JP2010262251A - 単位回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 有機ＥＬ装置の画像表示において黒浮きさせない。
【解決手段】単位回路（Ｐ）は、駆動電流を有機ＥＬ素子（８）に供給する駆動トランジスター（Ｔｄｒ）のゲートに、データ電位を供給する第１工程と、駆動トランジスター及び有機ＥＬ素子間を導通状態にするか否かを司る発光制御トランジスター（Ｔｅｌ）をオン状態とする第２工程と、前記第１工程の後、かつ、少なくとも前記第２工程の開始時点又は当該時点後の一定の期間、駆動トランジスター及び発光制御トランジスター間を電気的に接続する配線上のノード（Ｚｘ）を基準電位に定める第３工程と、によって駆動される。このうち第３工程には、放電制御トランジスター（Ｔｇｐ）を導通状態とする工程が含まれ、これにより、前記ノード（Ｚｘ）周りの電荷や、有機ＥＬ素子の陽極側の電荷は放電される。
【選択図】図４

Description

本発明は、有機ＥＬ（electro luminescent）素子等の発光素子を含む単位回路の駆動方法、及び、当該単位回路を含む電気光学装置の駆動方法に関する。

薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献１及び２に開示されているようなものが知られている。

特開２００７−１５６６４０号公報

ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては例えば、駆動トランジスターのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機ＥＬ素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機ＥＬ素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、当該駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキにより発光輝度がばらつき、その結果表示画像の品質が低下する、等々である。前述の特許文献１は、この問題の解決を目指して、閾値電圧の補償動作を簡易な構成で行う表示装置を開示する。

しかしながら、解決すべき課題は閾値補償電圧のバラツキに限らない。そのほかにも、画像品質を低下させる原因はいろいろあり、例えば、前記駆動トランジスターのリーク電流等が有機ＥＬ素子に流れ込むことによって、当該有機ＥＬ素子が本来表示すべき階調よりも高い階調で発光してしまうおそれがある。これはコントラスト比の低下等をもたらす。ある有機ＥＬ素子が黒色表示を行うべき場合にこのような現象が生じると、問題は特に明らかとなる。前述の特許文献１では、例えばその図２に示されるように、有機ＥＬ素子と駆動トランジスターとが直接的に接続されるようになっているので、このような問題を有効に解決するものではない。

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な単位回路の駆動方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
また、本発明は、かかる態様の単位回路の駆動方法、電気光学装置、あるいは電子機器に関連する課題を解決可能な、単位回路の駆動方法、電気光学装置、あるいは電子機器を提供することをも課題とする。

本発明に係る単位回路の駆動方法は、上述した課題を解決するため、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子を備えた単位回路を駆動するための単位回路の駆動方法であって、前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスターのゲートに、データ電位を供給する第１工程と、前記駆動トランジスター及び前記発光素子間を導通状態にするか否かを司る発光制御トランジスターをオン状態とする第２工程と、前記第１工程の後、かつ、少なくとも前記第２工程の開始時点又は当該時点後の一定の期間、前記駆動トランジスター及び前記発光制御トランジスター間を電気的に接続する配線上の第１ノードを基準電位に定める第３工程と、を含む。

本発明によれば、駆動トランジスターのゲートへのデータ電位のいわゆる書込動作の後に、発光制御トランジスターがオン状態とされることによって、発光素子が発光する。この発光制御トランジスターの存在により、駆動トランジスターと発光素子とは直接的に接続はされないことになるので、当該発光素子に常時、駆動トランジスターのリーク電流等が流れ込むといったことが防止される。
そして、本発明では特に、この発光制御トランジスターがオン状態とされる第２工程と同期するように、駆動トランジスター及び発光制御トランジスター間を電気的に接続する配線上の第１ノードを基準電位に定める。これにより、基準電位（の供給線）と、発光素子及び駆動トランジスターのドレインとはいわば短絡されることとなって、前記第１ノードに蓄積されていた電荷や、発光素子の寄生容量に蓄積されていた電荷は放電されることになり、また同様に、駆動トランジスターのリーク電流は基準電位に向かって流れ出すことになる。
このようにして、本発明によれば、第３工程によって発光素子の寄生容量の電荷等、発光素子周囲の電荷がいわば一掃されるようになっているから、そのような意図せぬ電荷が発光素子に流れ込むといったおそれが殆どない。

この発明の単位回路の駆動方法では、前記第３工程は、前記第２工程の開始時点前の一定の期間においても、前記第１ノードを前記基準電位に定める工程を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記第３工程は、前記第２工程の開始時点前の一定の期間においても行われるようになっている。この場合、前述した「第２工程」の規定ぶりから、発光制御トランジスターはオフ状態にあることが前提とされているから、基準電位（の供給線）と発光素子との短絡は生じないが、前記第１ノードとの短絡は生じる。したがって、本態様によれば、当該第１ノードに蓄積されていた電荷が放電され、あるいは駆動トランジスターのリーク電流が基準電位に向かって流れ出す。その上で、この第３工程は、前述の通り、第２工程開始時点ないしその“後”の一定の期間にわたっても行われることになる。
このように、本態様によれば、前述した本発明に係る作用効果がより実効的に奏されることになる。

また、本発明の単位回路の駆動方法では、前記第３工程は、前記第１ノード及び前記基準電位の供給線間に設けられた放電制御トランジスターをオン状態とする工程を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記第１ノードを好適に基準電位に設定することが可能である。
なお、本態様では、第１ノードに基準電位を供給するか否かに関し、放電制御トランジスターのオン状態・オフ状態間の遷移が利用されることになるから、典型的には、当該放電制御トランジスターのゲートに適当な期間ないし間隔でハイレベル・ローレベル間を遷移するパルス状の制御信号が供給されることになる。
このことと、前記第３工程が、前述のように「第２工程の開始時点後」、あるいは「第２工程の開始時点前」に行われるということとの間には、例えば以下のような関係を想定することができる。
以下、仮に放電制御トランジスターがｎ型であることを前提とすると、例えば第１に、前記制御信号が、第２工程の開始時点前一定の時点でローレベルからハイレベルに遷移し、第２工程の開始時点においてもそのハイレベルを維持し、第２工程の開始時点後一定の時点でそのハイレベルからローレベルに遷移する、という関係（いわば連続型）を考えることができる。
あるいは第２に、前記制御信号が、第２工程の開始時点前一定の時点で、ローレベルからハイレベルに遷移し、未だ第２工程の開始前においていったんそのハイレベルからローレベルに遷移した後、第２工程の開始時点を迎える、続いて同様に、第２工程の開始時点後一定の時点でローレベルからハイレベルに遷移し、一定時間経過後にハイレベルからローレベルに遷移する、という関係（いわば分断型）を考えることができる。

