CN116156944A - 显示装置和显示面板 - Google Patents

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CN116156944A CN202211397826.7A CN202211397826A CN116156944A CN 116156944 A CN116156944 A CN 116156944A CN 202211397826 A CN202211397826 A CN 202211397826A CN 116156944 A CN116156944 A CN 116156944A
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曺永成
苏炳成
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LG Display Co Ltd
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    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
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Abstract

公开了一种显示装置和显示面板。所述显示装置包括显示面板和光学电子装置，所述显示面板包括显示区域中的光学区域和普通区域，所述光学电子装置与所述光学区域的至少一部分交叠。两个或更多个子像素和下屏蔽金属可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中。在所述光学区域的非透射区域中，所述下屏蔽金属可以包括至少一个开口，该至少一个开口与设置在所述光学区域中的非透射区域中的两个或更多个子像素中的每一个中包括的两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或一部分交叠。

Description

显示装置和显示面板
技术领域
本公开涉及电子装置，更具体地，涉及显示装置和显示面板。
背景技术
随着显示技术的进步，显示装置可以提供增加的功能，诸如图像拍摄功能、感测功能等，以及图像显示功能。为了提供这些功能，显示装置可能需要包括诸如相机之类的光学电子装置、用于检测图像的传感器等。
为了接收穿过显示装置的前表面的光，可以期望光学电子装置位于显示装置的能够有利地接收或检测来自前表面的入射光的区域中。因此，在这种显示装置中，光学电子装置可以位于显示装置的前部，以允许光学电子装置有效地暴露于入射光。为了在这样的实施方式中安装光学电子装置，可以设计显示装置的增加的边框，或者可以在显示装置的显示面板的显示区域中形成凹口或孔。
因此，当显示装置需要光学电子装置来接收或检测入射光并执行预期功能时，显示装置的前部中的边框的尺寸可能增大，或者在设计显示装置的前部时可能遇到实质缺点。
发明内容
开发了用于在显示装置中设置或放置一个或更多个光学电子装置而不减小显示装置的显示面板的显示区域的面积的技术。公开了一种具有光透射结构的显示面板和显示装置，其中即使当光学电子装置位于显示面板的显示区域下方时，光学电子装置也能正常运行。因此，所述光学电子装置不会暴露在所述显示装置的前表面中，并且可以正常且适当地接收或检测光。
在设置有光学电子装置的显示装置中，与所述光学电子装置交叠的光学区域是需要具有高透射性能和优异显示性能的区域。为了满足这些要求，已经开发了用于从一个或更多个透射区域去除阴极以使显示面板具有高透射性能的技术。然而，设置在所述光学区域内部的非透射区域中的一个或更多个其它组件被在从透射区域移除阴极的阴极图案化过程期间使用的激光损坏。为了防止或至少减少设置在所述光学区域的非透射区域中的组件被损坏，已经开发了在设置在所述光学区域的非透射区域中的组件下方设置下屏蔽金属的技术，并且由此认识到，防止或至少减少了设置在所述光学区域的非透射区域中的组件的损坏。进而，异常图像的显示由设置在所述光学区域的非透射区域中设置的组件下方的下屏蔽金属引起。
所述下屏蔽金属导致位于所述下屏蔽金属上或上方的特定晶体管的特性变化，并且继而，特定晶体管的特性的这种变化导致显示这种异常图像。为了解决这些问题，公开了一种显示装置和显示面板，其包括具有开口结构的下屏蔽金属，所述开口结构能够在增加光学区域的透射率的同时防止或至少减少显示异常图像。
在一个实施方式中，显示装置包括：显示面板，该显示面板包括被配置为显示图像的显示区域和非显示区域，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域，其中，所述光学区域包括多个第一发光区域、多个透射区域、以及在所述多个透射区域中的相邻透射区域之间的非透射区域，所述普通区域包括多个第二发光区域；设置在所述光学区域的非透射区域中的两个或更多个子像素，所述两个或更多个子像素中的每一个包括发光元件、两个或更多个晶体管和存储电容器；以及在所述光学区域的非透射区域中的下屏蔽金属，所述下屏蔽金属包括至少一个开口，该至少一个开口与包括在所述两个或更多个子像素的每一个中的所述两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
在一个实施方式中，显示面板包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域被配置为显示图像，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域；在所述基板上方的下屏蔽金属；在所述下屏蔽金属上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的晶体管层，其中，所述光学区域包括多个发光区域和多个透射区域，所述光学区域的至少一部分与位于所述基板下方的光学电子装置交叠，其中，两个或更多个子像素设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中，所述两个或更多个子像素中的每一个包括发光元件、两个或更多个晶体管和存储电容器，并且其中，所述下屏蔽金属在所述非透射区域中，并且包括至少一个开口，该至少一个开口与包括在所述两个或更多个子像素的每一个中的所述两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
在一个实施方式中，显示装置包括：基板，该基板包括被配置为显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域；包括在所述显示区域中的子像素，所述子像素包括多个晶体管和发光元件；以及所述显示区域中的下屏蔽金属，所述下屏蔽金属与所述发光元件和所述多个晶体管中的第一晶体管交叠，其中，所述下屏蔽金属包括与所述多个晶体管中的第二晶体管交叠但不与所述发光元件和所述第一晶体管交叠的开口。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解并且附图被包含在本公开中并构成本公开的一部分，例示了本公开的方面，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1A、图1B和图1C是示出根据本公开的实施方式的示例显示装置的平面图；
图2示出了根据本公开的实施方式的显示装置的示例系统配置；
图3示出了根据本公开的实施方式的显示面板中的子像素的示例等效电路；
图4示出了根据本公开的实施方式的包括在显示面板的显示区域中的三个区域中的子像素的示例布置；
图5A示出了根据本公开的实施方式的显示面板中的第一光学区域和普通区域中的每一个中的信号线的示例布置；
图5B示出了根据本公开的实施方式的显示面板中的第二光学区域和普通区域中的每一个中的信号线的示例布置；
图6和图7是根据本公开的实施方式的包括在显示面板的显示区域中的普通区域、第一光学区域和第二光学区域的示例截面图；
图8是根据本公开的实施方式的显示面板的边缘中的示例截面图；
图9示出了根据本公开的实施方式的显示装置的第一光学区域的示例部分；
图10示出了根据本公开的实施方式的包括在显示装置中的子像素的示例等效电路；
图11示出了根据本公开的实施方式的显示装置100的第一光学区域OA1的一部分中的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM的示例布置；
图12是根据本公开的实施方式的图11中标记为UA的区域的平面图；
图13示出了根据本公开的实施方式的第五晶体管的示例结构；
图14示出了根据本公开的实施方式的显示装置的第一光学区域上的示例照明实验的结果；
图15A至图15D示出了根据本公开的实施方式的显示装置中设置在第一光学区域中的下屏蔽金属的示例性开口结构；
图16A和图16B示出了根据本公开的实施方式的根据显示装置中的下屏蔽金属的开口结构跨第五晶体管的连接节点形成的示例电容器结构；
图17示出了根据本公开的实施方式的在显示装置中第五晶体管设置在第一光学区域中的非透射区域的示例截面图；
图18A至图18E示出了根据本公开的实施方式的在显示装置中第五晶体管未设置在第一光学区域中的非透射区域的示例截面图；
图19示出了根据本公开的实施方式的显示装置的普通区域和第一光学区域中的每一个中的触摸传感器金属的示例布置结构；
图20是根据本公开的实施方式的显示装置的第一光学区域内部的触摸传感器金属的布置结构的示例放大图；
图21是示出根据本公开的实施方式的在显示装置中应用下屏蔽金属的开口结构之前和之后驱动晶体管的栅极节点的电压和连接节点的电压的变化的曲线图；以及
图22示出了根据本公开的实施方式的在显示装置中应用下屏蔽金属的开口结构的第一光学区域上的示例照明实验的结果。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施方式，其示例可以在附图中示出。
在以下描述中，这里描述的结构、实施方式、实现方式、方法和操作不限于这里阐述的一个或更多个特定示例，并且可以如本领域中已知的那样改变，除非另有说明。除非另有说明，否则相同的附图标记始终表示相同的元件。在以下说明中使用的各个元件的名称仅是为了便于撰写说明书而选择的，因此可以与实际产品中使用的那些不同。
将通过参照附图描述的以下示例性实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的形式来实施，不应视为局限于这里所述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开可以足够彻底和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的受保护范围由权利要求及其等同物限定。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的各方面的情况下，可以省略此类已知功能或配置的详细描述。
在附图中示出以描述本公开的各种示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅通过示例的方式给出。因此，本公开不限于附图中的图示。在使用术语“包括”、“具有”、“包括”、“包含”、“构成”、“组成”、“形成”等时，可以添加一个或更多个其它元件，除非使用诸如“仅”之类的术语。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。
尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”、A、B、(a)、(b)等来描述各种元件，但这些元件不应被解释为受这些术语限制，因为它们不用于限定特定顺序或优先级。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
对于一个元件或层“连接”、“联接”或“粘附”到另一元件或层的表述，该一个元件或层不仅可以直接连接、联接或粘附到另一元件或层，而且还可以间接连接、联接或粘附到另一元件或层，在元件或层之间“设置”、“插入”有一个或多个中间元件或层，除非另有规定。对于一个元件或层与另一元件或层“接触”、“交叠”等的表述，除非另有说明，否则一个元件或层不仅可以与另一元件或层直接接触、交叠等，还可以与另一元件或层间接接触、交叠等，其中一个或更多个中间元件或层设置或插入在元件或层之间。
在描述位置关系的情况下，例如，在使用“上”、“之上”、“下面”、“上方”、“下方”、“旁边”、“接近”等来描述两个部件之间的位置关系，除非使用诸如“立即”、“直接”或“紧邻”之类的更限制性的术语，否则一个或更多个其它部件可以位于两个部件之间。例如，在一个元件或层设置在另一元件或层“上”的情况下，第三元件或层可插入其间。此外，术语“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“向下”、“向上”、“上”、“下”等指任意参照系。在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“仅仅”、“即刻”或“直接”的更具限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。
在描述位置关系的情况下，例如，在使用“上”、“之上”、“下面”、“上方”、“下方”、“旁边”、“接近”等来描述两个部件之间的位置关系，除非使用诸如“立即”、“直接”或“紧邻”之类的更限制性的术语，否则一个或更多个其它部件可以位于两个部件之间。例如，在一个元件或层设置在另一元件或层“上”的情况下，第三元件或层可插入其间。此外，术语“左”、“右”、“顶部”、“底部”、“向下”、“向上”、“上”、“下”等指任意参照系。在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“仅仅”、“即刻”或“直接”的更具限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。在解释一个元件时，该元件要被解释为包括误差或公差范围，即使没有提供这种误差或公差范围的明确描述。此外，术语“可以”完全包括术语“可以”的所有含义。术语“至少一个”应理解为包括一个或更多个相关列出项的任何或所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义包括所有三个列出的元件的组合、三个元件中的任意两个的组合以及每个单独的元件、第一元件、第二元件和第三元件。第一元件、第二元件“和/或”第三元件的表达应当理解为第一元件、第二元件和第三元件中的一个或第一元件、第二元件和第三元件的任何或所有组合。例如，A、B和/或C可以仅指代A，仅指代B，或仅指代C；指代A、B和C的任意或某种组合；或指代全部的A、B和C。以下，将参考附图详细描述本公开的各种示例实施方式。另外，为了便于描述，附图中示出每个元件的比例可以不同于实际比例。因此，示出的元件不限于附图中示出的特定比例。
以下，将参考附图详细描述本公开的各种实施方式。另外，为了便于描述，附图中示出每个元件的比例可以不同于实际比例。因此，示出的元件不限于附图中示出的特定比例。
图1A、图1B和图1C是示出根据本公开的实施方式的示例显示装置100的平面图。
参照图1A、图1B和图1C，根据本公开的各方面的显示装置可以包括用于显示图像的显示面板110和一个或更多个光学电子装置(11、12)。这里，光学电子装置可以被称为光检测器、光接收器或光感测装置。光学电子装置可以包括相机、相机镜头、传感器、用于检测图像的传感器等中的一个或更多个。
显示面板110可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。
可以在显示区域DA中设置多个子像素，并且可以在显示区域DA中设置用于驱动多个子像素的多种类型的信号线。
非显示区域NDA可以指显示区域DA之外的区域。可以在非显示区域NDA中设置多种类型的信号线，并且连接多种类型的驱动电路可以与多种类型的信号线连接。非显示区域NDA的至少一部分可以被弯曲以从显示面板的前面不可见，或者可以被显示面板110或显示装置100的壳体(未示出)覆盖。非显示区域NDA也可以称为边框或边框区域。
参照图1A、图1B和图1C，在根据本公开的方面的显示装置100中，一个或更多个光学电子装置(11、12)可以位于显示面板110的下方或下部(与显示面板110的观看表面相反的一侧)。
光可以进入显示面板110的前表面(观看表面)，穿过显示面板110，到达一个或更多个光学电子装置(11、12)，一个或更多个光学电子装置(11、12)位于显示面板110下方或下部(与观看表面相反的一侧)。
一个或更多个光学电子装置(11、12)可以接收或检测透过显示面板110的光，并基于接收的光执行预定功能。例如，一个或更多个光学电子装置(11、12)可以包括诸如相机(图像传感器)等的图像拍摄装置和诸如接近传感器、照度传感器等的传感器中的一个或更多个。
参照图1A、图1B和图1C，在根据本公开的各方面的显示面板110中，显示区域DA可以包括一个或更多个光学区域(OA1、OA2)以及普通区域NA。这里，术语“普通区域”NA是当存在于显示区域DA中时不与一个或更多个光学电子装置(11、12)交叠的区域，并且也可以称为非光学区域。
参照图1A、图1B和图1C，一个或更多个光学区域(OA1、OA2)可以是与一个或更多个光学电子装置(11、12)交叠的一个或更多个区域。
根据图1A的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和普通区域NA。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠。
根据图1B的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和普通区域NA。在图1B的示例中，普通区域NA的至少一部分可以存在于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12交叠。
根据图1C的示例，显示区域DA可以包括第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和普通区域NA。在图1C的示例中，普通区域NA可以不存在于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2之间。例如，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以彼此接触(例如，彼此直接接触)。在该示例中，第一光学区域OA1的至少一部分可以与第一光学电子装置11交叠，第二光学区域OA2的至少一部分可以与第二光学电子装置12交叠。
在一些实施方式中，需要在一个或更多个光学区域(OA1、OA2)中形成图像显示结构和光透射结构两者。例如，由于一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是显示区域DA的一部分，所以需要将用于显示图像的子像素设置在一个或更多个光学区域(OA1、OA2)中。此外，为了使光能够透射一个或更多个光学电子装置(11、12)，需要光透射结构，并且因此在一个或更多个光学区域(OA1、OA2)中形成光透射结构。
即使需要一个或更多个光学电子装置(11、12)来接收或检测光，一个或更多个光学电子装置(11、12)也可以位于显示面板110的背面上(例如，在观看表面的相对侧上)。在该实施方式中，一个或更多个光学电子装置(11、12)位于例如显示面板110的下方或下部中，并且被配置为接收透过显示面板110的光。
例如，一个或更多个光学电子装置11、12不暴露在显示面板110的前表面(观看表面)中。因此，当用户面向显示装置100的前表面时，一个或更多个光学电子装置(11，12)对于用户是不可见的。
在一个实施方式中，第一光学电子装置11可以是相机，第二光学电子装置12可以是诸如接近传感器、照度传感器、红外传感器等的传感器。例如，相机可以是相机镜头、图像传感器或包括相机镜头和图像传感器中的至少一个的单元。传感器可以是例如能够检测红外线的红外传感器。
在另一实施方式中，第一光学电子装置11可以是传感器，第二光学电子装置12可以是相机。
在下文中，为了方便起见，以下讨论将参考其中第一光学电子装置11是相机且第二光学电子装置12是传感器的实施方式。然而，应当理解，本公开的范围包括其中第一光学电子装置11是传感器，第二光学电子装置12是相机的实施方式。例如，相机可以是相机镜头、图像传感器或包括相机镜头和图像传感器中的至少一个的单元。
在第一光学电子装置11是相机的示例中，该相机可以位于显示面板110的背面(例如，在显示面板110的下方或下部中)，并且是能够在显示面板110的前方向上拍摄对象或图像的前相机。因此，用户可以在观看显示面板110的观看表面的同时通过相机拍摄在观看表面上不可见的图像或对象。
尽管在图1A、图1B和图1C中的每个图中包括在显示区域DA中的普通区域NA和一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是可以显示图像的区域，普通区域NA是缺少光透射结构的区域，但是一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是包括光透射结构的区域。因此，在一些实施方式中，普通区域NA是其中没有实现或包括光透射结构的区域，并且一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是其中实现或包括光透射结构的区域。
因此，一个或更多个光学区域(OA1、OA2)可以具有大于或等于预定水平的透射率(例如，相对高的透射率)，并且普通区域NA可以不具有光透射率或者具有小于预定水平的透射率(例如，相对低的透射率)。
例如，一个或更多个光学区域(OA1、OA2)可以具有不同于普通区域NA的分辨率、子像素排列结构、每单位区域的子像素数量、电极结构、线结构、电极排列结构、线排列结构等。
在实施方式中，一个或更多个光学区域OA1、OA2中的每单位面积的子像素的数量可以小于普通区域NA中的每单位面积的子像素的数量。例如，一个或更多个光学区域(OA1、OA2)的分辨率可以小于普通区域NA的分辨率。这里，可以使用每英寸像素(或子像素)(PPI)作为测量分辨率的单位来测量每单位面积的像素(或子像素)的数量，PPI表示1英寸内的像素(或子像素)的数量。
在图1A、图1B和图1C中的每个图的实施方式中，第一光学区域OA1中的每单位面积的子像素的数量可以小于普通区域NA中的每单位面积的子像素的数量。在图1A、图1B和图1C中的每个图的实施方式中，第二光学区域OA2中的每单位面积的子像素的数量可以大于或等于第一光学区域OA1中每单位面积的子像素的数量，并且小于普通区域NA中的每单位区域的子像素的数量。
在图1A、图1B和图1C中的每个图中，第一光学区域OA1可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。在图1B和图1C中的每个图中，第二光学区域OA2可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。第一光学区域OA1和第二光学区域OA2可以具有相同的形状或不同的形状。
参照图1C，在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2彼此接触的示例中，包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的整个光学区域也可以具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、四边形、六边形、八边形等。
在下文中，为了便于描述，将基于第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个具有圆形形状的实施方式进行讨论。然而，应当理解，本公开的范围包括第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的一个或两个具有不同于圆形形状的形状的实施方式。
当根据本公开的各方面的显示装置100具有其中诸如相机等的第一光学电子装置11位于显示面板110的下方或下部中而不暴露于外部的结构时，根据本公开的各方面的这种显示装置100可以被称为实现屏下摄像(UDC)技术的显示器。
根据该示例，在根据本公开的各方面的显示装置100中，因为不需要在显示面板110中形成用于曝光相机的凹口或相机孔，所以可以防止显示区域DA的面积或尺寸的减小。
由于不需要在显示面板110中形成用于相机暴露的凹口或相机孔，因此显示装置100可以具有减小边框区域的尺寸和提高设计自由度的进一步优点，因为消除了对设计的局限性。
尽管一个或更多个光学电子装置(11、12)位于显示装置100的显示面板110的背面上(例如，在显示面板110的下面或下部中)(例如，隐藏或不暴露于外部)，但是在一些实施方式中，一个或更多个光学电子装置(11、12)可以执行正常的预定功能，并且因此接收或检测光。
此外，在根据本公开的实施方式的显示装置100中，尽管一个或更多个光学电子装置(11、12)位于显示面板110的背面上(例如，显示面板110的下面或下部中)以被隐藏并且被定位成与显示区域DA交叠，但是需要在与显示区域DA中的一个或更多个光学电子装置(11、12)交叠的一个或更多个光学区域(OA1、OA1)中正常地执行图像显示。因此，在一个或更多个示例中，即使一个或更多个光学电子装置11和12位于显示面板的背面上，图像也可以以正常方式(例如，不降低图像质量)显示在与区域DA中的一个或更多个光学电子装置11和12交叠的一个或更多个光学区域OA1和OA2中。
图2示出了根据本公开的实施方式的显示装置100的示例系统配置。
参照图2，显示装置100可以包括显示面板110和显示驱动电路作为用于显示图像的组件。
显示驱动电路是用于驱动显示面板110的电路，并且可以包括数据驱动电路220、选通驱动电路230、显示控制器240和其它组件。
显示面板110可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是显示区域DA之外的区域，并且也可以被称为边缘区域或边框区域。非显示区域NDA的全部或一部分可以是从显示装置100的前表面可见的区域，或者是从显示装置100的前表面弯曲且不可见的区域。
显示面板110可以包括基板SUB和设置在基板SUB上的多个子像素SP。显示面板110还可以包括各种类型的信号线以驱动多个子像素SP。
根据本公开的方面的显示装置100可以是液晶显示装置等，或者从显示面板110自身发射光的自发射显示装置。在根据本公开的方面的显示装置100是自发射显示装置的示例中，多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件。
在一个实施方式中，根据本公开的各方面的显示装置100可以是使用有机发光二极管(OLED)来实现发光元件的有机发光显示装置。对于另一实施方式，根据本公开的方面的显示装置100可以是无机发光显示装置，其中使用基于无机材料的发光二极管来实现发光元件。在又一实施方式中，根据本公开的各方面的显示装置100可以是使用量子点实现发光元件的量子点显示装置，量子点是自发光半导体晶体。
多个子像素SP中的每一个的结构可以根据显示装置100的类型而变化。例如，在显示装置100是包括自发射子像素SP的自发射显示装置的示例中，每个子像素SP可以包括自发射发光元件、一个或更多个晶体管以及一个或更多个电容器。
设置在显示装置100中的各种类型的信号线可以包括例如用于承载数据信号(可以被称为数据电压或图像信号)的多条数据线DL、用于承载选通信号(可以被称为扫描信号)的多条选通线GL等。
多条数据线DL和多条选通线GL可以彼此交叉。多条数据线DL中的每条数据线可以在第一方向上延伸。多条选通线GL中的每条选通线可以在第二方向上延伸。
例如，第一方向可以是列或垂直方向，第二方向可以是行或水平方向。在另一示例中，第一方向可以是行方向，第二方向可以是列方向。
数据驱动电路220是用于驱动多条数据线DL的电路，并且可以向多条数据线DL提供数据信号。选通驱动电路230是用于驱动多条选通线GL的电路，并且可以向多条选通线GL提供选通信号。
显示控制器240可以是用于控制数据驱动电路220和选通驱动电路230的装置，并且可以控制多条数据线DL的驱动定时和多条选通线GL的驱动定时。
显示控制器240可以向数据驱动电路220提供数据驱动控制信号DCS以控制数据驱动电路220，并且向选通驱动电路230提供选通驱动控制信号GCS以控制选通驱动电路230。
显示控制器240可以从主机系统250接收输入图像数据，并基于输入图像数据将图像数据Data提供给数据驱动电路220。
数据驱动电路220可以根据显示控制器240的驱动定时控制向多条数据线DL提供数据信号。
数据驱动电路220可以从显示控制器240接收数字图像数据Data，将接收到的图像数据Data转换为模拟数据信号，并将得到的模拟数据信号提供给多条数据线DL。
选通驱动电路230可以根据显示控制器240的定时控制向多条选通线GL提供选通信号。选通驱动电路230可以与各种选通驱动控制信号GCS一起接收与导通电平电压相对应的第一选通电压和与截止电平电压相对应的第二选通电压，生成选通信号，并将生成的选通信号提供给多条选通线GL。
在一些实施方式中，数据驱动电路220可以以带式自动接合(TAB)类型连接到显示面板110，或者以玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型连接到显示面板110的诸如接合焊盘之类的导电焊盘，或者以薄膜上芯片(COF)类型连接到显示面板110。
在一些实施方式中，选通驱动电路230可以以带式自动接合(TAB)类型连接到显示面板110，或者以玻璃上芯片(COG)类型或面板上芯片(COP)类型连接到显示面板110的诸如接合焊盘之类的导电焊盘，或者以薄膜上芯片(COF)类型连接到显示面板110。在另一实施方式中，选通驱动电路230可以以面板内栅极(GIP)类型设置在显示面板110的非显示区域NDA中。选通驱动电路230可以设置在基板上或上方，或者连接到基板。即，在GIP类型的情况下，选通驱动电路230可以设置在基板SUB的非显示区域NDA中。在玻璃上芯片(COG)类型、薄膜上芯片(COF)类型等的情况下，选通驱动电路230可以连接到基板。
在一些实施方式中，数据驱动电路220和选通驱动电路230中的至少一个可以设置在显示面板110的显示区域DA中。例如，数据驱动电路220和选通驱动电路230中的至少一个可以被设置为不与子像素SP交叠，或者被设置为与一个或更多个或全部子像素SP交叠。
数据驱动电路220也可以仅位于显示面板110的一侧或一部分(例如，上边缘或下边缘)上，但不限于此。在一些实施方式中，根据驱动方案、面板设计方案等，数据驱动电路220可以位于但不限于显示面板110的两个侧面或部分(例如，上边缘和下边缘)或显示面板110的四个侧面或部分中的至少两个侧面(例如，上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)中。
选通驱动电路230可以仅位于显示面板110的一侧或一部分(例如，左边缘或右边缘)。在一些实施方式中，根据驱动方案、面板设计方案等，选通驱动电路230可以连接到显示面板110的两个侧面或部分(例如，左边缘和右边缘)，或者连接到显示面板110的四个侧面或部分(例如，上边缘、下边缘、左边缘和右边缘)中的至少两个。
显示控制器240可以在与数据驱动电路220分离的组件中实现，或者可以与数据驱动电路220集成并因此在集成电路中实现。
显示控制器240可以是在典型显示技术中使用的定时控制器，或者可以是能够执行除了典型定时控制器的功能之外的其它控制功能的控制器或控制装置。在一些实施方式中，显示控制器140可以是与定时控制器不同的控制器或控制装置，或者包括在控制器或控制装置中的电路或组件。显示控制器240可以用诸如集成电路(IC)、现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、处理器等的各种电路或电子组件来实现。
显示控制器240可以安装在印刷电路板、柔性印刷电路等上，并且通过印刷电路板、柔性印刷电路等电连接到选通驱动电路230和数据驱动电路220。
显示控制器240可以经由一个或更多个预定义接口向数据驱动电路220发送信号以及从数据驱动电路220接收信号。在一些实施方式中，此类接口可以包括低电压差分信令(LVDS)接口、嵌入式时钟点-点接口(EPI)、串行外围接口(SPI)等。
为了进一步提供触摸感测功能以及图像显示功能，根据本公开的各方面的显示装置100可以包括至少一个触摸传感器和触摸感测电路，该触摸感测电路能够通过感测触摸传感器来检测触摸事件是否由诸如手指、笔等的触摸对象发生，或者能够检测对应的触摸位置。
触摸感测电路可以包括能够通过驱动和感测触摸传感器来生成和提供触摸感测数据的触摸驱动电路260、能够检测触摸事件的发生或使用触摸感测数据检测触摸位置的触摸控制器270、以及一个或更多个其它组件。
触摸传感器可以包括多个触摸电极。触摸传感器还可以包括多条触摸线，用于将多个触摸电极电连接到触摸驱动电路260。
触摸传感器可以在显示面板110外部以触摸面板实现，或者以触摸面板的形式实现，或者在显示面板110内部实现。在触摸传感器在显示面板110外部以触摸面板或以触摸面板的形式实现的示例中，这种触摸传感器被称为附加类型。在设置附加类型的触摸传感器的示例中，触摸面板和显示面板110可以在组装过程期间单独制造和联接。附加类型的触摸面板可以包括触摸面板基板和在触摸面板基板上的多个触摸电极。
在触摸传感器被实现在显示面板110内部的示例中，制造显示面板110的过程可以包括将触摸传感器与和驱动显示装置100相关的信号线和电极一起设置在基板SUB上。
触摸驱动电路260可以向多个触摸电极中的至少一个提供触摸驱动信号，并且感测多个触摸电极中的至少一个以生成触摸感测数据。
触摸感测电路可以使用自电容感测方法或互电容感测方法来执行触摸感测。
在触摸感测电路在自电容感测方法中执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可以基于每个触摸电极与触摸对象(例如，手指、笔等)之间的电容来执行触摸感测。
根据自电容感测方法，多个触摸电极中的每一个可以充当驱动触摸电极及感测触摸电极两者。触摸驱动电路260可以驱动多个触摸电极中的全部触摸电极或一个或更多个触摸电极，并且感测多个触摸电极中的全部触摸电极或一个或更多个触摸电极。
在触摸感测电路以互电容感测方法执行触摸感测的示例中，触摸感测电路可以基于触摸电极之间的电容执行触摸感测。
根据互电容感测方法，将多个触摸电极划分为驱动触摸电极和感测触摸电极。触摸驱动电路260可以驱动驱动触摸电极并感测感测触摸电极。
包括在触摸感测电路中的触摸驱动电路260和触摸控制器270可以在单独的装置中或在单个装置中实现。此外，触摸驱动电路260和数据驱动电路220可以在单独的装置中或在单个装置中实现。
显示装置100还可以包括电源电路，用于向显示驱动电路和/或触摸感测电路供应各种类型的电力。
根据本公开的方面的显示装置100可以是诸如智能电话、平板电脑等之类的移动终端，或者监视器、电视(TV)等。这种装置可以是各种类型、尺寸和形状。根据本公开的实施方式的显示装置100不限于此，并且包括用于显示信息或图像的各种类型、尺寸和形状的显示器。
如上所述，显示面板110的显示区域DA可以包括普通区域NA和一个或更多个光学区域(OA1、OA2)，例如，如图1A、图1B和图1C所示。
普通区域NA和一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是可以显示图像的区域。然而，普通区域NA是其中不包括光透射结构的区域，并且一个或更多个光学区域(OA1、OA2)是其中包括光透射结构的区域。
如上文关于图1A、图1B和图1C的示例所讨论的，尽管显示面板110的显示区域DA除了普通区域NA之外还可以包括一个或更多个光学区域(OA1、OA2)，但是为了便于描述，在下面的讨论中，假设显示区域DA包括第一光学区域和第二光学区域(OA1、OA2)以及普通区域NA，并且其普通区域NA包括图1A至图1C中的普通区域NA，并且其第一光学区域和第二光学区域(OA1、OA2)分别包括图1A、图1B和图1C中的第一光学区域OA1和图1B和图1C中的第二光学区域OA2，除非另有明确规定。
图3示出了根据本公开的实施方式的显示面板110中的子像素SP的示例等效电路。
