CN106782322A - Amoled像素驱动电路及amoled像素驱动方法 - Google Patents

Amoled像素驱动电路及amoled像素驱动方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及AMOLED像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T1C结构的像素驱动电路并搭配有特定的驱动时序，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够使有机发光二极管仅在显示发光阶段发光，避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量。

Description

AMOLED像素驱动电路及AMOLED像素驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及AMOLED像素驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。
如图1所示，传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路，包括一第一P型薄膜晶体管T10、一第二P型薄膜晶体管T20、及一电容C，所述第一P型薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管，所述第二P型薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管，所述电容C为存储电容。具体地，所述第一P型薄膜晶体管T10的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极与第二P型薄膜晶体管T20的栅极、及电容C的一端电性连接；所述第二P型薄膜晶体管T20的源极接入电源电压VDD，漏极电性连接有机发光二级管D的阳极；有机发光二级管D的阴极接地；电容C的一端电性连接第一P型薄膜晶体管T10的漏极，另一端电性连接第二P型薄膜晶体管T20的源极。AMOLED显示时，扫描信号Scan控制第一P型薄膜晶体管T10打开，数据信号Data经过第一P型薄膜晶体管T10进入到第二P型膜晶体管T20的栅极及电容C，然后第一P型薄膜晶体管T10闭合，由于电容C的存储作用，第二P型薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压，使得第二P型薄膜晶体管T20处于导通状态，驱动电流通过第二P型薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D，驱动有机发光二级管D发光。
上述传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移很敏感，随着驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，流过有机发光二极管的电流变化很大，导致有机发光二极管的发光很不稳定、亮度很不均匀，极大地影响画面的显示效果。要解决上述问题需对每一个像素加补偿电路，补偿意味着必须对每一个像素中的驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿，使流过有机发光二级管的电流变得与阈值电压无关。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
为实现上述目的，本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极接入电源高电压，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描控制信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极；
所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极；
所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极接入初始化电压；
所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第二节点；
所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；
所述有机发光二极管的阴极接入电源低电压；
所述第六薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、以及第三扫描控制信号相组合，先后对应于一初始化阶段、一电位存储阶段、及显示发光阶段，并控制所述有机发光二极管在初始化阶段及电位存储阶段不发光。
在所述初始化阶段，所述第三扫描控制信号提供高电位，所述第二扫描控制信号提供低电位，第一扫描控制信号提供高电位；
在所述电位存储阶段，所述第三扫描控制信号提供高电位，所述第二扫描控制信号提供高电位，第一扫描控制信号提供低电位；
在所述显示发光阶段，所述第三扫描控制信号提供低电位，所述第二扫描控制信号提供高电位，第一扫描控制信号提供高电位。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、与第三扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极接入电源高电压，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一扫描控制信号，源极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第四薄膜晶体管的源极；
所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极及第一薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极；
所述第五薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极电性连接于第二节点，漏极接入初始化电压；
所述第六薄膜晶体管的栅极接入第三扫描控制信号，源极接入数据信号，漏极电性连接于第二节点；
所述电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于第二节点；
所述有机发光二极管的阴极接入电源低电压；
所述第六薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；
