CN104575369B - 像素驱动电路及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素驱动电路及显示装置，其特征在于，所述像素驱动电路包括：一控制单元；一电容；一第一晶体管；一第二晶体管；一第三晶体管以及一第四晶体管，以对多个薄膜晶体管的控制有效补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化，防止电流不均匀造成屏幕亮度不均匀，同时延长屏幕的使用寿命。

Description

像素驱动电路及显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其涉及显示装置的驱动电路。
背景技术
有机发光显示装置具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当电流通过时，有机材料就会发光，而且有机发光显示装置显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，因为此有机发光显示装置却具备了许多液晶显示装置不可比拟的优势。
有机发光显示装置可以分为无源矩阵型和有源矩阵型，在无源矩阵中，像素在扫描线和信号线彼此交叉的位置以矩阵形式布置，在有源矩阵型中，各像素被如开关般操作的薄膜晶体管控制。
图1是传统的有机发光显示装置的像素电路的电路图。
参照图1，传统的有机发光显示装置的像素电路包括多根同方向延伸的扫描线G1至Gn、多根同方向延伸的数据线S1至Sm、多根同方向延伸的公共功率线D1至Dm以及多个像素单元101。其中，数据线的数量与公共功率线的数量相同。多根数据线S1至Sm与多根扫描线G1至Gn交叉并绝缘。多根公共功率线D1至Dm与多根扫描线G1至Gn交叉并绝缘。每个像素单元101由包括扫描线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定。
其中像素单元101的电路图参见图2。每个像素单元101中包括开关薄膜晶体管108、驱动薄膜晶体管112、电容器110以及有机发光二极管114。其中，一个像素101由包括扫描线102、数据线104和公共功率线106所围成的区域限定。
有机发光二极管114包括像素电极、形成在像素电极上的有机发射层和形成在有机发射层上的共电极。其中，像素电极作为空穴注入电极的阳极，共电极作为电子注入电极的阴极。在一个变化例中，根据有机发光显示装置的驱动方法，像素电极可以是阴极，共电极可以是阳极。空穴和电子分别从像素电极和共电极注入到有机发射层，并形成激子。当激子从激发态变到基态时，进而发光。
开关薄膜晶体管108包括开关半导体层(图中未示出)、开关栅电极107、开关源电极103和开关漏电极105。驱动薄膜晶体管112包括驱动半导体层(图中未示出)、驱动栅电极115、驱动源电极113和驱动漏电极117。
电容器110包括第一维持电极109和第二维持电极111，在第一维持电极109和第二维持电极111之间设置有层间绝缘层。
开关薄膜晶体管108作为用于选择像素发光的开关。开关栅电极107连接到扫描线102。开关源电极103连接到数据线104。开关漏电极105被设置为与开关源电极103相隔一定距离，开关漏电极105连接到第一维持电极109。
驱动薄膜晶体管112向像素电极施加驱动功率，以使所选的像素中的有机发光二极管114的有机发射层发光。驱动栅电极115连接到第一维持电极。驱动源电极113和第二维持电极111分别连接到公共功率线106。驱动漏电极117通过一接触孔连接到有机发光二极管114的像素电极。
利用上述结构，通过施加到扫描线102的栅极电压来驱动开关薄膜晶体管108，从而将施加到数据线104的数据电压传输到驱动薄膜晶体管112。与从公共功率线106传输到驱动薄膜晶体管112的共电压和通过开关薄膜晶体管108传输的数据电压之间的电压差对应的电压被存储在电容器110中，与存储在电容器110中的电压对应的电流经过驱动薄膜晶体管112流向有机发光二极管114，因而，有机发光二极管114发光。
进一步地，有机发光显示装置的电压源是影响亮度的主要原因，因此电压源的稳定度是影响有机发光显示装置特性的一项重要的指标。
高分辨率的有机发光显示装置已是目前必然趋势，然而高解析面板造成充电时间变短，以及数据线数量增加。这两个因素都会造成有机发光显示装置电压源被扰动而无法恢复原先稳定的电位。
具体地，有源矩阵有机发光显示装置中，亮度是由流过有机发光二极管的电流决定，为保持有机发光显示装置的均匀亮度，有机发光二极管的电流需控制在±1％的范围内。但目前现有IC电路皆传输电压信号，非电流信号，因此有源矩阵有机发光显示装置像素要完成电压专换成电流信号于一帧的周期内且各像素稳定均匀，是一个困难的任务。其中，有机发光二极管驱动电路中驱动薄膜晶体管的阀值电压是影响电流重要因素之一。
发明内容
