CN109087610A - Amoled像素驱动电路、驱动方法及显示面板 - Google Patents

Amoled像素驱动电路、驱动方法及显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板。该AMOLED像素驱动电路采用7T1C结构，并具有复位阶段、数据信号写入与阈值电压补偿阶段及发光阶段，能够补偿第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，且在所述发光阶段，容易出现漏电的第四薄膜晶体管与第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的栅极之间的连接路径被第二薄膜晶体管阻断，能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。

Description

AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路、驱动方法及显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示面板，具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵OLED(Passive Matrix，PM)和有源矩阵OLED(Active Matrix，AM)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。
AMOLED显示面板内具有呈阵列式排布的多个像素，每一像素通过一OLED像素驱动电路来进行驱动。
如图1所示，传统的AMOLED像素驱动电路为2T1C结构，包括：开关薄膜晶体管T100、驱动薄膜晶体管T200及存储电容C100，其中所述开关薄膜晶体管T100与驱动薄膜晶体管T200均为N型薄膜晶体管。有机发光二极管D100的驱动电流由所述驱动薄膜晶体管T200控制，已知的计算所述驱动电流的计算公式为：
IOLED＝K×(Vgs－Vth)2
其中，IOLED表示驱动电流，K为驱动薄膜晶体管T200的电流放大系数，由驱动薄膜晶体管T200自身的电学特性决定，Vgs表示驱动薄膜晶体管T200的栅极与源极之间的电压差，Vth表示驱动薄膜晶体管T200的阈值电压。可见，驱动电流IOLED与驱动薄膜晶体管T200的阈值电压Vth有关。
由于驱动薄膜晶体管T200的阈值电压Vth容易漂移，导致驱动电流IOLED发生变化，容易造成AMOLED显示面板的亮度不均，出现显示不良，影响画质。
由于传统的2T1C结构的AMOLED像素驱动电路不具备补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的功能，各显示器生产厂家提出了多种能够补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的像素驱动电路。
然而，现有的能够补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的AMOLED像素驱动电路仍存在一个明显的不足：在复位阶段用于复位驱动薄膜晶体管栅极电位的薄膜晶体管的源极与漏极分别直接电性连接驱动薄膜晶体管的栅极与一较低电位，为了防止在发光阶段驱动薄膜晶体管的栅极电位发生漂移，所述在复位阶段用于复位驱动薄膜晶体管栅极电位的薄膜晶体管的漏电流必须要很小，但由于其源漏电压较大，该在复位阶段用于复位驱动薄膜晶体管栅极电位的薄膜晶体管在发光阶段较容易出现漏电，导致驱动薄膜晶体管的栅极电位漂移，影响AMOLED画质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，不仅能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，还能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。
本发明的另一目的在于提供一种AMOLED像素驱动方法，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。
本发明的目的还在于提供一种显示面板，其内的像素驱动电路既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高画质。
为实现上述目的，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、存储电容及有机发光二极管，其中所述第一薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第二节点，源极电性连接第一节点，漏极电性连接第三节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，源极电性连接第二节点，漏极电性连接第三节点；
所述第三薄膜晶体管的栅极接入第三控制信号，源极接入数据信号，漏极电性连接第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，源极接入低电压，漏极电性连接第三节点；
所述第五薄膜晶体管的栅极接入发光控制信号，源极电性连接第三节点，漏极电性连接第四节点；
所述第七薄膜晶体管的栅极接入第三控制信号，源极接入低电压，漏极电性连接第四节点；
所述存储电容的一端接入电源正电压，另一端电性连接第二节点；
所述有机发光二极管的阳极电性连第四节点，阴极接入电源负电压；
所述AMOLED像素驱动电路具有复位阶段、数据信号写入与阈值电压补偿阶段及发光阶段；
当所述AMOLED像素驱动电路处于复位阶段时，所述第二薄膜晶体管与第四薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管与第七薄膜晶体管断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段时，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管与第七薄膜晶体管导通，所述第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管与第六薄膜晶体管断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段时，所述第五薄膜晶体管与第六薄膜晶体管导通，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管与第七薄膜晶体管断开。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；
