CN113764326B - 微发光二极管及其转移装置和转移方法 - Google Patents

微发光二极管及其转移装置和转移方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种微发光二极管及其转移装置和转移方法，涉及显示技术领域，其中，微发光二极管包括发光本体、电极和支撑体，沿垂直于所属支撑体所在平面的方向，发光本体位于支撑体和电极之间；发光本体在支撑体所在平面的正投影为第一投影，第一投影的面积小于支撑体的面积，且第一投影的边缘到支撑体的边缘的距离为d，其中d＞0。当将微发光二极管设置于转移基板上时，微发光二极管的发光本体和电极与转移基板的开口的内壁不接触，在对转移基板上的微发光二极管进行转移时，有效避免了转移的过程中转移基板的内壁对发光本体和电极造成的干涉，有利于简化微发光二极管的转移工艺，提高转移良率。

Description

微发光二极管及其转移装置和转移方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种微发光二极管及其转移装置和转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件，其发光远离为电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或微发光二极管(即Micro LED)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中，微发光二极管显示装置综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点，其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化和阵列化，之后将微发光二极管从最初的生长衬底转运到电路基板上，目前，微发光二极管技术发展的难点之一就在于微发光二极管的转运过程。当前的转运/转移方法都多种，但普遍存在转移工艺复杂、转移良率低的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种微发光二极管及其转移装置和转移方法，有利于简化微发光二极管的转移工艺，提高微发光二极管的转移良率。
第一方面，本申请提供一种微发光二极管，包括：
发光本体、电极和支撑体，沿垂直于所属支撑体所在平面的方向，所述发光本体位于所述支撑体和所述电极之间；
所述发光本体在所述支撑体所在平面的正投影为第一投影，所述第一投影的面积小于所述支撑体的面积，且所述第一投影的边缘到所述支撑体的边缘的距离为d，其中d＞0。
第二方面，本申请提供一种微发光二极管的转移装置，包括转移基板，所述转移基板用于承载本申请中的微发光二极管；
所述转移基板包括多个开口和环绕所述开口的非开口，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述开口贯穿所述转移基板；
一个所述微发光二极管对应一个所述开口，同一所述微发光二极管中，所述发光本体和所述电极位于所述开口中，所述支撑体位于所述开口的第一侧，沿平行于所述转移基板所在平面的方向，所述支撑体的宽度大于所述开口的宽度；
在所述开口中，所述发光本体和所述电极与所述开口的内壁不交叠。
第三方面，本申请提供一种微发光二极管的转移方法，利用本申请所提供的所述微发光二极管转移装置对本申请所提供的微发光二极管进行转移，所述转移方法包括：
将微发光二极管转移至所述转移基板上，使所述微发光二极管中的发光本体和电极落入所述转移基板的开口中，并使支撑体位于所述开口的第一侧；
利用所述微发光二极管转移装置将所述微发光二极管转移至阵列基板的正上方，使所述微发光二极管落向所述阵列基板并与所述阵列基板电连接，所述阵列基板和与所述阵列基板电连接的微发光二极管形成显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的一种微发光二极管及其转移装置和转移方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明所提供的微发光二极管及其转移装置和转移方法中，将微发光二极管的结构进行了特殊化设计，在发光本体远离电极的一侧引入支撑体，沿平行于支撑体所在平面的方向，支撑体的宽度大于发光本体的宽度，且发光本体在支撑体所在平面的第一投影的边缘与支撑体的边缘不交叠。如此，当将微发光二极管设置于转移装置中的转移基板上时，微发光二极管中的发光本体和电极将位于转移基板的开口中，支撑体将位于开口外且与非开口交叠，同时，发光本体和电极与开口的内部均不交叠。在对转移基板上的微发光二极管进行转移时，有效避免了转移的过程中转移基板的内壁对发光本体和电极造成的干涉，方便微发光二极管的拾起，同时还避免了由于干涉而造成的微发光二极管损坏的问题，简化了转移工艺，提高了转移良率。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的一种结构示意图；
图2所示为图1中微发光二极管的一种仰视图；
图3所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的一种膜层堆叠示意图；
图4所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的另一种结构示意图；
图5所示为转移头与微发光二极管以及转移基板的一种相对位置关系图；
图6所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的另一种结构示意图；
图7所示为图6中微发光二极管的一种俯视图；
图8所示为图6中微发光二极管的另一种俯视图；
图9所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的转移装置的一种结构示意图；
图10所示为图9中转移基板的一种AA截面图；
图11所示为承载有微发光二极管的转移基板的一种结构示意图；
图12所示为图9中转移基板的另一种AA截面图；
图13所示为承载有微发光二极管的转移基板的另一种结构示意图；
图14所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管的一种相对位置关系图；
图15所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管的另一种相对位置关系图；
图16所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管的另一种相对位置关系图；
图17所示为本发明实施例所提供的转移装置的另一种结构示意图；
图18所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的转移方法的一种流程示意图；
