JP2010281867A - 電気光学装置，電子機器および電気光学装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動トランジスタのゲートの電位の変動を抑制する。
【解決手段】各画素回路Ｐは、電極ｅ1および電極ｅ2を含む容量素子Ｃと、電極ｅ1に接続されたゲートの電位ＶGに応じた駆動電流ＩDRを生成する駆動トランジスタＴDRと、駆動電流ＩDRの供給で発光する発光素子Ｅとを含む。駆動回路２０は、第１期間Ｔ1において、駆動トランジスタＴDRをダイオード接続することでゲートの電位ＶGを駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHに応じた電位(ＶEL−ＶTH)に漸近させ、指定階調に応じた階調電位ＶXを信号線１４から第２電極ｅ2に供給し、第１期間Ｔ1の経過後に、信号線１４と電極ｅ2とを絶縁し、基準電位ＶSTが供給される給電線３６を電極ｅ2に接続し、駆動トランジスタＴDRのダイオード接続を解除し、第１期間Ｔ1の経過後の第２期間Ｔ2において給電線３６と電極ｅ2との接続を維持する。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を駆動する技術に関する。

発光素子に供給される駆動電流をトランジスタ（以下「駆動トランジスタ」という）で制御する電気光学装置においては、駆動トランジスタの電気的な特性の誤差（設計値からの相違や素子間のばらつき）が問題となる。特許文献１から特許文献３には、駆動トランジスタの閾値電圧の誤差を補償するための技術が開示されている。

図１８は、特許文献１に開示された画素回路の回路図である。まず、駆動トランジスタ７０がスイッチ７２を介してダイオード接続されることで駆動トランジスタ７０のゲートの電位ＶGが閾値電圧ＶTHに応じた電位(ＶEL−ＶTH)に設定される。そして、駆動トランジスタ７０のダイオード接続が解除され、指定階調に応じた階調電位ＶXが容量素子７４の電極７４Aに供給されることで、駆動トランジスタ７０のゲート（電極７４B）の電位ＶGは階調電位ＶXに応じた電位に設定される。したがって、閾値電圧ＶTHに依存しない駆動電流ＩDRが発光素子７６に供給される。特許文献２や特許文献３の技術も、駆動トランジスタの閾値電圧ＶTHを補償する基本的な原理は同様である。

米国特許第６２２９５０６号公報 特開２００４−１３３２４０号公報 特開２００４−２４６２０４号公報

しかし、特許文献１から特許文献３の何れの技術においても、発光素子７６が実際に発光する期間では駆動トランジスタ７０のゲート（容量素子７４の電極７４B）が電気的なフローティング状態となるから、ゲートの電位ＶG（さらには駆動電流ＩDRの電流量）が変動し易い。したがって、電位ＶGの変動に起因した発光素子７６の輝度の誤差が発生するという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、駆動トランジスタのゲートの電位の変動を抑制することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る電気光学装置は、画素回路と駆動回路とを具備する電気光学装置であって、画素回路は、第１電極および第２電極を含む容量素子と、第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、駆動電流の供給で発光する発光素子とを含み、駆動回路は、第１期間において、駆動トランジスタをダイオード接続することで第１電極の電位を駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させ、指定階調に応じた階調電位を信号線から第２電極に供給し、第１期間の経過後に、駆動トランジスタのダイオード接続を解除し、信号線と第２電極とを絶縁し、第１電位が供給される第１給電線（例えば図２の給電線３６）を第２電極に接続し、第１期間の経過後の第２期間において第１給電線と第２電極との接続を維持する。以上の構成においては、第２期間にて第２電極の電位が第１給電線の第１電位に維持される。したがって、第２期間にて第２電極が電気的なフローティング状態となる従来の構成と比較すると、第２期間（典型的には発光素子の発光時）における駆動トランジスタのゲートの電位の変動（駆動電流の電流値の変動）を抑制することが可能である。

本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、複数の画素回路を具備し、駆動回路は、第１期間内の出力期間において、第２電位が供給される第２給電線（例えば図２の給電線３６や図１２の給電線３８や図１３の電位線３４）を複数の画素回路の各々における駆動トランジスタのドレインに接続するとともに、各画素回路に対応する複数の信号線の各々に時分割で階調電位を供給し、第１期間のうち出力期間の経過後の補償期間において、複数の画素回路の各々における駆動トランジスタのドレインと第２給電線との接続を解除することで、第１電極の電位を駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させる。以上の態様においては、各画素回路に対して時分割で階調電位が供給されるから、階調電位の生成に必要となる動作の速度が低減されるという利点がある。他方、第１期間のうち階調電位が時分割で各画素回路に供給される出力期間では、駆動トランジスタのドレインおよびゲートの電位が第２電位に維持され、出力期間の経過後の補償期間において、第２電位の供給を停止することで第１電極の電位を駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させる。したがって、階調電位を時分割で各画素回路に供給する動作に並行して駆動トランジスタのゲートの電位を閾値電圧に応じた電位に漸近させる動作を実行する構成（例えば後述の第２実施形態）と比較して、第２電極に階調電位が供給される時点が各画素回路で相違することに起因した発光素子の輝度のばらつきを抑制できるという利点がある。なお、以上の態様の具体例は、例えば第３実施形態として後述される。

なお、第１給電線を第２給電線として兼用した構成（例えば図２）が好適に採用される。もっとも、第２給電線が第１給電線とは別個の配線として形成された構成も採用され得る。例えば、第１電位よりも低い第２電位が供給される配線を第２給電線とした構成（例えば図１２）や、発光素子の陰極に接続された電位線を第２給電線とした構成（例えば図１３）も好適である。

本発明の好適な態様において、駆動回路は、駆動トランジスタのドレインと第２給電線とを第１期間の経過後に接続する。以上の態様においては、第１期間にて駆動トランジスタのドレインに蓄積された電荷を第２給電線に放電することが可能である。駆動トランジスタと発光素子との間に介在する発光制御スイッチを具備する電気光学装置においては、駆動回路は、第２期間にて発光制御スイッチをオン状態に制御し、第２期間の始点の前後を含む放電期間にて第２給電線を駆動トランジスタのドレインに接続する構成が好適である。以上の構成によれば、第２期間の開始前に駆動トランジスタのドレインの電荷を除去し、第２期間の開始後（発光制御スイッチがオン状態に遷移した後）に発光素子の陽極の電荷を除去することが可能である。以上の態様の具体例は、例えば第４実施形態として後述される。