在所述复位阶段，所述第一控制信号与第二控制信号为低电位，所述第三控制信号与发光控制信号为高电位；在所述数据信号写入与阈值电压补偿阶段，所述第一控制信号与第三控制信号为低电位，所述第二控制信号与发光控制信号为高电位；在所述发光阶段，所述发光控制信号为低电位，所述第一控制信号、第二控制信号与第三控制信号为高电位。
所述第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号与发光控制信号均通过外部时序控制器产生。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管与第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动上述AMOLED像素驱动电路，包括如下步骤：
步骤S1、控制所述AMOLED像素驱动电路处于复位阶段；
所述第二薄膜晶体管与第四薄膜晶体管导通，所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管与第七薄膜晶体管断开，所述第一薄膜晶体管的栅极的电位复位至所述低电压；
步骤S2、控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段；
所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管与第七薄膜晶体管导通，所述第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管与第六薄膜晶体管断开；所述第一薄膜晶体管的栅极与漏极短接，形成二级管结构；数据信号写入所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管的栅极进行充电；
与此同时，所述有机发光二极管的阳极的电位复位至所述低电压；
步骤S3、控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段；
所述第五薄膜晶体管与第六薄膜晶体管导通，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管与第七薄膜晶体管断开；所述第二薄膜晶体管阻断所述第四薄膜晶体管与第一薄膜晶体管的栅极的连接路径；
驱动电流流过有机发光二级管驱动有机发光二级管发光，且驱动电流与所述第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压无关。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管及第七薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管；
所述步骤S1中，所述第一控制信号与第二控制信号提供低电位，所述第三控制信号与发光控制信号提供高电位；所述步骤S2中，所述第一控制信号与第三控制信号提供低电位，所述第二控制信号与发光控制信号提供高电位；所述步骤S3中，所述发光控制信号提供低电位，所述第一控制信号、第二控制信号与第三控制信号提供高电位。
所述第一控制信号、第二控制信号、第三控制信号与发光控制信号均通过外部时序控制器产生。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管与第七薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
本发明还提供一种显示面板，包括上述AMOLED像素驱动电路。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路，采用7T1C结构，并具有复位阶段、数据信号写入与阈值电压补偿阶段及发光阶段，能够补偿第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，且在所述发光阶段，容易出现漏电的第四薄膜晶体管与第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的栅极之间的连接路径被第二薄膜晶体管阻断，能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。本发明提供的一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动所述AMOLED像素驱动电路，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。本发明提供的一种显示面板，包括所述AMOLED像素驱动电路，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高画质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为传统的2T1C结构的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为本发明的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图3为本发明的AMOLED像素驱动电路的时序图；
图4为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤S1的示意图；
图5为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤S2的示意图；
图6为本发明的AMOLED像素驱动方法的步骤S3的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图2与图3，本发明首先提供一种AMOLED像素驱动电路，该AMOLED像素驱动电路为7T1C结构，包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7、存储电容C及有机发光二极管D，其中所述第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g电性连接第二节点P2，源极s电性连接第一节点P1，漏极d电性连接第三节点P3；
所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第一控制信号CS1，源极电性连接第二节点P2，漏极电性连接第三节点P3；
所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第三控制信号CS3，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一节点P1；
所述第四薄膜晶体管T4的栅极接入第二控制信号CS2，源极接入低电压VI，漏极电性连接第三节点P3；
所述第五薄膜晶体管T5的栅极接入发光控制信号EM，源极电性连接第三节点P3，漏极电性连接第四节点P4；
所述第七薄膜晶体管T7的栅极接入第三控制信号CS3，源极接入低电压VI，漏极电性连接第四节点P4；
所述存储电容C的一端接入电源正电压VDD，另一端电性连接第二节点P2；
所述有机发光二极管D的阳极电性连第四节点P4，阴极接入电源负电压VSS。
具体地：
所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第七薄膜晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
所述第一控制信号CS1、第二控制信号CS2、第三控制信号CS3与发光控制信号EM均通过外部时序控制器产生。所述第一控制信号CS1用于控制第二薄膜晶体管T2的导通或断开，所述第二控制信号CS2用于控制第四薄膜晶体管T4的导通或断开，所述第三控制信号CS3用于控制第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7的导通或断开；所述发光控制信号EM用于控制第六薄膜晶体管T6与第五薄膜晶体管T5的导通或断开。
请参阅图3，所述AMOLED像素驱动电路具有复位阶段A1、数据信号写入与阈值电压补偿阶段A2及发光阶段A3。
结合图2与图3：
所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6及第七薄膜晶体管T7均为P型薄膜晶体管。
在所述复位阶段A1：所述第一控制信号CS1为低电位，所述第二薄膜晶体管T2导通；所述第二控制信号CS2为低电位，所述第四薄膜晶体管T4导通；所述第三控制信号CS3为高电位，所述第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7断开；所述发光控制信号EM为高电位，所述第六薄膜晶体管T6与第五薄膜晶体管T5断开。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的电位通过串联且导通的第二薄膜晶体管T2与第四薄膜晶体管T4复位至所述低电压VI。
在所述数据信号写入与阈值电压补偿阶段A2：所述第一控制信号CS1保持低电位，所述第二薄膜晶体管T2导通；所述第二控制信号CS2转变为高电位，所述第四薄膜晶体管T4断开；所述第三控制信号CS3为低电位，所述第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7导通；所述发光控制信号EM为高电位，所述第六薄膜晶体管T6与第五薄膜晶体管T5断开。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g与漏极d通过导通的第二薄膜晶体管T2短接，形成二级管结构；所述数据信号Data经由导通的第三薄膜晶体管T3写入所述第一薄膜晶体管T1的源极s，通过所述第一薄膜晶体管T1的二极管结构，所述第一薄膜晶体管T1的栅极g充电至：
Vg＝Vdata—∣Vth∣
其中Vg表示所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的电位，Vdata表示数据信号Data的电位，Vth表示所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压。
与此同时，所述有机发光二极管D的阳极的电位通过导通的第七薄膜晶体管T7复位至所述低电压VI。
在所述发光阶段A3：所述第一控制信号CS1转变为高电位，所述第二薄膜晶体管T2断开；所述第二控制信号CS2保持高电位，所述第四薄膜晶体管T4断开；所述第三控制信号CS3为高电位，所述第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7断开；所述发光控制信号EM转变为低电位，所述第六薄膜晶体管T6与第五薄膜晶体管T5导通。
由于所述第六薄膜晶体管T6导通，所述第一薄膜晶体管T1的源极s的电位为电源正电压VDD；驱动电流经由导通的第五薄膜晶体管T5流向有机发光二极管D，驱动有机发光二极管D发光，已知的计算驱动电流的公式为：
IOLED＝K×(Vs－Vg－∣Vth∣)2
＝K×(VDD－(Vdata—∣Vth∣)－∣Vth∣)2
＝K×(VDD－Vdata)2
其中，IOLED表示驱动电流；K为第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的电流放大系数，由第一薄膜晶体管T1自身的电学特性决定；Vs表示第一薄膜晶体管T1的源极s的电位；VDD表示电源正电压。
可见，驱动电流IOLED与所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth无关，所以本发明的AMOLED像素驱动电路能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移。
值得注意的是，本发明的AMOLED像素驱动电路设置接入低电压V1的第四薄膜晶体管T4串联第二薄膜晶体管T2，由第二薄膜晶体管T2连接第一薄膜晶体管T1即驱动薄晶体管的栅极g，那么在所述发光阶段A3，容易出现漏电的第四薄膜晶体管T4与第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的栅极g之间的连接路径便被断开的第二薄膜晶体管T2阻断，在很大程度上减少了在该发光阶段A3由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，从而能够提高AMOLED画质。
本发明还提供一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动上述AMOLED像素驱动电路，包括如下步骤：
步骤S1、控制所述AMOLED像素驱动电路处于复位阶段A1。