图19所示为将衬底上的微发光二极管转移至转移基板上方的一种过程示意图；
图20所示为将微发光二极管转移至阵列基板正上方的一种流程图；
图21所示为将转运单元转移至微发光二极管正上方的一种结构示意图；
图22所示为将微发光二极管转移至转运单元上的一种结构示意图；
图23所示为将微发光二极管转移至阵列基板正上方的一种结构示意图；
图24为将微发光二极管转移至阵列基板上的一种结构示意图；
图25所示为在微发光二极管的支撑体上形成磁性层的一种流程示意图；
图26所示为在转移基板的第一侧形成可移除支撑凸起的一种结构示意图；
图27所示为在支撑凸起的一侧设置开孔基板的一种结构示意图；
图28所示为在开孔基板一侧沉积磁性材料的一种结构示意图；
图29所示为在微发光二极管上形成磁性层的一种结构示意图；
图30所示为将微发光二极管转移至阵列基板正上方的一种流程图；
图31所示为将微发光二极管吸附在转移基板上的一种结构示意图；
图32所示为将充气抽气装置翻转并移动至第一基板上方的示意图；
图33所示为将微发光二极管转移至第一基板上的一种结构示意图；
图34为将第一基板上的微发光二极管转移至阵列基板上方的一种过程示意图；
图35为将第一基板上的微发光二极管转移至阵列基板上方的另一种过程示意图；
图36所示为对微发光二极管进行检测的一种流程图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1所示为本发明实施例所提供的微发光二极管的一种结构示意图，图2所示为图1中微发光二极管的一种仰视图(体现了支撑体12与发光本体10的相对位置关系)，请参考图1和图2，本发明实施例提供一种微发光二极管00，包括：
发光本体10、电极11和支撑体12，沿垂直于所属支撑体12所在平面的方向，发光本体10位于支撑体12和电极11之间；
发光本体10在支撑体12所在平面的正投影为第一投影TY，第一投影TY的面积小于支撑体12的面积，且第一投影TY的边缘到支撑体12的边缘的距离为d，其中d＞0。
可以理解的是，图1仅对微发光二极管00的大致结构进行了示意，并不代表微发光二极管00的实际膜层结构，事实上，微发光二极管00是由多个膜层堆叠形成的，例如请参考图3，图3所示为本发明实施例所提供的微发光二极管00的一种膜层堆叠示意图，位于最底端是微发光二极管00的两个电极11，两个电极11例如分别为第一电极P和第二电极N，在两个电极11的上方依次设置有P型氮化镓层(P-GaN)、多量子阱层(MQW)、N型氮化镓层(N-GaN)和缓冲氮化镓层(u-GaN)，其中，本发明实施例所提及的发光本体10指的是微发光二极管00中的多量子阱层，即实际发光的膜层。可选地，本发明实施例所提及的支撑体12可复用微发光二极管00中已有的膜层，以图3所示结构为例，缓冲氮化镓层(u-GaN)和N型氮化镓层(N-GaN)共同作为本发明实施例中的支撑体12，当然，在本发明的一些其他实施例中，还可仅将缓冲氮化镓层(u-GaN)作为支撑层，或者，在既有微发光二极管00的结构的基础上，单独引入新的膜层作为支撑层，例如在缓冲氮化镓层(u-GaN)远离N型氮化镓层(N-GaN)的一侧引入支撑层，本发明对此不进行具体限定。可选地，在P型氮化镓层远离多量子阱层的一侧还设置有电流扩展层15和绝缘层16，其中，第一电极P通过过孔与电流扩展层15电连接，进而与P型氮化镓层实现电连接；第二电极N通过过孔与N型氮化镓层形成电连接。
继续参考图1和图2，本发明实施例所提供的微发光二极管00中，发光本体10位于支撑体12和电极11之间，发光本体10在支撑体12所在平面的正投影即第一投影TY的面积小于支撑体12的面积，即第一投影TY在支撑体12所限定的范围内；此外，第一投影TY的边缘到支撑体12的边缘的距离d均大于0，即第一投影TY的边缘与支撑体12的边缘是不交叠的，第一投影TY的边缘与支撑体12的边缘之间具有一定的间隔。如此，当将微发光二极管00转移至转移装置中的转移基板上时，微发光二极管00的发光本体10和电极11将落入转移基板的开口中，支撑体12将位于开口上方并与非开口交叠，同时，发光本体10和电极11与开口的内部均不交叠。在对转移基板上的微发光二极管00进行转移时，有效避免了转移的过程中转移基板的内壁对发光本体10和电极11造成的干涉，方便微发光二极管00的拾起，同时还避免了由于干涉而造成的微发光二极管00损坏的问题，简化了转移工艺，提高了转移良率。
需要说明的是，图2仅以微发光二极管00中支撑体12与发光本体10的投影轮廓均为矩形为例进行说明的，在本发明的其他一些实施例中，支撑体12与发光本体10的投影轮廓还可体现为圆形、椭圆形、方形或其他多边形结构，本发明对此不进行具体限定。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图2，第一投影TY的边缘与支撑体12的边缘的距离相等。具体而言，上述距离相等可理解为，发光本体10向支撑体12所在平面的第一投影TY的轮廓形状与支撑体12的轮廓形状是相同的，例如当二者均为矩形或者均为圆形，且两个轮廓的几何中心的正投影是重叠的。如此，支撑体12上沿垂直于支撑体12所在平面的方向未与发光本体10交叠的部分的尺寸是相等的，此部分是实际发挥支撑作用的部分，当将微发光二极管00设置于转移基板上时，支撑体12上未与发光本体10交叠的部分将与转移基板上的非开口交叠，避免整个微发光二极管00落入转移基板的开口中，同时，第一投影TY的边缘与支撑体12的边缘距离相等的设置方式还有利于保证转移基板向微发光二极管00所提供的支撑力的均匀性。当需要将转移基板上的微发光二极管00转移至阵列基板上时，转移头将向微发光二极管00中的支撑体12施加吸附力，从而将微发光二极管00顺利拾起。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图3，微发光二极管00还包括半导体层，半导体层复用为支撑体12。
具体而言，图3示出了微发光二极管00的一种膜层结构图，其中，缓冲氮化镓层(u-GaN)和N型氮化镓层(N-GaN)均体现为微发光二极管00的半导体层。该实施例中，将缓冲氮化镓层(u-GaN)和N型氮化镓层(N-GaN)共同作为支撑体12，也就是说，在制作微发光二极管00的时候将缓冲氮化镓层(u-GaN)和N型氮化镓层(N-GaN)进行特殊化设计，使此部分半导体层边缘轮廓尺寸大于发光本体10的轮廓尺寸，从而作为支撑体12。当复用微发光二极管00本身的半导体层作为支撑体12时，无需在微发光二极管00中引入新的膜层结构作为支撑体12，因而有利于简化微发光二极管00的膜层结构，还有利于降低微发光二极管00的生产成本。
需要说明的是，图3仅以缓冲氮化镓层(u-GaN)和N型氮化镓层(N-GaN)整体复用作支撑体12为例进行说明，在本发明的其他一些实施例中，还可仅将缓冲氮化镓层(u-GaN)复用作支撑体12，本发明对此不进行具体限定。
