TWI838847B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI838847B
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柳昇錫
蘇炳成
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南韓商樂金顯示科技股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種顯示裝置，包含設置於顯示區域內用以顯示圖像的多個子像素，每一個子像素包含發光元件以及用來驅動發光元件的驅動電晶體。顯示區域可包含第一區域、圍繞第一區域的第二區域以及介於第一區域與第二區域之間的第三區域。多個子像素當中的第一、第二與第三子像素分別設置於第一、第二與第三區域內。當對應到第一子像素的第一資料相等於對應到第二子像素的第二資料時，第一子像素的亮度可大於第二子像素的亮度。

Description

顯示裝置
本發明涉及電子裝置，特別是顯示裝置。
隨著顯示技術進步，顯示裝置可連同圖像顯示功能提供增加的功能，例如取像功能、感測功能等等。為了提供這些功能，顯示裝置可能需要包含光學電子裝置，例如照相機、用於偵測圖像的感測器等等。
為了接收從顯示裝置的前表面通過的光，可能需要將光學電子裝置設置於顯示裝置的區域內，其中來自前表面的入射光可被有利地接收或偵測到。因此，在這樣的顯示裝置中，光學電子裝置可位於顯示裝置的前側部分中，以使光學電子裝置被有效地暴露於入射光。為了在這樣的實施方式中安裝光學電子裝置，可設計顯示裝置的增加邊框，或者可在顯示裝置的顯示面板的顯示區域內形成凹口(notch)或孔洞。
因此，由於顯示裝置需要光學電子裝置以接收或偵測入射光並執行預期的功能，可能因此增加顯示裝置前側部分中的邊框尺寸，或者可能因此在設計顯示裝置前側部分時遭遇到可觀的缺點。
發明人已開發出用於在顯示裝置中提供或放置一或多個光學電子裝置而不會減小顯示裝置的顯示面板的顯示區域之面積的技術。透過開發，發明人已發明出具有透光結構的顯示面板以及顯示裝置，在透光結構中，即使當光學電子裝置位於顯示面板的顯示區域下方時，也不會因此暴露在顯示裝置的前表面，光學電子裝置可正常且適當地接收或偵測光。
此外，發明人已理解到：由於包含一或多個透射區域的光學區域與不包含透射區域的一般區域之間每單位面積之子像素在數量上的差異，會導致光學電子裝置重疊的問題，進而在光學區域與一般區域之間會產生亮度上的差異。為了解決這個問題，發明人已發明出亮度差異補償技術，以減少或消除光學區域與一般區域之間的亮度差異。
此外，發明人已透過亮度差異補償技術的應用，發現光學區域外的邊界區域內被異常感知的現象(如，邊界感知現象)，並經過各種努力，而發明出能夠降低感知邊界程度或消除邊界感知現象的技術。
本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，能夠在顯示面板的顯示區域中所包含的光學區域內正常執行顯示驅動並能重疊於光學電子裝置。
本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，能夠減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，能 夠透過將補償電容器結構應用至光學區域來減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，能夠透過在光學區域與一般區域之間伽馬曲線差分(differentiation)技術的應用來減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，能夠減少或避免光學區域與一般區域之間的邊界感知。
根據本發明的態樣，提供一種顯示裝置，包含一顯示區域以及設置於顯示區域內的多個子像素。顯示區域可包含一第一區域、側向地圍繞第一區域的一第二區域以及位於第一區域與第二區域之間的一第三區域，且這些子像素當中的第一、第二與第三子像素可分別設置於第一、第二與第三區域內。
第一、第二與第三子像素中的每一者可包含一第一節點、一第二節點、一第三節點以及一第四節點，並包含連接至第四節點的一發光元件、在第二節點由一電壓控制且用以驅動發光元件的一驅動電晶體、由透過一第一掃描線路所供應的一第一掃描訊號控制且用以控制第二節點與第三節點之間連接的一第一電晶體、由透過一發射控制線路所供應的一發射控制訊號控制且用以控制第一節點與一驅動電壓線路之間連接的一第二電晶體以及由發射控制訊號控制且用以控制第三節點與第四節點之間連接的一第三電晶體。
第一子像素可包含介於第二節點與第一掃描線路之間的一第一補償電容器以及介於第二節點與發射控制線路之間的一第二補償電容器當中的至少一者。
第三子像素可包含介於第二節點與第一掃描線路之間的一第三補償電容器以及介於第二節點與發射控制線路之間的一第四補償電容器當中的至少一者。
根據本發明的態樣，提供一種顯示裝置，包含含有一顯示區域的一基板、設置於基板之上的多個閘極線路以及設置於顯示區域內的多個子像素。顯示區域可包含一第一區域、側向地圍繞第一區域的第二區域以及位於第一區域與第二區域之間的一第三區域。在這些閘極線路當中，一第一閘極線路可貫穿第二區域、第三區域與第一區域。這些子像素當中的第一、第二與第三子像素可分別設置於第一、第二與第三區域內。
第一子像素、第二子像素與第三子像素可各自包含一發光元件以及一驅動電晶體。
第一閘極線路可在第一子像素內重疊於對應到驅動電晶體之閘極節點的一第一連接圖案，可在第二子像素內不重疊於對應到驅動電晶體之閘極節點的一第二連接圖案，且可在第三子像素內重疊於對應到驅動電晶體之閘極節點的一第三連接圖案。
根據本發明的態樣，提供一種顯示裝置，包含一顯示區域以及設置於顯示區域內的多個子像素。顯示區域可包含一第 一區域、側向地圍繞第一區域的一第二區域以及位於第一區域與第二區域之間的一第三區域，且這些子像素當中的第一、第二與第三子像素可分別設置於第一、第二與第三區域內。
第一子像素、第二子像素與第三子像素可各自包含一發光元件以及用來驅動發光元件的一驅動電晶體。
在對應到第一子像素的第一資料相等於對應到第二子像素的第二資料的示例中，第一子像素的亮度可大於第二子像素的亮度。
根據本發明的態樣，提供一種顯示裝置，包含一顯示區域以及一閘極線路。顯示區域可包含一第一光學區域、一第二光學區域以及一個一般區域。第一光學區域包含：多個第一透射區域以及多個第一子像素，每一個第一子像素包含一第一驅動電晶體以及對應到第一驅動電晶體之一閘極節點的一第一連接區域。第二光學區域包含：具有不同於第一透射區域之形狀的多個第二透射區域；以及多個第二子像素，每一個第二子像素包含一第二驅動電晶體以及對應到第二驅動電晶體之一閘極節點的一第二連接區域。一般區域側向地圍繞第一光學區域與第二光學區域。一般區域具有比第一光學區域與第二光學區域的透射性還低的透射性。一般區域包含多個第三子像素。每一個第三子像素包含一第三驅動電晶體以及對應到第三驅動電晶體之一閘極節點的一第三連接區域。閘極線路重疊於這些第一子像素中的一第一子像素、這些第二子像素中的一第二子像素與這些第三子像素中的一第三 子像素。第一子像素之第一驅動電晶體的閘極節點與閘極線路之間的一第一電容量大於第三子像素之第三驅動電晶體的閘極節點與閘極線路之間的一第三電容量。第二子像素之第二驅動電晶體的閘極節點與閘極線路之間的一第二電容量大於第三電容量。
根據本發明的一或多個實施例，可提供顯示裝置，能夠在顯示面板的顯示區域中所包含的光學區域內正常執行顯示驅動並能重疊於一光學電子裝置。
根據本發明的一或多個實施例，可提供顯示裝置，能夠減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
根據本發明的一或多個實施例，可提供顯示裝置，能夠透過將補償電容器結構應用至光學區域來減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
根據本發明的一或多個實施例，可提供顯示裝置，能夠透過在光學區域與一般區域之間伽馬曲線差分技術的應用來減少或消除光學區域與一般區域之間亮度上的差異。
根據本發明的一或多個實施例，可提供顯示裝置，能夠減少或避免光學區域與一般區域之間的邊界感知。
以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。
100:顯示裝置
11、12:光學電子裝置
110:顯示面板
220:資料驅動電路
230:閘極驅動電路
240:顯示控制器
250:主機系統
260:觸摸驅動電路
270:觸摸控制器
A1:第一區域
A2:第二區域
A3:第三區域
ABUF1、ABUF2、MBUF:緩衝層
ACT:層
AE:陽極電極
BA:邊界區域
BANK:堤部
Blue SP:藍色子像素
BRG、TSM:金屬
C1:第一補償電容器
C2:第二補償電容器
C3:第三補償電容器
C4:第四補償電容器
CE:陰極電極
Cgd、Cgs:寄生電容
CNT1_N2:第一接觸孔
CNT3_N2:第三接觸孔
CP:連接圖案
CP1:第一連接圖案
CP1-1:第一部分連接圖案
CP1-2:第二部分連接圖案
CP2:第二連接圖案
CP3:第三連接圖案
CP3-1:第三部分連接圖案
CP3-2:第四部分連接圖案
Cst:電容器
D0:參考資料值
Da:第一資料值
DA:顯示區域
DAM1、DAM2:壩部
Data:圖像資料
Db:第二資料值
DCS:資料驅動控制訊號
DFP:材料
DL:資料線路
DL1:第一資料線路
DL2:第二資料線路
DRT、SCT、T1、T2、T3、T4、T5、T6:電晶體
DVL:驅動電壓線路
EA:發光區域
ED、EP:發光元件
EL:發光層
ELVDD、EVLDD:驅動電壓
ELVSS:基準電壓
EM[n]、EML[n]、EML1[n]:發射控制訊號
En1:源極電極
En3:汲極電極
ENCAP:封裝層
GAM1、GAM2、GAM3:伽馬曲線
GATE:閘極電極
GCS:閘極驅動控制訊號
GI:閘極絕緣層
GL:閘極線路
GM:閘極材料層
Green SP:綠色子像素
HA1、HA2、NA、OA1、OA2:區域
HIGH:高位準電壓
HIGH-LOW、Vkb1_SP1、Vkb1_SP3、Vkb2_SP1、Vkb2_SP3:電壓變動寬度
HL1、HL2:水平線路
ILD1:第一層間絕緣層
ILD2:第二層間絕緣層
INS、IPD、T-ILD:層間絕緣層
IVL:第一初始化線路
L0:參考亮度值
LH:第二亮度值
LL:第一亮度值
Lna、Loa、Loa1、Loa2:亮度
LOW:低位準電壓
LS:遮光層
ML1:第一金屬層
ML2:第二金屬層
N1、Nx:第一節點
N2、Ny:第二節點
N3、Nz:第三節點
N4:第四節點
NA:一般區域
NDA:非顯示區域
Nna、Noa1、Noa2:數量
NTA:非透射區域
PAC:保護層
PAS0:鈍化層
PAS1:第一封裝層
PAS2:第三封裝層
PCL:第二封裝層
PDC1:第一像素驅動電路
PDC2:第二像素驅動電路
PDC3:像素驅動電路
PLN、PLN1、PLN2:平坦化層
PRP1:第一補償凸起
PRP2:第二補償凸起
PRP3:第三補償凸起
PRP4:第四補償凸起
Red SP:紅色子像素
S8:發射週期
SC1(n)、SC1[n]:第一掃描訊號
SC2(n)、SC2[n]:第二掃描訊號
SC3(n)、SC3[n]、SC3[n+1]:第三掃描訊號
SCAN:掃描訊號
SCL1[n]:第一掃描線路
SCL2(n):第二掃描線路
SCL3(n)、SCL3[n]、SCL3[n+1]:第三掃描線路
SD1:第一源極-汲極電極圖案
SD2:第二源極-汲極電極圖案
SLP:傾斜表面
SP、SP1、SP2、SP3:子像素
SUB、SUB1、SUB2:基板
TA1、TA2:透射區域
T-BUF:觸摸緩衝層
Tini:初始化週期
TIS:透光率提升結構
Tkb1、Tkb2:時序
TL:觸摸線路
TM:金屬圖案
TP:觸摸板
TS:觸摸感測器
Tsen:感測週期
VAR:第二初始化電壓
VARL:第二初始化線路
Vdata:資料電壓
Vdata1:第一資料電壓
Vdata2:第二資料電壓
Vdata3:第三資料電壓
Vgs、Vgs_COMP_SP1、Vgs_COMP_SP3:閘極-源極電位差
Vgs_C1:第一反沖閘極-源極電位差
Vgs_C1+C2:第二反沖閘極-源極電位差
Vgs_COMP:電壓差
Vgs_COMP_SP1:第一閘極源極電位差
Vgs_COMP_SP3:第三閘極源極電位差
Vgs_REF:參考閘極-源極電位差(電壓差)
Vgs_REF:第二閘極源極電位差
VINI:第一初始化電壓
VL1、VL2、VLn:垂直線路
Vn2_C1、Vn2_C3:第一反沖閘極電壓
Vn2_C1+C2、Vn2_C3+C4、Vn2_C4+C4:第二反沖閘極電壓
Vn2_COMP:下降電壓
Vn2_REF:參考閘極電壓
Vth:閾值電壓
所包含的附加圖式提供本發明進一步的理解並併入 且構成本發明的一部分，附圖繪示本發明的態樣並與說明書一同用作為解釋本發明的原理。在圖式中：圖1A、圖1B與圖1C係繪示有根據本發明態樣之示例性顯示裝置的平面圖。
圖2繪示根據本發明態樣之顯示裝置的示例性系統配置。
圖3繪示根據本發明態樣之顯示面板中單個子像素的示例性等效電路。
圖4繪示根據本發明態樣之顯示面板的顯示區域內所包含的三個區域內子像素的示例性佈置。
圖5A繪示根據本發明態樣之顯示面板中在第一光學區域與一般區域的每一者當中訊號線路的示例性佈置。
圖5B繪示根據本發明態樣之顯示面板中在第二光學區域與一般區域的每一者當中訊號線路的示例性佈置。
圖6與圖7係根據本發明態樣之顯示面板的顯示區域內所包含的一般區域、第一光學區域與第二光學區域的示例性側面剖視圖。
圖8係根據本發明態樣之顯示面板的外側緣中的示例性側面剖視圖。
圖9繪示根據本發明態樣之顯示裝置中一般區域、第一光學區域與第二光學區域之間亮度上的差異。
圖10繪示根據本發明態樣之顯示裝置中第一光學區域內第一子像素的示例性等效電路以及一般區域內第二子像素的示例性等效電路。
圖11係根據本發明態樣之顯示裝置中第一光學區域的第一子像素的示例性驅動時序圖表。
圖12繪示根據本發明態樣之顯示裝置中差分地應用至第一光學區域與一般區域的示例性伽馬曲線。
圖13A繪示根據本發明態樣之顯示裝置中將第二伽馬曲線應用至第一光學區域外的邊界區域的示例的照明實驗結果。
圖13B繪示根據本發明態樣之顯示裝置中將第一伽馬曲線應用至第一光學區域外的邊界區域的示例的照明實驗結果。
圖14繪示根據本發明態樣之顯示裝置中在第一區域內所設置的第一子像素的示例性等效電路以及在第三區域內所設置的第三子像素的示例性等效電路。
圖15繪示根據本發明態樣之顯示裝置中在第一區域內所設置的第一子像素的示例性驅動時序圖表以及在第三區域內所設置的第三子像素的示例性驅動時序圖表。
圖16A至圖16C繪示根據本發明態樣之顯示裝置中差分地應用至第一至第三區域的示例性第一至第三伽馬曲線。
圖17A係根據本發明態樣之顯示裝置中第一區域的平面圖。
圖17B係圖17A的第一區域內設置有一個第一像素驅動電路之區域的平面圖。
圖18A係根據本發明態樣之顯示裝置中第二區域的平面圖。
圖18B係圖18A的第二區域內設置有一個第二像素驅動電路之區域的平面圖。
圖19A係根據本發明態樣之顯示裝置中第三區域的平面圖。
圖19B係圖19A的第三區域內設置有一個第三像素驅動電路之區域的平面圖。
現將詳細參照本發明的實施例，且其示例可在圖式中示出。
在以下敘述中，除非另有明確說明，否則於此所描述的結構、實施例、實行方式、方法與操作不限於於此所闡述的一或多個特定示例，且可如本領域中的已知來進行改變。除非另有明確說明，否則相似的參照標號始終指示相似的元件。在以下的說中所使用之個別元件的名稱僅為了撰寫說明書方便而選擇，因此可能與實際產品所使用的名稱不相同。將透過以下參照圖式所敘述的示例性實施例來闡明本發明的優點與特徵以及其實行方法。然而，本發明可以不同形式來實施，且不應被解釋成限定為於此所闡述的示例性實施例。相反地，提供這些示例性實施例使得本發明可足夠徹底且完整，以幫助本領域技術人員充分地理解本發明的範圍。再者，本發明所保護的範圍是由請求項與其等同者所定義。在以下的敘述中，在相關已知功能或配置的詳細敘述可能不必要地模糊本發明態樣的情況下，可能會省略這些已知功能或配置的詳細敘述。在圖式中為了敘述本發明之各種示例性實施例所繪示的形狀、尺寸、比例、角度與數量等等僅以示例的方式給出。因此，本發明不限於圖式中的繪示內容。在使用「包含」、 「具有」、「包括」、「含有」、「構成」、「由…組成」、「由…形成」等術語的情況下，除非有使用例如「僅」等術語，否則可添加一或多個其他元件。除非上下文另有明確地指示，否則以單數形式所敘述的單個元件旨在包含多個元件，且反之亦然。
僅管於此為了敘述各種元件而使用「第一」、「第二」、A、B、(a)、(b)等術語，但這些元件不應被解釋成受到這些術語的限制，因為這些術語不用於定義特定的順序或優先等級。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件作出區隔。舉例來說，第一元件可被稱為第二元件，且類似地，第二元件可被稱為第一元件，而不脫離本發明的範圍。
對於一個元件或層體「連接」、「耦合」或「貼附」於另一個元件或層體的表述，除非另有明確說明，否則所述元件或層體可直接連接、耦合或貼附於另一個元件或層體，或可間接連接、耦合或貼附於另一個元件或層體且有一或多個中介元件或層體「設置」或「插入」所述元件、層體或兩者之間。對於一個元件或層體與另一個元件或層體「接觸」或「重疊」等表述，除非另有明確說明，否則所述元件或層體可與另一個元件或層體直接接觸或重疊等等，或可與另一個元件或層體間接接觸或重疊等等且有一或多個中介元件或層體「設置」或「插入」所述元件、層體或兩者之間。
敘述位置關係之處，舉例來說，「上」、「之上」、「下方」、「下」、「之下」、「旁邊」或「鄰接」等用來敘述 兩個零件之間位置關係之處，除非使用「立即」、「直接」或「緊挨」等進一步限定的術語，否則可有一或多個零件位於所述兩個零件之間。舉例來說，在一個元件或層體設置於另一個元件或層體「上」的情況下，可於其間插入第三元件或層體。再者，「左」、「右」、「上」、「下」、「向下」、「向上」、「上部」、「下部」等術語指稱任意參照系統。
在敘述時間關係時，當時間順序例如被敘述為「之後」、「接著」、「下一個」或「之前」時，除非例如使用「剛好」、「立即」或「直接」等進一步限定的術語，否則可包含不連續的情況。在解釋一個元件時，即使沒有提供誤差或公差範圍的明確敘述，但仍可將所述元件解釋為包含這樣的誤差或公差範圍。再者，術語「可」完全包含術語「能」的所有意義。
術語「至少一」應被理解為包含一或多個相關羅列項目的任何或全部組合。舉例來說，「第一元件、第二元件與第三元件當中的至少一者」的意義包含所列三項元件的全部組合、所述三個元件當中任二者的組合以及每個單獨的元件，即第一元件、第二元件與第三元件。
第一元件、第二元件「及/或」第三元件的表述應被理解成第一、第二與第三元件當中的一者，或第一、第二與第三元件當中的任何或全部的組合。例如，A、B及/或C可指稱僅有A、僅有B或僅有C；A、B、與C的任何或部分組合；或所有的A、B與C。
以下將參照圖式來詳細敘述本發明的各種實施例。此外，為了方便敘述，在圖式中所繪示之各個元件的比例可能與實際比例不相同。因此，被敘述的元件不限於其在圖式中所繪示的特定比例。
圖1A、圖1B與圖1C係繪示有根據本發明態樣之示例性顯示裝置100的平面圖。
參照圖1A、圖1B與圖1C，根據本發明態樣之顯示裝置可包含用來顯示圖像的顯示面板110以及一或多個光學電子裝置11、12。於此，光學電子裝置可被指稱為光偵測器、光接收器或光感測裝置。光學電子裝置可包含一或多個照相機、照相機鏡頭、感測器、用來偵測圖像的感測器等等。
顯示面板110可包含顯示有圖像的顯示區域DA以及不顯示圖像的非顯示區域NDA。多個子像素可排列在顯示區域DA內，且其中可佈置用來驅動子像素的好幾種訊號線路。
非顯示區域NDA可被指稱顯示區域DA外的區域。在非顯示區域NDA內可佈置好幾種訊號線路，且其可連接好幾種驅動電路。至少一部分的非顯示區域NDA可被彎折到從顯示面板的前方而言為不可見，或可被顯示裝置100或顯示面板110的殼體(未繪示)遮蓋住。非顯示區域NDA亦可被指稱為邊框或邊框區域。
參照圖圖1A、圖1B與圖1C，在根據本發明態樣之顯示裝置100中，一或多個光學電子裝置(11、12)可位於顯示面 板110之下或在其下部分中(其觀看面的相對側)。
光可進入顯示面板110的前表面(觀看面)，通過顯示面板110，到達位於顯示面板110之下或在其下部分中(觀看面的相對側)的一或多個光學電子裝置(11、12)。
所述一或多個光學電子裝置(11、12)可接收或偵測穿透過顯示面板110的光，並基於所接收的光來執行預先定義的功能。舉例來說，所述一或多個光學電子裝置(11、12)可包含例如為照相機(圖像感測器)之取像裝置及/或相似物，以及例如為近端感測器、照度感測器及/或相似物當中的一或多者。
參照圖1A、1B與1C，在根據本發明態樣的顯示面板110中，顯示區域DA可包含一或多個光學區域(OA1、OA2)以及一個一般區域NA。於此，術語「一般區域」NA係雖然存在於顯示區域DA內但不重疊於一或多個光學電子裝置(11、12)的區域，也可被指稱為非光學區域。所述一或多個光學區域(OA1、OA2)可為重疊於一或多個光學電子裝置(11、12)的一或多個分別的區域。
