TW202309871A - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

顯示裝置包含設置在顯示區域以顯示影像的子像素。每個子像素包含發光元件；用於驅動發光元件的驅動電晶體；以及導通或關斷可受由閘極線供應的閘極訊號控制的電晶體。子像素包含被設置在顯示區域中的特定區域中的子像素，且該子像素可包含由驅動電晶體的閘極節點或連接至該閘極節點的連接圖案與閘極線形成的補償電容器。透過閘極線供應的閘級訊號的電壓級在資料電壓或由資料電壓的變化產生的電壓被施加至驅動電晶體的閘極節點的時間點被改變為低電壓級。

Description

顯示裝置

本發明係關於電子裝置，特別是指顯示裝置。

隨著顯示科技的進步，顯示裝置可提供更多的功能，如影像擷取、感測及其他類似的影像顯示功能。為了提供這些功能，顯示裝置可能需要包含光學電子裝置如用來偵測影像的相機或感測器。

為了接收通過顯示裝置前表面的光線，希望可將光學電子元件設置在顯示裝置內能有利地接收或偵測來自前表面的入射光線的區域中。因此，在這樣的顯示裝置中，光學電子裝置可被設置在顯示裝置的前部以讓光學電子裝置有效地暴露在入射光線中。為了以這種實施方式安裝光學電子裝置，可設計在顯示裝置增加邊框，或在顯示裝置的顯示面板的顯示區域中形成凹口或洞。

因此，由於顯示裝置需要光學電子裝置來接受及偵測入射光線並執行期望的功能，位於顯示裝置的前部的邊框尺寸可能會增加，或者在設計顯示裝置的前部時可能會遇到實質上的問題。

背景部分提供的敘述不應僅因為在背景部分被提及或是與背景部分產生關聯而被當作先前技術。背景部分可包含敘述本技術的一或多個方面的資訊。

發明者已經發展了多種技術用於提供或放置一或多個光學電子裝置在顯示裝置中且無須縮小顯示裝置的顯示面板的顯示區域的尺寸。透過此發展，發明者已經發明了具有光傳輸結構的顯示面板及顯示裝置，就算當光學電子裝置被設置在顯示面板的顯示區域下，且因此沒有在顯示裝置的前表面被暴露，光學電子裝置仍可根據本技術的一或多個方面正常且適當地接收或偵測光線。

此外，發明者辨認了一個問題，是關於當光學電子裝置被重疊設置時，由於光學區（包含一或多個傳輸區）與非光學區（不包含傳輸區）在單位面積的子像素數量上具有差異，光學區與非光學區的照度會產生差異。根據上述，在本技術的一或多個實施例中，發明者已經發明了在光學區中的子像素結構，其中光學區具有的照度差異補償結構可以減少或避免光學區與非光學區之間的照度差異。

本發明的一或多個示例性實施例可提供一種具有光傳輸結構的顯示裝置，其中光傳輸結構中被設置在顯示面板的顯示區域下的光學電子裝置具有正常地接收或偵測光線的能力。

本發明的一或多個示例性實施例可提供一種顯示裝置，該顯示裝置能夠正常地在光學區內實施顯示驅動以及能夠與光學電子裝置重疊，該光學區被包含在顯示裝置所包括的顯示面板的顯示區域中。

本發明的一或多個實施例可提供一種顯示裝置，該顯示裝置能夠減少或避免光學區與非光學區之間的照度差異。

本發明的一或多個實施例可提供一種包含在光學區內的一或多個子像素的顯示裝置，該光學區具有能夠減少或避免光學區與非光學區之間的照度差異的照度差異補償結構。

根據本公開的方面，顯示裝置可被提供為包含設置在顯示區域中以顯示影像的多個子像素，其中每個子像素包含第一節點、第二節點、第三節點及第四節點，以及包含連接至第四節點的發光元件、被位於第二節點的電壓控制且能夠驅動發光元件的驅動電晶體、被經由第一掃描線供應的第一掃描訊號控制且能夠控制第二節點與第三節點之間的連接的第一電晶體、被由發光控制線供應的發光控制訊號控制且能夠控制第一節點與驅動電壓線之間的連接的第二電晶體、被發光控制訊號控制且能夠控制第三節點與第四節點之間的連接的第三電晶體。

在根據本公開的方面的顯示裝置中，該些子像素可包含設置在顯示區域的第一區域中的第一子像素。

在根據本公開的方面的顯示裝置中，位於第一子像素中的第二節點可被電容器耦合至第一掃描線與發光控制線的至少之一者。

在根據本公開的方面的顯示裝置中，第一子像素可包含在第二節點及第一掃描線之間的至少一個第一補償電容器，以及包含在第二節點及發光控制線之間至少一個第二補償電容器。

根據本公開的方面，顯示裝置被提供為包含設置在顯示區域內以顯示影像的多個子像素，其中每個子像素包含發光元件、能夠驅動發光元件的驅動電晶體，以及導通與關斷受到透過閘極線供應的閘極訊號控制的至少一個電晶體。

在根據本公開的方面的顯示裝置中，該些子像素可包含設置在顯示區域的預定義區中的至少一個子像素，以及設置在預定義區中的子像素可包含由驅動電晶體的閘極節點或連接至閘極節點與閘極線的連接圖案的重疊產生的補償電容器。

在根據本發明多個方面的顯示裝置中，在資料電壓或由資料電壓的改變產生的電壓被施加在設置在預定義區中的子像素的驅動電晶體的閘極節點上的時間點（timing），經由閘極線供應的閘極訊號的電壓準位可被改變為低電壓準位。

本發明的一或多個示例性實施例可提供具有光傳輸結構的顯示裝置，其中光傳輸結構中被設置在顯示面板的顯示區域下的光學電子裝置能夠正常地接收或偵測光線。

本發明的一或多個示例性實施例可提供能夠正常地在被包含在顯示面板的顯示區域中的光學區中實現顯示驅動且能夠重疊光學電子裝置的顯示裝置。

本發明的一或多個示例性實施例可提供能夠減少或避免光學區與非光學區之間照度差異的顯示裝置。

本發明的一或多個示例性實施例可提供透過在光學區中設計一或多個子像素以具有照度差異補償結構，能夠減少或避免光學區與非光學區之間照度差異的顯示裝置。

額外的特徵及方面將會在敘述中被闡述，且部分透過敘述將變得顯而易見或可透過以下提供的發明概念的實施被學習了解。發明概念的其他特徵及方面可透過敘述、申請專利範圍以及所附圖式中特別被指出的結構被了解及實現。

其他系統、方法、特徵及優點對於具備本領域通常知識者透過考查以下圖式及詳細敘述將會或將變得顯而易見。

需要被理解的是本發明前面一般描述及以下詳細描述皆為示例性和解釋性的，且目的在提供如申請專利範圍的發明概念的進一步解釋。目的在將所有這些額外的系統、方法、特徵及優點包含在以下敘述中，屬於本發明保護範圍內，且受申請專利範圍的保護。此部分內容不應被視為對申請專利範圍的限制。

現在將詳細參考本案的實施例，實施例的示例可被展示於所附圖式中。

在以下敘述中，本文所述的結構、實施例、實施方式、方法以及操作不被侷限在本文所闡述的特定實施例且可被熟悉本領域通常知識者改變與調整，除非有其他限定或指定。以下實施例所使用的各自元件之名稱僅屬於方便描述說明書的術語選擇且可因此在實際產品中被改變為不同的名稱。

本發明及實施方式的優點與特徵將透過以下實施例參考圖式被清楚地解釋。然而，本發明可以不同形態被實施且不應被解釋為侷限在本文闡述的實施例中。相反的，這些實施例是被提供以讓本發明可足夠徹底且完整地協助熟悉本領域相關知識者能完全了解本發明的範圍。進一步，本發明所保護的範圍是透過申請專利範圍及其類似物被定義。在以下的敘述中，對於出現相關已知的功能或構造可能會不必要的模糊本發明的各方面，因此對於這種已知的功能或構造的詳細敘述將可被省略。

形狀、尺寸、比例、角度、數量及其他被展示在圖式中以描述本發明實施例的類似概念，將只是透過舉例來描述。因此，本發明並不局限於圖式中的說明。

被使用「包含」、「包括」、「含有」、「具有」、「組成」、「被組成」、「被形成」等其他同等詞描述的構造，可被增加一或多個元件，除非有使用特定術語如「只有」的情況。被描述為單數形式的元件可以隱含包含複數元件的形式，反之亦然，除非上下文中另有其他明確表示。

雖然本文中會使用順序術語如「第一」、「第二」、A、B、（a）、（b）等以描述各種元件，這些元件不應被解釋為被這些術語所侷限因為這些術語並不是用來定義特定的先後次序。這些術語僅用於區別一個元件與另一個元件。舉例來說，第一元件可被命名為第二元件，同樣地，第二元件可被命名為第一元件，這並不偏離本發明的範圍。

對於表示一元件或一層「連接」、「耦接」或「附著」至另一元件或層，元件或層不可只限於直接連接、耦接或附著至另一元件或層，而是可以透過將一或多個干涉元件或干涉層「設置」或「插入」在元件與層之間地間接地連接、耦接或附著至另一元件或層，除非另有指示。

對於表示元件或層與另一元件或另一層「接觸」、「重疊」等，元件或層不可只限於與另一元件或層直接接觸、直接重疊等，而是可以透過將一或多個干涉元件或干涉層「設置」或「插入」在元件與層之間地間接地連接、耦接或附著至另一元件或層，除非另有指示。

對於所描述的構造之間的位置關係，舉例來說，兩部件之間的關係被描述為「上」、「上方」、「之上」、「下方」、「之下」、「旁邊」、「相鄰」等，除非有額外限定詞語被使用，如「立即（地）」、「直接（地）」或「緊密（地）」等，不然可以將一或多個其他部件設置在兩部件之間。舉例來說，當一個元件被設置在另一元件或另一層「上」時，第三元件可被插入至其中。此外，關係術語如「上」、「下」、「左」、「右」「前」、「後」、「頂」、「底」等，可以任意參考坐標系為準。

在描述時間關係時，當時間順序舉例被描述為「之後」、「接著」、「然後」或「之前」，除非有額外限定術語如「立即」、「直接」、「緊」被使用，不然可以包含兩事件時間點不連續的情況。

在理解元件時，儘管敘述中沒有明確揭露，可以將元件理解為具有誤差或公差範圍。此外，術語「可」完整地涵蓋了術語「可以」。

術語「至少一」應被理解為包含一或多個的相關列出項目的任何或全部組合。舉例來說，「至少一個第一元件、第二元件及第三元件」涵蓋了所有條列的三個元件的組合，包含其中三個元件的組合、其中任兩個元件的組合，以及每個單獨的元件，也就是第一元件、第二元件以及第三元件。

對於表示第一元件、第二元件「和/或」第三元件，應被理解為第一元件、第二元件或第三元件的其中一個，或三個元件的任何或全部的組合。舉例來說，A、B和/或C可以指只有A、只有B或只有C；A、B及C的任何或部分組合；或A、B及C的整體。

以下，本發明的各個實施例將搭配標號與圖式被詳細的描述。此外，為了方便敘述，各元件在圖式中的尺度可與實際尺度不同。因此，被說明的元件不被侷限在圖式所展示的特定尺度中。

圖1A、1B及1C為根據本公開方面的顯示裝置的例子的平面圖

請參考圖1A、1B及1C，根據本發明方面的顯示裝置100可包含用於顯示一或多個影像的顯示面板110，以及一或多個光學電子裝置11及12。光學電子裝置可被稱為光偵測器、光接收器或光感測裝置。光學電子裝置可包含一或多個以下元件：相機、相機透鏡、感測器、用於偵測影像的感測器或其他類似物。

顯示面板110可包含當中有影像被顯示的顯示區域DA以及當中沒有影像被顯示的非顯示區域NDA。多個子像素可以被設置在顯示區域DA中，以及多種用於驅動該些子像素的訊號線可被設置在顯示區域DA中。

非顯示區域NDA可為顯示區域DA外部之區域。多種訊號線可以被設置在非顯示區域NDA內，並且可連接多種驅動電路。非顯示區域NDA可被彎折以隱藏而無法被從顯示面板的正面看見或可被一外殼（圖未示）遮蓋。非顯示區域NDA也可被稱為邊框或邊框區。

請參考圖1A、1B及1C，在根據本發明的顯示裝置100中，一或多個光學電子裝置11及12可被設置在顯示面板110的底部或被設置在顯示面板110之下（顯示面板的觀看面的相反側）。

光線可以進入顯示面板110的前表面（觀看面），穿過顯示面板110，抵達一或多個設置在顯示面板110底部（顯示面板的觀看面的相反側）或之下的光學電子裝置11及12。

一或多個光學電子裝置11及12可以接收或偵測穿過顯示面板110的光線以及基於接收的光線的進行預定義功能。舉例來說，一或多個光學電子裝置11及12可包含一或多個以下元件：影像擷取裝置如相機（影像感測器）和/或其他類似物；或感測器如相鄰感測器、照度感測器和/或其他類似物。

請參考圖1A、1B及1C，在根據本發明方面的顯示面板110中，顯示區域DA可包含一或多個光學區OA1及OA2以及非光學區NA。一或多個光學區OA1及OA2可為與一或多個光學電子裝置11及12重疊的一或多個區域。非光學區NA是不與一或多個光學電子裝置11及12重疊的區域，且也可被稱為正常區域。

根據圖1A的例子，顯示區域DA可包含第一光學區OA1及非光學區NA。在本例子中，第一光學區OA1的至少一部分可與第一光學電子裝置11重疊。

根據圖1B的例子，顯示區域DA可包含第一光學區OA1、第二光學區OA2以及非光學區NA。在圖1B的例子中，非光學區NA可位於第一光學區OA1與第二光學區OA2之間。在這種情形下，第一光學區OA1的至少一部份可與第一光學電子裝置11重疊，且第二光學區OA2的至少一部份可與第二光學電子裝置12重疊。

根據圖1C的例子，顯示區域DA可包含第一光學區OA1、第二光學區OA2以及非光學區NA。在圖1C的實施例中，非光學區可不位於第一光學區OA1與第二光學區OA2之間。也就是，第一光學區OA1及第二光學區OA2可與彼此接觸（如直接彼此接觸）。在這種情形下，第一光學區OA1的至少一部份可與第一光學電子裝置11重疊，且第二光學區OA2的至少一部份可與第二光學電子裝置12重疊。

在一或多個示例實施例中，影像顯示結構及光傳輸結構都是需要的，且因此在一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2中被實現。在這些一或多個示例性實施例中，因為一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2為顯示區域DA的一部分，用於顯示影像的子像素將需要被設置在一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2中並因而被設置在一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2中。此外，為了讓光線傳輸至一或多個第一光學電子裝置11及第二光學電子裝置12，需要設置光傳輸裝置在一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2中並因而實現設置光傳輸裝置在一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2中。

根據本發明的示例實施例，儘管需要一或多個光學電子裝置11及12以接收或偵測光線，一或多個光學電子裝置11及12被設置在顯示面板110的背面（如相反於觀看面的一側上）。因此，在這些示例實施例中，一或多個光學電子裝置11及12被設置在例如顯示面板110的底部或之下。也就是，一或多個光學電子裝置11及12沒有暴露在顯示面板110的前表面（觀看面）。根據上述，當使用者面對顯示裝置110的前表面時，光學電子裝置11及12被設置的位置讓它們無法被使用者看見。

在一示例實施例中，第一光學電子裝置11可為相機且第二光學電子裝置12可為感測器。感測器可為相鄰感測器、照度感測器、紅外線感測器和/或其他類似物。舉例來說，相機可為相機透鏡、影像感測器或包含相機透鏡及影像感測器的至少一者的單元。感測器可例如為能夠偵測紅外線的紅外線感測器。

在另一示例實施例中，第一光學電子裝置11可為感測器，且第二光學電子裝置12可為相機。

以下，為了方便起見，下述示例實施例中的第一光學電子裝置11是相機，及第二光學電子裝置12是感測器。然而應該被了解的，本發明的範圍包含以第一光學電子裝置11是感測器，及第二光學電子裝置12是相機的實施例。

在第一光學電子裝置11是相機的例子中，相機可以被設置在顯示面板110的背面（如底下或在底部），且可為能夠擷取顯示面板110的前方物體的前相機。據此，使用者可以透過在觀看面上無法被看到的相機擷取影像同時看著顯示面板110的觀看面。

雖然圖1A、圖1B及圖1C中被包含在顯示區域DA內的非光學區NA與一或多個光學區OA1及OA2為影像可以被顯示的區域，非光學區NA是不需要設置光傳輸結構的區域；然而，一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2是需要設置光傳輸結構的區域。因此，在一或多個示例實施例中，非光學區NA為不實現或不包括光傳輸結構的區域，而一或多個光學區OA1及OA2則是實現或包含光傳輸結構結構的區域。

根據上述，一或多個光學區OA1及OA2可具有大於或等於一預定義程度的透射率，即一相對高的透射率，且非光學區NA可不具有透射率或具有小於預定義程度的透射率，即一相對低的透射率。

舉例來說，一或多個光學區OA1及OA2可具有不同於非光學區NA的解析度、子像素排列結構、單位面積的子像素數量、電極結構、線路結構、電極排列結構、線路排列結構，和/或其他類似物。

在一示例實施例中，一或多個光學區OA1及OA2中單位面積的子像素數量可比非光學區NA中單位面積的子像素數量少。也就是，一或多個光學區OA1及OA2的解析度可比非光學區NA的解析度低。在本例子中，單位面積的子像素數量可等同於解析度、像素密度或像素積合度之概念。舉例來說，單位面積的子像素數量之單位可為單位英吋之像素數量（PPI），表示一英吋中的像素數量。

在圖1A、1B及1C的每一者的示例實施例中，第一光學區OA1內單位面積的子像素數量可較非光學區NA內單位面積的子像素數量少。在圖1A、1B及1C的每一者的示例實施例中，第二光學區OA2內單位面積的子像素數量可大於或等於第一光學區OA1內單位面積的子像素數量，以及少於非光學區NA內單位面積的子像素數量。

在圖1A、1B及1C的每一者的示例實施例中，作為一種增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一的透射率的方法，一種技術（可被稱為「像素密度差異設計方案」）可被採用使得像素密度或像素積合度產生如上述的差異。根據像素密度差異設計方案，在一示例實施例中，顯示面板110可被配置或設計為第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一的單位面積的子像素數量大於非光學區NA的單位面積的子像素數量。

在另一示例實施例中，做為另一種增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一的透射率的方法，另一技術（可被稱為「像素尺寸差異設計方案」）可被採用使得像素的尺寸產生差異。根據像素尺寸差異設計方案，顯示面板110可被配置或設計為第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一的單位面積的子像素數量等於或相似於非光學區NA的單位面積的子像素數量；然而，每個設置在第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一中的子像素的尺寸（即對應發光區的尺寸）小於每個設置在非光學區NA中的子像素的尺寸（即對應發光區的尺寸）。