本発明の第２の態様に係る電気光学装置は、画素回路と駆動回路とを具備する電気光学装置であって、画素回路は、第１電極および第２電極を含む容量素子と、第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、駆動電流の供給で発光する発光素子と、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と第２電極との接続を制御する選択スイッチと、第１電位が供給される第１給電線と第２電極との接続を制御する第１スイッチ（例えば図２のスイッチＲ1）と、駆動トランジスタのゲートとドレインとの接続を制御する第２スイッチ（例えば図２のスイッチＲ2）とを含み、駆動回路は、第１期間において、選択スイッチと第２スイッチとをオン状態に制御し、第１スイッチをオフ状態に制御し、第１期間の経過後に、選択スイッチと第２スイッチとをオフ状態に制御し、第１スイッチをオン状態に制御し、第１期間の経過後の第２期間において、第１スイッチをオン状態に維持する。

第２の態様のもとでは、第１期間において、選択スイッチがオン状態に制御されることで階調電位が信号線から第２電極に供給され、第２スイッチがオン状態に制御されて駆動トランジスタがダイオード接続されることで第１電極（ゲート）の電位が駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近する。第１期間の経過後に駆動トランジスタのダイオード接続が解除され、第１スイッチがオン状態に遷移することで第２電極に第１電位が供給されると、第１電極の電位に連動して第２電極の電位も変動する。すなわち、第１電極の電位（駆動トランジスタのゲートの電位）は階調電位と基準電位との差分に応じた電位に設定され、当該ゲートの電位に応じた駆動電流が発光素子に供給される。第１期間の経過後の第２期間では第１スイッチがオン状態に維持される。したがって、第２期間にて第２電極が電気的なフローティング状態となる従来の構成と比較すると、第２期間（典型的には発光素子の発光時）における駆動トランジスタのゲートの電位の変動（駆動電流の電流値の変動）を抑制することが可能である。

第２の態様の具体例（例えば後述の第５実施形態）において、駆動トランジスタと発光素子とは、第１駆動電位が供給される第１電位線（例えば図１４の電位線３２）と、第１駆動電位よりも低い第２駆動電位が供給される第２電位線（例えば図１４の電位線３４）との間に介在され、第１給電線は、第１電位線に導通し、選択スイッチは、Ｐチャネル型のトランジスタであり、第１スイッチは、Ｎチャネル型のトランジスタであり、選択スイッチのゲートと第１スイッチのゲートとには共通の信号が供給される。以上の態様においては、第１給電線が第１電位線に導通するから、第１給電線が第１電位線から独立して形成された構成と比較して構成が簡素化されるという利点がある。他方、第１給電線に第１駆動電位を供給する構成のもとでは階調電位を上昇させる必要があるが、選択スイッチがＮチャネル型である場合には階調電位の上昇とともに選択スイッチのオン抵抗が上昇するという問題がある。選択スイッチをＰチャネル型のトランジスタで構成した以上の態様においては、階調電位を上昇させた場合でも選択スイッチのオン抵抗を抑制できる（さらには第２電極の電位を高精度に設定できる）という利点がある。しかも、選択スイッチのゲートと第１スイッチのゲートとには共通の信号が供給されるから、選択スイッチを制御するための配線と第１スイッチを制御するための配線とを別個に形成した構成と比較して構成が簡素化されるという利点もある。

本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。本発明の電子機器の典型例は、電気光学装置を表示装置として利用した機器（例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話機）である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成する構成の画像形成装置（印刷装置）においては、像担持体を露光する手段（いわゆる露光ヘッド）として本発明の電気光学装置を採用することができる。

また、本発明は、電気光学装置を駆動する方法としても特定される。本発明の第１の態様に係る駆動方法は、第１電極および第２電極を含む容量素子と、第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、駆動電流の供給で発光する発光素子とを含む画素回路を具備する電気光学装置の駆動方法であって、第１期間において、駆動トランジスタをダイオード接続することで第１電極の電位を駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させ、指定階調に応じた階調電位を信号線から第２電極に供給し、第１期間の経過後に、駆動トランジスタのダイオード接続を解除し、信号線と第２電極とを絶縁し、第１電位が供給される第１給電線を第２電極に接続し、第１期間の経過後の第２期間において第１給電線と第２電極との接続を維持する。

また、本発明の第２の態様に係る駆動方法は、第１電極および第２電極を含む容量素子と、第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、駆動電流の供給で発光する発光素子と、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と第２電極との接続を制御する選択スイッチと、第１電位が供給される第１給電線と第２電極との接続を制御する第１スイッチと、駆動トランジスタのゲートとドレインとの接続を制御する第２スイッチとを含む画素回路を具備する電気光学装置の駆動方法であって、第１期間において、選択スイッチと第２スイッチとをオン状態に制御し、第１スイッチをオフ状態に制御し、第１期間の経過後に、選択スイッチと第２スイッチとをオフ状態に制御し、第１スイッチをオン状態に制御し、第１期間の経過後の第２期間において、第１スイッチをオン状態に維持する。第１の態様および第２の態様の駆動方法によれば、本発明に係る電気光学装置と同様の効果が実現される。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置のブロック図である。 画素回路の回路図である。 電気光学装置の動作のタイミングチャートである。 初期化動作時の画素回路の状態を示す模式図である。 補償動作時の画素回路の状態を示す模式図である。 発光動作時の画素回路の状態を示す模式図である。 第２実施形態における信号線駆動回路のブロック図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の動作のタイミングチャートである。 第３実施形態に係る電気光学装置の動作のタイミングチャートである。 第４実施形態に係る電気光学装置の動作のタイミングチャートである。 放電期間（第２期間の開始前）における画素回路の状態を示す模式図である。 変形例に係る画素回路の回路図である。 変形例に係る画素回路の回路図である。 第５実施形態に係る画素回路の回路図である。 電子機器の形態（パーソナルコンピュータ）を示す斜視図である。 電子機器の形態（携帯電話機）を示す斜視図である。 電子機器の形態（携帯情報端末）を示す斜視図である。 特許文献１に開示された画素回路の原理を説明するための模式図である。

＜Ａ：電気光学装置の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１００のブロック図である。電気光学装置１００は、画像を表示する表示体として各種の電子機器に搭載される発光装置である。図１に示すように、電気光学装置１００は、画素アレイ部１０と駆動回路２０と電源回路３０とを具備する。画素アレイ部１０は、平面状に配列された複数の画素回路Ｐを含んで構成される。駆動回路２０は、各画素回路Ｐを駆動することで画素アレイ部１０に画像を表示する。電源回路３０は、駆動電位ＶELと駆動電位ＶCTと基準電位ＶSTとを生成して各画素回路Ｐに供給する。駆動電位ＶCTは駆動電位ＶELを下回る電位である（ＶCT＜ＶEL）。

