JP2010217661A - 画素回路、発光装置、電子機器及び画素回路の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な構成で黒浮きを低減する。
【解決手段】画素回路Pは、電位VCTが供給される第2電源線と電気的に接続され駆動電流Ielに応じた階調となるOLED素子11と、OLED素子11と駆動トランジスタ200との間に設けられた第1トランジスタ210と、OLED素子11の陽極と電位VCCが供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタ220とを備える。第1トランジスタ210及び第2トランジスタ220のゲートには、共通の第1制御信号をG1[i]が供給される。
【選択図】図2
【解決手段】画素回路Pは、電位VCTが供給される第2電源線と電気的に接続され駆動電流Ielに応じた階調となるOLED素子11と、OLED素子11と駆動トランジスタ200との間に設けられた第1トランジスタ210と、OLED素子11の陽極と電位VCCが供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタ220とを備える。第1トランジスタ210及び第2トランジスタ220のゲートには、共通の第1制御信号をG1[i]が供給される。
【選択図】図2
Description
本発明は、画素回路、発光装置、電子機器及び画素回路の駆動方法に関する。
近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機EL(ElectroLuminescent)素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下「OLED素子」という)素子が注目されている。この種の発光素子は電流の供給によって階調(典型的には輝度)が変化する。この電流を駆動トランジスタによって制御する技術が従来から提案されている。
そのようなOLED素子を含む画素回路として、特許文献1には駆動トランジスタとOLED素子との間に発光制御トランジスタを備え、さらにOLED素子の陽極と固定電位との間にスイッチグトランジスタを備えるものが開示されている。
この画素回路によれば、発光制御トランジスタをオフ状態とすることで、非点灯時にOLED素子に電流が流れないようにでき、さらに、スイッチングトランジスタをオン状態とすることで、発光制御トランジスタのリーク電流による微発光を無くし、いわゆる黒浮きを抑制することができる。
この画素回路によれば、発光制御トランジスタをオフ状態とすることで、非点灯時にOLED素子に電流が流れないようにでき、さらに、スイッチングトランジスタをオン状態とすることで、発光制御トランジスタのリーク電流による微発光を無くし、いわゆる黒浮きを抑制することができる。
しかしながら、従来の画素回路では、発光制御トランジスタやスイッチングトランジスタなどを個別に制御する必要があり、制御配線の数が増加するといった問題があった。
また、従来の画素回路では、黒浮きを抑制することができるが、駆動トランジスタの閾値を補償することができないといった問題もあった。
以上の事情に鑑みて、本発明は、制御線の本数を減らしながら黒浮きを抑制することを解決課題とする。また、本発明の他の解決課題は、駆動トランジスタの閾値電圧を補償しつつ、黒浮きを抑制することにある。
また、従来の画素回路では、黒浮きを抑制することができるが、駆動トランジスタの閾値を補償することができないといった問題もあった。
以上の事情に鑑みて、本発明は、制御線の本数を減らしながら黒浮きを抑制することを解決課題とする。また、本発明の他の解決課題は、駆動トランジスタの閾値電圧を補償しつつ、黒浮きを抑制することにある。
以上の課題を解決するために、本発明に係る画素回路は、第1電位(例えば、図2のVEL)が供給される第1電源線と電気的に接続され、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、第2電位(例えば、図2のVCT)が供給される第2電源線と電気的に接続され、前記駆動電流に応じた階調となる発光素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間に設けられた第1トランジスタと、前記発光素子及び前記第1トランジスタの接続点と第3電位(例えば、図2のVCC)が供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタと、前記第1トランジスタのゲートと前記第2トランジスタのゲートとは電気的に接続され、前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとは、チャネルの型が相違することを特徴とする。
この画素回路によれば、第1トランジスタと第2トランジスタとのチャネルの型が相違するので、両者のゲートを同じ制御信号を供給すると、一方のトランジスタがオン状態のときに、他方のトランジスタをオフ状態にすることができる。ここで、第1トランジスタは駆動トランジスタと発光素子との間に設けられ、駆動電流を発光素子に供給するか否かを制御する。一方、第2トランジスタは、発光素子と第3電源線との間に設けられ、発光素子が非発光のときに、発光素子の寄生容量に蓄積した電荷を第3電源線に逃がすことができる。第1トランジスタと第2トランジスタとのゲートは電気的に接続されているので、これらのトランジスタを1つの制御信号で排他的にオン・オフすることができる。これにより、黒浮きを抑制しつつ、制御信号を供給する制御線の本数を低減することができる。
なお、発光素子は、有機発光ダイオードや無機発光ダイオードなどの発光ダイオードの他、電流の供給を受けて発光する素子であれば、どのような素子であってもよい。
なお、発光素子は、有機発光ダイオードや無機発光ダイオードなどの発光ダイオードの他、電流の供給を受けて発光する素子であれば、どのような素子であってもよい。
上述した画素回路おいて、データ電位が供給されるデータ線と、前記データ線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に設けられた第3トランジスタとを備えることが好ましい。この場合には、第3トランジスタをオン状態とすることでデータ電位を駆動トランジスタのゲートに書き込むことができる。
本発明に係る他の画素回路は、第1電位が供給される第1電源線と電気的に接続され、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、第2電位が供給される第2電源線と電気的に接続され、前記駆動電流に応じた階調となる発光素子と、前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間に設けられた第1トランジスタと、前記発光素子及び前記第1トランジスタの接続点と第3電位が供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートと一方の端子とが電気的に接続される容量素子と、前記容量素子の他方の端子と前記データ線との間に設けられた第3トランジスタと、前記駆動トランジスタ及び前記第1トランジスタの接続点と前記駆動トランジスタのゲートとの間に設けられた第4トランジスタとを、備えることを特徴とする。
この画素回路によれば、第4トランジスタをオン状態にすることで、駆動トランジスタをダイオード接続して、そのゲート電位を駆動トランジスタの閾値電圧に漸近させることが可能となる。さらに第2トランジスタを備えることによって、発光素子に付随する寄生容量に蓄積された電荷を第3電源線に流すことができるので、黒浮きを抑制することができる。
上述した画素回路において、前記第3電位は前記第2電位以下であることが好ましい。この場合には、第2トランジスタがオン状態となっても第3電位の方が低電位であるので、第3電源線→第2トランジスタ→発光素子→第2電源線の経路で電流が流れることがない。
また、上述した画素回路において、前記3電源線を介して前記第3電位を前記第2トランジスタに供給する替わりに、前記第2電源線と前記第2トランジスタとを電気的に接続することが好ましい。この場合には、第3電源線を設ける必要がないので、構成を簡素化できる。
また、本発明に係る発光装置は、上述した画素回路と、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲートに供給する制御信号を生成する駆動回路とを備え、前記制御信号は、前記発光素子を発光させる発光期間において、前記第1トランジスタをオン状態にすると共に前記第2トランジスタをオフ状態にし、前記発光素子を発光させない非発光期間において、前記第1トランジスタをオフ状態にすると共に前記第2トランジスタをオン状態にするように、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを制御することを特徴とする。