本发明提供一种像素驱动电路，其特征在于，包括：一控制单元，分别与数据线、公共功率线、第一扫描线以及第一节点耦合，并通过所述第一扫描线的输入信号控制第一节点的电压为所述数据线的电压或者所述公共功率线的电压；一电容，所述电容的第一维持电极耦合至所述第一节点，所述电容的第二维持电极耦合至第二节点；一第一晶体管，所述第一晶体管的源极与所述公共功率线耦合，栅极与第二扫描线耦合，漏极与第二晶体管的漏极耦合；一第二晶体管，所述第二晶体管的源极与第三节点耦合，栅极与所述第二节点耦合，漏极与所述第一晶体管的漏极耦合；一第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第一输入端耦合，漏极与所述第二节点耦合；以及一第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第二输入端耦合，漏极与一发光二极管的正极耦合。
优选地，所述第一输入端被配置为接收参考信号，所述第二输入端被配置为接收发光信号。
优选地，所述控制单元包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极与所述数据线耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述第一节点耦合；以及第六晶体管，所述第六晶体管的源极与所述第一节点耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述公共功率线耦合。
优选地，所述第五晶体管为PMOS结构；以及所述第六晶体管为NMOS结构，当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点；当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点。
优选地，所述第一晶体管为NMOS结构；以及所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为如下晶体管中的一种：多晶硅薄膜晶体管；或者非晶硅薄膜晶体管。
优选地，所述第五晶体管为NMOS结构；以及所述第六晶体管为PMOS结构，当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点；当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点。
优选地，所述第一晶体管、第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为如下晶体管中的一种：多晶硅薄膜晶体管；或者非晶硅薄膜晶体管。
优选地，所述电容为瓷片电容。
根据本发明的又一方面，还提供一种显示装置，其特征在于，包括多根扫描线、与所述多根扫描线交叉并绝缘的公共功率线、与所述多根扫描线交叉并绝缘的数据线、由所述多个扫描线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元，所述像素单元包括：发光二极管；以及像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：一控制单元，分别与所述数据线、所述公共功率线、第一扫描线以及第一节点耦合，并通过所述第一扫描线的输入信号控制第一节点的电压为所述数据线的电压或者所述公共功率线的电压；一电容，所述电容的第一维持电极耦合至所述第一节点，所述电容的第二维持电极耦合至第二节点；一第一晶体管，所述第一晶体管的源极与所述公共功率线耦合，栅极与第二扫描线耦合，漏极与第二晶体管的漏极耦合；一第二晶体管，所述第二晶体管的源极与第三节点耦合，栅极与所述第二节点耦合，漏极与所述第一晶体管的漏极耦合；一第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第一输入端耦合，漏极与所述第二节点耦合；以及一第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第二输入端耦合，漏极与发光二极管的正极耦合其中，与一所述像素单元耦合的第一扫描线为与所述像素单元相邻的像素单元的第二扫描线。
优选地，所述第一输入端被配置为接收参考信号，所述第二输入端被配置为接收发光信号。
优选地，所述控制单元包括：第五晶体管，所述第五晶体管的源极与所述数据线耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述第一节点耦合；以及第六晶体管，所述第六晶体管的源极与所述第一节点耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述公共功率线耦合。
优选地，所述第五晶体管为PMOS结构；以及所述第六晶体管为NMOS结构，当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点；当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点。
优选地，所述第一晶体管为NMOS结构；以及所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为如下晶体管中的一种：多晶硅薄膜晶体管；或者非晶硅薄膜晶体管。
优选地，所述第五晶体管为NMOS结构；以及所述第六晶体管为PMOS结构，当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点；当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点。