図１に示すように、画素アレイ部１０には、Ｘ方向に延在するＭ組の配線群１２と、Ｘ方向に交差するＹ方向に延在するＮ本の信号線（データ線）１４とが形成される（Ｍ，Ｎは自然数）。複数の画素回路Ｐは、各配線群１２と各信号線１４との交差に対応して縦Ｍ行×横Ｎ列の行列状に配列される。

図２は、各画素回路Ｐの回路図である。図２においては、第ｍ行（ｍ＝１〜Ｍ）の第ｎ列（ｎ＝１〜Ｎ）に位置する１個の画素回路Ｐが代表的に図示されている。図２に示すように、画素回路Ｐは、発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRと容量素子Ｃと複数のスイッチ（ＱEL，ＱSL，Ｒ1〜Ｒ3）とを含んで構成される。駆動トランジスタＴDRや各スイッチ（ＱEL，ＱSL，Ｒ1〜Ｒ3）の導電型は適宜に変更される。図１で１本の直線として図示された配線群１２は、図２に示すように、走査線１２１と発光制御線１２３と制御線１２５と制御線１２７とを含んで構成される。

発光素子Ｅは、電位線３２と電位線３４とを連結する経路上に配置され、駆動電流ＩDRの電流値に応じた輝度で発光する。例えば、有機ＥＬ材料の発光層を陽極と陰極との間に介在させた有機ＥＬ素子が発光素子Ｅとして好適に採用される。電位線３２には電源回路３０から駆動電位ＶELが供給され、電位線３４には電源回路３０から駆動電位ＶCTが供給される。発光素子Ｅの陰極は電位線３４に接続される。

駆動トランジスタＴDRは、発光素子Ｅの陽極と電位線３２との間に介在し、自身のゲートの電位ＶGに応じた電流値の駆動電流ＩDRを生成する。駆動トランジスタＴDRと発光素子Ｅとの間には発光制御スイッチＱELが介在する。発光制御スイッチＱELは、発光素子Ｅに対する駆動電流ＩDRの供給の可否を制御するトランジスタである。第ｍ行の各画素回路Ｐにおける発光制御スイッチＱELのゲートは第ｍ行の発光制御線１２３に接続される。

容量素子Ｃは、電極ｅ1と電極ｅ2とを含んで構成される。電極ｅ1は駆動トランジスタＴDRのゲートに接続される。選択スイッチＱSLは、電極ｅ2と第ｎ列の信号線１４との間に介在して両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。スイッチＲ1は、電極ｅ2と給電線３６との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。給電線３６には電源回路３０から基準電位ＶSTが供給される。

選択スイッチＱSLとスイッチＲ1とは逆導電型のトランジスタで構成される。第ｍ行の各画素回路Ｐにおける選択スイッチＱSLおよびスイッチＲ1の各々のゲートは、第ｍ行の走査線１２１に対して共通に接続される。したがって、選択スイッチＱSLとスイッチＲ1とは相補的に動作する。すなわち、選択スイッチＱSLがオン状態およびオフ状態の一方である場合にスイッチＲ1はオン状態およびオフ状態の他方となる。

スイッチＲ2は、駆動トランジスタＴDRのゲートとドレインとの間に介在して両者の電気的な接続を制御する。スイッチＲ2がオン状態に遷移すると駆動トランジスタＴDRはダイオード接続され、スイッチＲ2がオフ状態に遷移するとダイオード接続は解除される。第ｍ行の各画素回路ＰにおけるスイッチＲ2のゲートは、第ｍ行の制御線１２５に接続される。

スイッチＲ3は、容量素子Ｃの電極ｅ1と電極ｅ2との間に介在して両者の電気的な接続を制御する。具体的には、スイッチＲ3は、第１端がスイッチＲ1を介して電極ｅ2に接続され、第２端がスイッチＲ2を介して電極ｅ1に接続される。また、スイッチＲ3は、駆動トランジスタＴDRのドレインと給電線３６との間に介在して両者の電気的な接続を制御する要素としても把握される。第ｍ行の各画素回路ＰにおけるスイッチＲ3のゲートは、第ｍ行の制御線１２７に接続される。

図１の駆動回路２０は、走査線駆動回路２２と信号線駆動回路２４とを含んで構成される。走査線駆動回路２２は、複数の画素回路Ｐを行単位で選択（走査）するための走査信号ＧW[1]〜ＧW[M]を生成して各走査線１２１に出力する。図３に示すように、第ｍ行の走査線１２１に出力される走査信号ＧW[m]は、各垂直走査期間Ｆにおける第ｍ番目の水平走査期間Ｈ[m]にて電位ＶHH（走査線１２１の選択を意味する電位）に設定され、水平走査期間Ｈ[m]以外の期間にて電位ＶLL（走査線１２１の非選択を意味する電位）に設定される。また、走査線駆動回路２２は、発光制御信号ＧEL[1]〜ＧEL[M]と制御信号ＧA[1]〜ＧA[M]と制御信号ＧB[1]〜ＧB[M]とを生成して出力する。図２に示すように、発光制御信号ＧEL[m]は第ｍ行の発光制御線１２３に供給され、制御信号ＧA[m]は第ｍ行の制御線１２５に供給され、制御信号ＧB[m]は第ｍ行の制御線１２７に供給される。各信号の具体的な波形については後述する。

図１の信号線駆動回路２４は、各画素回路Ｐに指定された階調値（指定階調）に応じた階調電位（データ信号）ＶX[1]〜ＶX[N]を生成して各信号線１４に出力する。水平走査期間Ｈ[m]にて第ｎ列の信号線１４に供給される階調電位ＶX[n]は、第ｍ行の第ｎ列に位置する画素回路Ｐの指定階調に応じた電位に設定される。各画素回路Ｐの指定階調は、外部装置（図示略）から供給される画像信号で指示される。

以下に電気光学装置１００の動作を説明する。図３に示すように、初期化動作と補償動作と階調設定動作と発光動作とが、走査線駆動回路２２による選択に同期して行単位で順次に実行される。初期化動作は、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを初期化する動作である。補償動作は、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを当該駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHに応じた電位に漸近させる動作である。階調設定動作は、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを階調電位ＶX[n]に応じた電位に設定する動作である。発光動作は、発光素子Ｅを実際に発光させる動作である。図３に示すように、初期化動作は初期化期間ＴRSにて実行され、補償動作は第１期間Ｔ1にて実行され、発光動作は第２期間Ｔ2にて実行される。初期化期間ＴRSと第１期間Ｔ1とは水平走査期間Ｈ[m]に包含される。第ｍ行の第ｎ列に位置する画素回路Ｐに着目して各動作の具体的な内容を以下に説明する。