この発光装置によれば、非発光期間において第2トランジスタがオン状態となるので、第1トランジスタのリーク電流やフィールドスルー電流を第2トランジスタに流すことができ、さらに、発光素子に付随する寄生容量に蓄積された電荷を第2トランジスタを介して流すことできる。これにより、黒浮きを抑圧することが可能となる。さらに、第1トランジスタと第2トランジスタとは、共通した制御信号によって制御するので、制御線の本数を低減することができる。
本発明に係る他の発光装置は、上述した画素回路と、当該画素回路を、初期化期間、補償期間、書込期間、及び発光期間に分けて駆動する駆動回路とを備え、前記駆動回路は、前記初期化期間において、前記第1乃至第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記補償期間において、前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記書込期間において、前記第1及び第4トランジスタがオフ状態となり、前記第2及び第3トランジスタがオン状態となるように制御し、前記発光期間において、前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオフ状態となるように制御することを特徴とする。
この発光装置によれば、第2トランジスタを初期化期間においてもオン状態にして、駆動トランジスタのゲート電位を第3電位まで下げることができる。このとき、駆動トランジスタのゲート電位に応じた電流が駆動トランジスタから出力されるが、当該電流は発光素子に流れず、第2トランジスタに流すことができる。これによって、初期化期間に発光素子を消灯させ黒浮きを抑制することが可能となる。さらに、第2トランジスタは補償期間及び書込期間においてもオン状態になるので、第1トランジスタのリーク電流やフールドスルー電流を第2トランジスタに流すことができ、発光素子の微発光を抑圧することができる。くわえて、発光素子の寄生容量に蓄積された電荷も第2トランジスタを介して放電することできるので、黒浮きを抑制することができる。
また、上述した発光装置において、前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとはチャネルの型が相違し、前記駆動回路は、前記第1トランジスタのゲートを制御する第1制御信号を生成する第1制御信号生成回路と、前記第1制御信号を遅延して前記第2トランジスタのゲートを制御する第2制御信号を出力する遅延回路(例えば、図10の301)と、を備えることを特徴とする。
この発明によれば、第2制御信号を、第1制御信号を遅延するだけで生成することができるので、構成を簡素化できる。特に、複数の画素回路を、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して設ける場合には、走査線や制御線を順次選択する必要がある。子の要場合、走査信号や制御信号は、シフトレジスタを用いて生成するのが一般的である。子の発明によれば、第1制御信号を遅延させて第2制御信号を生成するので、第2制御信号を生成するために独立したシフトレジスタを不要にできる。
この発明によれば、第2制御信号を、第1制御信号を遅延するだけで生成することができるので、構成を簡素化できる。特に、複数の画素回路を、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して設ける場合には、走査線や制御線を順次選択する必要がある。子の要場合、走査信号や制御信号は、シフトレジスタを用いて生成するのが一般的である。子の発明によれば、第1制御信号を遅延させて第2制御信号を生成するので、第2制御信号を生成するために独立したシフトレジスタを不要にできる。
本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えることを特徴とし、そのような電子機器としては、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、あるいは電子カメラなどが該当する。
また、本発明は画素回路の駆動方法として捉えることもできる。そのような発明として、上述した画素回路を駆動する方法であって、前記発光素子を発光させる期間を発光期間、前記発光素子を非発光とする期間を非発光期間としたとき、前記発光期間において、前記第1トランジスタをオン状態とする電位を前記第1トランジスタのゲートに供給し、前記第2トランジスタをオフ状態とする電位を前記第2トランジスタのゲートに供給し、前記非発光期間において、前記第1トランジスタをオフ状態とする電位を前記第1トランジスタのゲートに供給し、前記第2トランジスタをオフ状態とする電位を前記第2トランジスタのゲートに供給し、 前記非発光期間の一部の期間で、前記第3トランジスタをオン状態とする電位を前記第3トランジスタのゲートに供給して、前記データ電位を前記駆動トランジスタのゲートに書き込むことが好ましい。
また、上述した画素回路を、初期化期間、補償期間、書込期間、及び発光期間に分けて駆動する駆動する方法であって、前記初期化期間において、前記第1、第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記補償期間において、前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記書込期間において、前記第1及び第4トランジスタがオフ状態となり、前記第2及び第3トランジスタがオン状態となるように制御し、前記発光期間において、前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオフ状態となるように制御することが好ましい。
また、上述した画素回路を、初期化期間、補償期間、書込期間、及び発光期間に分けて駆動する駆動する方法であって、前記初期化期間において、前記第1、第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記補償期間において、前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、前記書込期間において、前記第1及び第4トランジスタがオフ状態となり、前記第2及び第3トランジスタがオン状態となるように制御し、前記発光期間において、前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオフ状態となるように制御することが好ましい。
<A:第1実施形態>
[発光装置の構成]
図1は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示すブロック図である。この発光装置10は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、複数の画素回路Pが面状に配列された画素アレイ部100と、各画素回路Pを駆動する走査線駆動回路20およびデータ線駆動回路22と、発光装置10で利用される各種電位を生成する電位生成部24と、制御回路30と、を有する。なお、図1においては、走査線駆動回路20とデータ線駆動回路22と電位生成部24とが別個の回路として図示されているが、これらの回路の一部または全部が単一の回路とされた構成も採用される。
[発光装置の構成]
図1は、本実施形態に係る発光装置10の構成を示すブロック図である。この発光装置10は、画像を表示するための手段として各種の電子機器に採用される装置であり、複数の画素回路Pが面状に配列された画素アレイ部100と、各画素回路Pを駆動する走査線駆動回路20およびデータ線駆動回路22と、発光装置10で利用される各種電位を生成する電位生成部24と、制御回路30と、を有する。なお、図1においては、走査線駆動回路20とデータ線駆動回路22と電位生成部24とが別個の回路として図示されているが、これらの回路の一部または全部が単一の回路とされた構成も採用される。
図1に示すように、画素アレイ部100には、X方向に延在するm本の走査線102と、各走査線102と対をなしてX方向に延在するm本の給電線104と、X方向に直交するY方向に延在するn本のデータ線106とが設けられる(mおよびnは自然数)。各画素回路Pは、走査線102および給電線104の対とデータ線106との交差に対応する位置に配置される。従って、これらの画素回路Pは縦m行×横n列のマトリクス状に配列する。図1においては、走査線102と給電線104とがX方向に延在しているが、本実施形態では、図2に示すように、第1制御線110が行毎にX方向に延在する。