优选地，所述第一晶体管、第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管为如下晶体管中的一种：多晶硅薄膜晶体管；或者非晶硅薄膜晶体管。
优选地，所述发光二极管为有机发光二极管。
本发明利用多个薄膜晶体管和一个电容的像素单元，以及扫描线、参考信号和发光信号对多个薄膜晶体管的控制有效补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化，防止电流不均匀造成屏幕亮度不均匀，同时延长屏幕的使用寿命。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1示出现有技术中的有机发光显示装置的像素驱动电路的示意性电路图；
图2示出现有技术中的有机发光显示装置的像素驱动电路的每个像素单元的示意性电路图；
图3示出本发明第一实施例的有机发光显示装置的像素驱动电路的每个像素单元的示意性电路图；
图4示出本发明第一实施例的有机发光显示装置的像素驱动电路的输入信号的波形图；
图5示出本发明第二实施例的有机发光显示装置的像素驱动电路的每个像素单元的示意性电路图；
图6示出本发明第二实施例的有机发光显示装置的像素驱动电路的输入信号的波形图；以及
图7示出本发明提供的有机发光显示装置的示意图。
附图标记
101 像素单元
102 扫描线
104 数据线
106 公共功率线
108 开关薄膜晶体管
103 开关薄膜晶体管源极
105 开关薄膜晶体管漏极
107 开关薄膜晶体管栅极
110 电容
109 第一维持电极
111 第二维持电极
112 驱动薄膜晶体管
117 驱动薄膜晶体管源极
113 驱动薄膜晶体管漏极
115 驱动薄膜晶体管栅极
114 发光二极管
200、300 像素单元
202、302 公共功率线
204、304 数据线
206、306 第一扫描线
208、308 第二扫描线
210、310 第一输入端
212、312 第二输入端
214、314 控制单元
220、320 第一节点
222、322 第二节点
236 第三节点
228、328 第一晶体管
226、326 第二晶体管
224、324 第三晶体管
230、330 第四晶体管
216、316 第五晶体管
218、318 第六晶体管
234、334 电容
232、332 发光二极管
238、338 地
402、602 信号波形图第一部分
404、604 信号波形图第二部分
406、606 信号波形图第三部分
10 像素单元
20 扫描驱动器
30 数据驱动器
40 发光(参考)信号驱动器
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中，为了清晰，夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
图3示出本发明第一实施例的有机发光显示装置的像素电路的每个像素单元的示意性电路图。像素单元200包括控制单元214、电容234、第一晶体管228、第二晶体管226、第三晶体管224、第四晶体管230以及发光二极管232。
控制单元214，分别与数据线204、公共功率线202、第一扫描线206以及第一节点220耦合。具体地，控制单元214包括第五晶体管216以及第六晶体管218。第五晶体管216的源极与数据线204耦合，栅极与第一扫描线206耦合，漏极与第一节点220耦合。第六晶体管218的源极与第一节点220耦合，栅极与第一扫描线206耦合，漏极与公共功率线202耦合。本实施例中，第五晶体管216为PMOS结构、第六晶体管218为NMOS结构。
电容234设有第一维持电极以及第二维持电极，电容234的第一维持电极耦合至第一节点220，电容的第二维持电极耦合至第二节点222。
第一晶体管228设有源极、栅极以及漏极。第一晶体管228的源极与公共功率线202耦合，栅极与第二扫描线208耦合，漏极与第二晶体管226的漏极耦合。本实施例中，第一晶体管228为NMOS结构。
第二晶体管226设有源极、栅极以及漏极。第二晶体管226的源极与第三节点236耦合，栅极与第二节点222耦合，漏极与第一晶体管228的漏极耦合。本实施例中，第二晶体管226为PMOS结构。
第三晶体管224设有源极、栅极以及漏极。第三晶体管224的源极与第三节点236耦合，栅极与第一输入端210耦合，漏极与第二节点222耦合。其中，第一输入端210被配置为接收参考信号。本实施例中，第三晶体管224为PMOS结构。
第四晶体管230设有源极、栅极以及漏极。第四晶体管230的源极与第三节点236耦合，栅极与第二输入端212耦合，漏极与发光二极管232的正极耦合。本实施例中，第四晶体管230为PMOS结构。
发光二极管232的正极与第四晶体管230的漏极耦合，负极接地。优选地，发光二极管232为有机发光二极管。
本实施中各个晶体管可以是多晶硅薄膜晶体管或者非晶硅薄膜晶体管。
其中，第二晶体管226为像素单元的驱动晶体管，本实施例通过发光信号、参考信号以及扫描信号控制电容234两端的电压。进一步地，使得通过发光二极管的电流不受驱动晶体管阈值电压的影响。
具体地，控制单元214通过第一扫描线206的输入信号控制第一节点220的电压为数据线204的电压或者公共功率线202的电压。由于第五晶体管216为PMOS结构、第六晶体管218为NMOS结构。当第一扫描线206输入高电平时，第五晶体管216截止，第六晶体管218导通，公共功率线202上的电压被施加第一节点220。当第一扫描线206输入低电平时，第五晶体管216导通，第六晶体管218截止，数据线204上的电压被施加到第一节点220。第二扫描线208的输入信号以及第一输入端210的参考信号控制施加到第二节点222的电压。
进一步地，结合图4示出的本发明第一实施例的有机发光显示装置的像素电路的输入信号的波形图对像素单元各晶体管的工作状态进行描述。
本实施例中，每一帧时间内各个信号的变化被分为三个部分。
首先是第一部分402，对像素单元进行初始化。
第一扫描线Si输入高电平,第五晶体管截止、第六晶体管导通，公共功率线上的电压VELVDD被施加至第一节点，也就是电容的第一维持电极。
第二扫描线Si-1输入低电平，第一晶体管截止。参考信号Refi输入低电平，第三晶体管导通。发光信号Emi输入低电平，第四晶体管导通。第二节点222的电压相当于有机发光二极管关闭时的电压，也就是电容的第二维持电极的电压相当于有机发光二极管关闭时的电压。
第二部分404，将数据信号写入像素单元。
第一扫描线Si输入低电平，第五晶体管导通，第六晶体管截止，数据线上的电压VDATA被施加到第一节点，也就是电容的第一维持电极。
第二扫描线Si-1输入高电平，第一晶体管导通。参考信号Refi输入低电平，第三晶体管导通。发光信号Emi输入高电平，第四晶体管截止。第二节点的电压为公共功率线上的电压减去第二晶体管的阈值电压，也就是VELVDD-Vth，也就是电容的第二维持电极的电压为VELVDD-Vth，其中Vth为第二晶体管的阈值电压。
第三部分406，控制像素单元发光。
第一扫描线Si输入高电平，第五晶体管截止，第六晶体管导通。第一节点的电压从VDATA变化至VELVDD，也就是电容的第一维持电极的电压从VDATA变化至VELVDD。
第二扫描线Si-1输入高电平，第一晶体管导通。参考信号Refi输入高电平，第三晶体管截止。发光信号Emi输入低电平，第四晶体管导通。第二晶体管导通。第二节点的电压为VELVDD-Vth-(VDATA-VELVDD)。也就是电容的第二维持电极的电压为VELVDD-Vth-(VDATA-VELVDD)。
由于流过发光二极管的电流可以根据如下公式计算：
IOLED＝β*(VSG-Vth)2，
其中，IOLED为流过发光二极管的电流，β＝1/2μCoxW/L，VSG为第二晶体管的源极和漏极的电压差，且VSG＝Vth+(VDATA-VELVDD)，Vth为第二晶体管的阈值电压。
已知，带入公式可得：
IOLED＝β*(VDATA-VELVDD)2，
根据上述公式，最后通过发光二极管的电流不受驱动晶体管阈值电压的影响。
图5示出本发明第二实施例的有机发光显示装置的像素电路的每个像素单元的示意性电路图。与图3所示第一实施例相似，像素单元300包括控制单元314、电容334、第一晶体管328、第二晶体管326、第三晶体管324、第四晶体管330以及发光二极管332。控制单元314包括第五晶体管316以及第六晶体管318。各元件之间的连接关系与图3所示第一实施例相同。具体地，在本实施例中，第一晶体管328、第二晶体管326、第三晶体管324、第四晶体管330以及第六晶体管318为PMOS结构、第五晶体管316为NMOS结构。优选地，发光二极管332为有机发光二极管。
本实施中各个晶体管可以是多晶硅薄膜晶体管或者非晶硅薄膜晶体管。
其中，第二晶体管326为像素单元的驱动晶体管，本实施例通过发光信号(第二输入端312)、参考信号(第一输入端310)以及第一扫描线306和第二扫描线308上的信号控制数据线304、公共功率线302以及地332施加在第一节点320以及第二节点322的电压，也就是电容334两端的电压。进一步地，使得通过发光二极管的电流不受驱动晶体管阈值电压的影响。
具体地，控制单元314通过第一扫描线306的输入信号控制第一节点320的电压为数据线204的电压或者公共功率线302的电压。由于第五晶体管316为NMOS结构、第六晶体管318为PMOS结构。当第一扫描线306输入高电平时，第五晶体管316导通，第六晶体管318截止，数据线304上的电压被施加第一节点320。当第一扫描线306输入低电平时，第五晶体管316截止，第六晶体管318导通，公共功率线302上的电压被施加到第一节点320。第二扫描线308的输入信号以及第一输入端310的参考信号控制施加到第二节点322的电压。
进一步地，结合图6示出的本发明第二实施例的有机发光显示装置的像素电路的输入信号的波形图对像素单元各晶体管的工作状态进行描述。
本实施例中，每一帧时间内各个信号的变化被分为三个部分。
首先是第一部分602，对像素单元进行初始化。
第一扫描线Si输入低电平,第五晶体管截止、第六晶体管导通，公共功率线上的电压VELVDD被施加至第一节点，也就是电容的第一维持电极。
第二扫描线Si-1输入高电平，第一晶体管截止。参考信号Refi输入低电平，第三晶体管导通。发光信号Emi输入低电平，第四晶体管导通。第二节点222的电压相当于有机发光二极管关闭时的电压，也就是电容的第二维持电极的电压相当于有机发光二极管关闭时的电压。