（１）初期化動作
初期化期間ＴRSにおいては、図３に示すように、制御信号ＧA[m]と制御信号ＧB[m]とがアクティブレベルに設定され、発光制御信号ＧEL[m]が非アクティブレベルに設定される。また、走査信号ＧW[m]は電位ＶHH（アクティブレベル）に設定される。したがって、図４に示すように、選択スイッチＱSLとスイッチＲ2とスイッチＲ3とがオン状態に制御され、発光制御スイッチＱELとスイッチＲ1とがオフ状態に制御される。

図４の状態では、駆動トランジスタＴDRのゲートがスイッチＲ2とスイッチＲ3とを介して給電線３６に接続されるから、図３に示すように、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは基準電位ＶSTに初期化される。基準電位ＶSTは、駆動電位ＶELよりも閾値電圧ＶTHだけ低い電位を下回るように設定される。したがって、駆動トランジスタＴDRは初期化動作でオン状態に遷移する。また、駆動トランジスタＴDRのドレインの電位もスイッチＲ3を介して基準電位ＶSTに初期化される。すなわち、初期化期間ＴRSの直前に駆動トランジスタＴDRのゲートやドレインに蓄積されていた電荷は初期化動作で除去（放電）される。

他方、走査信号ＧW[m]が電位ＶHHに設定されることで選択スイッチＱSLがオン状態に制御されるから、図４に示すように、信号線駆動回路２４が信号線１４に供給する階調電位ＶX[n]は選択スイッチＱSLを介して容量素子Ｃの電極ｅ2に供給される。したがって、図３に示すように、電極ｅ2の電位Ｖe2は階調電位ＶX[n]に設定される。なお、初期化期間ＴRSにて選択スイッチＱSLをオフ状態に設定する構成（第１期間Ｔ1にて電位Ｖe2を階調電位ＶX[n]に設定する構成）も採用される。

（２）補償動作
第１期間Ｔ1においては、初期化期間ＴRSの状態から制御信号ＧB[m]が非アクティブレベルに変化する。したがって、図５に示すようにスイッチＲ3がオフ状態に遷移する。すなわち、駆動トランジスタＴDRのゲートやドレインに対する基準電位ＶSTの供給が停止する。他方、スイッチＲ2はオン状態を維持するから、駆動トランジスタＴDRのダイオード接続は、初期化期間ＴRSから引続き第１期間Ｔ1でも維持される。したがって、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは、図３に示すように、初期化期間ＴRSにて設定された基準電位ＶSTから駆動電位ＶELと閾値電圧ＶTHとの差分に相当する補償電位（ＶEL−ＶTH）に経時的に漸近する。他方、選択スイッチＱSLはオン状態に維持されるから、電極ｅ2の電位Ｖe2は、初期化期間ＴRSから引続き階調電位ＶX[n]に保持される。

なお、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGが第１期間Ｔ1の終点にて補償電位(ＶEL−ＶTH)に到達する場合を図５では例示したが、電位ＶGが補償電位(ＶEL−ＶTH)に完全に到達することは必須ではない。すなわち、補償動作は、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGに閾値電圧ＶTHを反映させる（電位ＶGを閾値電圧ＶTHに応じた電位に漸近させる）動作として包括される。

（３）階調設定動作
第１期間Ｔ1が経過すると、図３に示すように、制御信号ＧA[m]が非アクティブレベルに変化することでスイッチＲ2がオフ状態に遷移する。したがって、図６に示すように、駆動トランジスタＴDRのダイオード接続が解除される。さらに、水平走査期間Ｈ[m]の経過で走査信号ＧW[m]が電位ＶLL（低電位）に変化すると、図６に示すように、選択スイッチＱSLがオフ状態に遷移するとともにスイッチＲ1がオン状態に遷移する。すなわち、容量素子Ｃの電極ｅ2の接続先が信号線１４から給電線３６に変更される。したがって、電極ｅ2の電位Ｖe2は、図３に示すように、階調電位ＶX[n]から基準電位ＶSTに変化（基本的には低下）して当該基準電位ＶSTに維持される。

駆動トランジスタＴDRのゲートのインピーダンスは充分に高いから、スイッチＲ2がオフ状態に遷移することで駆動トランジスタＴDRのゲートは電気的なフローティング状態となる。したがって、電極ｅ2の電位Ｖe2が階調電位ＶX[n]から基準電位ＶSTに変化量ΔＶ（ΔＶ＝ＶX[n]−ＶST）だけ変化すると、電極ｅ1の電位（電位ＶG）は、図３に示すように、補償動作で設定された電位（理想的には補償電位）から変化量ｋ・ΔＶだけ変化する。すなわち、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは、閾値電圧ＶTHと階調電位ＶX[n]とに応じた電位に設定される。係数ｋは、電極ｅ1に付随する容量（例えば駆動トランジスタＴDRのゲート容量や配線に寄生する容量）と容量素子Ｃとの容量比に応じて決定される。

（４）発光動作
第２期間Ｔ2においては、図３に示すように、階調設定動作の直後の状態から発光制御信号ＧEL[m]がアクティブレベルに変化する。したがって、図６に示すように、発光制御スイッチＱELがオン状態に遷移して駆動電流ＩDRの経路が形成される。以上の状態においては、階調設定動作で設定された電位ＶGに応じた電流値の駆動電流ＩDRが電位線３２から駆動トランジスタＴDRと発光制御スイッチＱELとを経由して発光素子Ｅに供給される。したがって、発光素子Ｅは、階調電位ＶX[n]に応じた輝度で発光する。以上のように、補償動作による設定後の電位（補償電位）を変化量ｋ・ΔＶだけ変化させた電位ＶGに応じて駆動電流ＩDRの電流値が決定されるから、駆動電流ＩDRの電流値（発光素子Ｅの輝度）に対する閾値電圧ＶTHの誤差の影響は有効に抑制（理想的には解消）される。

