CN114447185B - Micro LED灯及其转移装置、喷洒式巨量转移方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 11
- 239000007901 soft capsule Substances 0.000 claims description 9
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种Micro LED灯、一种Micro LED灯转移装置、一种喷洒式巨量转移方法，该Micro LED灯包括本体部、屏蔽部，本体部包括S磁极、N磁极，屏蔽部包裹本体部设置；该Micro LED灯转移装置包括容纳腔、设置于容纳腔内的多个上述Micro LED灯。通过设置屏蔽部隔绝相邻本体部之间的S磁极与N磁极的吸引及磁化作用，避免相邻本体部吸引聚集，提高Micro LED灯巨量转移的效率及良率。
Description
技术领域
本申请涉及Micro LED显示技术领域，具体涉及一种Micro LED灯、一种Micro LED灯转移装置、一种喷洒式巨量转移方法。
背景技术
现有Micro LED灯在所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，在Micro LED灯转移时，通过在对应电极处设置相反磁性的磁极，将一Micro LED灯喷洒至所述对应电极处，实现Micro LED灯巨量转移；但在喷洒Micro LED灯的容纳腔内，相邻MicroLED灯磁极的极性相反，存在相吸风险。
因此，现有Micro LED灯转移装置存在相邻Micro LED灯相吸的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种Micro LED灯转移装置，可以缓解现有Micro LED灯转移装置存在相邻Micro LED灯相吸导致巨量转移良率较低的技术问题。
本申请实施例提供一种Micro LED灯，包括本体部、屏蔽部，所述本体部包括第一电极、第二电极，所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，所述屏蔽部围绕且包裹所述本体部设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽部为软质胶囊，所述软质胶囊用于防止相邻Micro LED灯相互吸引聚集。
本申请实施例提供一种Micro LED灯转移装置，包括：
框架；
容纳腔，所述容纳腔设置于所述框架上，所述容纳腔内设置有多个Micro LED灯；
驱动构件，所述驱动构件与所述容纳腔相连；
喷头，所述喷头与所述容纳腔连通；
其中，所述Micro LED灯包括本体部、屏蔽部，所述本体部包括第一电极、第二电极，所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，所述屏蔽部围绕且包裹所述本体部设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述喷头的开口尺寸小于所述Micro LED灯的尺寸。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述喷头的开口尺寸大于所述本体部的尺寸。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽部为软质胶囊，所述软质胶囊用于防止相邻Micro LED灯相互吸引聚集。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述本体部的长/宽/高的范围为15微米至25微米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽部的形状与所述本体部的形状相同或相似。
本申请实施例提供一种喷洒式巨量转移方法，包括：
S1：提供一上述Micro LED灯转移装置，所述Micro LED灯转移装置包括框架、容纳腔、驱动构件、喷头，所述容纳腔内设置有多个上述Micro LED灯；
S2：将待转移基板放置于所述喷头的喷洒方向上，所述待转移基板包括多个距离相同的焊盘，所述焊盘设置有与所述Micro LED灯对应的N磁极、S磁极，将所述喷头与任一所述焊盘对齐；
S3：通过所述驱动构件驱动一所述Micro LED灯从所述喷头处喷出，并移动一预设距离并与另一焊盘对齐，其中，喷头的尺寸小于所述Micro LED灯的尺寸且大于所述本体部尺寸，通过喷头处的挤压去除Micro LED灯的屏蔽部；
S4：重复S3步骤，直到完成所述Micro LED灯的巨量转移。
可选的，在本申请的一些实施例中，在并移动一预设距离并与另一焊盘对齐的步骤中还包括：通过使喷头沿预设方向以预设速度移动，通过控制相邻两次喷洒的时间间隔，使所述Micro LED灯完成巨量转移。
有益效果：通过使Micro LED灯包括本体部、包裹所述本体部设置的屏蔽部，利用屏蔽部避免相邻所述Micro LED灯相互吸引、干扰，提高Micro LED灯巨量转移的效率和良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的Micro LED灯的截面示意图；
图2是本申请提供的待转移基板的俯视示意图；
图3是本申请提供的待转移基板的截面示意图；
图4是本申请提供的Micro LED灯转移装置的截面示意图；
图5是本申请提供的Micro LED灯转移装置的喷头的放大图；
图6是本申请提供的喷洒式巨量转移方法的流程图；
图7是本申请提供的喷洒式巨量转移方法转移过程的截面示意图。
附图标记说明：
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
在现有Micro LED灯转移装置2中，容纳腔60内设置有多个Micro LED灯1，所述Micro LED灯1的第一电极101设置有N磁极30、第二电极102设置有S磁极40，相邻Micro LED灯1之间的异性磁极会相互吸引，导致Micro LED灯转移装置2在巨量转移工艺中良率较低。
因此，亟需一种Micro LED灯转移装置2，能够缓解现有Micro LED灯转移装置2存在相邻Micro LED灯1相吸的技术问题，提高Micro LED灯1巨量转移的良率。
本申请提供的Micro LED灯1包括本体部10、屏蔽部20，所述本体部10包括第一电极101、第二电极102，所述第一电极101设置有N磁极30，所述第二电极102设置有S磁极40，所述屏蔽部20围绕且包裹所述本体部10设置。
其中，所述屏蔽部20用于屏蔽所述本体部10的磁极对相邻Micro LED灯1产生磁化作用；避免相邻Micro LED灯1吸引聚集成团，提升巨量转移的效率。
本申请实施例提供的Micro LED灯转移装置2包括框架50、容纳腔60、驱动构件70、喷头80；所述容纳腔60设置于所述框架50上，所述容纳腔60内设置有多个Micro LED灯1，所述驱动构件70与所述容纳腔60相连，所述喷头80与所述容纳腔60连通，其中，所述MicroLED灯1包括本体部10、屏蔽部20，所述本体部10包括第一电极101、第二电极102，所述第一电极101设置有N磁极30，所述第二电极102设置有S磁极40，所述屏蔽部20围绕且包裹所述本体部10设置。
在本实施例中，通过使Micro LED灯1包括本体部10、包裹所述本体部10设置的屏蔽部20，利用屏蔽部20避免相邻所述Micro LED灯1相互吸引、干扰，提高Micro LED灯1巨量转移的效率和良率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1，本申请提供的Micro LED灯1包括本体部10、屏蔽部20，所述屏蔽部20围绕且包裹所述本体部10设置。
其中，所述本体部10包括设置于所述第一衬底103上的第一电极101、第二电极102，所述第一电极101上设置有N磁极30，所述第二电极102上设置有S磁极40。
在一种实施例中，所述屏蔽部20为软质胶囊，所述软质胶囊用于防止相邻MicroLED灯1相互吸引聚集。
在一种实施例中，所述屏蔽部20的制备材料包括任一具有屏蔽磁化作用的材料。
其中，所述屏蔽部20包裹住所述本体部10，与常见的胶囊药丸相似。
可以理解的是，所述屏蔽部20还具备保护所述本体部10的效果，避免相邻所述本体部10发生碰撞导致本体部10损坏。
需要注意的是，所述屏蔽部20与所述本体部10可以为仿形设计，使所述屏蔽部20与所述本体部10更加贴合、匹配，防止本体部10的任一倒角刮伤屏蔽部20，避免屏蔽部20破损失效。
在本实施例中，屏蔽部20包括具有屏蔽磁化作用的材料，使相邻本体部10被隔绝，利用屏蔽部20避免相邻所述Micro LED灯1相互吸引、干扰。
请参阅图2、图3，本申请实施例提供一种待转移基板90，所述待转移基板90包括第二衬底203、设置于所述第二衬底203上的多个呈阵列排布的焊盘100，所述焊盘100包括第三电极201、第四电极202，所述焊盘100还设置有与所述Micro LED灯1对应的N磁极30、S磁极40。
