CN115731831A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括设置在显示区域中用于显示图像的子像素。每个子像素包括：发光元件；驱动晶体管，用于驱动发光元件；以及晶体管，其中可以通过经由栅极线提供的栅极信号控制该晶体管的导通和截止。子像素包括设置在显示区域中的特定区域中的子像素，并且这种子像素可以包括通过驱动晶体管的栅极节点或连接到驱动晶体管的栅极节点的连接图案与栅极线重叠形成的补偿电容器。在向驱动晶体管的栅极节点施加数据电压或由数据电压的变化产生的电压的时刻，通过栅极线提供的栅极信号的电压电平变为低电压电平。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年8月25日提交的韩国专利申请No.10-2021-0112582以及于2021年12月13日提交的韩国专利申请No.10-2021-0178144的权益和优先权，出于所有目的，上述申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及显示装置。

背景技术

随着显示技术的进步，显示装置可以提供图像显示功能以及更多的功能，例如，图像捕获功能、感测功能等。为了提供这些功能，显示装置可能需要包括光学电子装置(例如，用于探测图像的摄像头或传感器)。

为了接收穿过显示装置的前表面的光，光学电子装置可能需要位于显示装置的可以有利地接收或探测来自前表面的入射光的区域中。因此，在这种显示装置中，光学电子装置可能位于显示装置的前部以允许光学电子装置有效地暴露于入射光。为了以这种实施方式安装光学电子装置，可能会设计增大的边框的显示装置，或者可能会在显示装置的显示面板的显示区域中形成凹口或孔。

因此，由于显示装置需要光学电子装置来接收和探测入射光并执行所需的功能，所以显示装置前部的边框的尺寸可能会增大，或者在设计显示装置前部时可能会遇到重大困难。

背景技术部分提供的描述不应仅因为在背景技术部分中提及或与背景技术部分相关联而被假定为现有技术。背景技术部分可以包括描述本公开的技术方案的一个或多个方面的信息。

发明内容

本发明人已经开发出在不减小显示装置的显示面板的显示区域的尺寸的情况下在显示装置中设置或放置一个或多个光学电子装置的技术。通过开发，本发明人发明了一种具有透光结构的显示面板和显示装置，其中即使光学电子装置位于显示面板的显示区域下方并因此不在显示装置的前表面中暴露，根据本公开的技术方案的一个或多个方面，光学电子装置也能够正常且适当地接收或探测光。

此外，本发明人已经认识到随着与光学电子装置重叠，由于光学区域(包括一个或多个透射区域)与非光学区域(不包括透射区域)之间的每单位面积的子像素数量的差异，在光学区域与非光学区域之间出现亮度差异的问题。因此，在本公开的技术方案的一个或多个实施例中，本发明人已经发明了光学区域中的具有亮度差异补偿结构的子像素结构，该亮度差异补偿结构能够减小或防止光学区域与非光学区域之间的亮度差异。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供一种具有透光结构的显示装置，其中位于包含在显示装置中的显示面板的显示区域下方的光学电子装置具有正常接收或探测光的能力。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供一种能够在包含在显示装置中的显示面板的显示区域中并与光学电子装置重叠的光学区域中正常地实现显示驱动的显示装置。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供一种能够减小或防止光学区域与非光学区域之间的亮度差异的显示装置。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供一种包括光学区域中的具有能够减小或防止光学区域与非光学区域之间的亮度差异的亮度差异补偿结构的一个或多个子像素的显示装置。

根据本公开的方面，可以提供一种显示装置，其包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，多个子像素中的每一个包括：第一节点；第二节点；第三节点；第四节点；发光元件，其连接到第四节点；驱动晶体管，其中通过第二节点处的电压和能够驱动发光元件的驱动晶体管控制驱动晶体管；第一晶体管，其中通过经由第一扫描线提供的第一扫描信号控制第一晶体管，并且第一晶体管能够控制第二节点与第三节点之间的连接；第二晶体管，其中通过经由发光控制线提供的发光控制信号控制第二晶体管，并且第二晶体管能够控制第一节点与驱动电压线之间的连接；以及第三晶体管，其中通过发光控制信号控制第三晶体管，并且第三晶体管能够控制第三节点与第四节点之间的连接。

在根据本公开的方面的显示装置中，多个子像素可以包括设置在显示区域的第一区域中的第一子像素。

在根据本公开的方面的显示装置中，第一子像素中的第二节点可以电容耦合到第一扫描线和发光控制线中的至少一条。

在根据本公开的方面的显示装置中，第一子像素可以包括第二节点与第一扫描线之间的第一补偿电容器和第二节点与发光控制线之间的第二补偿电容器中的至少一个。

根据本公开的方面，提供了一种显示装置，其包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，多个子像素中的每一个包括：发光元件；能够驱动发光元件的驱动晶体管；以及至少一个晶体管，其中通过经由栅极线提供的栅极信号控制该至少一个晶体管的导通和截止。

在根据本公开的方面的显示装置中，多个子像素可以包括设置在显示区域的预定区域中的至少一个子像素，并且设置在预定区域中的子像素可以包括通过驱动晶体管的栅极节点或连接到栅极节点的连接图案与栅极线的重叠产生的补偿电容器。

在根据本公开的方面的显示装置中，在将数据电压或通过数据电压的变化产生的电压施加到设置在预定区域中的子像素的驱动晶体管的栅极节点时，通过栅极线提供的栅极信号的电压电平可以改变为较低的电压电平。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供具有透光结构的显示装置，其中位于显示面板的显示区域下方的光学电子装置具有正常接收或探测光的能力。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供能够在包含在显示面板的显示区域中并与光学电子装置重叠的光学区域中正常地实现显示驱动的显示装置。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供能够减小或防止光学区域与非光学区域之间的亮度差异的显示装置。

本公开的一个或多个示例性实施例可以提供能够通过将光学区域中的一个或多个子像素设计为具有亮度差异补偿结构来减小或防止光学区域与非光学区域之间的亮度差异的显示装置。

附加特征和方面将部分地在下面的描述中阐述，并且将部分地通过描述变得显然，或者可以通过实践本文提供的发明构思来学习。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面说明书、权利要求和附图中具体指出的结构或可以从其衍生的结构来实现和获得。

其他系统、方法、特征和优点将根据下文的附图和详细描述的检验对本领域技术人员变得显然。所有这种附加系统、方法、特征和优点都旨在包含在本说明书中、在本公开的范围内并受所附权利要求的保护。本节中的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。

应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。

附图说明

附图被包含以提供对本公开的进一步理解，附图被并入本公开中并构成本公开的一部分，附图示出了本公开的方面，并与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1A、图1B和图1C是示出了根据本公开的方面的示例显示装置的平面图；

图2示出了根据本公开的方面的显示装置的示例性系统配置；

图3示出了根据本公开的方面的显示面板中的子像素的示例性等效电路；

图4示出了根据本公开的方面的包含在显示面板的显示区域中的三个区域中的子像素的示例布置；

图5A示出了根据本公开的方面的显示面板中的第一光学区域和非光学区域中的每一个中的信号线的示例布置；

图5B示出了根据本公开的方面的显示面板中的第二光学区域和非光学区域中的每一个中的信号线的示例布置；

图6和图7是根据本公开的方面的包含在显示面板的显示区域中的第一光学区域、第二光学区域和非光学区域中的每一个的示例横截面图；

图8是根据本公开的方面的显示面板的边缘的示例横截面图；

图9示出了根据本公开的方面的显示装置中的第一光学区域、第二光学区域与非光学区域之间的示例的亮度差异；

图10示出了根据本公开的方面的显示装置中的第一光学区域中的第一子像素的示例性等效电路和非光学区域中的第二子像素的示例性等效电路；

图11示出了根据本公开的方面的显示装置中的第一子像素的示例驱动时序图；

图12A至图12I示出了根据本公开的方面的显示装置中的在第一子像素根据图11的驱动时序图被驱动时，第一子像素在每个详细驱动时段中的示例驱动情况；

图13示出了根据本公开的方面的显示装置中的第一光学区域中的第一子像素的第二节点处的电压的示例变化和非光学区域中的第二子像素的第二节点处的电压的示例变化；

图14A示出了根据本公开的方面的显示装置中的在第一光学区域的第一子像素包括第一补偿电容器的情况下，第一子像素的第二节点处的电压的示例变化；

图14B示出了根据本公开的方面的显示装置中的在第一光学区域的第一子像素包括第二补偿电容器的情况下，第一子像素的第二节点处的电压的示例变化；

图14C示出了根据本公开的方面的显示装置中的在第一光学区域的第一子像素包括第一补偿电容器和第二补偿电容器的情况下，第一子像素的第二节点处的电压的示例变化；

图15A和图15B示出了根据本公开的方面的显示装置中的包含在第一光学区域的第一子像素中的第一补偿电容器和第二补偿电容器的平面图中的示例结构；

图16A和图16B示出了根据本公开的方面的显示装置中的非光学区域的第二子像素的平面图中的示例结构；并且

图17示出了根据本公开的方面的显示装置中的第一光学区域的第一子像素的示例性等效电路和第二光学区域的第三子像素的示例性等效电路。

具体实施方式

现在将详细参考本公开的实施例，其示例可以在附图中示出。

在下面的描述中，除非另有说明，否则本文描述的结构、实施例、实施方式、方法和操作不限于本文所阐述的一个或多个具体示例，并且可以如本领域已知的那样进行更改。除非另有说明，否则相似的附图标记全部表示相似的元件。以下说明中使用的各个元件的名称仅为了便于编写说明书而选择，因此可以与实际产品中使用的名称不同。

通过参考附图描述的以下示例性实施例，将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的示例性实施例。相反，这些示例性实施例被提供以便本公开可以是充分完全和完整的，以帮助本领域技术人员充分理解本公开的范围。此外，本公开的保护范围由权利要求及其等同物定义。在下面的描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的方面的情况下，可以省略这种已知功能或配置的详细描述。

在附图中示出以描述本公开的各种示例性实施例的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅作为示例给出。因此，本公开不限于附图所示。

在使用术语“包括”、“具有”、“包含”、“含有”、“由……构成”、“由……组成”、“由……形成”等的情况下，可以添加一个或多个其他元件，除非使用例如“仅”的术语。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。

尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、A、B、(a)、(b)等描述各种元件，但这些元件不应被解释为受这些术语的限制，因为它们不用于定义特定顺序或优先级。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，第一元件可以称为第二元件，类似地，第二元件可以称为第一元件，而不脱离本公开的范围。

对于一个元件或层“连接”、“耦合”或“粘附”到另一个元件或层的表述，该一个元件或层不仅可以直接连接、耦合或粘附到另一个元件或层，还可以在具有一个或多个中间元件或层“设置”或“插设”在元件或层之间的情况下间接连接、耦合或粘附到另一个元件或层，除非另有说明。

对于一个元件或层与另一个元件或层“接触”、“重叠”等的表述，该一个元件或层不仅可以与另一个元件或层直接接触、重叠等，还可以在具有一个或多个中间元件或层“设置”或“插设”在元件或层之间的情况下与另一个元件或层间接接触、重叠等，除非另有说明。

在描述位置关系的情况下，例如，在使用“在……上”、“在……上面”、“在……下”、“在……上方”、“在……下方”、“在……旁边”、“靠近……”等描述两个部件之间的位置关系的情况下，一个或多个其他部件可以位于两个部件之间，除非使用例如“紧邻(地)”、“直接(地)”或“紧贴(地)”的更具限制性的术语。例如，在一个元件或层设置在另一个元件或层“上”的情况下，第三元件或层可以插设在它们之间。此外，术语“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“向下”、“向上”、“上部”、“下部”等指任意参照系。

在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“在……之后”、“随后”、“接着”或“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用例如“仅”、“立即(地)”或“直接(地)”的更具限制性的术语。

在解释一个元件时，该元件应当被解释为包括误差或公差范围，即使没有提供这种误差或公差范围的明确说明。此外，术语“可以”完全包含术语“能够”的所有含义

术语“至少一个”应当被理解为包括一个或多个相关的所列出的项的任意或所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义包括所有三个列出的元件的组合，三个元件中的任意两个元件的组合，以及每个单独的元件、第一元件、第二元件和第三元件。

第一元件、第二元件和/或第三元件的表述应当被理解为第一元件、第二元件和第三元件中的一个，或理解为第一元件、第二元件和第三元件的任意或所有组合。作为示例，A、B和/或C可以仅指A、仅指B或仅指C；指A、B和C的任意或某些组合；或者指A、B和C的全部。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种示例性实施例。此外，为了便于描述，附图中示出的每个元件的比例可以不同于实际比例。因此，所示元件不限于它们在附图中所示的特定比例。

图1A、图1B和图1C是示出了根据本公开的方面的示例显示装置的平面图。

参考图1A、图1B和图1C，根据本公开的方面的显示装置100可以包括用于显示一个或多个图像的显示面板110，以及一个或多个光学电子装置11和12。光学电子装置可以称为光探测器、光接收器或光感测装置。光学电子装置可以包括以下各项中的一个或多个：摄像头、相机镜头、传感器、用于探测图像的传感器等。

显示面板110可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。多个子像素可以设置在显示区域DA中，并且用于驱动多个子像素的几种类型的信号线可以设置在显示区域DA中。

非显示区域NDA可以指显示区域DA之外的区域。几种类型的信号线可以设置在非显示区域NDA中，并且几种类型的驱动电路可以连接到非显示区域NDA。非显示区域NDA可以弯曲以便从显示面板前部看不到，或者可以被外壳(未示出)覆盖。非显示区域NDA也可以称为边框或边框区域。

参考图1A、图1B和图1C，在根据本公开的方面的显示装置100中，一个或多个光学电子装置11和12可以位于显示面板110的下方或下部(其观看表面的相对侧)。

光可以进入显示面板110的前表面(观看表面)，穿过显示面板110，到达位于显示面板110的下方或下部(观看表面的相对侧)的一个或多个光学电子装置11和12。

一个或多个光学电子装置11和12可以接收或探测透射通过显示面板110的光，并基于接收的光执行预定功能。例如，一个或多个光学电子装置11和12可以包括以下各项中的一个或多个：例如摄像头(图像传感器)等的图像捕获装置；例如接近度传感器(proximity sensor)、照度传感器等的传感器。

参考图1A、图1B和图1C，在根据本公开的方面的显示面板110中，显示区域DA可以包括一个或多个光学区域OA1和OA2，以及非光学区域NA。一个或多个光学区域OA1和OA2可以是与一个或多个光学电子装置11和12重叠的区域。非光学区域NA是不与一个或多个光学电子装置11和12重叠的一个或多个区域，并且可以被称为正常区域。

根据图1A的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和非光学区域NA。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11重叠。

根据图1B的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和非光学区域NA。在图1B的示例中，非光学区域NA可以位于第一光学区域OA1与第二光学区域OA2之间。在这种情况下，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11重叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12重叠。

根据图1C的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和非光学区域NA。在图1C的示例中，非光学区域NA可以不位于第一光学区域OA1与第二光学区域OA2之间。也就是说，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以彼此接触(例如，彼此直接接触)。在这种情况下，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11重叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12重叠。

在一个或多个示例性实施例中，在一个或多个光学区域OA1和OA2中需要图像显示结构和透光结构，并且因此实现了图像显示结构和透光结构。在这些一个或多个示例性实施例中，由于一个或多个光学区域OA1和OA2是显示区域DA的一部分，所以在一个或多个光学区域OA1和OA2中需要设置用于显示图像的子像素，并且因此设置了用于显示图像的子像素。此外，为了使光能够透射到一个或多个光学电子装置11和12，在一个或多个光学区域OA1和OA2中需要透光结构，并且因此实现为透光结构。

根据本公开的示例性实施例，即使需要一个或多个光学电子装置11和12来接收或探测光，一个或多个光学电子装置11和12也位于显示面板110的背面(例如，观看表面的相对侧)。因此，在这些示例性实施例中，例如，一个或多个光学电子装置11和12位于显示面板110的下方或位于显示面板110的下部。也就是说，一个或多个光学电子装置11和12不在显示面板110的前表面(观看表面)中暴露。因此，当用户面对显示装置110的前表面时，光学电子装置11和12被定位为使得用户看不到它们。

在一个示例性实施例中，第一光学电子装置11可以是摄像头，第二光学电子装置12可以是传感器。传感器可以是接近度传感器、照度传感器、红外传感器等。例如，摄像头可以是相机镜头、图像传感器或包括相机镜头和图像传感器中的至少一个的单元。例如，传感器可以是能够探测红外线的红外传感器。