可选地，继续参考图3，微发光二极管00中的发光本体10以及位于发光本体10与电极11之间的半导体层(P型氮化镓层)整体可呈现为倒梯形的结构，即，沿支撑体12指向电极11的方向，发光本体10和P型氮化镓层的截面积(沿平行于支撑体12所在平面的截面)呈减小趋势。如此，在将微发光二极管00置于转移基板上时，或者将转移基板上的微发光二极管00转移至阵列基板上的过程中，微发光二极管00将不会与转移基板上开口的内壁发生干涉，从而避免由于干涉而导致的微发光二极管00损坏或者转移失败的问题。
在本发明的一种可选实施例中，图4所示为本发明实施例所提供的微发光二极管00的另一种结构示意图，图5所示为转移头与微发光二极管00以及转移基板20的一种相对位置关系图，微发光二级管还包括位于支撑体12远离发光本体10一侧的磁性层13。
具体而言，请参考图4和图5，本发明在支撑体12远离发光本体10的一侧引入磁性层13，当微发光二极管00设置于转移基板上时，磁性层13是朝向转移装置的转移头的，如此，转移头可设置为磁吸式转移头，通过磁性吸引的方式将微发光二极管00吸附至转移头上，同时还可灵活的将吸附在转移头上的微发光二极管00转移至阵列基板。可选地，转移头为电磁式转移头，通过向转移头通电与否即可控制转移头的极性，也即通过电的控制即可实现对微发光二极管00的拾起和释放，操作简单。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图4和图5，磁性层13为透明金属层。需要说明的是，本发明所提及的透明金属层的透光率大于70％，可选地，磁性层13的透光率越大越好。当磁性层13覆盖在支撑体12远离发光体的表面时，将磁性层13设置为透明金属层，可减少磁性层13的引入对发光本体10所发出的光线的遮挡，以保证微发光二极管00显示装置的显示亮度需求。当在支撑体12远离发光本体10的表面整面设置磁性层13时，有利于简化磁性层13的制作工艺，提高带有磁性层13的微发光二极管00的生产效率。可选地，磁性层13的材料包括Ni。
在本发明的一种可选实施例中，图6所示为本发明实施例所提供的微发光二极管00的另一种结构示意图，图7所示为图6中微发光二极管00的一种俯视图，磁性层13包括磁性块131，磁性块131在支撑体12所在平面的正投影与发光本体10在所述支撑体12所在平面的正投影不交叠。
具体而言，请参考图6和图7，该实施例示出了磁性层13未整面覆盖支撑体12远离发光本体10的一侧表面的方案。磁性层13设置有磁性块131，可选地，磁性块131在支撑体12所在平面的正投影围绕发光本体10在所述支撑体12所在平面的正投影，且磁性块131与发光本体10在支撑体12所在平面的正投影不交叠，也就是说，磁性块131的引入不会遮挡发光本体10的出光，即使在支撑体12远离发光本体10的一侧引入磁性块131，也不会对微发光二极管00的发光亮度造成影响，因而更加有利于保证微发光二极管00的发光效率以及微发光二极管显示装置的显示亮度需求。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图8，图8所示为图6中微发光二极管00的另一种俯视图，沿平行于支撑体12所在平面的方向上，第一投影TY的宽度与磁性块131在支撑体12所在平面正投影的宽度之和等于支撑体12的宽度。
具体而言，请参考图8所示实施例与图7所示实施例的区别在于，沿支撑板的几何中心指向支撑板的边缘的方向，磁性块131的宽度不同。图7所示实施例中磁性块131的宽度较小，图8所示实施例中的磁性块131的宽度较大。图8所示实施例中，发光本体10在支撑体12所在平面的第一投影TY的宽度与磁性块131在支撑体12所在平面的正投影的宽度之和等于支撑体12的宽度，可以理解为，第一投影TY的面积与磁性块131在支撑体12所在平面的正投影的面积之和正好等于支撑体12的面积，如此，相当于在支撑体12上除与发光本体10交叠的区域之外的其他区域均设置磁性块131，增大了磁性块131的面积，当利用电磁性转移头对微发光二极管00进行转移时，磁性块131的面积越大，所受到的磁力将越强，因而越有利于提升电磁性转移头对微发光二极管00的吸附能力，提升微发光二极管00的转移可靠性及转移良率。
基于同一发明构思，图9所示为本发明实施例所提供的微发光二极管00的转移装置的一种结构示意图，图10所示为图9中转移基板20的一种AA截面图，图11所示为承载有微发光二极管00的转移基板20的一种结构示意图，请参考图9至图11，本发明还提供一种微发光二极管00的转移装置，包括转移基板20，转移基板20用于承载本发明上述任一实施例微发光二极管00；
转移基板20包括多个开口21和环绕开口21的非开口22，沿垂直于转移基板20所在平面的方向，开口21贯穿转移基板20；
一个微发光二极管00对应一个开口21，同一微发光二极管00中，发光本体10和电极11位于开口21中，支撑体12位于开口21的第一侧，沿平行于转移基板20所在平面的方向，支撑体12的宽度d01大于开口21的宽度d02；在开口21中，发光本体10和电极11与开口21的内壁不交叠。需要说明的是，转移基板20中同一个开口的宽度不是固定的，本发明所提及的支撑体12的宽度大于开口21的宽度，指的是支撑体的宽度12大于开口21中宽度最小的部分的宽度，以避免支撑体12落入开口中。
需要说明的是，图9-图11仅示出了转移装置中的转移基板20，在本发明的一些其他实施例中，转移装置还包括其他的结构，其他的结构将在后文中进行介绍。转移装置中的转移基板20是用于承载微发光二极管00的基板。在制作微发光二极管00时，通常是将多个微发光二极管00形成在同一衬底S上，在将微发光二极管00转移至阵列基板上之前，首先需要将微发光二极管00转移至如图9和10所示的转移基板20上，形成如图11所示的结构，然后再利用转移头30将转移基板20上的微发光二极管00转移至阵列基板上。
继续参考图9至图11，转移装置中的转移基板20包括多个开口21和环绕开口21的非开口22，沿转移基板20的厚度方向，开口21贯穿转移基板20。当将微发光二极管00转移至转移基板20上时，每个微发光二极管00对应一个开口21，微发光二极管00中的发光本体10和电极11位于开口21中，支撑体12位于开口21外，沿平行于转移基板20所在平面的方向，支撑体12的宽度d01大于开口21的宽度d02，因此，沿垂直于转移基板20的方向，支撑体12与非开口22交叠，支撑体12中未与发光本体10交叠的区域将与非开口22接触。特别是，在开口21中，发光本体10和电极11与开口21的内壁不交叠，即发光本体10和电极11与开口21的内壁不接触。如此，在采用转移头对转移基板20上的微发光二极管00进行转移时，转移头对支撑体12远离发光本体10的一侧进行吸附，带动发光本体10和电极11移动至开口21的上方。由于发光本体10和电极11均与开口21的内壁不接触，因此在转移的过程中，发光本体10和电极11将不会受到开口21内壁的干涉，降低了转移的难度，避免干涉作用而造成微发光二极管00损坏或者转移失败的现象发生，因而有利于提升微发光二极管00的转移良率。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图10，同一开口21包括与支撑体12相邻的第一开口部211和位于第一开口部211远离支撑体12一侧的第二开口部212，第一开口部211的内径小于第二开口部212的内径。