结合图3与图4，所述第一控制信号CS1与第二控制信号CS2提供低电位，所述第三控制信号CS3与发光控制信号EM提供高电位。所述第二薄膜晶体管T2与第四薄膜晶体管T4导通，所述第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6与第七薄膜晶体管T7断开。
所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的电位通过串联且导通的第二薄膜晶体管T2与第四薄膜晶体管T4复位至所述低电压VI。
步骤S2、控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段A2。
结合图3与图5，所述第一控制信号CS1与第三控制信号CS3提供低电位，所述第二控制信号CS2与发光控制信号EM提供高电位。所述第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3与第七薄膜晶体管T7导通，所述第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6断开；所述第一薄膜晶体管T1的栅极g与漏极d短接，形成二级管结构。
所述数据信号Data经由导通的第三薄膜晶体管T3写入所述第一薄膜晶体管T1的源极s，通过所述第一薄膜晶体管T1的二极管结构，所述第一薄膜晶体管T1的栅极g充电至：
Vg＝Vdata—∣Vth∣
其中Vg表示所述第一薄膜晶体管T1的栅极g的电位，Vdata表示数据信号Data的电位，Vth表示所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压。
与此同时，所述有机发光二极管D的阳极的电位通过导通的第七薄膜晶体管T7复位至所述低电压VI。
步骤S3、控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段A3。
结合图3与图6，所述发光控制信号EM提供低电位，所述第一控制信号CS1、第二控制信号CS2与第三控制信号CS3提供高电位。所述第五薄膜晶体管T5与第六薄膜晶体管T6导通，所述第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4与第七薄膜晶体管T7断开。
所述第一薄膜晶体管T1的源极s的电位为电源正电压VDD，驱动电流流向有机发光二极管D，驱动有机发光二极管D发光，已知的计算驱动电流的公式为：
IOLED＝K×(Vs－Vg－∣Vth∣)2
＝K×(VDD－(Vdata—∣Vth∣)－∣Vth∣)2
＝K×(VDD－Vdata)2
其中，IOLED表示驱动电流；K为第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的电流放大系数，由第一薄膜晶体管T1自身的电学特性决定；Vs表示第一薄膜晶体管T1的源极s的电位；VDD表示电源正电压。
可见，驱动电流IOLED与所述第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth无关，所以本发明的AMOLED像素驱动方法能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移。
值得注意的是，在发光阶段A3，容易出现漏电的第四薄膜晶体管T4与第一薄膜晶体管T1即驱动薄膜晶体管的栅极g之间的连接路径被断开的第二薄膜晶体管T2阻断，在很大程度上减少了在该发光阶段A3由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，从而能够提高AMOLED画质。
本发明还提供一种显示面板，该显示面板可以但不限于为OLED显示面板，包括上述如图2与图3所示的AMOLED像素驱动电路。由于所述AMOLED像素驱动电路既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，本发明的显示面板的画质较高。
综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路及驱动方法，采用7T1C结构，并具有复位阶段、数据信号写入与阈值电压补偿阶段及发光阶段，能够补偿第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，且在所述发光阶段，容易出现漏电的第四薄膜晶体管与第一薄膜晶体管即驱动薄膜晶体管的栅极之间的连接路径被第二薄膜晶体管阻断，能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。本发明的AMOLED像素驱动方法，用于驱动所述AMOLED像素驱动电路，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高AMOLED画质。本发明的显示面板，包括所述AMOLED像素驱动电路，既能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移，也能够减少在发光阶段由于漏电引起的驱动薄膜晶体管栅极电位漂移，提高画质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、存储电容(C)及有机发光二极管(D)，其中所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)电性连接第二节点(P2)，源极(s)电性连接第一节点(P1)，漏极(d)电性连接第三节点(P3)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一控制信号(CS1)，源极电性连接第二节点(P2)，漏极电性连接第三节点(P3)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第三控制信号(CS3)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(P1)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二控制信号(CS2)，源极接入低电压(VI)，漏极电性连接第三节点(P3)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第三节点(P3)，漏极电性连接第四节点(P4)；
所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极接入第三控制信号(CS3)，源极接入低电压(VI)，漏极电性连接第四节点(P4)；