また、本発明の単位回路の駆動方法では、前記第１工程の前に、前記駆動トランジスターのゲートに、その第１電極が電気的に接続された容量素子の、当該第１電極と対向する第２電極に、初期化電位を供給する初期化工程と、前記第２電極を前記初期化電位に維持したまま、前記駆動トランジスターのゲートとドレインとを電気的に接続することによって、当該駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキを補償する補償工程と、を更に含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキについての補償動作が行われることになる。つまり、本態様によれば、この閾値電圧補償に係る効果とともに、前述した本発明に係る効果を同時に享受することが可能である。

この態様では、前記初期化工程は、前記第２電極及び初期化電位の供給線間に設けられた第１トランジスター、並びに、前記第１電極及び前記放電制御トランジスター間に設けられた第２トランジスター、を共にオン状態とするとともに、前記放電制御トランジスターをオン状態とする工程を含み、前記補償工程は、当該工程の後、前記放電制御トランジスターのみをオフ状態とする工程を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した初期化工程及び補償工程が好適に行われる。特に、すぐ後に述べる態様に比べて、本態様では、第１及び第２トランジスター並びに放電制御トランジスターが同時にオン状態となることから、「初期化」が、いわば徹底して、あるいはより確実に行われ得るという利点が得られる。
なお、本態様がより具体化された形態については、後述する実施形態中、「第１実施形態」として説明される。
また、本態様の上述の規定からわかるように、本態様は、第１ノードを基準電位に定めるための手段としての「放電制御トランジスター」を含む態様を前提とする。

あるいは、「初期化工程」及び「補償工程」が行われる態様では、前記初期化工程は、前記第２電極及び初期化電位の供給線間に設けられた第１トランジスターをオン状態とする工程を含み、前記補償工程は、前記第１トランジスターのオン状態を維持したまま、前記第１電極及び前記放電制御トランジスター間に設けられた第２トランジスターをオン状態とする工程を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した初期化工程及び補償工程が好適に行われる。特に、すぐ前に述べた態様に比べて、本態様では、第１及び第２トランジスターの駆動順序に工夫を加えることによって、初期化及び閾値補償が行われるようになっており、前記態様の初期化工程におけるように、基準電位の供給線に向かって比較的大きな電流が流れるといった事象が発生することがないから、消費電力が大きくなる懸念が殆どないという利点が得られる。
また、同じ理由から、本態様では、基準電位の供給線の電位を安定化させることができ、当該供給線と前記第１ノードとの電位差をほぼ常に大きく確保しておくことが可能である。このことは、前述した本発明に係る作用、即ち当該第１ノードに蓄積された電荷等の放電、がよりよく行われる可能性を高める。
なお、本態様がより具体化された形態については、後述する実施形態中、「第２実施形態」として説明される。

前記「初期化工程」が行われる態様では、前記初期化電位は、前記基準電位とは異なる電位である、ように構成してもよい。
この態様によれば、初期化電位と基準電位という使用目的の異なる両者に関し、その目的に応じた好適な、具体的な電位の値がそれぞれ設定され得ることになる。なお、「初期化電位」は、初期化工程後の第１工程において、駆動トランジスターのゲートの基準の電位（つまり、データ電位書込に際しての基準の電位）として機能することが目的とされており、「基準電位」は、冒頭から述べているように、第１ノード等の放電を実現するための電位として機能することが目的とされている。

この態様では、前記基準電位は、前記初期化電位よりも低い電位である、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した、本発明に係る放電効果をより高めることが可能になる。

本発明の好適な態様に係る駆動方法は、前記第１工程の前に、前記第１電極及び前記第１ノード間に設けられた第２トランジスターと前記放電制御トランジスターとを共にオン状態とする初期化工程と、前記第２トランジスターをオン状態とするとともに前記放電制御トランジスターをオフ状態とすることによって、前記駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキを補償する補償工程とを更に含み、前記初期化工程において、前記基準電位の供給線の電位を、当該基準電位よりも高い電位に設定する。以上の態様においては、初期化工程において、基準電位の供給線の電位が、当該基準電位よりも高い電位に設定されるから、供給線の電位が初期化工程でも基準電位に固定される構成と比較して、初期化工程にて駆動トランジスターと放電制御トランジスターとを介して流れる電流が低減される。したがって、電気光学装置の消費電力を削減することが可能である。

一方、本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記発光素子及び前記駆動トランジスター間を導通状態にするか否かを司る発光制御トランジスターと、一端が前記駆動トランジスター及び前記発光制御トランジスター間の配線上の第１ノードに接続され、他端が基準電位の供給線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記第１ノードに存在する電荷を放電するように、前記複数の単位回路の各々に含まれる前記発光制御トランジスター及び前記スイッチング素子を駆動する駆動回路、を備える。

本発明によれば、駆動回路が、第１ノードに存在する電荷が放電されるように、発光制御トランジスター及びスイッチング素子を駆動することから、前述した本発明に係る「単位回路の駆動方法」によって奏された作用効果と同様の作用効果が奏される。逆に言えば、この「単位回路の駆動方法」は、本発明に係る「単位回路」を駆動するための好適な方法を提供するものといえる。

この発明の電気光学装置では、前記駆動回路は、前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位が供給された後、前記発光素子及び前記駆動トランジスター間を導通状態にするように前記発光制御トランジスターを駆動し、それと同時に又はその後の一定の期間、前記スイッチング素子を導通状態とするように当該スイッチング素子を駆動する、ように構成してもよい。
この態様によれば、前述した本発明に係る「単位回路の駆動方法」を実質的に含んでなるので、それによって奏された作用効果と同様の作用効果が奏される。

また、本発明の電気光学装置では、前記単位回路は更に、前記データ線と第２ノードとの間に設けられたデータ電位書込用トランジスターと、前記第２ノードと初期化電位の供給線との間に設けられた第１トランジスターと、前記第１ノードと、前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続された第３ノードとの間に設けられた第２トランジスターと、一方の電極が前記第３ノードに電気的に接続され、他方の電極が前記駆動トランジスターのソースに電気的に接続された電源線に接続された第１容量素子と、一方の電極が前記第２ノードに電気的に接続され、他方の電極が前記電源線に接続された第２容量素子と、第１電極が前記前記第３ノードに電気的に接続され、第２電極が前記第２ノードに電気的に接続された第３容量素子と、ように構成してもよい。
この態様は、データ線と駆動トランジスターのゲートとの連絡をとる好適な構成（特に、第３容量素子）や、駆動トランジスターのゲート及びドレイン間を接続する好適な構成（特に、第２トランジスター）等を備えることから、当該ゲートの初期化、あるいは当該駆動トランジスターの閾値電圧の補償動作等が好適に行われうる。
なお、本態様がより具体化された形態については、後述する実施形態において改めて説明される。