步骤S2、进入初始化阶段；
所述第三扫描控制信号提供高电位，所述第六薄膜晶体管打开，第四及第五薄膜晶体管关闭，所述第二扫描控制信号提供低电位，所述第三薄膜晶体管打开，第一扫描控制信号提供高电位，所述第二薄膜晶体管关闭，数据信号对第一及第二节点充电，使得所述第一及第二节点的电压均等于数据信号的电压，有机发光二极管不发光；
步骤S3、进入电位存储阶段；
所述第三扫描控制信号提供高电位，所述第六薄膜晶体管打开，第四及第五薄膜晶体管关闭，所述第二扫描控制信号提供高电位，第三薄膜晶体管关闭，第一扫描控制信号提供低电位，所述第二薄膜晶体管打开，第二节点的电压仍然等于数据信号的电压，电源高电压不断对第一节点充电直至Vg＝Vs-Vth，其中，Vs为第一薄膜晶体管的源极电压，Vg为第一节点的电压，Vth为第一薄膜晶体管的阈值电压；
步骤S4、进入显示发光阶段；
所述第三扫描控制信号提供低电位，所述第六薄膜晶体管关闭，第四及第五薄膜晶体管打开，所述第二扫描控制信号提供高电位，所述第三薄膜晶体管关闭，所述第一扫描控制信号提供高电位，所述第二薄膜晶体管关闭，第二节点的电压变为初始化电压，第一节点电压变为Vs–Vth+Vini–Vdata，其中，Vdata为数据信号的电压，有机发光二极管发光，且流经所述有机发光二极管的电流与第一薄膜晶体管的阈值电压无关。
所述第一扫描控制信号、第二扫描控制信号、与第三扫描控制信号均通过外部时序控制器提供。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
本发明的有益效果：本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，其采用6T1C结构的像素驱动电路并搭配有特定的驱动时序，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够使有机发光二极管仅在显示发光阶段发光，避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量。本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的2T1C结构的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为本发明的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图3为本发明的AMOLED像素驱动电路的时序图；
图4为本发明的AMOLED像素驱动方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、电容C1、及有机发光二极管D；
具体各元件的连接方式为：所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接于第一节点G，源极接入电源高电压OVDD，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极，所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第一扫描控制信号Scan1，源极电性连接于第一节点G，漏极电性连接于第四薄膜晶体管T4的源极，所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第二扫描控制信号Scan2，源极电性连接于第二节点N，漏极电性连接于第一节点G，所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入第三扫描控制信号Scan3，源极电性连接于第二薄膜晶体管T2的漏极及第一薄膜晶体管T1的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管D的阳极，所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入第三扫描控制信号Scan3，源极电性连接于第二节点N，漏极接入初始化电压Vini，所述第六薄膜晶体管T6的栅极接入第三扫描控制信号Scan3，源极接入数据信号Data，漏极电性连接于第二节点N，所述电容C1的一端电性连接于第一节点G，另一端电性连接于第二节点N，所述有机发光二极管D的阴极接入电源低电压OVSS。
需要说明的是，所述第六薄膜晶体管T6为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管T1、T2、T3、T4、T5均为P型薄膜晶体管。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，用于驱动有机发光二极管D发光，所述AMOLED像素驱动电路能够补偿驱动薄膜晶体管即第一薄膜晶体管T1的阈值电压。所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。所述第一扫描控制信号Scan1、第二扫描控制信号Scan2、以及第三扫描控制信号Scan3均通过外部时序控制器提供。
进一步地，请参阅图3，所述第一扫描控制信号Scan1、第二扫描控制信号Scan2、以及第三扫描控制信号Scan3相组合，先后对应于一初始化阶段1、一电位存储阶段2、及显示发光阶段3；
在所述初始化阶段1，所述第三扫描控制信号Scan3提供高电位，所述第六薄膜晶体管T6打开，第四及第五薄膜晶体管T4、T5关闭，所述第二扫描控制信号Scan2提供低电位，所述第三薄膜晶体管T3打开，第一扫描控制信号Scan1提供高电位，所述第二薄膜晶体管T2关闭；此时，数据信号Data对第一及第二节点G、N充电，使得所述第一及第二节点G、N的电压均等于数据信号Data的电压，有机发光二极管D不发光；
在所述电位存储阶段2，所述第三扫描控制信号Scan3提供高电位，所述第六薄膜晶体管T6打开，第四及第五薄膜晶体管T4、T5关闭，所述第二扫描控制信号Scan2提供高电位，所述第三薄膜晶体管T3关闭，第一扫描控制信号Scan1提供低电位，所述第二薄膜晶体管T2打开；此时，第二节点N的电压仍然等于数据信号Data的电压，电源高电压OVDD不断对第一节点G充电直至第一薄膜晶体管T1的源极与第一节点G之间的电压差也即第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差等于第一薄膜晶体管T1的阈值电压，也即Vg＝Vs-Vth，其中Vs为第一薄膜晶体管T1的源极电压，Vg为第一节点G的电压，Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压，所述第一薄膜晶体管T1的源极电压等于电源高电压OVDD。