所述存储电容(C)的一端接入电源正电压(VDD)，另一端电性连接第二节点(P2)；
所述有机发光二极管(D)的阳极电性连第四节点(P4)，阴极接入电源负电压(VSS)；
所述AMOLED像素驱动电路具有复位阶段(A1)、数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A2)及发光阶段(A3)；
当所述AMOLED像素驱动电路处于复位阶段(A1)时，所述第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)与第七薄膜晶体管(T7)断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A2)时，所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)与第七薄膜晶体管(T7)导通，所述第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)与第六薄膜晶体管(T6)断开；当所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A3)时，所述第五薄膜晶体管(T5)与第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)与第七薄膜晶体管(T7)断开。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)均为P型薄膜晶体管；
在所述复位阶段(A1)，所述第一控制信号(CS1)与第二控制信号(CS2)为低电位，所述第三控制信号(CS3)与发光控制信号(EM)为高电位；在所述数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A2)，所述第一控制信号(CS1)与第三控制信号(CS3)为低电位，所述第二控制信号(CS2)与发光控制信号(EM)为高电位；在所述发光阶段(A3)，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述第一控制信号(CS1)、第二控制信号(CS2)与第三控制信号(CS3)为高电位。
3.如权利要求2所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一控制信号(CS1)、第二控制信号(CS2)、第三控制信号(CS3)与发光控制信号(EM)均通过外部时序控制器产生。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)与第七薄膜晶体管(T7)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
5.一种AMOLED像素驱动方法，用于驱动如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、控制所述AMOLED像素驱动电路处于复位阶段(A1)；
所述第二薄膜晶体管(T2)与第四薄膜晶体管(T4)导通，所述第三薄膜晶体管(T3)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)与第七薄膜晶体管(T7)断开，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)的电位复位至所述低电压(VI)；
步骤S2、控制所述AMOLED像素驱动电路处于数据信号写入与阈值电压补偿阶段(A2)；
所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)与第七薄膜晶体管(T7)导通，所述第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)与第六薄膜晶体管(T6)断开；所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)与漏极(d)短接，形成二级管结构；数据信号(Data)写入所述第一薄膜晶体管(T1)的源极(s)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)进行充电；
与此同时，所述有机发光二极管(D)的阳极的电位复位至所述低电压(VI)；
步骤S3、控制所述AMOLED像素驱动电路处于发光阶段(A3)；
所述第五薄膜晶体管(T5)与第六薄膜晶体管(T6)导通，所述第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)与第七薄膜晶体管(T7)断开；所述第二薄膜晶体管(T2)阻断所述第四薄膜晶体管(T4)与第一薄膜晶体管(T1)的栅极(g)的连接路径；
驱动电流流过有机发光二级管(D)驱动有机发光二级管(D)发光，且驱动电流与所述第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的阈值电压无关。
6.如权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)及第七薄膜晶体管(T7)均为P型薄膜晶体管；
所述步骤S1中，所述第一控制信号(CS1)与第二控制信号(CS2)提供低电位，所述第三控制信号(CS3)与发光控制信号(EM)提供高电位；所述步骤S2中，所述第一控制信号(CS1)与第三控制信号(CS3)提供低电位，所述第二控制信号(CS2)与发光控制信号(EM)提供高电位；所述步骤S3中，所述发光控制信号(EM)提供低电位，所述第一控制信号(CS1)、第二控制信号(CS2)与第三控制信号(CS3)提供高电位。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一控制信号(CS1)、第二控制信号(CS2)、第三控制信号(CS3)与发光控制信号(EM)均通过外部时序控制器产生。
8.如权利要求5所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)与第七薄膜晶体管(T7)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅薄膜晶体管中的至少一种。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的AMOLED像素驱动电路。
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