根據圖1A的示例，顯示區域DA可包含第一光學區域OA1以及一般區域NA。在此示例中，至少一部分的第一光學區域OA1可重疊於第一光學電子裝置11。
根據圖1B的示例，顯示區域DA可包含第一光學區域OA1、第二光學區域OA2以及一般區域NA。在圖1B的示例中，至少一部分的一般區域NA可存在於第一光學區域OA1與第 二光學區域OA2之間。在此示例中，至少一部分的第一光學區域OA1可重疊於第一光學電子裝置11，且至少一部分的第二光學區域OA2可重疊於第二光學電子裝置12。
根據圖1C的示例，顯示區域DA可包含第一光學區域OA1、第二光學區域OA2以及一般區域NA。在圖1C的示例中，一般區域NA可不存在於第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之間。舉例來說，第一光學區域OA1與第二光學區域OA2可接觸彼此(如，彼此直接接觸)。在此示例中，至少一部分的第一光學區域OA1可重疊於第一光學電子裝置11，且至少一部分的第二光學區域OA2可重疊於第二光學電子裝置12。
在部分實施例中，可期望在所述一或多個光學區域(OA1、OA2)內形成圖像顯示結構以及透光結構。舉例來說，由於所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為顯示區域DA的一部分，因此需要在所述一或多個光學區域(OA1、OA2)內設置用來顯示圖像的子像素。再者，為了使光能夠穿透所述一或多個光學電子裝置(11、12)，需要透光結構，因而在所述一或多個光學區域(OA1、OA2)內形成透光結構。
即使需要所述一或多個光學電子裝置(11、12)來接收或偵測光，所述一或多個光學電子裝置(11、12)仍可位於顯示面板110的背側上(如，在觀看面的相對側上)。在本實施例中，所述一或多個光學電子裝置(11、12)例如位於顯示面板110之下或在其下部分中，並用以接收已經穿透過顯示面板110的光。舉例來 說，所述一或多個光學電子裝置(11、12)未暴露在顯示面板110的前表面(觀看面)。如此一來，當使用者面向顯示面板110的前表面時，所述一或多個光學電子裝置(11、12)被設置成使得它們為不可見或對使用者而言已降低可見性。
在一實施例中，第一光學電子裝置11可為照相機，而第二光學電子裝置12可為例如為近端感測器、照度感測器、紅外線感測器及/或相似物等的感測器。舉例來說，照相機可為相機鏡頭、圖像感測器或包含相機鏡頭與圖像感測器當中至少一者的單元或裝置。感測器可例如為能夠偵測紅外線的紅外線感測器。在其他實施例中，第一光學電子裝置11可為感測器，而第二光學電子裝置12可為照相機。
下文為了方便起見，以下的討論將參照第一光學電子裝置11為照相機而第二光學電子裝置12為感測器的實施例。然而，應當理解本發明的範圍包含第一光學電子裝置11為感測器而第二光學電子裝置12為照相機的實施例。舉例來說，照相機可為相機鏡頭、圖像感測器或包含相機鏡頭與圖像感測器當中至少一者的單元或裝置。
在第一光學電子裝置11為照相機的實施例中，此照相機可位於顯示面板110的背側上(如顯示面板110之下或在其下部分中)，且可為能夠在顯示面板110的前側方向上拍攝物體或圖像的前置相機。如此一來，使用者可在觀看顯示面板110的觀看面時，透過在觀看面模糊或不可見的照相機來拍攝圖像或物 體。
雖然在圖1A、圖1B與圖1C的每一者中，包含在顯示區域DA內的一般區域NA與所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為可顯示圖像的區域，但一般區域NA為不需要形成透光結構的區域，而所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為需要形成透光結構的區域。因而在部分實施例中，一般區域NA為不需要實施或包含透光結構的區域，而所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為實施或包含透光結構的區域。
如此一來，所述一或多個光學區域(OA1、OA2)可具有相對於預定或選定水準相等或更高的透光率，例如相對較高的透光率，而一般區域NA可不具有高透光率或可具有相對於預定水準較低的透光率，例如相對較低的透光率。
舉例來說，所述一或多個光學區域(OA1、OA2)可具有不同於一般區域NA所擁有的解析度、子像素佈置結構、每單位面積之子像素的數量、電極結構、線路結構、電極佈置結構、線路佈置結構及/或相似物。
在一實施例中，在所述一或多個光學區域OA1、OA2中每單位面積之子像素的數量可小於在一般區域NA中每單位面積之子像素的數量。舉例來說，所述一或多個光學區域(OA1、OA2)的解析度可低於一般區域NA的解析度。於此，每單位面積之像素(或子像素)的數量可具有與解析度、像素(或子像素)的密度或像素(或子像素)的集成度相同的含義。舉例來說，可使用 每英吋(PPI)的像素(或子像素)來衡量每單位面積之像素(或子像素)的數量，其表示在1英吋內像素(或子像素)的數量。
在圖1A、圖1B與圖1C之每一者的實施例中，第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量可小於一般區域NA內每單位面積之子像素的數量。在圖1A、圖1B與圖1C之每一者的實施例中，第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量可大於等於第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量並小於一般區域NA內每單位面積之子像素的數量。
在圖1A、圖1B與圖1C之每一者的實施例中，作為用來增加第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者之透光率的方法，可應用可被指稱為「像素密度差分設計方案」的技術，使得像素(或子像素)的密度或像素(或子像素)的集成度可如上所述被差分。根據像素密度差分設計方案，在一實施例中，顯示面板110可用來或設計成使得第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者的每單位面積之子像素的數量大於一般區域NA的每單位面積之子像素的數量。
在其他實施例中，作為用來增加第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者之透光率的另一方法，可應用可被指稱為「像素尺寸差分設計方案」的另一技術，使得像素的尺寸可被差分。根據像素尺寸差分設計方案，顯示面板110可用來或設計成使得第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者的每單位面積之子像素的數量等於或相似於一般區域NA 的每單位面積之子像素的數量；然而，在第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者中所設置的每一個子像素的尺寸(如，對應發光區域的尺寸)小於在一般區域NA中所設置的每一個子像素的尺寸(如，對應發光區域的尺寸)。
在部分實施例中，除非另有明確說明，否則為了方便敘述，將基於用來增加第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中至少一者之透光率的兩個方案中的像素密度差分設計方案來提供以下的討論。這樣，在以下的討論中，可將每單位面積之小數量的子像素用作為子像素具有小尺寸的含義，並可將每單位面積之大數量的子像素用作為子像素具有大尺寸的含義。
在圖1A、圖1B與圖1C的每一者中，第一光學區域OA1可具有各種形狀，例如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等等。在圖1B與圖1C的每一者中，第二光學區域OA2可具有各種形狀，例如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等等。第一光學區域OA1與第二光學區域OA2可具有相同或不同的形狀。
參照圖1C，在第一光學區域OA1與第二光學區域OA2彼此接觸的示例中，包含第一光學區域OA1與第二光學區域OA2的整個光學區域亦可具有各種形狀，例如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等等。下文為了方便敘述，將基於第一光學區域OA1與第二光學區域OA2各自具有圓形形狀的實施例來進行討論。然而，應當理解本發明的範圍包含第一光學區域OA1 與第二光學區域OA2的一或兩者具有不同於圓形之形狀的實施例。
當根據本發明之態樣的顯示裝置100具有例如為照相機等的第一光學電子裝置11位於顯示面板110之下或在其下部分中而未暴露於外的結構時，根據本發明之態樣的這種顯示裝置100可被指稱為實施有螢幕下相機(under-display camera,UDC)技術的顯示器。
根據此示例，在根據本發明之態樣的顯示裝置100中，因為在顯示面板110中不需要形成用來暴露照相機的凹口或相機孔洞，所以可避免顯示區域DA的尺寸或面積的減少。因為不需要在顯示面板110中形成用來暴露照相機的凹口或相機孔洞，所以顯示裝置100可具有減少邊框區域尺寸的進一步優勢，且因為對設計的這種限制已被移除，在設計上具有改善自由度的進一步優勢。
雖然所述一或多個光學電子裝置(11、12)位於顯示裝置100之顯示面板110的背側上(如顯示面板110之下或在其下部分中)(如隱藏或不暴露於外)，但在部分態樣中，所述一或多個光學電子裝置(11、12)仍可執行一般預定義的功能，並因而接收或偵測光。
再者，在根據本發明之態樣的顯示裝置100中，雖然一或多個光學電子裝置(11、12)位於顯示面板110的背側上(如顯示面板110之下或在其下部分中)以被隱藏並被定位成重疊於 顯示區域DA，但仍有利於在顯示區域DA中重疊於所述一或多個光學電子裝置(11、12)的所述一或多個光學區域(OA1、OA2)中正常執行圖像顯示。因此，在一或多個示例中，即使一或多個光學電子裝置11、12位於顯示面板的背側上，在顯示區域DA中重疊於所述一或多個光學電子裝置11、12的所述一或多個光學區域OA1、OA2中仍可以正常的方式來顯示圖像(如不減損圖像品質)。
圖2繪示根據本發明態樣之顯示裝置100的示例性系統配置。參照圖2，顯示裝置100可包含顯示面板110以及作為用來顯示圖像之元件的顯示驅動電路。
顯示驅動電路為用來驅動顯示面板110的電路，並可包含資料驅動電路220、閘極驅動電路230、顯示控制器240以及其他元件。
顯示面板110可包含顯示有圖像的顯示區域DA以及不顯示圖像的非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可為顯示區域DA外的區域，並亦可被指稱為邊緣區域或邊框區域。全部或一部分的非顯示區域NDA可為從顯示裝置100的前表面可見的區域，或可為從顯示裝置100的前表面彎折且不可見的區域。
顯示面板110可包含基板SUB以及設置於基板SUB上的多個子像素SP。顯示面板110更可包含各種類型的訊號線路以驅動子像素SP。
根據本發明之態樣的顯示裝置100可為液晶顯示裝 置或相似物，或光從顯示面板110本身發出的自發光顯示裝置。在根據本發明之態樣的顯示裝置100為自發光顯示裝置的示例中，每一個子像素可包含發光元件。在一實施例中，根據本發明之態樣的顯示裝置100可為使用有機發光二極體(OLED)來實施發光元件的有機發光顯示裝置。對另一實施例而言，根據本發明之態樣的顯示裝置100可為使用無機材料基之發光二極體來實施發光元件的無機發光顯示裝置。在又另一實施例中，根據本發明之態以的顯示裝置100可為使用為自發光半導體晶體的量子點來實施發光元件的量子點顯示裝置。
每一個子像素SP的結構可根據顯示裝置100的類型來變動。舉例來說，在顯示裝置100為包含自發光子像素SP的自發光顯示裝置的示例中，每一個子像素SP可包含自發光發光元件、一或多個電晶體以及一或多個電容器。
佈置在顯示裝置100中的各種類型的訊號線路可例如包含用來攜帶資料訊號(可被指稱為資料電壓或圖像訊號)的多個資料線路DL以及用來攜帶閘極訊號(可被指稱為掃描訊號)的閘極線路GL等等。
資料線路DL與閘極線路GL可彼此重疊。每一個資料線路DL可在第一方向上延伸。每一個閘極線路GL可在第二方向上延伸。舉例來說，第一方向可為直行或垂直方向，而第二方向可為橫列或水平方向。在另一示例中，第一方向可為橫列方向，而第二方向可為直行方向。
資料驅動電路220為用來驅動資料線路DL的電路，並可將資料訊號供應給資料線路DL。閘極驅動電路230為用來驅動閘極線路GL的電路，並可將閘極訊號供應給閘極線路GL。
顯示控制器240可為用來控制資料驅動電路220與閘極驅動電路230的裝置，並可控制用於資料線路DL的驅動時序以及用於閘極線路GL的驅動時序。
顯示控制器240可將資料驅動控制訊號DCS供應給資料驅動電路220以控制資料驅動電路220，並將閘極驅動控制訊號GCS供應給閘極驅動電路230以控制閘極驅動電路230。
顯示控制器240可從主機系統250接收輸入圖像資料，並基於輸入圖像資料來將圖像資料Data供應給資料驅動電路220。
資料驅動電路220可從顯示控制器240接收數位圖像資料Data，將所接收到的圖像資料Data轉換成類比資料訊號，並將生成的類比資料訊號供應給資料線路DL。
閘極驅動電路230可連同各種閘極驅動控制訊號GCS一併接收對應到開啟位準電壓的第一閘極電壓以及對應到關閉位準電壓的第二閘極電壓，產生閘極訊號，並將所產生的閘極訊號供應給閘極線路GL。
在部分實施例中，資料驅動電路220可以帶式自動接合(tape automated bonding,TAB)的類型連接到顯示面板110，或以玻璃覆晶(chip on glass,COG)的類型或面板覆晶(chip on panel,COP)的類型連接到例如為顯示面板110之接合墊的導電墊部，或以薄膜覆晶(chip on film,COF)的類型連接到顯示面板110。
在部分實施例中，閘極驅動電路230可以帶式自動接合(TAB)的類型連接到顯示面板110，或以玻璃覆晶(COG)的類型或面板覆晶(COP)的類型連接到例如為顯示面板110之接合墊的導電墊部，或以薄膜覆晶(COF)的類型連接到顯示面板110。在另一實施例中，閘極驅動電路230可以面板內閘極(gate in panel,GIP)的類型設置於顯示面板110的非顯示區域NDA內。閘極驅動電路230可設置於基板上或之上，或連接到基板。也就是說，在GIP類型的情況下，閘極驅動電路230可設置於基板的非顯示區域NDA內。閘極驅動電路230可以玻璃覆晶(COG)的類型或薄膜上覆晶(COF)的類型等等連接到基板。
在部分實施例中，資料驅動電路220與閘極驅動電路230當中的至少一者可設置於顯示面板110的顯示區域DA內。舉例來說，資料驅動電路220與閘極驅動電路230當中的至少一者可設置成不重疊於子像素SP，或設置成重疊於一或多個或全部的子像素SP。
資料驅動電路220亦可僅位於顯示面板110的一側或一部分(如上緣或下緣)上，但不以此為限。在部分實施例中，根據驅動方案或面板設計方案等等，資料驅動電路220可位於顯示面板110的兩側或兩部分(如上緣或下緣)中，或顯示面板110的四側或四部分(如上緣、下緣、左緣與右緣)的至少兩者中， 但不以此為限。
閘極驅動電路230可僅位於顯示面板110的一側或一部分(如左緣或右緣)中。在部分實施例中，根據驅動方案或面板設計方案等等，閘極驅動電路230可連接到顯示面板110的兩側或兩部分(如左緣與右緣)，或連接到顯示面板110的四側或四部分(如上緣、下緣、左緣與右緣)的至少兩者。
顯示控制器240可被實施為與資料驅動電路220分開的元件，或可整合至資料驅動電路220因而被實施為積體電路。
顯示控制器240可為在典型顯示技術中所使用的時序控制器，或除了典型時序控制器的功能之外還能夠執行其他控制功能的控制器或控制裝置。在部分實施例中，顯示控制器240可為不同於時序控制器的控制器或控制裝置，或在控制器或控制裝置中所包含的電路或元件。可用各種電路或電子元件來實施顯示控制器240，例如積成電路(integrated circuit,IC)、場域可程式閘陣列(field programmable gate array,FPGA)、特定應用積體電路(application specific integrated circuit,ASIC)、處理器及/或相似物。
顯示控制器240可安裝於印刷電路板、柔性印刷電路及/或相似物上，並透過印刷電路板、柔性印刷電路及/或相似物電性連接到資料驅動電路220與閘極驅動電路230。
顯示控制器240可經由一或多個預定義的界面將訊號傳輸給資料驅動電路220並從資料驅動電路220接收訊號。在 部分實施例中，這樣的界面可包含低電壓差分訊號(low voltage differential signaling,LVDS)界面、嵌入式時脈點對點(embedded clock point-point,EPI)界面與串列週邊界面(serial peripheral interface,SP)等等。
為了連同圖像顯示功能進一步提供觸摸感測功能，根據本發明之態樣的顯示裝置100可包含至少一個觸摸感測器以及能夠偵測是否有例如為手指或筆等碰觸物體所產生之觸摸事件或能夠藉由感測觸摸感測器來偵測對應觸摸位置的觸摸感測電路。
觸摸感測電路可包含能夠藉由驅動與感測觸摸感測器來產生並提供觸摸感測資料的觸摸驅動電路260、能夠偵測觸摸事件的生成或使用觸摸感測資料偵測觸摸位置的觸摸控制器270以及一或多個其他元件。
觸摸感測器可包含多個觸摸電極。觸摸感測器更可包含用來將觸摸電極電性連接到觸摸驅動電路260的多個觸摸線路。
觸摸感測器可被實施在顯示面板110外的觸摸面板中，或以觸摸面板的形式被實施，或被實施在顯示面板110內。在觸摸感測器被實施在顯示面板110外的觸摸面板中或以觸摸面板的形式被實施的示例中，這樣的觸摸感測器被指稱為附加類型。在設置有附加類型之觸摸感測器的示例中，觸摸面板與顯示面板110可被分開製造並可在組裝製程期間被耦合。附加類型之觸摸 面板可包含觸摸面板基板以及在觸摸面板基板上的多個觸摸電極。
在觸摸感測器被實施在顯示面板110內的示例中，顯示面板110的製造製程可包含將觸摸感測器連同與驅動顯示裝置100相關的訊號線路與電極一併設置於基板SUB之上的製程。
觸摸驅動電路260可將觸摸驅動訊號供應給至少一個觸摸電極，並感測至少一個觸摸電極以產生觸摸感測資料。
觸摸感測電路可使用自電容感測法(self-capacitance sensing method)或互電容感測法(mutual-capacitance sensing method)來執行觸摸感測。
在觸摸感測電路以自電容感測法來執行觸摸感測的示例中，觸摸感測電路可基於每個觸摸電極與觸摸物體(如手指與筆等等)之間的電容量來執行觸摸感測。根據自電容感測法，每一個觸摸電極可作為驅動觸摸電極與感測觸摸電極兩者。觸摸驅動電路260可驅動全部或一個以上的觸摸電極，並感測全部或一個以上的觸摸電極。
在觸摸感測電路以互電容感測法來執行觸摸感測的示例中，觸摸感測電路可基於觸摸電極之間的電容量來執行觸摸感測。根據互電容感測法，觸摸電極被劃分成驅動觸摸電極以及感測觸摸電極。觸摸驅動電路260可驅動驅動觸摸電極與感測觸摸電極。
包含在觸摸感測電路內的觸摸控制器270與觸摸驅 動電路260可被實施成分開的裝置或單一個裝置。再者，觸摸驅動電路260與資料驅動電路220可被實施成分開的裝置或單一個裝置。
顯示裝置100更可包含用來將各種類型的電力供應給顯示驅動電路及/或觸摸感測電路的電力供應電路。
根據本發明之態樣的顯示裝置100可為諸如智慧型電話、平板電腦或相似物之移動終端，或可為監視器、電視(TV)或相似物。這樣的裝置可為各種類型、尺寸與形狀。根據本發明之實施例的顯示裝置100不以此為限，並包含用來顯示資訊或圖像的各種類型、尺寸與形狀的顯示器。
如上所述，顯示面板110的顯示區域DA可包含一般區域NA以及一或多個光學區域(OA1、OA2)，如圖1A、圖1B與圖1C所示。一般區域NA與所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為可顯示圖像的區域。然而，一般區域NA為不需要實施透光結構的區域，而所述一或多個光學區域(OA1、OA2)為需要實施透光結構的區域。
如上相對於圖1A、圖1B與圖1C的示例所討論的，雖然顯示面板110的顯示區域DA可除了一般區域NA之外還包含一或多個光學區域(OA1、OA2)，除非另有明確說明，否則為了方便敘述，在以下的討論中，將假設顯示區域DA包含第一與第二光學區域(OA1、OA2)以及一般區域NA，且其一般區域NA包含圖1A至圖1C中的一般區域NA，且其第一與第二光學區域 (OA1、OA2)分別包含圖1A、圖1B與圖1C中的第一光學區域OA1以及圖1B與圖1C中的第二光學區域。
圖3繪示根據本發明態樣之顯示面板110中單個子像素SP的示例性等效電路。
在包含在顯示面板110之顯示區域DA內的一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2內所設置的每一個子像素SP可包含發光元件ED、用來驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT、用來將資料電壓Vdata傳輸到驅動電晶體DRT之第一節點Nx的掃描電晶體SCT、用來在一幀(frame)期間內將電壓維持在近似恆定位準的儲存電容器Cst以及相似物。
