駆動トランジスタTdrが
nチャネル型である構成においてトランジスタTd1は駆動トランジスタTdrのゲートと電
源線(電位VEL)の間に介挿される。また、OLED素子は電気光学素子11の一例に過
ぎない。例えば、OLED素子に代えて、無機EL素子やLED(Light Emitting Diode
)素子といった様々な発光素子を本発明における電気光学素子として採用することができ
る。本発明における電気光学素子は、電流の供給によって階調(典型的には輝度)が変化
する素子であれば足り、その具体的な構造の如何は不問である。
<F:応用例>
次に、本発明に係る電気光学装置Dを利用した電子機器について説明する。図13は、
以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置Dを表示装置として採用したモバイル型
のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000
は、表示装置としての電気光学装置Dと本体部2010とを備える。本体部2010には
、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この電気光学装置
Dは電気光学素子11にOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表
示できる。
図14に、実施形態に係る電気光学装置Dを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに
表示装置としての電気光学装置Dを備える。スクロールボタン3002を操作することに
よって、電気光学装置Dに表示される画面がスクロールされる。
図15に、実施形態に係る電気光学装置Dを適用した携帯情報端末(PDA:Personal
Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン40
01および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての電気光学装置Dを備える。
電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気
光学装置Dに表示される。
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図13から図15に
示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーショ
ン、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパ
ネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の
表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置
においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘ
ッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用される
。本発明にいう単位回路とは、各実施形態のように表示装置の画素を構成する画素回路の
ほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。
本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 画素回路の構成を示す回路図である。 電気光学装置の要部の構成を概念的に示す平面図である。 各信号の波形を示すタイミングチャートである。 リセット期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 補償期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 書込期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 発光期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 測定期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 従来の画素回路のリセット時の動作を概念的に説明するための回路図である。 変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。 変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 従来の画素回路の構成を示す回路図である。
符号の説明
D……電気光学装置、P……画素回路、10……画素アレイ部、11……電気光学素子、
12……制御線、121……走査線、123……第1制御線123、125……第2制御
線125、127……発光制御線127、14……データ線、17……給電線、22……
走査線駆動回路、24……データ線駆動回路、27……電圧生成回路、Tdr……駆動トラ
ンジスタ、Tel……発光制御トランジスタ、Tr1,Tr2,Tr3,Tr4……トランジスタ、
GWRT[i]……走査信号、GPRE[i]……リセット信号、GINT[i]……初期化信号、GEL[i]
……発光制御信号、PINT……初期化期間、Pa……リセット期間、Pb……補償期間、PW
RT……書込期間、PEL……発光期間、PT……測定期間。

Claims (8)

  1. 複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給される電気光学装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、
    第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、
    前記書き込み期間とは異なる初期化期間において前記第電極に電気的に接続されるとともに、定電位が供給されている給電線と、
    少なくとも前記初期化期間において、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通させる第1スイッチング素子と、
    前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、
    を具備し、
    前記初期化期間に、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、
    前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記給電線と前記第1電極との間の導通および非導通を切り替えるとともに、少なくとも前記初期化期間において、前記給電線と前記第1電極とを導通させる第3スイッチング素子をさらに有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
  3. 前記第3スイッチング素子は、前記第2スイッチング素子がオフ状態にあるとき、オン状態となる
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
  4. 複数のデータ線と、複数の走査線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給される電気光学装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、
    第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、
    前記書き込み期間とは異なる初期化期間において前記第1電極に電気的に接続されるとともに、定電位が供給されている給電線と、
    少なくとも前記初期化期間において、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通させる第1スイッチング素子と、
    前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、
    を具備し、
    前記初期化期間に、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、
    前記書き込み期間の後であって、電源電圧を供給する電源線から前記駆動トランジスタを介して前記電気光学素子に前記駆動電流を供給する期間において、前記給電線は前記第1電極に電気的に接続され、
    前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  5. 複数のデータ線と、複数の走査線と、複数の給電線と、前記データ線と前記走査線との交差に対応して設けられた複数の単位回路とを備え、前記データ線には階調に応じたデータ電位が供給され、前記走査線には前記データ電位を前記単位回路に書き込む期間を指定する走査信号が供給され、前記給電線には定電位が供給される電気光学装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    ゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタが生成する駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、
    前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの導通および非導通を切り替える第1スイッチング素子と、
    第1電極と前記駆動トランジスタのゲートに接続された第2電極とを有する容量素子と、
    前記データ線と前記第1電極との間の導通および非導通を前記走査信号に基づいて切り替える第2スイッチング素子と、
    前記給電線と前記第1電極との間の導通および非導通を切り替える第3スイッチング素子であって、前記第2スイッチング素子がオン状態にあるときにオフ状態となり前記第2スイッチング素子がオフ状態にあるときにオン状態となる第3スイッチング素子と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に介挿されて両者の導通および非導通を切り替える第4スイッチング素子とを具備し、
    前記第2スイッチング素子がオフ状態であって、前記第3及び第4スイッチング素子がオン状態である期間において、前記複数の走査線のうち1の走査線に対応する複数の単位回路において、同じタイミングで前記第1電極は前記給電線に電気的に接続され、
    前記給電線は、前記走査線に対して交差する向きに配置される、
    ことを特徴とする電気光学装置。
  6. 前記複数の単位回路の各々の前記駆動トランジスタに電源電圧を供給する複数の電源線を備え、
    前記給電線の少なくとも一部は、絶縁層を介して前記電源線とは異なる配線層に設けられており、
    前記給電線は、前記電源線と交差するように設けられており、
    前記絶縁層を介して前記給電線と前記電源線が交差する部分において、容量を形成した、
    ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置。
  7. 前記複数の単位回路の各々において、
    前記第2スイッチング素子と前記第3スイッチング素子とは逆導電型のトランジスタであり、
    前記第2スイッチング素子のゲートと前記第3スイッチング素子のゲートとには共通の前記走査信号が供給される
    請求項またはに記載の電気光学装置。
  8. 請求項乃至6のうちいずれか1項に記載の電気光学装置を具備する電子機器。
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