また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を含んでなるので、第１ノードに蓄積された電荷が放電されることにより、意図せぬ電荷が発光素子に流れ込むといったおそれが殆どない。したがって、本発明によれば、コントラスト比がよく維持された、黒浮きしない高品質な画像を表示することが可能である。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。 図１の電気光学装置を構成する画素回路の詳細を示す回路図である。 図２の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 図３の「Ｔｄｒドレイン放電」及び「有機ＥＬ素子アノード放電」の各動作における電荷の流れを視覚的に表現する説明図である。 図４の放電動作が行われる場合における、図２のノード（Ｚｙ）の電位の変動の様子を視覚的に表現する説明図である。 図４の対比例であって、図４の放電動作が行われない場合における、図２のノード（Ｚｙ）の電位の変動の様子を視覚的に表現する説明図である。 図３と同趣旨の図であって、本発明の第２実施形態に係るタイミングチャートである。 図７のタイミングチャートに従った動作が行われる場合における駆動トランジスターのゲートの電位の変動の様子を示す説明図である。 本発明の第３実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。 図９の電気光学装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。 図３と同趣旨の図であって、本発明の第３実施形態に係るタイミングチャートである。 発光制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）の立上り時点と放電制御信号（ＧＰ[ｉ]）の立上り時点及び立下り時点の関係を説明するための説明図である。 発光制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）の立上り時点と放電制御信号（ＧＰ[ｉ]）の立上り時点及び立下り時点の関係の変形例（その１）を説明するための説明図である。 発光制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）の立上り時点と放電制御信号（ＧＰ[ｉ]）の立上り時点及び立下り時点の関係の変形例（その２）を説明するための説明図である。 発光制御信号（ＧＥＬ[ｉ]）の立上り時点と放電制御信号（ＧＰ[ｉ]）の立上り時点及び立下り時点の関係の変形例（その３）を説明するための説明図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る電気光学装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

＜第１実施形態＞
以下では、本発明に係る第１の実施の形態について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図１及び図２に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。

有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、電源線１１３、走査線駆動回路１０３、並びにデータ線駆動回路１０６である。

有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられる。それら複数の有機ＥＬ素子８はＮ行×Ｍ列のマトリクス状に配列されている（Ｎ，Ｍは自然数）。有機ＥＬ素子８の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。

走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３に接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。なお、電源線１１３が、データ線６と並行するように配列されている。この電源線１１３には、高電源電位Ｖｅｌが供給される。
前記のうち走査線駆動回路１０３は、走査線３のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路１０６は、走査線駆動回路１０３によって選択された走査線３に対応する各有機ＥＬ素子８に向けて、各データ線６を通じてデータ信号を供給するための回路である。

各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。

単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、駆動トランジスターＴｄｒ、発光制御トランジスターＴｅｌ、放電制御トランジスターＴｇｐ、第１〜第３トランジスターＴｒ１〜Ｔｒ３、及び第１〜第３容量素子Ｃ１〜Ｃ３を含む。
なお、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、図２に示すように実際には４本の配線を含む。各配線には走査線駆動回路１０３から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]、及び放電制御信号ＧＰ[ｉ]が供給される。このうち第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]は、図２に示すように相互共通（ないしは相互共用）である。これら各信号の具体的な意義やこれに応じた単位回路Ｐの動作については後述する。なお、ここで使われた符号ｉは、前記マトリクス状配列の中の行番号を意味する（図１参照。１本の走査線３が４本の配線からなるので、全走査線３に含まれる配線数は結局、４Ｎ本である。）。

駆動トランジスターＴｄｒはｐチャネル型であり、電源線１１３から有機ＥＬ素子８の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスターＴｄｒのソース（Ｓ）は電源線１１３に接続される。
この駆動トランジスターＴｄｒは、ソース（Ｓ）とドレイン（Ｄ）との導通状態（ソース−ドレイン間の抵抗値）がゲート電位Ｖgに応じて変化することで当該ゲート電位Ｖgに応じた駆動電流Ｉelを生成する手段である。なお、ゲート電位Ｖｇは、データ線６を通じて供給されるデータ信号Ｄａｔａの大きさに応じる。
こうして、有機ＥＬ素子８は、駆動トランジスターＴｄｒの導通状態、ないしはデータ信号Ｄａｔａに応じて駆動される。

発光制御トランジスターＴｅｌは、ｎチャネル型であり、駆動トランジスターＴｄｒと有機ＥＬ素子８の画素電極との間にある。この発光制御トランジスターＴｅｌのゲートには、前記発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]が供給される。発光制御信号ＧEL[ｉ]がハイレベルに遷移すると発光制御トランジスターＴｅｌがオン状態に変化して有機ＥＬ素子８に対する駆動電流Ｉｅｌの供給が可能となる。これにより、有機ＥＬ素子８は駆動電流Ｉｅｌに応じた階調（輝度）で発光する。これに対して、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がローレベルである場合には発光制御トランジスターＴｅｌがオフ状態を維持するから、駆動電流Ｉｅｌの経路が遮断されて有機ＥＬ素子８は消灯する。
なお、有機ＥＬ素子８の画素電極は、前記駆動トランジスターＴｄｒを介して前述した高電源電位Ｖｅｌが供給される電源線１１３に接続され、その対向電極は低電源電位ＶＣＴが供給される電位線（不図示）に接続される。

放電制御トランジスターＴｇｐはｎチャネル型であり、図２に示すように、そのドレインは駆動トランジスターＴｄｒ及び発光制御トランジスターＴｅｌ間を繋ぐ配線上のノードＺｘに接続され、そのソースは基準電位ＧＮＤが供給される電位線（不図示）に接続される。この放電制御トランジスターＴｇｐのゲートには、前記放電制御信号ＧＰ[ｉ]が供給される。放電制御信号ＧＰ[ｉ]がハイレベルに遷移すると放電制御トランジスターＴｇｐがオン状態に変化して、前記ノードＺｘと基準電位ＧＮＤが供給される電位線間を導通状態にする。
この放電制御トランジスターＴｇｐに関する作用効果については、後に改めて説明する。

第１〜第３容量素子Ｃ１〜Ｃ３は、いずれも、２つの電極間に誘電体が介挿された素子である。それぞれの容量値は、Ｃｈ１，Ｃｈ２及びＣｃである。
第１容量素子Ｃ１の一方の電極及び第２容量素子Ｃ２の一方の電極（いずれも図中上方の電極）は電源線１１３に接続される。また、第１容量素子Ｃ１の他方の電極は第３容量素子Ｃ３の一方の電極（図中右方の電極）に接続され、第２容量素子Ｃ２の他方の電極は第３容量素子Ｃ３の他方の電極（図中左方の電極）に接続される。

第１トランジスターＴｒ１は、ノードＺ１とデータ線６との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第１トランジスターＴｒ１のゲートには前記の走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]が供給される。
第２トランジスターＴｒ２は、ノードＺ１と初期化電位ＶSTが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第２トランジスターＴｒ２のゲートには前記の第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]が供給される。
第３トランジスターＴｒ３は、ノードＺ２と駆動トランジスターＴｄｒのドレインとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第３トランジスターＴｒ３のゲートには前記の第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]が供給される。なお、この第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]と、前述した第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]は、既述のように相互に共用関係にある。つまり、これら第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]は、別々の信号ではなくて、同一の信号である。

次に、以上のような構成をもつ有機ＥＬ装置１００、特に単位回路Ｐの動作ないし作用及び効果について、既に参照した図１及び図２に加えて、図３乃至図６を参照しながら説明する。
〔ｉ〕初期化（リセット期間）： まず、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮI１［ｉ］及びＧＩＮＩ２[ｉ]が、図３に示すようにともにハイレベルとなる。これにより、第２トランジスターＴｒ２がオン状態となり、初期化電位ＶＳＴの供給線とノードＺ１とが導通状態となる。また、これに同期して、放電制御信号ＧＰ[ｉ]がハイレベルとなって、放電制御トランジスターＴｇｐがオン状態となり、かつ、第３トランジスターＴｒ３が第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がハイレベルとなることによりオン状態となることから、基準電位ＧＮＤの供給線とノードＺ２とが導通状態となる。
以上により、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇ、あるいは第３容量素子Ｃ３の初期化が行われる。

〔ｉｉ〕補償： 次に、放電制御信号ＧＰ［ｉ］が、図３に示すようにローレベルとなる。これにより、放電制御トランジスターＴｇｐがオフ状態となり、駆動トランジスターＴｄｒのゲートとドレインが短絡される。すなわち、駆動トランジスターＴｄｒはダイオード接続され、そのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈに漸近する。したがって、ゲート電位Ｖｇは、Ｖｇ＝Ｖｅｌ−Ｖｔｈに漸近する。なお、この一連の過程中、第１容量素子Ｃ１は閾値電圧Ｖｔｈを保持する。なお、ここでＶｔｈは駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧である。
〔ｉｉｉ〕データ書込： 次に、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮI２［ｉ］がローレベルに遷移して第２・第３トランジスターＴｒ２・Ｔｒ３がオフ状態となる一方、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルとなることで、第１トランジスターＴｒ１がＯＮとなる。この際、適当な電位（データ電位）をもつデータ信号がデータ線６を通じて供給されると、それに応じて第３容量素子の電極（図２中左方の電極）の電位が変動し、さらにそれに伴って駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇが変動する。ここで「適当な電位」というのは、当該の有機ＥＬ素子８の発光階調に加えて、第１・第３容量素子Ｃ１・Ｃ３による分圧等の影響を勘案した上で設定される電位であることを含意する。結局、ゲート電位Ｖｇは、このようなデータ信号の大きさに応じて変動する。
なお、図３においては、このデータ書込動作において、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がハイレベルとなるのに同期して、放電制御信号ＧＰ[ｉ]がハイレベルとなっているが、この点については後述する。

〔ｉｖ〕放電： 次に、走査信号ＧＷＲＴ[ｉ]がローレベルに遷移して第１トランジスターＴｒ１がオフ状態となる一方、放電制御信号ＧＰ［ｉ］が、図３に示すようにハイレベルとなる。これにより、放電制御トランジスターＴｇｐがオン状態となり、基準電位ＧＮＤと駆動トランジスターＴｄｒのドレインとが導通状態となる。これによって、ノードＺｘと基準電位ＧＮＤの供給線とは導通状態となり、駆動トランジスターＴｄｒのドレインに蓄積されていた電荷が放電されることになる（図４中矢印Ａｒ１、及び、波線で示されたコンデンサーＵＣ１参照）。
続いて、放電制御トランジスターＴｇｐのオン状態が維持されたまま、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]がハイレベルとなり、発光制御トランジスターＴｅｌがオン状態となる。これにより、有機ＥＬ素子８と基準電位ＧＮＤの供給線とは短絡されることになるから、有機ＥＬ素子８と発光制御トランジスターＴｅｌとの間のノードＺｙに存在する電荷や有機ＥＬ素子８の陽極側の電荷、あるいは有機ＥＬ素子８に寄生する寄生容量ＵＣ２に蓄積されていた電荷が放電されることになる（図４中矢印Ａｒ２参照）。

〔ｖ〕駆動： 次に、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]のハイレベルが維持されたまま、放電制御信号ＧＰ[ｉ]がローレベルに遷移する。これにより、有機ＥＬ素子８には、ゲート電位Ｖｇに応じた大きさの駆動電流Ｉｅｌが駆動トランジスターＴｄｒから供給されることになり、当該有機ＥＬ素子８は発光する。

以上の〔ｉ〕〜〔ｖ〕までの各動作は、図１に示す全有機ＥＬ素子８ないし全単位回路Ｐに関して行われるが、その際、当該の各動作は、ｉ＝１，２，…，Ｎという順番に従って行われる。すなわち、はじめに第１行目に対応する単位回路Ｐにつき前記〔ｉ〕から〔ｖ〕までの動作が行われた後は、第２行目，…，第Ｎ行目に対応する単位回路Ｐという順番で、前記〔ｉ〕から〔ｖ〕までの動作が行われる。
「１フレーム」は、第１行目から第Ｎ行目までの各単位回路Ｐに関する前記動作が１回完了するまでの時間として定義される。

以上の各動作のうち、特に〔ｉｖ〕放電動作が行われる場合におけるノードＺｙ（既述のように、これは有機ＥＬ素子８と発光制御トランジスターＴｅｌとの間のノードである。）の電位の変動の様子を視覚的に表現すると、図５に示すようになる。
まず、前フレームの終了時において、ノードＺｙはある一定の電位となっている。このような状態において、上述した〔ｉｖ〕放電動作が行われると、ノードＺｙは理論的には完全に基準電位ＧＮＤに一致する。つまり、ノードＺｙに余分な電荷の蓄積がない状態になることになる。
かかる状態から更に、上述の〔ｖ〕駆動動作が行われると、有機ＥＬ素子８には駆動トランジスターＴｄｒで生成された電流が供給されることになる。図５の場合では、「黒表示」を行う場合が例示されているが、この場合でも、有機ＥＬ素子８に電流が流れることに変わりない。その原因は、駆動トランジスターＴｄｒのリーク電流や有機ＥＬ素子８の寄生容量ＵＣ２に蓄えられた電荷等である（図中下向きの矢印参照）。したがって、ノードＺｙの電位は、図５に示すように表示期間中、次第に上昇していく。もっとも、第１実施形態では、前述の〔ｉｖ〕放電動作が先んじて行われることで、ノードＺｙの電位が十分に低下している。したがって、その電位が、有機ＥＬ素子８の発光電圧の下限を超えるようなものに到達するという事態は極めて生じにくくなっている。
後は、前述のように以上の繰り返しとなる。