驅動電晶體DRT可包含施加有資料電壓的第一節點Nx、電性連接到發光元件ED的第二節點Ny以及透過驅動電壓線路DVL施加有驅動電壓ELVDD的第三節點Nz。在驅動電晶體DRT中，第一節點Nx可為閘極節點，第二節點Ny可為源極節點或汲極節點，而第三節點Nz可為汲極節點或源極節點。
發光元件ED可包含陽極電極AE、發光層EL以及陰極電極CE。陽極電極AE可為設置於每一個子像素SP中的像素電極，並可電性連接到每一個子像素SP的驅動電晶體DRT的第二節點Ny。陰極電極CE可為共同地設置於子像素SP中的共用電極，而例如為低位準電壓的基準電壓ELVSS可被施加到陰極電極CE。
舉例來說，陽極電極AE可為像素電極，而陰極電極 CE可為共用電極。在另一示例中，陽極電極AE可為共用電極，而陰極電極CE可為像素電極。除非另有明確說明，否則為了方便敘述，在以下的討論中將假設陽極電極AE為像素電極，而陰極電極CE為共用電充。
發光元件ED可例如為有機發光二極體(OLED)、無機發光二極體、量子點發光元件或相似物。在有機發光元件被用作為發光元件ED的示例中，其發光層EL可包含內含有機材料的有機發光層。
可藉由透過閘極線路GL施加有閘極訊號且電性連接於驅動電晶體DRT之第一節點Nx與資料線路DL之間的掃描訊號SCAN來開啟或關閉掃描電晶體SCT。
儲存電容器Cst可電性連接於驅動電晶體DRT的第二節點Ny與第一節點Nx之間。
如圖3所示，每一個子像素SP可包含兩個電晶體(2T：DRT、SCT)以及一個電容器(1C：Cst，其可被指稱為「2T1C結構」)，並在部分情況下，每一個子像素SP更可包含一或多個電晶體，或更可包含一或多個電容器。
儲存電容器Cst可為有意被設計成位於驅動電晶體DRT之外且可被呈現於驅動電晶體DRT之第二節點Ny與第一節點Nx之間的外部電容器，而非例如為寄生電容(如Cgs、Cgd)的內部電容器。驅動電晶體DRT與掃描電晶體SCT當中的每一者可為N型電晶體或P型電晶體。
因為在每一個子像素SP中的電路元件(特別例如為發光元件ED)易受外部濕氣或氧氣的影響，可在顯示面板110中設置封裝層ENCAP以避免外部濕氣或氧氣穿透進電路元件(特別例如為發光元件ED)中。封裝層ENCAP可設置成覆蓋發光元件ED。
圖4繪示根據本發明態樣之顯示面板110的顯示區域DA內所包含的三個區域(NA、OA1、OA2)內子像素SP的示例性佈置。
參照圖4，在部分實施例中，可在包含於顯示區域DA內的一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中的每一者中設置多個子像素SP。
子像素SP可例如包含發射紅光的紅色子像素(Red SP)、發射綠光的綠色子像素(Green SP)以及發射藍光的藍色子像素(Blue SP)。
如此一來，在一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中的每一者可包含一或多個紅色子像素(Red SP)的一或多個發光區域EA、一或多個綠色子像素(Green SP)的一或多個發光區域EA以及一或多個藍色子像素(Blue SP)的一或多個發光區域EA。
參照圖4，在部分實施例中，一般區域NA可不包含透光結構，但可包含發光區域EA。然而，在部分實施例中，第一光學區域OA1與第二光學區域OA2需要包含發光區域EA與透 光結構兩者。如此一來，第一光學區域OA1可包含發光區域EA以及第一透射區域TA1，且第二光學區域OA2可包含發光區域EA以及第二透射區域TA2。
根據是否允許光的透射，發光區域EA與透射區域(TA1、TA2)可為不同的。舉例來說，發光區域EA可為不允許光透射的區域(如，不允許光透射到顯示面板的背側)，且透射區域(TA1、TA2)可為允許光透射的區域(如，允許光透射到顯示面板的背側)。
根據是否包含特定金屬層，發光區域EA與透射區域(TA1、TA2)亦可為不同的。舉例來說，如圖3所示的陰極電極CE可設置於發光區域EA內，且陰極電極CE可不設置於透射區域(TA1、TA2)內。在部分實施例中，可在發光區域EA內設置遮光層，且可不在透射區域(TA1、TA2)內設置遮光層。
由於第一光學區域OA1包含第一透射區域TA1而第二光學區域OA2包含第二透射區域TA2，因此第一光學區域OA1與第二光學區域OA2兩者為光可穿過的區域。
在一實施例中，第一光學區域OA1的透光率(透射的程度)與第二光學區域OA2的透光率(透射的程度)可實質上相等。舉例來說，第一光學區域OA1的第一透射區域TA1與第二光學區域OA2的第二透射區域TA2可具有實質上相同的形狀或尺寸。在另一實施例中，即使當第一光學區域OA1的第一透射區域TA1與第二光學區域OA2的第二透射區域TA2具有不同的 形狀或尺寸，但第一透射區域TA1相對於第一光學區域OA1的比率與第二透射區域TA2相對於第二光學區域OA2的比率仍可實質上相等。在一示例中，每一個第一透射區域TA1具有相同的形狀或尺寸。在一示例中，每一個第二透射區域TA2具有相同的形狀或尺寸。
在另一實施例中，第一光學區域OA1的透光率(透射的程度)與第二光學區域OA2的透光率(透射的程度)可不同。舉例來說，第一光學區域OA1的第一透射區域TA1與第二光學區域OA2的第二透射區域TA2可具有不同的形狀或尺寸。在另一示例中，即使當第一光學區域OA1的第一透射區域TA1與第二光學區域OA2的第二透射區域TA2具有相同的形狀或尺寸，但第一透射區域TA1相對於第一光學區域OA1的比率與第二透射區域TA2相對於第二光學區域OA2的比率仍可彼此不同。
舉例來說，在如圖1A、圖1B與圖1C所示之重疊於第一光學區域OA1的第一光學電子裝置11為照相機，且如圖1B與圖1C所示之重疊於第二光學區域OA2的第二光學電子裝置12為用於偵測圖像之感測器的示例中，照相機可能需要比感測器還更多的光量。
因此，第一光學區域OA1的透光率(透射的程度)可大於第二光學區域OA2的透光率(透射的程度)。舉例來說，第一光學區域OA1的第一透射區域TA1可比第二光學區域OA2的第二透射區域TA2具有更大的尺寸。在另一示例中，即使當第 一光學區域OA1的第一透射區域TA1與第二光學區域OA2的第二透射區域TA2具有實質上相同的尺寸，但第一透射區域TA1相對於第一光學區域OA1的比率仍可大於第二透射區域TA2相對於第二光學區域OA2的比率。
為了方便敘述，將基於第一光學區域OA1的透光率(透射的程度)大於第二光學區域OA2的透光率(透射的程度)的實施例來提供以下的討論。
再者，如圖4所示之透射區域(TA1、TA2)可被指稱為透明區域，且透光率之術語可被指稱為透明度。再者，在以下的討論中，除非另有明確說明，否則將假設第一光學區域OA1與第二光學區域OA2位於顯示面板110之顯示區域DA的上緣，並設置成彼此水平鄰近，例如在圖4所示，設置在上緣延伸的方向上。
參照圖4，設置有第一光學區域OA1與第二光學區域OA2的水平顯示區域被指稱為第一水平顯示區域HA1，而未設置有第一光學區域OA1與第二光學區域OA2的另一個水平顯示區域被指稱為第二水平顯示區域HA2。
參照圖4，第一水平顯示區域HA1可包含一部分的一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2。第二水平顯示區域HA2可僅包含另一部分的一般區域NA。
圖5A繪示根據本發明態樣之顯示面板110中在第一光學區域OA1與一般區域NA的每一者當中訊號線路的示例性 佈置，且圖5B繪示根據本發明態樣之顯示面板110中在第二光學區域OA2與一般區域NA的每一者當中訊號線路的示例性佈置。
圖5A與圖5B所示的第一水平顯示區域HA1為顯示面板110的第一水平顯示區域HA1的一部分，而其中的第二水平顯示區域HA2為顯示面板110的第二水平顯示區域HA2的一部分。
圖5A所示的第一光學區域OA1為顯示面板110的第一光學區域OA1的一部分，而圖5B所示的第二光學區域OA2為顯示面板110的第二光學區域OA2的一部分。
參照圖5A與圖5B，第一水平顯示區域HA1可包含一部分的一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2。第二水平顯示區域HA2可包含另一部分的一般區域NA。
水平線路(HL1、HL2)的各種類型以及垂直線路(VLn、VL1、VL2)的各種類型可設置於顯示面板110中。
在部分實施例中，「水平」之術語與「垂直」之術語可被用來指稱顯示面板彼此橫越(如垂直)的兩個方向；然而，應當理解水平方向與垂直方向可依觀看的方向而有所變動。水平方向可例如指稱閘極線路GL設置成的延伸方向，而垂直方向可例如指稱資料線路DL設置成的延伸方向。因此，水平之術語與垂直之術語可被用來呈現兩個方向。
參照圖5A與圖5B，顯示面板110中所設置的水平線路可包含第一水平顯示區域HA1中所設置的第一水平線路HL1 以及第二水平顯示區域HA2上所設置的第二水平線路HL2。
顯示面板110中所設置的水平線路可為閘極線路GL。也就是說，第一水平線路HL1與第二水平線路HL2可為閘極線路GL。根據一或多個子像素SP的結構，閘極線路GL可包含閘極線路的各種類型。
參照圖5A與圖5B，顯示面板110中所設置的垂直線路可包含僅在非光學區域NA設置的典型垂直線路VLn、穿過第一光學區域OA1與非光學區域NA兩者的第一垂直線路VL1以及穿過第二光學區域OA2與非光學區域NA兩者的第二垂直線路VL2。
顯示面板110中所設置的垂直線路可包含資料線路DL與驅動電壓線路DVL等等，並更可包含參考電壓線路與初始化電壓線路等等。也就是說，典型垂直線路VLn、第一垂直線路VL1與第二垂直線路VL2可包含資料線路DL與驅動電壓線路DVL等等，並更可包含參考電壓線路與初始化電壓線路等等。
在部分實施例中，應當理解在第二水平線路HL2中的術語「水平」可能僅意味著訊號從顯示面板的左側傳送到右側(或從右側到左側)，且可不意味著第二水平線路HL2僅在水平方向上直線延伸。舉例來說，在圖5A與圖5B中，即使第二水平線路HL2被繪示成直線，一或多個第二水平線路HL2可包含與圖5A與圖5B中所示配置不同的彎曲或折疊部分。同樣地，一或多個第一水平線路HL1亦可包含一或多個彎曲或折疊部分。
在部分實施例中，應當理解在典型垂直線路VLn中的術語「垂直」可能僅意味著訊號從顯示面板的上部分傳送到下部分(或從下部分到上部分)，且可不意味著典型垂直線路VLn僅在垂直方向上直線延伸。舉例來說，在圖5A與圖5B中，即使典型垂直線路VLn被繪示成直線，一或多個典型垂直線路VLn可包含與圖5A與圖5B中所示配置不同的彎曲或折疊部分。同樣地，一個以上的第一垂直線路VL1或一個以上的第二垂直線路VL2亦可包含一或多個彎曲或折疊部分。
參照圖5A，包含在第一水平區域HA1內的第一光學區域OA1可包含如圖4所示之發光區域EA以及第一透射區域TA1。在第一光學區域OA1內，第一透射區域TA1的個別外側區域可包含對應的發光區域EA。
參照圖5A，為了提升第一光學區域OA1的透光率，第一水平線路HL1可穿過第一光學區域OA1，同時避開第一光學區域OA1中的第一透射區域TA1。
如此一來，每一個穿過第一光學區域OA1的第一水平線路HL1可包含圍繞一或多個第一透射區域TA1之一個以上個別外緣的一或多個彎折或彎曲部分。
如此一來，第一水平區域HA1中所設置的第一水平線路HL1與第二水平區域HA2中所設置的第二水平線路HL2可具有不同的形狀或長度。舉例來說，穿過第一光學區域OA1的第一水平線路HL1與未穿過第一光學區域OA1的第二水平線路 HL2可具有不同的形狀或長度。
再者，為了提升第一光學區域OA1的透光率，第一垂直線路VL1可穿過第一光學區域OA1，同時避開第一光學區域OA1中的第一透射區域TA1。
如此一來，每一個穿過第一光學區域OA1的第一垂直線路VL1可包含圍繞一或多個第一透射區域TA1之一個以上個別外緣的一或多個彎折或彎曲部分。
因而，穿過第一光學區域OA1的第一垂直線路VL1與設置於一般區域NA中未穿過第一光學區域OA1的典型垂直線路VLn可具有不同的形狀或長度。
參照圖5A，在第一水平區域HA1中包含在第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1可排列成對角方向。
參照圖5A，在第一水平區域HA1中的第一光學區域OA1內，一或多個發光區域EA可設置於兩個水平鄰近的第一透射區域TA1之間。在第一水平區域HA1中的第一光學區域OA1內，一或多個發光區域EA可設置於兩個垂直鄰近的第一透射區域TA1之間。
參照圖5A，第一水平區域HA1內所設置的每一個第一水平線路HL1(如，每一個穿過第一光學區域OA1的第一水平線路HL1)可包含圍繞一或多個第一透射區域TA1之一個以上個別外緣的一或多個彎折或彎曲部分。
參照圖5B，包含在第一水平區域HA1內的第二光學 區域OA2可包含發光區域EA以及第二透射區域TA2。在第二光學區域OA2內，第二透射區域TA2的個別外側區域可包含對應的發光區域EA。
在一實施例中，第二光學區域OA2內的發光區域EA與第二透射區域TA2可具有與圖5A之第一光學區域OA1內的發光區域EA與第一透射區域TA1實質上相同的位置與佈置。
在另一實施例中，如圖5B所示，第二光學區域OA2內的發光區域EA與第二透射區域TA2可具有與圖5A之第一光學區域OA1內的發光區域EA與第一透射區域TA1不同的位置與佈置。
舉例來說，參照圖5B，第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2可佈置成水平方向(由左至右或由右至左的方向)。在本示例中，發光區域EA可在水平方向上不設置於兩個彼此鄰近的第二透射區域TA2之間。再者，第二光學區域OA2內的一或多個發光區域EA可在垂直方向(由上至下或由下至上的方向)上設置於彼此鄰近的第二透射區域TA2之間。舉例來說，一或多個發光區域EA可設置於兩行第二透射區域之間。
當在第一水平區域HA1內穿過第二光學區域OA2與鄰近第二光學區域OA2的一般區域NA時，在一示例中的第一水平線路HL1可與圖5A的第一水平線路HL1具有實質上相同的佈置。
在另一示例中，如圖5B所示，當在第一水平區域 HA1內穿過第二光學區域OA2與鄰近第二光學區域OA2的一般區域NA時，第一水平線路HL1可與圖5A的第一水平線路HL1具有不同的佈置。
這是因為圖5B的第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2與發光區域EA相對於圖5A的第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1與發光區域EA具有不同的位置與佈置。
參照圖5B，當在第一水平區域HA1內第一水平線路HL1穿過第二光學區域OA2與鄰近第二光學區域OA2的一般區域NA時，第一水平線路HL1可在垂直地鄰近第二透射區域TA2之間以直線延伸，而沒有彎折或彎曲部分。
舉例來說，一個第一水平線路HL1可在第一光學區域OA1內具有一或多個彎折或彎曲部分但可在第二光學區域OA2內不具有彎折或彎曲部分。
為了改善第二光學區域OA2的透光率，第二垂直線路VL2可穿過第二光學區域OA2，同時避開第二光學區域OA2中的第二透射區域TA2。
如此一來，每一個穿過第二光學區域OA2的第二垂直線路VL2可包含圍繞第二透射區域TA2之一個以上個別外緣的一或多個彎折或彎曲部分。
因此，穿過第二光學區域OA2的第二垂直線路VL2與設置於一般區域NA內而沒有穿過第二光學區域OA2的典型垂直線路VLn可具有不同的形狀或長度。
如圖5A所示，每一個或一個以上穿過第一光學區域OA1的第一水平線路HL1可具有圍繞第一透射區域TA1之一個以上個別外緣的一或多個彎折或彎曲部分。
如此一來，穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的長度可稍微大於僅設置於一般區域NA內而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的長度。
如此一來，穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的阻抗(被指稱為第一阻抗)可稍微大於僅設置於一般區域NA內而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的阻抗(被指稱為第二阻抗)。
參照圖5A與圖5B，根據一個透光結構的示例，至少部分重疊第一光學電子裝置11的第一光學區域OA1包含第一透射區域TA1，且至少部分重疊第二光學電子裝置12的第二光學區域OA2包含第二透射區域TA2。因此，在第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中每一者的每單位面積之子像素的數量可小於一般區域NA之子像素的數量。
如此一來，連接到每一個或一個以上穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的子像素的數量可不同於連接到每一個或一個以上僅設置於一般區域NA內而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的子像素的數量。
連接到每一個或一個以上穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的子像素的數量(被指稱為第一數量)可小於連接到每一個或一個以上僅設置於一般區域NA內而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的子像素的數量(被指稱為第二數量)。
第一數量與第二數量之間的差異可根據第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中的每一者的解析度與一般區域NA的解析度之間的差異而有所變動。舉例來說，隨著第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中的每一者的解析度與一般區域NA的解析度之間的差異增加，第一數量與第二數量之間的差異可因而增加。
如上所述，由於連接到每一個或一個以上穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的子像素的數量(第一數量)小於連接到每一個或一個以上僅設置於一般區域NA內而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的子像素的數量(第二數量)，因此第一水平線路HL1重疊於一個以上其他電極或鄰近第一水平線路HL1之線路的區域可小於第二水平線路HL2重疊於一個以上其他電極或鄰近第二水平線路HL2之線路的區域。
如此一來，在第一水平線路HL1與一個以上其他電極或鄰近第一水平線路HL1之線路之間所形成的寄生電容(被指稱為第一電容)可極度地小於在第二水平線路HL2與一個以上其 他電極或鄰近第二水平線路HL2之線路之間所形成的寄生電容(被指稱為第二電容)。
考量到第一阻抗與第二阻抗之間的大小關係(第一阻抗
Figure 111133378-A0305-02-0045-1
第二阻抗)以及第一電容與第二電容之間的大小關係(第一電容<<第二電容)，穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第一水平線路HL1的電阻-電容(resistance-capacitance,RC)值(被指稱為第一RC值)可極度地小於僅設置於一般區域NA而沒有穿過第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之第二水平線路HL2的電阻-電容(RC)值(被指稱為第二RC值)。因此，在本示例中，第一RC值極度地小於第二RC值(如，第一RC值<<第二RC值)。
由於第一水平線路HL1的第一RC值與第二水平線路HL2的第二RC值之間這樣的差異(被指稱為RC負載差異)，透過第一水平線路HL1的訊號傳輸特徵可不同於透過第二水平線路HL2的訊號傳輸特徵。
圖6與圖7係根據本發明態樣之顯示面板110的顯示區域DA內所包含的非光學區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當中的每一者的示例性側面剖視圖。
圖6繪示觸摸感測器以觸摸面板的形式被實施在顯示面板110外的示例中的顯示面板110，而圖7繪示觸摸感測器TS被實施在顯示面板110內的示例中的顯示面板110。
圖6與圖7當中的每一者示出顯示區域DA中所包 含的一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2的示例性側面剖視圖。
首先，將參照圖6與圖7來敘述一般區域NA的堆疊結構。第一光學區域OA1與第二光學區域OA2內所包含的個別發光區域EA可與一般區域NA或一般區域NA內的發光區域EA具有相同的堆疊結構。
參照圖6與圖7，基板SUB可包含第一基板SUB1、層間絕緣層IPD以及第二基板SUB2。層間絕緣層IPD可插入在第一基板SUB1與第二基板SUB2之間。由於基板SUB包含第一基板SUB1、層間絕緣層IPD與第二基板SUB2，因此基板SUB可避免或減少濕氣的穿透。第一基板SUB1與第二基板SUB2可例如為聚醯亞胺(polyimide,PI)基板。第一基板SUB1可被指稱為主要PI基板，而第二基板SUB2可被指稱為第二PI基板。