设置在显示面板110的显示区域DA中包括的普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每个子像素SP可以包括发光元件ED、用于驱动发光元件ED的驱动晶体管DRT、用于将数据电压Vdata传输到驱动晶体管DRT的第一节点Nx的扫描晶体管SCT、用于在一帧期间将电压维持在近似恒定电平的存储电容器Cst，等等。
驱动晶体管DRT可以包括施加有数据电压的第一节点Nx、电连接到发光元件ED的第二节点Ny、以及通过驱动电压线DVL施加有驱动电压ELVDD的第三节点Nz。在驱动晶体管DRT中，第一节点Nx可以是栅极节点，第二节点Ny可以是源极节点或漏极节点，第三节点Nz可以是漏极节点或源极节点。
发光元件ED可以包括阳极AE、发光层EL和阴极CE。阳极AE可以是设置在每个子像素SP中的像素电极，并且可以电连接到每个子像素SP的驱动晶体管DRT的第二节点Ny。阴极CE可以是公共设置在多个子像素SP中的公共电极，并且诸如低电平电压的基极电压ELVSS可以施加到阴极CE。
例如，阳极AE可以是像素电极，阴极CE可以是公共电极。在另一示例中，阳极AE可以是公共电极，阴极CE可以是像素电极。为了便于描述，在下面的讨论中，假设阳极AE是像素电极，阴极CE是公共电极，除非另有明确说明。
发光元件ED可以是例如有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管、量子点发光元件等。在有机发光二极管用作发光元件ED的示例中，其发光层EL可以包括包含有机材料的有机发光层。
扫描晶体管SCT可以通过扫描信号SCAN导通和截止，扫描信号SCAN是通过选通线GL施加的选通信号，并且扫描晶体管SCT电连接在驱动晶体管DRT的第一节点Nx和数据线DL之间。
存储电容器Cst可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点Nx和第二节点Ny之间。
如图3所示，每个子像素SP可以包括两个晶体管(2T：DRT和SCT)和一个电容器(1C：Cst)(可以被称为“2T1C结构”)，并且在一些情况下，可以进一步包括一个或更多个晶体管，或进一步包括一个或更多个电容器。
在一些实施方式中，可以存在于驱动晶体管DRT的第一节点Nx和第二节点Ny之间的存储电容器Cst可以是有意配置或设计为位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部电容器，诸如寄生电容器(例如，栅极到源极电容Cgs、栅极到漏极电容Cgd等)。
驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT中的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。
由于每个子像素SP中的电路元件(例如，具体地，发光元件ED)容易受到外部湿气或氧气的影响，所以可以在显示面板110中设置封装层ENCAP，以防止外部湿气或氧气渗透到电路元件(例如，具体地，发光元件ED)中。封装层ENCAP可以设置为覆盖发光元件ED。
图4示出了根据本公开的实施方式的包括在显示面板110的显示区域DA中的三个区域(NA、OA1和OA2)中的子像素SP的示例布置。
参照图4，在一些实施方式中，多个子像素SP可以设置在显示区域DA中包括的普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个中。
多个子像素SP可以包括例如发射红光的红色子像素(红色SP)、发射绿光的绿色子像素(绿色SP)和发射蓝光的蓝色子像素(蓝色SP)。
因此，普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个可以包括一个或更多个红色子像素(红色SP)的一个或更多个发光区域EA、一个或更多个绿色子像素(绿色SP)的一个或更多个发光区域EA、以及一个或更多个蓝色子像素(蓝色SP)的一个或更多个发光区域EA。
参照图4，在一些实施方式中，普通区域NA可以不包括光透射结构，但是可以包括发光区域EA。
然而，在一些实施方式中，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2包括发光区域EA和光透射结构两者。
因此，第一光学区域OA1可以包括发光区域EA和第一透射区域TA1(例如，光透射区域)，并且第二光学区域OA2可以包括发光区域EA和第二透射区域TA2(例如，光透射区域)。
发光区域EA和透射区域(TA1、TA2)可以根据是否允许光的透射而不同。例如，发光区域EA可以是不允许光透射(例如，不允许光透射到显示面板的背面)的区域，并且透射区域(TA1、TA2)可以是允许光透射(例如，允许光透射到显示面板的背面)的区域。
发光区域EA和透射区域(TA1、TA2)也可以根据是否包括特定金属层CE而不同。例如，如图3中所示的阴极CE可以设置在发光区域EA中，阴极CE可以不设置在透射区域(TA1、TA2)中。在一些实施方式中，遮光层可以设置在发光区域EA中，遮光层可以不设置在透射区域(TA1、TA2)中。
由于第一光学区域OA1包括第一透射区域TA1并且第二光学区域OA2包括第二透射区域TA2，所以第一光学区域OA1和第二光学区域OA2两者都是光可以通过的区域。
在一个实施方式中，第一光学区域OA1的透射率(透射度)和第二光学区域OA2的透射率(透射度)可以基本上相等。
例如，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2可以具有基本上相等的形状或尺寸。在另一示例中，即使当第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有不同的形状或尺寸时，第一透射区域TA1与第一光学区域OA1的比率以及第二透射区域TA2与第二光学区域OA2的比率也可以基本上相等。在示例中，每个第一透射区域TA1具有相同的形状和大小。在示例中，每个第二透射区域TA2具有相同的形状和大小。
在另一实施方式中，第一光学区域OA1的透射率(透射度)和第二光学区域OA2的透射率(透射度)可以不同。
例如，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2可以具有不同的形状或尺寸。在另一示例中，即使当第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有基本上相等的形状或尺寸时，第一透射区域TA1与第一光学区域OA1的比率以及第二透射区域TA2与第二光学区域OA2的比率可以彼此不同。
例如，在如图1A、图1B和图1C中所示的与第一光学区域OA1交叠的第一光学电子装置11是相机，并且如图1B和图1C中所示的与第二光学区域OA2交叠的第二光学电子装置12是用于检测图像的传感器的示例中，相机可能需要比传感器更多的光量。
因此，第一光学区域OA1的透射率(透射度)可以大于第二光学区域OA2的透射率(透射度)。
例如，第一光学区域OA1的第一透射区域TA1可以具有大于第二光学区域OA2的第二透射区域TA2的尺寸。在另一示例中，即使当第一光学区域OA1的第一透射区域TA1和第二光学区域OA2的第二透射区域TA2具有基本上相等的尺寸时，第一透射区域TA1与第一光学区域OA1的比率也可以大于第二透射区域TA2与第二光学区域OA2的比率。
为了便于描述，基于第一光学区域OA1的透射率(透射度)大于第二光学区域OA2的透射率(透射度)的实施方式来提供以下讨论。
此外，如图4中所示的透射区域(TA1、TA2)可以称为透明区域，术语透射率可以称为透明度。
此外，在下面的讨论中，假设第一光学区域OA1和第二光学区域OA2位于显示面板110的显示区域DA的上边缘中，并且如图4所示，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2被设置为彼此水平相邻，例如沿上边缘延伸的方向设置，除非另有明确规定。
参照图4，设置有第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的水平显示区域被称为第一水平显示区域HA1，而没有设置第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的另一水平显示区域被称为第二水平显示区域HA2。
参照图4，第一水平显示区域HA1可以包括普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的一部分。第二水平显示区域HA2可以包括普通区域NA的缺少第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的另一部分。
图5A示出了根据本公开的实施方式的显示面板110的第一光学区域OA1和普通区域NA中的每一个中的信号线的示例布置，图5B示出了根据本公开的实施方式的显示面板110的第二光学区域OA2和普通区域NA中的每一个中的信号线的示例布置。
图5A和图5B中所示的第一水平显示区域HA1是显示面板110的第一水平显示区域HA1的部分，其中的第二水平显示区域HA2是显示面板110的第二水平显示区域HA2的部分。
图5A中所示的第一光学区域OA1是显示面板110的第一光学区域OA1的一部分，图5B中所示的第二光学区域OA2是显示面板110的第二光学区域OA2的一部分。
参照图5A和图5B，第一水平显示区域HA1可以包括普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的一部分。第二水平显示区域HA2可以包括普通区域NA的缺少第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的另一部分。
各种类型的水平线(HL1、HL2)和各种类型的垂直线(VLn、VL1、VL2)可以设置在显示面板110中。
在一些实施方式中，术语“水平”和术语“垂直”用于指与显示面板相交的两个方向。然而，应当注意，水平方向和垂直方向可以根据观看方向而改变。水平方向可以指例如一条选通线GL设置为延伸的方向，垂直方向可以指例如一条数据线DL设置成延伸的方向。因此，术语水平和术语垂直用于表示两个方向。
参照图5A和图5B，设置在显示面板110中的水平线可以包括设置在第一水平显示区域HA1中的第一水平线HL1和设置在第二水平显示区域HA2上的第二水平线HL2。
设置在显示面板110中的水平线可以是选通线GL。即，第一水平线HL1和第二水平线HL2可以是选通线GL。根据一个或更多个子像素SP的结构，选通线GL可以包括各种类型的选通线。
参照图5A和图5B，设置在显示面板110中的垂直线可以包括仅设置在普通区域NA中的典型垂直线VLn、穿过第一光学区域OA1和普通区域NA两者的第一垂直线VL1、穿过第二光学区域OA2和普通区域NA两者的第二垂直线VL2。
设置在显示面板110中的垂直线可以包括数据线DL、驱动电压线DVL等，并且还可以包括参考电压线、初始化电压线等。即，典型垂直线VLn、第一垂直线VL1和第二垂直线VL2可以包括数据线DL、驱动电压线DVL等，并且可以进一步包括参考电压线、初始化电压线等。
在一些实施方式中，应当注意，第二水平线HL2中的术语“水平”可仅意指信号从显示面板的左侧传送到右侧(或从右侧传送到左侧)，并且可以不意指第二水平线HL2仅在直接水平方向上以直线行进。例如，在图5A和图5B中，虽然第二水平线HL2以直线示出，但是第二水平线HL2中的一条或更多条可以包括与图5A和图5B中所示的配置不同的一个或更多个弯曲或折叠部分。同样，一条或更多条第一水平线HL1也可以包括一个或更多个弯曲或折叠部分。
在一些实施方式中，应当注意，典型垂直线VLn中的术语“垂直”可以仅意指信号从显示面板的上部传送到下部(或从下部传送到上部)，并且可以不意指典型垂直线VLn仅在直接垂直方向上以直线行进。例如，在图5A和图5B中，虽然典型的垂直线VLn以直线示出，但是典型的垂直线VLn中的一条或更多条可以包括与图5A和图5B中所示的配置不同的一个或更多个弯曲或折叠部分。同样，一条或更多条第一垂直线VL1和一条或更多条第二垂直线VL2也可以包括一个或更多个弯曲或折叠部分。
参照图5A，包括在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1可以包括如图4中所示的发光区域EA以及第一透射区域TA1。在第一光学区域OA1中，第一透射区域TA1的各个外部区域可以包括对应的发光区域EA。
参照图5A，为了提高第一光学区域OA1的透射率，第一水平线HL1可以在避开第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的同时穿过第一光学区域OA1。
因此，穿过第一光学区域OA1的每个第一水平线HL1可以包括围绕一个或更多个第一透射区域TA1的一个或更多个相应外边缘延伸的一个或更多个弯曲或弯折部分。
因此，设置在第一水平显示区域HA1中的第一水平线HL1和设置在第二水平显示区域HA2中的第二水平线HL2可以具有不同的形状或长度。例如，穿过第一光学区域OA1的第一水平线HL1和不穿过第一光学区域OA1的第二水平线HL2可以具有不同的形状或长度。
此外，为了提高第一光学区域OA1的透射率，第一垂直线VL1可以在避开第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的同时穿过第一光学区域OA1。
因此，穿过第一光学区域OA1的每个第一垂直线VL1可以包括围绕一个或更多个第一透射区域TA1的一个或更多个相应外边缘延伸的一个或更多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第一光学区域OA1的第一垂直线VL1和设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1的典型垂直线VLn可以具有不同的形状或长度。
参照图5A，包括在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以沿对角方向布置。
参照图5A，在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中，一个或更多个发光区域EA可以设置在两个水平相邻的第一透射区域TA1之间。在第一水平显示区域HA1中的第一光学区域OA1中，一个或更多个发光区域EA可以设置在两个垂直相邻的第一透射区域TA1之间。
参照图5A，设置在第一水平显示区域HA1中的第一水平线HL1(例如，穿过第一光学区域OA1的每条第一水平线HL1)可以包括围绕一个或更多个第一透射区域TA1的一个或更多个相应外边缘延伸的一个或更多个弯曲或弯折部分。
参照图5B，包括在第一水平显示区域HA1中的第二光学区域OA2可以包括发光区域EA和第二透射区域TA2。在第二光学区域OA2中，第二透射区域TA2的各个外部区域可以包括对应的发光区域EA。
在一个实施方式中，第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2可以具有与图5A的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1基本上相等的位置和布置。
在另一实施方式中，如图5B中所示，第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2可以具有与图5A的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1不同的位置和布置。
例如，参照图5B，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以沿水平方向(左至右或右至左方向)布置。在该示例中，发光区域EA可以不设置在水平方向上彼此相邻的两个第二透射区域TA2之间。此外，第二光学区域OA2中的发光区域EA中的一个或更多个可以设置在沿垂直方向(从上至下或从下至上方向)彼此相邻的第二透射区域TA2之间。例如，一个或更多个发光区域EA可以设置在两行第二透射区域之间。
当在第一水平显示区域HA1中穿过第二光学区域OA2和与第二光学区域OA2相邻的普通区域NA时，在一个实施方式中，第一水平线HL1可以具有与图5A的第一水平线HL1基本相同的布置。
在另一实施方式中，如图5B所示，当在第一水平显示区域HA1中穿过第二光学区域OA2和与第二光学区域OA2相邻的普通区域NA时，第一水平线HL1可以具有与图5A中的第一水平线HL1不同的布置。
这是因为图5B中的第二光学区域OA2中的发光区域EA和第二透射区域TA2具有与图5A中的第一光学区域OA1中的发光区域EA和第一透射区域TA1不同的位置和布置。
参照图5B，当在第一水平显示区域HA1中，第一水平线HL1穿过第二光学区域OA2和与第二光学区域OA2相邻的普通区域NA时，第一水平线HL1可以在垂直相邻的第二透射区域TA2之间以直线行进而不具有弯曲或弯折部分。
例如，一条第一水平线HL1可以在第一光学区域OA1中具有一个或更多个弯曲或弯折部分，但在第二光学区域OA2中可以不具有弯曲或弯折部分。
为了提高第二光学区域OA2的透射率，第二垂直线VL2可以在避开第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的同时穿过第二光学区域OA2。
因此，穿过第二光学区域OA2的每个第二垂直线VL2可以包括围绕一个或更多个第二透射区域TA2的一个或更多个相应外边缘延伸的一个或更多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第二光学区域OA2的第二垂直线VL2和设置在普通区域NA中而不穿过第二光学区域OA2的典型垂直线VLn可以具有不同的形状或长度。
如图5A中所示，穿过第一光学区域OA1的每一条或一条或更多条第一水平线HL1可以具有围绕一个或更多个第一透射区域TA1的一个或更多个相应外边缘延伸的一个或更多个弯曲或弯折部分。
因此，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的长度可以稍微长于设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2的长度。