具体而言，在图10所示视角下，同一开口21的尺寸呈现上小下大的结构，即靠近支撑体12一侧的第一开口部211的内径较小，得以实现对微发光二极管00中支撑体12的支撑；远离支撑体12的第二开口部212的内径较大，得以实现对微发光二极管00中发光本体10和电极11的容纳，避免发光本体10与电极11与开口21的内壁接触，同时避免在转移微发光二极管00的过程中开口21的内壁对发光本体10和电极11产生干涉。因此，开口21的尺寸采用上小下大的方式，既能对微发光二极管00起到较佳的支撑作用，又能避免对微发光二极管00造成干涉，有利于简化转移难度，提高转移良率。
图12所示为图9中转移基板20的另一种AA截面图，图13所示为承载有微发光二极管00的转移基板20的另一种结构示意图，请参考图12和图13，在本发明的一种可选实施例中，沿支撑体12指向电极11的方向F，同一开口21的内径呈增大的趋势。
图10所示实施例中同一开口21的内径仅包括两种不同的尺寸，与图10所示实施例不同的，图12和图13中同一开口21的内径的变化规律是渐变的，沿支撑体12指向电极11的方向，同一开口21不同位置处的内径不同，呈现逐渐增大的趋势，即呈现为弧形结构，而且内径均大于发光本体10的外径。如此，开口21的内壁形成了较大容置空间，在通过转移头30拾起微发光二极管00的过程中，开口21的内壁不会卡住微发光二极管00，即不会对微发光二极管00造成干涉，从而简化了微发光二极管00的拾起难度。此外，开口21内壁设置成弧形的结构，可采用常规的湿刻蚀技术制作，因此不会增加复杂的制作工艺，有利于提高转移基板20的制作效率。
在本发明的一种可选实施例中，请参考图10和图12，开口21的内壁向与该开口21对应的非开口22的方向凸起。
本发明实施例中，将容置发光本体10以及电极11的开口21设置为，内壁朝向非开口22的方向凸起，增大了开口21内部的空间，请结合图11和图13，当将微发光二极管00转移到转移基板20上时，相当于增大了开口21内壁与微发光二极管00中发光本体10之间的距离，在将微发光二极管00从转移基板20的开口21中拾起时，微发光二极管00将不会与开口21的内壁接触，也即开口21的内壁不会对微发光二极管00造成干涉，因而在简化转移难度的同时，确保了微发光二极管00在转移过程中的完好性，因此还有利于提高转移良率。
在本发明的一种可选实施例中，图14所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管00的一种相对位置关系图，转移装置还包括转移头30，转移头30包括转运基板31、位于转运基板31一侧的驱动电极32、以及位于驱动电极32背离转运基板31一侧的多个转运单元33；其中，驱动电极32与转运单元33电连接，使转运单元33产生电磁力、或热能、或静电，以吸附位于转移基板20上的微发光二极管00。
具体而言，转移装置中的转移头30用于将转移基板20上的微发光二极管00拾起，进而将微发光二极管00转移至阵列基板或者其他目标基板上。该实施例中，转移头30包括转运基板31、驱动电极32和转运单元33，每个转运单元33用于转移一个微发光二极管00。驱动电极32与转运单元33电连接，用于将电信号传输至转运单元33；转运单元33在接收到电信号后，可将电信号转换为电磁力，通过电磁作用将微发光二极管00拾起；或者还可将电信号转换为热能，通过热能将微发光二极管00拾起；或者还可将电信号转换为静电，通过静电作用将微发光二极管00拾起。由于转移基板20的开口21以及微发光二极管00的结构采用特殊化设计，设置在转移基板20上的微发光二极管00中，发光本体10不会与开口21内壁接触，因此在利用转移头30的电磁力、热能或者静电将微发光二极管00拾起的过程中，开口21内壁不会对微发光二极管00造成干涉，简化了转移难度，同时有利于确保微发光二极管00在转移过程中的完好性，因而有利于提高转移良率。
在本发明的一种可选实施例中，图15所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管00的另一种相对位置关系图，转移装置还包括转移头30，转移头30包括充气抽气装置40，充气抽气装置40包括腔体41和与腔体41连通的充气抽气通道42，转移基板20固定于腔体41的开口部；当转移基板20上承载有微发光二极管00时，微发光二极管00的电极11位于腔体41内。
具体而言，图15示出了转移装置的另一种实施例，该转移装置中的转移头30包括充气抽气装置40，该充气抽气装置40的腔体41的开口部设置有转移基板20，当微发光二极管00置于转移基板20上时，微发光二极管00的发光本体10和电极11位于腔体41内。腔体41内的充气抽气通道42可对腔体41进行抽气，从而使微发光二极管00吸附在转移基板20上，此时腔体41对微发光二极管00的吸力是大于微发光二极管00的重力的。需要说明的是，本实施例所提供的转移装置中，由于微发光二极管00的发光本体10和电极11是位于腔体41内的，在将微发光二极管00转移到阵列基板上之前，需要首先将微发光二极管00转移至中间基板90上，此时，需要将转移装置垂直翻转，例如请参考图16，使微发光二极管00的支撑体12朝向中间基板90，在该过程中，充气抽气系统向微发光二极管00施加吸附力，避免在转移装置翻转的过程中微发光二极管00发生掉落的现象，其中，图16所示为本发明实施例所提供的转移装置与微发光二极管00的另一种相对位置关系图。将微发光二极管00转移至中间基板90上后，微发光二极管00中的支撑体12是位于发光本体10和中间基板90之间的。最后将中间基板90上的微发光二极管00转移到阵列基板上时，可保证微发光二极管00中的电极11是朝向阵列基板的。
需要说明的是，在采用充气抽气的模式来设计转移装置时，抽气充气装置中的充气抽气通道42可以是连通的，也可以是分块设计的。例如，请参考图16，不同列的微发光二极管00分别对应不同的子通道421，可同时控制各个子通道421的吸力，也可单独控制某个子通道421的吸力，通过吸力的作用实现对对应列的微发光二极管00的转移。再例如，每个微发光二极管00可分别对应一个子通道，每个子通道的吸力可实现单独控制或者同时控制，如此，可有针对性的转移特定位置的微发光二极管00，使得微发光二极管00的转移过程更为灵活。
在本发明的一种可选实施例中，继续参考图16，腔体41中设置有多个升降部件43，沿垂直于转移基板20所在平面的方向，升降部件43与转移基板20的开口21交叠。