在另一个示例性实施例中，第一光学电子装置11可以是传感器，第二光学电子装置12可以是摄像头。

在下文中，仅为了方便起见，以下描述参考第一光学电子装置11是摄像头并且第二光学电子装置12是传感器的示例性实施例。然而，应当理解，本公开的范围包括第一光学电子装置11是传感器并且第二光学电子装置12是摄像头的实施例。

在第一光学电子装置11是摄像头的示例中，该摄像头可以位于显示面板110的背面(例如，下方或下部)，并且可以是能够在显示面板110的正面方向捕获物体的前置摄像头。因此，用户可以通过观看显示面板110的观看表面时在观看表面上看不到的摄像头来捕获图像。

虽然包含在图1A、图1B和图1C中的每一个中的显示区域DA中的非光学区域NA以及一个或多个光学区域OA1和OA2是可以显示图像的区域，非光学区域NA是不需要实现透光结构的区域，但一个或多个光学区域OA1和OA2是需要实现透光结构的区域。因此，在一个或多个示例性实施例中，非光学区域NA是不实现或不包括透光结构的区域，一个或多个光学区域OA1和OA2是实现或包括透光结构的区域。

因此，一个或多个光学区域OA1和OA2可以具有大于或等于预定程度的透射率，即，相对较高的透射率，并且非光学区域NA可以不具有透光率或具有小于预定程度的透射率，即，相对较低的透射率。

例如，一个或多个光学区域OA1和OA2可以具有与非光学区域NA不同的分辨率、子像素布置结构、每单位面积的子像素数量、电极结构、线结构、电极布置结构、布线结构等。

在一个示例性实施例中，一个或多个光学区域OA1和OA2中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。也就是说，一个或多个光学区域OA1和OA2的分辨率可以低于非光学区域NA的分辨率。在该示例中，每单位面积的子像素数量可以与分辨率、像素密度或像素的集成程度具有相同的含义。例如，每单位面积的子像素数量的单位可以是像素每英寸(PPI)，其表示1英寸内的像素数量。

在图1A、图1B和图1C中的每一个的示例性实施例中，第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。在图1A、图1B和图1C中的每一个的示例性实施例中，第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量可以大于或等于第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量，并且小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。

在图1A、图1B和图1C中的每一个的示例性实施例中，如上所述，作为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的透射率的一种方法，可以应用一种技术(其可以称为“像素密度差异化设计方案”)使得像素的密度或像素的集成程度差异化。根据像素密度差异化设计方案，在一个示例性实施例中，显示面板110可以被配置或设计为使得第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的每单位面积的子像素数量大于非光学区域NA的每单位面积的子像素数量。

在另一个示例性实施例中，作为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的透射率的另一种方法，可以应用另一种技术(其可以称为“像素尺寸差异化设计方案”)使得像素的尺寸差异化。根据像素尺寸差异化设计方案，显示面板110可以被配置或设计为使得第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的每单位面积的子像素数量等于或接近于非光学区域NA的每单位面积的子像素数量。然而，设置在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个中的每个子像素的尺寸(即，相应发光区域的尺寸)小于设置在非光学区域NA中的每个子像素的尺寸(即，相应发光区域的尺寸)。

在一个或多个方面，为了便于描述，基于用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中至少一个的透射率的两个方案(即，像素密度差异化设计方案和像素尺寸差异化设计方案)中的像素密度差异化设计方案提供以下讨论，除非另有明确说明。

在图1A、图1B和图1C中的每一个中，第一光学区域OA1可以具有例如圆形形状、椭圆形形状、四边形形状、六边形形状、八边形形状等的各种形状。在图1B和图1C中的每一个中，第二光学区域OA2可以具有例如圆形形状、椭圆形形状、四边形形状、六边形形状、八边形形状等的各种形状。第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以具有相同的形状或不同的形状。

参考图1C，在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2彼此接触(例如，彼此直接接触)的示例中，包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的整个光学区域也可以具有例如圆形形状、椭圆形形状、四边形形状、六边形形状、八边形形状等的各种形状。在下文中，为了便于描述，将基于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个都具有圆形形状的示例性实施例提供讨论。然而，应当理解，本公开的范围包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的一个或两个具有除圆形形状以外的形状的实施例。

当根据本公开的方面的显示装置100具有第一光学电子装置11(例如，摄像头)位于显示面板100的下方或下部而不暴露于外部的结构时，根据本公开的方面的这种显示装置100可以称为实现了屏下摄像头(UDC)技术的显示器。

根据该示例配置，关于根据本公开的方面的显示装置100，由于不需要在显示面板110中形成用于暴露摄像头的凹口或摄像头孔，所以本公开的技术方案可以防止显示区域DA的面积减小。换句话说，由于不需要在显示面板110中形成用于摄像头暴露的凹口或摄像头孔，所以可以减小边框区域的尺寸，并且可以去除或减少设计的实质性缺点，从而增加设计的自由度。

尽管一个或多个光学电子装置11和12位于显示装置100的显示面板110的背面(例如，下方或下部)，例如，隐藏或不暴露于外部，但在一个或多个方面，一个或多个光学电子装置11和12可以执行其正常的预定功能，因此能够接收或探测光。

此外，在根据本公开的方面的显示装置100中，尽管一个或多个光学电子装置11和12位于显示面板110的背面(例如，下方或下部)以便被隐藏并且被定位为与显示区域DA重叠，但是需要在显示区域DA中的与一个或多个光学电子装置11和12重叠的一个或多个光学区域OA1和OA2中正常执行图像显示。因此，在一个或多个示例中，即使一个或多个光学电子装置11和12位于显示面板的背面，也可以在区域DA中的与一个或多个光学电子装置11和12重叠的一个或多个光学区域OA1和OA2中以正常方式(例如，不降低图像质量)显示图像。

图2示出了根据本公开的方面的显示装置100的示例性系统配置。参考图2，显示装置100可以包括作为用于显示图像的组件的显示面板110和显示驱动电路。

显示驱动电路是用于驱动显示面板110的电路，并且可以包括数据驱动电路220、栅极驱动电路230、显示控制器240和其他组件。

显示面板110可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是显示区域DA之外的区域，也可以称为边框区域。非显示区域NDA的全部或一部分可以是从显示装置100的前表面看得到的区域，或者是弯曲且从显示装置100的前表面看不到的区域。

显示面板110可以包括基板SUB和设置在基板SUB上的多个子像素SP。显示面板110可以进一步包括各种类型的信号线，以驱动多个子像素SP。

根据本公开的方面的显示装置100可以是液晶显示装置等，或者是从显示面板110自身发光的自发光显示装置。当根据本公开的方面的显示装置100是自发光显示装置时，多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件。

在一个示例性实施例中，根据本公开的方面的显示装置100可以是使用有机发光二极管(OLED)实现发光元件的有机发光显示装置。在另一个示例性实施例中，根据本公开的方面的显示装置100可以是使用基于无机材料的发光二极管实现发光元件的无机发光显示装置。在又一个示例性实施例中，根据本公开的方面的显示装置100可以是使用量子点实现发光元件的量子点显示装置，其中量子点是自发光半导体晶体。

多个子像素SP中的每一个的结构可以根据显示装置100的类型而有所不同。例如，当显示装置100是包括自发光子像素SP的自发光显示装置时，每个子像素SP可以包括自发光发光元件，一个或多个晶体管，以及一个或多个电容器。

例如，各种类型的信号线可以包括用于传输数据信号(其可以称为数据电压或图像信号)的多条数据线DL，以及用于传输栅极信号(其可以称为扫描信号)的多条栅极线GL等。

多条数据线DL和多条栅极线GL可以彼此相交。多条数据线DL中的每一条可以被设置为在第一方向上延伸。多条栅极线GL中的每一条可以被设置为在第二方向上延伸。这里，第一方向可以是列方向，第二方向可以是行方向。或者，第一方向可以是行方向，第二方向可以是列方向。

数据驱动电路220是用于驱动多条数据线DL的电路，并且可以向多条数据线DL提供数据信号。栅极驱动电路230是用于驱动多条栅极线GL的电路，并且可以向多条栅极线GL提供栅极信号。

显示控制器240可以是用于控制数据驱动电路220和栅极驱动电路230的装置，并且可以控制多条数据线DL的驱动时序和多条栅极线GL的驱动时序。显示控制器240可以向数据驱动电路220提供数据驱动控制信号DCS以控制数据驱动电路220，并且向栅极驱动电路230提供栅极驱动控制信号GCS以控制栅极驱动电路230。显示控制器240可以从主机系统250接收输入图像数据，并且基于输入图像数据向数据驱动电路220提供图像数据Data。

数据驱动电路220可以从显示控制器240接收数字图像数据Data，将接收的图像数据Data转换为模拟数据信号，并将得到的模拟数据信号提供给多条数据线DL。

栅极驱动电路230可以接收与导通电平电压相对应的第一栅极电压，与截止电平电压相对应的第二栅极电压，以及各种栅极驱动控制信号GCS，并且产生栅极信号，并将产生的栅极信号提供给多条栅极线GL。

在一些示例性实施例中，数据驱动电路220可以连接到带式自动接合(TAB)类型的显示面板110，或者连接到玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型的显示面板110的例如接合焊盘的导电焊盘，或者连接到膜上芯片(COF)类型的显示面板110。

在一些示例性实施例中，栅极驱动电路230可以连接到带式自动接合(TAB)类型的显示面板110，或者连接到玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型的显示面板110的例如接合焊盘的导电焊盘，或者连接到膜上芯片(COF)类型的显示面板110。在另一个示例性实施例中，栅极驱动电路230可以设置在面板内栅极(GIP)类型的显示面板110的非显示区域NDA中。栅极驱动电路230可以设置在基板上或上方，或者连接到基板。也就是说，在GIP类型的情况下，栅极驱动电路230可以设置在基板的非显示区域NDA中。在玻璃上芯片(COG)类型、膜上芯片(COF)类型等的情况下，栅极驱动电路230可以连接到基板。

在一个示例性实施例中，数据驱动电路220和栅极驱动电路230中的至少一个可以设置在显示面板110的显示区域DA中。例如，数据驱动电路220和栅极驱动电路230中的至少一个可以被设置为不与子像素SP重叠，或者被设置为与子像素SP中的一个或多个或者全部重叠。

数据驱动电路220还可以位于但不限于显示面板110的一个部分(例如，上部或下部)中。在一些示例性实施例中，根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路220可以位于但不限于显示面板110的两个部分(例如，上部和下部)或显示面板110的四个部分(例如，上部、下部、左部和右部)中的至少两个部分中。

栅极驱动电路230还可以位于但不限于显示面板110的一个部分(例如，左部或右部)中。在一些示例性实施例中，根据驱动方案、面板设计方案等，栅极驱动电路230可以位于但不限于显示面板110的两个部分(例如，左部和右部)或显示面板110的四个部分(例如，上部、下部、左部和右部)中的至少两个部分中。

显示控制器240可以以与数据驱动电路220分离的组件实现，或者可以与数据驱动电路220集成，从而以集成的电路实现。

显示控制器240可以是在常规显示技术中使用的时序控制器，或者是能够执行除常规时序控制器的功能之外的其他控制功能的控制器或控制装置。在一些示例性实施例中，显示控制器140可以是与时序控制器不同的控制器或控制装置，或者是包含在控制器或控制装置中的电路或组件。显示控制器240可以使用例如集成电路(IC)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、处理器等的各种电路或电子组件实现。

显示控制器240可以安装在印刷电路板、柔性印刷电路等上，并通过印刷电路板、柔性印刷电路等电连接到栅极驱动电路220和数据驱动电路230。

显示控制器240可以通过一个或多个预定接口向数据驱动电路220传输信号，并从数据驱动电路220接收信号。在一些示例性实施例中，这种接口可以包括低压差分信号(LVDS)接口、内嵌式时钟点对点接口(EPI)、串行外围设备接口(SPI)等。

为了进一步提供触摸感测功能以及图像显示功能，根据本公开的方面的显示装置100可以包括至少一个触摸传感器，以及能够通过感测触摸传感器检测例如手指、笔等的触摸物体是否发生触摸事件，或检测相应触摸位置的触摸感测电路。

触摸感测电路可以包括能够通过驱动和感测触摸传感器来产生和提供触摸感测数据的触摸驱动电路260，还可以包括能够使用触摸感测数据检测触摸事件的发生或检测触摸位置的触摸控制器270等。

触摸传感器可以包括多个触摸电极。触摸传感器可以进一步包括用于将多个触摸电极电连接到触摸驱动电路260的多条触摸线。

触摸传感器可以设置在触摸面板中或者以触摸面板的形式设置在显示面板110的外部，或者可以设置在显示面板110的内部。当触摸传感器设置在触摸面板中或者以触摸面板的形式设置在显示面板110的外部时，这种触摸传感器被称为附加型(add-on)。当设置附加型的触摸传感器时，触摸面板和显示面板110可以单独制造并在组装过程中组合。附加型的触摸面板可以包括触摸面板基板和触摸面板基板上的多个触摸电极。

为了使触摸传感器设置在显示面板110的内部，制造显示面板110的工艺可以包括将触摸传感器以及与驱动显示装置相关的信号线和电极设置在基板SUB上。

触摸驱动电路260可以向多个触摸电极中的至少一个提供触摸驱动信号，并感测多个触摸电极中的至少一个以产生触摸感测数据。

触摸感测电路可以使用自电容感测方法或互电容感测方法执行触摸感测。

当触摸感测电路以自电容感测方法执行触摸感测时，触摸感测电路可以基于各个触摸电极与触摸物体(例如，手指或笔)之间的电容执行触摸感测。根据自电容感测方法，多个触摸电极中的每一个都可以用作驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路260可以驱动多个触摸电极中的全部触摸电极或一部分触摸电极，并感测多个触摸电极中的全部触摸电极或一部分触摸电极。

当触摸感测电路以互电容感测方法执行触摸感测时，触摸感测电路可以基于触摸电极之间的电容执行触摸感测。根据互电容感测方法，多个触摸电极分为驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路260可以使驱动触摸电极驱动并使感测触摸电极感测。

包含在触摸感测电路中的触摸驱动电路260和触摸控制器270可以以单独的装置或单个装置实现。此外，触摸驱动电路260和数据驱动电路220可以以单独的装置或单个装置实现。

显示装置100可以进一步包括用于向显示驱动电路和/或触摸感测电路提供各种类型的电力的电源电路。

根据本公开的方面的显示装置100可以是，例如，智能手机、平板电脑等的移动终端，或者是监视器、电视(TV)等。这种装置可以具有各种类型、尺寸和形状。根据本公开的示例性实施例的显示装置100不限于此，并且包括用于显示信息或图像的各种类型、尺寸和形状的显示器。

如上所述，显示面板110的显示区域DA可以包括非光学区域NA以及一个或多个光学区域OA1和OA2。非光学区域NA以及一个或多个光学区域OA1和OA2是可以显示图像的区域。然而，非光学区域NA是不需要实现透光结构的区域，一个或多个光学区域OA1和OA2是需要实现透光结构的区域。

如上文关于图1A、图1B和图1C的示例所述，尽管，除了非光学区域NA之外，显示面板110的显示区域DA可以包括一个或多个光学区域OA1和OA2，但为了便于描述，在下面的讨论中，假定显示区域DA包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2以及非光学区域NA，其非光学区域NA包括图1A、图1B和图1C中的非光学区域NA，其第一光学区域OA1以及第二光学区域OA2分别包括图1A、图1B和图1C中的第一光学区域OA1以及图1B和图1C中的第二光学区域OA2，除非另有明确说明。

图3示出了根据本公开的方面的显示面板110中的子像素SP的示例性等效电路。

设置在包含在显示面板110的显示区域DA中的非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每个子像素SP可以包括发光元件ED，用于驱动发光元件ED的驱动晶体管DRT，用于将数据电压Vdata传输到驱动晶体管DRT的第一节点Nx的扫描晶体管SCT，用于在一帧期间将电压保持在近似恒定电平的存储电容器Cst等。

驱动晶体管DRT可以包括被施加数据电压的第一节点Nx，电连接到发光元件ED的第二节点Ny，以及被施加通过驱动电压线DVL的驱动电压ELVDD的第三节点Nz。在驱动晶体管DRT中，第一节点Nx可以是栅极节点，第二节点Ny可以是源极节点或漏极节点，第三节点Nz可以是漏极节点或源极节点。

