CN1945850A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及OLED显示器，包括第一像素、第二像素和第三像素。每一像素由栅线和数据线确定，且包括发光元件和连接至该发光元件的驱动晶体管。第一像素的发光元件的发光效率比第二像素和第三像素的发光元件的低，三个像素的发光元件的大小基本相同，第一像素的驱动晶体管所占的面积大于第二像素和第三像素的驱动晶体管所占的面积。

Description

有机发光二极管显示器

技术领域

本发明涉及有机发光二极管显示器。

背景技术

近来个人计算机和电视向轻薄方向发展的趋势需要轻薄的显示器件。满足该要求的平板显示器正取代常规的阴极射线管(CRT)。

这样的平板显示器包括液晶显示器(LCD)，场致发射显示器(FED)，有机发光二极管(OLED)显示器，等离子体显示板(PDP)等。

在平板显示器中，OLED显示器因其功耗低，响应快速，视角宽且对比度高而可能最具前途。

OLED显示器是自发射器件，其包括夹在两个电极之间的有机发光层。来自一个电极的空穴和来自另一电极的电子注入该发光层。注入的电子和空穴结合形成激子，这些激子在它们释放能量时而发光。

OLED显示器的发光效率依赖用于发射如红、绿或蓝光的有机材料而变化。为了发射特定的光强度，具有较低发光效率的OLED需要更大电流。但是，设计能提供更大电流至具有较低发光效率的OLED的像素可能会降低显示器件的开口率，其不利地影响显示器的整体质量，并可能降低其商业价值。

在背景部分公开的上述信息仅用于增加对本发明的背景的理解，因此它可能包含这样的信息，其不构成已为本领域普通技术人员所掌握的现有技术。

发明内容

本发明提供在不同颜色像素中具有不同像素电路结构的OLED显示器。

本发明的附加特征将在随后的说明中阐述，并部分地在说明中明显体现，或在对本发明的实践中认识到。

本发明公开了一种OLED显示器，其包括第一像素、第二像素和第三像素。每一像素由栅线和数据线确定，且每一像素包括发光元件和连接至该发光元件的驱动晶体管。第一像素的发光元件的发光效率比第二像素和第三像素的发光元件的低。第一像素、第二像素和第三像素中每一个的发光元件的尺寸基本相同，第一像素的驱动晶体管所占的面积大于第二像素和第三像素的驱动晶体管所占的面积。

本发明也公开了一种OLED显示器，其包括第一像素、第二像素和第三像素。每一像素包括发光元件和连接至该发光元件的驱动晶体管。第一像素具有第一发光区域，第二像素具有第二发光区域，第三像素具有第三发光区域。第一像素的发光元件的发光效率比第二像素和第三像素的发光元件的低，第一发光区域的宽度和长度不同于第二和第三发光区域，第一、第二和第三发光区域的大小基本相同。

应当理解前面的概述和后面的详细说明都是示例性和解释性的，并旨在对要求保护的发明提供进一步解释。

附图说明

附图用于提供对本发明的进一步理解，组成并作为说明书的一部分，用于描述本发明的实施例，并与说明书一起说明本发明的原理。

图1是根据本发明的实施例的OLED显示器的等效电路图。

图2、图3和图4是分别表示根据本发明的实施例的OLED的三个不同像素的布局图。

图5是沿图4的V-V线的截面图。

图6是表示图2、图3和图4中的像素设置的布局图。

图7是根据本发明的另一实施例的OLED显示器的等效电路图。

图8、图9和图10是分别表示根据本发明的另一实施例的OLED的三个不同像素的布局图。

图11是沿图10的XI-XI线的截面图。

图12是表示图8、图9和图10中的像素设置的布局图。

具体实施方式

现在将在下面参考附图对本发明作更完整的说明，其中将体现本发明的实施例。然而，本发明可用很多不同形式来实施，并不应该解释为限制成在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开更彻底，且将本发明的范围传达给本领域技术人员。

在附图中，为清楚起见将层、膜、板、区域等的厚度夸大了。整个说明书中相同的附图标记都代表相同的元件。应该理解，当说明元件如层、膜、区域、或基板在另一元件“上”或“连接到”另一元件上时，它可以是直接在其上或直接连接到其它元件上或也可以存在中间元件。相反，当指出元件“直接位于”或“直接连接到”另一元件上时，不存在中间元件。