他方、走査信号ＧW[m]は、水平走査期間Ｈ[m]の終点から次回の水平走査期間Ｈ[m]の始点までの期間（第２期間Ｔ2を含む期間）内にて電位ＶLLに設定されるから、スイッチＲ1は第２期間Ｔ2にてオン状態を維持する。すなわち、第２期間Ｔ2においては、電極ｅ2と給電線３６との電気的な接続が維持されることで電極ｅ2の電位Ｖe2は基準電位ＶSTに固定される。したがって、本実施形態においては、第２期間Ｔ2にて電極ｅ2が電気的なフローティング状態に設定される構成と比較すると、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGの変動を抑制する（さらには発光素子Ｅの輝度の誤差を抑制する）ことが可能である。以上の説明から理解されるように、容量素子Ｃは、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを階調電位ＶX[n]に応じて設定する機能（カップリング容量）と、第２期間Ｔ2にて駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGの変動を抑制する機能（保持容量）とを兼備する。

＜Ｂ：第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第１実施形態と同等である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図７は、第２実施形態に係る電気光学装置１００の信号線駆動回路２４のブロック図である。図７に示すように、信号線駆動回路２４は、分配回路５２と信号出力回路５４と制御回路５６とを含んで構成される。信号線駆動回路２４の実装の態様は任意であるが、例えば、信号出力回路５４と制御回路５６とを集積回路（ＩＣチップ）の形態で実装し、各画素回路Ｐとともに形成された薄膜トランジスタで分配回路５２を構成した態様が好適である。

分配回路５２は、各信号線１４に対応するＮ個のスイッチＤを含んで構成される。Ｎ個のスイッチＤは、相隣接するＫ個（Ｋは２以上の自然数）のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]を単位としてＪ個のブロックＢ[1]〜Ｂ[J]に区分される（Ｊ＝Ｎ/Ｋ）。ブロックＢ[1]〜Ｂ[J]の区分の方法は任意であるが、例えば、表示色（例えば赤色，緑色，青色）が共通するＭ個の画素回路ＰをＹ方向に配列（ストライプ配列）した構成において、相異なる複数の表示色に対応するＫ列（例えば、赤色と緑色と青色との各表示色に対応する３列）に対応するようにＮ個のスイッチＤがブロックＢ[1]〜Ｂ[J]に区分される。

信号出力回路５４は、Ｊ系統の階調信号Ｓ[1]〜Ｓ[J]を並列に出力する。階調信号Ｓ[j]（ｊ＝１〜Ｊ）は、ブロックＢ[j]内のＫ個のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]に対して共通に供給される。ブロックＢ[j]内のＫ個のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]の各々は、当該スイッチＤ[k]（ｋ＝１〜Ｋ）に対応する信号線１４と階調信号Ｓ[j]の出力端との間に介在して両者の電気的な接続（導通／非導通）を制御する。

制御回路５６は、各ブロックＢ[k]内のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]の総数に相当するＫ系統の選択信号ＳEL[1]〜ＳEL[K]を生成して出力する。選択信号ＳEL[k]は、ブロックＢ[1]〜Ｂ[J]の各々における第ｋ番目のスイッチＤ[k]のゲートに供給される。図８に示すように、制御回路５６は、水平走査期間Ｈ[m]内の第１期間Ｔ1にて選択信号ＳEL[1]〜ＳEL[K]を順番にアクティブレベル（スイッチＤをオン状態に制御するレベル）に設定する。したがって、ブロックＢ[j]内のＫ個のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]は、各水平走査期間Ｈ[m]内の第１期間Ｔ1にて順番にオン状態に遷移する。

図８に示すように、信号出力回路５４が出力する階調信号Ｓ[j]は、選択信号ＳEL[1]〜ＳEL[K]に同期して、ブロックＢ[j]に対応するＫ個の画素回路Ｐの階調電位ＶX[n]（以下では、ブロックＢ[j]内のＫ個のスイッチＤ[1]〜Ｄ[K]の表記に合わせて階調電位ＶX_1〜ＶX_Kと表記する）に時分割で設定される。具体的には、水平走査期間Ｈ[m]の第１期間Ｔ1のうち選択信号ＳEL[k]がアクティブレベルに設定される期間内に、階調信号Ｓ[j]は、ブロックＢ[j]のスイッチＤ[k]に対応する信号線１４と第ｍ行の走査線１２１との交差に対応する画素回路Ｐの指定階調に応じた階調電位ＶX_kに設定される。したがって、ブロックＢ[j]に対応するＫ本の信号線１４には、第１期間Ｔ1内に階調電位ＶX_1〜ＶX_Kが時分割で順次に供給される。すなわち、分配回路５２は、１系統の階調信号Ｓ[j]をＫ系統の階調電位ＶX_1〜ＶX_Kに分配するデマルチプレクサとして機能する。

第１期間Ｔ1では走査信号ＧW[m]が電位ＶHHに設定されることで第ｍ行の各画素回路Ｐの選択スイッチＱSLがオン状態に設定されるから、第ｍ行のうちブロックＢ[j]に対応するＫ個（Ｋ列分）の画素回路Ｐにおける電極ｅ2の電位Ｖe2は、図８に示すように、初期化期間ＴRSにおける設定後の基準電位ＶSTから、選択信号ＳEL[k]に同期して順次に階調電位ＶX_1〜ＶX_Kに変化する。第１期間Ｔ1内における電位Ｖe2の変化（ＶST→ＶX_k）に連動して駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGが変動する動作は第１実施形態と相違するが、電位ＶGを補償電位(ＶEL−ＶTH)に漸近させる補償動作の作用は第１実施形態と同様である。

第２実施形態においても第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第２実施形態においては、階調信号Ｓ[j]が分配回路５２にてＫ系統の階調電位ＶX_1〜ＶX_Kに分配されるから、信号出力回路５４がＮ系統の階調電位ＶX[1]〜ＶX[N]を出力する構成と比較して信号出力回路５４の動作の速度を低減する（ひいては信号出力回路５４のコストを削減する）ことが可能である。また、信号出力回路５４の出力端の接続点の総数が削減されるから、電気光学装置１００の信頼性を確保できるという利点もある。

＜Ｃ：第３実施形態＞
第２実施形態においては、駆動トランジスタＴDRのダイオード接続による補償動作に並行して、各ブロックＢ[j]に対応するＫ個の画素回路Ｐの電極ｅ2に時分割で階調電位ＶX_1〜ＶX_Kが供給される。したがって、補償動作の実行中における駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは、Ｋ個の画素回路Ｐについて相異なる時点で、電位Ｖe2の変化（ＶST→ＶX_k）に起因して変動する。具体的には、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは、ブロックＢ[j]に対応するＫ個のうちの第１列目の画素回路Ｐにおいては時点ｔ1にて変動するのに対し、第２列目の画素回路Ｐでは時点ｔ2にて変動し、第Ｋ列目の画素回路Ｐでは時点ｔKにて変動する。電位ＶGが補償電位(ＶEL−ＶTH)に接近するほど、補償動作による電位ＶGの変化率は低下するから、階調電位ＶX_1〜ＶX_Kが同電位に設定された場合（すなわち、Ｋ個の画素回路Ｐに共通の階調が指定された場合）でも、第１期間Ｔ1の終点における駆動トランジスタＴDRの電位ＶGは、Ｋ個の画素回路Ｐの各々で相違し得る。具体的には、第１期間Ｔ1の終点での電位ＶGは、第１期間Ｔ1の早い時点ｔ1で電位ＶGが電位Ｖe2に応じて変動する第１列目の画素回路Ｐのほうが、時点ｔ1から遅れた時点ｔ2で電位ＶGが変動する第２列目の画素回路Ｐよりも低い電位となる。したがって、ブロックＢ[j]に対応するＫ個の画素回路Ｐにおいて発光素子Ｅの輝度がばらつくという問題がある。第３実施形態は、以上の課題を解決するための形態である。なお、第３実施形態における電気光学装置１００（信号線駆動回路２４）の構成は第２実施形態と同様である。

図９は、第３実施形態における各画素回路Ｐの動作のタイミングチャートである。図９に示すように、ブロックＢ[j]に対応するＫ個の画素回路Ｐの電極ｅ2に対して第１期間Ｔ1内に時分割で階調電位ＶX_1〜ＶX_Kが供給される構成や動作は第２実施形態と同様である。

図９に示すように、初期化期間ＴRSは省略され、第１期間Ｔ1は出力期間ＴAと補償期間ＴBとに区分される。出力期間ＴAは、選択信号ＳEL[1]〜ＳEL[K]の各々がアクティブレベルとなる期間を包含する。すなわち、各ブロックＢ[j]に対応するＫ個の画素回路Ｐに対する階調電位ＶX_1〜ＶX_Kの供給は出力期間ＴA内で完了する。

走査線駆動回路２２は、出力期間ＴA内にて制御信号ＧB[m]をアクティブレベルに維持する。第１期間Ｔ1内では制御信号ＧA[m]がアクティブレベルに設定されることでスイッチＲ2はオン状態に制御される（駆動トランジスタＴDRがダイオード接続される）から、制御信号ＧB[m]がアクティブレベルに設定される出力期間ＴAにおいては、図４の例示と同様に、駆動トランジスタＴDRのゲートおよびドレインが給電線３６に接続される。したがって、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGやドレインの電位が基準電位ＶSTに初期化され、出力期間ＴAの直前にゲートやドレインに蓄積されていた電荷が除去（放電）される。すなわち、第１実施形態や第２実施形態における初期化動作が出力期間ＴA内にて実行される。以上のように駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは基準電位ＶSTに維持されるから、出力期間ＴA内では補償動作は実行されない。

図９に示すように、出力期間ＴAの経過後の補償期間ＴBでは、制御信号ＧB[m]が非アクティブレベルに設定されることで、図５の例示と同様にスイッチＲ3がオフ状態に遷移する。出力期間ＴAから引続き補償期間ＴBでもスイッチＲ2はオン状態を維持するから、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGは、図９に示すように、補償期間ＴBの始点から変動を開始して補償電位(ＶEL−ＶTH)に漸近する。すなわち、ブロックＢ[j]のＫ個の画素回路Ｐに対する階調電位ＶX_1〜ＶX_Kの供給の完了後（補償期間ＴBの始点）に、Ｋ個の画素回路Ｐにおいて補償動作が同時に開始する。そして、第１期間Ｔ1の終点（補償期間ＴBの終点）にて制御信号ＧA[m]が非アクティブレベルに設定される（スイッチＲ2がオフ状態に遷移する）ことで、Ｋ個の画素回路Ｐにおける補償動作が同時に終了する。階調設定動作や発光動作は第１実施形態や第２実施形態と同様である。

以上の説明のように、第３実施形態においては、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを補償電位(ＶEL−ＶTH)に漸近させる補償動作が、各画素回路Ｐに対する階調電位ＶX_1〜ＶX_Kの供給の完了後（出力期間ＴAの経過後）に、Ｋ個の画素回路Ｐについて同時に開始および終了する。したがって、補償動作中の電位ＶGの変動の時点がＫ個の画素回路Ｐで相違することに起因した各発光素子Ｅの輝度のばらつきを抑制することが可能である。また、各画素回路Ｐに対する階調電位ＶX_1〜ＶX_Kの供給に並行して駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGがの初期化が実行される（初期化期間ＴRSが省略される）から、初期化期間ＴRSが独立に設定される第２実施形態（図８）と比較して、階調電位ＶX_1〜ＶX_Kの供給や補償動作の時間を確保し易いという利点もある。

＜Ｄ：第４実施形態＞
図１０は、第４実施形態における画素回路Ｐの動作のタイミングチャートである。図１０に示すように、走査線駆動回路２２は、水平走査期間Ｈ[m]（第１期間Ｔ1）の経過後の放電期間ＴDにおいて、制御信号ＧB[m]をアクティブレベルに設定する。したがって、図１１に示すように、放電期間ＴDにおいては、スイッチＲ2がオフ状態に維持された状態で、スイッチＲ3がオン状態に制御される。すなわち、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGが直前の第１期間Ｔ1における設定後の電位（閾値電圧ＶTHおよび階調電位ＶX_kに応じた電位）に維持されたまま、駆動トランジスタＴDRのドレインが給電線３６に対して電気的に接続される。なお、水平走査期間Ｈ[m]の経過後に電極ｅ2の電位Ｖe2が基準電位ＶSTに維持される動作は以上の各形態と同様である。

図１０に示すように、放電期間ＴDは、第２期間Ｔ2の始点を境界として期間ＴD1と期間ＴD2とに区分される。期間ＴD1は、第２期間Ｔ2の開始前の期間であり、期間ＴD2は第２期間Ｔ2の開始後の期間である。期間ＴD1においては、図１１に示すように、駆動トランジスタＴDRのドレインが給電線３６に接続されることで、放電期間ＴDの直前にドレインに蓄積されていた電荷（例えば補償動作の実行中に蓄積された電荷）が給電線３６に放電される。したがって、駆動トランジスタＴDRのドレインに残存する電荷に起因した発光素子Ｅの輝度の誤差が抑制されるという利点がある。