在一或多個方面中，為了方便描述，接下來的討論是基於用於增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一的透射率的兩方案（即像素密度差異設計方案與像素尺寸差異設計方案）的像素密度差異設計方案，除非另有明確說明。

在圖1A、1B及1C的每一個中，第一光學區OA1可具有多種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等。在圖1B及1C的每一個中，第二光學區OA2可具有多種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等。第一光學區OA1及第二光學區OA2可具有相同或不同的形狀。

請參考圖1C，在第一光學區OA1與第二光學區OA2彼此互相接觸（如彼此互相直接接觸）的例子中，包含第一光學區OA1及第二光學區OA2的整個光學區亦可具有多種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形等。以下，為了方便描述，將會基於第一光學區OA1及第二光學區OA2的每一個都具有圓形形狀的示例實施例作討論。然而，應該被理解的是本發明的範圍包含第一光學區OA1及第二光學區OA2的一或兩者具有除了圓形之外的其他形狀的實施例。

當根據本發明的方面的顯示裝置100具有第一光學電子裝置11（如相機）被設置在顯示面板110的底部或之下且沒有暴露在外部的結構時，根據本發明的方面的這樣的顯示裝置100可被稱為實現有顯示器下相機（under-display camera，UDC）科技的顯示器。

根據本例子的配置，關於根據本發明方面的顯示裝置100，由於為了暴露相機的缺口或相機孔無須被形成在顯示面板110中，本發明技術可以避免顯示區域DA的面積減少。換言之，由於為了暴露相機的缺口或相機孔無須被形成在顯示面板110中，邊框區域的尺寸可以被減少，且設計上實質的缺點可以被消除或減少，藉此增加設計的自由度。

雖然一或多個光學電子裝置11及12被設置在顯示裝置100的顯示面板110的背面（如顯示面板110的底部或之下且隱藏或不暴露在外部），在一或多個方面中，一或多個光學電子裝置11及12可以進行它們的正常預定義功能，且因此，能夠接收或偵測光線。

進一步，在根據本發明方面的顯示裝置100中，雖然一或多個光學電子裝置11及12被設置在顯示面板110的背面上（如顯示面板110的底部或之下）以被隱藏，且被設置為與顯示區域DA重疊，但對於在顯示區域DA中與一或多個光學電子裝置11及12重疊的一或多個光學區OA1及OA2而言，正常地進行影像顯示是必要的。因此，在一或多個例子中，儘管一或多個光學電子裝置11及12被設置在顯示面板的背面，在顯示區域DA中，與一或多個光學電子裝置11及12重疊的一或多個光學區OA1及OA2中，影像可以正常方式被顯示（如無須降低影像品質）。

圖2為根據本公開方面的顯示裝置100的例子的系統配置圖。請參考圖2，顯示裝置100可以包含顯示面板110及顯示驅動電路作為顯示影像的元件。

顯示驅動電路是用於驅動顯示面板110的電路，且可包含資料驅動電路220、閘極驅動電路230、顯示控制器240以及其他元件。

顯示面板110可包含其中有影像被顯示的顯示區域DA以及其中影像不會被顯示的非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可為位於顯示區域DA外部的區域，且也可被稱為邊框區。所有或部分的非顯示區域NDA可為從顯示裝置100的前表面可見的區域，或是被彎折且無法從顯示裝置100的前表面被看見的區域。

顯示面板110可包含基板SUB及設置在基板SUB上的多個子像素SP。顯示面板110可更包含多種訊號線路以驅動該些子像素SP。

根據本發明方面的顯示裝置100可為液晶顯示裝置或其他類似物，或為光線是由顯示面板110本身發射的自發光顯示裝置。當根據本發明方面的顯示裝置100是自發光顯示裝置時，每個子像素SP可包含發光元件。

在示例實施例中，根據本發明方面的顯示裝置100可為其中使用有機發光二極體（OLED）實現發光元件的有機發光顯示裝置。對另一示例實施例而言，根據本發明方面的顯示裝置100可為其中使用基於無機材料的發光二極體實現發光元件的無機發光顯示裝置。對又另一示例實施例而言，根據本發明方面的顯示裝置100可為其中使用量子點實現發光元件的量子點顯示裝置，其中量子點是自發光半導體晶體。

每個子像素SP的結構可根據顯示裝置100的類型變化。舉例來說，當顯示裝置100是包含自發光子像素SP的自發光顯示裝置時，每個子像素SP可包含自發光元件、一或多個電晶體，以及一或多個電容器。

舉例來說，多種訊號線可包含用於乘載資料訊號（可被稱為資料電壓或影像訊號）的多條資料線DL、用於乘載閘極訊號（可被稱為掃描訊號）的多條閘極線GL，以及其他類似物。

該些資料線DL及該些閘極線GL可彼此相交。每個資料線DL可被設置為沿著第一方向延伸。每個閘極線GL可被設置為沿著第二方向延伸。於此，第一方向可為欄方向，且第二方向可為列方向。或者，第一方向可為列方向，且第二方向可為欄方向。

資料驅動電路220是用於驅動該些資料線DL的電路，且可以供應資料訊號至該些資料線DL。閘極驅動電路230是用於驅動該些閘極GL的電路，且可以供應閘極訊號至該些閘極線GL。

顯示控制器240可為用於控制資料驅動電路220及閘極驅動電路230的裝置，且可以控制用於該些資料線DL的驅動時間點及用於閘極線GL的驅動時間點。顯示控制器240可以供應資料驅動控制訊號DCS至資料驅動電路220以控制資料驅動電路220，以及供應閘極驅動控制訊號GCS至閘極驅動電路230以控制閘極驅動電路230。顯示控制器240可以從主機系統250接收輸入影像資料以及基於輸入影像資料供應影像資料Data至資料驅動電路220。

資料驅動電路220可以從顯示控制器240接收數位影像資料Data，將接收的影像資料Data轉換為類比資料訊號，並供應產生的類比資料訊號至該些資料線DL。

閘極驅動電路230可以接收對應於導通級電壓的第一閘極電壓以及對應於關斷級電壓的第二閘極電壓與各種閘極驅動控制訊號GCS，產生閘極訊號，並供應產生的閘極訊號至該些閘極線GL。

在一些示例實施例中，資料驅動電路220可以帶狀自動化黏接（TAB）形式被連接至顯示面板110，或以玻璃覆晶（COG）或面板覆晶（COP）形式被連接至顯示面板110的導電墊如銲墊，或以薄膜覆晶（COF）形式被連接至顯示面板110。

在一些示例實施例中，閘極驅動電路230可以帶狀自動化黏接（TAB）形式被連接至顯示面板110，或以玻璃覆晶（COG）或面板覆晶（COP）形式被連接至顯示面板110的導電墊如銲墊，或以薄膜覆晶（COF）形式被連接至顯示面板110。在另一示例實施例中，閘極驅動電路230可以面板內閘極（GIP）形式被設置在顯示面板110的非顯示區域NDA中。閘極驅動電路230可被設置在基板上或上方，或被連接至基板。也就是，在GIP形式的情況中，閘極驅動電路230可被設置在基板的非顯示區域NDA中。在玻璃覆晶（COG）、薄膜覆晶（COF）或其他形式的情況中，閘極驅動電路230可被連接至基板。

在示例實施例中，資料驅動電路220及閘極驅動電路230的至少一者可被設置在顯示面板110的顯示區域DA中。舉例來說，資料驅動電路220及閘極驅動電路230的至少一者可被設置為不與子像素SP產生重疊，或被設置為與一或多個或全部的子像素SP產生重疊。

資料驅動電路220也可但並不限於被設置在顯示面板110的一部分中，如頂部或底部。在一些示例實施例中，根據驅動方案、面板設計方案或其他方案，資料驅動電路220可但並不限於被設置在顯示面板110的兩部分中，如頂部及底部，或者顯示面板110的四部分中的至少兩部分中，如頂部、底部、左部及右部。

閘極驅動電路230也可但並不限於被設置在顯示面板110的一部分中，如左部或右部。在一些示例實施例中，根據驅動方案、面板設計方案等，閘極驅動電路230可但並不限於被設置在顯示面板110的兩部分中，如左部及右部，或者顯示面板110的四部分中的至少兩部分中，如頂部、底部、左部及右部。

顯示控制器240可被實現為與資料驅動電路220分離的元件，或與資料驅動電路220整合並因此被實現為積體電路。

顯示控制器240可為用於典型顯示器技術的時間點控制器或能夠進行除了典型時間點控制器功能外的其他控制功能的控制器或控制裝置。在一些示例實施例中，顯示控制器140可為不同於時間點控制器的控制器或控制裝置。顯示控制器240可被多種電路或電子元件實現，如積體電路（IC）、場式可程式閘陣列（FPGA）、特殊應用積體電路（ASIC）、處理器等。

顯示控制器240可被安裝在印刷電路板、軟性印刷電路板和/或其他類似物上，且透過印刷電路板、軟性印刷電路板等被電性連接至閘極驅動電路230及資料驅動電路220。

顯示控制器240可透過一或多個預定義介面傳輸訊號至資料驅動電路220及接收資料驅動電路220的訊號。在一些示例實施例中，這樣的介面可包含低電壓差分訊號（LVDS）介面、嵌入式時脈點對點介面（EPI）、串列週邊介面（SPI）及其他類似物。

為了進一步提供觸控感測功能以及影像顯示功能，根據本發明方面的顯示裝置100可包含至少一觸控感測器以及透過觸控感測器能夠偵測是否發生由觸控物體如手指、筆等引起的觸控事件或能夠偵測對應的觸控位置的觸控感測電路。

觸控感測電路可包含能夠透過驅動及感測觸控感測器產生及提供觸控感測資料的觸控驅動電路260，且也可包含能夠使用觸控感測資料等偵測觸控事件的發生或偵測觸控位置的觸控控制器270。

觸控感測器可包含多個觸控電極。觸控感測器可更包含用於電性連接該些觸控電極至觸控驅動電路260的多條觸控線。

觸控感測器可被設置在觸控面板中且在顯示面板110外部，或以觸控面板的形式被設置在顯示面板110外部，或被設置在顯示面板110內部。當觸控感測器被設置在觸控面板中在顯示面板110外部，或以觸控面板的形式被設置在顯示面板110外部時，這樣的觸控感測器被稱為附加類型。當附加類型的觸控感測器被設置時，觸控面板及顯示面板110可單獨被製造且在組裝製程被結合。附加類型的觸控面板可包含觸控面板基板及在觸控面板基板上的多個觸控電極。

為了將觸控感測器設置在顯示面板110的內部，製造顯示面板110的製程可包含將觸控感測器連同與驅動顯示裝置有關的訊號線及電極一起設置在基板SUB上方。

觸控驅動電路260可以供應觸控驅動訊號至至少一個觸控電極，且可以感測至少一觸控電極以產生觸控感測資料。

觸控感測電路可以使用自電容器感測方法或交互電容器感測感測方法進行觸控感測。

當觸控感測電路以自電容器感測方法進行觸控感測時，觸控感測電路可以基於每個觸控電極與觸控物如手指或筆之間的電容器進行觸控感測。根據自電容感測方法，每個觸控電極可以作為驅動觸控電極與感測觸控電極。觸控驅動電路260可以驅動全部或部分的觸控電極以及感測全部或部分的觸控電極。

當觸控感測電路以交互電容感測方法進行觸控感測時，觸控感測電路可以基於觸控電極間的電容器進行觸控感測。根據交互電容感測方法，多個觸控電極被區分為驅動觸控電極與感測觸控電極。觸控驅動電路260可以驅動上述驅動觸控電極與感測上述感測觸控電極。

被包含在觸控感測電路的觸控驅動電路260及觸控控制器270可被實現為分離的裝置或單一裝置。此外，觸控驅動電路260及資料驅動電路220可被實現為分離的裝置或單一裝置。

顯示裝置100可更包含用於供應多種電力至顯示驅動電路和/或觸控感測電路的電力供應電路。

根據本發明方面的顯示裝置100可為行動終端如智慧型手機、平板電腦等，或螢幕、電視（TV）等。這樣的裝置可為多種類型、尺寸及形狀。根據本發明實施例的顯示裝置100並不限於此，且包含用於顯示資訊或影像的各種類型、尺寸及形狀的顯示器。

如上所述，顯示面板110的顯示區域DA可包含非光學區NA及一或多個光學區OA1及OA2。非光學區NA及一或多個光學區OA1及OA2為影像可以被顯示的區域。然而，非光學區NA是無需實現光傳輸結構的區域，且一或多個光學區OA1及OA2是需要實現光傳輸結構的區域。

如上所述關於圖1A、圖1B及圖1C的例子，雖然顯示面板110的顯示區域DA除了非光學區NA外可包含一或多個光學區OA1及OA2，為了方便說明，在接下來的討論中，除非另有明確說明，否則將假設顯示區域DA包含第一光學區OA1及第二光學區OA2與非光學區NA；且當中的非光學區NA包含圖1A、1B及1C中的非光學區NA，且第一及第二光學區OA1及OA2分別包含圖1A、1B及1C中的第一光學區OA1與圖1B及1C中的第二光學區OA2。

圖3為根據本公開方面的位於顯示面板110中的子像素SP的例子的等效電路圖。

設置在顯示面板110的顯示區域DA所包括的非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2中的每個子像素SP可包含發光元件ED、用於驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT、用於傳輸資料電壓Vdata至驅動電晶體的第一節點Nx的掃描電晶體SCT、用於在一幀期間將電壓保持在近似恆定的水平的儲存電容器Cst，以及其他類似物。

驅動電晶體DRT可包含被施加資料電壓的第一節點Nx、電性連接至發光元件ED的第二節點Ny、以及透過驅動電壓線DVL被施加驅動電壓ELVDD的第三節點Nz。在驅動電晶體DRT中，第一節點Nx可為閘極節點，第二節點Ny可為源極節點或汲極節點，以及第三節點Nz可為汲極節點或源極節點。

發光元件ED可包含陽極電極AE、發射層EL以及陰極電極CE。陽極電極AE可為被設置在每個子像素SP中的像素電極，且可被電性連接至每個子像素的驅動電晶體DRT的第二節點N _y。陰極電極CE可為共同設置在多個子像素SP中的共同電極，以及基準電壓ELVSS如低位準電壓可被施加至陰極電極CE。

舉例來說，陽極電極AE可為像素電極，以及陰極電極CE可為共同電極。在另一例子中，陽極電極AE可為共同電極，以及陰極電極CE可為像素電極。為了方便說明，以下討論中除非另有明確說明，否則將假設陽極電極AE為像素電極，以及陰極電極CE為共同電極。

發光元件ED可例如為有機發光二極體（OLED）、無機發光二極體、量子點發光元件等。當使用有機發光二極體作為發光元件ED時，其發射層ED可包含含有有機材料的有機發射層。

掃描電晶體SCT可透過掃描訊號SCAN，也就是透過閘極線GL被施加的閘極訊號，被導通或關斷，以及被電性連接至驅動電晶體DRT的第一節點Nx及資料線DL之間。

儲存電容器Cst可被電性連接至驅動電晶體DRT的第一節點Nx及第二節點Ny之間。

如圖3所示，每個子像素SP可包含兩個電晶體（2T：驅動電晶體DRT及掃描電晶體SCT）以及一電容器（1C：儲存電容器Cst），其可被稱為「2T1C結構」，且在一些情況中，可更包含一或多個電晶體，或更包含一或多個電容器。

在一示例實施例中，可出現在驅動電晶體DRT的第一節點Nx及第二節點N _y之間的儲存電容器C _st可為有意配置為或設計為被設置在驅動電晶體DRT的外部的外部電容器，而非內部電容器，如寄生電容器（如閘極-源極電容器Cgs或閘極-汲極電容器Cgd）。每個驅動電晶體DRT以及掃描電晶體SCT可為n型電晶體或p型電晶體。

因為每個子像素SP中的電路元件（例如，特別是發光元件ED）易受外部濕氣或氧氣影響，可在顯示面板110內設置封裝層ENCAP以防止外部濕氣或氧氣滲透至電路元件中（例如，特別是發光元件ED）。可設置封裝層ENCAP以覆蓋發光元件ED。

圖4為根據本公開方面的位於顯示面板110的顯示區域DA中所包括的三個區域NA、OA1及OA2內的子像素SP排列示例圖。

請參考圖4，多個子像素SP可被設置在被包含於顯示區域DA中每個非光學區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2中。

該些子像素SP可例如包含發射紅光的紅色子像素（紅色SP）、發射綠光的綠色子像素（綠色SP）以及發射藍光的藍色子像素。

根據上述，每個非光學區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2可包含一或多個紅色子像素（紅色SP）的一或多個發光區EA、一或多個綠色子像素（綠色SP）的一或多個發光區EA、一或多個藍色子像素（藍色SP）的一或多個發光區EA。

請參考圖4，在一或多個示例實施例中，非光學區NA可不包含並且不包含光傳輸結構，但可包含發光區EA。然而，在一或多個示例實施例中，第一光學區OA1及第二光學區OA2需要且因此包含，發光區EA以及光傳輸結構。因此，在一或多個示例實施例中，第一光學區OA1可包含發光區EA以及第一光傳輸區TA1，且第二光學區OA2可包含發光區EA以及第二光傳輸區TA2。

發光區EA以及光傳輸區TA1及TA2可根據是否允許光線傳輸而有所不同。也就是，發光區EA可為不允許光線傳輸（如不允許光線傳輸至顯示面板的背面）的區域，以及光傳輸區TA1及TA2可為允許光線傳輸（如允許光線傳輸至顯示面板的背面）的區域。

發光區EA以及光傳輸區TA1及TA2可根據是否包含特定金屬層而有所不同。舉例來說，陰極電極（如圖3的陰極電極CE）可被設置在發光區EA中，且陰極電極可不被設置並且不被設置在光傳輸區TA1及TA2中。此外，在一或多個示例實施例中，遮光層可被設置在發光區EA中，以及遮光層可不被設置且不被設置在光傳輸區TA1及TA2中。

由於第一光學區OA1包含第一光傳輸區TA1以及第二光學區OA2包含第二光傳輸區TA2，第一光學區OA1及第二光學區OA2兩者都是光線可以穿過的區域。

在一示例實施例中，第一光學區OA1的透射率（透射的程度）與第二光學區OA2的透射率（透射的程度）可實質上相等。在此情況的一例子中，第一光學區OA1的第一穿透區TA1及第二光學區OA2的第二穿透區TA2可具有實質上相等的形狀或尺寸。在另一例子中，就算當第一光學區OA1中的第一穿透區TA1及第二光學區OA2中的第二穿透區TA2具有不同的形狀或尺寸，第一光學區OA1中的第一穿透區TA1的比例及第二光學區OA2中的第二穿透區TA2的比例可實質上相等。在一例子中，每個第一穿透區TA1具有相同形狀及尺寸。在一例子中，每個第二穿透區TA2具有相同形狀及尺寸。第一光學區OA1中的第一穿透區TA1的比例可指在顯示面板110中第一光學區OA1的第一穿透區TA1的總面積比上顯示面板110的第一光學區OA1的總面積。第二光學區OA2中的第二穿透區TA2的比例可指在顯示面板110中第二光學區OA2的第二穿透區TA2的總面積比上顯示面板110的第二光學區OA2的總面積。