发光元件ED可以包括阳极AE、发光层EL和阴极CE。阳极AE可以是设置在每个子像素SP中的像素电极，并且可以电连接到每个子像素SP的驱动晶体管DRT的第二节点Ny。阴极CE可以是共用地设置在多个子像素SP中的公共电极，并且可以向阴极CE施加例如低电平电压的基准电压ELVSS。

例如，阳极AE可以是像素电极，阴极CE可以是公共电极。在另一个示例中，阳极AE可以是公共电极，阴极CE可以是像素电极。为了便于描述，在下面的讨论中，假定阳极AE是像素电极，阴极CE是公共电极，除非另有明确说明。

例如，发光元件ED可以是有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管、量子点发光元件等。当有机发光二极管用作发光元件ED时，其发光层EL可以包括包含有机材料的有机发光层。

扫描晶体管SCT可以通过作为通过栅极线GL施加的栅极信号的扫描信号SCAN导通和截止，并且电连接在驱动晶体管DRT的第一节点Nx与数据线DL之间。

存储电容器Cst可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点Nx与第二节点Ny之间。

如图3所示，每个子像素SP可以包括两个晶体管(2T：DRT和SCT)以及一个电容器(1C：Cst)(其可以称为“2T1C结构”)，并且在一些情况下，可以进一步包括一个或多个晶体管，或进一步包括一个或多个电容器。

在一个示例性实施例中，可以存在于驱动晶体管DRT的第一节与Nx和第二节点Ny之间的存储电容器Cst可以是有意配置或设计为位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部电容器，例如，寄生电容器(例如，栅极-源极电容(Cgs)或栅极-漏极电容(Cgd))。驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT中的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。

由于每个子像素SP中的电路元件(例如，具体地，发光元件ED)容易受到外部水分或氧气的影响，所以可以在显示面板110中设置封装层ENCAP，以防止外部水分或氧气渗入电路元件(例如，具体地，发光元件ED)中。封装层ENCAP可以被设置为覆盖发光元件ED。

图4示出了包含在根据本公开的方面的显示面板110的显示区域DA中的三个区域NA、OA1、OA2中的子像素SP的示例布置。

参考图4，多个子像素SP可以设置在包含在显示区域DA中的非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个中。

例如，多个子像素SP可以包括发出红色光的红色子像素(Red SP)、发出绿色光的绿色子像素(Green SP)以及发出蓝色光的蓝色子像素(Blue SP)。

因此，非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个可以包括一个或多个红色子像素(Red SP)的一个或多个发光区域EA，一个或多个绿色子像素(GreenSP)的一个或多个发光区域EA，以及一个或多个蓝色子像素(Blue SP)的一个或多个发光区域EA。

参考图4，在一个或多个示例性实施例中，非光学区域NA可以不包括透光结构并且没有包括透光结构，但是非光学区域NA可以包括发光区域EA。然而，在一个或多个示例性实施例中，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2需要包括发光区域EA和透光结构并且因此包括发光区域EA和透光结构。因此，在一个或多个示例性实施例中，第一光学区域OA1可以包括发光区域EA和第一透射区域TA1，第二光学区域OA2可以包括发光区域EA和第二透射区域TA2。

发光区域EA以及透射区域TA1和TA2可以根据是否允许光的透射而不同。也就是说，发光区域EA可以是不允许光透射(例如，不允许光透射到显示面板的背面)的区域，而透射区域TA1和TA2可以是允许光透射(例如，允许光透射到显示面板的背面)的区域。

发光区域EA以及透射区域TA1和TA2也可以根据是否包括特定金属层而不同。例如，可以在发光区域EA中设置阴极(例如，图3的阴极CE)，并且可以不在透射区域TA1和TA2中设置阴极并且不在透射区域TA1和TA2中设置阴极。此外，在一个或多个示例性实施例中，可以在发光区域EA中设置遮光层，并且可以不在透射区域TA1和TA2中设置遮光层，并且不在透射区域TA1和TA2中设置遮光层。

由于第一光学区域OA1包括第一透射区域TA1，第二光学区域OA2包括第二透射区域TA2，所以第一光学区域OA1和第二光学区域OA2都是光可以通过的区域。

在一个示例性实施例中，第一光学区域OA1的透射率(透射程度)和第二光学区域OA2的透射率(透射程度)可以基本相等。在这种情况下，在一个示例中，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2可以具有基本相同的形状或尺寸。在另一个示例中，即使在第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有不同的形状或尺寸时，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的比率和第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的比率也可以基本相等。在一个示例中，每个第一透射区域TA1具有相同的形状和尺寸。在一个示例中，每个第二透射区域TA2具有相同的形状和尺寸。第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的比率可以指显示面板110中的所有OA1中的所有TA1的总面积与显示面板110的所有OA1的总面积之比。第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的比率可以指显示面板110的所有OA2中的所有TA2的总面积与显示面板110的所有OA2的总面积之比。

在另一个示例性实施例中，第一光学区域OA1的透射率(透射程度)和第二光学区域OA2的透射率(透射程度)可以不同。在这种情况下，在一个示例中，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2可以具有不同的形状或尺寸。在另一个示例中，即使在第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有基本相同的形状或尺寸时，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的比率和第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的比率也可以彼此不同。

例如，在与第一光学区域OA1重叠的第一光学电子装置(例如，图1A、图1B和图1C的第一光学电子装置11)是摄像头，并且与第二光学区域OA2重叠的第二光学电子装置(例如，图1B和图1C的第二光学电子装置12)是用于探测图像的传感器的情况下，摄像头可能需要比传感器更多的光。因此，在这种情况下，第一光学区域OA1的透射率(透射程度)可以大于第二光学区域OA2的透射率(透射程度)。此外，在这种情况下，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1的尺寸可以大于第二光学区域OA2的第二透射区域TA2的尺寸。在另一个示例中，即使在第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有基本相同的尺寸时，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的比率也可以大于第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的比率。

为了便于描述，基于第一光学区域OA1的透射率(透射程度)大于第二光学区域OA2的透射率(透射程度)的示例性实施例提供以下讨论。

此外，图4所示的透射区域TA1和TA2可以称为透明区域，术语透射率可以称为透明度。此外，在下面的讨论中，如图4所示，假定第一光学区域OA1和第二光学区域OA2位于显示面板110的显示区域DA的上边缘处，并且被设置为水平地彼此相邻(例如，在上边缘延伸的方向上设置)，除非另有明确说明。

参考图4，设置有第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的一个水平显示区域被称为第一水平显示区域HA1，未设置第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的另一个水平显示区域被称为第二水平显示区域HA2。

参考图4，第一水平显示区域HA1可以包括非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2。第二水平显示区域HA2可以仅包括非光学区域NA。

在一个或多个方面，如上所述的像素密度差异化设计方案可以被应用为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的透射率的一种方法。根据像素密度差异化设计方案，在一个示例性实施例中，显示面板110可以被配置或设计为使得第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的每单位面积的子像素数量大于非光学区域NA的每单位面积的子像素数量。

在另一个示例性实施例中，像素尺寸差异化设计方案可以被应用为用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的透射率的另一种方法。根据像素尺寸差异化设计方案，显示面板110可以被配置或设计为使得第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个的每单位面积的子像素数量等于或接近于非光学区域NA的每单位面积的子像素数量。然而，设置在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的至少一个中的每个子像素SP的尺寸(即，相应发光区域的尺寸)小于设置在非光学区域NA中的每个子像素SP的尺寸(即，相应发光区域的尺寸)。

为了便于描述，基于用于增大第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中至少一个的透射率的两个方案(即，像素密度差异化设计方案和像素尺寸差异化设计方案)中的像素密度差异化设计方案提供以下讨论，除非另有明确说明。

如图4所示，包含在第一光学区域OA1中的子像素SP可以被设置为分布在整个第一光学区域OA1(其边缘区域及其内部区域)上，或者仅设置在第一光学区域OA1的边缘区域中。

类似地，如图4所示，包含在第二光学区域OA2中的子像素SP可以被设置为分布在整个第二光学区域OA2(其边缘区域及其内部区域)上，或者仅设置在第二光学区域OA2的边缘区域中。

图5A示出了根据本公开的方面的显示面板110的第一光学区域OA1和非光学区域NA中的每一个中的信号线的示例布置，图5B示出了根据本公开的方面的显示面板110的第二光学区域OA2和非光学区域NA中的每一个中的信号线的示例布置。

图5A和图5B所示的第一水平显示区域HA1对应于显示面板110的第一水平显示区域HA1的一部分。图5A和图5B所示的第二水平显示区域HA2对应于显示面板110的第二水平显示区域HA2的一部分。

图5A的第一光学区域OA1对应于显示面板110的第一光学区域OA1的一部分，图5B的第二光学区域OA2对应于显示面板110的第二光学区域OA2的一部分。

参考图5A和图5B，第一水平显示区域HA1可以包括非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2。第二水平显示区域HA2可以包括非光学区域NA。

各种类型的水平线HL1和HL2以及各种类型的垂直线VLn、VL1和VL2可以设置在显示面板110中。

在一些示例性实施例中，术语“水平”和术语“垂直”用于指与显示面板相交的两个方向。然而，应当注意，水平方向和垂直方向可以根据观看方向而改变。例如，水平方向可以指一条栅极线GL设置延伸的方向，例如，垂直方向可以指一条数据线DL设置延伸的方向。因此，术语水平和术语垂直用于表示两个方向。

参考图5A和图5B，设置在显示面板110中的水平线可以包括设置在第一水平显示区域HA1中的第一水平线HL1和设置在第二水平显示区域HA2上的第二水平线HL2。

设置在显示面板110中的水平线可以是栅极线GL。也就是说，第一水平线HL1和第二水平线HL2可以是栅极线GL。根据一个或多个子像素SP的结构，栅极线GL可以包括各种类型的栅极线。

参考图5A和图5B，设置在显示面板110中的垂直线可以包括仅设置在非光学区域NA中的常规垂直线VLn，穿过第一光学区域OA1和非光学区域NA的第一垂直线VL1，以及穿过第二光学区域OA2和非光学区域NA的第二垂直线VL2。

设置在显示面板110中的垂直线可以包括数据线DL、驱动电压线DVL等，并且可以进一步包括基准电压线、初始化电压线等。也就是说，常规垂直线VLn、第一垂直线VL1和第二垂直线VL2可以包括数据线DL、驱动电压线DVL等，并且可以进一步包括基准电压线、初始化电压线等。

在一些示例性实施例中，应当注意，第二水平线HL2中的术语“水平”可以仅指信号从显示面板的左侧传输到右侧(或从右侧传输到左侧)，并且可以不指第二水平线HL2仅在直的水平方向上沿直线延伸。例如，在图5A和图5B中，尽管第二水平线HL2以直线示出，但是一条或多条第二水平线HL2可以包括不同于图5A和图5B所示配置的一个或多个弯曲或折叠部分。类似地，一条或多条第一水平线HL1也可以包括一个或多个弯曲或折叠部分。

在一些示例性实施例中，应当注意，常规垂直线VLn中的术语“垂直”可以仅指信号从显示面板的上部传输到下部(或从下部传输到上部)，并且可以不指常规垂直线VLn仅在直的垂直方向上沿直线延伸。例如，在图5A和图5B中，尽管常规垂直线VLn以直线示出，但一条或多条常规垂直线VLn可以包括不同于图5A和图5B所示配置的一个或多个弯曲或折叠部分。类似地，一条或多条第一垂直线VL1和一条或多条第二垂直线VL2也可以包括一个或多个弯曲或折叠部分。

参考图5A，包含在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1可以包括发光区域EA(例如，见图4)和第一透射区域TA1。在第一光学区域OA1中，第一透射区域TA1的各个外侧区域可以包括相应的发光区域EA。

参考图5A，为了提高第一光学区域OA1的透射率，第一水平线HL1可以穿过第一光学区域OA1，同时避开第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1。因此，穿过第一光学区域OA1的每一条第一水平线HL1可以包括围绕一个或多个第一透射区域TA1的一个或多个各自外边缘延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。

因此，设置在第一水平显示区域HA1中的第一水平线HL1和设置在第二水平显示区域HA2中的第二水平线HL2可以具有不同的形状或长度。也就是说，穿过第一光学区域OA1的第一水平线HL1和不穿过第一光学区域OA1的第二水平线HL2可以具有不同的形状或长度。

此外，为了提高第一光学区域OA1的透射率，第一垂直线VL1可以穿过第一光学区域OA1，同时避开第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1。因此，穿过第一光学区域OA1的每一条第一垂直线VL1可以包括围绕一个或多个第一透射区域TA1的一个或多个各自外边缘延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。

因此，穿过第一光学区域OA1的第一垂直线VL1和不穿过第一光学区域OA1的设置在非光学区域NA中的常规垂直线VLn可以具有不同的形状或长度。

参考图5A，包含在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以在对角线方向上设置。

参考图5A，在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中，一个或多个发光区域EA可以设置在两个水平相邻的第一透射区域TA1之间。在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中，一个或多个发光区域EA可以设置在两个垂直相邻的第一透射区域TA1之间。

参考图5A，设置在第一水平显示区域HA1中的每一条第一水平线HL1(即，穿过第一光学区域OA1的每一条第一水平线HL1)可以包括围绕一个或多个第一透射区域TA1的一个或多个各自外边缘延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。

参考图5B，包含在第一水平显示区域HA1中的第二光学区域OA2可以包括发光区域EA和第二透射区域TA2。在第二光学区域OA2中，第二透射区域TA2的各个外侧区域可以包括相应的发光区域EA。

在一个示例性实施例中，第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2的位置和布置可以与图5A的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1基本相同。

在另一个示例性实施例中，如图5B所示，第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2的位置和布置可以不同于图5A的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1。

例如，参考图5B，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以布置在水平方向(从左到右(或从右到左)方向)上。在该示例中，在水平方向上彼此相邻的两个第二透射区域TA2之间不设置发光区域EA并且在水平方向上彼此相邻的两个第二透射区域TA2之间可以不设置发光区域EA。此外，第二光学区域OA2中的一个或多个发光区域EA可以设置在垂直方向(从上到下或从下到上的方向)上彼此相邻的第二透射区域TA2之间。也就是说，一个或多个发光区域EA可以设置在两行第二透射区域之间。

在一个示例性实施例中，当第一水平线HL1穿过第一水平显示区域HA1中的第二光学区域OA2以及与第二光学区域OA2相邻的非光学区域NA时，第一水平线HL1可以具有与图5A基本相同的布置。

在另一个示例性实施例中，如图5B所示，当第一水平线HL1穿过第一水平显示区域HA1中的第二光学区域OA2以及与第二光学区域OA2相邻的非光学区域NA时，第一水平线HL1可以具有不同于图5A的布置。这是因为图5B的第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2的位置和布置不同于图5A的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1。

参考图5B，当第一水平线HL1穿过第一水平显示区域HA1中的第二光学区域OA2以及与第二光学区域OA2相邻的非光学区域NA时，第一水平线HL1可以以直线在垂直相邻的第二透射区域TA2之间延伸，而不具有弯曲或弯折部分。换句话说，在一个或多个示例中，一条第一水平线HL1在第一光学区域OA1中可以具有一个或多个弯曲或弯折部分，但在第二光学区域OA2中可以不具有弯曲或弯折部分并且不具有弯曲或弯折部分。

为了提高第二光学区域OA2的透射率，第二垂直线VL2可以穿过第二光学区域OA2，同时避开第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2。因此，穿过第二光学区域OA2的每一条第二垂直线VL2可以包括围绕一个或多个第二透射区域TA2的一个或多个各自外边缘延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。

因此，穿过第二光学区域OA2的第二垂直线VL2和不穿过第二光学区域OA2的设置在非光学区域NA中的常规垂直线VLn可以具有不同的形状或长度。

如图5A所示，穿过第一光学区域OA1的每一条或者一条或多条第一水平线HL1可以具有围绕一个或多个第一透射区域TA1的一个或多个各自外边缘延伸的一个或多个弯曲或弯折部分。

因此，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的长度可以略大于不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的第二水平线HL2的长度。参考图4、图5A和图5B，穿过第一光学区域OA1的第一水平线HL1也穿过第二光学区域OA2。更具体地，第一水平线HL1包括位于第一光学区域OA1中的部分，位于第二光学区域OA2中的部分，以及位于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2外围的部分。在第一水平线HL1中，位于第一光学区域OA1中的部分可以是弯曲的，位于第二光学区域OA2中的部分可以是直的或弯曲的，位于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2外围的部分可以是直的。因为第一水平线HL1的至少位于第一光学区域OA1中的部分是弯曲的，所以第一水平线HL1的长度可以大于第二水平线HL2(其所有部分都是直的)的长度。