具体而言，本发明在腔体41中设置多个升降部件43，可选地，每个开口21对应一个升降部件43。在将转移装置垂直翻转后，将微发光二极管00转移至中间基板90的过程中，会取消抽气充气系统对微发光二极管00的吸力，使微发光二极管00在重力的作用下转移至中间基板90。若存在在重力作用下仍卡在转移基板20上的微发光二极管00，则可启动升降部件43，将升降部件43移动至对应微发光二极管00所在的位置，利用升降部件43向该微发光二极管00提供推力，使微发光二极管00顺利落至中间基板90上，从而保证了微发光二极管的转移可靠性。
在本发明的一种可选实施例中，图17所示为本发明实施例所提供的转移装置的另一种结构示意图，转移装置还包括：
位于非开口22的第一侧且可移除的支撑凸起50，沿垂直于转移基板20所在平面的方向，支撑凸起50的高度h0大于或者等于支撑体12的厚度d0且小于微发光二极管00的厚度；
可移除的定位基板51，位于支撑凸起50远离转移基板20的一侧。
具体而言，本发明在转移基板20的一侧引入了可移除的支撑凸起50，当将微发光二极管00置于转移基板20上时，微发光二极管00上的支撑体12和上述支撑凸起50是位于转移基板20的同一侧的，且支撑凸起50的高度大于或者等于支撑体12的厚度。在支撑凸起50远离转移基板20的一侧设置有可移除的定位基板51。在将微发光二极管00设置于转移基板20上之后，将定位基板51固定于支撑凸起50远离微发光二极管00的一侧，如此，可将检测探针60与微发光二极管00的电极11接触，通过检测探针60对微发光二极管00的光电性能进行检测。需要说明的是，在利用检测探针60对微发光二极管00进行检测时，检测探针60会向微发光二极管00施加一定的作用力，由于定位基板51固定在微发光二极管00中支撑体12远离发光本体10的一侧，即使微发光二极管00受力而产生向上的位移，定位基板51也能够将微发光二极管00限位在固定基板朝向转移基板20一侧的空间范围内，从而实现了对微发光二极管00的光电性能检测的功能。由于对微发光二极管00的检测是在巨量转移之前进行的，因此，当检测到有性能不合格的微发光二极管00后，可将不合格的微发光二极管00移除，在对应位置设置合格的微发光二极管00，以确保待转移的微发光二极管00均为合格的，即良率为100％。如此有利于提升微发光二极管00的整体转移良率。
基于同一发明构思，本发明还提供一种微发光二极管00的转移方法，图18所示为本发明实施例所提供的微发光二极管00的转移方法的一种流程示意图，图19所示为将衬底S上的微发光二极管00转移至转移基板20上方的一种过程示意图，该转移方法利用本发明实施例所提供的微发光二极管00转移装置对本发明实施例中的微发光二极管00进行转移，请结合图18、图19和图13，转移方法包括：
S01、将微发光二极管00转移至转移基板20上，使微发光二极管00中的发光本体10和电极11落入转移基板20的开口21中，并使支撑体12位于开口21的第一侧；
S02、利用微发光二极管00转移装置将微发光二极管00转移至阵列基板的正上方，使微发光二极管00落向阵列基板并与阵列基板电连接，阵列基板和与阵列基板电连接的微发光二极管00形成显示面板。
具体而言，本发明实施例的微发光二极管00的转移方法中，所转移的微发光二极管00的结构可参考前述实施例中微发光二极管00的结构，对微发光二极管00进行转移的转移装置的结构可参考前述实施例中微发光二极管00转移装置的结构。在制作微发光二极管00时，通常是将多个微发光二极管00形成在同一衬底S上的。上述步骤S01中，将微发光二极管00转移至转移基板20上的具体方法为，将承载有微发光二极管00的衬底S转移至转移基板20的上方，例如请参考图19，此时，微发光二极管00位于衬底S和转移基板20之间，且微发光二极管00的支撑体12位于发光本体10和衬底S之间，也就是说，微发光二极管00的电极11是朝向转移基板20的。通过对位系统将衬底S上的微发光二极管00与转移基板20上的开口21对准，使用激光剥离技术将微发光二极管00从衬底S上剥离，微发光二极管00在重力的作用下落入转移基板20上的开口21对应的位置，即发光本体10和电极11位于开口21中，支撑体12位于开口21外，请参考图13。
由于在转移基板20的开口21中，发光本体10与开口21的内壁是不接触的，因此，在上述步骤S02中，在利用转移装置将微发光二极管00从转移基板20上进行转移的过程中，微发光二极管00将不会与转移基板20的开口21的内壁接触，因此避免了开口21的内壁对微发光二极管00造成的干涉，也就避免了内壁的干涉对微发光二极管00造成损坏的现象发生，既简化了转移的难度，又有利于提高转移的良率。
上述步骤S02中，将微发光二极管00转移至阵列基板后，将微发光二极管00的电极11与阵列基板进行绑定，如此，阵列基板上的信号即可控制微发光二极管00发光，微发光二极管00和阵列基板共同形成了显示面板。采用上述转移方法所形成的显示面板的良率高，可靠性更好。
在本发明的一种可选实施例中，请参考图14，转移装置包括转移头30，转移头30包括转运基板31、位于转运基板31一侧的驱动电极32、以及位于驱动电极32背离转运基板31一侧的多个转运单元33；
请参考图20，其中，图20所示为将微发光二极管00转移至阵列基板正上方的一种流程图，将微发光二极管00转移至阵列基板的正上方的方法为：
S101、将转移头30转移至承载有微发光二极管00的转移基板20的正上方，请参考图21，使转运单元33位于微发光二极管00的正上方，其中，图21所示为将转运单元33转移至微发光二极管00正上方的一种结构示意图。
S102、向驱动电极32提供信号，使转运单元33产生电磁力、或热能、或静电，将转移基板20上的微发光二极管00吸附至转运单元33上，请参考图22，其中，图22所示为将微发光二极管00转移至转运单元33上的一种结构示意图；
S103、将吸附有微发光二极管00的转移头30转移至阵列基板TFT的正上方，请参考图23和图24，取消向驱动电极32所提供的信号，使微发光二极管00与转运单元33分离，其中，图23所示为将微发光二极管00转移至阵列基板正上方的一种结构示意图，图24为将微发光二极管00转移至阵列基板上的一种结构示意图。
具体而言，图20至图24示出的转移装置中，转移头30包括转运基板31、驱动电极32和转运单元33，每个转运单元33用于转移一个微发光二极管00。驱动电极32与转运单元33电连接，用于将电信号传输至转运单元33；转运单元33在接收到电信号后，可将电信号转换为电磁力，通过电磁作用将微发光二极管00拾起；或者还可将电信号转换为热能，通过热能将微发光二极管00拾起；或者还可将电信号转换为静电，通过静电作用将微发光二极管00拾起。如此，通过向驱动电极32供电的方式，即可使得转运单元33产生电磁力、热能或者静电，进而将转移基板20中的微发光二极管00拾起，实现对微发光二极管00的巨量转移。此种转移方法对应的转移装置结构简单，转移方法便捷易操作，在简化转移难度的同时还有利于提高转移良率。
在本发明的一种可选实施例中，请参考图25，图25所示为在微发光二极管00的支撑体12上形成磁性层13的一种流程示意图，当转运单元33产生磁力吸附微发光二极管00时，在将转移头30转移至承载有微发光二极管00的转移基板20的正上方之前，还包括：
S201、在转移基板20的非开口22的第一侧设置可移除的支撑凸起50，请参考图26，其中，图26所示为在转移基板20的第一侧形成可移除支撑凸起50的一种结构示意图。
S202、在支撑凸起50远离转移基板20的一侧设置开孔基板S1，沿垂直于转移基板20的方向，开孔基板S1的开孔K与微发光二极管00交叠，请参考图27，其中，图27所示为在支撑凸起50的一侧设置开孔基板S1的一种结构示意图。
可选地，开孔基板S1可看作掩膜版，在需要沉积电磁材料的区域设置开孔，无需沉积电磁材料的区域不设置开孔。
S203、在开孔基板S1远离转移基板20的一侧沉积透光磁性材料，使部分透光磁性材料沉积于支撑体12远离发光本体10的一侧，请参考图28，图28所示为在开孔基板S1一侧沉积磁性材料的一种结构示意图。
由于开孔基板S1上的开孔是与微发光二极管00交叠的，也就是说，开孔是暴露微发光二极管00的，具体为暴露微发光二极管00的支撑体12。当在开孔基板S1远离转移基板20的一侧沉积透光磁性材料时，透光磁性材料将沉积至微发光二极管00的支撑体12远离发光本体10的一侧，形成磁性层13。
S204、移除开孔基板S1和支撑凸起50，请参考图29，图29所示为在微发光二极管00上形成磁性层13的一种结构示意图。
当在支撑体12远离发光本体10的一侧沉积透光磁性材料后，再将转移基板20一侧的开孔基板S1和支撑凸起50移除，如此，方便利用转移头30对微发光二极管00进行转移。转移头30中的转移单元在接收到驱动电极32的电信号后，将产生磁力，由于微发光二极管00支撑体12远离发光本体10的一侧设置有磁性材料，因此，在电磁力的作用下，微发光二极管00将被吸附至转移头的转移单元上，而且在吸附的过程中微发光二极管00不会与转移基板20的开口的内壁接触，即简化了转移的难度，又提高了转移良率。
需要说明的是，该实施例示出了在微发光二极管00的支撑体12远离电极11的一侧沉积整面的磁性层13的方案，在本发明的一些其他实施例中，还可仅在支撑体12远离电极11的一侧的部分区域沉积磁性层13，形成例如图6所示的结构，此时，仅需在图27所示的结构的基础上，改变开孔基板S1的结构，使开孔基板S1的开孔K仅暴露支撑体12的部分区域(例如仅暴露沿垂直于转移基板20所在平面的方向与发光本体10不交叠的区域)，支撑体12的剩余区域被开孔基板S1所遮挡即可，如此可避免磁性层13的引入对发光本体10所发出的光线造成遮挡，提高微发光二极管的发光亮度。
在本发明的一种可选实施例中，请参考图15，转移装置包括转移头30，转移头30包括充气抽气装置40，充气抽气装置40包括腔体41和与腔体41连通的充气抽气通道42，转移基板20固定于腔体41的开口21部；图30所示为将微发光二极管00转移至阵列基板正上方的一种流程图，请参考图30，将微发光二极管00转移至阵列基板的正上方的方法为：
S301、利用充气抽气通道42对腔体41进行抽气，向微发光二极管00施加吸附力，将微发光二极管00吸附至转移基板20上，请参考图31，图31所示为将微发光二极管00吸附在转移基板20上的一种结构示意图。
S302、提供第一基板91，翻转充气抽气装置40，使承载有发光元件的转移基板20朝向第一基板91，请参考图32，图32所示为将充气抽气装置40翻转并移动至第一基板91上方的示意图。
S303、取消向微发光二极管00的吸附力，使微发光二极管00落向第一基板91，请参考图33，图33所示为将微发光二极管00转移至第一基板91上的一种结构示意图。
S304、将承载有微发光二极管00的第一基板91转移至阵列基板TFT上方，请参考图34和35，图34和图35分别为将第一基板91上的微发光二极管00转移至阵列基板上方的一种过程示意图。
具体而言，当转移头30包括充气抽气装置40时，该充气抽气装置40的腔体41的开口21部设置有转移基板20，当微发光二极管00置于转移基板20上时，微发光二极管00的发光本体10和电极11位于腔体41内。腔体41内的充气抽气通道42可对腔体41进行抽气，从而使微发光二极管00吸附在转移基板20上，此时腔体41对微发光二极管00的吸力是大于微发光二极管00的重力的。需要说明的是，本实施例所提供的转移装置中，由于微发光二极管00的发光本体10和电极11是位于腔体41内的，在将微发光二极管00转移到阵列基板TFT上之前，需要首先将微发光二极管00转移至第一基板91上，此时，需要将转移装置垂直翻转，例如请参考图32，使微发光二极管00的支撑体12朝向第一基板91，在该过程中，充气抽气系统向微发光二极管00施加吸附力，避免在转移装置翻转的过程中微发光二极管00发生掉落的现象。将微发光二极管00转移至第一基板91上后，微发光二极管00中的支撑体12是位于发光本体10和第一基板91之间的。最后将第一基板91上的微发光二极管00转移到阵列基板TFT上时，可保证微发光二极管00中的电极11是朝向阵列基板TFT的。
需要说明的是，在采用充气抽气的模式来设计转移装置时，抽气充气装置中的充气抽气通道42可以是连通的，也可以是分块设计的。例如，请参考图16，不同列的微发光二极管00分别对应不同的子通道421，可同时控制各个子通道421的吸力，也可单独控制某个子通道421的吸力，通过吸力的作用实现对对应列的微发光二极管00的转移。再例如，每个微发光二极管00可分别对应一个子通道，每个子通道的吸力可实现单独控制或者同时控制，如此，可有针对性的转移特定位置的微发光二极管00，使得微发光二极管00的转移过程更为灵活。
在本发明的一种可选实施例中，请参考图31至图33，腔体41中设置有多个升降部件43；
上述步骤303中，当取消向微发光二极管00的吸附力后，部分微发光二极管00未落向第一基板91时，则启动微发光二极管00对应的升降部件43，利用升降部件43将发光元件推向第一基板91。
具体而言，本发明在腔体41中设置多个升降部件，可选地，每个开口21对应一个升降部件43。在将转移装置垂直翻转后，将微发光二极管00转移至中间基板90的过程中，会取消抽气充气系统对微发光二极管00的吸力，使微发光二极管00在重力的作用下转移至中间基板90。若存在在重力作用下仍卡在转移基板20上的微发光二极管00，则可启动升降系统，将升降系统移动至对应微发光二极管00所在的位置，利用升降系统向该微发光二极管00提供推力，使微发光二极管00顺利落至中间基板90上，从而保证了微发光二极管的转移可靠性。
在本发明的一种可选实施例中，将微发光二极管00转移至阵列基板的正上方之前，还包括对微发光二极管00进行检测的步骤，请参考图17和图36，图36所示为对微发光二极管00进行检测的一种流程图，转移方法还包括：
S401、在转移基板20的非开口22的第一侧设置可移除的支撑凸起50；
S402、在支撑凸起50远离转移基板20的一侧设置可移除的定位基板51；
S403、利用检测探针60对位于转移基板20上的微发光二极管00进行检测。
具体而言，请结合图17，本发明在转移基板20的一侧引入了可移除的支撑凸起50，当将微发光二极管00置于转移基板20上时，微发光二极管00上的支撑体12和上述支撑凸起50是位于转移基板20的同一侧的，且支撑凸起50的高度大于或者等于支撑体12的厚度。在支撑凸起50远离转移基板20的一侧设置有可移除的定位基板51。在将微发光二极管00设置于转移基板20上之后，将定位基板51固定于支撑凸起50远离微发光二极管00的一侧，如此，可将检测探针60与微发光二极管00的电极11接触，通过检测探针60对微发光二极管00的光电性能进行检测。需要说明的是，在利用检测探针60对微发光二极管00进行检测时，检测探针60会向微发光二极管00施加一定的作用力，由于定位基板51固定在微发光二极管00中支撑体12远离发光本体10的一侧，即使微发光二极管00受力而产生向上的位移，定位基板51也能够将微发光二极管00限位在固定基板朝向转移基板20一侧的空间范围内，从而实现了对微发光二极管00的光电性能检测的功能。由于对微发光二极管00的检测是在巨量转移之前进行的，因此，当检测到有性能不合格的微发光二极管00后，可将不合格的微发光二极管00移除，在对应位置设置合格的微发光二极管00，以确保待转移的微发光二极管00均为合格的，即良率为100％。如此有利于提升微发光二极管00的整体转移良率。
通过上述实施例可知，本发明提供的微发光二极管及其转移装置和转移方法，至少实现了如下的有益效果：
本发明所提供的微发光二极管及其转移装置和转移方法中，将微发光二极管的结构进行了特殊化设计，在发光本体远离电极的一侧引入支撑体，沿平行于支撑体所在平面的方向，支撑体的宽度大于发光本体的宽度，且发光本体在支撑体所在平面的第一投影的边缘与支撑体的边缘不交叠。如此，当将微发光二极管设置于转移装置中的转移基板上时，微发光二极管中的发光本体和电极将位于转移基板的开口中，支撑体将位于开口外且与非开口交叠，同时，发光本体和电极与开口的内部均不交叠。在对转移基板上的微发光二极管进行转移时，有效避免了转移的过程中转移基板的内壁对发光本体和电极造成的干涉，方便微发光二极管的拾起，同时还避免了由于干涉而造成的微发光二极管损坏的问题，简化了转移工艺，提高了转移良率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (19)

1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
发光本体、电极和支撑体，沿垂直于所属支撑体所在平面的方向，所述发光本体位于所述支撑体和所述电极之间；
所述发光本体在所述支撑体所在平面的正投影为第一投影，所述第一投影的面积小于所述支撑体的面积，且所述第一投影的边缘到所述支撑体的边缘的距离为d，其中d＞0；
所述微发光二极管还包括位于所述支撑体远离所述发光本体一侧的磁性层；所述磁性层包括磁性块，所述磁性块在所述支撑体所在平面的正投影与所述发光本体在所述支撑体所在平面的正投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，
所述第一投影的边缘与所述支撑体的边缘的距离相等。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管，其特征在于，
所述微发光二极管还包括半导体层，所述半导体层复用为所述支撑体。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，
所述磁性层为透明金属层。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，沿平行于所述支撑体所在平面的方向上，所述第一投影的宽度与所述磁性块在所述支撑体所在平面正投影的宽度之和等于所述支撑体的宽度。
6.一种微发光二极管转移装置，其特征在于，包括转移基板，所述转移基板用于承载如权利要求1-5中任意一项所述微发光二极管；
所述转移基板包括多个开口和环绕所述开口的非开口，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述开口贯穿所述转移基板；
一个所述微发光二极管对应一个所述开口，同一所述微发光二极管中，所述发光本体和所述电极位于所述开口中，所述支撑体位于所述开口的第一侧，沿平行于所述转移基板所在平面的方向，所述支撑体的宽度大于所述开口的宽度；
在所述开口中，所述发光本体和所述电极与所述开口的内壁不交叠。
7.根据权利要求6所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，同一所述开口包括与所述支撑体相邻的第一开口部和位于所述第一开口部远离所述支撑体一侧的第二开口部，所述第一开口部的内径小于所述第二开口部的内径。
8.根据权利要求7所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，沿所述支撑体指向所述电极的方向，同一所述开口的内径呈增大的趋势。
9.根据权利要求6所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，所述开口的内壁向与该开口对应的非开口的方向凸起。
10.根据权利要求6所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括转移头，所述转移头包括转运基板、位于所述转运基板一侧的驱动电极、以及位于所述驱动电极背离所述转运基板一侧的多个转运单元；
其中，所述驱动电极与所述转运单元电连接，使所述转运单元产生电磁力、或热能、或静电，以吸附位于所述转移基板上的所述微发光二极管。
11.根据权利要求6所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括转移头，所述转移头包括充气抽气装置，所述充气抽气装置包括腔体和与所述腔体连通的充气抽气通道，所述转移基板固定于所述腔体的开口部；
当所述转移基板上承载有所述微发光二极管时，所述微发光二极管的电极位于所述腔体内。
12.根据权利要求11所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，所述腔体中设置有多个升降部件，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述升降部件与所述转移基板的所述开口交叠。
13.根据权利要求6所述的微发光二极管转移装置，其特征在于，还包括：
位于所述非开口的所述第一侧且可移除的支撑凸起，沿垂直于所述转移基板所在平面的方向，所述支撑凸起的高度大于或者等于所述支撑体的厚度且小于所述微发光二极管的厚度；
可移除的定位基板，位于所述支撑凸起远离所述转移基板的一侧。
14.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，利用权利要求6至13中任一所述的微发光二极管转移装置对权利要求1至5中任一所述的微发光二极管进行转移，所述转移方法包括：
将微发光二极管转移至所述转移基板上，使所述微发光二极管中的发光本体和电极落入所述转移基板的开口中，并使支撑体位于所述开口的第一侧；
利用所述微发光二极管转移装置将所述微发光二极管转移至阵列基板的正上方，使所述微发光二极管落向所述阵列基板并与所述阵列基板电连接，所述阵列基板和与所述阵列基板电连接的微发光二极管形成显示面板。
15.根据权利要求14所述的转移方法，其特征在于，所述转移装置包括转移头，所述转移头包括转运基板、位于所述转运基板一侧的驱动电极、以及位于所述驱动电极背离所述转运基板一侧的多个转运单元；
所述将所述微发光二极管转移至阵列基板的正上方的方法为：
将转移头转移至承载有所述微发光二极管的转移基板的正上方，使所述转运单元位于所述微发光二极管的正上方；
向驱动电极提供信号，使所述转运单元产生电磁力、或热能、或静电，将所述转移基板上的所述微发光二极管吸附至所述转运单元上；
将吸附有所述微发光二极管的转移头转移至所述阵列基板的正上方，取消向所述驱动电极所提供的信号，使所述微发光二极管与所述转运单元分离。
16.根据权利要求15所述的转移方法，其特征在于，当所述转运单元产生磁力吸附所述微发光二极管时，在所述将转移头转移至承载有所述微发光二极管的转移基板的正上方之前，还包括：
在所述转移基板的非开口的第一侧设置可移除的支撑凸起；
在所述支撑凸起远离所述转移基板的一侧设置开孔基板，沿垂直于所述转移基板的方向，所述开孔基板的开孔与所述微发光二极管交叠；
在所述开孔基板远离所述转移基板的一侧沉积透光磁性材料，使部分所述透光磁性材料沉积于所述支撑体远离所述发光本体的一侧；
移除所述开孔基板和所述支撑凸起。
17.根据权利要求14所述的转移方法，其特征在于，所述转移装置包括转移头，所述转移头包括充气抽气装置，所述充气抽气装置包括腔体和与所述腔体连通的充气抽气通道，所述转移基板固定于所述腔体的开口部；
所述将所述微发光二极管转移至阵列基板的正上方的方法为：
利用所述充气抽气通道对所述腔体进行抽气，向所述微发光二极管施加吸附力，将所述微发光二极管吸附至所述转移基板上；
提供第一基板，翻转所述充气抽气装置，使承载有所述微发光二极管的转移基板朝向所述第一基板；
取消向所述微发光二极管的吸附力，使所述微发光二极管落向所述第一基板；
将承载有所述微发光二极管的第一基板转移至阵列基板上方。
18.根据权利要求17所述的转移方法，其特征在于，所述腔体中设置有多个升降部件；
当取消向所述微发光二极管的吸附力后，部分所述微发光二极管未落向所述第一基板时，则启动所述微发光二极管对应的升降部件，利用所述升降部件将所述微发光二极管推向所述第一基板。
19.根据权利要求14所述的转移方法，其特征在于，所述将所述微发光二极管转移至阵列基板的正上方之前，还包括：
在所述转移基板的非开口的第一侧设置可移除的支撑凸起；
在所述支撑凸起远离所述转移基板的一侧设置可移除的定位基板；
利用检测探针对位于所述转移基板上的所述微发光二极管进行检测。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114447185B (zh) * 2022-01-25 2023-10-17 Tcl华星光电技术有限公司 Micro LED灯及其转移装置、喷洒式巨量转移方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170773A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN107680983A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 厦门乾照光电股份有限公司 Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
CN108933153A (zh) * 2018-07-27 2018-12-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111048502A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
CN111261654A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法
TW202046381A (zh) * 2019-06-14 2020-12-16 國立交通大學 發光二極體晶粒轉移方法及具有磁性基板的發光二極體晶粒
KR20210084120A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자를 제조하는 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11094849B2 (en) * 2017-10-13 2021-08-17 PlayNitride Inc. Light emitting diode display

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170773A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN107680983A (zh) * 2017-10-30 2018-02-09 厦门乾照光电股份有限公司 Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
CN108933153A (zh) * 2018-07-27 2018-12-04 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN111261654A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法
TW202046381A (zh) * 2019-06-14 2020-12-16 國立交通大學 發光二極體晶粒轉移方法及具有磁性基板的發光二極體晶粒
CN111048502A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
KR20210084120A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자를 제조하는 방법

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