在另一示例實施例中，第一光學區OA1的透射率（透射的程度）及第二光學區OA2的透射率（透射的程度）可不同。在此情況的一例子中，第一光學區OA1的第一穿透區TA1及第二光學區OA2的第二穿透區TA2可具有不同的形狀或尺寸。在另一例子中，就算當第一光學區OA1中的第一穿透區TA1及第二光學區OA2中的第二穿透區TA2具有實質上相同的形狀或尺寸，第一光學區OA1中的第一穿透區TA1的比例及第二光學區OA2中的第二穿透區TA2的比例可彼此不同。

舉例來說，在與第一光學區OA1重疊的第一光學電子裝置（例如，圖1A、1B及1C的第一光學電子裝置11）是相機，以及與第二光學區OA2重疊的第二光學電子裝置（例如，圖1B及1C的第二光學電子裝置12）是用於偵測影像的感測器的情況下，相機可需要接收比感測器更多的光線量。因此，在此情況中，第一光學區OA1的透射率（透射的程度）可比第二光學區OA2的透射率（透射的程度）大。進一步，在此情況中，第一光學區OA1的第一光傳輸區TA1可具有較第二光學區OA2的第二光傳輸區TA2大的尺寸。在另一例子中，就算當第一光學區OA1的第一光傳輸區TA1與第二光學區OA2的第二光傳輸區TA2具有實質上相等的尺寸，第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的比例可大於第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2的比例。

為了方便敘述，以下討論是基於第一光學區OA1的透射率（透射的程度）大於第二光學區OA2的透射率（透射的程度）的示例實施例。

此外，如圖4所示的光傳輸區TA1及TA2可被稱為透明區，且透射率可被稱為透明度。進一步，在以下討論中，除非另有明確說明，否則將假設第一光學區OA1以及第二光學區OA2被設置在顯示面板110的顯示區域DA的上緣，且被設置為彼此地相鄰，例如如圖4所示被設置為沿著上緣延伸的方向。

請參考圖4，被設置有第一光學區OA1及第二光學區OA2的水平顯示區域被稱為第一水平顯示區HA1，以及沒有被設置第一光學區OA1及第二光學區OA2的另一水平顯示區被稱為第二水平顯示區HA2。

請參考圖4，第一水平顯示區HA1可包含非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2。第二水平顯示區HA2可只包含非光學區NA。

在一或多個方面中，如上所述的像素密度差異設計方案可被採用為增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者的透射率的方法。根據像素密度差異設計方案，在一示例實施例中，顯示面板110可被配置或被設計為讓第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者的單位面積的子像素數量大於非光學區NA的單位面積的子像素數量。

在另一示例實施例中，像素尺寸差異設計方案可被採用為增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者的透射率的另一方法。根據像素尺寸差異設計方案，顯示面板110可被配置或被設計為讓第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者的單位面積的子像素數量等於或相似於非光學區NA的單位面積的子像素數量；然而，設置在第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者中的每個子像素SP的尺寸（即對應發光區的尺寸）小於設置在非光學區NA的每個子像素SP的尺寸（即對應發光區的尺寸）。

為了方便敘述，除非另有明確說明，否則以下討論是基於為了增加第一光學區OA1及第二光學區OA2的至少之一者的透射率的兩方案（即像素密度差異設計方案與像素尺寸差異設計方案）的像素密度差異設計方案。

包含在第一光學區OA1中的子像素SP可被設置為如圖4所示地分散在整個（包含邊緣與內部）第一光學區OA1上，或只被設置在第一光學區OA1的邊緣區域上。

同樣的，包含在第二光學區OA2的子像素SP可被設置為如圖4所示地分散在整個（包含邊緣與內部）第二光學區OA2上，或只被設置在第二光學區OA2的邊緣區域上。

圖5A為繪示根據本發明的方面的位於顯示面板110的每個第一光學區OA1與非光學區NA的訊號線排列的例子，以及圖5B為繪示根據本發明的方面的位於顯示面板110的每個第二光學區OA2與非光學區NA的訊號線排列示意圖。

如圖5A及圖5B所示的第一水平顯示區HA1對應於顯示面板110的第一水平顯示區HA1的部分。如圖5A及圖5B所示的第二水平顯示區HA2對應於顯示面板110的第二水平顯示區HA2的部分。

圖5A的第一光學區OA1對應於顯示面板110的第一光學區OA1的一部分，以及圖5B的第二光學區OA2對應於顯示面板110的第二光學區OA2的一部分。

請參考圖5A及圖5B，第一水平顯示區HA可包含非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2。第二水平顯示區HA2可包含非光學區NA。

多種水平線HL1及HL2以及多種垂直線VLn、VL1、VL2可被設置在顯示面板110中。

在一些示例實施例中，術語「水平」及「垂直」被用來指兩個與顯示面板相交的方向；然而，應該被注意的是，水平方向與垂直方向可依視線方向而被改變。舉例來說，水平方向可指一條閘極線GL被設置延伸的方向，以及垂直方向可例如為一條資料線DL被設置延伸的方向。如此，術語「水平」及「垂直」用於表示兩方向。

請參考圖5A及5B，被設置在顯示面板110中的水平線可包含被設置在第一水平顯示區HA1中的第一水平線HL1以及被設置在第二水平顯示區HA2中的第二水平線HL2。

被設置在顯示面板110中的水平線可為閘極線GL。也就是，第一水平線HL1及第二水平線HL2可為閘極線GL。閘極線GL可根據一或多個子像素的結構包含多種閘極線。

請參考圖5A及5B，被設置在顯示面板110中的垂直線可包含僅被設置在非光學區NA的典型垂直線VLn、貫穿第一光學區OA1及非光學區NA的第一垂直線VL1，以及貫穿第二光學區OA2及非光學區NA的第二水平線HL2。

被設置在顯示面板110中的垂直線可包含資料線DL、驅動電壓線DVL等，且可更包含參考電壓線、初始化電壓線等。也就是，典型垂直線VLn、第一垂直線VL1及第二垂直線VL2可包含資料線DL、驅動電壓線DVL等，且可更包含參考電壓線、初始化電壓線，及其他類似物。

在一些示例實施例中，需要被注意的是在第二水平線HL2中的術語「水平」可僅表示訊號從顯示面板的左側被傳送至右側（或從右側到左側），且可不表示第二水平線HL2僅沿著單一的水平方向直線延伸。舉例來說，在圖5A及5B中，雖然第二水平線HL2被表示為直線，一或多個第二水平線HL2可包含與圖5A及5B所示之配置不同的一或多個彎曲或折疊的部分。同樣的，一或多個第一水平線HL1也可包含一或多個彎曲或折疊的部分。

在一些示例實施例中，需要被注意的是在典型垂直線VLn中的術語「垂直」可僅表示訊號從顯示面板的頂部被傳送至底部（或從底部到頂部），且可不表示典型垂直線VLn僅沿著單一的垂直方向直線延伸。舉例來說，在圖5A及5B中，雖然典型垂直線VLn被表示為直線，一或多個典型垂直線VLn可包含與圖5A及5B所示之配置不同的一或多個彎曲或折疊的部分。同樣的，一或多個第一垂直線VL1及一或多個第二垂直線VL2也可包含一或多個彎曲或折疊的部分。

請參考圖5A，被包含在第一水平顯示區HA1的第一光學區OA1可包含發光區EA（請參考如圖4）以及第一光傳輸區TA1。在第一光學區OA1中，第一光傳輸區TA1的各個外部區域可包含對應的發光區EA。

請參考圖5A，為了提高第一光學區OA1的透射率，第一水平線HL1可貫穿第一光學區OA1，同時避開第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1。因此，貫穿第一光學區OA1的每個第一水平線HL1可包含圍繞一或多個第一光傳輸區TA1的各自外部邊緣的一或多個曲線或彎曲的部分。

根據上述，設置在第一水平顯示區HA1中的第一水平線HL1以及設置在第二水平顯示區HA2中的第二水平線HL2可具有不同的形狀或長度。也就是，貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1以及沒有貫穿第一光學區OA1的第二水平線HL2可具有不同的形狀或長度。

此外，為了提高第一光學區OA1的透射率，第一垂直線VL1可貫穿第一光學區OA1同時避開第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1。因此，貫穿第一光學區OA1的每個第一垂直線VL1可包含圍繞一或多個第一光傳輸區TA1的各自外部邊緣的一或多個曲線或彎曲的部分。

因此，貫穿第一光學區OA1的第一垂直線VL1以及被設置在非光學區NA中且沒有貫穿第一光學區OA1的典型垂直線VLn可具有不同的形狀或長度。

請參考圖5A，包含在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1的第一光傳輸區TA1可被排列在對角線方向。

請參考圖5A，在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1中，一或多個發光區EA可被設置在兩水平相鄰的第一光傳輸區TA1之間。在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1中，一或多個發光區EA可被設置在兩垂直相鄰的第一光傳輸區TA1之間。

請參考圖5A，每個設置在第一水平顯示區HA1的第一水平線HL1（即貫穿第一光學區OA1的每個第一水平線HL1）可包含圍繞一或多個第一光傳輸區TA1的各自外部邊緣的一或多個曲線或彎曲的部分。

請參考圖5B，被包含在第一水平顯示區HA1中的第二光學區OA2可包含發光區EA以及第二光傳輸區TA2。在第二光學區OA2中，第二光傳輸區TA2的各個外部區域可包含對應的發光區EA。

在示例實施例中，在第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2及發光區EA可與圖5A中的第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1及發光區EA具有實質上相同的位置和排列。

在另一示例實施例中，如圖5B所示，在第二光學區OA2中的發光區EA及第二光傳輸區TA2可與圖5A中的第一光學區OA1中的發光區EA及第一光傳輸區TA1具有不同的位置和排列。

舉例來說，請參考圖5B，在第二光學區OA2中的發光區EA可以水平方向（由左至右或由右至左）被排列。在本例子中，發光區EA可不是且不是被設置在兩沿著水平方向彼此相鄰的第二光傳輸區TA2之間。此外，在第二光學區OA2中的一或多個發光區EA可被設置於在垂直方向上相鄰的第二光傳輸區TA2之間（由上至下或由下至上）。也就是，一或多個發光區EA可被設置在兩列第二光傳輸區之間。

在一示例實施例中，當第一水平線HL1貫穿在第一水平顯示區HA1中的第二光學區OA2以及相鄰第二光學區OA2的非光學區NA時，第一水平線HL1可具有與圖5A實質上相同的排列。

在另一示例實施例中，如圖5B所示，當第一水平線HL1貫穿在第一水平顯示區HA1示例的第二光學區OA2以及相鄰第二光學區OA2的非光學區NA時，第一水平線HL1可具有與圖5A實質上不同的排列。這是因為在圖5B中，第二光學區OA2中的發光區EA及第二光傳輸區TA2與圖5A中第一光學區OA1中的發光區EA及第一光傳輸區TA1具有不同的位置與排列。

請參考圖5B，當第一水平線HL1貫穿第一水平顯示區HA1中的第二光學區OA2以及相鄰第二光學區OA2的非光學區NA時，第一水平線HL1可在垂直相鄰的第二光傳輸區TA2之間以直線延伸而不具有曲線或彎曲的部分。換言之，在一或多個例子中，在第一光學區OA1中，一條第一水平線HL1可具有一或多個曲線或彎曲的部分，但在第二光學區OA2中，也可不且不具有曲線或彎曲的部分。

為了增加第二光學區OA2的透射率，第二垂直線VL2可貫穿第二光學區OA2同時避開第二光學區OA2的光傳輸區TA2。因此，貫穿第二光學區OA2的每個第二垂直線VL2可包括圍繞在一或多個第二光傳輸區TA2的各自的外部邊緣的一或多個曲線或彎曲的部分。

因此，貫穿第二光學區OA2的第二垂直線VL2以及被設置在非光學區NA中且沒有貫穿第二光學區OA2的典型垂直線VLn可具有不同形狀或長度。

如圖5A所示，每一個或一或多個的貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1可具有圍繞在一或多個第一光傳輸區TA1的各自的外部邊緣的一或多個曲線或彎曲的部分。

根據上述，貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的長度可稍微大於僅被設置在非光學區NA中且沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2。請參考圖4、圖5A及圖5B，貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1同樣穿過第二光學區OA2。更具體地，第一水平線HL1包括被設置在第一光學區OA1中的一部份、被設置在第二光學區OA2中的一部份，以及被設置在第一光學區OA1及第二光學區OA2外部的一部份。在第一水平線HL1中，被設置在第一光學區OA1中的部分可為彎曲的，被設置在第二光學區OA2中的部分可為直線或彎曲的，以及被設置在第一光學區OA1及第二光學區OA2外部的部分可為直線的。由於第一水平線HL1至少具有被設置在第一光學區OA1中的部分是彎曲的，因此第一水平線HL1的長度可以大於全部皆為直線的第二水平線HL2的長度。

根據上述，貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的電阻，也被稱為第一電阻，可稍微大於僅被僅設置在非光學區NA中而沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2的電阻（也被稱為第二電組）。在第一水平線HL1中，被設置在第一光學區OA1中的部分可為彎曲的，被設置在第二光學區OA2中的部分可為直線或彎曲的，以及被設置在第一光學區OA1及第二光學區OA2外部的部分可為直線的。由於第一水平線HL1至少具有被設置在第一光學區OA1的部分是彎曲的，因此第一水平線HL1的電阻可以大於全部皆為直線的第二水平線HL2的電阻。

請參考圖5A及圖5B，根據光傳輸結構的一例子，至少部分地與第一光學電子裝置11重疊的第一光學區OA1包含第一光傳輸區TA1，以及至少部分地與第二光學電子裝置12重疊的第二光學區OA2包含第二光傳輸區TA2。因此，第一光學區OA1及第二光學區OA2的單位面積的子像素數量可小於非光學區NA的單位面積的子像素數量。

根據上述，連接至每一個或一或多個貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的子像素數量可與連接至每個或一個或多個僅被設置在非光學區NA中而沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2的子像素數量不同。

連接至每一個或一或多個貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的子像素數量，被稱為第一數量，可小於連接至每個或一個或多個僅被設置在非光學區NA中而沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2的子像素數量（也被稱為第二數量）。

第一數量與第二數量之間的差異可根據第一光學區OA1及第二光學區OA2的解析度與非光學區NA的解析度之間的差異而變化。舉例來說，當第一光學區OA1及第二光學區OA2的每一者的解析度與非光學區NA的解析度之間的差異增加時，第一數量與第二數量之間的差異可增加。

如上所述，因為連接至每一個或一或多個貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的子像素的數量（第一數量）少於連接至每個或一個或多個僅被設置在非光學區NA中而沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2的子像素數量（第二數量），第一水平線HL1與相鄰的一或多個其他電極或線重疊的一面積可小於第二水平線HL2與相鄰的一或多個其他電極或線重疊的另一面積。

根據上述，形成在第一水平線HL1及相鄰的一或多個其他電極或線之間的寄生電容器，也被稱為第一電容器，可遠小於形成在第二水平線HL2及相鄰的一或多個其他電極或線之間的寄生電容器（也被稱為第二電容器）。

考量到第一電阻及第二電阻之間的大小關係（第一電阻≥第二電阻）以及第一電容器及第二電容器之間的大小關係（第一電容器＜＜第二電容器），貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第一水平線HL1的電容器-電阻值（RC值），也被稱為第一RC值，可遠小於僅被設置在非光學區NA中而沒有貫穿第一光學區OA1及第二光學區OA2的第二水平線HL2的電容器-電阻值（RC值），也被稱為第二RC值。因此，在本例子中，第一RC值可遠小於第二RC值（即第一RC值＜＜第二RC值）。

由於第一水平線HL1的第一RC值與第二水平線HL2的第二RC值之間存在這樣的差異，也被稱為RC負載差異，透過第一水平線HL1的資料傳輸特徵可與透過第二水平線HL2的資料傳輸特徵不同。

圖6及圖7為根據本發明的被包含在顯示面板110的顯示區域DA中的每個第一光學區OA1、第二光學區OA2及非光學區NA的橫截面例子。

圖6以一示例展示了顯示面板110，其中觸控感測器是以觸控面板的形式存在顯示面板110的外部。圖7以一示例展示了顯示面板110，其中觸控感測器TS存在顯示面板110的內部。

圖6及圖7皆展示了被包含在顯示區域DA內的非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2的示例橫截面圖。

首先，請參照圖6及圖7對非光學區NA的堆疊結構的描述。被包含在第一光學區OA1及第二光學區OA2中的各個發光區EA可具有與非光學區NA或非光學區NA中的發光區EA相同的堆疊結構。

請參考圖6及圖7，基板SUP可包含第一基板SUB1、層間絕緣層IPD及第二基板SUB2。層間絕緣層IPD可被設置於第一基板SUB1及第二基板SUB2之間。由於基板SUB包含第一基板SUB1、層間絕緣層IPD及第二基板SUB2，基板SUB可以避免溼氣的穿透。第一基板SUB1及第二基板SUB2可舉例為聚亞胺（PI）基板。第一基板SUB1可被稱為主要PI基板，以及第二基板SUB2可被稱為次要PI基板。

請參考圖6及圖7，用於設置一或多個電晶體如驅動電晶體DRT等的多種圖案ACT、SD1、GATE、多種絕緣層MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0以及多種金屬圖案TM、GM、ML1、ML2可被設置在基板SUB上或上方。

請參考圖6及圖7，多層緩衝層MBUF可被設置在第二基板SUB2上，以及第一主動緩衝層ABUF1可被設置在多層緩衝層MBUF上。

第一金屬層ML1及第二金屬層ML2可被設置在第一主動緩衝層ABUF1上。第一金屬層ML1及第二金屬層ML2可例如為用於遮擋光線的遮光層LS。

第二主動緩衝層ABUF2可被設置在第一金屬層ML1及第二金屬層ML2上。驅動電晶體DRT的主動層ACT可被設置在第二主動緩衝層ABUF2上。

閘極絕緣層GI可被設置以覆蓋主動層ACT。驅動電晶體DRT的閘極電極GATE可被設置在閘極絕緣層GI上。在此情況下，閘極材料層GM連同驅動電晶體DRT的閘極電極GATE可被設置在閘極絕緣層GI上的不同於驅動電晶體DRT被設置的位置。