因此，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的电阻(称为第一电阻)可以稍微大于设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2的电阻(其被称为第二电阻)。
参照图5A和图5B，根据示例光透射结构，与第一光学电子装置11至少部分地交叠的第一光学区域OA1包括第一透射区域TA1，与第二光学电子装置12至少部分地交叠的第二光学区域OA2包括第二透射区域TA2。因此，第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个中的每单位面积的子像素的数量可以小于普通区域NA的子像素的数量。
因此，与穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量可以不同于与仅设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量。
与穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量(称为第一数量)可以小于与仅设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量(称为第二数量)。
第一数量和第二数量之间的差可以根据第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个的分辨率与普通区域NA的分辨率之间的差而变化。例如，随着第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的每一个的分辨率与普通区域NA的分辨率之间的差增大，第一数量和第二数量之间的差可以增大。
如上所述，由于与穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量(第一数量)小于与仅设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2中的每一条或一条或更多条连接的子像素的数量(第二数量)，第一水平线HL1与邻近于第一水平线HL1的一个或更多个其它电极或线交叠的区域可以小于第二水平线HL2与邻近于第二水平线HL2的一个或更多个其它电极或线交叠的区域。
因此，在第一水平线HL1和与第一水平线HL1相邻的一个或更多个其它电极或线之间形成的寄生电容(其被称为第一电容)可以大大小于在第二水平线HL2和与第二水平线HL2相邻的一个或更多个其它电极或线之间形成的寄生电容(其被称为第二电容)。
考虑第一电阻和第二电阻(第一电阻≥第二电阻)之间的大小关系以及第一电容和第二电容(第一电容<第二电容)之间的大小关系，穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第一水平线HL1的阻容(RC)值(其被称为第一RC值)可以大大小于仅设置在普通区域NA中而不穿过第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的第二水平线HL2的RC值(其被称为第二RC值)。因此，在该示例中，第一RC值大大小于第二RC值(即，第一RC值<<第二RC值)。
由于第一水平线HL1的第一RC值和第二水平线HL2的第二RC值之间的这种差(称为RC负载差)，通过第一水平线HL1的信号传输特性可以不同于通过第二水平线HL2的信号传输特性。
图6和图7是根据本公开的实施方式的包括在显示面板110的显示区域DA中的第一光学区域OA1、第二光学区域OA2和普通区域NA中的每一个的示例截面图。
图6示出了在触摸传感器以触摸面板的形式实现在显示面板110外部的示例中的显示面板110，图7示出了在显示面板110内部实现触摸传感器TS的示例中的显示面板110。
图6和图7中的每个图示出包括在显示区域DA中的普通区域NA、第一光学区域OA1和第二光学区域OA2的示例截面图。
首先，将参照图6和图7描述普通区域NA的层叠结构。包括在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中的各个发光区域EA可以具有与普通区域NA或普通区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。
参照图6和图7，基板SUB可以包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2。层间绝缘层IPD可以插入在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。由于基板SUB包括第一基板SUB1、层间绝缘层IPD和第二基板SUB2，因此基板SUB可以防止或至少减少湿气的渗透。第一基板SUB1和第二基板SUB2可以是例如聚酰亚胺(PI)基板。第一基板SUB1可以被称为主PI基板，第二基板SUB2可以被称为次PI基板。
参照图6和图7，用于设置诸如驱动晶体管DRT等的一个或更多个晶体管的各种类型的图案ACT、SD1、GATE，各种类型的绝缘层MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0，以及各种类型的金属图案TM、GM、ML1、ML2可以设置在基板SUB上或上方。
参照图6和图7，多缓冲层MBUF可以设置在第二基板SUB2上，第一有源缓冲层ABUF1可以设置在多缓冲层MBUF上。
第一金属层ML1和第二金属层ML2可以设置在第一有源缓冲层ABUF1上。第一金属层ML1和第二金属层ML2可以是例如用于遮蔽光的遮光层LS。
第二有源缓冲层ABUF2可以设置在第一金属层ML1和第二金属层ML2上。驱动晶体管DRT的有源层ACT可以设置在第二有源缓冲层ABUF2上。
栅极绝缘层GI可以设置为覆盖有源层ACT。
驱动晶体管DRT的栅极GATE可以设置在栅极绝缘层GI上。此外，栅极材料层GM可以与驱动晶体管DRT的栅极GATE一起设置在栅极绝缘层GI上与设置驱动晶体管DRT的位置不同的位置处。
第一层间绝缘层ILD1可以设置为覆盖栅极GATE和栅极材料层GM。金属图案TM可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。金属图案TM可以位于与驱动晶体管DRT被格式化的位置不同的位置。第二层间绝缘层ILD2可以设置为覆盖第一层间绝缘层ILD1上的金属图案TM。
两个第一源极-漏极图案SD1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。两个第一源极-漏极图案SD1中的一个可以是驱动晶体管DRT的源极节点，另一个可以是驱动晶体管DRT的漏极节点。
两个第一源极-漏极图案SD1可以通过形成在第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI中的接触孔分别电连接到有源层ACT的第一侧部和第二侧部。
有源层ACT的与栅极GATE交叠的部分可以用作沟道区域。两个第一源极-漏极图案SD1中的一个可以连接到有源层ACT的沟道区域的第一侧部，并且两个第一源极-漏极图案SD1中的另一个可以连接到有源层ACT的沟道区域的第二侧部。
钝化层PAS0可以设置为覆盖两个第一源极-漏极图案SD1。平坦化层PLN可以设置在钝化层PAS0上。平坦化层PLN可以包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2。
第一平坦化层PLN1可以设置在钝化层PAS0上。
第二源极-漏极图案SD2可以设置在第一平坦化层PLN1上。第二源极-漏极图案SD2可以通过形成在第一平坦化层PLN1中的接触孔连接到两个第一源极-漏极图案SD1中的一个(对应于图3的子像素SP中的驱动晶体管DRT的第二节点N2)。
第二平坦化层PLN2可以设置为覆盖第二源极-漏极图案SD2。发光元件ED可以设置在第二平坦化层PLN2上。
根据发光元件ED的示例层叠结构，阳极AE可以设置在第二平坦化层PLN2上。阳极AE可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的接触孔电连接到第二源极-漏极图案SD2。
堤BANK可以设置为覆盖阳极AE的一部分。可以打开对应于子像素SP的发光区域EA的堤BANK的一部分。
阳极AE的一部分可以通过堤BANK的开口(开口部分)暴露。发光层EL可以位于堤BANK的侧表面上和堤BANK的开口(开口部分)中。发光层EL的全部或至少一部分可以位于相邻堤之间。
在堤BANK的开口中，发光层EL可以接触阳极AE。阴极CE可以设置在发光层EL上。
如上所述，发光元件ED可以通过包括阳极AE、发光层EL和阴极CE来形成。发光层EL可以包括有机材料层。
封装层ENCAP可以设置在发光元件ED的叠层上。
如图6和图7中所示，封装层ENCAP例如可以具有单层结构或多层结构，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。
第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是例如无机材料层，第二封装层PCL可以是例如有机材料层。在第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2中，第二封装层PCL可以是最厚的并且用作平坦化层。
第一封装层PAS1可以设置在阴极CE上，并且可以设置为最靠近发光元件ED。第一封装层PAS1可以包括能够使用低温沉积来沉积的无机绝缘材料。例如，第一封装层PAS1可以包括但不限于氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等。由于第一封装层PAS1可以在低温气氛中沉积，因此在沉积工艺期间，第一封装层PAS1可以防止包括易受高温气氛影响的有机材料的发光层EL受到损坏。
第二封装层PCL可以具有比第一封装层PAS1小的面积或尺寸。例如，第二封装层PCL可以设置为暴露第一封装层PAS1的两端或边缘。第二封装层PCL可以用作缓冲器，用于在显示装置100弯曲或弯折时释放对应层之间的应力，并且还用于增强平坦化性能。例如，第二封装层PCL可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯、碳氧化硅(SiOC)等。第二封装层PCL可以例如使用喷墨方案来设置。
第三封装层PAS2可以设置在基板SUB上，基板SUB上方设置有第二封装层PCL，使得第三封装层PAS2覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的相应顶表面和侧表面。第三封装层PAS2可以最小化或防止或至少减少外部湿气或氧气渗透到第一封装层PAS1和第二封装层PCL中。例如，第三封装层PAS2可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等。
参照图7，在触摸传感器TS嵌入到显示面板110中的示例中，触摸传感器TS可以设置在封装层ENCAP上。下面将详细描述触摸传感器的结构。
触摸缓冲层T-BUF可以设置在封装层ENCAP上。触摸传感器TS可以设置在触摸缓冲层T-BUF上。
触摸传感器TS可以包括位于不同层中的触摸传感器金属TSM和至少一个桥接金属BRG。
触摸层间绝缘层T-ILD可以设置在触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG之间。
例如，触摸传感器金属TSM可以包括彼此相邻设置的第一触摸传感器金属TSM、第二触摸传感器金属TSM和第三触摸传感器金属TSM。在第三触摸传感器金属TSM设置在第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM之间，并且第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM需要彼此电连接的实施方式中，第一触摸传感器金属TSM和第二触摸传感器金属TSM可以通过位于不同层中的桥接金属BRG彼此电连接。桥接金属BRG可以通过触摸层间绝缘层T-ILD与第三触摸传感器金属TSM电绝缘。
当触摸传感器TS设置在显示面板110上时，可以产生或引入在相应工艺中使用的化学溶液(例如，显影剂或蚀刻剂)或来自外部的湿气。在一些实施方式中，通过将触摸传感器TS设置在触摸缓冲层T-BUF上，可以防止化学溶液或湿气在触摸传感器TS的制造过程期间渗透到包括有机材料的发光层EL中。因此，触摸缓冲层T-BUF可以防止或至少减少对易受化学溶液或湿气影响的发光层EL的损坏。
为了防止或至少减少对包括易受高温影响的有机材料的发光层EL的损坏，触摸缓冲层T-BUF可以在小于或等于预定温度(例如，100度(℃))的低温下形成，并且使用具有1至3的低介电常数的有机绝缘材料形成。例如，触摸缓冲层T-BUF可以包括丙烯酸类、环氧类或硅类材料。当显示装置100弯曲时，封装层ENCAP可能损坏，并且位于触摸缓冲层T-BUF上的触摸传感器金属可能破裂或断裂。即使当显示装置100弯曲时，作为有机绝缘材料具有平坦化性能的触摸缓冲层T-BUF也可以防止封装层ENCAP的损坏和/或包括在触摸传感器TS中的金属(TSM、BRG)的破裂或断裂。
保护层PAC可以设置为覆盖触摸传感器TS。保护层PAC可以是例如有机绝缘层。
接下来，将参照图6和图7来描述第一光学区域OA1的层叠结构。
参照图6和图7，第一光学区域OA1的发光区域EA可以具有与普通区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。因此，在下面的讨论中，代替重复描述第一光学区域OA1中的发光区域EA，下面将详细描述第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构。
在一些实施方式中，阴极CE可以设置在包括在普通区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中，但是可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。例如，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以对应于阴极CE的开口。
此外，在一些实施方式中，包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS可以设置在包括在普通区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中，但是可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。例如，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以对应于遮光层LS的开口。
基板SUB和设置在包括在普通区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中的各种类型的绝缘层(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD、PAC)可以相等地、基本相等地或类似地设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。
然而，在一些实施方式中，设置在包括在普通区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中的、除了绝缘材料或层之外的具有电学性质的一个或更多个材料层(例如，一个或更多个金属材料层，和/或一个或更多个半导体层)中的全部或一个或更多个可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。
例如，参照图6和图7，与至少一个晶体管和半导体层ACT相关的金属材料层(ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2)中的全部或者一个或更多个金属材料层可以不设置在第一透射区域TA1中。
此外，参照图6和图7，在一些实施方式中，包括在发光元件ED中的阳极AE和阴极CE可以不设置在第一透射区域TA1中。在一些实施方式中，根据设计需要，发光元件ED的发光层EL可以设置或可以不设置在第一透射区域TA1中。
此外，参照图7，在一些实施方式中，包括在触摸传感器TS中的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。
因此，由于具有电学性质的材料层(例如，一个或更多个金属材料层和/或一个或更多个半导体层)没有设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中，因此可以提供或改善第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的光透射率。因此，第一光学电子装置11可以通过接收透过第一透射区域TA1的光来执行预定功能(例如，图像感测)。
在一些实施方式中，由于第一光学区域OA1中的全部或者一个或更多个第一透射区域TA1与第一光学电子装置11交叠，因此为了使第一光学电子装置11能够正常操作，需要进一步增加第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的透射率。
为了达到上述目的，在根据本公开的各方面的显示装置100的显示面板110中，可以向第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1提供透射率改善结构TIS。
参照图6和图7，包括在显示面板110中的多个绝缘层可以包括位于至少一个基板(SUB1、SUB2)和至少一个晶体管(DRT、SCT)之间的至少一个缓冲层(MBUF、ABUF1、ABUF2)、位于晶体管DRT和发光元件ED之间的至少一个平坦化层(PLN1、PLN2)、位于发光元件ED上的至少一个封装层ENCAP等。
参照图7，包括在显示面板110中的多个绝缘层还可以包括位于封装层ENCAP上的触摸缓冲层T-BUF和触摸层间绝缘层T-ILD等。
参照图6和图7，第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1可以具有这样的结构(例如，凹陷、沟槽、凹部、突起等)，其中第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0具有从其相应表面向下延伸到基板SUB的凹陷部分，作为透射率改善结构TIS。
参照图6和图7，在多个绝缘层中，第一平坦化层PLN1可以包括至少一个凹陷(或凹陷、沟槽、凹部、突起等)。第一平坦化层PLN1可以是例如有机绝缘层。
在第一平坦化层PLN1具有从其表面向下延伸的凹陷部分的示例中，第二平坦化层PLN2可以基本上用于提供平坦化。在一个实施方式中，第二平坦化层PLN2还可以具有从其表面向下延伸的凹陷部分。在该实施方式中，第二封装层PCL可以基本上用于提供平坦化。
参照图6和图7，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0的凹陷部分可以穿过用于形成晶体管DRT的诸如第一层间绝缘层ILD、第二层间绝缘层ILD2、栅极绝缘层GI等的绝缘层，并且穿过位于绝缘层下方的诸如第一有源缓冲层ABUF1、第二有源缓冲层ABUF2、多缓冲层MBUF等的缓冲层，并且延伸至第二基板SUB2的上部。
参照图6和图7，基板SUB可以包括至少一个凹部或凹陷部分作为透射率改善结构TIS。例如，在第一透射区域TA1中，第二基板SUB2的上部可以向下凹进或凹陷，或者第二基板SUB2可以被穿孔。
参照图6和图7，包括在封装层ENCAP中的第一封装层PAS1和第二封装层PCL还可以具有透射率改善结构TIS，其中第一封装层PAS1和第二封装层PCL具有从其相应表面朝向基板SUB向下延伸的凹陷部分。第二封装层PCL可以是例如有机绝缘层。
参照图7，为了保护触摸传感器TS，保护层PAC可以设置为覆盖封装层ENCAP上的触摸传感器TS。
参照图7，保护层PAC可以在与第一透射区域TA1交叠的部分中具有至少一个凹陷(例如，凹陷、沟槽、凹部、突起等)作为透射率改善结构TIS。保护层PAC可以是例如有机绝缘层。
参照图7，触摸传感器TS可以包括具有网格类型的一个或更多个触摸传感器金属TSM。在触摸传感器金属TSM形成为网格类型的示例中，可以在触摸传感器金属TSM中形成多个开口。多个开口中的每个开口可以定位成对应于子像素SP的发光区域EA。
为了使第一光学区域OA1具有高于普通区域NA的透射率，第一光学区域OA1中的每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积或尺寸可以小于普通区域NA中的每单位面积的触摸传感器金属TSM的面积或尺寸。
参照图7，在一些实施方式中，触摸传感器TS可以设置在第一光学区域OA1中的发光区域EA中，但是可以不设置在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中。
接下来，将参照图6和图7来描述第二光学区域OA2的层叠结构。
参照图6和图7，第二光学区域OA2的发光区域EA可以具有与普通区域NA中的发光区域EA相同的层叠结构。因此，在下面的讨论中，代替重复描述第二光学区域OA2中的发光区域EA，下面将详细描述第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构。
在一些实施方式中，阴极CE可以设置在包括在普通区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中，但是可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。例如，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以对应于阴极CE的开口。
此外，在一些实施方式中，包括第一金属层ML1和第二金属层ML2中的至少一个的遮光层LS可以设置在包括在普通区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中，但是可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。例如，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以对应于遮光层LS的开口。
在第二光学区域OA2的透射率和第一光学区域OA1的透射率相同的示例中，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构可以与第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构相同。
在第二光学区域OA2的透射率和第一光学区域OA1的透射率不同的另一示例中，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的层叠结构可以在至少一部分上不同于第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的层叠结构。
例如，如图6和图7中所示，在一些实施方式中，当第二光学区域OA2的透射率小于第一光学区域OA1的透射率时，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2可以不具有透射率改善结构TIS。结果，第一平坦化层PLN1和钝化层PAS0可以不凹进或凹陷。此外，第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的宽度可以小于第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1的宽度。
基板SUB和设置在包括在普通区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中的各种类型的绝缘层(MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN(PLN1、PLN2)、BANK、ENCAP(PAS1、PCL、PAS2)、T-BUF、T-ILD、PAC)可以相等地、基本相等地或类似地设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。
然而，在一些实施方式中，设置在包括在普通区域NA和第二光学区域OA2中的发光区域EA中的、除了绝缘材料或层之外的具有电学性质的一个或更多个材料层(例如，一个或更多个金属材料层，和/或光学区域半导体层)中的全部或一个或更多个可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。
例如，参照图6和图7，与至少一个晶体管和半导体层ACT相关的金属材料层(ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2)中的全部或者一个或更多个金属材料层可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。
此外，参照图6和图7，在一些实施方式中，包括在发光元件ED中的阳极AE和阴极CE可以不设置在第二透射区域TA2中。在一些实施方式中，根据设计需要，发光元件ED的发光层EL可以设置或可以不设置在第二透射区域TA2中。
此外，参照图7，在一些实施方式中，包括在触摸传感器TS中的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以不设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中。
因此，由于具有电学性质的材料层(例如，一个或更多个金属材料层和/或一个或更多个半导体层)没有设置在第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2中，因此可以提供或改善第二光学区域OA2中的第二透射区域TA2的光透射率。因此，第二光学电子装置12可以通过接收透过第二透射区域TA2的光来执行预定功能(例如，检测对象或人体，或外部照明检测)。
图8是根据本公开的实施方式的显示面板的边缘中的示例截面图。
为了简洁起见，在图8中，示出了包括第一基板SUB1和第二基板SUB2的单个基板SUB，并且以简化的方式示出了位于堤BANK下方的层或部分。同样地，图9示出包括第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的单个平坦化层PLN、以及位于平坦化层PLN下方的包括第二层间绝缘层ILD2和第一层间绝缘层ILD1的单个层间绝缘层INS。
参照图8，第一封装层PAS1可以设置在阴极CE上并且设置为最靠近发光元件ED。第二封装层PCL可以具有比第一封装层PAS1小的面积或尺寸。例如，第二封装层PCL可以设置为暴露第一封装层PAS1的两端或边缘。
第三封装层PAS2可以设置在基板SUB上，基板SUB上方设置有第二封装层PCL，使得第三封装层PAS2覆盖第二封装层PCL和第一封装层PAS1的相应顶表面和侧表面。
第三封装层PAS2可以减少或防止外部湿气或氧气渗透到第一封装层PAS1和第二封装层PCL中。
参照图8，为了防止或至少减少封装层ENCAP塌陷，显示面板110可以在封装层ENCAP的倾斜表面SLP的端部或边缘处或附近包括一个或更多个隔障(DAM1、DAM2)。一个或更多个隔障(DAM1、DAM2)可以存在于显示区域DA和非显示区域NDA之间的边界点处或附近。
一个或更多个隔障(DAM1、DAM2)可以包括与堤BANK相同的材料DFP。
参照图8，在一个实施方式中，包括有机材料的第二封装层PCL可以仅位于第一隔障DAM1的内侧，第一隔障DAM1位于隔障中最靠近封装层ENCAP的倾斜表面SLP的位置。例如，第二封装层PCL可以不位于所有的隔障(DAM1、DAM2)上。在另一实施方式中，包括有机材料的第二封装层PCL可以位于第一隔障DAM1和第二隔障DAM2中的至少第一隔障DAM1上。
例如，第二封装层PCL可以仅延伸至第一隔障DAM1的上部的全部或至少一部分。在另一实施方式中，第二封装层PCL可以延伸越过第一隔障DAM1的上部，并延伸至第二隔障DAM2的上部的全部或至少一部分。
参照图8，如图2所示的触摸驱动电路260电连接的触摸焊盘TP可以设置在基板SUB的位于一个或更多个隔障(DAM1、DAM2)外部的部分上。
触摸线TL可以将触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG电连接到触摸焊盘TP，触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG包括在显示区域DA中，或者用作设置在显示区域DA中的触摸电极。
触摸线TL的一端或边缘可以电连接到触摸传感器金属TSM或桥接金属BRG，触摸线TL的另一端或边缘可以电连接到触摸焊盘TP。
触摸线TL可以沿着封装层ENCAP的倾斜表面SLP向下延伸，沿着隔障DAM1、DAM2的相应上部延伸，并且向上延伸到设置在隔障((DAM1、DAM2)外部的触摸焊盘TP。
参照图8，在一个实施方式中，触摸线TL可以是桥接金属BRG。在另一实施方式中，触摸线TL可以是触摸传感器金属TSM。
图9示出了根据本公开的一个实施方式的显示装置100的第一光学区域(例如，上述附图中的第一光学区域OA1)的示例部分。
参照图9，第一光学区域OA1可以包括多个第一透射区域(例如，上述附图中的第一透射区域TA1)，并且可以包括除了多个第一透射区域TA1之外的非透射区域NTA。
子像素SP的发光区域EA可以设置在非透射区域NTA中。一个发光区域EA可以对应于其中设置有一个阳极AE或一个发光层EL的区域。
一个或更多个子像素SP的一个或更多个相应电路部分SPC可以设置在非透射区域NTA中。用于驱动子像素SP的发光元件ED的电路组件(例如，一个或更多个晶体管、一个或更多个存储电容器和其它组件)可以包括在子像素SP的电路部分SPC中。
如图9所示，在一个实施方式中，一个子像素SP的发光区域EA和电路部分SPC可以彼此交叠。在另一实施方式中，一个子像素SP的发光区域EA和电路部分SPC可以不彼此交叠。
在下文中，将参照图10描述第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的每个子像素SP的示例结构。
图10示出了根据本公开的一个实施方式的包括在显示装置100中的子像素SP的示例等效电路。
参照图9，两个或更多个子像素SP中的每一个可以包括用于驱动对应的发光元件ED的电路部分SPC。电路部分SPC可以包括驱动晶体管DRT、第一晶体管T1至第六晶体管T6、存储电容器Cst等。
发光元件ED可以包括阳极AE、发光层EL和阴极CE。发光元件ED可以是例如有机发光二极管(OLED)、无机发光二极管、量子点发光元件等。
驱动晶体管DRT可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3，并且可以是用于驱动发光元件ED的晶体管。
驱动晶体管DRT的第一节点N1可以是驱动晶体管DRT的栅极节点。驱动晶体管DRT的第二节点N2可以是驱动晶体管DRT的漏极节点或源极节点。驱动晶体管DRT的第三节点N3可以是驱动晶体管DRT的源极节点或漏极节点。
第一晶体管T1可以控制驱动晶体管DRT的第一节点N1和第二节点N2之间的连接。
第二晶体管T2可以控制驱动晶体管DRT的第三节点N3与数据线DL之间的连接。
第三晶体管T3可以控制驱动晶体管DRT的第三节点N3与驱动电压线DVL之间的连接。
第四晶体管T4可以控制驱动晶体管DRT的第二节点N2和发光元件ED之间的连接。
第五晶体管T5可以控制驱动晶体管DRT的第一节点N1与第一初始化电压线IVL1之间的连接。
第六晶体管T6可以控制发光元件ED和第二初始化电压线IVL2之间的连接。
存储电容器Cst可以连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1和驱动电压线DVL之间。
第一晶体管T1的栅极节点、第二晶体管T2的栅极节点和第六晶体管T6的栅极节点可以共同电连接到一条第一扫描线SCL[n]。
第一晶体管T1、第二晶体管T2和第六晶体管T6的相应导通和截止可以由从第一扫描线SCL[n]提供的第一扫描信号SCAN[n]共同控制。
第三晶体管T3的栅极节点和第四晶体管T4的栅极节点可以共同电连接到一条发光控制线EML[n]。
第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由从发光控制线EML[n]提供的发光控制信号EM[n]共同控制。
第五晶体管T5的导通和截止可以由从第二扫描线SCL[n-1]提供的第二扫描信号SCAN[n-1]控制。
例如，第一晶体管T1可以是具有两个沟道的双晶体管。在一个实施方式中，第一晶体管T1可以包括两个部分晶体管，这两个部分晶体管的相应的导通和截止由从一条第一扫描线SCL[n]提供的一个第一扫描信号SCAN[n]一起或基本上同时控制。包括在第一晶体管T1中的两个部分晶体管可以串联连接在第一节点N1和第二节点N2之间。
例如，第五晶体管T5可以是具有两个沟道和两个沟道之间的连接节点Nt5m的双晶体管。在一个实施方式中，第五晶体管T5可以包括两个部分晶体管T5a和T5b，这两个部分晶体管T5a和T5b的相应的导通和截止由从一个第二扫描线SCL[n-1]提供的一个第二扫描信号SCAN[n-1]一起或基本上同时控制。包括在第五晶体管T5中的两个部分晶体管T5a和T5b可以串联连接在第一节点N1和第一初始化电压线IVL1之间。
在一个实施方式中，包括在每个子像素SP中的所有七个晶体管(DRT和T1至T6)可以是p型晶体管或n型晶体管。在另一实施方式中，七个晶体管(DRT和T1至T6)中的至少一个可以是p型或n型晶体管，并且剩余的晶体管可以是n型或p型晶体管。
例如，在七个晶体管(DRT、T1至T6)中，第一晶体管T1可以是n型晶体管，而剩余的六个晶体管(DRT和T2至T6)可以是p型晶体管。
在一些实施方式中，存储电容器Cst可以是有意配置或设计为位于驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是内部电容器，诸如寄生电容器(例如，栅极到源极电容Cgs、栅极到漏极电容Cgd等)。
图11示出了根据本公开的一个实施方式的设置在显示装置100的第一光学区域(例如，上述附图中的第一光学区域OA1)的一部分中的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM的示例性布置。
参照图11，第一光学区域OA1可以包括多个第一透射区域TA1和非透射区域NTA。
参照图11，非透射区域NTA可以是除了第一光学区域OA1中的多个第一透射区域TA1之外的剩余区域。非透射区域NTA可以包括子像素SP的相应发光区域EA和子像素SP的相应电路部分SPC。
在一个实施方式中，子像素的发光区域EA和电路部分SPC可以至少部分地彼此交叠。设置子像素SP的发光区域EA的图案和/或形状可以不同于设置子像素SP的电路部分SPC的图案和/或形状。
在另一实施方式中，子像素的发光区域EA和电路部分SPC可以彼此不交叠。
参照图11，为了提高第一光学区域OA1的第一透射区域TA1的透射率，可以使阴极(例如，上述图中的阴极CE)图案化。通过这种阴极图案化，在第一光学区域OA1中，阴极CE可以设置在非透射区域NTA中，而可以不设置在第一透射区域TA1中。
参照图11，通过阴极图案化，阴极CE可以具有多个透射孔。阴极CE的多个透射孔可以对应于第一光学区域OA1的第一透射区域TA1。
参照图11，当执行阴极图案化时，阴极CE的多个透射孔中的每一个可以被图案化为圆形形状，使得第一透射区域TA1中的每一个可以形成为圆形形状以防止耀斑缺陷。
参照图11，可以使用激光执行阴极图案化。当使用激光执行阴极图案化工艺时，可以从基板SUB下方的位置朝向基板SUB照射激光。在该工艺中，诸如发光元件ED、晶体管(DRT、T1至T6)或电容器Cst之类的一些电路组件可能被激光损坏。
参照图11，下屏蔽金属BSM可以设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中，以防止或至少减少阴极图案化工艺期间对电路组件的损坏。
参照图11，为了防止或至少减少对晶体管(DRT、T1至T6)的损坏，可以在所有的或者一个或更多个晶体管(DRT、T1至T6)下方设置下屏蔽金属BSM。
形成下屏蔽金属BSM的金属也可以用于形成存储电容器Cst。例如，存储电容器可以具有使用下屏蔽金属BSM、有源层和栅极金属层连接两个电容器的结构。
下屏蔽金属BSM可以用于形成存储电容器Cst，并且驱动电压ELVDD可以施加到用于形成存储电容器Cst的两个板中的一个。两个板中施加驱动电压ELVDD的板可以是下屏蔽金属BSM。
图12是根据一个实施方式的图11中标记为UA的区域的平面图。
在第一光学区域OA1中，可以在相邻的第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中设置两个或更多个子像素SP。此外，在第一光学区域OA1中，两个或更多个子像素SP的两个或更多个相应电路部分SPC可以设置在相邻的第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
在图12的示例中，在第一光学区域OA1中，四个子像素SP可以设置在四个相邻的第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。此外，在第一光学区域OA1中，四个子像素SP的四个相应电路部分(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)可以设置在相邻的四个透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
在每个子像素SP具有图9所示的结构的示例中，四个子像素SP的四个电路部分(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)中的每一个可以包括驱动晶体管DRT、第一晶体管T1至第六晶体管T6和存储电容器Cst。
在下文中，将基于如图10中所示的第五晶体管T5来提供关于四个子像素SP的电路部分(SPC1、SPC2、SPC3和SPC4)的讨论。在与子像素SP的驱动相关的时段中的初始化时段期间，第五晶体管T5是用于使驱动晶体管DRT的栅极节点DRG处的电压初始化的晶体管。
第五晶体管T5可以切换作为驱动晶体管DRT的栅极节点DRG的第一节点N1和第一初始化电压线IVL1之间的连接。
从第二扫描线SCL[n-1]提供的第二扫描信号SCAN[n-1]可以施加到第五晶体管T5的栅极节点。
第二扫描线SCL[n-1]和第一初始化电压线IVL1可以沿水平方向设置，并且是穿过第一光学区域OA1的第一水平线HL1。
第二扫描线SCL[n-1]和第一初始化电压线IVL1可以设置为穿过第一光学区域OA1，并且例如设置为避开第一光学区域OA1的一个或更多个第一透射区域TA1。
参照图12，下屏蔽金属BSM可以设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
参照图12，当执行阴极图案化以在第一光学区域OA1中形成第一透射区域TA1时，即使当朝向基板SUB的后表面照射激光时，也可以通过下屏蔽金属BSM阻挡激光，从而可以防止位于非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM上或上方的电路组件(例如晶体管、电容器、发光元件和其它组件)被激光损坏。
图13示出了根据一个实施方式的第五晶体管T5的示例结构。
参照图13，第五晶体管T5可以是包括两个部分晶体管T5a和T5b的双晶体管。
两个部分晶体管T5a和T5b的相应栅极节点可以彼此电连接。两个部分晶体管T5a和T5b可以串联连接在驱动晶体管DRT的栅极节点DRG和第一初始化电压线IVL1之间。
第五晶体管T5可以是包括与一个第二扫描线SCL[n-1]交叠的两个沟道和两个沟道之间的连接节点Nt5m的双晶体管。
例如，参照图13，第五晶体管T5可以包括电连接到第一初始化电压线IVL1的第一电极E1、电连接到驱动晶体管DRT的第一节点N1的第二电极E2、有源层ACT等。
有源层ACT可以包括第一导电部分CDa、第二导电部分CDb、第一沟道区域CHa、第二沟道区域CHb和连接导电部分CDc。例如，第一沟道区域CHa和第二沟道区域CHb可以是非导电半导体，并且第一导电部分CDa、第二导电部分CDB和连接导电部分CDc可以是导电半导体。例如，有源层ACT可以是氧化物半导体。
参照图13，第一导电部分CDa可以电连接到第一电极E1。第二导电部分CDb可以电连接到第二电极E2。
参照图13，第一沟道区域CHa可以位于第一导电部分CDa和连接导电部分CDc之间。第二沟道区域CHb可以位于第二导电部分CDb和连接导电部分CDc之间。
参照图13，连接导电部分CDc可以对应于连接节点Nt5m。连接导电部分CDc可以位于第一沟道区域CHa和第二沟道区域CHb之间。连接导电部分CDc可以至少部分地与第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图13，第一沟道区域CHa和第二沟道区域CHb可以分别与一条第二扫描线SCL[n-1](例如，其第一部分和第二部分)交叠。与第一沟道区域CHa和第二沟道区域CHb两者交叠的一条第二扫描线SCL[n-1]可以用作第五晶体管T5的栅极。
参照图13，第一电极E1可以与第二扫描线SCL[n-1]相交。
参照图13，第一电极E1的一端或边缘可以电连接到第一导电部分CDa，第一电极E1的另一端或边缘可以电连接到第一初始化电压线IVL1。第一电极E1的一端或边缘与另一端或边缘之间的部分可以与第二扫描线SCL[n-1]交叠。
图14示出了根据本公开的一个实施方式的显示装置100的第一光学区域OA1上的示例照明实验的结果。
参照图14，为了防止或至少减少对晶体管(DRT、T1至T6)的损坏，可以在所有的或者一个或更多个晶体管(DRT、T1至T6)下方设置下屏蔽金属(例如，上面讨论的附图中的下屏蔽金属BSM)。
形成下屏蔽金属BSM的金属也可以用于形成存储电容器Cst。例如，存储电容器可以具有使用下屏蔽金属BSM、有源层和栅极金属层连接两个电容器的结构。
下屏蔽金属BSM可以用于形成存储电容器Cst，并且驱动电压ELVDD可以施加到用于形成存储电容器Cst的两个板中的一个。两个板中施加驱动电压ELVDD的板可以是下屏蔽金属BSM
如上所述，驱动电压ELVDD可以施加到下屏蔽金属BSM。因此，可能发生位于施加驱动电压ELVDD的下屏蔽金属BSM上方的晶体管的阈值电压偏移的现象。例如，阈值电压可以移位到较低电平的电压(即，减小方向或负方向)。
例如，由于位于第一光学区域OA1中的晶体管下方的下屏蔽金属BSM，其阈值电压(其为设置在第一光学区域OA1中的所有晶体管的唯一特性)可被移位到较低电平的电压。特别地，在高温或高湿度环境中，阈值电压向负值的移动可能更严重地进行。进而，第一光学区域OA1中的图像质量可能劣化。
特别地，在用于初始化驱动并配置有每个子像素SP中包括的晶体管(DRT和T1至T6)中的双晶体管的第五晶体管T5的阈值电压被移位到较低电平的电压的情况下，对应的子像素的初始化驱动可能不正常执行，进而，显示在第一光学区域OA1中的图像的质量可能严重劣化。
在设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的子像素SP中的第五晶体管T5的阈值电压通过设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM而大幅偏移到较低电平的电压的情况下，这可以使得设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的子像素SP以暗点的形式示出。
图15A至图15D示出了根据本公开的各方面的设置在显示装置100的第一光学区域(例如，上述附图中的第一光学区域OA1)中的下屏蔽金属BSM的示例性开口结构。
将再次简要描述根据本公开的各方面的显示装置100。显示装置100可以包括显示面板110和位于显示面板110下方或下部中的第一光学电子装置11。
显示面板110可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和位于第一光学区域OA1外部的普通区域NA。第一光学区域OA1可以包括多个发光区域EA和多个第一透射区域TA1。普通区域NA可以包括多个发光区域EA。
第一光学电子装置11可以位于显示面板110的下方下部中，并且与第一光学区域OA1的至少一部分交叠。
显示面板110还可以包括设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中的两个或更多个子像素SP。
显示面板110还可以包括设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM。
设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的两个或更多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件ED、两个或更多个晶体管(DRT和T1至T6)以及存储电容器Cst。
参照图15A至图15D，在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中，下屏蔽金属BSM可以包括至少一个开口OPH。
下屏蔽金属BSM的至少一个开口OPH可以与包括在两个或更多个子像素SP的每一个中的两个或更多个晶体管(DRT、T1至T6)中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
例如，特定晶体管可以是用于将第一初始化电压Vini1传输到对应于驱动晶体管DRT的栅极节点DRG的第一节点N1的初始化晶体管。
例如，特定晶体管可以是包括在图10的子像素SP的电路部分SPC中的第五晶体管T5。第五晶体管T5可以是初始化晶体管。
例如，特定晶体管可以是双晶体管，其包括与一个第二扫描线SCL[n-1]交叠的两个沟道和两个沟道之间的连接节点Nt5m。
在一些实施方式中，显示面板110可以包括基板SUB、基板SUB上方的下屏蔽金属BSM、下屏蔽金属BSM上的缓冲层以及缓冲层上的晶体管层。
基板SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，并且显示区域DA可以包括第一光学区域OA1和位于第一光学区域OA1外部的普通区域NA。
下屏蔽金属BSM可以对应于图6和图7的遮光层LS。下屏蔽金属BSM上的缓冲层可以对应于图6和图7的第二有源缓冲层ABUF2。
第一光学区域OA1可以包括多个发光区域EA和多个第一透射区域TA1，并且第一光学区域OA1的至少一部分可以与位于基板SUB下方的第一光学电子装置11交叠。
两个或更多个子像素SP可以设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的两个或更多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件ED、两个或更多个晶体管(DRT和T1至T6)以及存储电容器Cst。
下屏蔽金属BSM可以设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中，并且可以包括至少一个开口OPH。
下屏蔽金属BSM的至少一个开口OPH可以与包括在两个或更多个子像素SP的每一个中的两个或更多个晶体管(DRT、T1至T6)中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
例如，特定晶体管可以是用于将第一初始化电压Vini1传输到对应于驱动晶体管DRT的栅极节点DRG的第一节点N1的初始化晶体管。
例如，特定晶体管可以是包括在图10的子像素SP的电路部分SPC中的第五晶体管T5。第五晶体管T5可以是初始化晶体管。
例如，特定晶体管可以是双晶体管，其包括与一个第二扫描线SCL[n-1]交叠的两个沟道和两个沟道之间的连接节点Nt5m。
参照图15A和图15B，两个或更多个子像素SP中的第一子像素SP和第二子像素SP可以设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
参照图15A和图15B，在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中，下屏蔽金属BSM可以包括延伸跨过第一子像素SP的第一电路部分SPC1和第二子像素SP的第二电路部分SPC2的一个开口OPH。
参照图15A，一个开口OPH可以与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的两个沟道和连接节点Nt5m交叠，并且可以与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的两个沟道和连接节点Nt5m交叠。
图15A中的一个开口OPH可以与第二扫描线SCL[n-1]和第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图15B，一个开口OPH可以与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的两个沟道交叠，并且可以与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的两个沟道交叠。
参照图15B，一个开口OPH可以不与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的连接节点Nt5m交叠，并且可以不与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的连接节点Nt5m交叠。
图15B中的一个开口OPH可以与第二扫描线SCL[n-1]交叠，并且可以不与第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图15C和图15D，两个或更多个子像素SP中的第一子像素SP和第二子像素SP可以设置在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中。
参照图15C和图15D，在第一光学区域OA1中的相邻第一透射区域TA1之间的非透射区域NTA中，下屏蔽金属BSM可以包括与第一子像素SP的第一电路部分SPC1的一部分交叠的第一开口OPH和与第二子像素SP的第二电路部分SPC2的一部分交叠的第二开口OPH。
参照图15C，第一开口OPH可以与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的两个沟道和连接节点Nt5m交叠。
参照图15C，第二开口OPH可以与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的两个沟道和连接节点Nt5m交叠。
图15C中的第一开口OPH和第二开口OPH可以与第二扫描线SCL[n-1]和第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图15D，第一开口OPH可以与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的两个沟道交叠，并且可以不与包括在第一子像素SP的第一电路部分SPC1中的特定晶体管的连接节点Nt5m交叠。
参照图15D，第二开口OPH可以与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的两个沟道交叠，并且可以不与包括在第二子像素SP的第二电路部分SPC2中的特定晶体管的连接节点Nt5m交叠。
图15D中的第一开口OPH和第二开口OPH可以与第二扫描线SCL[n-1]交叠，并且可以不与第一初始化电压线IVL1交叠。
图16A和图16B示出了根据下屏蔽金属BSM的开口结构跨过第五晶体管T5的连接节点Nt5m形成的电容器CAP。
参照图16A，在下屏蔽金属BSM的开口OPH存在于第五晶体管T5的放置有与第一初始化电压线IVL1交叠的连接节点Nt5m的点处的示例中(如在图15A和图15C的配置中那样)，可以在第五晶体管T5的连接节点Nt5m处形成单电容器联接。
在该示例中，第五晶体管T5的连接节点Nt5m可以对应于第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc。第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc可以与第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图16A，在下屏蔽金属BSM的开口OPH存在于放置有第五晶体管T5的连接节点Nt5m的点处的示例中，作为第五晶体管T5的连接节点Nt5m的第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc和第一初始化电压线IVL1可以交叠，从而，可以形成第一电容器C1。
参照图16B，在下屏蔽金属BSM的开口OPH不存在于第五晶体管T5的放置有与第一初始化电压线IVL1交叠的连接节点Nt5m的点处的示例中(如在图15B和图15D的配置中那样)，可以在第五晶体管T5的连接节点Nt5m处形成双电容器联接。
在该示例中，第五晶体管T5的连接节点Nt5m可以对应于第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc。第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc可以与第一初始化电压线IVL1交叠。
参照图16B，在下屏蔽金属BSM的开口OPH不存在于放置有第五晶体管T5的连接节点Nt5m的点处(即，下屏蔽金属BSM存在于放置有第五晶体管T5的连接节点Nt5m的点处)的示例中，作为第五晶体管T5的连接节点Nt5m的第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc和第一初始化电压线IVL1可以交叠，从而，可以形成第一电容器C1。
作为第五晶体管T5的连接节点Nt5m的第五晶体管T5的有源层ACT的连接导电部分CDc和下屏蔽金属BSM可以交叠，从而可以形成第二电容器C2。在该示例中，可以将驱动电压ELVDD施加到下屏蔽金属BSM。
图17示出了根据本公开的一个实施方式的在显示装置100中第五晶体管T5设置在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA的示例截面图。图18A至图18E示出了根据本公开的一个实施方式的在显示装置100中第五晶体管T5不设置在第一光学区域OA1中的非透射区域NTA的示例截面图。考虑到图17和图18A至图18E的截面图具有其中下屏蔽金属BSM和上屏蔽金属USM的开口结构进一步应用于图7中的垂直结构的结构，为了简洁，这里不再重复对类似层或基本上相同层的讨论。
显示面板110还可以包括上屏蔽金属USM，该上屏蔽金属USM与下屏蔽金属BSM的至少一个开口OPH交叠并且位于比其中设置有下屏蔽金属BSM的层更高的层中。因此，上屏蔽金属USM比下屏蔽金属BSM更远离基板SUB1。
上屏蔽金属USM可以包括位于比其上设置有下屏蔽金属BSM的层更高的层中的各种金属材料。
上屏蔽金属USM可以覆盖(例如，交叠)下屏蔽金属BSM的至少一个开口OPH，因此，可以通过下屏蔽金属BSM的至少一个开口OPH来减少或防止在诸如阴极图案化之类的相关工艺期间可能发生的耀斑和雾翳现象。
参照图17，在第一光学区域(例如，上述附图中的第一光学区域OA1)的非透射区域NTA中，下屏蔽金属BSM可以具有与第五晶体管T5的全部或至少一部分交叠的开口OPH。
参照图17，在一个实施方式中，上屏蔽金属USM可以包括与下屏蔽金属BSM的开口OPH交叠的触摸传感器金属TSM。在该实施方式中，作为上屏蔽金属USM的触摸传感器金属TSM可以覆盖下屏蔽金属BSM的开口OPH。
在另一实施方式中，不同于图17，上屏蔽金属USM可以由桥接金属BRG而不是触摸传感器金属TSM形成。在该实施方式中，作为上屏蔽金属USM的桥接金属BRG可以覆盖下屏蔽金属BSM的开口OPH。
在另一实施方式中，上屏蔽金属USM可以由包括触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG的双金属形成。在该实施方式中，作为上屏蔽金属USM的触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以覆盖下屏蔽金属BSM的开口OPH。
参照图18A至图18E，上屏蔽金属USM可以包括位于比下屏蔽金属BSM更高的层中的各种金属材料。
例如，上屏蔽金属USM可以包括栅极金属GM、源极-漏极金属(SD1或SD2)、阳极金属AM和一种或更多种其它金属TM中的一种或更多种。
参照图18A，上屏蔽金属USM可以包括用作晶体管或扫描线SCL[n-1]和SCL[n]的栅极GM的栅极金属GM。
参照图18B，上屏蔽金属USM可以包括第一层间绝缘层ILD1上的金属图案TM。
参照图18C，上屏蔽金属USM可以包括用作晶体管的源极和漏极的第一源极-漏极图案SD1。
参照图18D，上屏蔽金属USM可以包括用于将晶体管的源极或漏极连接到阳极AE的第二源极-漏极图案SD2。
参照图18E，上屏蔽金属USM可以包括阳极金属AM，该阳极金属AM包括阳极AE或用作阳极AE。
图19示出了根据本公开的各方面的显示装置100的普通区域(例如，上述图中的普通区域NA)和第一光学区域(例如，上述附图中的第一光学区域OA1)中的每一个中的触摸传感器金属的示例布置结构。
图20是根据本公开的各方面的显示装置100的第一光学区域OA1内部的触摸传感器金属(图19中的触摸传感器金属)的布置结构的示例放大图。
如上所述，显示装置100的显示面板110还可以包括设置在包括在普通区域NA和第一光学区域OA1中的发光区域EA中而不设置在包括在第一光学区域OA1中的第一透射区域TA1中的阴极(例如，上述附图中的阴极CE)，以及设置在阴极CE上的封装层(例如，上述附图中的封装层ENCAP)。
如上所述，根据本公开的实施方式的显示装置100可以提供触摸感测功能。为了提供该功能，在触摸传感器(例如，上述附图中的触摸传感器TS)嵌入在显示面板110中的示例中，显示面板110可以具有如图7所示的垂直结构。在该示例中，显示装置100的显示面板110还可以包括触摸传感器金属TSM，触摸传感器金属TSM具有位于封装层ENCAP上并形成触摸传感器TS的网格图案。
参照图19，在一些实施方式中，在普通区域NA中，触摸传感器金属TSM可以设置为网格图案，同时避开发光区域EA。因此，即使当触摸传感器TS嵌入在显示面板110中时，也可以防止或至少减少普通区域NA中的发光效率的降低。
参照图19，在第一光学区域OA1中，触摸传感器金属TSM可以被设置为避开第一光学区域OA1的多个发光区域EA，并且被设置为进一步避开第一光学区域OA1的多个第一透射区域TA1。由此，能够正常地进行第一光学区域OA1中的触摸感测，进而能够防止或至少减少第一光学区域OA1中的发光效率的降低和透射率的降低。
参照图19，在第一光学区域OA1中形成多个网格单元的触摸传感器金属TSM的密度可以小于在普通区域NA中形成多个网格单元的触摸传感器金属TSM的密度。
然而，第一光学区域OA1的触摸传感器金属TSM的至少一部分的线宽可以大于普通区域NA的触摸传感器金属TSM的线宽。例如，第一光学区域OA1的触摸传感器金属TSM的最大线宽可以大于普通区域NA的触摸传感器金属TSM的最大线宽。
因此，尽管在第一光学区域OA1中形成网格单元的触摸传感器金属TSM的密度小于在普通区域NA中形成网格单元的触摸传感器金属TSM的密度，但是通过第一光学区域OA1中的触摸传感器金属TSM进行触摸感测所需的电容可以变为类似于通过普通区域NA中的触摸传感器金属TSM进行触摸感测所需的电容的水平。因此，可以提高第一光学区域OA1的触摸灵敏度。
考虑到触摸传感器金属TSM在第一光学区域OA1中的密度与触摸传感器金属TSM在普通区域NA中的密度之间的差异，如图19中的情况1、情况2和情况3所示，可以不同地调整触摸传感器金属TSM在第一光学区域OA1中的最大线宽。
参照图20，在第一光学区域OA1中，触摸传感器金属TSM可以具有例如网格图案。根据该示例，第一光学区域OA1中的触摸传感器金属TSM可以包括交叉区域IPA中的交叉部分TSM_IP和用于连接交叉部分TSM_IP的链接区域LPA中的链接部分TSM_LP。
参照图20，在包括在第一光学区域OA1中的触摸传感器金属TSM中，每个链接部分TSM_LP的线宽WLP可以大于每个交叉部分TSM_IP的线宽WIP。
这不仅使得第一光学区域OA1的触摸传感器金属TSM能够最大程度地避开发光区域EA和第一透射区域TA1，而且使得通过第一光学区域OA1中的触摸传感器金属TSM进行触摸感测所需的电容达到显著类似于通过普通区域NA中的触摸传感器金属TSM进行触摸感测所需的电容的水平。因此，可以最大限度地提高第一光学区域OA1的发光性能和触摸灵敏度。
在一些实施方式中，穿过第一光学区域OA1的多条第一水平线HL1可以与触摸传感器金属TSM部分交叠。
图21是示出根据本公开的各方面的在下屏蔽金属(例如，上述附图中的下屏蔽金属BSM)的开口结构应用于显示装置100之前和之后驱动晶体管DRT的栅极节点DRG的电压和连接节点Nt5m的电压的变化的曲线图。
参照图21，子像素SP的驱动时段可以包括初始化时段等。在初始化时段期间，第五晶体管T5可以通过提供给第二扫描线SCL[n-1]的第二扫描信号SCAN[n-1]的低电平电压而导通。因此，第一初始化电压Vini1可以通过导通的第五晶体管T5施加到作为驱动晶体管DRT的栅极节点DRG的第一节点N1。
在不应用本公开的实施方式并且因此设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM不具有开口OPH的示例中，可能发生第五晶体管T5的阈值电压移位到较低电平电压的现象，因此，在初始化时段期间，第五晶体管T5可以不正常地执行预期的开关操作。
因此，第五晶体管T5的连接节点Nt5m处的电压可能不会下降到如第一初始化电压Vini1那样足够低，并且驱动晶体管DRT的栅极节点DRG处的电压也可能不会下降到如第一初始化电压Vini1那样足够低。
另外，在第二扫描信号SCAN[n-1]上升到高电平电压并且第五晶体管T5截止之后，具有低电平电压的第一扫描信号SCAN[n]可以被提供给第一扫描线(SCL[n])。因此，第二晶体管T2、驱动晶体管DRT和第一晶体管T1可以通过具有低电平电压的第一扫描信号SCAN[n]导通。
提供给数据线DL的数据电压Vdata可以通过已经导通的第二晶体管T2、驱动晶体管DRT和第一晶体管T1施加到驱动晶体管DRT的栅极节点DRG。由此，驱动晶体管DRT的栅极节点DRG处的电压可以增加数据电压Vdata。
然而，由于连接节点Nt5m处的电压具有异常高的值而没有在先前定时处正常降低，所以处于浮置状态的连接节点Nt5m处的电压具有通过将电压方差(△V1)加到先前定时处的异常高电压而获得的电压值。该电压值是异常电压值。
相反，在应用本公开的实施方式的示例中，因此，设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM具有开口OPH，可以防止或至少减小第五晶体管T5的阈值电压移位到较低电平的电压的现象，从而在初始化时段期间，第五晶体管T5可以正常地执行预期的开关操作。
因此，第五晶体管T5的连接节点Nt5m处的电压可能下降到如第一初始化电压Vini1那样足够低，并且驱动晶体管DRT的栅极节点DRG处的电压也可能下降到如第一初始化电压Vini1那样足够低。
另外，在第二扫描信号SCAN[n-1]上升到高电平电压并且第五晶体管T5截止之后，具有低电平电压的第一扫描信号SCAN[n]可以被提供给第一扫描线(SCL[n])。因此，第二晶体管T2、驱动晶体管DRT和第一晶体管T1可以通过具有低电平电压的第一扫描信号SCAN[n]导通。
提供给数据线DL的数据电压Vdata可以通过已经导通的第二晶体管T2、驱动晶体管DRT和第一晶体管T1施加到驱动晶体管DRT的栅极节点DRG。由此，驱动晶体管DRT的栅极节点DRG处的电压可以增加数据电压Vdata。
然而，由于连接节点Nt5m处的电压在先前定时正常地降低，所以处于浮置状态的连接节点Nt5m处的电压具有通过将电压方差(△V1)加到先前定时处的电压而获得的电压值。该电压值是正常电压值。
图22示出了根据本公开的各方面的在显示装置100中应用下屏蔽金属(例如，上面讨论的附图中的下屏蔽金属BSM)的开口结构的第一光学区域OA1上的示例性照明实验的结果。
参照图22，设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM可以具有开口OPH。
在应用下屏蔽金属BSM的开口结构的示例中，即使当驱动电压ELVDD被施加到下屏蔽金属BSM以形成存储电容器Cst时，也可以防止位于施加了驱动电压ELVDD的下屏蔽金属上方的第五晶体管T5的阈值电压移位到较低电平的电压。
在未施加下屏蔽金属BSM的开口结构的示例(例如，图14的示例)的照明实验的结果中，已经观察到包括具有移位到较低电压电平的阈值电压的第五晶体管T5的蓝色子像素SP以暗点的形式示出。
在维持相同的照明实验环境的情况下，已经对设置在第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM被设计为具有与第五晶体管T5的全部或一部分交叠的开口OPH的示例执行了照明实验。结果，如图22中所示，已经观察到防止了第五晶体管T5的阈值电压向较低电压电平的偏移，反过来，由于防止了子像素SP以暗点的形式示出，所以正常地执行相应子像素SP的显示。
如上所述，第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM可以具有开口结构，其中在与特定晶体管(例如，第五晶体管T5)的全部或一部分交叠的区域中存在至少一个开口OPH。
在一个实施方式中，第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM的开口结构可以基本上等同地应用于普通区域NA。例如，下屏蔽金属BSM也可以设置在普通区域NA中，并且设置在普通区域NA中的下屏蔽金属BSM可以在与包括在普通区域NA中的每个子像素SP的特定晶体管(例如，第五晶体管T5)相对应的区域中具有至少一个开口OPH。
在另一实施方式中，第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM的开口结构可以不应用于普通区域NA，或者可以不同地应用于普通区域NA。
例如，下屏蔽金属BSM可以仅设置在第一光学区域OA1和第二光学区域OA2中，而可以不设置在普通区域NA中。在另一示例中，下屏蔽金属BSM可以设置在普通区域NA中，并且设置在普通区域NA中的下屏蔽金属BSM可以不具有开口OPH。在又一示例中，设置在普通区域NA中的下屏蔽金属BSM的开口OPH的位置、尺寸或形状可以不同于第一光学区域OA1的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM的开口OPH的位置、尺寸或形状。
第一光学区域OA1中的下屏蔽金属BSM的开口结构可以基本上等同地应用于第二光学区域OA2。例如，第二光学区域OA2的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM可以具有开口结构，其中在与特定晶体管(例如，第五晶体管T5)的全部或一部分交叠的区域中存在至少一个开口OPH。应当注意，为了便于描述，仅基于第一光学区域OA1提供了上述讨论，因此，本公开的范围包括第二光学区域OA2的非透射区域NTA中的下屏蔽金属BSM具有被配置为具有至少一个开口OPH的开口结构的实施方式。
根据上述本公开的各方面所述的触摸显示装置100的实施方式可以简要讨论如下。
根据本公开的各方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括：显示面板，该显示面板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域，所述光学区域包括多个发光区域和多个透射区域，所述普通区域包括多个发光区域；以及光学电子装置，该光学电子装置位于所述显示面板的下方下部中并且与所述光学区域的至少一部分交叠。
所述显示面板还可以包括设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中的两个或更多个子像素，以及设置在所述非透射区域中的下屏蔽金属。
所述两个或更多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件ED、两个或更多个晶体管和存储电容器。
所述下屏蔽金属可以包括至少一个开口，并且所述至少一个开口可以与包括在所述两个或更多个子像素的每一个中的两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
所述特定晶体管可以是用于将第一初始化电压传输到驱动晶体管的第一节点的晶体管。
所述特定晶体管可以是双晶体管，其包括与一条扫描线交叠的两个沟道和两个沟道之间的连接节点。
所述两个或更多个子像素SP中的第一子像素和第二子像素可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中。
在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中，所述下屏蔽金属可以包括延伸跨过所述第一子像素的第一电路部分和所述第二子像素的第二电路部分的开口。
一个开口可以与包括在第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠，并且可以与包括在第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠。
所述一个开口可以与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的两个沟道交叠，与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的两个沟道交叠，而不与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的连接节点交叠，并且不与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的连接节点交叠。
所述两个或更多个子像素SP中的第一子像素和第二子像素可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中。
在所述光学区域中相邻透射区域之间的非透射区域中，所述下屏蔽金属可以包括与所述第一子像素的第一电路部分的一部分交叠的第一开口和与所述第二子像素的第二电路部分的一部分交叠的第二开口。
在一个实施方式中，所述第一开口可以与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠。此外，所述第二开口可以与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠。
在另一实施方式中，所述第一开口可以与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的两个沟道交叠，并且可以不与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的特定晶体管的连接节点交叠。此外，所述第一开口可以与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的两个沟道交叠，并且不与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的特定晶体管的连接节点交叠。
所述显示面板还可以包括与所述下屏蔽金属的至少一个开口交叠的上屏蔽金属。
所述显示面板还可以包括在所述发光元件上的封装层和所述在封装层上具有网格图案的触摸传感器金属。所述触摸传感器金属可以被设置为避开所述普通区域的多个发光区域。所述触摸传感器金属可以被设置为避开包括在所述光学区域中的多个透射区域和多个发光区域。
所述上屏蔽金属可以包括触摸传感器金属。
所述光学区域中的触摸传感器金属可以包括线宽大于所述普通区域中的触摸传感器金属的部分。
所述触摸传感器金属可以包括交叉部分和用于连接交叉部分的链接部分，并且每个链接部分的线宽可以大于每个交叉部分的线宽。
设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中的两个或更多个子像素中的每一个可以包括用于驱动对应的发光元件的电路部分。所述电路部分可以包括：驱动晶体管，该驱动晶体管包括第一节点、第二节点和第三节点，并且被配置为驱动所述发光元件；第一晶体管，该第一晶体管用于控制所述驱动晶体管的第一节点和第二节点之间的连接；第二晶体管，该第二晶体管用于控制所述驱动晶体管的第三节点与数据线之间的连接；第三晶体管，该第三晶体管用于控制所述驱动晶体管的第三节点与驱动电压线之间的连接；第四晶体管，该第四晶体管用于控制所述发光元件和所述驱动晶体管的第二节点之间的连接；第五晶体管，该第五晶体管用于控制初始化电压线和所述驱动晶体管的第一节点之间的连接；第六晶体管，该第六晶体管用于控制所述发光元件和第二初始化电压线之间的连接；以及存储电容器，该存储电容器连接在所述驱动晶体管的第一节点和所述驱动电压线之间。
所述特定晶体管可以是第五晶体管。
所述第五晶体管可以包括：电连接到所述第一初始化电压线的第一电极；电连接到所述驱动晶体管的第一节点的第二电极；以及有源层，该有源层包括第一导电部分、第二导电部分、第一沟道区域、第二沟道区域和连接导电部分。
所述第一导电部分可以电连接到所述第一电极。所述第二导电部分可以电连接到所述第二电极。
所述第一沟道区域可以位于所述第一导电部分和所述连接导电部分之间。所述第二沟道区域可以位于所述第二导电部分和所述连接导电部分之间。
所述连接导电部分可以位于所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间。所述连接导电部分可以至少部分地与所述第一初始化电压线交叠。
所述第一沟道区域和所述第二沟道区域可以分别与一条扫描线(例如，其第一部分和第二部分)交叠。
根据本公开的各方面，提供了一种显示面板，该显示面板包括：基板，该基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域；在所述基板上方的下屏蔽金属；在所述下屏蔽金属上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的晶体管层。
所述光学区域可以包括多个发光区域和多个透射区域，并且所述光学区域的至少一部分可以与位于所述基板下方的光学电子装置交叠。
两个或更多个子像素可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中，并且两个或更多个子像素中的每一个可以包括发光元件、两个或更多个晶体管和存储电容器。
所述下屏蔽金属可以设置在非透射区域中并且包括至少一个开口。
所述下屏蔽金属的至少一个开口可以与包括在两个或多个子像素的每一个中的两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
所述特定晶体管可以是双晶体管，其包括与一条扫描线交叠的两个沟道和两个沟道之间的连接节点。
在一个实施方式中，其中所述光学区域的非透射区域中的下屏蔽金属具有至少一个开口的下屏蔽金属的开口结构可以基本上等同地应用于普通区域。
在另一实施方式中，其中所述光学区域的非透射区域中的下屏蔽金属具有至少一个开口的下屏蔽金属的开口结构可以不应用于普通区域，或者可以不同地应用于普通区域。
所述两个或更多个子像素SP中的第一子像素和第二子像素可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中。
在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中，所述下屏蔽金属可以包括延伸跨过所述第一子像素的第一电路部分和所述第二子像素的第二电路部分的开口。
所述两个或更多个子像素SP中的第一子像素和第二子像素可以设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中。
在所述光学区域中相邻透射区域之间的非透射区域中，所述下屏蔽金属可以包括与所述第一子像素的第一电路部分的一部分交叠的第一开口和与所述第二子像素的第二电路部分的一部分交叠的第二开口。
所述显示面板还可以包括上屏蔽金属，该上屏蔽金属与所述下屏蔽金属的至少一个开口交叠并且位于比所述下屏蔽金属所处的层更高的层中。
所述光学电子装置可以包括相机和传感器中的一个或更多个。
在一个实施方式中，所述光学区域可以是第一光学区域和第二光学区域中的一个。
在另一实施方式中，所述光学区域可以包括所有第一光学区域和第二光学区域。在该实施方式中，所述第一光学区域中的每单位面积的子像素的数量可以小于所述普通区域中的每单位面积的子像素的数量。所述第二光学区域中的每单位面积的子像素的数量可以等于或大于所述第一光学区域中的每单位面积的子像素的数量，并且小于所述普通区域中的每单位面积的子像素的数量。
根据本文中描述的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板(例如，上述附图中的显示面板110)和显示装置(例如，上述附图中的显示装置100)，其能够减小显示面板的非显示区域，并且通过将诸如相机、传感器等的光学电子装置设置在所述显示面板的显示区域下方而使得所述光学电子装置不暴露在所述显示面板的前表面中。
根据本文中描述的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板(例如，上述附图中的显示面板110)和显示装置(例如，上述附图中的显示装置100)，其具有使得位于所述显示面板的显示区域下方的光学电子装置能够正常地接收透射所述显示面板的光的光透射结构。
根据本文中描述的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板(例如，上述附图中的显示面板110)和显示装置(例如，上述附图中的显示装置100)，其能够在包括在所述显示面板的显示区域中的并且与光学电子装置交叠的光学区域中正常地执行显示驱动。
根据本文中描述的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板(例如，上述附图中的显示面板110)和显示装置(例如，上述附图中的显示装置100)，其包括具有开口结构的下屏蔽金属，所述开口结构能够在增加光学区域的透射率的同时防止显示异常图像。
根据本文中描述的一个或更多个实施方式，可以提供一种显示面板(例如，上述附图中的显示面板110)和显示装置(例如，上述附图中的显示装置100)，其包括具有能够在增加光学区域的透射率的同时防止显示异常图像的开口结构的下屏蔽金属，并且具有能够防止光学区域中的耀斑和雾翳现象的上屏蔽结构。
以上描述是为了使本领域技术人员能够做出、使用和实践本发明的技术特征而提出的，并且是在特定应用及其要求的上下文中作为示例而提供的。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员将是显而易见的，并且在不脱离本发明的范围的情况下，这里描述的原理可以应用于其它实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明性目的提供了本发明的技术特征的示例。即，所公开的实施方式旨在说明本发明的技术特征的范围。因此，本发明的范围不限于所示的实施方式，而是符合与权利要求一致的最宽范围。本发明的保护范围应当基于以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术思想应当被解释为包括在本发明的范围内。
相关申请的交叉引用
本专利申请要求2021年11月17日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2021-0158661的韩国专利申请的优先权权益，通过整体引用方式将该韩国专利申请的公开内容并入本文。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，该显示面板包括非显示区域和被配置为显示图像的显示区域，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域，其中，所述光学区域包括多个第一发光区域、多个透射区域以及所述多个透射区域中的相邻透射区域之间的非透射区域，所述普通区域包括多个第二发光区域；
设置在所述光学区域的非透射区域中的两个或更多个子像素，所述两个或更多个子像素中的每一个包括发光元件、两个或更多个晶体管和存储电容器；以及
在所述光学区域的非透射区域中的下屏蔽金属，所述下屏蔽金属包括至少一个开口，该至少一个开口与包括在所述两个或更多个子像素的每一个中的所述两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述特定晶体管是被配置为将第一初始化电压传输到包括在所述两个或更多个晶体管中的驱动晶体管的第一节点的晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述特定晶体管是包括与扫描线交叠的两个沟道和所述两个沟道之间的连接节点的双晶体管。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述两个或更多个子像素中的第一子像素和第二子像素设置在所述相邻透射区域之间的非透射区域中，并且所述下屏蔽金属包括延伸跨过所述第一子像素的第一电路部分和所述第二子像素的第二电路部分的一个开口。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述一个开口与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠，并且与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述一个开口与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道交叠，与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道交叠，而不与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的连接节点交叠，并且不与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的连接节点交叠。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述两个或更多个子像素中的第一子像素和第二子像素设置在所述相邻透射区域之间的非透射区域中，并且所述下屏蔽金属包括与所述第一子像素的第一电路部分的一部分交叠的第一开口和与所述第二子像素的第二电路部分的一部分交叠的第二开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一开口与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠，并且所述第二开口与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道和连接节点交叠。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一开口与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道交叠，而不与包括在所述第一子像素的第一电路部分中的所述特定晶体管的连接节点交叠，并且所述第二开口与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的两个沟道交叠，而不与包括在所述第二子像素的第二电路部分中的所述特定晶体管的连接节点交叠。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
上屏蔽金属，该上屏蔽金属与所述下屏蔽金属的至少一个开口交叠，所述上屏蔽金属包括所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管的栅极的栅极金属、所述两个或更多个晶体管中的至少一个晶体管的源极的源极-漏极金属、所述发光元件的阳极的阳极金属、或另一种金属中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
封装层，该封装层在所述发光元件上；
触摸传感器金属，该触摸传感器金属在所述封装层上；以及
上屏蔽金属，该上屏蔽金属与所述下屏蔽金属的所述至少一个开口交叠，所述上屏蔽金属包括所述触摸传感器金属，
其中，所述触摸传感器金属不与所述普通区域的多个发光区域交叠，并且不与包括在所述光学区域中的多个发光区域和多个透射区域交叠，
其中，所述光学区域中的所述触摸传感器金属的一部分的线宽大于所述普通区域中的触摸传感器金属的线宽，并且
其中，所述触摸传感器金属包括交叉部分和将所述交叉部分连接在一起的链接部分，并且每个所述链接部分的线宽大于每个所述交叉部分的线宽。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述两个或更多个子像素中的每一个包括被配置为驱动相应发光元件的电路部分，所述电路部分包括：
驱动晶体管，该驱动晶体管包括第一节点、第二节点和第三节点，所述驱动晶体管被配置为驱动所述发光元件；
第一晶体管，该第一晶体管被配置为控制所述驱动晶体管的第一节点和第二节点之间的连接；
第二晶体管，该第二晶体管被配置为控制所述驱动晶体管的第三节点与数据线之间的连接；
第三晶体管，该第三晶体管被配置为控制所述驱动晶体管的第三节点与驱动电压线之间的连接；
第四晶体管，该第四晶体管被配置为控制所述发光元件和所述驱动晶体管的第二节点之间的连接；
第五晶体管，该第五晶体管被配置为控制第一初始化电压线和所述驱动晶体管的第一节点之间的连接；
第六晶体管，该第六晶体管被配置为控制所述发光元件和第二初始化电压线之间的连接；以及
存储电容器，该存储电容器连接在所述驱动晶体管的第一节点和所述驱动电压线之间，并且
其中，所述第五晶体管是所述特定晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第五晶体管包括：
第一电极，该第一电极电连接到所述第一初始化电压线；
第二电极，该第二电极电连接到所述驱动晶体管的第一节点；以及
有源层，该有源层包括电连接到所述第一电极的第一导电部分、电连接到所述第二电极的第二导电部分、连接导电部分、在所述第一导电部分和所述连接导电部分之间的第一沟道区域、以及在所述第二导电部分和所述连接导电部分之间的第二沟道区域，
其中，所述连接导电部分位于所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间，并且所述连接导电部分与所述第一初始化电压线交叠，并且
其中，所述第一沟道区域和所述第二沟道区域与一条扫描线交叠。
14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
光学电子装置，该光学电子装置在所述显示面板的下方或下部中，所述光学电子装置与所述光学区域的至少一部分交叠，
其中，所述光学电子装置包括相机和传感器中的一个或更多个。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光学区域包括第一光学区域和第二光学区域，并且
其中，所述第一光学区域中的每单位面积的子像素的数量小于所述普通区域中的每单位面积的子像素的数量，并且所述第二光学区域中的每单位面积的子像素的数量大于或等于所述第一光学区域中的每单位面积的子像素的数量，并且小于所述普通区域中的每单位面积的子像素的数量。
16.一种显示面板，所述显示面板包括：
基板，该基板包括显示区域和非显示区域，所述显示区域被配置为显示图像，所述显示区域包括光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域；
在所述基板上方的下屏蔽金属；
在所述下屏蔽金属上的缓冲层；以及
在所述缓冲层上的晶体管层，
其中，所述光学区域包括多个发光区域和多个透射区域，所述光学区域的至少一部分与位于所述基板下方的光学电子装置交叠，
其中，两个或更多个子像素设置在所述光学区域中的相邻透射区域之间的非透射区域中，所述两个或更多个子像素中的每一个包括发光元件、两个或更多个晶体管和存储电容器，并且
其中，所述下屏蔽金属在所述非透射区域中，并且包括至少一个开口，该至少一个开口与包括在所述两个或更多个子像素中的每一个中的所述两个或更多个晶体管中的特定晶体管的全部或至少一部分交叠。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述特定晶体管是包括与一条扫描线交叠的两个沟道和所述两个沟道之间的连接节点的双晶体管。
18.根据权利要求16所述的显示面板，所述显示面板进一步包括：
上屏蔽金属，该上屏蔽金属与所述下屏蔽金属的所述至少一个开口交叠，所述上屏蔽金属比所述下屏蔽金属离所述基板更远。
19.一种显示面板，所述显示面板包括：
基板，该基板包括被配置为显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域；
包括在所述显示区域中的子像素，所述子像素包括多个晶体管和发光元件；以及
所述显示区域中的下屏蔽金属，所述下屏蔽金属与所述发光元件和所述多个晶体管中的第一晶体管交叠，
其中，所述下屏蔽金属包括与所述多个晶体管中的第二晶体管交叠但不与所述发光元件和所述第一晶体管交叠的开口。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述显示区域包括与光学电子装置交叠的光学区域和位于所述光学区域外部的普通区域，所述光学区域包括多个发光区域和多个光透射区域，
其中，所述子像素在所述光学区域的非光透射区域中介于所述多个光透射区域中的一对光透射区域之间。
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