第二部分604，将数据信号写入像素单元。
第一扫描线Si输入高电平，第五晶体管导通，第六晶体管截止，数据线上的电压VDATA被施加到第一节点，也就是电容的第一维持电极。
第二扫描线Si-1输入低电平，第一晶体管导通。参考信号Refi输入低电平，第三晶体管导通。发光信号Emi输入高电平，第四晶体管截止。第二节点的电压为公共功率线上的电压减去第二晶体管的阈值电压，也就是VELVDD-Vth，也就是电容的第二维持电极的电压为VELVDD-Vth，其中Vth为第二晶体管的阈值电压。
第三部分606，控制像素单元发光。
第一扫描线Si输入低电平，第五晶体管截止，第六晶体管导通。第一节点的电压从VDATA变化至VELVDD，也就是电容的第一维持电极的电压从VDATA变化至VELVDD。
第二扫描线Si-1输入低电平，第一晶体管导通。参考信号Refi输入高电平，第三晶体管截止。发光信号Emi输入低电平，第四晶体管导通。第二晶体管导通。第二节点的电压为VELVDD-Vth-(VDATA-VELVDD)。也就是电容的第二维持电极的电压为VELVDD-Vth-(VDATA-VELVDD)。
由于流过发光二极管的电流可以根据如下公式计算：
IOLED＝β*(VSG-Vth)2，
其中，IOLED为流过发光二极管的电流，β＝1/2μCoxW/L，VSG为第二晶体管的源极和漏极的电压差，且VSG＝Vth+(VDATA-VELVDD)，Vth为第二晶体管的阈值电压。
已知，带入公式可得：
IOLED＝β*(VDATA-VELVDD)2，
根据上述公式，最后通过发光二极管的电流不受驱动晶体管阈值电压的影响。
图7示出本发明提供的有机发光显示装置的示意图。显示装置包括多条扫描线S1至Sn、与多条扫描线交叉并绝缘的提供ELVDD电压的公共功率线，与多条扫描线交叉并绝缘的数据线D1至Dm、由多条扫描线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元10。其中，扫描线S1至Sn上的扫描信号由扫描驱动器20控制。数据线D1至Dm上的数据信号由数据驱动器控制。本实施例还示出了发光(反馈)信号控制驱动器，用于向每个像素单元10提供相应的发光控制信号以及反馈信号。
其中，像素单元PXiiij(第iiij个像素单元10)接收两条扫描线Si以及Si-1的信号、反馈信号Refi、发光控制信号Emi、数据线Dj的信号并分别与两个电位ELVDD与ELVSS连接。
每个像素单元10的电路如图3所示第一实施例或者图5所示第二实施例。扫描线Si以及Si-1的信号、反馈信号Refi以及发光控制信号Emi的波形分别如图4所示第一实施例或者图6所示第二实施例。
本发明提供的有机发光显示装置能够根据上述信号有效补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化，防止电流不均匀造成屏幕亮度不均匀，同时延长屏幕的使用寿命。
以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (12)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
一控制单元，分别与数据线、公共功率线、第一扫描线以及第一节点耦合，并通过所述第一扫描线的输入信号控制第一节点的电压为所述数据线的电压或者所述公共功率线的电压；
一电容，所述电容的第一维持电极耦合至所述第一节点，所述电容的第二维持电极耦合至第二节点；
一第一晶体管，所述第一晶体管的源极与所述公共功率线耦合，栅极与第二扫描线耦合，漏极与第二晶体管的漏极耦合；
一第二晶体管，所述第二晶体管的源极与第三节点耦合，栅极与所述第二节点耦合，漏极与所述第一晶体管的漏极耦合；
一第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第一输入端耦合，漏极与所述第二节点耦合，所述第一输入端被配置为接收参考信号；以及
一第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第二输入端耦合，漏极与一发光二极管的正极耦合，所述第二输入端被配置为接收发光信号，
其中，在一帧时间内，所述像素驱动电路依次包括三个工作状态：
在第一工作状态中，所述像素驱动电路初始化，所述第一节点的电压为所述公共功率线的电压，所述第二节点的电压等于所述发光二极管关闭时的电压，所述第一晶体管截止；
在第二工作状态中，所述第一节点的电压为所述数据线的电压，所述参考信号控制所述第三晶体管导通；
在第三工作状态中，所述发光二极管发光。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述控制单元包括：
第五晶体管，所述第五晶体管的源极与所述数据线耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述第一节点耦合；以及
第六晶体管，所述第六晶体管的源极与所述第一节点耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述公共功率线耦合，
其中，所述第五晶体管为PMOS结构，所述第六晶体管为NMOS结构；或者
所述第五晶体管为NMOS结构，所述第六晶体管为PMOS结构。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，
所述第五晶体管为PMOS结构；以及
所述第六晶体管为NMOS结构，
当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点；
当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，
所述第一晶体管为NMOS结构；以及
所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
5.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，
所述第五晶体管为NMOS结构；以及
所述第六晶体管为PMOS结构，
当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点；
当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点。
6.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，
所述第一晶体管、第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
7.一种显示装置，其特征在于，包括多根扫描线、与所述多根扫描线交叉并绝缘的公共功率线、与所述多根扫描线交叉并绝缘的数据线、由所述多根扫描线、数据线以及公共功率线所围成的区域限定的多个像素单元，
所述像素单元包括：
发光二极管；以及
像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：
一控制单元，分别与所述数据线、所述公共功率线、第一扫描线以及第一节点耦合，并通过所述第一扫描线的输入信号控制第一节点的电压为所述数据线的电压或者所述公共功率线的电压；
一电容，所述电容的第一维持电极耦合至所述第一节点，所述电容的第二维持电极耦合至第二节点；
一第一晶体管，所述第一晶体管的源极与所述公共功率线耦合，栅极与第二扫描线耦合，漏极与第二晶体管的漏极耦合；
一第二晶体管，所述第二晶体管的源极与第三节点耦合，栅极与所述第二节点耦合，漏极与所述第一晶体管的漏极耦合；
一第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第一输入端耦合，漏极与所述第二节点耦合，所述第一输入端被配置为接收参考信号；以及
一第四晶体管，所述第四晶体管的源极与所述第三节点耦合，栅极与第二输入端耦合，漏极与发光二极管的正极耦合，所述第二输入端被配置为接收发光信号，
其中，与一所述像素驱动电路耦合的第一扫描线为与所述像素驱动电路相邻的像素驱动电路的第二扫描线
其中，在一帧时间内，所述像素驱动电路依次包括三个工作状态：
在第一工作状态中，所述像素驱动电路初始化，所述第一节点的电压为所述公共功率线的电压，所述第二节点的电压等于所述发光二极管关闭时的电压，所述第一晶体管截止；
在第二工作状态中，所述第一节点的电压为所述数据线的电压，所述参考信号控制所述第三晶体管导通；
在第三工作状态中，所述发光二极管发光。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述控制单元包括：
第五晶体管，所述第五晶体管的源极与所述数据线耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述第一节点耦合；以及
第六晶体管，所述第六晶体管的源极与所述第一节点耦合，栅极与所述第一扫描线耦合，漏极与所述公共功率线耦合，
其中，所述第五晶体管为PMOS结构，所述第六晶体管为NMOS结构；或者
所述第五晶体管为NMOS结构，所述第六晶体管为PMOS结构。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第五晶体管为PMOS结构；以及
所述第六晶体管为NMOS结构，
当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点；
当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一晶体管为NMOS结构；以及
所述第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第五晶体管为NMOS结构；以及
所述第六晶体管为PMOS结构，
当所述第一扫描线输入高电平时，所述第五晶体管导通，所述第六晶体管截止，所述数据线上的电压被施加到所述第一节点；
当所述第一扫描线输入低电平时，所述第五晶体管截止，所述第六晶体管导通，所述公共功率线上的电压被施加到所述第一节点。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第一晶体管、第二晶体管、所述第三晶体管以及所述第四晶体管为PMOS结构。
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