首先，将在下面参考图1详细地描述根据本发明的示例性实施例的OLED显示器，图1为OLED显示器的等效电路图。

参考图1，根据本发明的示例性实施例的OLED显示器包括多条信号线121、171和172，和多个与其连接的像素PX1。像素PX1基本设置成矩阵。

信号线包括多条用来传递栅信号(或扫描信号)的栅线121、多条用来传递数据信号的数据线171、和多条用来传递驱动电压的驱动电压线172。栅线121大致在行方向上延伸，且相互大致平行，但数据线171和驱动电压线172大致在列方向上延伸，且相互大致平行。

每一像素PX1包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、存储电容器Cst和OLED LD。

开关晶体管Qs具有连接到一条栅线121上的控制端、连接到一条数据线171上的输入端、以及连接到驱动晶体管Qd的控制端的输出端。开关晶体管Qs响应来自栅线121的栅信号，将数据信号从数据线171传送至驱动晶体管Qd。

驱动晶体管Qd的控制端连接到开关晶体管Qs，其输入端连接至一条驱动电压线172，且其输出端连接至OLED LD。驱动晶体管Qd驱动输出电流I_LD，该电流具有依赖于其控制端和输出端之间的电压的幅值。

存储电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制端和输入端之间。存储电容器Cst存储施加到驱动晶体管Qd的控制端的数据信号，并在开关晶体管Qs截止后维持数据信号。

OLED LD的阳极连接至驱动晶体管Qd的输出端，且其阴极连接至公共电压Vss。OLED LD发光并因而显示图像，发出的光具有依赖于驱动晶体管Qd的输出电流I_LD的强度。

图1中的开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd示出为n沟道场效应晶体管(FET)。但是，开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd中至少一个可以是p沟道FET。另外，可变更晶体管Qs和Qd、电容器Cst和OLED LD之间的连接关系。

下面将参考图2、图3，、图4和图5详细说明根据本发明的示例性实施例的图1中的OLED显示器的详细结构。

图2、图3和图4是分别表示根据本发明的实施例的OLED的三个不同像素的布局图，且图5是沿图4中V-V线的截面图。在图2、图3、图4和图5中，相同的元件用相同的标记数字表示。

多个栅导体包括具有第一控制电极124a和第二控制电极124b的栅线121，并形成在绝缘基板110上，该基板可由如玻璃或塑料材料制成。绝缘基板110可以是透明的。

栅线121传送栅信号并基本在横向方向上延伸。每一栅线121进一步包括具有大面积以连接至另一层或外部驱动电路的端部129，且第一控制电极124a从栅线121向上突出。栅线121可延伸以直接连接到产生栅信号的栅驱动电路(未示出)。该栅驱动电路可集成到基板110上。

第二控制电极124b与栅线121间隔开。

栅导体121和124b可由如Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ta、Ti等金属制成。栅导体121和124b可具有多层结构，包括具有不同物理特性的两个导体膜。在这种情况下，一层膜可由低电阻率的金属如Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金制成以减少信号延迟或电压降。另一层膜可由金属如Mo、Mo合金、Cr、Ta、Ti金属制成，其具有与其它材料如氧化铟锡(ITO)和氧化锌锡(IZO)间良好的物理，化学和电接触特性。两膜组合的例子包括下Cr膜和上Al(合金)膜，和下Al膜和上Mo(合金)膜。但是，栅导体121和124b可由不同的金属或导体制造。

栅导体121和124b的侧面可相对于基板110的表面倾斜大约30度至80度的角。

可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOX)制成的栅绝缘层140，形成在栅导体121和124b上。

可以由氢化非晶硅(“a-Si”)或多晶硅制备的多个半导体条151和多个半导体岛154b，形成在栅绝缘层140上。每一半导体条151基本沿纵向方向延伸，并包括多个突出部154a，其向第一控制电极124a突出。半导体岛154b设置在第二控制电极124b上。

多对第一电阻接触163a和165a形成在半导体条151上，且多对第二电阻接触163b和165b形成在半导体岛154b上。电阻接触163a是条形的，而电阻接触163b、165a和165b是岛形的，且电阻接触163a、163b、165a和165b可由硅化物或重度掺杂n型杂质例如磷的n+氢化非晶硅a-Si形成。

包括数据线171、驱动电压线172以及第一和第二输出电极175a和175b的多个数据导体形成在电阻接触163a、163b、165a和165b以及栅绝缘层140上。

数据线171传送数据信号并基本沿纵向方向延伸，与栅线121交叉。每一数据线171包括多个第一输入电极173a和端部179，第一输入电极173a向第一控制电极124a延伸，其端部179具有连接到另一层或外驱动电路的大区域。数据线171可延伸并直接连接到产生数据信号的数据驱动电路(未示出)。数据驱动电路可集成到基板110上。

传送驱动电压的驱动电压线172基本在纵向方向上延伸并与栅线121交叉。每一驱动电压线172包括多个第二输入电极173b，其向第二控制电极124b延伸。

第一和第二输出电极175a和175b彼此分离布置，并与数据线171和驱动电压线172分离。每对第一输入电极173a和第一输出电极175a关于第一控制电极124a彼此相对布置，且每对第二输入电极173b和第二输出电极175b关于第二控制电极124b彼此相对布置。

数据导体171、172、175a和175b可由难熔金属比如Mo、Cr、Ta、Ti或其合金制备。它们可有包括难熔金属膜和低阻膜的多层结构。多层结构的例子有包括下层Cr膜和上层Al(合金)膜的双层结构、下层Mo(合金)膜和上层Al(合金)膜的双层结构、下层Mo(合金)膜、中层Al(合金)膜和上层Mo(合金)膜的三层结构。但数据导体171、172、175a和175b可由其它不同的金属或导体制备。

和栅导体121和124b一样，数据导体171、172、175a和175b的侧面可相对基板110的表面以大约30度至80度的角度倾斜。

电阻接触163a、163b、165a和165b仅夹置在下层的半导体条151和半导体岛154b与上层的数据导体171、172、175a和175b之间，可减少其间的接触电阻。半导体条151和半导体岛154b包括多个露出部，其未被数据导体171、172、175a和175b覆盖，如设置在输入电极173a、175a和输出电极173b、175b之间的部分。

钝化层180形成在数据导体171、172、175a和175b以及半导体条151和半导体岛154b的露出部分上。钝化层180可由无机绝缘体或有机绝缘体制成，且可以具有平的顶表面。无机绝缘体的例子包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可具有光敏性和低于约4.0的介电常数。钝化层180可包括无机绝缘体的下层膜和有机绝缘体的上层膜，因此，利用有机绝缘体的优良绝缘特性，并防止半导体条151和半导体岛154b的露出部被有机绝缘体损害。

钝化层180具有多个接触孔182、185a和185b，其分别使数据线171的端部179、第一输出电极175a和第二输出电极175b外露，且钝化层180和栅绝缘层140具有多个接触孔181和184，其分别将栅线121的端部129和第二控制电极124b外露。

多个像素电极191、多个连接件85和多个接触辅件81和82形成在钝化层180上，这些部件全部由透明导体如ITO或IZO，或反射导体如Al，Ag或其合金制备。

像素电极191通过接触孔185b连接至第二输出电极175b。

连接件85分别通过接触孔184和185a连接至第二控制电极124b和第一输出电极175a。每一连接件85包括沿着驱动电压线172延伸并与其重叠的存储电极87。

接触辅件81和82分别通过接触孔181和182连接至栅线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅件81和82可保护端部129和179并可提高端部129和179与外部器件之间的粘接力。

间隔361形成在钝化层180上。间隔361像堤岸一样围绕像素电极191以限定开口365，并可由有机绝缘体和无机绝缘体制成。而且，间隔361可由包含黑色颜料的感光材料制成，所以黑色间隔361可作为阻光部件而且可简化其构造。

多个发光部件370形成在像素电极191上和由间隔361限定的开口365内。发光部件370可以限制在开口365中。每一发光部件370可由发出红、绿、蓝光的有机材料制成。OLED显示器通过在空间上增加由发光部件370发射的单色基色光来显示图像。

在下文中，代表红，绿和蓝光的像素称为红(R)、绿(G)、蓝(B)像素。图2表示G像素400，图3表示R像素500，图4表示B像素600。

每一发光部件370可具有多层结构，包括可发光的发光层(未示出)，和可提高发光层的发光效率的辅助层(未示出)。辅助层可包括电子转移层和空穴转移层，其增加电子和空穴的平衡，以及电子注入层和空穴注入层，其改善电子和空穴的注入。

公共电极270形成在发光部件370和间隔361上。给公共电极270提供公共电压Vss，其可由反光金属如Ca、Ba、Mg、Al、Ag等或透明材料如ITO和IZO制成。

在上述的OLED显示器中，连接至数据线121的第一控制电极124a、连接至数据线171的第一输入电极173a、以及第一输出电极175a与半导体条151的突出部154a一起形成开关TFT Qs。开关TFT Qs的沟道形成在突出部154a设置在第一输入电极173a和第一输出电极175a之间的部分中。同样地，连接至第一输出电极175a的第二控制电极124b、连接至驱动电压线172的第二输入电极173b以及连接至像素电极191的第二输出电极175b与半导体岛154b一起形成驱动TFT Qd。驱动TFT Qd的沟道形成在半导体岛154b设置在第二输入电极173b和第二输出电极175b之间的部分中。

像素电极191、发光部件370和公共电极270形成OLED LD，其中具有像素电极191作为阳极和公共电极270作为阴极，反之亦然。存储电极87和驱动电压线172的重叠部分形成存储电容Cst。

表示在图2、图3和图4中的驱动晶体管Qd的布局以及OLED的像素电极191和发光部件370的布局彼此各不相同，特别是，如下面参考图6的详细说明，B像素的布局不同于R像素和G像素。

OLED显示器可背离或向基板110发光以显示图像。不透明像素电极191和透明公共电极270的结合可以和顶部发射OLED显示器一起使用，该OLED显示器背离基板110发光，且透明像素电极191和不透明公共电极270可以和底部发射OLED显示器一起使用，该OLED显示器向基板110发光。

如果半导体条151和半导体岛154b由多晶硅制成，则它们可包括设置在控制电极124a和124b下的本征区域(未示出)和设置为关于本征区域彼此相对的非本征区域(未示出)。非本征区域与输入电极173a、173b和输出电极175a、175b电连接。在这种情况下，可省略电阻接触163a、163b、165a和165b。

而且，控制电极124a和124b可设置在半导体条151和半导体岛154b上，且栅绝缘层140保持夹置在半导体条151和半导体岛154b以及控制电极124a和124b之间。数据导体171、172、173b和175b可设置在栅绝缘层140上，并通过位于栅绝缘层140内的接触孔(未示出)与半导体条151和半导体岛154b连接。另外，数据导体171、172、173b和175b可设置在半导体条151和半导体岛154b下并与之相接触。

参考图2、图3、图4和图6，说明了根据本发明示例性实施例的OLED的示例性布局。

图6是包括图2、图3和图4的三个像素的OLED的布局图。

如图6所示，图4的B像素600、图3的R像素500和图2的G像素400顺序设置。

如上所述，B像素600具有不同于R像素500和G像素400的布局。首先，B像素600的驱动晶体管Qd的面积、位置和形状与R像素400和G像素500的不同。而且，B像素600的有机发光部件370的形状与R像素500和G像素400的不同，但R像素400、G像素500和B像素600的有机发光部件370的面积基本相同。

详细地，在R像素400、G像素500和B像素600中，B像素600的驱动晶体管Qd具有最长的驱动晶体管Qd沟道宽度，且R像素500的驱动晶体管Qd比G像素400的驱动晶体管Qd具有更长的沟道宽度。因此，G像素400的驱动晶体管Qd在R像素400、G像素500和B像素600中具有最短的沟道宽度。这与连接至驱动晶体管Qd的OLED LD发光效率有关。为了发出给定强度的光，具有较低发光效率的OLED需要更大电流。因此，连接到其上的驱动晶体管Qd可以具有更长的沟道宽度。OLED的发光效率由其材料决定。例如，考虑目前可得到的材料，发光效率从绿、红和蓝依次降低。下文中，在假设前提下说明书将认为发出蓝光的材料具有最低的发光效率，发出红光的材料具有中等的发光效率，发出绿光的材料具有最高的发光效率。

当加宽驱动晶体管Qd占有的面积以容纳更长的沟道宽度时，发光区域可减少。但是，根据本发明的示例性实施例，驱动晶体管Qd的沟道可弯曲或蜿蜒以使其可以在小区域中加长。在这种方式下，驱动晶体管Qd在不减少发光区域面积的情况下可具有更长的沟道宽度。

如图6所示，R像素400、G像素500和B像素600的驱动晶体管Qd的沟道可设置在不同的区域内。R像素500和G像素600的驱动晶体管Qd的沟道可设置在发光区域和数据线171之间，而B像素600的驱动晶体管Qd的沟道设置在发光区域和栅线121之间。R像素500和G像素600的驱动晶体管Qd的沟道宽度足够短，以使得即使驱动晶体管Qd平行于发光区域的纵向方向设置，仍可获得合适的沟道宽度。另一方面，当B像素600的驱动晶体管Qd的沟道平行于发光区域的纵向方向设置时，不能得到足够长的沟道宽度或用于弯曲或蜿蜒沟道的足够区域。

R像素400、G像素500和B像素600的发光区域的面积基本上彼此相等，即使它们的驱动晶体管Qd的沟道设置在不同区域内。这是因为，当由于B像素600的驱动晶体管Qd水平设置而使得B像素600的发光区域要比其它像素的短时，B像素600的发光区域要比包括纵向设置的驱动晶体管Qd的其它像素更宽。B像素600和R像素500或者B像素600和G像素400之间的间隔可以短于R像素500和G像素400之间的间隔。如上所述，每一像素的发光区域的面积基本相同，每一像素的驱动晶体管Qd的沟道宽度根据发光效率而不同。因此，可以获取红色、绿色和蓝色的基本均匀的发光。

上面以发光效率从G像素400到R像素500再到B像素600是降低的为前提进行了解释，但发光效率可以以任何顺序降低，并且可以应用本发明。

下面参考图7对本发明的另一实施例的OLED显示器进行说明，其中图7是OLED显示器的等效电路图。

参考图7，根据本发明的另一实施例的OLED显示器包括多根信号线121、171和172，以及与之连接的多个像素PX2。像素PX2基本上布置成矩阵。

信号线包括多根栅线121、多根数据线171和多根驱动电压线172。

像素PX2包括第一和第二驱动晶体管Qd1和Qd2、第一和第二开关晶体管Qs1和Qs2、存储电容Cst以及OLED LD。

第一驱动晶体管Qd1具有控制终端、输入终端和输出终端。控制终端连接到第一开关晶体管Qs1上，输入终端连接到第二开关晶体管Qs2上，输出终端连接到OLED LD上。

第二驱动晶体管Qd2也具有控制终端、输入终端和输出终端。控制终端连接到第一开关晶体管Qs1上，输入终端连接到驱动电压线172上，输出终端连接到OLED LD上。第二驱动晶体管Qd2输出与施加在其控制终端和输出终端之间的电压相关的输出电流。

第一和第二开关晶体管Qs1和Qs2也具有控制终端、输入终端和输出终端。它们的控制终端连接到栅线121上，它们的输入终端连接到数据线171上。第一开关晶体管Qs1的输出终端连接到第一和第二驱动晶体管Qd1和Qd2的控制终端上，第二开关晶体管Qs2的输出终端连接到第一驱动晶体管Qd1的输入终端上。开关晶体管Qs1和Qs2响应于提供给栅线121的扫描信号，将数据信号从数据线171传送到驱动晶体管Qd1和Qd2中。

存储电容器Cst连接在驱动晶体管Qd1和Qd2的控制终端与驱动电压线172之间。在第一开关晶体管Qs1截止之后，存储电容器Cst存储提供给驱动晶体管Qd1和Qd2的控制终端的数据信号。

OLED LD具有连接到驱动晶体管Qd1和Qd2的输出终端的阳极和连接到公共电压Vss的阴极。OLED LD发出光线以显示图像，所述光线的强度取决于驱动晶体管Qd1和Qd2的输出电流。

下面对像素PX2的操作进行说明。

像素PX2以正常模式和补偿模式操作。在正常模式下执行正常显示操作，在补偿模式下，调整数据电压以补偿用于驱动晶体管Qd1和Qd2的阈值电压的变化。

提供给像素PX2的数据信号在正常模式下是数据电压，或者在补偿模式下是数据电流。OLED显示器连接到数据线171上，并且可以包括用于产生数据电压和数据电流的另一驱动装置(未示出)。

在正常模式下，像素PX2基本上和图1的像素PX1一样地运行。第一开关晶体管Qs1响应于扫描信号而导通，然后提供给数据线171的数据电压通过第一开关晶体管Qs1施加到第二驱动晶体管Qd2的控制终端上。第二驱动晶体管Qd2基于数据电压将输出电流(I_LD)传送给OLED LD，从而OLED LD发光以显示图像。

这里，第二开关晶体管Qs2也响应于扫描信号而导通，因此，数据电压分别通过第一和第二开关晶体管Qs1和Qs2被提供给第一驱动晶体管Qd1的控制终端和输入终端。相应地，将相等的电压施加到第一驱动晶体管Qd1的输入终端和控制终端上，并且即使第一驱动晶体管Qd1导通，也可能没有电流流过它。如上所述，通过让数据电压流过第一开关晶体管Qs1和第二开关晶体管Qs2，从而在正常模式下显示图像。

一般来说，为了使OLED LD具有恒定的亮度，可以通过第二驱动晶体管Qd2提供恒定电流。但是，当第二驱动晶体管Qd2的阈值电压发生变化时，即使将恒定的数据电压提供给其控制终端，通过第二驱动晶体管Qd2传送的输出电流也可以发生变化。因此，可以调节数据信号来补偿第二驱动晶体管Qd2的阈值电压的变化。在补偿模式下，对数据信号进行调节。

在补偿模式下，驱动装置将预定的数据电流提供给数据线171。开关晶体管Qs1和Qs2响应于扫描信号而导通，然后与预定的数据电流相关的电荷通过第一开关晶体管Qs1被充入到存储电容器Cst中。从而第一驱动晶体管Qd1传送与存储电容器Cst中被充电的电压相关的电流。这里，存储电容器Cst中的充电电压越高，通过第一驱动晶体管Qd1传送的电流越大。电压被充入到存储电容器Cst中，直到第一驱动晶体管Qd1传送和通过第二开关晶体管Qs2提供给其输入终端的预定数据电流基本相同的电流为止。这里，下文中被称为“补偿电压”的充电电压在一对一的基础上和预定的数据电流对应，并且补偿第一驱动晶体管Qd1的阈值电压的变化。

驱动晶体管Qd1和Qd2的控制终端彼此连接，因此控制终端的电压彼此是相等的。同样，驱动晶体管Qd1和Qd2的输出终端彼此连接，因此输出终端电压是相等的。阈值电压的变化取决于每一驱动晶体管Qd1和Qd2的控制终端电压和输出终端电压的差值，与该晶体管的开口率W/L无关。因此，驱动晶体管Qd1和Qd2中的阈值电压的变化是彼此相等的。因此，第一驱动晶体管Qd1的补偿电压可以被提供给第二驱动晶体管Qd2。

在补偿模式下，在查询表(未示出)中可以读取和存储用于预定数据电流的补偿电压。然后，参考存储在查询表中的补偿电压对数据电压进行补偿，然后，在正常模式下将补偿数据电压提供给第二驱动晶体管Qd2。因此，即使第二驱动晶体管Qd2的阈值电压发生变化，第二驱动晶体管Qd2也输出基本恒定的输出电流。从而可以基本均匀地维持OLED LD的亮度。

如果阈值电压在长时间周期内变化，则可以在长时间间隔内执行对每一像素PX2的补偿模式。因此，当在正常模式下显示图像时，即使执行补偿模式，补偿模式中的操作也可以不影响图像的显示操作。

下面参考图8、图9、图10和图11说明图7的OLED显示器的详细结构。省略和在前面的实施例中说明的元件相同的元件的详细说明。

图8、图9和图10是根据本发明的另一实施例，分别示出OLED的三个像素的布局图，图11是沿着图10的线XI-XI的截面图。

包括栅线121的多个栅导体形成在绝缘基板110上，并且包括第一控制电极125和第二控制电极126。

栅线121基本上横向延伸，并且每一根栅线121包括端部129，该端部129具有连接到另一层或者外部驱动电路的大面积。第一控制电极125从栅线121向上伸出。

第二控制电极126和栅线121在空间上分割开来。

栅绝缘层140形成在栅导体121、125和126上。

多个半导体岛154a、154b、154c和154d形成在栅绝缘层140上。第一半导体岛154a和第二半导体岛154b设置在第一控制电极125上，第三半导体岛154c和第四半导体岛154d设置在第二控制电极126上。可供选择的是，至少两个或者更多的第一到第四半导体岛154a、154b、154c和154d可以一起形成为一个半导体岛。例如，第二、第三和第四半导体岛154b、154c和154d可以构成一个半导体，如图10中所示。

多对第一电阻接触163a和165a、多对第二电阻接触163b和165b、多对第三电阻接触163c和165c和多对第四电阻接触163d和165d分别形成在半导体岛154a、154b、154c和154d上。第一、第二、第三和第四电阻接触163a和165a、163b和165b、163c和165c、以及163d和165d是岛形的，并且分别成对设置在第一、第二、第三和第四半导体岛154a、154b、154c和154d上。

包括数据线171、第一输出电极175a、第一电极构件176、第二电极构件178和驱动电压线172的多个数据导体形成在栅绝缘层140以及电阻接触163a、165a、163b、165b、163c、165c、163d和165d上。

数据线171基本上纵向延伸并且和栅线121交叉。每一条数据线171包括多个第一和第二输入电极173a和173b，它们朝向第一控制电极125延伸，且数据线171还包括具有大面积的端部179。第一输入电极173a和第一半导体岛154a部分重叠，第二输入电极173b和第二半导体岛154b部分重叠。

第一输出电极175a和数据线171在空间上隔开，并且第一输出电极175a和第一输入电极173a彼此关于第一半导体岛154a相对设置。

第一电极构件176和数据线171在空间上隔开。电极构件176的一部分形成第二输出电极175b，该第二输出电极175b和第二输入电极173b关于第二半导体岛154b相对设置，电极构件176的另一部分形成和第三半导体岛154c重叠的第三输入电极173c。

第二电极构件178和数据线171在空间上隔开。第二电极构件178的一部分形成第三输出电极175c，该第三输出电极175c和第三输入电极173c关于第三半导体岛154c相对设置，并且其另一部分形成和第四半导体岛154d重叠的第四输出电极175d。

驱动电压线172基本上纵向延伸并且和栅线121交叉。每一个驱动电压线172包括第四输入电极173d，其和第四输出电极175d关于第四半导体岛154d相对设置。

钝化层180形成在数据导体和半导体154a、154b、154c和154d的露出的部分上。钝化层180具有多个接触孔182、185a和185d，它们分别露出数据线171、第一输出电极175a和第二电极构件178的端部179。钝化层180和栅绝缘层140具有多个接触孔181和184，它们分别露出栅线121和第四控制电极124d的端部129。

多个像素电极191、多个连接件85和多个接触辅件81和82形成在钝化层180上。

像素电极191通过接触孔185d连接到第四输出电极175d上。

连接件85通过接触孔184和185a分别连接到第四控制电极124d和第一输出电极175a上，并且每一个连接件85可以包括沿着驱动电压线172延伸以重叠在它上面的存储电极127。

接触辅件81和82通过接触孔181和182分别连接到栅线121的端部129和数据线171的端部179上。

限定开口365的间隔361形成在钝化层180上，多个发光元件370形成在开口365中。

公共电极270形成在包括发光元件370的基板上。

在根据本实施例的OLED显示器中，连接到栅线121的第一控制电极124a、连接到数据线171的第一输入电极173a以及第一输出电极175a与第一半导体岛154a一起形成第一开关TFT Qs1，连接到栅线121的第二控制电极124b、连接到数据线171的第二输入电极173b以及第二输出电极175b与第二半导体岛154b一起形成第二开关TFT Qs2。

第一开关薄膜晶体管Qs1的沟道形成在第一半导体岛154a设置到第一输入电极173a和第一输出电极175a之间的部分中，第二开关薄膜晶体管Qs2的沟道形成在第二半导体岛154b设置到第二输入电极173b和第二输出电极175b之间的部分中。

同样，第三控制电极124c、第三输入电极173c以及第三输出电极175c与第三半导体岛154c一起形成第一驱动TFT Qd1，第四控制电极124d、连接到驱动电压线172的第四输入电极173d以及第四输出电极175d与第四半导体岛154d一起形成第二驱动TFT Qd2。

这里，第一驱动TFT Qd1的沟道形成在第三半导体岛154c设置到第三输入电极173c和第三输出电极175c之间的部分中，第二驱动TFT Qd2的沟道形成在第四半导体岛154d设置到第四输入电极173d和第四输出电极175d之间的部分中。

图2-5中示出的OLED显示器的许多特征也可应用于图8-11示出的OLED显示器中。

图12是示出图8、图9和图10的三个像素的布局图。参考图12，与图6的在先实施例类似，和R像素501与G像素401相比，B像素601具有不同的像素结构。如图6的在先实施例中说明的那样，三个像素中具有最低发光效率的一个像素的驱动晶体管的面积和位置和另两个像素的不相同，省略和在前面的实施例中说明的像素结构相同的像素结构的详细说明。

图6中示出的像素排列的许多特征也可以应用于图12中示出的像素排列。

显然，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖在权利要求及其等同特征的范围内对本发明做出的修改和变化。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一像素、第二像素和第三像素，每一像素由栅线和数据线确定，且包括发光元件和连接至所述发光元件的驱动晶体管，

其中所述第一像素的发光元件的发光效率比所述第二像素的发光元件的发光效率低，且所述第一像素的发光元件的发光效率比所述第三像素的发光元件的发光效率低，

所述第一像素的发光元件的面积、所述第二像素的发光元件的面积和所述第三像素的发光元件的面积基本相同，

所述第一像素的驱动晶体管所占的面积大于所述第二像素的驱动晶体管所占的面积，且所述第一像素的驱动晶体管所占的面积大于所述第三像素的驱动晶体管所占的面积。

2.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的驱动晶体管的沟道设置在不同于所述第二像素的驱动晶体管的沟道和所述第三像素的驱动晶体管的沟道的对应位置上。

3.权利要求2的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的驱动晶体管的沟道设置在所述栅线和所述第一像素的发光元件之间，所述第二像素的驱动晶体管的沟道设置在所述数据线和所述第二像素的发光元件之间，所述第三像素的驱动晶体管的沟道设置在所述数据线和所述第三像素的发光元件之间。

4.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的驱动晶体管的沟道具有蜿蜒的形状。

5.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的驱动晶体管的沟道宽度比所述第二像素的驱动晶体管的沟道宽度宽，并且所述第一像素的驱动晶体管的沟道宽度比所述第三像素的驱动晶体管的沟道宽度宽。

6.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素、第二像素和第三像素彼此之间具有基本相同的宽度。

7.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素为蓝色像素。

8.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述驱动晶体管包括含非晶硅的半导体。

9.权利要求1的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素、第二像素和第三像素都还包括与所述栅线和所述数据线连接的开关晶体管。

10.权利要求1的有机发光二极管显示器，还包括：

与所述驱动晶体管连接的像素电极；和

与所述像素电极相对的公共电极，

其中每一像素中的发光元件设置在每一像素的像素电极和公共电极之间，所述第一像素中的发光元件限定第一发光区域，所述第二像素中的发光元件限定第二发光区域，所述第三像素中的发光元件限定第三发光区域。

11.权利要求10的有机发光二极管显示器，其中所述第一发光区域的宽度和长度不同于所述第二发光区域和所述第三发光区域的宽度和长度。

12.权利要求11的有机发光二极管显示器，其中所述第一发光区域比所述第二发光区域和第三发光区域宽，所述第一发光区域比第二发光区域和第三发光区域短。

13.权利要求10的有机发光二极管显示器，其中所述第一发光区域和与所述第一发光区域相邻的第二发光区域或者第三发光区域之间的间隔要短于所述第二发光区域和所述第三发光区域之间的间隔。

14.权利要求10的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的发光元件发射蓝光。

15.一种有机发光二极管显示器，包括：

第一像素、第二像素和第三像素，每一像素都包括发光元件和连接至所述发光元件的驱动晶体管，所述第一像素具有第一发光区域，所述第二像素具有第二发光区域，所述第三像素具有第三发光区域，

其中所述第一像素的发光元件的发光效率比所述第二像素的发光元件的低，且所述第一像素的发光元件的发光效率比所述第三像素的发光元件的低，

所述第一发光区域的宽度和长度不同于所述第二发光区域，并且所述第一发光区域的宽度和长度不同于所述第三发光区域，

所述第一发光区域的面积、所述第二发光区域的面积和所述第三发光区域的面积基本相同。

16.权利要求15的有机发光二极管显示器，其中所述第一发光区域比所述第二发光区域和所述第三发光区域宽，所述第一发光区域比所述第二发光区域和所述第三发光区域短。

17.权利要求15的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的驱动晶体管的沟道设置在所述栅线和所述第一像素的发光元件之间，所述第二像素的驱动晶体管的沟道设置在所述数据线和所述第二像素的发光元件之间，所述第三像素的驱动晶体管的沟道设置在所述数据线和所述第三像素的发光元件之间。

18.权利要求15的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素的发光元件发出蓝光。

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