図1に示す走査線駆動回路20は、複数の画素回路Pを水平走査期間ごとに行単位で選択するための回路である。走査線駆動回路20は、1水平走査期間ごとに1行ずつ走査線102を選択するとともに、この選択に同期した第1の制御信号を、図2に示す第1制御線110に供給する。説明の便宜上、第i行目(iは1≦i≦mを満たす整数)の走査線102に供給される走査信号をGWRT[i]と表記する。同様に、第i行目の第1制御線110に供給される第1制御信号をG1[i]と表記する。
再び、図1を参照しながら説明する。データ線駆動回路22は、各水平走査期間で走査線駆動回路20が選択した走査線102に対応する1行分のn個の画素回路Pの各々に対応するデータ電位VD[1]ないしVD[n]を生成して各データ線106に出力する。第i行(iは1≦i≦mを満たす整数)が選択される水平走査期間において第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)のデータ線106に出力されるデータ電位VD[j]は、第i行の第j列目に位置する画素回路Pに対して指定された階調に対応する電位となる。
電源回路24は、電源の高位側の電位VELおよび低位側の電位VCTと、電位VCCとを生成する。電位VELは第1電源線(図示略)を介して、電位VCTは第2電源線を介して、電位VCCが第3電源線を介して総ての画素回路Pに共通に供給される。
制御回路30は、走査線駆動回路20及びデータ線駆動回路22に、それぞれクロック信号(図示省略)などを供給してこれらの回路を制御するとともに、データ線駆動回路22に、画素アレイ部100における各画素回路Pの1フレーム毎の階調を規定する画像データを供給する。
次に、図2を参照して、各画素回路Pの構成を説明する。同図においては、第i行の第j列目に位置するひとつの画素回路Pのみを図示しているが、その他の画素回路Pも同様の構成である。同図に示すように、画素回路Pは、Pチャネル型の駆動トランジスタ200と、スイッチング素子として機能するNチャネル型の第1トランジスタ210、Nチャネル型の第2トランジスタ220、及びNチャネル型の第3トランジスタ230、並びにOLED素子11を有する。なお、保持容量Chは、容量素子として形成してもよいし、あるいは、駆動トランジスタ220のゲート容量であってもよい。また、容量CcはOLED素子11に付随する寄生容量である。OLED素子11は、陽極と陰極との間に有機EL材料の発光層を介在させた素子であって、電位VCTが供給される第2電源線と接続される。
図2に示すように、電源線からOLED素子11の陽極に至る経路には駆動トランジスタ200と第1トランジスタ210とが介挿される。駆動トランジスタ200は、ゲートの電位VGに応じた駆動電流Ielを生成するための手段であり、そのソースが電源線に接続されるとともにドレインが第1トランジスタ210のドレインに接続される。第1トランジスタ210は、駆動電流IelをOLED素子11に供給するか否かを切り替えるスイッチング素子であり、そのソースがOLED素子11の陽極に接続される。
また、OLED素子11の陽極には第2トランジスタ220のソースが接続され、第2トランジスタ220のドレインには第3電源線を介して電位VCCが供給される。さらに第1トラトランジスタ210と第2トランジスタ220のゲートは電気的に接続され、そこには第1制御信号G1[i]が供給される。
また、OLED素子11の陽極には第2トランジスタ220のソースが接続され、第2トランジスタ220のドレインには第3電源線を介して電位VCCが供給される。さらに第1トラトランジスタ210と第2トランジスタ220のゲートは電気的に接続され、そこには第1制御信号G1[i]が供給される。
ここで、第1トランジスタ210のチャネルの型はn型である一方、第2トランジスタ220のチャネルの型はp型である。このように異なるチャネルの型を採用して、同一の第1制御信号G1[i]でゲートを制御すると、一方のトランジスタをオン状態としたとき、他方のトランジスタはオフ状態となり、排他的にオン状態とオフ状態とを制御することができる。なお、第1トランジスタ210をp型とし、第2トランジスタ220をn型としてもよい。
また、電位VCCと電位VCTとは、VCT≦VCCの関係にある。この場合、第2トランジスタ220がオン状態のとき、OLED素子11は逆バイアスされ確実にオフ状態になる。
また、電位VCCと電位VCTとは、VCT≦VCCの関係にある。この場合、第2トランジスタ220がオン状態のとき、OLED素子11は逆バイアスされ確実にオフ状態になる。
データ線106と駆動トランジスタ200のゲートとの間には、第3トランジスタ230が設けられている。第3トランジスタ230は、データ線106のデータ電位を保持容量Chに書き込むためのスイッチング素子として機能する。第3トランジスタ230のゲートは走査線102と電気的に接続されている。走査線102を介して供給される走査信号GWRT[i]がハイレベルに遷移すると第3トランジスタ230がオン状態となってデータ電位VD[j]が保持容量Chに書き込まれる。一方、走査信号GWRT[i]がローレベルに遷移すると第3トランジスタ230がオフ状態となってデータ線106と駆動トランジスタ200にゲートとが非導通となる。
次に、図3を参照して、走査線駆動回路20が生成する各信号の具体的な波形について説明する。図3に示すように、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]は、水平走査期間(1H)ごとに順番にハイレベルとなる。すなわち、水平走査信号GWRT[i]は、垂直走査期間(1V)のうち第i番目の水平走査期間においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間ではローレベルを維持する。走査信号GWRT[i]のハイレベルへの遷移は第i行の各画素回路Pの選択を意味する。以下では、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]の各々がハイレベルとなる期間(すなわち水平走査期間)を「書込期間PWRT」と表記する。なお、図3においては走査信号GWRT[i]の立ち上がりとその次行の走査信号GWRT[i+1]の立ち下がりとを同時とした場合が例示されているが、走査信号GWRT[i]の立ち上がりから所定の時間が経過したタイミングで次行の走査信号GWRT[i+1]が立ち下がる構成(つまり、各行の書込期間PWRTに間隔が設けられた構成)としてもよい。
図3に示すように、第1制御信号G1[i]は、書込期間PWRTが終了した後にハイレベルとなり、所定時間が経過するとローレベルとなる。第1制御信号G1[i]がハイレベルとなる期間を発光期間PEL、第1制御信号G1[i]がローレベルとなる期間を非発光期間PNELという。
以上の構成において、OLED素子11に付随する寄生容量Ccは、OLED素子11の構造に起因するものである。すなわち、OLED素子11は陽極と陰極の間に材料を挟む形をとるので、この電極間に容量が生じる。第1トランジスタ210がオン状態のとき寄生容量Ccには電荷が蓄積される。そして、第1トランジスタ210がオフ状態となった後に、寄生容量Ccが放電し、OLED素子11 を意図せず発光させることが起こり得る。これが、黒浮きの原因となってしまう。
本実施形態では、OLED素子11 の寄生容量Ccからの放電による意図しない発光を阻止するために、OLED素子11 の陽極側(基板側)に、第1トランジスタ210とは逆のチャネル型を示す第2トランジスタ220 を設け、第2トランジスタ220のソース電極をOLED素子11の陽極に、もう一方のドレイン電極を電位VCCに落とすように設置する。
第2トランジスタ220の役割は、第1トランジスタ210がオフ状態となった後に、オン状態となり、寄生容量Ccから電荷を第3電源線(電位VCC)に流すというものである。さらに、この回路の特徴として、非発光時に第2トランジスタ220がオン状態となることで、OLED 素子11の陽極の電位が電位VCCに固定されるので、確実に「黒」になる。
また、上述した画素回路Pは、非発光時にOLED素子11の陽極の電位を常に低電位(VCC)に保持する回路を備える。すなわち、第2トランジスタ220は第1トランジスタ210がオフ状態の間に常にオン状態となっている。これによって、第2トランジスタ220を介して、非発光時に第1トランジスタ2103からのフィードスルー電流やリーク電流も第3電源線(電位VCC)に流すことができるので、発光期間PEL以外での発光を抑制することができる。
[発光装置の動作]
次に、図4ないし図7を参照しながら画素回路Pの具体的な動作について説明する。以下では、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、書込期間PWRTと発光期間PELとに区分して説明する。
