CN111613180A - Amoled像素补偿驱动电路、方法及显示面板 - Google Patents

Amoled像素补偿驱动电路、方法及显示面板 Download PDF

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CN111613180A CN202010420981.0A CN202010420981A CN111613180A CN 111613180 A CN111613180 A CN 111613180A CN 202010420981 A CN202010420981 A CN 202010420981A CN 111613180 A CN111613180 A CN 111613180A
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Abstract

本申请提供一种AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板，该AMOLED像素补偿驱动电路采用7T1C结构，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容和有机发光二极管，其中，第一晶体管为驱动晶体管。前级扫描信号Sn‑1、当前行扫描信号和控制信号相组合，先后作用于该AMOLED像素补偿驱动电路的复位阶段、阈值电压补偿阶段及发光阶段，最终使得流经有机发光二极管的电流与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，从而能够消除第一晶体管的阈值电压Vth发生漂移对流经有机发光二极管的电流的影响，可以用于解决显示面板存在的TFT电学特性不均匀性和不稳定性问题。

Description

AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板
技术领域
本申请实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板。
背景技术
有机发光二极管显示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、色彩鲜艳、对比度高、宽视角、响应速度快、功耗低等优点，已发展成为最具有发展潜力的显示面板。
OLED显示面板依据其驱动方式，可分为被动矩阵OLED(PMOLED，Passive MatrxiOLED)和主动矩阵OLED(AMOLED，Active Matrxi OLED)，其中，由于AMOLED显示面板的耗电量明显小于PMOLED显示面板，因此AMOLED显示面板技术的发展较为广泛，有望取代液晶显示技术成为下一代主流的显示技术。
AMOLED显示面板采用独立的薄膜晶体管TFT(Thin Film Transistor)去控制每个像素，且对应每一像素都有一电容用于存储数据，让每一像素能维持在发光状态。参考图1，图1为现有的2T1C结构的像素驱动电路图，其包括一个开关薄膜晶体管T10、一个驱动薄膜晶体管T20和一个存储电容Cst。由于长时间的操作，驱动薄膜晶体管T20的阈值电压Vth会发生漂移，因此会导致有机发光二极管OLED D100的驱动电流变化，从而使得有机发光二极管OLED D100的驱动电流变化，导致AMOLED显示面板出现显示不均的问题。
由于传统的2T1C像素驱动电路结构不具备补偿驱动薄膜晶体管阈值电压Vth的功能，因此必须引入适当的补偿机制以实现高质量的显示。
发明内容
为了解决目前的GOA电路在下拉维持阶段电路不稳定的问题，一方面，本申请实施例提供一种AMOLED像素补偿驱动电路，包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容和有机发光二极管。
其中，所述第一晶体管T1的栅极电性连接第一节点G，源极电性连接第三节点Q，漏极连接第二节点P；所述第二晶体管T2的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极电性连接所述第三节点Q，漏极接入数据电压Vdata；所述第三晶体管T3的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极电性连接第一节点G，漏极电性连接所述第二节点P；所述第四晶体管T4的栅极接入前级扫描信号Sn-1，源级接入所述第一节点G，漏极接入初始化电压Vi；所述第五晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM，源极接入当前行扫描信号Sn，漏极电性连接所述第三节点Q；所述第六晶体管T6的栅极接入发光控制信号EM，源极电性连接第二节点P，漏极电性连接第四节点W；所述第七晶体管T7的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极初始化电压Vi，漏极电性连接第四节点W；所述存储电容的一端接入参考电压Vref，另一端电性连接所述第一节点G；所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第四节点W，阴极端接入电源负电压VSS。
在一些实施例中，所述AMOLED像素补偿驱动电路的运行流程包括复位阶段A1、阈值电压补偿阶段A2及发光阶段A3。
在所述复位阶段A1，所述第四晶体管T4打开，所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7关闭；在所述阈值电压补偿阶段A2，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3和所述第七晶体管T7打开，所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6关闭；在所述发光阶段A3，所述第一晶体管T1、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6打开，所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4和所述第七晶体管T7关闭。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7均为P型薄膜晶体管；在所述复位阶段A1，所述前级扫描信号Sn-1为低电位，所述当前行扫描信号Sn和所述发光控制信号EM为高电位；在所述阈值电压补偿阶段A2，所述当前行扫描信号Sn为低电位，所述前级扫描信号Sn-1和所述发光控制信号EM为高电位；在所述发光阶段A3，所述发光控制信号EM为低电位，所述当前行扫描信号Sn和所述前级扫描信号Sn-1为高电位。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7均为N型薄膜晶体管；在所述复位阶段A1，所述前级扫描信号Sn-1为高电位，所述当前行扫描信号Sn和所述发光控制信号EM为低电位；在所述阈值电压补偿阶段A2，所述当前行扫描信号Sn为高电位，所述前级扫描信号Sn-1和所述发光控制信号EM为低电位；在所述发光阶段A3，所述发光控制信号EM为高电位，所述当前行扫描信号Sn和所述前级扫描信号Sn-1为低电位。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7分别为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管的一种。
另一方面，本申请实施例还提供一种AMOLED像素补偿驱动方法，用于驱动如权利要求1所述的AMOLED像素补偿驱动电路，该方法包括：
步骤S1，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段A1；第二晶体管T2、第三晶体管T3、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7关闭，且第四晶体管T4打开，以使第一节点G的电位在第四晶体管T4的控制下复位至初始化电压Vi。
步骤S2，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于阈值电压补偿阶段A2；所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6关闭，第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3和所述第七晶体管T7打开，以使所述数据电压Vdata写入所述第一晶体管T1的源极并向所述第一节点G充电；同时，有机发光二极管的阳极复位至所述初始化电压Vi。
步骤S3，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于发光阶段A3，所述第一晶体管T1、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6打开，所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4和所述第七晶体管T7关闭，驱动电流流过所述有机发光二极管驱动所述有机发光二极管发光，且在所述存储电容的作用下所述驱动电流与所述第一晶体管T1的阈值电压无关。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7均为P型薄膜晶体管。
所述步骤S1中，所述前级扫描信号Sn-1提供低电位，所述当前行扫描信号Sn和所述发光控制信号EM提供高电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段A1。
所述步骤S2中，所述当前行扫描信号Sn提供低电位，所述前级扫描信号Sn-1和所述发光控制信号EM提供高电位使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述阈值电压补偿阶段A2。
所述步骤S3中，所述发光控制信号EM提供低电位，所述当前行扫描信号Sn和所述前级扫描信号Sn-1提供高电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述发光阶段A3。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7均为N型薄膜晶体管；
所述步骤S1中，所述前级扫描信号Sn-1提供高电位，所述当前行扫描信号Sn和所述发光控制信号EM提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段A1；
所述步骤S2中，所述当前行扫描信号Sn提供高电位，所述前级扫描信号Sn-1和所述发光控制信号EM提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述阈值电压补偿阶段A2；
所述步骤S3中，所述发光控制信号EM提供高电位，所述当前行扫描信号Sn和所述前级扫描信号Sn-1提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述发光阶段A3。
在一些实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述第五晶体管T5、所述第六晶体管T6和所述第七晶体管T7分别为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管的一种。
再一方面，本申请实施例还提供一种显示面板，包括如上所述的AMOLED像素补偿驱动电路。
本申请实施例提供的AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板中，AMOLED像素补偿驱动电路采用7T1C结构，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容和有机发光二极管，其中，第一晶体管T1为驱动晶体管。前级扫描信号Sn-1、当前行扫描信号Sn和控制信号EM相组合，先后作用于该AMOLED像素补偿驱动电路的复位阶段、阈值电压补偿阶段及发光阶段，最终使得流经有机发光二极管OLED的电流与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，从而能够消除第一晶体管T1的阈值电压Vth发生漂移对流经有机发光二极管OLED的电流的影响，可以用于解决AMOLED显示背板技术中存在的TFT电学特性不均匀性和不稳定性问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的2T1C结构的像素驱动电路图；
图2是本申请实施例的像素补偿驱动电路；
图3是本申请实施例的像素补偿驱动电路的驱动信号时序图；
图4是本申请实施例的像素补偿驱动方法中步骤S1的电路示意图；
图5是本申请实施例的像素补偿驱动电路中步骤S3的电路示意图；
图6是本申请实施例的像素补偿驱动电路中步骤S3的电路示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请所有实施例为区分晶体管处栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。由于晶体管的源极和漏极是对称的，因此其源极和漏极是可以互换的。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外，本申请所有实施例采用的晶体管可以包括P型和/或N型晶体管两种，其中，P型晶体管在栅极为低电位时打开，在栅极为高电位时关闭；N型晶体管在栅极为高电位时打开，在栅极为低电位时关闭。
参考图2，图2为本申请实施例的像素补偿驱动电路图，该AMOLED像素补偿驱动电路采用的7T1C结构，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、存储电容和有机发光二极管，其中，第一晶体管T1为驱动晶体管。
其中，第一晶体管T1的栅极电性连接第一节点G，源极电性连接第三节点Q，漏极连接第二节点P；第二晶体管T2的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极电性连接第三节点Q，漏极接入数据电压Vdata；第三晶体管T3的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极电性连接第一节点G，漏极电性连接第二节点P；第四晶体管T4的栅极接入前级扫描信号Sn-1，源级接入第一节点G，漏极接入初始化电压Vi；第五晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM，源极接入当前行扫描信号Sn，漏极电性连接第三节点Q；第六晶体管T6的栅极接入发光控制信号EM，源极电性连接第二节点P，漏极电性连接第四节点W；第七晶体管T7的栅极接入当前行扫描信号Sn，源极初始化电压Vi，漏极电性连接第四节点W；补偿电容的一端接入参考电压Vref，另一端电性连接第一节点G；有机发光二极管的阳极电性连接第四节点W，阴极端接入电源负电压VSS。
需要说明的是，本申请实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均采用同一种类型的薄膜晶体管，以避免不同类型薄膜晶体管之间的差异性对该AMOLED像素补偿驱动电路的不利影响。本申请实施例中的晶体管可以采用低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
图3是本申请实施例的像素补偿驱动电路的驱动信号时序图，结合图2和图3，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均采用P型薄膜晶体管，该AMOLED像素补偿驱动电路根据前级扫描信号Sn-1、当前行扫描信号Sn和发光控制信号EM进行复位阶段A1、阈值电压补偿阶段A2及发光阶段A3。
在复位阶段A1，前级扫描信号Sn-1为低电位，使第四晶体管T4打开；当前行扫描信号Sn为高电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7关闭；发光控制信号EM为高电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6关闭。第一节点G通过打开的第四晶体管T4复位至初始化电压Vi，即Vg＝Vi，存储电容Cs的另一端的电压为参考电压Vref。
在阈值电压补偿阶段A2，当前行扫描信号Sn为低电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7打开；前级扫描信号Sn-1为高电位，使第四晶体管T4关闭；发光控制信号EM为高电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6关闭。此时，第一晶体管T1的栅极(第一节点G)和漏极(第二节点P)短接，第一晶体管T1相当于二极管结构，数据电压Vdata通过第三晶体管T3写入第一晶体管T1的源极(第三节点Q)并利用该二极管结构将第一晶体管T1的栅极(第一节点G)的电位充电至Vdata+Vth，即Vg＝Vdata+Vth至第一晶体管T1关闭充电结束。此时，存储电容Cs的一端的电压即为第一节点G的电位Vdata+Vth，另一端的电位仍为Vref。第七晶体管T7使有机发光二极管OLED的阳极电位为初始化电压Vi。
在发光阶段A3，发光控制信号EM为低电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6打开；前级扫描信号Sn-1为高电位，使第四晶体管T4关闭；当前行扫描信号Sn为高电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7关闭。此时，存储电容Cs使第一晶体管T1的栅极(第一节点G)的电位保持为Vdata+Vth，第五晶体管T5使第一晶体管T1的源极(第二节点P)的电位为Sn的恒压高电位VGH，则此时第一晶体管T1的栅源极电压差为Vdata+Vth-VGH。
根据流经有机发光二极管OLED的电流公式I＝K(Vgs-Vth)2，其中，I为流经有机发光二极管OLED的电流，K为第一晶体管T1的本征导电因子，Vgs为驱动薄膜晶体管即第一晶体管T1的栅源极电压差，Vth为第一晶体管T1的阈值电压，可知此时流经有机发光二极管OLED的电流为I＝K(Vgs-Vth)＝K(Vdata+Vth-VGH-Vth)2＝K(Vdata-VGH)2。
表1
Phase G
A1 Vi
A2 Vdata+Vth
A3 Vdata+Vth
表1为第一节点G分别在复位阶段A1、阈值电压补偿阶段A2及发光阶段A3的电位。
由此可知流经有机发光二极管OLED的电流与第一晶体管T1的阈值电压无关，因此本申请实施例提供的AMOLED像素补偿驱动电路能够解决由驱动薄膜晶体管阈值电压漂移导致的流经有机发光二极管OLED的电流不稳定的问题，使有机发光二极管OLED的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
在一些实施例中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7均为N型薄膜晶体管；在复位阶段，前级扫描信号Sn-1为高电位，当前行扫描信号Sn和发光控制信号EM为低电位；在阈值电压补偿阶段A2，当前行扫描信号Sn为高电位，前级扫描信号Sn-1和发光控制信号EM为低电位；在发光阶段A3，发光控制信号EM为高电位，当前行扫描信号Sn和前级扫描信号Sn-1为低电位。由于所有晶体管均为N型薄膜晶体管时，该AMOLED像素补偿驱动电路的工作流程与所有晶体管均为P型薄膜晶体管时基本相同，此处不再赘述。
本申请还提供一种AMOLED像素补偿驱动方法，用于驱动如权利要求1的AMOLED像素补偿驱动电路，结合图2和图3，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7均采用P型薄膜晶体管，该方法包括如下步骤。
步骤S1、控制AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段A1。
图4是本申请实施例的像素补偿驱动方法中步骤S1的电路示意图，结合图3和图4，在复位阶段A1，前级扫描信号Sn-1提供低电位，使第四晶体管T4打开；当前行扫描信号Sn提供高电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7关闭；发光控制信号EM提供高电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6关闭。第一节点G通过打开的第四晶体管T4复位至初始化电压Vi，即Vg＝Vi，存储电容Cs的另一端的电压为参考电压Vref。
步骤S2：控制AMOLED像素补偿驱动电路处于阈值电压补偿阶段A2。
图5是本申请实施例的像素补偿驱动方法中步骤S2的电路示意图，结合图3和图5，在阈值电压补偿阶段A2，当前行扫描信号Sn提供低电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7打开；前级扫描信号Sn-1为高电位，使第四晶体管T4关闭；发光控制信号EM为高电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6关闭。此时，第一晶体管T1的栅极(第一节点G)和漏极(第二节点P)通过导通第三晶体管T3的短接，第一晶体管T1相当于一个二极管结构，数据电压Vdata通过第二晶体管T2写入第一晶体管T1的源极(第三节点Q)，并利用该二极管结构将第一晶体管T1的栅极(第一节点G)的电位充电至Vdata+Vth即第一晶体管T1关闭时结束。此时，存储电容Cs的一端的电压即为第一节点G的电位Vdata+Vth，另一端的电位仍为Vref。第七晶体管T7使有机发光二极管OLED的阳极电位为初始化电压Vi。
步骤S3：控制AMOLED像素补偿驱动电路处于阈值电压发光阶段A3。
图6是本申请实施例的像素补偿驱动方法中步骤S3的电路示意图，结合图3和图6，在发光阶段A3，发光控制信号EM提供低电位，使第五晶体管T5和第六晶体管T6打开；前级扫描信号Sn-1提供高电位，使第四晶体管T4关闭；当前行扫描信号Sn提供高电位，使第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7关闭。此时，存储电容Cs使第一晶体管T1的栅极(第一节点G)的电位保持为Vdata+Vth，第五晶体管T5使第一晶体管T1的源极(第二节点P)的电位为Sn的恒压高电位VGH，则此时第一晶体管T1的栅源极电压差为Vdata+Vth-VGH。
根据流经有机发光二极管OLED的电流公式I＝K(Vgs-Vth)2，其中，I为流经有机发光二极管OLED的电流，K为第一晶体管T1的本征导电因子，Vgs为驱动薄膜晶体管即第一晶体管T1的栅源极电压差，可知此时流经有机发光二极管OLED的电流为I＝K(Vgs-Vth)＝K(Vdata+Vth-VGH-Vth)2＝K(Vdata-VGH)2。
由此可知流经有机发光二极管OLED的电流与第一晶体管T1的阈值电压无关，因此本申请实施例提供的AMOLED像素补偿驱动方法能够解决由驱动薄膜晶体管阈值电压漂移导致的流经有机发光二极管OLED的电流不稳定的问题，使有机发光二极管OLED的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
在一些实施例中，第一晶体管(T1)、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管均为N型薄膜晶体管，则在步骤S1中，前级扫描信号Sn-1提供高电位，当前行扫描信号Sn和发光控制信号EM提供低电位，使AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段A1；步骤S2中，当前行扫描信号Sn提供高电位，前级扫描信号Sn-1和发光控制信号EM提供低电位使AMOLED像素补偿驱动电路处于阈值电压补偿阶段A2；步骤S3中，发光控制信号EM提供高电位，当前行扫描信号Sn和前级扫描信号Sn-1提供低电位，使AMOLED像素补偿驱动电路处于发光阶段A3。
基于上述实施例，本申请还提供一种显示面板，包括如上所述的AMOLED像素补偿驱动电路。该显示面板具有与上述实施例提供的AMOLED像素补偿驱动电路相同的结构和有益效果。由于上述实施例已经对该AMOLED像素补偿驱动电路的结构和有益效果进行了详细描述，此处不再赘述。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，包括：第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T5)、第七晶体管(T7)、存储电容和有机发光二极管；
所述第一晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第三节点(Q)，漏极连接第二节点(P)；
所述第二晶体管(T2)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接所述第三节点(Q)，漏极接入数据电压Vdata；
所述第三晶体管(T3)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接所述第二节点(P)；
所述第四晶体管(T4)的栅极接入前级扫描信号(Sn-1)，源级接入所述第一节点(G)，漏极接入初始化电压(Vi)；
所述第五晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入当前行扫描信号(Sn)，漏极电性连接所述第三节点(Q)；
所述第六晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第二节点(P)，漏极电性连接第四节点(W)；
所述第七晶体管(T7)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极初始化电压(Vi)，漏极电性连接第四节点(W)；
所述存储电容的一端接入参考电压Vref，另一端电性连接所述第一节点(G)；
所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第四节点(W)，阴极端接入电源负电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素补偿驱动电路的运行流程包括复位阶段(A1)、阈值电压补偿阶段(A2)及发光阶段(A3)；
在所述复位阶段(A1)，所述第四晶体管(T4)打开，所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)关闭；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)和所述第七晶体管(T7)打开，所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)关闭；
在所述发光阶段(A3)，所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)打开，所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)和所述第七晶体管(T7)关闭。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为(P)型薄膜晶体管；
在所述复位阶段(A1)，所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为高电位；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述当前行扫描信号(Sn)为低电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为高电位；
在所述发光阶段(A3)，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位。
4.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为N型薄膜晶体管；
在所述复位阶段(A1)，所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为低电位；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述当前行扫描信号(Sn)为高电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为低电位；
在所述发光阶段(A3)，所述发光控制信号(EM)为高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位。
5.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。
6.一种AMOLED像素补偿驱动方法，用于驱动如权利要求1所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，包括：
步骤S1，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段(A1)；第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T5)和第七晶体管(T7)关闭，且第四晶体管(T4)打开，以使第一节点(G)的电位在第四晶体管(T4)的控制下复位至初始化电压(Vi)；
步骤S2，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于阈值电压补偿阶段(A2)；所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)关闭，第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)和所述第七晶体管(T7)打开，以使所述数据电压Vdata写入所述第一晶体管(T1)的源极并向所述第一节点(G)充电；同时，有机发光二极管的阳极复位至所述初始化电压(Vi)；
步骤S3，控制所述AMOLED像素补偿驱动电路处于发光阶段(A3)，所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)打开，所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)和所述第七晶体管(T7)关闭，驱动电流流过所述有机发光二极管驱动所述有机发光二极管发光，且在所述存储电容的作用下所述驱动电流与所述第一晶体管(T1)的阈值电压无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素补偿驱动方法，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为(P)型薄膜晶体管；
所述步骤S1中，所述前级扫描信号(Sn-1)提供低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)提供高电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段(A1)；
所述步骤S2中，所述当前行扫描信号(Sn)提供低电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)提供高电位使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述阈值电压补偿阶段(A2)；
所述步骤S3中，所述发光控制信号(EM)提供低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)提供高电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述发光阶段(A3)。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素补偿驱动方法，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为(N)型薄膜晶体管；
所述步骤S1中，所述前级扫描信号(Sn-1)提供高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于复位阶段(A1)；
所述步骤S2中，所述当前行扫描信号(Sn)提供高电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述阈值电压补偿阶段(A2)；
所述步骤S3中，所述发光控制信号(EM)提供高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)提供低电位，使所述AMOLED像素补偿驱动电路处于所述发光阶段(A3)。
9.如权利要求6所述的AMOLED像素补偿驱动方法，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)分别为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管的一种。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的AMOLED像素补偿驱动电路。
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