其中，所述第三电极201与所述第一电极101对应设置，所述第四电极202与所述第二电极102对应设置。
其中，所述第一电极101表面设置有N磁极30，则所述第三电极201表面设置有S磁极40，所述第一电极101为N极/P极，所述第三电极201为P极/N极。
其中，所述第二电极102表面设置有S磁极40，则所述第四电极202表面设置有N磁极30，所述第二电极102为N极/P极，所述第四电极202为P极/N极。
在本实施例中，所述待转移基板90为一半成品基板，通过本申请提供的Micro LED灯转移装置2/Micro LED灯1/喷洒式巨量转移方法制备得到。
本申请实施例还提供一种成品基板，所述成品基板中，任一所述Micro LED灯1与一所述焊盘100对应设置，所述Micro LED灯1的N极与所述焊盘100的P极相连，所述MicroLED灯1的P极与所述焊盘100的N极相连。
请参阅图4、图5，本申请实施例提供的Micro LED灯转移装置2包括框架50、容纳腔60、驱动构件70、喷头80；所述容纳腔60设置于所述框架50上，所述容纳腔60内设置有多个Micro LED灯1，所述驱动构件70与所述容纳腔60相连，所述喷头80与所述容纳腔60连通，其中，所述Micro LED灯1包括本体部10、屏蔽部20，所述本体部10包括第一电极101、第二电极102，所述第一电极101设置有N磁极30，所述第二电极102设置有S磁极40，所述屏蔽部20围绕且包裹所述本体部10设置。
其中，所述Micro LED灯转移装置2可以为ODF(滴液晶机台)，改善Mini&Micro LED量产后带来的LCD设备闲置，提高产能，降低成本。
其中，所述框架50可以为龙门架，所述喷头80可以为针头；所述驱动构件70可以为驱动源，所述驱动构件70与所述容纳腔60或所述容纳腔60与所述喷头80之间可以通过气管连接。
其中，所述容纳腔60内的所述Micro LED灯1通过其屏蔽部20的隔绝，避免了相邻所述Micro LED灯1之间的吸引聚集。
在本实施例中，通过使相邻所述Micro LED灯1为独立且互不吸引的个体，使每次喷洒时仅一个所述Micro LED灯1经过所述喷头80喷洒出；提高了所述Micro LED灯1巨量转移的良率。
在一种实施例中，请参阅图1、图5，所述喷头80的开口尺寸S1小于所述Micro LED灯1的尺寸S2。
其中，所述喷头80的开口尺寸S1为其内径的尺寸。
其中，所述喷头80的长、宽分别小于所述Micro LED灯1的长、宽、高中的任意两者。
进一步的，所述喷头80的开口尺寸S1的最大孔径小于所述Micro LED灯1最短边的长度，提升所述Micro LED灯1经过所述喷头80时其屏蔽层挤破的概率，避免未被挤破的屏蔽层包裹着所述本体部10喷洒而出，造成所述本体部10的S磁极40、N磁极30无法与所述焊盘100的N磁极30、S磁极40相互吸引，导致所述本体部10与所述焊盘100之间的转移出现异常。
可以理解的是，所述Micro LED灯1经过所述喷头80喷洒而出，在经过所述喷头80时，利用尺寸差，通过所述喷头80对所述Micro LED灯1挤压，从而挤破所述屏蔽部20，使所述本体部10与所述焊盘100通过异性磁极相吸从而对位相连。
在本实施例中，通过挤压的方式挤破屏蔽部20，从而实现巨量转移过程中，利用异性磁极相吸的原理，本体部10与焊盘100对位相连，提高了巨量转移的精度及良率。
在一种实施例中，请参阅图1、图5，所述喷头80的开口尺寸S1大于所述本体部10的尺寸S3。
其中，所述喷头80的开口尺寸S1为其内径的尺寸。
其中，所述喷头80的长、宽分别大于所述本体部10的长、宽、高中的任意两者。
进一步的，所述喷头80的开口尺寸S1的最小孔径大于所述本体部10最长边的长度；进一步避免所述喷头80对所述本体部10造成损伤，提升所述本体部10结构的完整程度，提升所述Micro LED灯1巨量转移的良率。
可以理解的是，避免了所述喷头80对所述本体部10的损伤，使所述本体部10能顺利地通过所述喷头80喷洒出。
在本实施例中，所述本体部10还包括第一电极101、第二电极102、以及N磁极30、S磁极40，通过使喷头80的尺寸大于所述本体部10的尺寸，降低所述本体部10经过所述喷头80时发生磕碰、撞击、损伤的概率，进一步提高了良率。
在一种实施例中，所述屏蔽部20为软质胶囊，所述软质胶囊用于防止相邻MicroLED灯1相互吸引聚集。
在一种实施例中，当所述屏蔽部20的制备材料为容易划破、刮伤的材料时，例如：所述屏蔽部20为软质胶囊；通过在所述喷头80内侧设置至少一刮伤部，利用所述刮伤部划破所述屏蔽部20，以释放所述本体部10。
