JP5151198B2 - 画素回路、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置(表示装置)の構成を示すブロック図である。同図に示すように、電気光学装置100は、複数の画素回路Pが配列された素子アレイ部10と、各画素回路Pを駆動するための周辺回路(選択回路22,制御回路24,データ供給回路26,電源回路28)とを具備する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本形態において作用や機能が第1実施形態と共通する要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
以上の形態においては書込期間Hの開始前から経過後までにわたって初期化トランジスタTRSを導通させる構成を例示したが、初期化トランジスタTRSを導通させる時期(すなわち制御信号Z[i]をハイレベルに設定する時期)は適宜に変更される。例えば、書込期間Hの開始後から当該書込期間Hの経過後までの期間にわたって初期化トランジスタTRSを導通させることで駆動トランジスタTDRのソースに初期化電位VRSを供給してもよい。すなわち、書込期間Hにて駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGが確定する時点(すなわち書込期間Hの終点)にて駆動トランジスタTDRのソースが所定の電位(ゲートの電位VGに依存しない電位)に維持される構成が、本発明においては好適に採用される。
画素回路Pを構成する各トランジスタの導電型は適宜に変更される。例えば、駆動制御トランジスタTELをPチャネル型として初期化トランジスタTRSをNチャネル型とした構成や、選択トランジスタTSLをPチャネル型とした構成が採用される。
階調データGDに応じた電位VDATAが信号線16から選択トランジスタTSLを経由して直接的に駆動トランジスタTDRのゲートに供給される構成(すなわちゲートの電位VGが信号線16の電位VDATAと同電位に設定される構成)は必ずしも必要ではない。例えば、特開2005−99773号公報に開示されるように、選択トランジスタTSLと駆動トランジスタTDRのゲートとの間に容量素子が介在する構成において、容量素子のうち選択トランジスタTSL側の電極に信号線16から電位VDATAを供給することで駆動トランジスタTDR側の電極の電位(すなわち駆動トランジスタTDRのゲートの電位VG)を設定してもよい。すなわち、本発明の好適な態様に係る駆動トランジスタTDRのゲートの電位VGは、書込期間Hにて信号線16の電位VDATAに応じて設定される。
以上の各形態においては駆動制御トランジスタTELと初期化トランジスタTRSとが共通の制御信号Z[i]で制御される構成を例示したが、駆動制御トランジスタTELと初期化トランジスタTRSとが別個の信号で制御される構成も採用される。したがって、駆動制御トランジスタTELと初期化トランジスタTRSとが逆導電型である必要は必ずしもない。もっとも、第1実施形態のように駆動制御トランジスタTELと初期化トランジスタTRSとで制御線14(制御信号Z[i])を共用する構成によれば、各々について配線が個別に形成される構成と比較して、電気光学装置100における配線数が削減されるとともに制御回路24の構成や動作が簡素化されるという利点がある。
有機発光ダイオード素子は電気光学素子の例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学素子について、自身が発光する自発光型と外光の透過率を変化させる非発光型(例えば液晶素子)との区別や、電流の供給によって駆動される電流駆動型と電圧の印加によって駆動される電圧駆動型との区別は不問である。例えば、無機EL素子、フィールド・エミッション(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron-emitter)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子、LED(Light Emitting Diode)素子、液晶素子、電気泳動素子など様々な電気光学素子を本発明に利用することができる。
次に、本発明に係る電気光学装置を利用した電子機器について説明する。図9ないし図11には、以上に説明した何れかの形態に係る電気光学装置100を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
Claims (7)
- ゲートの電位に応じた駆動信号を生成する駆動トランジスタと、
前記駆動信号に応じた階調となる電気光学素子と、
前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子との電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタの前記ソースと所定の電位が供給される給電線との電気的接続を制御する介在する第2スイッチング素子と、
データ信号が供給される信号線と前記駆動トランジスタの前記ゲートとの電気的接続を制御する第3スイッチング素子と、
を具備し、
前記第3スイッチング素子を介して前記データ信号が前記駆動トランジスタの前記ゲートに供給されることにより前記駆動トランジスタの前記ゲートに前記データ信号に応じた電位に設定される書込期間において、前記第1スイッチング素子が非導通状態になるとともに前記第2スイッチング素子が導通状態となり、
前記書込期間の経過後の駆動期間において、前記第1スイッチング素子が導通状態になるとともに前記第2スイッチング素子が非導通状態となる
画素回路。 - 第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子とは、導電型が相異なるトランジスタであり、各々のゲートには共通の制御信号が供給される
請求項1の画素回路。 - 前記給電線は、前記駆動トランジスタのドレインが接続された電源線である
請求項1または請求項2の画素回路。 - データ信号が供給される信号線と、画素回路と、制御回路と、を具備し、
前記画素回路は、
ゲートの電位に応じた駆動信号を生成する駆動トランジスタと、
前記駆動信号に応じた階調となる電気光学素子と、
前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子との電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、
前記駆動トランジスタの前記ソースと所定の電位が供給される給電線との電気的接続を制御する介在する第2スイッチング素子と、
前記信号線と前記駆動トランジスタの前記ゲートとの電気的接続を制御する第3スイッチング素子と、
を含み、
前記制御回路は、
前記第3スイッチング素子を介して前記データ信号が前記駆動トランジスタの前記ゲートに供給されることにより前記駆動トランジスタの前記ゲートに前記データ信号に応じた電位に設定される書込期間において、前記第1スイッチング素子を非導通状態に制御するとともに前記第2スイッチング素子を導通状態に制御し、前記書込期間の経過後の駆動期間において、前記第1スイッチング素子を導通状態に制御するとともに前記第2スイッチング素子を非導通状態に制御する
電気光学装置。 - 前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子とは、導電型が相異なるトランジスタであり、各々のゲートは共通の制御線に接続され、
前記制御回路は、前記制御線に対する制御信号の供給によって前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子を制御する
請求項4の電気光学装置。 - 前記給電線は、前記駆動トランジスタのドレインが接続された電源線である
請求項4または請求項5の電気光学装置。 - 請求項4から請求項6の何れかの電気光学装置を具備する電子機器。
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