他方、第２期間Ｔ2の開始とともに発光制御スイッチＱELがオン状態に遷移するから、期間ＴD2では発光素子Ｅの陽極が給電線３６に接続される。すなわち、期間ＴD2の直前に発光素子Ｅの陽極に蓄積されていた電荷（例えば、発光制御スイッチＱELのリークに起因した電荷）が給電線３６に放電される。したがって、発光素子Ｅの陽極に残存した電荷に起因した輝度の誤差（特に、最低階調の指定時にも発光素子Ｅが微弱に発光することに起因した黒浮き）が有効に抑制されるという利点がある。

なお、基準電位ＶSTは、発光素子Ｅの陰極の駆動電位ＶCTと比較して発光素子Ｅの閾値電圧ＶTH_Eだけ高い電位を下回るように設定される。したがって、発光素子Ｅは、期間ＴD2内においては発光せず、期間ＴD2が経過した時点（すなわち、発光素子Ｅの陽極と給電線３６との接続が解除された時点）で発光を開始する。

＜第１実施形態から第４実施形態の変形例＞
以上の各形態において、初期化期間ＴRSや放電期間ＴDでの駆動トランジスタＴDRのゲートやドレインの接続先は給電線３６に限定されない。例えば、図１２に示すように、給電線３６とは別の給電線３８と駆動トランジスタＴDRのドレインとの間にスイッチＲ3を介在させた構成も採用される。給電線３８には基準電位ＶSTを下回る所定の電位Ｖ0（例えば接地電位）が供給される。基準電位ＶSTは、変化量ΔＶが所定の範囲内の電圧となるように階調電位ＶX_kの振幅に応じて選定する必要があるが、図１２の構成においては、駆動トランジスタＴDRのゲートやドレインの接続先（放電先）となる給電線３８の電位Ｖ0を基準電位ＶX_kとは無関係に選定できる。したがって、電位Ｖ0を充分に低い電位に設定することで、駆動トランジスタＴDRのゲートやドレインの電荷（さらに第４実施形態では期間ＴD2の直前の発光素子Ｅの陽極の電荷）を有効に放電することが可能である。

また、図１３に示すように、電位線３４（発光素子Ｅの陰極）と駆動トランジスタＴDRのドレインとの間にスイッチＲ3を介在させた構成も好適である。図１３の構成によれば、放電時に発光素子Ｅの陽極の電位が上昇した場合でも、発光素子Ｅの両端間の電圧は閾値電圧ＶTH_Eを上回らないから、放電時における発光素子Ｅの発光（誤発光）を防止できるという利点がある。

＜Ｅ：第５実施形態＞
図１４は、第５実施形態における画素回路Ｐの回路図である。図１４に示すように、画素回路Ｐは、第１実施形態の画素回路Ｐにおける選択スイッチＱSLおよびスイッチＲ1の導電型を逆転させた構成である。すなわち、選択スイッチＱSLはＰチャネル型のトランジスタで構成され、スイッチＲ1はＮチャネル型のトランジスタで構成される。したがって、第５実施形態の走査信号ＧW[m]は、第１実施形態の走査信号ＧW[m]のレベルを反転させた波形となる。

また、給電線３６は電位線３２に導通する（すなわち、電位線３２と共通の配線である）。したがって、給電線３６には駆動電位ＶELが供給される。以上の構成によれば、給電線３６を電位線３２から独立して形成した場合と比較して画素回路Ｐの構成が簡素化されるという利点がある。また、基準電位ＶSTが不要となるから、電源回路３０の構成が簡素化されるという利点もある。なお、スイッチＲ3が駆動トランジスタＴDRのドレインと給電線３８との間に介在する構成は図１２と同様である。ただし、スイッチＲ3を駆動トランジスタＴDRのドレインと電位線３４との間に介在させた構成（図１３）も採用される。

発光素子Ｅを発光させるためには、階調設定動作の実行時に、駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを補償動作の実行後の電位から低下させる必要がある。したがって、給電線３６を電位線３２（ＶEL）に導通させた構成では、電極ｅ2の電位Ｖe2を階調設定動作の実行で給電線３６の電位ＶELに設定したときに駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGが低下するように、少なくとも高階調に対応する階調電位ＶXを、駆動電位ＶELよりも高位に設定する必要がある。選択スイッチＱSLをＮチャネル型とした構成では、階調電位ＶXを上昇させると、選択スイッチＱSLのゲート−ソース間の電圧が低下するから、選択スイッチＱSLのオン抵抗が増大する（したがって、電極ｅ2の電位Ｖe2を所期の電位に設定できない）という問題がある。図１４の画素回路Ｐにおいては、選択スイッチＱSLがＰチャネル型で構成されるから、階調電位ＶXを上昇させた場合でも選択スイッチＱSLのオン抵抗を充分に低下させることが可能である。したがって、図１４の構成によれば、給電線３６を電位線３２と共通化することで画素回路Ｐや電源回路３０の構成を簡素化しながら、選択スイッチＱSLのオン抵抗を抑制することで電極ｅ2の電位Ｖe2を高精度に設定できるという利点がある。

＜Ｆ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形が加えられる。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は併合され得る。

（１）変形例１
以上の各形態においては、選択スイッチＱSLとスイッチＲ1とが別個の配線に接続された（したがって、別個の信号で制御される）構成も採用される。したがって、選択スイッチＱSLとスイッチＲ1とは共通の導電型のトランジスタで構成され得る。もっとも、選択スイッチＱSLとスイッチＲ1とが共通の走査線１２１に接続された以上の各形態によれば、画素回路Ｐや駆動回路２０の構成が簡素化されるという利点がある。

（２）変形例２
第４実施形態や第５実施形態は、第１実施形態にも同様に適用され得る。すなわち、階調電位ＶX_1〜ＶX_Kを各画素回路Ｐに時分割で供給するという第２実施形態や第３実施形態の構成は、放電期間ＴDにて駆動トランジスタＴDRのドレインや発光素子Ｅの陽極の電荷を放電する第４実施形態の構成や給電線３６に駆動電位ＶELを供給する第５実施形態の構成にとって必須ではない。

（３）変形例３
第４実施形態においては放電期間ＴDが期間ＴD1と期間ＴD2とで構成される場合を例示したが、放電期間ＴDが期間ＴD1および期間ＴD2の一方のみを含む構成も採用される。例えば、第２期間Ｔ2の開始前に放電期間ＴDが終了する構成（期間ＴD2を省略した構成）でも、補償動作中に駆動トランジスタＴDRのドレインに蓄積された電荷を除去することが可能である。

（４）変形例４
第１実施形態や第２実施形態において、初期化期間ＴRSにて駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを初期化する方法は任意である。したがって、駆動トランジスタＴDRのゲートに給電線３６の基準電位ＶSTを供給するためのスイッチＲ3は省略され得る。

（５）変形例５
有機ＥＬ素子は発光素子Ｅの例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子などの発光素子を利用した電気光学装置にも以上の各形態と同様に本発明が適用される。すなわち、本発明における発光素子は、電気エネルギの供給で発光する電気光学素子（典型的には電流駆動型の自発光素子）として包括される。

＜Ｇ：応用例＞
次に、以上の態様に係る電気光学装置１００を利用した電子機器について説明する。図１５ないし図１７には、電気光学装置１００を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。

図１５は、電気光学装置１００を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。

図１６は、電気光学装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。

図１７は、電気光学装置１００を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が電気光学装置１００に表示される。

なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１５から図１７に例示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、電子写真方式の画像形成装置において露光により感光体ドラムに潜像を形成する露光装置としても本発明の電気光学装置は利用される。

１００……電気光学装置、１０……画素アレイ部、１２……配線群、１２１……走査線、１２３……発光制御線、１２５……制御線、１２７……制御線、１４……信号線、２０……駆動回路、２２……走査線駆動回路、２４……信号線駆動回路、３０……電源回路、３２，３４……電位線、３６，３８……給電線、５２……分配回路、Ｄ（Ｄ[1]〜Ｄ[K]）……スイッチ、Ｂ[1]〜Ｂ[J]……ブロック、５４……信号出力回路、５６……制御回路。

Claims (9)

1. 第１電極および第２電極を含む容量素子と、前記第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動電流の供給で発光する発光素子とを含む画素回路を具備する電気光学装置の駆動方法であって、
   第１期間において、前記駆動トランジスタをダイオード接続することで前記第１電極の電位を前記駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させ、指定階調に応じた階調電位を信号線から前記第２電極に供給し、
   前記第１期間の経過後に、前記駆動トランジスタのダイオード接続を解除し、前記信号線と前記第２電極とを絶縁し、第１電位が供給される第１給電線を前記第２電極に接続し、
   前記第１期間の経過後の第２期間において前記第１給電線と前記第２電極との接続を維持する
   電気光学装置の駆動方法。
2. 前記電気光学装置は、複数の前記画素回路を具備し、
   前記第１期間内の出力期間において、第２電位が供給される第２給電線を前記複数の画素回路の各々における駆動トランジスタのドレインに接続するとともに、前記各画素回路に対応する複数の信号線の各々に時分割で階調電位を供給し、
   前記第１期間のうち前記出力期間の経過後の補償期間において、前記複数の画素回路の各々における前記駆動トランジスタのドレインと前記第２給電線との接続を解除することで、前記第１電極の電位を前記駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させる
   請求項１の電気光学装置の駆動方法。
3. 前記駆動トランジスタのドレインと前記第２給電線とを前記第１期間の経過後に接続する
   請求項２の電気光学装置の駆動方法。
4. 前記駆動トランジスタと前記発光素子との間に介在する発光制御スイッチを具備し、
   前記第２期間にて前記発光制御スイッチをオン状態に制御し、前記第２期間の始点の前後を含む放電期間にて前記第２給電線を前記駆動トランジスタのドレインに接続する
   請求項３の電気光学装置の駆動方法。
5. 第１電極および第２電極を含む容量素子と、前記第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、前記駆動電流の供給で発光する発光素子と、指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と前記第２電極との接続を制御する選択スイッチと、第１電位が供給される第１給電線と前記第２電極との接続を制御する第１スイッチと、前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの接続を制御する第２スイッチとを含む画素回路を具備する電気光学装置の駆動方法であって、
   第１期間において、前記選択スイッチと前記第２スイッチとをオン状態に制御し、前記第１スイッチをオフ状態に制御し、
   前記第１期間の経過後に、前記選択スイッチと前記第２スイッチとをオフ状態に制御し、前記第１スイッチをオン状態に制御し、
   前記第１期間の経過後の第２期間において、前記第１スイッチをオン状態に維持する
   電気光学装置の駆動方法。
6. 前記駆動トランジスタと前記発光素子とは、第１駆動電位が供給される第１電位線と、前記第１駆動電位よりも低い第２駆動電位が供給される第２電位線との間に介在し、
   前記第１給電線は、前記第１電位線に導通し、
   前記選択スイッチは、Ｐチャネル型のトランジスタであり、
   前記第１スイッチは、Ｎチャネル型のトランジスタであり、
   前記選択スイッチのゲートと前記第１スイッチのゲートとに共通の信号を供給する
   請求項５の電気光学装置の駆動方法。
7. 画素回路と駆動回路とを具備する電気光学装置であって、
   前記画素回路は、
   第１電極および第２電極を含む容量素子と、
   前記第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
   前記駆動電流の供給で発光する発光素子とを含み、
   前記駆動回路は、
   第１期間において、前記駆動トランジスタをダイオード接続することで前記第１電極の電位を前記駆動トランジスタの閾値電圧に応じた電位に漸近させ、指定階調に応じた階調電位を信号線から前記第２電極に供給し、
   前記第１期間の経過後に、前記駆動トランジスタのダイオード接続を解除し、前記信号線と前記第２電極とを絶縁し、第１電位が供給される第１給電線を前記第２電極に接続し、
   前記第１期間の経過後の第２期間において前記第１給電線と前記第２電極との接続を維持する
   電気光学装置。
8. 画素回路と駆動回路とを具備する電気光学装置であって、
   前記画素回路は、
   第１電極および第２電極を含む容量素子と、
   前記第１電極に接続されたゲートの電位に応じた駆動電流を生成する駆動トランジスタと、
   前記駆動電流の供給で発光する発光素子と、
   指定階調に応じた階調電位が供給される信号線と前記第２電極との接続を制御する選択スイッチと、
   第１電位が供給される第１給電線と前記第２電極との接続を制御する第１スイッチと、
   前記駆動トランジスタのゲートとドレインとの接続を制御する第２スイッチとを含み、
   前記駆動回路は、
   第１期間において、前記選択スイッチと前記第２スイッチとをオン状態に制御し、前記第１スイッチをオフ状態に制御し、
   前記第１期間の経過後に、前記選択スイッチと前記第２スイッチとをオフ状態に制御し、前記第１スイッチをオン状態に制御し、
   前記第１期間の経過後の第２期間において、前記第１スイッチをオン状態に維持する
   電気光学装置。
9. 請求項７または請求項８の電気光学装置を具備する電子機器。
   

Images