因此，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的电阻(称为第一电阻)可以略大于不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的第二水平线HL2的电阻(称为第二电阻)。在第一水平线HL1中，位于第一光学区域OA1中的部分可以是弯曲的，位于第二光学区域OA2中的部分可以是直的或弯曲的，位于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2外围的部分可以是直的。因为第一水平线HL1的至少位于第一光学区域OA1中的部分是弯曲的，所以第一水平线HL1的电阻可以大于第二水平线HL2(其所有部分都是直的)的电阻。

参考图5A和图5B，根据示例透光结构，与第一光学电子装置11至少部分重叠的第一光学区域OA1包括第一透射区域TA1，与第二光学电子装置12至少部分重叠的第二光学区域OA2包括第二透射区域TA2。因此，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。

因此，连接到穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的每一条或者一条或多条第一水平线HL1的子像素的数量可以不同于连接到不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的每一条或者一条或多条第二水平线HL2的子像素的数量。

连接到穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的每一条或者一条或多条第一水平线HL1的子像素的数量(称为第一数量)可以小于连接到不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的每一条或者一条或多条第二水平线HL2的子像素的数量(称为第二数量)。

根据第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个的分辨率与非光学区域NA的分辨率之差，第一数量与第二数量之差可以有所不同。例如，随着第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个的分辨率与非光学区域NA的分辨率之差增大，第一数量与第二数量之差可以增大。

如上所述，由于连接到穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的每一条或者一条或多条第一水平线HL1的子像素的数量(第一数量)小于连接到不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的每一条或者一条或多条第二水平线HL2的子像素的数量(第二数量)，所以第一水平线HL1和与第一水平线HL1相邻的一个或多个其他电极或线重叠的区域可以小于第二水平线HL2和与第二水平线HL2相邻的一个或多个其他电极或线重叠的区域。

因此，在第一水平线HL1和与第一水平线HL1相邻的一个或多个其他电极或线之间形成的寄生电容(称为第一电容)可以远小于在第二水平线HL2和与第二水平线HL2相邻的一个或多个其他电极或线之间形成的寄生电容(称为第二电容)。

考虑到第一电阻与第二电阻之间的大小关系(第一电阻≥第二电阻)以及第一电容与第二电容之间的大小关系(第一电容<<第二电容)，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的电阻-电容(RC)值(称为第一RC值)可以远小于不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的仅设置在非光学区域NA中的第二水平线HL2的RC值(称为第二RC值)。因此，在该示例中，第一RC值远小于第二RC值(即，第一RC值<<第二RC值)。

由于第一水平线HL1的第一RC值与第二水平线HL2的第二RC值之间的这种差异(称为RC负载差异化)，通过第一水平线HL1的信号传输特征可以不同于通过第二水平线HL2的信号传输特征。

图6和图7是包含在根据本公开的方面的显示面板110的显示区域DA中的第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和非光学区域NA中的每一个的示例横截面图。

图6示出了触摸传感器以触摸面板的形式存在于显示面板110外部的示例中的显示面板110。图7示出了触摸传感器TS存在于显示面板110内部的示例中的显示面板110。

图6和图7中的每一个示出了包含在显示区域DA中的非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的示例横截面图。

首先，将参考图6和图7描述非光学区域NA的层叠结构。包含在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的各个发光区域EA可以具有与非光学区域NA或非光学区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。

参考图6和图7，基板SUB可以包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2。层间绝缘层IPD可以位于第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。由于基板SUB包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2，所以基板SUB可以防止水分渗透。例如，第一基板SUB1和第二基板SUB2可以是聚酰亚胺(PI)基板。第一基板SUB1可以称为主要PI基板，第二基板SUB2可以称为次要PI基板。

参考图6和图7，用于设置例如驱动晶体管DRT等的一个或多个晶体管的各种类型的图案ACT、SD1、GATE，各种类型的绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0，以及各种类型的金属图案TM、GM、ML1、ML2可以设置在基板SUB上或上方。

参考图6和图7，多层缓冲层MBUF可以设置在第二基板SUB2上，第一有源缓冲层ABUF1可以设置在多层缓冲层MBUF上。

第一金属层ML1和第二金属层ML2可以设置在第一有源缓冲层ABUF1上。例如，第一金属层ML1和第二金属层ML2可以是用于屏蔽光的遮光层LS。

第二有源缓冲层ABUF2可以设置在第一金属层ML1和第二金属层ML2上。驱动晶体管DRT的有源层ACT可以设置在第二有源缓冲层ABUF2上。

栅极绝缘层GI可以被设置为覆盖有源层ACT。驱动晶体管DRT的栅极GATE可以设置在栅极绝缘层GI上。在这种情况下，与驱动晶体管DRT的栅极GATE一起，栅极材料层GM可以在与设置驱动晶体管DRT的位置不同的位置处设置在栅极绝缘层GI上。

第一层间绝缘层ILD1可以被设置为覆盖栅极GATE和栅极材料层GM。金属图案TM可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。金属图案TM可以位于与形成驱动晶体管DRT的位置不同的位置处。第二层间绝缘层ILD2可以被设置为覆盖在第一层间绝缘层ILD1上的金属图案TM。

两个第一源极-漏极图案SD1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。两个第一源极-漏极图案SD1中的一个可以是驱动晶体管DRT的源极节点，另一个可以是驱动晶体管DRT的漏极节点。

两个第一源极-漏极图案SD1可以通过形成在第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI中的接触孔分别电连接到有源层ACT的第一侧部和第二侧部。

有源层ACT的与栅极GATE重叠的部分可以是沟道区域。两个第一源极-漏极图案SD1中的一个可以连接到有源层ACT的沟道区域的第一侧部，两个第一源极-漏极图案SD1中的另一个可以连接到有源层ACT的沟道区域的第二侧部。

钝化层PAS0可以被设置为覆盖两个第一源极-漏极图案SD1。平坦化层PLN可以设置在钝化层PAS0上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2。第一平坦化层PLN1可以设置在钝化层PAS0上。

第二源极-漏极图案SD2可以设置在第一平坦化层PLN1上。第二源极-漏极图案SD2可以通过形成在第一平坦化层PLN1中的接触孔连接到两个第一源极-漏极图案SD1中的一个(对应于图3的子像素SP中的驱动晶体管DRT的第二节点Ny)。

第二平坦化层PLN2可以被设置为覆盖第二源极-漏极图案SD2。发光元件ED可以设置在第二平坦化层PLN2上。

根据发光元件ED的示例层叠结构，阳极AE可以设置在第二平坦化层PLN2上。阳极AE可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的接触孔电连接到第二源极-漏极图案SD2。

堤部BANK可以被设置为覆盖阳极AE的一部分。堤部BANK的与子像素SP的发光区域EA相对应的部分可以是开放的。阳极AE的一部分可以通过堤部BANK的开口(开放部分)暴露。发光层EL可以位于堤部BANK的侧面和堤部BANK的开口(开放部分)中。发光层EL的全部或至少一部分可以位于相邻堤部之间。在堤部BANK的开口中，发光层EL可以与阳极AE接触。阴极CE可以设置在发光层EL上。

如上所述，发光元件ED可以通过包括阳极AE、发光层EL和阴极CE来形成。发光层EL可以包括有机层。

封装层ENCAP可以设置在发光元件ED的层叠结构上。封装层ENCAP可以具有单层结构或多层结构。例如，如图6和图7所示，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。例如，第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是无机层，例如，第二封装层PCL可以是有机层。在第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2中，第二封装层PCL可以是最厚的，并且可以用作平坦化层。

第一封装层PAS1可以设置在阴极CE上，并且可以设置为最靠近发光元件ED。第一封装层PAS1可以包含能够使用低温沉积方法沉积的无机绝缘材料。例如，第一封装层PAS1可以包含但不限于硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、硅氮氧化物(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)等。由于第一封装层PAS1可以在低温环境下沉积，所以在沉积过程中，第一封装层PAS1可以防止包含易受高温环境影响的有机材料的发光层EL受到损坏。

第二封装层PCL的面积可以小于第一封装层PAS1。在这种情况下，第二封装层PCL可以被设置为暴露第一封装层PAS1的两个端部或边缘。第二封装层PCL可以用作用于在显示装置100弯曲或弯折时释放相应层之间的应力的缓冲层，并且还可以用于增强平坦化性能。例如，第二封装层PCL可以包含例如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、硅碳氧化物(SiOC)等的有机绝缘材料。例如，可以使用喷墨方案设置第二封装层PCL。

第三封装层PAS2可以设置在设置有第二封装层PCL的基板SUB上，以覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的各自的上表面和侧面。第三封装层PAS2可以最小化或防止外部水分或氧气渗入第一封装层PAS1和第二封装层PCL中。例如，第三封装层PAS2可以包含例如硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、硅氮氧化物(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)等的无机绝缘材料。

参考图7，在触摸传感器TS嵌入显示面板110中的示例中，触摸传感器TS可以设置在封装层ENCAP上。以下将详细描述触摸传感器的结构。

触摸缓冲层T-BUF可以设置在封装层ENCAP上。触摸传感器TS可以设置在触摸缓冲层T-BUF上。

触摸传感器TS可以包括位于不同层中的触摸传感器金属TSM和至少一个桥接金属BRG。触摸层间绝缘层T-ILD可以设置在触摸传感器金属TSM与桥接金属BRG之间。例如，触摸传感器金属TSM可以包括彼此相邻设置的第一触摸传感器金属TSM、第二触摸传感器金属TSM和第三触摸传感器金属TSM。在一个示例性实施例中，第三触摸传感器金属TSM设置在第一触摸传感器金属TSM与第二触摸传感器金属TSM之间，并且第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM需要彼此电连接并且彼此电连接，第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM可以通过位于不同层中的桥接金属BRG彼此电连接。桥接金属BRG可以通过触摸层间绝缘层T-ILD与第三触摸传感器金属TSM绝缘。

当触摸传感器TS设置在显示面板110上时，可能产生或引入在相应工艺中使用的化学溶液(例如，显影剂或蚀刻剂)或来自外部的水分。在一个或多个方面，通过在触摸缓冲层T-BUF上设置触摸传感器TS，本公开的技术方案可以防止化学溶液或水分在触摸传感器TS的制造过程中渗入包含有机材料的发光层EL中。因此，触摸缓冲层T-BUF可以防止对易受化学溶液或水分影响的发光层EL的损坏。

为了防止对包含易受高温影响的包含有机材料的发光层EL的损坏，触摸缓冲层T-BUF可以在低于或等于预定温度(例如，100度(℃))的低温下形成，并且可以使用具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料形成。例如，触摸缓冲层T-BUF可以包含丙烯酸基、环氧基或硅氧烷基材料。当显示装置100弯曲时，封装层ENCAP可能会损坏，并且位于触摸缓冲层T-BUF上的触摸传感器金属可能开裂或断裂。即使当显示装置100弯曲时，作为有机绝缘材料的具有平坦化性能的触摸缓冲层T-BUF也可以防止封装层ENCAP的损坏和/或包含在触摸传感器TS中的金属(TSM、BRG)的开裂或断裂。

保护层PAC可以被设置为覆盖触摸传感器TS。例如，保护层PAC可以是有机绝缘层。

接下来，将参考图6和图7描述第一光学区域OA1的层叠结构。

参考图6和图7，第一光学区域OA1中的发光区域EA可以具有与非光学区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。因此，在下面的讨论中，下面将详细描述第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构，而不重复描述第一光学区域OA1中的发光区域EA。

在一个或多个示例中，阴极CE可以设置在包含在非光学区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中，但在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中可以不设置阴极CE。也就是说，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以对应于阴极CE的开口。

此外，在一个或多个示例中，在包含在非光学区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中可以设置包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS，但在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中可以不设置包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS。也就是说，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以对应于遮光层LS的开口。

基板SUB1和SUB2以及设置在包含在非光学区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中的各种类型的绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1和PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL和PAS2)、T-BUF、T-ILD和PAC可以同样地、基本同样地或类似地设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。

然而，在一个或多个示例性实施例中，设置在包含在非光学区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中的除绝缘材料或层之外的具有电特性的一个或多个材料层(例如，一个或多个金属材料层和/或一个或多个半导体层)中的全部或至少一部分可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。

例如，参考图6和图7，在第一透射区域TA1中可以不设置与至少一个晶体管相关的金属材料层ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1和SD2以及半导体层ACT中的全部或至少一部分。

此外，参考图6和图7，在一个或多个示例性实施例中，可以在第一透射区域TA1中不设置包含在发光元件ED中的阳极AE和阴极CE。在这种情况下，应当注意，根据设计要求，可以在第一透射区域TA1中设置发光元件ED的发光层EL或可以在第一透射区域TA1中不设置发光元件ED的发光层EL。

此外，参考图7，在一个或多个示例性实施例中，在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中可以不设置包含在触摸传感器TS中的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG。

因此，由于在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中不设置具有电特性的材料层(例如，一个或多个金属材料层和/或一个或多个半导体层)，所以可以提供或提高第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的透光率。因此，第一光学电子装置11可以接收透射穿过第一透射区域TA1的光，并且执行相应功能(例如，图像感测)。

在一个或多个方面，由于第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的全部或一部分与第一光学电子装置11重叠，为了使第一光学电子装置11能够正常工作，需要增大第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的透射率。为了实现前述效果，在根据本公开的方面的显示装置100的显示面板110中，可以为第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1设置透射率提高结构TIS。

参考图6和图7，包含在显示面板110中的多个绝缘层可以包括至少一个基板SUB1或SUB2与至少一个晶体管DRT或SCT之间的缓冲层MBUF、ABUF1和ABUF2，晶体管DRT与发光元件ED之间的平坦化层PLN1和PLN2，发光元件ED上的封装层ENCAP等。

参考图7，包含在显示面板110中的多个绝缘层可以进一步包括位于封装层ENCAP上的触摸缓冲层T-BUF和触摸层间绝缘层T-ILD等。

参考图6和图7，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以具有第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0具有从其各自表面向下延伸的凹陷部分作为透射率提高结构TIS的结构。

参考图6和图7，在多个绝缘层中，第一平坦化层PLN1可以包括至少一个凹陷(例如，凹部、沟槽、凹陷部分或突起)。例如，第一平坦化层PLN1可以是有机绝缘层。

在第一平坦化层PLN1具有从其表面向下延伸的凹陷部分的示例中，第二平坦化层PLN2大体上可以用于实施平坦化。在一个示例性实施例中，第二平坦化层PLN2也可以具有从其表面向下延伸的凹陷部分。在这种情况下，第二封装层PCL大体上可以用于实施平坦化。

参考图6和图7，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0的凹陷部分可以穿过绝缘层(例如，用于形成晶体管DRT的第一层间绝缘层ILD、第二层间绝缘层ILD2、栅极绝缘层GI等)以及位于绝缘层下的缓冲层(例如，第一有源缓冲层ABUF1，第二有源缓冲层ABUF2、多层缓冲层MBUF等)，并延伸到第二基板SUB2的上部。

参考图6和图7，基板SUB可以包括至少一个凹部或凹陷部分作为透射率提高结构TIS。例如，在第一透射区域TA1中，第二基板SUB2的上部可以向下凹入或凹陷，或者第二基板SUB2可以被穿孔。

参考图6和图7，包含在封装层ENCAP中的第一封装层PAS1和第二封装层PCL还可以具有第一封装层PAS1和第二封装层PCL具有从其各自表面向下延伸的凹陷部分的透射率提高结构TIS。例如，第二封装层PCL可以是有机绝缘层。

参考图7，为了保护触摸传感器TS，保护层PAC可以被设置为覆盖在封装层ENCAP上的触摸传感器TS。仍然参考图7，保护层PAC可以在与第一透射区域TA1重叠的部分中具有至少一个凹陷(例如，凹部、沟槽、凹陷部分或突起)作为透射率提高结构TIS。例如，保护层PAC可以是有机绝缘层。

参考图7，触摸传感器TS可以包括网格型的一个或多个触摸传感器金属TSM。在触摸传感器金属TSM以网格型形成的示例中，触摸传感器金属TSM中可以存在多个开口。多个开口中的每一个可以被定位为对应于子像素SP的发光区域EA。

为了使第一光学区域OA1具有大于非光学区域NA的透射率，第一光学区域OA1中的每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积可以小于非光学区域NA中的每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积。

参考图7，在一个或多个示例性实施例中，在第一光学区域OA1中的发光区域EA中可以设置触摸传感器TS，但是在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中可以不设置触摸传感器TS。