其中，所述刮伤部可以为倒角。
其中，所述倒角可以设置为多个，多个所述倒角的延伸长度不同。
其中，靠近所述喷头80的开口处的所述倒角的延伸长度越长。
可以理解的是，通过设置多个倒角/刮伤部，从而缓解单个倒角/刮伤部因磨损钝化导致无法划破所述屏蔽部20的技术问题。
需要注意的是，所述倒角的延伸长度与所述本体部10的最长边之和小于所述喷头80沿该所述倒角延伸方向的孔径。
需要注意的是，所述倒角的延伸长度与所述Micro LED灯1的最长边之和大于所述喷头80沿该所述倒角延伸方向的孔径。
在本实施例中，通过限定所述倒角延伸长度、所述Micro LED灯1的最长边长度、所述本体部10的最长边长度、所述喷头80沿该所述倒角延伸方向的孔径之间的关系，使所述屏蔽部20能有效地被所述刮伤部划破，且降低所述本体部10被所述刮伤部刮伤的概率，提升所述本体部10巨量转移的良率。
在一种实施例中，所述本体部10的长/宽/高的范围为15微米至25微米。
在本实施例中，所述本体部10需满足一定的尺寸，以实现较高的PPI，提升显示效果。
在一种实施例中，所述屏蔽部20的形状与所述本体部10的形状相同或相似。
可以理解的是，所述屏蔽部20的形状参照所述本体部10进行仿形设计，避免相邻Micro LED灯1相互碰撞导致本体部10挤破屏蔽部20，进一步避免了相邻Micro LED灯1吸引聚集，提升了巨量转移的良率。
请参阅图6、图7，本申请实施例提供一种喷洒式巨量转移方法，包括：
S1：提供一上述Micro LED灯转移装置2，所述Micro LED灯转移装置2包括框架50、容纳腔60、驱动构件70、喷头80，所述容纳腔60内设置有多个上述Micro LED灯1；
S2：将待转移基板90放置于所述喷头80的喷洒方向上，所述待转移基板90包括多个距离相同的焊盘100，所述焊盘100设置有与所述Micro LED灯1对应的N磁极30、S磁极40，将所述喷头80与任一所述焊盘100对齐；
S3：通过所述驱动构件70驱动一所述Micro LED灯1从所述喷头80处喷出，并移动一预设距离并与另一焊盘100对齐，其中，喷头80的尺寸小于所述Micro LED灯1的尺寸且大于所述本体部10尺寸，通过喷头80处的挤压去除Micro LED灯1的屏蔽部20；
S4：重复S3步骤，直到完成所述Micro LED灯1的巨量转移。
其中，所述焊盘100还包括第三电极201、第四电极202，所述第三电极201与所述第一电极101对应，所述第二电极102与所述第四电极202对应。
具体的，所述第一电极101为N极/P极，所述第三电极201为P极/N极。
具体的，第一电极101为P极/N极，所述第三电极201为N极/P极。
请参阅图7，当所述Micro LED灯1的所述本体部10喷洒向所述焊盘100时，所述Micro LED灯1的N磁极30、S磁极40，在空中利用磁极异形相吸与所述焊盘100的S磁极40、N磁极30分别对位，进而实现所述Micro LED灯1的N极与焊盘100的P极相连，所述Micro LED灯1的P极与焊盘100的N极相连；以提高Micro LED灯1巨量转移的效率。
在一种实施例中，在并移动一预设距离并与另一焊盘100对齐的步骤中还包括：通过使喷头80沿预设方向以预设速度移动，通过控制相邻两次喷洒的时间间隔，使所述MicroLED灯1完成巨量转移。
可以理解的是，对于待转移基板90上设置有阵列排布的多个所述焊盘100时，相邻焊盘100的间距相同，Micro LED灯转移装置2使所述喷头80沿一方向匀速移动的前提下，通过控制喷洒时间可以实现对该方向上所有焊盘100实现Micro LED灯1的转移。
需要注意的是，当完成该方向上所有焊盘100的Micro LED灯1的转移后，需要调整方向，再继续以一定的速度使喷头80匀速沿着调整后的方向移动，控制喷洒时间以实现对调整后该方向上所有焊盘100的Micro LED灯1的转移。
在本实施例中，采用控制变量的方式实现了对呈阵列排布焊盘100的Micro LED灯1的巨量转移，所述喷头80接近所述焊盘100上方时喷洒所述Micro LED灯1，使所述MicroLED灯1喷洒至所述焊盘100一预设距离内的区域，再利用所述Micro LED灯1、焊盘100上分别设置的N磁极30、S磁极40得相互吸引，实现了Micro LED灯1的巨量转移；提升了MicroLED灯1巨量转移的良率和精度。
本申请实施例提供的Micro LED灯转移装置包括框架、容纳腔、驱动构件、喷头；所述容纳腔设置于所述框架上，所述容纳腔内设置有多个Micro LED灯，所述驱动构件与所述容纳腔相连，所述喷头与所述容纳腔连通，其中，所述Micro LED灯包括本体部、屏蔽部，所述本体部包括第一电极、第二电极，所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，所述屏蔽部围绕且包裹所述本体部设置；通过使Micro LED灯包括本体部、包裹所述本体部设置的屏蔽部，利用屏蔽部避免相邻所述Micro LED灯相互吸引、干扰，提高Micro LED灯巨量转移的效率和良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种Micro LED灯、一种Micro LED灯转移装置、一种喷洒式巨量转移方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种Micro LED灯，其特征在于，所述Micro LED灯包括本体部、屏蔽部，所述本体部包括第一电极、第二电极，所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，所述屏蔽部围绕且包裹所述本体部设置，所述屏蔽部为软质胶囊。
2.一种Micro LED灯转移装置，其特征在于，包括：
框架；
容纳腔，所述容纳腔设置于所述框架上，所述容纳腔内设置有多个Micro LED灯；
驱动构件，所述驱动构件与所述容纳腔相连；
喷头，所述喷头与所述容纳腔连通；
其中，所述Micro LED灯包括本体部、屏蔽部，所述本体部包括第一电极、第二电极，所述第一电极设置有N磁极，所述第二电极设置有S磁极，所述屏蔽部围绕且包裹所述本体部设置，所述屏蔽部为软质胶囊。
3.如权利要求2所述的Micro LED灯转移装置，其特征在于，所述喷头的开口尺寸小于所述Micro LED灯的尺寸。
4.如权利要求3所述的Micro LED灯转移装置，其特征在于，所述喷头的开口尺寸大于所述本体部的尺寸。
5.如权利要求2所述的Micro LED灯转移装置，其特征在于，所述本体部的长/宽/高的范围为15微米至25微米。
6.如权利要求2所述的Micro LED灯转移装置，所述屏蔽部的形状与所述本体部的形状相同或相似。
7.一种喷洒式巨量转移方法，其特征在于，包括：
S1：提供一如上述权利要求2至6任一项所述的Micro LED灯转移装置，所述Micro LED灯转移装置包括框架、容纳腔、驱动构件、喷头，所述容纳腔内设置有多个上述Micro LED灯；
S2：将待转移基板放置于所述喷头的喷洒方向上，所述待转移基板包括多个距离相同的焊盘，所述焊盘设置有与所述Micro LED灯对应的N磁极、S磁极，将所述喷头与任一所述焊盘对齐；
S3：通过所述驱动构件驱动一所述Micro LED灯从所述喷头处喷出，并移动一预设距离并与另一焊盘对齐，其中，喷头的尺寸小于所述Micro LED灯的尺寸且大于所述本体部尺寸，通过喷头处的挤压去除Micro LED灯的屏蔽部；
S4：重复S3步骤，直到完成所述Micro LED灯的巨量转移。
8.如权利要求7所述的喷洒式巨量转移方法，其特征在于，在移动一预设距离并与另一焊盘对齐的步骤中还包括：通过使喷头沿预设方向以预设速度移动，通过控制相邻两次喷洒的时间间隔，使所述Micro LED灯完成巨量转移。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| CN202210087405.8A CN114447185B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | Micro LED灯及其转移装置、喷洒式巨量转移方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| CN114447185B true CN114447185B (zh) | 2023-10-17 |
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| CN202210087405.8A Active CN114447185B (zh) | 2022-01-25 | 2022-01-25 | Micro LED灯及其转移装置、喷洒式巨量转移方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114447185B (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |