CN104269427B - 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104269427B CN104269427B CN201410454171.1A CN201410454171A CN104269427B CN 104269427 B CN104269427 B CN 104269427B CN 201410454171 A CN201410454171 A CN 201410454171A CN 104269427 B CN104269427 B CN 104269427B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- organic
- total reflection
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 191
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 83
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 82
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，该有机发光二极管显示面板包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机发光单元、像素定义层和封装基板，其中，设置于所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上设有开孔，所述开孔中填充有全反射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角，从而减少了光线的全反射，提高了光线的出射效率。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示面板由于其质量轻，超薄，对比度高等优点而倍受瞩目，正逐渐成为一种主流的显示面板。
请参考图1，图1为现有的OLED显示面板的一结构示意图，该OLED显示面板包括：衬底基板101、缓冲层102、有源层103、栅绝缘层104、栅极105、层间绝缘层106、源漏极107、钝化层108、平坦化层109、第一电极110、有机发光层111、第二电极112、像素定义层113及玻璃封装基板114。
现有的OLED显示面板的出光效率普遍不高，这主要是由于当光线以大于全反射角入射到像素定义层113(折射率约为1.8)与玻璃封装基板114(折射率约为1.5)的界面以及玻璃封装基板114与空气(折射率约为1)的界面时，会发生光的全反射，出射到外部空间的光约占有机发光层111发射光总量的20％，其余约80％的光主要以导波形式限制在像素定义层113和玻璃封装基板114中，从而降低光的输出效率。
因而，如何增加OLED显示面板的出光效率是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置，以解决现有的OLED显示面板的出光效率低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管显示面板，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机发光单元、像素定义层和封装基板，其中，设置于所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上设有开孔，所述开孔中填充有全反射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角。
优选地，所述全发射消除层包括：第一光线处理层，所述第一光线处理层的厚度大于所述有机发光单元中的有机发光层的厚度，所述第一光线处理层的折射率小于所述像素定义层的折射率。
优选地，所述第一光线处理层采用氟化镁、二氧化硅或氟化铝制成。
优选地，所述全发射消除层还包括：至少一个第二光线处理层，叠加于所述第一光线处理层之上，所述第二光线处理层的折射率大于所述第一光线处理层的折射率。
优选地，所述全发射消除层包括至少两个所述第二光线处理层，依次叠加于所述第一光线处理层之上，在远离所述第一光线处理层的方向上，所述至少两个所述第二光线处理层的折射率依次增大。
优选地，所述第二光线处理层采用氧化钇、氧化镁、氧化锆、硫化锌、硒化锌或二氧化钛制成。
优选地，设置于所述有机发光单元的两侧的所述像素定义层均设有开孔，所述开孔中填充有所述全反射消除层。
本发明还提供一种有机发光二极管显示装置，包括上述有机发光二极管显示面板。
本发明还提供一种有机发光二极管显示面板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成有机发光单元的第一电极和像素定义层；
在所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上形成开孔；
在所述开孔中填充全发射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角；
在所述第一电极上方形成所述有机发光单元的有机层和第二电极。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
在位于有机发光单元的至少一侧的像素定义层上设置开孔，并在开孔中填充全反射消除层，通过全发射消除层对由像素定义层入射的光线进行处理，得到的出射光线能够到达封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角，从而减少了全发射，提高了OLED显示面板的光线的出射效率，且也可避免相邻设置的亚像素的有机发光层发射的光相互激发，降低有机发光层的寿命。
附图说明
图1为现有的OLED显示面板的一结构示意图；
图2为本发明实施例的OLED显示面板的一结构示意图；
图3为本发明实施例的全发射消除层中的光路图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机发光单元、像素定义层和封装基板，设置于所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上设有开孔，所述开孔中填充有全反射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角。
所述有机发光单元包括：第一电极、有机发光层和第二电极，通常情况下，第一电极作为阳极，第二电极作为阴极。
所述封装基板通常为玻璃封装基板，其折射率约为1.5，空气的折射率约为1。
当光线有折射率较大的光密介质入射到折射率较小的光疏介质时，如果入射角大于光密介质与光疏介质界面的全反射角，则会发生全发射，从而降低光的输出效率。
也就是说，在OLED显示面板中，从有机发光单元的有机发光层发射的光线会入射到像素定义层，入射到像素定义层的光线的入射角通常较大，在像素定义层和玻璃封装基板的界面，以及玻璃封装基板和空气的界面，均可能发生全发射的情况，从而降低了OLED显示面板的出光效率。
为了提高光的输出效率，本发明实施例中，在位于有机发光单元的至少一侧的像素定义层上设置开孔，并在开孔中填充全反射消除层，通过全发射消除层对由像素定义层入射的光线进行处理，得到的出射光线能够到达封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角，从而减少了全发射，提高了OLED显示面板的光线的出射效率，且也可避免相邻设置的亚像素的有机发光层发射的光相互激发，降低有机发光层的寿命。
本发明实施例中，可仅在位于有机发光单元的一侧的像素定义层上开设用于填充全发射消除层的开孔，也可在位于有机发光单元的两侧的像素定义层上均开设所述开孔，可以理解的是，在位于有机发光单元的两侧的像素定义层上均开设所述开孔，与在一侧的像素定义层上开设所述开孔相比，可进一步提高OLED显示面板出光效率。
下面对所述全发射消除层的结构进行详细说明。
所述全发射消除层可以为单层结构，也可以为多层结构。
单层结构时，所述全发射消除层可以包括：第一光线处理层，所述第一光线处理层的厚度大于所述有机发光单元中的有机发光层的厚度，所述第一光线处理层的折射率小于所述像素定义层的折射率。
所述第一光线处理层的厚度大于所述有机发光单元中的有机发光层的厚度，以保证所述有机发光层向像素定义层方向发射的光线可以经过第一光线处理层的处理。
所述第一光线处理层的折射率小于像素定义层的折射率，使得当光线由像素定义层入射到第一光线处理层时，折射光线与法线的夹角较入射光线与法线的夹角相比可以变大，所述法线垂直于所述像素定义层与所述第一光线处理层的界面。
所述第一光线处理层可以采用氟化镁，二氧化硅或氟化铝等材料制成。
多层结构时，所述全发射消除层可以包括：
第一光线处理层，所述第一光线处理层的厚度大于所述有机发光单元中的有机发光层的厚度，所述第一光线处理层的折射率小于所述像素定义层的折射率。
至少一个第二光线处理层，叠加于所述第一光线处理层之上，所述第二光线处理层的折射率大于所述第一光线处理层的折射率。
所述第一光线处理层的折射率小于像素定义层的折射率，使得当光线由像素定义层入射到第一光线处理层时，折射光线与法线的夹角较入射光线与法线的夹角相比可以变大，所述法线垂直于所述像素定义层与所述第一光线处理层的界面。
由于所述第二光线处理层的折射率大于所述第一光线处理层的折射率，使得当光线由第一光线处理层入射到第二光线处理层时，折射光线与法线的夹角较入射光线与所述法线的夹角变小，该法线垂直于第一光线处理层与第二光线处理层的界面。
所述全发射消除层可以仅包括一个第二光线处理层，也可以包括多个第二光线处理层，当包括多个第二光线处理层时，多个第二光线处理层依次叠加于所述第一光线处理层之上，且在远离所述第一光线处理层的方向上，该多个所述第二光线处理层的折射率依次增大。即全发射消除层中的各层的折射率梯度变化。
所述第二光线处理层可以采用氧化钇、氧化镁、氧化锆、硫化锌、硒化锌或二氧化钛等材料制成。
上述第一光线处理层和第二光线处理层可以采用蒸镀或溅射的方法形成。
请参考图2，图2为本发明实施例的OLED显示面板的一结构示意图，所述OLED显示面板包括：衬底基板201、缓冲层202、有源层203、栅绝缘层204、栅极205、层间绝缘层206、源漏极207、钝化层208、平坦化层209、第一电极210、有机发光层211、第二电极212、像素定义层213及玻璃封装基板214，其中，像素定义层213上设有开孔，所述开孔中填充有全反射消除层，所述全反射消除层包括：第一光线处理层301、第二光线处理层302和第三光线处理层303，所述全反射消除层对由所述像素定义层入射至所述全反射消除层的光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角。
其中，第一光线处理层301的折射率小于所述像素定义层213的折射率，所述第二光线处理层302的折射率大于所述第一光线处理层301的折射率，所述第三光线处理层303的折射率大于所述第二光线处理层302的折射率。
假设像素定义层213的折射率n1为1.8，第一光线处理层301的折射率n2为1.1，第二光线处理层302的折射率n3为1.7，第三光线处理层303的折射率n4为1.75。
由像素定义层213入射至第一光线处理层301的入射光线与第一法线S1的夹角(即入射角)为∠1，折射光线与第一法线S1的夹角(即折射角)为∠2，第一法线S1与像素定义层213和第一光线处理层301的界面垂直。
请参考图3，图3为本发明实施例的全发射消除层中的光路示意图。
由第一光线处理层301入射至第二光线处理层302的入射光线与第二法线S2的夹角(即入射角)为∠3，折射光线与第二法线S2的夹角(即折射角)为∠4。由第二光线处理层302入射至第三光线处理层303的入射光线与第二法线S2的夹角(即入射角)为∠5，折射光线与第二法线S2的夹角(即折射角)为∠6。其中，第二法线S2与封装基板与空气的界面垂直。
根据折射率公式nsin∠ααn’sin∠β，其中，n、n’为分别为两介质的折射率，∠α为入射角，∠β为折射角。
可知，当光线由像素定义层213(n1＝1.8)入射到第一光线处理层(n2＝1.1)时，折射角∠2＞入射角∠1，从而使得折射光线与第二法线S2的夹角(∠2的余角∠3)小于入射光线与第二法线S2的夹角，使得折射光线向第二法线靠近。
当光线由第一光线处理层(n2＝1.1)入射到第二光线处理层(n3＝1.7)时，折射角∠4＞入射角∠3，使得折射光线进一步向第二法线靠近。
当光线由第二光线处理层(n2＝1.7)入射到第三光线处理层(n3＝1.75)时，折射角∠6＞入射角∠5，使得折射光线进一步向第二法线靠近。
最终使得到达所述封装基板与空气的界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角，达到减少全反射，提高了出光效率。
本发明还提供一种OLED显示装置，包括上述OLED显示面板。
本发明还提供一种OLED显示面板的制作方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上，形成第一电极和像素定义层；
在所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上形成开孔；具体的，可使用曝光工艺形成开孔；
在所述开孔中填充全发射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角。具体的，可以使用蒸镀工艺形成所述全反射消除层。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种有机发光二极管显示面板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的有机发光单元、像素定义层和封装基板，其特征在于，设置于所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上设有开孔，所述开孔中填充有全反射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达所述封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述全反射消除层包括：第一光线处理层，所述第一光线处理层的厚度大于所述有机发光单元中的有机发光层的厚度，所述第一光线处理层的折射率小于所述像素定义层的折射率。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一光线处理层采用氟化镁、二氧化硅或氟化铝制成。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述全反射消除层还包括：至少一个第二光线处理层，叠加于所述第一光线处理层之上，所述第二光线处理层的折射率大于所述第一光线处理层的折射率。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述全反射消除层包括至少两个所述第二光线处理层，依次叠加于所述第一光线处理层之上，在远离所述第一光线处理层的方向上，所述至少两个所述第二光线处理层的折射率依次增大。
6.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，所述第二光线处理层采用氧化钇、氧化镁、氧化锆、硫化锌、硒化锌或二氧化钛制成。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板，其特征在于，设置于所述有机发光单元的两侧的所述像素定义层均设有开孔，所述开孔中填充有所述全反射消除层。
8.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的有机发光二极管显示面板。
9.一种有机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成有机发光单元的第一电极和像素定义层；
在所述有机发光单元的至少一侧的所述像素定义层上形成开孔；
在所述开孔中填充全反射消除层，所述全反射消除层对入射光线进行处理，得到的出射光线能够到达封装基板与空气的界面，且到达所述界面的光线的入射角小于所述封装基板与空气的界面的全反射角；
在所述第一电极上方形成所述有机发光单元的有机层和第二电极。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410454171.1A CN104269427B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US14/769,427 US9698384B2 (en) | 2014-09-05 | 2014-12-03 | Organic light emitting diode display panel and its manufacturing method, display device |
| PCT/CN2014/092861 WO2016033885A1 (zh) | 2014-09-05 | 2014-12-03 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
| KR1020157023326A KR101739499B1 (ko) | 2014-09-05 | 2014-12-03 | 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법과 디스플레이 장치 |
| JP2017531931A JP6478302B2 (ja) | 2014-09-05 | 2014-12-03 | 有機発光ダイオード表示パネル及びその製造方法、表示装置 |
| EP14882171.3A EP3190623B1 (en) | 2014-09-05 | 2014-12-03 | Organic light-emitting diode display panel, manufacturing method therefor, and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410454171.1A CN104269427B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104269427A CN104269427A (zh) | 2015-01-07 |
| CN104269427B true CN104269427B (zh) | 2017-03-29 |
Family
ID=52160934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410454171.1A Active CN104269427B (zh) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9698384B2 (zh) |
| EP (1) | EP3190623B1 (zh) |
| JP (1) | JP6478302B2 (zh) |
| KR (1) | KR101739499B1 (zh) |
| CN (1) | CN104269427B (zh) |
| WO (1) | WO2016033885A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104992945A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
| CN105552249B (zh) | 2016-03-16 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN106783881A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制造方法 |
| KR102532101B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2023-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| CN107170773B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN107565055B (zh) | 2017-08-29 | 2019-06-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
| KR102496170B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2023-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| KR102600041B1 (ko) | 2018-06-07 | 2023-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102576752B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2023-09-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 |
| CN109065594B (zh) * | 2018-08-15 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制造方法、显示面板及制作方法、显示装置 |
| CN110875359A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板 |
| CN109638036B (zh) * | 2018-11-13 | 2021-04-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及移动设备 |
| KR102643466B1 (ko) | 2018-11-21 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102637859B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2024-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102682395B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2024-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 제조방법 |
| KR20200085968A (ko) * | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110600508B (zh) * | 2019-08-22 | 2021-12-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
| CN111463364B (zh) * | 2020-04-15 | 2023-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板及制备方法、显示面板 |
| CN111863921B (zh) * | 2020-07-30 | 2023-06-20 | 维信诺科技股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN112701235B (zh) * | 2020-12-25 | 2023-01-31 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
| CN113178466B (zh) * | 2021-04-09 | 2022-11-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示器件及电子设备 |
| CN114267811A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-01 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060000356A (ko) * | 2004-06-28 | 2006-01-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 |
| CN103500754A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN103915482A (zh) * | 2014-03-27 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005310591A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法、並びに電子機器 |
| KR100700004B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 양면 발광 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100624448B1 (ko) | 2004-12-02 | 2006-09-18 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2009044117A (ja) * | 2007-02-09 | 2009-02-26 | Canon Inc | 発光装置 |
| JP2009176495A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、電子機器 |
| KR100959108B1 (ko) * | 2008-08-28 | 2010-05-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| EP2360662A4 (en) * | 2008-11-17 | 2012-11-07 | Sharp Kk | DISPLAY DEVICE |
| KR100964234B1 (ko) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| JP2010287421A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| KR101084176B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| WO2013186916A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
| KR102010789B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2019-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR102159150B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2014
- 2014-09-05 CN CN201410454171.1A patent/CN104269427B/zh active Active
- 2014-12-03 JP JP2017531931A patent/JP6478302B2/ja active Active
- 2014-12-03 KR KR1020157023326A patent/KR101739499B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-03 US US14/769,427 patent/US9698384B2/en active Active
- 2014-12-03 WO PCT/CN2014/092861 patent/WO2016033885A1/zh active Application Filing
- 2014-12-03 EP EP14882171.3A patent/EP3190623B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060000356A (ko) * | 2004-06-28 | 2006-01-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 |
| CN103500754A (zh) * | 2013-09-29 | 2014-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN103915482A (zh) * | 2014-03-27 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3190623A1 (en) | 2017-07-12 |
| EP3190623B1 (en) | 2020-05-06 |
| JP2017530539A (ja) | 2017-10-12 |
| WO2016033885A1 (zh) | 2016-03-10 |
| CN104269427A (zh) | 2015-01-07 |
| KR101739499B1 (ko) | 2017-05-24 |
| EP3190623A4 (en) | 2018-05-09 |
| US20160254496A1 (en) | 2016-09-01 |
| KR20160042805A (ko) | 2016-04-20 |
| JP6478302B2 (ja) | 2019-03-06 |
| US9698384B2 (en) | 2017-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104269427B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP6986115B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| US20160322603A1 (en) | Display structure and manufacturing method of display device | |
| CN104241550B (zh) | Oled显示装置及其封装方法 | |
| CN108511614B (zh) | 一种oled面板及oled显示器 | |
| CN208889704U (zh) | 一种柔性显示面板及显示装置 | |
| WO2021120314A1 (zh) | 一种显示面板 | |
| KR102637859B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| WO2019242114A1 (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN110311054A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| CN106158905A (zh) | 发光器件结构及有机发光面板 | |
| US20130140982A1 (en) | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof | |
| CN107403820A (zh) | 显示设备 | |
| WO2017049535A1 (zh) | 一种有机发光显示器件 | |
| WO2019042015A1 (zh) | 一种膜层结构、显示装置及膜层结构的制备方法 | |
| CN104538419A (zh) | 一种触控式oled双面显示装置 | |
| WO2019205329A1 (zh) | 一种oled器件的封装结构及封装方法 | |
| CN105261710B (zh) | 显示器及其有机发光二极管器件 | |
| CN105789263A (zh) | 有机发光显示器以及制备方法 | |
| CN110429197A (zh) | 薄膜封装结构、薄膜封装方法及显示面板 | |
| WO2019104859A1 (zh) | 用于封装oled器件的封装结构、显示装置 | |
| CN111081896B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN206401365U (zh) | 镜面显示装置 | |
| KR101970567B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 | |
| CN209374488U (zh) | 一种显示面板和显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |