CN104575394A - Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用8T1C结构，包括：第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八薄膜晶体管管(T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8)、电容(C1)、及有机发光二极管(OLED)。该AMOLED像素驱动电路通过直接抓取第二薄膜晶体管(T2)即驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管(OLED)的电流稳定，保证有机发光二极管(OLED)的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够避免有机发光二极管(OLED)的不必要发光，降低耗电量。

Description

AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。
如图1所述，传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容C，所述第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，所述电容C为存储电容。具体地，所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描信号Scan，源极电性连接数据信号Data，漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容C的一端电性连接；所述第二薄膜晶体管T20的源极电性连接电源电压VDD，漏极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极接地；电容C的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的漏极，另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的源极。AMOLED显示时，扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10打开，数据信号Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C，然后第一薄膜晶体管T10闭合，由于电容C的存储作用，第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压，使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D，驱动有机发光二级管D发光。
上述传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移很敏感，随着驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，流过有机发光二极管的电流变化很大，如图2所示，对该传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路进行测试，当驱动薄膜晶体管的阈值电压相对于-0.2V分别漂移±0.5V时，在数个不同的数据信号电压下，流过有机发光二级管的电流变化率均超过40.66％，甚至高达79.39％，直接导致有机发光二极管的发光很不稳定、亮度很不均匀，极大地影响画面的显示效果。要解决上述问题的需对每一个像素加补偿电路，补偿意味着必须对每一个像素中的驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿，使流过有机发光二级管的电流变得与阈值电压无关。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极及第二薄膜晶体管的漏极；
所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极及第一薄膜晶体管的漏极；
所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接于电源电压及第七薄膜晶体管的漏极；
所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号，源极电性连接于第八薄膜晶体管的漏极及第二节点，漏极电性连接于第三节点；
所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，源极电性连接于电容的一端及第三节点，漏极电性连接于电源电压；
所述第八薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于有机发光二极管的阳极，漏极电性连接于第二节点及第六薄膜晶体管的源极；
所述电容的一端电性连接于第七薄膜晶体管的源极及第三节点，另一端接地；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第八薄膜晶体管的源极，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；所述AMOLED像素驱动电路通过直接抓取所述第二薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、与第八薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、与第四扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述电源电压大于数据信号电压与第二薄膜晶体管的阈值电压之和。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、第四扫描控制信号与数据信号相组合，先后对应于一预调整阶段、一电流调整阶段、及一驱动阶段；
所述第三扫描控制信号在预调整阶段、及电流调整阶段均提供低电位，控制所述有机发光二极管不发光；在驱动阶段提供高电位，控制所述有机发光二极管发光。
在所述预调整阶段，所述第一扫描控制信号、及第四扫描控制信号均提供高电位，所述第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、及数据信号均提供低电位；
在所述电流调整阶段，所述第一扫描控制信号及第三扫描控制信号均提供低电位，所述第二扫描控制信号、第四扫描控制信号、及数据信号均提供高电位；
在所述驱动阶段，所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第四扫描控制信号、及数据信号均提供低电位，所述第三扫描控制信号提供高电位。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极及第二薄膜晶体管的漏极；
所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极及第一薄膜晶体管的漏极；
所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于第三节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接于电源电压及第七薄膜晶体管的漏极；
所述第五薄膜晶体管的栅极电性连接于第二扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第四扫描控制信号，源极电性连接于第八薄膜晶体管的漏极及第二节点，漏极电性连接于第三节点；
所述第七薄膜晶体管的栅极电性连接于第一扫描控制信号，源极电性连接于电容的一端及第三节点，漏极电性连接于电源电压；
所述第八薄膜晶体管的栅极电性连接于第三扫描控制信号，源极电性连接于有机发光二极管的阳极，漏极电性连接于第二节点及第六薄膜晶体管的源极；
所述电容的一端电性连接于第七薄膜晶体管的源极及第三节点，另一端接地；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第八薄膜晶体管的源极，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；
步骤2、进入预调整阶段；
所述第一扫描控制信号、及第四扫描控制信号均提供高电位，所述第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、及数据信号均提供低电位，所述第六、第七薄膜晶体管打开，电容充电至电源电压，第四、第八薄膜晶体管关闭，控制有机发光二极管不发光；
步骤3、进入电流调整阶段；
所述第一扫描控制信号、及第三扫描控制信号均提供低电位，所述第二扫描控制信号、第四扫描控制信号、及数据信号均提供高电位，所述第七薄膜晶体管关闭，第一、第二、第五、第六薄膜晶体管打开，电容放电至VData+Vth，直接抓取到所述第二薄膜晶体管的阈值电压，其中VData为数据信号电压，Vth为第二薄膜晶体管的阈值电压，第四、第八薄膜晶体管关闭，控制有机发光二极管不发光；
步骤4、进入驱动阶段；
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第四扫描控制信号、及数据信号均提供低电位，所述第三扫描控制信号提供高电位，第一、第五、第六薄膜晶体管关闭，第三薄膜晶体管打开，所述电容将第二薄膜晶体管的栅极电压保持在VData+Vth，第二薄膜晶体管打开，第四、第八薄膜晶体管打开，控制有机发光二极管发光，且通过所述直接抓取到的第二薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿，使得流经所述有机发光二极管的电流与第二薄膜晶体管的阈值电压无关。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、与第八薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、第三扫描控制信号、与第四扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述电源电压大于数据信号电压与第二薄膜晶体管的阈值电压之和。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，采用8T1C结构的像素驱动电路，通过直接抓取第二薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够使有机发光二极管仅在驱动阶段发光，避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路的电路图；
图2为图1所示电路在驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移时流过有机发光二级管的电流数据表；
图3为本发明AMOLED像素驱动电路的电路图；
图4为本发明AMOLED像素驱动电路的时序图；
图5为本发明AMOLED像素驱动方法的步骤2的示意图；
图6为本发明AMOLED像素驱动方法的步骤3的示意图；
图7为本发明AMOLED像素驱动方法的步骤4的示意图；
图8为本发明的AMOLED像素驱动电路在驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移时流过有机发光二级管的电流数据表。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，该AMOLED像素驱动电路为8T1C结构，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、第八薄膜晶体管T8、电容C1、及有机发光二极管OLED。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于第二扫描控制信号S2，源极电性连接于数据信号Data，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极及第二薄膜晶体管T2的漏极；所述第二薄膜晶体管T2的栅极电性连接于第一节点A，源极电性连接于第二节点B，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极及第一薄膜晶体管T1的漏极；所述第三薄膜晶体管T3的栅极电性连接于第三扫描控制信号S3，源极电性连接于第三节点D，漏极电性连接于第一节点A；所述第四薄膜晶体管T4的栅极电性连接于第三扫描控制信号S3，源极电性连接于第二薄膜晶体管T2的漏极及第一薄膜晶体管T1的漏极，漏极电性连接于电源电压Vdd及第七薄膜晶体管T7的漏极；所述第五薄膜晶体管T5的栅极电性连接于第二扫描控制信号S2，源极电性连接于第二节点B，漏极电性连接于第一节点A；所述第六薄膜晶体管T6的栅极电性连接于第四扫描控制信号S4，源极电性连接于第八薄膜晶体管T8的漏极及第二节点B，漏极电性连接于第三节点D；所述第七薄膜晶体管T7的栅极电性连接于第一扫描控制信号S1，源极电性连接于电容C1的一端及第三节点D，漏极电性连接于电源电压Vdd；所述第八薄膜晶体管T8的栅极电性连接于第三扫描控制信号S3，源极电性连接于有机发光二极管OLED的阳极，漏极电性连接于第二节点B及第六薄膜晶体管T6的源极；所述电容C1的一端电性连接于第七薄膜晶体管T7的源极及第三节点D，另一端接地；所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接于第八薄膜晶体管T8的源极，阴极接地。
具体地，所述第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管OLED发光。所述第三、第四薄膜晶体管T3、T4能够减弱电流应力对第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的影响。所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、与第八薄膜晶体管T8均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、与第四扫描控制信号S4均通过外部时序控制器提供。
进一步地，请参阅图4，所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、第四扫描控制信号S4与数据信号Data相组合，先后对应于一预调整阶段1、一电流调整阶段2、及一驱动阶段3。
在所述预调整阶段1，所述第一扫描控制信号S1、及第四扫描控制信号S4均提供高电位，所述第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、及数据信号Data提供低电位。结合图5，在该预调整阶段1，所述第六、第七薄膜晶体管T6、T7打开，电容C1充电至电源电压Vdd，所述电源电压Vdd大于数据信号Data电压与第二薄膜晶体管T2的阈值电压之和；第四、第八薄膜晶体管T4、T8关闭，控制有机发光二极管OLED不发光。
在所述电流调整阶段2，所述第一扫描控制信号S1、及第三扫描控制信号S3均提供低电位，所述第二扫描控制信号S2、第四扫描控制信号S4、及数据信号Data提供高电位。结合图6，所述第七薄膜晶体管T7关闭，第一、第二、第五、第六薄膜晶体管T1、T2、T5、T6打开，电容C1放电至VData+Vth，直接抓取到所述第二薄膜晶体管T2的阈值电压，其中VData为数据信号Data电压，Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压；第四、第八薄膜晶体管T4、T8关闭，控制有机发光二极管OLED不发光。
在所述驱动阶段3，所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第四扫描控制信号S4、及数据信号Data均提供低电位，所述第三扫描控制信号S3提供高电位。结合图7，第一、第五、第六薄膜晶体管T1、T5、T6关闭，第三薄膜晶体管T3打开，所述电容C1将第二薄膜晶体管T2的栅极电压Vg保持在VData+Vth，第二薄膜晶体管T2打开；第四、第八薄膜晶体管T4、T8打开，控制有机发光二极管OLED发光，且通过所述直接抓取到的第二薄膜晶体管T2的阈值电压进行阈值电压补偿，使得流经所述有机发光二极管OLED的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。
如图8所示，对本发明的AMOLED像素驱动电路进行测试，当所述第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压相对于1.2V分别漂移±0.5V时，在数个不同的数据信号电压下，流过有机发光二级管OLED的电流变化率均低于3.45％，最低值达到0.25％，流过有机发光二级管OLED的电流稳定，有机发光二极管OLED的发光亮度均匀，从而改善画面的显示效果。
请参阅图5至图7，结合图3、图4，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一上述如图3所示的采用8T1C结构的AMOLED像素驱动电路，此处不再对该电路进行重复描述。
该AMOLED像素驱动电路中的第二薄膜晶体管T2为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管OLED发光。第三、第四薄膜晶体管T3、T4能够减弱电流应力对第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的影响。第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、与第八薄膜晶体管T8均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、与第四扫描控制信号S4均通过外部时序控制器提供。
步骤2、请同时参阅图4、图5，进入预调整阶段1。
所述第一扫描控制信号S1、及第四扫描控制信号S4均提供高电位，所述第二扫描控制信号S2、第三扫描控制信号S3、及数据信号Data均提供低电位；所述第六、第七薄膜晶体管T6、T7打开，电容C1充电至电源电压Vdd，所述电源电压Vdd大于数据信号Data电压与第二薄膜晶体管T2的阈值电压之和；所述第四、第八薄膜晶体管T4、T8受第三扫描控制信号S3的控制关闭，有机发光二极管OLED不发光。
步骤3、请同时参阅图4、图6，进入电流调整阶段2。
所述第一扫描控制信号S1、及第三扫描控制信号S3均提供低电位，所述第二扫描控制信号S2、第四扫描控制信号S4、及数据信号Data均提供高电位；所述第七薄膜晶体管T7关闭，第一、第二、第五、第六薄膜晶体管T1、T2、T5、T6打开，电容C1放电至VData+Vth，直接抓取到所述第二薄膜晶体管T2的阈值电压，其中VData为数据信号Data电压，Vth为第二薄膜晶体管T2的阈值电压；第四、第八薄膜晶体管T4、T8受第三扫描控制信号S3的控制关闭，有机发光二极管OLED不发光。
值得一提的是，在上述步骤2、步骤3中第四、第八薄膜晶体管T4、T8受第三扫描控制信号S3的控制关闭，从而控制有机发光二极管OLED在预调整阶段1与电流调整阶段2内不发光，避免了有机发光二极管OLED的不必要发光，降低了电耗，且利于延长有机发光二极管OLED的使用寿命。
步骤4、请同时参阅图4、图7，进入驱动阶段3。
所述第一扫描控制信号S1、第二扫描控制信号S2、第四扫描控制信号S4、及数据信号Data均提供低电位，所述第三扫描控制信号S3提供高电位；第一、第五、第六薄膜晶体管T1、T5、T6关闭，第三薄膜晶体管T3打开，所述电容C1将第二薄膜晶体管T2的栅极电压Vg保持在VData+Vth，第二薄膜晶体管T2打开；所述第四、第八薄膜晶体管T4、T8受第三扫描控制信号S3的控制打开，有机发光二极管OLED发光。
具体地，在所述驱动阶段3内，所述第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的栅极电压Vg为：Vg＝VData+Vth，第一薄膜晶体管T1的源极电压Vs为：Vs＝VOLED，其中VOLED为有机发光二极管OLED的阈值电压，根据现有技术中薄膜晶体管的电流特性公式，流经有机发光二极管OLED的电流IOLED为：
IOLED＝K(Vg—Vs—Vth)2
＝K(VData+Vth—VOLED—Vth)2
＝K(VData—VOLED)2
其中K为薄膜晶体管的结构参数，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定。
由该式可知，通过上述步骤3中直接抓取到的第二薄膜晶体管T2的阈值电压对其自身的阈值电压进行了补偿，使得流经所述有机发光二极管OLED的电流与第二薄膜晶体管T2的阈值电压无关。
请参阅图8，当所述第二薄膜晶体管T2即驱动薄膜晶体管的阈值电压相对于1.2V分别漂移±0.5V时，在数个不同的数据信号电压下，流过有机发光二级管OLED的电流变化率均低于3.45％，最低值达到0.25％，流过有机发光二级管OLED的电流稳定，有机发光二极管OLED的发光亮度均匀，从而改善画面的显示效果。
综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法，采用8T1C结构的像素驱动电路通过直接抓取第二薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压进行阈值电压补偿，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够使有机发光二极管仅在驱动阶段发光，避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、第八薄膜晶体管(T8)、电容(C1)、及有机发光二极管(OLED)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极及第二薄膜晶体管(T2)的漏极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(A)，源极电性连接于第二节点(B)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于第三节点(D)，漏极电性连接于第一节点(A)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极，漏极电性连接于电源电压(Vdd)及第七薄膜晶体管(T7)的漏极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于第二节点(B)，漏极电性连接于第一节点(A)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第四扫描控制信号(S4)，源极电性连接于第八薄膜晶体管(T8)的漏极及第二节点(B)，漏极电性连接于第三节点(D)；
所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接于电容(C1)的一端及第三节点(D)，漏极电性连接于电源电压(Vdd)；
所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极，漏极电性连接于第二节点(B)及第六薄膜晶体管(T6)的源极；
所述电容(C1)的一端电性连接于第七薄膜晶体管(T7)的源极及第三节点(D)，另一端接地；
所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第八薄膜晶体管(T8)的源极，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管；所述AMOLED像素驱动电路通过直接抓取所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压进行阈值电压补偿。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、与第八薄膜晶体管(T8)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、与第四扫描控制信号(S4)均通过外部时序控制器提供。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述电源电压(Vdd)大于数据信号(Data)电压与第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压之和。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、第四扫描控制信号(S4)与数据信号(Data)相组合，先后对应于一预调整阶段(1)、一电流调整阶段(2)、及一驱动阶段(3)；
所述第三扫描控制信号(S3)在预调整阶段(1)、及电流调整阶段(2)均提供低电位，控制所述有机发光二极管(OLED)不发光；在驱动阶段(3)提供高电位，控制所述有机发光二极管(OLED)发光。
6.如权利要求5所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，
在所述预调整阶段(1)，所述第一扫描控制信号(S1)、及第四扫描控制信号(S4)均提供高电位，所述第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、及数据信号(Data)均提供低电位；
在所述电流调整阶段(2)，所述第一扫描控制信号(S1)、及第三扫描控制信号(S3)均提供低电位，所述第二扫描控制信号(S2)、第四扫描控制信号(S4)、及数据信号(Data)均提供高电位；
在所述驱动阶段(3)，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第四扫描控制信号(S4)、及数据信号(Data)均提供低电位，所述第三扫描控制信号(S3)提供高电位。
7.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、第八薄膜晶体管(T8)、电容(C1)、及有机发光二极管(OLED)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极及第二薄膜晶体管(T2)的漏极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(A)，源极电性连接于第二节点(B)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于第三节点(D)，漏极电性连接于第一节点(A)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极，漏极电性连接于电源电压(Vdd)及第七薄膜晶体管(T7)的漏极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二扫描控制信号(S2)，源极电性连接于第二节点(B)，漏极电性连接于第一节点(A)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第四扫描控制信号(S4)，源极电性连接于第八薄膜晶体管(T8)的漏极及第二节点(B)，漏极电性连接于第三节点(D)；
所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第一扫描控制信号(S1)，源极电性连接于电容(C1)的一端及第三节点(D)，漏极电性连接于电源电压(Vdd)；
所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第三扫描控制信号(S3)，源极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极，漏极电性连接于第二节点(B)及第六薄膜晶体管(T6)的源极；
所述电容(C1)的一端电性连接于第七薄膜晶体管(T7)的源极及第三节点(D)，另一端接地；
所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第八薄膜晶体管(T8)的源极，阴极接地；
所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管；
步骤2、进入预调整阶段(1)；
所述第一扫描控制信号(S1)、及第四扫描控制信号(S4)均提供高电位，所述第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、及数据信号(Data)均提供低电位，所述第六、第七薄膜晶体管(T6、T7)打开，电容(C1)充电至电源电压(Vdd)，第四、第八薄膜晶体管(T4、T8)关闭，控制有机发光二极管(OLED)不发光；
步骤3、进入电流调整阶段(2)；
所述第一扫描控制信号(S1)、及第三扫描控制信号(S3)均提供低电位，所述第二扫描控制信号(S2)、第四扫描控制信号(S4)、及数据信号(Data)均提供高电位，所述第七薄膜晶体管(T7)关闭，第一、第二、第五、第六薄膜晶体管(T1、T2、T5、T6)打开，电容(C1)放电至VData+Vth，直接抓取到所述第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压，其中VData为数据信号(Data)电压，Vth为第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压，第四、第八薄膜晶体管(T4、T8)关闭，控制有机发光二极管(OLED)不发光；
步骤4、进入驱动阶段(3)；
所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第四扫描控制信号(S4)、及数据信号(Data)均提供低电位，所述第三扫描控制信号(S3)提供高电位，第一、第五、第六薄膜晶体管(T1、T5、T6)关闭，第三薄膜晶体管(T3)打开，所述电容(C1)将第二薄膜晶体管(T2)的栅极电压(Vg)保持在VData+Vth，第二薄膜晶体管(T2)打开，第四、第八薄膜晶体管(T4、T8)打开，控制有机发光二极管(OLED)发光，且通过所述直接抓取到的第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压进行阈值电压补偿，使得流经所述有机发光二极管(OLED)的电流与第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压无关。
8.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、与第八薄膜晶体管(T8)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
9.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一扫描控制信号(S1)、第二扫描控制信号(S2)、第三扫描控制信号(S3)、与第四扫描控制信号(S4)均通过外部时序控制器提供。
10.如权利要求7所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述电源电压(Vdd)大于数据信号(Data)电压与第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压之和。
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