次に、図4ないし図7を参照しながら画素回路Pの具体的な動作について説明する。以下では、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、書込期間PWRTと発光期間PELとに区分して説明する。
(a)書込期間PWRT
書込期間PWRTにおいては、図3に示すように走査信号GWRT[i]はハイレベルに遷移する一方、第1制御信号G1[i]はローレベルに遷移する。従って、図4に示すように、第2トランジスタ210及び第3トランジスタ220がオン状態になり、第1トランジスタ210がオフ状態になる。これにより、データ線106と駆動トランジスタ200のゲートとが導通し、第i行第j列の画素回路PにおけるOLED素子11の階調に応じたデータ電位VD[j]が保持容量Chに供給される。
書込期間PWRTにおいては、図3に示すように走査信号GWRT[i]はハイレベルに遷移する一方、第1制御信号G1[i]はローレベルに遷移する。従って、図4に示すように、第2トランジスタ210及び第3トランジスタ220がオン状態になり、第1トランジスタ210がオフ状態になる。これにより、データ線106と駆動トランジスタ200のゲートとが導通し、第i行第j列の画素回路PにおけるOLED素子11の階調に応じたデータ電位VD[j]が保持容量Chに供給される。
このとき、第2トランジスタ210がオフ状態となるため、駆動電流IelはOLED素子11に供給されず、OLED素子11は消灯する。また、第2トランジスタ220はオン状態となるので、OLED素子11の陽極及び寄生容量Ccに蓄積された電荷が第2トランジスタ220を介して放電される。
なお、書込期間PWRTは、OLED素子11が消灯する非発光期間PNELの一部である。当該書込期間PWRTが他の非発光期間PNELと相違するのは、第3トランジスタ230がオン状態となる点であり、その他の動作は他の非発光期間PNELと同じである。
なお、書込期間PWRTは、OLED素子11が消灯する非発光期間PNELの一部である。当該書込期間PWRTが他の非発光期間PNELと相違するのは、第3トランジスタ230がオン状態となる点であり、その他の動作は他の非発光期間PNELと同じである。
(b)発光期間PEL
発光期間PELにおいては、図3に示すように、走査信号GWRT[i]はローレベルに遷移する。また、第1制御信号G1[i]はハイレベルに遷移する。従って、図5に示すように、図4に示す状態から第1トランジスタ210がオン状態になり、第2トランジスタ220及び第3トランジスタ230がオフ状態になる。第1トランジスタ210がオン状態になることで、駆動トランジスタ200からOLED素子11に至る駆動電流Ielの経路が形成され、駆動トランジスタ200のゲートの電位VGに応じた駆動電流Ielがトランジスタ210を介してOLED素子11へ供給される。この駆動電流Ielの供給によってOLED素子11はデータ電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
発光期間PELにおいては、図3に示すように、走査信号GWRT[i]はローレベルに遷移する。また、第1制御信号G1[i]はハイレベルに遷移する。従って、図5に示すように、図4に示す状態から第1トランジスタ210がオン状態になり、第2トランジスタ220及び第3トランジスタ230がオフ状態になる。第1トランジスタ210がオン状態になることで、駆動トランジスタ200からOLED素子11に至る駆動電流Ielの経路が形成され、駆動トランジスタ200のゲートの電位VGに応じた駆動電流Ielがトランジスタ210を介してOLED素子11へ供給される。この駆動電流Ielの供給によってOLED素子11はデータ電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
このように第1実施形態に係る発光装置10では、画素回路Pにおいて、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220のチャネルの型を異なるようにしたので、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220とのゲートを共通の信号で制御することにより、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220とを排他的にオン状態又はオフ状態とすることができる。これにより、制御線の数を削減することができる。
非発光期間PNELにおいて第1トランジスタ210は常にオフ状態となり、第2トランジスタ220は常にオン状態となる。第2トランジスタ220がオン状態になっている時、第2トランジスタ220のゲート電圧は0Vとなり、非発光期間PNEL中にOLED素子11 に対してフィードスルー電流を流さないので、黒浮きを抑えることができる。
さらに、非発光期間PNELにおいて、第1トランジスタ210におけるOLED素子11 と反対側の電極の電圧は、高電位(Vth 補償をする都合上)となっているので、リーク電流が流れにくくなり、黒浮きを抑えることができる。仮に、リーク電流が流れても、第2トランジスタ220がオン状態 になっているので、OLED素子11 には電流が流れず黒浮きすることはない。
さらに、非発光期間PNELにおいて、第1トランジスタ210におけるOLED素子11 と反対側の電極の電圧は、高電位(Vth 補償をする都合上)となっているので、リーク電流が流れにくくなり、黒浮きを抑えることができる。仮に、リーク電流が流れても、第2トランジスタ220がオン状態 になっているので、OLED素子11 には電流が流れず黒浮きすることはない。
加えて、第2トランジスタ220がオン状態 になっていることで、第1トランジスタ210からの微量なリーク電流やフィードスルー電流を第3電源線(電位VCC) に流すことができるので、黒浮きは発生しない。
発光期間PELにおいて、低階調発光の時に第2トランジスタ220のゲート側にはハイレベルが供給され、ソース側は低電位となる。このため、リーク電流が少なくてすむので、階調がずれず、斑が発生することもない。一方、高階調発光の時も、第2トランジスタ220のソース電圧に対してゲート電圧が高いのでリークはしない。仮にリークがあったとしてもOLED素子11に流れる電流に比べると微量になるので、特に問題はない。
さらに、本願では、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220のゲートには同一の第1制御信号G1[i]が供給される。これにより、制御線を増やすことも、さらには制御回路を増やすことなく黒浮きを抑えた画素回路Pを実現することができる。加えて、第1制御線110も画素回路P内で分岐すればいいので、周辺回路からの配線数が減ることで、配線同士の重なりも減り、配線間の寄生抵抗によるノイズを低減することができる。
また、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220のオン・オフのタイミングを同期することで、切り替わりのタイミングがずれることがなくなり、例えば、第1トランジスタ210が開いているときに誤って第2トランジスタ220が開いて発光しなかったり、逆に第1トランジスタ210が閉じているときに、第2トランジスタ220が閉じてリーク電流による微発光を許したりといった点灯ミスがなくなる。
発光期間PELにおいて、低階調発光の時に第2トランジスタ220のゲート側にはハイレベルが供給され、ソース側は低電位となる。このため、リーク電流が少なくてすむので、階調がずれず、斑が発生することもない。一方、高階調発光の時も、第2トランジスタ220のソース電圧に対してゲート電圧が高いのでリークはしない。仮にリークがあったとしてもOLED素子11に流れる電流に比べると微量になるので、特に問題はない。
さらに、本願では、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220のゲートには同一の第1制御信号G1[i]が供給される。これにより、制御線を増やすことも、さらには制御回路を増やすことなく黒浮きを抑えた画素回路Pを実現することができる。加えて、第1制御線110も画素回路P内で分岐すればいいので、周辺回路からの配線数が減ることで、配線同士の重なりも減り、配線間の寄生抵抗によるノイズを低減することができる。
また、第1トランジスタ210と第2トランジスタ220のオン・オフのタイミングを同期することで、切り替わりのタイミングがずれることがなくなり、例えば、第1トランジスタ210が開いているときに誤って第2トランジスタ220が開いて発光しなかったり、逆に第1トランジスタ210が閉じているときに、第2トランジスタ220が閉じてリーク電流による微発光を許したりといった点灯ミスがなくなる。