在所述显示发光阶段3，所述第三扫描控制信号Scan3提供低电位，所述第六薄膜晶体管T6关闭，第四及第五薄膜晶体管T4、T5打开，所述第二扫描控制信号Scan2提供高电位，所述第三薄膜晶体管T3关闭，第一扫描控制信号Scan1提供高电位，所述第二薄膜晶体管T2关闭；此时，第二节点N的电压变为初始化电压Vini，第一节点G电压变为Vs–Vth+Vini–Vdata，其中，Vdata为数据信号Data的电压，第一薄膜晶体管T1源极与第一节点G之间的电压差也即第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差变为Vdata–Vini+Vth，有机发光二极管D发光，根据现有技术中利用P型薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时流经有机发光二极管的电流的公式：
I＝K(Vsg-Vth)2；
其中，I为流经有机发光二极管D的电流，K为驱动薄膜晶体管也即第一薄膜晶体管T1的结构参数，Vsg为驱动薄膜晶体管也即第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差，而此时第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差为Vdata–Vini+Vth，因此I＝K(Vsg-Vth)2＝K(Vdata–Vini+Vth-Vth)2＝K(Vdata–Vini)2，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定，从而有机发光二极管D发光时流经所述有机发光二极管D的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关，能够解决由驱动薄膜晶体管阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，且在初始化阶段1和电位存储阶段2有机发光二极管D均不发光，能够避免有机发光二极管D的不必要发光。
请参阅图4，并同时参阅图3，本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一上述如图2所示的采用6T1C结构的AMOLED像素驱动电路，此处不再对该电路进行重复描述；
步骤S2、进入初始化阶段1；
所述第三扫描控制信号Scan3提供高电位，所述第六薄膜晶体管T6打开，第四及第五薄膜晶体管T4、T5关闭，所述第二扫描控制信号Scan2提供低电位，所述第三薄膜晶体管T3打开，第一扫描控制信号Scan1提供高电位，所述第二薄膜晶体管T2关闭，数据信号Data对第一及第二节点G、N充电，使得所述第一及第二节点G、N的电压均等于数据信号Data的电压，有机发光二极管D不发光；
步骤S3、进入电位存储阶段2；
所述第三扫描控制信号Scan3提供高电位，所述第六薄膜晶体管T6打开，第四及第五薄膜晶体管T4、T5关闭，所述第二扫描控制信号Scan2提供高电位，第三薄膜晶体管T3关闭，第一扫描控制信号Scan1提供低电位，所述第二薄膜晶体管T2打开，第二节点N的电压仍然等于数据信号Data的电压，电源高电压OVDD不断对第一节点G充电直至Vg＝Vs-Vth，其中，Vs为第一薄膜晶体管T1的源极电压，Vg为第一节点G的电压，Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压；
步骤S4、进入显示发光阶段3；
所述第三扫描控制信号Scan3提供低电位，所述第六薄膜晶体管T6关闭，第四及第五薄膜晶体管T4、T5打开，所述第二扫描控制信号Scan2提供高电位，所述第三薄膜晶体管T3关闭，所述第一扫描控制信号Scan1提供高电位，所述第二薄膜晶体管T2关闭，第二节点N的电压变为初始化电压Vini，第一节点G电压变为Vs–Vth+Vini–Vdata，其中，Vdata为数据信号Data的电压，第一薄膜晶体管T1源极与第一节点G之间的电压也即第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差变为Vdata–Vini+Vth，有机发光二极管D发光。
需要说明的是，根据现有技术采用P型薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时流经有机发光二极管的电流的公式：
I＝K(Vsg-Vth)2；
其中，I为流经有机发光二极管D的电流，K为驱动薄膜晶体管也即第一薄膜晶体管T1的结构参数，Vsg为驱动薄膜晶体管也即第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差，而此时第一薄膜晶体管T1的源栅极电压差为Vdata–Vini+Vth，因此I＝K(Vsg-Vth)2＝K(Vdata–Vini+Vth-Vth)2＝K(Vdata–Vini)2，对于相同结构的薄膜晶体管，K值相对稳定，从而有机发光二极管D发光时流经所述有机发光二极管D的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压无关，能够解决由驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
综上所述，本发明提供了一种AMOLED像素驱动电路，其采用6T1C结构的像素驱动电路并搭配有特定的驱动时序，能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，使流过有机发光二极管的电流稳定，保证有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果，并能够使有机发光二极管仅在显示发光阶段发光，避免有机发光二极管的不必要发光，降低耗电量。本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，能够对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行有效补偿，解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题，使有机发光二极管的发光亮度均匀，改善画面的显示效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(G)，源极接入电源高电压(OVDD)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描控制信号(Scan1)，源极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(Scan2)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极电性连接于第一节点(G)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管(D)的阳极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极接入初始化电压(Vini)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第二节点(N)；