第一層間絕緣層ILD1可被設置以覆蓋閘極電極GATE與閘極材料層GM。金屬圖案TM可被設置在第一層間絕緣層ILD1上。金屬圖案TM可被設置在與驅動電晶體DRT被形成的位置不同的位置。第二層間絕緣層ILD2可被設置以覆蓋第一層間絕緣層ILD1上的金屬圖案TM。

兩個第一源極-汲極電極圖案SD1可被設置在第二層間絕緣層ILD2上。兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的其中一個可為驅動電晶體DRT的源極節點，以及另一個可為驅動電晶體DRT的汲極節點。

兩個第一源極-汲極電極圖案SD1可透過形成於第二層間絕緣層ILD2、第一層間絕緣層ILD1以及閘極絕緣層GI中的接觸孔分別被電性連接至主動層ACT的第一側及第二側。

主動層ACT與閘極電極GATE重疊的一部分可為通道區。兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的其中之一可被連接至主動層ACT的通道區的第一側部分，以及兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的另一個可被連接至主動層ACT的通道區的第二側部分。

鈍化層PAS0可被設置以覆蓋兩個第一源極-汲極電極圖案SD1。一平坦化層PLN可被設置在鈍化層PAS0上。平坦化層PLN可包含第一平坦化層PLN1及第二平坦化層PLN2。第一平坦化層PLN1可被設置在鈍化層PAS0上。

第二源極-汲極電極圖案SD2可被設置在第一平坦化層PLN1上。第二源極-汲極電極圖案SD2可透過形成於第一平坦化層PLN1中的接觸孔被連接至兩個第一源極-汲極電極圖案SD1的其中之一（對應於圖3中子像素SP中的驅動電晶體DRT的第二節點Ny）。

第二平坦化層PLN2可被設置以覆蓋第二源極-汲極電極圖案SD2。發光元件ED可被設置在第二平坦化層PLN2上。

根據示例的發光元件ED的堆疊結構，陽極電極AE可被設置在第二平坦化層PLN2上。陽極電極AE可透過形成於第二平坦化層PLN2中的接觸孔被電性連接至第二源極-汲極電極圖案SD2。

岸堤BANK可被設置以覆蓋陽極電極AE的一部分。岸堤BANK對應於子像素SP的發光區EA的部分可被打開。部分的陽極電極AE可透過岸堤BANK的開口（被打開的部分）被暴露。發射層EL可被設置在岸堤BANK的側面上及岸堤BANK的開口（被打開的部分）中。所有或至少一部分的發射層可被設置在相鄰的岸堤BANK之間。在岸堤BANK的開口，發射層EL可接觸陽極電極AE。陰極電極CE可被設置在發射層EL上。

如上所述的，發光元件ED可以透過包含陽極電極AE、發射層EL以及陰極電極CE被形成。發射層EL可包含有機層。

封裝層ENCAP可被設置在發光元件ED的堆疊上。封裝層ENCAP可具有單層結構或多層結構。舉例來說，如圖6及圖7所示，封裝層ENCAP可包含第一封裝層PAS1、第二封裝層PCL及第三封裝層PAS2。舉例來說，第一封裝層PAS1及第三封裝層PAS2可為無機層，以及第二封裝層PCL可例如為有機層。在第一封裝層PAS1、第二封裝層PCL以及第三封裝層PAS2之中，第二封裝層PCL可為最厚且作為平坦化層。

第一封裝層PAS1可被設置在陰極電極CE上且可被設置為最接近發光元件ED。第一封裝層PAS1可包括能夠使用低溫沉積被沉積的無機絕緣材料。舉例來說，第一封裝層PAS1可包括但不侷限在，氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氮氧化矽（SiON）、氧化鋁（Al2O3）等類似物。因為第一封裝層PAS1可以在低溫環境被沉積，在沉積製程中，第一封裝層PAS1可以避免包含有機材料的發射層EL因高溫環境而受損。

第二封裝層PCL可具有比第一封裝層PAS1小的面積。在此情況下，第二封裝層PCL可被設置以暴露第一封裝層PAS1的兩端或邊緣。當顯示裝置100被彎曲或彎折時，第二封裝層PCL可以作為緩衝以減輕對應層之間的壓力，且也可作為增加平坦化表現。舉例來說，第二封裝層PCL可包括有機絕緣材料如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚乙烯、矽氧碳（SiOC）等類似物。舉例來說，可使用噴墨方案設置第二封裝層PCL。

第三封裝層PAS2可被設置在上方設置有第二封裝層PCL的基板SUB上，以分別覆蓋第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL的頂面及側面。第三封裝層PAS2可以最小化或避免外部濕氣或氧氣穿透進入第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL。舉例來說，第三封裝層PAS2可包括無機絕緣材料如氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氮氧化矽（SiON）、氧化鋁（Al2O3）等類似物。

請參考圖7，在觸控感測器TS被嵌入至顯示面板110的一例子中，觸控感測器TS可被設置在封裝層ENCAP上。觸控感測器的結構將於接下來被詳細敘述。

觸控緩衝層T-BUF可被設置在封裝層ENCAP上。觸控感測器TS可被設置在觸控緩衝層T-BUF上。

觸控感測器TS可包括被設置在不同層中的觸控感測器金屬TSM及至少一電橋金屬BRG。觸控層間絕緣層T-ILD可被設置在觸控感測器金屬TSM及電橋金屬BRG之間。舉例來說，多個觸控感測器金屬TSM可包括彼此相鄰設置的第一觸控感測器金屬TSM、第二觸控感測器金屬TSM及第三觸控感測器金屬TSM。在第三觸控感測器金屬TSM被設置在第一觸控感測器金屬TSM及第二觸控感測器金屬TSM之間的一示例實施例中，第一觸控感測器金屬TSM及第二觸控感測器金屬TSM需要為且可為電性連接至彼此，以及第一觸控感測器金屬TSM及第二觸控感測器金屬TSM可透過在不同層中的電橋金屬BRG電性連接至彼此。電橋金屬BRG可透過觸控層間絕緣層T-ILD與第三觸控感測器金屬TSM絕緣。

當觸控感測器TS被設置在顯示面板110上時，可能會產生或引入在對應製程使用的化學溶液（如顯影劑或蝕刻劑）或來自外部的溼氣。在一或多個方面，透過將觸控感測器TS設置在觸控緩衝層T-BUF上，標的技術可避免化學溶液或濕氣在觸控感測器TS的製程中穿透進入包括有機層的發射層EL。根據上述，觸控緩衝層T-BUF可以避免易受化學溶液或濕氣影響的發射層EL的損壞。

為了防止包含有機材料的易受高溫影響的發射層EL受到損壞，觸控緩衝層T-BUF可以在小於或等於預定義溫度（如攝氏100度）下形成且使用具有低介電係數為1至3的有機絕緣材料被形成。舉例來說，觸控緩衝層層T-BUF可包含基於丙烯酸纖維、環氧樹脂或矽氧烷基的材料。當顯示裝置100被彎折，封裝層ENCAP可受到損壞，以及位於觸控緩衝層T-BUF上的觸控感測器金屬可能破裂或破損。就算當顯示裝置100被彎折，作為有機絕緣材料的具有平坦化表現的觸控緩衝層T-BUF可以防止觸控封裝層ENCAP的損壞和/或被包含在觸控感測器TS中的金屬（TSM、BRG）的破裂或破損。

保護層PAC可被設置以覆蓋觸控感測器TS。保護層PAC可例如為有機絕緣層。

接下來，第一光學區OA1的堆疊結構將搭配圖6及圖7被描述。

請參考圖6及圖7，在第一光學區OA1中的發光區EA可具有與非光學區NA中的發光區EA相同的堆疊結構。根據上述，在接下來的討論中，不再重複描述第一光學區OA1中的發光區EA，而是會在下文中詳細描述第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的堆疊結構。

在一或多個例子中，陰極電極CE可被設置在被包含在非光學區NA中以及第一光學區OA1中的發光區EA中，但可不設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中。也就是，第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1可對應於陰極電極CE的開口。

此外，在一或多個例子中，包含第一金屬層ML1及第二金屬層ML2中的至少一個的遮光層LS可被設置在被包含在非光學區NA中以及第一光學區OA1中的發光區EA中，但可不設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中。也就是，第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1可對應於遮光層LS的開口。

被設置在被包含在非光學區NA中以及第一光學區OA1中的發光區EA中的基板SUB1及SUB2，以及多種絕緣層MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN（PLN1及PLN2）、岸堤BANK、ENCAP（PAS1、PCL及PAS2）、T-BUF、T-ILD以及PAC可同等地、本質上同等地或類似地設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中。

然而，在一或多個示例實施例中，除了絕緣材料層的所有或至少部分，被設置在被包含在非光學區NA中以及第一光學區OA1中的發光區EA中具有電性的材料層（如一或多個金屬材料層和/或一或多個半導體層），可不被設置在在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中。

舉例來說，請參考圖6及圖7，全部或至少部分與至少一電晶體及半導體層ACT有關的金屬材料層ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1及SD2可不被設置在第一光傳輸區TA1中。

此外，請參考圖6及圖7，在一或多個示例實施例中，被包含在發光元件ED中的陽極電極AE及陰極電極CE可不被設置在第一光傳輸區TA1中。在此情況下，需要注意的是，發光元件ED的發射層EL根據設計需求可或可不被設置在第一光傳輸區TA1中。

此外，請參考圖7，在一或多個示例實施例中，觸控感測器TS中包含的觸控感測器金屬TSM及電橋金屬BRG可不設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中。

根據上述，在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的光透射率可以因為具有電性的材料層（如一或多個金屬材料層或半導體層）沒有設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1中而被提供或提升。因此，第一光學電子裝置11可以接收穿透過第一光傳輸區TA1的光線以及進行對應功能（如影像感測）。

在一或多個方面，由於在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的全部或部分與第一光學電子裝置11重疊，以讓第一光學電子裝置11正常運作，增加第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的透射率是必要的。為了達成前述效果，在根據本發明方面的在顯示裝置100的顯示面板110中，可以提供透射率提升結構TIS至第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1。

請參考圖6及圖7，被包含在顯示面板110中的多個絕緣層可包含位於至少一基板SUB1或SUB2以及至少一電晶體DRT或SCT之間的緩衝層MBUF、ABUF1以及ABUF2、位於電晶體DRT及發光元件ED之間的平坦化層PLN1及PLN2、發光元件ED上的封裝層ENCAP，以及其他類似物。

請參考圖7，被包含在顯示面板110中的多個絕緣層可更包括位於封裝層ENCAP上的觸控緩衝層T-BUF及觸控層間絕緣層T-ILD，以及其他類似物。

請參考圖6及圖7，第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1可具有當中的第一平坦化層PLN1及鈍化層PAS0具有從各自的表面向下延伸並作為透射率提升結構TIS的凹陷部的結構。

請參考圖6及圖7，在該些絕緣層之中，第一平坦化層PLN1可包含至少一凹陷（如凹槽、溝槽、凹入或突出）。第一平坦化層PLN1可例如為有機絕緣層。

在第一平坦化層PLN1具有從其表面向下延伸的凹陷部的示例中，第二平坦化層PLN2可以實質上用來提供平坦化。在一實施例中，第二平坦化層PLN2也可具有從其表面向下延伸的凹陷部。在此情況下，第二封裝層PCL可以實質上用來提供平坦化。

請參考圖6及圖7，第一平坦化層PLN1以及鈍化層PAS0的凹陷部可穿過絕緣層，如第一層間絕緣層ILD、第二層間絕緣層ILD2、閘極絕緣層GI以及其他類似物，以形成電晶體DRT及緩衝層，如位於絕緣層下方且向上延伸至第二基板SUB2的頂部的第一主動緩衝層ABUF1、第二主動緩衝層ABUF2、多層緩衝層MBUF及其他類似物。

請參考圖6及圖7，基板SUB可包括至少一凹口部或凹陷部作為透射率提升結構TIS。舉例來說，在第一光傳輸區TA1中，第二基板SUB2的頂部可向下凹進或凹陷，或第二基SUB2可被穿孔。

請參考圖6及圖7，被包含在封裝層ENCAP中的第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL也可具有當中的第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL具有各自從平面向下延伸的凹陷部的透射率提升結構TIS。第二封裝層可例如為有機絕緣層。

請參考圖7，為了保護觸控感測器TS，保護層PAC可被設置以覆蓋在封裝層ENCAP上的觸控感測器TS。仍參考圖7，保護層PAC在與第一光傳輸區TA1重疊的部分中可具有至少一凹陷（如凹槽、溝槽、凹入或突出）為透射率提升結構TIS。保護層PAC可例如為有機絕緣層。

請參考圖7，觸控感測器TS可包括一或多個網狀的觸控感測器金屬TSM。在觸控感測器金屬TSM被形成為網狀的例子中，可有多個開口存在於觸控感測器金屬TSM中。該些開口的每一個可被設置為對應於子像素SP的發光區EA。

為了使第一光學區OA1具有較非光學區NA高的透射率，第一光學區OA1中單位面積的觸控感測器金屬TSM面積可小於非光學區NA中單位面積的觸控感測器金屬TSM面積。

請參考圖7，在一或多個示例實施例中，觸控感測器TS可被設置在第一光學區OA1中的發光區EA內，但可不設置在第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1內。

接著，第二光學區OA2的堆疊結構將根據圖6及圖7被描述。

請參考圖6及圖7，在第二光學區OA2中的發光區EA可具有與非光學區NA中的發光區EA相同的堆疊結構。根據上述，在接下來的討論中，不再重複描述第二光學區OA2中的發光區EA，以下將詳細描述第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2的堆疊結構。

在一或多個示例實施例中，陰極電極CE可被設置在被包含在非光學區NA中及第二光學區OA2中的發光區EA中，但可不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2中。也就是，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2可對應於陰極電極CE的開口。

此外，在一或多個示例實施例中，包含第一金屬層ML1及第二金屬層ML2中的至少一者的遮光層LS可被設置在被包含在非光學區NA中及第二光學區OA2中的發光區EA中，但可不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2中。也就是，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2可對應於遮光層LS的開口。

當第二光學區OA2的透射率及第一光學區OA1的透射率相同時，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2的堆疊結構可與第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的堆疊結構相同。

當第二光學區OA2的透射率及第一光學區OA1的透射率不同時，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2的堆疊結構可至少部分不同於第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的堆疊結構。

舉例來說，如圖6、圖7所示，在一或多個實施例中，當第二光學區OA2的透射率小於第一光學區OA1的透射率時，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2可不具有透射率提升結構TIS。因此，第一平坦化層PLN1及鈍化層PAS0可不凹進或凹陷。此外，第二光學區OA2中的第二光傳輸結構TA2的寬度可小於第一光學區OA1中的第一光傳輸區TA1的寬度。

被設置在被包含在非光學區NA及第二光學區OA2中的發光區EA的基板SUB1及SUB2以及多種絕緣層MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN（PLN1及PLN2）、岸堤BANK、ENCAP（PAS1、PCL以及PAS2）、T-BUF、T-ILD以及PAC可同等地、本質上同等地或類似地被設置在第二光學區OA2的第二光傳輸結構TA2內。

然而，在一或多個示例實施例中，被設置在被包含在非光學區NA中及第二光學區OA2中的發光區EA中除了絕緣材料層的所有或至少部分具有電性的材料層（如一或多個金屬材料層和/或一或多個半導體層），可不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2中。

舉例來說，請參考圖6及圖7，與至少一電晶體及半導體層ACT有關的所有或至少部分的金屬材料層ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2可不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2中。

此外，請參考圖6及圖7，在一或多個示例實施例中，被包含在發光元件ED中的陽極電極AE及陰極電極CE可不被設置在第二光傳輸結構TA2中。在此情況下，需要注意的是，發光元件ED的發射層EL根據設計需求可或可不被設置在第二光傳輸結構TA2上。

此外，請參考圖7，在一或多個示例實施例中，被包含在觸控感測器TS中的觸控感測器金屬TSM及電橋金屬BRG可不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2中。

根據上述，由於具有電性的材料層（如一或多個金屬材料層和/或半導體層）不被設置在第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2中，第二光學區OA2中的第二光傳輸區TA2的透射率可以被提供或提升。因此，第二光學電子裝置12可以接收穿透第二光傳輸結構TA2的光線以及進行對應功能（如偵測物體或人體，或外部照明偵測）。

圖8為根據本公開的顯示面板的邊緣的截面示例圖。

在圖8中，表示第一基板SUB1及第二基板SUB2的組合的單一基板SUB如圖所示，以及位於岸堤BANK之下的部分或層將被簡要示出。在圖8中，第一平坦化層PLN1及第二平坦化層PLN2被表示為一平坦化層PLN，且位於平坦化層PLN下的第二絕緣層ILD2及第一絕緣層ILD1被表示為一層間絕緣層INS。

請參考圖8，第一封裝層PAS1可被設置在陰極電極CE上且被設置為最靠近發光元件ED。第二封裝層PCL可具有較第一封裝層PAS1小的面積。在此情況下，第二封裝層PCL可被設置以暴露第一封裝層PAS1的兩端或邊緣。第三封裝層PAS2可被設置在上方設置有第二封裝層PCL的基板SUB上，以分別覆蓋第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL的頂面及側面。第三封裝層PAS2可以最小化或避免外部濕氣或氧氣穿透進入第一封裝層PAS1及第二封裝層PCL。

請參考圖8，為了防止封裝層ENCAP塌陷，顯示面板110可包括位於或相鄰於封裝層ENCAP的傾斜表面SLP的端點或邊緣的一或多個壩DAM1及DAM2。一或多個壩DAM1及DAM2可存在於或靠近顯示區域DA與非顯示區域NDA之間的邊界端點。一或多個壩DAM1及DAM2可包括與岸堤BANK相同的材料DFP。

請參考圖8，在一示例實施例中，包含有機材料的第二封裝層PCL可只被設置在第一壩DAM1的內側上，也就是位於最靠近封裝層ENCAP的傾斜面SLP的位置。也就是說，第二封裝層PCL可不被設置在所有的壩DAM1及DAM2上。在另一示例實施例中，包括有機材料的第二封裝層PCL可被設置在第一壩DAM1及第二壩DAM2的兩者或至少之一者上。

舉例來說，第二封裝層PCL可向上延伸至第一壩DAM1的頂部的全部或至少一部分。在又一實施例中，第二封裝層PCL可延伸超過第一壩DAM1的頂部且向上延伸至第二壩DAM2的頂部的全部或至少一部分。

請參考圖8，與圖2的觸控驅動電路260電性連接的觸控墊TP可被設置在對應於一或多個壩DAM1及DAM2的外部的基板SUB一部分上。觸控線TL可以電性連接至觸控墊TP、觸控感測器金屬TSM或電橋金屬BRG，上述觸控墊TP、觸控感測器金屬TSM或電橋金屬BRG被包含在或作為顯示區域DA中的觸控電極。

觸控線TL的一端或邊緣可電性連接至觸控感測器金屬TSM或電橋金屬BRG，且觸控線TL的另一端或邊緣可電性連接至觸控墊TP。觸控線TL可沿著封裝層ENCAP的傾斜面SLP向下延伸、分別沿著壩DAM1及DAM2的頂部延伸、以及向上延伸至被設置在壩DAM1及DAM2外部的觸控墊TP。

請參考圖8，在一示例實施例中，觸控線TL可為電橋金屬BRG。在另一實施例中，觸控線TL可為觸控感測器金屬TSM。

圖9為根據本發明的位於顯示裝置100中的第一光學區OA1、第二光學區OA2及非光學區NA之間的照度差異示例圖。

請參考圖9，在包括在顯示裝置100中的非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2之中，第一光學區OA1及第二光學區OA2各自包括第一光傳輸區TA1以及第二光傳輸區TA2。在此種配置下，第一光學區OA1中的單位面積的子像素數量以及第二光學區OA2中的單位面積的子像素數量可小於非光學區NA中的單位面積的子像素數量。

在此敘述的單位面積的子像素數量可與像素密度、像素積合度等類似物具有相同意義。舉例來說，單位英寸的像素（PPI）可被使用為描述單位面積的子像素數量的單位。單位面積的子像素數量越大，解析度可越高，且單位面積的子像素數量越小，解析度可越低。

請參考圖9，舉例來說，當一部分的第一光學區OA1與圖1A、1B或1C的第一光學電子裝置11重疊時，以及至少一部分的第二光學區OA2與圖1B或1C的第二光學電子裝置12重疊時，第一光學電子裝置11可需要相近或大於第二光學電子裝置12所需要的接收光線量。在本例中，第二光學區OA2中的單位面積的子像素數量Noa2可等於或大於第一光學區OA1中的單位面積的子像素數量Noa1；第二光學區OA2中的單位面積的子像素數量Noa2可小於非光學區NA中的單位面積的子像素數量Nna；以及第一光學區OA1中的單位面積的子像素數量Noa1可小於非光學區NA中的單位面積的子像素數量Nna。因此，Nna、Noa2以及Noa1之間的關係可以被表示為Nna＞Noa2≥Noa1。

如上所述，因為非光學區NA、第一光學區OA1以及第二光學區OA2中的單位面積的子像素數量具有差異，就算當設置在非光學區NA中的子像素SP、設置在第一光學區OA1中的子像素SP以及設置在第二光學區OA2中的子像素SP由圖3中相同的資料電壓Vdata所供應，非光學區NA的照度Lna、第一光學區OA1的照度Loa1以及第二光學區OA2的照度Loa2可彼此不同。

請參考圖9，舉例來說，當非光學區NA中的單位面積的子像素數量Nna大於第一光學區OA1的單位面積的子像素數量Noa1及第二光學區OA2的單位面積的子像素數量，且第二光學區OA2的單位面積的子像素數量大於或等於第一光學區OA1的單位面積的子像素數量Noa1（Nna＞Noa2≥Noa1）時，非光學區NA的照度Lna可大於第一光學區OA1的照度Loa1及第二光學區OA2的照度Loa2，且第二光學區OA2的照度Loa2可大於或等於第一光學區OA1的照度Loa1。因此，Lna、Loa2以及Loa1之間的關係可以表示為Lna＞Loa2≥Loa1。

如上所述，非光學區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2之間的照度差異（照度非均勻性）可導致影像品質劣化。為了處理此問題，本發明示例實施例提供能夠補償非光學區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2之間照度差異的子像素結構（像素電路）。

以下，根據本發明示例實施例的能夠補償照度差異的子像素結構將被詳細描述。為方便描述，需要注意的是，根據本發明示例實施例的能夠補償照度差異的子像素結構是基於第一光學區OA1的子像素SP進行討論，其中由於單位面積的子像素數量為最小導致其照度下降可為最多。

圖10為根據本發明顯示裝置100中位於第一光學區OA1中的第一子像素SP1以及位於非光學區NA中的第二子像素SP2的等效電路的例子。

請參考圖10，顯示面板110的顯示區域DA可包括第一光學區OA1及位於第一光學區OA1外部的非光學區NA。第一光學區OA1中單位面積的子像素數量可小於非光學區NA中單位面積的子像素數量。

請參考圖9及圖10，多個子像素SP可包括被設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1以及被設置在非光學區NA中的第二子像素SP2。第一子像素SP1除了被設置在第一光學區OA1中的多個第一光傳輸區TA1之外也可被設置在非光傳輸區NTA中。在本例中，第一光學區OA1中除了多個第一光傳輸區TA1之外的非光傳輸區NA可包括子像素SP的發光區EA。第一光學區OA1中除了多個第一光傳輸區TA1之外的非光傳輸區NTA可包括像素驅動電路區，當中設置有子像素SP的像素驅動電路PDC。在第一光學區OA1中除了多個第一光傳輸區TA1之外的非光傳輸區NA中，發光區EA及像素驅動電路區可彼此重疊。

請參考圖10，在根據本發明方面的顯示裝置100中，被設置在顯示區域DA中以顯示影像的多個子像素SP的每一個可包括作為驅動子像素SP所需的電節點的第一節點N1、第二節點N2、第三節點N3及第四節點N4。

請參考圖10，多個子像素SP的每一個可包括連接至第四節點N4的發光元件ED、透過第二節點N2的電壓被控制且能夠驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT、透過由第一掃描線SCL1（n）供應的第一掃描訊號SC1（n）控制且能夠控制第二節點N2與第三節點N3之間的連接的第一電晶體T1、透過由發光控制線EML（n）供應的發光控制訊號EM（n）控制且能夠控制第一節點N1與驅動電壓線DVL之間的連接的第二電晶體T2，以及透過發光控制訊號EM（n）被控制且能夠控制第三節點N3與第四節點N4之間的連接的第三電晶體T3。

請參考圖10，該些子像素SP的每一個可更包括能夠控制第一節點N1與第一資料線DL1之間的連接的第四電晶體T4、能夠控制第二節點N2與第一初始化線IVL之間的連接的第五電晶體T5、能夠控制第四節點N4與第二初始化線VARL之間的連接的第六電晶體T6，以及連接在第二節點N2與驅動電壓線DVL之間的儲存電容器Cst。

第四電晶體T4可以透過由第二掃描線SCL2（n）供應的第二掃描訊號SC2（n）被導通或關斷。第五電晶體T5可以透過由在（n-2）級的第一掃描線SCL1（n-2）供應的在（n-2）級的第一掃描訊號SC1（n-2）被導通或關斷。第六電晶體T6可以透過由第二掃描線SCL2（n）供應的第二掃描訊號SC2（n）被導通或關斷。此外，第六電晶體可以透過由在（n+1）級的第二掃描線SCL2（n+1）供應的在（n+1）級的第二掃描訊號SC2（n+1）被導通或關斷。

圖10中供應至第一電晶體T1至第六電晶體T6的每一個的閘極電極的閘極訊號SC1（n）、SC2（n）、SC1（n-2）及EM（n）可為整合的或分散的。

如圖10所示，第一電晶體T1及第五電晶體T5可為n型電晶體，且驅動電晶體DRT、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4以及第六電晶體T6可為p型電晶體。這種具有多種電晶體的配置僅為方便敘述的示例，且可進行各種修改。舉例來說，所有七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）可為n型電晶體或p型電晶體。在另一示例中，七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）當中的一些可為n型電晶體，其他則為p型電晶體。

如圖10所示，設置於第一光學區OA1中的第一子像素SP1包含七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）以及儲存電容器Cst，且設置於非光學區NA中的第二子像素SP2也可包含七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）以及儲存電容器Cst。

請參考圖10，在根據本發明方面的顯示裝置100中，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可包含照度差異補償結構，且設置於非光學區NA中的第二子像素SP2可不包含上述的照度差異補償結構。

請參考圖10，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可以具有用於補償照度差異的結構，使得設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1的節點N2可以電容器耦合至第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者。

請參考圖10，由於設置於非光學區NA中的第二子像素SP2可不具有用於補償照度差異的結構，使得設置於非光學區NA中的第二子像素SP2的節點N2可不電容器耦合至第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）。

請參考圖10，在根據本發明方面的顯示裝置100中，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可具有節點N2可以電容器耦合至第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者的結構。此結構可稱為照度差異補償結構。

更具體地，請參考圖10，在根據本發明方面的顯示裝置100中，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可包含配置在第二節點N2與第一掃描線SCL1（n）之間的第一補償電容器C1及配置在第二節點N2與發光控制線EML（n）之間的第二補償電容器C2的至少之一者。

在根據本發明面向的顯示裝置100中，被包含在設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1中的照度差異補償結構可包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的至少之一者。

請參考圖10，在根據本發明面向的顯示裝置100中，設置在非光學區NA中且不具有照度差異補償結構的第二子像素SP2可不包含配置在第二節點N2與第一掃描線SCL1（n）之間的第一補償電容器C1及配置在第二節點N2與發光控制線EML（n）之間的第二補償電容器C2。

如上所述，作為第一照度差異補償結構，為了補償照度差異，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可包含配置在第二節點N2與第一掃描線SCL1（n）之間的第一補償電容器C1。

進一步，作為第二照度差異補償結構，為了補償照度差異，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可包含配置在第二節點N2與發光控制線EML（n）之間的第二補償電容器C2。

更進一步，作為第三照度差異補償結構，為了補償照度差異，設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1可包含配置在第二節點N2與第一掃描線SCL1（n）之間的第一補償電容器C1及配置在第二節點N2與發光控制線EML（n）之間的第二補償電容器C2。

在一或多個方面，在第一照度差異補償結構中的第一補償電容器C1的電容、在第二照度差異補償結構中的第二補償電容器C2的電容，以及在第三照度差異補償結構中的第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的結合電容為用來補償照度差異的電容且需要為相等。

在第三照度差異補償結構中，如果第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的結合電容可以維持相等，第一補償電容器C1的第一電容與第二補償電容器C2的第二電容可以預定義比例分配。舉例來說，第一補償電容器C1的第一電容可與第二補償電容器C2的第二電容相等。在另一示例中，第一補償電容器C1的第一電容可與第二補償電容器C2的第二電容不同。

透過設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1的照度差異補償結構減少第一光學區OA1及非光學區NA之間照度差異的原則將被簡短描述，且更詳細的討論將參考其他圖示進行描述。

透過第一資料線DL1傳輸的第一資料電壓Vdata可以被施加至設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1，以及透過第二資料線DL2或第一資料線DL1傳輸的第二資料電壓Vdata可以被施加至設置在非光學區NA中的第二子像素SP2。如圖10所示，第二子像素SP2可被放置在與第一子像素SP1不同的欄中。在此情況下，第二子像素SP2可以被連接至不同於連接至第一子像素SP1的第一資料線DL1的第二資料線DL2。或者，第二子像素SP2可以被放置在非光學區NA中且在與第一子像素SP1相同的欄中。在此情況下，第二子像素SP2與第一子像素SP1可以被連接至相同的第一資料線DL1。

當第一資料電壓Vdata與第二資料電壓Vdata相同時，驅動電晶體DRT在第一子像素SP1的發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可大於驅動電晶體DRT在第二子像素SP2的發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。

第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的閘極電壓可因作為設置在第一光學區OA1的第一子像素SP1的照度差異補償結構的第一補償電容器C1與第二補償電容器C2的至少其中之一者所產生的回沖（kickback）而降低。因此，驅動電晶體DRT在第一子像素SP1的發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可變為大於驅動電晶體DRT在第二子像素SP2的發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。在此示例中，驅動電晶體DRT的閘極電壓是位於第二節點N2的電壓。

在根據本發明面向的顯示裝置100中，由於補償電容器C1及補償電容器C2被配置於設置於第一光學區OA1中的第一子像素SP1中，且透過補償電容器C1及補償電容器C2在第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的閘極電壓產生回沖，第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可因此增加。根據上述，設置在第一光學區OA1中的一個第一子像素SP可以發出較設置在非光學區NA中的一個第二子像素SP2亮的光。因此，具有相對小的單位面積的子像素數量的第一光學區OA1的照度（或照度級）可變得相近於具有相對大的單位面積的子像素數量的非光學區NA的照度（或照度級）。

也就是，雖然設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1的總數量是小的，由於每個設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1發出更亮的光，使得第一光學區OA1的整體照度（或照度級）變得相似於非光學區NA的照度（或照度級）。

如上所述，由於第一光學區OA1的整體照度變得相似於非光學區NA的照度，第一光學區OA1的照度Loa1與非光學區NA的照度Lna之間的差異可小於因為回沖而發出更亮的光的第一子像素SP1與沒有發生回沖的第二子像素SP2之間的照度差異。也就是，第一光學區OA1的照度Loa1與非光學區NA的照度Lna之間的差異可小於基於第一資料電壓Vdata的第一子像素SP1的照度與基於第二資料電壓Vdata的第二子像素SP2的照度之間的差異。

在一或多個示例實施例中，展示在圖10中的子像素SP1及子像素SP2包含七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6），且七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）的主動層（或源極電極/汲極電極/閘極電極）可形成於相同層中，或七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）的至少一部分的主動層（或源極電極/汲極電極/閘極電極）可形成於不同於剩餘電晶體的主動層（或源極電極/汲極電極/閘極電極）的其他層中。

舉例來說，在七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）的主動層（或源極電極/汲極電極/閘極電極）都設置於相同層中的情況下，七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）的主動層可包含低溫多晶矽（LTPS）半導體或氧化物半導體。

在另一示例中，七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）的至少一部分的主動層可被設置在第一層中，且剩餘電晶體的主動層可被設置在高於或不同於第一層的第二層中。舉例來說，設置在第一層中的主動層可包含低溫多晶矽（LTPS）半導體，且設置在第二層的主動層可包含氧化物半導體。在另一示例中，設置在第一層中的主動層可包含氧化物半導體，且設置在第二層中的主動層可包含低溫多晶矽（LTPS）半導體。

以下，根據本發明方面的驅動顯示裝置100中的子像素的方法將搭配圖11及圖12A至圖12I被更詳細地描述。關於顯示裝置100中子像素的驅動方法，第一光學區OA1的第一子像素SP1的驅動方法可等同於非光學區NA的第二子像素SP2的驅動方法。根據上述，第一光學區OA1的第一子像素SP1的驅動方法將作為代表方法被描述。

圖11為根據本發明顯示裝置100中第一子像素SP1的驅動時序（timing）示例圖，圖12A到圖12I為當第一子像素SP1被根據圖11的驅動時序示例圖驅動時，第一子像素SP1在每個詳細驅動週期S0至S8的驅動情形示例圖。

請參考圖11，在第一子像素SP1在前一幀中發光的先前發光期間S0結束後，第一子像素SP1在當前幀的驅動期間可包含八個期間（即，第一期間S1至第八期間S8），上述八個期間是根據閘極訊號（發光控制訊號EM（n）、第一掃描訊號SC1（n-2）、第一掃描訊號SC1（n）及第二掃描訊號SC2（n））的電壓級變化細分導致的。

請參考圖11，在八個期間中，也就是從第一期間S1至第八期間S8中，第二期間S2、第五期間S5以及第八期間S8可分別為初始化期間、感測期間以及發光期間。包含第一期間S1、第二期間S2以及第三期間S3的期間亦可被稱為初始化期間。

請參考圖11，在根據本發明面向的顯示裝置100中，第一回沖時間點，也就是第六期間S6改變為第七期間S7的時間點，可為有關於第一補償電容器C1的回沖時間點，且第二回沖時間點，也就是第七期間S7改變為第八期間S8的時間點，可為有關於第二補償電容器C2的回沖時間點。

在以下討論中，第一子像素在前一幀中的先前發光期間S0中的驅動，以及在當前幀中的第一期間S1至第八期間S8的八個期間中的驅動將參考圖11及圖12A至圖12I來描述。

根據圖10的示例，在被包含在第一子像素SP1中的七個電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）之中，第一電晶體T1及第五電晶體T5可為n型電晶體，且剩餘電晶體（驅動電晶體DRT、第二電晶體T2至第四電晶體T4及第六電晶體T6）可為p型電晶體。

根據上述，第n個第一掃描訊號SC1（n）及第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）的每一個的導通位準電壓可以為高位準電壓HIGH，且第n個第一掃描訊號SC1（n）及第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）的每一個的關斷級電壓可以為低位準電壓LOW。

此外，第n個發光控制訊號EM（n）及第n個第一掃描訊號SC1（n）的每一個的導通級電壓可以為低位準電壓LOW，且第n個發光控制訊號EM（n）及第n個第一掃描訊號SC1（n）的每一個的關斷級電壓可以為高位準電壓HIGH。

請參考圖11及圖12A，在前一幀中的先前發光期間S0期間，第n個發光控制訊號EM（n）、第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）、第n個第一掃描訊號SC1（n）以及第n個第二掃描訊號SC2（n）可分別等於低位準電壓LOW、低位準電壓LOW、低位準電壓LOW以及高位準電壓HIGH。

根據上述，在先前發光期間S0期間，第二電晶體T2及第三電晶體T3可以是或維持導通，且第一電晶體T1、第四電晶體T4、第五電晶體T5，及第六電晶體T6可以是或維持關斷。以下，電晶體是或維持導通的狀態可被稱為「導通狀態」，電晶體是或維持關斷的狀態可被稱為「關斷狀態」

在先前發光期間S0期間，當第二電晶體T2被導通，透過驅動電壓線DVL供應的驅動電壓ELVDD可以被施加至第一節點N1。

在先前發光期間S0期間，驅動電晶體DRT可以透過導通的第三電晶體T3供應驅動電流至發光元件ED。因此，發光元件ED可以發光。

請參考圖11及圖12B，在當前幀中的第一期間S1期間，第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）、第n個第一掃描訊號SC1（n）以及第n個第二掃描訊號SC2（n）可分別等於低位準電壓LOW、低位準電壓LOW以及高位準電壓HIGH。當第一期間S1開始時，第n個發光控制訊號EM（n）可從低位準電壓LOW被改變為高位準電壓HIGH。

根據上述，在第一期間S1期間，第一電晶體T1、第四電晶體T4、第五電晶體T5及第六電晶體T6可以為關斷狀態。當第一期間S1開始時，第二電晶體T2及第三電晶體T3可以被關斷。

在第一期間S1期間，當包含在第一子像素SP1中的所有電晶體（驅動電晶體DRT及第一電晶體T1至第六電晶體T6）為關斷狀態時，第一子像素SP1可以被初始化。也就是，第一期間S1可被包含在用於初始化第一子像素SP1的驅動的初始化期間中。

