KR100724003B1 - 전자 회로, 그 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

전자 회로, 그 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전원선에서의 전압 강하에 기인한 각 발광 소자의 계조 편차를 억제하는 것을 과제로 한다.
화소 회로(P)는 전류의 공급에 의해 발광하는 발광 소자(17)와, 제 1 전극(L1)과 제 2 전극(L2) 사이의 전압을 유지하는 유지 용량(C)과, 게이트 단자가 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)에 접속된 구동 트랜지스터(Tdr)를 구비한다. 제 1 기간에서는, 발광 소자(17)에 지정된 계조에 따른 데이터 전위(Vdata)를 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)에 공급하는 동시에 초기화 전위(Vinit)가 공급되는 초기화용 배선(35)을 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)에 도통시킨다. 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서는, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)을 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자에 도통시킨다.
전자 회로, 전기 광학 장치, 전자 기기, 발광 소자, 전극

Description

전자 회로, 그 구동 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRONIC CIRCUIT, METHOD OF DRIVING ELECTRONIC CIRCUIT, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전기 광학 장치의 구성을 나타낸 블록도.
도 2는 각 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 3은 도 2의 화소 회로에 공급되는 신호의 파형을 나타낸 타이밍차트.
도 4는 도 2의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 5는 제 2 실시예에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 6은 도 5의 화소 회로에 공급되는 신호의 파형을 나타낸 타이밍차트.
도 7은 도 5의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 8은 제 3 실시예에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 9는 도 8의 화소 회로에 공급되는 신호의 파형을 나타낸 타이밍차트.
도 10은 도 8의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 11은 제 4 실시예에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 12는 도 11의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 13은 제 5 실시예에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 14는 도 13의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 15는 제 1 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 16은 제 2 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 17은 도 16의 화소 회로에 공급되는 각 신호의 파형을 나타낸 타이밍차트.
도 18은 도 16의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 19는 제 3 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 20은 제 4 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 21은 도 20의 화소 회로에 공급되는 각 신호의 파형을 나타낸 타이밍차트.
도 22는 제 5 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 23은 도 22의 화소 회로의 동작을 설명하기 위한 회로도.
도 24는 제 6 형태에 따른 화소 회로의 구성을 나타낸 회로도.
도 25는 본 발명에 따른 전자 기기의 구체적인 형태를 나타낸 사시도.
도 26은 본 발명에 따른 전자 기기의 구체적인 형태를 나타낸 사시도.
도 27은 본 발명에 따른 전자 기기의 구체적인 형태를 나타낸 사시도.
도 28은 종래의 구성에서의 문제점을 설명하기 위한 회로도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
D : 전기 광학 장치 P : 화소 회로
10 : 기판 11 : 제어선
110 : 주사선 111 : 제 1 제어선
112 : 제 2 제어선 13 : 데이터선
17 : 발광 소자 20 : 구동 회로
21 : 주사선 구동 회로 22 : 데이터선 구동 회로
26 : 제어 회로 28 : 전원 회로
31 : 전원선 32 : 접지선
35 : 초기화용 배선 Tdr : 구동 트랜지스터
Tsl : 선택용 트랜지스터 T1 : 제 1 스위칭 소자
T2 : 제 2 스위칭 소자 C : 유지 용량
L1 : 제 1 전극 L2 : 제 2 전극
Ssel[i] : 주사 신호 S1[i] : 제 1 제어 신호
S2[i] : 제 2 제어 신호 Vinit : 초기화 전위
본 발명은 유기 발광 다이오드 소자(이하 「OLED(Organic Light Emitting Diode) 소자」라고 함) 등의 발광 소자의 거동(擧動)을 제어하는 기술에 관한 것이다.
OLED 소자 등의 발광 소자를 이용한 전기 광학 장치가 예를 들어 각종 전자 기기의 표시 디바이스로서 종래부터 제안되어 있다. 이러한 전기 광학 장치는 각 각이 발광 소자를 포함하는 복수의 화소 회로를 매트릭스 형상으로 배열한 구성으로 되어 있다. 각 화소 회로는 발광 소자에 공급되는 전류를 제어하기 위한 회로이다.
도 28은 종래의 전기 광학 장치에서의 1개의 화소 회로 구성을 예시하는 회로도이다(예를 들어 비특허문헌 1 참조). 도 28에 도시된 바와 같이, 화소 회로(P0)는 전원선(31)과 접지선(32) 사이에 삽입된 p채널형 트랜지스터(이하 「구동 트랜지스터」라고 함)(Tdr) 및 발광 소자(17)를 포함한다. 전원선(31) 및 접지선(32)의 각각은 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소 회로(P0)에 대하여 공통으로 접속된다. 전원 회로(도시 생략)에 의해 생성된 전원의 고위측(高位側) 전위(VH)가 전원선(31)을 통하여 각 화소 회로(P0)에 공급되고, 이 전원 회로에 의해 생성된 저위측(低位側) 전위(VL)가 접지선(32)을 통하여 각 화소 회로(P0)에 공급된다.
도 28에 도시된 바와 같이, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자는 용량 소자(C0)의 제 1 단자와 n채널형 트랜지스터(이하 「선택용 트랜지스터」라고 함)(Tsl)의 드레인 단자에 접속된다. 용량 소자(C0)의 제 2 단자는 전원선(31)에 접속된다. 한편, 선택용 트랜지스터(Tsl)는 데이터선(13)과 용량 소자(C0)의 제 1 단자의 도통 및 비도통을 주사 신호(Ssel)의 레벨에 따라 제어하는 스위칭 소자이다. 데이터선(13)에는 각 화소 회로(P0)에 대해서 지정된 계조에 대응하는 전위(이하 「데이터 전위」라고 함)(Vdata)가 공급된다.
이상의 구성에서, 선택용 트랜지스터(Tsl)가 주사 신호(Ssel)에 의해 온(on) 상태로 천이(遷移)되면, 그 시점에서의 데이터 전위(Vdata)가 구동 트랜지스터 (Tdr)의 게이트 단자에 공급되는 동시에 용량 소자(C0)에 유지된다. 그리고, 전원선(31)으로부터 구동 트랜지스터(Tdr) 및 발광 소자(17)를 경유하여 접지선(32)에 유입되는 전류(Iel)는 용량 소자(C0)에 유지된 전압에 따라 제어된다. 따라서, 발광 소자(17)는 데이터 전위(Vdata)에 따른 계조(휘도)로 발광한다.
[비특허문헌 1] 「2001 FPD 테크놀로지 대전(大全)」, 전자 저널, p749-p750
그런데, 전원선(31)에는 그 자체의 저항이 부수(付隨)되어 있기 때문에, 각 화소 회로(P0)에 공급되는 전위(VH)에는 그 화소 회로(P0)의 위치(보다 상세하게는 전원 회로로부터 화소 회로(P0)까지의 경로 길이)에 따른 전압 강하가 발생한다. 따라서, 각 화소 회로(P0)에 공급되는 전위(VH)는 그 위치에 따라 화소 회로(P0)마다 상이하다. 그리고, 이 전위(VH)의 상이(相異)에 기인하여 각 화소 회로(P0)의 발광 소자(17)의 계조에 편차가 발생한다는 문제가 있었다. 이 문제에 대해서 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 28의 구성하에서 발광 소자(17)에 공급되는 전류는, 구동 트랜지스터(Tdr)가 포화 영역에서 동작한다고 하면 이하의 식 (A1)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(Vgs-Vth)2 …(A1)
다만, 식 (A1)에서의 「β」는 구동 트랜지스터(Tdr)의 이득 계수이고, 「Vgs」는 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압이며, 「Vth」는 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계값 전압이다. 선택용 트랜지스터(Tsl)가 오프 (off) 상태로 된 직후의 전압(Vgs)은 전원선(31)의 전위(VH)와 데이터 전위(Vdata)의 차분(差分)으로 되기(Vgs=VH-Vdata) 때문에, 식 (A1)은 이하의 식 (A2)로 변형된다.
Iel=(1/2)β(VH-Vdate-Vth)2 …(A2)
이와 같이, 도 28의 구성에서 발광 소자(17)에 실제로 흐르는 전류(Iel)(더 나아가서는, 이 전류(Iel)에 따른 계조)는 전원선(31)의 전위(VH)에 의존한다. 따라서, 복수의 발광 소자(17)를 공통의 계조로 발광시키기 위해 이들 화소 회로(P0)와 동일한 데이터 전위(Vdata)를 공급했다고 하여도, 각 화소 회로(P0)에 공급되는 전위(VH)가 전원선(31)에서의 전압 강하에 기인하여 상이하기 때문에, 각 발광 소자(17)에 실제로 흐르는 전류(Iel)에 편차가 발생하고, 이것에 기인하여 발광 소자(17)마다 휘도에 편차가 발생한다는 문제가 있었다. 본 발명은 이러한 사정을 감안하여 안출된 것으로서, 전원선에서의 전압 강하에 기인한 각 발광 소자의 계조 편차를 억제한다는 과제의 해결을 목적으로 한다.
이 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 전자 회로의 구동 방법은, 각각의 전위가 상이한 제 1 급전선(給電線)(예를 들어 전원선(31))과 제 2 급전선(예를 들어 접지선(32)) 사이에 삽입되어 전류의 공급에 의해 발광하는 발광 소자와, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압을 유지하는 유지 용량과, 제 1 급전선과 제 2 급전선 사이에 삽입되어 게이트 단자가 유지 용량의 제 1 전극에 접속된 구동 트랜지스 터를 구비하는 전자 회로를 구동하는 방법으로서, 제 1 기간(예를 들어 초기화 기간 Tinit 및 기입 기간 Twrt, 또는 기입 기간 Twrt)에서, 발광 소자에 지정된 계조에 따른 데이터 전위를 유지 용량의 제 2 전극에 인가하는 동시에 초기화 전위가 공급되는 초기화용 배선을 유지 용량의 제 1 전극에 도통(導通)시키고, 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간(예를 들어 표시 기간 Tdsp)에서, 유지 용량의 제 2 전극을 구동 트랜지스터의 소스 단자에 도통시킨다. 이 구성에 의하면, 발광 소자에 공급되는 전류는 제 1 급전선의 전위나 제 2 급전선의 전위에는 의존하지 않기 때문에, 제 1 급전선이나 제 2 급전선에서의 전압 강하에 기인한 발광 소자의 계조 불균일(예를 들어 전자 회로를 화소로 하는 표시 장치에서는 표시 불균일)이 억제된다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 초기화 전위는 구동 트랜지스터를 오프(off) 상태로 하는 레벨로 설정된다. 이 형태에 의하면, 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 초기화 전위가 공급되는 제 1 기간에서 구동 트랜지스터를 오프 상태로 유지할 수 있기 때문에, 제 1 기간에서 발광 소자의 발광을 확실하게 정지시킬 수 있다. 따라서, 고품위의 표시를 실현하는 동시에 소비전력을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전자 회로(예를 들어 표시 장치에 이용되는 화소 회로)는, 각각의 전위가 상이한 제 1 급전선과 제 2 급전선 사이에 삽입되어 전류의 공급에 의해 발광하는 발광 소자와, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압을 유지하는 유지 용량과, 제 1 급전선과 제 2 급전선 사이에 삽입되어 게이트 단자가 유지 용량의 제 1 전극에 접속된 구동 트랜지스터와, 발광 소자에 지정된 계조에 따른 데이터 전위가 공급되는 데이터선과 유지 용량의 제 2 전극의 도통 및 비도통을 전 환하는 선택용 스위칭 소자(예를 들어 실시예에서의 선택용 트랜지스터(Tsl))와, 초기화 전위가 공급되는 초기화용 배선에 접속된 제 1 단자와 유지 용량의 제 1 전극에 접속된 제 2 단자의 도통 및 비도통을 전환하는 제 1 스위칭 소자와, 유지 용량의 제 2 전극에 접속된 제 1 단자와 구동 트랜지스터의 소스 단자에 접속된 제 2 단자의 도통 및 비도통을 전환하는 제 2 스위칭 소자를 구비한다. 이 구성에 의해서도, 제 1 급전선이나 제 2 급전선에서의 전압 강하에 기인한 발광 소자의 계조 불균일은 억제된다. 또한, 이 전자 회로에서, 초기화 전위는 예를 들어 구동 트랜지스터를 오프 상태로 하는 레벨로 된다. 이 형태에 의하면, 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 초기화 전위가 공급되는 제 1 기간에서 구동 트랜지스터를 오프 상태로 유지할 수 있기 때문에, 제 1 기간에서 발광 소자의 발광을 확실하게 정지시킬 수 있다.
이 구성에 있어서, 구동 트랜지스터·선택용 스위칭 소자·제 1 스위칭 소자 및 제 2 스위칭 소자와 같은 각 스위칭 소자로서는 n채널형 트랜지스터가 채용된다. 이 구성에 의하면, 예를 들어 비정질 실리콘을 반도체층에 이용한 박막트랜지스터에 의해 전자 회로를 구성할 수 있다. 또한, 각 스위칭 소자의 도전형이나 반도체층의 재료는 임의로 변경된다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 선택용 스위칭 소자는 상기 선택용 스위칭 소자에 공급되는 주사 신호에 따라, 제 1 기간의 일부(예를 들어 제 1 기간이 초기화 기간 Tinit 및 기입 기간 Twrt로 이루어질 경우의 기입 기간 Twrt) 또는 전부(예를 들어 제 1 기간이 기입 기간 Twrt만으로 이루어질 경우의 상기 기입 기간 Twrt)에 서 온(on) 상태로 되는 동시에 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서 오프(off) 상태로 되고, 제 1 스위칭 소자는 상기 제 1 스위칭 소자에 공급되는 제 1 제어 신호에 따라, 제 1 기간에서 온 상태로 되는 동시에 제 2 기간에서 오프 상태로 되며, 제 2 스위칭 소자는 상기 제 2 스위칭 소자에 공급되는 제 2 제어 신호에 따라, 제 1 기간에서 오프 상태로 되는 동시에 제 2 기간에서 온 상태로 된다. 보다 구체적으로는, 제 1 스위칭 소자는 제 1 기간에 포함되는 초기화 기간 및 그 직후의 기입 기간 양쪽에서 온 상태로 되고, 선택용 스위칭 소자는 초기화 기간에서 오프 상태로 되는 동시에 기입 기간에서 온 상태로 된다. 이들 형태에 의하면, 제 2 기간의 직전에 구동 트랜지스터의 게이트 단자에 초기화 전위가 인가되기 때문에, 각 급전선에서의 전압 강하에 기인한 계조의 불균일을 확실하게 해소할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 회로에서는, 각 스위칭 소자를 제어하기 위한 신호 중 적어도 하나가 다른 스위칭 소자를 제어하기 위한 신호로서 겸용된다. 예를 들어 주사 신호를 선택용 스위칭 소자에 공급하는 동시에 제 1 스위칭 소자에 제 1 제어 신호로서 공급하는 구성으로 할 수도 있다. 이 구성에 의하면, 선택용 스위칭 소자와 제 1 스위칭 소자가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다. 또한, 이 형태의 구체적인 예는 제 2 실시예(도 5) 및 제 5 실시예의 제 1 형태(도 15)로서 후술된다.
또한, 제 1 스위칭 소자와 제 2 스위칭 소자가 서로 도전형이 상이한 트랜지스터로 된 구성에서는, 제 1 제어 신호를 제 1 스위칭 소자에 공급하는 동시에 제 2 스위칭 소자에 제 2 제어 신호로서 공급하는 구성으로 할 수도 있다. 이 형태에 의하면, 제 1 스위칭 소자와 제 2 스위칭 소자가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다. 또한, 이 형태의 구체적인 예는 제 5 실시예의 제 2 형태(도 16)로서 후술된다.
제 2 스위칭 소자가 선택용 스위칭 소자와는 도전형이 상이한 트랜지스터로 된 구성에서는, 주사 신호가 선택용 스위칭 소자에 공급되는 동시에 제 2 스위칭 소자의 게이트 단자에 제 2 제어 신호로서 공급되는 구성으로 할 수도 있다. 이 형태에 의하면, 선택용 스위칭 소자와 제 2 스위칭 소자가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다. 또한, 이 형태의 구체적인 예는 제 5 실시예의 제 3 형태(도 19)로서 후술된다.
또한, 제 2 스위칭 소자가 선택용 스위칭 소자 및 제 1 스위칭 소자와는 도전형이 상이한 트랜지스터로 된 구성에서는, 주사 신호가 제 1 스위칭 소자에 제 1 제어 신호로서 공급되는 동시에 제 2 스위칭 소자에 제 2 제어 신호로서 공급되는 구성으로 할 수도 있다. 이 형태에 의하면, 각 스위칭 소자가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다. 또한, 이 형태의 구체적인 예는 제 5 실시예의 제 4 형태(도 20)로서 후술된다.
또한, 본 발명의 전자 회로에서는, 각 스위칭 소자(선택용 스위칭 소자·제 1 스위칭 소자 및 제 2 스위칭 소자 중 어느것)를 제어하기 위한 신호가 초기화 전위로서 겸용된다. 예를 들어 주사 신호가 선택용 스위칭 소자에 공급되는 동시에 초기화 전위로서 초기화용 배선에 공급되는 구성으로 할 수도 있다. 이 형태의 구체적인 예는 제 5 실시예의 제 5 형태(도 22) 및 제 6 형태(도 24)로서 후술된다. 또한, 제 2 제어 신호가 제 2 스위칭 소자에 공급되는 동시에 초기화 전위로서 초기화용 배선에 공급되는 구성으로 할 수도 있다. 이 형태의 구체적인 예는 제 3 실시예(도 8)로서 후술된다. 이들 형태에 의하면, 초기화 전위가 각 신호와는 별개로 생성되는 구성과 비교하여 구성이 간소화된다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 상술한 각 형태에 따른 복수의 전자 회로와, 각 전자 회로를 구동하는 구동 회로를 구비한다. 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전자 회로에 의하면, 각 발광 소자의 휘도 불균일이 억제되기 때문에, 이 전자 회로를 이용한 전기 광학 장치를 예를 들어 표시 장치에 이용한 경우에는 고품위의 표시가 실현된다.
이 전기 광학 장치의 구체적인 형태에서, 각 전자 회로의 선택용 스위칭 소자는 구동 회로로부터 공급되는 주사 신호에 따라, 제 1 기간의 일부 또는 전부에서 온 상태로 되는 동시에 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서 오프 상태로 되고, 구동 회로로부터 1개의 전자 회로의 선택용 스위칭 소자에 공급되는 주사 신호는 다른 전자 회로의 초기화용 배선에 초기화 전위로서 공급된다. 이 형태에 의하면, 각 스위칭 소자를 제어하기 위한 신호와는 별개로 초기화 전위가 생성되는 구성과 비교하여 구성이 간소화된다는 이점(利點)이 있다. 이 형태의 구체적인 예는 제 4 실시예(도 11)로서 후술된다.
본 발명에 따른 전기 광학 장치는 각종 전자 기기에 사용된다. 본 발명에 따른 전자 기기의 전형적인 예는 전기 광학 장치를 표시 장치에 사용한 기기이다. 이러한 전자 기기로서는, 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화기 등이 있다. 또한, 본 발명 에 따른 전기 광학 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들어, 광선의 조사에 의해 감광체 드럼 등의 화상 담지체에 잠상(潛像)을 형성하기 위한 노광 장치로서도 본 발명의 전기 광학 장치를 적용할 수 있다.
<A : 제 1 실시예>
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전기 광학 장치의 구성을 나타낸 블록도이다. 이 전기 광학 장치(D)는 화상을 표시하는 수단으로서 각종 전자 기기에 채용되는 장치로서, 복수의 화소 회로(P)가 표면에 배열된 기판(10)과, 각 화소 회로(P)를 구동하기 위한 구동 회로(20)와, 이 구동 회로(20)의 동작을 제어하는 제어 회로(26)와, 각부(各部)에 전원을 공급하는 전원 회로(28)를 갖는다. 구동 회로(20)·제어 회로(26) 및 전원 회로(28)의 일부 또는 전부는 기판(10)에 접합된 배선 기판(도시 생략)에 실장된다. 다만, 이들 회로를 탑재한 IC 칩이 기판(10)의 표면에 실장된 구성이나, 기판(10)의 표면 위에 형성된 박막트랜지스터에 의해 이들 회로가 실현되는 구성도 채용된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10) 표면에는 X방향으로 연장되는 m개의 제어선(11)과 X방향과 직교하는 Y방향으로 연장되는 n개의 데이터선(13)이 형성된다(m 및 n은 자연수). 각 화소 회로(P)는 제어선(11)과 데이터선(13)의 교차에 대응하는 위치에 배치된다. 따라서, 이들 화소 회로(P)는 세로 m행×가로 n열의 매트릭스 형상으로 배열한다.
구동 회로(20)는 m개의 제어선(11)이 접속된 주사선 구동 회로(21)와, n개의 데이터선(13)이 접속된 데이터선 구동 회로(22)를 포함한다. 주사선 구동 회로 (21)는 복수의 화소 회로(P)를 수평 주사 기간마다 행 단위로 선택하여 동작시키기 위한 회로이다. 한편, 데이터선 구동 회로(22)는, 각 수평 주사 기간에서, 주사선 구동 회로(21)가 선택한 1행 분(n개)의 화소 회로(P) 각각에 대응하는 데이터 전위(Vdata)를 생성하여 각 데이터선(13)에 출력한다. 데이터선(13)을 통하여 화소 회로(P)에 공급되는 데이터 전위(Vdata)는 그 화소 회로(P)에 대해서 지정된 계조(휘도)에 대응하는 전위이다. 각 화소 회로(P)의 계조는 제어 회로(26)로부터 공급되는 화상 데이터에 의해 지정된다.
제어 회로(26)는 수평 주사 기간이나 수직 주사 기간을 규정하는 클록 신호 등 각종 제어 신호의 공급에 의해 주사선 구동 회로(21) 및 데이터선 구동 회로(22)를 제어하는 동시에, 각 화소 회로(P)의 계조를 지정하는 화상 데이터를 데이터선 구동 회로(22)에 출력한다. 한편, 전원 회로(28)는 전원의 고위측 전위(VH)와 저위측 전위(접지 전위)(VL)를 생성하여 전기 광학 장치(D)의 각부에 공급한다. 전원 회로(28)가 생성한 전위(VH)는 모든 화소 회로(P)에 공통으로 접속된 전원선(31)을 통하여 각 화소 회로(P)에 공급된다. 마찬가지로, 전원 회로(28)가 생성한 전위(VL)는 모든 화소 회로(P)에 공통으로 접속된 접지선(32)을 통하여 각 화소 회로(P)에 공급된다. 또한, 본 실시예에서의 전원 회로(28)는 소정의 전위(이하 「초기화 전위」라고 함)(Vinit)를 생성한다. 이 초기화 전위(Vinit)는 각 화소 회로(P)의 상태를 초기화하기 위해 이용되는 대략 일정한 전위이며, 모든 화소 회로(P)에 공통으로 접속된 초기화용 배선(35)(도 2 참조)을 통하여 각 화소 회로(P)에 공급된다.
다음으로, 도 2는 각 화소 회로(P)의 구성을 나타낸 회로도이다. 도 2에 있어서는, 제 i 행(i는 1≤i≤m를 충족시키는 정수)에 속하는 제 j 열째(j는 1≤j≤n를 충족시키는 정수) 중 하나의 화소 회로(P)의 구성만이 도시되어 있지만, 다른 화소 회로(P)도 동일한 구성이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 화소 회로(P)는 각각 전원선(31)과 접지선(32) 사이에 삽입된 구동 트랜지스터(Tdr)와 발광 소자(17)를 갖는다. 발광 소자(17)는 이것에 공급되는 전류에 따른 휘도로 발광하는 전류 구동형 소자이며, 유기 EL 재료로 이루어지는 발광층을 양극과 음극 사이에 개재시킨 구조로 되어 있다. 이 발광 소자(17)의 음극은 접지선(32)에 접속된다. 한편, 구동 트랜지스터(Tdr)는 발광 소자(17)에 공급되는 전류를 제어하기 위한 n채널형 박막트랜지스터이며, 드레인 단자가 전원선(31)에 접속되는 동시에 소스 단자가 발광 소자(17)의 양극에 접속된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 도 1에서 편의적으로 1개의 배선으로서 도시된 제어선(11)은, 실제로는 주사선(110)과 제 1 제어선(111)과 제 2 제어선(112)에 의해 구성된다. 각 제어선(11)의 주사선(11O)에는 각 행의 화소 회로(P)를 선택하기 위한 주사 신호 Ssel[1] 내지 Ssel[m]이 공급된다. 한편, 각 제 1 제어선(111)에는 발광 소자(17)의 발광을 위한 준비가 실시되는 기간(후술하는 초기화 기간 Tinit 및 기입 기간 Twrt)을 규정하는 제 1 제어 신호 S1[1] 내지 S1[m]이 공급되고, 각 제 2 제어선(112)에는 발광 소자(17)가 실제로 발광하는 기간(후술하는 표시 기간 Tdsp)을 규정하는 제 2 제어 신호 S2[1] 내지 S2[m]이 공급된다. 또한, 각 신호의 구체적인 파형이나 이것에 따른 화소 회로(P)의 동작에 대해서는 후술한다.
도 2에 도시된 유지 용량(C)은 제 1 전극(L1)과 제 2 전극(L2) 사이의 전압을 유지하는 용량이다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자는 접속점(Nb)에서 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)에 접속된다. 한편, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)은 접속점(Na)에서 선택용 트랜지스터(Tsl)의 소스 단자에 접속된다. 이 선택용 트랜지스터(Tsl)는 드레인 단자가 데이터선(13)에 접속되는 동시에 게이트 단자가 주사선(110)에 접속된 n채널형 박막트랜지스터이며, 데이터선(13)과 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)의 도통 및 비도통을 전환하는 스위칭 소자로서 기능한다. 즉, 주사 신호(Ssel[i])가 하이(high) 레벨을 유지하는 기간에서는 선택용 트랜지스터(Tsl)가 온 상태로 되어 데이터선(13)과 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)이 도통하는 한편, 주사 신호(Ssel[i])가 로우(low) 레벨을 유지하는 기간에서는 선택용 트랜지스터(Tsl)가 오프 상태로 되어 데이터선(13)과 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)은 전기적으로 절연된다. 환언하면, 선택용 트랜지스터(Tsl)는 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)에 대한 데이터 전위(Vdata)의 공급 여부를 제어하기 위한 수단으로서 기능한다.
유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자의 접속점(Nb)에는 제 1 스위칭 소자(T1)의 소스 단자가 접속된다. 이 제 1 스위칭 소자(T1)는 드레인 단자가 초기화용 배선(35)에 접속되는 동시에 게이트 단자가 제 1 제어선(111)에 접속된 n채널형 박막트랜지스터이며, 접속점(Nb)과 초기화용 배선(35)의 도통 및 비도통을 전환하는 수단으로서 기능한다. 즉, 제 1 제어 신호 (S1[i])가 하이 레벨을 유지하는 기간에서는 제 1 스위칭 소자(T1)가 온 상태로 되어 초기화 전위(Vinit)가 접속점(Nb)에 공급되는 한편, 제 1 제어 신호(S1[i])가 로우 레벨을 유지하는 기간에서는 제 1 스위칭 소자(T1)가 오프 상태로 되어 접속점(Nb)에 대한 초기화 전위(Vinit)의 공급은 정지된다. 즉, 제 1 스위칭 소자(T1)는 접속점(Nb)에 대한 초기화 전위(Vinit)의 공급 여부를 제어하기 위한 수단으로서도 파악된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)과 선택용 트랜지스터(Tsl)의 소스 단자의 접속점(Na)에는 제 2 스위칭 소자(T2)의 드레인 단자가 접속된다. 이 제 2 스위칭 소자(T2)는 소스 단자가 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자에 접속되는 동시에 게이트 단자가 제 2 제어선(112)에 접속된 n채널형 박막트랜지스터이며, 접속점(Na)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자의 도통 및 비도통을 전환하는 수단으로서 기능한다. 즉, 제 2 제어 신호(S2[i])가 하이 레벨을 유지하는 기간에서는 제 2 스위칭 소자(T2)가 온 상태로 되어 접속점(Na)(즉, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2))이 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자에 도통하는 한편, 제 2 제어 신호(S2[i])가 로우 레벨을 유지하는 기간에서는 제 2 스위칭 소자(T2)가 오프 상태로 되어 접속점(Na)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자는 전기적으로 절연된다.
그런데, 박막트랜지스터의 반도체층의 재료로서 사용되는 비정질 실리콘은 p형으로 하는 것이 곤란하다. 본 실시예에서는 화소 회로(P)를 구성하는 모든 스위칭 소자(구동 트랜지스터(Tdr)·선택용 트랜지스터(Tsl)·제 1 스위칭 소자(T1)· 제 2 스위칭 소자(T2))가 n채널형 박막트랜지스터이기 때문에, 비정질 실리콘을 반도체층에 이용한 박막트랜지스터에 의해 화소 회로(P)를 구성할 수 있다. 또한, 화소 회로(P)를 구성하는 각 스위칭 소자로서는, 반도체층이 폴리실리콘(특히 저온 폴리실리콘) 등의 재료에 의해 형성된 각종 형태의 트랜지스터를 이용할 수도 있다.
다음으로, 도 3을 참조하여 주사선 구동 회로(21)에 의해 생성되는 각 신호의 구체적인 파형을 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호 Ssel[1] 내지 Ssel[m]은 수평 주사 기간(1H)마다 차례로 하이 레벨로 되는 신호이다. 즉, 주사 신호(Ssel[i])는 수직 주사 기간(1V) 중 제 i 번째의 수평 주사 기간에서 하이 레벨을 유지하는 동시에 그 이외의 기간에서 로우 레벨을 유지한다. 주사 신호(Ssel[i])의 하이 레벨로의 이행(移行)은 제 i 행의 각 화소 회로(P)의 선택을 의미한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 되는 수평 주사 기간에서 제 i 행째의 각 화소 회로(P)의 계조에 대응한 데이터 전위(Vdata)가 데이터선(13)에 공급된다. 이 데이터 전위(Vdata)는 하이 레벨의 주사 신호(Ssel[1])에 의해 온 상태로 된 선택용 트랜지스터(Tsl)를 통하여 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)에 공급된다. 이하에서는 주사 신호 Ssel[1] 내지 Ssel[m]의 각각이 하이 레벨로 되는 기간(즉, 수평 주사 기간)을 「기입 기간 Twrt」로 표기한다.
제 1 제어 신호 S1[1] 내지 S1[m]은 각각에 대응하는 기입 기간 Twrt와 그 직전의 기간(이하 「초기화 기간」이라고 함) Tinit에서 하이 레벨로 되는 신호이다. 즉, 제 1 제어 신호(S1[i])는 제 i 행째의 화소 회로(P)가 선택되는 기입 기 간 Twrt(즉, 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 되는 수평 주사 기간)와 그 직전의 초기화 기간 Tinit에서 하이 레벨을 유지하는 동시에 그 이외의 기간에서 로우 레벨을 유지한다.
제 2 제어 신호 S2[1] 내지 S2[m]은 주사 신호 Ssel[1] 내지 Ssel[m]의 각각의 논리 레벨을 반전시킨 파형의 신호이다. 즉, 제 2 제어 신호(S2[i])는 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 되는 기입 기간 Twrt의 종점(終點)으로부터 다음 기입 기간 Twrt의 시점(始點)(즉, 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 천이되는 시점)까지 하이 레벨을 유지하고, 그 이외의 기간(즉, 제 i 번째의 기입 기간 Twrt)에서 로우 레벨을 유지한다. 이하에서는, 제 2 제어 신호 S2[1] 내지 S2[m]의 각각이 하이 레벨로 되는 기간을 「표시 기간 Tdsp」로 표기한다.
다음으로, 도 4를 참조하면서 화소 회로(P)의 구체적인 동작을 설명한다. 이하에서는, 제 i 행에 속하는 제 j 열째의 화소 회로(P)의 동작을 초기화 기간 Tinit와 기입 기간 Twrt와 표시 기간 Tdsp의 각각으로 구분하여 설명한다.
(a) 초기화 기간 Tinit
초기화 기간 Tinit에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i])가 로우 레벨을 유지하는 한편, 제 1 제어 신호(S1[i]) 및 제 2 제어 신호(S2[i])가 하이 레벨을 유지한다. 이 때의 화소 회로(P)는 도 4의 (a)의 회로도에 의해 등가적으로 표현된다. 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 초기화 기간 Tinit에서는, 하이 레벨의 제 1 제어 신호(S1[i])에 의해 온 상태로 된 제 1 스위칭 소자(T1)를 통하여 접속점(Nb)과 초기화용 배선(35)이 도통한다. 따라서, 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에는 초기화 전위(Vinit)가 공급된다. 또한, 이 초기화 기간 Tinit에서는, 하이 레벨의 제 2 제어 신호(S2[i])에 의해 온 상태로 된 제 2 스위칭 소자(T2)를 통하여 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자가 도통한다.
여기서, 초기화 전위(Vinit)는 도 4의 (a)에 도시된 상태에서 구동 트랜지스터(Tdr)를 오프 상태로 하는 레벨로 선정되어 있다. 따라서, 초기화 기간 Tinit에서는 발광 소자(17)에 대한 전류의 공급이 정지되어 상기 발광 소자(17)는 발광하지 않는다. 즉, 본 실시예에서는 표시 기간 Tdsp에서만 선택적으로 발광 소자(17)가 구동되기 때문에, 소기의 화상을 고품위로 표시할 수 있는 동시에, 초기화 기간 Tinit에서도 발광 소자(17)에 전류가 흐르는 구성과 비교하여 초기화 기간 Tinit에서의 소비전력을 저감시킬 수 있다.
(b) 기입 기간 Twrt
기입 기간 Twrt에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i]) 및 제 1 제어 신호(S1[i])가 하이 레벨을 유지하는 한편, 제 2 제어 신호(S2[i])가 로우 레벨을 유지한다. 이 때의 화소 회로(P)는 도 4의 (b)의 회로도에 의해 등가적으로 표현된다. 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 기입 기간 Twrt에서는, 초기화 기간 Tinit와 동일하게, 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 초기화 전위(Vinit)가 공급된다. 또한, 이 기입 기간 Twrt에서는, 하이 레벨의 주사 신호(Ssel[i])에 의해 온 상태로 된 선택용 트랜지스터(Tsl)를 통하여 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)과 데이터선(13)이 도통한다. 따라서, 이 시 점에서의 제 j 열째의 데이터선(13)의 데이터 전위(Vdata)(즉, 제 i 행에 속하는 제 j 열째의 화소 회로(P)의 계조에 따른 전위)가 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)에 공급된다.
(c) 표시 기간 Tdsp
표시 기간 Tdsp에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i]) 및 제 1 제어 신호(S1[i])가 로우 레벨을 유지하는 한편, 제 2 제어 신호(S2[i])가 하이 레벨을 유지한다. 이 때의 화소 회로(P)는 도 4의 (c)의 회로도에 의해 등가적으로 표현된다. 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)의 접속처가 데이터선(13)으로부터 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자로 변경됨으로써, 이 제 2 전극(L2)의 전위는 그 직전의 기입 기간 Twrt에서 공급된 데이터 전위(Vdata)로부터 전위(V1)로 변화한다. 이 전위(V1)는 주로 발광 소자(17)의 특성에 따라 정해지는 전위이다. 또한, 이 제 2 전극(L2)의 전위 변화에 따라 접속점(Nb)(유지 용량(C)의 제 1 전극(L1) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자)의 전위도 변화한다. 접속점(Nb)에서의 전하량이 기입 기간 Twrt와 표시 기간 Tdsp에서 변화하지 않는 것을 고려하면, 이 변화 후의 접속점(Nb)의 전위는 「Vinit+(V1-Vdata)」이다. 이 전위가 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 공급됨으로써, 상기 전위에 따른 전류(Iel)가 전원선(31)으로부터 구동 트랜지스터(Tdr) 및 발광 소자(17)를 경유하여 접지선(32)에 유입된다. 따라서, 발광 소자(17)는 데이터 전위(Vdata)에 따른 휘도로 발광한다.
여기서, 표시 기간 Tdsp에서 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)에 대해서 검 토한다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 이득 계수를 「β」, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압을 「Vgs」, 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계값 전압을 「Vth」로 하면, 구동 트랜지스터(Tdr)가 포화 영역에서 동작할 때의 전류(Iel)는 이하의 식 (1)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(Vgs-Vth)2 …(1)
상술한 바와 같이, 표시 기간 Tdsp에서, 접속점(Na)의 전위(즉, 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자의 전위)는 「V1」이고, 접속점(Nb)의 전위(즉, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자의 전위)는 「Vinit+(V1-Vdata)」이다. 식 (1)에서의 전압(Vgs)은 접속점(Na)의 전위와 접속점(Nb)의 전위의 차분값(Vgs=Vinit+(V1-Vdata)-V1)에 상당하기 때문에, 식 (1)은 이하의 식 (2)와 같이 변형된다.
Iel=(1/2)β[{Vinit+(V1-Vdata)-V1}-Vth]2
=(1/2)β(Vinit-Vdata-Vth)2 …(2)
이 식 (2)로부터 알 수 있듯이, 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않는다. 따라서, 각 화소 회로(P)에 공급되는 전위(VH)가 예를 들어 전원선(31)에서의 전압 강하에 기인하여 화소 회로(P)마다 상이한 경우일지라도, 복수의 화소 회로(P)에 대하여 공통의 계조가 지시되었다고 하면, 이들 화소 회로(P)의 발광 소자(17)에 공급되는 전류(Iel)는 동일해진다. 따라서, 본 실시예에 의하면, 전위(VH)나 전위(VL)의 편차에 기인한 표시 불균일을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 식 (2)에 도시된 바와 같이 전류(Iel)는 초기화 전위(Vinit)에 의존하지만, 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 접속된 초기화용 배선(35)에는 전류가 거의 흐르지 않기 때문에, 이 초기화용 배선(35)에서 전압 강하는 발생하지 않는다. 즉, 각 화소 회로(P)에 공급되는 초기화 전위(Vinit)는 대략 동일한 전위로 된다. 따라서, 전류(Iel)가 초기화 전위(Vinit)에 의존한다고는 하여도, 발광 소자(17)에 대한 전류(Iel)의 공급에 따라 큰 전류가 흐르는 전원선(31)의 전위(VH)에 전류(Iel)가 의존하는 종래의 구성과 비교하면, 전류(Iel)의 편차를 억제한다는 효과는 확실하게 발휘된다.
또한, 본 실시예에서는 화소 회로(P)의 모든 스위칭 소자가 n채널형이기 때문에, 비정질 실리콘을 반도체층에 이용한 박막트랜지스터(이하 「a-TFT」라고 함)에 의해 화소 회로(P)를 구성할 수 있다. 그런데, a-TFT는 동일한 극성의 전위가 게이트 단자에 정상적으로 계속하여 공급되면 임계값 전압이 변동하는 것이 알려져 있다. 본 실시예에서 화소 회로(P)의 각 스위칭 소자를 a-TFT로 구성한 경우에는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 대한 초기화 전위(Vinit)의 공급에 의해 임계값 전압(Vth)이 시프트할 가능성도 있지만, 이 초기화 전위(Vinit)를 충분히 낮은 레벨로 설정함으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계값 전압(Vth)의 시프트를 효과적으로 억제할 수 있다.
<B : 제 2 실시예>
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 대해서 설명한다.
제 1 실시예에서는 주사 신호(Ssel[i])와 제 1 제어 신호(S1[i])와 제 2 제 어 신호(S2[i])를 별개의 신호로 한 구성을 예시했지만, 이들 신호 중 적어도 하나가 다른 신호로서 겸용되는 구성으로 할 수도 있다. 본 실시예에서의 화소 회로(P)는 주사 신호(Ssel[i])가 제 1 제어 신호(S1[i])로서 겸용되는 구성(환언하면, 제 1 제어 신호(S1[i])가 주사 신호(Ssel[i])로서 겸용되는 구성)으로 되어 있다. 또한, 이하에 나타낸 각 실시예 중 제 1 실시예와 동일한 요소에 대해서는 공통 부호를 첨부하여 그 설명을 적절히 생략한다.
도 5는 본 실시예에 따른 화소 회로(P)의 구성을 나타낸 회로도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 화소 회로(P)에서는 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 단자가 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속된다. 따라서, 주사선 구동 회로(21)로부터 출력된 주사 신호(Ssel[i])는 선택용 트랜지스터(Tsl)의 제어와 제 1 스위칭 소자(T1)의 제어에 공용된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 되는 기입 기간 Twrt에서는, 도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)과 데이터선(13)이 선택용 트랜지스터(Tsl)를 통하여 도통하는 동시에, 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)과 초기화용 배선(35)이 제 1 스위칭 소자(T1)를 통하여 도통한다. 한편, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 표시 기간 Tdsp에서의 화소 회로(P)의 등가회로는 제 1 실시예(도 4의 (c))와 동일하다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 기입 기간 Twrt와 별개의 초기화 기간 Tinit는 설정되지 않는다.
이 구성에서도 발광 소자(17)에 공급되는 전류(Iel)는 식 (2)에 나타낸 전류값으로 되기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다. 또한, 본 실시예에 서는 주사 신호(Ssel[i])가 제 1 제어 신호(S1[i])로서 겸용되기 때문에, 선택용 트랜지스터(Tsl)와 제 1 스위칭 소자(T1)가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다.
<C : 제 3 실시예>
다음으로, 본 발명의 제 3 실시예에 대해서 설명한다. 제 1 실시예에서는 주사 신호(Ssel[i])·제 1 제어 신호(S1[i]) 및 제 2 제어 신호(S2[i])와는 별개로 초기화 전위(Vinit)가 전원 회로(28)에 의해 생성되는 구성을 예시했지만, 주사선 구동 회로(21)에 의해 생성되는 신호를 초기화 전위(Vinit)로서 이용할 수도 있다. 본 실시예에서의 화소 회로(P)는 제 2 제어 신호(S2[i])가 초기화 전위(Vinit)로서 겸용되는 구성으로 되어 있다.
도 8은 본 실시예에서의 화소 회로(P)의 구성을 나타낸 회로도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 제 1 스위칭 소자(T1)의 드레인 단자가 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 단자와 함께 제 2 제어선(112)에 접속된다. 즉, 주사선 구동 회로(21)로부터 출력된 제 2 제어 신호(S2[i])는 제 2 스위칭 소자(T2)의 상태 제어에 사용되는 동시에 초기화 전위(Vinit)로서 접속점(Nb)에 공급된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서의 제 2 제어 신호(S2[i])는 주사 신호(Ssel[i])와 동일한 파형으로 된다. 따라서, 제 2 실시예와 동일하게, 기입 기간 Twrt와는 별개의 초기화 기간 Tinit는 설정되지 않는다. 도 9 및 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 기입 기간 Twrt에서는 로우 레벨에 있는 제 2 제어 신호(S2[i])의 전위(VS2[i]_L)가 제 1 스위칭 소자(T1)를 통하여 접속점(Nb)에 공급된 다. 따라서, 표시 기간 Tdsp에서의 접속점(Nb)의 전위는, 도 1O의 (b)에 나타낸 바와 같이 「VS2[i]_L+(V1-Vdata)」로 되기 때문에, 표시 기간 Tdsp에서 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)는 이하의 식 (2a)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(VS2[i]_L-Vdata-Vth)2 …(2a)
이와 같이 본 실시예에서도 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다. 또한, 본 실시예에서는 초기화 전위(Vinit)가 다른 신호로부터 독립적으로 생성되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다는 이점이 있다.
<D : 제 4 실시예>
다음으로, 본 발명의 제 4 실시예에 대해서 설명한다. 제 3 실시예에서는 각 화소 회로(P)에 공급되는 신호(제 2 제어 신호(S2)[i])가 그 화소 회로(P)에서의 초기화 전위(Vinit)로서 겸용되는 구성을 예시했지만, 각 화소 회로(P)에 공급되는 신호를 다른 화소 회로(P)의 초기화 전위(Vinit)로서 겸용할 수도 있다. 본 실시예에서는, 제 (i-1) 행째의 각 화소 회로(P)에 공급되는 주사 신호(Ssel[i-1])가 그 화소 회로(P)에 대하여 Y방향의 플러스 측에 인접하는 제 i 행째의 각 화소 회로(P)에서 초기화 전위(Vinit)로서 겸용되는 구성으로 되어 있다.
도 11은 본 실시예에서의 화소 회로(P)의 구성을 나타낸 회로도이다. 도 11에서는 제 (i-1) 행에 속하는 제 j 열째의 화소 회로(P)와 제 i 행에 속하는 동렬(同列)의 화소 회로(P)가 도시되어 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제 i 행에 속 하는 화소 회로(P) 중 제 1 스위칭 소자(T1)의 드레인 단자는 제 (i-1) 행의 주사선(110)에 접속된다. 즉, 주사 신호(Ssel[i-1])는 제 (i-1) 행의 화소 회로(P)에 공급되는 동시에 제 i 행의 화소 회로(P)에 초기화 전위(Vinit)로서 공급된다.
본 실시예에서의 각 신호는 제 3 실시예(도 9)와 동일한 파형으로 된다. 도 12의 (a)에 나타낸 바와 같이, 주사 신호(Ssel[i])가 하이 레벨로 되는 기입 기간 Twrt에서는, 로우 레벨의 주사 신호(Ssel[i-1])의 전위(VSsel[i-1]_L)가 초기화 전위(Vinit)로서 제 i 행째의 화소 회로(P)의 접속점(Nb)에 공급된다. 따라서, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 표시 기간 Tdsp에서의 제 i 행째의 화소 회로(P)의 접속점(Nb)의 전위는 「VSsel[i-1]_L+(V1-Vdata)」로 되기 때문에, 표시 기간 Tdsp에서 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)는 이하의 식 (2b)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(VSsel[i-1]_L-Vdata-Vth)2 …(2b)
이와 같이 본 실시예에서도 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다. 또한, 본 실시예에서는, 제 3 실시예와 마찬가지로, 초기화 전위(Vinit)가 다른 신호로부터 독립적으로 생성되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다는 이점이 있다.
또한, 여기서는 각 화소 전극(P)에 공급되는 주사 신호(Ssel[i])를 그 Y방향으로 인접하는 화소 전극(P)의 초기화 전위(Vinit)로서 겸용하는 구성을 예시했지만, 초기화 전위(Vinit)로서 겸용되는 주사 신호(Ssel[i])의 공급원은 임의로 변경된다. 예를 들어 제 i 행째의 화소 회로(P)에서의 초기화 전위(Vinit)로서, 제 (i-1) 행째 이외의 주사선(11O)(예를 들어 제 (i-2) 행째의 주사선(110))에 공급되는 주사 신호가 이용되는 구성으로 할 수도 있다.
<E : 제 5 실시예>
다음으로, 본 발명의 제 5 실시예에 대해서 설명한다. 이상의 각 실시예에서는 화소 회로(P)를 구성하는 모든 스위칭 소자가 n채널형으로 된 구성을 예시했지만, 각 스위칭 소자의 도전형은 적절히 변경된다. 본 실시예에서는 p채널형 트랜지스터가 구동 트랜지스터(Tdr)로서 사용된 구성으로 되어 있다.
도 13은 본 실시예에서의 화소 회로(P)의 구성을 나타낸 회로도이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 구동 트랜지스터(Tdr)는 소스 단자가 전원선(31)에 접속되는 동시에 드레인 단자가 발광 소자(17)의 양극에 접속된 p채널형 박막트랜지스터이다. 제 2 스위칭 소자(T2)는 그 드레인 단자가 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자 및 전원선(31)에 접속되는 동시에 소스 단자가 접속점(Na)에 접속된다. 또한, 화소 회로(P)에 공급되는 각 신호의 파형은 제 1 실시예(도 3)와 동일하다.
도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 초기화 기간 Tinit에서, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 단자와 도통한다. 따라서, 제 2 전극(L2)에는 전원선(31)으로부터 전위(VH)가 공급된다. 또한, 도 14의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기입 기간 Twrt에서는, 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)에 데이터 전위(Vdata)가 공급되는 동시에 제 1 전극(L1)에 초기화 전위(Vinit)가 공급된다. 한편, 도 14의 (c)에 도시된 바와 같이, 기입 기간 Twrt에 연속되는 표시 기간 Tdsp에서는, 제 2 스위칭 소자(T2)가 온 상태로 천이됨으로써 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)의 전위가 그 직전의 전위(Vdata)로부터 전위(VH)로 변동한다. 이 변동에 따라, 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)의 전위는 기입 기간 Twrt에서 공급된 전위(Vinit)로부터 전위 「Vinit+(VH-Vdata)」로 변동한다. 여기서, 표시 기간 Tdsp에서의 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압(Vgs)은 유지 용량(C)의 제 1 전극(L1)의 전위와 제 2 전극(L2)의 전위의 차분(Vgs=VH-{Vinit+(VH-Vdata)})에 상당하기 때문에, 표시 기간 Tdsp에서 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)는 구동 트랜지스터(Tdr)가 포화 영역에서 동작하면 이하의 식 (2c)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(Vgs-Vth)2
=(1/2)β[VH-{Vinit+(VH-Vdata)}-Vth]2
=(1/2)β(Vdata-Vinit-Vth)2 …(2c)
이와 같이 본 실시예에서도 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 얻어진다. 또한, 본 실시예에서는 구동 트랜지스터(Tdr)가 p채널형으로 되어 있기 때문에, 구동 트랜지스터(Tdr)가 n채널형으로 된 제 1 실시예 내지 제 4 실시예와 비교하여 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 단자에 인가해야 할 전위를 저감시킬 수 있다.
본 실시예에서도, 제 2 실시예와 같이 화소 회로(P)에 공급되는 신호 중 적어도 하나가 다른 신호로서 겸용되는 구성이나, 제 3 실시예 또는 제 4 실시예와 같이 어떤 신호가 초기화 전위(Vinit)로서 겸용되는 구성을 채용할 수 있다. 구체적인 형태를 예시하면 다음과 같다.
(a) 제 1 형태
도 15에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 단자를 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속함으로써, 주사 신호(Ssel[i])가 제 1 제어 신호(S1[i])로서 겸용되는 구성으로 할 수도 있다. 이 구성에서의 각 신호의 파형은 제 2 실시예(도 6)와 동일하다.
기입 기간 Twrt에서는 도 14의 (b)에 나타낸 바와 같이 제 1 전극(L1)에 초기화 전위(Vinit)가 공급되는 동시에 제 2 전극(L2)에 데이터 전위(Vdata)가 공급되고, 표시 기간 Tdsp에서는 도 14의 (c)에 나타낸 바와 같이 제 2 전극(L2)의 전위가 전위(VH)로 변동하는 동시에 제 1 전극(L1)의 전위가 「Vinit+(VH-Vdata)」로 변동한다. 따라서, 본 형태에서도 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다. 또한, 본 형태에 의하면, 선택용 트랜지스터(Tsl)와 제 1 스위칭 소자(T1)가 공통 신호(주사 신호(Ssel[i]))에 의해 제어되기 때문에, 각각이 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다.
(b) 제 2 형태
도 16에 도시된 바와 같이, 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 단자를 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 단자와 함께 제 1 제어선(111)에 접속함으로써, 제 1 제어 신호(S1[i])가 제 2 제어 신호(S2[i])로서 겸용되는 구성으로 할 수도 있다. 다 만, 이 구성에서는 제 2 스위칭 소자(T2)가 p채널형 트랜지스터로 된다.
도 17에 도시된 바와 같이, 본 형태에서는 초기화 기간 Tinit 및 기입 기간 Twrt에서 하이 레벨로 되는 제 1 제어 신호(S1[i])가 제 1 스위칭 소자(T1) 및 제 2 스위칭 소자(T2)에 공급된다. 따라서, 도 18의 (a)에 도시된 바와 같이, 초기화 기간 Tinit에서는 제 2 스위칭 소자(T2)가 오프 상태로 됨으로써 유지 용량(C)의 제 2 전극(L2)은 데이터선(13) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 단자의 어느쪽에도 도통하지 않는다. 한편, 도 18의 (b) 및 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 기입 기간 Twrt 및 표시 기간 Tdsp에서의 화소 회로(P)의 동작은 도 14의 (b) 및 (c)에 도시한 제 5 실시예와 동일해지기 때문에, 본 형태에서도 제 5 실시예와 동일한 작용 및 효과가 나타난다. 또한, 본 형태에 의하면, 제 1 스위칭 소자(T1)와 제 2 스위칭 소자(T2)가 공통 신호(제 1 제어 신호(S1[i]))에 의해 제어되기 때문에, 그 각각이 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다.
(c) 제 3 형태
도 19에 도시된 바와 같이, 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 단자를 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속함으로써, 주사 신호(Ssel[i])가 제 2 제어 신호(S2[i])로서 겸용되는 구성으로 할 수도 있다. 또한, 제 2 스위칭 소자(T2)는 p채널형 트랜지스터로 된다. 이 구성에서 화소 회로(P)에 공급되는 각 신호는 제 2 형태(도 17)와 동일한 파형으로 된다. 또한, 각 기간에서의 화소 회로(P)의 등가회로는 제 5 실시예(도 14)와 동일하다. 이 구성에 의하면, 제 1 실시예와 동일한 효과에 더하여, 선택용 트랜지스터(Tsl)와 제 2 스위칭 소자(T2)가 별개의 신호에 의해 제어되는 경우와 비교하여 구성이 간소화된다는 이점이 있다.
(d) 제 4 형태
상술한 제 1 내지 제 3 형태를 적절히 조합시킬 수도 있다. 예를 들어 도 20에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1) 및 제 2 스위칭 소자(T2)의 각각의 게이트 단자가 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속된 구성으로 할 수도 있다. 이 형태에서는 주사 신호(Ssel[i])가 제 1 제어 신호(S1[i]) 및 제 2 제어 신호(S2[i])로서 겸용된다. 또한, 본 형태에서도 제 2 및 제 3 형태와 동일하게 제 2 스위칭 소자(T2)는 p채널형 트랜지스터로 된다.
본 형태에서의 주사 신호(Ssel[i])는 도 21에 도시된 바와 같이 제 1 실시예에서의 주사 신호(Ssel[i])와 동일한 파형으로 된다. 또한, 각 기간에서의 화소 회로(P)의 등가회로는 제 1 형태와 동일하다. 본 형태에 의하면, 선택용 트랜지스터(Tsl)와 제 1 스위칭 소자(T1)와 제 2 스위칭 소자(T2)가 공통 신호(주사 신호Ssel[i])에 의해 제어되기 때문에, 그 각각이 별개의 신호에 의해 제어되는 구성(제 5 실시예)이나 이 중 2개의 요소가 공통 신호에 의해 제어되는 구성(제 1 내지 제 3 형태)과 비교하여 구성이 간소화된다.
(e) 제 5 형태
도 22에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1)의 드레인 단자를 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속함으로써, 선택용 트랜지스터(Tsl)를 제어하기 위한 주사 신호(Ssel[i])가 초기화 전위(Vinit)로서 겸용 되는 구성으로 할 수도 있다. 이 구성에서 화소 회로(P)에 공급되는 각 신호는 제 1 실시예(도 3)와 동일하다.
본 형태에서는, 도 23의 (a)에 도시된 바와 같이, 기입 기간 Twrt에서 하이 레벨에 있는 주사 신호(Ssel[i])의 전위(Vsel[i]_H)가 초기화 전위(Vinit)로서 접속점(Nb)에 공급된다. 따라서, 표시 기간 Tdsp에서의 접속점(Nb)의 전위는, 도 23의 (b)에 도시된 바와 같이, 「VSsel[i]_H+(VH-Vdata)」로 되기 때문에, 표시 기간 Tdsp에서 발광 소자(17)에 흐르는 전류(Iel)는 이하의 식 (2d)에 의해 표현된다.
Iel=(1/2)β(Vdata-VSsel[i]_H-Vth)2 …(2d)
이렇게 하여, 본 형태에서도 전류(Iel)는 전위(VH)나 전위(VL)에 의존하지 않기 때문에, 제 1 실시예와 동일한 효과가 나타난다. 또한, 본 형태에서는 초기화 전위(Vinit)를 독립적으로 생성할 필요가 없기 때문에 구성이 간소화된다.
(f) 제 6 형태
상술한 제 1 내지 제 5 형태를 적절히 조합시킬 수도 있다. 예를 들어 도 24에 도시된 바와 같이, 제 1 스위칭 소자(T1)의 게이트 단자 및 드레인 단자와 제 2 스위칭 소자(T2)의 게이트 단자가 선택용 트랜지스터(Tsl)의 게이트 단자와 함께 주사선(110)에 접속된 구성(즉, 도 20에 도시한 제 4 형태와 도 22에 도시한 제 5 형태를 조합시킨 구성)으로 할 수도 있다. 이 구성에서의 주사 신호(Ssel[i])는 도 21에 도시된 파형으로 되고, 각 기간에서의 화소 회로(P)의 등가회로는 도 23에 나타낸 구성으로 된다. 이 형태에 의하면, 상술한 각 형태의 화소 회로(P)와 비교 하여 구성이 간소화된다.
<F : 변형예>
각 실시예에 대해서는 다양한 변형을 부가할 수 있다. 구체적인 변형의 형태를 예시하면 다음과 같다. 또한, 이하에 나타낸 각 형태를 적절히 조합시킬 수도 있다.
(1) 변형예 1
제 1 내지 제 4 실시예에서는 화소 회로(P)의 모든 스위칭 소자가 n채널형으로 된 구성을 예시하고, 제 5 실시예에서는 구동 트랜지스터(Tdr)가 p채널형으로 된 구성을 예시했지만, 화소 회로(P)의 각 스위칭 소자의 도전형은 이상의 예시 이외로도 적절히 변경된다.
(2) 변형예 2
또한, 상술한 각 실시예를 적절히 조합시킬 수도 있다. 예를 들어 화소 회로(P)를 구성하는 모든 스위칭 소자가 n채널형으로 된 제 1 실시예에 대해서도 제 5 실시예의 각 형태와 동일한 구성을 채용할 수 있다.
(3) 변형예 3
각 실시예에서는 유기 EL 재료를 이용한 발광 소자(17)를 예시했지만, 이것 이외의 발광 소자를 이용한 전기 광학 장치에도 본 발명은 적용된다. 예를 들어 무기 EL 소자를 이용한 표시 장치, 전계 방출 디스플레이(FED: Field Emission Display), 표면 도전형 전자 방출 디스플레이(SED: Surface-conduction Electron-emitter Display), 탄도 전자 방출 디스플레이(BSD: Ballistic electron Surface emitting Display), 발광 다이오드를 이용한 표시 장치와 같은 각종 전기 광학 장치에 대하여 각 실시예와 동일한 구성이 채용된다.
<G : 응용예>
다음으로, 본 발명에 따른 전기 광학 장치를 이용한 전자 기기에 대해서 설명한다. 도 25는 각 실시예에 따른 전기 광학 장치(D)를 표시 장치로서 채용한 모바일형 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타낸 사시도이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는 표시 장치로서의 전기 광학 장치(D)와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 설치되어 있다. 이 전기 광학 장치(D)는 발광 소자(17)에 유기 EL 재료를 사용하고 있기 때문에, 시야각(視野角)이 넓어 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다.
도 26에 실시예에 따른 전기 광학 장치(D)를 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타낸다. 휴대 전화기(3000)는 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002), 표시 장치로서의 전기 광학 장치(D)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 전기 광학 장치(D)에 표시되는 화면이 스크롤된다.
도 27에 실시예에 따른 전기 광학 장치(D)를 적용한 휴대 정보 단말(PDA: Personal Digital Assistants)의 구성을 나타낸다. 휴대 정보 단말(4000)은 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002), 표시 장치로서의 전기 광학 장치(D)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 메모책(date book)과 같은 각종 정보가 전기 광학 장치(D)에 표시된다.
또한, 본 발명에 따른 전기 광학 장치가 적용되는 전자 기기로서는, 도 25 내지 도 27에 나타낸 것 이외에, 디지털 스틸 카메라, 텔레비전, 비디오 카메라, 카 네비게이션(car navigation) 장치, 소형 무선 호출기(pager), 전자수첩, 전자 페이퍼, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 텔레비전 전화, P0S 단말, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 터치패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 또한, 전기 광학 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들어 광기입형 프린터나 전자 복사기와 같은 화상 형성 장치에서는, 용지 등의 기록재에 형성되어야 할 화상에 따라 감광체를 노광하는 기입 헤드가 사용되지만, 이러한 기입 헤드로서도 본 발명의 전기 광학 장치는 사용된다. 본 발명에서의 전자 회로는, 각 실시예와 같이 표시 장치의 화소를 구성하는 화소 회로 이외에, 화상 형성 장치에서의 노광의 단위로 되는 회로도 포함하는 개념이다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 전원선에서의 전압 강하에 기인한 각 발광 소자의 계조 편차를 억제할 수 있다.

Claims (16)

  1. 각각의 전위가 상이한 제 1 급전선(給電線)과 제 2 급전선 사이에 삽입되어 전류의 공급에 의해 발광(發光)하는 발광 소자와, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압을 유지하는 유지 용량과, 상기 제 1 급전선과 상기 제 2 급전선 사이에 삽입되어 게이트 단자가 상기 유지 용량의 상기 제 1 전극에 접속된 구동 트랜지스터를 구비하는 전자 회로를 구동하는 방법으로서,
    제 1 기간에서, 상기 발광 소자에 지정된 계조에 따른 데이터 전위를 상기 유지 용량의 상기 제 2 전극에 인가하는 동시에 초기화 전위가 공급되는 초기화용 배선을 상기 유지 용량의 상기 제 1 전극에 도통(導通)시키고,
    상기 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서, 상기 유지 용량의 상기 제 2 전극을 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 도통시키는 것을 특징으로 하는 전자 회로의 구동 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화 전위는 상기 구동 트랜지스터를 오프(off) 상태로 하는 레벨인 것을 특징으로 하는 전자 회로의 구동 방법.
  3. 각각의 전위가 상이한 제 1 급전선과 제 2 급전선 사이에 삽입되어 전류의 공급에 의해 발광하는 발광 소자와,
    제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압을 유지하는 유지 용량과,
    상기 제 1 급전선과 상기 제 2 급전선 사이에 삽입되어 게이트 단자가 상기 유지 용량의 상기 제 1 전극에 접속된 구동 트랜지스터와,
    상기 발광 소자에 지정된 계조에 따른 데이터 전위가 공급되는 데이터선과 상기 유지 용량의 상기 제 2 전극의 도통(導通) 및 비도통(非導通)을 전환하는 선택용 스위칭 소자와,
    초기화 전위가 공급되는 초기화용 배선에 접속된 제 1 단자와 상기 유지 용량의 상기 제 1 전극에 접속된 제 2 단자의 도통 및 비도통을 전환하는 제 1 스위칭 소자와,
    상기 유지 용량의 상기 제 2 전극에 접속된 제 1 단자와 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 접속된 제 2 단자의 도통 및 비도통을 전환하는 제 2 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 초기화 전위는 상기 구동 트랜지스터를 오프 상태로 하는 레벨인 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터, 상기 선택용 스위칭 소자, 상기 제 1 스위칭 소자 및 상기 제 2 스위칭 소자는 n채널형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 선택용 스위칭 소자는 상기 선택용 스위칭 소자에 공급되는 주사 신호에 따라, 제 1 기간의 일부 또는 전부에서 온(on) 상태로 되는 동시에 상기 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서 오프(off) 상태로 되고,
    상기 제 1 스위칭 소자는 상기 제 1 스위칭 소자에 공급되는 제 1 제어 신호에 따라, 상기 제 1 기간에서 온 상태로 되는 동시에 상기 제 2 기간에서 오프 상태로 되며,
    상기 제 2 스위칭 소자는 상기 제 2 스위칭 소자에 공급되는 제 2 제어 신호에 따라, 상기 제 1 기간에서 오프 상태로 되는 동시에 상기 제 2 기간에서 온 상태로 되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 소자는 상기 제 1 기간에 포함되는 초기화 기간 및 그 직후의 기입 기간 양쪽에서 온 상태로 되고,
    상기 선택용 스위칭 소자는 상기 초기화 기간에서 오프 상태로 되는 동시에 상기 기입 기간에서 온 상태로 되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 주사 신호는 상기 선택용 스위칭 소자에 공급되는 동시에 상기 제 1 스 위칭 소자에 상기 제 1 제어 신호로서 공급되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 스위칭 소자와 상기 제 2 스위칭 소자는 서로 도전형(導電型)이 상이한 트랜지스터이고,
    상기 제 1 제어 신호는 상기 제 1 스위칭 소자에 공급되는 동시에 상기 제 2 스위칭 소자에 상기 제 2 제어 신호로서 공급되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 스위칭 소자는 상기 선택용 스위칭 소자와는 도전형이 상이한 트랜지스터이고,
    상기 주사 신호는 상기 선택용 스위칭 소자에 공급되는 동시에 상기 제 2 스위칭 소자의 게이트 단자에 상기 제 2 제어 신호로서 공급되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 스위칭 소자는 상기 선택용 스위칭 소자 및 상기 제 1 스위칭 소자와는 도전형이 상이한 트랜지스터이고,
    상기 주사 신호는 상기 제 1 스위칭 소자에 상기 제 1 제어 신호로서 공급되는 동시에 상기 제 2 스위칭 소자에 상기 제 2 제어 신호로서 공급되는 것을 특징 으로 하는 전자 회로.
  12. 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주사 신호는 상기 선택용 스위칭 소자에 공급되는 동시에 상기 초기화 전위로서 상기 초기화용 배선에 공급되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  13. 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 제어 신호는 상기 제 2 스위칭 소자에 공급되는 동시에 상기 초기화 전위로서 상기 초기화용 배선에 공급되는 것을 특징으로 하는 전자 회로.
  14. 면 형상으로 배열된 제 3 항에 기재된 복수의 전자 회로와,
    상기 각 전자 회로를 구동하여 상기 발광 소자를 발광시키는 구동 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 각 전자 회로의 선택용 스위칭 소자는 상기 구동 회로로부터 공급되는 주사 신호에 따라, 제 1 기간의 일부 또는 전부에서 온 상태로 되는 동시에 상기 제 1 기간에 연속되는 제 2 기간에서 오프 상태로 되고,
    상기 구동 회로로부터 1개의 전자 회로의 선택용 스위칭 소자에 공급되는 주사 신호는 다른 전자 회로의 초기화용 배선에 상기 초기화 전위로서 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 기재된 전기 광학 장치를 구비하는 전자 기기.
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