所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(G)，另一端电性连接于第二节点(N)；
所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；
所述第六薄膜晶体管(T6)为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5)均为P型薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Scan1)、第二扫描控制信号(Scan2)、以及第三扫描控制信号(Scan3)相组合，先后对应于一初始化阶段(1)、一电位存储阶段(2)、及显示发光阶段(3)，并控制所述有机发光二极管(D)在初始化阶段(1)及电位存储阶段(2)不发光。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，
在所述初始化阶段(1)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供低电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位；
在所述电位存储阶段(2)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供低电位；
在所述显示发光阶段(3)，所述第三扫描控制信号(Scan3)提供低电位，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Scan1)、第二扫描控制信号(Scan2)、与第三扫描控制信号(Scan3)均通过外部时序控制器提供。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(G)，源极接入电源高电压(OVDD)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描控制信号(Scan1)，源极电性连接于第一节点(G)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(Scan2)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极电性连接于第一节点(G)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的漏极及第一薄膜晶体管(T1)的漏极，漏极电性连接于有机发光二极管(D)的阳极；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极电性连接于第二节点(N)，漏极接入初始化电压(Vini)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第三扫描控制信号(Scan3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第二节点(N)；
所述电容(C1)的一端电性连接于第一节点(G)，另一端电性连接于第二节点(N)；
所述有机发光二极管(D)的阴极接入电源低电压(OVSS)；
所述第六薄膜晶体管(T6)为N型薄膜晶体管，所述第一、第二、第三、第四及第五薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5)均为P型薄膜晶体管；
步骤S2、进入初始化阶段(1)；
所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第六薄膜晶体管(T6)打开，第四及第五薄膜晶体管(T4、T5)关闭，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供低电位，所述第三薄膜晶体管(T3)打开，第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位，所述第二薄膜晶体管(T2)关闭，数据信号(Data)对第一及第二节点(G、N)充电，使得所述第一及第二节点(G、N)的电压均等于数据信号(Data)的电压，有机发光二极管(D)不发光；
步骤S3、进入电位存储阶段(2)；
所述第三扫描控制信号(Scan3)提供高电位，所述第六薄膜晶体管(T6)打开，第四及第五薄膜晶体管(T4、T5)关闭，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，第三薄膜晶体管(T3)关闭，第一扫描控制信号(Scan1)提供低电位，所述第二薄膜晶体管(T2)打开，第二节点(N)的电压仍然等于数据信号(Data)的电压，电源高电压(OVDD)不断对第一节点(G)充电直至Vg＝Vs-Vth，其中，Vs为第一薄膜晶体管(T1)的源极电压，Vg为第一节点(G)的电压，Vth为第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压；
步骤S4、进入显示发光阶段(3)；
所述第三扫描控制信号(Scan3)提供低电位，所述第六薄膜晶体管(T6)关闭，第四及第五薄膜晶体管(T4、T5)打开，所述第二扫描控制信号(Scan2)提供高电位，所述第三薄膜晶体管(T3)关闭，所述第一扫描控制信号(Scan1)提供高电位，所述第二薄膜晶体管(T2)关闭，第二节点(N)的电压变为初始化电压(Vini)，第一节点(G)电压变为Vs–Vth+Vini–Vdata，其中，Vdata为数据信号(Data)的电压，有机发光二极管(D)发光，且流经所述有机发光二极管(D)的电流与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一扫描控制信号(Scan1)、第二扫描控制信号(Scan2)、与第三扫描控制信号(Scan3)均通过外部时序控制器提供。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
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