JP5360684B2 - 発光装置、電子機器および画素回路の駆動方法 - Google Patents

発光装置、電子機器および画素回路の駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、発光装置、電子機器および画素回路の駆動方法に関する。
近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機EL(ElectroLuminescent)素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下「OLED素子」という)素子が注目されている。この種の発光素子は電流の供給によって階調(典型的には輝度)が変化する。この電流を駆動トランジスタによって制御する構成が従来から提案されている。
特許文献1に開示された発光装置の画素回路は、駆動トランジスタとOLED素子との間に発光制御トランジスタを備えている。さらに、駆動電流の経路上における発光制御トランジスタと発光素子との間のノードと、定電位線との間にスイッチングトランジスタを備えている。この構成によれば、発光制御トランジスタをオフ状態とすることで、非点灯時にOLED素子に電流が流れないようにできる。さらに、スイッチングトランジスタをオン状態とすることで、発光制御トランジスタのリーク電流による微発光を無くし、いわゆる黒浮きを抑制することができる。
特許公報第4131227号
ところで、特許文献1に開示された発光装置では、データ電位の書き込みが終了すると、スイッチングトランジスタはオフ状態に設定される一方、発光制御トランジスタはオン状態に設定される。ここで、スイッチングトランジスタがオフ状態になるタイミングと、発光制御トランジスタがオン状態になるタイミングとはほぼ同じである。このため、データ電位の書き込み終了時に駆動トランジスタと発光制御トランジスタとの間のノードに残存する電荷が、発光期間の開始時にOLED素子へ流れることにより、駆動電流の供給による本来の発光とは異なる発光が瞬間的に起こるという問題があった。
以上の事情に鑑みて、本発明は、駆動トランジスタと発光制御トランジスタとの間のノードに残存した電荷に起因した発光素子の発光を抑制するという課題の解決を目的としている。
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、画素回路と、画素回路を駆動する駆動回路と、を具備する発光装置であって、画素回路は、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、駆動電流に応じた階調になる発光素子と、駆動トランジスタと発光素子との間に配置される発光制御トランジスタと、発光制御トランジスタと発光素子との間のノードと、給電線と、の間に配置される放電用トランジスタと、第1電極および第2電極を有し、第1電極は駆動トランジスタのゲートに接続される容量素子と、駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に介在する第1スイッチング素子と、を備え、駆動回路は、発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、補償期間において、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させ、第1スイッチング素子をオフ状態に設定して、補償期間の後の書込期間において、駆動トランジスタのゲートの電位を発光素子の指定階調に応じた電位に設定し、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタをオン状態に設定することで、補償期間の後の放電期間において、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタを介して給電線へ至る経路に電流を流し、放電用トランジスタをオフ状態に設定する一方、発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、放電期間の後の発光期間において、駆動電流を発光素子へ供給する。
この構成によれば、発光期間の直前に設けられた放電期間において、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタがオン状態に設定されるから、データ電位の書き込み終了時に駆動トランジスタと発光制御トランジスタとの間に残存する電荷を十分に除去することが可能となる。したがって、駆動トランジスタと発光制御トランジスタとの間に残存する電荷に起因した発光素子の発光を抑制できるという利点がある。
本発明に係る発光装置の態様として、駆動回路は、発光制御トランジスタ、放電用トランジスタおよび第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、補償期間の前の初期化期間において駆動回路を初期化する。この態様によれば、容量素子に残存する電荷は、第1スイッチング素子、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタを介して給電線へ流れる。すなわち、データ電位の書き込み前に容量素子に残存していた電荷を放電することができる。
本発明に係る発光装置の態様として、画素回路は、第1電位が供給される第1電源線と、第1電位より低い第2電位が供給される第2電源線との間に配置され、給電線に供給される電位は、放電期間におけるノードの電位が、第2電位よりも発光素子の閾値電圧だけ高い電位を下回るように設定される。
この態様によれば、例えば補償動作やデータ電位の書き込みによってノードに蓄積される電荷は、放電用トランジスタを介して給電線へ放電される。すなわち、駆動トランジスタと発光制御トランジスタとの間のノードに残存する電荷を、発光期間の開始前において確実に除去することができるという利点がある。
本発明に係る発光装置の態様として、画素回路は、指定階調に対応するデータ電位が供給されるデータ線と第2電極との間に介在する第2スイッチング素子を備え、駆動回路は、第2スイッチング素子のオンオフを制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、制御信号を反転および遅延させる処理回路と、を備え、発光制御トランジスタは、処理回路から出力される信号によってオンオフが制御される。
この態様によれば、発光制御トランジスタのオンオフを制御する制御信号を生成する回路を別に設ける必要がないから、構成を簡素化できる。例えば、複数の画素回路をマトリクス状に配列する場合は、各行の画素回路における第2スイッチング素子や発光制御トランジスタのオンオフを制御するための信号は、シフトレジスタを用いて生成するのが一般的である。この態様によれば、第2スイッチング素子のオンオフを制御する制御信号を反転および遅延させることで、発光制御トランジスタのオンオフを制御する信号が生成されるので、発光制御トランジスタのオンオフを制御する信号を生成するためのシフトレジスタを別に設ける必要が無いという利点がある。
本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えることを特徴とし、そのような電子機器としては、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、あるいは電子カメラなどが該当する。
また、本発明は画素回路の駆動方法として捉えることもできる。本発明に係る画素回路の駆動方法は、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動電流に応じた階調になる発光素子と、駆動トランジスタと発光素子との間に配置される発光制御トランジスタと、発光制御トランジスタと発光素子との間のノードと、給電線と、の間に配置される放電用トランジスタと、第1電極および第2電極を有し、第2電極は駆動トランジスタのゲートに接続される容量素子と、駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に介在する第1スイッチング素子と、を備える画素回路の駆動方法であって、補償期間において、発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させ、補償期間の後の書込期間において、第1スイッチング素子をオフ状態に設定して、駆動トランジスタのゲートの電位を発光素子の指定階調に応じた電位に設定し、補償期間の後の放電期間において、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタをオン状態に設定することで、発光制御トランジスタおよび放電用トランジスタを介して給電線へ至る経路に電流を流し、放電期間の後の発光期間において、放電用トランジスタをオフ状態に設定する一方、発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、駆動電流を発光素子へ供給することが好ましい。
本発明の実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。 同実施形態に係る画素回路の構成を示す回路図である。 走査線駆動回路から出力される各信号の具体的な波形を示す図である。 走査線駆動回路の一部の構成を示す図である。 処理回路の詳細な内容を示す図である。 処理回路から出力される信号の具体的な波形を示す図である。 初期化期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 補償期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 書込期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 放電期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 発光期間における画素回路の動作を説明するための回路図である。 本発明の変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。 本発明の変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
<A:発光装置の構成>
図1は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示すブロック図である。この発光装置10は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、複数の画素回路Pが面状に配列された画素アレイ部100と、各画素回路Pを駆動する駆動回路200と、発光装置10で利用される各種電位を生成する電源回路24と、制御回路30とを有する。
図1に示すように、画素アレイ部100には、X方向に延在するm本の走査線102と、X方向に直交するY方向に延在するn本のデータ線104とが設けられる(mおよびnは自然数)。各画素回路Pは、走査線102とデータ線104との交差に対応する位置に配置される。従って、これらの画素回路Pは縦m行×横n列のマトリクス状に配列する。図2に示すように、本実施形態では、走査線102に平行するように、第1制御線110、第2制御線120および第3制御線130が行毎にX方向に延在する。
図1に示す駆動回路200は、走査線駆動回路20とデータ線駆動回路22とを含む。走査線駆動回路20は、1水平走査期間ごとに1行ずつ走査線102を選択するとともに、この選択に同期した制御信号を、図2に示す第1制御線110、第2制御線120および第3制御線130に供給する。説明の便宜上、第i行目(iは1≦i≦mを満たす整数)の走査線102に供給される走査信号をGWRT[i]と表記する。また、第i行目の第1制御線110に供給される第1制御信号をG1[i]、第2制御線120に供給される第2制御信号をG2[i]、第3制御線130に供給される第3制御信号をG3[i]と表記する。
図1に示すデータ線駆動回路22は、各水平走査期間で走査線駆動回路20が選択した走査線102に対応する1行分のn個の画素回路Pの各々に対応するデータ電位VD[1]ないしVD[n]を生成して各データ線104に出力する。第i行が選択される水平走査期間において第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)のデータ線104に出力されるデータ電位VD[j]は、第i行の第j列目に位置する画素回路Pに対して指定された階調に対応する電位となる。
図1に示す電源回路24は、電源の高位側の電位VELと、低位側の電位VCTと、電位VCCとを生成する。電位VELは、図2に示す第1電源線140を介して全ての画素回路Pに共通に供給される。同様に、電位VCTは、図2に示す第2電源線150を介して各画素回路Pに供給され、電位VCCは、図2に示す第3電源線160を介して各画素回路Pに供給される。
図1に示す制御回路30は、走査線駆動回路20及びデータ線駆動回路22に、それぞれクロック信号(図示省略)などを供給してこれらの回路を制御するとともに、データ線駆動回路22に、画素アレイ部100における各画素回路Pの1フレーム毎の階調を規定する画像データを供給する。
次に、図2を参照して、各画素回路Pの構成を説明する。同図においては、第i行の第j列目に位置するひとつの画素回路Pのみを図示しているが、その他の画素回路Pも同様の構成である。同図に示すように、画素回路Pは、第1電源線140と第2電源線150との間に配置される。そして、画素回路Pは、Pチャネル型の駆動トランジスタ200と、Nチャネル型の発光制御トランジスタ210と、Nチャネル型の放電用トランジスタ220と、容量素子Caと、Nチャネル型の第1スイッチング素子230と、Nチャネル型の第2スイッチング素子240と、OLED素子11とを有する。なお、図2に示す容量CcはOLED素子11に付随する寄生容量である。OLED素子11は、陽極と陰極との間に有機EL材料の発光層を介在させた発光素子である。
図2に示すように、第1電源線140からOLED素子11に至る電流経路上に駆動トランジスタ200と発光制御トランジスタ210とが配置される。駆動トランジスタ200は、ゲートの電位に応じた駆動電流Ielを生成するための手段である。駆動トランジスタ200のソースは第1電源線140に接続され、ドレインは発光制御トランジスタ210のドレインに接続される。
発光制御トランジスタ210は、OLED素子11に対する駆動電流Ielの供給の可否を決定する手段である。発光制御トランジスタ210のソースはOLED素子11の陽極に接続され、発光制御トランジスタ210のゲートは第1制御線110に接続される。
OLED素子11の陰極には第2電源線150が接続される。また、駆動電流Ielの経路上における発光制御トランジスタ210と発光素子11との間のノードNDには、放電用トランジスタ220のドレインが接続される。放電用トランジスタ220のソースは第3電源線160に接続され、ゲートは第2制御線120に接続される。第3電源線160に供給される電位VCCは、放電用トランジスタ220がオン状態のときにおけるノードNDの電位が、第2電源線150に供給される電位VCTよりも発光素子11の閾値電圧だけ高い電位を下回るように設定される。
第1スイッチング素子230は、駆動トランジスタ200のゲートとドレインとの間に配置される。第1スイッチング素子230のゲートは、第3制御線130に接続される。
容量素子Caは、駆動トランジスタ200のゲートの電位を保持するための手段である。容量素子Caは、第1電極Aおよび第2電極Bを有する。第1電極Aは、駆動トランジスタ200のゲートに接続される。第2電極Bとデータ線104との間には、第2スイッチング素子240が介在する。第2スイッチング素子240のゲートは走査線102に接続される。
次に、図3を参照しながら、走査線駆動回路20が生成する各信号の具体的な波形について説明する。図3に示すように、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]は、水平走査期間(1H)ごとに順番にハイレベルとなる。すなわち、走査信号GWRT[i]は、垂直走査期間(1V)のうち第i番目の水平走査期間においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間ではローレベルを維持する。走査信号GWRT[i]のハイレベルへの遷移は第i行の各画素回路Pの選択を意味する。なお、図3においては走査信号GWRT[i]の立ち上がりとその次行の走査信号GWRT[i+1]の立ち下がりとを同時とした場合が例示されているが、走査信号GWRT[i]の立ち上がりから所定の時間が経過したタイミングで次行の走査信号GWRT[i+1]が立ち下がる構成としてもよい。
図3に示すように、1水平走査期間1Hには、初期化期間PINTと、補償期間PHと、書込期間PWRTとが割り当てられており、書込期間PWRTの後の放電期間Prが終了すると、発光期間PELが開始する。
初期化期間PINTにおいては、走査線駆動回路20は、第1制御信号G1[i]、第2制御信号G2[i]および第3制御信号G3[i]をハイレベルに設定する。
補償期間PHにおいては、走査線駆動回路20は、第1制御信号G1[i]をローレベルに設定し、他の信号については初期化期間PINTの状態を維持する。
書込期間PWRT[i]においては、走査線駆動回路20は、第3制御信号G3[i]をローレベルに設定し、他の信号については補償期間PHの状態を維持する。
放電期間Prにおいては、走査線駆動回路20は、走査信号GWRT[i]をローレベルに設定し、第2制御信号G2[i]をハイレベルに設定する。他の信号については書込期間PWRTの状態を維持する。
図3からも理解されるように、第1制御信号G1[i]は、走査信号GWRT[i]を反転および遅延させた波形である。そこで、本実施形態では、走査信号GWRT[i]から第1制御信号G1[i]を生成している。図4は、走査線駆動回路20のうち走査信号GWRT[i]と第1制御信号G1[i]とを生成する部分を示す図である。図4に示すように、走査線駆動回路20のうち走査信号GWRT[i]と第1制御信号G1[i]とを生成する部分は、シフトレジスタ21と、m個の処理回路23とを含む。シフトレジスタ21には、制御回路(図示省略)から出力されるスタートパルスSPおよびクロック信号YCLKが供給される。シフトレジスタ21は、クロック信号YCLKに従ってスタートパルスSPを順次転送して、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]を生成する。m個の処理回路23は、m本の各行に対応して設けられている。ここでは、第i行目の処理回路23について説明するが、他の行の処理回路23も同様に構成されている。
処理回路23は、走査信号GWRT[i]を反転および遅延させるための手段である。図5に示すように、処理回路23は、インバータ300と遅延回路302とを含む。シフトレジスタ21から出力された走査信号GWRT[i]は、インバータ300に入力される。図5および図6に示すように、インバータ300は、入力された走査信号GWRT[i]の論理レベルを反転させて反転信号301を遅延回路302へ出力する。図6に示すように、遅延回路302は、時間長△td1だけ反転信号301を遅延させることで、第1制御信号G1[i]を生成する。
本実施形態によれば、第1制御信号G1[i]を生成するためのシフトレジスタを別に設ける必要が無いから、第1制御信号G1[i]を生成するためのシフトレジスタを別に設ける構成と比べて、走査線駆動回路20を実装するための基板上のスペースを減らすことが可能となる。また、いわゆる額縁(表示に寄与しない部分)を小さくできるだけでなく、回路数が減るので、歩留まりも向上させることができるという利点がある。
<B:発光装置の動作>
次に、図7〜図11を参照しながら、画素回路Pの具体的な動作について説明する。以下では、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、初期化期間PINT、補償期間PH、書込期間PWRT、放電期間Prおよび発光期間PELに区分して説明する。
(a)初期化期間PINT
図7に初期化期間PINTにおける画素回路Pの具体的な動作を示す。図7に示すように、初期化期間PINTにおいては、発光制御トランジスタ210、放電用トランジスタ220、第1スイッチング素子230および第2スイッチング素子240が全てオン状態になる。このとき、容量素子Caの第1電極Aは、第1スイッチング素子230、発光制御トランジスタ210および放電用トランジスタ220を介して第3電源線160と導通するから、第1電極Aの電位はVCCに設定される。すなわち、駆動トランジスタ200のゲートの電位もVCCに設定(初期化)される。また、容量素子Caの第2電極Bは、第2スイッチング素子240を介してデータ線104と導通するから、第2電極Bの電位は、データ線104に供給される所定の電位に設定される。このとき、データ線104に供給される所定の電位をVSTと表記する。
(b)補償期間PH
図8に補償期間PHにおける画素回路Pの具体的な動作を示す。補償期間PHにおいては、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償動作が行われる。図8に示すように、補償期間PHにおいては、発光制御トランジスタ210がオフ状態に設定される一方、放電用トランジスタ220、第1スイッチング素子230および第2スイッチング素子240はオン状態に設定される。このとき、駆動トランジスタ200はダイオード接続の状態になり、駆動トランジスタ200の閾値電圧をVthとすると、駆動トランジスタ200のゲート・ソース間の電圧は「VEL−Vth」に漸近する。
(c)書込期間PWRT
図9に書込期間PWRTにおける画素回路Pの具体的な動作を示す。図9に示すように、書込期間PWRTにおいては、発光制御トランジスタ210および第1スイッチング素子230がオフ状態に設定される一方、放電用トランジスタ220および第2スイッチング素子240はオン状態に設定される。このとき、データ線104には、第i行第j列の画素回路Pにおける発光素子11の指定階調に応じたデータ電位VD[j]が供給される。したがって、容量素子Caの第2電極Bの電位は、VSTからVD[j]に変化する。
図9に示すように、第1スイッチング素子230はオフ状態に遷移するから、駆動トランジスタ200のゲートは電気的にフローティング状態になる。したがって、第2電極Bが、補償期間PHにおける電位VSTからデータ電位VD[j]まで変化量△V(=VST−VD[j])だけ変動すると、第1電極Aの電位(駆動トランジスタ200のゲートの電位)は容量結合によってその直前の電位(VEL−Vth)から変動する。このときの第1電極Aの電位の変動量は、容量素子Caとその他の寄生容量(例えば駆動トランジスタ200のゲート容量やその他の配線に寄生する容量)との容量比に応じて定まる。より具体的には、容量素子Caの容量値を「C」とし寄生容量の容量値を「Cs」とすると、第1電極Aの電位の変化分は「△V・C/(C+Cs)」と表現される。したがって、書込期間PWRTにおいて駆動トランジスタ200のゲートの電位は以下の式(1)で表現されるレベルに安定する。
VG=VEL−Vth−k×△V ・・・(1)
上記の式(1)におけるVGは、駆動トランジスタ200のゲートの電位を表す。また、式(1)におけるkはC/(C+Cs)である。
(d)放電期間Pr
図10に放電期間Prにおける画素回路Pの具体的な動作を示す。図10に示すように、放電期間Prにおいては、発光制御トランジスタ210および放電用トランジスタ220がオン状態に設定される一方、第1スイッチング素子230および第2スイッチング素子240はオフ状態に設定される。これにより、図10に示すように、第1電源線140から、駆動トランジスタ200、発光制御トランジスタ210および放電用トランジスタ220を介して第3電源線160へ至る電流経路が形成される。前述したように、電位VCCは、放電用トランジスタ220がオン状態のときにおけるノードNDの電位が、第2電源線150に供給される電位VCTよりも発光素子11の閾値電圧だけ高い電位を下回るように設定されるから、駆動トランジスタ200および発光制御トランジスタ210を流れる電流は、発光素子11へ流れ込まずに、オン状態の放電用トランジスタを介して第3電源線160へ流れ込む。したがって、前述の補償期間PHや書込期間PWRTにおける画素回路Pの動作によって駆動トランジスタ200のドレインと発光制御トランジスタ210のドレインとの間に蓄積された電荷は、放電用トランジスタ220を介して第3電源線160へ放電される。
(e)発光期間PEL
図11に発光期間PELにおける画素回路Pの具体的な動作を示す。図11に示すように、発光期間PELにおいては、発光制御トランジスタ210がオン状態に設定される一方、放電用トランジスタ220、第1スイッチング素子230および第2スイッチング素子240はオフ状態に設定される。このとき、駆動トランジスタ200で生成される駆動電流Ielが、発光制御トランジスタ210を介してOLED素子11へ供給される。これにより、OLED素子11はデータ電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
発光期間PELにおいて発光素子11に流れる駆動電流Ielは、以下の式(2)で表現される。ただし、「β」は駆動トランジスタ200の利得係数であり、「Vgs」は駆動トランジスタ200のゲート・ソース間の電圧である。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)
=(β/2)(VEL−VG−Vth) ・・・(2)
式(1)の代入によって、式(2)は以下のように変形される。
Iel=(β/2){VEL−(VEL−Vth−k×△V)−Vth}
=(β/2)(k×△V)
つまり、発光素子11に供給される駆動電流Ielは、データ電位VD[j]と電位VSTとの差分値△V(△V=VST−VD[j])によって決定され、駆動トランジスタ200の閾値電圧Vthには依存しない。
以上に説明したように、本実施形態では、発光期間PELの直前の放電期間Prにおいて、発光制御トランジスタ210および放電用トランジスタ220を同時にオン状態に設定することで、その前の補償動作やデータ電位VDの書き込みによって駆動トランジスタ200のドレインと発光制御トランジスタ210のドレインとの間に蓄積された電荷を第3電源線160へ放電することができる。したがって、データ電位VDの書き込み終了時に駆動トランジスタ200のドレインと発光制御トランジスタ210のドレインとの間に残存する電荷が、発光期間PELの開始直後にOLED素子11へ流れることにより、駆動電流Ielの供給による本来の発光とは異なる発光が瞬間的に起こることを抑制できるという利点がある。
また、本実施形態において、放電期間Prの時間長は、駆動トランジスタ200のドレインと発光制御トランジスタ210のドレインとの間に蓄積された電荷を十分に除去できる程度の長さに設定されるから、発光期間PELの開始直後において、駆動電流Ielの供給による本来の発光とは異なる発光が瞬間的に起こることをより効果的に抑制できる。
さらに、本実施形態では、電位VCCの値は、放電用トランジスタ220がオン状態のときにおけるノードNDの電位が、電位VCTよりも発光素子11の閾値電圧だけ高い電位を下回るような値に設定されているが、例えば、電位VCCは、放電用トランジスタ220がオン状態のときにおけるノードNDの電位が電位VCTを下回るように設定することもできる。前述したように、放電用トランジスタ220は、補償期間PHおよび書込期間PWRTにおいてもオン状態に設定されており、このときのノードNDの電位がVCTを下回ることにより、容量素子11に付随する寄生容量Ccに残存する電荷を第3電源線160へ放電することが可能になる。
<C:変形例>
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
(1)変形例1
図12に示すように、第3電源線160は省略され得る。図12に示す構成では、放電用トランジスタ220のソースは第2電源線150に接続される。図12の構成によれば、上述の実施形態に比べて電源線の本数を少なくすることができるという利点がある。ただし、図12の構成において、放電用トランジスタ220がオン状態のときにおけるノードNDの電位は、電位VCTよりも発光素子11の閾値電圧だけ高い電位を下回る。
(2)変形例2
上述の実施形態では、放電用トランジスタ220をNチャネル型としているが、これに限らず、放電用トランジスタ220をPチャネル型とすることもできる。ただし、放電用トランジスタ220がNチャネル型で構成される態様によれば、放電用トランジスタ220がオフ状態のときにそのゲートに供給される電位を、放電用トランジスタ220がPチャネル型で構成される態様に比べて低くできる。したがって、放電用トランジスタ220がオフ状態のときに、放電用トランジスタ220に発生するリーク電流の量を少なくすることができるという利点がある。
(3)変形例3
図13に示すように、電位VSTが供給される第4電源線と第2電極Bとの間に第3スイッチング素子250を設けることもできる。第3スイッチング素子250のゲートは、第4制御信号G4[i]が供給される第4制御線180に接続される。図13に示す態様においては、走査線駆動回路20は、書込期間PWRTにおいてのみ走査信号GWRT[i]をハイレベルに設定し、初期化期間PINTおよび補償期間PHにおいては走査信号GWRT[i]をローレベルに設定する。一方、走査線駆動回路20は、初期化期間PINTおよび補償期間PHにおいて第4制御信号G4[i]をハイレベルに設定し、その他の期間においては第4制御信号G4[i]をローレベルに設定する。これにより、初期化期間PINTおよび補償期間PHにおいて第3スイッチング素子250がオン状態に設定されるから、第2電極Bは、第3スイッチング素子250を介して第4電源線170と導通する。したがって、初期化期間PINTおよび補償期間PHにおいて、第2電極Bの電位は電位VSTに設定される。
(4)変形例4
上述の実施形態における処理回路23では、インバータ300が遅延回路302の前段に設けられているが、これに限らず、遅延回路302がインバータ300の前段に設けられるという態様とすることもできる。要するに、処理回路23は、走査信号GWRT[i]を反転および遅延させる手段であればよい。
(5)変形例5
上述の各実施形態においては、発光素子の一例として、OLED素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよい。要は、駆動電流に応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。
<D:応用例>
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図14は、以上に説明した実施形態に係る発光装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置10はOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
図15に、実施形態に係る発光装置10を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての発光措置10を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、発光装置10に表示される画面がスクロールされる。
図16に、実施形態に係る発光装置10を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての発光装置10を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置Dに表示される。
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図14から図16に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
10……発光装置、11……発光素子、20……走査線駆動回路、21……シフトレジスタ、22……データ線駆動回路、23……処理回路、102……走査線、104……データ線、110……第1制御線、120……第2制御線、130……第3制御線、140……第1電源線、150……第2電源線、160……第3電源線、200……駆動トランジスタ、210……発光制御トランジスタ、220……放電用トランジスタ、230……第1スイッチング素子、240……第2スイッチング素子、Ca……容量素子、P……画素回路。

Claims (7)

  1. 画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を具備する発光装置であって、
    前記画素回路は、
    駆動電流を生成するPチャネル型駆動トランジスタと、
    前記駆動電流に応じた階調になる発光素子と、
    前記駆動トランジスタのドレインと前記発光素子の陽極との間に配置される発光制御トランジスタと、
    前記発光制御トランジスタと前記発光素子の陽極との間のノードと、給電線と、の間に配置される放電用トランジスタと、
    第1電極および第2電極を有し、前記第1電極は前記駆動トランジスタのゲートに接続される容量素子と、
    前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に介在する第1スイッチング素子と、を備え、
    前記駆動回路は、
    前記発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、補償期間において、前記駆動トランジスタを前記陽極から切り離した状態で前記駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に近づけさせ、
    前記発光制御トランジスタ及び前記第1スイッチング素子をオフ状態に設定して、前記補償期間の後の書込期間において、前記駆動トランジスタを前記陽極から切り離した状態で前記駆動トランジスタのゲートの電位を前記発光素子の指定階調に応じた電位に設定し、
    前記第1スイッチング素子をオフ状態に設定する一方、前記発光制御トランジスタおよび前記放電用トランジスタをオン状態に設定することで、前記補償期間の後の放電期間において、前記発光制御トランジスタおよび前記放電用トランジスタを介して前記給電線へ至る経路に電流を流して前記駆動トランジスタのドレインに蓄積された電荷を放電し
    前記第1スイッチング素子及び前記放電用トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、前記放電期間の後の発光期間において、前記駆動電流を前記発光素子へ供給する、
    発光装置。
  2. 前記駆動回路は、
    前記発光制御トランジスタ、前記放電用トランジスタおよび前記第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、前記補償期間の前の初期化期間において駆動回路を初期化する、
    請求項1の発光装置。
  3. 前記画素回路は、第1電位が供給される第1電源線と、前記第1電位より低い第2電位が供給される第2電源線との間に配置され、
    前記給電線に供給される電位は、前記放電期間における前記ノードの電位が、前記第2電位よりも前記発光素子の閾値電圧だけ高い電位を下回るように設定される、
    請求項1または請求項2の発光装置。
  4. 前記画素回路は、
    前記指定階調に対応するデータ電位が供給されるデータ線と前記第2電極との間に介在する第2スイッチング素子を備え、
    前記駆動回路は、
    前記第2スイッチング素子のオンオフを制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、
    前記制御信号を反転および遅延させる処理回路と、を備え、
    前記発光制御トランジスタは、前記処理回路から出力される信号によってオンオフが制御される、
    請求項1から請求項3の何れかの発光装置。
  5. 前記放電用トランジスタはNチャネル型のトランジスタである、
    請求項1から請求項4の何れかの発光装置。
  6. 請求項1から請求項5の何れかの発光装置を具備する電子機器。
  7. 駆動電流を生成するPチャネル型駆動トランジスタと、前記駆動電流に応じた階調になる発光素子と、前記駆動トランジスタのドレインと前記発光素子の陽極との間に配置される発光制御トランジスタと、前記発光制御トランジスタと前記発光素子の陽極との間のノードと、給電線と、の間に配置される放電用トランジスタと、第1電極および第2電極を有し、前記第1電極は前記駆動トランジスタのゲートに接続される容量素子と、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの間に介在する第1スイッチング素子と、を備える画素回路の駆動方法であって、
    補償期間において、前記発光制御トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記第1スイッチング素子をオン状態に設定することで、前記駆動トランジスタを前記陽極から切り離した状態で前記駆動トランジスタのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧に漸近させ、
    前記補償期間の後の書込期間において、前記発光制御トランジスタ及び前記第1スイッチング素子をオフ状態に設定して、前記駆動トランジスタを前記陽極から切り離した状態で前記駆動トランジスタのゲートの電位を前記発光素子の指定階調に応じた電位に設定し、
    前記補償期間の後の放電期間において、前記第1スイッチング素子をオフ状態に設定する一方、前記発光制御トランジスタおよび前記放電用トランジスタをオン状態に設定することで、前記発光制御トランジスタおよび前記放電用トランジスタを介して前記給電線へ至る経路に電流を流して前記駆動トランジスタのドレインに蓄積された電荷を放電し
    前記放電期間の後の発光期間において、前記第1スイッチング素子及び前記放電用トランジスタをオフ状態に設定する一方、前記発光制御トランジスタをオン状態に設定することで、前記駆動電流を前記発光素子へ供給する、
    画素回路の駆動方法。
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