請參考圖11及圖12C，在第二期間S2期間，第n個發光控制訊號EM（n）、第n個第一掃描訊號SC1（n）以及第n個第二掃描訊號SC2（n）可分別等於高位準電壓HIGH、低位準電壓LOW以及高位準電壓HIGH。當第二期間S2開始時，第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）可從低位準電壓LOW被改變為高位準電壓HIGH。

根據上述，在第二期間S2期間，第一電晶體T1至第四電晶體T4及第六電晶體T6可以為關斷狀態，且第五電晶體T5可以被導通。

在第二期間S2期間，透過第一初始化線IVL供應的第一初始化電壓VINI可透過導通的第五電晶體T5被施加至第二節點N2。第一初始化電壓VINI可為能夠導通p型驅動電晶體DRT的低位準電壓。根據上述，在第二期間S2期間，驅動電晶體DRT可以被導通。

第二期間S2可被包含在當第一初始化電壓VINI被施加到第二節點N2時，第一子像素SP1被初始化的初始化期間中。第二節點N2可對應至驅動電晶體DRT的閘極節點。

請參考圖11及圖12D，在第三期間S3期間，所有的第n個發光控制訊號EM（n）、第n個第二掃描訊號SC2（n）以及第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）可等於高位準電壓HIGH。當第三期間S3開始時，第n個第一掃描訊號SC1（n）可從低位準電壓LOW被改變為高位準電壓HIGH。

根據上述，在第三期間S3期間，第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T以及第六電晶體T6可以為關斷狀態；第五電晶體T5及驅動電晶體DRT可以為導通狀態；且第一電晶體T1可以被導通。

在第三期間S3期間，當第一電晶體T1被導通，第二節點N2及第三節點N3可以產生電性連接。也就是，驅動電晶體DRT可以處在二極體連接狀態，也就是驅動電晶體DRT的閘極節點與汲極節點（或源極節點）為電性連接。

第三期間S3可被包含於第一子像素SP1的驅動被初始化的初始化期間以及可為感測的準備階段。這裡，感測可指感測驅動電晶體DRT的臨界電壓Vth。

請參考圖11及圖12E，在第四期間S4期間，所有第n個發光控制訊號EM（n）、第n個第二掃描訊號SC2（n）以及第n個第一掃描訊號SC1（n）可等於高位準電壓HIGH。當第四期間S4開始時，第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）可從高位準電壓HIGH被改變為低位準電壓LOW。

根據上述，在第四期間S4期間，第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4及第六電晶體T6可以為關斷狀態；第一電晶體T1及驅動電晶體DRT可以為導通狀態；且第五電晶體T5可以被關斷。在第四期間S4中，第二節點N2可以處在電浮接狀態。電浮接狀態也可被稱為沒有被施加電壓的狀態。第四期間S4可為為了感測驅動電晶體DRT的臨界電壓Vth的準備階段。

請參考圖11及圖12F，第五期間S5可為驅動電晶體DRT的臨界電壓Vth被實質上偵測的感測期間。

在第五期間S5期間，第n個發光控制訊號EM（n）、第n個第一掃描訊號SC1（n）以及第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）可分別等於高位準電壓HIGH、高位準電壓HIGH以及低位準電壓LOW。當第五期間S5開始時，第n個第二掃描訊號SC2（n）可從高位準電壓HIGH被改變為低位準電壓LOW。

根據上述，在第五期間S5期間，第二電晶體T2、第三電晶體T3以及第五電晶體T5可以為關斷狀態；第一電晶體T1及驅動電晶體DRT可以為導通狀態；且第四電晶體T4及第六電晶體T6可以被導通。

透過第一資料線DL1供應的第一資料電壓Vdata可透過導通的第四電晶體T4及第一電晶體T1被供應至第二節點N2。在此情況下，位於第二節點N2的電壓（即，驅動電晶體DRT的閘極電壓Vg）可以相等於將驅動電晶體DRT的臨界電壓Vth與透過第一資料線DL1供應的第一資料電壓Vdata相加（即，Vg=Vdata+Vth）的電壓。

因此，當驅動電晶體DRT的閘極電壓Vg及源極電壓Vs之間的電壓差包含驅動電晶體DRT的臨界電壓Vth（即，Vgs=Vg-Vs=Vdata+Vth-Vs）時，驅動電晶體DRT供應至發光元件ED的驅動電流可不受臨界電壓Vth影響。這是因為臨界電壓Vth被取消，因為驅動電流是由驅動電晶體DRT的閘極電壓Vg與源極電壓Vs之間的電壓差（即，Vgs=Vg-Vs=Vdata+Vth-Vs）與臨界電壓Vth（即，Vdata+Vth-Vs-Vth）之間的電壓差的平方來決定。

在第五期間S5期間，透過第二初始化線VARL供應的第二初始化電壓VAR可透過導通的第六電晶體T6被施加至第四節點N4。第四節點N4可對應至發光元件ED的陽極電極AE。根據上述，在第五期間S5期間，當第二初始化電壓VAR被施加至第四節點N4，陽極電極AE可以被重新設定。也就是，發光元件ED可以被重新設定。

請參考圖11及圖12G，在第六期間S6期間，第n個發光控制訊號EM（n）、第n個第一掃描訊號SC1（n）以及第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）可分別等於高位準電壓HIGH、高位準電壓HIGH以及低位準電壓LOW。當第六期間S6開始時，第n個第二掃描訊號SC2（n）可從低位準電壓LOW被改變為高位準電壓HIGH。

根據上述，在第六期間S6期間，第一電晶體T1可以為導通狀態，且第二電晶體T2、第三電晶體T3以及第五電晶體T5可以為關斷狀態。第四電晶體T4及第六電晶體T6可以被關斷。

請參考圖11及圖12H，在第七期間S7期間，第n個發光控制訊號EM（n）、第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）以及第n個第二掃描訊號SC2（n）可分別等於高位準電壓HIGH、低位準電壓LOW以及高位準電壓HIGH。當第七期間S7開始時，第n個第一掃描訊號SC1（n）可從高位準電壓HIGH被改變為低位準電壓LOW。根據上述，在第七期間S7期間，第二電晶體T2至第六電晶體T6可以為關斷狀態，且第一電晶體T1可以被關斷。

在第一子像素SP1包含第一補償電容器C1的示例中，當第七期間S7開始時第一回沖可以透過第一補償電容器C1發生。第一回沖可以造成位於第二節點N2的電壓降低。位於第二節點N2的電壓可以等於驅動電晶體DRT的閘極電壓。

這將於以下再次被描述。由於第一補償電容器C1被形成於第n個第一掃描線SCL1（n）與第二節點N2之間，當第七期間S7開始時，隨著第n個第一掃描訊號SC1（n）從高位準電壓HIGH被改變為低位準電壓LOW，位於第二節點N2的電壓可被降低。

請參考圖11及圖12I，在第八期間S8期間，第n-2個第一掃描訊號SC1（n-2）、第n個第二掃描訊號SC2（n）以及第n個第一掃描訊號SC1（n）可分別等於低位準電壓LOW、高位準電壓HIGH以及低位準電壓LOW。當第八期間S8開始時，第n個發光控制訊號EM（n）可從高位準電壓HIGH被改變為低位準電壓LOW。根據上述，在第八期間S8期間，第一電晶體T1、第四電晶體T4、第五電晶體T5以及第六電晶體T6可以為關斷狀態，且第二電晶體T2及第三電晶體T3可以被導通。

在第八期間S8期間，當第二電晶體T2被導通，透過驅動電壓線DVL供應的驅動電壓ELVDD可以被施加至第一節點N1。在第八期間S8期間，驅動電晶體DRT可以透過導通的第三電晶體T3供應驅動電流至發光元件ED。因此，發光元件ED可以發光。

在第一子像素SP1包含第二補償電容器C2的示例中，當第八期間S8開始時第二回沖可以藉由第二補償電容器C2發生。回沖可以造成位於第二節點N2的電壓下降。位於第二節點N2的電壓可以等於驅動電晶體DRT的閘極電壓。

這將於以下再次描述。因為第二補償電容器C2形成於第n個發光控制線EML（n）與第二節點N2之間，當第八期間S8開始時，當第n個發光控制訊號EM（n）從高位準電壓HIGH改變為低位準電壓LOW，也就是從關斷級電壓改變為導通級電壓時，位於第二節點N2的電壓可降低。

在以下討論中，將參考如圖13、14A、14B及14C所示表示第二節點N2的電壓變化，描述補償由回沖引起第一光學區OA1及非光學區NA之間的照度差異的原理。

在根據本發明方面的顯示裝置100中，圖13繪示了位於第一光學區OA1中的第一子像素SP1的第二節點N2的示例性電壓變化以及位於非光學區NA中的第二子像素SP2的第二節點N2的示例性電壓變化；圖14A為在第一光學區OA1的第一子像素SP1包含第一補償電容器C1的情況的第一子像素SP1的第二節點N2的電壓變化的例子；圖14B為在第一光學區OA1的第一子像素SP1包含第二補償電容器C2的情況的第一子像素SP1的第二節點N2的電壓變化的例子；及圖14C為第一光學區OA1的第一子像素SP1包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的情況的第一子像素SP1的第二節點N2的電壓變化的例子。

請參考圖13及圖14A至圖14C，在根據本發明方面的顯示裝置100中，第一光學區OA1中的第一子像素SP1的第二節點N2可以與第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者產生電容耦合。因此，第二節點N2上的回沖可發生在回沖時間點。

請參考13及圖14A至圖14C，當回沖以負電壓方向（電壓下降方向）發生在第二節點N2時，對應於驅動電晶體DRT的閘極節點的第二節點N2的電壓可以下降。根據上述，驅動電晶體DRT的閘極與源極之間的電壓差Vgs可以提升。根據上述，第一子像素SP1的驅動電晶體DRT可以供應更多的驅動電流至發光元件ED。

因此，第一子像素SP的照度可以增加，導致第一光學區OA1的整體照度Loa1（或照度級）變得類似於非光學區NA的照度Lna（或照度級）。也就是，第一光學區OA1與非光學區NA之間的照度差異可以被補償。

請參考圖13及圖14A至圖14C，在第一子像素SP1的驅動的第一期間S1至第八期間S8期間的回沖時間點可以包含在第六期間S6結束及第七期間S7開始時的第一回沖時間點Tkb1，以及在第七期間S7結束及第八期間S8開始時的第二回沖時間點的其中一個或多個。第一回沖時間點Tkb1可為第一回沖發生的時間點，且第二回沖時間點Tkb2可為第二回沖發生的時間點。

圖13繪示了基於第一回沖及第二回沖依序發生的情況下，發光控制訊號EM（n）、第一掃描訊號SC1（n）及第二掃描訊號SC2（n）各自的電壓級變化的第二節點N2的示例性電壓變化。

請參考圖13，驅動電壓ELVDD可以為被施加至驅動電晶體DRT的源節點的電壓。驅動電晶體DRT的源節點可以對應於第一節點N1。

圖14A示出了只有發生第一回沖的示例；圖14B示出了只有發生第二回沖的示例；以及圖14C示出了第一回沖及第二回沖依序發生的示例。

請參考圖13及圖14A至圖14C，第一回沖發生的第一回沖時間點Tkb1可與第一補償電容器C1有關，且為第一掃描訊號SC1（n）從高位準電壓HIGH改變為低位準電壓LOW的時間點。

請參考圖14A，在第一回沖發生的第一回沖時間點Tkb1，當供應第一掃描訊號SC1（n）的第一掃描線SCL1（n）上的電壓改變為低位準電壓LOW時，連同第一掃描線SCL1（n）一起形成第一補償電容器C1的第二節點N2的電壓可以下降。在此示例中，位於第二節點N2的電壓的下降寬度（fallingwidth）可取決於第一掃描訊號SC1（n）的高位準電壓-低位準電壓（HIGH-LOW）的電壓改變寬度。

請參考圖14A，在第二節點N2被第一回沖降低的電壓Vn2_COMP可以變為第一回沖閘極電壓Vn2_C1。根據上述，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可以變為第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C1。

請參考圖14A，當驅動在其中沒發生第一回沖的子像素SP時，第二節點N2的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，且驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電壓Vgs_REF。

在此示例中，不發生第一回沖的子像素SP可為只包含第二補償電容器C2而不包含第一補償電容器C1的第一子像素SP1，或為不包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的非光學區NA的第二子像素SP2。

請參考圖14A，當第一回沖發生時，第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C1，也就是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP，可以變得大於參考閘極-源極電壓Vgs_REF，參考閘極-源極電壓Vgs_REF是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓在第一回沖沒有發生時的電壓差。

請參考圖14B，在第二回沖發生的第二回沖時間點Tkb2，當供應發光控制訊號EM（n）的發光控制線EML（n）上的電壓改變為低位準電壓LOW時，連同發光控制線EML（n）一起形成第二補償電容器C2的第二節點N2的電壓可以下降。在此示例中，位於第二節點N2的電壓的下降寬度可以取決於發光控制訊號EM（n）的高位準電壓-低位準電壓（HIGH-LOW）的電壓改變寬度。

請參考圖14B，在第二節點N2被第二回沖降低的電壓Vn2_COMP可以變為第二回沖閘極電壓Vn2_C2。根據上述，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可以變為第二回沖閘極-源極電壓Vgs_C2。

請參考圖14B，當驅動在其中沒發生第二回沖的子像素SP時，第二節點N2的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，且驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電壓Vgs_REF。

在此示例中，不發生第二回沖的子像素SP可為只包含第一補償電容器C1而不包含第二補償電容器C2的第一子像素SP1，或為不包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的非光學區NA的第二子像素SP2。

請參考圖14B，當第二回沖發生時，第二回沖閘極-源極電壓Vgs_C2，也就是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP，可以變得大於參考閘極-源極電壓Vgs_REF，參考閘極-源極電壓Vgs_REF是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓在第二回沖沒有發生時的電壓差。

請參考圖13及圖14C，在第一回沖發生的第一回沖時間點Tkb1，當供應第一掃描訊號SC1（n）的第一掃描線SCL1（n）上的電壓改變為低位準電壓LOW時，連同第一掃描線SCL1（n）一起形成第一補償電容器C1的第二節點N2的電壓可以下降。在此示例中，位於第二節點N2的電壓的下降寬度可以取決於第一掃描訊號SC1（n）的高位準電壓-低位準電壓（HIGH-LOW）的電壓改變寬度。

請參考圖13及圖14C，在第二節點N2被第一回沖降低的電壓Vn2_COMP可以變為第一回沖閘極電壓Vn2_C1。根據上述，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可以變為第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C1。

請參考圖13及圖14C，當驅動在其中沒發生第一回沖的驅動子像素SP時，第二節點N2的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，且驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電壓Vgs_REF。

請參考圖13及圖14C，當第一回沖發生時，第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C2，也就是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP，可以變得大於參考閘極-源極電壓Vgs_REF，參考閘極-源極電壓Vgs_REF是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓在第一回沖沒有發生時的電壓差。

請參考圖13及圖14C，在第一回沖之後發生第二回沖的第二回沖時間點Tkb2，當供應發光控制訊號EM（n）的發光控制線EML（n）上的電壓改變為低位準電壓LOW時，連同發光控制線EML（n）一起形成第二補償電容器C2的第二節點N2的電壓可以下降。在此示例中，位於第二節點N2的電壓的下降寬度可以取決於發光控制訊號EM（n）的高位準電壓-低位準電壓（HIGH-LOW）的電壓改變寬度。

請參考圖13及圖14C，在第二節點N2被第二回沖降低的電壓Vn2_COMP可以變為第三回沖閘極電壓Vn2_C1+C2。根據上述，驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP可以變為第三回沖閘極-源極電壓Vgs_C1+C2。在此示例中，第三回沖閘極電壓Vn2_C1+C2可以大於或等於第二回沖閘極電壓Vn2_C2。第三回沖閘極-源極電壓Vgs_C1+C2可以大於或等於第二回沖閘極-源極電壓Vgs_C2。

請參考圖13及圖14C，當驅動在其中沒發生第二回沖的驅動子像素SP時，第二節點N2的電壓可為參考閘極電壓Vn2_REF，且驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差可為參考閘極-源極電壓Vgs_REF。

在此示例中，不發生第二回沖的子像素SP可為不包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的非光學區NA中的第二子像素SP2。

請參考圖13及圖14C，當第一回沖之後發生第二回沖時，第三回沖閘極-源極電壓Vgs_C1+C2，也就是驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差，可以變得遠大於參考閘極-源極電壓Vgs_REF，也就是當第一回沖及第二回沖皆沒有發生時的驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。

在一或多個示例實施例中，第一光學區OA1的第一子像素SP1及非光學區NA的第二子像素SP2可被設置於同一欄、同一列或不同欄中。在此情況下，透過第一資料線DL1傳輸的第一資料電壓Vdata可以被施加至第一光學區OA1的第一子像素SP1，以及透過第二資料線DL2或第一資料線DL1傳輸的第二資料電壓Vdata可以被施加至非光學區NA的第二子像素SP2。

當第一資料電壓Vdata與第二資料電壓Vdata相同時，在第一子像素SP1的發光期間S8期間的驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP（即第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C1、第二回沖閘極-源極電壓Vgs_C2或第三回沖閘極-源極電壓Vgs_C1+C2）可以大於在第二子像素SP2的發光期間S8期間的驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_REF。

當補償電容器C1及C2被配置於設置在第一光學區OA1內的第一子像素SP1中，且在第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的閘極電壓上發生由補償電容器C1及C2引起的回沖時，第一子像素SP1中的驅動電晶體DRT的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差Vgs_COMP（即第一回沖閘極-源極電壓Vgs_C1、第二回沖閘極-源極電壓Vgs_C2或第三回沖閘極-源極電壓Vgs_C1+C2）可以增加。

根據上述，就算當被供應至設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata等於被供應至設置在非光學區NA中的第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata時，設置在第一光學區OA1中的一個第一子像素SP1可以發出較設置在非光學區NA中的一個第二子像素SP2更亮的光。因此，具有相對小的單位面積的子像素數量的第一光學區OA1的整體照度（或照度級）可以類似於具有相對大的單位面積的子像素數量的非光學區NA的整體照度（或照度級）。

也就是說，雖然設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1的數量較少，但因為設置在第一光學區OA1中的每個第一子像素SP1發出更亮的光，使得第一光學區OA1的整體照度（或照度級）可以變得類似於非光學區NA的整體照度（或照度級）。

如上所述，當被施加在設置在第一光學區OA1中第一子像素SP1的第一資料電壓Vdata等於被施加在設置在非光學區NA中第二子像素SP2的第二資料電壓Vdata時，根據用於補償照度差異的方案，第一光學區OA1的照度Loa1與非光學區NA的照度Lna之間的差異可以小於藉由第一資料電壓Vdata供應的第一子像素SP1的照度以及藉由第二資料電壓Vdata供應的第二子像素SP2的照度之間的差異。