以上に述べたような有機ＥＬ装置１００ないし単位回路Ｐによれば、次のような効果が奏される。
（１） まず、第１実施形態によれば、真の黒色表示を行いたい場合に有機ＥＬ素子８に意図せぬ電流が流れ込むことによってコントラスト低下が起きるという、いわゆる黒浮き現象を生じさせるおそれが極めて低い。これは、前述のように、〔ｉｖ〕放電動作によって、駆動トランジスターＴｄｒのドレイン（あるいはノードＺｘ）ないしはノードＺｙや、有機ＥＬ素子８の寄生容量ＵＣ２に蓄積されていた電荷が、有機ＥＬ素子８の発光前に放電されることによっている。そのより詳細な機序については図５を参照して説明した。
このような効果は、前述の図５と図６とを対比するとより明瞭に把握される。すなわち、図６は、〔ｉｖ〕放電動作を行わない場合におけるノードＺｙの電位の変動の様子を示しているが、この場合は、「黒表示」の開始時点直前において、ノードＺｙの電位が一定程度以上の値を維持したままの状態にあるから、黒表示期間中、その電位が有機ＥＬ素子８の発光電圧の下限を超えるようなものに到達してしまうおそれが極めて高い。そうすると、有機ＥＬ素子８が意図せぬ発光を行うことになり、前述した黒浮き現象が生じてしまう（図６の最右方参照）。
このような対比から明らかなように、第１実施形態によれば、このような不具合を被るおそれは極めて低いのである。

（２） また、第１実施形態によれば、図３に示した、〔ｉ〕初期化から〔ｖ〕駆動までの一単位の期間中、放電制御信号ＧＰ[ｉ]が規則的にハイレベルになるようになっているから、走査線駆動回路１０３の構成を簡易化することができる。

＜第２実施形態＞
以下では、本発明に係る第２実施形態について図７及び図８を参照しながら説明する。なお、この第２実施形態は、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]と第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]とが相互独立となって、その各々が上記第１実施形態とは異なる挙動を示す点について特徴があり、それ以外の点については、上記第１実施形態の構成及び動作ないし作用等と同様である。したがって、以下では、前記相違点について主に説明を行うこととし、それ以外の点についての説明は適宜簡略化し、あるいは省略する。

この第２実施形態では、まず、第１及び第２補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]及びＧＩＮＩ２[ｉ]が相互独立の信号となることから、上記第１実施形態とは異なって、図１では便宜的に１本の配線として図示された走査線３は、５本の配線を含む（不図示）。また、これに伴って、走査線駆動回路１０３も、第１補償制御信号ＧＩＮＩ１[ｉ]と、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]とを別々に、前記５本の配線のうちの２本の配線に供給する。

これを前提に、第２実施形態では、主に、上記第１実施形態における〔ｉ〕初期化動作と〔ｉｉ〕補償動作とが変更を受ける。以下、これを〔ｉ’〕及び〔ｉｉ’〕と称して説明する。
〔ｉ’〕初期化（リセット期間）： まず、第１補償制御信号ＧＩＮI１［ｉ］が、図７に示すようにハイレベルとなる。これにより、第２トランジスターＴｒ２がオン状態となり、初期化電位ＶＳＴの供給線とノードＺ１とが導通状態となる。この場合、第２補償制御信号ＧＩＮＩ２[ｉ]がローレベルを維持したままであることが、第１実施形態とは異なる点である。
単位回路Ｐは、先に述べたように初期化動作から駆動動作までの各動作を繰り返し行うから、この〔ｉ’〕初期化動作は、最後の〔ｖ〕の駆動動作が終わった後に行われる。したがって、初期化を実行するにあたって、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇは、〔ｉｉ〕の補償動作及び〔ｉｉｉ〕のデータ書込動作によって（特に後者におけるデータ信号の書込に応じて）変動している。
これを前提に、前述のように、第２トランジスターＴｒ２がオン状態となって、初期化電位ＶＳＴの供給線と、ノードＺ１、即ち第３容量素子Ｃ３の他方の電極（図２中左方の電極）とが導通状態となると、ゲート電位Ｖｇは、〔ｉｉ〕の補償動作時のゲート電位（より正確には、当該の初期化動作の直前に行われた補償動作によって達成されたゲート電位）、即ちＶｇ＝Ｖｅｌ−Ｖｔｈに近い値になる。

〔ｉｉ’〕補償： 次に、第１補償制御信号ＧＩＮI１［ｉ］がハイレベルを維持したまま、第２補償制御信号ＧＩＮI２［ｉ］が、図７に示すようにハイレベルとなる。これにより、第３トランジスターＴｒ３がオン状態となり、駆動トランジスターＴｄｒのゲートとドレインが短絡される。すなわち、駆動トランジスターＴｄｒはダイオード接続され、そのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Ｖｔｈに漸近する。したがって、ゲート電位Ｖｇは、Ｖｇ＝Ｖｅｌ−Ｖｔｈに漸近する。なお、この一連の過程中、第１容量素子Ｃ１は閾値電圧Ｖｔｈを保持する。

以後、〔ｉｉｉ〕データ書込動作、〔ｉｖ〕放電動作、及び〔ｖ〕駆動動作は、基本的に上記第１実施形態と同じである。特に、この第２実施形態でも、本発明一般に関する特徴である〔ｉｖ〕放電動作、即ち有機ＥＬ素子８の発光前に放電制御トランジスターＴｇｐがオン状態となってノードＺｘの放電が行われ、また、有機ＥＬ素子８の発光直後も放電制御トランジスターＴｇｐのオン状態が維持されて、有機ＥＬ素子８の寄生容量ＵＣ２の放電が行われることに変わりない。

以上のような各動作によって、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇは、例えば図８に示すように変動する。
図８の上段は、もともと黒表示を行っていた単位回路Ｐが、前記〔ｉ’〕〔ｉｉ’〕、そして〔ｉｉｉ〕から〔ｖ〕の各動作を通じて白表示を行おうとする場合における駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇの変動の様子である。黒表示を行う場合は、駆動電流Ｉｅｌを極小とするため、ゲート電位Ｖｇは相対的に高い。これが、前述した〔ｉ’〕の初期化動作の前の状態である。
この状態で、この〔ｉ’〕の初期化動作が行われると、前述のように、第３容量素子Ｃ３の他方の電極（図２中左方の電極）の電位が初期化電位ＶＳＴと同電位となるので、容量カップリングによって、ゲート電位Ｖｇは、Ｖｅｌ−Ｖｔｈに一致するか又はそれに近くなるまで落ちる。

前記〔ｉｉ’〕の補償動作は、この傾向をいわばさらに強化する作用を果たす。このことは、閾値電圧の補償がよりよく行われることを意味する。また、前記〔ｉ’〕〔ｉｉ’〕、そして〔ｉｉｉ〕から〔ｖ〕までの各動作は繰り返し行われるが、その都度の補償期間（即ち、１フレーム毎の補償期間）は短くとも、以上のような〔ｉ’〕及び〔ｉｉ’〕の動作がたびたび行われることによって、十分な補償期間を確保することができ、その結果、十分に実効的な閾値電圧の補償が行われ得ることになる。

次いで、前記〔ｉｉｉ〕データ書込動作が行われると、ゲート電位Ｖｇは、白表示を行うための電位をもつ。図８の上段では、その電位が（Ｖｄａｔａ−ＶＳＴ）×Ｃｃ／（Ｃｃ＋Ｃｈ１）と表わされている。ここで、Ｖｄａｔａは、白表示を行うため、データ線６を介して供給されてくるデータ電位である。

なお、図８の下段は、前記とは逆に、もともと白表示を行っていた単位回路Ｐが、前記〔ｉ’〕〔ｉｉ’〕、そして〔ｉｉｉ〕から〔ｖ〕の各動作を通じて黒表示を行おうとする場合における駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇの変動の様子である。白表示を行う場合は、駆動電流Ｉｅｌを極大とするため、ゲート電位Ｖｇは相対的に低い。
このように、出発点の電位の高低及びその後のゲート電位Ｖｇは前記の場合と逆に次第に上昇していく、という相違点はあるものの、ゲート電位Ｖｇの変動の様子は、基本的に、上述した黒表示→白表示の場合と同じである。

後は、このような動作が繰り返し行われる結果、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇは、第３容量素子Ｃ３の図２中左側の電極に供給される電位が初期化電位ＶＳＴかデータ電位Ｖｄａｔａかに応じ、当該第３容量素子Ｃ３の容量カップリング作用によって変動する。そして、前者の場合に、ゲート電位Ｖｇは速やかに補償後電位に復帰する。第２実施形態においては、そのような意味において「初期化」が実施される。

このような第２実施形態によっても、上述のように〔ｉｖ〕放電動作が行われることに変わりはないから、上記第１実施形態によって奏された作用効果と本質的に異ならない作用効果が奏されることは明白である。
しかも、第２実施形態では、これに加えて以下のような効果も奏される。
すなわち、まず、上述のように、第１補償制御信号ＧＩＮI１［ｉ］が、第２補償制御信号ＧＩＮI２［ｉ］よりも一足早くハイレベルとなり、第２トランジスターＴｒ２のみがオン状態とされることで、容量カップリングによる初期化が行われるようになっているため、〔ｉ’〕の初期化動作において、無駄に電流が流れるということがないから、消費電力が大きくなる懸念が殆どない。
この点、第１実施形態においては、〔ｉ〕の初期化動作において、放電制御トランジスターＴｇｐがオン状態とされることから、電源線１１３と基準電位ＧＮＤの供給線との間に比較的大きな電流が流れるおそれがある点と異なる。
また、これに関連して、第２実施形態では、基準電位ＧＮＤの供給線の電位変動が生じにくい状況となっているといえるから、その電位変動を原因とした輝度ムラの発生等が抑制されるという効果も得られる。

さらに、第２実施形態では、これに関連して、〔ｉｖ〕放電動作の効果（即ち、ノードＺｘ，Ｚｙの電位低下効果）がより実効的に奏される可能性を高める。というのも、第１実施形態では、上述のように基準電位ＧＮＤの供給線に比較的大きな電流が流れるためにその電位が上昇するおそれがあり、そうすると、基準電位ＧＮＤの供給線とノードＺｘ，Ｚｙとの電位差を狭めてしまうおそれが生じて、〔ｉｖ〕放電動作の効果を思ったほど享受できない場合が生じ得ないではないが、第２実施形態では、そもそも、〔ｉ’〕初期化動作において基準電位ＧＮＤの供給線を用いることがなく、そのような懸念がないからである。

なお、基準電位ＧＮＤは放電に使用する電位であり、低い方が放電効果がより実効的に奏される可能性を高めることができる。一方、初期化電位ＶＳＴはデータ書込みの基準となる電位である（前述した、図８の上段に示す「（Ｖｄａｔａ−ＶＳＴ）×Ｃｃ／（Ｃｃ＋Ｃｈ１）」参照）。このように基準電位ＧＮＤと初期化電位ＶＳＴは使用目的が異なるため、異なる電位であることが望ましい。
仮に基準電位ＧＮＤと初期化電位ＶＳＴを、どちらか一方、例えば「ＧＮＤ」に合わせてしまう場合、放電効果は得られるが、白を表示するためにはデータ電位（Ｖｄａｔａ)をＶＳＴより小さくする必要があり、データ電位にマイナスの電位を使用しなければならないことになる。すると、電圧生成回路が複雑になってしまう等の不都合が生じる。
この点、基準電位ＧＮＤと初期化電位ＶＳＴとが異なる電位であれば、両者の目的に沿った具体的な電位を定めることができるから、このような不都合を被るおそれがないのである。

以上のように、第２実施形態では、第１実施形態と対比して、各種の効果が享受可能となってはいるが、「初期化」それ自体の効果を重視するなら、容量カップリング作用によるのではなく、初期化電位ＶＳＴ、ないし基準電位ＧＮＤの供給線との導通状態を実現する第１実施形態の方が、より確実であるということはいえる。
このように第１及び第２実施形態においては、その各々に固有の作用効果がある。両者の相違について一概に善悪を決することは容易ではなく、どちらの形態を選ぶかは、最終的には、その他の様々な要因との兼ね合い等の関係から決められる。

＜第３実施形態＞
図９は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置１０１のブロック図である。図９に示すように、有機ＥＬ装置１０１は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に電位生成回路１０９を追加すると共に、基準電位ＧＮＤの供給線をＮ本の供給線１１５に置換した構成である。

Ｎ本の供給線１１５は、有機ＥＬ素子８の各行に対応するように図中左右方向に延びる。電位生成回路１０９は、電源線１１３に供給される高電源電位Ｖｅｌを生成するほか、放電用電位ＶＸ［１］〜ＶＸ［Ｎ］を生成してＮ本の供給線１１５に供給する。放電用電位ＶＸ［ｉ］は第ｉ行の供給線１１５に供給される。なお、高電源電位Ｖｅｌを生成する回路と放電用電位ＶＸ［１］〜ＶＸ［Ｎ］を生成する回路とを別個に実装してもよい。

各単位回路Ｐにおいては、図１０に示すように、ノードＺｘ（駆動トランジスターＴｄｒ及び発光制御トランジスターＴｅｌ間を繋ぐ配線上）と供給線１１５との間に放電制御トランジスターＴｇｐが介在する。

図１１に示すように、走査線駆動回路１０３が生成する各信号の波形は第１実施形態と同様である。電位生成回路１０９は、駆動トランジスターＴｄｒのゲート電位Ｖｇの初期化のために放電制御信号ＧＰ［ｉ］がハイレベルに設定される期間（すなわち、第ｉ行について初期化が実行されるリセット期間）にて放電用電位ＶＸ［ｉ］を所定の電位ＶＨに設定し、当該期間の経過後に放電用電位ＶＸ［ｉ］を基準電位ＧＮＤに設定および維持する。図１１に示すように、電位ＶＨは、基準電位ＧＮＤよりも高い電位である。

前述の〔ｉ〕の初期化が実行される期間では、第１実施形態と同様に、放電制御トランジスターＴｇｐと第３トランジスターＴｒ３とがオン状態に制御されるから、供給線１１５とノードＺ２（駆動トランジスターＴｄｒのゲート）とが導通状態となる。したがって、ノードＺ２の電位（ゲート電位Ｖｇ）は、放電用電位ＶＸ［ｉ］の電位ＶＨに応じた電位に設定される。〔ｉ〕の初期化時に駆動トランジスターＴｄｒがオン状態となるように、電位ＶＨは、高電源電位Ｖｅｌよりも駆動トランジスターＴｄｒの閾値電圧Ｖｔｈだけ低い電位（Ｖｅｌ−Ｖｔｈ）を下回るように設定される（すなわち、ＧＮＤ＜ＶＨ＜Ｖｅｌ−Ｖｔｈ）。

他方、駆動トランジスターＴｄｒのドレインの電荷やノードＺｙの電荷が放電される期間（前述した〔ｉｖ〕の放電のために放電制御信号ＧＰ［ｉ］がハイレベルに設定される期間）では、放電用電位ＶＸ［ｉ］は基準電位ＧＮＤに設定される。したがって、〔ｉｖ〕の放電の動作は第１実施形態と同様である。

〔ｉｖ〕の放電時に電荷を有効に放電するためには基準電位ＧＮＤを充分に低い電位に設定することが望ましい。しかし、供給線１１５の電位を基準電位ＧＮＤに固定した構成（例えば第１実施形態）のもとで基準電位ＧＮＤを充分に低下させると、電源線１１３（高電源電位Ｖｅｌ）と供給線１１５との間の電圧が増加するから、初期化時に、電源線１１３から駆動トランジスターＴｄｒと放電制御トランジスターＴｇｐとを経由して供給線１１５に至る経路に大きい電流が流れ、この結果として消費電力が増大するという問題がある。第３実施形態においては、〔ｉ〕の初期化時に、供給線１１５の電位が、基準電位ＧＮＤよりも高い電位ＶＨに設定されるから、初期化時に電源線１１３から供給線１１５に流れる電流は、供給線１１５の電位を基準電位ＧＮＤに固定した構成と比較して低減される。したがって、効果的な放電のために基準電位ＧＮＤを充分に低い電位に設定した場合でも、有機ＥＬ装置１０１の消費電力を削減することが可能である。

また、供給線１１５には抵抗が付随するから、〔ｉ〕の初期化のときに給電線１１５に大電流が流れると、給電線１１５の基準電位ＧＮＤ（ひいては駆動トランジスターＴｄｒのドレインの電位）が上昇する。この結果、〔ｉｖ〕の放電を有効に実行できない可能性がある。さらに、初期化時の電流に起因した基準電位ＧＮＤの上昇量は、単位回路Ｐの位置に応じて（すなわち、基準電位ＧＮＤの供給源から各単位回路Ｐまでの経路の抵抗値に応じて）相違するから、各有機ＥＬ素子８の輝度にバラツキ（輝度ムラ）が発生するという問題もある。第３実施形態においては、〔ｉ〕の初期化のときに電源線１１３から供給線１１５に流れる電流が低減されるから、初期化時の電流に起因した、〔ｉｖ〕の放電の効果の低下や各有機ＥＬ素子８の輝度のバラツキを、有効に低減できるという利点もある。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る有機ＥＬ装置ないし画素回路は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
上記第１及び第２実施形態においては、図３あるいは図７に示すように、放電制御信号ＧＰ[ｉ]が、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点を跨ぐようなパルス幅をもつパルス信号である場合について説明した。すなわち、図１２に改めて示すように、放電制御信号ＧＰ[ｉ]の立上り時点Ｔ１と立下り時点Ｔ３との間に挟まれるように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２は存在する（なお、図１２は、図３から両信号（ＧＰ[ｉ]，ＧＥＬ[ｉ]）に係る部分だけを抜き出して図示したものである。）。

しかしながら、本発明は、このような形態に限定されない。
例えば、図１３に示すように、放電制御信号ＧＰ[ｉ]の立上り時点Ｔ１は、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２に一致してもよい。この場合でも、有機ＥＬ素子８と基準電位ＧＮＤの供給線との短絡、あるいは、ノードＺｘと当該供給線との短絡は、上記各実施形態と同様に生じることから、それらによって奏された作用効果と同様の作用効果が奏されることに変わりはないからである。
あるいはまた、場合によっては、放電制御信号ＧＰ[ｉ]の立上り時点Ｔ１と発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２との間隔と、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２と放電制御信号ＧＰ[ｉ]の立下り時点Ｔ３との間隔とが、図１２に示すように一致している必要はなく、図１４に示すように、これら両間隔が異なっていてもよい。
さらには、図１５に示すように、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２の前に、立上り時点Ｔ１及び立下り時点Ｔ３（この場合は、Ｔ１＜Ｔ２，Ｔ３＜Ｔ２）をもつ１発目のパルス信号たる放電制御信号ＧＰ[ｉ]が生成されるとともに、発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点Ｔ２の後に、立上り時点Ｔ４及び立下り時点Ｔ５をもつ２発目のパルス信号たる放電制御信号ＧＰ[ｉ]が生成される、といった態様が採用されてもよい。

加えて、以下の点は既に図３及び図７の対比からも明らかであるが、パルス状の放電制御信号ＧＰ[ｉ]は、上述のように発光制御信号ＧＥＬ[ｉ]の立上り時点との関わり合いにおいてのみ生成されてもよいし（図７参照。あるいは図１３乃至図１５も参照）、あるいは、所定の間隔でもって連続的に生成されてもよい（図３参照。あるいは図１２も参照）。後者の場合、信号生成方法の単純化が期待できることにより、走査線駆動回路１０３の構成の簡易化が実現可能であるという効果が得られることについては既に述べた。また、この場合、単位回路Ｐの構成如何によっては、いわばその余分の信号（図３又は図１２でいえば２番目のパルス信号）を、他の回路要素の制御や他の制御信号の生成の便宜のため等に用いることが考えられてもよい。

いずれにせよ、本発明は、上述した各種の態様をその範囲内に含む。

＜応用＞
次に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。
図１６は、上記実施形態に係る電気光学装置１を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
図１７に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
図１８に、上記実施形態に係る電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。

本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図１６から図１８に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

１００……有機ＥＬ装置、１０３……走査線駆動回路、１０６……データ線駆動回路、Ｐ……単位回路（画素回路）、８……有機ＥＬ素子、３……走査線、６……データ線、１１３……電源線、Ｔｒ１〜Ｔｒ３……第１〜第３トランジスター、Ｃ１〜Ｃ３……第１〜第３容量素子、Ｔｄｒ……駆動トランジスター、Ｔｅｌ……発光制御トランジスター、Ｔｇｐ……放電制御トランジスター、Ｚｘ…ノード（第１ノード）、Ｚ１…ノード（第２ノード）、Ｚ２……ノード（第３ノード）

Claims (13)

1. 駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子を備えた単位回路を駆動するための単位回路の駆動方法であって、
   前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動トランジスターのゲートに、データ電位を供給する第１工程と、
   前記駆動トランジスター及び前記発光素子間を導通状態にするか否かを司る発光制御トランジスターをオン状態とする第２工程と、
   前記第１工程の後、かつ、少なくとも前記第２工程の開始時点又は当該時点後の一定の期間、前記駆動トランジスター及び前記発光制御トランジスター間を電気的に接続する配線上の第１ノードを基準電位に定める第３工程と、
   を含むことを特徴とする単位回路の駆動方法。
2. 前記第３工程は、
   前記第２工程の開始時点前の一定の期間においても、
   前記第１ノードを前記基準電位に定める工程を含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載の単位回路の駆動方法。
3. 前記第３工程は、
   前記第１ノード及び前記基準電位の供給線間に設けられた放電制御トランジスターをオン状態とする工程を含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の単位回路の駆動方法。
4. 前記第１工程の前に、
   前記駆動トランジスターのゲートに、その第１電極が電気的に接続された容量素子の、当該第１電極と対向する第２電極に、初期化電位を供給する初期化工程と、
   前記第２電極を前記初期化電位に維持したまま、前記駆動トランジスターのゲートとドレインとを電気的に接続することによって、当該駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキを補償する補償工程と、
   を更に含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の単位回路の駆動方法。
5. 前記初期化工程は、
   前記第２電極及び初期化電位の供給線間に設けられた第１トランジスター、並びに、前記第１電極及び前記放電制御トランジスター間に設けられた第２トランジスター、を共にオン状態とするとともに、前記放電制御トランジスターをオン状態とする工程を含み、
   前記補償工程は、
   当該工程の後、前記放電制御トランジスターのみをオフ状態とする工程を含む、
   ことを特徴とする請求項４に記載の単位回路の駆動方法。
6. 前記初期化工程は、
   前記第２電極及び初期化電位の供給線間に設けられた第１トランジスターをオン状態とする工程を含み、
   前記補償工程は、
   前記第１トランジスターのオン状態を維持したまま、前記第１電極及び前記放電制御トランジスター間に設けられた第２トランジスターをオン状態とする工程を含む、
   ことを特徴とする請求項４に記載の単位回路の駆動方法。
7. 前記初期化電位は、前記基準電位とは異なる電位である、
   ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の単位回路の駆動方法。
8. 前記基準電位は、前記初期化電位よりも低い電位である、
   ことを特徴とする請求項７に記載の単位回路の駆動方法。
9. 前記第１工程の前に、
   前記第１電極及び前記第１ノード間に設けられた第２トランジスターと前記放電制御トランジスターとを共にオン状態とする初期化工程と、
   前記第２トランジスターをオン状態とするとともに前記放電制御トランジスターをオフ状態とすることによって、前記駆動トランジスターの閾値電圧のバラツキを補償する補償工程と
   を更に含み、
   前記初期化工程において、前記基準電位の供給線の電位を、当該基準電位よりも高い電位に設定する
   請求項３に記載の単位回路の駆動方法。
10. 複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路を含む電気光学装置であって、
    前記複数の単位回路の各々は、
    駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
    前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、
    前記発光素子及び前記駆動トランジスター間を導通状態にするか否かを司る発光制御トランジスターと、
    一端が前記駆動トランジスター及び前記発光制御トランジスター間の配線上の第１ノードに接続され、他端が基準電位の供給線に接続されたスイッチング素子と、
    を含み、
    前記第１ノードに存在する電荷を放電するように、前記複数の単位回路の各々に含まれる前記発光制御トランジスター及び前記スイッチング素子を駆動する駆動回路、
    を備えたことを特徴とする電気光学装置。
11. 前記駆動回路は、
    前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位が供給された後、
    前記発光素子及び前記駆動トランジスター間を導通状態にするように前記発光制御トランジスターを駆動し、
    それと同時に又はその後の一定の期間、前記スイッチング素子を導通状態とするように当該スイッチング素子を駆動する、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 前記単位回路は更に、
    前記データ線と第２ノードとの間に設けられたデータ電位書込用トランジスターと、
    前記第２ノードと初期化電位の供給線との間に設けられた第１トランジスターと、
    前記第１ノードと、前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続された第３ノードとの間に設けられた第２トランジスターと、
    一方の電極が前記第３ノードに電気的に接続され、他方の電極が前記駆動トランジスターのソースに電気的に接続された電源線に接続された第１容量素子と、
    一方の電極が前記第２ノードに電気的に接続され、他方の電極が前記電源線に接続された第２容量素子と、
    第１電極が前記前記第３ノードに電気的に接続され、第２電極が前記第２ノードに電気的に接続された第３容量素子と、
    を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置。
13. 請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
    ことを特徴とする電子機器。
    

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