接下来，将参考图6和图7描述第二光学区域OA2的层叠结构。

参考图6和图7，第二光学区域OA2中的发光区域EA可以具有与非光学区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。因此，在下面的讨论中，下面将详细描述第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构，而不重复描述第二光学区域OA2中的发光区域EA。

在一个或多个示例性实施例中，在包含在非光学区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中可以设置阴极CE，但在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中可以不设置阴极CE。也就是说，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以对应于阴极CE的开口。

此外，在一个或多个示例性实施例中，在包含在非光学区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中可以设置包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS，但在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中可以不设置包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS。也就是说，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以对应于遮光层LS的开口。

当第二光学区域OA2的透射率和第一光学区域OA1的透射率相同时，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构可以与第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构相同。

当第二光学区域OA2的透射率和第一光学区域OA1的透射率不同时，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构可以至少部分不同于第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构。

例如，如图6和图7所示，在一个或多个示例性实施例中，当第二光学区域OA2的透射率小于第一光学区域OA1的透射率时，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以不具有透射率提高结构TIS。因此，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0可以不凹入或凹陷。此外，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的宽度可以小于第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的宽度。

基板SUB1和SUB2以及设置在包含在非光学区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中的各种类型的绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1和PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL和PAS2)、T-BUF、T-ILD和PAC可以同样地、基本同样地或类似地设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。

然而，在一个或多个示例性实施例中，设置在包含在非光学区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中的除绝缘材料或层之外的具有电特性的一个或多个材料层(例如，一个或多个金属材料层和/或一个或多个半导体层)的全部或至少一部分可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。

例如，参考图6和图7，在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中可以不设置与至少一个晶体管相关的金属材料层ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2以及半导体层ACT的全部或至少一部分。

此外，参考图6和图7，在一个或多个示例性实施例中，在第二透射区域TA2中可以不设置包含在发光元件ED中的阳极AE和阴极CE。在这种情况下，应当注意，根据设计要求，在第二透射区域TA2上可以设置发光元件ED的发光层EL或在第二透射区域TA2上可以不设置发光元件ED的发光层EL。

此外，参考图7，在一个或多个示例性实施例中，在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中可以不设置包含在触摸传感器TS中的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG。

因此，由于在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中不设置具有电特性的材料层(例如，一个或多个金属材料层和/或一个或多个半导体层)，所以可以提供或提高第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的透光率。因此，第二光学电子装置12可以接收透射穿过第二透射区域TA2的光，并且执行相应功能(例如，探测物体或人体，或者外部光照探测)。

图8是根据本公开的方面的显示面板的边缘的示例横截面图。

在图8中，示出了表示第一基板SUB1和第二基板SUB2的组合的单个基板SUB，并且简要地示出了位于堤部BANK下的层或部分。在图8中，第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2被表示为一个平坦化层PLN，平坦化层PLN下的第二层间绝缘层ILD2和第一层间绝缘层ILD1被表示为一个层间绝缘层INS。

参考图8，第一封装层PAS1可以设置在阴极CE上，并且设置为最靠近发光元件ED。第二封装层PCL可以具有小于第一封装层PAS1的面积。在这种情况下，第二封装层PCL可以被设置为暴露第一封装层PAS1的两个端部或边缘。第三封装层PAS2可以设置在设置有第二封装层PCL的基板SUB上，以覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的各自的上表面和侧面。第三封装层PAS2可以最小化或防止外部水分或氧气渗入第一封装层PAS1和第二封装层PCL中。

参考图8，为了防止封装层ENCAP塌陷，显示面板110可以包括位于或靠近封装层ENCAP的倾斜表面SLP的端部或边缘的一个或多个坝部DAM1和DAM2。一个或多个坝部DAM1和DAM2可以存在于显示区域DA与非显示区域NDA之间的边界点处或者靠近该边界点。一个或多个坝部DAM1和DAM2可以包含与堤部BANK相同的材料DFP。

参考图8，在一个示例性实施例中，包含有机材料的第二封装层PCL可以仅位于最靠近封装层ENCAP的倾斜表面SLP的第一坝部DAM1的内侧。也就是说，第二封装层PCL可以不位于所有坝部DAM1和DAM2上。在另一个示例性实施例中，包含有机材料的第二封装层PCL可以位于第一坝部DAM1和第二坝部DAM2中的至少一个或两个上。

例如，第二封装层PCL可以仅延伸到第一坝部DAM1的上部的全部或至少一部分。在又一个示例性实施例中，第二封装层PCL可以延伸超过第一坝部DAM1的上部，并延伸到第二坝部DAM2的上部的全部或至少一部分。

参考图8，与图2的触摸驱动电路260电连接的触摸焊盘TP可以设置在基板SUB的与一个或多个坝部DAM1和DAM2的外围相对应的部分上。触摸线TL可以与触摸焊盘TP以及包含在设置在显示区域DA中的触摸电极中或用作触摸电极的触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG电连接。

触摸线TL的一端或一个边缘可以电连接到触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG，触摸线TL的另一端或另一个边缘可以电连接到触摸焊盘TP。触摸线TL可以沿封装层ENCAP的倾斜表面SLP向下延伸，沿坝部DAM1和DAM2的各自的上部延伸，并延伸到设置在坝部DAM1和DAM2外围的触摸焊盘TP。

参考图8，在一个示例性实施例中，触摸线TL可以是桥接金属BRG。在另一个示例性实施例中，触摸线TL可以是触摸传感器金属TSM。

图9示出了根据本公开的方面的显示装置100中的第一光学区域OA1、第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的示例的亮度差异。

参考图9，在包含在显示装置100的显示区域DA中的非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2分别包括第一透射区域TA1和第二透射区域TA2。在该配置中，第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量和第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。

本文描述的每单位面积的子像素数量可以与像素密度、像素的集成程度等具有相同的含义。例如，像素每英寸(PPI)可以用作每单位面积的子像素数量的单位。每单位面积的子像素数量越大，分辨率会越高，每单位面积的子像素数量越小，分辨率会越低。

参考图9，例如，当第一光学区域OA1的至少一部分与图1A、图1B或图1C的第一光学电子装置11重叠，并且第二光学区域OA2的至少一部分与图1B或图1C的第二光学电子装置12重叠时，第一光学电子装置11可能需要接近于或大于第二光学电子装置12所需接收光量的接收光量。在该示例中，第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2可以等于或大于第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量Noa1；第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量Nna；第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量Noa1可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量Nna。因此，Nna、Noa2和Noa1之间的关系可以表示为Nna>Noa2≥Noa1。

如上所述，由于非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间的每单位面积的子像素数量存在差异，所以即使向设置在非光学区域NA中的子像素SP、设置在第一光学区域OA1中的子像素SP和设置在第二光学区域OA2中的子像素SP提供图3的相同数据电压Vdata，非光学区域NA的亮度Lna、第一光学区域OA1的亮度Loa1和第二光学区域OA2的亮度Loa2也可能彼此不同。

参考图9，例如，当非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量Nna大于第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量Noa1和第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2，并且第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2等于或大于第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量Noa1(Nna>Noa2≥Noa1)时，非光学区域NA的亮度Lna可能大于第一光学区域OA1的亮度Loa1和第二光学区域OA2的亮度Loa2，并且第二光学区域OA2的亮度Loa2可能等于或大于第一光学区域OA1的亮度Loa1。因此，Lna、Loa2和Loa1之间的关系可以表示为Lna>Loa2≥Loa1。

如上所述，非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间的亮度差异(亮度不均匀性)可能导致图像质量降低。为了解决这个问题，本公开的示例性实施例提供了一种能够补偿非光学区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间的亮度差异的子像素结构(像素电路)。

在下文中，将详细描述根据本公开的示例性实施例的能够补偿亮度差异的子像素结构。为了便于描述，应当注意，将基于第一光学区域OA1(其中由于每单位面积的子像素数量最小，亮度的降低量可能是最大的)的子像素SP来讨论根据本公开的示例性实施例的能够补偿亮度差异的子像素结构。

图10示出了根据本公开的方面的显示装置100中的第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的示例性等效电路和非光学区域NA中的第二子像素SP2的示例性等效电路。

参考图10，显示面板110的显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和位于第一光学区域OA1外围的非光学区域NA。第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。

参考图9和图10，多个子像素SP可以包括设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1和设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2。第一子像素SP1可以设置在第一光学区域OA1中的除多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA中。在该示例中，第一光学区域OA1中的除多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA可以包括子像素SP的发光区域EA。第一光学区域OA1中的除多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA可以包括设置有子像素SP的像素驱动电路PDC的像素驱动电路区域。在第一光学区域OA1中的除多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA中，发光区域EA和像素驱动电路区域可以彼此重叠。

参考图10，在根据本公开的方面的显示装置100中，设置在显示区域DA中用于显示图像的多个子像素SP中的每一个可以包括第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3和第四节点N4作为驱动子像素SP所需的电节点。

参考图10，多个子像素SP中的每一个可以包括：发光元件ED，连接到第四节点N4；驱动晶体管DRT，通过第二节点N2处的电压控制并且能够驱动发光元件ED；第一晶体管T1，通过经由第一扫描线SCL1(n)提供的第一扫描信号SC1(n)控制并且能够控制第二节点N2与第三节点N3之间的连接；第二晶体管T2，通过经由发光控制线EML(n)提供的发光控制信号EM(n)控制并且能够控制第一节点N1与驱动电压线DVL之间的连接；第三晶体管T3，通过发光控制信号EM(n)控制并且能够控制第三节点N3和第四节点N4之间的连接。

参考图10，多个子像素SP中的每一个可以进一步包括能够控制第一节点N1与第一数据线DL1之间的连接的第四晶体管T4，能够控制第二节点N2与第一初始化线IVL之间的连接的第五晶体管T5，能够控制第四节点N4与第二初始化线VARL之间的连接的第六晶体管T6，以及连接在第二节点N2与驱动电压线DVL之间的存储电容器Cst。

第四晶体管T4可以通过经由第二扫描线SCL2(n)提供的第二扫描信号SC2(n)导通或截止。第五晶体管T5可以通过经由第n-2级的第一扫描线SCL1(n-2)提供的第n-2级的第一扫描信号SC1(n-2)导通或截止。第六晶体管T6可以通过经由第二扫描线SCL2(n)提供的第二扫描信号SC2(n)导通或截止。此外，第六晶体管T6可以通过经由第n+1级的第二扫描线SCL2(n+1)提供的第n+1级的第二扫描信号SC2(n+1)导通或截止。

向图10中的第一晶体管T1至第六晶体管T6中的每一个的栅极节点提供的栅极信号SC1(n)、SC2(n)、SC1(n-2)和EM(n)可以是合成的或单独的。

如图10所示，第一晶体管T1和第五晶体管T5可以是n型晶体管，并且驱动晶体管DRT、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第六晶体管T6可以是p型晶体管。这种具有不同类型晶体管的配置仅是为了便于描述的示例，并且可以进行各种修改。例如，所有七个晶体管(DRT以及T1至T6)可以是n型晶体管或p型晶体管。在另一个示例中，七个晶体管(DRT以及T1至T6)中的一些可以是n型晶体管，而其他可以是p型晶体管。

如图10所示，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1包括七个晶体管(DRT以及T1至T6)和存储电容器Cst，设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2也可以包括七个晶体管(DRT以及T1至T6)和存储电容器Cst。

参考图10，在根据本公开的方面的显示装置100中，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以包括亮度差异补偿结构，设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2可以不包括这种亮度差异补偿结构。

参考图10，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以具有用于补偿亮度差异的结构，使得设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的节点N2可以与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条电容耦合。

参考图10，由于设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2可以不具有用于补偿亮度差异的结构，所以设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2的节点N2可以不与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)电容耦合。

参考图10，在根据本公开的方面的显示装置100中，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以具有第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条电容耦合的结构。该结构可以称为亮度差异补偿结构。

更具体地，参考图10，在根据本公开的方面的显示装置100中，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以包括配置在第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)之间的第一补偿电容器C1以及配置在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第二补偿电容器C2中的至少一个。

在根据本公开的方面的显示装置100中，包含在设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1中的亮度差异补偿结构可以包括第一补偿电容器C1与第二补偿电容器C2中的至少一个。

参考图10，在根据本公开的方面的显示装置100中，不具有亮度差异补偿结构的设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2可以不包括配置在第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)之间的第一补偿电容器C1以及配置在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第二补偿电容器C2中的至少一个。

如上所述，作为第一亮度差异补偿结构，为了补偿亮度差异，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以包括配置在第二节点N2与第一扫描线SCL1之间的第一补偿电容器C1。

此外，作为第二亮度差异补偿结构，为了补偿亮度差异，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以包括配置在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第二补偿电容器C2。

此外，作为第三亮度差异补偿结构，为了补偿亮度差异，设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1可以包括配置在第二节点N2与第一扫描线SCL1之间的第一补偿电容器C1以及配置在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第二补偿电容器C2。

在一个或多个方面，第一亮度差异补偿结构中的第一补偿电容器C1的电容，第二亮度差异补偿结构中的第二补偿电容器C2的电容，以及第三亮度差异补偿结构中的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的合成电容具有用于补偿亮度差异的值，并且需要相等。

在第三亮度差异补偿结构中，如果第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的合成电容可以保持相等，则第一补偿电容器C1的第一电容和第二补偿电容器C2的第二电容可以以预定比例分布。例如，第一补偿电容器C1的第一电容和第二补偿电容器C2的第二电容可以彼此相等。在另一个示例中，第一补偿电容器C1的第一电容和第二补偿电容器C2的第二电容可以彼此不同。

将简要描述通过设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的亮度差异补偿结构来减小第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异的原理，并且将参考其他附图描述更详细的讨论。

通过第一数据线DL1的第一数据电压Vdata可以施加到设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1，通过第二数据线DL2或第一数据线DL1的第二数据电压Vdata可以施加到设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2。如图10所示，第二子像素SP2可以位于与第一子像素SP1不同的列中。在这种情况下，第二子像素SP2可以连接到不同于与第一子像素SP1连接的第一数据线DL1的第二数据线DL2。或者，第二子像素SP2可以位于NA中，并且与第一子像素SP1位于同一列中。在这种情况下，第二子像素SP2和第一子像素SP1可以均连接到第一数据线DL1。

当第一数据电压Vdata与第二数据电压Vdata相同时，第一子像素SP1的发光时段期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以大于第二子像素SP2的发光时段期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差。

由于通过用作设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的亮度差异补偿结构的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2中的至少一个发生的反冲，可以降低第一子像素SP1中的驱动晶体管DRT的栅极电压。因此，第一子像素SP1的发光时段期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以变得大于第二子像素SP2的发光时段期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差。在该示例中，驱动晶体管DRT的栅极电压是第二节点N2处的电压。

在根据本公开的方面的显示装置100中，由于补偿电容器C1和C2配置在设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1中，并且通过补偿电容器C1和C2对第一子像素SP1中的驱动晶体管DRT的栅极电压产生反冲，所以第一子像素SP1中的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以增大。因此，设置在第一光学区域OA1中的一个第一子像素SP1可以发出比设置在非光学区域NA中的一个第二子像素SP2更明亮的光。因此，具有相对较小的每单位面积的子像素数量的第一光学区域OA1的亮度(或亮度等级)可以变得接近于具有相对较大的每单位面积的子像素数量的非光学区域NA的亮度。

也就是说，尽管设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的总数较少，但是由于设置在第一光学区域OA1中的每个第一子像素SP1发出的光更明亮，所以第一光学区域OA1的整体亮度(或亮度等级)可以变得接近于非光学区域NA的整体亮度。

如上所述，随着第一光学区域OA1的整体亮度变得接近于非光学区域NA的亮度，第一光学区域OA1的亮度Loa1与非光学区域NA的亮度Lna之差可以小于由于反冲而发出更明亮的光的第一子像素SP1与不发生反冲的第二子像素SP2之间的亮度差异。也就是说，第一光学区域OA1的亮度Loa1与非光学区域NA的亮度Lna之差可以小于基于第一数据电压Vdata的第一子像素SP1的亮度与基于第二数据电压Vdata的第二子像素SP2的亮度之差。

在一个或多个示例性实施例中，图10所示的子像素SP1、SP2包括七个晶体管(DRT以及T1至T6)，并且七个晶体管(DRT以及T1至T6)的有源层(或源极/漏极/栅极)可以全部形成在同一层中，或者，七个晶体管(DRT以及T1至T6)中的至少一些的有源层(或源极/漏极/栅极)可以形成在与其余晶体管的有源层(或源极/漏极/栅极)不同的层中。

例如，在七个晶体管(DRT以及T1至T6)的有源层(或源极/漏极/栅极)均设置在同一层中的情况下，七个晶体管(DRT以及T1至T6)的有源层可以包含低温多晶硅(LTPS)半导体或氧化物半导体。

在另一个示例中，七个晶体管(DRT以及T1至T6)中的至少一些的有源层可以设置在第一层中，其余晶体管的有源层可以设置在高于第一层或不同于第一层的第二层中。例如，设置在第一层中的有源层可以包含低温多晶硅(LTPS)半导体，设置在第二层中的有源层可以包含氧化物半导体。在另一个示例中，设置在第一层中的有源层可以包含氧化物半导体，设置在第二层中的有源层可以包含低温多晶硅(LTPS)半导体。

在下文中，将参考图11和图12A至图12I更详细地描述根据本公开的方面的显示装置100中的子像素的驱动方法。关于显示装置100中的子像素的驱动方法，第一光学区域OA1的第一子像素SP1的驱动方法可以与非光学区域NA的第二子像素SP2的驱动方法相同。因此，作为代表性方法将描述第一光学区域OA1的第一子像素SP1的驱动方法。

图11示出了根据本公开的方面的显示装置100中的第一子像素SP1的示例驱动时序图，图12A至图12I示出了当根据图11的驱动时序图驱动第一子像素SP1时，第一子像素SP1在具体驱动时段S0至S8中的每一个中的示例驱动情况。

参考图11，在前一帧中的第一子像素SP1发光的前一发光时段S0结束之后，当前帧中的第一子像素SP1的驱动时段可以包括八个时段(即，第一时段S1至第八时段S8)，这是根据栅极信号(EM(n)、SC1(n-2)、SC1(n)和SC2(n))的电压电平变化对驱动时段进行细分的结果。

参考图11，在八个时段(第一时段S1至第八时段S8)中，第二时段S2、第五时段S5和第八时段S8可以分别是初始化时段、感测时段和发光时段。包括第一时段S1、第二时段S2和第三时段S3的时段也可以称为初始化时段。

参考图11，在根据本公开的方面的显示装置100中，第六时段S6变为第七时段S7的第一反冲时间可以是与第一补偿电容器C1相关的反冲时间，第七时段S7变为第八时段S8的第二反冲时间可以是与第二补偿电容器C2相关的反冲时间。

在下面的讨论中，将参考图11和图12A至图12I描述在前一帧的前一发光时段S0以及当前帧的八个时段(第一时段S1至第八时段S8)中的第一子像素的驱动。

根据图10的示例，在包含在第一子像素SP1中的七个晶体管(DRT以及T1至T6)中，第一晶体管T1和第五晶体管T5可以是n型晶体管，其余晶体管(DRT，T2至T4，以及T6)可以是p型晶体管。

因此，第n-第一扫描信号SC1(n)和第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)中的每一个的导通电平电压可以是高电平电压HIGH，第n-第一扫描信号SC1(n)和第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)中的每一个的截止电平电压可以是低电平电压LOW。

此外，第n发光控制信号EM(n)和第n-第二扫描信号SC2(n)中的每一个的导通电平电压可以是低电平电压LOW，第n发光控制信号EM(n)和第n-第二扫描信号SC2(n)中的每一个的截止电平电压可以是高电平电压HIGH。

参考图11和图12A，在前一帧中的前一发光时段S0期间，第n发光控制信号EM(n)、第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)、第n-第一扫描信号SC1(n)和第n-第二扫描信号SC2(n)可以分别等于低电平电压LOW、低电平电压LOW、低电平电压LOW和高电平电压HIGH。

因此，在前一发光时段S0期间，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以导通或保持导通，并且第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以截止或保持截止。在下文中，晶体管导通或保持导通的状态可以称为“导通状态”，晶体管截止或保持截止的状态可以称为“截止状态”

在前一发光时段S0期间，由于第二晶体管T2导通，所以可以将通过驱动电压线DVL提供的驱动电压ELVDD施加到第一节点N1。

在前一发光时段S0期间，驱动晶体管DRT可以通过导通的第三晶体管T3向发光元件ED提供驱动电流。然后，发光元件ED可以发光。

参考图11和图12B，在当前帧中的第一时段S1期间，第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)、第n-第一扫描信号SC1(n)和第n-第二扫描信号SC2(n)可以分别等于低电平电压LOW、低电平电压LOW和高电平电压HIGH。当第一时段S1开始时，第n发光控制信号EM(n)可以从低电平电压LOW变为高电平电压HIGH。

因此，在第一时段S1期间，第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以处于截止状态。当第一时段S1开始时，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以截止。

在第一时段S1期间，由于包含在第一子像素SP1中的所有晶体管(DRT以及T1至T6)处于截止状态，所以第一子像素SP1可以被初始化。也就是说，第一时段S1可以包含在用于初始化第一子像素SP1的驱动的初始化时段中。

参考图11和图12C，在第二时段S2期间，第n发光控制信号EM(n)、第n-第一扫描信号SC1(n)和第n-第二扫描信号SC2(n)可以分别等于高电平电压HIGH、低电平电压LOW和高电平电压HIGH。当第二时段S2开始时，第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)可以从低电平电压LOW变为高电平电压HIGH。

因此，在第二时段S2期间，第一晶体管T1至第四晶体管T4以及第六晶体管T6可以处于截止状态，并且第五晶体管T5可以导通。

在第二时段S2期间，通过第一初始化线IVL提供的第一初始化电压VINI可以通过导通的第五晶体管T5施加到第二节点N2。第一初始化电压VINI可以是能够导通p型驱动晶体管DRT的低电平电压。因此，在第二时段S2期间，驱动晶体管DRT可以导通。

第二时段S2可以包含在初始化时段中，在初始化时段中，由于第一初始化电压VINI被施加到第二节点N2，所以第一子像素SP1的驱动被初始化。第二节点N2可以对应于第二晶体管DRT的栅极节点。

参考图11和图12D，在第三时段S3期间，第n发光控制信号EM(n)、第n-第二扫描信号SC2(n)和第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)都可以等于高电平电压HIGH。当第三时段S3开始时，第n-第一扫描信号SC1(n)可以从低电平电压LOW变为高电平电压HIGH。

因此，在第三时段S3期间，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第六晶体管T6可以处于截止状态；第五晶体管T5和驱动晶体管DRT可以处于导通状态；第一晶体管T1可以导通。

在第三时段S3中，由于第一晶体管T1导通，所以第二节点N2和第三节点N3可以电连接。也就是说，驱动晶体管DRT可以处于其栅极节点和漏极节点(或源极节点)电连接的二极管连接状态。

第三时段S3可以包含在第一子像素SP1的驱动被初始化的初始化时段中，并且可以是用于感测的准备阶段。这里，感测可以指感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth。

参考图11和图12E，在第四时段S4期间，第n发光控制信号EM(n)、第n-第二扫描信号SC2(n)和第n-第一扫描信号SC1(n)都可以等于高电平电压HIGH。当第四时段S4开始时，第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)可以从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW。

因此，在第四时段S4期间，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第六晶体管T6可以处于截止状态；第一晶体管T1和驱动晶体管DRT可以处于导通状态；第五晶体管T5可以截止。在第四时段S4中，第二节点N2可以处于电浮置状态。浮置状态也可以称为未施加电压的状态。第四时段S4可以是用于感测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的准备阶段。

参考图11和图12F，第五时段S5大体上可以是检测驱动晶体管DRT的阈值电压Vth的感测时段。

在第五时段S5期间，第n发光控制信号EM(n)、第n-第一扫描信号SC1(n)和第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)可以分别等于高电平电压HIGH、高电平电压HIGH和低电平电压LOW。当第五时段S5开始时，第n-第二扫描信号SC2(n)可以从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW。

因此，在第五时段S5期间，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第五晶体管T5可以处于截止状态；第一晶体管T1和驱动晶体管DRT可以处于导通状态；第四晶体管T4和第六晶体管T6可以导通。

通过第一数据线DL1提供的第一数据电压Vdata可以通过导通的第四晶体管T4和第一晶体管T3提供给第二节点N2。在这种情况下，第二节点N2处的电压(即，驱动晶体管DRT的栅极电压Vg)可以等于驱动晶体管DRT的阈值电压Vth与通过第一数据线DL1提供的第一数据电压Vth相加所产生的电压(即，Vg＝Vdata+Vth)。

因此，由于驱动晶体管DRT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电压差包括驱动晶体管DRT的阈值电压Vth(即，Vgs＝Vg-Vs＝Vdata+Vth-Vs)，所以驱动晶体管DRT提供给发光元件ED的驱动电流可以不受阈值电压Vth的影响。这是因为阈值电压Vth由于驱动电流是通过驱动晶体管DRT的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电压差(即，Vgs＝Vg-Vs＝Vdata+Vth-Vs)与阈值电压Vth之间的电压差(即，Vdata+Vth-Vs-Vth)的平方确定的而被抵消。

在第五时段S5期间，通过第二初始化线VARL提供的第二初始化电压VAR可以通过导通的第六晶体管T6施加到第四节点N4。第四节点N4可以对应于发光元件ED的阳极AE。因此，在第五时段S5期间，由于第二初始化电压VAR被施加到第四节点N4，所以阳极AE可以被重置。也就是说，发光元件ED可以被重置。

参考图11和图12G，在第六时段S6期间，第n发光控制信号EM(n)、第n-第一扫描信号SC1(n)和第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)可以分别等于高电平电压HIGH、高电平电压HIGH和低电平电压LOW。当第六时段S6开始时，第n-第二扫描信号SC2(n)可以从低电平电压LOW变为高电平电压HIGH。

因此，在第六时段S6期间，第一晶体管T1可以处于导通状态，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第五晶体管T5可以处于截止状态。第四晶体管T4和第六晶体管T6可以截止。

参考图11和图12H，在第七时段S7期间，第n发光控制信号EM(n)、第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)和第n-第二扫描信号SC2(n)可以分别等于高电平电压HIGH、低电平电压LOW和高电平电压HIGH。当第七时段S7开始时，第n-第一扫描信号SC1(n)可以从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW。因此，在第七时段S7期间，第二晶体管T2至第六晶体管T6可以处于截止状态，第一晶体管T1可以截止。

在第一子像素SP1包括第一补偿电容器C1的示例中，当第七时段S7开始时，可以通过第一补偿电容器C1发生第一反冲。第一反冲可以使第二节点N2处的电压降低。第二节点N2处的电压可以等于驱动晶体管DRT的栅极电压。

下面将再次描述这一点。由于第一补偿电容器C1形成在第n-第一扫描线SCL1(n)与第二节点N2之间，所以当第七时段S7开始时，随着第n-第一扫描信号SC1(n)从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW，第二节点N2处的电压可以降低。

参考图11和图12I，在第八时段S8期间，第(n-2)-第一扫描信号SC1(n-2)、第n-第二扫描信号SC2(n)和第n-第一扫描信号SC1(n)可以分别等于低电平电压LOW、高电平电压HIGH和低电平电压LOW。当第八时段S8开始时，第n发光控制信号EM(n)可以从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW。因此，在第八时段S8期间，第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以处于截止状态，第二晶体管T2和第三晶体管T3可以导通。

在第八时段S8期间，由于第二晶体管T2导通，所以可以将通过驱动电压线DVL提供的驱动电压ELVDD施加到第一节点N1。在第八时段S8期间，驱动晶体管DRT可以通过导通的第三晶体管T3向发光元件ED提供驱动电流。然后，发光元件ED可以发光。

在第一子像素SP1包括第二补偿电容器C2的示例中，当第八时段S8开始时，可以通过第二补偿电容器C2发生第二反冲。第二反冲可以使第二节点N2处的电压降低。第二节点N2处的电压可以等于驱动晶体管DRT的栅极电压。

下面将再次描述这一点。由于第二补偿电容器C2形成在第n发光控制线EML(n)与第二节点N2之间，当第八时段S8开始时，随着第n发光控制信号EM(n)从作为截止电平电压的高电平电压HIGH变为作为导通电平电压的低电平电压LOW，第二节点N2处的电压可以降低。

在下面的讨论中，将参考图13、图14A、图14B和图14C所示的表示第二节点N2处的电压变化的曲线图来描述通过反冲补偿第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异的原理。

在根据本公开的方面的显示装置100中，图13示出了第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的第二节点N2处的电压的示例变化以及非光学区域NA中的第二子像素SP2的第二节点N2处的电压的示例变化。图14A示出了在第一光学区域OA1的第一子像素SP1包括第一补偿电容器C1的情况下的第一子像素SP1的第二节点N2处的电压的示例变化。图14B示出了在第一光学区域OA1的第一子像素SP1包括第二补偿电容器C2的情况下的第一子像素SP1的第二节点N2处的电压的示例变化。图14C示出了在第一光学区域OA1的第一子像素SP1包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的情况下的第一子像素SP1的第二节点N2处的电压的示例变化。

参考图13和图14A至图14C，在根据本公开的方面的显示装置100中，第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的第二节点N2可以与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条电容耦合。因此，对第二节点N2的反冲可以在反冲时间发生。

参考图13和图14A至图14C，由于在第二节点N2处以负电压方向(电压降低方向)发生反冲，所以与驱动晶体管DRT的栅极节点相对应的第二节点N2处的电压可以降低。因此，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs可以增大。因此，第一子像素SP1的驱动晶体管DRT可以向发光元件ED提供更大量的驱动电流。

因此，第一子像素SP的亮度可以增大，使得第一光学区域OA1的整体亮度Loa1(或亮度等级)变得接近于非光学区域NA的亮度Lna(或亮度等级)。也就是说，可以补偿第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异。

参考图13和图14A至图14C，第一子像素SP1的驱动时段S1至S8期间的反冲时间可以包括第六时段S6结束且第七时段S7开始的第一反冲时间Tkb1以及第七时段S7结束且第八时段S8开始的第二反冲时间Tkb2中的一个或多个。第一反冲时间Tkb1可以是发生第一反冲的时间，第二反冲时间Tkb2可以是发生第二反冲的时间。

图13是表示在第一反冲和第二反冲依次发生的情况下，基于发光控制信号EM(n)、第一扫描信号SC1(n)和第二扫描信号SC2(n)的各自电压电平变化的第二节点N2处的电压的示例变化的曲线图。

参考图13，驱动电压ELVDD可以是施加到驱动晶体管DRT的源极节点的电压。驱动晶体管DRT的源极节点可以对应于第一节点N1。

图14A示出了仅发生第一反冲的示例；图14B示出了仅发生第二反冲的示例；图14C示出了第一反冲和第二反冲依次发生的示例。

参考图13和图14A至图14C，发生第一反冲的第一反冲时间Tkb1可以与第一补偿电容器C1相关，并且是第一扫描信号SC1(n)从高电平电压HIGH变为低电平电压LOW的时间。

参考图14A，在发生第一反冲的第一反冲时间Tkb1，由于提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线SCL1(n)的电压变为低电平电压LOW，所以与第一扫描线SCL1(n)一起形成第一补偿电容器C1的第二节点N2处的电压可以下降。在该示例中，第二节点N2处的电压下降广度可以取决于第一扫描信号SC1(n)的电压变化广度HIGH-LOW。

参考图14A，在第二节点N2处通过第一反冲降低的电压Vn2_COMP可以成为第一反冲栅极电压Vn2_C1。因此，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP可以成为第一反冲栅极-源极电压Vgs_C1。

参考图14A，当驱动不发生第一反冲的子像素SP时，第二节点N2处的电压可以是基准栅极电压Vn2_REF，并且驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以是基准栅极-源极电压Vgs_REF。

在该示例中，不发生第一反冲的子像素SP可以是仅包括第二补偿电容器C2且不包括第一补偿电容器C1的第一子像素SP1，或者是不包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的非光学区域NA的第二子像素SP2。

参考图14A，当发生第一反冲时，第一反冲栅极-源极电压Vgs_C1(即，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP)可以变得大于基准栅极-源极电压Vgs_REF(即，在不发生第一反冲时，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差)。

参考图14B，在发生第二反冲的第二反冲时间Tkb2，由于提供发光控制信号EM(n)的发光控制线EML(n)的电压变为低电平电压LOW，所以与发光控制线EML(n)一起形成第二补偿电容器C2的第二节点N2处的电压可以下降。在该示例中，第二节点N2处的电压下降广度可以取决于发光控制信号EM(n)的电压变化广度HIGH-LOW。

参考图14B，在第二节点N2处通过第二反冲降低的电压Vn2_COMP可以成为第二反冲栅极电压Vn2_C2。因此，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP可以成为第二反冲栅极-源极电压Vgs_C2。

参考图14B，当驱动不发生第二反冲的子像素SP时，第二节点N2处的电压可以是基准栅极电压Vn2_REF，并且驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以是基准栅极-源极电压Vgs_REF。

在该示例中，不发生第二反冲的子像素SP可以是仅包括第一补偿电容器C1且不包括第二补偿电容器C2的第一子像素SP1，或者是不包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的非光学区域NA的第二子像素SP2。

参考图14B，当发生第二反冲时，第二反冲栅极-源极电压Vgs_C2(即，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP)可以变得大于基准栅极-源极电压Vgs_REF(即，在不发生第二反冲时，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差)。

参考图13和图14C，在发生第一反冲的第一反冲时间Tkb1，由于提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线SCL1(n)的电压变为低电平电压LOW，所以在与第一扫描线SCL1(n)一起形成第一补偿电容器C1的第二节点N2处的电压可以下降。在该示例中，第二节点N2处的电压下降广度可以取决于第一扫描信号SC1(n)的电压变化广度HIGH-LOW。

参考图13和图14C，在第二节点N2处通过第一反冲降低的电压Vn2_COMP可以成为第一反冲栅极电压Vn2_C1。因此，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP可以成为第一反冲栅极-源极电压Vgs_C1。

参考图13和图14C，当驱动不发生第一反冲的子像素SP时，第二节点N2处的电压可以是基准栅极电压Vn2_REF，并且驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以是基准栅极-源极电压Vgs_REF。

参考图13和图14C，当发生第一反冲时，第一反冲栅极-源极电压Vgs_C1(即，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP)可以变得大于基准栅极-源极电压Vgs_REF(即，在不发生第一反冲时，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差)。

参考图13和图14C，在第一反冲之后发生第二反冲的第二反冲时间Tkb2，由于提供发光控制信号EM(n)的发光控制线EML(n)的电压变为低电平电压LOW，所以与发光控制线EML(n)一起形成第二补偿电容器C2的第二节点N2处的电压可以下降。在该示例中，第二节点N2处的电压下降广度可以取决于发光控制信号EM(n)的电压变化广度HIGH-LOW。

参考图13和图14C，在第二节点N2处通过第二反冲降低的电压Vn2_COMP可以成为第三反冲栅极电压Vn2_C1+C2。因此，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP可以成为第三反冲栅极-源极电压Vgs_C1+C2。在该示例中，第三反冲栅极电压Vn2_C1+C2可以等于或大于第二反冲栅极电压Vn2_C2。第三反冲栅极-源极电压Vgs_C1+C2可以等于或大于第二反冲栅极-源极电压Vgs_C2。

参考图13和图14C，当驱动不发生第二反冲的子像素SP时，第二节点N2处的电压可以是基准栅极电压Vn2_REF，并且驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差可以是基准栅极-源极电压Vgs_REF。

在该示例中，不发生第二反冲的子像素SP可以是不包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的非光学区域NA中的第二子像素SP2。

参考图13和图14C，当在第一反冲之后随后发生第二反冲时，第三反冲栅极-源极电压Vgs_C1+C2(即，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_COMP)可以变得远大于基准栅极-源极电压Vgs_REF(即，在第一反冲和第二反冲都不发生时，驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差)。

在一个或多个示例性实施例中，第一光学区域OA1的第一子像素SP1和非光学区域NA的第二子像素SP2可以设置在同一行、同一列或不同列中。在这种情况下，通过第一数据线DL1的第一数据电压Vdata可以施加到第一光学区域OA1的第一子像素SP1，并且通过第二数据线DL2或第一数据线DL1的第二数据电压Vdata可以施加到非光学区域NA的第二子像素SP2。

当第一数据电压Vdata与第二数据电压Vdata相同时，第一子像素SP1的发光时段S8期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差(Vgs_COMP，即，Vgs_C1、Vgs_C2或Vgs_C1+C2)可以大于第二子像素SP2的发光时段S8期间的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差Vgs_REF。

由于补偿电容器C1和C2配置在设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1中，并且通过补偿电容器C1和C2对第一子像素SP1中的驱动晶体管DRT的栅极电压产生反冲，所以第一子像素SP1中的驱动晶体管DRT的栅极电压与源极电压之间的电压差(Vgs_COMP，即，Vgs_C1、Vgs_C2或Vgs_C1+C2)可以增大。

因此，即使当提供给设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的第一数据电压Vdata等于提供给设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2的第二数据电压Vdata时，设置在第一光学区域OA1中的一个第一子像素SP1也可以发出比设置在非光学区域NA中的一个第二子像素SP2更明亮的光。因此，具有相对较小的每单位面积的子像素数量的第一光学区域OA1的整体亮度(或亮度等级)可以变得接近于具有相对较大的每单位面积的子像素数量的非光学区域NA的整体亮度。

也就是说，尽管设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的总数较少，但是由于设置在第一光学区域OA1中的每个第一子像素SP1发出的光更明亮，所以第一光学区域OA1的整体亮度(或亮度等级)可以变得接近于非光学区域NA的整体亮度。

如上所述，根据用于补偿亮度差异的方案，当提供给设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1的第一数据电压Vdata等于提供给设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2的第二数据电压Vdata时，第一光学区域OA1的亮度Loa1与非光学区域NA的亮度Lna之差可以小于通过提供第一数据电压Vdata的第一子像素SP1的亮度与通过提供第二数据电压Vdata的第二子像素SP2的亮度之差。

参考图13和图14A至图14C，在第一反冲时间Tkb1，第一扫描信号SC1(n)可以从导通电平电压(高电平电压HIGH)变为截止电平电压(低电平电压LOW)。在比第一反冲时间Tkb1晚的第二反冲时间Tkb2，发光控制信号EM(n)可以从截止电平电压(高电平电压HIGH)变为导通电平电压(低电平电压LOW)。

参考图14A，在第一反冲时间Tkb1，第二节点N2的电压可以根据第一扫描信号SC1(n)的电压变化而变化。参考图14B，在第二反冲时间Tkb2，第二节点N2的电压可以根据发光控制信号EM(n)的电压变化而变化。

参考图14C，在第一反冲时间Tkb1，第二节点N2的电压可以根据第一扫描信号SC1(n)的电压变化而变化，在第二反冲时间Tkb2，第二节点N2的电压可以根据控制信号EM(n)的电压变化而变化。

在下文中，将参考图15A和图15B更详细地描述在设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1中，第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条电容耦合的亮度差异补偿结构。在这些示例中，亮度差异补偿结构可以包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2中的至少一个。

在下面的讨论中，为了便于描述，假定第一光学区域OA1的第一子像素SP1包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2，因此，将参考图15A和图15B更详细地描述包括第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的亮度差异补偿结构。此后，相比之下，将参考图16A和图16B讨论不包括亮度差异补偿结构的非光学区域NA的第二子像素SP2的平面图中的结构。

图15A和图15B示出了根据本公开的方面的显示装置100中的包含在设置在第一光学区域OA1中的第一子像素SP1中的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的平面图中的示例结构。

参考图15A和图15B，第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)可以穿过第一光学区域OA1。当第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)穿过第一光学区域OA1时，第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)可以设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中，同时避开其第一透射区域TA1。

参考图15A和图15B，第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的每一条可以穿过设置在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中的多个第一子像素SP1的像素驱动电路PDC的区域。

参考图15A和图15B，连接图案CP可以设置在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中的多个第一子像素SP1的像素驱动电路PDC的每个区域中。也就是说，每个第一子像素SP1可以包括对应于第二节点N2的连接图案CP。

参考图15A和图15B，驱动晶体管DRT和存储电容器Cst可以设置在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中的设置有多个第一子像素SP1的像素驱动电路PDC的每个区域中。

参考图15A和图15B，每个驱动晶体管DRT可以包括对应于第一节点N1的源极En1，对应于第三节点N3的漏极En3，对应于第二节点N2并用作栅极的连接图案CP，以及有源层ACT。参考图15A和图15B，存储电容器Cst可以形成在第二节点N2与驱动电压线DVL之间。

参考图15A和图15B，由于连接图案CP和第一扫描线SCL1(n)彼此重叠，所以可以形成第一补偿电容器C1。第一补偿电容器C1的电容可以与连接图案CP和第一扫描线SCL1(n)重叠的面积成比例。

参考图15A和图15B，为了增大第一补偿电容器C1的电容，第一扫描线SCL1(n)可以在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中包括第一补偿突出部PRP1。例如，第一扫描线SCL1(n)的第一补偿突出部PRP1可以向上突出以与驱动晶体管DRT相邻。

参考图15A和图15B，在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中，连接图案CP可以与驱动晶体管DRT的有源层ACT相交，并与第一补偿突出部PRP1重叠。

参考图15A和图15B，由于连接图案CP和发光控制线EML(n)彼此重叠，所以可以形成第二补偿电容器C2。第二补偿电容器C2的电容可以与连接图案CP和发光控制线EML(n)重叠的面积成比例。

参考图15A和图15B，为了增大第二补偿电容器C2的电容，发光控制线EML(n)可以在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中包括第二补偿突出部PRP2。例如，发光控制线EML(n)的第二补偿突出部PRP2可以向上突出以远离驱动晶体管DRT。

参考图15A和图15B，在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA中，连接图案CP可以与驱动晶体管DRT的有源层ACT相交，并与第二补偿突出部PRP2重叠。参考图15A和图15B，连接图案CP可以与驱动晶体管DRT的有源层ACT相交，与第一扫描线SCL1(n)的第一补偿突出部PRP1重叠，并与发光控制线EML(n)的第二补偿突出部PRP2重叠。

参考图15A和图15B，连接图案CP可以包括与第一补偿突出部PRP1重叠的第一连接图案CP1以及与第二补偿突出部PRP2重叠的第二连接图案CP2。第一连接图案CP1和第二连接图案CP2可以位于不同的层中，并且可以通过接触孔CNT_N2彼此电连接。

图16A和图16B示出了根据本公开的方面的显示装置100中的非光学区域NA的第二子像素SP2的平面图中的示例结构。

参考图16A和图16B，在一个或多个示例性实施例中，设置在非光学区域NA中的第二子像素SP2可以不包括用作亮度差异补偿结构的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2。因此，第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的每一条可以不包括用于扩大与对应于第二节点N2的连接图案CP重叠的面积的突出部。对应于第二节点N2的连接图案CP可以不与第一扫描线SCL1(n)重叠。对应于第二节点N2的连接图案CP可以不与发光控制线EML(n)重叠。

在一些情况下，连接图案CP可以与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条部分重叠。在这种情况下，由于连接图案CP与第一扫描线SCL1(n)和发光控制线EML(n)中的至少一条重叠的面积非常小，所以不会发生能够改变相应亮度(或亮度中的特征)的反冲。

如上所述，为了补偿第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异，提供了形成在第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的亮度差异补偿结构。上文描述的形成在第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的亮度差异补偿结构可以同等地应用于第二光学区域OA2的第三子像素SP3。在下文中，为了补偿第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的亮度差异，将参考图17简要描述形成在第二光学区域OA2的第三子像素SP3中的亮度差异补偿结构。

图17示出了根据本公开的方面的显示装置100中的第一光学区域OA1的第一子像素SP1的示例性等效电路和第二光学区域OA2的第三子像素SP3的示例性等效电路

参考图17，显示面板110的显示区域DA可以包括第一光学区域OA1，第二光学区域OA2，以及与第一光学区域OA1和第二光学区域OA2不同的非光学区域NA。第一子像素SP1可以设置在第一光学区域OA1中的除多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA中。第三子像素SP3可以设置在第二光学区域OA2中的除多个第二透射区域TA2之外的非透射区域NTA中。

为了补偿第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异，第一光学区域OA1的第一子像素SP1可以包括形成在第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)之间的第一补偿电容器C1以及形成在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第二补偿电容器C2中的至少一个。

为了补偿第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的亮度差异，第二光学区域OA2的第三子像素SP3可以包括形成在第二节点N2与第一扫描线SCL1(n)之间的第三补偿电容器C3以及形成在第二节点N2与发光控制线EML(n)之间的第四补偿电容器C4中的至少一个。

第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量。第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2可以大于或等于第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素数量Noa1，并且第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素数量Noa2可以小于非光学区域NA中的每单位面积的子像素数量Nna。

如上所述，第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的每单位面积的子像素数量之差可以大于或等于第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的每单位面积的子像素数量之差。因此，第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异可以大于或等于第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的亮度差异。

因此，第一光学区域OA1与非光学区域NA之间的亮度差异补偿的程度可以大于或等于第二光学区域OA2与非光学区域NA之间的亮度差异补偿的程度。考虑到这一点，需要设计第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2，以及第二光学区域OA2的第三子像素SP3中的第三补偿电容器C3和第四补偿电容器C4。

例如，第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的第一补偿电容器C1的电容可以大于或等于第二光学区域OA2的第三子像素SP3中的第三补偿电容器C3的电容。

在另一个示例中，第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的第二补偿电容器C2的电容可以大于或等于第二光学区域OA2的第三子像素SP3中的第四补偿电容器C4的电容。

在又一个示例中，第一光学区域OA1的第一子像素SP1中的第一补偿电容器C1和第二补偿电容器C2的合成电容可以大于或等于第二光学区域OA2的第三子像素SP3中的第三补偿电容器C3和第四补偿电容器C4的合成电容。

可以如下描述根据上述示例性实施例的显示装置100。

根据本公开的方面的显示装置100可以包括设置在显示区域DA中用于显示图像的多个子像素SP，多个子像素SP中的每一个包括发光元件ED，用于驱动发光元件ED的驱动晶体管DRT，以及通过经由栅极线GL提供的栅极信号控制其导通/截止的晶体管。

在该示例中，晶体管可以是第一晶体管T1或第五晶体管T5，栅极线GL可以是第一扫描线SCL1(n)或发光控制线EML(n)，栅极信号可以是第一扫描信号SC1(n)或发光控制信号EM(n)。

多个子像素SP可以包括设置在显示区域DA中的特定区域中的一个或多个子像素。该特定区域可以是第一光学区域OA1或第二光学区域OA2。设置在特定区域中的子像素可以是第一光学区域OA1的第一子像素SP1或第二光学区域OA2的第三子像素SP3。

设置在特定区域中的子像素可以包括通过驱动晶体管DRT的栅极节点或连接到栅极节点的连接图案CP与栅极线GL重叠形成的补偿电容器。

设置在特定区域中的子像素中的驱动晶体管DRT的栅极节点可以是第二节点N2。补偿电容器可以是第一补偿电容器C1或第二补偿电容器C2。

在将数据电压或从数据电压转换的电压施加到设置在特定区域中的子像素中的驱动晶体管DRT的栅极节点时，通过栅极线GL提供的栅极信号的电压电平可以变为低电平电压。在该示例中，将数据电压或从数据电压转换的电压施加到驱动晶体管DRT的栅极节点的时间可以是第一反冲时间Tkb1或第二反冲时间Tkb2。

本文描述的一个或多个示例性实施例可以提供一种具有透光结构的显示装置100，其中位于显示面板110的显示区域DA下的一个或多个光学电子装置11和12能够正常地接收或探测光。

本文描述的一个或多个示例性实施例可以提供一种能够在包含在显示面板110的显示区域DA中并与一个或多个光学电子装置11和12重叠的一个或多个光学区域OA1和OA2中正常执行显示驱动的显示装置100。

本文描述的一个或多个示例性实施例可以提供一种能够减小或防止一个或多个光学区域OA1和OA2与非光学区域NA之间的亮度差异的显示装置100。

本文描述的一个或多个示例性实施例可以提供一种能够通过配置或设计光学区域中的一个或多个子像素以具有亮度差异补偿结构来减小或防止一个或多个光学区域OA1和OA2与非光学区域NA之间的亮度差异的显示装置100。

为了方便起见，下面描述了本公开的方面的各种示例。这些示例都是作为示例提供的，并且不限制本公开的技术方案。

一个或多个示例性实施例提供了一种显示装置，其包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，多个子像素中的每一个包括：第一节点、第二节点、第三节点和第四节点；发光元件，其连接到第四节点；驱动晶体管，其被配置为由第二节点处的电压控制，并且被配置为驱动发光元件；第一晶体管，其被配置为由通过第一扫描线提供的第一扫描信号控制，并且被配置为控制第二节点与第三节点之间的连接；第二晶体管，其被配置为由通过发光控制线提供的发光控制信号控制，并且被配置为控制第一节点与驱动电压线之间的连接；以及第三晶体管，其被配置为由发光控制信号控制，并且被配置为控制第三节点与第四节点之间的连接，其中，多个子像素包括设置在显示区域中的第一区域中的第一子像素，并且其中，第一子像素中的第二节点与第一扫描线和发光控制线中的至少一条电容耦合。

一个或多个示例提供了显示区域包括包含多个发光区域和多个透射区域的光学区域；显示区域进一步包括位于光学区域外围的非光学区域，非光学区域包括多个发光区域；第一区域是光学区域中的除多个透射区域之外的非透射区域。

一个或多个示例提供了多个子像素包括设置在非光学区域中的第二子像素，并且第二子像素中的第二节点不与第一扫描线和发光控制线电容耦合。

一个或多个示例提供了显示装置被配置为通过第一数据线向第一子像素施加第一数据电压；显示装置被配置为通过第二数据线或第一数据线向第二子像素施加第二数据电压；当第一数据电压大致等于第二数据电压时，第一子像素的发光时段期间的驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差大于第二子像素的发光时段期间的驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差。

一个或多个示例提供了当第一数据电压大致等于第二数据电压时，光学区域的亮度与非光学区域的亮度之差小于基于第一数据电压的第一子像素的亮度与基于第二数据电压的第二子像素的亮度之差。

一个或多个示例提供了第一子像素包括第二节点与第一扫描线之间的第一补偿电容器。

一个或多个示例提供了在第一时刻，第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，在比第一时刻晚的第二时刻，发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，并且在第一时刻，第二节点处的电压根据第一扫描信号的电压变化而变化。

一个或多个示例提供了第一子像素包括对应于第二节点的连接图案，第一扫描线包括第一补偿突出部，并且连接图案与驱动晶体管的有源层相交并与第一补偿突出部重叠。

一个或多个示例提供了第一子像素包括第二节点与发光控制线之间的第二补偿电容器。

一个或多个示例提供了在第一时刻，第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，在比第一时刻晚的第二时刻，发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，并且在第二时刻，第二节点处的电压根据发光控制信号的电压变化而变化。

一个或多个示例提供了第一子像素包括对应于第二节点的连接图案，发光控制线包括第二补偿突出部，并且连接图案与驱动晶体管的有源层相交并与第二补偿突出部重叠。

一个或多个示例提供了第一子像素包括第二节点与第一扫描线之间的第一补偿电容器，以及第二节点与发光控制线之间的第二补偿电容器。

一个或多个示例提供了在第一时刻，第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，在比第一时刻晚的第二时刻，发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，在第一时刻，第二节点处的电压根据第一扫描信号的电压变化而变化，并且在第二时刻，第二节点处的电压根据发光控制信号的电压变化而变化。

一个或多个示例提供了第一子像素包括对应于第二节点的连接图案，第一扫描线和发光控制线分别包括第一补偿突出部和第二补偿突出部，并且连接图案与驱动晶体管的有源层相交，与第一补偿突出部重叠，并且与第二补偿突出部重叠。

一个或多个示例提供了连接图案包括与第一补偿突出部重叠的第一连接图案以及与第二补偿突出部重叠的第二连接图案，第一连接图案和第二连接图案位于不同的层中并且通过接触孔电连接。

一个或多个示例提供了第一补偿电容器的第一电容和第二补偿电容器的第二电容大致彼此相等。

一个或多个示例提供了第一补偿电容器的第一电容和第二补偿电容器的第二电容彼此不同。

一个或多个示例提供了多个子像素中的每一个进一步包括：第四晶体管，其被配置为控制第一节点与第一数据线之间的连接；第五晶体管，其被配置为控制第二节点与第一初始化线之间的连接；第六晶体管，其被配置为控制第四节点与第二初始化线之间的连接；以及存储电容器，其设置在第二节点与驱动电压线之间。

一个或多个示例提供了显示区域包括第一光学区域、第二光学区域和非光学区域，非光学区域与第一光学区域和第二光学区域不同，第一光学区域和第二光学区域中的每一个包括多个发光区域和多个透射区域，非光学区域包括多个发光区域，第一光学区域中的每单位面积的子像素数量小于非光学区域中的每单位面积的子像素数量，第二光学区域中的每单位面积的子像素数量大于或等于第一光学区域中的每单位面积的子像素数量并且小于非光学区域中的每单位面积的子像素数量。

一个或多个示例提供了第一子像素设置在第一区域中，第一区域是第一光学区域中的除多个透射区域之外的非透射区域，多个子像素进一步包括设置在第二光学区域中的除多个透射区域之外的非透射区域中的第三子像素，第一子像素包括第一子像素的第二节点与第一扫描线之间的第一补偿电容器以及第一子像素的第二节点与发光控制线之间的第二补偿电容器中的至少一个，第三子像素包括第三子像素的第二节点与第一扫描线之间的第三补偿电容器以及第三子像素的第二节点与发光控制线之间的第四补偿电容器。

一个或多个示例提供了第一补偿电容器的电容大于或等于第三补偿电容器的电容；第二补偿电容器的电容大于或等于第四补偿电容器的电容；或者第一补偿电容器和第二补偿电容器的合成电容等于或大于第三补偿电容器和第四补偿电容器的合成电容。

一个或多个示例性实施例提供了一种显示装置，其包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，多个子像素中的每一个包括：第一节点、第二节点、第三节点和第四节点；发光元件，其连接到第四节点；驱动晶体管，其被配置为由第二节点处的电压控制，并且被配置为驱动发光元件；第一晶体管，其被配置为由通过第一扫描线提供的第一扫描信号控制，并且被配置为控制第二节点与第三节点之间的连接；第二晶体管，其被配置为由通过发光控制线提供的发光控制信号控制，并且被配置为控制第一节点与驱动电压线之间的连接；以及第三晶体管，其被配置为由发光控制信号控制，并且被配置为控制第三节点与第四节点之间的连接，其中，多个子像素包括设置在显示区域中的第一区域中的第一子像素，并且其中，第一子像素包括第二节点与第一扫描线之间的第一补偿电容器以及第二节点与发光控制线之间的第二补偿电容器中的至少一个。

一个或多个示例提供了多个子像素包括设置在非光学区域中的第二子像素。

一个或多个示例提供了显示装置被配置为通过第一数据线向第一子像素施加第一数据电压；显示装置被配置为通过第二数据线或第一数据线向第二子像素施加第二数据电压；当第一数据电压大致等于第二数据电压时，第一子像素的发光时段期间的驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差大于第二子像素的发光时段期间的驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差。

一个或多个示例性实施例提供了一种显示装置，其包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，多个子像素中的每一个包括：发光元件；驱动晶体管，其被配置为驱动发光元件；以及晶体管，其被配置为由通过栅极线提供的栅极信号控制晶体管的导通或截止，其中，多个子像素包括设置在显示区域中的特定区域中的子像素，并且设置在特定区域中的子像素包括由驱动晶体管的栅极节点或连接到驱动晶体管的栅极节点的连接图案与栅极线重叠形成的补偿电容器，其中，通过栅极线提供的栅极信号的电压电平在向驱动晶体管的栅极节点施加数据电压或由数据电压的变化产生的电压的时刻变为第二电压电平，并且其中，第二电压电平低于上述电压电平。

提供以上描述是为了使本领域技术人员能够制作、使用和实践本发明的技术特征，并且在特定应用及其要求的上下文中作为示例提供了以上描述。对所描述的实施例的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员来说将是显而易见的，并且本文描述的原理可以应用于其他实施例和应用，而不脱离本发明的范围。以上描述和附图提供了本发明的技术特征的仅用于说明目的的示例。也就是说，所公开的实施例旨在说明本发明的技术特征的范围。因此，本发明的范围不限于所示实施例，而是被赋予与权利要求一致的最宽范围。本发明的保护范围应当基于以下权利要求进行解释，并且其等同物范围内的所有技术特征应当被解释为包含在本发明的范围内。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，所述多个子像素中的每一个包括：

第一节点、第二节点、第三节点和第四节点；

发光元件，所述发光元件连接到所述第四节点；

驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为由所述第二节点处的电压控制，并且被配置为驱动所述发光元件；

第一晶体管，所述第一晶体管被配置为由通过第一扫描线提供的第一扫描信号控制，并且被配置为控制所述第二节点与所述第三节点之间的连接；

第二晶体管，所述第二晶体管被配置为由通过发光控制线提供的发光控制信号控制，并且被配置为控制所述第一节点与驱动电压线之间的连接；以及

第三晶体管，所述第三晶体管被配置为由所述发光控制信号控制，并且被配置为控制所述第三节点与所述第四节点之间的连接，

其中，所述多个子像素包括设置在所述显示区域中的第一区域中的第一子像素，并且

其中，所述第一子像素中的所述第二节点与所述第一扫描线和所述发光控制线中的至少一条电容耦合。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述显示区域包括光学区域，所述光学区域包括多个发光区域和多个透射区域；

所述显示区域进一步包括位于所述光学区域外围的非光学区域，所述非光学区域包括多个发光区域；并且

所述第一区域是所述光学区域中的除所述多个透射区域之外的非透射区域。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个子像素包括设置在所述非光学区域中的第二子像素，并且所述第二子像素中的所述第二节点不与所述第一扫描线和所述发光控制线电容耦合。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：

所述显示装置被配置为通过第一数据线向所述第一子像素施加第一数据电压；

所述显示装置被配置为通过第二数据线或所述第一数据线向所述第二子像素施加第二数据电压；并且

当所述第一数据电压大致等于所述第二数据电压时，所述第一子像素的发光时段期间的所述驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差大于所述第二子像素的发光时段期间的所述驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，当所述第一数据电压大致等于所述第二数据电压时，所述光学区域的亮度与所述非光学区域的亮度之差小于基于所述第一数据电压的所述第一子像素的亮度与基于所述第二数据电压的所述第二子像素的亮度之差。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括所述第二节点与所述第一扫描线之间的第一补偿电容器。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在第一时刻，所述第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，并且在比所述第一时刻晚的第二时刻，所述发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，并且

其中，在所述第一时刻，所述第二节点处的电压根据所述第一扫描信号的电压变化而变化。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括对应于所述第二节点的连接图案，所述第一扫描线包括第一补偿突出部，并且

其中，所述连接图案与所述驱动晶体管的有源层相交并与所述第一补偿突出部重叠。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括所述第二节点与所述发光控制线之间的第二补偿电容器。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在第一时刻，所述第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，并且在比所述第一时刻晚的第二时刻，所述发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，并且

其中，在所述第二时刻，所述第二节点处的电压根据所述发光控制信号的电压变化而变化。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括对应于所述第二节点的连接图案，所述发光控制线包括第二补偿突出部，并且

其中，所述连接图案与所述驱动晶体管的有源层相交并与所述第二补偿突出部重叠。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括所述第二节点与所述第一扫描线之间的第一补偿电容器，以及所述第二节点和所述发光控制线之间的第二补偿电容器。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在第一时刻，所述第一扫描信号从第一导通电平电压变为第一截止电平电压，并且在比所述第一时刻晚的第二时刻，所述发光控制信号从第二截止电平电压变为第二导通电平电压，并且

其中，在所述第一时刻，所述第二节点处的电压根据所述第一扫描信号的电压变化而变化，并且在所述第二时刻，所述第二节点处的电压根据所述发光控制信号的电压变化而变化。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一子像素包括对应于所述第二节点的连接图案，所述第一扫描线和所述发光控制线分别包括第一补偿突出部和第二补偿突出部，并且

其中，所述连接图案与所述驱动晶体管的有源层相交，与所述第一补偿突出部重叠，并且与所述第二补偿突出部重叠。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述连接图案包括与所述第一补偿突出部重叠的第一连接图案以及与所述第二补偿突出部重叠的第二连接图案，并且

其中，所述第一连接图案和所述第二连接图案位于不同的层中并且通过接触孔电连接。

16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一补偿电容器的第一电容和所述第二补偿电容器的第二电容大致彼此相等。

17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一补偿电容器的第一电容和所述第二补偿电容器的第二电容彼此不同。

18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个进一步包括：

第四晶体管，所述第四晶体管被配置为控制所述第一节点与第一数据线之间的连接；

第五晶体管，所述第五晶体管被配置为控制所述第二节点与第一初始化线之间的连接；

第六晶体管，所述第六晶体管被配置为控制所述第四节点与第二初始化线之间的连接；以及

存储电容器，所述存储电容器设置在所述第二节点与所述驱动电压线之间。

19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示区域包括第一光学区域、第二光学区域和非光学区域，所述非光学区域与所述第一光学区域和所述第二光学区域不同，

其中，所述第一光学区域和所述第二光学区域中的每一个包括多个发光区域和多个透射区域，所述非光学区域包括多个发光区域，

其中，所述第一光学区域中的每单位面积的子像素数量小于所述非光学区域中的每单位面积的子像素数量，并且

其中，所述第二光学区域中的每单位面积的子像素数量大于或等于所述第一光学区域中的每单位面积的子像素数量并且小于所述非光学区域中的每单位面积的子像素数量。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一子像素设置在所述第一区域中，所述第一区域是所述第一光学区域中的除所述多个透射区域之外的非透射区域，

其中，所述多个子像素进一步包括设置在所述第二光学区域中的除所述多个透射区域之外的非透射区域中的第三子像素，

其中，所述第一子像素包括所述第一子像素的所述第二节点与所述第一扫描线之间的第一补偿电容器以及所述第一子像素的所述第二节点与所述发光控制线之间的第二补偿电容器中的至少一个，并且

其中，所述第三子像素包括所述第三子像素的所述第二节点与所述第一扫描线之间的第三补偿电容器以及所述第三子像素的所述第二节点与所述发光控制线之间的第四补偿电容器。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一补偿电容器的电容大于或等于所述第三补偿电容器的电容；所述第二补偿电容器的电容大于或等于所述第四补偿电容器的电容；或者所述第一补偿电容器和所述第二补偿电容器的合成电容等于或大于所述第三补偿电容器和所述第四补偿电容器的合成电容。

22.一种显示装置，包括：

设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，所述多个子像素中的每一个包括：

第一节点、第二节点、第三节点和第四节点；

发光元件，所述发光元件连接到所述第四节点；

驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为由所述第二节点处的电压控制，并且被配置为驱动所述发光元件；

第一晶体管，所述第一晶体管被配置为由通过第一扫描线提供的第一扫描信号控制，并且被配置为控制所述第二节点与所述第三节点之间的连接；

第二晶体管，所述第二晶体管被配置为由通过发光控制线提供的发光控制信号控制，并且被配置为控制所述第一节点与驱动电压线之间的连接；以及

第三晶体管，所述第三晶体管被配置为由所述发光控制信号控制，并且被配置为控制所述第三节点与所述第四节点之间的连接，

其中，所述多个子像素包括设置在所述显示区域中的第一区域中的第一子像素，并且

其中，所述第一子像素包括所述第二节点与所述第一扫描线之间的第一补偿电容器以及所述第二节点与所述发光控制线之间的第二补偿电容器中的至少一个。

23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述多个子像素包括设置在非光学区域中的第二子像素，所述第二子像素在所述第二节点与所述第一扫描线之间不具有任何补偿电容器，并且在所述第二节点与所述发光控制线之间不具有任何补偿电容器。

24.根据权利要求23所述的显示装置，其中：

所述显示装置被配置为通过第一数据线向所述第一子像素施加第一数据电压；

所述显示装置被配置为通过第二数据线或所述第一数据线向所述第二子像素施加第二数据电压；并且

当所述第一数据电压大致等于所述第二数据电压时，所述第一子像素的发光时段期间的所述驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差大于所述第二子像素的发光时段期间的所述驱动晶体管的栅极电压与源极电压之间的电压差。

25.一种显示装置，包括：

设置在显示区域中用于显示图像的多个子像素，所述多个子像素中的每一个包括：

发光元件；

驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为驱动所述发光元件；以及

晶体管，所述晶体管被配置为由通过栅极线提供的栅极信号控制所述晶体管的导通或截止，

其中，所述多个子像素包括设置在所述显示区域中的特定区域中的子像素，并且设置在所述特定区域中的所述子像素包括由所述驱动晶体管的栅极节点或连接到所述驱动晶体管的所述栅极节点的连接图案与所述栅极线重叠形成的补偿电容器，

其中，通过所述栅极线提供的所述栅极信号的电压电平在向所述驱动晶体管的所述栅极节点施加数据电压或由所述数据电压的变化产生的电压的时刻变为第二电压电平，并且

其中，所述第二电压电平低于所述电压电平。

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