請參考圖13及圖14A至圖14C，在第一回沖時間點Tkb1，第一掃描訊號SC1（n）可以從導通級電壓（高位準電壓HIGH）被改變為關斷級電壓（低位準電壓LOW）。在第一回沖時間點Tkb1之後的第二回沖時間點Tkb2，發光控制訊號EM（n）可以從關斷級電壓（高位準電壓HIGH）被改變為導通級電壓（低位準電壓LOW）。

請參考圖14A，在第一回沖時間點Tkb1，第二節點N2的電壓可以根據第一掃描訊號SC1（n）的電壓改變被改變。請參考圖14B，在第二回沖時間點Tkb2，第二節點N2的電壓可以根據發光控制訊號EM（n）的電壓改變被改變。

請參考圖14C，第二節點N2的電壓可以根據第一掃描訊號SC1（n）在第一回沖時間點Tkb1的電壓改變而改變，以及第二節點N2的電壓可以根據發光控制訊號EM（n）在第二回沖時間點Tkb2的電壓改變而改變。

以下，在照度差異補償結構中的設置在第一光學區OA1中的第一子像素SP1中，第二節點N2與第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者產生電容耦合將搭配圖15A及圖15B被更詳細地描述。在這些示例中，照度差異補償結構可包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的至少之一者。

在以下討論中，為了方便描述，假設第一光學區OA1的第一子像素SP1包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2，且因此，包含第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的照度差異補償結構將搭配圖15A及圖15B被更詳細地描述。之後，作為對比，非光學區NA的不具有照度差異補償結構的第二子像素SP2的平面結構將參考圖16A及16B進行討論。

根據本發明，圖15A及圖15B繪示了包含在顯示裝置100中設置在第一光學區OA1中第一子像素SP1的第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的示例結構平面圖。

請參考圖15A及圖15B，第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）可貫穿第一光學區OA1。當第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）貫穿第一光學區OA1時，第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）可被設置在第一光學區OA1的非光傳輸區NTA中同時避免第一光學區OA1的第一光傳輸區TA1。

請參考圖15A及圖15B，第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的每一個可貫穿第一光學區OA1中被設置在非光傳輸區NTA中的多個第一子像素SP1的像素驅動電路PDC的區域。

請參考圖15A及圖15B，連接圖案CP可被設置在設置於第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中的該些第一子像素SP1的像素驅動電路PDC的每個區域中。也就是，每個第一子像素SP1可包含對應於第二節點N2的連接圖案CP。

請參考圖15A及圖15B，驅動電晶體DRT及儲存電容器Cst可被設置於第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中的多個第一子像素SP1的每個像素驅動電路PDC中。

請參考圖15A及圖15B，每個驅動電晶體DRT可包含對應於第一節點N1的源極電極En1、對應於第三節點N3的汲極電極En3、對應於第二節點N2且作為閘極電極的連接圖案CP，以及主動層ACT。請參考圖15A及圖15B，儲存電容器Cst可形成於第二節點N2及驅動電壓線DVL之間。

請參考圖15A及圖15B，當連接圖案CP與第一掃描線SCL1（n）彼此互相重疊時，可以形成第一補償電容器C1。第一補償電容器C1的電容可以正比於連接圖案CP與第一掃描線SCL1（n）重疊的面積。

請參考圖15A及圖15B，為了增加第一補償電容器C1的電容，第一掃描線SCL1（n）可在第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中包含第一補償突出PRP1。舉例來說，第一掃描線SCL1（n）的第一補償突出PRP1可向上突出至相鄰驅動電晶體DRT的位置。

請參考圖15A及圖15B，在第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中，連接圖案CP可與驅動電晶體DRT的主動層ACT相交且與第一補償突出PRP1重疊。

請參考圖15A及圖15B，當連接圖案CP與發光控制線EML（n）彼此互相重疊，可以形成第二補償電容器C2。第二補償電容器C2的電容可以正比於連接圖案CP與發光控制線EML（n）的重疊面積。

請參考圖15A及圖15B，為了增加第二補償電容器C2的電容，發光控制線EML（n）可在第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中包含第二補償突出PRP。舉例來說，發光控制線EML（n）的第二補償突出PRP2可向上突出而遠離驅動電晶體DRT。

請參考圖15A及圖15B，在第一光學區OA1中的非光傳輸區NTA中，連接圖案CP可與驅動電晶體DRT的主動層ACT相交且與第二補償突出PRP2重疊。請參考圖15A及圖15B，連接圖案CP可與驅動電晶體DRT的主動層ACT相交、與第一掃描線SCL1（n）的第一補償突出PRP1重疊，以及與發光控制線EML（n）的第二補償突出PRP2重疊。

請參考圖15A及圖15B，連接圖案CP可包含與第一補償突出PRP1重疊的第一連接圖案CP1以及與第二補償突出PRP2重疊的第二連接圖案CP2。第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2可被設置在不同層且可透過接觸孔CNT_N2電性連接至彼此。

圖16A及圖16B為根據本發明顯示裝置100中非光學區NA的第二子像素SP2的平面的示例結構。

請參考圖16A及圖16B，在一或多個示例實施例中，設置在非光學區NA中的第二子像素SP2可不包含作為照度差異補償結構的第一補償電容器C1及第二補償電容器C2。根據上述，第一掃描線SCL1（n）與發光控制線EML（n）的每一個可不包含用於擴張與連接圖案CP的重疊面積的突出，其中連接圖案CP對應於第二節點N2。對應於第二節點N2的連接圖案CP可不與第一掃描線SCL1（n）重疊。對應於第二節點N2的連接圖案CP可不與發光控制線EML（n）重疊。

在一些情形中，連接圖案CP可與第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者部分重疊。在此情形下，由於連接圖案CP與第一掃描線SCL1（n）及發光控制線EML（n）的至少之一者重疊的面積很小，能夠對應照度（或照度特徵）改變的回沖可能不會發生。

如上所述，形成於第一光學區OA1中的第一子像素SP1的照度差異補償結構已經被提供來補償第一光學區OA1與非光學區NA之間的照度差異。如上所述的形成於第一光學區OA1的第一子像素SP1中的照度差異補償結構可被相同地施加在第二光學區OA2中的第三子像素SP3。以下，為了補償第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異，形成於第二光學區OA2的第三子像素SP3中的照度差異補償結構將參考圖17被簡短地描述。

圖17為根據本發明顯示裝置100中第一光學區OA1的第一子像素SP1以及第二光學區OA2的第三子像素SP3的等效電路的例子。

請參考圖17，顯示面板110的顯示區域DA可包含第一光學區OA1、第二光學區OA2，以及不同於第一光學區OA1及第二光學區OA2的非光學區NA。第一子像素SP1可被設置在第一光學區OA1中除了多個第一光傳輸區TA1之外的非光傳輸區NTA中。第三子像素SP3可被設置在第二光學區OA2中除了多個第二光傳輸區TA2之外的非光傳輸區NTA中。

為了補償第一光學區OA1與非光學區NA之間的照度差異，第一光學區OA1的第一子像素SP1可包含形成於第二節點N2及第一掃描線SCL1（n）之間的第一補償電容器C1，以及形成於第二節點N2及發光控制線EML（n）之間的第二補償電容器C2的至少之一者。

為了補償第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異，第二光學區OA2的第三子像素SP3可包含形成於第二節點N2及第一掃描線SCL1（n）之間的第三補償電容器C3，以及形成於第二節點N2及發光控制線EML（n）之間的第四補償電容器C4的至少之一者。

第一光學區OA1中單位面積的子像素數量可小於非光學區NA中單位面積的子像素數量。第二光學區OA2中單位面積的子像素數量Noa2可大於或等於第一光學區OA1中單位面積的子像素數量Noa1，且第二光學區OA2中單位面積的子像素數量Noa2可小於非光學區NA中單位面積的子像素數量Nna。

如上所述，第一光學區OA1與非光學區NA之間的單位面積的子像素數量的差異可大於或等於第二光學區OA2與非光學區NA之間的單位面積的子像素數量的差異。根據上述，第一光學區OA1與非光學區NA之間的照度差異可大於或等於第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異。

根據上述，第一光學區OA1與非光學區NA之間的照度差異補償大小可大於或等於第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異補償大小。考慮至此，在第一光學區OA1中的第一子像素SP1中的第一補償電容器C1與第二補償電容器C2，以及在第二光學區OA2中的第三子像素SP3中的第三補償電容器C3與第四補償電容器C4需要被設計。

舉例來說，第一光學區OA1的第一子像素SP1中的第一補償電容器C1的電容可大於或等於在第二光學區OA2的第三子像素SP3中的第三補償電容器C3的電容。

在另一示例中，第一光學區OA1中的第一子像素SP1中的第二補償電容器C2可大於等於在第二光學區OA2中，第三子像素SP3中的第四補償電容器C4。

在又一示例中，第一光學區OA1中的第一子像素SP1中的第一補償電容器C1及第二補償電容器C2的結合電容器可大於等於在第二光學區OA2中，第三子像素SP3中的第三補償電容器C3及第四補償電容器C4的結合電容器。

根據上述示例實施例的顯示裝置100可以被描述如下。

據本發明方面的顯示裝置100可包含設置在顯示區域DA中以顯示影像的多個子像素SP、每個子像素SP包括發光元件ED、用於驅動發光元件ED的驅動電晶體DRT，以及導通/關斷是透過由閘極線GL供應的閘極訊號來控制的電晶體。

在此示例中，電晶體可為第一電晶體T1或第五電晶體T5；閘極線GL可為第一掃描線SCL1（n）或發光控制線EML（n）；以及閘極訊號可為第一掃描訊號SC1（n）或發光控制訊號EM（n）。

該些子像素SP可包含被設置在顯示區域DA中的特定區域中的一或多個子像素。上述特定區域可為第一光學區OA1或第二光學區OA2。設置在特定區域中的子像素可為第一光學區OA1的第一子像素SP1或第二光學區OA2的第三子像素SP3。

設置在特定區域中的子像素可包含由驅動電晶體DRT的閘極電極或連接至閘極電極的連接圖案CP與閘極線GL重疊形成的補償電容器。

被設置在特定區域中的子像素中的驅動電晶體DRT的閘極電極可為第二節點N2。補償電容器可為第一補償電容器C1或第二補償電容器C2。

在資料電壓或由資料電壓轉換的電壓被施加至特定區域中的子像素中的驅動電晶體DRT的閘極電極的一時間點，透過閘極線GL供應的閘極訊號的電壓級可改變為低位準電壓。在此示例中，在資料電壓或由資料電壓轉換的電壓被施加至特定區域中的子像素中的驅動電晶體DRT的閘極電極的時間點可為第一回沖時間點Tkb1或第二回沖時間點Tkb2。

本文描述的一或多個示例實施例可提供具有光傳輸結構的顯示裝置100，其中位於顯示面板110的顯示區域DA底下的一或多個光學電子裝置11及12能正常的接收或偵測光線。

本文描述的一或多個示例實施例可提供能夠在包含在顯示面板110的顯示區域DA中的一或多個光學顯示區OA1及OA2正常進行顯示驅動以及能夠將一或多個光學電子裝置11及12重疊的顯示裝置100。

本文描述的一或多個示例實施例可提供能夠減少或避免一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異的顯示裝置100。

本文描述的一或多個實施例可提供能夠藉由配置或設計在光學區中具有照度差異補償結構的一或多個子像素以減少或避免一或多個第一光學區OA1及第二光學區OA2與非光學區NA之間的照度差異的顯示裝置100。

為方便起見，本發明各種方面的示例將於下方描述。這些是被提供為示例而非本發明技術的限制。

一或多個示例實施例提供的顯示裝置，包含：被設置在顯示區域以顯示影像的多個子像素，其中每個子像素包含：第一節點、第二節點、第三節點以及第四節點；連接至第四節點的發光元件；用於受第二節點的電壓控制且用於驅動發光元件的驅動電晶體；用於受透過第一掃描線供應的第一掃描訊號控制且用於控制第二節點與第三節點之間的連接的第一電晶體；用於受透過發光控制線供應的發光控制訊號控制且用於控制第一節點與驅動電壓線之間的連接的第二電晶體；以及用於受透過發光控制訊號控制且用於控制第三節點與第四節點之間的連接的第三電晶體，其中該些子像素包含設置在顯示區域中的第一區域中的第一子像素，以及其中第一子像素中的第二節點與第一掃描線及發光控制線的至少之一者產生電容器耦合。

一或多個示例提供了：顯示區域包含了包含多個發光區及多個光傳輸區的光學區；顯示區域更包含位於光學區外部的非光學區，非光學區包含多個發光區；以及第一區域是除了光學區中的該些光傳輸區以外的非光傳輸區。

一或多個示例提供了該些子像素包含設置在非光學區中的第二子像素，且第二子像素中的第二節點與第一掃描線及發光控制線不產生電容耦合。

一或多個示例提供了：顯示裝置用於透過第一資料線將第一資料電壓施加至第一子像素；顯示裝置用於透過第二資料線或第一資料線將第二電壓施加至第二子像素；以及當第一資料電壓實質上與第二資料電壓相等時，在第一子像素的發光週期期間驅動電晶體的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差大於在第二子像素的發光週期期間驅動電晶體的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。

一或多個示例提供了當第一資料電壓與第二資料電壓實質上相等時，光學區的照度與非光學區的照度之間的照度差異小於基於第一資料電壓的第一子像素的照度與基於第二資料電壓的第二子像素的照度之間的照度差異。

一或多個示例提供了第一子像素包含位於第二節點與第一掃描線之間的第一補償電容器。

一或多個示例提供了在第一時間點，第一掃描訊號從第一導通級電壓改變為第一關斷級電壓，以及在第一時間點之後的第二時間點，發光控制訊號從第二關斷級電壓改變為第二導通級電壓，且在第一時間點，位於第二節點的電壓根據第一掃描訊號的電壓變化而變化。

一或多個示例提供了第一子像素包含對應於第二節點的連接圖案，且第一掃描線包含第一補償突出，以及連接圖案與驅動電晶體的主動層相交且與第一補償突出重疊。

一或多個示例提供了第一子像素包含位於第二節點與發光控制線之間的第二補償電容器。

一或多個示例提供了在第一時間點，第一掃描訊號從第一導通級電壓改變為第一關斷級電壓，以及在第一時間點之後的第二時間點，發光控制訊號從第二關斷級電壓改變為第二導通級電壓，且在第二時間點，位於第二節點的電壓是根據發光控制訊號的電壓改變而改變。

一或多個示例提供了第一子像素包含對應於第二節點的連接圖案，且發光控制線包含第二補償突出，以及連接圖案與驅動電晶體的主動層相交且與第二補償突出重疊。

一或多個示例提供了第一子像素包含位於第二節點及第一掃描線之間的第一補償電容器以及位於第二節點及發光控制線之間第二補償電容器。

一或多個示例提供了在第一時間點，第一掃描訊號從第一導通級電壓改變為第一關斷級電壓，以及在第一時間點之後的第二時間點，發光控制訊號從第二關斷級電壓改變為第二導通級電壓，以及在第一時間點，位於第二節點的電壓是根據第一掃描訊號的電壓變化而變化，以及在第二時間點，位於第二節點的電壓是根據發光控制訊號的電壓變化而變化。

一或多個示例提供了第一子像素包含對應於第二節點的連接圖案，以及第一掃描線與發光控制線分別包含第一補償突出與第二補償突出，以及連接圖案與驅動電晶體的主動層相交，並與第一補償突出及第二補償突出重疊。

一或多個示例提供了連接圖案包含與第一補償突出重疊的第一連接圖案以及與第二補償突出重疊的第二連接圖案，且第一連接圖案及第二連接圖案被設置在不同層中且透過接觸孔彼此產生電性連接。

一或多個示例提供了第一補償電容器的第一電容器與第二補償電容器的第二電容器為實質上彼此相等。

一或多個示例提供了第一補償電容器的第一電容器不同於第二補償電容器的第二電容器。

一或多個示例提供了該些子像素的每一個更包含：用於控制第一節點與第一資料線之間的連接的第四電晶體；用於控制第二節點與第一初始化線之間的連接的第五電晶體；用於控制第四節點與第二初始化線之間的連接的第六電晶體；以及設置在第二節點與驅動電壓線之間的儲存電容器。

一或多個示例提供了顯示區域包含第一光學區、第二光學區以及非光學區，非光學區不同於第一光學區與第二光學區，在於每個第一光學區及第二光學區包含多個發光區及多個光傳輸區而非光學區包含多個發光區，且第一光學區中單位面積的子像素數量小於非光學區中單位面積的子像素數量，以及第二光學區中單位面積的子像素數量大於或等於第一光學區中單位面積的子像素數量且小於非光學區中單位面積的子像素數量。

一或多個示例提供了設置在第一區域的第一子像素，第一區域是在第一光學區中除了多個光傳輸區外的非光傳輸區，該些子像素更包含設置在第二光學區中除了非光傳輸區之外的非光傳輸區的第三子像素，第一子像素包含位於第一子像素的第二節點與第一掃描線之間的第一補償電容器以及位於第一子像素的第二節點與發光控制線之間的第二補償電容器的至少之一者，以及第三子像素包含位於第三子像素的第二節點與第一掃描線之間的第三補償電容器以及位於第三子像素的第二節點與發光控制線之間的第四補償電容器。

一或多個示例提供了第一補償電容器的電容大於或等於第三補償電容器的電容；第二補償電容器的電容大於或等於第四補償電容器的電容；或第一補償電容器與第二補償電容器的結合電容大於或等於第三補償電容器與第四補償電容器的結合電容。

一或多個實施例提供了一種顯示裝置，包含：設置在顯示區域中以顯示影像的多個子像素，每個子像素包含：第一節點、第二節點、第三節點及第四節點；連接至第四節點的發光元件；用於受透過第一掃描線供應的第一掃描訊號控制且用於控制第二節點與第三節點之間的連接的第一電晶體；用於受透過發光控制線供應的發光控制訊號控制且用於控制第一節點與驅動電壓線之間的連接的第二電晶體；以及用於受透過發光控制訊號控制且用於控制第三節點與第四節點之間的連接的第三電晶體，其中多個子像素包含設置在顯示區域中的第一區域中的第一子像素，以及其中第一子像素包含位於第二節點與第一掃描線之間的第一補償電容器及位於第二節點與發光控制線之間的第二補償電容器的至少之一者。

一或多個示例提供了多個子像素包含設置在非光學區的第二子像素。

一或多個示例提供了：顯示裝置是用於透過第一資料線將第一資料電壓施加至第一子像素；顯示裝置是用於透過第二資料線或第一資料線將第二資料電壓施加至第二子像素；以及當第一資料電壓與第二資料電壓實質上相等時，第一子像素的驅動電晶體在發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差大於第二子像素的驅動電晶體在發光期間的閘極電壓與源極電壓之間的電壓差。

包含：設置在顯示區域中以顯示影像的多個子像素，每個子像素包含：第一節點、第二節點、第三節點及第四節點；連接至第四節點的發光元件；用於受透過第一掃描線供應的第一掃描訊號控制且用於控制第二節點與第三節點之間的連接的第一電晶體；用於受透過發光控制線供應的發光控制訊號控制且用於控制第一節點與驅動電壓線之間的連接的第二電晶體；以及用於受透過發光控制訊號控制且用於控制第三節點與第四節點之間的連接的第三電晶體，其中多個子像素包含設置在顯示區域中的第一區域中的第一子像素，以及其中第一子像素包含位於第二節點與第一掃描線之間的第一補償電容器及位於第二節點與發光控制線之間的第二補償電容器的至少之一者。

一或多個實施例提供了一種顯示裝置，包含：設置在顯示區域中以顯示影像的多個子像素，每個子像素包含：發光元件；用於驅動發光元件的驅動電晶體；以及用於受閘極線供應的閘極訊號控制導通及關斷的電晶體，其中多個子像素包含設置在顯示區域中的特定區域中的子像素，以及設置在特定區域中的子像素包含由驅動電晶體的閘極電極或連接至驅動電晶體的閘極電極的連接圖案與閘極線的重疊形成的補償電容器，其中透過閘極線供應的閘極訊號的電壓級在資料電壓或由資料電壓的改變產生的電壓被施加到驅動電晶體的閘極電極的時間點時被改變為第二電壓級，以及其中第二電壓級低於上述電壓級。

上面描述已經呈現讓任何具本領域通常知識者能夠使用、製造及實施本發明的技術特徵，且已經在內文中提供特定應用及其需求作為示例。對描述的實施例進行各種修改、增加及取代將已經對於具本領域通常知識者為顯而易見，且本文所述的原則在不偏離本發明範圍的情況下可被用至其他實施例或應用。以上描述及所附圖式提供本發明技術特徵的示例僅用於解釋目的。也就是，揭露的實施例是用於解釋本發明技術特徵的範圍。因此，本發明的範圍並不限於所示的實施例，而是要根據與申請專利範圍一致的最大範圍。本發明的保護範圍應被理解為基於以下申請專利範圍，以及所有在同等範圍內的技術特徵應被理解為被包含在本發明的範圍中。

100:顯示裝置 11:光學電子裝置 110:顯示面板 DA:顯示區域 NDA:非顯示區域 OA1:第一光學區 OA2:第二光學區 NA:非光學區 220:資料驅動電路 230:閘極驅動電路 240:顯示控制器 250:主機系統 260:觸控驅動電路 270:觸控控制器 Data:資料電壓 DCS:資料驅動控制訊號 DL:資料線 SUB:基板 SP:子像素 GL:閘極線 ENCAP:封裝層 Vdata:資料電壓 ELVDD:驅動電壓 SCAN:掃描訊號 SCT:掃描電晶體 DRT:驅動電晶體 ELVSS:基準電壓 Cst:儲存電容器 ED:發光元件 AE:陽極電極 CE:陰極電極 Nx:第一節點 Ny:第二節點 Nz:第三節點 DVL:驅動電壓線 EL:發射層 TA1:第一光傳輸區 TA2:第二光傳輸區 HA1:第一水平顯示區 HA2:第二水平顯示區 HL1:第一水平線 HL2:第二水平線 VLn:典型垂直線 VL1:第一垂直線 VL2:第二垂直線 PAS1:第一封裝層 PAS2:第三封裝層 PCL:第二封裝層 BANK:岸堤 PLN:平坦化層 PLN1:第一平坦化層 PLN2:第二平坦化層 PAS0:鈍化層 ILD1:第一層間絕緣層 ILD2:第二層間絕緣層 GI:閘極絕緣層 ABUF1:第一主動緩衝層 ABUF2:第一主動緩衝層 MBUF:多層緩衝層 SUB1:第一基板 SUB2:第二基板 IPD:層間絕緣層 LS:遮光層 ML1:第一金屬層 ML2:第二金屬層 GM:閘極材料層 TM:金屬圖案 GATE:閘極電極 ACT:主動層 TSM:觸控感測器金屬 BRG:電橋金屬 T-ILD:觸控層間絕緣層 SLP:傾斜面 DAM1:壩 DAM2:壩 T-BUF:觸控緩衝層 INS:層間絕緣層 DFP:材料 TP:觸控墊 Noa1:第一光學區中的單位面積的子像素數量 Noa2:第二光學區中的單位面積的子像素數量 Nna:非光學區中的單位面積的子像素數量 Lna:非光學區的照度 Loa1:第一光學區的照度 Loa2:第二光學區的照度 NTA:非光傳輸區 SC1:第一資料訊號 SC2:第二資料訊號 SCL1:第一資料線 SCL2:第二資料線 EML:發光控制線 VAR:第二初始化電壓 VARL:初始化線 T1:第一電晶體 T2:第二電晶體 T3:第三電晶體 T4:第四電晶體 T5:第五電晶體 T6:第六電晶體 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 N4:第四節點 VINI:第一初始化電壓 HIGH:高位準電壓 LOW:低位準電壓 S0~S8:期間 Vth:臨界電壓 IVL:第一初始化線 Tkb1:第一回沖時間點 Tkb2:第二回沖時間點 Vgs_C1:第一回沖閘極-源極電壓 Vgs_C2:第二回沖閘極-源極電壓 Vgs_C1+C2:第三回沖閘極-源極電壓 Vgs_COMP:電壓差 Vn2_C1:第一回沖閘極電壓 Vn2_C2:第二回沖閘極電壓 Vn2_C1+C2:第三回沖閘極電壓 Vn2_COMP:電壓 Vn2_REF:參考閘極電壓 Vgs_REF:參考閘極-源極電壓 CP1:第一連接圖案 CP2:第二連接圖案 CNT_N2:接觸孔 En1:源極電極 En3:汲極電極 PRP1:第一補償突出 PRP2:第二補償突出 C1:第一補償電容器 C2:第二補償電容器 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素

本發明所附圖式，用於提供進一步的理解且組成本發明的一部分，說明了本發明的方面且與文字描述共同解釋本發明的原則。在圖式中：

圖1A、1B及1C為根據本公開方面的顯示裝置的例子的平面圖；

圖2為根據本公開方面的顯示裝置的例子的系統配置圖；

圖3為根據本公開方面的位於顯示面板中的子像素的例子的等效電路圖；

圖4為根據本公開方面的位於顯示面板的顯示區域所包括的三個區域內的子像素排列示例圖；

圖5A為根據本公開的位於顯示面板的每個第一光學區與非光學區的訊號線排列示例圖；

圖5B為根據本公開的位於顯示面板的每個第二光學區與非光學區的訊號線排列示例圖；

圖6及圖7為根據本發明的被包含在顯示面板的顯示區域中的每個第一光學區、第二光學區及非光學區的截面示例圖；

圖8為根據本發明的顯示面板的邊緣的截面示例圖；

圖9為根據本發明的位於顯示裝置中的第一光學區、第二光學區及非光學區之中的照度差異示例圖；

圖10為根據本發明顯示裝置中位於第一光學區中的第一子像素以及位於非光學區的第二子像素的等效電路示例圖；

圖11為根據本發明顯示裝置中第一子像素的驅動時間點（timing）示例圖；

圖12A到圖12I為根據本發明顯示裝置中當第一子像素被根據圖11的驅動時間點示例圖驅動時，第一子像素在每個詳細驅動週期的驅動情形示例圖；

圖13為根據本發明顯示裝置中位於第一光學區中第一子像素的第二節點的電壓變化的例子以及位於非光學區中第二子像素的第二節點的電壓變化的例子；

圖14A為在根據本發明顯示裝置中第一光學區的第一子像素包含第一補償電容器的情況的第一子像素的第二節點的電壓變化的例子；

圖14B為根據本發明顯示裝置中第一光學區的第一子像素包含第二補償電容器的情況的第一子像素的第二節點的電壓變化的例子；

圖14C為根據本發明顯示裝置中第一光學區的第一子像素包含第一補償電容器及第二補償電容器的情況的第一子像素的第二節點的電壓變化的例子；

圖15A及圖15B為在根據本發明顯示裝置中被包含在第一光學區的第一子像素中的第一補償電容器及第二補償電容器的平面示出示例性結構；

圖16A及圖16B為在根據本發明顯示裝置中非光學區的第二子像素的平面示出示例性結構；以及

圖17為根據本發明顯示裝置中第一光學區的第一子像素的等效電路以及第二光學區的第三子像素的等效電路示例圖。

DA:顯示區域

OA1:第一光學區

NA:非光學區

SP1:第一子像素

SP2:第二子像素

Vdata:資料電壓

ELVDD:驅動電壓

DRT:驅動電晶體

ELVSS:基準電壓

Cst:儲存電容器

ED:發光元件

SC1:第一資料訊號

SC2:第二資料訊號

SCL1:第一資料線

SCL2:第二資料線

EML:發光控制線

VAR:第二初始化電壓

VARL:初始化線

T1:第一電晶體

T2:第二電晶體

T3:第三電晶體

T4:第四電晶體

T5:第五電晶體

T6:第六電晶體

N1:第一節點

N2:第二節點

N3:第三節點

N4:第四節點

VINI:第一初始化電壓

C1:第一補償電容器

Claims (25)

1. 一種顯示裝置，包含：被設置在一顯示區域中的多個子像素，用於顯示一影像，該些子像素中的每一個包含：一第一節點、一第二節點、一第三節點及一第四節點；一發光元件，連接至該第四節點；一驅動電晶體，用於被位於該第二節點的一電壓控制且用於驅動該發光元件；一第一電晶體，用於被透過一第一掃描線供應的一第一掃描訊號控制且用於控制該第二節點及該第三節點之間的一連接；一第二電晶體，用於被透過一發光控制線供應的一發光控制訊號控制且用於控制該第一節點及一驅動電壓線之間的一連接；以及一第三電晶體，用於被該發光控制訊號控制且用於控制該第三節點及該第四節點之間的一連接，其中該些子像素包含被設置在該顯示區域中的一第一區域中的第一子像素，以及其中第一子像素中的該第二節點是被電容耦合至該第一掃描線及該發光控制線的至少之一者。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中：該顯示區域包含一光學區，該光學區包括多個發光區以及多個光傳輸區；該顯示區域更包含設置在該光學區外部的一非光學區，該非光學區包括多個發光區；以及該第一區域是除了該光學區中的該些光傳輸區之外的一非光傳輸區。
3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中該些子像素包含被設置在該非光學區中的一第二子像素，且該第二子像素中的該第二節點不與該第一掃描線及該發光控制線產生電容耦合。
4. 如請求項3所述的顯示裝置，其中：該顯示裝置是用於透過一第一資料線對該第一子像素施加一第一資料電壓；該顯示裝置是用於透過一第二資料線或該第一資料線對該第二子像素施加一第二資料電壓；以及當該第一資料電壓與該第二資料電壓相等時，該驅動電晶體在該第一子像素的一發光期間的一閘極電壓與一源極電壓之間的一電壓差大於該驅動電晶體在該第二子像素的一發光期間的一閘極電壓與一源極電壓之間的一電壓差。
5. 如請求項4所述的顯示裝置，其中當該第一資料電壓與該第二資料電壓相等時，該光學區的照度與該非光學區的照度之間的一照度差異小於該第一子像素基於該第一資料電壓的照度與該第二子像素基於該第二資料電壓的照度之間的一照度差異。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含在該第二節點及該第一掃描線之間的一第一補償電容器。
7. 如請求項6所述的顯示裝置，其中在一第一時間點，該第一掃描訊號從一第一導通級電壓被改變為一第一關斷級電壓，且在該第一時間點之後的一第二時間點，該發光控制訊號從一第二關斷級電壓被改變為一第二導通級電壓，以及其中在該第一時間點，該第二節點的該電壓根據該第一掃描訊號的一電壓改變被改變。
8. 如請求項6所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含對應於該第二節點的一連接圖案，以及該第一掃描線包含一第一補償突出，以及其中該連接圖案與該驅動電晶體的一主動層相交以及與該第一補償突出重疊。
9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含在該第二節點及該發光控制線之間的一第二補償電容器。
10. 如請求項9所述的顯示裝置，其中在一第一時間點，該第一掃描訊號從一第一導通級電壓被改變為一第一關斷級電壓，且在該第一時間點之後的一第二時間點，該發光控制訊號從一第二關斷級電壓被改變為一第二導通級電壓，以及在該第二時間點，該第二節點的該電壓根據該發光控制訊號的一電壓改變被改變。
11. 如請求項9所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含對應於該第二節點的一連接圖案，以及該發光控制線包含一第二補償突出，以及該連接圖案與驅動電晶體的一主動層相交以及與該第二補償突出重疊。
12. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含在該第二節點與該第一掃描線之間的一第一補償電容器以及包含在該第二節點與該發光控制線之間的一第二補償電容器。
13. 如請求項12所述的顯示裝置，其中在一第一時間點，該第一掃描訊號從一第一導通級電壓被改變為一第一關斷級電壓，且在該第一時間點之後的一第二時間點，該發光控制訊號從一第二關斷級電壓被改變為一第二導通級電壓，以及其中在該第一時間點，該第二節點的該電壓根據該第一掃描訊號的一電壓改變被改變，以及在該第二時間點，該第二節點的該電壓根據該發光控制訊號的一電壓改變被改變。
14. 如請求項12所述的顯示裝置，其中該第一子像素包含對應於該第二節點的一連接圖案，以及該第一掃描線與該發光控制線分別包含一第一補償突出與一第二補償突出，以及其中該連接圖案與驅動電晶體的一主動層相交、與第一補償突出重疊以及與該第二補償突出重疊。
15. 如請求項14所述的顯示裝置，其中該連接圖案包含與該第一補償突出重疊的一第一連接圖案以及與該第二補償突出重疊的一第二連接圖案，以及其中該第一連接圖案與該第二連接圖案被設置在不同層且透過一接觸孔被電性連接至彼此。
16. 如請求項12所述的顯示裝置，其中該第一補償電容器的一第一電容器以及該第二補償電容器的一第二電容器為彼此相等。
17. 如請求項12所述的顯示裝置，其中該第一補償電容器的一第一電容器以及該第二補償電容器的一第二電容器彼此不相等。
18. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些子像素的每一個更包含：一第四電晶體，用於控制該第一節點與該第一資料線之間的一連接；一第五電晶體，用於控制該第二節點與該第一初始化線之間的一連接；一第六電晶體，用於控制該第四節點與該第二初始化線之間的一連接；一儲存電容器，被設置在該第二節點與該驅動電壓線之間。
19. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該顯示區域包含一第一光學區、一第二光學區以及一非光學區，該非光學區不同於該第一光學區及第二光學區，其中該第一光學區及該第二光學區中的每一個包含多個發光區及多個光傳輸區，且該非光學區包含多個發光區，其中該第一光學區中的一單位面積的子像素數量小於該非光學區的一單位面積的子像素數量，以及其中該第二光學區中的一單位面積的子像素數量大於或等於該第一光學區的該單位面積的子像素數量，且小於該非光學區的該單位面積的子像素數量。
20. 如請求項19所述的顯示裝置，其中該第一子像素被設置在該第一區域中，該第一區域是除了該第一光學區中的該些光傳輸區之外的一非光傳輸區，其中該些子像素更包含被設置在除了該第二光學區中的該些光傳輸區之外的一非光傳輸區的一第三子像素，其中該第一子像素包含該第二節點與該第一子像素中的該第一掃描線之間的一第一補償電容器以及在該第二節點與該第一子像素中的該發光控制線之間的一第二補償電容器的至少之一者，以及其中該第三子像素包含在該第二節點與該第三子像素中的第一掃描線之間的一第三補償電容器以及在該第二節點與該第三子像素中的發光控制線之間的一第四補償電容器。
21. 如請求項20所述的顯示裝置，其中該第一補償電容器的一電容大於或等於該第三補償電容器的一電容；該第三補償電容器的一電容大於或等於該第四補償電容器的一電容；或該第一補償電容器與該第二補償電容器的一結合電容大於或等於該第三補償電容器與該第四補償電容器的一結合電容。
22. 一種顯示裝置，包含：多個被設置在一顯示區域中的子像素，用於顯示一影像，該些子像素的每一個包含：一第一節點、一第二節點、一第三節點及一第四節點；一發光元件，連接至該第四節點；一驅動電晶體，用於被位於該第二節點的一電壓控制且用於驅動該發光元件；一第一電晶體，用於被透過一第一掃描線供應的一第一掃描訊號控制且用於控制該第二節點及該第三節點之間的一連接；一第二電晶體，用於被透過一發光控制線供應的一發光控制訊號控制且用於控制該第一節點及一驅動電壓線之間的一連接；以及一第三電晶體，用於被該發光控制訊號控制且用於控制該第三節點及該第四節點之間的一連接，其中該些子像素包含被設置在該顯示區域中的一第一區域中的一第一子像素；以及其中該第一子像素包含在該第二節點與該第一資料線之間的一第一補償電容器及在該第二節點及該發光控制線之間的一第二補償電容器的至少之一者。
23. 如請求項22所述的顯示裝置，其中該些子像素包含被設置在一非光學區中的一第二子像素，且該第二子像素不具有在該第二節點與該第一掃描線之間的任何補償電容器且不具有在該第二節點與該發光控制線之間的任何補償電容器。
24. 如請求項23所述的顯示裝置，其中：該顯示裝置是用於透過一第一資料線對該第一子像素施加一第一資料電壓；該顯示裝置是用於透過一第二資料線或該第一資料線對該第二子像素施加一第二資料電壓；以及當該第一資料電壓與該第二資料電壓相等時，該驅動電晶體在該第一子像素的一發光期間的一閘極電壓與一源極電壓之間的一電壓差大於該驅動電晶體在該第二子像素的一發光期間的一閘極電壓與一源極電壓之間的一電壓差。
25. 一種顯示裝置，包含：多個被設置在一顯示區域中的子像素，用於顯示一影像，該些子像素的每一個包含：一發光元件；一驅動電晶體，用於驅動該發光元件；一電晶體，用於被透過一閘極線供應的一閘極訊號控制導通或關斷，其中該些子像素包含被設置在顯示區域中的一特定區域中的一子像素，且被設置在該特定區域中的該子像素包含將該驅動電晶體的一閘極節點或連接至該驅動電晶體的該閘極節點的一連接圖案重疊於該閘極線而形成的一補償電容器，其中透過該閘極線供應的該閘極訊號的一電壓位準在一資料電壓或由改變該資料電壓所產生的一電壓被施加到該驅動電晶體的該閘極節點的一時間點被改變為一第二電壓位準，以及其中該第二電壓位準低於該電壓位準。

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