參照圖6與圖7，可在基板SUB上或之上設置有用來設置例如為驅動電晶體DRT等一個以上電晶體的各種類型圖案ACT、SD1、GATE、各種類型絕緣層MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0以及各種類型金屬圖案TM、GM、ML1、ML2。
參照圖6與圖7，可在第二基板SUB2上設置多緩衝層MBUF，並可在多緩衝層MBUF上設置第一主動緩衝層ABUF1。
可在第一主動緩衝層ABUF1上設置第一金屬層ML1與第二金屬層ML2。第一金屬層ML1與第二金屬層ML2可 例如為用來遮光的遮光層LS。
可在第一金屬層ML1與第二金屬層ML2上設置第二主動緩衝層ABUF2。可在第二主動緩衝層ABUF2上設置驅動電晶體DRT的主動層ACT。
可設置閘極絕緣層GI以遮蓋主動層ACT。
驅動電晶體DRT的閘極電極GATE可設置於閘極絕緣層GI上。再者，可連同驅動電晶體DRT的閘極電極GATE，一併在與設置有驅動電晶體DRT的位置不同的位置處的閘極絕緣層GI上設置閘極材料層GM。
可設置第一層間絕緣層ILD1以遮蓋閘極電極GATE與閘極材料層GM。可在第一層間絕緣層ILD1上設置金屬圖案TM。金屬圖案TM可位於與驅動電晶體DRT被格式化的位置不同的位置。可設置第二層間絕緣層ILD2以遮蓋第一層間絕緣層ILD1上的金屬圖案TM。
可在第二層間絕緣層ILD2上設置兩個第一源極-汲極電極圖案SD1。兩個第一源極-汲極電極圖案SD1中的其中一者可為驅動電晶體DRT的源極節點，而另外一者可為驅動電晶體DRT的汲極節點。
兩個第一源極-汲極電極圖案SD1可透過在閘極絕緣層GI、第一層間絕緣層ILD1與第二層間絕緣層ILD2中所形成的接觸孔來分別電性連接到主動層ACT的第一與第二側部分。
重疊於閘極電極GATE之主動層ACT的一部分可作 為通道區(channel region)。兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的其中一者可連接到主動層ACT的通道區的第一側部分，而兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的另外一者可連接到主動層ACT的通道區的第二側部分。
可設置鈍化層PAS0以遮蓋兩個第一源極-汲極電極圖案SD1。可在鈍化層PAS0上設置平坦化層PLN。平坦化層PLN可包含第一平坦化層PLN1以及第二平坦化層PLN2。
第一平坦化層PLN1可設置於鈍化層PAS0上。
可在第一平坦化層PLN1上設置第二源極-汲極電極圖案SD2。第二源極-汲極電極圖案SD2可透過在第一平坦化層PLN1中所形成的接觸孔來連接到兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的其中一者(對應到圖3的子像素SP中驅動電晶體DRT的第二節點N2)。
第二平坦化層PLN2可設置成遮蓋第二源極-汲極電極圖案SD2。可在第二平坦化層PLN2上設置發光元件ED。
根據發光元件ED的示例性堆疊結構，可在第二平坦化層PLN2上設置陽極電極AE。陽極電極AE可透過在第二平坦化層PLN2中所形成的接觸孔來電性連接到第二源極-汲極電極圖案SD2。
可設置堤部BANK以遮蓋陽極電極的一部分。對應到子像素SP之發光區域EA的堤部BANK的一部分可為開放式的。
可透過堤部BANK的開口(開口部分)來暴露陽極電極AE的一部分。可在堤部BANK的側表面上與堤部BANK的開口(開口部分)內定位發光層EL。全部或至少一部分的發光層EL可位於鄰近的堤部之間。
在堤部BANK的開口內，發光層EL可接觸陽極電極AE。可在發光層EL上設置陰極電極CE。
可藉由包含如上所述的陽極電極AE、發光層EL與陰極電極CE來形成發光元件ED。發光層EL可包含有機材料層。
可在發光元件ED的堆疊上設置封裝層ENCAP。封裝層ENCAP可具有單層結構或多層結構。舉例來說，如圖6與圖7所示，封裝層ENCAP可包含第一封裝層PAS1、第二封裝層PCL以及第三封裝層PAS2。第一封裝層PAS1與第三封裝層PAS2可例如為無機材料層，而第二封裝層PCL可例如為有機材料層。在第一封裝層PAS1、第二封裝層PCL與第三封裝層PAS2當中，第二封裝層PCL可為最厚的並可作為平坦化層。
第一封裝層PAS1可設置於陰極電極CE上，並可設置成最靠近發光元件ED。第一封裝層PAS1可包含能夠使用低溫沉積來進行沉積的無機絕緣材料。舉例來說，第一封裝層PAS1可包含，但不限於，氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氧氮化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)等等。由於第一封裝層PAS1可在低溫大氣中沉積，因此在沉積製程期間，第一封裝層PAS1可避免損傷包含有易受高溫大氣影響之有機材料的發光層EL。
第二封裝層PCL可比第一封裝層PAS1具有較小的面積或尺寸。舉例來說，第二封裝層PCL可設置成暴露第一封裝層PAS1的兩端或兩緣。第二封裝層PCL可作為緩衝以在顯示裝置100被彎折或彎曲時緩解對應層之間的應力，並且亦用作增強平坦化的性能。舉例來說，第二封裝層PCL可包含有機絕緣材料，如丙烯酸樹脂(acrylic resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、聚醯亞胺、聚乙烯(polyethylene)或矽氧碳(SiOC)等等。可例如使用噴墨方案(inkjet scheme)來設置第二封裝層PCL。
第三封裝層PAS2可設置在其之上設置有第二封裝層PCL的基板SUB之上，使得第三封裝層PAS2遮蓋第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL的個別頂表面與側表面。第三封裝層PAS2可最小化、減少或避免外部或氧氣穿透進第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL。舉例來說，第三封裝層PAS2可包含無機絕緣材料，如氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)、氧氮化矽(SiON)或氧化鋁(Al2O3)等等。
參照圖7，在觸摸感測器TS被嵌入進顯示面板110的示例中，觸摸感測器TS可設置在封裝層ENCAP上。將於下文中詳細敘述觸摸感測器的結構。
可在封裝層ENCAP上設置觸摸緩衝層T-BUF。觸摸感測器TS可設置於觸摸緩衝層T-BUF上。
觸摸感測器TS可包含位於不同層的觸摸感測金屬TSM以及至少一個橋接金屬BRG。層間絕緣層T-ILD可設置於 觸摸感測金屬TSM與橋接金屬BRG之間。舉例來說，觸摸感測金屬TSM可包含兩兩鄰近設置的第一觸摸感測金屬TSM、第二觸摸感測金屬TSM以及第三觸摸感測金屬TSM。在第三觸摸感測金屬TSM設置於第一觸摸感測金屬TSM與第二觸摸感測金屬TSM之間且第一觸摸感測金屬TSM與第二觸摸感測金屬TSM需要彼此電性連接的實施例中，第一觸摸感測金屬TSM與第二觸摸感測金屬TSM可透過位於不同層的橋接金屬BRG彼此電性連接。橋接金屬BRG可藉由觸摸層間絕緣層T-ILD與第三觸摸感測金屬TSM電性絕緣。
當觸摸感測器TS設置於顯示面板110上時，可能產生或引入在對應製程中所使用的化學溶液(如，顯影劑或蝕刻劑)或來自外部的濕氣。在部分實施例中，藉由在觸摸緩衝層T-BUF上設置觸摸感測器TS，可避免化學溶液或濕氣在觸摸感測器TS的製造製程期間穿透進包含有機材料的發光層EL內。如此一來，觸摸緩衝層T-BUF可避免損傷易受化學溶液或濕氣影響的發光層EL。
為了避免損傷包含有易受高溫影響之有機材料的發光層EL，可在小於等於預定或選定溫度的低溫(如100度(℃))使用具有1至3低介電常數(permittivity)的有機絕緣材料來形成觸摸緩衝層T-BUF。舉例來說，觸摸緩衝層T-BUF可包含丙烯酸基(acrylic-based)、環氧樹脂基(epoxy-based)或矽氧烷基(siloxan-based)的材料。隨著顯示裝置100被彎曲，封裝層ENCAP可能受 到損傷，且位在觸摸緩衝層T-BUF上的觸摸感測金屬可能破裂或損壞。即使當顯示裝置100被彎曲時，具有平坦化性能的觸摸緩衝層T-BUF作為有機絕緣材料可避免包含在觸摸感測器TS中金屬(TSM、BRG)的破裂或損壞且/或封裝層ENCAP的損傷。
可設置保護層PAC以遮蓋觸摸感測器TS。保護層PAC可例如為有機絕緣層。
接著將參照圖6與圖7來敘述第一光學區域OA1的堆疊結構。
參照圖6與圖7，第一光學區域OA1的發光區域EA可具有與一般區域NA的堆疊結構相同的堆疊結構。如此一來，在以下的討論中將詳細敘述第一光學區域OA1中第一透射區域TA1的堆疊結構，而不再重複敘述第一光學區域OA1中的發光區域EA。
在部分實施例中，陰極電極CE可設置於第一光學區域OA1與一般區域NA內所包含的發光區域EA內，但可不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。舉例來說，第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1可對應到陰極電極CE的開口。
再者，在部分實施例中，包含第一金屬層ML1與第二金屬層ML2當中至少一者的遮光層LS可設置於第一光學區域OA1與一般區域NA內所包含的發光區域EA內，但可不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。舉例來說，第一 光學區域OA1內的第一透射區域TA1可對應到遮光層LS的開口。
第一光學區域OA1與一般區域NA內所包含的發光區域EA內所設置的各種類型的絕緣層(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD、PAC)與基板SUB可同等地、基本上同等地或類似地設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。
然而，在部分實施例中，在第一光學區域OA1與一般區域NA內所包含的發光區域EA內所設置的具有電性特性之一或多個材料層(如一或多個金屬材料層及/或一或多個半導體層)中的全部或一或多者，除了絕緣材料或層以外，可不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。
舉例來說，參照圖6與圖7，與至少一個電晶體和半導體層ACT相關的金屬材料層(ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2)中的全部或一或多者可不設置於第一透射區域TA1內。
再者，參照圖6與圖7，在部分實施例中，發光元件ED中所包含的陽極電極AE與陰極電極CE可不設置於第一透射區域TA1內。在部分實施例中，發光元件ED的發光層EL可根據設計需求或一個以上設計參數而設置或不設置於第一透射區域TA1內。
再者，參照圖7，在部分實施例中，包含在觸摸感測 器TS中的觸摸感測金屬TSM與橋接金屬BRG可不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。
如此一來，因為具有電性特性的材料層(如，一個以上金屬材料層及/或一個以上半導體層)不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內，所以可提供或提升第一光學區域OA1內第一透射區域TA1的透光率。因此，第一光學電子裝置11可透過第一透射區域TA1藉由接收光的透射來執行預定義的功能(如圖像感測)。
在部分實施例中，由於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1中的全部或一或多者重疊於第一光學電子裝置11以使第一光學電子裝置11能正常運作，所以期望進一步增加第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1的透光率。
為了達到前述目的，在根據本發明之態樣的顯示裝置100的顯示面板110中，可將透光率提升結構TIS提供給第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1。
參照圖6與圖7，包含在顯示面板110內的多個絕緣層可包含位於至少一個基板(SUB1、SUB2)與至少一個電晶體(DRT、SCT)之間的至少一個緩衝層(MBUF、ABUF1、ABUF2)、位於電晶體DRT與發光元件ED之間的至少一個平坦化層(PLN1、PLN2)以及在發光元件ED上的至少一個封裝層ENCAP等等。
參照圖7，包含在顯示面板110內的多個絕緣層更可包含位於封裝層ENCAP上的觸摸層間絕緣層T-ILD、觸摸緩衝 層T-BUF與相似物。
參照圖6與圖7，第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1可具有第一平坦化層PLN1與鈍化層PAS0具有從其個別表面向下延伸之凹陷部分的結構來作為透光率提升結構TIS。
參照圖6與圖7，在多個絕緣層當中，第一平坦化層PLN1可包含至少一個凹陷(如，凹槽、溝槽、下凹部分、凸起或相似物)。第一平坦化層PLN1可例如為有機絕緣層。
在第一平坦化層PLN1具有從其表面向下延伸之凹陷部分的示例中，第二平坦化層PLN2可實質上用作提供平坦化。在一實施例中，第二平坦化層PLN2亦可具有從其表面向下延伸的凹陷部分。在本實施例中，第二封裝層PCL可實質上用作提供平坦化。
參照圖6與圖7，鈍化層PAS0與第一平坦化層PLN1的凹陷部分可穿過用來形成電晶體DRT且例如為第一層間絕緣層ILD1、第二層間絕緣層ILD2、閘極絕緣層GI等的絕緣層，以及穿過位於絕緣層下方例如為第一主動緩衝層ABUF1、第二主動緩衝層ABUF2、多緩衝層MBUF等的緩衝層，並延伸到第二基板SUB2的上部分。
參照圖6與圖7，基板SUB可包含作為透光率提升結構TIS的至少一個下凹部分或凹陷部分。舉例來說，在第一透射區域TA1內，第二基板SUB2的上部分可向下縮入或凹陷，或第二基板SUB2可被穿孔。
參照圖6與圖7，包含在封裝層ENCAP中的第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL亦可具有透光率提升結構TIS，其中在透光率提升結構TIS內，第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL具有從其個別表面向下延伸的凹陷部分。第二封裝層PCL可例如為有機絕緣層。
參照圖7，為了保護觸摸感測器TS，保護層PAC可設置成遮蓋封裝層ENCAP上的觸摸感測器TS。
參照圖7，保護層PAC可在與第一透射區域TA1重疊的部分中具有至少一個凹陷(如，凹槽、溝槽、下凹部分、凸起或相似物)來作為透光率提升結構TIS。保護層PAC可例如為有機絕緣層。
參照圖7，觸摸感測器TS可包含帶有網格類型的一或多個觸摸感測金屬TSM。在觸摸感測金屬TSM形成為網格類型的示例中，可在觸摸感測金屬TSM中形成多個開口。每一個開口可定位成對應子像素SP的發光區域EA。
為了讓第一光學區域OA1比一般區域NA具有更高的透光率，第一光學區域OA1內每單位面積之觸摸感測金屬TSM的面積或尺寸可小於一般區域NA內每單位面積之觸摸感測金屬TSM的面積或尺寸。
參照圖7，在部分實施例中，觸摸感測器TS可設置於第一光學區域OA1內的發光區域EA內，但可不設置於第一光學區域OA1內的第一透射區域TA1內。
接著將參照圖6與圖7來敘述第二光學區域OA2的堆疊結構。
參照圖6與圖7，第二光學區域OA2的發光區域EA可具有與一般區域NA的堆疊結構相同的堆疊結構。如此一來，在以下的討論中將詳細敘述第二光學區域OA2中第二透射區域TA2的堆疊結構，而不再重複敘述第二光學區域OA2中的發光區域EA。
在部分實施例中，陰極電極CE可設置於第二光學區域OA2與一般區域NA內所包含的發光區域EA內，但可不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。舉例來說，第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2可對應到陰極電極CE的開口。
再者，在部分實施例中，包含第一金屬層ML1與第二金屬層ML2當中至少一者的遮光層LS可設置於第二光學區域OA2與一般區域NA內所包含的發光區域EA內，但可不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。舉例來說，第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2可對應到遮光層LS的開口。
在第一光學區域OA1的透光率與第二光學區域OA2的透光率相同的示例中，第二光學區域OA2內第二透射區域TA2的堆疊結構可相同於第一光學區域OA1內第一透射區域TA1的堆疊結構。
在第一光學區域OA1的透光率與第二光學區域OA2的透光率不同的另一示例中，第二光學區域OA2內第二透射區域TA2的堆疊結構可至少部分不同於第一光學區域OA1內第一透射區域TA1的堆疊結構。
舉例來說，如圖6與圖7所示，在部分實施例中，當第二光學區域OA2的透光率低於第一光學區域OA1的透光率時，第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2可不具有透光率提升結構TIS。結果，第一平坦化層PLN1與鈍化層PAS0可不縮入或凹陷。再者，第二光學區域OA2內第二透射區域TA2的寬度可小於第一光學區域OA1內第一透射區域TA1的寬度。
第二光學區域OA2與一般區域NA內所包含的發光區域EA內所設置的各種類型的絕緣層(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD、PAC)與基板SUB可同等地、基本上同等地或類似地設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。
然而，在部分實施例中，在第二光學區域OA2與一般區域NA內所包含的發光區域EA內所設置的具有電性特性之一或多個材料層(如一或多個金屬材料層及/或光學區域半導體層)中的全部或一或多者，除了絕緣材料或層以外，可不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。
舉例來說，參照圖6與圖7，與至少一個電晶體和半 導體層ACT相關的金屬材料層(ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2)中的全部或一或多者可不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。
再者，參照圖6與圖7，在部分實施例中，發光元件ED中所包含的陽極電極AE與陰極電極CE可不設置於第二透射區域TA2內。在部分實施例中，發光元件ED的發光層EL可根據設計需求或一個以上設計參數而設置或不設置於第二透射區域TA2上。
再者，參照圖7，在部分實施例中，包含在觸摸感測器TS中的觸摸感測金屬TSM與橋接金屬BRG可不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內。
如此一來，因為具有電性特性的材料層(如，一個以上金屬材料層及/或一個以上半導體層)不設置於第二光學區域OA2內的第二透射區域TA2內，所以可提供或提升第二光學區域OA2內第二透射區域TA2的透光率。因此，第二光學電子裝置12可透過第二透射區域TA2藉由接收光的透射來執行預定義的功能(如偵測物體或人體，或外部照明偵測)。
圖8係根據本發明態樣之顯示面板的外側緣中的示例性側面剖視圖。
為了簡潔起見，在圖8中繪示包含第一基板SUB1與第二基板SUB2的單一基板SUB，且位於堤部BANK下方的層或部分以簡化的方式繪示。同樣地，圖9繪示包含第一平坦化層 PLN1與第二平坦化層PLN2的單一平坦化層PLN，以及包含位於平坦化層PLN下方的第一層間絕緣層ILD1與第二層間絕緣層ILD2的單一層間絕緣層INS。
參照圖8，第一封裝層PAS1可設置於陰極電極CE上並可設置成最靠近發光元件ED。第二封裝層PCL可比第一封裝層PAS1具有更小的面積或尺寸。舉例來說，第二封裝層PCL可設置成暴露第一封裝層PAS1的兩端或兩緣。第三封裝層PAS2可設置在其之上設置有第二封裝層PCL的基板SUB之上，使得第三封裝層PAS2遮蓋第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL的個別頂表面與側表面。第三封裝層PAS2可最小化、減少或避免外部或氧氣穿透進第一封裝層PAS1與第二封裝層PCL。
參照圖8，為了避免封裝層ENCAP崩塌，顯示面板110可位在或靠近封裝層ENCAP之傾斜表面SLP的一端或一緣之處包含一或多個壩部(DAM1、DAM2)。可將一或多個壩部(DAM1、DAM2)呈現成位在或靠近顯示區域DA與非顯示區域NDA之間的邊界點之處。所述一或多個壩部(DAM1、DAM2)可包含與堤部BANK相同的材料DFP。
參照圖8，在一實施例中，包含有機材料的第二封裝層PCL可僅位於在壩部當中最靠近封裝層ENCAP之傾斜表面SLP的第一壩部DAM1的內側上。舉例來說，第二封裝層PCL可不位於全部的壩部(DAM1、DAM2)上。在另一實施例中，包含有機材料的第二封裝層PCL可至少位於第一壩部DAM1與第二壩 部DAM2中的第一壩部DAM1上。
舉例來說，第二封裝層PCL可僅延伸至第一壩部DAM1的上部的全部或至少一部分。在又另一實施例中，第二封裝層PCL可延伸過第一壩部DAM1的上部分並延伸至第二壩部DAM2的上部的全部或至少一部分。
參照圖8，如圖2所示電性連接於觸摸驅動電路260的觸摸板TP可設置於一或多個壩部(DAM1、DAM2)外的基板SUB的一部分上。觸摸線路TL可將在顯示區域DA內被包含在觸摸電極中或作為觸摸電極的觸摸感測金屬TSM或橋接金屬BRG電性連接到觸摸板TP。
觸摸線路TL的一端或一緣可電性連接到觸摸感測金屬TSM或橋接金屬BRG，而觸摸線路TL的另一端或另一緣可電性連接到觸摸板TP。觸摸線路TL可沿封裝層ENCAP的傾斜表面SLP向下延伸，沿壩部(DAM1、DAM2)的個別上部分延伸，並延伸至設置於壩部(DAM1、DAM2)外的觸摸板TP。
參照圖8，在一實施例中，觸摸線路TL可為橋接金屬BRG。在另一實施例中，觸摸線路TL可為觸摸感測金屬TSM。
圖9繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之間亮度上的差異。
參照圖9，在顯示裝置100的顯示區域DA內所包含的非光學區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2當 中，第一光學區域OA1與第二光學區域OA2分別包含第一透射區域TA1與第二透射區域TA2。在一實施例中，在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1與在第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量Noa2可小於一般區域NA內每單位面積之子像素的數量。
每單位面積之子像素的數量可具有與子像素的密度或子像素的集成度相同的含義。舉例來說，可使用每英吋(PPI)的子像素來衡量每單位面積之子像素的數量。每單位面積之子像素的數量越多則解析度可越高，而每單位面積之子像素的數量越少則解析度可越低。
參照圖9，舉例來說，在第一光學區域OA1的至少一部分重疊於第一光學電子裝置11且第二光學區域OA2的至少一部分重疊於第二光學電子裝置12的示例中，第一光學電子裝置11可能需要與第二光學電子裝置12所需要的接收光量類似或更大的接收光量。
在本實施例中，在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1可小於等於在第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量Noa2，在第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量Noa2可小於在一般區域NA內每單位面積之子像素的數量Nna，且在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1可小於在一般區域NA內每單位面積之子像素的數量Nna(如，Nna>Noa2
Figure 111133378-A0305-02-0062-2
Noa1)。
如上所述，由於在一般區域NA、第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之間每單位面積之子像素在數量上的差異，即使在一般區域NA內所設置的子像素SP、第一光學區域OA1內所設置的子像素SP與第二光學區域OA2內所設置的子像素接收大小相等的資料電壓Vdata，仍可能在一般區域NA的亮度Lna、第一光學區域OA1的亮度Loa1與第二光學區域OA2的亮度Loa2之間產生差異。
參照圖9，舉例來說，在一般區域NA內每單位面積之子像素的數量Nna大於在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1與在第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量Noa2，且在第二光學區域OA2內每單位面積之子像素的數量Noa2大於等於在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1(即，Nna>Noa2
Figure 111133378-A0305-02-0063-3
Noa1)的實施例中，一般區域NA的亮度Lna可大於第一光學區域OA1的亮度Loa1與第二光學區域OA2的亮度Loa2，且第二光學區域OA2的亮度Loa2可大於等於第一光學區域OA1的亮度Loa1(即，Lna>Loa2
Figure 111133378-A0305-02-0063-4
Loa1)。
如上所述，由於第一光學區域OA1與第二光學區域OA2分別包含第一透射區域TA1與第二透射區域TA2，可能在顯示區域DA內的區域(NA、OA1、OA2)之間產生亮度上的差異(如，亮度不均勻性)，這有可能導致圖像品質劣化。
為了解決這些議題，在部分實施例中，提供一種亮度差異補償技術，用來減少或消除顯示區域DA內的區域(NA、OA1、 OA2)之間亮度上的差異(亮度不均勻性)。
根據本發明的實施例，亮度差異補償技術可包含基於結構技術的第一亮度差異補償技術以及基於驅動技術的第二亮度差異補償技術。
第一亮度差異補償技術係透過將作為亮度差異補償結構的補償電容器應用到光學區域OA1、OA2的子像素SP內部來減少光學區域OA1、OA2與一般區域NA之間亮度上的差異的技術。
第二亮度差異補償技術係透過使用用於光學區域OA1、OA2的子像素SP之資料驅動和用於一般區域NA的子像素SP之資料驅動的不同伽馬曲線來減少光學區域OA1、OA2與一般區域NA之間亮度上的差異的技術。
以下將進一步地詳細敘述根據本發明實施例的亮度差異補償技術。為了方便敘述，在第一與第二光學區域OA1、OA2與一般區域NA當中，將針對具有每單位面積最少數量的子像素且可能因此造成亮度上最大減損的第一光學區域OA1的子像素SP來討論根據本發明實施例的亮度差異補償技術。
在施加有第一亮度差異補償技術的實施例中，可不施加根據第二亮度差異補償技術而使用不同伽馬曲線的技術。
在施加有第二亮度差異補償技術的實施例中，可不施加根據第一亮度差異補償技術而施加補償電容器的技術。
以下將參照圖10與圖11來敘述根據本發明之實施 例的第一亮度差異補償技術，並將參照圖12、圖13A與圖13B來敘述根據本發明之實施例的第二亮度差異補償技術。
圖10繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中第一光學區域(如上所討論之在圖式中的第一光學區域OA1)內第一子像素SP1的示例性等效電路以及一般區域NA(如上所討論之在圖式中的一般區域NA)內第二子像素SP2的示例性等效電路。
參照圖10，用來在顯示面板110中顯示圖像的顯示區域DA可包含第一光學區域OA1與圍繞第一光學區域OA1的一般區域NA。在顯示區域DA內所設置的多個子像素SP當中，第一子像素SP1可設置於第一光學區域OA1內，而第二子像素SP2可設置於一般區域NA內。應當理解「圍繞」包含完全地或部分地圍繞的意思。舉例來說，在圖10中第一光學區域OA1被一般區域NA側向地圍繞並直向地暴露。在圖10的示例中，第一光學區域OA1具有八邊形形狀，並因此可在至少八個邊上被一般區域NA圍繞。在第一光學區域OA1具有圓形形狀的實施例中，一般區域NA可在一側(如側向)圍繞第一光學區域OA1。
參照圖10，每一個包含第一子像素SP1與第二子像素SP2的子像素SP可包含基本上是主要節點的第一節點N1、第二節點N2、第三節點N3與第四節點N4。
參照圖10，每一個包含第一子像素SP1與第二子像素SP2的子像素SP基本上可包含發光元件ED與用來驅動發光元件ED的像素驅動電路。每一個子像素SP的像素驅動電路基本 上可包含七個電晶體(DRT、T1~T6)以及一個電容器Cst。
參照圖10，包含在每一個子像素SP內的發光元件EP可連接到每一個子像素SP中的第四節點N4。
參照圖10，第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1與第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2當中的每一者可具有基本共用結構，其中基本共用結構包含一個驅動電晶體DRT、六個電晶體(T1~T6)以及一個儲存電容器Cst。
驅動電晶體DRT可被第二節點N2的電壓控制，並可驅動發光元件EP。第一電晶體T1可被透過第一掃描線路SCL1[n]所供應的第一掃描訊號SC1[n]開啟或關閉，並可控制第二節點N2與第三節點N3之間的連接。第二電晶體T2可被透過發射控制線路EML[n]所供應的發射控制訊號EM[n]開啟或關閉，並可控制第一節點N1與驅動電壓線路DVL之間的連接。第三電晶體T3可被發射控制訊號EM[n]開啟或關閉，並可控制第三節點N3與第四節點N4之間的連接。
參照圖10，第一節點N1可對應驅動電晶體DRT的源極節點(或汲極節點)。第二節點N2可對應驅動電晶體DRT的閘極節點。第三節點N3可對應驅動電晶體DRT的汲極節點(或源極節點)。第四節點N4可對應發光元件ED的陽極電極AE。
參照圖10，第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1與第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2當中的每一 者更可包含用來控制第一節點N1與資料線路DL之間連接的第四電晶體T4、用來控制第三節點N3或第二節點N2與第一初始化線路IVL之間連接的第五電晶體T5、用來控制第四節點N4與第二初始化線路VARL之間連接的第六電晶體T6以及介於第二節點N2與驅動電壓線路DVL之間的儲存電容器Cst。
第四電晶體T4可被透過第二掃描線路SCL2(n)所供應的第二掃描訊號SC2(n)開啟或關閉。當第二掃描訊號SC2(n)具有開啟位準電壓時，透過第一資料線路DL1傳輸的第一資料電壓Vdata1可透過在第一子像素SP1中被開啟的第四電晶體T4被供應到第一子像素SP1的第一節點N1，而透過第二資料線路DL2傳輸的第二資料電壓Vdata2可透過在第二子像素SP2中被開啟的第四電晶體T4被供應到第二子像素SP2的第一節點N1。
第五電晶體T5可被透過第三掃描線路SCL3(n)所供應的第三掃描訊號SC3(n)開啟或關閉。當第五電晶體T5被第三掃描訊號SC3[n]的開啟位準電壓開啟時，從第一初始化線路IVL供應的第一初始化電壓VINI可透過開啟的第五電晶體T5被供應到第三節點N3。第五電晶體T5可包含兩個部分電晶體。兩個部分電晶體中每一者的閘極節點可共用地連接到第三掃描線路SCL3[n]。
第六電晶體T6可被透過另一階段的第三掃描線路SCL3[n+1]所供應的另一階段之第三掃描訊號SC3[n+1]開啟或關閉。當第六電晶體T6被另一階段之第三掃描訊號SC3[n+1]的開 啟位準電壓開啟時，透過第二初始化線路VARL所傳輸的第二初始化電壓VAR可透過開啟的第六電晶體T6被施加到第四節點N4。第四節點N4可為電性對應到發光元件ED之陽極電極AE的節點。
如圖11所示，在七個電晶體(DRT、T1~T6)當中，第一電晶體T1可為N型電晶體，而驅動電晶體DRT與第二到第六電晶體T2~T6可為P型電晶體。
在圖10的示例中，在七個電晶體(DRT、T1~T6)當中，第一電晶體T1可為N型電晶體，而第二電晶體T2與第三電晶體T3可為P型電晶體。其他的電晶體(DRT、T4、T5、T6)可為N型或P型電晶體。
第一掃描訊號SC1[n]、第二掃描訊號SC2[n]、第三掃描訊號SC3[n]與發射控制訊號EM[n]可作為閘極訊號被施加到六個電晶體(T1~T6)的閘極節點。
在N型電晶體的情況下，施加到電晶體之閘極節點的閘極訊號之開啟位準電壓可為高位準電壓，而施加到電晶體之閘極節點的閘極訊號之關閉位準電壓可為低位準電壓。
在P型電晶體的情況下，施加到電晶體之閘極節點的閘極訊號之開啟位準電壓可為低位準電壓，而施加到電晶體之閘極節點的閘極訊號之關閉位準電壓可為高位準電壓。
參照圖10，基於根據本發明實施例之第一亮度差異補償技術，為了減少或消除第一光學區域OA1與一般區域NA之 間在亮度上的差異，第一光學區域OA1內所設置的第一子像素SP1可包含亮度差異補償結構。
參照圖10，第一光學區域OA1內所設置的第一子像素SP1中所包含的亮度差異補償結構可包含介於第二節點N2與第一掃描線路SCL1[n]之間的第一補償電容器C1以及介於第二節點N2與發射控制線路EML[n]之間的第二補償電容器C2當中的至少一者。舉例來說，第一光學區域OA1內所設置的第一子像素SP1中所包含的亮度差異補償結構可僅包含第一補償電容器C1、僅包含第二補償電容器C2或包含第一補償電容器C1與第二補償電容器C2兩者。
參照圖10，基於根據本發明實施例之第一亮度差異補償技術，在第一光學區域OA1內所設置的第一子像素SP1中，第二節點N2可電容式地(capacitively)耦接到第一掃描線路SCL1[n]與發射控制線路EML[n]當中的至少一者。
參照圖10，可透過重疊於第二節點N2或與其對應的第一連接圖案，連同第一掃描線路SCL1[n]來一併形成第一補償電容器C1。可透過重疊於第二節點N2或與其對應的第一連接圖案，連同發射控制線路EML[n]來一併形成第二補償電容器C2。
由於應用亮度差異補償結構，設置於第一光學區域OA1內的第一子像素SP1可比設置於一般區域NA內且不具有亮度差異補償結構的第二子像素SP2發出更亮的光。舉例來說，設置於第一光學區域OA1內的第一子像素SP1的亮度可高於設置 於一般區域NA內的第二子像素SP2的亮度。
如此一來，即使第一光學區域OA1在每單位面積具有較小數量(Noa1)的子像素，但由於第一光學區域OA1內所包含的每一個第一子像素SP1的亮度提高，因而可提高第一光學區域OA1的整體亮度Loa。第一光學區域OA1所增加的亮度Loa的位準可小於等於一般區域NA的整體亮度Lna。
為了減少基於根據本發明之實施例的第一亮度差異補償技術中第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上的差異，以下將參照圖11進一步地詳細敘述用來增加第一光學區域OA1中所設置的第一子像素SP1之亮度的方法與原理。
圖11係根據本發明態樣之顯示裝置100中第一光學區域(如上所討論之在圖式中的第一光學區域OA1)的第一子像素(如上所討論之在圖式中的第一子像素SP1)的示例性驅動時序圖表。
圖11的驅動時序圖表中示出在第二節點N2處的電壓、發射控制訊號EM[n]、第一掃描訊號SC1[n]、第二掃描訊號SC2[n]、第三掃描訊號SC3[n]以及驅動電壓EVLDD。
參照圖11，在根據本發明態樣之顯示裝置100中，第一光學區域OA1中所設置的第一子像素SP1的第二節點N2可電容式地耦接到第一掃描線路SCL1[n]與發射控制線路EML[n]當中的至少一者。因為此配置，可能在一反沖(kickback)時序發生第二節點N2上的反沖。
參照圖11，由於在第二節點N2處的電壓的反沖發生在負電壓方向(即，電壓降低到較低電壓位準的方向)，對應到驅動電晶體DRT之閘極節點的第二節點N2處的電壓可能下降到較低的位準。如此一來，可能會增加閘極-源極電位差Vgs，其為介於驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。從而第一子像素SP1的驅動電晶體DRT可供應較大量的驅動電流給發光元件ED。
反之可增加第一子像素SP1的亮度，且因此第一光學區域OA1的整體亮度Loa1的位準可小於一般區域NA的亮度Lna的位準。也就是說，可補償第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上的差異。
參照圖11，第一子像素SP1的驅動週期可包含初始化週期Tini以及感測週期Tsen。
參照圖11，在初始化週期Tini期間，第一掃描訊號SC1[n]可從低位準電壓(如，關閉位準電壓)改變至高位準電壓(如，開啟位準電壓)。因此，在初始化週期Tini期間，可開啟第一電晶體T1。反之，可電性連接第二節點N2與第三節點N3。也就是說，驅動電晶體DRT的汲極節點(或源極節點)與閘極節點可電性連接為二極體連接。
在初始化週期Tini期間，第三掃描訊號SC3[n]可具有低位準電壓(如，開啟位準電壓)。因此，可開啟第五電晶體T5。
在初始化週期Tini期間，透過第一初始化線路IVL所傳輸的第一初始化電壓VINI可透過被開啟的第五電晶體T5與被開啟的第一電晶體T1被施加到第二節點N2。
由於第一初始化電壓VINI可具有低位準電壓，因此可藉由施加到第二節點N2的第一初始化電壓VINI來開啟驅動電晶體DRT。
參照圖11，在感測週期Tsen期間，第二掃描訊號SC2[n]可從高位準電壓(如，關閉位準電壓)改變至低位準電壓(如開啟位準電壓)。因此，在感測週期期間，透過第一資料線路DL1所傳輸的第一資料電壓Vdata1可透過開啟的第四電晶體T4被施加到第一節點N1。在此情況下，驅動電晶體DRT可為開啟狀態。這是因為在初始化週期Tini內，在第一初始化電壓VINI透過第一初始化線路IVL被施加到第二節點N2後，第一初始化電壓VINI已被連續地施加到第二節點N2。
在感測週期Tsen期間，由於第一掃描訊號SC1[n]具有高位準電壓(如開啟位準電壓)，因此第一電晶體T1為開啟狀態。反之，可電性連接第二節點N2與第三節點N3。也就是說，驅動電晶體DRT的汲極節點(或源極節點)與閘極節點可電性連接為二極體連接。
在感測週期Tsen期間，對應到驅動電晶體DRT的閘極節點的第二節點N2可具有藉由將驅動電晶體DRT的閾值電壓Vth與第一資料電壓Vdata1相加所獲得的電壓值 (Vdata1+Vth)。
參照圖11，在第一子像素SP1的驅動週期期間的反沖時序可包含於其中第一掃描訊號SC1[n]從高位準電壓改變至低位準電壓的第一時序Tkb1以及於其中發射控制訊號EM[n]從高位準電壓改變至低位準電壓的第二時序Tkb2當中的一或多者。
第一時序Tkb1可為與第一補償電容器C1相關的時序，且可為會發生第一反沖的時序。第二時序Tkb2可為與第二補償電容器C2相關的時序，且可為會發生第二反沖的時序。第二時序Tkb2可接在第一時序Tkb1之後進行。
參照圖11，第一時序Tkb1可為在感測週期Tsen之後第一掃描訊號SC1[n]的電壓位準改變的時序。第二時序Tkb2可為在第一時序Tkb1之後發射控制訊號EM[n]的電壓位準改變的時序。
在第一子像素SP1包含第一補償電容器C1與第二補償電容器C2兩者的示例中，可能會發生第一反沖與第二反沖兩者。在第一子像素SP1僅包含第一補償電容器C1的示例中，僅會發生第一反沖。在第一子像素SP1僅包含第二補償電容器C2的示例中，僅會發生第二反沖。
參照圖11，驅動電壓ELVDD可為施加到驅動電晶體DRT之源極節點的電壓。驅動電晶體DRT的源極節點可對應到第一節點N1。
參照圖11，在第一反沖發生的第一反沖時序Tkb1中 時，由於橫跨供應有第一掃描訊號SC1[n]的第一掃描線路SCL1[n]的電壓從高位準電壓HIGH改變成低位準電壓LOW，因此連同第一掃描線路SCL1[n]一併形成第一補償電容器C1的第二節點N2處的電壓亦可下降至較低的位準。於此，第二節點N2處電壓的下降寬度可取決於第一掃描訊號SC1(n)的電壓變動寬度HIGH-LOW。術語「電壓變動寬度HIGH-LOW」可指稱從第一電壓到第二電壓的壓降或壓升幅度。舉例來說，圖11所示之第一掃描訊號SC1[n]的電壓變動寬度可相等於高位準電壓HIGH減去低位準電壓LOW的值。
參照圖11，藉由第一反沖在第二節點N2處的下降電壓Vn2_COMP可為第一反沖閘極電壓Vn2_C1。如此一來，在驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可為第一反沖閘極-源極電位差Vgs_C1。
參照圖11，由於一般區域NA的第二子像素SP2可不包含第一補償電容器C1，因此在一般區域NA的第二子像素SP2可不發生第一反沖。如此一來，當一般區域NA的第二子像素SP2被驅動時，在第二子像素SP2中第二節點N2處的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，而在第二子像素SP2中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
參照圖11，在第一反沖發生時作為第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差 Vgs_COMP的第一反沖閘極-源極電位差Vgs_C1可遠大於在第一反沖不發生時作為第二子像素SP2中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
參照圖11，在第一反沖之後發生有第二反沖的第二時序Tkb2中，由於橫跨供應有發射控制訊號EM[n]的發射控制線路EML[n]的電壓從高位準電壓HIGH改變成低位準電壓LOW，因此連同發射控制線路EML[n]一併形成第二補償電容器C2的第二節點N2處的電壓亦可下降至較低的位準。於此，第二節點N2處電壓的下降寬度可取決於發射控制線路EML[n]的電壓變動寬度HIGH-LOW。
藉由第二反沖在第一子像素SP1中第二節點N2處的下降電壓Vn2_COMP可為第二反沖閘極電壓Vn2_C1+C2。如此一來，在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可為第二反沖閘極-源極電位差Vgs_C1+C2。
參照圖11，由於一般區域NA的第二子像素SP2可不包含第一補償電容器C1，因此在一般區域NA的第二子像素SP2可不發生第二反沖。如此一來，當一般區域NA的第二子像素SP2被驅動時，在第二子像素SP2中第二節點N2處的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，而在第二子像素SP2中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
參照圖11，在第二反沖接連在第一反沖後發生時作為第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差Vgs_COMP的第二反沖閘極-源極電位差Vgs_C1+C2可遠大於在第一反沖與第二反沖兩者皆不發生時作為第二子像素SP2中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
在部分實施例中，第一光學區域OA1的第一子像素SP1與一般區域NA的第二子像素SP2可設置在同一列，並可設置在同一行或不同行。舉例來說，可透過第一資料線路DL1連同第一資料電壓Vdata1一併供應第一子像素SP1，並可透過第二資料線路DL2或第一資料線路DL1連同第二資料電壓Vdata2一併供應第二子像素SP2。
當第一資料電壓Vdata1相等於第二資料電壓Vdata2時，在第一子像素SP1的發射週期S8期間，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差(Vgs_COMP：Vgs_C1、Vgs_C2或Vgs_C1+C2)可大於在第二子像素SP2的發射週期S8期間，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_REF。
由於補償電容器C1、C2形成於設置於第一光學區域OA1內的第一子像素SP1中，且在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓上反沖藉由補償電容器C1、C2發生，因此可增加在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT閘極電壓與源極電壓之間的電壓差(Vgs_COMP：Vgs_C1、Vgs_C2或Vgs_C1+C2)。
如此一來，即使當供應到第一光學區域OA1內所設置之第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata1相等於供應到一般區域NA內所設置之第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata2，第一光學區域OA1內所設置的第一子像素SP可比一般區域NA內所設置的第二子像素SP2發出相對較亮的光。
結果，每單位面積具有少量子像素的第一光學區域OA1的整體亮度Loa1的位準可相似於每單位面積具有多量子像素的一般區域NA的整體亮度Lna的位準。也就是說，即使第一光學區域OA1內所包含的第一子像素SP1的總量相對較少，但由於第一光學區域OA1的每一個第一子像素SP1發出較亮的光，因此第一光學區域OA1的整體亮度Loa1的位準可相似於一般區域NA的整體亮度Lna的位準。
如上所述，根據第一亮度差異補償技術，即使當供應到第一光學區域OA1內所設置之第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata相等於供應到一般區域NA內所設置之第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata，第一光學區域OA1的亮度Loa1與一般區域NA的亮度Lna之間的差異仍可能會小於透過供應第一資料電壓Vdata的第一子像素SP1的亮度與透過供應第二資料電壓Vdata的第二子像素SP2的亮度之間的差異。
圖12繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中差分地應用至第一光學區域OA1與一般區域NA的示例性伽馬曲線。
參照圖12，在根據本發明態樣之顯示裝置100中， 為了減少在第一光學區域OA1與一般區域NA之間每單位面積(如解析度)之子像素在數量上的不平衡所導致在第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上的差異，可提供基於驅動的技術。
第二亮度差異補償技術為在對第一光學區域OA1與一般區域NA執行資料驅動時，應用不同伽馬曲線(如，第一與第二伽馬曲線GAM1、GAM2)的技術。也就是說，根據第二亮度差異補償技術，在對一般區域NA的第二子像素SP2執行的資料驅動時所使用的伽馬曲線可為第二伽馬曲線GAM2，而在對第一光學區域OA1的第一子像素SP1執行的資料驅動時所使用的伽馬曲線可為與第二伽馬曲線GAM2不同的第一伽馬曲線GAM1。
例如為第一伽馬曲線GAM1與第二伽馬曲線GAM2的伽馬曲線可根據資料上的變化來定義或選定出亮度上的變化。在伽馬曲線中，作為X軸上的值的資料可為藉由顯示控制器240被供應到資料驅動電路220的數位圖像資料Data。
第一伽馬曲線GAM1上與資料變化量相關的亮度變化量可大於第二伽馬曲線GAM2上與資料變化量相關的亮度變化量。舉例來說，如果對一般區域NA應用第二伽馬曲線GAM2，當資料從參考資料值D0改變成第一資料值Da時，對應的亮度可從參考亮度值L0改變成第一亮度值LL。在另一示例中，如果對第一光學區域OA1應用第一伽馬曲線GAM1，當資料從參考資料值D0改變成第一資料值Da時，對應的亮度可從參考亮度值L0 改變成第二亮度值LH。
參考圖12，舉例來說，基於驅動的技術是基於對應到第一光學區域OA1之第一子像素SP1的第一資料與對應到一般區域NA之第二子像素SP2的第二資料兩者在數值(如第一資料值Da)上相等的驅動情況。
於此，對應到第一子像素SP1的第一資料可為藉由顯示控制器240被供應到資料驅動電路220的數位圖像資料。資料驅動電路220可將第一資料轉換成類比第一資料電壓Vdata1，並將經轉換的第一資料電壓輸出至第一資料線路DL1。輸出至第一資料線路DL1的第一資料電壓Vdata1可被供應到第一子像素SP1。
對應到第二子像素SP2的第二資料可為藉由顯示控制器240被供應到資料驅動電路220的數位圖像資料。資料驅動電路220可將第二資料轉換成類比第二資料電壓Vdata2，並將經轉換的第二資料電壓輸出至第二資料線路DL2。輸出至第二資料線路DL2的第二資料電壓Vdata2可被供應到第二子像素SP2。
參照圖12，在上述驅動情況的示例中，基於根據本發明實施例的第二亮度差異補償技術，即使當對應到第一光學區域OA1之第一子像素SP1的第一資料與對應到一般區域NA之第二子像素SP2的第二資料在數值(如第一資料值Da)上相等，於其中使用第一伽馬曲線GAM1執行有資料驅動的第一光學區域OA1的第一子像素SP1的亮度的第二亮度值LH可大於於其中使 用第二伽馬曲線GAM2執行有資料驅動的一般區域NA的第二子像素SP2的亮度的第一亮度值LL。
資料驅動電路220可使用第一伽馬曲線GAM1將具有第一資料值Da的第一資料轉換成第一資料電壓Vdata1，並將第一資料電壓Vdata1輸出至與第一光學區域OA1的第一子像素SP1連接的第一資料線路DL1。資料驅動電路220可使用第二伽馬曲線GAM2將具有第一資料值Da的第二資料轉換成第二資料電壓Vdata2，並將第二資料電壓Vdata2輸出至與一般區域NA的第二子像素SP2連接的第二資料線路DL2。
參照圖12，參照第二伽馬曲線GAM2，在一般區域NA中，為了讓第二子像素SP2的亮度達到第二亮度值LH，對應到第二子像素SP2的第二資料需要具有第二資料值Db。
相較之下，參照第一伽馬曲線GAM1，在第一光學區域OA1中，為了讓第一子像素SP1的亮度達到第二亮度值LH，對應到第一子像素SP1的第一資料被允許具有比第二資料值Db還小的第一資料值Da。
圖13A繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中將第二伽馬曲線GAM2應用至第一光學區域OA1外的邊界區域BA的示例的照明實驗結果。圖13B繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中將第一伽馬曲線GAM1應用至第一光學區域OA1外的邊界區域BA的示例的照明實驗結果。
圖13A與圖13B，可在第一光學區域OA1的非透射 區域中設置多個第一子像素SP1。可在整個被作為非透射區域的一般區域NA中設置多個第二子像素SP2。
圖13A與圖13B，一般區域NA可包含位於第一光學區域OA1外的邊界區域BA。邊界區域BA可為圍繞第一光學區域OA1的區域。邊界區域BA可為包含在一般區域NA內的區域、包含在第一光學區域OA1內的區域或位於一般區域NA與第一光學區域OA1之間的區域。
為了方便敘述，於此，在邊界區域BA內每單位面積之子像素的數量可對應到一般區域NA內每單位面積之子像素的數量，且基於此，邊界區域BA被定義為(或被視為)包含在一般區域NA內。然而，應當理解本發明的範圍包含邊界區域BA為被包含在第一光學區域OA1內的區域或位於一般區域NA與第一光學區域OA1之間的區域的實施例。再者，於此，即使邊界區域BA是被包含在一般區域NA內，在邊界區域BA內所設置的子像素SP仍被指稱為第三子像素SP3。
參照圖13A，如果在對邊界區域BA中所設置的第三子像素SP3執行資料驅動時，應用為了一般區域NA的第二子像素SP2的資料驅動所應用的第二伽馬曲線GAM2，邊界區域BA的第三子像素SP3的亮度可相似於一般區域NA的第二子像素SP2的亮度。
由於使用上述的亮度差異補償技術，因此可減少一般區域NA與第一光學區域OA1之間在亮度上的差異。然而，由 於上述的亮度差異補償技術是一種增加第一光學區域OA1的第一子像素SP1之亮度的方法，因此當使用亮度差異補償技術時，位於第一光學區域OA1的外緣中的第一子像素SP1的亮度可大於邊界區域BA內所設置的第三子像素SP3當中最靠近第一光學區域OA1的第三子像素SP3的亮度。如此一來，有可能會發生位於第一光學區域OA1的外緣中的第一子像素SP1顯示得更亮或感知成更亮的現象。
參照圖13B，如果在對邊界區域BA中所設置的第三子像素SP3執行資料驅動時，應用為了第一光學區域OA1的第一子像素SP1的資料驅動所應用的第一伽馬曲線GAM1，有可能會發生邊界區域BA顯示或感知成像是一條亮帶的現象。
顯示或感知成一條亮帶的現象的原因如下。在邊界區域BA內每單位面積之子像素的數量可大於在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1。然而，由於在對邊界區域BA的第三子像素SP3執行資料驅動時對第一光學區域OA1應用第一伽馬曲線GAM1，邊界區域BA內每一個第三子像素SP3的亮度的位準可能變成相似於第一光學區域OA1的第一子像素SP1的亮度的位準。如此一來，邊界區域BA可能顯示得更亮或感知成更亮，相較於第一光學區域OA1與一般區域NA，像是一條亮帶。
於此，包括第一光學區域OA1外緣顯示得更亮或感知成更亮的現象(如圖13A的示例)以及位於第一光學區域OA1 外的邊界區域BA顯示得更亮或感知成更亮的現象(如圖13B的示例)的術語可被指稱為邊界顯示現象、邊界感知現象或邊界亮帶現象。邊界顯示現象、邊界感知現象或邊界亮帶現象可作為圖像品質劣化的一個因子。以下將敘述根據本發明實施例之消除或減少邊界顯示現象、邊界感知現象或邊界亮帶現象的技術。
圖14繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中在第一區域A1內所設置的第一子像素SP1的示例性等效電路以及在第三區域A3內所設置的第三子像素SP3的示例性等效電路。
參照圖14，在部分實施例中，顯示裝置100的顯示區域DA可包含第一區域A1、圍繞但間隔於第一區域A1的第二區域A2以及位於第一區域A1與第二區域A2之間的第三區域A3。
參照圖14，在顯示區域DA內所設置的多個子像素SP當中，可在第一區域A1內設置第一子像素SP1，可在第二區域A2內設置第二子像素SP2，並可在第三區域A3內設置第三子像素SP3。
參照圖14，第一區域A1可被包含在第一光學區域OA1內，而第二區域A2可被包含在一般區域NA內。第三區域A3可為第一光學區域OA1外的邊界區域並可被包含在一般區域NA內。
第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1可少於一般區域NA內每單位面積之子像素的數量Nna。舉 例來說，第一區域A1內每單位面積之子像素的數量Noa1可少於第二區域A2內每單位面積之子像素的數量Nna。
在第一光學區域OA1內每單位面積之子像素的數量Noa1相等於一般區域NA內每單位面積之子像素的數量Nna的示例中，第一光學區域OA1內子像素的尺寸可小於一般區域NA內子像素的尺寸。
舉例來說，第一光學區域OA1的形狀可為圓形、半圓形、橢圓形、半橢圓形、四邊形或八邊形。第一光學區域OA1的形狀不以此為限。舉例來說，第一光學區域OA1可具有各種形狀。
參照圖14，第一子像素SP1、第二子像素SP2與第三子像素SP3當中的每一者可包含作為主要節點的第一節點N1、第二節點N2、第三節點N3以及第四節點N4。
第一子像素SP1可包含連接到第四節點N4的發光元件以及用來驅動發光元件ED的第一像素驅動電路PDC1。第一像素驅動電路PDC1可被第二節點N2處的電壓控制，並可包含用來驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT。
第二子像素SP2可包含連接到第四節點N4的發光元件ED以及用來驅動發光元件ED的第二像素驅動電路PDC2。第二像素驅動電路PDC2可被第二節點N2處的電壓控制，並可包含用來驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT。
第三子像素SP3可包含連接到第四節點N4的發光 元件ED以及用來驅動發光元件ED的第三像素驅動電路PDC3。第三像素驅動電路PDC3可被第二節點N2處的電壓控制，並可包含用來驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT。
第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1、第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2與第三子像素SP3的像素驅動電路PDC3當中的每一者更可包含被透過第一掃描線路SCL1[n]所供應的第一掃描訊號SC1[n]控制且用以控制第二節點N2與第三節點N3之間連接的第一電晶體T1。
第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1、第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2與第三子像素SP3的像素驅動電路PDC3當中的每一者更可包含被透過發射控制線路EML1[n]所供應的發射控制訊號EM[n]控制且用以控制第一節點N1與驅動電壓線路DVL之間連接的第二電晶體T2。
第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1、第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2與第三子像素SP3的像素驅動電路PDC3當中的每一者更可包含被發射控制訊號EM[n]控制且用以控制第三節點N3與第四節點N4之間連接的第三電晶體T3。
參照圖14，設置於第一區域A1內作為亮度差異補償結構的第一子像素SP1可包含第二節點N2與第一掃描線路SCL1[n]之間的第一補償電容器C1以及第二節點N2與發射控制線路EML[n]之間的第二補償電容器C2當中的至少一者。
參照圖14，設置於第三區域A3內作為邊界感知現象提升結構的第三子像素SP3可包含第二節點N2與第一掃描線路SCL1[n]之間的第三補償電容器C3以及第二節點N2與發射控制線路EML[n]之間的第四補償電容器C4當中的至少一者。
參照圖14，設置於第二區域A2內的第二子像素SP2可不包含亮度差異補償結構以及邊界感知現象提升結構。舉例來說，設置於一般區域NA內的第二子像素SP2可不包含在第二節點N2與第一掃描線路SCL1[n]之間的補償電容器以及在第二節點N2與發射控制線路EML[n]之間的補償電容器。舉例來說，在設置於一般區域NA內的第二子像素SP2中，第二節點N2與第一掃描線路SCL1[n]可彼此不重疊，且第二節點N2與發射控制線路EML[n]可彼此不重疊。
參照圖14，第一掃描線路SCL1[n]可不重疊於在第二區域A2內對應到第二節點N2的第二連接圖案，而可重疊於在第三區域A3內對應到第二節點N2的第三連接圖案，並可重疊於在第一區域A1內對應到第二節點N2的第一連接圖案。
參照圖14，發射控制線路EML[n]可不重疊於在第二區域A2內的第二節點N2，而可重疊於在第三區域A3內的第二節點N2，並可重疊於在第一區域A1內的第二節點N2。
第一掃描線路SCL1[n]可包含一個訊號佈線金屬或兩個以上訊號佈線金屬。發射控制線路EML[n]可包含一個訊號佈線金屬或兩個以上訊號佈線金屬。在部分實施例中，第二節點N2 可為一個電性節點、可為一個電極圖案、可配置成有兩個以上彼此電性連接的電極圖案或可意指非實體電極的等電位點(位置)。
第一補償電容器C1的電容量可大於等於第三補償電容器C3的電容量(如，C1
Figure 111133378-A0305-02-0087-5
C3)。第二補償電容器C2的電容量可大於等於第四補償電容器C4的電容量(如，C2
Figure 111133378-A0305-02-0087-6
C4)。第一補償電容器C1與第二補償電容器C2的結合電容量(C1+C2)可大於等於第三補償電容器C3與第四補償電容器C4的結合電容量(C3+C4)(如，C1+C2
Figure 111133378-A0305-02-0087-7
C3+C4)。
如上所述，第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1、第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2與第三子像素SP3的像素驅動電路PDC3當中的每一者更可包含用以控制第一節點N1與第一資料線路DL1之間連接的第四電晶體T4、用以控制第三節點N3或第二節點N2與第一初始化線路IVL之間連接的第五電晶體T5、用以控制第四節點N4與第二初始化線路VARL之間連接的第六電晶體T6以及介於第二節點N2與驅動電壓線路DVL之間的儲存電容器Cst。
舉例來說，第一電晶體T1可為N型電晶體。如此一來，可能會對第二節點N2發生第一反沖。
舉例來說，第二電晶體T2與第三電晶體T3可為P型電晶體。如此一來，可能會對第二節點N2發生第二反沖。
圖15繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中在第一區域(如圖14中第一區域A1內所設置的第一子像素SP1)內所 設置的第一子像素的示例性驅動時序圖表以及在第三區域(如圖14中第三區域A3內的第三子像素SP3)內所設置的第三子像素的示例性驅動時序圖表。圖15的驅動時序圖表可例如基於圖14的電路。
圖15所示的驅動時序圖表基本上相同於圖11的驅動時序圖表，但還更包含第三子像素SP3中對於第二節點N2的電壓變動圖。考量到這樣的相似性，將不再重複提供與圖11的驅動時序圖表相同部分的討論。
參照圖15，當第一掃描訊號SC1[n]在第一時序Tkb1從高位準電壓HIGH(開啟位準電壓)改變至低位準電壓LOW(關閉位準電壓)時，根據在第一時序Tkb1第一掃描訊號SC1[n]的電壓變化，在第一子像素SP1中第二節點N2處的電壓可在第一時序Tkb1變動，且在第三子像素SP3中第二節點N2處的電壓可在第一時序Tkb1變動。
在第一時序Tkb1，在第一子像素SP1中第二節點N2的電壓變動寬度(如，Vkb1_SP1=Vn2_REF-Vn2_C1)可大於等於在第三子像素SP3中第二節點N2的電壓變動寬度(如，Vkb1_SP3=Vn2_REF-Vn2_C3)。如上參照圖11所述，應當理解「電壓變動寬度」可指稱從第一電壓到第二電壓的壓降或壓升幅度。
更具體來說，當第一掃描訊號SC1[n]在第一時序Tkb1從開啟位準電壓(即，高位準電壓)改變成關閉位準電壓(即， 低位準電壓)時，根據在第一時序Tkb1第一掃描訊號SC1[n]的電壓變化，在第一子像素SP1中第二節點N2處的電壓可從參考閘極電壓Vn2_REF改變成由第一補償電容器C1引起的第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C1，而在第三子像素SP3中第二節點N2處的電壓可從參考閘極電壓Vn2_REF改變成由第三補償電容器C3引起的第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C3。
在第一時序Tkb1，第一子像素SP1中第二節點N2的電壓變動寬度Vkb1_SP1可為第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C1與參考閘極電壓Vn2_REF之間的差值(如，Vn2_REF-Vn2_C1)。
在第一時序Tkb1，第三子像素SP3中第二節點N2的電壓變動寬度Vkb1_SP3可為第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C3與參考閘極電壓Vn2_REF之間的差值(如，Vn2_REF-Vn2_C3)。
在第一時序Tkb1，作為第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1可以是作為驅動電晶體DRT的閘極電壓(如，第二節點N2處的電壓)之第一反沖閘極電壓Vn2_C1與作為驅動電晶體DRT的源極電壓(如，第一節點N1處的電壓)之驅動電壓ELVDD之間的電壓差(ELVDD-Vn2_C1)。
在第一時序Tkb1，作為第三子像素SP3中驅動電晶 體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3可以是作為驅動電晶體DRT的閘極電壓(如，第二節點N2處的電壓)之第一反沖閘極電壓Vn2_C3與作為驅動電晶體DRT的源極電壓(如，第一節點N1處的電壓)之驅動電壓ELVDD之間的電壓差(ELVDD-Vn2_C3)。
在第一時序Tkb1，在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1與在第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3可大於參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
在第一時序Tkb1，在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1可大於等於在第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3。
參照圖15，在第一時序Tkb1，第一掃描訊號SC1[n]可從高位準電壓HIGH(即，開啟位準電壓)改變成低位準電壓LOW(即，關閉位準電壓)；而在第一時序Tkb1之後進行的第二時序Tkb2，發射控制訊號EM[n]可從高位準電壓HIGH(即，關閉位準電壓)改變成低位準電壓LOW(即，開啟位準電壓)。
參照圖15，根據發射控制訊號EM[n]在第二時序Tkb2於電壓上的變化，第一子像素SP1中第二節點N2處的電壓可在第二時序Tkb2變動，而第三子像素SP3中第二節點N2處的電壓可在第二時序Tkb2變動。
參照圖15，在第二時序Tkb2，第一子像素SP1中第 二節點N2的電壓變動寬度(如，Vkb2_SP1=Vn2_C1-Vn2_C1+C2)可大於等於在第三子像素SP3中第二節點N2的電壓變動寬度(如，Vkb2_SP3=Vn2_C3-Vn2_C3+C4)。
更具體來說，根據在第二時序Tkb2發射控制訊號EM[n]在電壓上的變化，第一子像素SP1中第二節點N2的電壓可從由第一補償電容器C1引起的第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C1再次改變成由第二補償電容器C2引起的第二反沖所產生的第二反沖閘極電壓Vn2_C1+C2，而第三子像素SP3中第二節點N2的電壓可從由第三補償電容器C3引起的第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C3再次改變成由第四補償電容器C4引起的第二反沖所產生的第二反沖閘極電壓Vn2_C4+C4。
在第二時序Tkb2，第一子像素SP1中第二節點N2的電壓變動寬度Vkb2_SP1可為第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C1與第二反沖所產生的第二反沖閘極電壓Vn2_C1+C2之間的差值(如，Vn2_C1-Vn2_C1+C2)。
在第二時序Tkb2，第三子像素SP3中第二節點N2的電壓變動寬度Vkb2_SP3可為第一反沖所產生的第一反沖閘極電壓Vn2_C3與第二反沖所產生的第二反沖閘極電壓Vn2_C3+C4之間的差值(如，Vn2_C3-Vn2_C3+C4)。
在第二時序Tkb2，作為第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1可以是作為驅動電晶體DRT的閘極電壓(如，第 二節點N2處的電壓)之第二反沖閘極電壓Vn2_C1+C2與作為驅動電晶體DRT的源極電壓(如，第一節點N1處的電壓)之驅動電壓ELVDD之間的電壓差(ELVDD-Vn2_C1+C2)。
在第二時序Tkb2，作為第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3可以是作為驅動電晶體DRT的閘極電壓(如，第二節點N2處的電壓)之第二反沖閘極電壓Vn2_C3+C4與作為驅動電晶體DRT的源極電壓(如，第一節點N1處的電壓)之驅動電壓ELVDD之間的電壓差(ELVDD-Vn2_C3+C4)。
在第二時序Tkb2，在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1與在第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3可大於參考閘極-源極電位差Vgs_REF。
在第二時序Tkb2，在第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP1可大於等於在第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極-源極電位差Vgs_COMP_SP3。
參照圖15，在第一子像素SP1的發射週期期間，第一子像素SP1中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為第一閘極源極電位差Vgs_COMP_SP1(如，Vgs_C1+C2)。
在第二子像素SP2的發射週期期間，第二子像素SP2中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為第 二閘極源極電位差Vgs_REF。
在第三子像素SP3的發射週期期間，第三子像素SP3中驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為第三閘極源極電位差Vgs_COMP_SP3(如，Vgs_C3+C4)。
參照圖15，在被供應到第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata1、被供應到第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata2與被供應到第三子像素SP3的第三資料電壓Vdata3在大小相等的示例中，第一子像素SP1的驅動電晶體DRT的第一閘極源極電位差Vgs_COMP_SP1可大於第二子像素SP2的驅動電晶體DRT的第二閘極源極電位差Vgs_REF，並可大於等於第三子像素SP3的驅動電晶體DRT的第三閘極源極電位差Vgs_COMP_SP3。
隨著驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的增加，可增加由驅動電晶體DRT供應至發光元件ED的驅動電流，且因此發光元件可發出更亮的光。舉例來說，隨著驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間電壓差的增加，可增加對應子像素SP的亮度。
參照圖15，在被供應到第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata1、被供應到第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata2與被供應到第三子像素SP3的第三資料電壓Vdata3在大小相等的示例中，第一子像素SP1的亮度可大於第二子像素SP2的亮度，並可大於等於第三子像素SP3的亮度。
圖10與圖14中所繪示的子像素SP1、SP2、SP3可 包含七個電晶體(DRT、T1~T6)。在一示例中，七個電晶體(DRT、T1~T6)的主動層(或源極/汲極/閘極電極)可形成在同一層。在另一示例中，七個電晶體(DRT、T1~T6)當中一或多者的一個以上個別主動層(或源極/汲極/閘極電極)可形成在與剩餘電晶體的主動層(或源極/汲極/閘極電極)不同的層。
舉例來說，在七個電晶體(DRT、T1~T6)的主動層(或源極/汲極/閘極電極)全都設置於同一層的示例中，七個電晶體(DRT、T1~T6)的主動層可包含低溫多晶矽(low temperature polysilicon,LTPS)半導體或氧化半導體。
在另一示例中，七個電晶體(DRT、T1~T6)當中一或多者的一個以上個別主動層可設置於第一層內，而剩餘電晶體的主動層可設置於比第一層更高或不同於第一層的第二層內。舉例來說，設置於第一層內的一或多個主動層可包含低溫多晶矽(LTPS)半導體，而設置於第二層內的主動層可包含氧化半導體。在另一示例中，設置於第一層內的一或多個主動層可包含氧化半導體，而設置於第二層內的主動層可包含低溫多晶矽(LTPS)半導體。
圖16A至圖16C繪示根據本發明態樣之顯示裝置100中差分地應用至第一至第三區域(如圖14與圖15中的第一至第三區域A1、A2、A3)的示例性第一至第三伽馬曲線(GAM1、GAM2、GAM3)。
參照圖16A至圖16C，對應到第一區域A1的第一伽 馬曲線GAM1可不同於對應到第二區域A2的第二伽馬曲線GAM2。
參照圖16A至圖16C，在對應到第一子像素SP1的第一資料與對應到第二子像素SP2的第二資料在數值上相等的示例中，根據第二伽馬曲線GAM2的第二子像素SP2的亮度可具有第二亮度值，而根據第一伽馬曲線GAM1的第一子像素SP1的亮度可具有比第二亮度值還大的第一亮度值。
如此一來，即使當包含第一區域A1的第一光學區域OA1具有每單位面積較少數量的子像素，但包含第一區域A1的第一光學區域OA1所包含的每一個第一子像素SP1可發出更亮的光，且因此具有與包含第二區域A2的一般區域NA的亮度位準相似的亮度位準。
參照圖16A，對應到第三區域A3的第三伽馬曲線GAM3與第二伽馬曲線GAM2可為相同的伽馬曲線。在本示例中，第三補償電容器C3與第四補償電容器C4當中的至少一者可形成在第三區域A3內所設置的m個第三子像素SP3當中的k個第三子像素SP3的每一者之中。於此，m可為大於等於2的自然數，而k可小於等於m。
參照圖16B，對應到第三區域A3的第三伽馬曲線GAM3與第一伽馬曲線GAM1可為相同的伽馬曲線。在本示例中，第三補償電容器C3與第四補償電容器C4當中的至少一者可形成在第三區域A3內所設置的m個第三子像素SP3當中的p個第三 子像素SP3的每一者之中。於此，m可為大於等於2的自然數，而p可小於等於或小於k。
參照圖16C，對應到第三區域A3的第三伽馬曲線GAM3可不同於第一與第二伽馬曲線GAM1、GAM2。在本示例中，第三補償電容器C3與第四補償電容器C4當中的至少一者可形成在第三區域A3內所設置的m個第三子像素SP3當中的q個第三子像素SP3的每一者之中。於此，m可為大於等於2的自然數，而q可小於等於或小於k。
根據上述的實施例，在作為邊界區域BA的第三區域A3內邊界感知現象提升的示例中，連同在第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上的差異補償，可將根據第一亮度差異補償技術的差異補償電容器應用技術進一步應用到第三區域A3的第三子像素SP3，且可將根據第二亮度差異補償技術的差異伽馬曲線應用技術進一步應用到第三區域A3的第三子像素SP3。
以下將參照圖17A與圖17B敘述在第一區域A1(第一光學區域OA1)內的非透射區域NTA內應用有補償電容器結構的第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1的平面圖中的結構。將參照圖18A與圖18B敘述在一般區域NA內所包含的第二區域A2內未應用有補償電容器結構的第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2的平面圖中的結構。將參照圖19A與圖19B敘述在第三區域A3(邊界區域BA)內應用有補償電容器結構的第三子像素SP3的第三像素驅動電路PDC3的平面圖中的結構。
圖17A係根據本發明態樣之顯示裝置100中第一區域(如上所討論之在圖式中的第一區域A1)的平面圖，而圖17B係圖17A的第一區域A1內設置有一個第一像素驅動電路PDC1之區域的平面圖。圖18A係根據本發明態樣之顯示裝置100中第二區域(如上所討論之在圖式中的第二區域A2)的平面圖，而圖18B係圖18A的第二區域A2內設置有一個第二像素驅動電路PDC2之區域的平面圖。圖19A係根據本發明態樣之顯示裝置100中第三區域(如上所討論之在圖式中的第三區域A3)的平面圖，而圖19B係圖19A的第三區域A3內設置有一個第三像素驅動電路PDC3之區域的平面圖。
參照圖17A與圖17B，第一區域A1(第一光學區域OA1)內的非透射區域NTA內所設置的每一個第一子像素SP1的第一像素驅動電路PDC1可包含對應到第二節點N2的第一連接圖案CP1、形成於第一連接圖案CP1與第一掃描線路SCL1[n]之間的第一補償電容器C1以及形成於第一連接圖案CP1與發射控制線路EML[n]之間的第二補償電容器C2。
在第一區域A1(第一光學區域OA1)內的非透射區域NTA內所設置的多個第一子像素SP1的每一個第一像素驅動電路PDC1的區域內可設置驅動電晶體DRT以及儲存電容器Cst。
每一個驅動電晶體DRT可包含對應到第一節點N1的源極電極En1、對應到第三節點N3的汲極電極En3、對應到第二節點N2並作為閘極電極的連接圖案CP以及主動層ACT。儲 存電容器Cst可形成於第二節點N2與驅動電壓線路DVL之間。
第一補償電容器C1可形成為彼此重疊的第一連接圖案CP1與第一掃描線路SCL1[n]。第一補償電容器C1的電容量可與第一連接圖案CP1和第一掃描線路SCL1[n]的重疊區域呈比例關係。
為了增加第一補償電容器C1的電容量，第一掃描線路SCL1[n]可包含在第一子像素SP1的區域內與第一連接圖案CP1重疊的第一補償凸起PRP1。
第二補償電容器C2可形成為彼此重疊的第一連接圖案CP1與發射控制線路EML[n]。第二補償電容器C2的電容量可與第一連接圖案CP1和發射控制線路EML[n]的重疊區域呈比例關係。
為了增加第二補償電容器C2的電容量，發射控制線路EML[n]可包含在第一子像素SP1的區域內與第一連接圖案CP1重疊的第二補償凸起PRP2。
第一連接圖案CP1可重疊於第一子像素SP1的區域內的第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的主動層ACT。
第一連接圖案CP1可包含重疊於第一補償凸起PRP1的第一部分連接圖案CP1-1以及重疊於第二補償凸起PRP2的第二部分連接圖案CP1-2。
第一部分連接圖案CP1-1與第二部分連接圖案CP1-2可位於不同的層內，且可透過第一接觸孔CNT1_N2彼此電性連 接。
參照圖18A與圖18B，一般區域NA內所包含的第二區域A2內所設置的每一個第二子像素SP2的第二像素驅動電路PDC2可包含對應到第二節點N2的第二連接圖案CP2。
在一般區域NA內所包含的第二區域A2內所設置的的多個第二子像素SP2的每一個第二像素驅動電路PDC2的區域內可設置驅動電晶體DRT以及儲存電容器Cst。第二區域A2可為非透射區域NTA。
每一個驅動電晶體DRT可包含對應到第一節點N1的源極電極En1、對應到第三節點N3的汲極電極En3、對應到第二節點N2並作為閘極電極的連接圖案CP以及主動層ACT。儲存電容器Cst可形成於第二節點N2與驅動電壓線路DVL之間。
第二補償電容器C2與第一掃描線路SCL1[n]可彼此不重疊。如此一來，在第二子像素SP2中可不在第二連接圖案CP2與第一掃描線路SCL1[n]之間形成補償電容器。
第二連接圖案CP2與發射控制線路EML[n]可彼此不重疊。如此一來，在第二子像素SP2中可不在第二連接圖案CP2與發射控制線路EML[n]之間形成補償電容器。
參照圖19A與圖19B，第三區域A3(邊界區域BA)內應用有補償電容器結構的每一個第三子像素SP3的第三像素驅動電路PDC3可包含對應到第二節點N2的第三連接圖案CP3、形成於第三連接圖案CP3與第一掃描線路SCL1[n]之間的第三補 償電容器C3以及形成於第三連接圖案CP3與發射控制線路EML[n]之間的第四補償電容器C4。
在第三區域A3(第一光學區域OA1外的邊界區域BA)內所設置的多個第三子像素SP3的每一個第三像素驅動電路PDC3的區域內可設置驅動電晶體DRT以及儲存電容器Cst。第三區域A3可為非透射區域NTA。
每一個驅動電晶體DRT可包含對應到第一節點N1的源極電極En1、對應到第三節點N3的汲極電極En3、對應到第二節點N2並作為閘極電極的連接圖案CP以及主動層ACT。儲存電容器Cst可形成於第二節點N2與驅動電壓線路DVL之間。
第三補償電容器C3可形成為彼此重疊的第三連接圖案CP3與第一掃描線路SCL1[n]。第三補償電容器C3的電容量可與第三連接圖案CP3和第一掃描線路SCL1[n]的重疊區域呈比例關係。
為了增加第三補償電容器C3的電容量，第一掃描線路SCL1[n]可包含在第三子像素SP3的區域內與第三連接圖案CP3重疊的第三補償凸起PRP3。
第四補償電容器C4可形成為彼此重疊的第三連接圖案CP3與發射控制線路EML[n]。第四補償電容器C4的電容量可與第三連接圖案CP3和發射控制線路EML[n]的重疊區域呈比例關係。
為了增加第四補償電容器C4的電容量，發射控制線 路EML[n]可包含在第三子像素SP3的區域內與第三連接圖案CP3重疊的第四補償凸起PRP4。
第三連接圖案CP3可重疊於第三子像素SP3中的驅動電晶體DRT的主動層ACT。
第三連接圖案CP3可包含重疊於第三補償凸起PRP3的第三部分連接圖案CP3-1以及重疊於第四補償凸起PRP4的第四部分連接圖案CP3-2。
第三部分連接圖案CP3-1與第四部分連接圖案CP3-2可位於不同的層內，且可透過第三接觸孔CNT3_N2彼此電性連接。
第三補償電容器C3的電容量可小於等於第一補償電容器C1的電容量。第三連接圖案CP3與第一掃描線路SCL1[n]之間的重疊區域可小於等於第一連接圖案CP1與第一掃描線路SCL1[n]之間的重疊區域。
第四補償電容器C4的電容量可小於等於第二補償電容器C2的電容量。第三連接圖案CP3與發射控制線路EML[n]之間的重疊區域可小於等於第一連接圖案CP1與發射控制線路EML[n]之間的重疊區域。
以下將簡短地再次敘述根據上述實施例的顯示裝置100。在部分實施例中，顯示裝置100可包含含有用來顯示圖像之顯示區域DA的基板SUB、設置於基板SUB上的多個閘極線路GL以及設置於顯示區域DA中的多個子像素SP。
顯示區域DA可包含第一區域A1、第二區域A2以及第三區域A3。第二區域A2可圍繞第一區域A1，而第三區域A3可位於第一區域A1與第二區域A2之間。
在多個閘極線路GL當中的第一閘極線路GL可穿過第一區域A1、第二區域A2與第三區域A3。第一閘極線路GL可為圖14中的發射控制線路EML[n]或第一掃描線路SCL1[n]。
在多個子像素SP當中，可在第一區域A1、第二區域A2與第三區域A3內分別設置第一子像素SP1、第二子像素SP2與第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2與第三子像素SP3當中的每一者可包含發光元件與驅動電晶體。
第一閘極線路GL可不重疊於在第二子像素SP2中對應到驅動電晶體DRT之閘極節點的第二連接圖案CP2，而可重疊於在第三子像素SP3中對應到驅動電晶體DRT之閘極節點的第三連接圖案CP3，並可重疊於在第一子像素SP1中對應到驅動電晶體DRT之閘極節點的第一連接圖案CP1。驅動電晶體DRT的閘極節點可對應到第二節點N2。
由於在第一子像素SP1中第一閘極線路GL重疊於驅動電晶體DRT的閘極節點，因此在第一子像素SP1中可形成補償電容器(C1或C2)。也就是說，第一子像素SP1可包含在驅動電晶體DRT之閘極節點與第一閘極線路GL之間的第一補償電容器(C1或C2)。
由於在第三子像素SP3中第一閘極線路GL重疊於 驅動電晶體DRT的閘極節點，因此在第三子像素SP3中可形成補償電容器(C3或C4)。也就是說，第三子像素SP3可包含在驅動電晶體DRT之閘極節點與第一閘極線路GL之間的補償電容器(C3或C4)。
第三子像素SP3的補償電容器(C3或C4)的電容量可不同於第一子像素SP1的補償電容器(C1或C2)的電容量。
在部分實施例中，顯示裝置100可包含用來顯示圖像的顯示區域DA以及設置於顯示區域DA內的多個子像素SP。顯示裝置100的顯示區域DA可包含第一區域A1、圍繞或間隔於第一區域A1的第二區域A2以及位於第一區域A1與第二區域A2之間的第三區域A3。
在多個子像素SP當中，可在第一區域A1、第二區域A2與第三區域A3內分別設置第一子像素SP1、第二子像素SP2與第三子像素SP3。
在對應到第一子像素SP1之第一資料相等於對應到第二子像素SP2之第二資料的示例中，第一子像素SP1的亮度可大於第二子像素SP2的亮度。
隨著第一子像素SP1的亮度增加，於其中設置有第一子像素SP1的第一區域A1的亮度可增加至對應到第二區域A2之亮度的位準。如此一來，第一子像素SP1與第二子像素SP2之間在亮度上的差異可大於第一區域A1與第二區域A2之間在亮度上的差異。
第三子像素SP3可具有在第一子像素SP1之亮度至第二子像素SP2之亮度的範圍內的亮度。如此一來，於其中第一區域A1與第二區域A2被感知成不自然地分開的邊界感知現象可得以減少或消除，且因此第一區域A1、第二區域A2與第三區域A3可被感知成自然地連接。
為了補償區域之間在亮度上的差異，以及為了減少或消除邊界感知現象，在對應到第三子像素SP3的第三資料相等於第一資料與第二資料的示例中，第一子像素SP1的亮度可大於第二子像素SP2的亮度，且可大於等於第三子像素SP3的亮度。
為了補償區域之間在亮度上的差異，相較於第二子像素SP2，第一子像素SP1更可包含額外電容器。包含在第一子像素SP1中的額外電容器可為圖10或圖14的第一補償電容器C1與第二補償電容器C2當中的至少其中一者。
為了減少或消除邊界感知現象，相較於第二子像素SP2，第一子像素SP1與第三子像素SP3當中的每一者更可包含額外電容器。包含在第一子像素SP1中的額外電容器與包含在第三子像素SP3中的額外電容器可具有不同的電容量。藉由在第一子像素SP1、第三子像素SP3或兩者當中包含額外電容器，在第一與第三子像素SP1、SP3中(如，在光學區域OA1、OA2與邊界區域BA內)第一掃描線路SCL1[n]與第二節點N2之間的電容量可大於在第二子像素SP2中(如，一般區域NA)第一掃描線路SCL1[n]與第二節點N2之間的電容量。舉例來說，第一掃描線 路SCL1[n]與第二節點N2之間的第二子像素SP2中未存在額外電容器，或是在其間存在寄生電容器。在任一情況下，第二子像素SP2在第一掃描線路SCL1[n]與第二節點N2之間的電容量小於在第一子像素SP1、第三子像素SP3或兩者的第一掃描線路SCL1[n]與第二節點N2之間的電容量。
包含在第一子像素SP1中的額外電容器可為圖14的第一補償電容器C1與第二補償電容器C2當中的至少一者。包含在第三子像素SP3中的額外電容器可為圖14的第三補償電容器C3與第四補償電容器C4當中的至少一者。
為了補償區域之間在亮度上的差異，可對第一區域A1與第二區域A2應用不同的伽馬曲線GAM1、GAM2。舉例來說，用於第一區域A1的第一伽馬曲線GAM1可不同於用於第二區域A2的第二伽馬曲線GAM2。
為了減少或消除邊界感知現象，用於第三區域A3的第三伽馬曲線GAM3可相同於第一或第二伽馬曲線GAM1或GAM2，或可不同於第一與第二伽馬曲線GAM1、GAM2。
第一伽馬曲線GAM1、第二伽馬曲線GAM2與第三伽馬曲線GAM3當中的每一者可根據資料上的變化來定義或選定亮度上的變化。用於第一伽馬曲線GAM1、第二伽馬曲線GAM2與第三伽馬曲線GAM3的個別資料可儲存於顯示裝置100中所包含的記憶體內。
此外，可根據顯示裝置100中資料上的變化，基於 量測亮度上的變化所獲得的結果，將第一伽馬曲線GAM1、第二伽馬曲線GAM2與第三伽馬曲線GAM3分別應用到第一區域A1、第二區域A2與第三區域A3。
在前述討論中已敘述針對第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上之差異的補償技術以及針對第一光學區域OA1與一般區域NA之間讓邊界感知現象減少或消除的技術。
考慮到第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之間每單位面積之子像素在數量上的差異，可實質上同等地使用針對第一光學區域OA1與一般區域NA之間在亮度上之差異的補償技術以及針對第二光學區域OA2與一般區域NA之間在亮度上之差異的補償技術。
考慮到第一光學區域OA1與第二光學區域OA2之間每單位面積之子像素在數量上的差異，可實質上同等地使用針對第一光學區域OA1與一般區域NA之間讓邊界感知現象減少或消除的技術以及針對第二光學區域OA2與一般區域NA之間讓邊界感知現象減少或消除的技術。
根據在本說明書敘述的實施例，可提供一種顯示裝置(如上所討論之在圖式中的顯示裝置100)，能夠讓一或多個光學區域(如上所討論之在圖式中的光學區域OA1、OA2)與一般區域(如上所討論之在圖式中的一般區域NA)之間在亮度上的差異減少或消除。
根據在本說明書敘述的實施例，可提供一種顯示裝 置(如上所討論之在圖式中的顯示裝置100)，能夠藉由將補償電容器結構應用到一或多個光學區域OA1、OA2，讓一或多個光學區域(如上所討論之在圖式中的光學區域OA1、OA2)與一般區域(如上所討論之在圖式中的一般區域NA)之間在亮度上的差異減少或消除。
根據在本說明書敘述的實施例，可提供一種顯示裝置(如上所討論之在圖式中的顯示裝置100)，能夠藉由將不同的伽馬曲線應用到一或多個光學區域OA1、OA2與一般區域NA，讓一或多個光學區域(如上所討論之在圖式中的光學區域OA1、OA2)與一般區域(如上所討論之在圖式中的一般區域NA)之間在亮度上的差異減少或消除。
根據在本說明書敘述的實施例，可提供一種顯示裝置(如上所討論之在圖式中的顯示裝置100)，能夠避免一或多個光學區域(如上所討論之在圖式中的光學區域OA1、OA2)與一般區域(如上所討論之在圖式中的一般區域NA)之間的邊界感知。
已提交以上敘述來使本領域任何技術人員能作出、使用和實踐本發明的技術特徵，且已將以上敘述作為示例提供於特定應用與其益處的上下文中。對於所述實施例的各種修改、添加與替換將對本領域技術人員為顯而易見，且於此所述的原理可施加到其他實施例與應用而不脫離本發明的範圍。以上敘述與圖式僅為了說明目的來提供本發明技術特徵的示例。也就是說，所 揭露的實施例旨在說明本發明技術特徵的範圍。因此，本發明的範圍不限於所示的實施例，而是要符合與請求項一致的最大範圍。應基於以下的請求項來解釋本發明的保護範圍，且其同等範圍內的全部技術思想均應被解釋為包含在本發明的範圍內。
可結合上述的各種實施例以提供進一步的實施例。所有在本說明書中提及與/或在申請資料表中所列出的美國專利、美國專利申請公開、美國專利申請、外國專利、外國專利申請與非專利公開，包含但不限於[插入列表]，透過引用將其全部併入本文。如果需要採用各種專利、申請與公開的概念以進供更進一步的實施例，可修改實施例的態樣。
[注意：不可透過從外國專利、外國專利申請或非專利公開的參照來併入必要事項；然而，美國專利局應允許不適當併入的主題，透過不影響申請日期的修改方式來添加到說明書。透過參照ADS併入的可能性未經測試。我們強烈推薦明確地列出欲透過在句子中適當之處的參照進行合併的這些參照。]
可根據以上的詳細敘述來對實施例進行這些和其他更改。一般來說，在以下的請求項中，所使用的術語不應被解釋成將請求項限制成說明書與請求項中所揭露的特定實施例，而是應被解釋成包含全部可能的實施例，連同這些經給予權利之請求項的全部同等範圍。因此，請求項不受揭露的限制。
雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
C1:第一補償電容器
C2:第二補償電容器
Cst:電容器
DL1:第一資料線路
DL2:第二資料線路
DRT、T1、T2、T3、T4、T5、T6:電晶體
DVL:驅動電壓線路
ED:發光元件
ELVDD:驅動電壓
ELVSS:基準電壓
EM[n]、EML[n]:發射控制訊號
IVL:第一初始化線路
N1:第一節點
N2:第二節點
N3:第三節點
N4:第四節點
NA、OA1:區域
PDC1:第一像素驅動電路
PDC2:第二像素驅動電路
SC1[n]:第一掃描訊號
SC2[n]:第二掃描訊號
SC3[n]、SC3[n+1]:第三掃描訊號
SCL1[n]:第一掃描線路
SCL2(n):第二掃描線路
SCL3[n]、SCL3[n+1]:第三掃描線路
SP1、SP2:子像素
VAR:第二初始化電壓
VARL:第二初始化線路
Vdata1:第一資料電壓
Vdata2:第二資料電壓
VINI:第一初始化電壓

Claims (26)

  1. 一種顯示裝置，包含：一顯示區域，包含：一第一區域；一第二區域，側向地間隔於該第一區域；以及一第三區域，位於該第一區域與該第二區域之間；以及多個子像素，設置於該顯示區域內，該些子像素包含：一第一子像素，設置於該第一區域內；一第二子像素，設置於該第二區域內；以及一第三子像素，設置於該第三區域內；其中，該第一子像素、該第二子像素與該第三子像素各自包含：一第一節點；一第二節點；一第三節點；一第四節點；一發光元件，連接至該第四節點；一驅動電晶體，在該第二節點由一電壓控制，且用以驅動該發光元件；一第一電晶體，由透過一第一掃描線路所供應的一第一掃描訊號控制，且用以控制該第二節點與該第三節點之間的連接；一第二電晶體，由透過一發射控制線路所供應的一發射控制訊號控制，且用以控制該第一節點與一驅動電壓線路之間的連接；以及一第三電晶體，由該發射控制訊號控制，且用以控制該第三節點與該第四節點之間的連接；其中，該第一子像素包含下列中的至少一者：一第一補償電容器，介於該第二節點與該第一掃描線路之間；以及一第二補償電容器，介於該第二節點與該發射控制線路之間；其中，該第三子像素包含下列中的至少一者：一第三補償電容器，介於該第二節點與該第一掃描線路之間；以及一第四補償電容器，介於該第二節點與該發射控制線路之間。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一掃描線路在該第二區域內不重疊於對應到該第二節點的一連接圖案，在該第三區域內重疊於對應到該第二節點的一連接圖案，且在該第一區域內重疊於對應到該第二節點的一連接圖案；並且其中，該發射控制線路在該第二區域內不重疊於對應到該第二節點的該連接圖案，在該第三區域內重疊於對應到該第二節點的該連接圖案，且在該第一區域內重疊於對應到該第二節點的該連接圖案。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中：該第一補償電容器的電容量大於等於該第三補償電容器的電容量；或者該第二補償電容器的電容量大於等於該第四補償電容器的電容量；或者該第一補償電容器與該第二補償電容器的組合電容量大於等於該第三補償電容器與該第四補償電容器的組合電容量。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中當該第一掃描訊號在一第一時序從一開啟位準電壓改變至一關閉位準電壓時，根據該第一掃描訊號在該第一時序的電壓變化，在該第一子像素內的該第二節點的電壓在該第一時序變動，且在該第三子像素內的該第二節點的電壓在該第一時序變動，並且其中，在該第一子像素內的該第二節點的電壓變動寬度大於等於在該第三子像素內的該第二節點的電壓變動寬度。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中當該第一掃描訊號在一第一時序從一開啟位準電壓改變至一關閉位準電壓，且該發射控制訊號在該第一時序之後進行的一第二時序從一關閉位準電壓改變至一開啟位準電壓時，根據該發射控制訊號在該第二時序的電壓變化，在該第一子像素內的該第二節點的電壓在該第二時序變動，且在該第三子像素內的該第二節點的電壓在該第二時序變動，並且其中，在該第一子像素內的該第二節點的電壓變動寬度大於等於在該第三子像素內的該第二節點的電壓變動寬度。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中在該第一子像素的發射期間在該第一子像素內的該驅動電晶體的一閘極電壓與一源極電壓之間的電壓差為一第一閘極源極電位差，在該第二子像素的發射期間在該第二子像素內的該驅動電晶體的一閘極電壓與一源極電壓之間的電壓差為一第二閘極源極電位差，且在該第三子像素的發射期間在該第三子像素內的該驅動電晶體的一閘極電壓與一源極電壓之間的電壓差為一第三閘極源極電位差，並且其中，當供應至該第一子像素的一第一資料電壓、供應至該第二子像素的一第二資料電壓以及供應至該第三子像素的一第三資料電壓在大小(magnitude)上相等時，該第一閘極源極電位差大於該第二閘極源極電位差且大於等於該第三閘極源極電位差。
  7. 如請求項1所述之顯示裝置，其中當供應至該第一子像素的一第一資料電壓、供應至該第二子像素的一第二資料電壓以及供應至該第三子像素的一第三資料電壓在大小上相等時，該第一子像素的亮度(luminance)大於該第二子像素的亮度且大於等於該第三子像素的亮度。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中對應到該第一區域的一第一伽馬曲線不同於對應到該第二區域的一第二伽馬曲線，並且其中，當對應到該第一子像素的一第一資料相等於對應到該第二子像素的一第二資料時，根據該第二伽馬曲線之該第二子像素的亮度具有一第二亮度值，且根據該第一伽馬曲線之該第一子像素的亮度具有大於該第二亮度值的一第一亮度值。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中對應到該第三區域的一第三伽馬曲線與該第二伽馬曲線為相同的伽馬曲線。
  10. 如請求項8所述之顯示裝置，其中對應到該第三區域的一第三伽馬曲線與該第一伽馬曲線為相同的伽馬曲線。
  11. 如請求項8所述之顯示裝置，其中對應到該第三區域的一第三伽馬曲線不同於該第一伽馬曲線與該第二伽馬曲線。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一子像素包含對應到該第一子像素之該第二節點的一第一連接圖案、介於該第一連接圖案與該第一掃描線路之間的該第一補償電容器以及介於該第一連接圖案與該發射控制線路之間的該第二補償電容器，其中，該第二子像素包含對應到該第二子像素之該第二節點的一第二連接圖案，並且其中，該第三子像素包含對應到該第三子像素之該第二節點的一第三連接圖案、介於該第三連接圖案與該第一掃描線路之間的該第三補償電容器以及介於該第三連接圖案與該發射控制線路之間的該第四補償電容器。
  13. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該第一掃描線路包含在該第一子像素的區域內重疊於該第一連接圖案的一第一補償凸起，且該發射控制線路包含在該第一子像素的區域內重疊於該第一連接圖案的一第二補償凸起，並且其中，在該第一子像素的區域內該第一連接圖案重疊於該第一子像素內的該驅動電晶體的主動層。
  14. 如請求項13所述之顯示裝置，其中該第一連接圖案包含重疊於該第一補償凸起的一第一部分連接圖案以及重疊於該第二補償凸起的一第二部分連接圖案，並且其中，該第一部分連接圖案與該第二部分連接圖案位於不同層且透過一第一接觸孔電性連接彼此。
  15. 如請求項12所述之顯示裝置，其中該第一掃描線路包含在該第三子像素的區域內重疊於該第三連接圖案的一第三補償凸起，且該發射控制線路包含在該第三子像素的區域內重疊於該第三連接圖案的一第四補償凸起，並且其中，在該第三連接圖案重疊於該第三子像素內的該驅動電晶體的主動層。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中該第三連接圖案包含重疊於該第三補償凸起的一第三部分連接圖案以及重疊於該第四補償凸起的一第四部分連接圖案，並且其中，該第三部分連接圖案與該第四部分連接圖案位於不同層且透過一第三接觸孔電性連接彼此。
  17. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示區域包含一光學區域以及位於該光學區域外的一個一般區域，其中，該光學區域包含多個發光區域以及多個透射區域，且該一般區域包含多個發光區域，其中，該第一區域被包含在該光學區域內，該第二區域被包含在該一般區域內，且該第三區域為該光學區域外的一個邊界區域且被包含在該一般區域內，並且其中，該光學區域內每單位面積之多個子像素的數量小於該一般區域內每單位面積之多個子像素的數量，或者該光學區域內單個子像素的尺寸小於該一般區域內單個子像素的尺寸。
  18. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一電晶體為N型電晶體，且該第二電晶體與該第三電晶體為P型電晶體。
  19. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一子像素、該第二子像素與該第三子像素各自包含：一第四電晶體，用以控制該第一節點與一第一資料線路之間的連接；一第五電晶體，用以控制該第三節點與一第一初始化線路之間或該第二節點與該第一初始化線路之間的連接；一第六電晶體，用以控制該第四節點與一第二初始化線路之間的連接；以及一儲存電容器，設置於該第二節點與該驅動電壓線路之間。
  20. 一種顯示裝置，包含：一基板，包含一顯示區域，該顯示區域包含：一第一區域；一第二區域，間隔於該第一區域；以及一第三區域，位於該第一區域與該第二區域之間；多個閘極線路，設置於該基板之上，該些閘極線路包含一第一閘極線路，該第一閘極線路貫穿該第二區域、該第三區域與該第一區域；以及多個子像素，設置於該顯示區域內，該些子像素包含：一第一子像素，設置於該第一區域內；一第二子像素，設置於該第二區域內；以及一第三子像素，設置於該第三區域內；其中，該第一子像素、該第二子像素與該第三子像素各自包含一發光元件以及一驅動電晶體，並且其中，該第一閘極線路在該第一子像素內重疊於對應到該驅動電晶體之一閘極節點的一第一連接圖案，在該第二子像素內不重疊於對應到該驅動電晶體之一閘極節點的一第二連接圖案，且在該第三子像素內重疊於對應到該驅動電晶體之一閘極節點的一第三連接圖案。
  21. 如請求項20所述之顯示裝置，其中該第一子像素包含介於該第一子像素之該驅動電晶體的該閘極節點與該第一閘極線路之間的一第一補償電容器，且該第三子像素包含介於該第三子像素之該驅動電晶體的該閘極節點與該第一閘極線路之間的一第三補償電容器，並且其中，該第三補償電容器的電容量不同於該第一補償電容器的電容量。
  22. 一種顯示裝置，包含：一顯示區域，包含：一第一區域；一第二區域，間隔於該第一區域；以及一第三區域，位於該第一區域與該第二區域之間；以及多個子像素，設置於該顯示區域內，該些子像素包含：一第一子像素，設置於該第一區域內；一第二子像素，設置於該第二區域內；以及一第三子像素，設置於該第三區域內；其中，該第一子像素、該第二子像素與該第三子像素各自包含一發光元件以及用來驅動該發光元件的一驅動電晶體，並且其中，在操作中，當對應到該第一子像素的一第一資料相等於對應到該第二子像素的一第二資料時，該第一子像素的亮度大於該第二子像素的亮度。
  23. 如請求項22所述之顯示裝置，其中當對應到該第三子像素的一第三資料相等於該第一資料與該第二資料時，該第三子像素的亮度大於等於該第二子像素的亮度且小於等於該第一子像素的亮度。
  24. 如請求項23所述之顯示裝置，其中該第一子像素與該第三子像素相較於該第二子像素各自包含一額外電容器，且該第一子像素內所包含的該額外電容器與該第三子像素內所包含的該額外電容器具有不同的電容量。
  25. 如請求項23所述之顯示裝置，其中用於該第一區域的一第一伽馬曲線不同於用於該第二區域的一第二伽馬曲線，且用於該第三區域的一第三伽馬曲線相同於該第一伽馬曲線或該第二伽馬曲線或不同於該第一伽馬曲線與該第二伽馬曲線。
  26. 一種顯示裝置，包含：一顯示區域，包含：一第一光學區域，包含：多個第一透射區域；以及多個第一子像素，每一該第一子像素包含一第一驅動電晶體以及對應到該第一驅動電晶體之一閘極節點的一第一連接區域；一第二光學區域，包含：多個第二透射區域，具有不同於該些第一透射區域的形狀；以及多個第二子像素，每一該第二子像素包含一第二驅動電晶體以及對應到該第二驅動電晶體之一閘極節點的一第二連接區域；以及一個一般區域，側向地圍繞該第一光學區域與該第二光學區域，該一般區域具有比該第一光學區域與該第二光學區域的透射性還低的透射性，該一般區域包含多個第三子像素，每一該第三子像素包含一第三驅動電晶體以及對應到該第三驅動電晶體之一閘極節點的一第三連接區域；以及一閘極線路，重疊於該些第一子像素中的一第一子像素、該些第二子像素中的一第二子像素與該些第三子像素中的一第三子像素；其中，該第一子像素之該第一驅動電晶體的該閘極節點與該閘極線路之間的一第一電容量大於該第三子像素之該第三驅動電晶體的該閘極節點與該閘極線路之間的一第三電容量；其中，該第二子像素之該第二驅動電晶體的該閘極節點與該閘極線路之間的一第二電容量大於該第三電容量。
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