<B:第2実施形態>
第1実施形態に係る発光装置10は、第2トランジスタ220のドレインに第3電源線を介して電位VCCを供給していた。第2実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、及び第3電源線を無くした点を除いて、第1実施形態の発光装置10と同様である。
図6に第2実施形態の画素回路を示す。この図に示すように第2実施形態の画素回路では、第2トランジスタ220のドレインを第2電源線に接続し、第3電源線を省略する。この場合は、OLED素子11の寄生容量Ccに蓄積された電荷を第2トランジスタ220経由で第2電源線に流すことができる。この接続では、新たに電源線を必要とすることはない。
特に、第2実施形態に係る発光装置10は、複数の画素回路Pの各々に配置されるOLED素子11を、R色、G色、及びB色で発光させる装置に好適である。
第1実施形態に係る発光装置10は、第2トランジスタ220のドレインに第3電源線を介して電位VCCを供給していた。第2実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、及び第3電源線を無くした点を除いて、第1実施形態の発光装置10と同様である。
図6に第2実施形態の画素回路を示す。この図に示すように第2実施形態の画素回路では、第2トランジスタ220のドレインを第2電源線に接続し、第3電源線を省略する。この場合は、OLED素子11の寄生容量Ccに蓄積された電荷を第2トランジスタ220経由で第2電源線に流すことができる。この接続では、新たに電源線を必要とすることはない。
特に、第2実施形態に係る発光装置10は、複数の画素回路Pの各々に配置されるOLED素子11を、R色、G色、及びB色で発光させる装置に好適である。
<C:第3実施形態>
上述した第1及び第2実施形態に係る発光装置10は、駆動トランジスタ200の閾値電圧を補償するものではなかった。これに対して、第3実施形態に係る発光装置10は、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償機能を備える。
第3実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、第2制御線120及び第3制御線130を備える点、並びに、走査線駆動回路20において第2制御信号G2[i]及び第3制御信号G3[i]を生成する点を除いて、第1実施形態の発光装置10と同様に構成されている。
上述した第1及び第2実施形態に係る発光装置10は、駆動トランジスタ200の閾値電圧を補償するものではなかった。これに対して、第3実施形態に係る発光装置10は、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償機能を備える。
第3実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、第2制御線120及び第3制御線130を備える点、並びに、走査線駆動回路20において第2制御信号G2[i]及び第3制御信号G3[i]を生成する点を除いて、第1実施形態の発光装置10と同様に構成されている。
図7に第3実施形態に係る発光装置10の画素回路Pの構成を示す。第3実施形態の画素回路Pは、図2に示す第1実施形態の画素回路と比較して以下の点が相違する。
第1に、第3トランジスタ230と駆動トランジスタ200との間に容量素子Caを追加した。
第2に、駆動トランジスタ200のゲートとドレインとの間に第4トランジスタ240を追加した。
第3に、第1トランジスタ210のゲートと第2トランジスタ220のゲートとを分離し、第1トランジスタ210のゲートに第1制御線110を介して第1制御信号G1[i]を供給した。
第4に、第2トランジスタ210のゲートに第2制御線120を介して第2制御信号G2[i]を供給した。
第5に、第4トランジスタ240のゲートに第3制御線130を介して第3制御信号G3[i]を供給した。
第1に、第3トランジスタ230と駆動トランジスタ200との間に容量素子Caを追加した。
第2に、駆動トランジスタ200のゲートとドレインとの間に第4トランジスタ240を追加した。
第3に、第1トランジスタ210のゲートと第2トランジスタ220のゲートとを分離し、第1トランジスタ210のゲートに第1制御線110を介して第1制御信号G1[i]を供給した。
第4に、第2トランジスタ210のゲートに第2制御線120を介して第2制御信号G2[i]を供給した。
第5に、第4トランジスタ240のゲートに第3制御線130を介して第3制御信号G3[i]を供給した。
次に、図8を参照して、走査線駆動回路20が生成する各信号の具体的な波形について説明する。図8に示すように、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]は、水平走査期間(1H)ごとに順番にハイレベルとなる。すなわち、水平走査信号GWRT[i]は、垂直走査期間(1V)のうち第i番目の水平走査期間においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間ではローレベルを維持する。走査信号GWRT[i]のハイレベルへの遷移は第i行の各画素回路Pの選択を意味する。本実施形態では、以下では、走査信号GWRT[1]ないしGWRT[m]の各々がハイレベルとなる期間の一部に書込期間PWRTが割り当てられる。なお、図8においては走査信号GWRT[i]の立ち上がりとその次行の走査信号GWRT[i+1]の立ち下がりとを同時とした場合が例示されているが、走査信号GWRT[i]の立ち上がりから所定の時間が経過したタイミングで次行の走査信号GWRT[i+1]が立ち下がる構成(つまり、各行の書込期間PWRTに間隔が設けられた構成)としてもよい。
図8に示すように、1水平走査期間1Hには、初期化期間PINTと、補償期間PHと、書込期間PWRTが割り当てられており、書込期間PWRTが終了した後の適当なタイミングから発光期間PELが開始する。
初期化期間PINTにおいては、走査信号GWRT[i]、第1制御信号G1[i]及び第3制御信号G3[i]がハイレベルとなり、第2制御信号G2[i]がローレベルとなる。
補償期間PHにおいては、走査信号GWRT[i]及び第3制御信号G3[i]がハイレベルとなり、第1制御信号G1[i]及び第2制御信号G2[i]がローレベルとなる。
書込期間PWRTにおいては、走査信号GWRT[i]がハイレベルとなり、第1制御信号G1[i]、第2制御信号G2[i] 及び第3制御信号G3[i]がローレベルとなる。
発光期間PELにおいては、走査信号GWRT[i]及び第3制御信号G3[i]がローレベルとなる一方、第1制御信号G1[i]及び第2制御信号G2[i]がハイレベルとなる。
初期化期間PINTにおいては、走査信号GWRT[i]、第1制御信号G1[i]及び第3制御信号G3[i]がハイレベルとなり、第2制御信号G2[i]がローレベルとなる。
補償期間PHにおいては、走査信号GWRT[i]及び第3制御信号G3[i]がハイレベルとなり、第1制御信号G1[i]及び第2制御信号G2[i]がローレベルとなる。
書込期間PWRTにおいては、走査信号GWRT[i]がハイレベルとなり、第1制御信号G1[i]、第2制御信号G2[i] 及び第3制御信号G3[i]がローレベルとなる。
発光期間PELにおいては、走査信号GWRT[i]及び第3制御信号G3[i]がローレベルとなる一方、第1制御信号G1[i]及び第2制御信号G2[i]がハイレベルとなる。
図9に第3実施形態に用いる走査線駆動回路20のブロック図を示し、図10に走査線駆動回路20に用いる処理回路22の回路図を示す。図9に示すように走査線駆動回路20は、シフトレジスタ21と、m個の処理回路22を備える。シフトレジスタ21は1フィールドの開始でアクティブとなるスタートパルスSPをYクロック信号YCLKに従って順次転送して、走査信号GWRT[1]〜GWRT[m]を生成する。
m個の処理回路22は、m本の各行に対応して設けられている。ここでは、i行目の処理回路22について説明するが、他の行の処理回路も同様に構成されている。
m個の処理回路22は、m本の各行に対応して設けられている。ここでは、i行目の処理回路22について説明するが、他の行の処理回路も同様に構成されている。
図10に示すように処理回路22は、走査信号GWRT[i]の論理レベルを反転させるインバータ300を備える。インバータ300の出力信号は、図11に示す第1制御信号G1[i]として出力される。
第1遅延回路301は遅延時間Δtd1だけ第1制御信号G1[i]を遅延させて、図11に示す第2制御信号G2[i]を出力する。
このように、第2制御信号G2[i]は第1制御信号G1[i]を遅延させるだけで生成できるので、構成を簡素化できる。なお、遅延時間Δtd1は初期化期間PINTと一致するように設定されている。
第1遅延回路301は遅延時間Δtd1だけ第1制御信号G1[i]を遅延させて、図11に示す第2制御信号G2[i]を出力する。
このように、第2制御信号G2[i]は第1制御信号G1[i]を遅延させるだけで生成できるので、構成を簡素化できる。なお、遅延時間Δtd1は初期化期間PINTと一致するように設定されている。
また、第2遅延回路302は遅延時間Δtd2だけ走査信号GWRT[i]を遅延させて、図11に示す信号302aを出力する。排他的論理和回路303は、信号302aと走査信号GWRT[i]との排他的論理和を演算して、走査信号GWRT[i]の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジから各々遅延時間Δtd2だけアクティブとなる信号303aを生成する。アンド回路304は、信号303aと走査信号GWRT[i]との論理積を演算して、第3制御信号G3[i]を生成する。第3制御信号G3[i]は、走査信号GWRT[i]の立ち上がりエッジと同期してハイレベルとなる信号である。ここで、遅延時間Δtd2は初期化期間PINTと補償期間PHの合計と一致するように設定されている。
このように本実施形態の走査線駆動回路20によれば、シフトレジスタ21を追加することなく第1〜第3制御信号を生成できるので、周辺回路に要するスペースを減らすことが可能となる。これは、いわゆる額縁(表示に寄与しない部分)をより小さく出来るだけではなく、回路数が減るので、歩留りも向上させる効果もある。
さらに、第1遅延回路301等を有する処理回路22を設ける場所を極力、画素回路Pの近くにすると、シフトレジスタ21から画素部に到達するまでの信号線は1本でよい。このため、交差する配線数が減るので、寄生容量によるノイズの影響なども低減することができる。
さらに、シフトレジスタ21を共通化することで、第1制御信号G1[i]及び第3制御信号G3[i]のタイミングを生成するクロック信号が共有されるので、クロック信号のズレによって制御信号のタイミングがおかしくなり、表示に影響を与えるという懸念もなくなる。
さらに、第1遅延回路301等を有する処理回路22を設ける場所を極力、画素回路Pの近くにすると、シフトレジスタ21から画素部に到達するまでの信号線は1本でよい。このため、交差する配線数が減るので、寄生容量によるノイズの影響なども低減することができる。
さらに、シフトレジスタ21を共通化することで、第1制御信号G1[i]及び第3制御信号G3[i]のタイミングを生成するクロック信号が共有されるので、クロック信号のズレによって制御信号のタイミングがおかしくなり、表示に影響を与えるという懸念もなくなる。
以上の構成において、OLED素子11に付随する寄生容量Ccには、第1トランジスタ210がオン状態のときに電荷が蓄積される。そして、第1トランジスタ210がオフ状態となった後に、寄生容量Ccが放電し、OLED素子11 を意図せず発光させることが起こり得る。これが、黒浮きの原因となってしまう。そこで、本実施形態では、寄生容量Ccからの放電による意図しない発光を阻止するために、OLED素子11の陽極側(基板側)に、第1トランジスタ210とは逆のチャネル型を示す第2トランジスタ220 を設け、第2トランジスタ220のソース電極をOLED素子11の陽極に、もう一方のドレイン電極を電位VCCに落とすように設置する。
第2トランジスタ220の役割は、第1トランジスタ210がオフ状態となった後に、オン状態となり、寄生容量Ccから電荷を第3電源線(電位VCC)に流すというものである。さらに、この回路の特徴として、非発光時に第2トランジスタ220がオン状態となることで、OLED 素子11の陽極の電位が電位VCCに固定されるので、確実に「黒」になる。
また、上述した画素回路Pは、非発光時にOLED素子の陽極の電位を常に低電位(VCC)に保持する回路を備える。すなわち、第2トランジスタ220は第1トランジスタ210がオフ状態の間に常にオン状態となっている。これによって、第2トランジスタ220を介して、非発光時に第1トランジスタ210からのフィードスルー電流やリーク電流も第3電源線(電位VCC)に流すことができるので、発光期間PEL以外での発光を抑制することができる。
[発光装置の動作]
次に、図12ないし図15を参照しながら画素回路Pの具体的な動作について説明する。以下では、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、初期化期間PINT、補償期間PH、書込期間PWRT、及び発光期間PELに区分して説明する。
次に、図12ないし図15を参照しながら画素回路Pの具体的な動作について説明する。以下では、第i行に属する第j列目の画素回路Pの動作を、初期化期間PINT、補償期間PH、書込期間PWRT、及び発光期間PELに区分して説明する。
(a)初期化期間PINT
図12に初期化期間PINTにおける画素回路Pの動作を示す。初期化期間PINTにおいては、図12に示すように、第1〜第4トランジスタ210〜240が全てオン状態になる。第2トランジスタ220のソース又はドレインの一方は電位VCCが供給されるので、図に示すように電流が流れる。このとき、容量素子Ccの電極Bの電位は略VCCとなり、第1電極Aの電位はデータ線106を介して供給される所定の電位(この例ではVST)に設定される。これによって、駆動トランジスタ200のゲート電位は初期化される。
図12に初期化期間PINTにおける画素回路Pの動作を示す。初期化期間PINTにおいては、図12に示すように、第1〜第4トランジスタ210〜240が全てオン状態になる。第2トランジスタ220のソース又はドレインの一方は電位VCCが供給されるので、図に示すように電流が流れる。このとき、容量素子Ccの電極Bの電位は略VCCとなり、第1電極Aの電位はデータ線106を介して供給される所定の電位(この例ではVST)に設定される。これによって、駆動トランジスタ200のゲート電位は初期化される。
(b)補償期間PH
図13に補償期間PHにおける画素回路Pの動作を示す。補償期間PHにおいては、図13に示すように、第2〜第4トランジスタ220〜240がオン状態となる一方、第1トランジスタ210はオフ状態となる。このとき、第4トランジスタ240によって駆動トランジスタ200はダイオード接続の状態になる。このため、駆動トランジスタ200の閾値電圧をVthとすると、駆動トランジスタ200のゲート電位は、「VEL−Vth」に漸近していく。これにより、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償が行われる。なお、データ線106を介して供給される所定の電位(この例ではVST)には変化がない。
図13に補償期間PHにおける画素回路Pの動作を示す。補償期間PHにおいては、図13に示すように、第2〜第4トランジスタ220〜240がオン状態となる一方、第1トランジスタ210はオフ状態となる。このとき、第4トランジスタ240によって駆動トランジスタ200はダイオード接続の状態になる。このため、駆動トランジスタ200の閾値電圧をVthとすると、駆動トランジスタ200のゲート電位は、「VEL−Vth」に漸近していく。これにより、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償が行われる。なお、データ線106を介して供給される所定の電位(この例ではVST)には変化がない。
(c)書込期間PWRT
図14に書込期間PWRTにおける画素回路Pの動作を示す。書込期間PWRTにおいては、図14に示すように、第2及び第3トランジスタ220及び230がオン状態となる一方、第1トランジスタ210及び第4トランジスタ240はオフ状態となる。
このとき、データ線106と第1電極Aとが導通し、第i行第j列の画素回路Pにおける発光素子11の階調に応じたデータ電位VD[j]が第1電極Aに供給される。これにより、容量素子Ccの第1電極Aは、電位VSTからデータ電位VD[j]に変化する。
図14に書込期間PWRTにおける画素回路Pの動作を示す。書込期間PWRTにおいては、図14に示すように、第2及び第3トランジスタ220及び230がオン状態となる一方、第1トランジスタ210及び第4トランジスタ240はオフ状態となる。
このとき、データ線106と第1電極Aとが導通し、第i行第j列の画素回路Pにおける発光素子11の階調に応じたデータ電位VD[j]が第1電極Aに供給される。これにより、容量素子Ccの第1電極Aは、電位VSTからデータ電位VD[j]に変化する。
図14に示すように、書込期間PWRTにおいて、第4トランジスタ240はオフ状態に遷移するから、駆動トランジスタ200のゲートは電気的にフローティング状態となる。従って、第1電極Aが、補償期間PHにおける電位VSTからデータ電位VD[j]まで変化量△V(=VST−VD[j])だけ変動すると、第2電極Bの電位(駆動トランジスタ200のゲートの電位VG)は容量結合によってその直前の電位(VEL−Vth)から変動する。容量素子Ccの容量値を「C0」とし、保持容量Chの容量値を「C1」とすると、第2電極Bの電位の変化分は「△V・C0/(C0+C1)」と表現される。従って、書込期間PWRTにおいて、駆動トランジスタ200のゲートの電位VGは以下の式(1)で表現されるレベルに安定する。
VG=VEL−Vth−k×△V ・・・(1)
ただし、k=C0/(C0+C1)
VG=VEL−Vth−k×△V ・・・(1)
ただし、k=C0/(C0+C1)
(d)発光期間PEL
図15に発光期間PELにおける画素回路Pの動作を示す。発光期間PELにおいては、図15に示すように、第1トランジスタ210がオン状態となる一方、第2〜第4トランジスタ220〜240はオフ状態となる。
このとき、第1トランジスタ210を介して駆動電流Ielが駆動トランジスタ200からOLED素子11に向けて流れる。この駆動電流Ielの供給によってOLED素子11はデータ電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
図15に発光期間PELにおける画素回路Pの動作を示す。発光期間PELにおいては、図15に示すように、第1トランジスタ210がオン状態となる一方、第2〜第4トランジスタ220〜240はオフ状態となる。
このとき、第1トランジスタ210を介して駆動電流Ielが駆動トランジスタ200からOLED素子11に向けて流れる。この駆動電流Ielの供給によってOLED素子11はデータ電位VD[j]に応じた輝度に発光する。
発光期間PELにおいて発光素子11に流れる駆動電流Ielは、以下の式(2)で表現される。ただし、「β」は駆動トランジスタ200の利得係数であり、「Vgs」は駆動トランジスタ200のゲート・ソース間の電圧である。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)2
=(β/2)(VEL−VG−Vth)2 ・・・(2)
式(1)の代入によって、式(2)は以下のように変形される。
Iel=(β/2){VEL−(VEL−Vth−k×△V)−Vth}2
=(β/2)(k×△V)2
つまり、発光素子11に供給される駆動電流Ielは、データ電位VD[j]と第2の電位VST2との差分値△V(△V=VST−VD[j])によって決定され、駆動トランジスタ200の閾値電圧Vthには依存しない。
Iel=(β/2)(Vgs−Vth)2
=(β/2)(VEL−VG−Vth)2 ・・・(2)
式(1)の代入によって、式(2)は以下のように変形される。
Iel=(β/2){VEL−(VEL−Vth−k×△V)−Vth}2
=(β/2)(k×△V)2
つまり、発光素子11に供給される駆動電流Ielは、データ電位VD[j]と第2の電位VST2との差分値△V(△V=VST−VD[j])によって決定され、駆動トランジスタ200の閾値電圧Vthには依存しない。
このように、第2トランジスタ220は、初期化期間PINTにおいて、駆動トランジスタ200のゲートを初期化すると共に、補償期間PH及び書込期間PWRTにおいて、寄生容量Ccに蓄積された電荷を第3電源線の電位VCCに流す機能がある。これにより、OLED素子11の寄生容量Ccに蓄積された電荷を放電する経路を確保しつつ、トランジスタ数を増やすことなく、駆動トランジスタ200の閾値電圧の補償を行うことができる。
<D:第4実施形態>
第3実施形態に係る発光装置10は、第2トランジスタ220のドレインに第3電源線を介して電位VCCを供給していた。第2実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、及び第3電源線を無くした点を除いて、第2実施形態の発光装置10と同様である。
図16に第4実施形態の画素回路を示す。この図に示すように第4実施形態の画素回路では、第2トランジスタ220のドレインを第2電源線に接続し、第3電源線を省略する。この場合は、OLED素子11の寄生容量Ccに蓄積された電荷を第2トランジスタ220経由で第2電源線に流すことができる。この接続では、新たに電源線を必要とすることはない。
特に、第2実施形態に係る発光装置10は、複数の画素回路Pの各々に配置されるOLED素子11を、R色、G色、及びB色で発光させる装置に好適である。
第3実施形態に係る発光装置10は、第2トランジスタ220のドレインに第3電源線を介して電位VCCを供給していた。第2実施形態に係る発光装置10は、画素回路Pの詳細な構成、及び第3電源線を無くした点を除いて、第2実施形態の発光装置10と同様である。
図16に第4実施形態の画素回路を示す。この図に示すように第4実施形態の画素回路では、第2トランジスタ220のドレインを第2電源線に接続し、第3電源線を省略する。この場合は、OLED素子11の寄生容量Ccに蓄積された電荷を第2トランジスタ220経由で第2電源線に流すことができる。この接続では、新たに電源線を必要とすることはない。
特に、第2実施形態に係る発光装置10は、複数の画素回路Pの各々に配置されるOLED素子11を、R色、G色、及びB色で発光させる装置に好適である。
<E:変形例>
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの2以上の変形例を組み合わせることもできる。
(1)変形例1
上述の各実施形態においては、発光素子の一例として、OLED素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよい。要は、駆動電流に応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。
(2)変形例2
上述した第3実施形態の画素回路の替わりに、図17に示すように第1電極Aに初期化電位VSTを供給するための第5トランジスタ250を設けてもよい。この場合、走査信号GWRT[i]は、書込期間PWRTにおいてのみハイレベルとなり、初期化期間PINT及び補償期間PHにおいてローレベルとなる。一方、第4制御信号G4[i]は、初期化期間PINT及び補償期間PHにおいてハイレベルとなり、このとき第5トランジスタ250がオン状態となって、第1電極Aに初期化電位VSTが供給される。
また、上述した第4実施形態の画素回路の替わりに、図18に示すように第1電極Aに初期化電位VSTを供給するための第5トランジスタ250を設けてもよい。この場合も、図17に示す画素回路と同様に駆動することができる。
上述の各実施形態においては、発光素子の一例として、OLED素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよい。要は、駆動電流に応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。
(2)変形例2
上述した第3実施形態の画素回路の替わりに、図17に示すように第1電極Aに初期化電位VSTを供給するための第5トランジスタ250を設けてもよい。この場合、走査信号GWRT[i]は、書込期間PWRTにおいてのみハイレベルとなり、初期化期間PINT及び補償期間PHにおいてローレベルとなる。一方、第4制御信号G4[i]は、初期化期間PINT及び補償期間PHにおいてハイレベルとなり、このとき第5トランジスタ250がオン状態となって、第1電極Aに初期化電位VSTが供給される。
また、上述した第4実施形態の画素回路の替わりに、図18に示すように第1電極Aに初期化電位VSTを供給するための第5トランジスタ250を設けてもよい。この場合も、図17に示す画素回路と同様に駆動することができる。
<F:応用例>
次に、本発明に係る発光装置10を利用した電子機器について説明する。図19は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置10はOLED素子11にOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
次に、本発明に係る発光装置10を利用した電子機器について説明する。図19は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置10を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての発光装置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。この発光装置10はOLED素子11にOLED素子を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
図20に、実施形態に係る発光装置10を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての発光措置10を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、発光装置10に表示される画面がスクロールされる。
図21に、実施形態に係る発光装置10を適用した携帯情報端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての発光装置10を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置Dに表示される。
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図19から図21に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
10……発光装置、11……発光素子、22……処理回路、102……走査線、106……データ線、200……駆動トランジスタ、210……第1トランジスタ、220……第2トランジスタ、230……第3トランジスタ、240……第4トランジスタ、Cc……容量素子。
Claims (11)
- 第1電位が供給される第1電源線と電気的に接続され、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
第2電位が供給される第2電源線と電気的に接続され、前記駆動電流に応じた階調となる発光素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間に設けられた第1トランジスタと、
前記発光素子及び前記第1トランジスタの接続点と第3電位が供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲートと前記第2トランジスタのゲートとは電気的に接続され、前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとは、チャネルの型が相違する、
ことを特徴とする画素回路。 - データ電位が供給されるデータ線と、
前記データ線と前記駆動トランジスタのゲートとの間に設けられた第3トランジスタとを、
備えることを特徴とする請求項1に記載の画素回路。 - 第1電位が供給される第1電源線と電気的に接続され、駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
第2電位が供給される第2電源線と電気的に接続され、前記駆動電流に応じた階調となる発光素子と、
前記発光素子と前記駆動トランジスタとの間に設けられた第1トランジスタと、
前記発光素子及び前記第1トランジスタの接続点と第3電位が供給される第3電源線との間に設けられた第2トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートと一方の端子とが電気的に接続される容量素子と、
前記容量素子の他方の端子と前記データ線との間に設けられた第3トランジスタと、
前記駆動トランジスタ及び前記第1トランジスタの接続点と前記駆動トランジスタのゲートとの間に設けられた第4トランジスタとを、
備えることを特徴とする画素回路。 - 前記第3電位は前記第2電位以下であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の画素回路。
- 前記3電源線を介して前記第3電位を前記第2トランジスタに供給する替わりに、前記第2電源線と前記第2トランジスタとを電気的に接続することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の画素回路。
- 請求項1に記載の画素回路と、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲートに供給する制御信号を生成する駆動回路とを備え、
前記制御信号は、前記発光素子を発光させる発光期間において、前記第1トランジスタをオン状態にすると共に前記第2トランジスタをオフ状態にし、前記発光素子を発光させない非発光期間において、前記第1トランジスタをオフ状態にすると共に前記第2トランジスタをオン状態にするように、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタを制御する、
ことを特徴とする発光装置。 - 請求項3に記載の画素回路と、
当該画素回路を、初期化期間、補償期間、書込期間、及び発光期間に分けて駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、
前記初期化期間において、前記第1乃至第4トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記補償期間において、前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記書込期間において、前記第1及び第4トランジスタがオフ状態となり、前記第2及び第3トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記発光期間において、前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオフ状態となるように制御する、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記第1トランジスタと前記第2トランジスタとはチャネルの型が相違し、
前記駆動回路は、
前記第1トランジスタのゲートを制御する第1制御信号を生成する第1制御信号生成回路と、
前記第1制御信号を遅延して前記第2トランジスタのゲートを制御する第2制御信号を出力する遅延回路と、を備える、
ことを特徴とする請求項7に記載の発光装置。 - 請求項6乃至8のうちいずれか1項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
- 請求項1に記載の画素回路を駆動する画素回路の駆動方法であって、
前記発光素子を発光させる期間を発光期間、前記発光素子を非発光とする期間を非発光期間としたとき、
前記発光期間において、前記第1トランジスタをオン状態とする電位を前記第1トランジスタのゲートに供給し、前記第2トランジスタをオフ状態とする電位を前記第2トランジスタのゲートに供給し、
前記非発光期間において、前記第1トランジスタをオフ状態とする電位を前記第1トランジスタのゲートに供給し、前記第2トランジスタをオフ状態とする電位を前記第2トランジスタのゲートに供給し、 前記非発光期間の一部の期間で、前記第3トランジスタをオン状態とする電位を前記第3トランジスタのゲートに供給して、前記データ電位を前記駆動トランジスタのゲートに書き込む、
ことを特徴とする画素回路の駆動方法。 - 請求項3に記載の画素回路を、初期化期間、補償期間、書込期間、及び発光期間に分けて駆動する駆動する画素回路の駆動方法であって、
前記初期化期間において、前記第1、第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記補償期間において、前記第1トランジスタがオフ状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記書込期間において、前記第1及び第4トランジスタがオフ状態となり、前記第2及び第3トランジスタがオン状態となるように制御し、
前記発光期間において、前記第1トランジスタがオン状態となり、前記第2、第3、及び第4トランジスタがオフ状態となるように制御する、
ことを特徴とする画素回路の駆動方法。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009065866A Pending JP2010217661A (ja) | 2009-03-18 | 2009-03-18 | 画素回路、発光装置、電子機器及び画素回路の駆動方法 |
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JP (1) | JP2010217661A (ja) |
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- 2009-03-18 JP JP2009065866A patent/JP2010217661A/ja active Pending
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